製造方法並びにシステム、組成物、界面活性剤、モノマー単位、金属錯体、燐酸エステル、グリコール、水性皮膜形成フォーム、及びフォーム安定剤
ハロゲン化化合物の反応ステップ、化合物の脱ハロゲンステップ、アルコールの反応ステップ、オレフィンと飽和化合物の反応ステップ、２以上の−ＣＦ３基を有する反応物を環状基を有する反応物と反応させるステップを含んだ製造方法並びにシステムが提供される。ＲＦ−中間生成物、ＲＦ−界面活性剤、ＲＦ−モノマー、ＲＦ−モノマー単位、ＲＦ−金属錯体、ＲＦ−燐酸エステル、ＲＦ−グリコール、ＲＦ−ウレタン、及び／またはＲＦ−フォーム安定剤等のＲＦ組成物。ＲＦ部分は、２以上の−ＣＦ３基、３以上の−ＣＦ３基、及び／または２以上の−ＣＦ３基と２以上の−ＣＨ２基を含むことができる。ＲＦ−界面活性剤組成物を含んだ洗剤、乳化剤、塗料、接着剤、インク、湿潤剤、発泡剤、及び消泡剤が提供される。ＲＦ−モノマー単位を含んだアクリル、樹脂、及びポリマーが提供される。以上のＲＦ−組成物を有する基質を含んだ組成物が提供される。ＲＦ−界面活性剤及び／またはＲＦ−フォーム安定剤を含むことができる水性皮膜形成フォーム（“ＡＦＦＦ”）処方物が提供される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする組成物。
【請求項２】
ＲＦはＱＳに対して疎水性であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３】
ＱＳはＲＦに対して親水性であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項４】
ＲＦは疎水性であり、ＱＳは親水性であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項５】
ＲＦは１以上の−ＣＨ２基を含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項６】
ＲＦは１以上の環状基を含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項７】
ＲＦは１以上の環状基を含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項８】
環状基は芳香族基を含むことを特徴とする請求項７記載の組成物。
【請求項９】
ＲＦは１以上の（ＣＦ３）２ＣＦ基を含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１０】
ＲＦは３以上のＣＦ３基を含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１１】
ＲＦは２以上の（ＣＦ３）２ＣＦ基を含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１２】
ＲＦは４以上の炭素を含んでおり、その１つは−ＣＨ２基を含んでいることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１３】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１４】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１５】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１６】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１７】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１８】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１９】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２０】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２１】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２２】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２３】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２４】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２５】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２６】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２７】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２８】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２９】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３０】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３１】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３２】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３３】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３４】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３５】
ＲＦ−ＱＳは
であり、Xはハロゲンであることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３６】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだ洗剤であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする洗剤。
【請求項３７】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだ乳化剤であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする乳化剤。
【請求項３８】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだ塗料であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする塗料。
【請求項３９】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだ接着剤であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする接着剤。
【請求項４０】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだインクであって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とするインク。
【請求項４１】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだ湿潤剤であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする湿潤剤。
【請求項４２】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだ発泡剤であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする発泡剤。
【請求項４３】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだ消泡剤であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする消泡剤。
【請求項４４】
１部がＲＦ−ＱＳ界面活性剤のＲＦである、２以上の−ＣＦ３基と２つの水素を含む第１化合物を提供するステップを含んでおり、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２つの−ＣＦ３基と２つの水素を含んでおり、
ＱＳをＲＦに追加してＲＦ−ＱＳ界面活性剤を生成するステップをさらに含んでいることを特徴とする生成方法。
【請求項４５】
ＲＦはＱＳに対して疎水性であることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項４６】
ＱＳはＲＦに対して親水性であることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項４７】
ＲＦは疎水性であり、ＱＳは親水性であることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項４８】
ＲＦは１以上の−ＣＨ２基を含んでいることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項４９】
ＲＦは１以上の環状基を含んでいることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項５０】
環状基は芳香族基を含んでいることを特徴とする請求項４９記載の方法。
【請求項５１】
ＲＦは１以上の（ＣＦ３）２ＣＦ基を含んでいることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項５２】
ＲＦは３以上の−ＣＦ３基を含んでいることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項５３】
ＲＦは２以上の（ＣＦ３）２ＣＦ基を含んでいることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項５４】
ＲＦは４以上の炭素を含んでおり、その１つは−ＣＨ２基を含んでいることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項５５】
２以上の部分を有するシステムの１部分の表面張力を変更する方法であって、ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を前記システムの１部に追加するステップを含んでおり、
ＲＦは、前記システムの１部でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの別の部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする方法。
【請求項５６】
ＲＦはＱＳに対して疎水性であることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【請求項５７】
ＱＳはＲＦに対して親水性であることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【請求項５８】
ＲＦは疎水性であり、ＱＳは親水性であることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【請求項５９】
ＲＦは１以上の−ＣＨ２基を含んでいることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【請求項６０】
ＲＦは１以上の環状基を含んでいることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【請求項６１】
環状基は芳香族基を含んでいることを特徴とする請求項６０記載の方法。
【請求項６２】
ＲＦは１以上の（ＣＦ３）２ＣＦ基を含んでいることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【請求項６３】
ＲＦは３以上の−ＣＦ３基を含んでいることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【請求項６４】
ＲＦは２以上の（ＣＦ３）２ＣＦ基を含んでいることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【請求項１】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする組成物。
【請求項２】
ＲＦはＱＳに対して疎水性であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３】
ＱＳはＲＦに対して親水性であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項４】
ＲＦは疎水性であり、ＱＳは親水性であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項５】
ＲＦは１以上の−ＣＨ２基を含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項６】
ＲＦは１以上の環状基を含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項７】
ＲＦは１以上の環状基を含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項８】
環状基は芳香族基を含むことを特徴とする請求項７記載の組成物。
【請求項９】
ＲＦは１以上の（ＣＦ３）２ＣＦ基を含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１０】
ＲＦは３以上のＣＦ３基を含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１１】
ＲＦは２以上の（ＣＦ３）２ＣＦ基を含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１２】
ＲＦは４以上の炭素を含んでおり、その１つは−ＣＨ２基を含んでいることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１３】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１４】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１５】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１６】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１７】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１８】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１９】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２０】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２１】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２２】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２３】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２４】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２５】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２６】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２７】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２８】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項２９】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３０】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３１】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３２】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３３】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３４】
ＲＦ−ＱＳは
であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３５】
ＲＦ−ＱＳは
であり、Xはハロゲンであることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３６】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだ洗剤であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする洗剤。
【請求項３７】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだ乳化剤であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする乳化剤。
【請求項３８】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだ塗料であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする塗料。
【請求項３９】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだ接着剤であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする接着剤。
【請求項４０】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだインクであって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とするインク。
【請求項４１】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだ湿潤剤であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする湿潤剤。
【請求項４２】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだ発泡剤であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする発泡剤。
【請求項４３】
ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を含んだ消泡剤であって、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする消泡剤。
【請求項４４】
１部がＲＦ−ＱＳ界面活性剤のＲＦである、２以上の−ＣＦ３基と２つの水素を含む第１化合物を提供するステップを含んでおり、
ＲＦは、２以上の部分を有するシステムの第１部分でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは前記システムの第２部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２つの−ＣＦ３基と２つの水素を含んでおり、
ＱＳをＲＦに追加してＲＦ−ＱＳ界面活性剤を生成するステップをさらに含んでいることを特徴とする生成方法。
【請求項４５】
ＲＦはＱＳに対して疎水性であることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項４６】
ＱＳはＲＦに対して親水性であることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項４７】
ＲＦは疎水性であり、ＱＳは親水性であることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項４８】
ＲＦは１以上の−ＣＨ２基を含んでいることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項４９】
ＲＦは１以上の環状基を含んでいることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項５０】
環状基は芳香族基を含んでいることを特徴とする請求項４９記載の方法。
【請求項５１】
ＲＦは１以上の（ＣＦ３）２ＣＦ基を含んでいることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項５２】
ＲＦは３以上の−ＣＦ３基を含んでいることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項５３】
ＲＦは２以上の（ＣＦ３）２ＣＦ基を含んでいることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項５４】
ＲＦは４以上の炭素を含んでおり、その１つは−ＣＨ２基を含んでいることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項５５】
２以上の部分を有するシステムの１部分の表面張力を変更する方法であって、ＲＦ−ＱＳを含む界面活性剤組成物を前記システムの１部に追加するステップを含んでおり、
ＲＦは、前記システムの１部でＱＳよりも高い親和力を有しており、
ＱＳは、前記システムの別の部分でＲＦよりも高い親和力を有しており、
ＲＦは２以上の−ＣＦ３基と２以上の水素を含んでいることを特徴とする方法。
【請求項５６】
ＲＦはＱＳに対して疎水性であることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【請求項５７】
ＱＳはＲＦに対して親水性であることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【請求項５８】
ＲＦは疎水性であり、ＱＳは親水性であることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【請求項５９】
ＲＦは１以上の−ＣＨ２基を含んでいることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【請求項６０】
ＲＦは１以上の環状基を含んでいることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【請求項６１】
環状基は芳香族基を含んでいることを特徴とする請求項６０記載の方法。
【請求項６２】
ＲＦは１以上の（ＣＦ３）２ＣＦ基を含んでいることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【請求項６３】
ＲＦは３以上の−ＣＦ３基を含んでいることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【請求項６４】
ＲＦは２以上の（ＣＦ３）２ＣＦ基を含んでいることを特徴とする請求項５５記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公表番号】特表２００７−５２６９１２（Ｐ２００７−５２６９１２Ａ）
【公表日】平成１９年９月２０日（２００７．９．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５５１５７９（Ｐ２００６−５５１５７９）
【出願日】平成１７年１月２８日（２００５．１．２８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００５／００３１３８
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０７４５９４
【国際公開日】平成１７年８月１８日（２００５．８．１８）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．テフロン
【出願人】（５０６１７９７７８）グレート・レークス・ケミカル・コーポレーション (6)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１９年９月２０日（２００７．９．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１月２８日（２００５．１．２８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００５／００３１３８
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０７４５９４
【国際公開日】平成１７年８月１８日（２００５．８．１８）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．テフロン
【出願人】（５０６１７９７７８）グレート・レークス・ケミカル・コーポレーション (6)
【Ｆターム（参考）】
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