配線基板の製造方法、多層配線基板の製造方法
【課題】液滴吐出法を用いて電子部品の周囲に絶縁膜を形成する場合に、該絶縁膜上に形成される配線と前記電子部品との間で良好な導通を得ることを可能とした、配線基板の製造方法、多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】導電部２０ａ，２１ａを有する電子部品２０，２１を、導電部２０ａ，２１ａを上方に向けて基体１０上に配置するとともに、導電部２０ａ，２１ａ上に導電性を有した突起１２を設ける。そして、液滴吐出法を用いて電子部品２０，２１の周囲に、電子部品２０，２１と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、絶縁材料を硬化させて絶縁膜１３を形成する。そして、絶縁膜１３上に、突起１２に接続する配線１５を形成する。
【解決手段】導電部２０ａ，２１ａを有する電子部品２０，２１を、導電部２０ａ，２１ａを上方に向けて基体１０上に配置するとともに、導電部２０ａ，２１ａ上に導電性を有した突起１２を設ける。そして、液滴吐出法を用いて電子部品２０，２１の周囲に、電子部品２０，２１と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、絶縁材料を硬化させて絶縁膜１３を形成する。そして、絶縁膜１３上に、突起１２に接続する配線１５を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法、多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、回路基板（配線基板）上に実装される電子部品の小型化が進んでおり、配線基板の細密化が要求されている。このような、細密な配線構造を形成する方法として、液滴吐出法を用いて、導電性パターンを絶縁膜中に埋め込んだ状態に形成する技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、上記回路基板が搭載される、例えば携帯電話等の電子機器についても、近年、小型化が進行している。これに伴って、携帯電話は、回路基板（配線基板）上における電子部品の実装スペースが制限されてしまう。そのため、電子部品をより高密度で実装する方法の提供が望まれている。
【０００４】
そこで、基板上にチップ部品を固定し、該チップ部品の周囲に、液滴吐出法を用いて絶縁材料を塗布し、絶縁膜中にチップ部品を埋め込み、該チップ部品に接続する配線を形成することで、チップ部品が高密度で実装された配線基板が考えられる。
【特許文献１】特開２００５−３２７９８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、液滴吐出法により電子部品の周囲に絶縁材料を配置し、絶縁膜に電子部品する際に、該絶縁体インクが電子部品の上面側に設けられた導電部上に乗り上げてしまう。このような状態のもとで硬化された絶縁体インクから構成された絶縁膜は、電子部品の導電部を覆ってしまうため、絶縁膜上に形成する配線と電子部品との間で導通が取れなくなるといった問題が生じてしまう。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、液滴吐出法を用いて電子部品の周囲に絶縁膜を形成する場合に、該絶縁膜上に形成される配線と前記電子部品との間で良好な導通を得ることを可能とした、配線基板の製造方法、多層配線基板の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の配線基板の製造方法は、導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、前記導電部上に導電性を有した突起を設ける工程と、液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させて絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に、前記突起に接続する配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の配線基板の製造方法によれば、液滴吐出法によって電子部品の周囲に塗布された絶縁材料が電子部品の上面に乗り上げたとしても、導電部上に設けられた突起が絶縁材料から突出した状態となる。よって、絶縁材料を硬化させて形成された絶縁膜は、突起を突出させた状態とし、これにより絶縁膜上に形成された配線は、前記突起を介して、電子部品に確実に導通する。
【０００９】
したがって、液滴吐出法を用いて電子部品を絶縁膜中に埋め込む場合においても、配線と電子部品との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板を提供することができる。
【００１０】
上記配線基板の製造方法においては、前記導電性突起を設けるに際して、液滴吐出法を用いるのが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、液滴吐出法を用いることでフォトリソグラフィ工程等を行うことなく、導電性突起を形成できるので、配線基板の製造工程を簡略化することができる。
【００１２】
本発明の配線基板の製造方法は、導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、少なくとも前記導電部上に撥液処理を施す工程と、液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させて絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記導電部に導通する配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の配線基板の製造方法によれば、撥液処理された導電部上に乗り上げた絶縁材料がはじかれるので、前記導電部が絶縁材料に覆われてしまうことがない。よって、絶縁材料を硬化させて形成された絶縁膜は、導電部を露出させた状態とし、これにより絶縁膜上に形成された配線は電子部品に確実に導通する。
【００１４】
したがって、液滴吐出法を用いて電子部品を絶縁膜中に埋め込む場合においても、配線と電子部品との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板を提供することができる。
【００１５】
本発明の配線基板の製造方法は、導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、少なくとも前記導電部上に保護膜を設ける工程と、液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させることで絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜を形成した後、前記保護膜を剥離し、前記導電部を露出させる工程と、前記絶縁層上に、前記導電部に導通する配線を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１６】
本発明の配線基板の製造方法によれば、電子部品の周囲に塗布された絶縁材料の一部が電子部品の上面に乗り上げたとしても、保護膜が設けられた導電部は絶縁材料に覆われることがない。そして、絶縁材料を硬化させた後に保護膜を剥離することで導電部は絶縁膜から露出し、これにより導電部に接続する配線を良好に形成できる。
【００１７】
したがって、液滴吐出法を用いて電子部品を絶縁膜中に埋め込む場合においても、配線と電子部品との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板を提供することができる。
【００１８】
本発明の配線基板の製造方法は、導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、前記導電部上に、該導電部表面の少なくとも一部を囲む、枠状の突起を設ける工程と、液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させて絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に前記突起内に露出する導電部に導通する配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１９】
本発明の配線基板の製造方法によれば、電子部品の周囲に塗布された絶縁材料の一部が電子部品の上面に乗り上げたとしても、導電部上に設けられた枠状の突起に囲まれた導電部は絶縁材料によって覆われることがない。よって、例えば突起内に配線の一部を埋設することで、この配線は電子部品と良好に導通する。
【００２０】
したがって、液滴吐出法を用いて電子部品を絶縁膜中に埋め込む場合においても、配線と電子部品との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板を提供することができる。
【００２１】
上記配線基板の製造方法においては、前記突起を設ける工程は、液滴吐出法により前記導電部上に前記絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させるのが好ましい。
【００２２】
この構成によれば、突起を絶縁膜を構成する絶縁材料を用いて形成しているので、該突起及び絶縁膜の形成材料を共通化することで、コストの低減を図ることができる。
【００２３】
本発明の多層配線基板の製造方法は、上記いずれかの配線基板の製造方法の工程を繰り返し、あるいは上記の配線基板の製造方法の異なる二以上の工程を繰り返し、配線基板を積層することを特徴とする。
【００２４】
本発明の多層配線基板の製造方法によれば、絶縁膜に埋め込まれた電子部品と前記絶縁膜上に形成された配線との間で良好な導通を得る配線基板を積層しているので、電子部品が高密度に実装された信頼性の高いものを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２６】
まず、本発明における配線基板の製造方法の第１実施形態について説明する。図１、図２は、配線基板の製造工程を説明する図である。
【００２７】
（第１の実施形態）
はじめに、図１（ａ）に示すように、シリコンからなる基材（基体）１０上に、チップ部品（電子部品）２０、２１を配置する。このとき、前記チップ部品２０、２１の裏面には、例えば接着テープ等が設けられ、これにより基材１０上に固定される。なお、前記チップ部品２０、２１を配置する基材としては、他にもガラス、石英ガラス、金属板など各種のものが挙げられる。さらに、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、絶縁膜、有機膜、などが下地層として形成されたものも含む。
【００２８】
前記チップ部品２０、２１としては、抵抗、コンデンサー、ＩＣチップ等が挙げられ、本実施形態では、チップ部品２０として抵抗を用い、チップ部品２１としてコンデンサーを用いた。また、チップ部品２０、２１は、その電極部（導電部）２０ａ、２１ａを上方に向けた状態で基材１０上に配置されている。
【００２９】
次に、前記電極部２０ａ、２１ａ上に導電性を有した突起を設ける。本実施形態では、後述する絶縁膜形成工程と同様に、インクジェット法（法液滴吐出法）を用いて導電性インクを吐出することで突起を形成した。なお、前記突起を形成する方法としてはインクジェット法に限定されることはなく、例えばスタッドバンプ法を採用することもできる。
【００３０】
本実施形態では、直径１０ｎｍ程度の銀微粒子が有機溶剤に分散した銀微粒子分散液の分散媒をテトラデカンで置換してこれを希釈し、濃度が６０ｗｔ％、粘度が８ｍＰａ・ｓ、表面張力が０．０２２Ｎ/ｍとなるように調整したものを導電性インクとして用いた。
【００３１】
具体的には、前記チップ部品２０、２１の電極部２０ａ、２１ａ上に導電性インクを吐出し、焼成することにより、図１（ｂ）に示すようにＡｇポスト（突起）１２を形成できる。また、本実施形態では、基材１０上にチップ部品２０ａ、２１ａを配置した後、Ａｇポスト１２を形成しているが、電極部２０ａ、２１ａに、予めＡｇポスト１２が形成されたチップ部品２０ａ、２１ａを基材１０上に配置するようにしてもよい。
【００３２】
また、上記分散媒としては、銀微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。また、分散液の粘度は、例えば１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周囲がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるからである。
【００３３】
なお、表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００３４】
ところで、インクジェット法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００３５】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。なお、本実施形態では、上記ピエゾ素子による吐出方式を採用した。
【００３６】
次に、インクジェット法を用いて前記チップ部品２０，２１の周囲に、該チップ部品２０，２１と略同じ高さとなるように絶縁性インク（絶縁材料）を塗布し、該絶縁性インクを硬化させることで絶縁膜を形成する。
【００３７】
この絶縁性インクとしては、乾燥後にＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４となる液状材料、ポリイミド樹脂系、エポキシ樹脂系、ポリエステル樹脂系、フェノール樹脂系、フッ素樹脂系、紫外線硬化樹脂等が用いられる。本実施形態では、絶縁性インクとして、例えばポリイミドを溶剤（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）に希釈し、粘度が２０［ｍＰａ・ｓ］となるように調整したものを用いた。
【００３８】
チップ部品２０、２１の周囲に塗布された絶縁性インクは、濡れ拡がることでチップ部品２０、２１の上面に乗り上がった状態となる。このとき、前記チップ部品２０、２１の電極部２０ａ、２１ａ上には、前記Ａｇポスト１２が形成されているので、Ａｇポスト１２は絶縁性インクから突出した状態となる。そして、絶縁性インクを硬化することにより、形成された絶縁膜１３は、図１（ｃ）に示すようにチップ部品２０、２１を埋め込むとともに、前記Ａｇポスト１２を突出させる。
【００３９】
次に、前記絶縁膜１３上にＡｇポスト１２に接続する配線を形成する。本実施形態では、図１（ｄ）に示すように、Ａｇポスト１２と同様に、インクジェット法により銀微粒子分散液を吐出した後、硬化させることでＡｇポスト１２に接続されるＡｇ配線（配線）１５を形成した。
【００４０】
上述したように、前記Ａｇポスト１２が導電性を有しているので、前記Ａｇ配線１５はＡｇポスト１２を介して前記チップ部品２０、２１と確実に導通をとることができる。
【００４１】
以上の工程により配線基板１００が製造される。
【００４２】
本実施形態に係る配線基板１００の製造方法によれば、インクジェット法により吐出した絶縁性インクがチップ部品２０、２１の上面に乗り上げても、Ａｇポスト１２を露出させた状態に絶縁膜１３を形成できるので、Ａｇポスト１２を介して、Ａｇ配線１５とチップ部品２０、２１との間で導通をとることができる。
【００４３】
したがって、インクジェット法を用いてチップ部品２０、２１を絶縁膜１３中に埋め込む場合においても、Ａｇ配線１５とチップ部品２０、２１との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板１００を提供することができる。
【００４４】
（第２の実施形態）
続いて、配線基板の製造方法に係る第２実施形態について説明する。なお、上記実施形態と共通の構造については同一の符号を付して説明する。
【００４５】
はじめに、図２（ａ）に示すように、基材１０上に、チップ部品２０、２１を配置する。このとき、前記チップ部品２０、２１の裏面には、例えば接着テープ等が設けられ、これにより基材１０上に固定される。
【００４６】
ところで、チップ部品２０、２１の表面は、通常、後述する工程で塗布される絶縁性インクに対して親液性となっており、チップ部品２０、２１の周辺に絶縁性インクを塗布した際に、チップ部品２０、２１の上面に絶縁性インクが濡れ拡がるおそれがある。
【００４７】
そこで、本実施形態では、前記チップ部品２０、２１の上面に撥液処理を施す。なお、撥液処理は、チップ部品２０、２１の上面のうち、少なくとも電極部２０ａ、２１ａ上に施せば十分である。また、本実施形態では、基材１０上にチップ部品２０ａ、２１ａを配置した後、撥液処理行っているが、電極部２０ａ、２１ａ上に予め撥液処理を施したチップ部品２０ａ、２１ａを基材１０上に配置するようにしてもよい。
【００４８】
本実施形態では、撥液化処理の一例として、チップ部品２０、２１の上面に有機分子膜などからなる自己組織化膜２３を形成した。有機分子膜は、一端側にチップ部品２０、２１の表面に結合可能な官能基を有し、他端側にチップ部品２０、２１の表面を撥液性等に改質する（表面エネルギーを制御する）官能基を有すると共に、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖を備えており、チップ部品２０、２１に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成するものである。
【００４９】
また、自己組織化膜２３は、基板など下地層等構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、該直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。即ち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性等を付与することができる。
【００５０】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いた場合には、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
【００５１】
自己組織化膜を形成する化合物としては、例えば、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下、「ＦＡＳ」と表記する）を挙げることができる。使用に際しては、一つの化合物を単独で用いるのも好ましいが、２種以上の化合物を組合せて使用しても、本発明の所期の目的を損なわなければ制限されない。また、本実施形態においては、前記の自己組織化膜を形成する化合物として、前記ＦＡＳを用いるのが、基板との密着性および良好な撥液性を付与する上で好ましい。
【００５２】
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板とを同一の密閉容器中に入れておき、室温の場合は２〜３日程度の間放置すると基板上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板上に形成される。以上に述べたのは、気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜は形成可能である。
例えば、原料化合物を含む溶液中に基板を浸積し、洗浄、乾燥することで基板上に自己組織化膜が得られる。
【００５３】
撥液化処理の他の方法として、常圧でプラズマ照射する方法が挙げられる。プラズマ処理に用いるガス種は、基板の表面材質等を考慮して種々選択できる。例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等のフルオロカーボン系ガスを処理ガスとして使用できる。この場合、基板の表面に、撥液性のフッ化重合膜を形成することができる。また、撥液化処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板表面に貼着することによっても行うことができる。また、撥液性を示す薄膜を、前記チップ部品２０、２１の上面に、転写、ディップ、塗布、あるいは滴下することで形成してもよい。
【００５４】
続いて、上記実施形態と同様に、インクジェット法を用いて前記チップ部品２０、２１の周囲に、チップ部品２０、２１と略同じ高さとなるように絶縁性インクを塗布し、該絶縁性インクを硬化させることで絶縁膜を形成する。
【００５５】
このとき、チップ部品２０、２１の周囲に塗布された絶縁性インクの一部が、チップ部品２０、２１の上面に乗り上げた場合でも、撥液性を示す前記自己組織化膜２３が形成されたチップ部品２０、２１の上面は撥液性となっているため、前記絶縁性インクがはじかれ、チップ部品２０、２１の上面が絶縁性インクに覆われることがない。このような状態で絶縁性インクを硬化させることで、図２（ｃ）に示すように、チップ部品２０、２１の上面を露出させた状態に絶縁膜１３が形成される。
【００５６】
次に、前記電極部２０ａ、２１ａに接続する配線を前記絶縁膜１３上に形成する。なお、配線を形成するに際し、前記自己組織化膜２３を剥離しておくのが望ましい。本実施形態では、インクジェット法を用い、上記第１の実施形態と同様に銀微粒子分散液を吐出し、硬化させることで、図２（ｄ）に示すＡｇ配線１５を形成した。このとき、前記電極部２０ａ、２１ａが絶縁膜１３から露出した状態となっているので、前記配線１５と前記電極部２０ａ、２１ａとは確実に接続されたものとなる。以上の工程により、本実施形態に係る配線基板２００を製造することができる。
【００５７】
本実施形態に係る配線基板２００の製造方法によれば、チップ部品２０、２１の電極部２０ａ、２１ａ上に乗り上げた絶縁性材料は、撥液性を有する自己組織化膜２３によってはじかれ、前記電極部２０ａ、２１ａを覆ってしまうことがなく、電極部２０ａ、２１ａを露出させた状態に絶縁膜１３が形成される。
【００５８】
したがって、インクジェット法を用いてチップ部品２０、２１を絶縁膜１３中に埋め込む場合においても、Ａｇ配線１５とチップ部品２０、２１との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板２００を提供することができる。
【００５９】
（第３実施形態）
続いて、配線基板の製造方法に係る第３実施形態について説明する。なお、上記実施形態と共通の構造については同一の符号を付して説明する。
【００６０】
はじめに、図３（ａ）に示すように、基材１０上に、チップ部品２０、２１を配置する。このとき、前記チップ部品２０、２１の裏面には、例えば接着テープ等が設けられ、これにより基材１０上に固定される。
【００６１】
ところで、チップ部品２０、２１の表面は、通常、後述する工程で塗布される絶縁性インクに対して親液性となっており、チップ部品２０、２１の周辺に絶縁性インクを塗布した際に、チップ部品２０、２１の上面に絶縁性インクが濡れ拡がってしまうおそれがある。
【００６２】
そこで、本実施形態では、図３（ｂ）に示すように前記チップ部品２０、２１の上面に保護テープ（保護膜）３０を貼着する。なお、前記保護テープ３０は少なくとも電極部２０ａ、２１ａを覆っていればよい。また、本実施形態では、基材１０上にチップ部品２０ａ、２１ａを配置した後、前記保護テープ３０を設けているが、電極部２０ａ、２１ａに、予め保護テープ３０が形成されたチップ部品２０ａ、２１ａを基材１０上に配置するようにしてもよい。
【００６３】
続いて、上記実施形態と同様に、インクジェット法を用いて前記チップ部品２０、２１の周囲にチップ部品２０、２１と略同じ高さとなるように絶縁性インクを塗布し、該絶縁性インクを硬化させることで絶縁膜を形成する。
【００６４】
このとき、絶縁性インクの一部がチップ部品２０、２１の上面に乗り上げるため、図３（ｃ）に示すように前記保護テープ３０上に絶縁膜１３が形成されたものとなる。
【００６５】
その後、チップ部品２０、２１から保護テープ３０を剥離する。このとき、図３（ｄ）に示すように、上述した保護テープ３０上に形成された絶縁膜１３は保護テープ３０とともに剥離され、これにより電極部２０ａ、２１ａを露出させた状態に絶縁膜１３が形成される。
【００６６】
なお、前記保護テープ３０としては、その表面が後述する絶縁性インクに対し撥液性を示すものが好ましい。このようにすれば、絶縁性インクの保護テープ３０上への乗り上げを抑制し、前記保護テープ３０上に形成される絶縁膜の膜厚を抑えることができ、保護テープ３０の剥離を容易に行うことができる。
【００６７】
次に、前記絶縁膜１３上に前記電極部２０ａ、２１ａに接続する配線を形成する。本実施形態では、インクジェット法を用い、上記実施形態と同様に銀微粒子分散液を吐出し、硬化させることでＡｇ配線１５を形成する。このとき、前記電極部２０ａ、２１ａが絶縁膜１３から露出した状態となっているので、前記配線１５と前記電極部２０ａ、２１ａとは確実に接続されたものとなる。以上の工程により、本実施形態に係る配線基板３００を製造することができる。
【００６８】
本実施形態に係る配線基板３００の製造方法によれば、インクジェット法によって形成された絶縁膜が前記電極部２０ａ、２１ａ上を覆った場合でも、保護テープ３０を剥離することで、前記電極部２０ａ、２１ａが露出した状態となる。
【００６９】
よって、インクジェット法を用いてチップ部品２０、２１を絶縁膜１３中に埋め込む場合においても、Ａｇ配線１５とチップ部品２０、２１との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板３００を提供することができる。
【００７０】
（第４実施形態）
続いて、配線基板の製造方法に係る第４実施形態について説明する。なお、上記実施形態と共通の構造については同一の符号を付して説明する。
【００７１】
はじめに、上記実施形態と同様に、基材１０上に、チップ部品２０、２１を配置する。このとき、前記チップ部品２０、２１の裏面には、例えば接着テープ等が設けられ、これにより基材１０上に固定される。
【００７２】
次に、前記電極部２０ａ、２１ａ上に、該電極部２０ａ、２１ａ表面の少なくとも一部を囲む、図４に示すような円筒形状からなる枠状部（枠状の突起）４０を設ける。本実施形態では、インクジェット法を用いて絶縁性インクを吐出し硬化させることで、図５（ａ）に示すように枠状部４０を形成する。すなわち、本実施形態では、前記枠状部４０は、絶縁膜１３と同一材料から構成されたものとなっている。
【００７３】
また、本実施形態では、基材１０上にチップ部品２０ａ、２１ａを配置した後、枠状部４０を形成しているが、電極部２０ａ、２１ａに、予め枠状部４０が形成されたチップ部品２０ａ、２１ａを基材１０上に配置するようにしてもよい。
【００７４】
前記枠状部４０を形成した後、上記実施形態と同様に、インクジェット法を用いて前記チップ部品２０、２１の周囲に該チップ部品２０、２１と略同じ高さとなるように絶縁性インクを塗布し、該絶縁性インクを硬化させることで絶縁膜を形成する。
【００７５】
このとき、チップ部品２０、２１の周囲に塗布された絶縁性インクの一部が、チップ部品２０、２１の上面に乗り上げた場合でも、枠状部４０により囲まれた電極部２０ａ、２１ａは絶縁性インクに覆われることがない。このような状態にて絶縁性インクを硬化させることで、図５（ｂ）に示すように前記チップ部品２０、２１が絶縁膜１３中に埋め込まれる。このとき、前記枠状部４０は、前記絶縁膜１３から突出した状態となっている。
【００７６】
上述したように前記枠状部４０は、絶縁膜１３と同一材料により形成されているので、枠状部４０及び絶縁膜１３の形成材料が共通化されることでコストの低減を図ることができる。また、枠状部４０と絶縁膜１３との密着性が向上する。
【００７７】
次に、前記絶縁膜１３上に前記電極部２０ａ、２１ａに接続される配線を形成する。本実施形態では、インクジェット法を用い、上記第１の実施形態と同様に銀微粒子分散液を吐出し、乾燥（硬化）することで図５（ｃ）に示すＡｇ配線（配線）１５を形成した。ここで、上述したように前記枠状部４０に囲まれた領域には、電極部２０ａ、２１ａが露出した状態となっているので、前記配線１５の一部を枠状部４０内に埋め込むことで、配線１５と電極部２０ａ、２１ａとの間を良好に導通させることができる。以上の工程により、本実施形態に係る配線基板４００を製造することができる。なお、前記枠状部４０内からワイヤーを引き出し配線に接続させることで、チップ部品２０，２１に接続する配線を形成してもよい。
【００７８】
本実施形態に係る配線基板４００の製造方法によれば、インクジェット法によって塗布された絶縁性インクがチップ部品２０、２１の上面に乗り上げても、電極部２０ａ、２１ａ上に設けられた枠状部４０に囲まれた電極部２０ａ、２１ａは絶縁性インクによって覆われることがない。よって、枠状部４０内に埋設されたＡｇ配線１５はチップ部品２０、２１と良好に導通する。
【００７９】
したがって、インクジェット法を用いてチップ部品２０、２１を絶縁膜１３中に埋め込む場合においても、Ａｇ配線１５とチップ部品２０、２１との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板４００を提供することができる。
【００８０】
（多層配線基板の製造方法）
次に、本発明の多層配線基板の製造方法に係る一実施形態について説明する。
【００８１】
本発明に係る多層配線基板の製造方法は、配線基板の製造方法の工程を繰り返す、あるいは異なる工程を繰り返すことで配線基板を積層するものである。なお、繰り返される工程としては、上層の配線基板を形成するのに最適なものが採用される。本実施形態では、導電部上に突起を形成する工程を備える、配線基板の製造方法の工程を繰り返すことで、多層配線基板を形成している。
【００８２】
具体的には、図６（ａ）に示すように、上記第１実施形態にて形成した配線基板１００上に第１層間絶縁膜６０を形成する。そして、前記第１層間絶縁膜６０上にスルーホールＨ１を介して配線１５に接続される第１上層配線６１を形成する。
【００８３】
続いて、図６（ｂ）に示すように、前記第１層間絶縁膜６０上にＩＣチップ（電子部品）７０の端子部（導電部）７１を上方に向けて配置する。そして、上記第１実施形態に係る配線基板の形成工程と同様に、前記端子部７１にＡｇポスト（突起）７２を形成する。そして、Ａｇポスト７２を形成した後、ＩＣチップ７０の周囲にインクジェット法により絶縁性インクを塗布し、硬化させることで第２層間絶縁膜（絶縁膜）６２を形成する。これにより、第２層間絶縁膜６２中にＩＣチップ７０を埋め込むことができる。
【００８４】
そして、前記第２層間絶縁膜６２上に前記Ａｇポスト７２に接続する第２上層配線６３を形成する。このとき、Ａｇポスト７２が第２層間絶縁膜６２から突出した状態に形成されるので、Ａｇポスト７２と第２上層配線６３とは確実に導通する。
【００８５】
また、この第２上層配線６３は、スルーホールＨ３を介して第１上層配線６１、あるいはスルーホールＨ２を介してＡｇ配線１５に導通される。よって、ＩＣチップ７０と第２上層配線６３とは、Ａｇポスト７２を介して良好に導通されたものとなっている。
【００８６】
そして、前記第２層間絶縁膜６２上に第３層間絶縁膜６４を形成し、該第３層間絶縁膜６４上に他のチップ部品２４、２５を実装する。以上の工程により、多層配線基板５００を形成することができる。
【００８７】
本発明の多層配線基板５００の製造方法によれば、上述した配線基板の製造方法の工程を繰り返すことで、第２層間絶縁膜６２に埋め込まれたＩＣチップ７０と前記第２層間絶縁膜６２上に形成された第２上層配線６３との間で良好な導通を得る配線基板を積層しているので、電子部品（チップ部品２０，２１、ＩＣチップ７０）が高密度に実装された信頼性の高いものを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】第１実施形態に係る配線基板の製造工程説明図である。
【図２】第２実施形態に係る配線基板の製造工程説明図である。
【図３】第３実施形態に係る配線基板の製造工程説明図である。
【図４】枠状部の概略形状を示す斜視図である。
【図５】第４実施形態に係る配線基板の製造工程説明図である。
【図６】多層配線基板の製造方法の一実施形態について説明する図である。
【符号の説明】
【００８９】
１０…基材（基体）、１２…Ａｇポスト（突起）、１３…絶縁膜、１５…Ａｇ配線（配線）、２０，２１…チップ部品（電子部品）、２０ａ，２１ａ…電極部（導電部）、３０…保護テープ（保護膜）、４０…枠状部、６２…第２層間絶縁膜（絶縁膜）、７０…ＩＣチップ（電子部品）、７１…端子部（導電部）、７２…Ａｇポスト（突起）、１００…配線基板、２００…配線基板、３００…配線基板、４００…配線基板、５００…多層配線基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法、多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、回路基板（配線基板）上に実装される電子部品の小型化が進んでおり、配線基板の細密化が要求されている。このような、細密な配線構造を形成する方法として、液滴吐出法を用いて、導電性パターンを絶縁膜中に埋め込んだ状態に形成する技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、上記回路基板が搭載される、例えば携帯電話等の電子機器についても、近年、小型化が進行している。これに伴って、携帯電話は、回路基板（配線基板）上における電子部品の実装スペースが制限されてしまう。そのため、電子部品をより高密度で実装する方法の提供が望まれている。
【０００４】
そこで、基板上にチップ部品を固定し、該チップ部品の周囲に、液滴吐出法を用いて絶縁材料を塗布し、絶縁膜中にチップ部品を埋め込み、該チップ部品に接続する配線を形成することで、チップ部品が高密度で実装された配線基板が考えられる。
【特許文献１】特開２００５−３２７９８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、液滴吐出法により電子部品の周囲に絶縁材料を配置し、絶縁膜に電子部品する際に、該絶縁体インクが電子部品の上面側に設けられた導電部上に乗り上げてしまう。このような状態のもとで硬化された絶縁体インクから構成された絶縁膜は、電子部品の導電部を覆ってしまうため、絶縁膜上に形成する配線と電子部品との間で導通が取れなくなるといった問題が生じてしまう。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、液滴吐出法を用いて電子部品の周囲に絶縁膜を形成する場合に、該絶縁膜上に形成される配線と前記電子部品との間で良好な導通を得ることを可能とした、配線基板の製造方法、多層配線基板の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の配線基板の製造方法は、導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、前記導電部上に導電性を有した突起を設ける工程と、液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させて絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に、前記突起に接続する配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の配線基板の製造方法によれば、液滴吐出法によって電子部品の周囲に塗布された絶縁材料が電子部品の上面に乗り上げたとしても、導電部上に設けられた突起が絶縁材料から突出した状態となる。よって、絶縁材料を硬化させて形成された絶縁膜は、突起を突出させた状態とし、これにより絶縁膜上に形成された配線は、前記突起を介して、電子部品に確実に導通する。
【０００９】
したがって、液滴吐出法を用いて電子部品を絶縁膜中に埋め込む場合においても、配線と電子部品との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板を提供することができる。
【００１０】
上記配線基板の製造方法においては、前記導電性突起を設けるに際して、液滴吐出法を用いるのが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、液滴吐出法を用いることでフォトリソグラフィ工程等を行うことなく、導電性突起を形成できるので、配線基板の製造工程を簡略化することができる。
【００１２】
本発明の配線基板の製造方法は、導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、少なくとも前記導電部上に撥液処理を施す工程と、液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させて絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記導電部に導通する配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の配線基板の製造方法によれば、撥液処理された導電部上に乗り上げた絶縁材料がはじかれるので、前記導電部が絶縁材料に覆われてしまうことがない。よって、絶縁材料を硬化させて形成された絶縁膜は、導電部を露出させた状態とし、これにより絶縁膜上に形成された配線は電子部品に確実に導通する。
【００１４】
したがって、液滴吐出法を用いて電子部品を絶縁膜中に埋め込む場合においても、配線と電子部品との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板を提供することができる。
【００１５】
本発明の配線基板の製造方法は、導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、少なくとも前記導電部上に保護膜を設ける工程と、液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させることで絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜を形成した後、前記保護膜を剥離し、前記導電部を露出させる工程と、前記絶縁層上に、前記導電部に導通する配線を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１６】
本発明の配線基板の製造方法によれば、電子部品の周囲に塗布された絶縁材料の一部が電子部品の上面に乗り上げたとしても、保護膜が設けられた導電部は絶縁材料に覆われることがない。そして、絶縁材料を硬化させた後に保護膜を剥離することで導電部は絶縁膜から露出し、これにより導電部に接続する配線を良好に形成できる。
【００１７】
したがって、液滴吐出法を用いて電子部品を絶縁膜中に埋め込む場合においても、配線と電子部品との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板を提供することができる。
【００１８】
本発明の配線基板の製造方法は、導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、前記導電部上に、該導電部表面の少なくとも一部を囲む、枠状の突起を設ける工程と、液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させて絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に前記突起内に露出する導電部に導通する配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１９】
本発明の配線基板の製造方法によれば、電子部品の周囲に塗布された絶縁材料の一部が電子部品の上面に乗り上げたとしても、導電部上に設けられた枠状の突起に囲まれた導電部は絶縁材料によって覆われることがない。よって、例えば突起内に配線の一部を埋設することで、この配線は電子部品と良好に導通する。
【００２０】
したがって、液滴吐出法を用いて電子部品を絶縁膜中に埋め込む場合においても、配線と電子部品との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板を提供することができる。
【００２１】
上記配線基板の製造方法においては、前記突起を設ける工程は、液滴吐出法により前記導電部上に前記絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させるのが好ましい。
【００２２】
この構成によれば、突起を絶縁膜を構成する絶縁材料を用いて形成しているので、該突起及び絶縁膜の形成材料を共通化することで、コストの低減を図ることができる。
【００２３】
本発明の多層配線基板の製造方法は、上記いずれかの配線基板の製造方法の工程を繰り返し、あるいは上記の配線基板の製造方法の異なる二以上の工程を繰り返し、配線基板を積層することを特徴とする。
【００２４】
本発明の多層配線基板の製造方法によれば、絶縁膜に埋め込まれた電子部品と前記絶縁膜上に形成された配線との間で良好な導通を得る配線基板を積層しているので、電子部品が高密度に実装された信頼性の高いものを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２６】
まず、本発明における配線基板の製造方法の第１実施形態について説明する。図１、図２は、配線基板の製造工程を説明する図である。
【００２７】
（第１の実施形態）
はじめに、図１（ａ）に示すように、シリコンからなる基材（基体）１０上に、チップ部品（電子部品）２０、２１を配置する。このとき、前記チップ部品２０、２１の裏面には、例えば接着テープ等が設けられ、これにより基材１０上に固定される。なお、前記チップ部品２０、２１を配置する基材としては、他にもガラス、石英ガラス、金属板など各種のものが挙げられる。さらに、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、絶縁膜、有機膜、などが下地層として形成されたものも含む。
【００２８】
前記チップ部品２０、２１としては、抵抗、コンデンサー、ＩＣチップ等が挙げられ、本実施形態では、チップ部品２０として抵抗を用い、チップ部品２１としてコンデンサーを用いた。また、チップ部品２０、２１は、その電極部（導電部）２０ａ、２１ａを上方に向けた状態で基材１０上に配置されている。
【００２９】
次に、前記電極部２０ａ、２１ａ上に導電性を有した突起を設ける。本実施形態では、後述する絶縁膜形成工程と同様に、インクジェット法（法液滴吐出法）を用いて導電性インクを吐出することで突起を形成した。なお、前記突起を形成する方法としてはインクジェット法に限定されることはなく、例えばスタッドバンプ法を採用することもできる。
【００３０】
本実施形態では、直径１０ｎｍ程度の銀微粒子が有機溶剤に分散した銀微粒子分散液の分散媒をテトラデカンで置換してこれを希釈し、濃度が６０ｗｔ％、粘度が８ｍＰａ・ｓ、表面張力が０．０２２Ｎ/ｍとなるように調整したものを導電性インクとして用いた。
【００３１】
具体的には、前記チップ部品２０、２１の電極部２０ａ、２１ａ上に導電性インクを吐出し、焼成することにより、図１（ｂ）に示すようにＡｇポスト（突起）１２を形成できる。また、本実施形態では、基材１０上にチップ部品２０ａ、２１ａを配置した後、Ａｇポスト１２を形成しているが、電極部２０ａ、２１ａに、予めＡｇポスト１２が形成されたチップ部品２０ａ、２１ａを基材１０上に配置するようにしてもよい。
【００３２】
また、上記分散媒としては、銀微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。また、分散液の粘度は、例えば１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周囲がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるからである。
【００３３】
なお、表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００３４】
ところで、インクジェット法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００３５】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。なお、本実施形態では、上記ピエゾ素子による吐出方式を採用した。
【００３６】
次に、インクジェット法を用いて前記チップ部品２０，２１の周囲に、該チップ部品２０，２１と略同じ高さとなるように絶縁性インク（絶縁材料）を塗布し、該絶縁性インクを硬化させることで絶縁膜を形成する。
【００３７】
この絶縁性インクとしては、乾燥後にＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４となる液状材料、ポリイミド樹脂系、エポキシ樹脂系、ポリエステル樹脂系、フェノール樹脂系、フッ素樹脂系、紫外線硬化樹脂等が用いられる。本実施形態では、絶縁性インクとして、例えばポリイミドを溶剤（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）に希釈し、粘度が２０［ｍＰａ・ｓ］となるように調整したものを用いた。
【００３８】
チップ部品２０、２１の周囲に塗布された絶縁性インクは、濡れ拡がることでチップ部品２０、２１の上面に乗り上がった状態となる。このとき、前記チップ部品２０、２１の電極部２０ａ、２１ａ上には、前記Ａｇポスト１２が形成されているので、Ａｇポスト１２は絶縁性インクから突出した状態となる。そして、絶縁性インクを硬化することにより、形成された絶縁膜１３は、図１（ｃ）に示すようにチップ部品２０、２１を埋め込むとともに、前記Ａｇポスト１２を突出させる。
【００３９】
次に、前記絶縁膜１３上にＡｇポスト１２に接続する配線を形成する。本実施形態では、図１（ｄ）に示すように、Ａｇポスト１２と同様に、インクジェット法により銀微粒子分散液を吐出した後、硬化させることでＡｇポスト１２に接続されるＡｇ配線（配線）１５を形成した。
【００４０】
上述したように、前記Ａｇポスト１２が導電性を有しているので、前記Ａｇ配線１５はＡｇポスト１２を介して前記チップ部品２０、２１と確実に導通をとることができる。
【００４１】
以上の工程により配線基板１００が製造される。
【００４２】
本実施形態に係る配線基板１００の製造方法によれば、インクジェット法により吐出した絶縁性インクがチップ部品２０、２１の上面に乗り上げても、Ａｇポスト１２を露出させた状態に絶縁膜１３を形成できるので、Ａｇポスト１２を介して、Ａｇ配線１５とチップ部品２０、２１との間で導通をとることができる。
【００４３】
したがって、インクジェット法を用いてチップ部品２０、２１を絶縁膜１３中に埋め込む場合においても、Ａｇ配線１５とチップ部品２０、２１との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板１００を提供することができる。
【００４４】
（第２の実施形態）
続いて、配線基板の製造方法に係る第２実施形態について説明する。なお、上記実施形態と共通の構造については同一の符号を付して説明する。
【００４５】
はじめに、図２（ａ）に示すように、基材１０上に、チップ部品２０、２１を配置する。このとき、前記チップ部品２０、２１の裏面には、例えば接着テープ等が設けられ、これにより基材１０上に固定される。
【００４６】
ところで、チップ部品２０、２１の表面は、通常、後述する工程で塗布される絶縁性インクに対して親液性となっており、チップ部品２０、２１の周辺に絶縁性インクを塗布した際に、チップ部品２０、２１の上面に絶縁性インクが濡れ拡がるおそれがある。
【００４７】
そこで、本実施形態では、前記チップ部品２０、２１の上面に撥液処理を施す。なお、撥液処理は、チップ部品２０、２１の上面のうち、少なくとも電極部２０ａ、２１ａ上に施せば十分である。また、本実施形態では、基材１０上にチップ部品２０ａ、２１ａを配置した後、撥液処理行っているが、電極部２０ａ、２１ａ上に予め撥液処理を施したチップ部品２０ａ、２１ａを基材１０上に配置するようにしてもよい。
【００４８】
本実施形態では、撥液化処理の一例として、チップ部品２０、２１の上面に有機分子膜などからなる自己組織化膜２３を形成した。有機分子膜は、一端側にチップ部品２０、２１の表面に結合可能な官能基を有し、他端側にチップ部品２０、２１の表面を撥液性等に改質する（表面エネルギーを制御する）官能基を有すると共に、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖を備えており、チップ部品２０、２１に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成するものである。
【００４９】
また、自己組織化膜２３は、基板など下地層等構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、該直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。即ち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性等を付与することができる。
【００５０】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いた場合には、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
【００５１】
自己組織化膜を形成する化合物としては、例えば、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下、「ＦＡＳ」と表記する）を挙げることができる。使用に際しては、一つの化合物を単独で用いるのも好ましいが、２種以上の化合物を組合せて使用しても、本発明の所期の目的を損なわなければ制限されない。また、本実施形態においては、前記の自己組織化膜を形成する化合物として、前記ＦＡＳを用いるのが、基板との密着性および良好な撥液性を付与する上で好ましい。
【００５２】
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板とを同一の密閉容器中に入れておき、室温の場合は２〜３日程度の間放置すると基板上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板上に形成される。以上に述べたのは、気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜は形成可能である。
例えば、原料化合物を含む溶液中に基板を浸積し、洗浄、乾燥することで基板上に自己組織化膜が得られる。
【００５３】
撥液化処理の他の方法として、常圧でプラズマ照射する方法が挙げられる。プラズマ処理に用いるガス種は、基板の表面材質等を考慮して種々選択できる。例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等のフルオロカーボン系ガスを処理ガスとして使用できる。この場合、基板の表面に、撥液性のフッ化重合膜を形成することができる。また、撥液化処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板表面に貼着することによっても行うことができる。また、撥液性を示す薄膜を、前記チップ部品２０、２１の上面に、転写、ディップ、塗布、あるいは滴下することで形成してもよい。
【００５４】
続いて、上記実施形態と同様に、インクジェット法を用いて前記チップ部品２０、２１の周囲に、チップ部品２０、２１と略同じ高さとなるように絶縁性インクを塗布し、該絶縁性インクを硬化させることで絶縁膜を形成する。
【００５５】
このとき、チップ部品２０、２１の周囲に塗布された絶縁性インクの一部が、チップ部品２０、２１の上面に乗り上げた場合でも、撥液性を示す前記自己組織化膜２３が形成されたチップ部品２０、２１の上面は撥液性となっているため、前記絶縁性インクがはじかれ、チップ部品２０、２１の上面が絶縁性インクに覆われることがない。このような状態で絶縁性インクを硬化させることで、図２（ｃ）に示すように、チップ部品２０、２１の上面を露出させた状態に絶縁膜１３が形成される。
【００５６】
次に、前記電極部２０ａ、２１ａに接続する配線を前記絶縁膜１３上に形成する。なお、配線を形成するに際し、前記自己組織化膜２３を剥離しておくのが望ましい。本実施形態では、インクジェット法を用い、上記第１の実施形態と同様に銀微粒子分散液を吐出し、硬化させることで、図２（ｄ）に示すＡｇ配線１５を形成した。このとき、前記電極部２０ａ、２１ａが絶縁膜１３から露出した状態となっているので、前記配線１５と前記電極部２０ａ、２１ａとは確実に接続されたものとなる。以上の工程により、本実施形態に係る配線基板２００を製造することができる。
【００５７】
本実施形態に係る配線基板２００の製造方法によれば、チップ部品２０、２１の電極部２０ａ、２１ａ上に乗り上げた絶縁性材料は、撥液性を有する自己組織化膜２３によってはじかれ、前記電極部２０ａ、２１ａを覆ってしまうことがなく、電極部２０ａ、２１ａを露出させた状態に絶縁膜１３が形成される。
【００５８】
したがって、インクジェット法を用いてチップ部品２０、２１を絶縁膜１３中に埋め込む場合においても、Ａｇ配線１５とチップ部品２０、２１との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板２００を提供することができる。
【００５９】
（第３実施形態）
続いて、配線基板の製造方法に係る第３実施形態について説明する。なお、上記実施形態と共通の構造については同一の符号を付して説明する。
【００６０】
はじめに、図３（ａ）に示すように、基材１０上に、チップ部品２０、２１を配置する。このとき、前記チップ部品２０、２１の裏面には、例えば接着テープ等が設けられ、これにより基材１０上に固定される。
【００６１】
ところで、チップ部品２０、２１の表面は、通常、後述する工程で塗布される絶縁性インクに対して親液性となっており、チップ部品２０、２１の周辺に絶縁性インクを塗布した際に、チップ部品２０、２１の上面に絶縁性インクが濡れ拡がってしまうおそれがある。
【００６２】
そこで、本実施形態では、図３（ｂ）に示すように前記チップ部品２０、２１の上面に保護テープ（保護膜）３０を貼着する。なお、前記保護テープ３０は少なくとも電極部２０ａ、２１ａを覆っていればよい。また、本実施形態では、基材１０上にチップ部品２０ａ、２１ａを配置した後、前記保護テープ３０を設けているが、電極部２０ａ、２１ａに、予め保護テープ３０が形成されたチップ部品２０ａ、２１ａを基材１０上に配置するようにしてもよい。
【００６３】
続いて、上記実施形態と同様に、インクジェット法を用いて前記チップ部品２０、２１の周囲にチップ部品２０、２１と略同じ高さとなるように絶縁性インクを塗布し、該絶縁性インクを硬化させることで絶縁膜を形成する。
【００６４】
このとき、絶縁性インクの一部がチップ部品２０、２１の上面に乗り上げるため、図３（ｃ）に示すように前記保護テープ３０上に絶縁膜１３が形成されたものとなる。
【００６５】
その後、チップ部品２０、２１から保護テープ３０を剥離する。このとき、図３（ｄ）に示すように、上述した保護テープ３０上に形成された絶縁膜１３は保護テープ３０とともに剥離され、これにより電極部２０ａ、２１ａを露出させた状態に絶縁膜１３が形成される。
【００６６】
なお、前記保護テープ３０としては、その表面が後述する絶縁性インクに対し撥液性を示すものが好ましい。このようにすれば、絶縁性インクの保護テープ３０上への乗り上げを抑制し、前記保護テープ３０上に形成される絶縁膜の膜厚を抑えることができ、保護テープ３０の剥離を容易に行うことができる。
【００６７】
次に、前記絶縁膜１３上に前記電極部２０ａ、２１ａに接続する配線を形成する。本実施形態では、インクジェット法を用い、上記実施形態と同様に銀微粒子分散液を吐出し、硬化させることでＡｇ配線１５を形成する。このとき、前記電極部２０ａ、２１ａが絶縁膜１３から露出した状態となっているので、前記配線１５と前記電極部２０ａ、２１ａとは確実に接続されたものとなる。以上の工程により、本実施形態に係る配線基板３００を製造することができる。
【００６８】
本実施形態に係る配線基板３００の製造方法によれば、インクジェット法によって形成された絶縁膜が前記電極部２０ａ、２１ａ上を覆った場合でも、保護テープ３０を剥離することで、前記電極部２０ａ、２１ａが露出した状態となる。
【００６９】
よって、インクジェット法を用いてチップ部品２０、２１を絶縁膜１３中に埋め込む場合においても、Ａｇ配線１５とチップ部品２０、２１との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板３００を提供することができる。
【００７０】
（第４実施形態）
続いて、配線基板の製造方法に係る第４実施形態について説明する。なお、上記実施形態と共通の構造については同一の符号を付して説明する。
【００７１】
はじめに、上記実施形態と同様に、基材１０上に、チップ部品２０、２１を配置する。このとき、前記チップ部品２０、２１の裏面には、例えば接着テープ等が設けられ、これにより基材１０上に固定される。
【００７２】
次に、前記電極部２０ａ、２１ａ上に、該電極部２０ａ、２１ａ表面の少なくとも一部を囲む、図４に示すような円筒形状からなる枠状部（枠状の突起）４０を設ける。本実施形態では、インクジェット法を用いて絶縁性インクを吐出し硬化させることで、図５（ａ）に示すように枠状部４０を形成する。すなわち、本実施形態では、前記枠状部４０は、絶縁膜１３と同一材料から構成されたものとなっている。
【００７３】
また、本実施形態では、基材１０上にチップ部品２０ａ、２１ａを配置した後、枠状部４０を形成しているが、電極部２０ａ、２１ａに、予め枠状部４０が形成されたチップ部品２０ａ、２１ａを基材１０上に配置するようにしてもよい。
【００７４】
前記枠状部４０を形成した後、上記実施形態と同様に、インクジェット法を用いて前記チップ部品２０、２１の周囲に該チップ部品２０、２１と略同じ高さとなるように絶縁性インクを塗布し、該絶縁性インクを硬化させることで絶縁膜を形成する。
【００７５】
このとき、チップ部品２０、２１の周囲に塗布された絶縁性インクの一部が、チップ部品２０、２１の上面に乗り上げた場合でも、枠状部４０により囲まれた電極部２０ａ、２１ａは絶縁性インクに覆われることがない。このような状態にて絶縁性インクを硬化させることで、図５（ｂ）に示すように前記チップ部品２０、２１が絶縁膜１３中に埋め込まれる。このとき、前記枠状部４０は、前記絶縁膜１３から突出した状態となっている。
【００７６】
上述したように前記枠状部４０は、絶縁膜１３と同一材料により形成されているので、枠状部４０及び絶縁膜１３の形成材料が共通化されることでコストの低減を図ることができる。また、枠状部４０と絶縁膜１３との密着性が向上する。
【００７７】
次に、前記絶縁膜１３上に前記電極部２０ａ、２１ａに接続される配線を形成する。本実施形態では、インクジェット法を用い、上記第１の実施形態と同様に銀微粒子分散液を吐出し、乾燥（硬化）することで図５（ｃ）に示すＡｇ配線（配線）１５を形成した。ここで、上述したように前記枠状部４０に囲まれた領域には、電極部２０ａ、２１ａが露出した状態となっているので、前記配線１５の一部を枠状部４０内に埋め込むことで、配線１５と電極部２０ａ、２１ａとの間を良好に導通させることができる。以上の工程により、本実施形態に係る配線基板４００を製造することができる。なお、前記枠状部４０内からワイヤーを引き出し配線に接続させることで、チップ部品２０，２１に接続する配線を形成してもよい。
【００７８】
本実施形態に係る配線基板４００の製造方法によれば、インクジェット法によって塗布された絶縁性インクがチップ部品２０、２１の上面に乗り上げても、電極部２０ａ、２１ａ上に設けられた枠状部４０に囲まれた電極部２０ａ、２１ａは絶縁性インクによって覆われることがない。よって、枠状部４０内に埋設されたＡｇ配線１５はチップ部品２０、２１と良好に導通する。
【００７９】
したがって、インクジェット法を用いてチップ部品２０、２１を絶縁膜１３中に埋め込む場合においても、Ａｇ配線１５とチップ部品２０、２１との間が確実に導通され、高密度実装が図られた配線基板４００を提供することができる。
【００８０】
（多層配線基板の製造方法）
次に、本発明の多層配線基板の製造方法に係る一実施形態について説明する。
【００８１】
本発明に係る多層配線基板の製造方法は、配線基板の製造方法の工程を繰り返す、あるいは異なる工程を繰り返すことで配線基板を積層するものである。なお、繰り返される工程としては、上層の配線基板を形成するのに最適なものが採用される。本実施形態では、導電部上に突起を形成する工程を備える、配線基板の製造方法の工程を繰り返すことで、多層配線基板を形成している。
【００８２】
具体的には、図６（ａ）に示すように、上記第１実施形態にて形成した配線基板１００上に第１層間絶縁膜６０を形成する。そして、前記第１層間絶縁膜６０上にスルーホールＨ１を介して配線１５に接続される第１上層配線６１を形成する。
【００８３】
続いて、図６（ｂ）に示すように、前記第１層間絶縁膜６０上にＩＣチップ（電子部品）７０の端子部（導電部）７１を上方に向けて配置する。そして、上記第１実施形態に係る配線基板の形成工程と同様に、前記端子部７１にＡｇポスト（突起）７２を形成する。そして、Ａｇポスト７２を形成した後、ＩＣチップ７０の周囲にインクジェット法により絶縁性インクを塗布し、硬化させることで第２層間絶縁膜（絶縁膜）６２を形成する。これにより、第２層間絶縁膜６２中にＩＣチップ７０を埋め込むことができる。
【００８４】
そして、前記第２層間絶縁膜６２上に前記Ａｇポスト７２に接続する第２上層配線６３を形成する。このとき、Ａｇポスト７２が第２層間絶縁膜６２から突出した状態に形成されるので、Ａｇポスト７２と第２上層配線６３とは確実に導通する。
【００８５】
また、この第２上層配線６３は、スルーホールＨ３を介して第１上層配線６１、あるいはスルーホールＨ２を介してＡｇ配線１５に導通される。よって、ＩＣチップ７０と第２上層配線６３とは、Ａｇポスト７２を介して良好に導通されたものとなっている。
【００８６】
そして、前記第２層間絶縁膜６２上に第３層間絶縁膜６４を形成し、該第３層間絶縁膜６４上に他のチップ部品２４、２５を実装する。以上の工程により、多層配線基板５００を形成することができる。
【００８７】
本発明の多層配線基板５００の製造方法によれば、上述した配線基板の製造方法の工程を繰り返すことで、第２層間絶縁膜６２に埋め込まれたＩＣチップ７０と前記第２層間絶縁膜６２上に形成された第２上層配線６３との間で良好な導通を得る配線基板を積層しているので、電子部品（チップ部品２０，２１、ＩＣチップ７０）が高密度に実装された信頼性の高いものを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】第１実施形態に係る配線基板の製造工程説明図である。
【図２】第２実施形態に係る配線基板の製造工程説明図である。
【図３】第３実施形態に係る配線基板の製造工程説明図である。
【図４】枠状部の概略形状を示す斜視図である。
【図５】第４実施形態に係る配線基板の製造工程説明図である。
【図６】多層配線基板の製造方法の一実施形態について説明する図である。
【符号の説明】
【００８９】
１０…基材（基体）、１２…Ａｇポスト（突起）、１３…絶縁膜、１５…Ａｇ配線（配線）、２０，２１…チップ部品（電子部品）、２０ａ，２１ａ…電極部（導電部）、３０…保護テープ（保護膜）、４０…枠状部、６２…第２層間絶縁膜（絶縁膜）、７０…ＩＣチップ（電子部品）、７１…端子部（導電部）、７２…Ａｇポスト（突起）、１００…配線基板、２００…配線基板、３００…配線基板、４００…配線基板、５００…多層配線基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、前記導電部上に導電性を有した突起を設ける工程と、
液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させて絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、前記突起に接続する配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記導電性突起を設けるに際して、液滴吐出法を用いることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、少なくとも前記導電部上に撥液処理を施す工程と、
液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させて絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記導電部に導通する配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、少なくとも前記導電部上に保護膜を設ける工程と、
液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させることで絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜を形成した後、前記保護膜を剥離し、前記導電部を露出させる工程と、
前記絶縁層上に、前記導電部に導通する配線を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、前記導電部上に、該導電部表面の少なくとも一部を囲む、枠状の突起を設ける工程と、
液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させて絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記突起内に露出する導電部に導通する配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記突起を設ける工程は、液滴吐出法により前記導電部上に前記絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させることを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法の工程を繰り返し、あるいは請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法の異なる二以上の工程を繰り返し、配線基板を積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１】
導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、前記導電部上に導電性を有した突起を設ける工程と、
液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させて絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、前記突起に接続する配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記導電性突起を設けるに際して、液滴吐出法を用いることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、少なくとも前記導電部上に撥液処理を施す工程と、
液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させて絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記導電部に導通する配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、少なくとも前記導電部上に保護膜を設ける工程と、
液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させることで絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜を形成した後、前記保護膜を剥離し、前記導電部を露出させる工程と、
前記絶縁層上に、前記導電部に導通する配線を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
導電部を有する電子部品を、該導電部を上方に向けて基体上に配置するとともに、前記導電部上に、該導電部表面の少なくとも一部を囲む、枠状の突起を設ける工程と、
液滴吐出法を用いて前記電子部品の周囲に、該電子部品と略同じ高さとなるように絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させて絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記突起内に露出する導電部に導通する配線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記突起を設ける工程は、液滴吐出法により前記導電部上に前記絶縁材料を塗布し、該絶縁材料を硬化させることを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法の工程を繰り返し、あるいは請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法の異なる二以上の工程を繰り返し、配線基板を積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００８−２１８４３（Ｐ２００８−２１８４３Ａ）
【公開日】平成２０年１月３１日（２００８．１．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１９２７２６（Ｐ２００６−１９２７２６）
【出願日】平成１８年７月１３日（２００６．７．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１月３１日（２００８．１．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年７月１３日（２００６．７．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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