電子デバイス用絶縁膜の製造方法、電子デバイス用絶縁膜、及び、電子デバイス
【課題】誘電率及び機械強度に優れる電子デバイス用絶縁膜の製造方法、前記製造方法により得られる電子デバイス用絶縁膜、並びに、前記電子デバイス用絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を加熱して重合体を得る工程、前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程、並びに、前記乾燥膜を加熱し三次元架橋構造を有する膜を得る工程を含むことを特徴とする電子デバイス用絶縁膜の製造方法、前記製造方法により得られる電子デバイス用絶縁膜、並びに、前記電子デバイス用絶縁膜を有する電子デバイス。
【解決手段】非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を加熱して重合体を得る工程、前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程、並びに、前記乾燥膜を加熱し三次元架橋構造を有する膜を得る工程を含むことを特徴とする電子デバイス用絶縁膜の製造方法、前記製造方法により得られる電子デバイス用絶縁膜、並びに、前記電子デバイス用絶縁膜を有する電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス用絶縁膜の製造方法、電子デバイス用絶縁膜、及び、電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子材料分野においては、高集積化、多機能化、高性能化の進行に伴い、回路抵抗や配線間のコンデンサー容量が増大し、消費電力や遅延時間の増大を招いている。中でも、遅延時間の増大は、デバイスの信号スピードの低下やクロストークの発生の大きな要因となるため、この遅延時間を減少させてデバイスの高速化を図るべく、寄生抵抗や寄生容量の低減が求められている。この寄生容量を低減するための具体策の一つとして、配線の周辺を低誘電性の層間絶縁膜で被覆することが試みられている。また、層間絶縁膜には、実装基板製造時の薄膜形成工程やチップ接続、ピン付け等の後工程に耐え得る優れた耐熱性やウェットプロセスに耐え得る耐薬品性が求められている。さらに、近年は、Ａｌ配線から低抵抗のＣｕ配線が導入されつつあり、これに伴い、ＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング、化学的機械的研磨）による平坦化が一般的となっており、このプロセスに耐え得る高い機械的強度が求められている。
【０００３】
絶縁膜として古くからポリベンゾオキサゾール、ポリイミドが広く知られている。また、ポリアリーレンエーテルからなる絶縁膜が開示されている（特許文献１）。
しかしながら、高速デバイスを実現するためには、さらなる誘電率の低減が強く要望されている。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第６６４６０８１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、誘電率及び機械強度に優れる電子デバイス用絶縁膜の製造方法、前記製造方法により得られる電子デバイス用絶縁膜、並びに、前記電子デバイス用絶縁膜を有する電子デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意検討の結果、上記課題が下記の＜１＞、＜２＞、＜５＞及び＜６＞の構成により解決されることを見出した。好ましい実施態様である＜３＞及び＜４＞とともに以下に示す。
＜１＞ 非ダイヤモンドイド構造を有する化合物から重合体を得る工程、前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程、並びに、前記乾燥膜を加熱し三次元架橋構造を有する膜を得る工程を含むことを特徴とする電子デバイス用絶縁膜の製造方法、
＜２＞ 架橋性基及び非ダイヤモンドイド構造を有する化合物から重合体を得る工程、前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程、並びに、前記乾燥膜を加熱し三次元架橋構造を有する膜を得る工程を含むことを特徴とする電子デバイス用絶縁膜の製造方法、
＜３＞ 前記架橋性基が、ラジカル重合性基である上記＜２＞に記載の電子デバイス用絶縁膜の製造方法、
＜４＞ 前記塗布液が、ラジカル重合開始剤をさらに含有する上記＜３＞に記載の電子デバイス用絶縁膜の製造方法、
＜５＞ 上記＜１＞乃至＜４＞のいずれか１つに記載の電子デバイス用絶縁膜の製造方法により得られる電子デバイス用絶縁膜、
＜６＞ 上記＜５＞に記載の電子デバイス用絶縁膜を有する電子デバイス。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、誘電率及び機械強度に優れる電子デバイス用絶縁膜の製造方法、前記製造方法により得られる電子デバイス用絶縁膜、並びに、前記電子デバイス用絶縁膜を有する電子デバイスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の電子デバイス用絶縁膜の製造方法の一つの側面は、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を重合体を得る工程（以下、「重合工程」ともいう。）、前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程（以下、「塗布乾燥工程」ともいう。）、並びに、前記乾燥膜を加熱し三次元架橋構造を有する膜を得る工程（以下、「加熱工程」ともいう。）を含むことを特徴とする。
また、本発明の電子デバイス用絶縁膜の製造方法の他の一つの側面は、架橋性基及び非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を重合体を得る工程（以下、前記と同様に「重合工程」ともいう。）、前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程（以下、前記と同様に「塗布乾燥工程」ともいう。）、並びに、前記乾燥膜を加熱するか又は前記乾燥膜に活性放射線を照射し、三次元架橋構造を有する膜を得る工程（以下、「加熱工程又は活性放射線照射工程」ともいう。）を含むことを特徴とする。
以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】
（非ダイヤモンドイド構造を有する化合物）
まず、本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物について説明する。
本発明における「ダイヤモンドイド構造」とは、アダマンタン構造、ジアマンタン構造、トリアマンタン構造、及び、アダマンタン（トリシクロ［３．３．１．１３，７］デカン）のテトラマー構造、ペンタマー構造、ヘキサマー構造、ヘプタマー構造、オクタマー構造、ノナマー構造、デカマー構造などを含み、Ｃ４ｎ＋６Ｈ４ｎ＋１２の化学組成式を持つ化合物から０個以上の水素原子を除いた構造である。なお、ｎは１以上の整数である。
また、前記ダイヤモンドイド構造は、置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、炭素数１〜１０のアルキル基（より好ましくはメチル基）、炭素数２〜１０のアルケニル基（より好ましくはビニル基、フェニルビニル基）、炭素数２〜１０のアルキニル基（より好ましくはエチニル基、フェニルエチニル基）、炭素数６〜１０のアリール基（より好ましくはフェニル基）が挙げられる。
ダイヤモンドイド構造を有する化合物の一例として、下記にアダマンタン（adamantane）、ジアマンタン（diamantane）、トリアマンタン（triamantane）を示すが、これらに限定されるわけではない。
【００１０】
【化１】
【００１１】
本発明における「非ダイヤモンドイド構造」とは、上記ダイヤモンドイド構造を有する化合物を除くＣ４ｎ＋６Ｈｍの化学組成式を持つ化合物から０個以上の水素原子を除いた構造である。なお、ｎは１以上の整数であり、ｍは、ｍ≦４ｎ＋１２を満たす整数である。
また、前記非ダイヤモンドイド構造は、置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、炭素数１〜１０のアルキル基（より好ましくはメチル基）、炭素数２〜１０のアルケニル基（より好ましくはビニル基、フェニルビニル基）、炭素数２〜１０のアルキニル基（より好ましくはエチニル基、フェニルエチニル基）、炭素数６〜１０のアリール基（より好ましくはフェニル基）が挙げられる。
【００１２】
よって、本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物とは、ダイヤモンドイド構造を有する化合物を除くＣ４ｎ＋６Ｈｍの化学組成式を持つ化合物から０個以上の水素原子を除いた構造を有する化合物である。
また、本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物は、２以上の非ダイヤモンドイド構造が単結合又は連結基により連結した化合物であってもよく、前記連結基は、多価の炭化水素基であることが好ましい。
本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物は、熱、紫外線（ＵＶ）、電子線（ＥＢ）、赤外線等の活性放射線、ブレンステッド酸、ルイス酸等の触媒、ラジカル発生剤等との反応により、分子内又は分子間で転移反応を起こし、熱力学的に安定な構造であるダイヤモンドイド構造に変化、又は、ダイヤモンドイド構造に近づくものを示す。
本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物は、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００１３】
本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物の一例として、具体的には、アダマンタン、ジアマンタン、トリアマンタン、及び、アダマンタン（トリシクロ［３．３．１．１３，７］デカン）のテトラマー、ペンタマー、ヘキサマー、ヘプタマー、オクタマー、ノナマー、デカマーよりなる群から選ばれた化合物の構造異性体が好ましく例示できる。なお、本発明において、例えば、「アダマンタンの構造異性体」にはアダマンタンは含まれないことは言うまでもない。
【００１４】
アダマンタンの構造異性体は、Ｃ１０Ｈ１６の化学組成式で表される非ダイヤモンドイド構造を有する化合物である。
具体的には、下記のトリメチレンノルボルナン（Ａ−１）が挙げられるが、本発明はこれに限定されない。
【００１５】
【化２】
【００１６】
また、ジアマンタンの構造異性体は、Ｃ１４Ｈ２０の化学組成式で表される非ダイヤモンドイド構造を有する化合物である。
具体的には下記に示す化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００１７】
【化３】
【００１８】
また、トリアマンタンの構造異性体は、Ｃ１８Ｈ２４の化学組成式で表される非ダイヤモンドイド構造を有する化合物である。
具体的には下記に示す化合物（Ｃ−１）〜（Ｃ−３）が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００１９】
【化４】
【００２０】
また、本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物としては、アダマンタン、ジアマンタン、トリアマンタン、及び、アダマンタン（トリシクロ［３．３．１．１３，７］デカン）のテトラマー、ペンタマー、ヘキサマー、ヘプタマー、オクタマー、ノナマー、デカマーよりなる群から選ばれた化合物の構造異性体における任意の２つの炭素原子を単結合により結合した架橋化合物も好ましく例示できる。
これらの化合物では、前記Ｃ４ｎ＋６Ｈｍの化学組成式におけるｍが、ｍ＜４ｎ＋１２となる。
具体的には下記に示す化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−３）が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００２１】
【化５】
【００２２】
また、本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物としては、アダマンタン、ジアマンタン、トリアマンタン、及び、アダマンタン（トリシクロ［３．３．１．１３，７］デカン）のテトラマー、ペンタマー、ヘキサマー、ヘプタマー、オクタマー、ノナマー、デカマーよりなる群から選ばれた化合物の構造異性体の骨格中にエチレン性不飽和結合を有する化合物も好ましく例示できる。また、前記架橋化合物の骨格中にエチレン性不飽和結合を有する不飽和化合物も好ましく例示できる。
これらの化合物では、前記Ｃ４ｎ＋６Ｈｍの化学組成式におけるｍが、ｍ＜４ｎ＋１２となる。
具体的には下記に示す化合物（Ｅ−１）〜（Ｅ−１９）が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００２３】
【化６】
【００２４】
本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物は、アダマンタンの構造異性体、ジアマンタンの構造異性体、トリアマンタンの構造異性体、これらの架橋化合物、又は、これらの不飽和化合物であることが好ましく、ジアマンタンの構造異性体、トリアマンタンの構造異性体、これらの架橋化合物、又は、これらの不飽和化合物であることがより好ましい。
【００２５】
本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物は、架橋性基を有する非ダイヤモンドイド構造を有する化合物であってもよい。
架橋性基としては、ラジカル重合性基であることが好ましく、アルケニル基、アルキニル基、又は、シクロプロピル基であることがより好ましい。
また、架橋性基を有する非ダイヤモンドイド構造を有する化合物には、前記不飽和化合物やシクロプロパン構造を有するものも含まれる。
【００２６】
（重合工程）
本発明の電子デバイス用絶縁膜の製造方法は、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物から重合体を得る工程（重合工程）を含む。
重合体を得る方法としては、特に制限はないが、熱、ブレンステッド酸、ルイス酸、ラジカル重合開始剤（ラジカル発生剤）、活性放射線の照射等の手段により重合を行うことが例示でき、その中でも、熱により重合を行うことが好ましい。
また、前記した熱、ブレンステッド酸、ルイス酸、ラジカル重合開始剤、活性放射線の照射等の手段は、単独で行っても、２種以上を組み合わせて行ってもよい。
前記重合工程における加熱方法としては、特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。
前記重合工程における加熱温度は、１００〜２５０℃であることが好ましく、１５０〜２２０℃であることがより好ましい。
前記重合工程における加熱時間は、１〜１００時間であることが好ましく、１０〜５０時間であることがより好ましい。
前記重合工程に用いることができるブレンステッド酸やルイス酸としては、重合が進行する限り、特に制限はなく、公知のものを用いることができる。
また、前記ラジカル重合開始剤や活性放射線の照射については、後述するものを好適に使用することができる。
前記重合工程においては、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を無溶媒で加熱することが好ましい。また、前記重合工程においては、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を封管中で加熱することが好ましく、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を無溶媒かつ封管中で加熱することがより好ましい。
重合して得られるポリマーの重量平均分子量は、１，０００〜１００，０００であることが好ましく、３，０００〜５０，０００であることがより好ましく、５，０００〜１０，０００であることがさらに好ましい。
前記重合工程では、例えば、加熱により重合を行う場合、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物が分子内又は分子間で転移反応を起こし、重合体を形成する。
【００２７】
（塗布乾燥工程）
本発明の電子デバイス用絶縁膜の製造方法は、前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー（以下、「基板」ともいう。）上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程（塗布乾燥工程）を含む。
前記塗布乾燥工程における塗布方法、及び、乾燥方法としては、特に制限はないが、例えば、スピンコーティング法、ローラーコーティング法、ディップコーティング法、スキャン法等の任意の方法により、基板に塗布した後、溶剤を加熱や減圧等の処理を行い除去することにより形成することができる。
基板に塗布する方法としては、スピンコーティング法、スキャン法によるものが好ましく、スピンコーティング法によるものが特に好ましい。
スピンコーティングについては、市販の装置を使用できる。例えば、クリーントラックシリーズ（東京エレクトロン（株）製）、Ｄ−スピンシリーズ（大日本スクリーン製造（株）製）、ＳＳシリーズあるいはＣＳシリーズ（東京応化工業（株）製）等が好ましく使用できる。
スピンコート条件としては、いずれの回転速度でもよいが、膜の面内均一性の観点より、３００ｍｍシリコン基板においては１，３００ｒｐｍ程度の回転速度が好ましい。
【００２８】
また、前記塗布液の吐出方法においては、回転する基板上に前記塗布液を吐出する動的吐出、静止した基板上へ前記塗布液を吐出する静的吐出のいずれでもよいが、膜の面内均一性の観点より、動的吐出が好ましい。また、前記塗布液の消費量を抑制する観点より、溶剤のみを基板上に吐出して液膜を形成した後、その上から前記塗布液を吐出するという方法を用いることもできる。
スピンコート時間については特に制限はないが、スループットの観点から１８０秒以内が好ましい。また、基板の搬送の観点より、基板エッジ部の膜を残存させないための処理（エッジリンス、バックリンス）をすることも好ましい。
前記塗布乾燥工程における乾燥方法は、加熱により行うことが好ましく、乾燥のための加熱条件としては、１００℃〜２５０℃で１分〜５分行うことが好ましい。
加熱処理の方法は、特に限定されないが、一般的に使用されているホットプレート加熱、ファーネス炉を使用した加熱方法、ＲＴＰ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等によるキセノンランプを使用した光照射加熱等を適用することができる。好ましくは、ホットプレート加熱、ファーネスを使用した加熱方法である。
ホットプレートとしては、市販の装置を好ましく使用でき、クリーントラックシリーズ（東京エレクトロン（株）製）、Ｄ−スピンシリーズ（大日本スクリーン製造（株）製）、ＳＳシリーズあるいはＣＳシリーズ（東京応化工業（株）製）等が好ましく使用できる。ファーネスとしては、αシリーズ（東京エレクトロン（株）製）等が好ましく使用できる。
【００２９】
前記塗布液は、前記重合工程により得られた重合体及び有機溶剤を含む。
有機溶剤は、特に限定はされないが、例えば、メタノール、エタノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−エトキシメタノール、３−メトキシプロパノール、１−メトキシ−２−プロパノール等のアルコール系溶剤、アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル系溶剤、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、アニソール、フェネトール、ベラトロール等のエーテル系溶剤、メシチレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、プロピルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、Ｎ−メチルピロリジノン、ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤などが挙げられる。これら有機溶剤は、１種単独で使用しても、２種以上を混合して用いてもよい。
【００３０】
これらの中でも、好ましい溶剤は、１−メトキシ−２−プロパノール、プロパノール、アセチルアセトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、アニソール、メシチレン、ｔ−ブチルベンゼンであり、特に好ましくは１−メトキシ−２−プロパノール、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、ｔ−ブチルベンゼン、アニソールである。
【００３１】
前記塗布液における前記重合体の濃度は、好ましくは０．１〜２０重量％であり、より好ましくは１．０〜１０重量％であり、特に好ましくは２．０〜５．０重量％である。
前記塗布液における全固形分濃度は、好ましくは０．１〜５０重量％であり、より好ましくは１．０〜２０重量％であり、特に好ましくは２．０〜１０重量％である。
ここで全固形分とは、この塗布液を用いて得られる絶縁膜を構成する全成分に相当する。
【００３２】
前記重合体は、溶剤への溶解度が高いほうが好ましい。前記重合体の溶解度は、２５℃でシクロヘキサノン又はアニソールに、３重量％以上（前記重合体が溶解した溶液における前記重合体の濃度）であることが好ましく、５重量％以上であることがより好ましく、１０重量％以上であることが特に好ましい。
【００３３】
前記塗布乾燥工程における前記塗布液は、重合開始剤を含有していてもよく、前記重合工程において、架橋性基及び非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を使用する場合に、重合開始剤を使用することが好ましい。
重合開始剤は、ラジカル重合開始剤であることが好ましく、非金属のラジカル重合開始剤であることがより好ましく、有機過酸化物又は有機アゾ系化合物であることが特に好ましい。
【００３４】
有機過酸化物としては、日本油脂株式会社より市販されているパーヘキサＨ等のケトンパーオキサイド類、パーヘキサＴＭＨ等のパーオキシケタール類、パーブチルＨ−６９等のハイドロパーオキサイド類、パークミルＤ、パーブチルＣ、パーブチルＤ等のジアルキルパーオキサイド類、ナイパーＢＷ等のジアシルパーオキサイド類、パーブチルＺ、パーブチルＬ等のパーオキシエステル類、パーロイルＴＣＰ等のパーオキシジカーボネート、ジイソブチリルパーオキサイド、クミルパーオキシネオデカノエート、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ジ（４−ｔ−ブチルクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ（２−エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシネオヘプタノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、ジ（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ジコハク酸パーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ジ（４−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ジ（３−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ベンゾイル（３−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ジベンゾイルパーオキサイド、ジベンゾイルパーオキサイド、
【００３５】
１，１−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ジ〔４，４−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキシル〕プロパン、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、２，２−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｎ−ブチル−４，４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシバレレート、ジ（２−ｔ−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ヘキシルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｐ−メタンヒドロパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルヒドロパーオキサイド、クメンヒドロパーオキサイド、ｔ−ブチルヒドロパーオキサイド、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｏ−クロロベンゾイルパーオキサイド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキサイド、トリス（ｔ−ブチルパーオキシ）トリアジン、２，４，４−トリメチルペンチルパーオキシネオデカノエート、α−クミルパーオキシネオデカノエート、ｔ−アミルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシトリメチルアジペート、ジ−３−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、１，６−ビス（ｔ−ブチルパーオキシカルボニルオキシ）ヘキサン、ジエチレングリコールビス（ｔ−ブチルパーオキシカーボネート）、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート等が好ましく用いられる。
【００３６】
有機アゾ系化合物としては、和光純薬工業株式会社で市販されているＶ−３０、Ｖ−４０、Ｖ−５９、Ｖ−６０、Ｖ−６５、Ｖ−７０等のアゾニトリル化合物類、ＶＡ−０８０、ＶＡ−０８５、ＶＡ−０８６、ＶＦ−０９６、ＶＡｍ−１１０、ＶＡｍ−１１１等のアゾアミド化合物類、ＶＡ−０４４、ＶＡ−０６１等の環状アゾアミジン化合物類、Ｖ−５０、ＶＡ−０５７等のアゾアミジン化合物類、２，２−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）、２，２−アゾビス（２，４−ジメチルブチロニトリル）、１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カーボニトリル）、１−〔（１−シアノ−１−メチルエチル）アゾ〕ホルムアミド、２，２−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−〔１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル〕プロピオンアミド｝、２，２−アゾビス〔２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシブチル）プロピオンアミド〕、２，２−アゾビス〔Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド〕、２，２−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオアミド）、２，２−アゾビス〔２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン〕ジヒドロクロリド、２，２−アゾビス〔２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン〕ジスルフェートジハイドレート、２，２−アゾビス｛２−〔１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリン−２−イル〕プロパン｝ジヒドロクロリド、２，２−アゾビス〔２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン〕、２，２−アゾビス（１−イミノ−１−ピロリジノ−２−メチルプロパン）ジヒドロクロリド、２，２−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）ジヒドロクロリド、２，２−アゾビス〔Ｎ−（２−カルボキシエチル）−２−メチルプロピオンアミジン〕テトラハイドレート、ジメチル−２，２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、４，４−アゾビス（４−シアノバレリックアシッド）、２，２−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が好ましく用いられる。
【００３７】
本発明に用いることできる重合開始剤は、１種のみ使用しても、２種以上を混合して用いてもよい。
重合開始剤の使用量は、架橋性基及び非ダイヤモンドイド構造を有する化合物１モルに対して、好ましくは０．００１〜２モル、より好ましくは０．０１〜１モル、特に好ましくは０．０５〜０．５モルである。
【００３８】
さらに、前記塗布液には、得られる絶縁膜の特性（耐熱性、誘電率、機械強度、塗布性、密着性等）を損なわない範囲で、ラジカル発生剤、コロイド状シリカ、界面活性剤、密着促進剤などの添加剤を添加してもよい。
【００３９】
前記塗布液には、界面活性剤を使用してもよい。
界面活性剤としては、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤などが挙げられ、さらにシリコーン系界面活性剤、含フッ素系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、アクリル系界面活性剤が挙げられる。本発明に使用する界面活性剤は、一種類でもよいし、二種類以上でもよい。
界面活性剤としては、シリコーン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、含フッ素系界面活性剤、アクリル系界面活性剤が好ましく、シリコーン系界面活性剤が特に好ましい。
【００４０】
本発明で使用する界面活性剤の添加量は、前記塗布液の全量に対して、０．０１重量％以上１重量％以下であることが好ましく、０．１重量％以上０．５重量％以下であることがさらに好ましい。
【００４１】
前記塗布液には、密着促進剤を使用してもよい。
本発明にはいかなる密着促進剤を使用してもよいが、例えば、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、トリメトキシビニルシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、アルミニウムモノエチルアセトアセテートジイソプロピレート、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、トリメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジフェニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ポリビニルメトキシシロキサン、ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリメチルシリル）ウレア、ジメチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダゾール、ビニルトリクロロシラン、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、チオ尿素化合物等を挙げることができる。
密着促進剤の使用量は、全固形分１００重量部に対して、１０重量部以下であることが好ましく、０．０５〜５重量部であることが特に好ましい。
【００４２】
前記塗布液には、得られる絶縁膜の機械強度の許す範囲内で、空孔形成因子を使用してもよい。空孔形成因子を使用することにより、膜を多孔質化し、低誘電率化を図ることができる。
空孔形成剤となる添加剤としての空孔形成因子としては特に限定はされないが、非金属化合物が好適に用いられ、前記塗布液に含有してもよい溶剤との溶解性、前記重合体との相溶性を同時に満たすことが必要である。
【００４３】
空孔形成剤としては、ポリマーも使用することができる。
空孔形成剤として使用できるポリマーとしては、例えば、ポリビニル芳香族化合物（ポリスチレン、ポリビニルピリジン、ハロゲン化ポリビニル芳香族化合物など）、ポリアクリロニトリル、ポリアルキレンオキシド（ポリエチレンオキシド及びポリプロピレンオキシドなど）、ポリエチレン、ポリ乳酸、ポリシロキサン、ポリカプロラクトン、ポリカプロラクタム、ポリウレタン、ポリメタクリレート（ポリメチルメタクリレートなど）又はポリメタクリル酸、ポリアクリレート（ポリメチルアクリレートなど）及びポリアクリル酸、ポリジエン（ポリブタジエン及びポリイソプレンなど）、ポリビニルクロライド、ポリアセタール、及び、アミンキャップドアルキレンオキシド、その他、ポリフェニレンオキシド、ポリ（ジメチルシロキサン）、ポリテトラヒドロフラン、ポリシクロヘキシルエチレン、ポリエチルオキサゾリン、ポリビニルピリジン、ポリカプロラクトン等であってもよい。
特にポリスチレンは、空孔形成剤として好適に使用できる。
ポリスチレンはとしては、例えば、アニオン性重合ポリスチレン、シンジオタクチックポリスチレン、未置換及び置換ポリスチレン（例えば、ポリ（α−メチルスチレン））が挙げられ、未置換ポリスチレンが好ましい。
【００４４】
また、空孔形成剤としては熱可塑性のポリマーも使用することができる。
熱可塑性空孔形成用ポリマーの例としては、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリフェニレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリエチレンオキシド、ポリ（ジメチルシロキサン）、ポリテトラヒドロフラン、ポリエチレン、ポリシクロヘキシルエチレン、ポリエチルオキサゾリン、ポリカプロラクトン、ポリ乳酸及びポリビニルピリジン等が挙げられる。
【００４５】
また、この空孔形成剤の沸点若しくは分解温度は、好ましくは１００〜５００℃、より好ましくは２００〜４５０℃、特に好ましくは２５０〜４００℃である。分子量としては、２００〜５０，０００であることが好ましく、３００〜１０，０００であることがより好ましく、４００〜５，０００であることが特に好ましい。
空孔形成剤の添加量は、前記重合体に対して、好ましくは０．５〜７５重量％、より好ましくは０．５〜３０重量％、特に好ましくは１〜２０重量％である。
【００４６】
また、空孔形成因子として、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物中に分解性基を含んでいてもよい。
前記分解性基の分解温度は、好ましくは１００〜５００℃、より好ましくは２００〜４５０℃、特に好ましくは２５０〜４００℃である。
分解性基を有する非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を使用する場合、分解性基を有する非ダイヤモンドイド構造を有する化合物の使用量は、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物の全モル量に対し、好ましくは０．５〜７５モル％、より好ましくは０．５〜３０モル％、特に好ましくは１〜２０モル％である。
【００４７】
（加熱工程又は活性放射線照射工程）
本発明の電子デバイス用絶縁膜の製造方法は、前記乾燥膜を加熱し三次元架橋構造を有する膜を得る工程（加熱工程）、又は、前記乾燥膜を加熱するか若しくは前記乾燥膜に活性放射線を照射し、三次元架橋構造を有する膜を得る工程（加熱工程又は活性放射線照射工程）を含む。
【００４８】
本発明においては、前記塗布乾燥工程において、基板上に塗布・乾燥して得られる前記乾燥膜を加熱処理することによって三次元架橋構造を有する膜を形成させることが特に好ましい。
前記三次元架橋構造は、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物により形成された構造であり、ダイヤモンドイド構造を少なくとも含むことが好ましく、アダマンタン構造、ジアマンタン構造又はトリアマンタン構造のいずれかを少なくとも含むことがより好ましい。
前記加熱工程における、この後加熱処理の条件は、好ましくは１００〜４５０℃、より好ましくは２００〜４２０℃、特に好ましくは３５０℃〜４００℃で、好ましくは１分〜２時間、より好ましくは１０分〜１．５時間、特に好ましくは３０分〜１時間の範囲である。加熱処理は数回に分けて行ってもよい。また、この後加熱は酸素による熱酸化を防ぐために窒素雰囲気下で行うことが特に好ましい。
加熱処理の方法は、特に限定されないが、前記塗布乾燥工程にて前述した加熱方法を好適に行うことができる。
【００４９】
また、架橋性基及び非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を使用する場合は、加熱処理ではなく、活性放射線を照射することで架橋性基の重合反応を起こして硬化（焼成）させてもよい。
活性放射線としては、電子線、紫外線、Ｘ線などが挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
活性放射線として、電子線を使用した場合のエネルギーは、５０ｋｅＶ以下が好ましく、３０ｋｅＶ以下がより好ましく、２０ｋｅＶ以下が特に好ましい。電子線の総ドーズ量は、好ましくは５μＣ／ｃｍ2以下、より好ましくは２μＣ／ｃｍ2以下、特に好ましくは１μＣ／ｃｍ2以下である。
電子線を照射する際の基板温度は、０〜４５０℃が好ましく、０〜４００℃がより好ましく、０〜３５０℃がより好ましい。圧力は、好ましくは０〜１３３ｋＰａ、より好ましくは０〜６０ｋＰａ、特に好ましくは０〜２０ｋＰａである。
前記重合体の酸化を防止するという観点から、基板周囲の雰囲気はＡｒ、Ｈｅ、窒素などの不活性雰囲気を用いることが好ましい。
また、電子線との相互作用で発生するプラズマ、電磁波、化学種との反応を目的に酸素、炭化水素、アンモニアなどのガスを添加してもよい。
本発明における電子線照射は、複数回行ってもよく、この場合は電子線照射条件を毎回同じにする必要はなく、毎回異なる条件で行ってもよい。
【００５０】
また、活性放射線として紫外線を用いてもよい。
紫外線を用いる際の照射波長領域は１９０〜４００ｎｍが好ましく、その出力は基板直上において、０．１〜２，０００ｍＷ・ｃｍ-2が好ましい。
紫外線照射時の基板温度は２５０〜４５０℃が好ましく、２５０〜４００℃がより好ましい、２５０〜３５０℃が特に好ましい。
前記重合体の酸化を防止するという観点から、基板周囲の雰囲気はＡｒ、Ｈｅ、窒素などの不活性雰囲気を用いることが好ましい。また、その際の圧力は０〜１３３ｋＰａが好ましい。
【００５１】
本発明の電子デバイス用絶縁膜（以下、単に「絶縁膜」ともいう。）は、本発明の電子デバイス用絶縁膜の製造方法により得られる絶縁膜である。
本発明の絶縁膜は、誘電率及び機械強度に優れ、電子デバイスに好適に使用することができる。
また、本発明の電子デバイスは、本発明の絶縁膜を少なくとも有する電子デバイスである。
【００５２】
本発明の絶縁膜は、前記塗布液に含まれる添加剤等の化合物やその分解物、反応物が含まれていてもよいが、本発明の絶縁膜には不純物としての金属含量が充分に少ないことが好ましい。
本発明の絶縁膜中の金属濃度は、誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ−ＭＳ）法にて高感度に測定可能であり、その場合の遷移金属以外の金属含有量は、本発明の絶縁膜の全量に対して重量基準で、３０ｐｐｍ以下であることが好ましく、３ｐｐｍ以下であることがより好ましく、３００ｐｐｂ以下であることが特に好ましい。また、遷移金属については、酸化を促進する触媒能が高く、プリベーク、熱硬化プロセスにおいて酸化反応によって本発明の絶縁膜の誘電率を上げてしまうという観点から、含有量が少ないほうがよく、好ましくは１０ｐｐｍ以下、より好ましくは１ｐｐｍ以下、特に好ましくは１００ｐｐｂ以下である。
【００５３】
本発明の絶縁膜の金属濃度は、本発明の絶縁膜に対して全反射蛍光Ｘ線測定を行うことによっても評価できる。
Ｘ線源としてＷ線を用いた場合、金属元素としてＫ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄが観測可能であり、それぞれ１００×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下が好ましく、５０×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下がより好ましく、１０×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下が特に好ましい。
また、ハロゲンであるＢｒも観測可能であり、残存量は１０，０００×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下が好ましく、１，０００×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下がより好ましく、４００×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下が特に好ましい。
また、ハロゲンとしてＣｌも観測可能であるが、残存量は１００×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下が好ましく、５０×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下がより好ましく、１０×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下が特に好ましい。
【００５４】
本発明の絶縁膜は、半導体用層間絶縁膜として使用する際、その配線構造において、配線側面にはメタルマイグレーションを防ぐためのバリア層があってもよく、また、配線や層間絶縁膜の上面底面にはＣＭＰ（化学的機械的研磨）での剥離を防ぐキャップ層、層間密着層の他、エッチングストッパー層等があってもよく、さらには層間絶縁膜の層を必要に応じて他種材料で複数層に分けてもよい。
【００５５】
本発明の絶縁膜は、銅配線あるいはその他の目的でエッチング加工をすることができる。エッチングとしてはウエットエッチング、ドライエッチングのいずれでもよいが、ドライエッチングが好ましい。ドライエッチングは、アンモニア系プラズマ、フルオロカーボン系プラズマのいずれもが適宜使用できる。これらプラズマにはＡｒだけでなく、酸素、あるいは窒素、水素、ヘリウム等のガスを用いることができる。また、エッチング加工後に、加工に使用したフォトレジスト等を除く目的で灰化（アッシング）することもでき、さらにはアッシング時の残渣を除くため、洗浄することもできる。
【００５６】
本発明の絶縁膜は、銅配線加工後に、銅めっき部を平坦化するためＣＭＰをすることができる。ＣＭＰスラリー（薬液）としては、市販のスラリー（例えば、（株）フジミインコーポレーテッド製、ロデールニッタ社製、ＪＳＲ（株）製、日立化成工業（株）製等）を適宜使用できる。また、ＣＭＰ装置としては市販の装置（アプライドマテリアル社製、（株）荏原製作所製等）を適宜使用することができる。さらにＣＭＰ後のスラリー残渣除去のため、洗浄することができる。
【００５７】
本発明の絶縁膜は、多様の目的に使用することができる。例えば、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭ等の半導体装置、マルチチップモジュール多層配線板等の電子部品における絶縁被膜として好適であり、半導体用層間絶縁膜、エッチングストッパー膜、表面保護膜、バッファーコート膜の他、ＬＳＩにおけるパッシベーション膜、α線遮断膜、フレキソ印刷版のカバーレイフィルム、オーバーコート膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜等として使用することができる。
【実施例】
【００５８】
以下の実施例は、本発明を説明するものであり、その範囲を限定するものではない。
【００５９】
実施例で使用した化合物Ｒ−１及びＲ−２の構造を示す。なお、Ｒ−１は前記（Ｄ−２）と同一の化合物であり、Ｒ−２は前記（Ｅ−１５）と同一の化合物である。
【００６０】
【化７】
【００６１】
（実施例１）
Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ，ＣＶ６，３７８に記載の方法に従い、化合物Ｒ−１（Ｂｉｎｏｒ−Ｓ）を合成した。Ｒ−１ ５．０重量部を封管中２２０℃で４８時間加熱重合させた後に、イソプロピルアルコールに加えて析出した固体をろ過した。得られた固体をイソプロピルアルコールで十分に洗浄して重合体（１）を２．０重量部得た。
重合体（１）の重量平均分子量は約８，０００であった。
この重合体（１）１．０重量部を２５℃でシクロヘキサノン９重量部に溶解させ、この溶液を０．１μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製フィルターでろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で２００℃６０秒間加熱して溶剤を乾燥させた後、さらに窒素置換した４００℃のオーブン中で６０分間焼成した結果、膜厚０．５μｍのブツのない均一な膜が得られた。
膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ社製水銀プローバ及び横川ヒューレットパッカード社製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出した。この結果、誘電率は２．４であった。
ＭＴＳ社製ナノインデンターＳＡ２を使用して、ヤング率を２５℃において測定した結果、６．０ＧＰａであった。
【００６２】
（実施例２）
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，４５，４９５４（１９８０）に記載の方法に従い、化合物Ｒ−２を合成した。化合物Ｒ−２ ５．０重量部を封管中２２０℃で４８時間加熱重合させた後に、イソプロピルアルコールに加えて析出した固体をろ過した。得られた固体をイソプロピルアルコールで十分に洗浄して重合体（２）を２．５重量部得た。
重合体（２）の重量平均分子量は約１０，０００であった。
この重合体（２）１．０重量部を２５℃でシクロヘキサノン９重量部に溶解させ、この溶液を０．１μｍのＰＴＦＥ製フィルターでろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で２００℃６０秒間加熱して溶剤を乾燥させた後、さらに窒素置換した４００℃のオーブン中で６０分間焼成した結果、膜厚０．５μｍのブツのない均一な膜が得られた。
膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ社製水銀プローバ及び横川ヒューレットパッカード社製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出した。この結果、誘電率は２．３であった。
ＭＴＳ社製ナノインデンターＳＡ２を使用して、ヤング率を２５℃において測定した結果、６．０ＧＰａであった。
【００６３】
（比較例１）
米国特許第６，６４６，０８１号明細書に記載のＥｘａｍｐｌｅ ３ｂの調製方法におけるのに準じて、ポリアリーレンの１０重量％溶液を調製した。この溶液を使用して実施例１と同様にして膜を作製した結果、膜厚０．５μｍのブツのない均一な膜が得られた。
この膜の誘電率は２．７０、ヤング率は３．５ＧＰａであった。
【００６４】
実施例１、２及び比較例１の結果から、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を加熱して得られる重合体から形成した膜が層間絶縁膜として優れていることがわかる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス用絶縁膜の製造方法、電子デバイス用絶縁膜、及び、電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子材料分野においては、高集積化、多機能化、高性能化の進行に伴い、回路抵抗や配線間のコンデンサー容量が増大し、消費電力や遅延時間の増大を招いている。中でも、遅延時間の増大は、デバイスの信号スピードの低下やクロストークの発生の大きな要因となるため、この遅延時間を減少させてデバイスの高速化を図るべく、寄生抵抗や寄生容量の低減が求められている。この寄生容量を低減するための具体策の一つとして、配線の周辺を低誘電性の層間絶縁膜で被覆することが試みられている。また、層間絶縁膜には、実装基板製造時の薄膜形成工程やチップ接続、ピン付け等の後工程に耐え得る優れた耐熱性やウェットプロセスに耐え得る耐薬品性が求められている。さらに、近年は、Ａｌ配線から低抵抗のＣｕ配線が導入されつつあり、これに伴い、ＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング、化学的機械的研磨）による平坦化が一般的となっており、このプロセスに耐え得る高い機械的強度が求められている。
【０００３】
絶縁膜として古くからポリベンゾオキサゾール、ポリイミドが広く知られている。また、ポリアリーレンエーテルからなる絶縁膜が開示されている（特許文献１）。
しかしながら、高速デバイスを実現するためには、さらなる誘電率の低減が強く要望されている。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第６６４６０８１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、誘電率及び機械強度に優れる電子デバイス用絶縁膜の製造方法、前記製造方法により得られる電子デバイス用絶縁膜、並びに、前記電子デバイス用絶縁膜を有する電子デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意検討の結果、上記課題が下記の＜１＞、＜２＞、＜５＞及び＜６＞の構成により解決されることを見出した。好ましい実施態様である＜３＞及び＜４＞とともに以下に示す。
＜１＞ 非ダイヤモンドイド構造を有する化合物から重合体を得る工程、前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程、並びに、前記乾燥膜を加熱し三次元架橋構造を有する膜を得る工程を含むことを特徴とする電子デバイス用絶縁膜の製造方法、
＜２＞ 架橋性基及び非ダイヤモンドイド構造を有する化合物から重合体を得る工程、前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程、並びに、前記乾燥膜を加熱し三次元架橋構造を有する膜を得る工程を含むことを特徴とする電子デバイス用絶縁膜の製造方法、
＜３＞ 前記架橋性基が、ラジカル重合性基である上記＜２＞に記載の電子デバイス用絶縁膜の製造方法、
＜４＞ 前記塗布液が、ラジカル重合開始剤をさらに含有する上記＜３＞に記載の電子デバイス用絶縁膜の製造方法、
＜５＞ 上記＜１＞乃至＜４＞のいずれか１つに記載の電子デバイス用絶縁膜の製造方法により得られる電子デバイス用絶縁膜、
＜６＞ 上記＜５＞に記載の電子デバイス用絶縁膜を有する電子デバイス。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、誘電率及び機械強度に優れる電子デバイス用絶縁膜の製造方法、前記製造方法により得られる電子デバイス用絶縁膜、並びに、前記電子デバイス用絶縁膜を有する電子デバイスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の電子デバイス用絶縁膜の製造方法の一つの側面は、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を重合体を得る工程（以下、「重合工程」ともいう。）、前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程（以下、「塗布乾燥工程」ともいう。）、並びに、前記乾燥膜を加熱し三次元架橋構造を有する膜を得る工程（以下、「加熱工程」ともいう。）を含むことを特徴とする。
また、本発明の電子デバイス用絶縁膜の製造方法の他の一つの側面は、架橋性基及び非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を重合体を得る工程（以下、前記と同様に「重合工程」ともいう。）、前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程（以下、前記と同様に「塗布乾燥工程」ともいう。）、並びに、前記乾燥膜を加熱するか又は前記乾燥膜に活性放射線を照射し、三次元架橋構造を有する膜を得る工程（以下、「加熱工程又は活性放射線照射工程」ともいう。）を含むことを特徴とする。
以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】
（非ダイヤモンドイド構造を有する化合物）
まず、本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物について説明する。
本発明における「ダイヤモンドイド構造」とは、アダマンタン構造、ジアマンタン構造、トリアマンタン構造、及び、アダマンタン（トリシクロ［３．３．１．１３，７］デカン）のテトラマー構造、ペンタマー構造、ヘキサマー構造、ヘプタマー構造、オクタマー構造、ノナマー構造、デカマー構造などを含み、Ｃ４ｎ＋６Ｈ４ｎ＋１２の化学組成式を持つ化合物から０個以上の水素原子を除いた構造である。なお、ｎは１以上の整数である。
また、前記ダイヤモンドイド構造は、置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、炭素数１〜１０のアルキル基（より好ましくはメチル基）、炭素数２〜１０のアルケニル基（より好ましくはビニル基、フェニルビニル基）、炭素数２〜１０のアルキニル基（より好ましくはエチニル基、フェニルエチニル基）、炭素数６〜１０のアリール基（より好ましくはフェニル基）が挙げられる。
ダイヤモンドイド構造を有する化合物の一例として、下記にアダマンタン（adamantane）、ジアマンタン（diamantane）、トリアマンタン（triamantane）を示すが、これらに限定されるわけではない。
【００１０】
【化１】
【００１１】
本発明における「非ダイヤモンドイド構造」とは、上記ダイヤモンドイド構造を有する化合物を除くＣ４ｎ＋６Ｈｍの化学組成式を持つ化合物から０個以上の水素原子を除いた構造である。なお、ｎは１以上の整数であり、ｍは、ｍ≦４ｎ＋１２を満たす整数である。
また、前記非ダイヤモンドイド構造は、置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、炭素数１〜１０のアルキル基（より好ましくはメチル基）、炭素数２〜１０のアルケニル基（より好ましくはビニル基、フェニルビニル基）、炭素数２〜１０のアルキニル基（より好ましくはエチニル基、フェニルエチニル基）、炭素数６〜１０のアリール基（より好ましくはフェニル基）が挙げられる。
【００１２】
よって、本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物とは、ダイヤモンドイド構造を有する化合物を除くＣ４ｎ＋６Ｈｍの化学組成式を持つ化合物から０個以上の水素原子を除いた構造を有する化合物である。
また、本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物は、２以上の非ダイヤモンドイド構造が単結合又は連結基により連結した化合物であってもよく、前記連結基は、多価の炭化水素基であることが好ましい。
本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物は、熱、紫外線（ＵＶ）、電子線（ＥＢ）、赤外線等の活性放射線、ブレンステッド酸、ルイス酸等の触媒、ラジカル発生剤等との反応により、分子内又は分子間で転移反応を起こし、熱力学的に安定な構造であるダイヤモンドイド構造に変化、又は、ダイヤモンドイド構造に近づくものを示す。
本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物は、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００１３】
本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物の一例として、具体的には、アダマンタン、ジアマンタン、トリアマンタン、及び、アダマンタン（トリシクロ［３．３．１．１３，７］デカン）のテトラマー、ペンタマー、ヘキサマー、ヘプタマー、オクタマー、ノナマー、デカマーよりなる群から選ばれた化合物の構造異性体が好ましく例示できる。なお、本発明において、例えば、「アダマンタンの構造異性体」にはアダマンタンは含まれないことは言うまでもない。
【００１４】
アダマンタンの構造異性体は、Ｃ１０Ｈ１６の化学組成式で表される非ダイヤモンドイド構造を有する化合物である。
具体的には、下記のトリメチレンノルボルナン（Ａ−１）が挙げられるが、本発明はこれに限定されない。
【００１５】
【化２】
【００１６】
また、ジアマンタンの構造異性体は、Ｃ１４Ｈ２０の化学組成式で表される非ダイヤモンドイド構造を有する化合物である。
具体的には下記に示す化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００１７】
【化３】
【００１８】
また、トリアマンタンの構造異性体は、Ｃ１８Ｈ２４の化学組成式で表される非ダイヤモンドイド構造を有する化合物である。
具体的には下記に示す化合物（Ｃ−１）〜（Ｃ−３）が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００１９】
【化４】
【００２０】
また、本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物としては、アダマンタン、ジアマンタン、トリアマンタン、及び、アダマンタン（トリシクロ［３．３．１．１３，７］デカン）のテトラマー、ペンタマー、ヘキサマー、ヘプタマー、オクタマー、ノナマー、デカマーよりなる群から選ばれた化合物の構造異性体における任意の２つの炭素原子を単結合により結合した架橋化合物も好ましく例示できる。
これらの化合物では、前記Ｃ４ｎ＋６Ｈｍの化学組成式におけるｍが、ｍ＜４ｎ＋１２となる。
具体的には下記に示す化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−３）が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００２１】
【化５】
【００２２】
また、本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物としては、アダマンタン、ジアマンタン、トリアマンタン、及び、アダマンタン（トリシクロ［３．３．１．１３，７］デカン）のテトラマー、ペンタマー、ヘキサマー、ヘプタマー、オクタマー、ノナマー、デカマーよりなる群から選ばれた化合物の構造異性体の骨格中にエチレン性不飽和結合を有する化合物も好ましく例示できる。また、前記架橋化合物の骨格中にエチレン性不飽和結合を有する不飽和化合物も好ましく例示できる。
これらの化合物では、前記Ｃ４ｎ＋６Ｈｍの化学組成式におけるｍが、ｍ＜４ｎ＋１２となる。
具体的には下記に示す化合物（Ｅ−１）〜（Ｅ−１９）が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００２３】
【化６】
【００２４】
本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物は、アダマンタンの構造異性体、ジアマンタンの構造異性体、トリアマンタンの構造異性体、これらの架橋化合物、又は、これらの不飽和化合物であることが好ましく、ジアマンタンの構造異性体、トリアマンタンの構造異性体、これらの架橋化合物、又は、これらの不飽和化合物であることがより好ましい。
【００２５】
本発明に用いることができる非ダイヤモンドイド構造を有する化合物は、架橋性基を有する非ダイヤモンドイド構造を有する化合物であってもよい。
架橋性基としては、ラジカル重合性基であることが好ましく、アルケニル基、アルキニル基、又は、シクロプロピル基であることがより好ましい。
また、架橋性基を有する非ダイヤモンドイド構造を有する化合物には、前記不飽和化合物やシクロプロパン構造を有するものも含まれる。
【００２６】
（重合工程）
本発明の電子デバイス用絶縁膜の製造方法は、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物から重合体を得る工程（重合工程）を含む。
重合体を得る方法としては、特に制限はないが、熱、ブレンステッド酸、ルイス酸、ラジカル重合開始剤（ラジカル発生剤）、活性放射線の照射等の手段により重合を行うことが例示でき、その中でも、熱により重合を行うことが好ましい。
また、前記した熱、ブレンステッド酸、ルイス酸、ラジカル重合開始剤、活性放射線の照射等の手段は、単独で行っても、２種以上を組み合わせて行ってもよい。
前記重合工程における加熱方法としては、特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。
前記重合工程における加熱温度は、１００〜２５０℃であることが好ましく、１５０〜２２０℃であることがより好ましい。
前記重合工程における加熱時間は、１〜１００時間であることが好ましく、１０〜５０時間であることがより好ましい。
前記重合工程に用いることができるブレンステッド酸やルイス酸としては、重合が進行する限り、特に制限はなく、公知のものを用いることができる。
また、前記ラジカル重合開始剤や活性放射線の照射については、後述するものを好適に使用することができる。
前記重合工程においては、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を無溶媒で加熱することが好ましい。また、前記重合工程においては、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を封管中で加熱することが好ましく、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を無溶媒かつ封管中で加熱することがより好ましい。
重合して得られるポリマーの重量平均分子量は、１，０００〜１００，０００であることが好ましく、３，０００〜５０，０００であることがより好ましく、５，０００〜１０，０００であることがさらに好ましい。
前記重合工程では、例えば、加熱により重合を行う場合、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物が分子内又は分子間で転移反応を起こし、重合体を形成する。
【００２７】
（塗布乾燥工程）
本発明の電子デバイス用絶縁膜の製造方法は、前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー（以下、「基板」ともいう。）上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程（塗布乾燥工程）を含む。
前記塗布乾燥工程における塗布方法、及び、乾燥方法としては、特に制限はないが、例えば、スピンコーティング法、ローラーコーティング法、ディップコーティング法、スキャン法等の任意の方法により、基板に塗布した後、溶剤を加熱や減圧等の処理を行い除去することにより形成することができる。
基板に塗布する方法としては、スピンコーティング法、スキャン法によるものが好ましく、スピンコーティング法によるものが特に好ましい。
スピンコーティングについては、市販の装置を使用できる。例えば、クリーントラックシリーズ（東京エレクトロン（株）製）、Ｄ−スピンシリーズ（大日本スクリーン製造（株）製）、ＳＳシリーズあるいはＣＳシリーズ（東京応化工業（株）製）等が好ましく使用できる。
スピンコート条件としては、いずれの回転速度でもよいが、膜の面内均一性の観点より、３００ｍｍシリコン基板においては１，３００ｒｐｍ程度の回転速度が好ましい。
【００２８】
また、前記塗布液の吐出方法においては、回転する基板上に前記塗布液を吐出する動的吐出、静止した基板上へ前記塗布液を吐出する静的吐出のいずれでもよいが、膜の面内均一性の観点より、動的吐出が好ましい。また、前記塗布液の消費量を抑制する観点より、溶剤のみを基板上に吐出して液膜を形成した後、その上から前記塗布液を吐出するという方法を用いることもできる。
スピンコート時間については特に制限はないが、スループットの観点から１８０秒以内が好ましい。また、基板の搬送の観点より、基板エッジ部の膜を残存させないための処理（エッジリンス、バックリンス）をすることも好ましい。
前記塗布乾燥工程における乾燥方法は、加熱により行うことが好ましく、乾燥のための加熱条件としては、１００℃〜２５０℃で１分〜５分行うことが好ましい。
加熱処理の方法は、特に限定されないが、一般的に使用されているホットプレート加熱、ファーネス炉を使用した加熱方法、ＲＴＰ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等によるキセノンランプを使用した光照射加熱等を適用することができる。好ましくは、ホットプレート加熱、ファーネスを使用した加熱方法である。
ホットプレートとしては、市販の装置を好ましく使用でき、クリーントラックシリーズ（東京エレクトロン（株）製）、Ｄ−スピンシリーズ（大日本スクリーン製造（株）製）、ＳＳシリーズあるいはＣＳシリーズ（東京応化工業（株）製）等が好ましく使用できる。ファーネスとしては、αシリーズ（東京エレクトロン（株）製）等が好ましく使用できる。
【００２９】
前記塗布液は、前記重合工程により得られた重合体及び有機溶剤を含む。
有機溶剤は、特に限定はされないが、例えば、メタノール、エタノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−エトキシメタノール、３−メトキシプロパノール、１−メトキシ−２−プロパノール等のアルコール系溶剤、アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル系溶剤、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、アニソール、フェネトール、ベラトロール等のエーテル系溶剤、メシチレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、プロピルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、Ｎ−メチルピロリジノン、ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤などが挙げられる。これら有機溶剤は、１種単独で使用しても、２種以上を混合して用いてもよい。
【００３０】
これらの中でも、好ましい溶剤は、１−メトキシ−２−プロパノール、プロパノール、アセチルアセトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、アニソール、メシチレン、ｔ−ブチルベンゼンであり、特に好ましくは１−メトキシ−２−プロパノール、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、ｔ−ブチルベンゼン、アニソールである。
【００３１】
前記塗布液における前記重合体の濃度は、好ましくは０．１〜２０重量％であり、より好ましくは１．０〜１０重量％であり、特に好ましくは２．０〜５．０重量％である。
前記塗布液における全固形分濃度は、好ましくは０．１〜５０重量％であり、より好ましくは１．０〜２０重量％であり、特に好ましくは２．０〜１０重量％である。
ここで全固形分とは、この塗布液を用いて得られる絶縁膜を構成する全成分に相当する。
【００３２】
前記重合体は、溶剤への溶解度が高いほうが好ましい。前記重合体の溶解度は、２５℃でシクロヘキサノン又はアニソールに、３重量％以上（前記重合体が溶解した溶液における前記重合体の濃度）であることが好ましく、５重量％以上であることがより好ましく、１０重量％以上であることが特に好ましい。
【００３３】
前記塗布乾燥工程における前記塗布液は、重合開始剤を含有していてもよく、前記重合工程において、架橋性基及び非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を使用する場合に、重合開始剤を使用することが好ましい。
重合開始剤は、ラジカル重合開始剤であることが好ましく、非金属のラジカル重合開始剤であることがより好ましく、有機過酸化物又は有機アゾ系化合物であることが特に好ましい。
【００３４】
有機過酸化物としては、日本油脂株式会社より市販されているパーヘキサＨ等のケトンパーオキサイド類、パーヘキサＴＭＨ等のパーオキシケタール類、パーブチルＨ−６９等のハイドロパーオキサイド類、パークミルＤ、パーブチルＣ、パーブチルＤ等のジアルキルパーオキサイド類、ナイパーＢＷ等のジアシルパーオキサイド類、パーブチルＺ、パーブチルＬ等のパーオキシエステル類、パーロイルＴＣＰ等のパーオキシジカーボネート、ジイソブチリルパーオキサイド、クミルパーオキシネオデカノエート、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ジ（４−ｔ−ブチルクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ（２−エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシネオヘプタノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、ジ（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ジコハク酸パーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ジ（４−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ジ（３−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ベンゾイル（３−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ジベンゾイルパーオキサイド、ジベンゾイルパーオキサイド、
【００３５】
１，１−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ジ〔４，４−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキシル〕プロパン、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、２，２−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｎ−ブチル−４，４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシバレレート、ジ（２−ｔ−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ヘキシルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｐ−メタンヒドロパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルヒドロパーオキサイド、クメンヒドロパーオキサイド、ｔ−ブチルヒドロパーオキサイド、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｏ−クロロベンゾイルパーオキサイド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキサイド、トリス（ｔ−ブチルパーオキシ）トリアジン、２，４，４−トリメチルペンチルパーオキシネオデカノエート、α−クミルパーオキシネオデカノエート、ｔ−アミルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシトリメチルアジペート、ジ−３−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、１，６−ビス（ｔ−ブチルパーオキシカルボニルオキシ）ヘキサン、ジエチレングリコールビス（ｔ−ブチルパーオキシカーボネート）、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート等が好ましく用いられる。
【００３６】
有機アゾ系化合物としては、和光純薬工業株式会社で市販されているＶ−３０、Ｖ−４０、Ｖ−５９、Ｖ−６０、Ｖ−６５、Ｖ−７０等のアゾニトリル化合物類、ＶＡ−０８０、ＶＡ−０８５、ＶＡ−０８６、ＶＦ−０９６、ＶＡｍ−１１０、ＶＡｍ−１１１等のアゾアミド化合物類、ＶＡ−０４４、ＶＡ−０６１等の環状アゾアミジン化合物類、Ｖ−５０、ＶＡ−０５７等のアゾアミジン化合物類、２，２−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）、２，２−アゾビス（２，４−ジメチルブチロニトリル）、１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カーボニトリル）、１−〔（１−シアノ−１−メチルエチル）アゾ〕ホルムアミド、２，２−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−〔１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル〕プロピオンアミド｝、２，２−アゾビス〔２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシブチル）プロピオンアミド〕、２，２−アゾビス〔Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド〕、２，２−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオアミド）、２，２−アゾビス〔２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン〕ジヒドロクロリド、２，２−アゾビス〔２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン〕ジスルフェートジハイドレート、２，２−アゾビス｛２−〔１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリン−２−イル〕プロパン｝ジヒドロクロリド、２，２−アゾビス〔２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン〕、２，２−アゾビス（１−イミノ−１−ピロリジノ−２−メチルプロパン）ジヒドロクロリド、２，２−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）ジヒドロクロリド、２，２−アゾビス〔Ｎ−（２−カルボキシエチル）−２−メチルプロピオンアミジン〕テトラハイドレート、ジメチル−２，２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、４，４−アゾビス（４−シアノバレリックアシッド）、２，２−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が好ましく用いられる。
【００３７】
本発明に用いることできる重合開始剤は、１種のみ使用しても、２種以上を混合して用いてもよい。
重合開始剤の使用量は、架橋性基及び非ダイヤモンドイド構造を有する化合物１モルに対して、好ましくは０．００１〜２モル、より好ましくは０．０１〜１モル、特に好ましくは０．０５〜０．５モルである。
【００３８】
さらに、前記塗布液には、得られる絶縁膜の特性（耐熱性、誘電率、機械強度、塗布性、密着性等）を損なわない範囲で、ラジカル発生剤、コロイド状シリカ、界面活性剤、密着促進剤などの添加剤を添加してもよい。
【００３９】
前記塗布液には、界面活性剤を使用してもよい。
界面活性剤としては、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤などが挙げられ、さらにシリコーン系界面活性剤、含フッ素系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、アクリル系界面活性剤が挙げられる。本発明に使用する界面活性剤は、一種類でもよいし、二種類以上でもよい。
界面活性剤としては、シリコーン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、含フッ素系界面活性剤、アクリル系界面活性剤が好ましく、シリコーン系界面活性剤が特に好ましい。
【００４０】
本発明で使用する界面活性剤の添加量は、前記塗布液の全量に対して、０．０１重量％以上１重量％以下であることが好ましく、０．１重量％以上０．５重量％以下であることがさらに好ましい。
【００４１】
前記塗布液には、密着促進剤を使用してもよい。
本発明にはいかなる密着促進剤を使用してもよいが、例えば、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、トリメトキシビニルシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、アルミニウムモノエチルアセトアセテートジイソプロピレート、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、トリメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジフェニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ポリビニルメトキシシロキサン、ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリメチルシリル）ウレア、ジメチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダゾール、ビニルトリクロロシラン、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、チオ尿素化合物等を挙げることができる。
密着促進剤の使用量は、全固形分１００重量部に対して、１０重量部以下であることが好ましく、０．０５〜５重量部であることが特に好ましい。
【００４２】
前記塗布液には、得られる絶縁膜の機械強度の許す範囲内で、空孔形成因子を使用してもよい。空孔形成因子を使用することにより、膜を多孔質化し、低誘電率化を図ることができる。
空孔形成剤となる添加剤としての空孔形成因子としては特に限定はされないが、非金属化合物が好適に用いられ、前記塗布液に含有してもよい溶剤との溶解性、前記重合体との相溶性を同時に満たすことが必要である。
【００４３】
空孔形成剤としては、ポリマーも使用することができる。
空孔形成剤として使用できるポリマーとしては、例えば、ポリビニル芳香族化合物（ポリスチレン、ポリビニルピリジン、ハロゲン化ポリビニル芳香族化合物など）、ポリアクリロニトリル、ポリアルキレンオキシド（ポリエチレンオキシド及びポリプロピレンオキシドなど）、ポリエチレン、ポリ乳酸、ポリシロキサン、ポリカプロラクトン、ポリカプロラクタム、ポリウレタン、ポリメタクリレート（ポリメチルメタクリレートなど）又はポリメタクリル酸、ポリアクリレート（ポリメチルアクリレートなど）及びポリアクリル酸、ポリジエン（ポリブタジエン及びポリイソプレンなど）、ポリビニルクロライド、ポリアセタール、及び、アミンキャップドアルキレンオキシド、その他、ポリフェニレンオキシド、ポリ（ジメチルシロキサン）、ポリテトラヒドロフラン、ポリシクロヘキシルエチレン、ポリエチルオキサゾリン、ポリビニルピリジン、ポリカプロラクトン等であってもよい。
特にポリスチレンは、空孔形成剤として好適に使用できる。
ポリスチレンはとしては、例えば、アニオン性重合ポリスチレン、シンジオタクチックポリスチレン、未置換及び置換ポリスチレン（例えば、ポリ（α−メチルスチレン））が挙げられ、未置換ポリスチレンが好ましい。
【００４４】
また、空孔形成剤としては熱可塑性のポリマーも使用することができる。
熱可塑性空孔形成用ポリマーの例としては、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリフェニレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリエチレンオキシド、ポリ（ジメチルシロキサン）、ポリテトラヒドロフラン、ポリエチレン、ポリシクロヘキシルエチレン、ポリエチルオキサゾリン、ポリカプロラクトン、ポリ乳酸及びポリビニルピリジン等が挙げられる。
【００４５】
また、この空孔形成剤の沸点若しくは分解温度は、好ましくは１００〜５００℃、より好ましくは２００〜４５０℃、特に好ましくは２５０〜４００℃である。分子量としては、２００〜５０，０００であることが好ましく、３００〜１０，０００であることがより好ましく、４００〜５，０００であることが特に好ましい。
空孔形成剤の添加量は、前記重合体に対して、好ましくは０．５〜７５重量％、より好ましくは０．５〜３０重量％、特に好ましくは１〜２０重量％である。
【００４６】
また、空孔形成因子として、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物中に分解性基を含んでいてもよい。
前記分解性基の分解温度は、好ましくは１００〜５００℃、より好ましくは２００〜４５０℃、特に好ましくは２５０〜４００℃である。
分解性基を有する非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を使用する場合、分解性基を有する非ダイヤモンドイド構造を有する化合物の使用量は、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物の全モル量に対し、好ましくは０．５〜７５モル％、より好ましくは０．５〜３０モル％、特に好ましくは１〜２０モル％である。
【００４７】
（加熱工程又は活性放射線照射工程）
本発明の電子デバイス用絶縁膜の製造方法は、前記乾燥膜を加熱し三次元架橋構造を有する膜を得る工程（加熱工程）、又は、前記乾燥膜を加熱するか若しくは前記乾燥膜に活性放射線を照射し、三次元架橋構造を有する膜を得る工程（加熱工程又は活性放射線照射工程）を含む。
【００４８】
本発明においては、前記塗布乾燥工程において、基板上に塗布・乾燥して得られる前記乾燥膜を加熱処理することによって三次元架橋構造を有する膜を形成させることが特に好ましい。
前記三次元架橋構造は、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物により形成された構造であり、ダイヤモンドイド構造を少なくとも含むことが好ましく、アダマンタン構造、ジアマンタン構造又はトリアマンタン構造のいずれかを少なくとも含むことがより好ましい。
前記加熱工程における、この後加熱処理の条件は、好ましくは１００〜４５０℃、より好ましくは２００〜４２０℃、特に好ましくは３５０℃〜４００℃で、好ましくは１分〜２時間、より好ましくは１０分〜１．５時間、特に好ましくは３０分〜１時間の範囲である。加熱処理は数回に分けて行ってもよい。また、この後加熱は酸素による熱酸化を防ぐために窒素雰囲気下で行うことが特に好ましい。
加熱処理の方法は、特に限定されないが、前記塗布乾燥工程にて前述した加熱方法を好適に行うことができる。
【００４９】
また、架橋性基及び非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を使用する場合は、加熱処理ではなく、活性放射線を照射することで架橋性基の重合反応を起こして硬化（焼成）させてもよい。
活性放射線としては、電子線、紫外線、Ｘ線などが挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
活性放射線として、電子線を使用した場合のエネルギーは、５０ｋｅＶ以下が好ましく、３０ｋｅＶ以下がより好ましく、２０ｋｅＶ以下が特に好ましい。電子線の総ドーズ量は、好ましくは５μＣ／ｃｍ2以下、より好ましくは２μＣ／ｃｍ2以下、特に好ましくは１μＣ／ｃｍ2以下である。
電子線を照射する際の基板温度は、０〜４５０℃が好ましく、０〜４００℃がより好ましく、０〜３５０℃がより好ましい。圧力は、好ましくは０〜１３３ｋＰａ、より好ましくは０〜６０ｋＰａ、特に好ましくは０〜２０ｋＰａである。
前記重合体の酸化を防止するという観点から、基板周囲の雰囲気はＡｒ、Ｈｅ、窒素などの不活性雰囲気を用いることが好ましい。
また、電子線との相互作用で発生するプラズマ、電磁波、化学種との反応を目的に酸素、炭化水素、アンモニアなどのガスを添加してもよい。
本発明における電子線照射は、複数回行ってもよく、この場合は電子線照射条件を毎回同じにする必要はなく、毎回異なる条件で行ってもよい。
【００５０】
また、活性放射線として紫外線を用いてもよい。
紫外線を用いる際の照射波長領域は１９０〜４００ｎｍが好ましく、その出力は基板直上において、０．１〜２，０００ｍＷ・ｃｍ-2が好ましい。
紫外線照射時の基板温度は２５０〜４５０℃が好ましく、２５０〜４００℃がより好ましい、２５０〜３５０℃が特に好ましい。
前記重合体の酸化を防止するという観点から、基板周囲の雰囲気はＡｒ、Ｈｅ、窒素などの不活性雰囲気を用いることが好ましい。また、その際の圧力は０〜１３３ｋＰａが好ましい。
【００５１】
本発明の電子デバイス用絶縁膜（以下、単に「絶縁膜」ともいう。）は、本発明の電子デバイス用絶縁膜の製造方法により得られる絶縁膜である。
本発明の絶縁膜は、誘電率及び機械強度に優れ、電子デバイスに好適に使用することができる。
また、本発明の電子デバイスは、本発明の絶縁膜を少なくとも有する電子デバイスである。
【００５２】
本発明の絶縁膜は、前記塗布液に含まれる添加剤等の化合物やその分解物、反応物が含まれていてもよいが、本発明の絶縁膜には不純物としての金属含量が充分に少ないことが好ましい。
本発明の絶縁膜中の金属濃度は、誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ−ＭＳ）法にて高感度に測定可能であり、その場合の遷移金属以外の金属含有量は、本発明の絶縁膜の全量に対して重量基準で、３０ｐｐｍ以下であることが好ましく、３ｐｐｍ以下であることがより好ましく、３００ｐｐｂ以下であることが特に好ましい。また、遷移金属については、酸化を促進する触媒能が高く、プリベーク、熱硬化プロセスにおいて酸化反応によって本発明の絶縁膜の誘電率を上げてしまうという観点から、含有量が少ないほうがよく、好ましくは１０ｐｐｍ以下、より好ましくは１ｐｐｍ以下、特に好ましくは１００ｐｐｂ以下である。
【００５３】
本発明の絶縁膜の金属濃度は、本発明の絶縁膜に対して全反射蛍光Ｘ線測定を行うことによっても評価できる。
Ｘ線源としてＷ線を用いた場合、金属元素としてＫ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄが観測可能であり、それぞれ１００×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下が好ましく、５０×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下がより好ましく、１０×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下が特に好ましい。
また、ハロゲンであるＢｒも観測可能であり、残存量は１０，０００×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下が好ましく、１，０００×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下がより好ましく、４００×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下が特に好ましい。
また、ハロゲンとしてＣｌも観測可能であるが、残存量は１００×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下が好ましく、５０×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下がより好ましく、１０×１０１０ａｔｏｍ・ｃｍ−２以下が特に好ましい。
【００５４】
本発明の絶縁膜は、半導体用層間絶縁膜として使用する際、その配線構造において、配線側面にはメタルマイグレーションを防ぐためのバリア層があってもよく、また、配線や層間絶縁膜の上面底面にはＣＭＰ（化学的機械的研磨）での剥離を防ぐキャップ層、層間密着層の他、エッチングストッパー層等があってもよく、さらには層間絶縁膜の層を必要に応じて他種材料で複数層に分けてもよい。
【００５５】
本発明の絶縁膜は、銅配線あるいはその他の目的でエッチング加工をすることができる。エッチングとしてはウエットエッチング、ドライエッチングのいずれでもよいが、ドライエッチングが好ましい。ドライエッチングは、アンモニア系プラズマ、フルオロカーボン系プラズマのいずれもが適宜使用できる。これらプラズマにはＡｒだけでなく、酸素、あるいは窒素、水素、ヘリウム等のガスを用いることができる。また、エッチング加工後に、加工に使用したフォトレジスト等を除く目的で灰化（アッシング）することもでき、さらにはアッシング時の残渣を除くため、洗浄することもできる。
【００５６】
本発明の絶縁膜は、銅配線加工後に、銅めっき部を平坦化するためＣＭＰをすることができる。ＣＭＰスラリー（薬液）としては、市販のスラリー（例えば、（株）フジミインコーポレーテッド製、ロデールニッタ社製、ＪＳＲ（株）製、日立化成工業（株）製等）を適宜使用できる。また、ＣＭＰ装置としては市販の装置（アプライドマテリアル社製、（株）荏原製作所製等）を適宜使用することができる。さらにＣＭＰ後のスラリー残渣除去のため、洗浄することができる。
【００５７】
本発明の絶縁膜は、多様の目的に使用することができる。例えば、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭ等の半導体装置、マルチチップモジュール多層配線板等の電子部品における絶縁被膜として好適であり、半導体用層間絶縁膜、エッチングストッパー膜、表面保護膜、バッファーコート膜の他、ＬＳＩにおけるパッシベーション膜、α線遮断膜、フレキソ印刷版のカバーレイフィルム、オーバーコート膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜等として使用することができる。
【実施例】
【００５８】
以下の実施例は、本発明を説明するものであり、その範囲を限定するものではない。
【００５９】
実施例で使用した化合物Ｒ−１及びＲ−２の構造を示す。なお、Ｒ−１は前記（Ｄ−２）と同一の化合物であり、Ｒ−２は前記（Ｅ−１５）と同一の化合物である。
【００６０】
【化７】
【００６１】
（実施例１）
Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ，ＣＶ６，３７８に記載の方法に従い、化合物Ｒ−１（Ｂｉｎｏｒ−Ｓ）を合成した。Ｒ−１ ５．０重量部を封管中２２０℃で４８時間加熱重合させた後に、イソプロピルアルコールに加えて析出した固体をろ過した。得られた固体をイソプロピルアルコールで十分に洗浄して重合体（１）を２．０重量部得た。
重合体（１）の重量平均分子量は約８，０００であった。
この重合体（１）１．０重量部を２５℃でシクロヘキサノン９重量部に溶解させ、この溶液を０．１μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製フィルターでろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で２００℃６０秒間加熱して溶剤を乾燥させた後、さらに窒素置換した４００℃のオーブン中で６０分間焼成した結果、膜厚０．５μｍのブツのない均一な膜が得られた。
膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ社製水銀プローバ及び横川ヒューレットパッカード社製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出した。この結果、誘電率は２．４であった。
ＭＴＳ社製ナノインデンターＳＡ２を使用して、ヤング率を２５℃において測定した結果、６．０ＧＰａであった。
【００６２】
（実施例２）
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，４５，４９５４（１９８０）に記載の方法に従い、化合物Ｒ−２を合成した。化合物Ｒ−２ ５．０重量部を封管中２２０℃で４８時間加熱重合させた後に、イソプロピルアルコールに加えて析出した固体をろ過した。得られた固体をイソプロピルアルコールで十分に洗浄して重合体（２）を２．５重量部得た。
重合体（２）の重量平均分子量は約１０，０００であった。
この重合体（２）１．０重量部を２５℃でシクロヘキサノン９重量部に溶解させ、この溶液を０．１μｍのＰＴＦＥ製フィルターでろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で２００℃６０秒間加熱して溶剤を乾燥させた後、さらに窒素置換した４００℃のオーブン中で６０分間焼成した結果、膜厚０．５μｍのブツのない均一な膜が得られた。
膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ社製水銀プローバ及び横川ヒューレットパッカード社製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出した。この結果、誘電率は２．３であった。
ＭＴＳ社製ナノインデンターＳＡ２を使用して、ヤング率を２５℃において測定した結果、６．０ＧＰａであった。
【００６３】
（比較例１）
米国特許第６，６４６，０８１号明細書に記載のＥｘａｍｐｌｅ ３ｂの調製方法におけるのに準じて、ポリアリーレンの１０重量％溶液を調製した。この溶液を使用して実施例１と同様にして膜を作製した結果、膜厚０．５μｍのブツのない均一な膜が得られた。
この膜の誘電率は２．７０、ヤング率は３．５ＧＰａであった。
【００６４】
実施例１、２及び比較例１の結果から、非ダイヤモンドイド構造を有する化合物を加熱して得られる重合体から形成した膜が層間絶縁膜として優れていることがわかる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非ダイヤモンドイド構造を有する化合物から重合体を得る工程、
前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程、並びに、
前記乾燥膜を加熱し三次元架橋構造を有する膜を得る工程を含むことを特徴とする
電子デバイス用絶縁膜の製造方法。
【請求項２】
架橋性基及び非ダイヤモンドイド構造を有する化合物から重合体を得る工程、
前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程、並びに、
前記乾燥膜を加熱し三次元架橋構造を有する膜を得る工程を含むことを特徴とする
電子デバイス用絶縁膜の製造方法。
【請求項３】
前記架橋性基が、ラジカル重合性基である請求項２に記載の電子デバイス用絶縁膜の製造方法。
【請求項４】
前記塗布液が、ラジカル重合開始剤をさらに含有する請求項３に記載の電子デバイス用絶縁膜の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載の電子デバイス用絶縁膜の製造方法により得られる電子デバイス用絶縁膜。
【請求項６】
請求項５に記載の電子デバイス用絶縁膜を有する電子デバイス。
【請求項１】
非ダイヤモンドイド構造を有する化合物から重合体を得る工程、
前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程、並びに、
前記乾燥膜を加熱し三次元架橋構造を有する膜を得る工程を含むことを特徴とする
電子デバイス用絶縁膜の製造方法。
【請求項２】
架橋性基及び非ダイヤモンドイド構造を有する化合物から重合体を得る工程、
前記重合体及び有機溶剤を含む塗布液をシリコンウェハー上に塗布及び乾燥し乾燥膜を形成する工程、並びに、
前記乾燥膜を加熱し三次元架橋構造を有する膜を得る工程を含むことを特徴とする
電子デバイス用絶縁膜の製造方法。
【請求項３】
前記架橋性基が、ラジカル重合性基である請求項２に記載の電子デバイス用絶縁膜の製造方法。
【請求項４】
前記塗布液が、ラジカル重合開始剤をさらに含有する請求項３に記載の電子デバイス用絶縁膜の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載の電子デバイス用絶縁膜の製造方法により得られる電子デバイス用絶縁膜。
【請求項６】
請求項５に記載の電子デバイス用絶縁膜を有する電子デバイス。
【公開番号】特開２００９−７０９６４（Ｐ２００９−７０９６４Ａ）
【公開日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２３６５７９（Ｐ２００７−２３６５７９）
【出願日】平成１９年９月１２日（２００７．９．１２）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月１２日（２００７．９．１２）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]