電子回路装置および電子機器
【課題】高温化に晒すことなく、配線基板と電子部品とを電気的に接合して、電子部品が配線基板に確実に実装された信頼性に優れる電子回路装置、および、かかる電子回路装置を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】電子回路装置１０は、基板１と、所定形状にパターニングされ、端子を備える配線パターン２とを有する配線基板７と、本体部４の両端側に設けられた電極５を備えるチップコンデンサ６とを有しており、電極５が導電性を有する接合膜３を介して端子と電気的に接合されることにより、チップコンデンサ６は配線基板７に固定されている。接合膜３は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含むものである。
【解決手段】電子回路装置１０は、基板１と、所定形状にパターニングされ、端子を備える配線パターン２とを有する配線基板７と、本体部４の両端側に設けられた電極５を備えるチップコンデンサ６とを有しており、電極５が導電性を有する接合膜３を介して端子と電気的に接合されることにより、チップコンデンサ６は配線基板７に固定されている。接合膜３は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含むものである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
配線パターンが形成されたプリント配線板（配線基板）に、チップコンデンサ、チップ抵抗等のチップ型の電子部品（チップ部品）を実装する手法として、電子部品が備える端子（電極）と導体パターンの一部に備える端子とを接合する表面実装技術（ＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ））が知られている。
このような表面実装技術では、端子間の接合に、半田リフロー処理が広く用いられている。より具体的には、例えば、プリント配線板が備える端子と、チップ部品が備える端子との間に半田ボールを介して、プリント配線板上にチップ部品を載置する。そして、これらを加熱して、半田を溶融させた後に、再固化させることにより、プリント配線板とチップ部品とが端子間で電気的に接合される。
【０００３】
以上のような半田を溶融、固化させる半田リフロー処理では、近年、環境性の問題から、鉛フリー半田が用いられ、このような鉛フリー半田を溶融させるために、チップ部品が高温下（２６０℃程度）に晒される。このように、チップ部品がかかる高温下に晒されると、チップ部品にクラックが発生するという問題があった。また、チップ部品を配線基板に電気的に接続する方法として、半田リフロー処理よりも低温（約１５０℃）で導通、固定することが可能な、Ａｇペーストのように金属粒子を含有する導電性接着剤を用いる試みがある（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、このような導電性接着剤は、金属粒子の点接触により導通するものであり、抵抗率が高かかったり、金属粒子同士が接触せずに、端子間で導通が得られないという問題があった。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２４４１０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、高温化に晒すことなく、配線基板と電子部品とを電気的に接合して、電子部品が配線基板に確実に実装された信頼性に優れる電子回路装置、および、かかる電子回路装置を備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は以下の本発明により達成される。
本発明の電子回路装置は、平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子と前記第２の端子とが導電性を有する接合膜で接合されることにより、前記電子部品が前記配線基板に対して、固定されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第１の端子と前記第２の端子とを接合していることを特徴とする。
これにより、高温化に晒すことなく、配線基板と電子部品とを電気的に接合して、電子部品が配線基板に確実に実装された信頼性に優れる電子回路装置を提供することができる。
【０００７】
本発明の電子回路装置は、平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子は、導電性を有する接合膜で構成され、前記第２の端子に、前記第１の端子が接合することにより、前記電子部品が前記配線基板に対して固定されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第２の端子に接合していることを特徴とする。
これにより、高温化に晒すことなく、配線基板と電子部品とを電気的に接合して、電子部品が配線基板に確実に実装された信頼性に優れる電子回路装置を提供することができる。
【０００８】
本発明の電子回路装置では、前記電気配線は、前記接合膜と同様の接合膜で構成され、前記第１の端子と一体的に形成されていることが好ましい。
これにより、一体化して、１つの工程で電気配線と接合膜を形成することができる。これにより、電子回路装置の生産性を高めることができる。
本発明の電子回路装置では、前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
接合膜を、これらの金属原子を含むものとすることにより、接合膜は、優れた導電性と伝熱性とを発揮するものとなる。その結果、電子回路装置は、回路内での不本意な電流の損失がなく、より低電圧で駆動することができるものとなる。
【０００９】
本発明の電子回路装置では、前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、接合膜の接着性をより高度化することができる。結果として、得られる電子回路装置の信頼性をさらに高いものとすることができる。
【００１０】
本発明の電子回路装置では、前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）に、脱離基として水素原子が導入されたものであることが好ましい。
かかる構成の接合膜は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜は、電子部品が備える端子に対して特に強固に接着することにより、配線基板に対して、電子部品がより確実に固定される。また、かかる構成の接合膜は、優れた導電性、伝熱性を有するものとなる。結果として、製造される電子回路装置の信頼性をさらに高いものとすることができる。
本発明の電子回路装置では、前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、接合膜を介して電子部品と配線基板とをより強固に接合することができるようになる。
【００１１】
本発明の電子回路装置は、平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子と前記第２の端子とが導電性を有する接合膜で接合されることにより、前記電子部品が前記配線基板に対して、固定されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第１の端子と前記第２の端子とを接合していることを特徴とする。
これにより、高温化に晒すことなく、配線基板に確実に実装し得る、信頼性に優れた電子回路装置を提供することができる。
【００１２】
本発明の電子回路装置は、平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子は、導電性を有する接合膜で構成され、前記第２の端子に、前記第１の端子が接合することにより、前記電子部品が前記配線基板に対して固定されており、
前記接合膜は、金属原子と有機成分で構成された脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第２の端子に接合していることを特徴とする。
これにより、高温化に晒すことなく、配線基板に確実に実装し得る、信頼性に優れた電子回路装置を提供することができる。
【００１３】
本発明の電子回路装置では、前記電気配線は、前記接合膜と同様の接合膜で構成され、前記第１の端子と一体的に形成されていることが好ましい。
これにより、配線基板上に電子部品を効率良く実装することができ、製造される電子回路装置の生産性を高めることができる。
本発明の電子回路装置では、前記接合膜は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものであることが好ましい。
かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜を成膜することができる。
【００１４】
本発明の電子回路装置では、前記接合膜は、低還元性雰囲気下で成膜されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜として、純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜を形成することができる。すなわち、接合膜を介した電子部品と配線基板との接合強度が特に優れたものとなる。
【００１５】
本発明の電子回路装置では、前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものであることが好ましい。
このように成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基として用いる構成とすることにより、形成された金属膜中に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜を成膜することができる。
【００１６】
本発明の電子回路装置では、前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成されることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、接合膜の接着性をより高度化することができる。結果として、得られる電子回路装置の信頼性をさらに高いものとすることができる。
【００１７】
本発明の電子回路装置では、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基で構成される脱離基は、化学的な安定性が高い。そのため、脱離基としてアルキル基を備える接合膜は、劣化するのが好適に抑制される。また、このような接合膜は、優れた撥水性を発現するものであり、電子回路装置を多湿な環境下で使用した場合でも、接合膜が吸湿することなく、接合膜が変性（劣化）するのがより確実に防止される。結果として、電子回路装置の信頼性を長期間にわたって特に優れたものとすることができる。
【００１８】
本発明の電子回路装置では、前記有機金属材料は、金属錯体であることが好ましい。
金属錯体を用いて接合膜を成膜することにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、確実に接合膜を形成することができる。
本発明の電子回路装置では、前記金属原子は、銅、アルミニウム、亜鉛および鉄のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、接合膜を、これらの金属原子を含むものとすることにより、接合膜は、優れた導電性、伝熱性を発揮するものとなる。
【００１９】
本発明の電子回路装置では、前記接合膜中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、接合膜を介して電子部品と配線基板とをより強固に接合することができるようになる。その結果、電子回路装置の信頼性は特に優れたものとなる。
【００２０】
本発明の電子回路装置では、前記電子部品は、チップコンデンサ、チップ抵抗、チップインダクタ、トランジスタまたはダイオードであることが好ましい。
このような電子部品は、配線基板に対して接合膜を介して、より好適に接合することができる。また、電子回路装置を製造する際（電子部品を配線基板に接合する際）に、高温での熱処理を必要としないため、これらの電子部品の機能が十分に発揮された電子回路装置となる。
【００２１】
本発明の電子回路装置では、前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じることが好ましい。
これにより、電子部品や配線基板に対して、化学的結合に基づいて強固に接合可能な接合膜が得られる。
本発明の電子回路装置では、前記活性手は、未結合手または水酸基であることが好ましい。
これにより、電子部品や配線基板に対して、特に強固な接合が可能となる。
【００２２】
本発明の電子回路装置では、前記接合膜の平均厚さは、５０〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、電子部品を配線基板に高い寸法精度で強固に接合することができる。その結果、近年の、電子部品の配線基板への高集積化（高密度実装化）に伴う、導体パターンの細線化、および電子部品の小型化にも好適に対応可能な電子回路装置となる。
【００２３】
本発明の電子回路装置では、前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしていることが好ましい。
これにより、接合膜を用いて得られた電子回路装置の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。また、従来に比べ、短時間で強固な接合が可能になる。
本発明の電子回路装置では、前記接合膜が接する少なくとも一方の面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、接合膜が接する表面を清浄化および活性化し、接合膜の接合強度を高めることができる。
【００２４】
本発明の電子回路装置では、前記表面処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
これにより、接合膜が接する表面を特に最適化することができる。
本発明の電子回路装置では、前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができる。
【００２５】
本発明の電子回路装置では、前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、接合膜に付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜中の脱離基を確実に脱離させることができる。その結果、接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を発現させることができる。
【００２６】
本発明の電子回路装置では、前記加熱の温度は、２５〜１００℃であることが好ましい。
これにより、接合体が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。さらに、電子部品の特性に影響を及ぼすのを確実に防止することができる。
【００２７】
本発明の電子回路装置では、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、圧力が高すぎて電子部品や配線基板に損傷等が生じるのを防止しつつ、これらの接合強度を確実に高めることができる。結果として、電子回路装置の信頼性を特に優れたものとすることができる。
本発明の電子回路装置では、前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われることが好ましい。
これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギーの付与をより簡単に行うことができる。
【００２８】
本発明の電子回路装置では、さらに、前記配線基板と前記電子部品とを接合する絶縁性接合膜を有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
当該絶縁性接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記配線基板と前記電子部品とを接合していることが好ましい。
これにより、電子部品と配線基板との接合強度を特に優れたものとすることができる。
本発明の電子機器では、本発明の電子回路装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の電子回路装置および電子機器を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３０】
＜電子回路装置＞
まず、本発明の電子回路装置について説明する。
なお、以下の説明では、電子部品としてチップ型のコンデンサ（チップコンデンサ）を用いた場合を一例として説明する。
＜＜第１実施形態＞＞
図１は、本発明の電子回路装置の第１実施形態を示す上面図、図２は、図１に示す電子回路装置のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１に示す電子回路装置におけるＩの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図４は、図１に示す電子回路装置におけるＩの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図５は、Ｉの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図６は、図５に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図、図７は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図８は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図９は、IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１〜図９中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【００３１】
本実施形態の電子回路装置１０は、配線基板（回路基板）７と、チップコンデンサ（電子部品）６とを有している。配線基板７は、絶縁性の基板１と、基板１上に設けられ、端子（第１の端子）２１を備える配線パターン２とを有し、チップコンデンサ６は、本体部４と、電極（第２の端子）５とを有している。本実施形態では、配線基板７が有する端子２１と、電子部品６が有する電極５とが導電性を有する接合膜３を介して接合されている。このように接合膜３を介して端子２１と電極５とが接合することにより、チップコンデンサ６と配線基板７とが固定されている。以下、各部の構成について詳細に説明する。
【００３２】
図１、図２に示すように、電子回路装置１０において、配線基板７は、基板１と配線パターン２とで構成されている。
基板１は、絶縁基板であり、例えば、ポリイミド等の各種樹脂材料や、ガラス等の各種セラミック材料で構成されている。基板１の平面視形状は正方形、長方形等の四角形とされる。
【００３３】
この基板１上には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される配線パターン２が所定形状で設けられている。そして、配線パターン２の一部には、チップコンデンサ６が有する電極（外部電極）５に対応するように、端子２１が設けられている。
また、チップコンデンサ６は、本体部４の両端側に電極（外部電極）５が設けられた構成となっている。
【００３４】
このような電極５は、例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ等の厚膜や、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｃｕ等のめっき等で構成されている。
かかる構成の電子回路装置１０において、導電性を有する接合膜３が、配線基板７が有する端子２１上に設けられている。そして、この接合膜３を介して、チップコンデンサ６の電極５が、配線基板７の端子２１に接合されることにより、チップコンデンサ６と配線基板７とが電気的に接続されるとともに、配線基板７上にチップコンデンサ６が固定される。
【００３５】
本発明では、この接合膜３の構成に特徴を有しており、具体的には、接合膜３としては、次のようなＩまたはIIの構成のものが用いられる。
以下、ＩおよびIIの構成の接合膜３について、それぞれ、詳述する。また、本実施形態では、端子２１側に設けられた接合膜３について説明した後、この接合膜３で電極５を端子２１に接合する場合について説明する。
【００３６】
Ｉ：まず、Ｉの構成の接合膜３は、端子２１上に設けられ、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである（図３参照。）。換言すれば、接合膜３は、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入したものと言うことができる。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３（金属原子および酸素原子の少なくとも一方）から脱離し、図４に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５の付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、チップコンデンサ６の電極５を、接合膜３を備えた端子２１に強固に接合、固定することができる。
【００３７】
この接合膜３と電極５との接合は、半田リフロー処理を用いた接合のように、高温下（２６０℃以上）に晒すことなく行うことができるため、チップコンデンサ６において、本体部４の電極５との接合部分等でクラックが発生するのを確実に防止することができ、電子回路装置１０は、信頼性に優れたものとなる。また、チップコンデンサをかかる高温下に晒すと、チップコンデンサの構成、構成材料によっては、（静電）容量値の低下や、温度特性（コンデンサが本来有する容量値を担保することができる温度範囲）の変質（劣化）を引き起こすが、本実施形態において、このような問題が発生するのを確実に防止することができる。
【００３８】
また、接合膜３は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち主として金属酸化物で構成されるものであることから、変形し難い強固な膜となる。このため、電子回路装置１０では、電極５の端子２１からの剥離をより確実に防止することができる。結果として、チップコンデンサ６と配線基板７との間での剥離の発生が確実に防止される。
また、Ｉの構成の接合膜３は、優れた導電性を有している。接合膜３は、Ａｇペーストのように、Ａｇ粒子の点接触により導通するのではなく、それ自体が導電性を有するものであるから、接合膜３を介した電極５と端子２１との電気的な接続が、特に低抵抗率なものとなる。
【００３９】
さらに、接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、リフロー処理中の半田や、導電性接着剤のように、液状または粘液状（半固形状）で流動性を有する接合媒体に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状が変化しない。その結果、配線パターン２に設けられた端子２１およびチップコンデンサ６が有する電極５の大きさが比較的小さい、高集積、高密度の電子回路装置１０において、チップコンデンサ６を配線基板７により正確に接合、固定することができる。さらに、半田リフロー処理のように、配線基板上に電子部品を固定する時間が不要になり、短時間で強固な接合が可能となる。
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
【００４０】
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＰｂ等が挙げられる。中でも、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）およびＳｂ（アンチモン）のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。接合膜３を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基３０３を導入したものとすることにより、接合膜３は、優れた導電性を発揮するものとなる。なお、かかる接合膜３は、高い透明性および高い伝熱性も有する。
【００４１】
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ２）等が挙げられる。
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、１９１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
【００４２】
また、接合膜３中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、端子２１と電極５とをより強固に接合することができるようになる。
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【００４３】
かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【００４４】
なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、Ｉの構成の接合膜３では、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００４５】
以上のことを考慮すると、接合膜３としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
かかる構成の接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜３は、端子２１に対して特に強固に接着するとともに、電極５に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、端子２１と電極５とを強固に接合することができる。
【００４６】
また、接合膜３の平均厚さは、５０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、電極５と端子２１との接合強度を十分に高いものとしつつ、接合膜３の導電性、伝熱性は特に優れたものとなる。特に、電子回路装置１０を起動する際に、チップコンデンサ６が発する熱を、接合膜３を介して端子２１、配線パターン２に好適に伝熱することができ、結果として、電子回路装置１０の外部へと放熱される。これにより、電子回路装置１０は長期間にわたって信頼性により優れたものとなる。
【００４７】
なお、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、接合膜３の材料等によっては、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合膜の抵抗率が高くなり易い。
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、端子２１の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、端子２１と電極５とを接合した際に、接合膜３の電極５に対する密着性を高めることができる。
【００４８】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の伝熱性、および膜自体の機械的強度の低下が認められない範囲で、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような接合膜３は、接合膜３のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ｉ−Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、接合膜３の表面３５付近に偏在させる場合には、例えば、Ｉ−Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
【００４９】
以下、Ｉ−ＡおよびＩ−Ｂの方法を用いて、接合膜３を成膜する場合について、詳述する。
Ｉ−Ａ：Ｉ−Ａの方法では、接合膜３は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を端子２１に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができるため、接合膜３のほぼ全体に亘って脱離基３０３を導入することができる。
【００５０】
さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜３を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、電極５に対して特に強固に接合し得るものとなる。また、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、端子２１に対しても高い密着性を示す。このため、端子２１と電極５との間に高い接合強度が得られる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、電子回路装置１０の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００５１】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。
【００５２】
以下、ＰＶＤ法により接合膜３を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜３を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、端子２１上にイオンビームスパッタリング法により接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。
図５に示す成膜装置２００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜３の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
【００５３】
具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、配線基板７（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に設置され、チャンバー２１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。
【００５４】
また、チャンバー２１１には、チャンバー２１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段２６０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー２１２は、チャンバー２１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、回動可能となっている。これにより、端子２１上に接合膜３を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
【００５５】
イオン源（イオン銃）２１５は、図５に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室２５６と、イオン発生室２５６内に設けられたフィラメント２５７と、グリッド２５３、２５４と、イオン発生室２５６の外側に設置された磁石２５５とを有している。
また、イオン発生室２５６には、図６に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源２１９が接続されている。
【００５６】
このイオン源２１５では、イオン発生室２５６内に、ガス供給源２１９からガスを供給した状態で、フィラメント２５７を通電加熱すると、フィラメント２５７から電子が放出され、放出された電子が磁石２５５の磁場によって運動し、イオン発生室２５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４との間の電圧勾配により、イオン発生室２５６内から引き出されるとともに加速され、開口２５０を介してイオンビームＢとしてイオン源２１５から放出（照射）される。
【００５７】
イオン源２１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット２１６の表面に衝突し、ターゲット２１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット２１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置２００では、イオン源２１５は、その開口２５０がチャンバー２１１内に位置するように、チャンバー２１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源２１５は、チャンバー２１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー２１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置２００の小型化を図ることができる。
【００５８】
また、イオン源２１５は、その開口２５０が、基板ホルダー２１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー２１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源２１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる、イオン源２１５を複数設置することにより、接合膜３の成膜速度をより速くすることができる。
【００５９】
また、ターゲットホルダー２１７および基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター２２０および第２のシャッター２２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット２１６、配線基板７および接合膜３が、不用な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【００６０】
また、排気手段２３０は、ポンプ２３２と、ポンプ２３２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３１と、排気ライン２３１の途中に設けられたバルブ２３３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
さらに、ガス供給手段２６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ２６４と、ガスボンベ２６４からこのガスをチャンバー２１１に導くガス供給ライン２６１と、ガス供給ライン２６１の途中に設けられたポンプ２６２およびバルブ２６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー２１１内に供給し得るようになっている。
【００６１】
以上のような構成の成膜装置２００を用いて、以下のようにして端子２１上に接合膜３が形成される。
まず、配線基板７の配線パターン２が設けられた側の面に、端子２１の表面を除いてマスクを形成する。そして、この配線基板７を、配線パターン２が設けられた側の面が第２のシャッター２２１側を向くように、成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
【００６２】
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
さらに、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
【００６３】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
【００６４】
次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【００６５】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー２１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー２１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が端子２１上に被着することにより、接合膜３が形成される。
【００６６】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、厚さ方向のほぼ全体に亘って脱離基３０３が存在する接合膜３を成膜することができる。
【００６７】
Ｉ−Ｂ：また、Ｉ−Ｂの方法では、接合膜３は、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
【００６８】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【００６９】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、端子２１上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【００７０】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｉ−Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニール）する方法、Ｉ−Ｂ２：イオンインプラテーション法等が挙げられるが、中でも、特に、Ｉ−Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｉ−Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【００７１】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理することにより、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｉ−Ｂの方法を用いて接合膜３の成膜する場合も、Ｉ−Ａの方法を用いて接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【００７２】
まず、配線基板７の配線パターン２が設けられた側の面に、端子２１の表面を除いてマスクを形成する。そして、この配線基板７を、配線パターン２が設けられた側の面が第２のシャッター２２１側を向くように、成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【００７３】
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内を加熱する。チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
【００７４】
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、端子２１上に被着して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
【００７５】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【００７６】
次に、第２のシャッター２２１を開いた状態で、第１のシャッター２２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内をさらに加熱する。チャンバー２１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程において、端子２１および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。
【００７７】
次に、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー２１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前工程でチャンバー２１１内が加熱された状態で、チャンバー２１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜３が形成される。
【００７８】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
なお、チャンバー２１１内は、前記工程において、排気手段２３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー２１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
【００７９】
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
【００８０】
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー２１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面３５付近に脱離基３０３が偏在する接合膜３を成膜することができる。
【００８１】
II：次に、IIの構成の接合膜３は、端子２１上に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである（図７参照。）。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３の少なくとも表面３５付近から脱離し、図８に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、電極５を、接合膜３を備えた端子２１に強固に接合、固定することができる。
【００８２】
この接合膜３と電極５との接合は、半田リフロー処理を用いた接合のように、高温下（２６０℃以上）に晒すことなく行うことができるため、チップコンデンサ６において、本体部４の電極５との接合部分等でクラックが発生するのを確実に防止することができ、電子回路装置１０は、信頼性に優れたものとなる。また、チップコンデンサをかかる高温下に晒すと、チップコンデンサの構成、構成材料によっては、（静電）容量値の低下や、温度特性（コンデンサが本来有する容量値を担保することができる温度範囲）の変質（劣化）を引き起こすが、本実施形態において、このような問題が発生するのを確実に防止することができる。
【００８３】
また、接合膜３は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、電子回路装置１０では、電極５の端子２１からの剥離をより確実に防止することができる。結果として、チップコンデンサ６と配線基板７との間での剥離の発生が確実に防止される。
また、Ｉの構成の接合膜３は、優れた導電性を有している。接合膜３は、Ａｇペーストのように、Ａｇ粒子の点接触により導通するのではなく、それ自体が導電性を有するものであるから、接合膜３を介した電極５と端子２１との電気的な接続が、特に低抵抗率なものとなる。
【００８４】
さらに、接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、リフロー処理中の半田や、導電性接着剤のように、液状または粘液状（半固形状）で流動性を有する接合媒体に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状が変化しない。その結果、配線パターン２が備える端子２１およびチップコンデンサ６が有する電極５の大きさが比較的小さい、高集積、高密度の電子回路装置１０において、チップコンデンサ６を配線基板７により正確に接合、固定することができる。さらに、半田リフロー処理のように、配線基板上に電子部品を固定する時間が不要になり、短時間で強固な接合が可能となる。
【００８５】
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【００８６】
ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３の導電性および伝熱性をより高めることができる。
【００８７】
また、金属原子として、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜３は、優れた導電性および伝熱性を発揮するものとなる。また、接合膜３を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜３を成膜することができる。
【００８８】
また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜３から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【００８９】
具体的には、IIの構成の接合膜３では、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【００９０】
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００９１】
また、かかる構成の接合膜３において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、端子２１と電極５とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜３を優れた導電性および伝熱性を発揮するものとすることができる。
【００９２】
また、接合膜３の平均厚さは、５０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、電極５と端子２１との接合強度を十分に高いものとしつつ、接合膜３の導電性、伝熱性は特に優れたものとなる。特に、電子回路装置１０を起動する際に、チップコンデンサ６が発熱した際にも、接合膜３を介して端子２１、配線パターン２に好適に伝熱することができる。これにより、電子回路装置１０は長期間にわたって信頼性により優れたものとなる。
【００９３】
なお、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、接合膜３の材料等によっては、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合膜の抵抗率が高くなり易い。
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、端子２１の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、端子２１と電極５とを接合した際に、接合膜３の電極５に対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の伝熱性、および膜自体の機械的強度の低下が認められない範囲で、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
【００９４】
以上説明したような接合膜３は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、II−Ａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体に付与して接合膜３を形成する方法、II−Ｂ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜の表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜３を形成する方法、II−Ｃ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、II−Ｃの方法により接合膜３を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜３を形成することができる。
【００９５】
以下、II−Ｃの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法により、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置５００について説明する。
【００９６】
図９に示す成膜装置５００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜３の形成をチャンバー５１１内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置５００は、チャンバー（真空チャンバー）５１１と、このチャンバー５１１内に設置され、端子２１（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）５１２と、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段５６０と、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段５７０と、チャンバー５１１内の排気をして圧力を制御する排気手段５３０と、基板ホルダー５１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【００９７】
基板ホルダー５１２は、本実施形態では、チャンバー５１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー５１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、端子２１上に接合膜を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー５１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター５２１が配設されている。このシャッター５２１は、端子２１および接合膜３が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【００９８】
有機金属材料供給手段５６０は、チャンバー５１１に接続されている。この有機金属材料供給手段５６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽５６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ５６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５６１と、ガス供給ライン５６１の途中に設けられたポンプ５６４およびバルブ５６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段５６０では、貯留槽５６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ５６３を開放した状態で、ポンプ５６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ５６５から貯留槽５６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン５６１内を通過してチャンバー５１１内に供給されるようになっている。
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
【００９９】
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０がチャンバー５１１に接続されている。ガス供給手段５７０は、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ５７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５７１と、ガス供給ライン５７１の途中に設けられたポンプ５７４およびバルブ５７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段５７０では、バルブ５７３を開放した状態で、ポンプ５７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ５７５から、供給ライン５７１を介して、チャンバー５１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段５７０をかかる構成とすることにより、チャンバー５１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜３を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜３が成膜される。
チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１００】
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜３に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜３を成膜することができる。その結果、この接合膜３は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０１０１】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段５３０は、ポンプ５３２と、ポンプ５３２とチャンバー５１１とを連通する排気ライン５３１と、排気ライン５３１の途中に設けられたバルブ５３３とで構成されており、チャンバー５１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
【０１０２】
以上のような構成の成膜装置５００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして端子２１上に接合膜３が形成される。
まず、配線基板７の配線パターン２が設けられた側の面に、端子２１の表面を除いてマスクを形成する。そして、この配線基板７を、配線パターン２が設けられた側の面がシャッター５２１側を向くように、成膜装置５００のチャンバー５１１内に搬入し、基板ホルダー５１２に装着（セット）する。
【０１０３】
次に、排気手段５３０を動作させ、すなわちポンプ５３２を作動させた状態でバルブ５３３を開くことにより、チャンバー５１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、ガス供給手段５７０を動作させ、すなわちポンプ５７４を作動させた状態でバルブ５７３を開くことにより、チャンバー５１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段５７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０１０４】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー５１２を加熱する。基板ホルダー５１２の温度は、形成する接合膜３の種類、すなわち、接合膜３を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜３００℃程度で有るのが好ましく、１００〜２７５℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜３を成膜することができる。
【０１０５】
次に、シャッター５２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽５６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ５６４を動作させるとともに、バルブ５６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
【０１０６】
このように、前記工程で基板ホルダー５１２が加熱された状態で、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、端子２１上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、端子２１上に接合膜３を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜３を端子２１上に形成することができる。
【０１０７】
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜３を確実に形成することができる。
【０１０８】
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０を動作させることにより、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、端子２１上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜３を成膜することができる。
【０１０９】
以上のように、接合膜３を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜３を成膜することができる。
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜３に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
【０１１０】
以上のようにして、端子２１上にＩまたはＩＩの構成の接合膜３を成膜することができ、その後、各種エッチング法を用いて、接合面４３を除いて形成したマスクを除去する。
なお、端子２１の少なくとも接合膜３を形成すべき領域には、上記の方法により接合膜３を形成するのに先立って、端子２１（配線パターン２）の構成材料に応じて、予め、端子２１と接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。
【０１１１】
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、端子２１の接合膜３を形成すべき領域を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。これにより、接合膜３と端子２１との接合強度を高めることができる。
【０１１２】
また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜３を形成するために、端子２１の表面を特に最適化することができる。
なお、上記では、接合膜３を端子２１に設ける構成について説明したが、接合膜３は、チップコンデンサ６が有する電極５に設けるようにしてもよい。この場合、電極５の少なくとも接合膜３を形成すべき領域に、予め、前述したような表面処理を施してもよい。
さらに、接合膜３は、端子２１と電極５との双方に設けるようにしてもよい。この場合には、表面処理は、端子２１と電極５の双方に行ってもよく、いずれか一方に選択的に行うようにしてもよい。
【０１１３】
＜製造方法＞
次に、本実施形態の電子回路装置１０の製造方法について説明する。
図１０、図１１は、本実施形態の電子回路装置１０の製造方法を説明するための図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
［１］まず、基板１上に、端子２１を備える配線パターン２を有する配線基板（回路基板）７を準備する（図１０（ａ）参照）。その後、前述したような方法で、端子２１上に接合膜３をパターニングして形成する（図１０（ｂ）参照）。なお、このような接合膜３を形成する領域は、後に接合する電極５の形状に合わせた領域のみに形成してもよいし、端子２１の上面全体に形成してもよい。
【０１１４】
［２］次に、接合膜３の表面３５に対してエネルギーを付与する。なお、表面３５へのエネルギーの付与は、端子２１の上面全体にわたってエネルギーを付与することにより行われてもよいし、表面３５に選択的にエネルギーを付与することにより行われてもよい。
ここで、接合膜３にエネルギーを付与すると、接合膜３では、脱離基３０３の結合手が切れて接合膜３の表面３５付近から脱離し、脱離基３０３が脱離した後には、活性手が接合膜３の表面３５付近に生じる。これにより、接合膜３の表面３５に、電極５との接着性が発現する。
【０１１５】
このような状態の接合膜３は、電極５と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与されるものであってもよいが、例えば、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
【０１１６】
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１２６〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図１０（ｃ）参照）。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３中の脱離基３０３を確実に脱離させることができる。これにより、接合膜３の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３に接着性を確実に発現させることができる。
【０１１７】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【０１１８】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜３の表面３５付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜３に必要以上に紫外線が照射されない程度の時間とするのが好ましい。これにより、接合膜３が変質・劣化するのを効果的に防止することができる。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【０１１９】
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、接合膜３のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による接合膜３の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、接合膜３の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。
【０１２０】
また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って接合膜３に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。
【０１２１】
また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基３０３を接合膜３の表面３５付近から確実に切断することができる。
【０１２２】
なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温（室温）〜６００℃程度、より好ましくは２００〜６００℃程度、さらに好ましくは３００〜４００℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基３０３を接合膜３から確実に切断することができる。
【０１２３】
また、接合膜３に照射するレーザ光は、その焦点を、接合膜３の表面３５に合わせた状態で、この表面３５に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面３５付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、接合膜３の表面３５に存在する脱離基３０３を選択的に脱離させることができる。
また、接合膜３に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、特に、大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
【０１２４】
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３の表面３５付近に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による端子２１および接合膜３の変質・劣化を防止することができる。特に、従来の半田リフロー処理のように、端子２１と電極５とを電気的に接続する際に、チップコンデンサ６および配線基板７を高温下に晒す必要がないため、チップコンデンサ６にクラックが発生したり、チップコンデンサ６の特性（容量値、温度特性）が変質してしまうのをより確実に防止することができる。結果として、電子回路装置１０の信頼性をさらに高めることができる。
【０１２５】
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜３と電極５との間の接合強度を容易に制御することができる。
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜３の表面３５付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜３の表面３５付近に生じる活性手を少なくし、接合膜３に発現する接着性を抑えることができる。
【０１２６】
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
ここで、エネルギーが付与される前の接合膜３は、図３および図７に示すように、その表面３５付近に脱離基３０３を有している。かかる接合膜３にエネルギーを付与すると、脱離基３０３（図３では、水素原子、図７では、メチル基）が接合膜３から脱離する。これにより、図４および図８に示すように、接合膜３の表面３５に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜３の表面に接着性が発現する。
【０１２７】
ここで、本明細書中において、接合膜３が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜３の表面３５および内部の脱離基３０３が脱離して、接合膜３の構成原子において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
【０１２８】
したがって、活性手３０４とは、図４および図８に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４が存在するようにすれば、電極５に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜３に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成されることとなる。
【０１２９】
［３］次に、両端側に設けられた電極（外部電極）５が導通することにより電子部品として機能するチップコンデンサ６を用意する。そして、図１１（ｄ）に示すように、活性化させた接合膜３と電極５とが密着するようにして、接合膜３を電極５に接触させる。これにより、前記工程［２］において、接合膜３が電極５（被着体）に対する接着性が発現していることから、接合膜３と電極５とが化学的に結合することとなり、接合膜３が電極５に接着して、電極５が端子２１に実装（搭載）された電子回路装置１０を得ることができる。（図１１（ｅ）参照）。
【０１３０】
このようにして接合膜３と電極５とが接合された電子回路装置１０では、電子部品の外部電極と回路基板の端子とを接合する半田リフロー処理のように、半田を溶融、再固化させる必要がなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、接合膜３と電極５とが接合されている。このため、電子回路装置１０の製造時間を短縮することができ、電子回路装置１０の生産性を高めることができる。また、接合膜３と電極５とが極めて剥離し難く、結果として、電極５と端子２１との接合強度を優れたものとすることができ、クラックの発生が確実に防止された、信頼性の高い電子回路装置１０を得ることができる。
【０１３１】
以上説明したような電極５の接合膜３との接合に供される領域には、端子２１と同様に、電極５の接合膜３と接する表面に、接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、接合膜３と電極５との接合強度をより高めることができる。
なお、表面処理としては、端子２１に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
【０１３２】
ここで、本工程において、接合膜３と電極５とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、電極５の接合膜３との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜３と電極５とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜３の表面３５に存在する水酸基と、電極５の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜３と電極５とが接合されると推察される。
【０１３３】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３と電極５との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３と電極５とがより強固に接合されると推察される。
なお、前記工程［２］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［２］の終了後、できるだけ早く本工程［３］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［２］の終了後、６０分以内に本工程［３］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜３を電極５に貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
【０１３４】
換言すれば、活性化させる前の接合膜３は、脱離基３０３を備えた状態で化学的に比較的安定な膜であり、耐候性に優れている。このため、活性化させる前の接合膜３は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、配線基板７が有する端子２１に接合膜３を形成した状態で保存しておき、チップコンデンサ６を搭載する（本行程の貼り合わせを行う）直前に、必要な端子２１のみに前記工程［２］に記載したエネルギーの付与を行うようにすれば、電子回路装置１０の製造効率の観点から有効である。
なお、上述した工程［３］の後、接合膜３を介して接合された端子２１と電極５に対して、必要に応じ、以下の２つの工程［４］（［４Ａ］および［４Ｂ］）のうちの少なくとも１つの工程（端子２１と電極５との接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、電子回路装置１０の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【０１３５】
［４Ａ］ 本工程では、接合膜３を介して接合された、端子２１と電極５とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、端子２１の表面および電極５の表面に、それぞれ接合膜３の表面がより近接し、端子２１と電極５との接合強度をより高めることができる。
また、端子２１と電極５とを加圧することにより、接合膜３と端子２１との接合界面、および接合膜３と電極５との接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合膜３を介した端子２１と電極５との接合をより確実なものとすることができる。
【０１３６】
このとき、端子２１と電極５とを加圧する際の圧力は、チップコンデンサ６および配線基板７が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して端子２１と電極５との接合強度を高めることができる。
なお、この圧力は、端子２１および電極５の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、端子２１および電極５の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、端子２１と電極５との接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、端子２１および電極５の各構成材料によっては、端子２１および電極５に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、電極５を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１３７】
［４Ｂ］ 本工程では、得られた端子２１と電極５との接合体を加熱する。
これにより、端子２１と電極５との接合強度をより高めることができる。
このとき、端子２１と電極５との接合体を加熱する際の温度は、室温より高く、端子２１および電極５の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、端子２１、電極５が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。また、かかる温度下であれば、チップコンデンサ６の特性が変質するのを確実に防止することができる。
【０１３８】
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［４Ａ］、［４Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、端子２１と電極５とを加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、端子２１と電極５との接合強度を特に高めることができる。
なお、以上の工程は、必要に応じて、電極５を端子２１に実装（搭載）する際、または、実装した後に、適用することもできる。
以上のような工程を行うことにより、電極５と端子２１との強固な接合をより確実なものとすることができる。
【０１３９】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の電子回路装置の第２実施形態について説明する。
図１２は、本発明の電子回路装置の第２実施形態を示す断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１２中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【０１４０】
以下、第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態では、配線パターン２全体が、第１実施形態で説明した導電性の接合膜３で構成されており、電極５が配線パターン２が備える端子２１に直接接合されている以外は、前記第１実施形態と同様である。
【０１４１】
すなわち、図１２に示す電子回路装置１０’では、配線パターン２が、端子２１と一体的に形成された導電性を有する電気配線としての機能を発揮するとともに、端子２１において、電極５に接合する接合膜としての機能も発揮するものである。
かかる構成の電子回路装置１０’では、配線パターン２が備える端子２１に、第１実施形態の接合膜に接着性を発現させる処理と同様の処理を行うことにより、簡易に端子２１と電極５とを導通させることができるとともに、配線基板７にチップコンデンサ６を強固に固定することができる。結果として、チップコンデンサ６にクラックが発生したり、チップコンデンサ６と配線基板７との間で剥離が生じたりするのが確実に防止され、製造される電子回路装置１０’の信頼性は優れたものとなる。
【０１４２】
また、このような配線パターン２は、第１実施形態の接合膜を成膜する図５、図９に示すような装置を用いて、繊細なパターニングをすることが可能である。このため、高集積、高密度の電子回路装置１０’を効率良く得ることができる。
なお、本実施形態の場合、端子２１（配線パターン２）の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。これにより、チップコンデンサ６の配線基板７への接合精度（実装精度）が特に優れたものとなるとともに、電極５と端子２１とを（チップコンデンサ６と配線基板７とを）より強固に接合することができる。
【０１４３】
なお、端子２１（配線パターン２）の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、端子２１（配線パターン２）の材料等によっては、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、端子２１（配線パターン２）の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、端子２１の抵抗率が高くなり易い。
さらに、端子２１（配線パターン２）の平均厚さが前記範囲内であれば、端子２１にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、チップコンデンサ６が有する電極５の接合面（端子２１に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように端子２１と電極５とを接合することができる。その結果、端子２１は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、端子２１と電極５との密着性をさらに高めることができる。
【０１４４】
なお、上記のような形状追従性の程度は、端子２１の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合条件等によって生じ得るチップコンデンサ６と配線基板７との接合精度の低下が認められない範囲で、端子２１（配線パターン２）の厚さをできるだけ厚くすればよい。
かかる電極５を有するチップコンデンサ６と、導電性の接合膜で構成された配線パターン２を有する配線基板７とは、前記第１実施形態で説明したのと同様にして、すなわち、前記工程［１］〜［３］（または、前記工程［１］〜［４］）を経て接合することができ、その結果、電子回路装置１０を得ることができる。
なお、本実施形態では、配線パターン２全体を導電性の接合膜３で構成するものとして説明したが、これに限られず、例えば、端子のみがこのような接合膜で構成され、配線パターンの端子以外の部分は、第１実施形態で説明した配線パターン２と同様の配線パターンであってもよい。
【０１４５】
＜＜第３実施形態＞＞
次に、本発明の電子回路装置の第３実施形態について説明する。
図１３は、本発明の電子回路装置の第３実施形態を示す断面図、図１４は、図１３に示す電子回路装置における絶縁性の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図１５は、図１３に示す電子回路装置における絶縁性の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図１６は、図１３に示す電子回路装置における絶縁性の接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す図、図１７は、図１３に示す電子回路装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。なお、以下では、説明の都合上、図１３〜図１７中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【０１４６】
第３実施形態では、端子２１と電極５との接合の他に、さらに、チップコンデンサ６の本体部４と配線基板７の基板１とが接合され、それ以外は、前記第２実施形態と同様である。
すなわち、図１３に示す電子回路装置１０”は、導電性の接合膜３で構成された配線パターン２が備える端子２１とチップコンデンサ６が有する電極５とが接合され、さらにチップコンデンサ６の本体部４と配線基板７の基板１とが接合膜８を介して接合されている。これにより、チップコンデンサ６と配線基板７との全体としての接合強度（電子回路装置１０”の接合強度）をより向上させることができる。
【０１４７】
このような接合膜８は、例えば、シリコーン系接着剤、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ゴム系接着剤のような各種接着剤で構成することもできるが、所定の処理を施すことにより接着性を発現する、絶縁性を有する接合膜（絶縁性接合膜）で構成するのが好ましい。接合膜８が絶縁性であることにより、本体部４の両端側に設けられた一対の電極５間で短絡（ショート）するのが確実に防止される。また、端子２１と電極５との導通を確実に確保することができる。
【０１４８】
この材料としては、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含む材料が好適に使用される。
かかる材料で構成される接合膜８は、エネルギーを付与する前の状態では、図１４に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合８０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格８０１と、このＳｉ骨格８０１に結合する脱離基８０３とを含むものである。
【０１４９】
そして、この接合膜８にエネルギーを付与すると、図１５に示すように、一部の脱離基８０３がＳｉ骨格８０１から脱離し、代わりに活性手８０４が生じる。これにより、接合膜８の表面８５に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜８により、基板１と本体部４とが接合されている。
このような接合膜８は、シロキサン結合８０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格８０１の影響によって、変形し難い強固な膜となる。このため、基板１と本体部４との間の距離、すなわち、チップコンデンサ６と配線基板７との間の距離を高い寸法精度で一定に保持することができる。
【０１５０】
また、接合膜８を用いて基板１と本体部４とを接合したことにより、接着剤を用いて接合した場合に、接着剤がはみ出すといった問題が生じることが防止される。したがって、はみ出した接着剤を除去する手間も省略できるという利点もある。
また、このような接合膜８は、流動性を有しない固体状のものとなる。このため、流動性を有する液状または粘液状の接着剤を用いる場合に比べて、接着層（接合膜８）の厚さや形状がほとんど変化しない。このため、接合膜８を用いて製造された電子回路装置１０”の寸法精度は、格段に高いものとなる。さらに、接着剤を用いる場合に比較して、その硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合を可能にするものである。
【０１５１】
このような接合膜８としては、特に、接合膜８を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜８は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜８自体がより強固なものとなる。また、かかる接合膜８は、基板１および本体部４に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【０１５２】
また、接合膜８中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜８の安定性が高くなり、基板１と本体部４とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜８中のＳｉ骨格８０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格８０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述したＳｉ骨格８０１の特性が顕在化し、接合膜８の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【０１５３】
また、Ｓｉ骨格８０１に結合する脱離基８０３は、前述したように、Ｓｉ骨格８０１から脱離することによって、接合膜８に活性手８０４を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基８０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格８０１に確実に結合しているものである必要がある。
【０１５４】
かかる観点から、脱離基８０３には、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格８０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基８０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜８の接着性をより高度なものとすることができる。
【０１５５】
なお、上記のような各原子がＳｉ骨格８０１に結合するよう配置された原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。
【０１５６】
これらの各基の中でも、脱離基８０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜８は、耐候性に（電子回路装置１０”が使用される環境に対して）優れたものとなる。
このような特徴を有する接合膜８の構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。
【０１５７】
ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜８は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜８は、基板１と本体部４とをより強固に接合することができる。
また、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギーを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。
【０１５８】
なお、この撥水性（非接着性）は、主に、ポリオルガノシロキサン中に含まれたアルキル基による作用である。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜８は、エネルギーを付与された領域に接着性が発現するとともに、エネルギーを付与しなかった領域においては、前述したアルキル基による優れた撥液性が得られるという利点も有する。したがって、電子回路装置１０を湿度が比較的高い場所で用いても、チップコンデンサ６と配線基板７との接合性を高い状態で維持することができ、電子回路装置１０の耐久性をさらに優れたものとすることができる。
【０１５９】
また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜８は、接着性に特に優れることから、基板１と本体部４との接合に特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。
【０１６０】
なお、接合膜８の厚さは、配線パターン２（端子２１）よりも厚いのが好ましい。これにより、チップコンデンサ６と配線基板７とをより強固に接合することができる。
このような接合膜８は、いかなる方法で作製されたものでもよく、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により作製した膜にエネルギーを付与することによって作製することができるが、これらの中でも、プラズマ重合法により作製された膜を用いるのが好ましい。プラズマ重合法によれば、最終的に、緻密で均質な接合膜８を効率よく作製することができる。これにより、プラズマ重合法で作製された接合膜８は、基板１と本体部４とを特に強固に接合し得るものとなる。また、緻密な接合膜８で基板１と本体部４とが接合されるため、電子回路装置１０”の耐久性はさらに優れたものとなり、電子回路装置１０”の信頼性のさらなる向上を図ることができる。さらに、プラズマ重合法で作製された接合膜８は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持することができる。このため、電子回路装置１０”の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【０１６１】
次に、一例として、基板１の上面（基板１の配線パターン２が形成されている側の面）の、配線パターン２が設けられていない領域に、プラズマ重合法により、接合膜８を作製して、基板１とチップコンデンサ６の本体部４とを接合して、電子回路装置１０”を製造する方法について説明する。プラズマ重合法は、例えば、強電界中に、原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを供給することにより、原料ガス中の分子を重合させ、重合物を基板１（配線基板７）の上面に堆積させ、膜を得る方法である。
【０１６２】
以下、接合膜８をプラズマ重合法にて形成する方法について詳述するが、まず、接合膜８の形成方法を説明するのに先立って、基板１の上面にプラズマ重合法を行いて接合膜８を作製する際に用いるプラズマ重合装置について説明し、その後、接合膜８の形成方法を含む電子回路装置１０”の製造方法について説明する。
図１６に示すプラズマ重合装置１００は、チャンバー１０１と、基板１（配線基板７）を支持する第１の電極１３０と、第２の電極１４０と、各電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する電源回路１８０と、チャンバー１０１内にガスを供給するガス供給部１９０と、チャンバー１０１内のガスを排気する排気ポンプ１７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極１３０および第２の電極１４０がチャンバー１０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。
【０１６３】
チャンバー１０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
図１６に示すチャンバー１０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。
【０１６４】
チャンバー１０１の上方には供給口１０３が、下方には排気口１０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口１０３にはガス供給部１９０が接続され、排気口１０４には排気ポンプ１７０が接続されている。
なお、本実施形態では、チャンバー１０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線１０２を介して電気的に接地されている。
【０１６５】
第１の電極１３０は、板状をなしており、基板１を支持している。
この第１の電極１３０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面に、水平方向に沿って設けられている。また、第１の電極１３０は、チャンバー１０１を介して電気的に接地されている。
第１の電極１３０の基板１を支持する面には、静電チャック（吸着機構）１３９が設けられている。
この静電チャック１３９により、図１６に示すように、基板１を保持することができる。また、基板１に多少の反りがあっても、静電チャック１３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で基板１をプラズマ処理に供することができる。
【０１６６】
第２の電極１４０は、基板１を介して、第１の電極１３０と対向して設けられている。なお、第２の電極１４０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極１４０には、配線１８４を介して高周波電源１８２が接続されている。また、配線１８４の途中には、マッチングボックス（整合器）１８３が設けられている。これらの配線１８４、高周波電源１８２およびマッチングボックス１８３により、電源回路１８０が構成されている。
このような電源回路１８０によれば、第１の電極１３０は接地されているので、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
【０１６７】
ガス供給部１９０は、チャンバー１０１内に所定のガスを供給するものである。
図１６に示すガス供給部１９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部１９１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置１９２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ１９３とを有している。また、これらの各部とチャンバー１０１の供給口１０３とが、それぞれ配管１９４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口１０３からチャンバー１０１内に供給するように構成されている。
【０１６８】
貯液部１９１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置１００により、重合して基板１（基板１）の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置１９２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー１０１内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。
【０１６９】
ガスボンベ１９３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
また、チャンバー１０１内の供給口１０３の近傍には、拡散板１９５が設けられている。
【０１７０】
拡散板１９５は、チャンバー１０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー１０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
排気ポンプ１７０は、チャンバー１０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー１０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による基板１の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー１０１内から効果的に除去することができる。
また、排気口１０４には、チャンバー１０１内の圧力を調整する圧力制御機構１７１が設けられている。これにより、チャンバー１０１内の圧力が、ガス供給部１９０の動作状況に応じて、適宜設定される。
【０１７１】
次に、本実施形態の電子回路装置１０”の製造方法、すなわち、配線基板７とチップコンデンサ６との接合方法について説明する。
［１”］まず、前記第２実施形態と同様にして、基板１上に、導電性の接合膜３で構成される配線パターン２が一体的に形成された配線基板７を準備する。次に、基板１の配線パターン２が設けられた側の面に、上述した絶縁性の接合膜８を形成する領域を除いてマスクを形成する。そして、この配線基板７を、プラズマ重合装置１００のチャンバー１０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ１７０の作動により、チャンバー１０１内を減圧状態とする。
【０１７２】
そして、ガス供給部１９０を作動させ、チャンバー１０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー１０１内に充填される。
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
【０１７３】
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。
次いで、電源回路１８０を作動させ、一対の電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極１３０、１４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、重合物が基板１上に付着・堆積する。これにより、図１７（ａ）に示すように、基板１上にプラズマ重合膜で構成された接合膜８が形成される。
【０１７４】
原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜８は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。
【０１７５】
プラズマ重合の際、一対の電極１３０、１４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
また、成膜時のチャンバー１０１内の圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
【０１７６】
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。なお、成膜される接合膜８の厚さは、主に、この処理時間に比例する。したがって、この処理時間を調整することのみで、接合膜８の厚さを容易に調整することができる。
また、基板１（配線基板７）の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のようにして、接合膜８を得ることができる。その後、各種エッチング法を用いて、形成したマスクを除去する。
【０１７７】
［２”］次に、この接合膜８が形成された配線基板７に設けられた端子２１および接合膜８に対してエネルギーを付与する（図１７（ｂ）参照）。
エネルギーが付与されると、接合膜８では、図１４に示すように、脱離基８０３がＳｉ骨格８０１から脱離する。そして、脱離基８０３が脱離した後には、図１５に示すように、接合膜８の表面および内部に活性手８０４が生じる。これにより、接合膜８の表面（上面）に接着性が発現する。また、このとき、前記第１実施形態で説明したように、接合膜３で構成される端子２１の表面（上面）にも、接着性が発現する。
ここで、エネルギーの付与には、前記第１実施形態で説明したのと同様の方法を用いることができる。
【０１７８】
［３”］次に、チップコンデンサ６を用意する。そして、図１７（ｃ）に示すように、電極５と端子２１とが密着するようにするとともに、併せて、本体部４と接合膜８とが密着するように、チップコンデンサ６と配線基板７とを接触させる。これにより、チップコンデンサ６は、電極５が端子２１と電気的に接合されるとともに、本体部４が接合膜８を介して基板１（配線基板７）に接合され、図１７（ｄ）に示すような電子回路装置１０”が得られる。
【０１７９】
なお、接合膜８は、基板１の上面に代えて、チップコンデンサ６の本体部４の下面に設けるようにしてもよく、基板１の上面および本体部４の下面の双方に設けるようにしてもよい。
ここで、基板１および本体部４の各熱膨張率が互いに異なる場合には、基板１と本体部４とを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化するのが好ましい。これにより、チップコンデンサ６を配線基板７に高い寸法精度で強固に接合することができる。
【０１８０】
例えば、基板１と本体部４との熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
具体的には、基板１と本体部４との熱膨張率差にもよるが、基板１および本体部４の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、基板１と本体部４とを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、基板１と本体部４との熱膨張率差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、電子回路装置１０”における反りや剥離等の発生を確実に防止することができる。
【０１８１】
また、この場合、基板１と本体部４との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。なお、接合膜８を用いることにより、上述したような低温下でも、基板１と本体部４と（配線基板７とチップコンデンサ６と）を強固に接合することができる。
また、基板１と本体部４とは、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、接合界面に熱応力が発生したとしても、この熱応力を基板１と本体部４とのいずれか一方で吸収して、基板１と本体部４とをより強固に接合することができる。
【０１８２】
また、基板１および本体部４の各熱膨張率が互いに異なる場合には、例えば、接合膜８の熱膨張係数を、基板１の熱膨張係数と本体部４の熱膨張係数との間に調整するようにしてもよい。これにより、電子回路装置１０”が熱膨張した場合でも、配線基板７とチップコンデンサ６との剥離をより確実に防止することができる。
かかる接合膜８の熱膨張係数は、その成膜時の原料の比率、成膜条件等を適宜設定することにより調整可能である。
なお、このような接合膜８は、第２実施形態の電子回路装置のみならず、第１実施形態の電子回路装置に適用することができることは言うまでもない。
【０１８３】
＜電子機器＞
次に、上述した電子回路装置１０（１０、１０’、１０’’）を備える本発明の電子機器について説明する。
なお、以下では、本発明の電子機器の一例として、携帯電話を代表に説明する。
図１８は、携帯電話の実施形態を示す斜視図である。
図１８に示す携帯電話は、表示部１００１を備える携帯電話本体１０００を有している。携帯電話本体１０００には、上述した電子回路装置１０が内蔵されており、これらは、携帯電話機本体１０００において光信号出力手段などとして用いられる。
【０１８４】
なお、電子回路装置１０は、図１８で説明した携帯電話の他に、種々の電子機器に対して適用できる。
例えば光ファイバ通信モジュール、レーザプリンタ、レーザビーム投射器、レーザビームスキャナ、リニアエンコーダ、ロータリエンコーダ、変位センサ、圧力センサ、ガスセンサ、血液血流センサ、指紋センサ、高速電気変調回路、無線ＲＦ回路、無線ＬＡＮ等にも適用できる。
【０１８５】
電子回路装置１０は、上述したように、半田リフロー処理のような高温下（２６０℃程度）に晒されることなく、電極５と端子２１とが強固に接合されることにより、チップコンデンサ６が配線基板７に固定されている。このような電子回路装置１０は、クラックの発生が抑えられた信頼性の高いものである。したがって、このような電子回路装置１０を搭載した電子機器は、使用環境によらず、長期間にわたって誤作動の発生が抑制された、信頼性の高いものとなる。
【０１８６】
以上、本発明の電子回路装置および電子機器を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、電子回路装置および電子機器を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
例えば、本発明の電子回路装置および電子機器は、前記実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
また、上記の説明では、電子部品として、チップコンデンサを用いた場合について説明したが、本発明の電子回路装置を構成する（電子回路装置に実装される）電子部品はこれに限定されない。例えば、チップコンデンサの代わりに、チップ抵抗、チップインダクタ、ダイオード、またはトランジスタ等を好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１８７】
【図１】本発明の電子回路装置の第１実施形態を示す上面図である。
【図２】図１に示す電子回路装置のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１に示す電子回路装置におけるＩの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図４】図１に示す電子回路装置におけるＩの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図５】Ｉの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図６】図５に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図７】IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図８】IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図９】IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１０】第１実施形態の電子回路装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図１１】第１実施形態の電子回路装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図１２】本発明の電子回路装置の第２実施形態を示す横断面図である。
【図１３】本発明の電子回路装置の第３実施形態を示す横断面図である。
【図１４】図１３に示す電子回路装置における接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図１５】図１３に示す電子回路装置における接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図１６】図１３に示す電子回路装置における絶縁性接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す図である。
【図１７】図１３に示す電子回路装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図１８】携帯電話の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１８８】
１……基板 ２……配線パターン ２１…端子（第１の端子） ３……接合膜（導電性の接合膜） ３０３……脱離基 ３０４……活性手 ３５……表面 ４……本体部 ５……電極（第２の端子） ６……チップコンデンサ ７…配線基板 ８…接合膜（絶縁性の接合膜） ８５……表面 １０、１０’、１０’’……電子回路装置 ２００……成膜装置 ２１１……チャンバー ２１２……基板ホルダー ２１５……イオン源 ２１６……ターゲット ２１７……ターゲットホルダー ２１９……ガス供給源 ２２０……第１のシャッター ２２１……第２のシャッター ２３０……排気手段 ２３１……排気ライン ２３２……ポンプ ２３３……バルブ ２５０……開口 ２５３……グリッド ２５４……グリッド ２５５……磁石 ２５６……イオン発生室 ２５７……フィラメント ２６０……ガス供給手段 ２６１……ガス供給ライン ２６２……ポンプ ２６３……バルブ ２６４……ガスボンベ ５００……成膜装置 ５１１……チャンバー ５１２……基板ホルダー ５２１……シャッター ５３０……排気手段 ５３１……排気ライン ５３２……ポンプ ５３３……バルブ ５６０……有機金属材料供給手段 ５６１……ガス供給ライン ５６２……貯留槽 ５６３……バルブ ５６４……ポンプ ５６５……ガスボンベ ５７０……ガス供給手段 ５７１……ガス供給ライン ５７３……バルブ ５７４……ポンプ ５７５……ガスボンベ ８０１……Ｓｉ結合 ８０２……シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合 ８０３……脱離基 ８０４……活性手 １００……プラズマ重合装置 １０１……チャンバー １０２……接地線 １０３……供給口 １０４……排気口 １３０……第１の電極 １３９……静電チャック １４０……第２の電極 １７０……排気ポンプ １７１……圧力制御機構 １８０……電源回路 １８２……高周波電源 １８３……マッチングボックス １８４……配線 １９０……ガス供給部 １９１……貯液部 １９２……気化装置 １９３……ガスボンベ １９４……配管 １９５……拡散板 １０００…携帯電話本体 １００１…表示部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
配線パターンが形成されたプリント配線板（配線基板）に、チップコンデンサ、チップ抵抗等のチップ型の電子部品（チップ部品）を実装する手法として、電子部品が備える端子（電極）と導体パターンの一部に備える端子とを接合する表面実装技術（ＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ））が知られている。
このような表面実装技術では、端子間の接合に、半田リフロー処理が広く用いられている。より具体的には、例えば、プリント配線板が備える端子と、チップ部品が備える端子との間に半田ボールを介して、プリント配線板上にチップ部品を載置する。そして、これらを加熱して、半田を溶融させた後に、再固化させることにより、プリント配線板とチップ部品とが端子間で電気的に接合される。
【０００３】
以上のような半田を溶融、固化させる半田リフロー処理では、近年、環境性の問題から、鉛フリー半田が用いられ、このような鉛フリー半田を溶融させるために、チップ部品が高温下（２６０℃程度）に晒される。このように、チップ部品がかかる高温下に晒されると、チップ部品にクラックが発生するという問題があった。また、チップ部品を配線基板に電気的に接続する方法として、半田リフロー処理よりも低温（約１５０℃）で導通、固定することが可能な、Ａｇペーストのように金属粒子を含有する導電性接着剤を用いる試みがある（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、このような導電性接着剤は、金属粒子の点接触により導通するものであり、抵抗率が高かかったり、金属粒子同士が接触せずに、端子間で導通が得られないという問題があった。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２４４１０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、高温化に晒すことなく、配線基板と電子部品とを電気的に接合して、電子部品が配線基板に確実に実装された信頼性に優れる電子回路装置、および、かかる電子回路装置を備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は以下の本発明により達成される。
本発明の電子回路装置は、平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子と前記第２の端子とが導電性を有する接合膜で接合されることにより、前記電子部品が前記配線基板に対して、固定されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第１の端子と前記第２の端子とを接合していることを特徴とする。
これにより、高温化に晒すことなく、配線基板と電子部品とを電気的に接合して、電子部品が配線基板に確実に実装された信頼性に優れる電子回路装置を提供することができる。
【０００７】
本発明の電子回路装置は、平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子は、導電性を有する接合膜で構成され、前記第２の端子に、前記第１の端子が接合することにより、前記電子部品が前記配線基板に対して固定されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第２の端子に接合していることを特徴とする。
これにより、高温化に晒すことなく、配線基板と電子部品とを電気的に接合して、電子部品が配線基板に確実に実装された信頼性に優れる電子回路装置を提供することができる。
【０００８】
本発明の電子回路装置では、前記電気配線は、前記接合膜と同様の接合膜で構成され、前記第１の端子と一体的に形成されていることが好ましい。
これにより、一体化して、１つの工程で電気配線と接合膜を形成することができる。これにより、電子回路装置の生産性を高めることができる。
本発明の電子回路装置では、前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
接合膜を、これらの金属原子を含むものとすることにより、接合膜は、優れた導電性と伝熱性とを発揮するものとなる。その結果、電子回路装置は、回路内での不本意な電流の損失がなく、より低電圧で駆動することができるものとなる。
【０００９】
本発明の電子回路装置では、前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、接合膜の接着性をより高度化することができる。結果として、得られる電子回路装置の信頼性をさらに高いものとすることができる。
【００１０】
本発明の電子回路装置では、前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）に、脱離基として水素原子が導入されたものであることが好ましい。
かかる構成の接合膜は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜は、電子部品が備える端子に対して特に強固に接着することにより、配線基板に対して、電子部品がより確実に固定される。また、かかる構成の接合膜は、優れた導電性、伝熱性を有するものとなる。結果として、製造される電子回路装置の信頼性をさらに高いものとすることができる。
本発明の電子回路装置では、前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、接合膜を介して電子部品と配線基板とをより強固に接合することができるようになる。
【００１１】
本発明の電子回路装置は、平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子と前記第２の端子とが導電性を有する接合膜で接合されることにより、前記電子部品が前記配線基板に対して、固定されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第１の端子と前記第２の端子とを接合していることを特徴とする。
これにより、高温化に晒すことなく、配線基板に確実に実装し得る、信頼性に優れた電子回路装置を提供することができる。
【００１２】
本発明の電子回路装置は、平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子は、導電性を有する接合膜で構成され、前記第２の端子に、前記第１の端子が接合することにより、前記電子部品が前記配線基板に対して固定されており、
前記接合膜は、金属原子と有機成分で構成された脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第２の端子に接合していることを特徴とする。
これにより、高温化に晒すことなく、配線基板に確実に実装し得る、信頼性に優れた電子回路装置を提供することができる。
【００１３】
本発明の電子回路装置では、前記電気配線は、前記接合膜と同様の接合膜で構成され、前記第１の端子と一体的に形成されていることが好ましい。
これにより、配線基板上に電子部品を効率良く実装することができ、製造される電子回路装置の生産性を高めることができる。
本発明の電子回路装置では、前記接合膜は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものであることが好ましい。
かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜を成膜することができる。
【００１４】
本発明の電子回路装置では、前記接合膜は、低還元性雰囲気下で成膜されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜として、純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜を形成することができる。すなわち、接合膜を介した電子部品と配線基板との接合強度が特に優れたものとなる。
【００１５】
本発明の電子回路装置では、前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものであることが好ましい。
このように成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基として用いる構成とすることにより、形成された金属膜中に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜を成膜することができる。
【００１６】
本発明の電子回路装置では、前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成されることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、接合膜の接着性をより高度化することができる。結果として、得られる電子回路装置の信頼性をさらに高いものとすることができる。
【００１７】
本発明の電子回路装置では、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基で構成される脱離基は、化学的な安定性が高い。そのため、脱離基としてアルキル基を備える接合膜は、劣化するのが好適に抑制される。また、このような接合膜は、優れた撥水性を発現するものであり、電子回路装置を多湿な環境下で使用した場合でも、接合膜が吸湿することなく、接合膜が変性（劣化）するのがより確実に防止される。結果として、電子回路装置の信頼性を長期間にわたって特に優れたものとすることができる。
【００１８】
本発明の電子回路装置では、前記有機金属材料は、金属錯体であることが好ましい。
金属錯体を用いて接合膜を成膜することにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、確実に接合膜を形成することができる。
本発明の電子回路装置では、前記金属原子は、銅、アルミニウム、亜鉛および鉄のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、接合膜を、これらの金属原子を含むものとすることにより、接合膜は、優れた導電性、伝熱性を発揮するものとなる。
【００１９】
本発明の電子回路装置では、前記接合膜中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、接合膜を介して電子部品と配線基板とをより強固に接合することができるようになる。その結果、電子回路装置の信頼性は特に優れたものとなる。
【００２０】
本発明の電子回路装置では、前記電子部品は、チップコンデンサ、チップ抵抗、チップインダクタ、トランジスタまたはダイオードであることが好ましい。
このような電子部品は、配線基板に対して接合膜を介して、より好適に接合することができる。また、電子回路装置を製造する際（電子部品を配線基板に接合する際）に、高温での熱処理を必要としないため、これらの電子部品の機能が十分に発揮された電子回路装置となる。
【００２１】
本発明の電子回路装置では、前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じることが好ましい。
これにより、電子部品や配線基板に対して、化学的結合に基づいて強固に接合可能な接合膜が得られる。
本発明の電子回路装置では、前記活性手は、未結合手または水酸基であることが好ましい。
これにより、電子部品や配線基板に対して、特に強固な接合が可能となる。
【００２２】
本発明の電子回路装置では、前記接合膜の平均厚さは、５０〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、電子部品を配線基板に高い寸法精度で強固に接合することができる。その結果、近年の、電子部品の配線基板への高集積化（高密度実装化）に伴う、導体パターンの細線化、および電子部品の小型化にも好適に対応可能な電子回路装置となる。
【００２３】
本発明の電子回路装置では、前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしていることが好ましい。
これにより、接合膜を用いて得られた電子回路装置の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。また、従来に比べ、短時間で強固な接合が可能になる。
本発明の電子回路装置では、前記接合膜が接する少なくとも一方の面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、接合膜が接する表面を清浄化および活性化し、接合膜の接合強度を高めることができる。
【００２４】
本発明の電子回路装置では、前記表面処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
これにより、接合膜が接する表面を特に最適化することができる。
本発明の電子回路装置では、前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができる。
【００２５】
本発明の電子回路装置では、前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、接合膜に付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜中の脱離基を確実に脱離させることができる。その結果、接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を発現させることができる。
【００２６】
本発明の電子回路装置では、前記加熱の温度は、２５〜１００℃であることが好ましい。
これにより、接合体が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。さらに、電子部品の特性に影響を及ぼすのを確実に防止することができる。
【００２７】
本発明の電子回路装置では、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、圧力が高すぎて電子部品や配線基板に損傷等が生じるのを防止しつつ、これらの接合強度を確実に高めることができる。結果として、電子回路装置の信頼性を特に優れたものとすることができる。
本発明の電子回路装置では、前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われることが好ましい。
これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギーの付与をより簡単に行うことができる。
【００２８】
本発明の電子回路装置では、さらに、前記配線基板と前記電子部品とを接合する絶縁性接合膜を有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
当該絶縁性接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記配線基板と前記電子部品とを接合していることが好ましい。
これにより、電子部品と配線基板との接合強度を特に優れたものとすることができる。
本発明の電子機器では、本発明の電子回路装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の電子回路装置および電子機器を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３０】
＜電子回路装置＞
まず、本発明の電子回路装置について説明する。
なお、以下の説明では、電子部品としてチップ型のコンデンサ（チップコンデンサ）を用いた場合を一例として説明する。
＜＜第１実施形態＞＞
図１は、本発明の電子回路装置の第１実施形態を示す上面図、図２は、図１に示す電子回路装置のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１に示す電子回路装置におけるＩの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図４は、図１に示す電子回路装置におけるＩの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図５は、Ｉの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図６は、図５に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図、図７は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図８は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図９は、IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１〜図９中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【００３１】
本実施形態の電子回路装置１０は、配線基板（回路基板）７と、チップコンデンサ（電子部品）６とを有している。配線基板７は、絶縁性の基板１と、基板１上に設けられ、端子（第１の端子）２１を備える配線パターン２とを有し、チップコンデンサ６は、本体部４と、電極（第２の端子）５とを有している。本実施形態では、配線基板７が有する端子２１と、電子部品６が有する電極５とが導電性を有する接合膜３を介して接合されている。このように接合膜３を介して端子２１と電極５とが接合することにより、チップコンデンサ６と配線基板７とが固定されている。以下、各部の構成について詳細に説明する。
【００３２】
図１、図２に示すように、電子回路装置１０において、配線基板７は、基板１と配線パターン２とで構成されている。
基板１は、絶縁基板であり、例えば、ポリイミド等の各種樹脂材料や、ガラス等の各種セラミック材料で構成されている。基板１の平面視形状は正方形、長方形等の四角形とされる。
【００３３】
この基板１上には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される配線パターン２が所定形状で設けられている。そして、配線パターン２の一部には、チップコンデンサ６が有する電極（外部電極）５に対応するように、端子２１が設けられている。
また、チップコンデンサ６は、本体部４の両端側に電極（外部電極）５が設けられた構成となっている。
【００３４】
このような電極５は、例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ等の厚膜や、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｃｕ等のめっき等で構成されている。
かかる構成の電子回路装置１０において、導電性を有する接合膜３が、配線基板７が有する端子２１上に設けられている。そして、この接合膜３を介して、チップコンデンサ６の電極５が、配線基板７の端子２１に接合されることにより、チップコンデンサ６と配線基板７とが電気的に接続されるとともに、配線基板７上にチップコンデンサ６が固定される。
【００３５】
本発明では、この接合膜３の構成に特徴を有しており、具体的には、接合膜３としては、次のようなＩまたはIIの構成のものが用いられる。
以下、ＩおよびIIの構成の接合膜３について、それぞれ、詳述する。また、本実施形態では、端子２１側に設けられた接合膜３について説明した後、この接合膜３で電極５を端子２１に接合する場合について説明する。
【００３６】
Ｉ：まず、Ｉの構成の接合膜３は、端子２１上に設けられ、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである（図３参照。）。換言すれば、接合膜３は、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入したものと言うことができる。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３（金属原子および酸素原子の少なくとも一方）から脱離し、図４に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５の付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、チップコンデンサ６の電極５を、接合膜３を備えた端子２１に強固に接合、固定することができる。
【００３７】
この接合膜３と電極５との接合は、半田リフロー処理を用いた接合のように、高温下（２６０℃以上）に晒すことなく行うことができるため、チップコンデンサ６において、本体部４の電極５との接合部分等でクラックが発生するのを確実に防止することができ、電子回路装置１０は、信頼性に優れたものとなる。また、チップコンデンサをかかる高温下に晒すと、チップコンデンサの構成、構成材料によっては、（静電）容量値の低下や、温度特性（コンデンサが本来有する容量値を担保することができる温度範囲）の変質（劣化）を引き起こすが、本実施形態において、このような問題が発生するのを確実に防止することができる。
【００３８】
また、接合膜３は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち主として金属酸化物で構成されるものであることから、変形し難い強固な膜となる。このため、電子回路装置１０では、電極５の端子２１からの剥離をより確実に防止することができる。結果として、チップコンデンサ６と配線基板７との間での剥離の発生が確実に防止される。
また、Ｉの構成の接合膜３は、優れた導電性を有している。接合膜３は、Ａｇペーストのように、Ａｇ粒子の点接触により導通するのではなく、それ自体が導電性を有するものであるから、接合膜３を介した電極５と端子２１との電気的な接続が、特に低抵抗率なものとなる。
【００３９】
さらに、接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、リフロー処理中の半田や、導電性接着剤のように、液状または粘液状（半固形状）で流動性を有する接合媒体に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状が変化しない。その結果、配線パターン２に設けられた端子２１およびチップコンデンサ６が有する電極５の大きさが比較的小さい、高集積、高密度の電子回路装置１０において、チップコンデンサ６を配線基板７により正確に接合、固定することができる。さらに、半田リフロー処理のように、配線基板上に電子部品を固定する時間が不要になり、短時間で強固な接合が可能となる。
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
【００４０】
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＰｂ等が挙げられる。中でも、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）およびＳｂ（アンチモン）のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。接合膜３を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基３０３を導入したものとすることにより、接合膜３は、優れた導電性を発揮するものとなる。なお、かかる接合膜３は、高い透明性および高い伝熱性も有する。
【００４１】
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ２）等が挙げられる。
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、１９１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
【００４２】
また、接合膜３中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、端子２１と電極５とをより強固に接合することができるようになる。
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【００４３】
かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【００４４】
なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、Ｉの構成の接合膜３では、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００４５】
以上のことを考慮すると、接合膜３としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
かかる構成の接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜３は、端子２１に対して特に強固に接着するとともに、電極５に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、端子２１と電極５とを強固に接合することができる。
【００４６】
また、接合膜３の平均厚さは、５０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、電極５と端子２１との接合強度を十分に高いものとしつつ、接合膜３の導電性、伝熱性は特に優れたものとなる。特に、電子回路装置１０を起動する際に、チップコンデンサ６が発する熱を、接合膜３を介して端子２１、配線パターン２に好適に伝熱することができ、結果として、電子回路装置１０の外部へと放熱される。これにより、電子回路装置１０は長期間にわたって信頼性により優れたものとなる。
【００４７】
なお、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、接合膜３の材料等によっては、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合膜の抵抗率が高くなり易い。
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、端子２１の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、端子２１と電極５とを接合した際に、接合膜３の電極５に対する密着性を高めることができる。
【００４８】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の伝熱性、および膜自体の機械的強度の低下が認められない範囲で、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような接合膜３は、接合膜３のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ｉ−Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、接合膜３の表面３５付近に偏在させる場合には、例えば、Ｉ−Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
【００４９】
以下、Ｉ−ＡおよびＩ−Ｂの方法を用いて、接合膜３を成膜する場合について、詳述する。
Ｉ−Ａ：Ｉ−Ａの方法では、接合膜３は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を端子２１に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができるため、接合膜３のほぼ全体に亘って脱離基３０３を導入することができる。
【００５０】
さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜３を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、電極５に対して特に強固に接合し得るものとなる。また、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、端子２１に対しても高い密着性を示す。このため、端子２１と電極５との間に高い接合強度が得られる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、電子回路装置１０の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００５１】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。
【００５２】
以下、ＰＶＤ法により接合膜３を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜３を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、端子２１上にイオンビームスパッタリング法により接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。
図５に示す成膜装置２００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜３の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
【００５３】
具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、配線基板７（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に設置され、チャンバー２１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。
【００５４】
また、チャンバー２１１には、チャンバー２１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段２６０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー２１２は、チャンバー２１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、回動可能となっている。これにより、端子２１上に接合膜３を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
【００５５】
イオン源（イオン銃）２１５は、図５に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室２５６と、イオン発生室２５６内に設けられたフィラメント２５７と、グリッド２５３、２５４と、イオン発生室２５６の外側に設置された磁石２５５とを有している。
また、イオン発生室２５６には、図６に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源２１９が接続されている。
【００５６】
このイオン源２１５では、イオン発生室２５６内に、ガス供給源２１９からガスを供給した状態で、フィラメント２５７を通電加熱すると、フィラメント２５７から電子が放出され、放出された電子が磁石２５５の磁場によって運動し、イオン発生室２５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４との間の電圧勾配により、イオン発生室２５６内から引き出されるとともに加速され、開口２５０を介してイオンビームＢとしてイオン源２１５から放出（照射）される。
【００５７】
イオン源２１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット２１６の表面に衝突し、ターゲット２１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット２１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置２００では、イオン源２１５は、その開口２５０がチャンバー２１１内に位置するように、チャンバー２１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源２１５は、チャンバー２１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー２１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置２００の小型化を図ることができる。
【００５８】
また、イオン源２１５は、その開口２５０が、基板ホルダー２１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー２１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源２１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる、イオン源２１５を複数設置することにより、接合膜３の成膜速度をより速くすることができる。
【００５９】
また、ターゲットホルダー２１７および基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター２２０および第２のシャッター２２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット２１６、配線基板７および接合膜３が、不用な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【００６０】
また、排気手段２３０は、ポンプ２３２と、ポンプ２３２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３１と、排気ライン２３１の途中に設けられたバルブ２３３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
さらに、ガス供給手段２６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ２６４と、ガスボンベ２６４からこのガスをチャンバー２１１に導くガス供給ライン２６１と、ガス供給ライン２６１の途中に設けられたポンプ２６２およびバルブ２６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー２１１内に供給し得るようになっている。
【００６１】
以上のような構成の成膜装置２００を用いて、以下のようにして端子２１上に接合膜３が形成される。
まず、配線基板７の配線パターン２が設けられた側の面に、端子２１の表面を除いてマスクを形成する。そして、この配線基板７を、配線パターン２が設けられた側の面が第２のシャッター２２１側を向くように、成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
【００６２】
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
さらに、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
【００６３】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
【００６４】
次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【００６５】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー２１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー２１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が端子２１上に被着することにより、接合膜３が形成される。
【００６６】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、厚さ方向のほぼ全体に亘って脱離基３０３が存在する接合膜３を成膜することができる。
【００６７】
Ｉ−Ｂ：また、Ｉ−Ｂの方法では、接合膜３は、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
【００６８】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【００６９】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、端子２１上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【００７０】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｉ−Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニール）する方法、Ｉ−Ｂ２：イオンインプラテーション法等が挙げられるが、中でも、特に、Ｉ−Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｉ−Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【００７１】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理することにより、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｉ−Ｂの方法を用いて接合膜３の成膜する場合も、Ｉ−Ａの方法を用いて接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【００７２】
まず、配線基板７の配線パターン２が設けられた側の面に、端子２１の表面を除いてマスクを形成する。そして、この配線基板７を、配線パターン２が設けられた側の面が第２のシャッター２２１側を向くように、成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【００７３】
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内を加熱する。チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
【００７４】
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、端子２１上に被着して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
【００７５】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【００７６】
次に、第２のシャッター２２１を開いた状態で、第１のシャッター２２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内をさらに加熱する。チャンバー２１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程において、端子２１および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。
【００７７】
次に、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー２１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前工程でチャンバー２１１内が加熱された状態で、チャンバー２１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜３が形成される。
【００７８】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
なお、チャンバー２１１内は、前記工程において、排気手段２３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー２１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
【００７９】
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
【００８０】
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー２１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面３５付近に脱離基３０３が偏在する接合膜３を成膜することができる。
【００８１】
II：次に、IIの構成の接合膜３は、端子２１上に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである（図７参照。）。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３の少なくとも表面３５付近から脱離し、図８に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、電極５を、接合膜３を備えた端子２１に強固に接合、固定することができる。
【００８２】
この接合膜３と電極５との接合は、半田リフロー処理を用いた接合のように、高温下（２６０℃以上）に晒すことなく行うことができるため、チップコンデンサ６において、本体部４の電極５との接合部分等でクラックが発生するのを確実に防止することができ、電子回路装置１０は、信頼性に優れたものとなる。また、チップコンデンサをかかる高温下に晒すと、チップコンデンサの構成、構成材料によっては、（静電）容量値の低下や、温度特性（コンデンサが本来有する容量値を担保することができる温度範囲）の変質（劣化）を引き起こすが、本実施形態において、このような問題が発生するのを確実に防止することができる。
【００８３】
また、接合膜３は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、電子回路装置１０では、電極５の端子２１からの剥離をより確実に防止することができる。結果として、チップコンデンサ６と配線基板７との間での剥離の発生が確実に防止される。
また、Ｉの構成の接合膜３は、優れた導電性を有している。接合膜３は、Ａｇペーストのように、Ａｇ粒子の点接触により導通するのではなく、それ自体が導電性を有するものであるから、接合膜３を介した電極５と端子２１との電気的な接続が、特に低抵抗率なものとなる。
【００８４】
さらに、接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、リフロー処理中の半田や、導電性接着剤のように、液状または粘液状（半固形状）で流動性を有する接合媒体に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状が変化しない。その結果、配線パターン２が備える端子２１およびチップコンデンサ６が有する電極５の大きさが比較的小さい、高集積、高密度の電子回路装置１０において、チップコンデンサ６を配線基板７により正確に接合、固定することができる。さらに、半田リフロー処理のように、配線基板上に電子部品を固定する時間が不要になり、短時間で強固な接合が可能となる。
【００８５】
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【００８６】
ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３の導電性および伝熱性をより高めることができる。
【００８７】
また、金属原子として、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜３は、優れた導電性および伝熱性を発揮するものとなる。また、接合膜３を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜３を成膜することができる。
【００８８】
また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜３から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【００８９】
具体的には、IIの構成の接合膜３では、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【００９０】
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００９１】
また、かかる構成の接合膜３において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、端子２１と電極５とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜３を優れた導電性および伝熱性を発揮するものとすることができる。
【００９２】
また、接合膜３の平均厚さは、５０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、電極５と端子２１との接合強度を十分に高いものとしつつ、接合膜３の導電性、伝熱性は特に優れたものとなる。特に、電子回路装置１０を起動する際に、チップコンデンサ６が発熱した際にも、接合膜３を介して端子２１、配線パターン２に好適に伝熱することができる。これにより、電子回路装置１０は長期間にわたって信頼性により優れたものとなる。
【００９３】
なお、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、接合膜３の材料等によっては、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合膜の抵抗率が高くなり易い。
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、端子２１の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、端子２１と電極５とを接合した際に、接合膜３の電極５に対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の伝熱性、および膜自体の機械的強度の低下が認められない範囲で、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
【００９４】
以上説明したような接合膜３は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、II−Ａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体に付与して接合膜３を形成する方法、II−Ｂ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜の表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜３を形成する方法、II−Ｃ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、II−Ｃの方法により接合膜３を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜３を形成することができる。
【００９５】
以下、II−Ｃの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法により、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置５００について説明する。
【００９６】
図９に示す成膜装置５００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜３の形成をチャンバー５１１内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置５００は、チャンバー（真空チャンバー）５１１と、このチャンバー５１１内に設置され、端子２１（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）５１２と、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段５６０と、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段５７０と、チャンバー５１１内の排気をして圧力を制御する排気手段５３０と、基板ホルダー５１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【００９７】
基板ホルダー５１２は、本実施形態では、チャンバー５１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー５１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、端子２１上に接合膜を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー５１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター５２１が配設されている。このシャッター５２１は、端子２１および接合膜３が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【００９８】
有機金属材料供給手段５６０は、チャンバー５１１に接続されている。この有機金属材料供給手段５６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽５６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ５６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５６１と、ガス供給ライン５６１の途中に設けられたポンプ５６４およびバルブ５６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段５６０では、貯留槽５６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ５６３を開放した状態で、ポンプ５６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ５６５から貯留槽５６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン５６１内を通過してチャンバー５１１内に供給されるようになっている。
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
【００９９】
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０がチャンバー５１１に接続されている。ガス供給手段５７０は、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ５７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５７１と、ガス供給ライン５７１の途中に設けられたポンプ５７４およびバルブ５７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段５７０では、バルブ５７３を開放した状態で、ポンプ５７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ５７５から、供給ライン５７１を介して、チャンバー５１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段５７０をかかる構成とすることにより、チャンバー５１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜３を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜３が成膜される。
チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１００】
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜３に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜３を成膜することができる。その結果、この接合膜３は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０１０１】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段５３０は、ポンプ５３２と、ポンプ５３２とチャンバー５１１とを連通する排気ライン５３１と、排気ライン５３１の途中に設けられたバルブ５３３とで構成されており、チャンバー５１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
【０１０２】
以上のような構成の成膜装置５００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして端子２１上に接合膜３が形成される。
まず、配線基板７の配線パターン２が設けられた側の面に、端子２１の表面を除いてマスクを形成する。そして、この配線基板７を、配線パターン２が設けられた側の面がシャッター５２１側を向くように、成膜装置５００のチャンバー５１１内に搬入し、基板ホルダー５１２に装着（セット）する。
【０１０３】
次に、排気手段５３０を動作させ、すなわちポンプ５３２を作動させた状態でバルブ５３３を開くことにより、チャンバー５１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、ガス供給手段５７０を動作させ、すなわちポンプ５７４を作動させた状態でバルブ５７３を開くことにより、チャンバー５１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段５７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０１０４】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー５１２を加熱する。基板ホルダー５１２の温度は、形成する接合膜３の種類、すなわち、接合膜３を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜３００℃程度で有るのが好ましく、１００〜２７５℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜３を成膜することができる。
【０１０５】
次に、シャッター５２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽５６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ５６４を動作させるとともに、バルブ５６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
【０１０６】
このように、前記工程で基板ホルダー５１２が加熱された状態で、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、端子２１上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、端子２１上に接合膜３を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜３を端子２１上に形成することができる。
【０１０７】
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜３を確実に形成することができる。
【０１０８】
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０を動作させることにより、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、端子２１上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜３を成膜することができる。
【０１０９】
以上のように、接合膜３を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜３を成膜することができる。
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜３に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
【０１１０】
以上のようにして、端子２１上にＩまたはＩＩの構成の接合膜３を成膜することができ、その後、各種エッチング法を用いて、接合面４３を除いて形成したマスクを除去する。
なお、端子２１の少なくとも接合膜３を形成すべき領域には、上記の方法により接合膜３を形成するのに先立って、端子２１（配線パターン２）の構成材料に応じて、予め、端子２１と接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。
【０１１１】
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、端子２１の接合膜３を形成すべき領域を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。これにより、接合膜３と端子２１との接合強度を高めることができる。
【０１１２】
また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜３を形成するために、端子２１の表面を特に最適化することができる。
なお、上記では、接合膜３を端子２１に設ける構成について説明したが、接合膜３は、チップコンデンサ６が有する電極５に設けるようにしてもよい。この場合、電極５の少なくとも接合膜３を形成すべき領域に、予め、前述したような表面処理を施してもよい。
さらに、接合膜３は、端子２１と電極５との双方に設けるようにしてもよい。この場合には、表面処理は、端子２１と電極５の双方に行ってもよく、いずれか一方に選択的に行うようにしてもよい。
【０１１３】
＜製造方法＞
次に、本実施形態の電子回路装置１０の製造方法について説明する。
図１０、図１１は、本実施形態の電子回路装置１０の製造方法を説明するための図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
［１］まず、基板１上に、端子２１を備える配線パターン２を有する配線基板（回路基板）７を準備する（図１０（ａ）参照）。その後、前述したような方法で、端子２１上に接合膜３をパターニングして形成する（図１０（ｂ）参照）。なお、このような接合膜３を形成する領域は、後に接合する電極５の形状に合わせた領域のみに形成してもよいし、端子２１の上面全体に形成してもよい。
【０１１４】
［２］次に、接合膜３の表面３５に対してエネルギーを付与する。なお、表面３５へのエネルギーの付与は、端子２１の上面全体にわたってエネルギーを付与することにより行われてもよいし、表面３５に選択的にエネルギーを付与することにより行われてもよい。
ここで、接合膜３にエネルギーを付与すると、接合膜３では、脱離基３０３の結合手が切れて接合膜３の表面３５付近から脱離し、脱離基３０３が脱離した後には、活性手が接合膜３の表面３５付近に生じる。これにより、接合膜３の表面３５に、電極５との接着性が発現する。
【０１１５】
このような状態の接合膜３は、電極５と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与されるものであってもよいが、例えば、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
【０１１６】
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１２６〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図１０（ｃ）参照）。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３中の脱離基３０３を確実に脱離させることができる。これにより、接合膜３の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３に接着性を確実に発現させることができる。
【０１１７】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【０１１８】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜３の表面３５付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜３に必要以上に紫外線が照射されない程度の時間とするのが好ましい。これにより、接合膜３が変質・劣化するのを効果的に防止することができる。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【０１１９】
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、接合膜３のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による接合膜３の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、接合膜３の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。
【０１２０】
また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って接合膜３に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。
【０１２１】
また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基３０３を接合膜３の表面３５付近から確実に切断することができる。
【０１２２】
なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温（室温）〜６００℃程度、より好ましくは２００〜６００℃程度、さらに好ましくは３００〜４００℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基３０３を接合膜３から確実に切断することができる。
【０１２３】
また、接合膜３に照射するレーザ光は、その焦点を、接合膜３の表面３５に合わせた状態で、この表面３５に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面３５付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、接合膜３の表面３５に存在する脱離基３０３を選択的に脱離させることができる。
また、接合膜３に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、特に、大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
【０１２４】
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３の表面３５付近に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による端子２１および接合膜３の変質・劣化を防止することができる。特に、従来の半田リフロー処理のように、端子２１と電極５とを電気的に接続する際に、チップコンデンサ６および配線基板７を高温下に晒す必要がないため、チップコンデンサ６にクラックが発生したり、チップコンデンサ６の特性（容量値、温度特性）が変質してしまうのをより確実に防止することができる。結果として、電子回路装置１０の信頼性をさらに高めることができる。
【０１２５】
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜３と電極５との間の接合強度を容易に制御することができる。
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜３の表面３５付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜３の表面３５付近に生じる活性手を少なくし、接合膜３に発現する接着性を抑えることができる。
【０１２６】
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
ここで、エネルギーが付与される前の接合膜３は、図３および図７に示すように、その表面３５付近に脱離基３０３を有している。かかる接合膜３にエネルギーを付与すると、脱離基３０３（図３では、水素原子、図７では、メチル基）が接合膜３から脱離する。これにより、図４および図８に示すように、接合膜３の表面３５に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜３の表面に接着性が発現する。
【０１２７】
ここで、本明細書中において、接合膜３が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜３の表面３５および内部の脱離基３０３が脱離して、接合膜３の構成原子において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
【０１２８】
したがって、活性手３０４とは、図４および図８に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４が存在するようにすれば、電極５に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜３に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成されることとなる。
【０１２９】
［３］次に、両端側に設けられた電極（外部電極）５が導通することにより電子部品として機能するチップコンデンサ６を用意する。そして、図１１（ｄ）に示すように、活性化させた接合膜３と電極５とが密着するようにして、接合膜３を電極５に接触させる。これにより、前記工程［２］において、接合膜３が電極５（被着体）に対する接着性が発現していることから、接合膜３と電極５とが化学的に結合することとなり、接合膜３が電極５に接着して、電極５が端子２１に実装（搭載）された電子回路装置１０を得ることができる。（図１１（ｅ）参照）。
【０１３０】
このようにして接合膜３と電極５とが接合された電子回路装置１０では、電子部品の外部電極と回路基板の端子とを接合する半田リフロー処理のように、半田を溶融、再固化させる必要がなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、接合膜３と電極５とが接合されている。このため、電子回路装置１０の製造時間を短縮することができ、電子回路装置１０の生産性を高めることができる。また、接合膜３と電極５とが極めて剥離し難く、結果として、電極５と端子２１との接合強度を優れたものとすることができ、クラックの発生が確実に防止された、信頼性の高い電子回路装置１０を得ることができる。
【０１３１】
以上説明したような電極５の接合膜３との接合に供される領域には、端子２１と同様に、電極５の接合膜３と接する表面に、接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、接合膜３と電極５との接合強度をより高めることができる。
なお、表面処理としては、端子２１に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
【０１３２】
ここで、本工程において、接合膜３と電極５とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、電極５の接合膜３との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜３と電極５とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜３の表面３５に存在する水酸基と、電極５の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜３と電極５とが接合されると推察される。
【０１３３】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３と電極５との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３と電極５とがより強固に接合されると推察される。
なお、前記工程［２］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［２］の終了後、できるだけ早く本工程［３］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［２］の終了後、６０分以内に本工程［３］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜３を電極５に貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
【０１３４】
換言すれば、活性化させる前の接合膜３は、脱離基３０３を備えた状態で化学的に比較的安定な膜であり、耐候性に優れている。このため、活性化させる前の接合膜３は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、配線基板７が有する端子２１に接合膜３を形成した状態で保存しておき、チップコンデンサ６を搭載する（本行程の貼り合わせを行う）直前に、必要な端子２１のみに前記工程［２］に記載したエネルギーの付与を行うようにすれば、電子回路装置１０の製造効率の観点から有効である。
なお、上述した工程［３］の後、接合膜３を介して接合された端子２１と電極５に対して、必要に応じ、以下の２つの工程［４］（［４Ａ］および［４Ｂ］）のうちの少なくとも１つの工程（端子２１と電極５との接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、電子回路装置１０の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【０１３５】
［４Ａ］ 本工程では、接合膜３を介して接合された、端子２１と電極５とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、端子２１の表面および電極５の表面に、それぞれ接合膜３の表面がより近接し、端子２１と電極５との接合強度をより高めることができる。
また、端子２１と電極５とを加圧することにより、接合膜３と端子２１との接合界面、および接合膜３と電極５との接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合膜３を介した端子２１と電極５との接合をより確実なものとすることができる。
【０１３６】
このとき、端子２１と電極５とを加圧する際の圧力は、チップコンデンサ６および配線基板７が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して端子２１と電極５との接合強度を高めることができる。
なお、この圧力は、端子２１および電極５の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、端子２１および電極５の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、端子２１と電極５との接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、端子２１および電極５の各構成材料によっては、端子２１および電極５に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、電極５を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１３７】
［４Ｂ］ 本工程では、得られた端子２１と電極５との接合体を加熱する。
これにより、端子２１と電極５との接合強度をより高めることができる。
このとき、端子２１と電極５との接合体を加熱する際の温度は、室温より高く、端子２１および電極５の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、端子２１、電極５が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。また、かかる温度下であれば、チップコンデンサ６の特性が変質するのを確実に防止することができる。
【０１３８】
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［４Ａ］、［４Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、端子２１と電極５とを加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、端子２１と電極５との接合強度を特に高めることができる。
なお、以上の工程は、必要に応じて、電極５を端子２１に実装（搭載）する際、または、実装した後に、適用することもできる。
以上のような工程を行うことにより、電極５と端子２１との強固な接合をより確実なものとすることができる。
【０１３９】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の電子回路装置の第２実施形態について説明する。
図１２は、本発明の電子回路装置の第２実施形態を示す断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１２中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【０１４０】
以下、第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態では、配線パターン２全体が、第１実施形態で説明した導電性の接合膜３で構成されており、電極５が配線パターン２が備える端子２１に直接接合されている以外は、前記第１実施形態と同様である。
【０１４１】
すなわち、図１２に示す電子回路装置１０’では、配線パターン２が、端子２１と一体的に形成された導電性を有する電気配線としての機能を発揮するとともに、端子２１において、電極５に接合する接合膜としての機能も発揮するものである。
かかる構成の電子回路装置１０’では、配線パターン２が備える端子２１に、第１実施形態の接合膜に接着性を発現させる処理と同様の処理を行うことにより、簡易に端子２１と電極５とを導通させることができるとともに、配線基板７にチップコンデンサ６を強固に固定することができる。結果として、チップコンデンサ６にクラックが発生したり、チップコンデンサ６と配線基板７との間で剥離が生じたりするのが確実に防止され、製造される電子回路装置１０’の信頼性は優れたものとなる。
【０１４２】
また、このような配線パターン２は、第１実施形態の接合膜を成膜する図５、図９に示すような装置を用いて、繊細なパターニングをすることが可能である。このため、高集積、高密度の電子回路装置１０’を効率良く得ることができる。
なお、本実施形態の場合、端子２１（配線パターン２）の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。これにより、チップコンデンサ６の配線基板７への接合精度（実装精度）が特に優れたものとなるとともに、電極５と端子２１とを（チップコンデンサ６と配線基板７とを）より強固に接合することができる。
【０１４３】
なお、端子２１（配線パターン２）の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、端子２１（配線パターン２）の材料等によっては、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、端子２１（配線パターン２）の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、端子２１の抵抗率が高くなり易い。
さらに、端子２１（配線パターン２）の平均厚さが前記範囲内であれば、端子２１にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、チップコンデンサ６が有する電極５の接合面（端子２１に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように端子２１と電極５とを接合することができる。その結果、端子２１は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、端子２１と電極５との密着性をさらに高めることができる。
【０１４４】
なお、上記のような形状追従性の程度は、端子２１の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合条件等によって生じ得るチップコンデンサ６と配線基板７との接合精度の低下が認められない範囲で、端子２１（配線パターン２）の厚さをできるだけ厚くすればよい。
かかる電極５を有するチップコンデンサ６と、導電性の接合膜で構成された配線パターン２を有する配線基板７とは、前記第１実施形態で説明したのと同様にして、すなわち、前記工程［１］〜［３］（または、前記工程［１］〜［４］）を経て接合することができ、その結果、電子回路装置１０を得ることができる。
なお、本実施形態では、配線パターン２全体を導電性の接合膜３で構成するものとして説明したが、これに限られず、例えば、端子のみがこのような接合膜で構成され、配線パターンの端子以外の部分は、第１実施形態で説明した配線パターン２と同様の配線パターンであってもよい。
【０１４５】
＜＜第３実施形態＞＞
次に、本発明の電子回路装置の第３実施形態について説明する。
図１３は、本発明の電子回路装置の第３実施形態を示す断面図、図１４は、図１３に示す電子回路装置における絶縁性の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図１５は、図１３に示す電子回路装置における絶縁性の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図１６は、図１３に示す電子回路装置における絶縁性の接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す図、図１７は、図１３に示す電子回路装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。なお、以下では、説明の都合上、図１３〜図１７中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【０１４６】
第３実施形態では、端子２１と電極５との接合の他に、さらに、チップコンデンサ６の本体部４と配線基板７の基板１とが接合され、それ以外は、前記第２実施形態と同様である。
すなわち、図１３に示す電子回路装置１０”は、導電性の接合膜３で構成された配線パターン２が備える端子２１とチップコンデンサ６が有する電極５とが接合され、さらにチップコンデンサ６の本体部４と配線基板７の基板１とが接合膜８を介して接合されている。これにより、チップコンデンサ６と配線基板７との全体としての接合強度（電子回路装置１０”の接合強度）をより向上させることができる。
【０１４７】
このような接合膜８は、例えば、シリコーン系接着剤、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ゴム系接着剤のような各種接着剤で構成することもできるが、所定の処理を施すことにより接着性を発現する、絶縁性を有する接合膜（絶縁性接合膜）で構成するのが好ましい。接合膜８が絶縁性であることにより、本体部４の両端側に設けられた一対の電極５間で短絡（ショート）するのが確実に防止される。また、端子２１と電極５との導通を確実に確保することができる。
【０１４８】
この材料としては、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含む材料が好適に使用される。
かかる材料で構成される接合膜８は、エネルギーを付与する前の状態では、図１４に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合８０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格８０１と、このＳｉ骨格８０１に結合する脱離基８０３とを含むものである。
【０１４９】
そして、この接合膜８にエネルギーを付与すると、図１５に示すように、一部の脱離基８０３がＳｉ骨格８０１から脱離し、代わりに活性手８０４が生じる。これにより、接合膜８の表面８５に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜８により、基板１と本体部４とが接合されている。
このような接合膜８は、シロキサン結合８０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格８０１の影響によって、変形し難い強固な膜となる。このため、基板１と本体部４との間の距離、すなわち、チップコンデンサ６と配線基板７との間の距離を高い寸法精度で一定に保持することができる。
【０１５０】
また、接合膜８を用いて基板１と本体部４とを接合したことにより、接着剤を用いて接合した場合に、接着剤がはみ出すといった問題が生じることが防止される。したがって、はみ出した接着剤を除去する手間も省略できるという利点もある。
また、このような接合膜８は、流動性を有しない固体状のものとなる。このため、流動性を有する液状または粘液状の接着剤を用いる場合に比べて、接着層（接合膜８）の厚さや形状がほとんど変化しない。このため、接合膜８を用いて製造された電子回路装置１０”の寸法精度は、格段に高いものとなる。さらに、接着剤を用いる場合に比較して、その硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合を可能にするものである。
【０１５１】
このような接合膜８としては、特に、接合膜８を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜８は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜８自体がより強固なものとなる。また、かかる接合膜８は、基板１および本体部４に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【０１５２】
また、接合膜８中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜８の安定性が高くなり、基板１と本体部４とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜８中のＳｉ骨格８０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格８０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述したＳｉ骨格８０１の特性が顕在化し、接合膜８の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【０１５３】
また、Ｓｉ骨格８０１に結合する脱離基８０３は、前述したように、Ｓｉ骨格８０１から脱離することによって、接合膜８に活性手８０４を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基８０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格８０１に確実に結合しているものである必要がある。
【０１５４】
かかる観点から、脱離基８０３には、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格８０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基８０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜８の接着性をより高度なものとすることができる。
【０１５５】
なお、上記のような各原子がＳｉ骨格８０１に結合するよう配置された原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。
【０１５６】
これらの各基の中でも、脱離基８０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜８は、耐候性に（電子回路装置１０”が使用される環境に対して）優れたものとなる。
このような特徴を有する接合膜８の構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。
【０１５７】
ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜８は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜８は、基板１と本体部４とをより強固に接合することができる。
また、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギーを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。
【０１５８】
なお、この撥水性（非接着性）は、主に、ポリオルガノシロキサン中に含まれたアルキル基による作用である。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜８は、エネルギーを付与された領域に接着性が発現するとともに、エネルギーを付与しなかった領域においては、前述したアルキル基による優れた撥液性が得られるという利点も有する。したがって、電子回路装置１０を湿度が比較的高い場所で用いても、チップコンデンサ６と配線基板７との接合性を高い状態で維持することができ、電子回路装置１０の耐久性をさらに優れたものとすることができる。
【０１５９】
また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜８は、接着性に特に優れることから、基板１と本体部４との接合に特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。
【０１６０】
なお、接合膜８の厚さは、配線パターン２（端子２１）よりも厚いのが好ましい。これにより、チップコンデンサ６と配線基板７とをより強固に接合することができる。
このような接合膜８は、いかなる方法で作製されたものでもよく、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により作製した膜にエネルギーを付与することによって作製することができるが、これらの中でも、プラズマ重合法により作製された膜を用いるのが好ましい。プラズマ重合法によれば、最終的に、緻密で均質な接合膜８を効率よく作製することができる。これにより、プラズマ重合法で作製された接合膜８は、基板１と本体部４とを特に強固に接合し得るものとなる。また、緻密な接合膜８で基板１と本体部４とが接合されるため、電子回路装置１０”の耐久性はさらに優れたものとなり、電子回路装置１０”の信頼性のさらなる向上を図ることができる。さらに、プラズマ重合法で作製された接合膜８は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持することができる。このため、電子回路装置１０”の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【０１６１】
次に、一例として、基板１の上面（基板１の配線パターン２が形成されている側の面）の、配線パターン２が設けられていない領域に、プラズマ重合法により、接合膜８を作製して、基板１とチップコンデンサ６の本体部４とを接合して、電子回路装置１０”を製造する方法について説明する。プラズマ重合法は、例えば、強電界中に、原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを供給することにより、原料ガス中の分子を重合させ、重合物を基板１（配線基板７）の上面に堆積させ、膜を得る方法である。
【０１６２】
以下、接合膜８をプラズマ重合法にて形成する方法について詳述するが、まず、接合膜８の形成方法を説明するのに先立って、基板１の上面にプラズマ重合法を行いて接合膜８を作製する際に用いるプラズマ重合装置について説明し、その後、接合膜８の形成方法を含む電子回路装置１０”の製造方法について説明する。
図１６に示すプラズマ重合装置１００は、チャンバー１０１と、基板１（配線基板７）を支持する第１の電極１３０と、第２の電極１４０と、各電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する電源回路１８０と、チャンバー１０１内にガスを供給するガス供給部１９０と、チャンバー１０１内のガスを排気する排気ポンプ１７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極１３０および第２の電極１４０がチャンバー１０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。
【０１６３】
チャンバー１０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
図１６に示すチャンバー１０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。
【０１６４】
チャンバー１０１の上方には供給口１０３が、下方には排気口１０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口１０３にはガス供給部１９０が接続され、排気口１０４には排気ポンプ１７０が接続されている。
なお、本実施形態では、チャンバー１０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線１０２を介して電気的に接地されている。
【０１６５】
第１の電極１３０は、板状をなしており、基板１を支持している。
この第１の電極１３０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面に、水平方向に沿って設けられている。また、第１の電極１３０は、チャンバー１０１を介して電気的に接地されている。
第１の電極１３０の基板１を支持する面には、静電チャック（吸着機構）１３９が設けられている。
この静電チャック１３９により、図１６に示すように、基板１を保持することができる。また、基板１に多少の反りがあっても、静電チャック１３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で基板１をプラズマ処理に供することができる。
【０１６６】
第２の電極１４０は、基板１を介して、第１の電極１３０と対向して設けられている。なお、第２の電極１４０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極１４０には、配線１８４を介して高周波電源１８２が接続されている。また、配線１８４の途中には、マッチングボックス（整合器）１８３が設けられている。これらの配線１８４、高周波電源１８２およびマッチングボックス１８３により、電源回路１８０が構成されている。
このような電源回路１８０によれば、第１の電極１３０は接地されているので、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
【０１６７】
ガス供給部１９０は、チャンバー１０１内に所定のガスを供給するものである。
図１６に示すガス供給部１９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部１９１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置１９２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ１９３とを有している。また、これらの各部とチャンバー１０１の供給口１０３とが、それぞれ配管１９４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口１０３からチャンバー１０１内に供給するように構成されている。
【０１６８】
貯液部１９１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置１００により、重合して基板１（基板１）の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置１９２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー１０１内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。
【０１６９】
ガスボンベ１９３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
また、チャンバー１０１内の供給口１０３の近傍には、拡散板１９５が設けられている。
【０１７０】
拡散板１９５は、チャンバー１０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー１０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
排気ポンプ１７０は、チャンバー１０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー１０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による基板１の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー１０１内から効果的に除去することができる。
また、排気口１０４には、チャンバー１０１内の圧力を調整する圧力制御機構１７１が設けられている。これにより、チャンバー１０１内の圧力が、ガス供給部１９０の動作状況に応じて、適宜設定される。
【０１７１】
次に、本実施形態の電子回路装置１０”の製造方法、すなわち、配線基板７とチップコンデンサ６との接合方法について説明する。
［１”］まず、前記第２実施形態と同様にして、基板１上に、導電性の接合膜３で構成される配線パターン２が一体的に形成された配線基板７を準備する。次に、基板１の配線パターン２が設けられた側の面に、上述した絶縁性の接合膜８を形成する領域を除いてマスクを形成する。そして、この配線基板７を、プラズマ重合装置１００のチャンバー１０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ１７０の作動により、チャンバー１０１内を減圧状態とする。
【０１７２】
そして、ガス供給部１９０を作動させ、チャンバー１０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー１０１内に充填される。
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
【０１７３】
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。
次いで、電源回路１８０を作動させ、一対の電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極１３０、１４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、重合物が基板１上に付着・堆積する。これにより、図１７（ａ）に示すように、基板１上にプラズマ重合膜で構成された接合膜８が形成される。
【０１７４】
原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜８は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。
【０１７５】
プラズマ重合の際、一対の電極１３０、１４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
また、成膜時のチャンバー１０１内の圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
【０１７６】
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。なお、成膜される接合膜８の厚さは、主に、この処理時間に比例する。したがって、この処理時間を調整することのみで、接合膜８の厚さを容易に調整することができる。
また、基板１（配線基板７）の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のようにして、接合膜８を得ることができる。その後、各種エッチング法を用いて、形成したマスクを除去する。
【０１７７】
［２”］次に、この接合膜８が形成された配線基板７に設けられた端子２１および接合膜８に対してエネルギーを付与する（図１７（ｂ）参照）。
エネルギーが付与されると、接合膜８では、図１４に示すように、脱離基８０３がＳｉ骨格８０１から脱離する。そして、脱離基８０３が脱離した後には、図１５に示すように、接合膜８の表面および内部に活性手８０４が生じる。これにより、接合膜８の表面（上面）に接着性が発現する。また、このとき、前記第１実施形態で説明したように、接合膜３で構成される端子２１の表面（上面）にも、接着性が発現する。
ここで、エネルギーの付与には、前記第１実施形態で説明したのと同様の方法を用いることができる。
【０１７８】
［３”］次に、チップコンデンサ６を用意する。そして、図１７（ｃ）に示すように、電極５と端子２１とが密着するようにするとともに、併せて、本体部４と接合膜８とが密着するように、チップコンデンサ６と配線基板７とを接触させる。これにより、チップコンデンサ６は、電極５が端子２１と電気的に接合されるとともに、本体部４が接合膜８を介して基板１（配線基板７）に接合され、図１７（ｄ）に示すような電子回路装置１０”が得られる。
【０１７９】
なお、接合膜８は、基板１の上面に代えて、チップコンデンサ６の本体部４の下面に設けるようにしてもよく、基板１の上面および本体部４の下面の双方に設けるようにしてもよい。
ここで、基板１および本体部４の各熱膨張率が互いに異なる場合には、基板１と本体部４とを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化するのが好ましい。これにより、チップコンデンサ６を配線基板７に高い寸法精度で強固に接合することができる。
【０１８０】
例えば、基板１と本体部４との熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
具体的には、基板１と本体部４との熱膨張率差にもよるが、基板１および本体部４の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、基板１と本体部４とを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、基板１と本体部４との熱膨張率差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、電子回路装置１０”における反りや剥離等の発生を確実に防止することができる。
【０１８１】
また、この場合、基板１と本体部４との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。なお、接合膜８を用いることにより、上述したような低温下でも、基板１と本体部４と（配線基板７とチップコンデンサ６と）を強固に接合することができる。
また、基板１と本体部４とは、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、接合界面に熱応力が発生したとしても、この熱応力を基板１と本体部４とのいずれか一方で吸収して、基板１と本体部４とをより強固に接合することができる。
【０１８２】
また、基板１および本体部４の各熱膨張率が互いに異なる場合には、例えば、接合膜８の熱膨張係数を、基板１の熱膨張係数と本体部４の熱膨張係数との間に調整するようにしてもよい。これにより、電子回路装置１０”が熱膨張した場合でも、配線基板７とチップコンデンサ６との剥離をより確実に防止することができる。
かかる接合膜８の熱膨張係数は、その成膜時の原料の比率、成膜条件等を適宜設定することにより調整可能である。
なお、このような接合膜８は、第２実施形態の電子回路装置のみならず、第１実施形態の電子回路装置に適用することができることは言うまでもない。
【０１８３】
＜電子機器＞
次に、上述した電子回路装置１０（１０、１０’、１０’’）を備える本発明の電子機器について説明する。
なお、以下では、本発明の電子機器の一例として、携帯電話を代表に説明する。
図１８は、携帯電話の実施形態を示す斜視図である。
図１８に示す携帯電話は、表示部１００１を備える携帯電話本体１０００を有している。携帯電話本体１０００には、上述した電子回路装置１０が内蔵されており、これらは、携帯電話機本体１０００において光信号出力手段などとして用いられる。
【０１８４】
なお、電子回路装置１０は、図１８で説明した携帯電話の他に、種々の電子機器に対して適用できる。
例えば光ファイバ通信モジュール、レーザプリンタ、レーザビーム投射器、レーザビームスキャナ、リニアエンコーダ、ロータリエンコーダ、変位センサ、圧力センサ、ガスセンサ、血液血流センサ、指紋センサ、高速電気変調回路、無線ＲＦ回路、無線ＬＡＮ等にも適用できる。
【０１８５】
電子回路装置１０は、上述したように、半田リフロー処理のような高温下（２６０℃程度）に晒されることなく、電極５と端子２１とが強固に接合されることにより、チップコンデンサ６が配線基板７に固定されている。このような電子回路装置１０は、クラックの発生が抑えられた信頼性の高いものである。したがって、このような電子回路装置１０を搭載した電子機器は、使用環境によらず、長期間にわたって誤作動の発生が抑制された、信頼性の高いものとなる。
【０１８６】
以上、本発明の電子回路装置および電子機器を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、電子回路装置および電子機器を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
例えば、本発明の電子回路装置および電子機器は、前記実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
また、上記の説明では、電子部品として、チップコンデンサを用いた場合について説明したが、本発明の電子回路装置を構成する（電子回路装置に実装される）電子部品はこれに限定されない。例えば、チップコンデンサの代わりに、チップ抵抗、チップインダクタ、ダイオード、またはトランジスタ等を好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１８７】
【図１】本発明の電子回路装置の第１実施形態を示す上面図である。
【図２】図１に示す電子回路装置のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１に示す電子回路装置におけるＩの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図４】図１に示す電子回路装置におけるＩの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図５】Ｉの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図６】図５に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図７】IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図８】IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図９】IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１０】第１実施形態の電子回路装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図１１】第１実施形態の電子回路装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図１２】本発明の電子回路装置の第２実施形態を示す横断面図である。
【図１３】本発明の電子回路装置の第３実施形態を示す横断面図である。
【図１４】図１３に示す電子回路装置における接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図１５】図１３に示す電子回路装置における接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図１６】図１３に示す電子回路装置における絶縁性接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す図である。
【図１７】図１３に示す電子回路装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図１８】携帯電話の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１８８】
１……基板 ２……配線パターン ２１…端子（第１の端子） ３……接合膜（導電性の接合膜） ３０３……脱離基 ３０４……活性手 ３５……表面 ４……本体部 ５……電極（第２の端子） ６……チップコンデンサ ７…配線基板 ８…接合膜（絶縁性の接合膜） ８５……表面 １０、１０’、１０’’……電子回路装置 ２００……成膜装置 ２１１……チャンバー ２１２……基板ホルダー ２１５……イオン源 ２１６……ターゲット ２１７……ターゲットホルダー ２１９……ガス供給源 ２２０……第１のシャッター ２２１……第２のシャッター ２３０……排気手段 ２３１……排気ライン ２３２……ポンプ ２３３……バルブ ２５０……開口 ２５３……グリッド ２５４……グリッド ２５５……磁石 ２５６……イオン発生室 ２５７……フィラメント ２６０……ガス供給手段 ２６１……ガス供給ライン ２６２……ポンプ ２６３……バルブ ２６４……ガスボンベ ５００……成膜装置 ５１１……チャンバー ５１２……基板ホルダー ５２１……シャッター ５３０……排気手段 ５３１……排気ライン ５３２……ポンプ ５３３……バルブ ５６０……有機金属材料供給手段 ５６１……ガス供給ライン ５６２……貯留槽 ５６３……バルブ ５６４……ポンプ ５６５……ガスボンベ ５７０……ガス供給手段 ５７１……ガス供給ライン ５７３……バルブ ５７４……ポンプ ５７５……ガスボンベ ８０１……Ｓｉ結合 ８０２……シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合 ８０３……脱離基 ８０４……活性手 １００……プラズマ重合装置 １０１……チャンバー １０２……接地線 １０３……供給口 １０４……排気口 １３０……第１の電極 １３９……静電チャック １４０……第２の電極 １７０……排気ポンプ １７１……圧力制御機構 １８０……電源回路 １８２……高周波電源 １８３……マッチングボックス １８４……配線 １９０……ガス供給部 １９１……貯液部 １９２……気化装置 １９３……ガスボンベ １９４……配管 １９５……拡散板 １０００…携帯電話本体 １００１…表示部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子と前記第２の端子とが導電性を有する接合膜で接合されることにより、前記電子部品が前記配線基板に対して、固定されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第１の端子と前記第２の端子とを接合していることを特徴とする電子回路装置。
【請求項２】
平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子は、導電性を有する接合膜で構成され、前記第２の端子に、前記第１の端子が接合することにより、前記電子部品が前記配線基板に対して固定されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第２の端子に接合していることを特徴とする電子回路装置。
【請求項３】
前記電気配線は、前記接合膜と同様の接合膜で構成され、前記第１の端子と一体的に形成されている請求項２に記載の電子回路装置。
【請求項４】
前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種である請求項１ないし３のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項５】
前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種である請求項１ないし４のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項６】
前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）に、脱離基として水素原子が導入されたものである請求項１ないし５のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項７】
前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１ないし６のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項８】
平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子と前記第２の端子とが導電性を有する接合膜で接合されることにより、前記電子部品が前記配線基板に対して、固定されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第１の端子と前記第２の端子とを接合していることを特徴とする電子回路装置。
【請求項９】
平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子は、導電性を有する接合膜で構成され、前記第２の端子に、前記第１の端子が接合することにより、前記電子部品が前記配線基板に対して固定されており、
前記接合膜は、金属原子と有機成分で構成された脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第２の端子に接合していることを特徴とする電子回路装置。
【請求項１０】
前記電気配線は、前記接合膜と同様の接合膜で構成され、前記第１の端子と一体的に形成されている請求項９に記載の電子回路装置。
【請求項１１】
前記接合膜は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものである請求項８ないし１０のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項１２】
前記接合膜は、低還元性雰囲気下で成膜されたものである請求項８ないし１１のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項１３】
前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものである請求項８ないし１２のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項１４】
前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成される請求項８ないし１３のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項１５】
前記脱離基は、アルキル基である請求項１４に記載の電子回路装置。
【請求項１６】
前記有機金属材料は、金属錯体である請求項８ないし１５のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項１７】
前記金属原子は、銅、アルミニウム、亜鉛および鉄のうちの少なくとも１種である請求項８ないし１６のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項１８】
前記接合膜中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３である請求項８ないし１７のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項１９】
前記電子部品は、チップコンデンサ、チップ抵抗、チップインダクタ、トランジスタまたはダイオードである請求項１ないし１８のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項２０】
前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じる請求項１ないし１９のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項２１】
前記活性手は、未結合手または水酸基である請求項２０に記載の電子回路装置。
【請求項２２】
前記接合膜の平均厚さは、５０〜１０００ｎｍである請求項１ないし２１のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項２３】
前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしている請求項１ないし２２のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項２４】
前記接合膜が接する少なくとも一方の面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし２３のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項２５】
前記表面処理は、プラズマ処理である請求項２４に記載の電子回路装置。
【請求項２６】
前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし２５のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項２７】
前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線である請求項２６に記載の電子回路装置。
【請求項２８】
前記加熱の温度は、２５〜１００℃である請求項２６または２７に記載の電子回路装置。
【請求項２９】
前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項２６ないし２８のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項３０】
前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われる請求項２６ないし２９のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項３１】
さらに、前記配線基板と前記電子部品とを接合する絶縁性接合膜を有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
当該絶縁性接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記配線基板と前記電子部品とを接合している請求項１ないし３０のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項３２】
請求項１ないし３１のいずれかに記載の電子回路装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子と前記第２の端子とが導電性を有する接合膜で接合されることにより、前記電子部品が前記配線基板に対して、固定されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第１の端子と前記第２の端子とを接合していることを特徴とする電子回路装置。
【請求項２】
平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子は、導電性を有する接合膜で構成され、前記第２の端子に、前記第１の端子が接合することにより、前記電子部品が前記配線基板に対して固定されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第２の端子に接合していることを特徴とする電子回路装置。
【請求項３】
前記電気配線は、前記接合膜と同様の接合膜で構成され、前記第１の端子と一体的に形成されている請求項２に記載の電子回路装置。
【請求項４】
前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種である請求項１ないし３のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項５】
前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種である請求項１ないし４のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項６】
前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）に、脱離基として水素原子が導入されたものである請求項１ないし５のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項７】
前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１ないし６のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項８】
平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子と前記第２の端子とが導電性を有する接合膜で接合されることにより、前記電子部品が前記配線基板に対して、固定されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第１の端子と前記第２の端子とを接合していることを特徴とする電子回路装置。
【請求項９】
平板状の基材と、該基材の一方の面側に設けられ、所定形状にパターニングされた第１の端子を備える電気配線とを有する配線基板と、
第２の端子を備える電子部品とを有しており、
前記第１の端子は、導電性を有する接合膜で構成され、前記第２の端子に、前記第１の端子が接合することにより、前記電子部品が前記配線基板に対して固定されており、
前記接合膜は、金属原子と有機成分で構成された脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記第２の端子に接合していることを特徴とする電子回路装置。
【請求項１０】
前記電気配線は、前記接合膜と同様の接合膜で構成され、前記第１の端子と一体的に形成されている請求項９に記載の電子回路装置。
【請求項１１】
前記接合膜は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものである請求項８ないし１０のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項１２】
前記接合膜は、低還元性雰囲気下で成膜されたものである請求項８ないし１１のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項１３】
前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものである請求項８ないし１２のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項１４】
前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成される請求項８ないし１３のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項１５】
前記脱離基は、アルキル基である請求項１４に記載の電子回路装置。
【請求項１６】
前記有機金属材料は、金属錯体である請求項８ないし１５のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項１７】
前記金属原子は、銅、アルミニウム、亜鉛および鉄のうちの少なくとも１種である請求項８ないし１６のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項１８】
前記接合膜中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３である請求項８ないし１７のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項１９】
前記電子部品は、チップコンデンサ、チップ抵抗、チップインダクタ、トランジスタまたはダイオードである請求項１ないし１８のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項２０】
前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じる請求項１ないし１９のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項２１】
前記活性手は、未結合手または水酸基である請求項２０に記載の電子回路装置。
【請求項２２】
前記接合膜の平均厚さは、５０〜１０００ｎｍである請求項１ないし２１のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項２３】
前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしている請求項１ないし２２のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項２４】
前記接合膜が接する少なくとも一方の面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし２３のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項２５】
前記表面処理は、プラズマ処理である請求項２４に記載の電子回路装置。
【請求項２６】
前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし２５のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項２７】
前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線である請求項２６に記載の電子回路装置。
【請求項２８】
前記加熱の温度は、２５〜１００℃である請求項２６または２７に記載の電子回路装置。
【請求項２９】
前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項２６ないし２８のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項３０】
前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われる請求項２６ないし２９のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項３１】
さらに、前記配線基板と前記電子部品とを接合する絶縁性接合膜を有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
当該絶縁性接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記配線基板と前記電子部品とを接合している請求項１ないし３０のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項３２】
請求項１ないし３１のいずれかに記載の電子回路装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２００９−１５８８６８（Ｐ２００９−１５８８６８Ａ）
【公開日】平成２１年７月１６日（２００９．７．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３３８２５６（Ｐ２００７−３３８２５６）
【出願日】平成１９年１２月２７日（２００７．１２．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年７月１６日（２００９．７．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１２月２７日（２００７．１２．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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