電子部品及びその製造方法
【課題】積層体の上面及び側面に跨って形成される外部電極の形成不良を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】積層体１６は、絶縁体層３０ａ〜３０ｅが積層されることにより構成されている。絶縁体層３０ｂ〜３０ｅは、部分積層体１３を構成している。絶縁体層３０ａは、部分積層体１３の側面及び上面を覆っている。外部電極２０は、積層体１６の上面及び側面に跨って設けられている。部分積層体１３は、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの側面及び上面により構成され、かつ、踏み板がｚ軸方向の正方向側を向く階段状をなしている。
【解決手段】積層体１６は、絶縁体層３０ａ〜３０ｅが積層されることにより構成されている。絶縁体層３０ｂ〜３０ｅは、部分積層体１３を構成している。絶縁体層３０ａは、部分積層体１３の側面及び上面を覆っている。外部電極２０は、積層体１６の上面及び側面に跨って設けられている。部分積層体１３は、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの側面及び上面により構成され、かつ、踏み板がｚ軸方向の正方向側を向く階段状をなしている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、積層体に外部電極が設けられている電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の電子部品が知られている。図９は、特許文献１に記載の電子部品５００の部分拡大図である。該電子部品５００では、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板５０２上に、フォトリソグラフィ工程により樹脂の絶縁体層５０１が積層されてなる積層体５０４が設けられている。そして、積層体５０４の側面及び上面に跨るように外部電極５０６が設けられている。
【０００３】
ところで、特許文献１に記載の電子部品では、絶縁体層５０１はフォトリソグラフィ工程により作製されるため、比較的に滑らかな主面を有している。そのため、絶縁体層５０１同士の密着力が比較的に弱く、積層体５０４の側面において、絶縁体層５０１間の剥離が発生し易い。
【０００４】
そこで、特許文献１に記載の電子部品において、以下に説明する工夫が施されることが知られている。図１０は、絶縁体層５０１間の剥離を抑制する構成を有する電子部品６００の部分拡大図である。
【０００５】
図１０に示す電子部品６００では、積層方向の最も上側に位置している絶縁体層５０１（以下、絶縁体層５０１ａと称す）により、その他の絶縁体層５０１（以下、絶縁体層５０１ｂと称す）の側面を覆っている。これにより、絶縁体層５０１ｂの接合面が、絶縁体層５０１ａにより覆い隠されるようになる。その結果、絶縁体層５０１ｂ間の剥離が抑制される。
【０００６】
しかしながら、電子部品６００は、図１０に示すように、外部電極５０６の形成不良が発生しやすいという問題を有している。より詳細には、電子部品６００では、絶縁体層５０１ａ，５０１ｂはフォトリソグラフィ工程により形成される。フォトリソグラフィ工程では、感光性樹脂を露光して硬化させた後に、未硬化の感光性樹脂を現像液で除去する。例えば、絶縁体層５０１ａを形成する際には、積層体５０４及びＬＴＣＣ基板５０２の上面が覆われるように、感光性樹脂を塗布する。そして、感光性樹脂をマスクを介して露光する。この際、絶縁体層５０１ａが絶縁体層５０１ｂの側面を覆うように、絶縁体層５０１ｂから僅かにはみ出した領域まで、絶縁体層５０１ａを露光する。
【０００７】
ところが、絶縁体層５０１ａの側面は、絶縁体層５０１ｂの積層方向の厚みと同じだけの高さを有している。そのため、絶縁体層５０１ａの側面の下部が十分に露光されないおそれがある。したがって、絶縁体層５０１ａの側面の下部は、絶縁体層５０１ａの側面の上部に比べて現像液によって除去されやすい。すなわち、絶縁体層５０１ａの側面の上部における厚みが、絶縁体層５０１ａの側面の下部における厚みよりも厚くなってしまう。その結果、絶縁体層５０１ａの側面は、絶縁体層５０１ａの上面に対して鋭角をなすようになる。絶縁体層５０１ａの側面と絶縁体層５０１ａの上面とが鋭角をなすと、絶縁体層５０１ａの側面と絶縁体層５０１ａの上面との角における外部電極５０６の被覆性が悪くなってしまう。その結果、図１０に示すように絶縁体層５０１ａの側面と絶縁体層５０１ａの上面との角に、十分な厚みを有する外部電極５０６が形成されにくい。すなわち、外部電極５０６の形成不良が発生するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−２６７０７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明の目的は、積層体の上面及び側面に跨って形成される外部電極の形成不良を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一形態に係る電子部品は、積層されることにより部分積層体を構成している複数の第１の絶縁体層と、該部分積層体の側面及び上面を覆っている第２の絶縁体層とにより構成されている積層体と、前記積層体の上面及び側面に跨って設けられている外部電極と、を備えており、前記部分積層体の側面は、前記複数の第１の絶縁体層の側面及び上面により構成され、かつ、踏み板が積層方向の上側を向く階段状をなしていること、を特徴とする。
【００１１】
前記電子部品の製造方法は、複数の第１の絶縁体層を積層して部分積層体を形成する第１の工程と、前記部分積層体の側面及び上面を覆う第２の絶縁体層を、フォトリソグラフィ工程により形成する第２の工程と、前記第２の絶縁体層の上面及び側面に跨る外部電極を形成する第３の工程と、を備えており、前記第１の工程では、前記部分積層体の側面が、前記複数の第１の絶縁体層の側面及び主面により構成され、かつ、踏み板が積層方向の上側を向く階段状をなすように、該複数の第１の絶縁体層を積層すること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、積層体の上面及び側面に跨って形成される外部電極の形成不良を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。
【図２】一実施形態に係る電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図３】電子部品の等価回路図である。
【図４】電子部品の断面構造図である。
【図５】電子部品の製造時における工程断面図である。
【図６】電子部品の製造時における工程断面図である。
【図７】電子部品の製造時における工程断面図である。
【図８】カット工程での電子部品をｚ軸方向から平面視した図である。
【図９】特許文献１に記載の電子部品の部分拡大図である。
【図１０】絶縁体層間の剥離を抑制する構成を有する電子部品の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１５】
（電子部品の構成について）
図１は、一実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、一実施形態に係る電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。図３は、電子部品１０の等価回路図である。図４は、電子部品１０の断面構造図である。以下、電子部品１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。そして、ｚ軸方向から平面視したときに、電子部品１０の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。
【００１６】
電子部品１０は、図１及び図２に示すように、積層体１２、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０，２２、引き出し導体４２ａ，４６ａ，４８，５２ａ〜５２ｆ、コイルＬ１，Ｌ２及びコンデンサＣを備えている。積層体１２は、直方体形状をなし、図１に示すように、積層体１４と積層体１６とが積層されて構成され、直方体状をなしている。積層体１６は、積層体１４上に設けられている。外部電極１８ａは、積層体１２のｘ軸方向の負方向側に位置する側面に設けられている。外部電極１８ｂは、積層体１２のｘ軸方向の正方向側に位置する側面に設けられており、外部電極１８ａと同じ形状を有している。これにより、外部電極１８ａ，１８ｂは、積層体１２の互いに対向する側面に設けられている。外部電極２０は、積層体１２のｙ軸方向の負方向側に位置する側面に設けられている。外部電極２２は、積層体１２のｙ軸方向の正方向側に位置する側面に設けられており、外部電極２０と同じ形状を有している。これにより、外部電極２０，２２は、積層体１２の互いに対向する側面に設けられている。
【００１７】
積層体１６は、コイルＬ１，Ｌ２及び引き出し導体４２ａ，４６ａ，４８を内蔵している。以下に、積層体１６について、図２を参照しながら詳細に説明する。
【００１８】
積層体１６は、絶縁体層３０ａ〜３０ｅがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されることにより構成されている。また、絶縁体層３０ｃ〜３０ｅは、部分積層体１３を構成している。絶縁体層３０ａ〜３０ｅは、例えば、ポリイミド樹脂等の透明な絶縁性材料からなる矩形状の層である。該絶縁体層３０ａ〜３０ｅは、ｚ軸方向から平面視した場合に、積層体１４よりも小さく形成されている。これにより、積層体１４は、絶縁体層３０ａ〜３０ｅの四辺からはみ出した状態となっている。
【００１９】
コイルＬ１は、コイル導体４０ａ〜４０ｄ及びビアホール導体ｂ１〜ｂ３により構成されている。コイル導体４０ａ〜４０ｄはそれぞれ、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成されている。コイル導体４０ａ〜４０ｄはそれぞれ、線状導体が折り曲げられることによって、渦巻き形状をなしている。具体的には、コイル導体４０ａ，４０ｃは、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、時計回りに旋廻しながら中心に向かっていく渦巻き形状をなしている。コイル導体４０ｂ，４０ｄは、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、反時計回りに旋廻しながら中心に向かっていく渦巻き形状をなしている。
【００２０】
ビアホール導体ｂ１〜ｂ３はそれぞれ、絶縁体層３０ｂ〜３０ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向に互いに隣り合うコイル導体４０ａ〜４０ｄを接続している。具体的には、ビアホール導体ｂ１は、コイル導体４０ａ，４０ｂを接続している。ビアホール導体ｂ２は、コイル導体４０ｂ，４０ｃを接続している。ビアホール導体ｂ３は、コイル導体４０ｃ，４０ｄを接続している。これにより、コイル導体４０ａ〜４０ｄ及びビアホール導体ｂ１〜ｂ３は、コイルＬ１を構成している。
【００２１】
引き出し導体４２ａは、絶縁体層３０ｂの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成されている。そして、引き出し導体４２ａは、コイル導体４０ａに接続されていると共に、絶縁体層３０ｂのｘ軸方向の負方向側に位置する短辺に引き出されている。これにより、コイル導体４０ａは、外部電極１８ａに電気的に接続されている。すなわち、コイルＬ１の一端は、引き出し導体４２ａを介して、外部電極１８ａに電気的に接続されている。
【００２２】
コイルＬ２は、コイル導体４４ａ〜４４ｄ及びビアホール導体ｂ４〜ｂ６により構成されており、コイルＬ１とｘ軸方向に並んでいる。コイル導体４４ａ〜４４ｄはそれぞれ、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの主面上において、コイル導体４０ａ〜４０ｄのｘ軸方向の正方向側に並ぶように、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成されている。コイル導体４４ａ〜４４ｄはそれぞれ、線状導体が折り曲げられることによって、渦巻き形状をなしている。具体的には、コイル導体４４ａ，４４ｃは、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、反時計回りに旋廻しながら中心に向かっていく渦巻き形状をなしている。コイル導体４４ｂ，４４ｄは、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、時計回りに旋廻しながら中心に向かっていく渦巻き形状をなしている。
【００２３】
ビアホール導体ｂ４〜ｂ６はそれぞれ、絶縁体層３０ｂ〜３０ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向に互いに隣り合うコイル導体４４ａ〜４４ｄを接続している。具体的には、ビアホール導体ｂ４は、コイル導体４４ａ，４４ｂを接続している。ビアホール導体ｂ５は、コイル導体４４ｂ，４４ｃを接続している。ビアホール導体ｂ６は、コイル導体４４ｃ，４４ｄを接続している。これにより、コイル導体４４ａ〜４４ｄ及びビアホール導体ｂ４〜ｂ６は、コイルＬ２を構成している。
【００２４】
引き出し導体４６ａは、絶縁体層３０ｂの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成されている。そして、引き出し導体４６ａは、コイル導体４４ａに接続されていると共に、絶縁体層３０ｂのｘ軸方向の正方向側に位置する短辺に引き出されている。これにより、コイル導体４４ａは、外部電極１８ｂに電気的に接続されている。すなわち、コイルＬ２の一端は、引き出し導体４６ａを介して、外部電極１８ｂに電気的に接続されている。
【００２５】
引き出し導体４８は、絶縁体層３０ｅの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成されている。そして、引き出し導体４８は、コイル導体４０ｄ，４４ｄに接続されていると共に、絶縁体層３０ｅのｙ軸方向の正方向側の長辺に引き出されている。これにより、コイル導体４０ｄ，４４ｄは、外部電極２２に電気的に接続されている。すなわち、コイルＬ１，Ｌ２の他端は、引き出し導体４８を介して、外部電極２２に電気的に接続されている。
【００２６】
積層体１４は、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板であり、直方体状をなしている。積層体１４は、ｚ軸方向から平面視したときに、積層体１６よりも大きくなるように形成されている。また、積層体１４は、コンデンサＣ及び引き出し導体５２ａ〜５２ｆを内蔵している。積層体１４は、積層体１６よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。よって、コンデンサＣは、コイルＬ１，Ｌ２よりも積層方向の負方向側に設けられている。
【００２７】
積層体１４は、絶縁体層３２ａ〜３２ｌが積層されることにより構成されている。絶縁体層３２ａ〜３２ｌは、例えば、誘電体材料からなる矩形状の層である。なお、絶縁体層３２ａ〜３２ｌは、１２枚記載されているが、１２枚以上であってもよい。そのため、図２では、絶縁体層３２ｆと絶縁体層３２ｇとの間を点線で繋いで、絶縁体層３２ｆと絶縁体層３２ｇとの間に更なる絶縁体層３２が設けられていてもよいことを示している。
【００２８】
コンデンサＣは、コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆにより構成されている。コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆはそれぞれ、絶縁体層３２ｄ〜３２ｉの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成されている。コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆはそれぞれ、矩形状を有している。
【００２９】
引き出し導体５２ａ〜５２ｆはそれぞれ、絶縁体層３２ｄ〜３２ｉの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成されている。引き出し導体５２ａ，５２ｃ，５２ｅはそれぞれ、コンデンサ導体５０ａ，５０ｃ，５０ｅに接続されていると共に、絶縁体層３２ｄ，３２ｆ，３２ｈのｙ軸方向の負方向側の長辺に引き出されている。これにより、コンデンサ導体５０ａ，５０ｃ，５０ｅは、外部電極２０に電気的に接続されている。引き出し導体５２ｂ，５２ｄ，５２ｆはそれぞれ、コンデンサ導体５０ｂ，５０ｄ，５０ｆに接続されていると共に、絶縁体層３２ｅ，３２ｇ，３２ｉのｙ軸方向の正方向側の長辺に引き出されている。これにより、コンデンサ導体５０ｂ，５０ｄ，５０ｆは、外部電極２２に電気的に接続されている。
【００３０】
コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆ及び引き出し導体５２ａ〜５２ｆが以上の構成を有することにより、コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆは、コンデンサＣを構成している。より詳細には、コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆは、絶縁体層３２ａ〜３２ｌがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層されることにより、ｚ軸方向に対向するもの同士でコンデンサＣを構成している。そして、引き出し導体５２ａ，５２ｃ，５２ｅが、外部電極２０に接続され、引き出し導体５２ｂ，５２ｄ，５２ｆが、外部電極２２に接続されている。
【００３１】
ここで、コンデンサ導体５０ｂ，５０ｄ，５０ｆは、外部電極２２に電気的に接続されており、コイルＬ１，Ｌ２の他端も、外部電極２２に電気的に接続されている。その結果、コンデンサＣ及びコイルＬ１，Ｌ２は、図３に示すように、Ｔ型ＬＣノイズフィルタを構成している。
【００３２】
ところで、電子部品１０は、以下に説明するように，外部電極１８ａ，１８ｂ，２０，２２の形成不良を抑制するための構造を有している。図４は、電子部品１０の積層体１４，１６及び外部電極２０の断面構造図である。
【００３３】
図４に示すように、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅは、ｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層され、部分積層体１３を構成している。部分積層体１３の側面は、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの側面及び上面により構成され、かつ、踏み板がｚ軸方向の正方向側を向く階段状をなしている。より詳細には、図４では、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅのｙ軸方向の負方向側の側面は、ｚ軸方向の正方向側から負方向側へといくにしたがって、ｙ軸方向の負方向側に突出している。これにより、絶縁体層３０ｃ，３０ｅの上面の一部が露出している。よって、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの側面は、絶縁体層３０ｅの下面（すなわち、積層体１４の上面）に対して鋭角の勾配を有する階段状をなしている。その結果、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの側面は、絶縁体層３０ｂの上面に対して鈍角をなしている。
【００３４】
絶縁体層３０ａは、図４に示すように、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの内の最上層に位置する絶縁体層３０ｂ上に積層され、かつ、部分積層体１３の側面及び上面を覆っている。そして、部分積層体１３の側面を覆っている絶縁体層３０ａの側面は、ｚ軸方向の正方向側を向く斜面をなしている。
【００３５】
外部電極２０は、図４に示すように、積層体１６の上面及び側面に跨って設けられている。外部電極２０は、絶縁体層３０ａの上面及び側面に倣った形状を有している。すなわち、絶縁体層３０ａの側面を覆っている外部電極２０の側面は、ｚ軸方向の正方向側を向く斜面をなしている。
【００３６】
なお、本実施形態では、外部電極２０を例にとって説明したが、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２も外部電極２０と同じ構造を有している。ただし、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２は、積層体１６に内蔵されているコイルＬ１，Ｌ２に直接に接続されているのに対して、外部電極２０は、積層体１６に内蔵されているコイルＬ１，Ｌ２に直接に接続されていない。
【００３７】
（製造方法について）
以下に、電子部品１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図５ないし図７は、電子部品１０の製造時における工程断面図である。図８は、カット工程での電子部品１０をｚ軸方向から平面視した図である。図５ないし図７では、１個分の電子部品１０の製造工程が示されているが、実際には、複数の電子部品１０がマトリクス状に配置された状態で一括して製造されている。
【００３８】
まず、図２に示す積層体１４を作製する。より詳細には、所定の材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、セラミック粉末を得る。
【００３９】
このセラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、シート状に形成して乾燥させ、絶縁体層３２ａ〜３２ｌとなるべきセラミックグリーンシートを得る。
【００４０】
次に、絶縁体層３２ｄ〜３２ｉとなるべきセラミックグリーンシート上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆ及び引き出し導体５２ａ〜５２ｆを形成する。
【００４１】
次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、上から順に絶縁体層３２ａ〜３２ｌを重ねて静水圧プレスなどにより圧着を行う。この後、焼成を施して、積層体１４のマザー積層体を得る。
【００４２】
次に、図５（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる絶縁体層３０ｅを、積層体１４上にフォトリソグラフィにより形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、絶縁体層３０ｅ上に、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料からなる導電層４０ｄＡ，４４ｄＡをスパッタリングや蒸着等のドライめっき法により形成する。
【００４３】
次に、導電層４０ｄＡ，４４ｄＡ上に感光性レジストを塗布、乾燥した後、この感光性レジストにマスクフィルムを当てて所望の部分を露光する。次に、感光性レジストを現像し、図５（ｃ）に示すように、導電層４０ｄＡ，４４ｄＡの不要な部分が露出した形状を有するレジストパターン７０ａを形成する。
【００４４】
次に、露出した部分の導電層４０ｄＡ，４４ｄＡをエッチングにて除去した後、レジストパターン７０ａを除去することにより、図６（ａ）に示すように、コイル導体４０ｄ，４４ｄ及び引き出し導体４８（図６（ａ）には不図示）を形成する。
【００４５】
次に、図６（ｂ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる絶縁体層３０ｄを、絶縁体層３０ｅ、コイル導体４０ｄ，４４ｄ及び引き出し導体４８上にフォトリソグラフィにより形成する。この際、絶縁体層３０ｅの側面が絶縁体層３０ｄの側面からはみ出すように、絶縁体層３０ｄを形成する。これにより、絶縁体層３０ｄと絶縁体層３０ｅとの間に段差を形成する。更に、絶縁体層３０ｄのビアホール導体ｂ３，ｂ６が形成されるべき位置に、ビアホールｈ１を形成する。
【００４６】
次に、図６（ｃ）に示すように、絶縁体層３０ｄ上に、導電層４０ｃＡ，４４ｃＡをドライめっき法により形成する。この際、ビアホールｈ１に導電性材料を充填し、ビアホール導体ｂ３，ｂ６を形成する。この後、この導電層４０ｃＡ，４４ｃＡには、図５（ｃ）〜図６（ｂ）を用いて説明した処理を施す。これにより、コイル導体４０ｃ，４４ｃ及び絶縁体層３０ｃを、絶縁体層３０ｄ上に形成する。更に、図５（ｃ）〜図６（ｂ）を用いて説明した処理を繰り返して、コイル導体４０ａ，４０ｂ，４４ａ，４４ｂ、引き出し導体４２ａ，４６ａ及び絶縁体層３０ｂを形成する。この際、絶縁体層３０ｃの外縁が絶縁体層３０ｂの外縁からはみ出すように、絶縁体層３０ｂを形成する。これにより、絶縁体層３０ｃと絶縁体層３０ｂとの間に段差を形成する。以上のように、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの形成時には、踏み板がｚ軸方向の正方向側を向く階段状をなす側面を有するように積層されるように、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅを形成する。以上の工程により部分積層体１３を作製する。
【００４７】
次に、図７（ａ）に示すように、部分積層体１３の側面及び上面を覆うようにポリイミド樹脂からなる樹脂層３０ａＡを形成する。そして、所定のマスクを介して露光処理を施すことにより、樹脂層３０ａＡを硬化させる。この後、硬化した樹脂層３０ａＡに現像処理を施す。以上の露光処理及び現像処理により、図７（ｂ）に示すように、部分積層体１３の側面及び上面を覆う絶縁体層３０ａをフォトリソグラフィ工程により形成する。
【００４８】
この後、積層体１２のマザー積層体がダイサーによりカットされて、個々の積層体１２に切り離される。この際、図８の点線部分に示すように、絶縁体層３０ａ〜３０ｅが形成されていない部分をダイサーが通過するように、マザー積層体をカットする。更に、カットした積層体１２に対してバレルを施す。これにより、積層体１２の角の面取りが行われる。
【００４９】
最後に、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０，２２を形成する。具体的には、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｕ及び樹脂からなる導電性ペーストを塗布し、硬化させて電極を形成する。次に、該電極上にＮｉめっき及びＳｎめっきを施して、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０，２２を形成する。以上の工程を経て、電子部品１０が完成する。
【００５０】
（効果）
本実施形態に係る電子部品１０によれば、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０，２２の形成不良を抑制できる。より詳細には、部分積層体１３の側面は、踏み板がｚ軸方向の正方向側を向く階段状をなしている。これにより、部分積層体１３の側面は、部分積層体１３の上面に対して鈍角をなしている。そして、絶縁体層３０ａは、図４に示すように、部分積層体１３の側面及び上面を覆っている。そのため、部分積層体１３の側面を覆っている絶縁体層３０ａの側面は、ｚ軸方向の正方向側を向く斜面をなしている。これにより、絶縁体層３０ａの上面と側面とは鈍角をなすようになる。
【００５１】
ここで、外部電極２０は、図４に示すように、積層体１６（絶縁体層３０ａ）の上面及び側面に跨って設けられている。絶縁体層３０ａの上面と側面とは鈍角をなしている。よって、絶縁体層３０ａの上面と側面との角を覆うように外部電極２０が形成されやすくなる。その結果、電子部品１０において、外部電極２０の形成不良が抑制される。
【００５２】
なお、電子部品１０は、外部電極２０の形成不良を抑制するのに特に適している。より詳細には、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２は、積層体１６に内蔵されているコイルＬ１，Ｌ２に直接に接続されている。そのため、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２は、表面にめっきが施される場合に、他の外部電極１８ａ，１８ｂ，２２及びコイルＬ１，Ｌ２を介して、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２に対して給電される。よって、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２には、形成不良が比較的に発生しにくい。
【００５３】
一方、外部電極２０は、積層体１６に内蔵されているコイルＬ１，Ｌ２に直接に接続されていない。そのため、外部電極２０の表面にメッキを施す場合には、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２及びコイルＬ１，Ｌ２を介して外部電極２０に対して給電されない。よって、外部電極２０には、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２に比べて形成不良が発生しやすい。よって、電子部品１０は、外部電極２０の形成不良を抑制するのに特に適している。
【００５４】
（その他の実施形態）
以上のように構成された電子部品１０は前記実施形態に示したものに限らない。よって、電子部品１０はその要旨の範囲内において変更可能である。
【００５５】
電子部品１０では、図４に示すように、絶縁体層３０ｃ，３０ｄは２層で１つの段を構成している。しかしながら、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅはそれぞれ、１つの段を構成していてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
以上のように、本発明は、電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、積層体の上面及び側面に跨って形成される外部電極の形成不良を抑制できる点において優れている。
【符号の説明】
【００５７】
Ｌ１，Ｌ２ コイル
ｂ１〜ｂ６ ビアホール導体
１０ 電子部品
１２，１４，１６ 積層体
１３ 部分積層体
１８ａ，１８ｂ，２０，２２ 外部電極
３０ａ〜３０ｅ，３２ａ〜３２ｌ 絶縁体層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、積層体に外部電極が設けられている電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の電子部品が知られている。図９は、特許文献１に記載の電子部品５００の部分拡大図である。該電子部品５００では、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板５０２上に、フォトリソグラフィ工程により樹脂の絶縁体層５０１が積層されてなる積層体５０４が設けられている。そして、積層体５０４の側面及び上面に跨るように外部電極５０６が設けられている。
【０００３】
ところで、特許文献１に記載の電子部品では、絶縁体層５０１はフォトリソグラフィ工程により作製されるため、比較的に滑らかな主面を有している。そのため、絶縁体層５０１同士の密着力が比較的に弱く、積層体５０４の側面において、絶縁体層５０１間の剥離が発生し易い。
【０００４】
そこで、特許文献１に記載の電子部品において、以下に説明する工夫が施されることが知られている。図１０は、絶縁体層５０１間の剥離を抑制する構成を有する電子部品６００の部分拡大図である。
【０００５】
図１０に示す電子部品６００では、積層方向の最も上側に位置している絶縁体層５０１（以下、絶縁体層５０１ａと称す）により、その他の絶縁体層５０１（以下、絶縁体層５０１ｂと称す）の側面を覆っている。これにより、絶縁体層５０１ｂの接合面が、絶縁体層５０１ａにより覆い隠されるようになる。その結果、絶縁体層５０１ｂ間の剥離が抑制される。
【０００６】
しかしながら、電子部品６００は、図１０に示すように、外部電極５０６の形成不良が発生しやすいという問題を有している。より詳細には、電子部品６００では、絶縁体層５０１ａ，５０１ｂはフォトリソグラフィ工程により形成される。フォトリソグラフィ工程では、感光性樹脂を露光して硬化させた後に、未硬化の感光性樹脂を現像液で除去する。例えば、絶縁体層５０１ａを形成する際には、積層体５０４及びＬＴＣＣ基板５０２の上面が覆われるように、感光性樹脂を塗布する。そして、感光性樹脂をマスクを介して露光する。この際、絶縁体層５０１ａが絶縁体層５０１ｂの側面を覆うように、絶縁体層５０１ｂから僅かにはみ出した領域まで、絶縁体層５０１ａを露光する。
【０００７】
ところが、絶縁体層５０１ａの側面は、絶縁体層５０１ｂの積層方向の厚みと同じだけの高さを有している。そのため、絶縁体層５０１ａの側面の下部が十分に露光されないおそれがある。したがって、絶縁体層５０１ａの側面の下部は、絶縁体層５０１ａの側面の上部に比べて現像液によって除去されやすい。すなわち、絶縁体層５０１ａの側面の上部における厚みが、絶縁体層５０１ａの側面の下部における厚みよりも厚くなってしまう。その結果、絶縁体層５０１ａの側面は、絶縁体層５０１ａの上面に対して鋭角をなすようになる。絶縁体層５０１ａの側面と絶縁体層５０１ａの上面とが鋭角をなすと、絶縁体層５０１ａの側面と絶縁体層５０１ａの上面との角における外部電極５０６の被覆性が悪くなってしまう。その結果、図１０に示すように絶縁体層５０１ａの側面と絶縁体層５０１ａの上面との角に、十分な厚みを有する外部電極５０６が形成されにくい。すなわち、外部電極５０６の形成不良が発生するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−２６７０７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明の目的は、積層体の上面及び側面に跨って形成される外部電極の形成不良を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一形態に係る電子部品は、積層されることにより部分積層体を構成している複数の第１の絶縁体層と、該部分積層体の側面及び上面を覆っている第２の絶縁体層とにより構成されている積層体と、前記積層体の上面及び側面に跨って設けられている外部電極と、を備えており、前記部分積層体の側面は、前記複数の第１の絶縁体層の側面及び上面により構成され、かつ、踏み板が積層方向の上側を向く階段状をなしていること、を特徴とする。
【００１１】
前記電子部品の製造方法は、複数の第１の絶縁体層を積層して部分積層体を形成する第１の工程と、前記部分積層体の側面及び上面を覆う第２の絶縁体層を、フォトリソグラフィ工程により形成する第２の工程と、前記第２の絶縁体層の上面及び側面に跨る外部電極を形成する第３の工程と、を備えており、前記第１の工程では、前記部分積層体の側面が、前記複数の第１の絶縁体層の側面及び主面により構成され、かつ、踏み板が積層方向の上側を向く階段状をなすように、該複数の第１の絶縁体層を積層すること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、積層体の上面及び側面に跨って形成される外部電極の形成不良を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。
【図２】一実施形態に係る電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図３】電子部品の等価回路図である。
【図４】電子部品の断面構造図である。
【図５】電子部品の製造時における工程断面図である。
【図６】電子部品の製造時における工程断面図である。
【図７】電子部品の製造時における工程断面図である。
【図８】カット工程での電子部品をｚ軸方向から平面視した図である。
【図９】特許文献１に記載の電子部品の部分拡大図である。
【図１０】絶縁体層間の剥離を抑制する構成を有する電子部品の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１５】
（電子部品の構成について）
図１は、一実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、一実施形態に係る電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。図３は、電子部品１０の等価回路図である。図４は、電子部品１０の断面構造図である。以下、電子部品１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。そして、ｚ軸方向から平面視したときに、電子部品１０の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。
【００１６】
電子部品１０は、図１及び図２に示すように、積層体１２、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０，２２、引き出し導体４２ａ，４６ａ，４８，５２ａ〜５２ｆ、コイルＬ１，Ｌ２及びコンデンサＣを備えている。積層体１２は、直方体形状をなし、図１に示すように、積層体１４と積層体１６とが積層されて構成され、直方体状をなしている。積層体１６は、積層体１４上に設けられている。外部電極１８ａは、積層体１２のｘ軸方向の負方向側に位置する側面に設けられている。外部電極１８ｂは、積層体１２のｘ軸方向の正方向側に位置する側面に設けられており、外部電極１８ａと同じ形状を有している。これにより、外部電極１８ａ，１８ｂは、積層体１２の互いに対向する側面に設けられている。外部電極２０は、積層体１２のｙ軸方向の負方向側に位置する側面に設けられている。外部電極２２は、積層体１２のｙ軸方向の正方向側に位置する側面に設けられており、外部電極２０と同じ形状を有している。これにより、外部電極２０，２２は、積層体１２の互いに対向する側面に設けられている。
【００１７】
積層体１６は、コイルＬ１，Ｌ２及び引き出し導体４２ａ，４６ａ，４８を内蔵している。以下に、積層体１６について、図２を参照しながら詳細に説明する。
【００１８】
積層体１６は、絶縁体層３０ａ〜３０ｅがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されることにより構成されている。また、絶縁体層３０ｃ〜３０ｅは、部分積層体１３を構成している。絶縁体層３０ａ〜３０ｅは、例えば、ポリイミド樹脂等の透明な絶縁性材料からなる矩形状の層である。該絶縁体層３０ａ〜３０ｅは、ｚ軸方向から平面視した場合に、積層体１４よりも小さく形成されている。これにより、積層体１４は、絶縁体層３０ａ〜３０ｅの四辺からはみ出した状態となっている。
【００１９】
コイルＬ１は、コイル導体４０ａ〜４０ｄ及びビアホール導体ｂ１〜ｂ３により構成されている。コイル導体４０ａ〜４０ｄはそれぞれ、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成されている。コイル導体４０ａ〜４０ｄはそれぞれ、線状導体が折り曲げられることによって、渦巻き形状をなしている。具体的には、コイル導体４０ａ，４０ｃは、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、時計回りに旋廻しながら中心に向かっていく渦巻き形状をなしている。コイル導体４０ｂ，４０ｄは、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、反時計回りに旋廻しながら中心に向かっていく渦巻き形状をなしている。
【００２０】
ビアホール導体ｂ１〜ｂ３はそれぞれ、絶縁体層３０ｂ〜３０ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向に互いに隣り合うコイル導体４０ａ〜４０ｄを接続している。具体的には、ビアホール導体ｂ１は、コイル導体４０ａ，４０ｂを接続している。ビアホール導体ｂ２は、コイル導体４０ｂ，４０ｃを接続している。ビアホール導体ｂ３は、コイル導体４０ｃ，４０ｄを接続している。これにより、コイル導体４０ａ〜４０ｄ及びビアホール導体ｂ１〜ｂ３は、コイルＬ１を構成している。
【００２１】
引き出し導体４２ａは、絶縁体層３０ｂの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成されている。そして、引き出し導体４２ａは、コイル導体４０ａに接続されていると共に、絶縁体層３０ｂのｘ軸方向の負方向側に位置する短辺に引き出されている。これにより、コイル導体４０ａは、外部電極１８ａに電気的に接続されている。すなわち、コイルＬ１の一端は、引き出し導体４２ａを介して、外部電極１８ａに電気的に接続されている。
【００２２】
コイルＬ２は、コイル導体４４ａ〜４４ｄ及びビアホール導体ｂ４〜ｂ６により構成されており、コイルＬ１とｘ軸方向に並んでいる。コイル導体４４ａ〜４４ｄはそれぞれ、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの主面上において、コイル導体４０ａ〜４０ｄのｘ軸方向の正方向側に並ぶように、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成されている。コイル導体４４ａ〜４４ｄはそれぞれ、線状導体が折り曲げられることによって、渦巻き形状をなしている。具体的には、コイル導体４４ａ，４４ｃは、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、反時計回りに旋廻しながら中心に向かっていく渦巻き形状をなしている。コイル導体４４ｂ，４４ｄは、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、時計回りに旋廻しながら中心に向かっていく渦巻き形状をなしている。
【００２３】
ビアホール導体ｂ４〜ｂ６はそれぞれ、絶縁体層３０ｂ〜３０ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向に互いに隣り合うコイル導体４４ａ〜４４ｄを接続している。具体的には、ビアホール導体ｂ４は、コイル導体４４ａ，４４ｂを接続している。ビアホール導体ｂ５は、コイル導体４４ｂ，４４ｃを接続している。ビアホール導体ｂ６は、コイル導体４４ｃ，４４ｄを接続している。これにより、コイル導体４４ａ〜４４ｄ及びビアホール導体ｂ４〜ｂ６は、コイルＬ２を構成している。
【００２４】
引き出し導体４６ａは、絶縁体層３０ｂの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成されている。そして、引き出し導体４６ａは、コイル導体４４ａに接続されていると共に、絶縁体層３０ｂのｘ軸方向の正方向側に位置する短辺に引き出されている。これにより、コイル導体４４ａは、外部電極１８ｂに電気的に接続されている。すなわち、コイルＬ２の一端は、引き出し導体４６ａを介して、外部電極１８ｂに電気的に接続されている。
【００２５】
引き出し導体４８は、絶縁体層３０ｅの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成されている。そして、引き出し導体４８は、コイル導体４０ｄ，４４ｄに接続されていると共に、絶縁体層３０ｅのｙ軸方向の正方向側の長辺に引き出されている。これにより、コイル導体４０ｄ，４４ｄは、外部電極２２に電気的に接続されている。すなわち、コイルＬ１，Ｌ２の他端は、引き出し導体４８を介して、外部電極２２に電気的に接続されている。
【００２６】
積層体１４は、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板であり、直方体状をなしている。積層体１４は、ｚ軸方向から平面視したときに、積層体１６よりも大きくなるように形成されている。また、積層体１４は、コンデンサＣ及び引き出し導体５２ａ〜５２ｆを内蔵している。積層体１４は、積層体１６よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。よって、コンデンサＣは、コイルＬ１，Ｌ２よりも積層方向の負方向側に設けられている。
【００２７】
積層体１４は、絶縁体層３２ａ〜３２ｌが積層されることにより構成されている。絶縁体層３２ａ〜３２ｌは、例えば、誘電体材料からなる矩形状の層である。なお、絶縁体層３２ａ〜３２ｌは、１２枚記載されているが、１２枚以上であってもよい。そのため、図２では、絶縁体層３２ｆと絶縁体層３２ｇとの間を点線で繋いで、絶縁体層３２ｆと絶縁体層３２ｇとの間に更なる絶縁体層３２が設けられていてもよいことを示している。
【００２８】
コンデンサＣは、コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆにより構成されている。コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆはそれぞれ、絶縁体層３２ｄ〜３２ｉの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成されている。コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆはそれぞれ、矩形状を有している。
【００２９】
引き出し導体５２ａ〜５２ｆはそれぞれ、絶縁体層３２ｄ〜３２ｉの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成されている。引き出し導体５２ａ，５２ｃ，５２ｅはそれぞれ、コンデンサ導体５０ａ，５０ｃ，５０ｅに接続されていると共に、絶縁体層３２ｄ，３２ｆ，３２ｈのｙ軸方向の負方向側の長辺に引き出されている。これにより、コンデンサ導体５０ａ，５０ｃ，５０ｅは、外部電極２０に電気的に接続されている。引き出し導体５２ｂ，５２ｄ，５２ｆはそれぞれ、コンデンサ導体５０ｂ，５０ｄ，５０ｆに接続されていると共に、絶縁体層３２ｅ，３２ｇ，３２ｉのｙ軸方向の正方向側の長辺に引き出されている。これにより、コンデンサ導体５０ｂ，５０ｄ，５０ｆは、外部電極２２に電気的に接続されている。
【００３０】
コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆ及び引き出し導体５２ａ〜５２ｆが以上の構成を有することにより、コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆは、コンデンサＣを構成している。より詳細には、コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆは、絶縁体層３２ａ〜３２ｌがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層されることにより、ｚ軸方向に対向するもの同士でコンデンサＣを構成している。そして、引き出し導体５２ａ，５２ｃ，５２ｅが、外部電極２０に接続され、引き出し導体５２ｂ，５２ｄ，５２ｆが、外部電極２２に接続されている。
【００３１】
ここで、コンデンサ導体５０ｂ，５０ｄ，５０ｆは、外部電極２２に電気的に接続されており、コイルＬ１，Ｌ２の他端も、外部電極２２に電気的に接続されている。その結果、コンデンサＣ及びコイルＬ１，Ｌ２は、図３に示すように、Ｔ型ＬＣノイズフィルタを構成している。
【００３２】
ところで、電子部品１０は、以下に説明するように，外部電極１８ａ，１８ｂ，２０，２２の形成不良を抑制するための構造を有している。図４は、電子部品１０の積層体１４，１６及び外部電極２０の断面構造図である。
【００３３】
図４に示すように、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅは、ｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層され、部分積層体１３を構成している。部分積層体１３の側面は、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの側面及び上面により構成され、かつ、踏み板がｚ軸方向の正方向側を向く階段状をなしている。より詳細には、図４では、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅのｙ軸方向の負方向側の側面は、ｚ軸方向の正方向側から負方向側へといくにしたがって、ｙ軸方向の負方向側に突出している。これにより、絶縁体層３０ｃ，３０ｅの上面の一部が露出している。よって、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの側面は、絶縁体層３０ｅの下面（すなわち、積層体１４の上面）に対して鋭角の勾配を有する階段状をなしている。その結果、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの側面は、絶縁体層３０ｂの上面に対して鈍角をなしている。
【００３４】
絶縁体層３０ａは、図４に示すように、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの内の最上層に位置する絶縁体層３０ｂ上に積層され、かつ、部分積層体１３の側面及び上面を覆っている。そして、部分積層体１３の側面を覆っている絶縁体層３０ａの側面は、ｚ軸方向の正方向側を向く斜面をなしている。
【００３５】
外部電極２０は、図４に示すように、積層体１６の上面及び側面に跨って設けられている。外部電極２０は、絶縁体層３０ａの上面及び側面に倣った形状を有している。すなわち、絶縁体層３０ａの側面を覆っている外部電極２０の側面は、ｚ軸方向の正方向側を向く斜面をなしている。
【００３６】
なお、本実施形態では、外部電極２０を例にとって説明したが、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２も外部電極２０と同じ構造を有している。ただし、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２は、積層体１６に内蔵されているコイルＬ１，Ｌ２に直接に接続されているのに対して、外部電極２０は、積層体１６に内蔵されているコイルＬ１，Ｌ２に直接に接続されていない。
【００３７】
（製造方法について）
以下に、電子部品１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図５ないし図７は、電子部品１０の製造時における工程断面図である。図８は、カット工程での電子部品１０をｚ軸方向から平面視した図である。図５ないし図７では、１個分の電子部品１０の製造工程が示されているが、実際には、複数の電子部品１０がマトリクス状に配置された状態で一括して製造されている。
【００３８】
まず、図２に示す積層体１４を作製する。より詳細には、所定の材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、セラミック粉末を得る。
【００３９】
このセラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、シート状に形成して乾燥させ、絶縁体層３２ａ〜３２ｌとなるべきセラミックグリーンシートを得る。
【００４０】
次に、絶縁体層３２ｄ〜３２ｉとなるべきセラミックグリーンシート上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆ及び引き出し導体５２ａ〜５２ｆを形成する。
【００４１】
次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、上から順に絶縁体層３２ａ〜３２ｌを重ねて静水圧プレスなどにより圧着を行う。この後、焼成を施して、積層体１４のマザー積層体を得る。
【００４２】
次に、図５（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる絶縁体層３０ｅを、積層体１４上にフォトリソグラフィにより形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、絶縁体層３０ｅ上に、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料からなる導電層４０ｄＡ，４４ｄＡをスパッタリングや蒸着等のドライめっき法により形成する。
【００４３】
次に、導電層４０ｄＡ，４４ｄＡ上に感光性レジストを塗布、乾燥した後、この感光性レジストにマスクフィルムを当てて所望の部分を露光する。次に、感光性レジストを現像し、図５（ｃ）に示すように、導電層４０ｄＡ，４４ｄＡの不要な部分が露出した形状を有するレジストパターン７０ａを形成する。
【００４４】
次に、露出した部分の導電層４０ｄＡ，４４ｄＡをエッチングにて除去した後、レジストパターン７０ａを除去することにより、図６（ａ）に示すように、コイル導体４０ｄ，４４ｄ及び引き出し導体４８（図６（ａ）には不図示）を形成する。
【００４５】
次に、図６（ｂ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる絶縁体層３０ｄを、絶縁体層３０ｅ、コイル導体４０ｄ，４４ｄ及び引き出し導体４８上にフォトリソグラフィにより形成する。この際、絶縁体層３０ｅの側面が絶縁体層３０ｄの側面からはみ出すように、絶縁体層３０ｄを形成する。これにより、絶縁体層３０ｄと絶縁体層３０ｅとの間に段差を形成する。更に、絶縁体層３０ｄのビアホール導体ｂ３，ｂ６が形成されるべき位置に、ビアホールｈ１を形成する。
【００４６】
次に、図６（ｃ）に示すように、絶縁体層３０ｄ上に、導電層４０ｃＡ，４４ｃＡをドライめっき法により形成する。この際、ビアホールｈ１に導電性材料を充填し、ビアホール導体ｂ３，ｂ６を形成する。この後、この導電層４０ｃＡ，４４ｃＡには、図５（ｃ）〜図６（ｂ）を用いて説明した処理を施す。これにより、コイル導体４０ｃ，４４ｃ及び絶縁体層３０ｃを、絶縁体層３０ｄ上に形成する。更に、図５（ｃ）〜図６（ｂ）を用いて説明した処理を繰り返して、コイル導体４０ａ，４０ｂ，４４ａ，４４ｂ、引き出し導体４２ａ，４６ａ及び絶縁体層３０ｂを形成する。この際、絶縁体層３０ｃの外縁が絶縁体層３０ｂの外縁からはみ出すように、絶縁体層３０ｂを形成する。これにより、絶縁体層３０ｃと絶縁体層３０ｂとの間に段差を形成する。以上のように、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅの形成時には、踏み板がｚ軸方向の正方向側を向く階段状をなす側面を有するように積層されるように、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅを形成する。以上の工程により部分積層体１３を作製する。
【００４７】
次に、図７（ａ）に示すように、部分積層体１３の側面及び上面を覆うようにポリイミド樹脂からなる樹脂層３０ａＡを形成する。そして、所定のマスクを介して露光処理を施すことにより、樹脂層３０ａＡを硬化させる。この後、硬化した樹脂層３０ａＡに現像処理を施す。以上の露光処理及び現像処理により、図７（ｂ）に示すように、部分積層体１３の側面及び上面を覆う絶縁体層３０ａをフォトリソグラフィ工程により形成する。
【００４８】
この後、積層体１２のマザー積層体がダイサーによりカットされて、個々の積層体１２に切り離される。この際、図８の点線部分に示すように、絶縁体層３０ａ〜３０ｅが形成されていない部分をダイサーが通過するように、マザー積層体をカットする。更に、カットした積層体１２に対してバレルを施す。これにより、積層体１２の角の面取りが行われる。
【００４９】
最後に、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０，２２を形成する。具体的には、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｕ及び樹脂からなる導電性ペーストを塗布し、硬化させて電極を形成する。次に、該電極上にＮｉめっき及びＳｎめっきを施して、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０，２２を形成する。以上の工程を経て、電子部品１０が完成する。
【００５０】
（効果）
本実施形態に係る電子部品１０によれば、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０，２２の形成不良を抑制できる。より詳細には、部分積層体１３の側面は、踏み板がｚ軸方向の正方向側を向く階段状をなしている。これにより、部分積層体１３の側面は、部分積層体１３の上面に対して鈍角をなしている。そして、絶縁体層３０ａは、図４に示すように、部分積層体１３の側面及び上面を覆っている。そのため、部分積層体１３の側面を覆っている絶縁体層３０ａの側面は、ｚ軸方向の正方向側を向く斜面をなしている。これにより、絶縁体層３０ａの上面と側面とは鈍角をなすようになる。
【００５１】
ここで、外部電極２０は、図４に示すように、積層体１６（絶縁体層３０ａ）の上面及び側面に跨って設けられている。絶縁体層３０ａの上面と側面とは鈍角をなしている。よって、絶縁体層３０ａの上面と側面との角を覆うように外部電極２０が形成されやすくなる。その結果、電子部品１０において、外部電極２０の形成不良が抑制される。
【００５２】
なお、電子部品１０は、外部電極２０の形成不良を抑制するのに特に適している。より詳細には、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２は、積層体１６に内蔵されているコイルＬ１，Ｌ２に直接に接続されている。そのため、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２は、表面にめっきが施される場合に、他の外部電極１８ａ，１８ｂ，２２及びコイルＬ１，Ｌ２を介して、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２に対して給電される。よって、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２には、形成不良が比較的に発生しにくい。
【００５３】
一方、外部電極２０は、積層体１６に内蔵されているコイルＬ１，Ｌ２に直接に接続されていない。そのため、外部電極２０の表面にメッキを施す場合には、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２及びコイルＬ１，Ｌ２を介して外部電極２０に対して給電されない。よって、外部電極２０には、外部電極１８ａ，１８ｂ，２２に比べて形成不良が発生しやすい。よって、電子部品１０は、外部電極２０の形成不良を抑制するのに特に適している。
【００５４】
（その他の実施形態）
以上のように構成された電子部品１０は前記実施形態に示したものに限らない。よって、電子部品１０はその要旨の範囲内において変更可能である。
【００５５】
電子部品１０では、図４に示すように、絶縁体層３０ｃ，３０ｄは２層で１つの段を構成している。しかしながら、絶縁体層３０ｂ〜３０ｅはそれぞれ、１つの段を構成していてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
以上のように、本発明は、電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、積層体の上面及び側面に跨って形成される外部電極の形成不良を抑制できる点において優れている。
【符号の説明】
【００５７】
Ｌ１，Ｌ２ コイル
ｂ１〜ｂ６ ビアホール導体
１０ 電子部品
１２，１４，１６ 積層体
１３ 部分積層体
１８ａ，１８ｂ，２０，２２ 外部電極
３０ａ〜３０ｅ，３２ａ〜３２ｌ 絶縁体層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層されることにより部分積層体を構成している複数の第１の絶縁体層と、該部分積層体の側面及び上面を覆っている第２の絶縁体層とにより構成されている積層体と、
前記積層体の上面及び側面に跨って設けられている外部電極と、
を備えており、
前記部分積層体の側面は、前記複数の第１の絶縁体層の側面及び上面により構成され、かつ、踏み板が積層方向の上側を向く階段状をなしていること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記部分積層体の側面を覆っている前記第２の絶縁体層の側面は、積層方向の上側を向く斜面をなしていること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記電子部品は、
前記積層体に内蔵されている回路素子を、
更に備えており、
前記外部電極は、前記回路素子と直接に接続されていないこと、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
【請求項４】
前記外部電極には、めっき処理が施されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記第１の絶縁体層及び前記第２の絶縁体層は、フォトリソグラフィ工程により形成されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項６】
前記電子部品は、
基板を、
更に備えており、
前記積層体は、前記基板上に設けられていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
複数の第１の絶縁体層を積層して部分積層体を形成する第１の工程と、
前記部分積層体の側面及び上面を覆う第２の絶縁体層を、フォトリソグラフィ工程により形成する第２の工程と、
前記第２の絶縁体層の上面及び側面に跨る外部電極を形成する第３の工程と、
を備えており、
前記第１の工程では、前記部分積層体の側面が、前記複数の第１の絶縁体層の側面及び主面により構成され、かつ、踏み板が積層方向の上側を向く階段状をなすように、該複数の第１の絶縁体層を積層すること、
を特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１】
積層されることにより部分積層体を構成している複数の第１の絶縁体層と、該部分積層体の側面及び上面を覆っている第２の絶縁体層とにより構成されている積層体と、
前記積層体の上面及び側面に跨って設けられている外部電極と、
を備えており、
前記部分積層体の側面は、前記複数の第１の絶縁体層の側面及び上面により構成され、かつ、踏み板が積層方向の上側を向く階段状をなしていること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記部分積層体の側面を覆っている前記第２の絶縁体層の側面は、積層方向の上側を向く斜面をなしていること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記電子部品は、
前記積層体に内蔵されている回路素子を、
更に備えており、
前記外部電極は、前記回路素子と直接に接続されていないこと、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
【請求項４】
前記外部電極には、めっき処理が施されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記第１の絶縁体層及び前記第２の絶縁体層は、フォトリソグラフィ工程により形成されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項６】
前記電子部品は、
基板を、
更に備えており、
前記積層体は、前記基板上に設けられていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
複数の第１の絶縁体層を積層して部分積層体を形成する第１の工程と、
前記部分積層体の側面及び上面を覆う第２の絶縁体層を、フォトリソグラフィ工程により形成する第２の工程と、
前記第２の絶縁体層の上面及び側面に跨る外部電極を形成する第３の工程と、
を備えており、
前記第１の工程では、前記部分積層体の側面が、前記複数の第１の絶縁体層の側面及び主面により構成され、かつ、踏み板が積層方向の上側を向く階段状をなすように、該複数の第１の絶縁体層を積層すること、
を特徴とする電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１１−２３８８３９（Ｐ２０１１−２３８８３９Ａ）
【公開日】平成２３年１１月２４日（２０１１．１１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１１０１９６（Ｐ２０１０−１１０１９６）
【出願日】平成２２年５月１２日（２０１０．５．１２）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月２４日（２０１１．１１．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年５月１２日（２０１０．５．１２）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
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