ＡＭ放送受信機
【課題】 回路構成を複雑にすることなく強電界時の歪み発生を抑えることを目的とする。
【解決手段】 ＡＭ放送信号を増幅する前置増幅素子２２と、少なくとも高周波増幅回路２６ｂ及び周波数変換回路２６ｃを有すると共に、トランス２５を介して前置増幅素子２２の出力端に結合されたＡＭフロントエンドＩＣ２６とを備え、前置増幅素子２２の入力端には、電源にプルアップされた第１の抵抗２３とグランドに接続された第２の抵抗２４との直列回路によって分圧されたバイアス電圧を印加し、ＡＭ放送信号が強電界の時に第２の抵抗２４に第３の抵抗２８を並列接続した。
【解決手段】 ＡＭ放送信号を増幅する前置増幅素子２２と、少なくとも高周波増幅回路２６ｂ及び周波数変換回路２６ｃを有すると共に、トランス２５を介して前置増幅素子２２の出力端に結合されたＡＭフロントエンドＩＣ２６とを備え、前置増幅素子２２の入力端には、電源にプルアップされた第１の抵抗２３とグランドに接続された第２の抵抗２４との直列回路によって分圧されたバイアス電圧を印加し、ＡＭ放送信号が強電界の時に第２の抵抗２４に第３の抵抗２８を並列接続した。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話機等の携帯機器に内蔵するのに好適なＡＭ放送受信機に関する。
【背景技術】
【０００２】
図２において、アンテナ入力端Ｐは同調コイル１と一対の可変容量ダイオード２ａ、２ｂと調整用コンデンサ３とからなるバンドパス型のアンテナ同調回路４に接続してあり、このアンテナ同調回路４に、ダンピング用コンデンサＣ２と一対のピンダイオード５ａ、５ｂからなる減衰回路６との直列回路が並列接続され、前記コンデンサＣ２と減衰回路６との接続点に結合コンデンサＣ３を介してＭＯＳＦＥＴからなる高周波増幅素子７の第一ゲートｇ１が接続され、そのドレインｄは、結合コンデンサＣ４を介して同調コイル８と一対の可変容量ダイオード９あ、９ｂからなるπ型接続の高周波同調回路１０に接続されたのち、ドレインが接地されたインピーダンス変換素子１１のゲートｇに接続してある。また、インピーダンス変換素子１１のソースｓはコンデンサＣ５を介して周波数変換回路１２、中間周波増幅回路１４および利得制御回路１３からなるＦＭフロントエンドＩＣ１５の周波数変換回路１２の入力端子である第５端子に接続され、前記ＦＭフロントエンドＩＣ１５のＡＧＣ電圧の出力端である第６端子は、前記減衰回路６に接続してある。
【０００３】
入力端子Ｐに入力した信号はアンテナ同調回路４により同調選択される。ここで、アンテナ入力端Ｐに入力する信号の電界強度が弱い場合には、ＦＭフロントエンドＩＣ１５の第６端子から出力するＡＧＣ電圧も低いので、減衰回路６のインピーダンスは高く、従ってアンテナ同調回路４により同調選択された信号は減衰されることなく、ダンピング用コンデンサＣ２及び結合コンデンサＣ３を介して高周波増幅素子７の第１ゲートｇ１に入力して増幅され、その信号は結合コンデンサＣ４を介して高周波同調回路１０に入力し、該回路１０で再度共振選択されたのち、インピーダンス変換素子１１のゲートｇに入力する。
【０００４】
ここで、高周波同調回路１０はインピーダンスが高く、従って該回路１０の出力をインピーダンス変換素子１１のゲートｇにより高入力インピーダンスで入力するので、高い選択度が得られる。前記インピーダンス変換素子１１に入力した信号は、低出力インピーダンスに変換されてそのソースから結合コンデンサＣ５を介して周波数変換回路１２に第５端子から入力し、中間周波信号に変換されたのち、第８及び第９端子よりそれぞれ出力し、その出力は中間周波トランスＴ及び抵抗Ｒ１とセラミックフィルタＦとの直列回路を介して第１２端子より中間周波増幅回路１４に入力して増幅され、その増幅出力は第１５端子から検波段に出力される。
【０００５】
また、中間周波トランスＴを経た広帯域の中間周波信号の一部は、抵抗Ｒ２とコンデンサＣ６の直列回路を介して第１０端子より利得制御回路１３に入力し、該回路１３からは減衰回路６のピンダイオード駆動用のＡＧＣ電圧と、高周波増幅素子７の制御用のＡＧＣ電圧とが生じ、これらのＡＧＣ電圧は、第６端子及び第１３端子よりそれぞれ出力する。
【０００６】
アンテナ入力信号の電界強度が強くなると、利得制御回路１３より出力するピンダイオード駆動用のＡＧＣ電圧も高くなるので、減衰回路６が駆動して該回路のインピーダンスが減少し、これによってアンテナ同調回路４の選択度特性が低下すると共に、結合コンデンサＣ３を介して高周波増幅素子７に入力する信号も結合コンデンサＣ３の前段でダンピング用コンデンサＣ２と減衰回路６とのインピーダンス比で減圧され、高周波増幅素子７の前段で大きな減衰量が得られる。次いで、さらに電界強度が強くなると、前記減衰回路６による減衰作用に加え、ＦＭフロントエンドＩＣ１５の第１３端子から高周波増幅素子７の第２ゲートｇ２に制御電圧が印加して高周波増幅素子７の増幅率を制限する（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
【特許文献１】特開平０５−０４８３６１号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の構成では、高周波増幅素子７の前段に減衰回路６を設けて、強電界時に入力信号を減衰するようにしているが、減衰回路を設けることはそれだけ全体の回路構成を複雑にしている。また、減衰回路にはピンダイオードを使用しているので、非直線歪みを発生する。
【０００９】
本発明は、回路構成を複雑にすることなく強電界時の歪み発生を抑えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題に対して、第１の解決手段は、ＡＭ放送信号を増幅する前置増幅素子と、少なくとも高周波増幅回路及び周波数変換回路を有すると共に、同調用のトランスを介して前記前置増幅素子の出力端に結合されたＡＭフロントエンドＩＣとを備え、前記前置増幅素子の入力端には、電源にプルアップされた第１の抵抗とグランドに接続された第２の抵抗との直列回路によって分圧されたバイアス電圧を印加し、前記ＡＭ放送信号が強電界の時に前記第２の抵抗に第３の抵抗を並列接続した。
【００１１】
また、第２の解決手段は、前記トランスの一次側巻線の一端にＱダンプ用の可変抵抗手段を介して前記電源を印加し、前記前置増幅素子の出力端には前記一次巻線の他端から前記電源を供給し、前記ＡＭ放送信号が強電界の時に前記可変抵抗手段の抵抗値を増加させた。
【００１２】
また、第３の解決手段は、前記可変抵抗手段をピンダイオードで構成し、前記前置増幅素子の出力端には前記一次巻線の他端から前記電源を供給し、エミッタが接地されると共に、コレクタが第４の抵抗を介して前記電源にプルアップされたスイッチトランジスタを設け、前記第３の抵抗を前記前置増幅素子の入力端と前記スイッチトランジスタのコレクタとの間に接続し、前記ＡＭ放送信号の強電界時に前記スイッチトランジスタをオンにした。
【００１３】
また、第４の解決手段は、前記スイッチトランジスタと前記第４の抵抗とを前記ＡＭフロントエンドＩＣ内に構成した。
【発明の効果】
【００１４】
第１の解決手段によれば、ＡＭ放送信号を増幅する前置増幅素子と、少なくとも高周波増幅回路及び周波数変換回路を有すると共に、同調用のトランスを介して前置増幅素子の出力端に結合されたＡＭフロントエンドＩＣとを備え、前置増幅素子の入力端には、電源にプルアップされた第１の抵抗とグランドに接続された第２の抵抗との直列回路によって分圧されたバイアス電圧を印加し、ＡＭ放送信号が強電界の時に第２の抵抗に第３の抵抗を並列接続したので、前置増幅素子のバイアス電圧が低下して利得が低下すると共に、入力される受信信号のレベルが低下して歪みが発生し難くなる。
【００１５】
また、第２の解決手段によれば、トランスの一次側巻線の一端にＱダンプ用の可変抵抗手段を介して電源を印加し、前置増幅素子の出力端には一次巻線の他端から電源を供給し、ＡＭ放送信号が強電界の時に可変抵抗手段の抵抗値を増加させたので、同調のＱがダンピングされ、ＡＭフロントエンドＩＣに入力される信号レベルは一層低下するので歪みに対して更に有利となる。
【００１６】
また、第３の解決手段によれば、可変抵抗手段をピンダイオードで構成し、前置増幅素子の出力端には一次巻線の他端から電源を供給し、エミッタが接地されると共に、コレクタが第４の抵抗を介して電源にプルアップされたスイッチトランジスタを設け、第３の抵抗を前置増幅素子の入力端とスイッチトランジスタのコレクタとの間に接続し、ＡＭ放送信号の強電界時にスイッチトランジスタをオンにしたので、前置増幅素子のバイアス電圧を低下させると共に、ピンダイオードの等価的な抵抗値を大きくすることができる。
【００１７】
また、第４の解決手段によれば、スイッチトランジスタと第４の抵抗とをＡＭフロントエンドＩＣ内に構成したので、構成を複雑にすることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１を参照して本発明のＡＭ放送受信機を説明する。ヘッドフォン用のラインで代用されるアンテナ２１に前置増幅素子２２が結合される。前置増幅素子２２はＦＥＴで構成され、その出力端であるドレインと入力端であるゲートとの間には第１の抵抗２３が接続され、ゲートとグランドとの間には第２の抵抗２４が接続される。基準端であるソースは接地される。
【００１９】
前置増幅素子２２にはトランス２５を介してＡＭフロントエンドＩＣ（集積回路）２６が結合される。トランス２５の一次巻線２５ａの一端には可変抵抗手段としての機能を有するピンダイオード２７を介して電源Ｂが供給される。一次巻線２５ａの他端は前置増幅素子２２のドレインに接続される。
【００２０】
ＡＭフロントエンドＩＣ２６内には、その入力段に容量ブロック２６ａが設けられると共に、その後段側には高周波増幅回路２６ｂ、周波数変換回路２６ｃ、及び図示しない検波手段等が設けられる。そして、トランス２５の二次巻線２５ｂが容量ブロックに２６ａ並列接続される。容量ブロック２６ａは可変容量手段で構成され、二次巻き線２５ｂと共に並列共振回路を構成し、受信すべき信号に同調するように制御される。また、ＡＭフロントエンドＩＣ２６内には、検波回路によって制御されるスイッチトランジスタ２６ｄと、そのコレクタを電源Ｂにプルアップする第４の抵抗２６ｅとが構成される。エミッタは接地され、コレクタは第３の抵抗２８を介して前置増幅素子２２のゲートに接続される。このスイッチトランジスタ２６ｅは検波手段から出力される制御電圧によってオンする。
【００２１】
以上の構成において、受信されたＡＭ放送信号の受信強度が所定レベル以下の中電界以下の場合には、ＡＭフロントエンド２６内の検波手段から制御電圧が出力されないのでスイッチトランジスタ２６ｅはオフである。この状態では、前置増幅素子２２のドレインにはピンダイオード２７、一次巻線２５ａを介して電源が供給され、ゲートには第１の抵抗２３と第２の抵抗２４とによって分圧された電圧がバイアス電圧として印加される。前置増幅素子２２はこのバイアス電圧によって設定される動作点で増幅作用を行う。このとき、前置増幅素子２２には比較的大きなドレイン電流がながれ、ピンダイオード２７にもほぼ等しい電流が流れる。増幅されたＡＭ放送信号はトランス２５を介してＡＭフロントエンドＩＣ２６に入力され、増幅、周波数変換等の処理がなされる。
【００２２】
受信されたＡＭ放送信号の受信強度が所定レベル以上の強電界の場合には、ＡＭフロントエンド２６内の検波手段から制御電圧が出力されてスイッチトランジスタ２６ｅはオンとなる。すると、そのコレクタはほぼ接地電位となり、第３の抵抗２８が第２の抵抗２４に並列接続される。したがって、前置増幅素子２２のゲートバイアス電圧が低下しドレイン電流が減少する。また、第２の抵抗２４と第３の抵抗２８とが並列接続されるため、ゲートにおける分圧比が大きくなることと、ゲート・接地間のインピーダンスが低下することでゲートに入力される受信信号のレベルが低下する。従って、前置増幅素子２２は、強電界であるにも関わらず歪みを発生し難くなる。
【００２３】
また、ドレイン電流が減少することで、前置増幅素子２２自体の利得が低下し、ＡＭフロントエンドＩＣ２６に入力される信号レベルが低下するので、ＡＭフロントエンドＩＣで発生する歪みが抑えられる。さらに、ピンダイオード２７に流れる電流も減少してピンダイオード２７の等価的な抵抗値が大きくなるのでトランス２５とＡＭフロントエンドＩＣ２６内の容量ブロック２６ａとで構成される同調回路のＱがダンピングされ、ＡＭフロントエンドＩＣ２６に入力される信号レベルは一層低下するので歪みに対して更に有利となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明のＡＭ放送受信機の構成を示す回路図である。
【図２】従来の受信機の回路図である。
【符号の説明】
【００２５】
２１：アンテナ
２２：前置増幅素子
２３：第１の抵抗
２４：第２の抵抗
２５：トランス
２５ａ：一次巻線
２５ｂ：二次巻線
２６：ＡＭフロントエンドＩＣ
２６ａ容量ブロック
２６ｂ：高周波増幅回路
２６ｃ：周波数変換回路
２６ｄ：スイッチトランジスタ
２６ｅ：第４の抵抗
２７：ピンダイオード（可変抵抗手段）
２８：第３の抵抗
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話機等の携帯機器に内蔵するのに好適なＡＭ放送受信機に関する。
【背景技術】
【０００２】
図２において、アンテナ入力端Ｐは同調コイル１と一対の可変容量ダイオード２ａ、２ｂと調整用コンデンサ３とからなるバンドパス型のアンテナ同調回路４に接続してあり、このアンテナ同調回路４に、ダンピング用コンデンサＣ２と一対のピンダイオード５ａ、５ｂからなる減衰回路６との直列回路が並列接続され、前記コンデンサＣ２と減衰回路６との接続点に結合コンデンサＣ３を介してＭＯＳＦＥＴからなる高周波増幅素子７の第一ゲートｇ１が接続され、そのドレインｄは、結合コンデンサＣ４を介して同調コイル８と一対の可変容量ダイオード９あ、９ｂからなるπ型接続の高周波同調回路１０に接続されたのち、ドレインが接地されたインピーダンス変換素子１１のゲートｇに接続してある。また、インピーダンス変換素子１１のソースｓはコンデンサＣ５を介して周波数変換回路１２、中間周波増幅回路１４および利得制御回路１３からなるＦＭフロントエンドＩＣ１５の周波数変換回路１２の入力端子である第５端子に接続され、前記ＦＭフロントエンドＩＣ１５のＡＧＣ電圧の出力端である第６端子は、前記減衰回路６に接続してある。
【０００３】
入力端子Ｐに入力した信号はアンテナ同調回路４により同調選択される。ここで、アンテナ入力端Ｐに入力する信号の電界強度が弱い場合には、ＦＭフロントエンドＩＣ１５の第６端子から出力するＡＧＣ電圧も低いので、減衰回路６のインピーダンスは高く、従ってアンテナ同調回路４により同調選択された信号は減衰されることなく、ダンピング用コンデンサＣ２及び結合コンデンサＣ３を介して高周波増幅素子７の第１ゲートｇ１に入力して増幅され、その信号は結合コンデンサＣ４を介して高周波同調回路１０に入力し、該回路１０で再度共振選択されたのち、インピーダンス変換素子１１のゲートｇに入力する。
【０００４】
ここで、高周波同調回路１０はインピーダンスが高く、従って該回路１０の出力をインピーダンス変換素子１１のゲートｇにより高入力インピーダンスで入力するので、高い選択度が得られる。前記インピーダンス変換素子１１に入力した信号は、低出力インピーダンスに変換されてそのソースから結合コンデンサＣ５を介して周波数変換回路１２に第５端子から入力し、中間周波信号に変換されたのち、第８及び第９端子よりそれぞれ出力し、その出力は中間周波トランスＴ及び抵抗Ｒ１とセラミックフィルタＦとの直列回路を介して第１２端子より中間周波増幅回路１４に入力して増幅され、その増幅出力は第１５端子から検波段に出力される。
【０００５】
また、中間周波トランスＴを経た広帯域の中間周波信号の一部は、抵抗Ｒ２とコンデンサＣ６の直列回路を介して第１０端子より利得制御回路１３に入力し、該回路１３からは減衰回路６のピンダイオード駆動用のＡＧＣ電圧と、高周波増幅素子７の制御用のＡＧＣ電圧とが生じ、これらのＡＧＣ電圧は、第６端子及び第１３端子よりそれぞれ出力する。
【０００６】
アンテナ入力信号の電界強度が強くなると、利得制御回路１３より出力するピンダイオード駆動用のＡＧＣ電圧も高くなるので、減衰回路６が駆動して該回路のインピーダンスが減少し、これによってアンテナ同調回路４の選択度特性が低下すると共に、結合コンデンサＣ３を介して高周波増幅素子７に入力する信号も結合コンデンサＣ３の前段でダンピング用コンデンサＣ２と減衰回路６とのインピーダンス比で減圧され、高周波増幅素子７の前段で大きな減衰量が得られる。次いで、さらに電界強度が強くなると、前記減衰回路６による減衰作用に加え、ＦＭフロントエンドＩＣ１５の第１３端子から高周波増幅素子７の第２ゲートｇ２に制御電圧が印加して高周波増幅素子７の増幅率を制限する（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
【特許文献１】特開平０５−０４８３６１号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の構成では、高周波増幅素子７の前段に減衰回路６を設けて、強電界時に入力信号を減衰するようにしているが、減衰回路を設けることはそれだけ全体の回路構成を複雑にしている。また、減衰回路にはピンダイオードを使用しているので、非直線歪みを発生する。
【０００９】
本発明は、回路構成を複雑にすることなく強電界時の歪み発生を抑えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題に対して、第１の解決手段は、ＡＭ放送信号を増幅する前置増幅素子と、少なくとも高周波増幅回路及び周波数変換回路を有すると共に、同調用のトランスを介して前記前置増幅素子の出力端に結合されたＡＭフロントエンドＩＣとを備え、前記前置増幅素子の入力端には、電源にプルアップされた第１の抵抗とグランドに接続された第２の抵抗との直列回路によって分圧されたバイアス電圧を印加し、前記ＡＭ放送信号が強電界の時に前記第２の抵抗に第３の抵抗を並列接続した。
【００１１】
また、第２の解決手段は、前記トランスの一次側巻線の一端にＱダンプ用の可変抵抗手段を介して前記電源を印加し、前記前置増幅素子の出力端には前記一次巻線の他端から前記電源を供給し、前記ＡＭ放送信号が強電界の時に前記可変抵抗手段の抵抗値を増加させた。
【００１２】
また、第３の解決手段は、前記可変抵抗手段をピンダイオードで構成し、前記前置増幅素子の出力端には前記一次巻線の他端から前記電源を供給し、エミッタが接地されると共に、コレクタが第４の抵抗を介して前記電源にプルアップされたスイッチトランジスタを設け、前記第３の抵抗を前記前置増幅素子の入力端と前記スイッチトランジスタのコレクタとの間に接続し、前記ＡＭ放送信号の強電界時に前記スイッチトランジスタをオンにした。
【００１３】
また、第４の解決手段は、前記スイッチトランジスタと前記第４の抵抗とを前記ＡＭフロントエンドＩＣ内に構成した。
【発明の効果】
【００１４】
第１の解決手段によれば、ＡＭ放送信号を増幅する前置増幅素子と、少なくとも高周波増幅回路及び周波数変換回路を有すると共に、同調用のトランスを介して前置増幅素子の出力端に結合されたＡＭフロントエンドＩＣとを備え、前置増幅素子の入力端には、電源にプルアップされた第１の抵抗とグランドに接続された第２の抵抗との直列回路によって分圧されたバイアス電圧を印加し、ＡＭ放送信号が強電界の時に第２の抵抗に第３の抵抗を並列接続したので、前置増幅素子のバイアス電圧が低下して利得が低下すると共に、入力される受信信号のレベルが低下して歪みが発生し難くなる。
【００１５】
また、第２の解決手段によれば、トランスの一次側巻線の一端にＱダンプ用の可変抵抗手段を介して電源を印加し、前置増幅素子の出力端には一次巻線の他端から電源を供給し、ＡＭ放送信号が強電界の時に可変抵抗手段の抵抗値を増加させたので、同調のＱがダンピングされ、ＡＭフロントエンドＩＣに入力される信号レベルは一層低下するので歪みに対して更に有利となる。
【００１６】
また、第３の解決手段によれば、可変抵抗手段をピンダイオードで構成し、前置増幅素子の出力端には一次巻線の他端から電源を供給し、エミッタが接地されると共に、コレクタが第４の抵抗を介して電源にプルアップされたスイッチトランジスタを設け、第３の抵抗を前置増幅素子の入力端とスイッチトランジスタのコレクタとの間に接続し、ＡＭ放送信号の強電界時にスイッチトランジスタをオンにしたので、前置増幅素子のバイアス電圧を低下させると共に、ピンダイオードの等価的な抵抗値を大きくすることができる。
【００１７】
また、第４の解決手段によれば、スイッチトランジスタと第４の抵抗とをＡＭフロントエンドＩＣ内に構成したので、構成を複雑にすることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１を参照して本発明のＡＭ放送受信機を説明する。ヘッドフォン用のラインで代用されるアンテナ２１に前置増幅素子２２が結合される。前置増幅素子２２はＦＥＴで構成され、その出力端であるドレインと入力端であるゲートとの間には第１の抵抗２３が接続され、ゲートとグランドとの間には第２の抵抗２４が接続される。基準端であるソースは接地される。
【００１９】
前置増幅素子２２にはトランス２５を介してＡＭフロントエンドＩＣ（集積回路）２６が結合される。トランス２５の一次巻線２５ａの一端には可変抵抗手段としての機能を有するピンダイオード２７を介して電源Ｂが供給される。一次巻線２５ａの他端は前置増幅素子２２のドレインに接続される。
【００２０】
ＡＭフロントエンドＩＣ２６内には、その入力段に容量ブロック２６ａが設けられると共に、その後段側には高周波増幅回路２６ｂ、周波数変換回路２６ｃ、及び図示しない検波手段等が設けられる。そして、トランス２５の二次巻線２５ｂが容量ブロックに２６ａ並列接続される。容量ブロック２６ａは可変容量手段で構成され、二次巻き線２５ｂと共に並列共振回路を構成し、受信すべき信号に同調するように制御される。また、ＡＭフロントエンドＩＣ２６内には、検波回路によって制御されるスイッチトランジスタ２６ｄと、そのコレクタを電源Ｂにプルアップする第４の抵抗２６ｅとが構成される。エミッタは接地され、コレクタは第３の抵抗２８を介して前置増幅素子２２のゲートに接続される。このスイッチトランジスタ２６ｅは検波手段から出力される制御電圧によってオンする。
【００２１】
以上の構成において、受信されたＡＭ放送信号の受信強度が所定レベル以下の中電界以下の場合には、ＡＭフロントエンド２６内の検波手段から制御電圧が出力されないのでスイッチトランジスタ２６ｅはオフである。この状態では、前置増幅素子２２のドレインにはピンダイオード２７、一次巻線２５ａを介して電源が供給され、ゲートには第１の抵抗２３と第２の抵抗２４とによって分圧された電圧がバイアス電圧として印加される。前置増幅素子２２はこのバイアス電圧によって設定される動作点で増幅作用を行う。このとき、前置増幅素子２２には比較的大きなドレイン電流がながれ、ピンダイオード２７にもほぼ等しい電流が流れる。増幅されたＡＭ放送信号はトランス２５を介してＡＭフロントエンドＩＣ２６に入力され、増幅、周波数変換等の処理がなされる。
【００２２】
受信されたＡＭ放送信号の受信強度が所定レベル以上の強電界の場合には、ＡＭフロントエンド２６内の検波手段から制御電圧が出力されてスイッチトランジスタ２６ｅはオンとなる。すると、そのコレクタはほぼ接地電位となり、第３の抵抗２８が第２の抵抗２４に並列接続される。したがって、前置増幅素子２２のゲートバイアス電圧が低下しドレイン電流が減少する。また、第２の抵抗２４と第３の抵抗２８とが並列接続されるため、ゲートにおける分圧比が大きくなることと、ゲート・接地間のインピーダンスが低下することでゲートに入力される受信信号のレベルが低下する。従って、前置増幅素子２２は、強電界であるにも関わらず歪みを発生し難くなる。
【００２３】
また、ドレイン電流が減少することで、前置増幅素子２２自体の利得が低下し、ＡＭフロントエンドＩＣ２６に入力される信号レベルが低下するので、ＡＭフロントエンドＩＣで発生する歪みが抑えられる。さらに、ピンダイオード２７に流れる電流も減少してピンダイオード２７の等価的な抵抗値が大きくなるのでトランス２５とＡＭフロントエンドＩＣ２６内の容量ブロック２６ａとで構成される同調回路のＱがダンピングされ、ＡＭフロントエンドＩＣ２６に入力される信号レベルは一層低下するので歪みに対して更に有利となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明のＡＭ放送受信機の構成を示す回路図である。
【図２】従来の受信機の回路図である。
【符号の説明】
【００２５】
２１：アンテナ
２２：前置増幅素子
２３：第１の抵抗
２４：第２の抵抗
２５：トランス
２５ａ：一次巻線
２５ｂ：二次巻線
２６：ＡＭフロントエンドＩＣ
２６ａ容量ブロック
２６ｂ：高周波増幅回路
２６ｃ：周波数変換回路
２６ｄ：スイッチトランジスタ
２６ｅ：第４の抵抗
２７：ピンダイオード（可変抵抗手段）
２８：第３の抵抗
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＭ放送信号を増幅する前置増幅素子と、少なくとも高周波増幅回路及び周波数変換回路を有すると共に、同調用のトランスを介して前記前置増幅素子の出力端に結合されたＡＭフロントエンドＩＣとを備え、前記前置増幅素子の入力端には、電源にプルアップされた第１の抵抗とグランドに接続された第２の抵抗との直列回路によって分圧されたバイアス電圧を印加し、前記ＡＭ放送信号が強電界の時に前記第２の抵抗に第３の抵抗を並列接続したことを特徴とするＡＭ放送受信機。
【請求項２】
前記トランスの一次側巻線の一端にＱダンプ用の可変抵抗手段を介して前記電源を印加し、前記前置増幅素子の出力端には前記一次巻線の他端から前記電源を供給し、前記ＡＭ放送信号が強電界の時に前記可変抵抗手段の抵抗値を増加させたことを特徴とする請求項１に記載のＡＭ放送受信機。
【請求項３】
前記可変抵抗手段をピンダイオードで構成し、前記前置増幅素子の出力端には前記一次巻線の他端から前記電源を供給し、エミッタが接地されると共に、コレクタが第４の抵抗を介して前記電源にプルアップされたスイッチトランジスタを設け、前記第３の抵抗を前記前置増幅素子の入力端と前記スイッチトランジスタのコレクタとの間に接続し、前記ＡＭ放送信号の強電界時に前記スイッチトランジスタをオンにしたことを特徴とする請求項２に記載のＡＭ放送受信機。
【請求項４】
前記スイッチトランジスタと前記第４の抵抗とを前記ＡＭフロントエンドＩＣ内に構成したことを特徴とする請求項３に記載のＡＭ放送受信機。
【請求項１】
ＡＭ放送信号を増幅する前置増幅素子と、少なくとも高周波増幅回路及び周波数変換回路を有すると共に、同調用のトランスを介して前記前置増幅素子の出力端に結合されたＡＭフロントエンドＩＣとを備え、前記前置増幅素子の入力端には、電源にプルアップされた第１の抵抗とグランドに接続された第２の抵抗との直列回路によって分圧されたバイアス電圧を印加し、前記ＡＭ放送信号が強電界の時に前記第２の抵抗に第３の抵抗を並列接続したことを特徴とするＡＭ放送受信機。
【請求項２】
前記トランスの一次側巻線の一端にＱダンプ用の可変抵抗手段を介して前記電源を印加し、前記前置増幅素子の出力端には前記一次巻線の他端から前記電源を供給し、前記ＡＭ放送信号が強電界の時に前記可変抵抗手段の抵抗値を増加させたことを特徴とする請求項１に記載のＡＭ放送受信機。
【請求項３】
前記可変抵抗手段をピンダイオードで構成し、前記前置増幅素子の出力端には前記一次巻線の他端から前記電源を供給し、エミッタが接地されると共に、コレクタが第４の抵抗を介して前記電源にプルアップされたスイッチトランジスタを設け、前記第３の抵抗を前記前置増幅素子の入力端と前記スイッチトランジスタのコレクタとの間に接続し、前記ＡＭ放送信号の強電界時に前記スイッチトランジスタをオンにしたことを特徴とする請求項２に記載のＡＭ放送受信機。
【請求項４】
前記スイッチトランジスタと前記第４の抵抗とを前記ＡＭフロントエンドＩＣ内に構成したことを特徴とする請求項３に記載のＡＭ放送受信機。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２００６−２８７８８０（Ｐ２００６−２８７８８０Ａ）
【公開日】平成１８年１０月１９日（２００６．１０．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１０８８３３（Ｐ２００５−１０８８３３）
【出願日】平成１７年４月５日（２００５．４．５）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月１９日（２００６．１０．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月５日（２００５．４．５）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
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