【課題】 エックス線分析装置を用いて測定対象の組成物質を測定する場合に、不用意にエックス線が発せらると作業者が被曝するおそれがあることに鑑みて、作業中における被曝の機会を極力減じるエックス線分析装置を提供する。
【解決手段】 測定対象物Ｏの被測定位置が、発生装置２の照射方向と検出装置３の検出方向の交点Ｃに位置した状態にあることを、基準位置から被測定位置までとの距離を測距装置30で検出し、この距離が基準位置から該交点Ｃまでの距離と一致した場合、すなわち測定準備が完了した場合に、発生装置２の作動を許可することにより発生する。これにより、測定準備作業中に不用意に発生装置２からエックス線が発せられることを防止して、作業者の被曝を防止する。 （もっと読む）

【課題】エネルギ識別型診断イメージング・システムでのフォトン計数の制限の影響の低減を促進する。
【解決手段】高周波電磁エネルギ源（１４）は、撮像対象（２２）に向けて１又は複数の高周波電磁エネルギ・ビーム（１６）を放出する。検出アセンブリ（１８）は、同じ投影経路にあり複数の別個の入射エネルギ・スペクトルに対応する複数の投影データを測定する。検出アセンブリ（１８）は、１又は複数の高周波電磁エネルギ源（１４）によって放出される高周波電磁エネルギを受光する１若しくは複数のエネルギ識別型（ＥＤ）検出器（３０２）及び／又は１若しくは複数のエネルギ積算型（ＥＩ）検出器（３０４）を含んでいる。データ取得システム（ＤＡＳ）（３２）は、１若しくは複数のＥＤ検出器（３０２）及び／又は１若しくは複数のＥＩ検出器（３０４）に接続されて動作する。コンピュータ（３６）は、ＤＡＳ（３２）に接続されて動作する。 （もっと読む）

【課題】
回路パターンを有する半導体装置等の検査において、陰影コントラストの強調された像を取得することを可能にし、浅い凹凸の微細な異物等を高感度に検出することを可能にする荷電粒子ビーム検査技術を提供する。
【解決手段】
高分解能観察の為に電子光学系の対物レンズに電磁重畳型対物レンズ１０３を用い、その対物レンズを用いて電子ビームを細く絞り、対物レンズ内にアシスト電極１０６と左・右検出器１１０、１１１を設け、その電子ビームを試料１０４に照射することで発生する二次電子の速度成分を選別し、さらに方位角成分を選別して検出する。 （もっと読む）

【課題】中性子モデレータ及び中性子照射方法並びに危険物質検出装置において、発生する２次ガンマ線を低減して必要となる高速中性子及び熱中性子を取り出し可能とし、危険物質の構成元素に拘らず高精度にこの危険物質を検出可能とする。
【解決手段】検査対象物Ａを挿入及び排出可能な検査室２１を設けると共に、この検査室２１の周囲に熱中性子吸収材１５を設け、検査室２１内で検査対象物Ａに対向して中性子発生源１１を配置する一方、中性子発生源１１に対して検査対象物とは反対側に中性子減速材１２を配置し、中性子減速材１２の周囲をガンマ線遮蔽材１３，１４により被覆し、検査対象物Ａから発生するガンマ線を検出するＧｅ検出器２４及びＢＧＯ検出器２５を設ける。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線測定装置の管理方法に関し、測定系の変動やサンプルの変化を早期に且つ的確に発見する。
【解決手段】 Ｘ線源４からの直接Ｘ線５を検出する点検用検出器１と、Ｘ線源４から試料を介した測定対象Ｘ線６を検出する測定用検出器２との２つのＸ線強度検出器のそれぞれの特性を測定し、測定結果に基づき測定用検出器２の安定性を確認する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、円筒部材上の外被部材を破壊しないことは勿論のこと、円筒部材の端部における発錆も正確に検出できる表面が被覆された円筒部材の錆検査装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、円筒部材（１）を覆う外被部材２の外周に沿って周方向及び長手方向に自走する自走台車６を設け、長手方向に沿う前記自走台車６の移動方向先端部に、放射線を前記円筒部材（１）の表面に照射する放射線照射部（１１Ａ〜１１Ｅ，１８）を設け、かつ照射された放射線による前記円筒部材の表面環境を検出する放射線検出部（１２Ａ〜１２Ｅ，１９）も前記自走台車に設けたのである。 （もっと読む）

【課題】効率的に高解像度で長尺状の被検査物をＸ線検査する。
【解決手段】被検査物であるテープ２２を一定速度で搬送しながらＸ線を透過させ、透過したＸ線を、外周面に輝尽性蛍光体を備えた回転する回転ドラム６０に照射する。Ｘ線の照射位置よりも回転方向下流側で励起光Ｌａを走査照射し、輝尽性蛍光体から発する輝尽発光光Ｌｂをフォトマルチプライヤー７８で受け、２次元のＸ線画像を得る。励起光Ｌａを走査照射した位置よりも回転方向下流側では、消去光を照射して残像を消去する。残像の消去された輝尽性蛍光体は、回転ドラム６０の回転により再び、Ｘ線照射位置に戻るので、長尺状のテープ２２を順次Ｘ線検査することができる。 （もっと読む）

対をなす照射されるボクセルから求められる減衰に基づいて、検査される物体を特徴付ける方法である。伝播方向及びエネルギー分布によって特徴付けられる透過性放射線のビームが物体にわたって走査され、コリメートされた視野を有する散乱検出器が、透過性放射線の入射ビームによって遮断された、検査される物体の各ボクセルによって散乱した放射線を検出する。入射ビームの入射ボクセルの対間の透過性放射線の減衰を計算することによって、透過性放射線の１又はそれ以上のエネルギーの物体における減衰の、よって、種々の物質特性の３次元分布を特徴付ける断層撮影画像が得られる。 （もっと読む）

【課題】ＬＭＩＳ汚染を発生させることなく、膜中の異物を正確に検出し電子顕微鏡による観察を迅速に行うことができる荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置を提供する。
【解決手段】他の光学式検査装置によって検出された、膜６６中に存在する欠陥の原因となる異物６５を他の光学式検査装置で取得された位置情報を基に光学式顕微鏡４３で検出し、電子顕微鏡画像やイオン顕微鏡画像による異物６５の観察やＥＤＸによる異物６５の元素分析ができるように非金属のイオンビーム２２で試料３１を加工する。 （もっと読む）

バッグおよびパッケージに対するＸ線イメージング検査システム。透過イメージングが、扇形ビームおよびセグメント型検出器を使用して実行され、一方、散乱イメージングが、走査ペンシルビームで実行され、両方のビームは同時にアクティブである。ビーム間のクロストークは、シールド、散乱検出器設計、配置および向きの組み合わせによって軽減され、イメージ処理は、透過ビームから散乱されて散乱検出器の中に入る測定された放射線を差し引き、クロストークを低減する。
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【課題】ラインスキャン方式において、電子ビームの位置ずれを補正して正確な二次元マッピング画像を得る。
【解決手段】ビーム走査部により電子ビームで試料表面の所定の領域を走査して得られた二次元画像の１つを参照画像として記憶しておき、予め設定された本数のラインスキャンごとにビーム走査部を駆動させて二次元画像を得、参照画像記憶部に記憶されている参照画像と比較して電子ビームのズレ量を算出する。その算出されたズレ量に基づいて偏向レンズにより電子ビームの位置を補正する。 （もっと読む）

オブジェクトを検査するコンピュータ断層撮影システムについて開示されている。そのコンピュータ断層撮影システムは、第１Ｘ線管と、第２Ｘ線管と、第１Ｘ線検出ユニットと、第２Ｘ線検出ユニットを有する。好適には、第１Ｘ線検出ユニットは、第１Ｘ線管により出射された放射線を、検査中にオブジェクトを透過した後に検出することにより第１データ集合を取得するように適合され、第２Ｘ線検出ユニットは、第２Ｘ線管により出射された放射線を、検査中に前記オブジェクトにより散乱された後に検出することにより設定される第２データ集合を取得するように適合される。そのシステムは、手荷物検査の分野に対する特定のアプリケーションを有する。

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例示的な実施の形態によれば、検査中の対象物を検査する画像形成システム１００は、スキャニングユニットを有しており、スキャニングユニットは、放射線源１０６，１０８及び検出ユニット１０７，１０９を有する。スキャニングユニットは、放射線ビーム１２３を放出し、放射線ビームは、検査中の対象物が移動する間に検査中の対象物の予め決定された領域がスキャンされるように、検査中の対象物の線形の動きに追従する。
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【課題】特性Ｘ線の取出角度と測定深さとの相関を求めることを可能とする斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法を提供すること。
【解決手段】斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法は、試料内部から発せられる特性Ｘ線が試料表面での全反射現象により検出されない角度以下に特性Ｘ線の取出角度を設定することにより試料の表層から発せられる特性Ｘ線のみを選択的に検出する斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法において、試料を試料内部としての下地と試料表層としての所定厚の上地で構成し、下地から発せられる特性Ｘ線の取出角度を所定角度から徐々に小さくして前記特性Ｘ線の消失角度を見出し、見出された消失角度を所定厚の上地の構成元素のみを選択的に分析できる取出角度として定義する。 （もっと読む）

【課題】製造されたデバイスの内部構造をテストするために薄いサンプルを準備して像形成する。
【解決手段】物体のサンプルを形成し、物体からサンプルを抽出し、真空チャンバーにおいて表面分析及び電子透過度分析を含むマイクロ分析をこのサンプルに受けさせるための方法及び装置が開示される。ある実施形態では、抽出されたサンプルの物体断面表面を像形成するための方法が提供される。任意であるが、サンプルは、真空チャンバー内で繰り返し薄くされて像形成される。ある実施形態では、サンプルは、任意のアパーチャーを含むサンプル支持体に位置される。任意であるが、サンプルは、物体断面表面がサンプル支持体の表面に実質的に平行となるようにサンプル支持体の表面に位置される。サンプル支持体に装着されると、サンプルは、真空チャンバー内でマイクロ分析を受けるか、又はロードステーションにロードされる。 （もっと読む）

【課題】高倍率の仕事関数顕微鏡を提供する。
【解決手段】仕事関数顕微鏡１は、光を放出する高輝度紫外光ランプ２と、高輝度紫外光ランプ２から放出された光を分光して試料２２の表面に導き、試料表面の仕事関数に応じた光電子放出を生じさせるダブルモノクロメータ３と、ダブルモノクロメータ３からの光が照射された試料表面の仕事関数に応じて生じた光電子放出に基づいて、試料表面のコントラスト画像を生成する光放出電子顕微鏡ユニット２３とを備え、ダブルモノクロメータ３は、前段分光ユニット４と後段分光ユニットとを有しており、前段分光ユニット４と後段分光ユニットとの少なくとも一方に、トロイダル鏡７を設けた。 （もっと読む）

【課題】
従来の中性子トモグラフィ技術では、金属製容器内の水を直接観察でき、且つその３次元計測も可能であるが、この計測は時間に関する平均量についてのものであるので、対象物質の時間変化が分からず、又そのため時間変化量である速度やその時間変化等の時間変化量が計測できない。
【解決手段】
本発明は、時間平均値である３次元計測データに時間変化を加えた４次元計測データを得るための方法及び装置に関するものであり、前記４次元計測とは、３次元の瞬時値の時間差分から速度等時間変化量を計測するものである。この４次元データを得るために、本発明においては、（１）中性子ビームの散乱現象に着目してビームを複数化し、更に高速中性子を有効利用して熱中性子を増幅する、（２）ビデオカメラで複数の中性子ラジオグラフィ投影像の同時記録をすることが行なわれる。 （もっと読む）

【課題】本発明は検知器アレイを開示する。
【解決手段】本検知器アレイは、被検体の第１複数の部分を透過した第１放射線と第２放射線とを検出し、前記第１複数の部分に対する第１検知値と第２検知値とを取得するための第１リニアアレイ検知器と、前記第１リニアアレイ検知器と平行に設けられ、被検体の第２複数の部分を透過した第１放射線と第２放射線とを検出し、前記第２複数の部分に対する第３検知値と第４検知値とを取得するための第２リニアアレイ検知器とを含み、第２放射線と第１放射線は交互に輻射され、前記第１複数の部分と前記第２複数の部分は同じである。本検知器アレイにより、被検体に対する交互の二重エネルギーの放射線の走査検査効率と材料識別の正確率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】波長分解能の高い湾曲分光結晶を用いた分光器を試料から離して配置できるようにすることで、ＥＰＭＡだけでなく走査顕微鏡等の他のＸ線分析装置にも対応可能とする。
【解決手段】点／点型のマルチキャピラリＸ線レンズ１０を、その入射側焦点Ｆ３が試料２の微小領域３に合致するように配置し、出射側焦点Ｆ４が湾曲分光結晶４の入射側焦点Ｆ１と合致するように延伸させる。電子線１の照射に応じて試料２上の微小領域３から放出された固有Ｘ線はＸ線レンズ１０で効率良く収集されて試料２から離れた位置まで案内され、焦点Ｆ４に収束するように出射される。湾曲分光結晶４にはその入射側焦点Ｆ１からＸ線が拡がりつつ到来するから、効率よく回折面に当たって特定波長のＸ線が焦点Ｆ２に集まってＸ線検出器７に入射する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ等の試料上に存在する欠陥の画像を自動収集するＳＥＭ式欠陥レビュー装置において、高いスループットを提供する。
【解決手段】ＳＥＭ式レビュー装置を用いた欠陥レビュー方法において、ウェーハ単位若しくはチップ単位での少なくともセル比較による欠陥検出成功率又は欠陥検出成功マップを準備する準備過程と、該準備された前記ウェーハ単位若しくは前記チップ単位での少なくともセル比較による欠陥検出成功率又は欠陥検出成功マップに基づいてセル比較方式とダイ比較方式との何れにするかのレビューシーケンスを選択する選択過程と、該選択過程でセル比較方式を選択した場合には、セル比較をしてレビュー欠陥の検出可否判定を行う検出可否判定過程を有するセル比較過程と、該検出可否判定過程での判定の結果レビュー欠陥が検出されない場合、並びに前記選択過程でダイ比較を選択した場合には、ダイ比較をするダイ比較過程とを有すること特徴とする。 （もっと読む）