【課題】レーザ光による回路基板等のワークを加工する際に、ワークに対する加工溝幅、深さを均一に加工することができるようにする。
【解決手段】パルス状のレーザとガルバノスキャナを用いて溝を加工するレーザ加工方法において、前記ガルバノスキャナによるビームスキャン速度に同期させてレーザビームのパルス高さを増減させることで、レーザ光によるワークの加工溝幅、深さを均一に加工することができ、ワークに対する加工品質を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、繊維強化複合材料等の難加工材料のレーザ除去加工であって、工業的に満足できる加工速度を実現可能な効率のよいレーザ加工方法とそれに用いるレーザ加工装置とを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、繊維強化複合材料または機械切削が困難な無機材料よりなる被加工物表面にレーザを照射してレーザ照射部を除去するレーザ除去加工において、レーザ照射によって発生する分解生成物をレーザ照射と同時に除去する除去手段を用いることを特徴とする。除去手段は、流体をレーザ照射部へ０．３〜５．０ＭＰａで噴射するノズルである。 （もっと読む）

【課題】スパッタによる光学部品損傷の防止、および被溶接材へのスパッタの付着を防止することができるレーザ溶接方法を提供する。
【解決手段】複数の結晶体から構成される発振機１１から放出され、光ファイバ１２により伝送され、光学系１４で集光されたレーザビームを用いて突き合わされた鋼板を溶接する方法であって、光学系と鋼板との間に、レーザビームの照射により形成される溶融池Ｃから飛散するスパッタに向け、横方向から、前記溶融池に直接あたらないように気体を噴射する第１の気体噴射手段１７を配置し、該第１の気体噴射手段の噴射口の下端に沿う延長線Ａ_ｋと溶融池との垂直距離が３ｍｍ以下の範囲となるように溶融池の直上を横切って気体を噴射しながらレーザビームを照射して溶接することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 加工時間を短くする。
【解決手段】 移動装置で加工対象物を移動させながら、偏向器でレーザパルスを偏向し、加工対象物の被加工位置に入射させて加工を行うレーザ加工の計画方法であって、（ａ）加工対象物上の第１の方向に沿って、複数の加工範囲Ａ_ｉを画定する工程と、（ｂ）複数の加工範囲Ａ_ｉの各々について、加工時間ｔ_ｉを見積もる工程と、（ｃ）少なくとも一つの加工範囲Ａ_ｉについて、０より大きいスラックタイムｓ_ｉを、加工時間ｔ_ｉに加え、加工範囲Ａ_ｉを単位として、移動装置によって加工対象物を第１の方向に移動させる移動速度を決定する工程とを有するレーザ加工計画方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ストリート幅を大きくすること無く、またウエーハの表面にダイシングテープを貼着することなくウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの内部に、ストリートに沿って変質層を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウエーハ支持工程と、ダイシングテープおよびウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をダイシングテープ側からウエーハの内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】容易に、結晶化の溶融状態、結晶粒径及び粒径バラツキを所望の状態にしたシリコン膜を形成することができるレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射方法は、マルチモードのレーザ光を発振させる発振ステップ（Ｓ１０２）と、レーザ光を光ファイバーで伝送する伝送ステップ（Ｓ１０４）と、光ファイバーから出射したレーザ光を重畳し細長い形状に整形する整形ステップ（Ｓ１０６）と、整形されたレーザ光を短軸方向に走査しながらアモルファスシリコン膜に照射することで、ポリシリコン膜に結晶化する照射ステップ（Ｓ１０８）とを含み、照射ステップ（Ｓ１０８）では、走査速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）と照射パワー密度Ｐ（ＫＷ／ｃｍ²）との関係をＫ＝Ｐ／√Ｖとし、Ｋ＞４の条件を満足する走査速度と照射パワー密度とで照射することで、レーザ照射領域に所定の溶融状態での結晶を形成させる。 （もっと読む）

【課題】対象物の性質やレーザ走査速度に応じて適切に線分の延長を行い、描画品質を高める。
【解決手段】レーザ光を出射するレーザ装置と、前記レーザ光を偏向する可動ミラーと、描画する形状を１もしくは複数の一筆部品で表わした一筆部品線分データ群を取得し、各一筆部品の中間点を除く端点を当該端点を含む線分の延長線上に外側に、前記一筆部品線分データ群に含まれるレーザ走査速度に基づいて算出した端点移動量だけ移動する端点移動手段と、端点移動後の一筆部品線分データ群から描画命令を生成する描画命令生成手段と、生成された描画命令に基づいて、前記可動ミラーを駆動するとともに、前記レーザ光を描画対象物に照射させる照射手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】溶接の後に補修塗料の塗布量を抑えても耐食性が劣ることがないＴ字溶接継手部を備えためっき鋼板製の建築部材を安価に提供する。
【解決手段】ともにＺｎ系めっきが施されためっき鋼板からなる第一の金属板１に第二の金属板２の端部を垂直に押し当てて形成したＴ字状継手部３ａにおいて、Ｔ字状継手部３ａを構成する第二の金属板２の端部に、レーザー光７を、第一の金属板１の表面に接触せずに第二の金属板２の端部にのみに当たり、前記第二の金属板２が板厚全体にわたって溶融されるように、小さな傾斜角度αで片側からのみ照射する。
Ｚｎ系めっきとして、ＺｎとＡｌを含む合金めっきを施したものが用いられる。 （もっと読む）

【課題】金属粉末中のクロム、ニッケルおよびモリブデンの各含有比率を調整せずに、炭素鋼に耐食性処理すること。
【解決手段】ＳＵＳ３１２Ｌからなり炭素鋼２の表面２ａ側に供給された金属粉末を、該表面２ａ側を照射するレーザーにより溶融し、該表面２ａ側にクラッド層３Ａ、３Ｂを形成する層形成工程を備え、該層形成工程を複数回繰り返してクラッド層３Ａ、３Ｂを表面２ａ側に積層することで、複数層のクラッド層３Ａ、３Ｂからなる積層構造４を形成し、２回目以降の層形成工程の際、レーザーによる溶融を、直前の層形成工程の際に形成されたクラッド層３Ａ、３Ｂまでに留めておくレーザー肉盛方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】表面が強化された強化ガラスに対してスクライブ溝を形成する際に、フルカットを防止して、ガラス基板を容易に所望の形状に分断する方法を提供する。
【解決手段】第１工程は、スクライブ予定ラインＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４，ＳＬ５の走査開始側のガラス基板Ｇの端面から所定距離内側における強化ガラスの表面に初期亀裂ＴＲを形成させ、第２工程は、走査開始側及び走査終了側の端部領域を除いて、初期亀裂ＴＲからスクライブ予定ラインＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４，ＳＬ５に沿って、レーザ光ＬＢを照射して加熱するとともに、加熱された領域を冷却し、スクライブ予定ラインＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４，ＳＬ５に沿って亀裂を進展させることにより、圧縮応力を持たせた強化層を表面に有するガラス基板Ｇをスクライブする （もっと読む）

【課題】レーザー加工装置における加工の生産性を向上させる。
【解決手段】保持手段に保持された被加工物Ｗとレーザー照射手段とを相対的に加工送り及び割り出し送りしてレーザー加工を行うレーザー加工装置において、保持手段とレーザー照射手段のレーザー照射ヘッド３１とを相対的に加工送りして被加工物Ｗにレーザー光線を照射して加工を行うステップと、加工が終了しレーザー光線が被加工物Ｗを越えた際に加工送りを停止させるステップと、加工送りの停止に要する減速の時間を利用して割り出し送りを行うステップとを実施する制御手段を備える。加工送りの減速の時間を利用して次のレーザー加工を開始できる状態とするため、実質的に割り出し送りに要する時間を０にすることができ、レーザー加工の生産性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を出射するレーザ装置とレーザ光を偏向する可動ミラーとを備えたレーザ描画装置において、内回り現象による印字品質の低下を防止する。
【解決手段】レーザ光を出射するレーザ装置と、前記レーザ光を偏向する可動ミラーと、描画する形状を複数の線分または曲線の繋がりで定義する描画データから、前記線分または前記曲線が規定の角度よりも大きい角度の屈曲部を形成する線分または曲線を検出する検出手段と、前記屈曲部を形成する前記線分または前記曲線の描画命令における前記レーザ光の照射位置の移動速度を低減させる調整手段と、前記描画命令に基づいて、前記可動ミラーを駆動するとともに、前記レーザ光を描画対象物に照射する照射手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 レーザー光により被加工物を加工する場合に、分解物による被加工物表面の汚染を効果的に低減して、生産効率よくかつ容易にレーザー加工を行うことが可能なレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】 本発明のレーザー加工方法は、被加工物に対しレーザー光を照射して加工するレーザー加工方法であって、前記レーザー光の照射の際に発生する分解物を、照射部分の近傍で吸引除去しながら、前記レーザー加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ焦点制御などの複雑な制御を必要とせず、溶接長を確保するのに必要なスペースやサイクルタイムの増加を回避しつつ、溶接終端部の穴やヒケを改善できるレーザ重ね溶接方法を提供する。
【解決手段】複数重ねたワーク（１，２）の一側からレーザを照射して所定区間の溶接を行うレーザ重ね溶接方法において、前記所定区間に亘る順方向のレーザ走査（Ｌａ）の終端部（ｔ）で走査方向を反転させかつ前記順方向のレーザ走査と溶接ビード（１１，１２）の一部が相互に重なるようにずらして逆方向のレーザ走査（Ｌｂ）を行い、当該区間のレーザ照射を終了する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金材の厚さｔが１ｍｍ以上となった、効率の良い施工条件下のレーザ溶接で、ビード部のミクロ割れ防止と、界面での鋼とアルミの反応層の抑制やアルミの溶け込みの確保などを両立させて、高い接合強度の異材接合継手を得ることができる異材接合方法を提供することにある。
【解決手段】特定厚さアルミニウム合金材２を鋼材１上に重ねた継手を形成し、前記アルミニウム合金材２の端部２aを溶接線４として、効率的なレーザ溶接条件にて線接合する異材接合方法において、前記アルミニウム合金材２の端部２aに開先６を設け、この開先６の形状を上側が略断面矩形７に切り欠かれた段８を有するものとし、この段８の高さ位置ｃ、長さa、上側９と下側１０との立ち上がり角度が各々特定の範囲となるようにする。 （もっと読む）

【課題】板材の突合せ溶接を行う際、切削加工装置や切削加工工程を必要とせず、コストが安く、溶接時間の短縮が可能なレーザ溶接方法及びレーザ溶接装置を得る。
【解決手段】対向する一対の板材６の少なくとも一方の被溶接部の板材６の端面からのレーザ１２の照射位置を変えて、被溶接部にレーザ１２を複数回照射し、被溶接部を一時的に溶解させる第一の照射工程と、一対の板材６の被溶接部の間隔が許容ギャップ内となるように調整するギャップ調整工程と、被溶接部にレーザ１２を照射して前記板材６の溶接を行う第二の照射工程とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】引張強度が７８０ＭＰａ以上の鋼材で溶接金属部の引張強度が７８０ＭＰａ以上、且つ靭性に優れたレーザビーム溶接継手を提供する。
【解決手段】溶接金属が、ｍａｓｓ％で、Ｃ：０．０２〜０．１４％、Ｔｉ：０．００６〜０．０５％、Ａｌ：０．０２％以下、Ｂ：０．００１％以下、Ｏ：０．０２〜０．０５％、Ｃ：０．１４％以下、Ｔｉ：０．０５％以下、Ａｌ：０．０２％以下、Ｂ：０．００１％以下、Ｏ：０．０２％以上、Ｃｅｑ（＝Ｃ＋Ｍｎ／６＋Ｓｉ／２４＋Ｎｉ／４０＋Ｃｒ／５＋Ｍｏ／４＋Ｖ／１４、Ｃ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖ：各合金元素の含有量（ｍａｓｓ％））が０．３３〜０．５３％の組成と、面積率で４０％以上のアシキュラーフェライト相を含むミクロ組織を有し、レーザビーム溶接のシールドガスとして酸素供給ガスを含有するガスを用いたレーザビーム溶接継手。 （もっと読む）

【課題】厚板に環状のレーザ切断加工を行うとき、切断終了領域における環状の穴の内周面に生じる傾向にある凹部の発生を抑制することのできるレーザ切断加工方法及びレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】アシストガスとして酸素を使用し、ピアス加工位置から環状に切断すべき環状経路に達した位置をＡ位置とし、このＡ位置からレーザ切断加工の進行方向に所定距離の位置をＢ位置とし、前記Ａ位置からレーザ切断加工の進行方向の逆方向への所定距離の位置をＣ位置としたとき、前記Ａ位置から前記Ｂ位置を経て前記Ｃ位置へレーザ切断加工を行った後、前記Ｃ位置から前記Ａ位置を経て前記Ｂ位置までレーザ切断加工を行う際、前記Ａ位置からＣ位置までのレーザ出力、切断速度に対してレーザ出力を小出力にすると共に切断速度を低速にして前記Ｃ位置から前記Ｂ位置までのレーザ切断加工を行い、前記Ｂ位置においてレーザ出力を零にする。 （もっと読む）

【課題】バインダ剤が混合された金属粉末を溶加材とした場合であっても、スパッタを発生させず、且つ、バインダ剤を炭化させずにレーザで肉盛溶接するレーザ肉盛方法を提供することを目的とする。
【解決手段】レーザ肉盛方法は、金属粉末を主とし、且つ、有機バインダ剤を含む溶加材１を被肉盛溶接部材２に塗布する工程と、塗布した溶加材１に、第１レーザを第１出力Ｐｆで照射する工程と、第１レーザを照射した後の溶加材１に、所定の距離間隔をあけて第１レーザに追随して移動する第２レーザを第２出力Ｐａで照射する工程とを備え、金属粉末の融点をＴｍ、有機バインダ剤の分解温度をＴｂとした場合に、第１出力と第２出力との関係が、０．８×（Ｔｂ／Ｔｍ）×Ｐａ≦Ｐｆ＜（Ｔｂ／Ｔｍ）×Ｐａを満たす。 （もっと読む）

【課題】高い品質の半導体素子（チップ）を歩留り良く生産すること。
【解決手段】先ず、アブレーション作用を有するレーザにより、ダイシング領域に沿って積層膜２の部分のみに溝ＧＶを形成する。次いで、溝ＧＶが形成されている側の面に保護シート３を貼り付け、該保護シートが貼り付けられた当該ウエハの裏面を研削した後、ウエハＷ１の裏面側から半導体基板１Ａに対して透過性を有する波長のレーザ光を上記ダイシング領域に沿って照射し、該基板の内部に改質層ＭＬを形成する。さらに、ウエハＷ１の裏面にシート部材４を貼り付け、保護シート３を除去後、シート部材４を拡張することによって当該ウエハを個々のチップ１０Ｃに分割する。 （もっと読む）