【課題】製造コストを増加させずに耐食性に優れたコーティング膜、コーティング膜で被覆された物品及び耐食性コーティング方法を提供する。
【解決手段】ＣＯ２及びＮｉめっき液を混合分散部６０に供給してめっき分散体を生成する。このめっき分散体は、一対の電極が設けられためっき槽６１に供給される。めっき槽６１では、ＣＯ２を超臨界状態として、電極に電圧を印加して、電解めっきを行い、基板Ｗの表面にＮｉ膜を形成する。この電解めっきの完了後、Ａｕめっき液をめっき槽６１に供給して、無電解めっきを行う。すなわち、表面のＮｉと、Ａｕめっき液に含まれるＡｕとが置換されて、Ｎｉ膜上に、Ａｕ膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 ＦｅＰｔ合金をめっきするためのめっき液、該めっき液を用いた構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくともＦｅ及びＰｔを含み、Ｐｔ成分がシクロヘキサクロロ白金酸アンモニウムであるめっき液。Ｆｅ成分が錯化剤によりＦｅ錯体としてめっき浴中で安定化し、錯化剤が酒石酸イオン又はクエン酸イオンである。めっき液のｐＨは６以上９．５以下である。上記のめっき液がはいった容器に電極とめっきされる対象物とを用意する工程と、前記電極に電圧を印加することによって、めっき液からＦｅＰｔを含む磁性体を前記対象物にめっきして構造体を形成する工程とを備える構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 めっきランニング安定性に優れた無電解金めっき液又は電解金めっき液を提供すること。また、めっきランニング安定性に優れた金めっき液を得るための、金めっき液用亜硫酸金塩水溶液を提供すること。
【解決手段】 亜硫酸金塩及び亜硫酸塩を含有し、パーティクル増加率が２０％以下であることを特徴とする金めっき液用亜硫酸金塩水溶液を、無電解金めっき液又は電解金めっき液の金源として用いることによって上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】３価クロムめっきの長時間運転を可能とし、３価クロムによる硬質めっきを得ることにある。
【解決手段】塩化クロムを主成分として含んで成るめっき液を用いて３価クロムめっきするにあたり、めっき液の一部と水酸化クロム含水ゲルを混合し、この混合めっき液をフィルターを通してめっき槽に戻し、めっき液中の金属クロムイオン濃度を制御しながらめっきする。 （もっと読む）

【解決手段】微細結晶子を有さない均質なアモルファス相で形成されてなる金−ニッケル系アモルファス合金めっき皮膜、シアン化金塩を金基準で０．０１〜０．１ｍｏｌ／ｄｍ³の濃度、ニッケル塩をニッケル基準で０．０２〜０．２ｍｏｌ／ｄｍ³の濃度、及びタングステン酸塩をタングステン基準で０．１〜０．５ｍｏｌ／ｄｍ³の濃度で含有する電気めっき液、及びこの電気めっき液を用いて金−ニッケル系アモルファス合金めっき皮膜を形成する電気めっき方法。
【効果】本発明の金−ニッケル系アモルファス合金めっき皮膜は、微細結晶を有さない均質なアモルファス相により形成されており、金本来の良好な接触抵抗値や化学的安定性を実用上問題にならない程度に維持しつつ、硬度が向上したものであることから、リレー等の電気・電子部品の接点材料として有用である。 （もっと読む）

【課題】 密着性に優れた保護膜が成膜され、耐食性および耐熱性に優れ、しかも、繰り返しめっき処理を行った場合でも、めっきの初期段階に使用する銅めっき液の劣化を有効に防止することができ、密着性の高い保護膜を安定して形成可能な磁石の製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅塩、リン酸塩、脂肪族ホスホン酸化合物、金属水酸化物を少なくとも含む第１めっき液と、銅塩、リン酸塩、脂肪族ホスホン酸化合物、金属水酸化物を少なくとも含み、前記第１めっき液とは別の第２めっき液と、を準備する工程と、希土類を含む磁石の表面に、前記第１めっき液を用いて電解めっきを行い、第１保護膜を成膜する工程と、前記第１保護膜が形成された前記磁石の表面に、前記第２めっき液を用いて電解めっきを行い、前記第１保護膜とは別の第２保護膜を成膜する工程とを有することを特徴とする磁石の製造方法。 （もっと読む）

【解決課題】白金−コバルト合金膜を形成するためのめっき液であって、液の安定性に優れ、沈澱を生じさせることなく高品質な合金膜を形成できるものを提示する。
【解決手段】本発明は、白金塩とコバルト塩を含む白金−コバルト合金めっき液において、白金塩として、Ｎａ_２［Ｐｔ（Ｃ_２Ｏ_４）_２］、Ｋ_２［Ｐｔ（Ｃ_２Ｏ_４）_２］、［Ｐｔ（ＮＨ_３）_４］Ｃｌ_２、［Ｐｔ（ＮＨ_３）_４］ＳＯ_４、［Ｐｔ（ＮＨ_３）_４］（ＮＯ_３）_２、［Ｐｔ（ＮＯ_３）_２（ＮＨ_３）_２］、Ｋ_２ＰｔＣｌ_４のいずれか１種の２価の白金塩を白金濃度で１〜３０ｇ／Ｌ含み、前記コバルト塩として２価のコバルト塩を含むことを特徴とする白金−コバルト合金めっき液である。このめっき液においては、緩衝剤として、無機酸又はこれらの塩、若しくは、有機カルボン酸又はこれらの塩、若しくは、ポリアミノカルボン酸の少なくともいずれかを合計で１〜２００ｇ／Ｌ含むものが特に好ましい。 （もっと読む）

【目的】PPE樹脂含浸基材を代表とする高周波基板に対して強い引き剥がし強さを得ることができ、粗面粗度を超低粗度にする事でエッチングによる回路パターン形成後の回路ボトムラインの直線性を高め伝送損失の低減が可能な高周波プリント配線板用銅箔及びその製造方法を提供する。
【構成】銅箔の少なくとも一方の面に直径が0.05〜1.0μmである球状の微細な粗化粒子からなる粗化処理層を施し、更に該粗化処理層上にモリブデン、ニケッル、タングステン、リン、コバルト、ゲルマニウムの内の少なくとも一種類以上からなる耐熱・防錆層を施し、更に該耐熱・防錆層上にクロメート皮膜層を施し、更に該クロメート皮膜層上にシランカップリング剤層を施す事を特徴とする高周波プリント配線板用銅箔及びその製造方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】 耐磨耗性、耐食性に優れ、摩擦係数の小さいＷ−Ｐ系合金を安定して効率的に得るための電気めっき浴、それを用いる電気めっき方法ならびに得られるＷ−Ｎｉ−Ｐ系合金めっき皮膜を提供する。
【解決手段】 タングステン（Ｗ）；ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）もしくは鉄（Ｆｅ）；ならびにリン（Ｐ）の供給源を含有し、ＷとＮｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、ＭｏもしくはＦｅとの質量比が１：０．０２〜０．３であることを特徴とするＷ−Ｐ系合金電気めっき浴。この電気めっき浴を用いて、好適には浴温４０〜９０℃、ｐＨ３．０〜９．０および電流密度０．３〜２０A/ dm^２で電気めっきを行なうことにより、Ｗ含有量３５．０〜５５．０wt％、Ｎｉ含有量５２．５〜６４．３wt％およびＰ含有量０．７〜２．５wt％であり、ビッカ−ス硬さがＨv８００〜２５００であるＷ−Ｎｉ−Ｐ系合金めっき皮膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】電気メッキされたＣｏＰｔＰ材料は垂直磁気特性を高め、超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスの使用において有益である。
【解決手段】９４−９８重量％のＣｏ，０−１重量％のＰｔ及び２−４重量％のＰの組成を有するコバルト（Ｃｏ），プラチナ（Ｐｔ）及びリン（Ｐ）から構成される材料。材料はセ氏１００乃至５００度の温度でアニーリングされる。材料は適当な電気化学浴中で基板を電気メッキすることにより形成される。電気メッキされたＣｏＰｔＰ材料は基板に層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 レジスト膜によるマスクなしに、少ない工程で、特定のパターンの金属膜を形成できるようにする。
【解決手段】 基板上に金属膜を有する金属構造体の製造方法において、金属膜を形成する部分を、凹凸形状を有する導電体で形成する工程と、電気めっきによって前記導電体上の凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。めっき液中には、シアニン色素のように、めっき反応を抑制し、めっき反応の進行と同時にめっき反応抑制効果を失う化合物を添加することが望ましい。凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ構造体用材料として好適に用いることのできる、十分な靱性を備えた高強度合金及びその高強度合金を被覆してなる金属とその高強度合金を用いたマイクロ構造体を提供すること
【解決手段】ＮｉイオンまたはＣｏイオンとＷイオンまたはＭｏイオンの総和が０．１〜０．３モル／Ｌの範囲で、上記金属イオンにおけるＮｉイオンまたはＣｏイオンの含有比率が２０〜４０％の範囲にある組成の電解浴を用いて、４０〜８０℃の浴温で電解析出させて高強度合金を得る。その高強度合金はアモルファス構造または平均結晶粒径が１００ｎｍ以下のナノ結晶構造を有している。 （もっと読む）

本発明は、基体のめっき性部分上におけるスズ又はスズ合金の沈着に関連して使用するための溶液に関する。この溶液は、水;基体のめっき性部分上にスズ沈着物を提供するのに十分な量のスズイオン;金属イオンを該溶液に可溶化させるのに十分な量で存在し、5.5より大きく10未満のpHで安定な酸の錯化剤又はその塩;及び該基体の該めっき性部分上へのスズの沈着を容易にするのに十分な量で存在するアルコキシル化ポリアルコールの界面活性剤を含む。 （もっと読む）

サブミクロン径の内部配線凹凸を有する半導体集積回路基板上をＣｕを電気メッキするための組成物と電気メッキする方法が提供される。この組成物はＣｕイオンとポリエーテル基を含む抑制剤からなる。この方法は、超充填速度で迅速なボトムアップ沈積をする超充填方法に関し、これにより垂直な方向での凹凸の底から凹凸の上部開口までＣｕ沈積が側面のＣｕ沈積よりも実質的に大となる。 （もっと読む）

【課題】フッ素樹脂基板、液晶ポリマー等の３００℃〜４００℃の高温加工プロセスを経て製造されるプリント配線板に適用出来る、高温加熱後の強度の劣化のないキャパシタ層形成材を提供する。
【解決手段】 上部電極形成に用いる第１導電層と下部電極形成に用いる第２導電層との間に誘電層を備えるプリント配線板のキャパシタ層形成材において、第２導電層に銅層の表面に異種金属層として硬質ニッケルメッキ層、コバルトメッキ層、ニッケル−コバルト合金メッキ層、２層のコバルトメッキ層／硬質ニッケルメッキ層、２層の鉄メッキ層／硬質ニッケルメッキ層、３層のコバルトメッキ層／硬質ニッケルメッキ層／コバルトメッキ層、３層の鉄メッキ層／硬質ニッケルメッキ層／コバルトメッキ層等を備える複合箔を採用する。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面へのビスマスの置換析出を防止する。
【解決手段】 ジエチレントリアミンペンタ酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−グルタミン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アスパラギン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ホスホノブタントリカルボン酸、ヒドロキシエチルアミノジメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アラニン、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、１,３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパンテトラ酢酸、メルカプトコハク酸、これらの塩から選ばれた錯化剤を添加した鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴である。特定種のアミノカルボン酸類又はホスホン酸類などを選択添加する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に表面多層めっき層を形成した材料について、高温雰囲気下で長時間経過後も低接触抵抗を維持することができる接続部品用導電材料を得る。
【解決手段】 Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に、Ｎｉ層、Ｃｕ−Ｓｎ合金層及びＳｎ層からなる表面めっき層がこの順に形成され、かつ前記Ｎｉ層の厚さが０．１〜１．０μｍ、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層の厚さが０．１〜１．０μｍ、そのＣｕ濃度が３５〜７５ａｔ％、前記Ｓｎ層の厚さが２．０μｍ以下で、かつ０．００１〜０．１質量％のカーボンを含有する。Ｓｎ層の厚さが０．５μｍ以下の場合、多極の嵌合型端子用として用いたときに挿入力が低く、Ｓｎ層の厚さが０．５μｍを越える場合、リフローソルダリング等の加熱処理を受けた後でもはんだ濡れ性が確保されＪＢのような非嵌合型接続部品用として適する。 （もっと読む）

【課題】 機械的手段により攪拌を行ないながら、皮膜物性の低下や、フィリング性の低下あるいはボイドを生じる等の問題のない酸性銅めっき手段を提供すること。
【解決手段】 機械的手段により攪拌を行う酸性銅めっき方法において、めっき液中の溶存酸素濃度を５ｐｐｍ以上に維持しながらめっきを行うことを特徴とする酸性銅電気めっき方法およびこの方法の実施に使用する酸性銅用めっき装置。 （もっと読む）

【課題】アンモニアを用いることなしで、タングステン含有率が高く、硬度が高く、耐食性に優れ、耐摩耗性に優れ、離型性に優れたニッケル−タングステン合金めっき皮膜を形成することができるニッケル−タングステン合金めっき液及びニッケル−タングステン合金めっき皮膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】タングステン酸のナトリウム塩及びカリウム塩の少なくとも１種０．２〜０．５Ｍ、硫酸ニッケル０．０７〜０．２Ｍ、クエン酸アンモニウム０．２〜０．４Ｍ及びクエン酸又はクエン酸のナトリウム塩又はカリウム塩０．２〜０．４Ｍを必須成分として含有し、酸又はアルカリの添加によりｐＨが４〜６に維持されているニッケル−タングステン合金めっき液、該めっき液を用い、浴温５０〜７０℃、電流密度３０〜１５０ｍＡ／ｃｍ²の条件下で電気めっきするニッケル−タングステン合金めっき皮膜の形成方法。 （もっと読む）

とりわけ均一で光沢があり、即ち、平滑で延性もある著しく光沢のある銅皮膜を再現可能に製造するため、添加物としてフェナジニウム化合物オリゴマーの混合物を含有する銅めっき浴が用いられる。当該混合物は、請求の範囲及び明細書に述べられた一般化学式［化１］及び［化２］を有する２つの単量体ユニットを含有する化合物と３つの単量体ユニットを含有する化合物並びに別のフェナジニウム化合物オリゴマーから成る群から選択された少なくとも一種のフェナジニウム化合物を含む。
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