【課題】樹脂基板上に銅配線パタ―ンを強い密着力で形成する。
【解決手段】回路基板の製造方法は、無機フィラー粒子の表面に、ＵＶオゾン処理によりＯＨ基を形成する工程と、前記ＯＨ基が結合した無機フィラーを、ビニル基を有するシランカップリング剤により処理する工程と、前記シランカップリング剤により処理した無機フィラー粒子に、トリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を結合する工程と、前記トリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を結合した無機フィラー粒子を樹脂前駆体中に混合する工程と、前記樹脂前駆体を硬化させることにより樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に銅パタ―ンをメッキにより形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】面内均一性に優れためっき膜を被めっき基板に形成できるめっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき基板９０の外周部のカソード電極７０が接触する箇所と、被めっき基板のめっき面９２の製品領域１３０との間にダミーめっき領域１４０を配置した被めっき基板のカソード電極が接触する箇所にカソード電極を接触させ、被めっき基板のめっき面にめっき液を供給し、カソード電極とアノード電極間に前記めっき液を介して電流を流してめっき面にめっきを行う工程を備える。 （もっと読む）

【課題】膜厚の基板面内均一性に優れためっき膜を形成できるめっき装置を提供する。
【解決手段】側壁３０と側壁に囲まれた開口部３１とを有するカップ２０と、ウエハ９０を、カップ２０の開口部に対向させると共に、カップと離間して保持する電極ピン７０およびウエは押さえ８８と、ウエハ９０の外周部に接触する電極ピン７０と、カップ２０内のめっき液６０に接触して配置されるアノード電極５２と、カップ２０にめっき液を供給し、めっき液をウエハに接触させた後、カップとウエハとの間の隙間８２からオーバーフローさせるポンプと、カップの側壁に設けられたスリット３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】金属または金属酸化物からなる微細構造体を容易に、導電性基板上に規則的に配列させて作製できる微細構造体の製造方法および該製造方法を用いて得られる複合体の提供。
【解決手段】導電性基板１３上に有機膜１２を形成し、該有機膜１２上に、特定一般式（１）で表されるブロック共重合体（１）を溶媒に溶解した溶液を塗布して両親媒性ブロック共重合体膜１１を形成する。次に、有機膜１２および両親媒性ブロック共重合体膜１１が形成された導電性基板１３に対して熱処理を行って、該両親媒性ブロック共重合体膜１１内を、親水相と疎水相とに相分離させ、相分離構造膜１４とする。その後、導電性基板１２に対して電解メッキ処理を行う。これにより、相分離構造膜１４の親水相１５の位置に金属または金属酸化物からなる微細構造体１６が形成される。電解メッキ処理の後、さらに、相分離構造膜１４のみを除去する工程を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】銅張積層板を配線基板として機器内に組み込む際のハンドリング性に優れ、コネクタに接続される銅張積層板を提供する。
【解決手段】銅箔の片面に樹脂が積層され、樹脂と反対側の銅箔の表面の少なくとも一部にＮｉ下地めっき層が形成され、Ｎｉ下地めっき層上であってコネクタ２０を接続する部分にＡｕめっき層１２が形成され、Ａｕめっき層を外側として１８０度密着曲げを行った場合に、銅箔の導通が遮断されるまでの曲げ回数が３回以上である銅張積層板である。 （もっと読む）

【課題】ボイド、ディッシング、及びエロージョンの発生を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に幅の異なる複数の開口部３６，３７を形成し、次いで、絶縁膜の上面、及び幅の異なる複数の開口部内にシード層３８を形成し、次いで、第１の成長速度により、シード層の表面を覆う第１のめっき膜７１を形成し、次いで、第１の成長速度よりも速く、かつボイドを生じさせない第２の成長速度により、第１のめっき膜の表面に第２のめっき膜７２を形成し、次いで、第２の成長速度よりも速い第３の成長速度により、第２のめっき膜上に第３のめっき膜７３を形成し、その後、シード層及び第１乃至第３のめっき膜のうち、絶縁膜の上面よりも上方に形成された部分を研磨により除去することで、開口部内に少なくとも第１及び第２のめっき膜よりなる導電部を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）トリアゾール化合物、ピラゾール化合物、イミダゾール化合物、カチオン性界面活性剤及び両性界面活性剤から選ばれる１種又は２種以上の吸着防止剤、及び（Ｂ）塩化物イオンを必須成分とする水溶液であることを特徴とする電気めっき用前処理剤。
【効果】本発明によれば、下地銅とレジストとの密着性を阻害せず、また、下地銅と電気銅めっき皮膜との密着性を阻害しない電気めっき用前処理剤を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ迅速で安価に貫通穴内表面のみにめっき処理を施すことができる貫通穴めっき方法及びこれを用いて製造された基板を提供する。
【解決手段】絶縁層６を貫通した貫通穴７を有する基板中間体４と、前記貫通穴７に対応した位置に開口部を有する２枚の導電性マスク５とを用い、前記開口部の位置を前記貫通穴７に合わせて前記基板中間体４の表裏両面の全域を前記各導電性マスク５で覆い、前記基板中間体４の表裏両面の少なくとも一部に、それぞれの前記導電性マスク５を密着させて被めっき処理体２を形成し、該被めっき処理体２をめっき液３に浸漬し、前記貫通穴７の内面を含んだ前記被めっき処理体２の表面全体に金属を付着させてめっき処理し、前記基板中間体４から前記導電性マスク５を除去する。 （もっと読む）

【課題】点光源のＸ線源を用いても、Ｘ線吸収の効率を低下させることのない湾曲したマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】表側に微細構造とメッキ層を有し、裏側に弯曲した面を有するモールドからなるマイクロ構造体の製造方法であって、異方性エッチングにて深さ方向にエッチングされて形成された微細構造を有し、前記微細構造の連続した隙間の底部に導電性が付与されたモールドを用意する工程と、前記微細構造の底部からメッキして前記微細構造の連続した隙間に第１のメッキ層を形成する工程と、前記第１のメッキ層の上に、応力を発生する第２のメッキ層を形成し、前記第２のメッキ層の応力によりモールドを湾曲させる工程とを少なくとも有するマイクロ構造体の製造方法。 （もっと読む）

金属化すべきでない部域が金属化されないようにしながら、異なるプラスチックを有する対象物７上の金属化すべき表面部域の金属化中の選択性を改善する目的で、以下の方法が提案されている。すなわち、Ａ）エッチング溶液を用いて対象物７をエッチングするステップ；Ｂ）コロイドの溶液または金属化合物を用いて対象物７を処理するステップであって、金属が元素周期表のＶＩＩＩＢ族またはＩＢ族の金属であるステップ；そしてＣ）金属化溶液で対象物７を電解金属化するステップ。本発明によると、対象物７の表面上で曝露された少なくとも１つの第２のプラスチックが金属化されている間、対象物７の表面上で曝露された少なくとも１つの第１のプラスチックの金属化を回避するために、方法ステップＢ）の後でかつ方法ステップＣ）の前のさらなる方法ステップにおける処理中に対象物７は超音波処理に付される。
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【課題】Ｘ線吸収を大きくすることが可能な高アスペクトな金メッキ物からなるマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】柱状の金メッキ物からなるマイクロ構造体の製造方法であって、基板上に、導電性を有するシード電極と、前記シード電極の一部が露出するようにシリコンからなる格子とが設けられたモールド基板を用意する工程と、前記シリコンからなる格子の頂上部から深さ方向に対して０度より大きな入射角にて絶縁物を斜方蒸着する工程と、前記絶縁物が斜方蒸着されたモールド基板に金メッキを行い、前記シリコンからなる格子の間隙に柱状の金メッキ物を形成する工程を有するマイクロ構造体の製造方法。 （もっと読む）

本発明によれば、次の要素が提供される：カソードを形成するブレード（１２０、１３０）であって、臨界ゾーン領域（２１）を画定する、コーティングされる表面を有するブレード、アノード（１９）、不溶解性の粒子を含む電解浴、および基準壁（１４）に対する作業位置に前記ブレードが装着される装着台（１２）。装着台（１２）は、前記浴中に置かれ、粒子およびアノードの金属は、コーティング（２０）をコーティングされる表面上に形成するために同時堆積される（１９）。前記アノード（１９）は、通常、臨界領域（２１）に面して配置され、前記装着台（１２）には、臨界ゾーン（１２）に対して比較的一定の予め決められた厚さであって、前記コーティング（２０）の縁部に沿ってほぼゼロの値まで徐々に低下する厚さを有するコーティング（２０）を得るために電流線を監視する手段が設けられる。
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【課題】電気コネクタのような、ニッケル含有基体上に硬質金をスポットめっきする際、めっき箇所以外に金が置換めっきされるのを抑制するメッキ液組成物を提供する。
【解決手段】金イオン源と、コバルト塩またはニッケル塩を含む金属イオン源と、下記式で示されるメルカプトテトラゾールまたはその塩を含む組成物。


（式中、Ｒ１は、水素、Ｃ１−Ｃ２０）炭化水素基、（Ｃ８−Ｃ２０）アルアルキル、フェニル、ナフチル、アミンまたはカルボキシル基；Ｘは水素、（Ｃ１−Ｃ２）アルキル、またはアルカリ金属、カルシウム、アンモニウムまたは第四級アミンのような好適な対イオンである） （もっと読む）

【課題】熱ナノインプリント法における熱可塑性高分子の剥がれや、ウェットエッチング液やめっき液の、レジスト内や金属層とレジストとの界面への浸入を抑制する基板を提供する。
【解決手段】基板層１、金属酸化物表面を有する金属層２、下記式に示す、紫外線照射により接着性を発現する感紫外線化合物層３、および熱可塑性高分子層４とをこの順で有する。


（Ｒ１〜Ｒ３：Ｈ、Ｃ１〜６の炭化水素基等、Ｘ：Ｏ、ＯＣＯ、ＣＯＯ、ＮＨ、ＮＨＣＯ、ｍ：１〜２０、Ｒ４：Ｃ１〜３の炭化水素基、Ｙ：Ｃ１〜３のアルコキシ基、ハロゲン原子、ｎ：１〜３。） （もっと読む）

システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に１つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、２つの層の間に配置される中間層を含む。 （もっと読む）

システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に１つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、２つの層の間に配置される中間層を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰの処理時間を短縮する。
【解決手段】基板製造方法は、基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層上に第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクを介して絶縁層をエッチングすることにより絶縁層に溝を形成する工程と、第１のマスクを除去する工程と、絶縁層上及び溝の表面に第１の金属層を形成する工程と、溝の内部及び上方に第２のマスクを形成する工程と、第１の金属層上及び第２のマスクの表面に第２の金属層を形成する工程と、第２のマスク及び第２のマスクの表面に形成された第２の金属層を除去する工程と、溝の上方が開口された第３のマスクを第２の金属層上に形成する工程と、溝の内部及び上方に第３の金属層を電界めっきにより形成する工程と、第３のマスクを除去する工程と、第３の金属層を化学機械研磨により平坦化する工程と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、金属またはプラスチックから成る外側容器を備え、該外側容器が内面および外面をニッケルまたは亜鉛またはコバルト或いはニッケルまたはコバルトを含む合金で特にガルヴァニック被覆されている、機器バッテリーとしてのガルヴァニック素子のためのハウジングに関わる。外側被覆部は前記容器の両端部領域のみに配置され、該両端部領域の間にある中間領域（１１）は被覆されていない。さらに本発明は、ガルヴァニック素子用ハウジングの製造方法に関わる。
（もっと読む）

【課題】ゲル状態のめっき用組成物２Ａを用いたパターニングされた金属膜３の容易な作製方法を提供する。
【解決手段】 ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状となっためっき用組成物２Ａを用いてゲル化剤と、電気めっき反応を行うための金属イオンと、溶媒としての水と、を有するめっき組成物２をゾル状態とするゾル化工程と、ゾル状態のめっき組成物２を基板２０上で所定のパターン形状とするパターン形成工程と、所定のパターン形状のめっき組成物２Ａをゲル状態とするゲル化工程と、ゲル状態のめっき組成物２Ａを用いて電気めっき反応を行う電気めっき工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】容易に作成可能なパターニングされたゲル状態のめっき用組成物を提供する。
【解決手段】ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で開口１３を介して基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状。 （もっと読む）