【課題】摩擦係数が小さく、接触抵抗の経時変化が小さい嵌合型端子用錫めっき付き銅合金板を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金板上に、Ｎｉ被覆層（必要に応じて）、Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層及びＳｎ被覆層からなる表面めっき層がこの順に形成され、Ｓｎ被覆層の上に黒鉛粒子が分散して付着している。Ｎｉ被覆層の平均厚さは０．１〜１．０μｍ、Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層の平均厚さは０．１〜１．０μｍ、Ｓｎ被覆層の平均厚さは０．１〜２．５μｍとされている。黒鉛粒子は前記Ｓｎ被覆層の表面を面積比率３〜３０％で被い、黒鉛粒子のうち粒径２μｍ以上の黒鉛粒子の平均粒径が３〜３０μｍで、そのうち粒径１０μｍ以上の粒子の個数の割合が３％以上である。銅又は銅合金板上にＮｉめっき（必要に応じて）、Ｃｕめっき及びＳｎめっきを行い、表面に黒鉛粒子を付着させた後、リフロー処理することで製造する。 （もっと読む）

本発明は、補助電極（３６）が取り付けられた少なくとも１つのカバー（３４）を備える滑り軸受けのガルバニックコーティング用ツールに関連する。
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【課題】 シリコーンゴムの表面への無電解めっきの前工程を簡便とし、あるいは、無電解めっきを介さずに直接電解めっきによりシリコーンゴムの表面への導電性付与を可能とするためのシリコーンゴム表面への金属の固定方法を提供する。
【解決手段】 ケイ素を含有させたシリコーンゴムの表面を、チオール基あるいはポリスルフィド基を含有するシランカップリング剤で処理した後、あるいは、シリコーンゴムの表面をシランカップリング剤で処理し、次いで、シラン化合物により処理し、その後、チオール基あるいはポリスルフィド基を含有するシランカップリング剤で処理した後、金属化合物を接触させ、この金属化合物を構成する金属が還元されて生成した金属粒子を固定するようにした。 （もっと読む）

【課題】曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレームを提供する。
【解決手段】素材金属１０の表面に下地Ｎｉめっき層を介して貴金属めっき層１３が形成されたリードフレームにおいて、下地Ｎｉめっき層の表面粗さＲａが０．１〜０．８μｍの範囲にあり、下地Ｎｉめっき層の表面に、下地Ｎｉめっき層の表面の角状又は針状の凹凸プロファイルに合わせてフラッシュめっきにより貴金属めっき層１３を形成した。ここで、貴金属めっき層１３は、Ｐｄ、Ａｕ、及びＡｇめっきの少なくとも１である。 （もっと読む）

【課題】ロールの周面へのメッキを均一な厚さに施すことができるロール用メッキ装置を提供する。
【解決手段】メッキ対象のロールＲの両端をチャックする一対のロールチャック２と、メッキ液Ｌを貯留しこのメッキ液ＬにロールＲを浸漬させるメッキ槽３と、上記メッキ槽３内に設けられ、上記ロールチャック２に外嵌するよう対向配設され、ロール端部へのメッキ電流の集中を抑制する一対のメッキ電流遮蔽器５とを備えるロール用メッキ装置１であって、上記メッキ電流遮蔽器５が、上記ロールチャック２の軸方向に移動可能に吊設されており、上記ロールチャック２に外嵌するロール端面被覆板１０と、このロール端面被覆板１０の対向面側に立設され、切欠領域を有する帯状のロール周面端部被覆板１１とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気コネクタのような、ニッケル含有基体上に硬質金をスポットめっきする際、めっき箇所以外に金が置換めっきされるのを抑制するメッキ液組成物を提供する。
【解決手段】金イオン源と、コバルト塩またはニッケル塩を含む金属イオン源と、下記式で示されるメルカプトテトラゾールまたはその塩を含む組成物。


（式中、Ｒ１は、水素、Ｃ１−Ｃ２０）炭化水素基、（Ｃ８−Ｃ２０）アルアルキル、フェニル、ナフチル、アミンまたはカルボキシル基；Ｘは水素、（Ｃ１−Ｃ２）アルキル、またはアルカリ金属、カルシウム、アンモニウムまたは第四級アミンのような好適な対イオンである） （もっと読む）

【課題】アノードスライムの発生およびメッキ欠陥の発生を抑えた半導体ウエハ等の電気銅メッキ用の含リン銅アノード電極、該含リン銅アノード電極の製造方法およびこの含リン銅アノード電極を用いた電気銅メッキ方法を提供する。
【解決手段】リン含有量が０．０１〜０．０８質量％である電気銅メッキ用の含リン銅アノード電極において、該アノード電極は熱処理により、その表面の残留歪みが０．０５％以下とされ、該アノード電極は炭化水素系溶剤で洗浄され、回転リングディスク電極法で測定される一価銅の検出量が電解時間３００ｓｅｃ以上において５×１０^−９ｍｏｌ／ｓｅｃ以下である表面清浄度を備える電気銅メッキ用の含リン銅アノード電極とその製造方法および電気銅メッキ方法。 （もっと読む）

【課題】鉛含有量が低いか又は鉛を含まない減摩コーティングの提供。
【解決手段】本発明は、Ｓｎに加えて、Ｓｂ及びＣｕのうちの少なくとも１つの他の元素と、所望によりＰｂ及び／又はＢｉ、また所望によりＺｒ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｎｉ及びＡｇのうちの少なくとも１つの元素を含有するスズベースの合金から作製され、Ｓｂが最大で２０重量％、Ｃｕが最大で１０重量％、Ｐｂ及びＢｉの合計が最大で１．５重量％、Ｃｕ及びＳｂの合計が少なくとも２重量％、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｎｉ及びＡｇの合計が最大で３重量％であって、スズが金属間相の形で結合され且つβスズ結晶粒を有するスズ相として自由に存在している減摩コーティング（４）に関する。βスズ構造のスズ結晶粒は、式Ｋ＝Ａ／（Ｓ＋３＊Ｃ＋Ｏ）に基づいて計算されたμｍ単位の平均粒度を有し、スズベースの合金中のβスズ構造のスズ結晶粒はいずれの場合も少なくとも２．５μｍの平均結晶粒度を有する。 （もっと読む）

【課題】銅箔に更に電気抵抗膜を形成することにより、電気抵抗材の基板内蔵化を可能とし、且つその接着性を向上させ、抵抗値のばらつきが小さい金属箔及びプリント回路用基板を提供する。
【解決手段】光学的方法で測定した十点平均粗さＲｚで４．０〜６．０μｍに調整した金属箔表面に形成した銅−亜鉛合金膜、この銅−亜鉛合金層の上に形成した酸化亜鉛、酸化クロム、酸化ニッケルから選択した少なくとも１成分からなる安定化膜、さらにこの安定化層の上に形成したニッケルクロム合金からなる電気抵抗膜を備え、さらにこの電気抵抗膜上にテトラエトキシシランを吸着・乾燥させた金属箔であって、前記電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±１０％以内にする。 （もっと読む）

【課題】高温中で使用されてもその直径によることなく抵抗値の上昇を抑制可能なコンタクトプローブを提供する。
【解決手段】円筒状のバレルと、前記バレルの端部に設けられるプランジャーと、前記バレル内に収納されて前記プランジャーを外方に向かって付勢する弾性体とを含むコンタクトプローブにおいて、前記プランジャーは、基材と、前記基材の表面に形成されたＮｉメッキ膜と、前記Ｎｉメッキ膜上に形成されたＡｕメッキ膜と、前記Ｎｉメッキ膜と前記Ａｕメッキ膜との間に介在し、Ａｕ、Ｐｄ及びＣｏを含有する合金膜であって、真空雰囲気中で加熱されてなる合金中間膜と、を備え、前記バレルは、その内周を形成するＡｕ層と、前記バレルの外周を形成するＮｉ層と、を含み、前記バレルは、所定の直径を有する芯線の外周面に電鋳法により形成される。 （もっと読む）

本発明は、移送軌道の上を電気めっき装置を通って搬送されうる、帯状または板状の材料(1)の電気的接触に関する。陰極を付与された接触手段(6)が、例えば、電気めっき装置の中で循環させられる電解液(12)の中で、材料(1)の下側に配置される。材料は、電流を材料(1)に伝達するために電気的に接触される。従来技術では、接触手段(6)は、材料(1)に加えて金属被覆される。前記金属被覆は、接点から継続的に除去される必要がある。本発明によれば、例えば各管状接触手段(6)は、冷却ユニットまたは冷却媒体によって冷却される。電解液(12)の作動温度と接触手段(6)の表面温度との間の温度差が十分に大きいならば、金属は、接触手段(6)の冷却された表面の上に堆積されない。この特性が、使用される電解液(12)の中で陰極として金属被覆されえない、接触手段(6)の表面を用いて補足されてよい。
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【課題】ウィスカ発生を抑制すると共に、挿抜力を低減させたリフローＳｎめっき部材を提供する。
【解決手段】Ｃｕ又はＣｕ基合金からなる基材の表面にリフローＳｎ層が形成され、該リフローＳｎ層の表面の（１０１）面の配向指数が２．０以上５．０以下であるリフローＳｎめっき部材である。 （もっと読む）

【課題】延性及び耐遅れ破壊特性の良好な引張最大強度９００ＭＰａ以上を有する高強度鋼板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】質量％で、Ｃ：０．０７〜０．２５％、Ｓｉ：０．３〜２．５０％、Ｍｎ：１．５〜３．０％、Ｔｉ：０．００５〜０．０９％、Ｂ：０．０００１〜０．０１％、Ｐ：０．００１〜０．０３％、Ｓ：０．０００１〜０．０１％、Ａｌ：２．５％以下、Ｎ：０．０００５〜０．０１００％、Ｏ：０．０００５〜０．００７％を含有し、残部が鉄および不可避的不純物からなり、鋼板組織がフェライトを主とし、１μｍ以下のブロックサイズより構成されるマルテンサイトを含み、フェライトの体積率が５０％以上、マルテンサイト中のＣ濃度が０．３％〜０．９％、降伏比（ＹＲ）が０．７５以下である延性及び耐遅れ破壊特性の良好な引張最大強度９００ＭＰａ以上を有する高強度鋼板とする。 （もっと読む）

【課題】熱ナノインプリント法における熱可塑性高分子の剥がれや、ウェットエッチング液やめっき液の、レジスト内や金属層とレジストとの界面への浸入を抑制する基板を提供する。
【解決手段】基板層１、金属酸化物表面を有する金属層２、下記式に示す、紫外線照射により接着性を発現する感紫外線化合物層３、および熱可塑性高分子層４とをこの順で有する。


（Ｒ１〜Ｒ３：Ｈ、Ｃ１〜６の炭化水素基等、Ｘ：Ｏ、ＯＣＯ、ＣＯＯ、ＮＨ、ＮＨＣＯ、ｍ：１〜２０、Ｒ４：Ｃ１〜３の炭化水素基、Ｙ：Ｃ１〜３のアルコキシ基、ハロゲン原子、ｎ：１〜３。） （もっと読む）

【課題】タリウム濃度低下による金メッキの不良発生を抑止できる信頼性の高い半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置の製造方法において、非シアン系メッキ液を用いた電解金メッキ技術によって金バンプ電極を形成する工程中、メッキ液２１への印加電圧をモニターすることにより、メッキ液２１へのタリウムの添加量を検出して、タリウム添加濃度の減少による異常析出等のメッキ不良の発生を抑止する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも容易に製造でき、優れた耐焼付き性を有する油井管用のねじ継手を提供する。
【解決手段】インテグラル型のねじ継手は、第１油井管の端部に形成されるボックス３と、第２油井管の端部に形成され、ボックス３に挿入されるピン２とを備える。ボックス３の内面は、複数の雌ねじ３１が形成される雌ねじ部と、内面メタルシール部とを含む。ピン２の外面は、複数の雄ねじ２１が形成された雄ねじ部と、内面メタルシール部に対応する外面メタルシール部とを含む。ピン２の雄ねじ部及び外面メタルシール部上には、筆めっき法によりめっき層が形成される。 （もっと読む）

【課題】 表面に析出した微細粒子が表面から脱落し難い処理銅箔を得る。
【解決手段】 未処理銅箔と該未処理銅箔表面に析出し粗化処理層とを備えた処理銅箔において、粗化処理層に銅と、コバルト及びニッケルから選択される少なくとも一種と、硫黄、ゲルマニウム、リン及びすずから選択される少なくとも一種とを含有させることで、JISG4401-2006に規定されるSK２で作成された刃先角度22°±2°、厚み0.38mmの刃を備えたカッターナイフで粗化処理層を貫通する引き傷を１mm間隔で直交するように縦横11本並べることによって1mm×1mmの升目100個からなる碁盤目を形成し、碁盤目を覆うように配置したJISZ1522に規定される粘着力が3.88N/cmの粘着テープを圧力192kpaで30秒間圧着した後、粘着テープを180°方向に引っ張って引き剥がした際に未処理銅箔から剥がれ落ちる升目の数が30以下とする粗化処理層を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細な穴を有する板状体を処理液に浸漬して行う湿式処理において、穴に気泡が残留することをより十分に抑制し、より均一な湿式処理を実現することが可能な湿式処理方法及び湿式処理装置を提供する。
【解決手段】密閉容器１１内に板状体３を保持した状態で密閉容器１１内を減圧する減圧工程と、減圧工程の後，密閉容器１１内が減圧された状態で密閉容器１１内へ処理液２に溶解可能な溶解性気体８を導入する溶解性気体導入工程と、溶解性気体導入工程の後，密閉容器１１内が溶解性気体８で充満された状態で密閉容器１１内へ処理液２を導入する処理液導入工程とを備えることにより、微細な穴に気泡が残留しない状態で基板３の湿式処理ができるようにしている。 （もっと読む）

【課題】板状ワークを傷をつけたりすることなく安全に搬送でき、かつ均一なめっき品質及びめっき膜厚を達成できる処理槽を提供する。
【解決手段】遮蔽手段は、薄板基板Ｗの上端部および下端部に、次の４つの遮蔽板１０８、１０９、１１２、１１３を備えている。規制ローラ手段３０４は、ほぼ薄板基板Ｗの上部付近まで達する高さで下部基板遮蔽板１０８の上面に立設されたローラ立設体１２０と、外れ防止部材１２２とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰの処理時間を短縮する。
【解決手段】基板製造方法は、基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層上に第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクを介して絶縁層をエッチングすることにより絶縁層に溝を形成する工程と、第１のマスクを除去する工程と、絶縁層上及び溝の表面に第１の金属層を形成する工程と、溝の内部及び上方に第２のマスクを形成する工程と、第１の金属層上及び第２のマスクの表面に第２の金属層を形成する工程と、第２のマスク及び第２のマスクの表面に形成された第２の金属層を除去する工程と、溝の上方が開口された第３のマスクを第２の金属層上に形成する工程と、溝の内部及び上方に第３の金属層を電界めっきにより形成する工程と、第３のマスクを除去する工程と、第３の金属層を化学機械研磨により平坦化する工程と、を備える。 （もっと読む）