【課題】 スパッタリング処理を繰り返し行っても、バッキングプレートとグランドシールドとの間で、スパッタリング粒子の堆積による短絡が生じないようにする。
【解決手段】 ターゲット５を取り付けるバッキングプレート４と、平面視においてターゲット５から所定距離隔ててターゲット５を囲うように設けられるグランドシールド６との間に絶縁性のスペーサ１を介装する。このスペーサ１のグランドシールド６と接触する面及びバッキングプレートと接触する面のターゲット側の側部に段１２ａ，１２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】
６％を越える高透過率（９〜１５％）をもち、且つハーフトーン膜部のサイドエッチングを抑制できしかも石英面を平滑な水平面にすることができるハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造法を提供する。
【解決手段】
本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクは、石英ガラス基板上に、位相差が１３５°以下となるような膜厚をもつＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を設け、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングで石英ガラス基板を垂直性よく且つ面内均一性よく掘り込んで構成される。また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 （もっと読む）

【課題】 タクトを短縮して、生産性を向上させるとともに、省スペース化、低コスト化した真空処理装置を提供する。
【解決手段】 真空処理装置１０において、基板キャリア１２Ａ、１２Ｂを複数の予備室３０Ａ、３０Ｂの基板入れ替え口３０Ａａ、３０Ｂａの前面にそれぞれ１又は２以上配置可能な構成とした。
また、基板キャリア１２Ａ、１２Ｂに基板２４を着脱する際には、少なくとも１つの基板キャリア１２Ａを水平面上に回転させる基板キャリア干渉防止機構５０を備えると、省スペース化が容易になる。 （もっと読む）

【課題】蒸着膜の膜厚を均一化することができる蒸着装置および蒸着方法を提供する。
【解決手段】蒸着装置３０は、前面基板２を収納する蒸着室３１と、蒸着室内を真空排気する真空排気装置３２と、を備えている。蒸着室３１内には、前面基板２の被蒸着面２ａと対向したるつぼ３７と、前面基板およびるつぼの間に位置し、複数のスリット４１を構成した複数の棒４０が配置されている。 （もっと読む）

リチウム塩類と還元剤の間の混合物を提供し、リチウム塩類がチタン酸塩（Ｌｉ₂ＴｉＯ₃）、タンタル酸塩（ＬｉＴａＯ₃）、ニオブ酸塩（ＬｉＮｂＯ₃）、タングステン酸塩（Ｌｉ₂ＷＯ₄）、及びジルコン酸塩（Ｌｉ₂ＺｒＯ₃）の中で選択され、前記還元剤がアルミニウム、ケイ素、ジルコニウム、チタニウム、又はジルコニウム、若しくはチタニウムの合金中で選択される。
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【課題】 大きなサイズの基板の表面に均一な厚みの薄膜を形成するために好ましく用いることのできる簡単な構成の薄膜蒸着装置を提供すること。
【解決手段】 基板の中心位置の回りを基板平面に沿って回転するように基板を保持することのできる基板ホルダと、この基板ホルダの対向位置に設定された蒸発源設置領域とを内部に備えた真空槽からなる、基板表面に薄膜を蒸着により形成する装置において、基板の半径よりも長い長さを持つ細長い一もしくは二以上の蒸着遮蔽板が、基板が保持される領域の外側に設置された支点により、所定の周期にて先端部が基板の中心位置を覆うように移動する上記支点を中心にする回転運動もしくは揺動運動が可能なように設置されていることを特徴とする薄膜蒸着装置。 （もっと読む）

本発明は、真空チャンバにおける高レート電子ビーム蒸着によって少なくとも１つの対象上に光触媒性酸化チタン層を析出する方法に関する。この方法においては、真空チャンバ内に酸素含有雰囲気が発生され、主としてＴｉ成分を有する材料が電子ビームを用いて蒸発され、析出がプラズマによって支援され、この際プラズマはカソードとして接続されている蒸発すべき材料の表面における拡散アーク放電により形成され、コーティング速度が少なくとも２０ｎｍ／ｓであり、析出中の対象温度が１００℃〜５００℃に維持され、酸化チタン層が結晶性であり、且つ主としてアナターゼ相として析出される。
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【課題】 電子ビーム蒸着法をはじめとする真空蒸着法を使用して基板上にＭｇＯ膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶ＭｇＯ焼結体であって、得られたＭｇＯ膜の密度及び耐スパッタ性を低下させることなく、優れた膜特性、例えば、ＰＤＰ用保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。また、その単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として得られたＰＤＰ用保護膜を提供することである。
【解決手段】 粒径２００μm以上の粒子を含有するとともに、Ｘ線回折法により測定した（２００）面のＸ線強度及び（１１１）面のＸ線強度を、それぞれａカウント毎秒及びｂカウント毎秒としたとき、２０＜ａ／ｂ＜３００であることを特徴とする単結晶ＭｇＯ焼結体、及び、この単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したＰＤＰ用保護膜である。 （もっと読む）

【課題】複数の磁気記録媒体を生産性良く製造でき、磁気記録媒体の面内での電磁変換特性のバラツキが少なく、また製造歩留まりの高い磁気記録媒体の製造方法を提供すること。
【解決手段】（１）基板上に、ターゲットを用いてスパッタリング法により、薄膜を形成する磁気記録媒体の製造方法において、スパッタリング中に円環状侵蝕領域が形成されるターゲットと複数枚の基板を載置した基板ホルダーとを中心軸を一致させて平行に対向配置する。そして円環状侵蝕領域の最深部のターゲット中心からの距離をＲ１、円環状侵蝕侵蝕領域の最内周のターゲット中心からの距離をＲ２、基板外径端の基板ホルダー中心からの最長距離をＲ３、最短距離をＲ４としたとき、Ｒ３／Ｒ１が１．１以下であり、かつＲ４がＲ２以上である位置に基板を基板ホルダーに配置して薄膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 優れた電気伝導性を示すと共に、大気中で繰り返し高温加熱処理が施された場合であっても、優れた耐凝集性を示すフラットパネルディスプレイ用Ａｇ基合金配線電極膜を提供する。
【解決手段】 フラットパネルディスプレイ用の配線電極膜であって、Ｂｉを０．０１〜１．５ａｔ％含有し(Ｃｕ、Ａｕ及びＰｄよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１．５ａｔ％含んでいてもよい）、残部実質的にＡｇからなることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用Ａｇ基合金配線電極膜。 （もっと読む）

基板（例えば、大面積ガラス基板）上に膜を塗布するための方法およびコータを開示する。ある実施形態は、シート状基板上に薄膜を塗布するためのコータを含む。幾つかの実施形態におけるコータは、基板を、コータを通って延びる基板走行路に沿って搬送するよう適合させた移送システムを有する。ある実施形態における基板移送システムは、上方向コーティング堆積ギャップを含む。コータは、好ましくは、基板が、上方向コーティング堆積ギャップの上方に延びる、基板走行路の所望の一部に沿って搬送される際、コーティング材料を、上方向に、そのようなギャップを通って基板の底主面上に供給するよう適合させたコーティング材料源を有する。 （もっと読む）

【課題】レンズに複数種の薄膜を形成する加工装置のサイクルタイムを短縮して、生産性を向上させる。
【解決手段】レンズの加工条件を設定する処理６３１３と、複数の蒸着原料のうちから加工条件に応じた蒸着原料を選択する処理６３１４と、レンズに形成される薄膜を測定する光学式膜厚計を加工条件に応じて設定する処理６３１５、６３１６と、蒸着原料を加熱する加熱源の制御条件を設定する処理６３１８と、設定された制御条件で加熱源を起動する処理６３２５と、加熱源により前記蒸着原料を気化させて前記レンズに薄膜を形成する処理と、を含み、薄膜を形成する処理の開始以前に、蒸着原料を選択する処理６３１４と、光学式膜厚計を設定する処理６３１５、６３１６とを並列的に行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、従来と同等以上の記録再生特性を確保しつつ、トラック密度を大幅に増加させ、ひいては面記録密度を増加させようとすることを目的とする。
【解決手段】 本発明は、成膜装置１０内に、非磁性基板１１、ターゲット材１２、マグネット板２１を平行に配置し、ターゲット材には高周波電圧を印加し、マグネット板の表面には交互に異なる極性を等間隔で生じさせ、ターゲット材の周囲にプラズマを発生させ、非磁性基板にスパッタリング法により薄膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 輝度が高く、かつ残光性に優れた放射線像変換パネル及びその製造。
【解決手段】 １ｍｍ厚の結晶化ガラス支持体上に蒸着法で厚み３００ｍのＥｕ付活ＣｓＢｒ蛍光体層の放射線像変換パネルを形成するとき、Ｘ線を１００Ｒ照射した後の放射線像変換パネルの、６００〜７００ｎｍの透過率が照射前の透過率の７０％以下となる蛍光体を選択した。 （もっと読む）

【課題】
ホルダの寿命を延長可能な成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】
開口部の周囲に段差を有し、段差下部が開口部側に張り出して保持部を構成するホルダを用い、前記段差上に板状成膜対象物を保持し、開口部側から板状成膜対象物上に成膜を行う成膜方法において、成膜方法は、段差下部先端が磨耗したホルダの段差上にはサブホルダを設置した、ホルダの段差上方に板状成膜対象物を配置するロード工程と、前記ホルダの段差上方にサブホルダを介して保持された板状成膜対称物上に前記開口部、サブホルダを介して成膜を行う成膜工程と、前記ホルダから成膜後の板状成膜対象物を取り出すアンロード工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】コストを低減すると共に、歩留まりを向上させる。
【解決手段】非滑面領域１８ｂ近傍で電離したアルゴンイオンは、ターゲット９表面の非滑面領域１８ｂに衝突し、ターゲット９からスパッタ粒子を放出させて非滑面領域１８ｂを削る。非滑面領域１８ｂから放出され、ガラス基板１３に向かずに中央部の滑面領域１８ａに向かい、滑面領域１８ａに衝突したスパッタ粒子は、滑面領域１８ａが、その表面粗さが、少なくともアンカー効果が無視できる所定値以下の値とされているために、滑面領域１８ａに再付着せずに、このまま落下する。したがって、滑面領域１８ａに堆積して突起部を形成して、ある程度の大きさに成長した後に落下したり、異常放電の原因となることもない。 （もっと読む）

【課題】 輝度が高く、かつ作業性に優れた放射線像変換パネル及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】 内部に少なくとも２以上のセルを有する蒸発源ルツボに、温度特性の異なる２種以上の蒸着材料を充填し、加熱することにより溶解、蒸発させて、支持体上に蛍光体層を形成することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】製造作業の煩雑化を招来することなく、多孔質で表面が粒状の酸化チタン薄膜を製造することのできる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】超音波処理もしくは高周波処理を施すことによって表面に欠陥部位及び／または細孔及び／または酸化部位を設けた調整稠密多層カーボンナノチューブをガラス基板に分散配置した後、このカーボンナノチューブに対して酸素ガス雰囲気中でレーザーアブレーション法により酸化チタンを蒸着させるようにしている。 （もっと読む）

最も近い既知の方法では、コヒーレント光源の光が目下の層表面に送出され、成長に依存して変化する微細な粗さに基づく拡散性の後方散乱が検出器によって時間に依存して検出される。これによって特徴的な点を介して、プロセスとの時間的な関連が形成される。しかしこの公知の方法は場所分解能を有しておらず、場所固定の基板でのみ使用可能である。従って、特に太陽電池用のカルコパイライト薄膜技術において使用される継続作動における同時蒸着用の本発明による方法では光ビーム（ＬＬＳ）が周期的かつ継続的に移動基板（Ｓ）にわたってガイドされ、ここで光ビーム（ＬＬＳ）の走査速度は移動基板（Ｓ）の前進速度よりも格段に高い。後方散乱光の検出は、目下の層表面上の入射場所に依存して行われる。測定された特徴的な点（１，２，２ａ，３，４）を既知の析出プロセスに割当てることによって場所的な散乱光プロフィールが作成される。この散乱光プロフィールによって、予期される層のクオリティに関する予測がデポジションプロセスの各時点および場所でなされる。偏差は現場で、相応のプロセスパラメータを変えることによって調整される。
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【課題】細い管状体の管内壁面に適確容易かつ安価にて均等な膜厚にアルミニウムを真空蒸着させること。
【解決手段】管状体１の内壁面にアルミニウムを真空蒸着するアルミニウム真空蒸着方法において、前記管状体１の内部にアルミニウム蒸着源５を線状に配置する一方、前記管状体１の外周囲に巻回配置した誘導加熱コイル６に通電してアルミニウム蒸着源を加熱蒸発させて前記管状体の内壁面にアルミニウムを蒸着させる。 （もっと読む）