本発明は、真空蒸着法を用い、母材であるパウダーの表面上に、サイズの均一性に優れた金属、合金及びセラミックスのナノ粒子を蒸着させるパウダーの製造方法、及びその製造装置に関する。特に、本発明は、極めて均一なサイズを有する金属、合金及びセラミックスのナノ粒子が蒸着されたパウダーの製造方法及びその装置を提供するものであって、蒸着と撹拌が別々に行われる従来方法の短所を解決するために、効率的な撹拌手段を用いて蒸着と撹拌とを同時に行うものである。また、本発明は、ナノ粒子が蒸着されたパウダーの製造方法、及びその製造装置を提供するものであって、ナノ粒子の製造において、ナノ粒子の量を増大させるために蒸着時間が増大した場合であっても、ナノ粒子の凝集現象を抑制することにより、ナノ特性が維持される。 （もっと読む）

【課題】充放電容量が大きくサイクル特性にも優れた薄膜固体二次電池を提供する。
【解決手段】基板１０上に、正極集電体層２０、正極活物質層３０、固体電解質層４０、負極活物質層５０、負極集電体層２０を積層した薄膜固体二次電池１において、正極活物質層３０の負極活物質層５０に対する膜厚比Ｘが、正極活物質層３０の負極活物質層５０に対する単位体積あたりの最大充放電容量の逆数の比をＲとしたときに、０．２Ｒ≦Ｘ≦１０Ｒの条件式を満たすように正極活物質層３０と負極活物質層５０の膜厚を決定する。このとき、正極活物質層３０と負極活物質層５０のそれぞれの単位体積あたりの最大充放電容量として、実測により求めた値を使用する。 （もっと読む）

【課題】カソードの抵抗を減少させることができると共に、素子の暗点不良を最小化することができる蒸発源及びこれを用いた真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明は、蒸発源及びこれを用いた真空蒸着装置に関し、本発明は、薄膜材料が収容された空間部及び薄膜材料を外部に吐出する開口部を含むるつぼと；前記るつぼの空間部に位置し、１つ以上の孔を有するインナープレートと；前記るつぼの外周面に位置する加熱装置と；を備え、前記インナープレートは、多段に積層されることを特徴とする蒸発源及び真空蒸着装置を開示する。
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【課題】 方向性及び無方向性のプロセス・ステップを統合し、その結果、得られるシリサイドが最小限のシート抵抗を有し、かつパイプ欠陥を回避する、ニッケル堆積プロセス及びツールを提供すること。
【解決手段】 無方向性及び方向性の金属（例えば、Ｎｉ）堆積ステップが同一のプロセス・チャンバ内で実行される、方法及び装置が提供される。第１のプラズマは、ターゲットから材料を取り出すために形成され、材料のイオン密度を増大させる第２のプラズマは、ＲＦ発生器に接続された環状電極（例えば、Ｎｉ環）の内側に形成される。材料は、第２のプラズマ及び基板への電気的バイアスが存在しない場合、基板上に無方向性の堆積をされ、第２のプラズマが存在し、基板に電気的にバイアスがかけられている場合、方向性の堆積をされる。堆積された金属から形成されるニッケルシリサイドは、方向性プロセスのみで堆積された金属から形成されるＮｉＳｉよりも、ゲートポリシリコンの低シート抵抗を有し、より低いパイプ欠陥密度を有することができ、かつ無方向性堆積のみで堆積された金属から形成されたＮｉＳｉよりも低いソース／ドレイン接触抵抗を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハにおける配線層間の接続抵抗を低減する。
【解決手段】 表面に凸部４ａが形成されたターゲット４を用い、このターゲット４の凸部４ａにプラズマイオン７を衝突させて金属原子８をはじき出して半導体ウェハ上のスルーホールの内壁に金属膜を堆積することにより、ターゲット４の凸部４ａ付近から飛び出してくる金属原子８の飛び出しの方向を狭めることなく金属原子８をはじき出すことが可能になる。これにより、配線層間の前記スルーホール内に形成される金属膜のステップカバレージを向上させることができ、その結果、配線層間の接続抵抗を低減できる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上できるＤＣマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】マグネットの２回目以降の揺動の際にターゲットに印加する電圧の３０％以下の電圧をマグネットの１回目の揺動の際にターゲットに印加する。マグネットの１回目の揺動時の放電電圧を抑制できる。マグネットの揺動を開始した時点に発生しやすい異常放電を抑制できる。異常放電の回数を抑制できる。ガラス基板の表面へのスプラッシュを防止できる。ガラス基板上に成膜されるメタル層での線欠陥や点欠陥を効率良く防止できる。薄膜トランジスタの歩留まりを向上できる。
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本発明は、耐食性及び一定の用途の良好な使用関連性を有する鋼板の、コスト削減のための製造方法に関する。前記目的のために、耐食性を有するシート鋼生成品を製造する本発明の方法は、シート鋼生成品へ亜鉛含有層コーティングを電解的に付与し、必要な場合には、前記生成品を機械的及び／又は化学的に洗浄して、直ちに、洗浄された亜鉛含有層コーティングへ第２のマグネシウム系コーティング層を蒸着によって付与し、そして、第２の層を付与した後に、続いて、コーティングされたシート鋼生成品を、標準大気に３２０℃〜３３５℃の加工温度で加熱処理して、亜鉛含有コーティングとマグネシウム系層との間に、拡散又は対流層を形成することからなる。 （もっと読む）

【課題】Ａｒよりさらに重い非活性ガスをＡｒと混合してボックスカソードスパッタリング(Box Cathode Sputtering)あるいは対向ターゲットスパッタリング（Facing Target Sputtering法で電極またはペッシベーション層を蒸着させた有機発光表示装置及び蒸着方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓと、基板Ｓ上に形成された薄膜トランジスタ１７０と、薄膜トランジスタ１７０上に形成された第1電極１１０と、第1電極１１０上に形成された有機物層１３０と、有機物層１３０上に、ボックスカソードスパッタリング法、または対向ターゲットスパッタリング法を利用してＡｒガスにＡｒより重い非活性ガスを混合させてスパッタ蒸着される第2電極層１５０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電極材を溶液化する必要がなく、製造作業が容易かつ短時間で行うことができる電気分解用電極およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の電気分解用電極は、基板１０と、該基板１０の表面に形成された電極層１１とを備え、電気分解により次亜塩素酸を生成する電気分解用電極において、電極層１１は、電極材をターゲット２とするレーザーアブレーション法により形成されて成るものである。本発明の電気分解用電極の製造方法は、電気分解により次亜塩素酸を生成する電気分解用電極を製造する方法において、レーザーアブレーション法により基板１０の表面に電極材を蒸着させて電極を形成するものである。ここに、電極材は、パラジウム、ルビジウム、ロジウム、イリジウム、白金、ニッケル、スズ、チタン、ジルコニウムのいずれか１種又はこれらを主成分とする合金若しくは酸化物から成ることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 リチウムの放電容量を向上させること。
【解決手段】 純度９９．９９９５％以上の不活性ガス雰囲気の超微粒子生成室内でリチウムまたはリチウム合金材料を加熱により加熱蒸発させてリチウムまたはリチウム合金の超微粒子を生成し、該超微粒子を前記不活性ガスに同伴させて搬送管により真空雰囲気の膜形成室内に搬送し、前記搬送管の先端に取り付けられ前記超微粒子の融点以下の温度に加熱されたノズルから前記膜形成室内に配置された基板に向けて前記超微粒子を前記不活性ガスの圧力で噴射すると共に前記ノズル又は前記基板の一方を任意の移動速度で移動させることにより前記基板上にリチウムまたはリチウム合金の薄膜を形成するようにし、前記不活性ガスを真空室内に導入する前に、真空排気系による前記膜形成室内の到達真空度を５×１０^-4Ｐａ以下とする。 （もっと読む）

【課題】高記録密度を有する垂直磁気記録媒体の量産を安定して行うためには、軟磁性下地層の特性を劣化させることなく成膜を行う技術が必要である。
【解決手段】基板１上に密着層２を形成し、次に第一軟磁性層３１及び第二軟磁性層３２をそれぞれ２５ｎｍ形成し、非磁性層３３であるＲｕを形成し、第三軟磁性層３４及び第四軟磁性層３５をそれぞれ２５ｎｍ形成して軟磁性下地層３を作製した。第一軟磁性層３1と第二軟磁性層３２及び第三軟磁性層３４と第四軟磁性層３５はそれぞれ強磁性的に結合しており、第二軟磁性層３２と第三軟磁性層３４はＲｕ非磁性層３３を介して反強磁性的に結合している。その後、基板半径方向に磁界を印加しながら冷却を行い、次に、中間層４であるＲｕを形成し、記録層５を形成し、保護膜６を形成した。 （もっと読む）

【課題】 純度の高いリチウム薄膜を形成すること。
【解決手段】 不活性ガス雰囲気の超微粒子生成室内で、リチウムまたはリチウム合金材料を加熱蒸発させてリチウムまたはリチウム合金の超微粒子を生成し、該超微粒子を前記不活性ガスに同伴させて搬送管により真空雰囲気の膜形成室内に搬送し、前記搬送管の先端に取り付けられ前記超微粒子の融点以下の温度に加熱されたノズルから前記膜形成室内に配置され、１００℃からリチウム金属、またはリチウム合金の融点以下までの温度に加熱された基板に向けて前記超微粒子を前記不活性ガスの圧力で噴射すると共に前記ノズル又は前記基板の一方を任意の移動速度で移動させることにより前記基板上に所望の膜厚でリチウムまたはリチウム合金の薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼からなる装飾品で、耐食性が高く、長期にわたって錆発生が極めて起こりにくく、その上、耐傷付き性に優れた耐食性被膜を有する装飾品を提供すること。
【解決手段】ステンレス鋼からなる装飾品用基材と、該基材表面に湿式メッキ法で形成された耐食性被膜層と、該耐食性被膜層の表面に乾式メッキ法により形成された下地層と、該下地層の表面に乾式メッキ法により形成された硬質被膜層と、該硬質被膜層の表面に乾式メッキ法により形成された貴金属被膜層とから構成されていることを特徴とする。
、耐食性が向上し、長期にわたって錆発生が極めて起こりにくくなり、その上、耐傷付き性に優れ、傷等による外観品質の劣化も起きにくい。 （もっと読む）

【課題】より安定に状態の保持が得られるなど、金属酸化物から構成された材料を用いて安定した動作が得られる金属酸化物素子を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板１０１の上に絶縁層１０２，共通に設けられた下部電極層１０３，ＢｉとＴｉとＯとから構成された膜厚３０〜２００ｎｍ程度の複数の金属酸化物層１０４，金属酸化物層１０４毎に設けられた上部電極１０５を備える。また、隣り合う酸化物層１０４の間が、五酸化タンタルからなる絶縁分離層１０６により素子分離されている。 （もっと読む）

【課題】耐食性に優れ、信頼性や長期的安定性を向上させた高耐食性反射鏡を提供する。
【解決手段】本発明の高耐食性反射鏡１は、非金属材料からなる基材２と、前記基材２上に形成された耐食性金属からなる下地金属皮膜３と、前記下地金属皮膜３上に形成された金又は金合金からなる反射膜４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一般に、大面積基板における堆積の均一性を向上させるため、大きな陽極表面積を有する物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバにおいて、基板表面を処理する装置及び方法を提供する。
【解決手段】一般に、本発明の態様はフラットパネルディスプレイ工程、半導体工程、太陽素子工程又は他の基板処理工程で用いることができる。ある態様において、処理チャンバは１又はそれ以上の調整可能な陽極アセンブリを備え、これは処理チャンバの処理領域にわたって陽極表面積を増大し、より均一に分布させる。１の態様において、１又はそれ以上の調整可能な陽極アセンブリは真空を解除することなく堆積された陽極表面を堆積されていない新品と交換するために用いられる。他の態様において、接地経路を有する遮蔽フレームは、陽極面積及び堆積均一性を増大するため、基板表面の堆積層と接触する。 （もっと読む）

物理的気相成長法におけるスパッタリング・ターゲット２４の表面領域エロージョンをリアルタイムに監視し、制御する方法及び装置。この装置は、バッキング・プレート３４、及び、基板に薄膜を被着させるためにスパッタリングされる表面領域を有するスパッタリング・ターゲット２４を有するスパッタリング・ターゲット組立体３０と、スパッタリング・ターゲットの全表面にわたって、複数モードで超音波を送信し、伝播させ、受信するための、バッキング・プレートの背面に配設された少なくとも１つの変換器３２と、少なくとも１つの変換器に電圧を提供し、少なくとも１つの変換器から受信するためのパルサ／受信器４０と、超音波信号を記録するためのオシロスコープ４２と、異なる位置でのエロージョン深さを決定し、所定量のエロージョンに達するとスパッタリング・ターゲットを交換するためのプログラム論理デバイス４４とを備える。
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【課題】１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を含む積層膜を製造する方法及び基板上に積層膜を形成するための基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システムは、１つ又は複数のロードロックチャンバに接続された１つ又は複数の搬送ポット及び２つ以上の異なるタイプの処理チャンバを含む。２つ以上のタイプの処理チャンバは、真空を破ることなく、基板処理システムから基板を取り出して、同一の基板処理システムで１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を蒸着するために使用され、表面汚染、酸化などを防ぎ、別の洗浄や表面処理ステップを排除することができる。基板処理システムは、その場の基板処理のための高処理能力及びコンパクトな専有面積を提供し、かつ異なるタイプの処理を行うように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性が高く、スムーズに歩留まり良くラミネートによる製袋加工を行うことができ、Ｓ字カールのない包装物を効率的に得ることが可能な蒸着ポリアミド系混合樹脂積層フィルムロールを提供する。
【解決手段】本発明の蒸着ポリアミド系混合樹脂積層フィルムロールは、蒸着前のフィルムを巻き取ったフィルムロールの巻き終わりから２ｍ以内に１番目の試料切り出し部を設け、フィルムの巻き始めから２ｍ以内に最終の切り出し部を設けるとともに、１番目の試料切り出し部から約１００ｍ毎に試料切り出し部を設けた場合、各切り出し部から切り出されたすべての試料について、エラストマーの含有率、引張弾性率や長手方向の厚み斑等の物性が、所定の範囲の変動幅になるように調整されている。 （もっと読む）

【課題】製品が77 K、ゼロ磁場で約10⁵ A/cm²より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度（J_c）を有する、基板上に沈着された0.8ミクロンより大きい厚さを有する酸化物超伝導体被膜を有する酸化物超伝導体製品を提供する。
【解決手段】酸化物超伝導体製品は、金属オキシフッ化物被膜が実質的に化学量論的比率で酸化物超伝導体の構成金属元素を含む、金属オキシフッ化物被膜を提供すること；および製品が77 K、ゼロ磁場で約10⁵ A/cm²より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度を有する酸化物超伝導体被膜が得られるように、温度、P_H2O、P_O2、及びその組み合わせからなる群より選択される反応パラメータを調節することによって選択される変換速度で、金属オキシフッ化物を酸化物超伝導体に変換すること、によって調製される。 （もっと読む）