本発明は金属効果顔料に関し、その金属効果顔料は、少なくとも１種の金属Ｍを含み、Ｍおよび酸素の合計含量を基準にして、２５〜５８原子パーセントの平均酸素含量を有する、実質的に均質な化学組成を有している。本発明はさらに、前記金属効果顔料を製造するための方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】メッキ処理を用いることなくプラズマスパッタだけで微細な凹部を金属によりボイドを発生させることなく埋め込むことができる成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器２４内でプラズマにより金属ターゲット７０をイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を載置台３４上に載置した被処理体Ｗにバイアス電力により引き込んで凹部４を埋め込むようにした成膜方法において、バイアス電力を、被処理体の金属ターゲットに対する対向面に関して、金属粒子による成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態になるように設定して凹部内に金属膜を形成する成膜工程と、金属粒子の供給を停止した状態で被処理体を金属膜の表面拡散が生ずる所定の温度範囲に加熱維持することにより金属膜の原子を凹部の底部に向けて移動させる拡散工程とを交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】オーバハング部分を生ぜしめることなくシード膜を形成することができるシード膜の成膜方法を提供することにある。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器２４内でプラズマにより金属ターゲット７０をイオン化させて金属イオンを発生させ、金属イオンを処理容器内の載置台３４上に載置した表面に凹部４を有する被処理体へバイアス電力により引き込んで凹部内を含む被処理体の表面に金属膜を形成することによりメッキ用のシード膜を形成するようにしたシード膜の成膜方法において、バイアス電力を、被処理体の表面に一旦形成された金属膜がスパッタされないような大きさに設定して金属膜を形成する成膜工程と、金属イオンを発生させないで金属膜の形成を休止する休止工程とを、交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

メタン／水素混合物を含むガス状の混合物（任意に窒素、酸素およびキセノン添加を共に含んでいてもよい）を用いて、部分的な真空中でマイクロ波プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを用いて単結晶ダイヤモンド成長を形成するための材料および方法が提供される。このような単結晶サブストレートは、真空誘導溶解プロセスを用いて、改変された方向性凝固法で、純ニッケル、または、コバルト、鉄またはそれらの組み合わせを含むニッケル合金のうち少なくとも１種で開始して形成することができる。このような単結晶サブストレートの表面は、電子ビーム蒸着装置を用いて、純イリジウム、または、イリジウムと、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、レニウムおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される成分との合金でコーティングされる。このような合金でコーティングされた単結晶サブストレートは、マイクロ波プラズマＣＶＤ反応器中に入れられ、メタン、水素およびその他の任意のガスのガス状の混合物の存在下で、マイナス１００〜４００ボルトのバイアス電圧を用いてバイアス印加による核形成処理される間、そのコーティングされた表面上での大型の単結晶ダイヤモンドの成長を支持する。
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【課題】従来知られている硬質皮膜の耐摩耗性をさらに向上させることのできる切削工具用硬質皮膜を提供することを目的とする。
【解決手段】工具の表面に被覆される硬質皮膜であって、（Ｃｒ_1-a-bＡｌ_aＳｉ_b）（Ｂ_xＣ_yＮ_1-x-y）からなり、それぞれの原子比が、
０＜ａ≦０．４
０．０５≦ｂ≦０．３５
０．２５≦１−ａ−ｂ≦０．９
０≦ｘ≦０．１５
０≦ｙ≦０．５
または、（Ｍ_1-a-bＡｌ_aＳｉ_b）（Ｂ_xＣ_yＮ_1-x-y）からなり、それぞれの原子比が、
０．０５≦ａ≦０．５
０．１＜ｂ≦０．３５
０≦ｘ≦０．１５
０≦ｙ≦０．５
（但し、Ｍは、ＴｉとＣｒ）
からなる硬質皮膜を提供する。 （もっと読む）

無電解堆積の触媒作用にイオン注入による表面改質を用いて金属膜を堆積する技術を開示する。１つの特定の例示的な実施形態では、この技術は、金属膜を堆積する方法として実現されうる。当該方法は、基板と、基板上の誘電体層と、誘電体層上のレジスト層とを含み、誘電体層及びレジスト層は１以上の開口を有する構造上に、触媒材料を堆積することを含みうる。当該方法は更に、レジスト層を剥離することを含む。当該方法は更に、１以上の開口を充填すべく構造の１以上の開口内の触媒材料上に金属膜を堆積することを含む。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガス、特にフッ素（Ｆ_２）ガスおよびフッ化物ガスと接触する半導体加工装置用等の金属製部材であって、耐ハロゲンガス性に優れた金属製部材を提供する。
【解決手段】金属製基材３１，３４の表面に対して、イオン注入法またはプラズマイオン注入法を用いて、Ｆ_２ガスやフッ化物ガスとは反応するものの、その反応生成物の蒸気圧が低いＡｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙから選ばれる１種以上の金属元素のイオン注入層３２を設ける。また、このイオン注入層３２の上に、さらにＡｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙから選ばれる金属を含む薄膜３３を積層させる。 （もっと読む）

【課題】種々の多成分もしくは多相の材料、従って本合金もしくは混晶を形成しない材料を基礎とするスパッタターゲットであって、その構造がスパッタリングの間のエロージョンに際して生成収率を悪化するパーティクルをできる限り形成しないように構成されたスパッタターゲットを開発する。
【解決手段】少なくとも２つの相又は成分を含有する材料からなるスパッタターゲットであり、その際、少なくとも１つの少数相がマトリクス中に難固溶性であり、かつマトリクスより高い融点を有するスパッタターゲットであって、少なくとも１つの少数相が、その結晶粒又はその結晶粒から形成された凝集物の平均寸法最大１０μｍを有し、かつ該材料は理論密度の少なくとも９８％の密度を有することを特徴とするスパッタターゲットを提供する。 （もっと読む）

【課題】例えば、陰極のような線状体を優れた寸法精度で形成することができる気相成膜法で用いられるマスク、かかるマスクを用いて線状体を形成する成膜方法、かかる成膜方法により形成された線状体を備える特性の高い発光装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】マスク４０は、基板の一方の面側を固定し、他方の面側より気相プロセスにより供給し、ほぼ平行に併設される複数の線状体を、基板の表面に形成するのに用いられ、前記線状体のパターンに対応する複数の開口部４２を有するマスク本体４１と、開口部４２を横断するように設けられ、自重によるマスク本体５１の変形を防止する機能を有する補強梁４４とを備え、この補強梁４４は、開口部４２の厚さ方向において、前記他方の面側に偏在するように設けられている。 （もっと読む）

ナノ粒子などの粒子を製造するための方法が提供される。該方法は、イオン性液体を蒸着室中へ導入する工程、および物理的蒸着により１種類もしくは複数の材料を該イオン性液体に誘導するか、または１種類もしくは複数の材料を該イオン性液体上に蒸着して、該イオン性液体中にナノ粒子を形成する工程を包含する。ナノ粒子を製造するための方法は、イオン性液体を蒸着室中へ導入する工程、該蒸着室を排気し、１および７ミクロンＨｇの範囲内の真空を形成する工程、ならびに１種または複数の材料を該イオン性液体に誘導するために該蒸着室中の１つまたは複数のカソードをスパッタリングし、該イオン性液体中にナノ粒子を形成する工程を包含する。本発明の組成物は、イオン性液体および物理的蒸着により該イオン性液体中に形成されたナノ粒子を含む。
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【課題】カーボンナノチューブの形成方法及びそれを利用した半導体素子の配線形成方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）複数の突起部を有する基板を準備する段階と、（ｉｉ）前記基板上に、前記突起部を覆い、カーボンナノチューブの成長を促進させる触媒層を形成する段階と、（ｉｉｉ）前記触媒層上にカーボンが含まれるガスを注入して、前記触媒層の表面上に前記カーボンナノチューブを成長させる段階と、を含むカーボンナノチューブの形成方法である。本発明によれば、カーボンナノチューブの成長密度を上昇させて電気的抵抗を低下させうる。その結果、電流密度が上昇し、微細ビアホールにも適用可能で、半導体素子の超高集積化を達成しうる配線形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＭＴＪ素子に適用して、抵抗変化率ｄＲ／Ｒを大きくできると共に面積抵抗ＲＡを小さくすることが可能なトンネルバリア層およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ピンド層２４上にＤＣスパッタリング法により厚み１．０〜１．３ｎｍの第１マグネシウム（Ｍｇ）層を形成したのち、この第１マグネシウム層をラジカル酸化により酸化して第１酸化マグネシウム（ＭｇＯ）層３１を形成する。更に、磁場中でアニールすることにより第１酸化マグネシウム層３１に（００１）結晶配向性を持たせる。続いて、この第１酸化マグネシウム層３１上に０．３〜０．５ｎｍの第２マグネシウム（Ｍｇ）層を形成したのち、この第２マグネシウム層を自然酸化させて第２酸化マグネシウム（ＭｇＯ）層３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置および方法において、突沸により発生した物質を捕捉するとともに、十分な膜厚を安定して確保する。
【解決手段】蒸着材料５を加熱して、蒸発した該蒸着材料を基板３に蒸着させる蒸着装置１は、蒸着材料５を収容する本体１１と、蒸着材料５より上方に配置されて蒸着材料５の突沸により発生する物質を捕捉する捕捉部材１２とを有する蒸着ボート６と、蒸着ボート６を加熱する加熱手段７とを備える。蒸着の際に、捕捉部材１２の温度が、蒸着材料５の温度以上となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】プラチナまたはプラチナ合金被膜特有の色調が得られ、へこみや傷等による外観品質の劣化が起きにくく、しかも、高級感のある白色被膜を有する装飾品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の白色被膜を有する装飾品は、金属またはセラミックスからなる装飾品用基材と、該基材表面に形成された下地層と、この表面に乾式メッキ法により形成された炭化チタン層と、この表面に乾式メッキ法で形成されたプラチナまたはプラチナ合金からなる装飾被膜層とで構成される。これにより、上記装飾品は、傷等による外観品質の劣化が起きにくく、しかも、プラチナまたはプラチナ合金被膜特有の色調が得られ、高級感のある白色被膜を有する。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性を高めて膜剥がれを防止すると共に、優れた反射防止特性を有する反射防止膜を提供する。
【解決手段】基板上に施される反射防止膜であって、前記基板側から順に、金属で構成される第１の層と、フッ化物で構成される第２の層とを有することを特徴とする反射防止膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】 複雑な蒸着パターンを形成可能で、蒸着パターンの精度を向上できる蒸着パターン形成方法及び蒸着パターン形成装置を実現する。
【解決手段】 蒸着パターン形成装置１０は、蒸着源基板１４の上面に収容部材１１を取り付けて構成される。蒸着源基板１４は、収容部材１１を加熱するためのヒータ１２を支持基板１３の上面に取り付けて構成される。収容部材１１の上面１１ｂには、半導体基板に形成する所定の蒸着パターンと対応した形状に開口した開口面１１ｄが形成されている。半導体基板３１の基板面３１ａを、収容部１１ａに金属ナノ粒子２１が収容された収容部材１１の開口面１１ｄに対向させて配置し、収容部材１１をヒータ１２により加熱すると、金属ナノ粒子２１は収容部１１ａの内部で蒸発し、開口面１１ｄを通じて基板面３１ａに蒸着され、所定の蒸着パターン３２が形成される。 （もっと読む）

【課題】高温環境下であり且つ大きな接触応力が作用するような条件下、又は、高温環境下であり且つ無潤滑下というような厳しい条件下でも好適に使用可能な転動装置を提供する。
【解決手段】アンギュラ玉軸受の玉３はＳＵＪ２で構成されており、玉３の転動面３ａには潤滑性を有するＤＬＣ層Ｄが設けられている。ＤＬＣ層Ｄは、Ｃｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｚｒ，及びＦｅのうちの２種以上の金属からなる金属層Ｍと、前記金属及び炭素からなる複合層Ｆと、炭素からなるカーボン層Ｃと、の３層で構成されていて、該３層は表面側からカーボン層Ｃ，複合層Ｆ，金属層Ｍの順に配されている。また、複合層Ｆ中の炭素の割合は、金属層Ｍ側からカーボン層Ｃ側に向かって徐々に増加している。さらに、ＤＬＣ層Ｄの等価弾性定数は１００ＧＰａ以上２４０ＧＰａ以下である。さらに、玉３の平均残留オーステナイト量は６体積％以下である。 （もっと読む）

【課題】軟質高分子成形体に優れた金属調を実現し、トップコート層を設けた場合であっても光沢が喪失せず元来の金属調を維持することができる金属調軟質高分子成形体の提供。
【解決手段】軟質高分子成形体１１に金属薄膜層１３を有する金属調軟質高分子成形体１０について、金属薄膜層１３を、長手方向の最大長が５μｍ以内の蒸着金属粒でなる多数の島部が不連続に密集する平坦な表面構造を有するものとし、かつその層厚を２０ｎｍ〜１００ｎｍとした。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングにより、光輝性及び不連続構造の金属皮膜を高生産性・低コストで得る。
【解決手段】樹脂製品１０（例えばミリ波レーダー装置カバー）は、板状の樹脂基材１１と、樹脂基材１１の上に、結晶構造が同一であり格子定数差が１０％以内である少なくとも２種の金属であって真空蒸着では不連続構造を相対的に形成しやすい易形成金属と相対的に形成しにくい難形成金属とがその順で切り替わってスパッタリングされた部分を含んで成膜された光輝性及び不連続構造の金属皮膜１２とを含み、金属皮膜１２の上には保護膜としてのトップ塗膜、おさえ塗膜等が形成される。 （もっと読む）

【課題】磁気データ記録層の結晶化度と磁気結晶異方性を高めることにより、垂直磁気記録媒体に要求される熱安定性と雑音特性を達成することを目的とする。
【解決手段】磁気記録媒体のシード層を、タンタル(Ｔａ)と、体心立方のタンタル(Ｔａ)相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり且つ１．５×１０^-7ｍ³/ｋｇ以下の質量磁化率を有する合金化元素とからなるスパッタターゲットで基板上に形成する。合金化元素は、ホウ素(Ｂ)、炭素(Ｃ)、アルミニウム(Ａｌ)、ケイ素(Ｓｉ)、チタン(Ｔｉ)、バナジウム(Ｖ)、マンガン(Ｍｎ)、クロム(Ｃｒ)、ジルコニウム(Ｚｒ)、ニオブ(Ｎｂ)、モリブデン(Ｍｏ)、イッテルビウム(Ｙｂ)、ルテチウム(Ｌｕ)、ハフニウム(Ｈｆ)、ビスマス(Ｂｉ)及びタングステン(Ｗ)から選択される。同磁気記録媒体の製造方法と使用するスパッタターゲットとの構成を特定構成とした。 （もっと読む）