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Fターム[4K029BA02]の内容

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Fターム[4K029BA02]に分類される特許

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本発明は、物理気相成長法のターゲットを形成するために熱間等方圧加工工程を用いる方法を含む。特定の観点において、物理気相成長法のターゲットは、イリジウム、コバルト、ルテニウム、タングステン、モリブデン、チタン、アルミニウム及びタンタルの内の1つ又はそれ以上の材料を含むことができ、及び/又は、アルミナイド、シリサイド、カーバイド及びカルコゲニドの内の1つ又はそれ以上の材料を有する。また、本発明は、イリジウム、コバルト、ルテニウム、タングステン、モリブデン、チタン、アルミニウム及びタンタルの内の1つ又はそれ以上の材料を有する三次元ターゲットを含む。 (もっと読む)


【課題】 基板上に、成長の核となる微結晶を作製し、その粒径と密度を制御し、大粒径多結晶Si薄膜を作製できるGe微結晶核付き基板の作製方法及びGe微結晶核付き基板を提供する。
【解決手段】 電子工業用ガラス基板、石英ガラス基板、熱酸化したSiウェーハ又はSiO2膜付き基板の上に固相成長法により島状に独立したGe微結晶を形成し、次いで酸素エッチングによってGe微結晶の粒径と密度とを、300〜600℃の範囲のエッチング温度とエッチング時間とで制御する。前記基板の上に粒径が1〜40nmのGe微結晶を、密度が1×105〜1×107個/cm2となるように分散配置した。 (もっと読む)


スピン塗布によりレジストの被膜を形成する場合、無駄となってしまうレジスト材料が存在し、さらに、必要に応じて端面洗浄の工程が増えてしまう。また、真空装置を用いて、基板上に薄膜を成膜する際には、チャンバー内を真空にする特別な装置や設備が必要で、製造コストが高くなってしまう。本発明は、絶縁表面を有する基板上に、CVD法、蒸着法又はスパッタ法により選択的に導電層を形成するステップと、前記導電層に接するように、組成物を吐出してレジストマスクを形成するステップと、前記レジストマスクを用いて、大気圧又は大気圧近傍下で、プラズマ発生手段により前記導電層をエッチングするステップと、大気圧又は大気圧近傍下で、前記プラズマ発生手段により前記レジストマスクをアッシングするステップを有することを特徴とする。上記特徴により、材料の利用効率を向上させて、製造コストの低減を実現する。
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【課題】二硼化チタンと窒化ホウ素を必須成分とするセラミックス焼結体を生産性を高めて製造する。
【解決手段】頻度粒度分布において0.5〜5μmの領域と5〜50μmの領域とに極大値を有する窒化ホウ素粉末と、二硼化チタン粉末とを含有してなる原料粉末を成形した後、非酸化性雰囲気下、焼結することを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。この場合において、原料粉末が、更に窒化アルミニウム粉末、又は窒化アルミニウム粉末と酸化カルシウム粉末及び/又は酸化ストロンチウム粉末からなる焼結助剤とを含むこと、などが好ましい。 (もっと読む)


耐熱材料の「必要な部位」に「目的形状」の皮膜を「低コスト」と「高生産性」で形成するプロセスの開発が望まれている。 皮膜形成用の微粉末と通電加熱できる被処理部材とを収容した容器を雰囲気を制御できる処理室内に載置し、微粉末を浮遊させるとともに被処理部材を通電加熱し、加熱により生じる微粉末の蒸気を被処理部材表面から拡散させることにより拡散皮膜を形成させ、かつ浮遊した微粉末を該表面に付着させることにより拡散皮膜層上に微粉末皮膜を形成させることを特徴とする耐高温腐食性皮膜の形成方法。被処理部材をマスキングし、非マスキング部分にのみ皮膜を形成する。被処理部材の一部分を皮膜が形成されない温度に冷却することによって該一部分に皮膜を形成しないようにすることもできる。
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【課題】 寸法精度が高く内添無機フィラ−による大きな突起が実質的になく、フィルム表面が平滑であり吸湿寸法精度が高く、高品質の銅張基板を与えるCOF用ポリイミドフィルム、スプリングバックの起こる可能性が低減し、ポリイミドフィルムの剛性および吸湿寸法精度が四元系ポリイミドフィルムに比べて改良された積層体を提供する。
【解決手段】 3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とp−フェニレンジアミンとを各々主成分として熱イミド化によって製造されるポリイミドからなるフィルムであって、フィルムに添加する前の無機フィラ−が平均粒径1μm以下でありこれより大きい平均粒径の無機フィラ−に起因する突起を有さず、厚みが25〜35μmであるCOF用ポリイミドフィルム、COF用ポリイミドフィルムを真空下に放電処理した後、下地金属薄膜さらに導電性金属メッキ層からなる導電性金属層を形成してなる積層体。 (もっと読む)


【課題】
金属蒸着層に対してさらに光学的な効果を付与したり、金属蒸着層を酸化から守るための層をその表面にさらに設けた金属蒸着層を積層したフィルムの製造方法及び該方法による金属蒸着フィルムを提供する。
【解決手段】
高分子樹脂よりなる基材フィルムの表面に、水溶性塗料による水溶性塗料層を所望の箇所にのみ部分的に積層する、水溶性塗料層積層工程と、前記水溶性塗料層積層工程を終えた前記基材フィルムの前記水溶性塗料層を積層した部分及び積層していない部分の両方の表面に対して一律に、金属または金属酸化物による金属蒸着層を積層してなる金属蒸着層積層工程と、前記金属蒸着層積層工程を終えた前記金属蒸着層の表面に、透明無機蒸着層を積層してなる透明無機蒸着層積層工程と、前記透明無機蒸着層積層工程により得られた積層体を水洗してなる水洗工程と、前記水洗工程後これを乾燥してなる乾燥工程と、よりなる製造方法とした。
なし (もっと読む)


【課題】 高い真空度を得るために長時間をかけたり、特別の装置を使用したりすることなく、アルミニウムのような易酸化性蒸着材料を希土類系永久磁石のような被処理物に安定に蒸着させるための表面処理方法、この方法を実施するために好適な表面処理装置などを提供すること。
【解決手段】 易酸化性蒸着材料からなる蒸着被膜を被処理物の表面に形成する表面処理方法であって、処理室内の少なくとも溶融蒸発部と被処理物の近傍に蒸着制御ガスを供給した状態で前記蒸着材料を蒸発させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】垂直磁気記録媒体のグラニュラー記録層において磁性粒子と非磁性粒界を適切に分離し、磁性粒子の磁気異方性を損なうことなく粒子間の磁気的相互作用を低減し、媒体ノイズを低減する。
【解決手段】CoとPtとCrとを含む合金結晶粒子と、SiとOとを含む非磁性粒界を含み、記録層中のSi原子数に対するO原子数の比率が2.5以上5以下、記録層中のSi原子含有率が3〜6原子%、O原子含有率が12〜20原子%である垂直磁気記録媒体を用いる。また、記録層の形成時、基板中心に対し同心円状に並ぶ気体導入口より酸素を含むプロセスガスを導入することにより、記録層の媒体面内の任意の点における垂直保磁力の分布を、平均値の±10%以下とする。 (もっと読む)


Si歪み層16をSi基板10上に形成する方法は、Si基板10上に第1のSiGeバッファ層12を形成するステップを含む。それから、イオン注入法を用いて、第1のSiGeバッファ層に非晶質化インプラントを注入し、第1のSiGeバッファ層を非晶質にする。アニール処理の前に、第1のSiGeバッファ層上に、第2のSiGeバッファ層14を成長させる。これにより、緩和SiGe層12,14を生成する。それから、Siの歪み層16を成長させる。
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【課題】 本発明は、金属粒子表面に貴金属粒子を添着させてなる金属複合粉末の製造方法を提供するものである。
【解決手段】 かゝる本発明は、例えば平均粒径が約50nm以上である球状の金属粒子20をスパッタ装置10内でローリングさせつつ、スパッタ法により貴金属粒子を添着させる金属複合粉末の製造方法にあり、これにより、平均粒子径が約5〜10nmである貴金属粒子が添着される金属複合粉末が得られ、優れた触媒作用や抗菌作用などを期待することできる。 (もっと読む)


【課題】 良好な強誘電体特性が得られる電極膜、圧電素子、強誘電体キャパシタ及び半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 電極膜は、基体の上方に形成される白金族金属を含み、CuKα線を用いたθ−2θ法によるX線回折において求められるピークに対応する回折角2θが、電極膜の熱処理後のピークに対応する回折角以上の大きさである。 (もっと読む)


本発明は、バリヤー層を形成するための方法を含む。材料はECAEターゲットからアブレートされ、基体表面上にわたって1%未満またはそれと同等の1シグマの厚みバラツキを有する層を形成する。本発明は、トンネル接合を形成する方法を含む。薄フィルムは、第1の磁性層と第2の磁性層との間に形成される。その薄フィルム、第1の磁性層および/または第2の磁性層は、ECAEターゲットから材料をアブレートすることにより形成され、非ECAEターゲットを使用して形成された対応する層と比較して改善された層厚み均一性を呈する。本発明は、物理蒸着ターゲットおよびそのターゲットを使用して形成された薄フィルムを含む。そのターゲットは、アルミニウムとGa、ZrおよびInから選択された少なくとも1つの合金化元素との合金を含有する。得られたフィルムは、その薄フィルム上にわたって1.5%未満の1シグマの厚みバラツキを有する。
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有機エレクトロルミネセンス(電子発光)表示装置の製造方法において、第1の方向においても第2の方向と同様に第1の導体を延在させる層配置が基板に適用される一方、電圧の影響下で発光する有機エレクトロルミネセンス接続が導体の交差部間に設けられ、基板はプラスチックから作られ、その基板には、少なくとも形成すべきいくつかの層のために境界を形成する表面構造が設けられる。本発明はまた、有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する本発明に係る方法における用途を意図する基板を提供するものであり、その基板は、プラスチックから作られ、その基板には、少なくとも形成すべきいくつかの層のために境界を形成する表面構造が設けられる。本発明はさらに、本発明に係る方法により得られる有機エレクトロルミネセンス表示装置を提供する。
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【課題】凹部内の配線におけるボイドを減少させることが可能であり、かつ配線の信頼性を確保することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき膜4上に、めっき膜4を構成している金属の熱膨張率に対して60%以下の熱膨張率を有する物質からなる圧縮応力印加膜5を形成し、圧縮応力印加膜5によりめっき膜4に圧縮応力を印加しながら熱処理を施す。 (もっと読む)


【課題】
高荷重またはすべり運動が生じる状態での潤滑面での摩擦摩耗を防止し、長期耐久性に優れた転動部品および転がり軸受を提供することである。
【解決手段】
転動部品は、該転動部品の表面に、ビスマスおよびビスマス化合物から選ばれる少なくとも1つの物質の被膜を形成してなり、上記ビスマス化合物がビスマス酸化物であり、転がり軸受は、外周面に転走面を有する金属製内輪と、内周面に転走面を有する金属製外輪とが、同心に配置され、上記両転走面間に介在する複数の金属製転動体とを備えた転がり軸受であって、上記両転走面および転動体表面から選ばれる少なくとも1つの接触表面に、ビスマスおよびビスマス化合物から選ばれる少なくとも1つの物質の被膜を形成してなり、上記ビスマス化合物がビスマス酸化物である。 (もっと読む)


本発明は、連続的に金属を供給して蒸発させるための、PVD金属蒸着装置中の気化器本体の準備および動作に関する。気化器本体に適用される層構造が、未焼結状態である焼結可能な粉末材料とともに金属に供給され、原料の層構造の形態で気化器本体に加えられ、気化器本体を加熱することによって金属蒸着サイクル中に焼結融合される。層構造は、金属蒸着工程中に使用することができ、金属蒸着サイクルの後毎に金属蒸着装置中で直接更新することができる。
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連続真空条件下での以下の試料処理活動、即ち、試料のプラズマクリーニング、試料のイオンビームエッチングまたは反応性イオンビームエッチング、試料のプラズマエッチング及び試料の導電性材料によるコーティングのうちの2つまたはそれ以上のステップを行う装置を含む、顕微鏡用試料調製装置。また、処理チェンバ内の試料の表面位置を検知する装置及び方法。検知位置は後続処理のために適当な位置に試料を自動的に移動させるために使用される。
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【課題】配線パターンとなる金属材料中にCNTを均一に分散させると共に、配線パターンの電気導電率を向上させる。また、スパッタリングによって金属薄膜中にCNTを均一に分散混入するためのターゲット材を提供する。
【解決手段】絶縁性材料からなる基材8の表面にCNT入り金属層13を形成し、金属層13をパターンエッチングして配線パターンを形成する配線材の製造方法において、CNT入り金属層13をスパッタリング法により形成する。CNTとCuを同時にスパッタリングしてCNT入り金属層13を形成しているため、CNTをCu中に均一に混入できると共に、CNTとCu間の界面抵抗を低減でき配線の電気導電率が向上する。スパッタリング用ターゲット材10としては、CuにCNTが含まれたターゲット材を用いる。 (もっと読む)


【課題】 先鋭化ファイバーのような線的な構造あるいは立体的な微細加工に対して無電解により再現性よく金属コーティングを行うことができるようにする。
【解決手段】 触媒金属としてパラジウムを酸素含有アルゴン環境下でスパッタにより被めっき物の表面に付与する。 (もっと読む)


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