多層被膜を基板の上に堆積するツール。１つの構成では、本ツールは、圧力または温度が制御された環境の少なくとも一つの下で動作するインライン有機材料堆積ステーションを含む。別の構成では、それはさらに、インライン式およびクラスタツールの両方の特徴構造を組み込む複合設計である。この後者の構成では、堆積ステーションの少なくとも１つが無機層を堆積するように構成され、他方で、少なくとも１つの他の堆積ステーションが有機層を堆積するように構成される。本ツールは特に、多層被膜を個別基板の上に堆積することばかりでなく、フレキシブル基板の上に配置された環境に敏感なデバイスをカプセル封じすることにも適切である。安全システムが、本ツールに対する有機材料の分配を監視するために含まれ得る。
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【課題】 基板とターゲットの間隔が変化しても、磁場状態の変化を従来に比べて抑制することができるとともに、基板とターゲットの間隔を精度よく設定できる薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 チャンバー１１の外周にソレノイド保持部材１９を上下方向に移動可能に設け、ソレノイド保持部材１９に外部ソレノイド２０を巻回する。支持体１２の基部１２ｂの外周に対向板２１を設け、ソレノイド保持部材１９の下面板１９ｂと対向板２１を連結部材２２によって連結する。このようにすると、間隔Ｈを変化させるときに、外部ソレノイド２０を支持体１２と一体となって上下方向に移動させることができ、内部磁界発生部１８と外部磁界発生部である外部ソレノイド２０の位置関係を常に一定に保つことができる。また、間隔Ｈは、ターゲット１３のみを上下方向に移動させることによって変化させられるため、間隔Ｈを精度よく設定することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板の変形を極力抑えることができる金属膜又は金属酸化膜の成膜方法、すなわち基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 金属膜又は金属酸化膜を備えた基板の製造方法であって、加熱雰囲気中で基板上に金属又は金属酸化物を一定の厚みに付着させてから、加熱により該基板が一定以上変形する前に該基板の温度を低下させることを繰り返して、所定の厚みまで該金属又は金属酸化物を厚膜化させること特徴とする、基板の製造方法により解決する。 （もっと読む）

【課題】単一ウェハを処理するハイブリッド走査型イオン注入装置であって、均一注入ができて、単純な構造で、耐久性、及び信頼性に優れた装置を提供する。
【解決手段】ウェハは、第１のピボット１５０に接続され途中で曲げられたアーム１１０の一端に第２のピボット１４０によって取り付けられたウェハホルダ１２０に載置される。ウェハは第２のピボットによって任意の角度にチルトされ、かつ第１のピボットによって円弧状に機械的走査される。電流密度を第１のピボットからの距離に比例させたリボンビーム２０をコリメータによって形成し、ウェハに照射することにより均一な注入を行なう。 （もっと読む）

【課題】 浅い打ち込みを実現することができるイオン注入方法およびイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 本発明のイオン注入方法は、被処理体４１０に不純物を打ち込むためのイオン注入方法であって、
前記被処理体４１０から離間された緩衝板３０を介して該被処理体４１０に前記不純物を打ち込む。また、本発明において、前記緩衝板３００は、加速されたイオンが前記被処理体４１０に到達するまでの経路に配置されていることができる。 （もっと読む）

【課題】蒸発材料の移送管において、管内の流れをスムースにするとともに、弁開閉時においても、蒸発材料の濃度が変化するのを抑制し得る蒸発材料の流量制御装置を提供する。
【解決手段】蒸発材料移送管６内の途中に配置されて且つ連通用開口穴１２が形成された中段鉛直部１１ｂを有する仕切部材１１と、上記中段鉛直部の連通用開口穴に対して水平方向で移動自在に設けられて当該連通用開口穴を開閉し得る円錐状部１５ｂが先端に形成されたニードル弁体１５と、このニードル弁体を上記連通用開口穴に対して移動させてその円錐状部により当該連通用開口穴を開閉させる開閉手段１８と、上記ニードル弁体を挿通されて先端部が円錐状部の中心から外方に突出するように設けられるとともに先端部にガス放出穴１６ａが形成されたガス放出管１６と、上記ニードル弁体側と蒸発材料移送管側との間に設けられた密封用のベローズ２１とから構成したもの。 （もっと読む）

【課題】 磁性材料薄膜の表面を粗雑にすることなく、垂直磁気異方性を増加させることができる磁性材料薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 磁性材料薄膜の製造方法は、磁性材料薄膜を成膜した後、それを試料３として、垂直磁気異方性定数の値がイオンビーム２の照射によって正となるような数値範囲の電流密度でイオンビーム２を試料３に照射する。イオンビーム２の電流密度は、６５μＡ／ｃｍ²以下であることが好ましく、磁性材料薄膜を成膜中にイオンビームを照射してもよい。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の種類または加熱温度などの蒸着条件が変わったが場合でも、蒸発材料の放出部を交換することなく、被蒸着部材に形成される膜厚の均一性を維持し得る蒸着装置を提供する。
【解決手段】坩堝３で得られた蒸発材料を、蒸着用容器２内に配置されたガラス基板１に向かって放出する放出部材６に、蒸発材料を放出する放出用ノズル５を複数設けるとともに、これら各放出用ノズルの開口径およびノズル高さを同一となし、これら各放出用ノズルの開口部５ａをそれぞれ開閉自在な板状シャッタ１８を有するシャッタ部材７を設けるとともに、これら各板状シャッタの開閉周期を制御する制御装置８を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】ドロップレットによる欠陥の無い薄膜を形成する。
【解決手段】
蒸着源３０と成膜対象物５の間に回転翼型のフィルタ装置２０を配置し、回転軸線２５を中心に回転させると、質量が大きく飛行速度が遅い巨大粒子はフィルタ装置２０の羽根部材２２に衝突し、質量が小さく飛行速度が速い微小粒子は羽根部材２２間を通過し、成膜対象物５に到達する。ドロップレットが除去されるので、欠陥のない平坦な薄膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】 ２次電子等の被成膜面への到達を防止する磁場を設けた電子ビーム蒸着による金属薄膜の形成において、形成された金属薄膜の帯電状態を適正な状態にする。
【解決手段】 基板１の被成膜面１ａに電子ビーム蒸着によって金属薄膜を形成する成膜装置であって、成膜源２内に収容された金属材料３に電子ビーム発生器４より電子ビームＥ_Ｂを照射させてこれを溶解し、発生した金属蒸気が基板１の被成膜面１ａに蒸着して金属薄膜が形成される。成膜源２へ電子ビーム５を照射することによって成膜源２から被成膜面１ａに向かう負電荷Ｅ_Ｓを防止するように、被成膜面１ａと成膜源２との間に被成膜面１ａと平行な磁場Ｍを形成する磁場形成手段５（磁石５Ａ，５Ｂ）を備え、被成膜面１ａ周辺の正電荷をモニタする電荷モニタ手段６と、電荷モニタ手段６のモニタ結果に基づいて被成膜面に形成される金属薄膜の電荷状態を調整する電荷調整手段（負電荷発生手段７又は磁場調整手段８）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 予め得られた膜厚分布情報を有効に利用して、均一膜等の所望の膜厚分布を的確に得ることができるレーザアブレーション装置およびレーザアブレーション法による成膜方法を提供すること。
【解決手段】 レーザアブレーション装置１は、複数の試験位置の各々において、予工程にて試験用基板上にそれぞれ堆積された膜厚から得られた単位時間当たりの膜厚分布情報を制御手段７０の記憶部に記憶する。そして、本工程では、ターゲット移動機構５２とレーザ光移動機構６８とを駆動してターゲット２０及びレーザ光出射部６０を、膜厚分布情報に基づいて選択された本工程位置と対応する位置に向け、第１の方向Ｅに沿って移動させる。その後、膜厚分布情報に基づいて設定された設定時間だけ、ターゲット２０にレーザ光を照射して、基板２０上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】 化学的に安定した基板表面に、滑らかで一様で、かつ閉じられたフィルム(または層)の形成を許容しない。
【解決手段】 この発明は一般に、集積回路(IC)製作プロセスに関する。この発明は、より特別にはその後の金属、金属酸化物、金属窒化物、および/または、金属カーバイドの層のために、二酸化珪素やシリコン窒化酸化物層などの表面の処理に関する。この発明はさらにこの発明の方法で入手できる高いkのゲートに関する。 （もっと読む）

【課題】従来は、不純物の注入深さを良好に監視することができなかった。
【解決手段】イオン注入装置によってウェハに注入された不純物の注入深さを測定装置で測定し、測定された不純物の注入深さが許容範囲内か否かを監視する不純物の注入深さ監視方法において、絶縁膜６４と、絶縁膜の上に、１０００Å単位以下の厚さで形成されたＳｉ層６６とを有するウェハ６０を測定用ウェハとして用い、測定用ウェハに対して、測定用ウェハの主表面となるＳｉ層の表面の上方から不純物を注入した後、熱処理を施し、測定装置によって、熱処理済みの測定用ウェハの主表面の表面抵抗率Ｒｓを測定するとともに、表面抵抗率に対応する、測定用ウェハに注入された不純物の濃度がピークとなる、主表面からの濃度ピーク深さＲｐを、主表面からの不純物の注入深さとして検出する。 （もっと読む）

【課題】柱状結晶膜を成膜する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、遮蔽部材５を有しており、入射角度θｘが２０°を超える蒸気は遮蔽部材５に付着し、入射角度が２０°以下の蒸気が基板１１表面に到達するように、遮蔽部材５の形状や位置と、蒸着源２０の位置が定められている。成膜材料２５にハロゲン化Ｃｓを用いた場合には、入射角度θｘが２０°以下であれば、基板１１表面に柱状結晶が成長するので、本発明によれば、基板１１と蒸着源２０との間の距離を大きくしなくても、柱状結晶の膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】 ワーク搬送手段との間でワークを搬入出する際に発生する大気開放時間を、適正に制御可能な真空処理システムを提供する。
【解決手段】 真空処理システム１００は、内部を減圧可能な真空槽１０と、前記真空槽１０の内部に空気を導入するための開閉手段１３と、前記真空槽１０との間でワーク１６を搬入出するワーク搬送手段２０、３０と、を備え、減圧状態にある前記真空槽１０の内部と前記ワーク搬送手段２０、３０との間で、前記ワーク１６を前記真空槽１０に搬入または前記真空槽１０から搬出する際に、前記ワーク搬送手段２０、３０と前記真空槽１０との間の前記ワーク１６の搬送状況に基づいて、前記開閉手段１３を開いて前記真空槽内部に空気が導かれるシステムである。 （もっと読む）

【課題】基材の表面に所定の光学特性を有する多重薄膜層を成膜バッチに関わらず安定して形成することが可能である、高品質な分光フィルタを歩留まり良く製造可能なイオンアシスト成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバＡ内で蒸発源と、基材と、前記蒸発源から前記真空チャンバ内への成膜材料の拡散を許容及び遮断する許容／遮断手段と、イオン源と、前記イオン源からの前記イオンビームの発射条件を調整する調整手段とを備えるイオンアシスト成膜装置１００であって、前記イオンビームの前記基材への照射強度を検出する照射強度検出手段１８ａ，１８ｂを更に備え、前記許容／遮断手段により前記真空チャンバの内部への前記成膜材料の拡散を遮断した後に前記照射強度が少なくとも所定の照射強度になるように前記調整手段により前記イオン源からの前記イオンビームの発射条件を調整する。 （もっと読む）

【課題】 成膜時のモニタ感度を調整可能にする。
【解決手段】 基板上に成膜材料を成膜する成膜装置に設けられ、基板上に成膜された薄膜の膜厚をモニタする膜厚モニタ装置１であって、水晶振動子１１に向かって飛翔する成膜材料を間欠的に遮蔽するために、水晶振動子１１上に遮蔽部１２Ａ_２と非遮蔽部１２Ａ_１を交互に移動させる遮蔽手段１２（遮蔽部材１２Ａ，駆動モータ１２Ｂ）を設け、遮蔽手段１２の移動に対して、水晶振動子１１と遮蔽手段１２の相対位置を検出する位置検出手段１３（検出部１３Ａ，被検出部１３Ｂ）と、位置検出手段１３の出力によって、遮蔽手段１２を移動又は停止させる移動制御手段１４を備える。 （もっと読む）

本発明は、窒素残留ガスを用いて、混相の圧縮性タンタル薄膜（１１２）を形成する方法（２００）を包含する。当該方法（２００）は、所定のβタンタル対αタンタル比率に応じて、プラズマスパッタリング時の窒素残留ガス圧を選択すること（２０４）を含むことができる。当該方法（２００）は、３００℃未満の基材温度において実行することができる。混相の圧縮性タンタル薄膜（１１２）及び流体吐出デバイス（１００）も開示する。
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【課題】高容量で、かつハイレート充放電特性とサイクル特性に優れたリチウムイオン二次電池用負極およびその負極を用いたリチウムイオン二次電池を提供する。
【解決手段】集電体２と、前記集電体上に担持された活物質層１を含み、活物質層が、その厚さ方向に交互に積層された第１層１ａと第２層１ｂを含み、第１層がシリコンまたはシリコンと少量の酸素とを含み、第２層がシリコンと第１層よりも多量の酸素を含むリチウムイオン二次電池用負極およびその負極を用いたリチウムイオン二次電池。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が低く、機械的強度に優れる絶縁膜を容易かつ安価に形成し得る絶縁膜の形成方法、かかる絶縁膜の形成方法により形成された絶縁膜を備える電子デバイス用基板、この電子デバイス用基板を備える電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】多層配線基板１は、基板２と、基板２上に設けられた第１の配線パターン３と、第１の配線パターン３を覆うように設けられた第１の絶縁膜４と、第１の絶縁膜４上に設けられた第２の配線パターン５と、第２の配線パターン５を覆うように設けられた第２の絶縁膜６とを有している。各絶縁膜４、６を得るのに本発明の絶縁膜の形成方法が適用される。本発明の絶縁膜の形成方法は、シリコーンオイルを気化させる第１の工程と、気化したシリコーンオイルをプラズマ重合して得られた重合体を堆積させて、該重合体を主としてなる絶縁膜を形成する第２の工程とを有する。 （もっと読む）