【課題】比誘電率が低く、機械的強度に優れる絶縁膜を容易かつ安価に形成し得る絶縁膜の形成方法、かかる絶縁膜の形成方法により形成された絶縁膜を備える電子デバイス用基板、この電子デバイス用基板を備える電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】多層配線基板１は、基板２と、基板２上に設けられた第１の配線パターン３と、第１の配線パターン３を覆うように設けられた第１の絶縁膜４と、第１の絶縁膜４上に設けられた第２の配線パターン５と、第２の配線パターン５を覆うように設けられた第２の絶縁膜６とを有している。各絶縁膜４、６を得るのに本発明の絶縁膜の形成方法が適用される。本発明の絶縁膜の形成方法は、シリコーンオイルを気化させる第１の工程と、気化したシリコーンオイルをプラズマ重合して得られた重合体を堆積させて、該重合体を主としてなる絶縁膜を形成する第２の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 安定的な薄膜形成を可能として、かつ装置コストを抑えることができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 薄膜形成装置は、複数の成膜室２１〜２４を例えばＺｎＯ膜上のＡＬ膜、Ａｇ膜の積層、あるいはＡｇ膜のみの複数回に分けての成膜に利用することができる。仕切り扉３３ａ，３３ｂをともに開いておくとき、フィルム基板１０を一回だけ搬送すれば、第１成膜室２１と第２成膜室２２ではフィルム基板１０の表面側に成膜でき、同時に第３成膜室２３と第４成膜室２４では裏面側に成膜を施すことができる。仕切り扉３３ａ，３３ｂの一方だけを開いておけば、送りロール４から中間ロール１８に至る搬送経路と、中間ロール１８から巻き取りロール５に至る搬送経路とに切り換えて使用することができる。 （もっと読む）

【課題】
表面粗度が細かくサイズを大きくすることを可能とする回折格子の製作方法を提供する。
【解決手段】
イオンビームを照射するイオン源４とイオンが照射されてスパッタリングされるターゲット材２とターゲット材２から叩き出された原子が堆積する基板１が設置され、ターゲット材２と基板１の間にはマスク３が配設されている。ターゲット材２には二酸化珪素材が使用される。マスク３は基板１より一回り大きく製作され、表面には格子状に透過部であるスリット１６が設けられている。スリット１６は回折格子の溝数に合わせて加工される。マスク３は上下に可動可能にガイド棒ホルダー１２に固定されたガイド棒６に挿入されたマスクホルダー７に取り付けられている。マスクホルダー７の右端はネジ棒９と螺合するボールネジ可動部８と一体にされており、ネジ棒９はモータホルダー１１に固定されたパルスモータ１０と連結されている。 （もっと読む）

【課題】基板上の膜厚分布を均一にすることができるスパッタ成膜装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるスパッタ成膜装置１０は、真空チャンバー１１内でターゲット１４を用いて回転ドラム１２の外周に設けられた複数の基板２０にスパッタ成膜するものであり、真空チャンバー１１内に回転可能に設けられた回転ドラム１２と、回転ドラム１２の回転軸１２Ａと略平行に配設けられたターゲット１４と、速度制御装置１７とを備えている。速度制御装置１７は、基板２０のうち回転ドラム１２の回転方向Ｘにおける両端部がターゲット１４に近づいたときの回転速度が、基板２０の両端部間の中央部がターゲット１４に近づいたときの回転速度よりも速くなるように、回転ドラム１２の回転速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、基板上に薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】この方法は、被蒸着基板１０の薄膜形成面１１に膜材料２３を蒸着させることによって、薄膜形成面１１に薄膜１２を形成する。被蒸着基板１０の薄膜形成面１１と、膜材料２３を材料供給面２１に担持した供給基板２０の当該材料供給面２１とを近接対向配置させる。材料供給面２１には、所望のパターンの鏡像パターンの凹部２２が形成されており、この凹部２２内に膜材料２３が配置されている。凹部２２は、薄膜形成面１１との間に実質的な密閉空間を形成する。凹部２２内の膜材料２３を蒸発させると、これに対向する薄膜形成面１１上の各対向領域へと膜材料２３の気化物が輸送される。これにより、薄膜形成面１１上に薄膜１２が蒸着される。 （もっと読む）

【課題】プラスチック単層フィルムでなるベースフィルムに熱変形を生じさせることなく金属膜を成膜することができる生産性に優れた巻取式真空蒸着方法及び巻取式真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】金属膜の蒸着前において原料フィルム１２に電子ビームを照射する電子ビーム照射器２１を配置すると共に、キャンローラ１４には直流バイアス電源２２の正極を接続し、補助ローラ１８には直流バイアス電源２２の負極を接続する。これにより、金属膜の蒸着前は電子ビームの照射により帯電させた原料フィルム１２をキャンローラ１４に密着させ、金属膜の蒸着後は補助ローラ１８に電気的に接続される金属膜とキャンローラ１４との間に印加したバイアス電圧によって原料フィルム１２をキャンローラ１４へ密着させる。 （もっと読む）

【課題】金属をドープしたＴｉＯ_２膜を高速にて成膜する方法を提供する。
【解決手段】ＴｉＯ_ｘ（但し、ｘは０．５以上１．９９以下）よりなる第１のターゲット２１ａと、金属をドープしたＴｉＯ_ｘ（但し、ｘは０．５以上１．９９以下）よりなる第２のターゲット２１ｂに、交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット２１ａのスパッタ時におけるＴｉの放電の発光波長と発光強度が、ＰＥＭ３１ａによって検知される。また、ターゲット２１ｂのスパッタ時におけるＴｉ及びドープ金属の放電の発光波長と発光強度が、コリメータ３０ｂ、フィルタ及び光倍増幅管を介して電気信号となり、ＰＥＭ３１ｂによって検知される。各ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット２１ａ，２１ｂに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー２６内に導入する酸素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 （もっと読む）

【課題】ＮをドープしたＺｎＯ膜を高速かつ安定して成膜する方法を提供する。
【解決手段】カバー２６内部におけるターゲット２１ａ，２１ｂの上方に基板１を配置し、ポンプによってカバー２６内を真空にした後、アルゴン等の不活性ガス中に酸素及び窒素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。Ｚｎよりなる第１、第２のターゲット２１ａ，２１ｂに、交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ時におけるＺｎの放電の発光波長と発光強度が、ＰＥＭ３１ａ，３１ｂによって検知される。各ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット２１ａ，２１ｂに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー２６内に供給する酸素量及び窒素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 （もっと読む）

【課題】基材にさらされる面を有するスパッタターゲットと、当該ターゲットの面に対して移動する磁界を与えるマグネトロンとを有する、基材上に層を堆積させるためのスパッタリング装置を用いたスパッタリング法を提供する。
【解決手段】本発明においては、場の移動速度は、基材上の堆積の均一性が向上するように制御される。とりわけ、本方法は、均一性対速度を監視する工程；好ましい均一性を与える速度を選択する工程；及び選択された速度に場を制御する工程を含む。選択された速度はターゲットの寿命にわたって変化させることができ、ターゲットが薄くなるにつれて速度を高くすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 適正な膜抵抗の評価を行うことができ、安定した抵抗値が得られる透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に透明導電膜を形成する透明導電膜の製造方法において、製膜室３で形成された透明導電膜の膜厚を測定するとともに、後段の評価室４で上記形成された透明導電膜の抵抗値を測定し、上記測定された膜厚と抵抗値の測定結果を製膜室３での製膜条件にフィードバックして透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】
光触媒性能を有する酸化チタン膜を基板を加熱せずに高速成膜できる技術を提供する。
【解決手段】
第１、第２のチタンターゲット１２₁、１２₂に逆位相の交流電圧を印加し、チタンの発光光(５００ｎｍ)の強度が１５％以上２０％以下の範囲になるように酸素ガスの流量を制御すると、加熱しなくても光触媒性能を有する酸化チタン膜を高速成膜することができる。交流電圧の周波数は１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ、 （もっと読む）

【課題】 成膜速度を向上させた対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る対向ターゲット式スパッタ方法は、対向する一対のターゲット１，２を真空容器６内に配置し、前記一対のターゲットに電力を印加して放電させ、前記ターゲットから発生する発光が所定の発光量になるように反応性ガスの流量を制御しながらスパッタリングにより反応性膜を成膜するものである。 （もっと読む）

【課題】 回転軸を中心に回転する基体ホルダを有する薄膜形成装置において、膜厚にばらつきが生じにくい薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る薄膜形成装置は、回転ドラム１３の外周面に複数の基板を保持しているとともに、回転ドラム１３の回転軸にロータリーエンコーダ１００が設けられている。ロータリーエンコーダ１００は回転ドラム１３の回転位置情報を薄膜形成処理制御手段１１０に出力する。薄膜形成処理制御手段１１０は、薄膜形成処理開始時の回転ドラム１３の回転位置と一致する回転位置で薄膜形成処理の停止を行う。すべての基板に対して同じ回数の薄膜形成処理を行うことができるため、基板間で膜厚のばらつきが生じにくい。 （もっと読む）

【課題】従来の真空蒸着法による薄膜形成では、蒸着材料の蒸発速度を膜厚モニターにより検出し、蒸着容器の加熱量を制御して蒸発速度を一定に保っていた。しかし、急激な蒸発速度の変化に対しては対応が困難であり、このときに形成された蒸着膜は膜質が異なったり共蒸着濃度が変化してしまったりしていた。
【解決手段】蒸発速度の急激な変化が検出されたら、基板側シャッターと蒸着容器側シャッターを遮蔽して基板への蒸着膜の形成を停止する。その後、蒸発速度が安定したら、シャッターを開放して基板への蒸着膜の形成を再開する。 （もっと読む）

【課題】 蒸発材料の放出濃度が高い蒸発材料の放出口付近であっても蒸発材料の放出量を長期間測定することができる蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 蒸発材料取出用孔部４ｃ（５ｃ）の縁部に設けられた熱電対２１ａ（２１ｂ）と、放出用容器４（５）の加熱設定温度と熱電対２１ａ（２１ｂ）により検出された測定温度との温度偏差を算出する監視制御装置１１とを具備し、温度偏差に基づき、放出レートすなわち蒸発材料の放出量割合を求めるようにしたので、従来の水晶振動子式のように蒸発材料が堆積する膜厚計を蒸発材料の放出濃度が非常に高い場所に設置して放出量割合を検出する場合とは異なり、蒸発材料が堆積する問題がなく連続して長期間使用することができ、したがって蒸着装置の稼働率が低下することを防止することができる。 （もっと読む）

本発明は、素材フィルム表面に蒸着層を形成して蒸着フィルムを製造するための真空蒸着装置及び蒸着フィルム製造方法に関する。この真空蒸着装置では、同調手段（１８）が、コーティングロール（１４）の外周速度ｖ１と出側ガイドロール（１５）の外周速度ｖ２とをｖ１＝ｖ２とする。このため、蒸着フィルム表面の蒸着層が出側ガイドロール（１５）に擦れない。これにより、蒸着層に傷が入る可能性を解消し、蒸着層の性能を十分に実現させる。
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【課題】上基板ワーク、下基板ワークを保持又は支持する保持面及び又は支持面の面粗度や相対平行度が低い場合においても、相互の擦れの発生や接触圧力による内部応力の発生を生起することのないアライメント装置を提供すること。
【解決手段】上基板ワークＷ１を保持可能な保持装置２０１と、保持装置２０１の下方に配置され、下基板ワークＷ２を上基板ワークＷ１に対して略平行に支持可能な支持装置３００とを有し、保持面２３３と支持面３１０とを互いの平面方向であるｘｙ平面方向内で相対的に移動可能に構成することにより、保持装置２０１及び／又は支持装置３００をｘ軸方向及びｙ軸方向の相対的移動を行い、上基板ワークＷ１及び下基板ワークＷ２の相対位置合わせを行うアライメント装置である。保持装置２０１は、上基板ワークＷ１を保持面２３３に対して離間した浮上状態で保持可能である。 （もっと読む）

【課題】輝尽性蛍光体層の膜厚と鮮鋭性の分布が均一な放射線画像変換パネルを提供する。
【解決手段】シート状の支持体１１に輝尽性蛍光体層を成膜する、放射線画像変換パネルの製造方法において、真空容器２内で、支持体１１を保持し、毎分１〜１００回転で支持体１１を回転させながら輝尽性蛍光体層を成膜することにより放射線画像変換パネルを製造する。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ場を発生させるための陽電荷源としての役割も果たすガス供給装置を用いたマグネトロンスパッタリング装置を提供する。前記スパッタリング装置は、真空チャンバ、スパッタ可能な物質の陰極ターゲット、正および負の電荷を供給する電源、並びに、ガス供給装置を備えている。前記ガス供給装置は、シンプルな穴あきガス供給部材を備えていてもよいし、導電性陽極表面が付与された穴あきガス供給部材を備えていてもよい。前記ガス供給部材は、また、スパッタリングガスの流れを調節する役割を果たす、更に多くの穴のあいた内部導管を備えていてもよい。ガス流は、前記ガス供給装置の個別の部分の内部で調節してもよい。前記ガス供給装置の陽極表面は、プラズマおよびガス流の作用により清浄化され、より安定したプラズマを発生させ、メンテナンスの必要性を低減させる。
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【課題】真空蒸着法を用いて空隙率が非常に低く、結晶性材料の有する耐環境性を維持し、波長１６０ｎｍ以下での光学特性が良好で、かつＦ_２レーザ耐久性能を向上させた薄膜を形成させることができるＦ_２レーザ用光学素子の成膜方法を提供すること。
【解決手段】この成膜方法は、蒸発させた材料の薄膜を蒸着によって基材表面に成膜する成膜方法であって、結晶性材料を蒸発させるステップと、非結晶性材料を蒸発させるステップと、蒸発させる結晶性材料の質量と蒸発させる非結晶性材料の質量との質量比を調整するステップとを有している。 （もっと読む）