【課題】ワークに連続的にバリア膜を形成するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワークＨの両側に配置され、ワークＨに向かってマイクロ波が通過するスロット３１０Ｒを有するスロットアンテナ３１Ｌ、３１Ｒと、スロットアンテナ３１Ｌ、３１ＲのワークＨ側の表面を覆う誘電体３２Ｌ、３２Ｒと、誘電体３２Ｌ、３２Ｒ間に介装され、負圧条件下においてマイクロ波の電界によりプラズマ生成用ガスを電離させ荷電粒子ＰＬ、ＰＲを生成するプラズマ生成室３８４を、内部に区画するチャンバー３８と、プラズマ生成室３８４に配置され、ワークＨの処理対象面ＨＬ、ＨＲと誘電体３２Ｌ、３２Ｒとの間に介装され、互いに絶縁されるメッシュ３３Ｌ、３３Ｒと、メッシュ３３Ｌ、３３Ｒに互いに逆位相の高周波電圧を印加する電源３７と、電源３７とメッシュ３３Ｌ、３３Ｒとの間のインピーダンスを調節する整合器３６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ロールツーロール方式で搬送される長尺基板をキャンロールの外周面に巻き付けて冷却しながら熱負荷の掛かる処理を行う際に生じる長尺基板のシワをキャンロールの外周面上で伸ばす方法及び装置を提供する。
【解決手段】 キャンロール５６の外周面５６ａのうち少なくとも片端側において長尺基板Ｆの端部付近が接触する箇所にキャンロール５６の端部側に向かってキャンロール５６の外径が徐々に細くなるような傾斜部２１を設けるとともに、該傾斜部２１のうちスパッタリングカソードなどの処理手段５７〜６０に対向していない箇所に設けたホイール３１により長尺基板Ｆの端部を傾斜部２１に押しつけることにより長尺基板Ｆを幅方向に広げる。 （もっと読む）

【課題】円筒状ターゲットを有するスパッタリング装置において、スパッタリング装置の稼動を停止させることなく、Ｔ／Ｍ距離を調整することを可能とするスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板にスパッタリングを行うスパッタリング装置において、チャンバと、チャンバ内に設けられた円筒状ターゲットと、前記円筒状ターゲットの内部に設けられたマグネットと、前記マグネットを前記円筒状ターゲット内部で支持するマグネット支持部材と、前記マグネット支持部材に接続されたマグネット昇降棒と、を有し、前記マグネット昇降棒を前記マグネット昇降機構により昇降させることにより、前記マグネットと円筒状ターゲット内壁との間隔を変更可能としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上及び低コスト化を図ることができるロードチャンバを提供する。
【解決手段】サブチャンバ４２を有するロードチャンバＬＬ１は、サブチャンバ４２内を上下方向に移動し、基板カセット５Ｌが載置される基板カセットベース４７が上昇位置にあるときには基板カセットベース４７を隔壁としてサブチャンバ４２内の上部に気密な空間を形成でき、基板カセットベース４７が下降位置にあるときには基板カセット５Ｌから搬送装置に基板を移載できる。サブチャンバ４２内に補充された基板を搬送装置側に排出するためのＧＶを必要としないため部品点数を削減できるとともに、基板カセット５Ｌへの基板１３の補充のときに排気とベントが必要な空間が限定されるためスループットを向上できる。 （もっと読む）

【課題】 イオンプレーティング法による、優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 イオンプレーティング法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを用いる方法 （もっと読む）

【課題】通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間（先行する基板とその後方の基板の間）の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】真空処理装置は、減圧が可能な処理チャンバと、処理チャンバ内に設けられ複数の基板を搬送させる搬送手段と、処理チャンバ内で基板を処理するためのガスを導入するガス導入手段と、搬送手段上に載置された基板を処理するための基板処理手段と、複数の基板のうち、隣り合った基板の基板間隔を検知する検知手段と、検知手段で検知した基板間隔に基づいて、ガス導入手段によって導入するガスの導入量を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い無機配向膜を低コストで形成する。
【解決手段】プラズマ生成領域を挟むように対向配置された２つのターゲット５を備えるスパッタ粒子放出部３と、基板１０を水平方向に搬送する搬送手段６ａを収容する成膜室２と、を備えるスパッタ装置１を用いて、搬送される基板１０にスパッタ粒子２７を入射させて、１０基板に接する下層配向膜１３２と液晶分子３７に接し液晶分子３７の配向を制御する上層配向膜１３１を含む無機配向膜３１を形成する方法であって、スパッタ粒子２７の基板１０に対する入射角の範囲を入射角範囲と定義した場合において、下層配向膜１３２を形成する工程である第１の工程における入射角範囲である第１の入射角範囲が、上層配向膜１３１を形成する工程である第２の工程における入射角範囲である第２の入射角範囲に比べて広いことを特徴とする無機配向膜３１の形成方法。 （もっと読む）

【課題】凹面を有する光学素子に膜厚が均一な金属酸化膜を形成する。
【解決手段】金属ターゲットから放出されたスパッタ粒子を、光学素子２の凹面２ａに蒸着させて金属膜１１を形成する（スパッタ処理工程）。次に、スパッタ処理工程にて形成された金属膜にイオンビームｉを照射して、金属膜１１から放出されたスパッタ粒子ｓａを再度、光学素子２の凹面２ａに蒸着させて金属膜１１Ａを形成する（再スパッタ処理工程）。このとき、主に凹面２ａの中央部の金属がスパッタされて、スパッタ粒子ｓａが凹面２ａの周縁部に蒸着される。次に、再スパッタ処理工程にて形成された金属膜１１Ａに、酸素ラジカルビームを照射して酸化処理を行い、金属酸化膜１５を形成する（酸化処理工程）。 （もっと読む）

【課題】
本発明は高品質な有機系薄膜を高い生産性で連続的に製造可能な蒸発源を実現するために、蒸発材料の蒸発と活性化および基材への供給を連続で安定に行うことが可能な蒸発源およびこれを用いた薄膜被覆物の製造方法を提供することを目的とする。また、それにより、ロール・ツー・ロール法などを用いて長尺基材に連続して均一なコーティングを可能とすることを目的とする。
【解決手段】
内部を加熱可能で開口部を有する蒸発材料収納部と、前記蒸発材料収納部の開口部に連結された透気性多孔質材からなる蒸発蒸気加熱部とを備え、前記蒸発蒸気加熱部が前記蒸発材料収納部の内部よりも高温に加熱できることを特徴とする、蒸発源。 （もっと読む）

【課題】
ガスバリア性と透明性に優れる成形体、その製造方法、この成形体からなる電子デバイス用部材、及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスを提供する。
【解決手段】
ポリシラザン化合物を含む層に、イオンが注入されて得られる層を有することを特徴とする成形体、ポリシラザン化合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有する前記成形体の製造方法、前記成形体からなる電子デバイス用部材、及び、前記電子デバイス用部材を備える電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】基板（例えば、大面積ガラス基板）上に膜を塗布するための方法およびコータを提供する。
【解決手段】シート状基板上に薄膜を塗布するためのコータ及び、基板をコータを通って延びる基板走行路に沿って搬送するよう適合させた移送システムであり、基板移送システムは、基板走行路の所望の一部に沿って搬送される際、コーティング材料を、上方向に、ギャップを通って基板の底主面上に供給するよう適合させたコーティング材料源を有する。 （もっと読む）

【課題】大型基板に偏りなく均一に多品種の積層膜を成膜可能な成膜装置若しくは成膜方法を提供することを課題の一とする。また、複数の材料で形成される薄膜の組成を精密に制御することが可能な成膜装置若しくは成膜方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半径方向に並べて配置された複数の蒸着源を有する蒸着源群を、回転軸に対して放射状に複数配置する。成膜は回転軸に対して基板が公転、または蒸着源群を配置したテーブルが自転、若しくはその両方をさせながら行う。その際、回転半径の小さい箇所と大きい箇所とでは線速度が異なるため、成膜速度を均一にするために、テーブルに半径方向に並べた蒸着源は、外側に向かうほど気化速度が速くなるよう制御すればよい。 （もっと読む）

【課題】基材表面の選択的領域に気相から堆積層を形成するための蒸着マスクを用いる薄膜パターン形成工程において、薄膜パターンの位置ズレやパターンエッヂのボケがなく、基材表面へのキズ等の欠陥を与えることのない蒸着マスクおよびそれを用いた薄膜パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】非堆積領域とすべき部分を被覆して基材表面と密着させる材料が可撓性フィルム１１１からなる可撓性貼付フィルム１１０を用いた蒸着マスク１１を使用し、可撓性貼付フィルムを基材１０の成膜側全表面に密着させた後、所望の堆積層１３を形成すべき領域を覆う可撓性貼付フィルムを選択的に除去し、しかる後に堆積層を形成する成膜工程を実施し、最後に基材表面上に残された可撓性貼付フィルムを除去する。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、ターゲットの使用効率を向上することができ、組成や膜厚の調整が容易であり、異なる膜構成を有する薄膜の成膜の効率を向上できるようにする。
【解決手段】スパッタ装置１を用いて、複数の膜構成に応じた材料のターゲット片を、第１電源１１、第２電源１２の陰極に接続されたバッキングプレート７上に設置するとともにターゲット片のいずれかの近傍に配置され第１電源１１、第２電源１２の陽極に接続可能に設けられた電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎを設置し、被処理体Ｗをターゲット片を横断する移動経路に沿って時間差を設けて２個以上移動させ、膜構成と移動位置との情報に基づいて、電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎの少なくともいずれかに選択的に電力を供給し、ターゲット片から選択的にターゲット粒子を放出させて、被処理体Ｗの各表面にそれぞれに応じた膜構成の成膜を行う成膜方法とする。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタ法により酸化物薄膜を製造する場合であって、高い２軸配向性を有する膜を形成することができる酸化物薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜面ＤＡに対して斜め方向からイオンビーム１０６を照射しながら、マグネトロンスパッタ法により、スパッタエネルギー密度９．５Ｗ／ｃｍ^２以上２０Ｗ／ｃｍ^２以下、ターゲット１０３と成膜面ＤＡとの距離ＴＳ８０ｍｍ以上１００ｍｍ以下、雰囲気ガスの圧力５０ｍＰａ以上７００ｍＰａ以下の条件で金属のターゲット１０３からの蒸着粒子を成膜面ＤＡに堆積させて酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】比較的簡素な構成で、膜厚の均一性とターゲットの利用率を向上させたマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタ装置１００は、処理チャンバ２０と、基板を搬送する基板搬送手段２と、平板状のターゲット３を設置するためのターゲットホルダー４と、ターゲットホルダーの裏側に配置された磁石ユニット５と、ターゲットホルダー４に電力を供給するための電力供給手段２４と、電力供給手段、および基板搬送手段を制御するための制御手段２５と、ターゲットホルダーの表面に略平行な面内でターゲットホルダーを移動させるターゲットホルダー移動手段１０と、を備え、制御手段は、電力供給手段によりターゲットホルダーに電力を供給しながら、基板搬送手段を駆動して基板を搬送するとともに、ターゲットホルダー移動手段を駆動してターゲットホルダーを移動させるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】有機材料の利用効率の向上と装置設置面積の削減とを両立させて、有機ＥＬデバイスの製造コストを低減できる薄膜形成装置及びインライン型の有機ＥＬデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】基板１６の搬入位置２０に配置され、基板１６と蒸着マスク１７とを相対的に移動させて位置合わせする位置合せ機構１５と、基板１６が組み込まれた蒸着マスク１７を搬送する搬送機構１４と、基板１６と蒸着マスク１７が移動しながら、蒸着マスク１７の開口部を通して基板１６上に有機材料を積層する成膜機構１３と、を備え、少なくとも成膜機構１３の前段もしくは後段のいずれか一方において、基板１６の搬入位置２０もしくは搬出位置２１の搬送機構１４ａ、１４ｃと成膜区間の搬送機構１４ｂとが並列配置されている。 （もっと読む）

【課題】帯状可撓性基板の下垂や皺の発生を抑制でき、高品質の処理が可能であると共に、可撓性基板の逆方向への搬送にも対応可能な可撓性基板の位置制御装置を提供する。
【解決手段】帯状の可撓性基板１を、搬送ロール２，２で張力付与しながら縦姿勢で横方向に搬送する搬送経路において、幅方向に展張するための展張装置１０Ａ，１０Ｂは、可撓性基板１の縁部１ａ，１ｂを搬送基準面にて転支すべく搬送方向に並設された２つの基準ローラ（２，１２）と、前記２つの基準ローラの間で可撓性基板１の縁部を反対側から転支する押込ローラ１１とを備え、前記可撓性基板の縁部が、前記２つの基準ローラに対する前記押込ローラの押込量ｄに応じた屈曲状態に案内され、縁部１ａ，１ｂの搬送方向の張力が、可撓性基板１の幅方向中間部分よりも高められている。 （もっと読む）

【課題】ゲッター作用を有する蒸着材料中の不純物の基板及び堆積膜中への付着を防止すると共に、成膜チャンバー内を短時間で高真空に到達させ、真空排気後短時間で蒸着の成膜速度安定性を実現した蒸着方法、及び蒸着装置を提供する。
【解決手段】少なくとも蒸着源４ａ、４ｂに対向する面を備えたダミー部材７を、成膜チャンバー１の真空排気の過程で該成膜チャンバー１内に搬入し、該ダミー部材７に所定の厚さの蒸着膜を形成した後、実基板２への蒸着を行うことにより、ダミー部材７に堆積する蒸着膜に、蒸着源４ａ、４ｂから放出される不純物や成膜チャンバー１内に残留する水分が取り込まれ、実基板２に堆積する膜に混入する不純物が低減され、実基板２へ蒸着を行う際の圧力に達するまでの時間が短縮される。 （もっと読む）

【課題】真空装置内に蒸発材料が堆積する量を抑制し、かつ、真空装置内のクリーン化のための時間を短縮する。
【解決手段】蒸着マスクの上に素子基板が配置され、蒸着マスクの下方に蒸発源４１、４２が配置された真空蒸着装置において、蒸発源４１、４２を覆って、シートシャッター６０を配置し、シートシャッター６０の開口部６１を通して素子基板に真空蒸着する。シートシャッター６０は素子基板に蒸着しないときは、蒸発源４１、４２の開口部を覆っている。したがって、蒸発源４１、４２からの蒸発物質は主にシートシャッター６０に堆積する。シートシャッター６０は、巻き取り機構６２に巻き取ることが出来、シートシャッター６０に蒸発材料が所定の量以上堆積したときに、シートシャッター６０を交換する。これによって、短時間でシートシャッター６０の交換が出来、かつ、真空装置内に蒸発材料が堆積する量を抑制できる。 （もっと読む）