【課題】小型化かつ、接続信頼性の向上を図った圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方
法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の圧電デバイス１０は、接続用電極パッド６４を備えた圧電振動片６
０と、前記接続用電極パッド６４と電気的に接続すると共に前記圧電振動片６０を支持す
る電極パターン５０を備えた半導体デバイス４０とを備え、前記電極パターン５０は一方
の端部を前記半導体デバイス４０のパッドと接続させ、他方の端部を前記接続用電極パッ
ド６４と接続させ、前記一方の端部と前記他方の端部の間に前記半導体デバイス４０の一
方の主面４３から離反する方向に立ち上がる屈曲部５２を形成し、前記一方の主面４３と
前記電極パターン５０の間の屈曲部５２に樹脂を形成したことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】端子間の良好な電気的接続と隣接端子間の高い絶縁信頼性を得ることを可能にする対向する端子間の接続方法を提供する。
【解決手段】樹脂組成物１２０と半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔１１０とから構成される積層構造を有する導電接続材料１００を用い、導電接続材料１００を対向する端子１１，２１間に配置する配置工程と、導電接続材料１００を金属箔１１０の融点未満の温度で加熱し、対向する端子１１，２１間の最短離隔距離ｘを所定の範囲に調整する調整工程と、最短離隔距離ｘを前記所定の範囲に保持しながら、金属箔１１０の融点以上の温度で、樹脂組成物１２０の硬化が完了しないように導電接続材料１００を加熱する加熱工程と、金属箔１１０の融点未満の温度で樹脂組成物１２０を硬化させる硬化工程を含む。 （もっと読む）

【課題】既存の製造プロセスを利用しながら製造コストの低減が図れる半導体ウェハ加工用フィルム及びこのフィルムを用いた半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に分離層２および接着剤層３がこの順に積層された半導体ウェハ加工用フィルムであって、接着剤層３は、半導体ウェハ加工用フィルム１０を貼付すべき半導体ウェハの全体を覆う形状に個別化されて分離層２上に複数存在する、半導体ウェハ加工用フィルム１０。 （もっと読む）

【課題】
未硬化状態において、ウェハに付されたアライメントマークの認識性が高く、かつ半導体装置を製造して、該半導体装置について高温高湿試験及び温度サイクル試験を行った場合に、優れた接続信頼性が得られる回路部材接続用接着剤、及びこれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】
フェノール性水酸基を有するフェノール系化合物、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、及び熱硬化性樹脂用硬化剤を含んでなる回路部材接続用接着剤。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化しつつ、安価に接着剤接続構造を実現しうる接続方法および電子機器を提供する。
【解決手段】母基板２０は、リジッド基板２１と、リジッド基板２１上に設けられた接着剤接続用電極２２および半田接続用電極２６とを有している。各電極２２、２６の表面は、いずれも、ＯＳＰ処理によって形成された酸化防止膜である有機膜２５によって被覆されている。先に接着剤３０による接続を行って、接着剤接続構造Ｃを形成し、次に、半田リフロー処理を行って、半田接続構造Ｄを形成する。その際、半田リフロー処理の前後における、電極１２、２２間の接続抵抗の増大が所定範囲内に収まるように接続を行う。各電極２２、２６の導通を確保しつつ、半田リフロー処理の後における接続抵抗の増大を抑制することができ、半田接続構造と接着剤接続構造とを円滑に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】溶融状態の金属材料を選択的に端子上に凝集させることができないことに起因する、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と、この樹脂組成物層１、１３に接合される金属層１２とを備える積層体により構成されるものであり、第１の樹脂組成物層１１は、その平均厚さが、第２の樹脂組成物層１３の平均厚さより薄いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の昇温を効率的に行なうことで半導体装置をフリップチップ接続する際の位置ずれや接続不良の発生を低減した半導体装置の接合装置を提供する。
【解決手段】上型ブロック１０は、基板保持プレート４に支持された基板１にクランプ面１０ａを近接させて輻射熱により基板１及び半導体装置３を予備加熱し、当該基板１が基板保持プレート４に支持されままクランプ面１０ａを半導体装置３に押し当てて絶縁性接着剤２を硬化させると共に半導体装置３のバンプ３ａを基板端子部１ａと接合させる。 （もっと読む）

本発明は、半導体部品、特に、高い電流許容能力を有するラテラル半導体構成エレメント用のスケーラビリティを有する構造に関する。本発明に係るある一つのトランジスター・セルは、一つの制御端子、多数のスプリング・フィールド、並びに、多数のシンク・フィールドを包含している。尚、該制御端子は、少なくとも一つのスプリング・フィールド、或いは、シンク・フィールドを完全に取り囲んでいる。また本発明に係るある一つのトランジスターは、複数のトランジスター・セルを基質上に有しているが、各々のトランジスター・セルは、一つのスプリング・コンタクト・フィールド、及び/或いは、一つのシンク・コンタクト・フィールドを包含している。スプリング・コンタクト・フィールドは、基質の裏側において互いに導通するようにつながれており、シンク・コンタクト・フィールドも、基質の裏側において互いに導通するようにつながれている。本発明に係るトランジスターの製造方法は、以下の工程を包含している：基質を準備する；基質上に、一つの制御端子、多数のスプリング・フィールド、多数のシンク・フィールドを有する多数のトランジスター・セルを形成する；制御端子を互いに導通するようつなぐ；各トランジスター・セルにスプリング・コンタクト・フィールド、及び/或いは、シンク・コンタクト・フィールドを形成する；各トランジスター・セルのスプリング・フィールドとスプリング・コンタクト・フィールドを導通するようにつなぐ；各トランジスター・セルのシンク・フィールドをシンク・コンタクト・フィールドと導通するようにつなぐ；少なくとも一つのバンプを各スプリング・コンタクト・フィールドと各シンク・コンタクト・フィールドに形成する；配線基板を用意する；スプリング・コンタクト・フィールドのバンプを互いに導通するように配線基板上の配線路を介して接続する；そして、シンク・コンタクト・フィールドのバンプを互いに導通するように配線基板上の配線路を介して接続する。このようなバンプと配線基板上の配線路の配置により、ワイヤー・ボンディングが半導体表面に設けられることを低減できる。スプリング・フィールド、シンク・フィールド及び制御端子のバンプに対する本発明に係る配置は、アクティブなトランジスター領域とバンプ間の熱抵抗を低減できるものである。
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【課題】
金バンプを備えたＬＥＤ素子を粘着シート上に配列させ、この粘着シートを集合基板に重ね、ＬＥＤ素子群を同時にフリップチップ実装する際、加圧加熱ヘッドを使うと接続状態が安定しなかった。
【解決手段】
金バンプ３４，３５を備えたＬＥＤ素子１３を粘着シート８１上に配列させる（ａ）。この粘着シート８１を集合基板８４に重ねる（ｃ）。この集合基板８４を上板８７と下板８８を備える加圧治具８９に収納する（ｄ）。この加圧治具８９をベルト炉９５で加熱する。すなわち加圧治具８９ごと集合基板８４やＬＥＤ素子１３を加熱すると接合部の温度が安定し接続状態が改善する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、異方導電性接着剤を用いた微細回路の電気的接続において、微小面積の接続電極間の導通性に優れると共に、微細な隣接電極間スペース部のショートやイオンマイグレーション等の絶縁不良が起こりにくい回路接続方法とそれによって得られる接続構造体の提供を目的とする。
【解決手段】導電粒子および絶縁性接着剤を主成分とする異方導電性接着フィルムであって、接続時における隣接電極間スペース部の絶縁性接着剤の流動速度が、接続電極間の絶縁性接着剤の流動速度よりも速く、隣接電極間スペース部の絶縁性接着剤の流動速度に対しては、追従して導電粒子は流動するが、接続電極間の絶縁性接着剤の流動速度に対しては、それに抗して、導電粒子の流動性が抑制される様な固定強さで、導電粒子を固定用樹脂で固定した異方導電性接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の薄厚化を図ることができるとともに、接続信頼性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バンプ２２と該バンプ上に設けられたはんだボール２４とからなる突起電極を有する半導体ウェハ２０の前記突起電極が形成されている面上に、接着剤層３、粘着剤層２及び弾性率が４５０ＭＰａ以下であるプラスチックシート１をこの順に備える接着シートを、接着剤層が突起電極を埋めるように貼り付ける工程と、接着シートが貼り付けられた半導体ウェハ２０の突起電極が形成されている側とは反対側の面を研磨して半導体ウェハ２０を薄厚化する工程と、薄厚化した半導体ウェハ２０及び接着剤層を切断して接着剤付き半導体素子を得る工程と、配線回路基板と半導体素子とがはんだボール２４を介して電気的に接続され、配線回路基板と半導体素子との間が接着剤により封止された構造を得る工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】回路基板上の複数の回路によって生じる凹凸を良好に埋め込むことができる接着フィルムを提供すること、および、このような接着フィルムを用いた半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明の接着フィルムは、半導体チップまた半導体パッケージを、回路が形成された回路基板に実装する際に用いられ、フラックス機能を有する接着フィルムであって、接着フィルムを前記回路基板の前記回路が形成された面に貼り付ける際の貼り付け温度をＴ［℃］、接着フィルムに掛ける圧力をＰ［Ｐａ］、前記貼り付け温度における接着フィルムの溶融粘度をη［Ｐａ・ｓ］としたとき、１．２×１０^３≦（Ｔ×Ｐ）／η≦１．５×１０^９の関係を満足し、前記貼り付け温度Ｔは、６０〜１５０℃、前記圧力Ｐは、０．２〜１．０ＭＰａ、前記貼り付け温度における接着フィルムの溶融粘度ηは、０．１〜１００００Ｐａ・ｓであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リールの交換作業が簡単で、かつ、巻き締りを解消することが可能な電子部品接着用の異方性導電体の供給装置を提供する。
【解決手段】電子部品接着用の異方性導電体の粘着層を有し片面にセパレータテープが貼着された異方性導電テープを送給することにより異方性導電体を供給する電子部品接着用の異方性導電体の供給装置であって、前記異方性導電テープを巻回して供給する供給リールと、前記供給リールが着脱自在に装着され、前記供給リールを回転駆動する駆動軸を備えた駆動手段と、前記駆動手段の駆動軸の回転を前記供給リールの被駆動軸に伝達する駆動力伝達機構とを備えており、前記駆動力伝達機構は、前記供給リールの被駆動軸に対し、磁気的に着脱可能である。 （もっと読む）

【課題】基板上に電子部品を搭載した構成において、基板と電子部品との間の間隙をむらなく洗浄液で洗浄する。
【解決手段】一面１１０ａに形成された複数のパッド１２０を含み、一面１１０ａに電子部品を搭載するための基材（１１０）において、複数のパッド１２０は、ｘ方向に直線状に配置された複数のパッド１２０をそれぞれ含む第１のパッド列Ｌ１および第２のパッド列Ｌ２を含む。第１のパッド列Ｌ１および第２のパッド列Ｌ２は、ｙ方向に沿って隣接して配置され、第２のパッド列Ｌ２は、第１のパッド列Ｌ１内で隣接するパッドＰ１およびパッドＰ２間のｙ方向に沿った延長線上に配置されたパッドＰ３を含み、ｘ方向において、パッドＰ３の中心位置は、パッドＰ１およびパッドＰ２間の中心位置と重ならない。 （もっと読む）

【課題】本願発明の目的は、半導体チップの傾きを最大限低減できる半導体装置及びその半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】本願発明に係る半導体装置は、複数のソース電極が形成された領域とドレイン電極が形成された領域とは、半導体素子を介して実質的に対称な位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い実装体を製造する。
【解決手段】基板の電極および電子部品の電極の少なくとも一方の表面に半田が設けられており、基板、絶縁性接着層、および電子部品をこの順で積層させる積層段階と、基板に対して電子部品を押圧することにより、絶縁性接着層を貫通させて電子部品の電極と基板の電極とを接触させる押圧段階と、絶縁性接着層を第１の温度に加熱することにより、絶縁性接着層を熱硬化させる熱硬化段階と、半田を第２の温度に加熱することにより、基板の電極と電子部品の電極との間に、半田を含む金属結合層を形成する金属結合段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】マウンタ装置が備える吸着ノズルを部品の移動動作が完了する毎に基準状態に復帰手段を提供する。
【解決手段】マウンタ装置１は、鉛直方向に沿って往復動可能に配置され、中心線ＡＸが鉛直方向と平行である円錐穴４を有する第１ブロック２を備える。また、第１ブロック２との間にばね９を介在させて第１ブロック２と対向配置された状態で第１ブロック２に把持された第２ブロック６を備える。第２ブロック６は、ばね９を圧縮させつつ第１ブロック２に接近可能で、かつ、ばね９の弾性力によって第１ブロック２と離間可能である。第２ブロック６は、吸着ヘッド部１４を回転可能に把持する。マウンタ装置１は、吸着ヘッド部の回転動作を停止させる固定機構を備える。マウンタ装置１は、円錐穴に収容されるテーパブロック１２と、このテーパブロック１２と吸着ヘッド部１４とを繋ぐ吸引チューブ１９を備える。 （もっと読む）

【課題】電極同士の接触部分における電気抵抗値の制御が容易で安定した電気特性を備えつつ電子部品同士を確実に接続する。
【解決手段】電子部品相互の接続構造は、例えばＲＰＣＢ１０及びＦＰＣ２０相互の接続に適用される。ＲＰＣＢ１０は、基板１１上に形成された電極１２を備え、電極１２は、凸部１２ａを備える。ＦＰＣ２０は、基板２１上に形成された電極２２を備え、電極２２は、凹部２２ａを備える。凹部２２ａを含めた電極２２上には、凹部２２ａの形状に沿ってワイヤ２３がボンディングされ、ＲＰＣＢ１０の電極１２形成側の面上には接着材１３が形成される。電極１２，２２を凸部及び凹部１２ａ，２２ａが嵌合するように位置合わせしてＲＰＣＢ１０及びＦＰＣ２０を熱圧着により接続する。電極１２，２２はワイヤ２３を介して金属結合されるので、電気抵抗値のばらつきが少ない接続を行うことができる。 （もっと読む）

シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）ウエハを用いてスタックされた電子的部品を形成する方法が、第１ディボンデング温度を有する第１接着性材料（２０６）を用いてＴＳＶウエハ（２０２）の上側に第１キャリアウエハ（２０５）を搭載することを含む。ＴＳＶウエハは、その下側から薄くされて薄くされたＴＳＶウエハ（２０２’）を形成する。第１ディボンデング温度より高い第２ディボンデング温度を有する第２接着性材料（２０７）を用いて、ＴＳＶウエハ（２０２’）の下側に第２キャリアウエハ（２１５）が搭載される。薄くされたＴＳＶウエハ（２０２’）はそれから第１キャリアウエハ（２０５）を取り除くため、前記第１ディボンデング温度を超える温度まで加熱される。スタックされた電子的部品を形成するため、少なくとも１つの個片化されたＩＣダイが、薄くされたＴＳＶウエハの上面上に形成されたＴＳＶダイに結合される。

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【課題】高温環境下にさらされても劣化せず、高い接続／接合信頼性を有するフリップチップ実装構造を提供する。
【解決手段】Ａｌ電極２２を有するＩＣチップ２１とＡｕ電極４３を有する基板４１とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装構造において、ＩＣチップ２１のＡｌ電極２２上にＡｌもしくはＡｌ合金よりなるバンプ５２を形成し、そのバンプ５２を介してＩＣチップ２１のＡｌ電極２２と基板４１のＡｕ電極４３とを接合する。 （もっと読む）