【課題】複雑な形状の異形パッドを対象とする場合にあっても、目合わせ処理を十分な精度で行うことができるボンディング装置およびボンディング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】チップを基板５に形成されたパッド１０にボンディングするボンディング処理において、対象となるパッド１０が目視による位置合わせが困難な矩形以外の輪郭形状を有する異形パッドである場合には、認識処理部による自動認識処理が不調のときに実行される目合わせ処理において、認識画像５ａと重ね合わせた状態でこの認識画像５ａの視認を妨げない特性を有するレファレンスパターン５＊を使用し、基板保持部４上の基板５を手動操作で移動させながら、表示画面２５ａ上でパッド画像１０ａとパッドパターン１０＊とのパターンマッチングを目視により行い、パッド１０の基準位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】低温及び短時間での接続においても、局所的な硬化不良が起こり難く、接続領域における配線及び電極の腐食の発生が抑制され、長期の信頼性を与える接続が可能な、保存安定性の高い異方導電性接着フィルムを提供すること。
【解決手段】フィルム形成性ポリマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、潜在性硬化剤（Ｃ）及び導電粒子（Ｄ）を含有する異方導電性接着フィルムであって、潜在性硬化剤（Ｃ）が、重量平均分子量の数平均分子量に対する比として定義される分子量分布が３以下であるアミンアダクトを含有し、フィルム形成性ポリマー（Ａ）１００質量部に対し、エポキシ樹脂（Ｂ）を５０質量部以上１９０質量部以下、及び潜在性硬化剤（Ｃ）を１５質量部以上７５質量部以下含有し、異方導電性接着フィルム全体に対して導電粒子（Ｄ）を０．１質量％以上３０質量％以下含有する、異方導電性接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく低コストで、１５０℃以上の高温下で長時間使用しても接続信頼性を維持できる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置のはんだ接続部１において、基板５の電極となるＣｕ層上にＮｉめっき層３が形成され、はんだボールを構成し、かつ室温から２００℃においてＣｕ６Ｓｎ５相を含有するＳｎ系はんだ８との間に化合物層２を有する。化合物層２はＣｕ６Ｓｎ５相がＮｉめっき上に析出あるいは移動してバリア層を形成し、界面反応を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 基板上にＡＣＦを用いて液晶駆動用ＩＣのような半導体素子を熱圧着する際に、隣接するバンプ電極間における導電性粒子による電気的な短絡を防止することを目的とする。
【解決手段】 液晶駆動用ＩＣ６のバンプ電極７の側面に凹凸部３１を設けることにより、ＡＣＦ９中の熱硬化性樹脂にとっては流動する際の物理的な抵抗となるため、バンプ電極７近傍の樹脂の流動性が妨げられ、凹凸部３１がない場合に比べて、バンプ電極７の側面近傍の圧力が高くなり、バンプ電極７の側面近傍の導電性粒子１０はバンプ間中央のスペースに追いやられ、隣接バンプ間での電気的短絡を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】
低温かつ短時間で硬化して、回路部材を接続した場合であっても優れた接着強度を有する回路部材の接続構造体を得ることができ、かつ得られる接続構造体の高温高湿環境下における接続信頼性の低下を十分に抑制することができ、さらには取り扱い性にも優れる接着剤、及びそれを用いた回路部材の接続構造体を提供すること。
【解決手段】
（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）３０℃以下で固体であるラジカル重合性化合物、及び（ｃ）ラジカル重合開始剤を含有してなる接着剤であって、
（ａ）熱可塑性樹脂が、フェノキシ樹脂、ポリウレタン及びポリエステルウレタンから選ばれる少なくとも１種を含む接着剤。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程で粘着剤が引き伸ばされることによるダイアタッチフィルムと粘着剤との密着を、粘着剤のダイシング性を向上させることで改善し、ピックアップ性を向上することのできる粘着シートを提供する。
【解決手段】粘着剤層３を形成する粘着剤が（メタ）アクリル酸エステル重合体（Ａ）と紫外線重合性成分（Ｂ）と光重合開始剤（Ｃ）と硬化剤（Ｄ）を含有したものであり、（Ａ）が２−エチルへキシルアクリレート９０〜９９％と水酸基含有（メタ）アクリレート１０〜１％を含んで重量平均分子量が２０〜７０万であり、（Ｂ）がアクリロイル基を１０個以上有する多官能ウレタン（メタ）アクリレートと多官能（メタ）アクリレートであり、（Ｃ）が水酸基を有し、（Ｄ）が３個以上のイソシアネート基を有するものであり、（Ｄ）のイソシアネート基ｍｏｌ量／（（Ａ）＋（Ｃ）の水酸基ｍｏｌ量）＝０．６〜１．２である粘着シート１。 （もっと読む）

【課題】保存性、運搬性、及び使用時のハンドリング性に優れ、電極のみに対し選択的に半田バンプを形成することができるリフローフィルム及びそれを用いた半田バンプの形成方法、電極間の接合方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム内部に、半田粒子が分散した状態で含有するリフローフィルム、並びに該リフローフィルムを用いた半田バンプの形成方法及び電極間の接合方法であって、電極を有する基板の電極を有する面にリフローフィルムを載置又は接合しようとする電極同士を対向配置し、該電極間に前記リフローフィルムを狭持し、該リフローフィルム上に、カバー板を載置固定し、該リフローフィルムを前記半田粒子の融点以上の温度であって、かつ前記樹脂フィルムが液状化する温度に加熱し、加熱温度を一定時間保持し、該一定時間経過後冷却することを特徴とする半田バンプの形成方法及び電極間の接合方法である。 （もっと読む）

【課題】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子に反りが発生するのを抑制又は防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルム、及びダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】本発明のフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、少なくとも熱硬化性樹脂成分と、ガラス転移温度が２５℃以上２００℃以下の熱可塑性樹脂成分とにより形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接続対象部材の電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法は、第１の接続対象部材２の上面２ａに、導電性粒子を含む異方性導電材料を塗布し、異方性導電材料層３Ａを形成する工程と、異方性導電材料層３Ａに光を照射することにより、異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させて、異方性導電材料層３ＡをＢステージ化する工程と、Ｂステージ化された異方性導電材料層３Ｂの上面３ａに、第２の接続対象部材４をさらに積層して、Ｂステージ化された異方性導電材料層３Ｂに熱を付与することにより、該Ｂステージ化された異方性導電材料層３Ｂを硬化させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、信頼性の高い電子装置を製造することができる電子装置の製造方法および製造装置を提供すること。
【解決手段】第一端子１１と第二端子２１とを半田接合させる工程では、複数の積層体４を用意するとともに、溝５３１が形成された部材５３を用意し、部材５３の溝５３１で区画された複数の領域５３２それぞれを各積層体４に当接させて、各積層体４に対し、各積層体４の積層方向にそって荷重をかけた状態で、各積層体４を前記第一端子１１の半田層１１２の融点以上に加熱して、第一端子１１と第二端子２１とを半田接合させる。 （もっと読む）

【課題】製造工数を削減し、シールリングと突起電極の高さが同等な弾性波デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１０上に弾性波素子１２を形成する工程と、前記弾性波素子１２に電気的に接続する突起電極３０と前記突起電極３０を囲む環状シールリング３２とをめっき法を用いて前記第１基板１０上に同時に形成する工程と、実装基板６０上のパッド電極６４及び環状シールリング６２に前記突起電極３０及び突起電極３０を囲む環状シールリング３２を接合させる工程を含むことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】工程の簡略化を達成可能なボンディング方法を提供する。
【解決手段】表面に複数のバンプ２を有するデバイスＤをリードフレーム２８にボンディングするボンディング方法であって、表面に複数のバンプを有するデバイスが複数形成された半導体ウエーハの裏面に粘着シートＴを貼着するステップと、粘着シートが貼着された半導体ウエーハを個々のデバイスへと分割して、粘着シート上に複数のデバイスが配設された形態にするステップと、粘着シート上に配設されたデバイスのバンプと、リードフレームのバンプに対応する電極３０とを対面させて、粘着シート側からバンプを電極に押し付けるとともに外的刺激を付与することで、リードフレームにデバイスのバンプを接続させるステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション膜に形成された開口部から露出するボンディングパッドの表面に導電性部材を接続する半導体装置において、パッシベーション膜に発生するクラックを抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】電極層ＥＬの一端とパッドＰＡＤの一端との間の平面的な距離（Ｌ２）を、電極層ＥＬの一端と開口部ＯＰの一端との間の平面的な距離（Ｌ１）よりも大きくする。これにより、ワイヤＷの接続位置が電極層ＥＬの端部側にずれる場合であっても、電極層ＥＬの一端とパッドＰＡＤの一端との間の平面的な距離（Ｌ２）が大きくなっているため、電極層ＥＬの段差部にワイヤＷが接続することに起因した応力がパッドＰＡＤの端部にまで伝わることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】先アンダーフィル方式のフリップチップボンディングにおいて、接続不良が少ない電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品２０の基板２１上に形成されたフリップチップボンディング用の突起電極２４の上面に形成された窪み２６と、窪み２６に埋め込まれたフラックス２５と、突起電極２４の外側の基板２１上に形成され、突起電極２４を突起電極２４上面まで埋め込む接着材２２とを有する。ボンディングの際にフラックスが蒸発して接合面の気圧が上昇し、溶融した接合樹脂の接合面への侵入が防止される。このため、接合面に絶縁性接着材の皮膜が形成されず接続不良を生じない。 （もっと読む）

【課題】ＳｎＢｉ系はんだを用いてはんだ接合する際の接合信頼性を向上することができるはんだ接合方法とその接合方法を利用した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の導電部材１１と第２の導電部材１４を、Ｓｎ及びＢｉを含有するはんだを用いて接合する方法において、第１の導電部材１１と第２の導電部材１４の少なくとも一方を、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎからなる第１金属元素グループから選択される少なくとも１つの金属元素であるＸと、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｌｉ、Ａｌからなる第２金属元素グループから選択される少なくとも１つの金属元素であるＹの合金で形成し、第１の導電部材１１と第２の導電部材１４を、前記はんだを介して位置合わせして加熱処理する。はんだ中のＢｉをＸ−Ｙ合金中に拡散させることによりＢｉ偏析を防止する。 （もっと読む）

【課題】半田の接合前の形状に影響されずに半田接合を良好にするための電子デバイスを提供する。
【解決手段】第１の素子１と、第１の素子１の上に形成されて少なくとも露出面が絶縁材から形成される柱状突起５と、柱状突起５の周囲に形成される複数の第１電極３とを有し、柱状突起５は、第１の素子１に対向して配置される第２の素子１１の上に形成された複数の突起電極１４の間に嵌め込まれ、第１電極３と突起電極１４は半田層４、１５を介して接続される。 （もっと読む）

【課題】挟ピッチかつ高い接続信頼性を確保した簡易な構造の半導体装置、および製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１の電極端子１ｂ上に突起状電極１ａを形成する。突起状電極１ａよりも大きくし、位置を合わせた転写用の金型４に、粘着層５を供給し半田粒子３を付与する。金型４と半導体素子１の対向する位置を合わせ、加熱・加圧して半田粒子３を突起状電極１ａ上に付与、金型４を引き剥がして半導体素子１を個片化する。半導体素子１の突起状電極１ａに対向して回路基板２の電極端子２ａの位置を合わせて、加熱、荷重し半導体素子１を回路基板２上へ搭載する。半導体素子１の端部の回路基板２との距離が最も大きな電極同士でも、微細半田が鼓状に伸びて接合し平行度の悪化を吸収する。端部電極の熱応力集中を微小半田接合体（半田接合部３ｃ）が受けて、電極直下の脆弱な絶縁膜の熱応力を低減して剥離や亀裂を防ぎ、高い接続信頼性を確保する。 （もっと読む）

【課題】交換時間を低減した稼働率の高いＡＣＦ貼付装置及びＡＣＦ貼付方法、及びＡＣＦテープの貼付け位置での位置再現性の優れた信頼性の高いＡＣＦ貼付装置及びＡＣＦ貼付方法を提供する。
【解決手段】搭載部品を表示基板の搭載位置に貼付けるＡＣＦを有するＡＣＦテープをＡＣＦ供給リール１６０から引き回し前記ＡＣＦを前記搭載位置に貼付ける際に、前記ＡＣＦ貼付装置２０は前記ＡＣＦ供給リール１６０を具備し前記ＡＣＦテープを引き回したＡＣＦカセット１００と前記ＡＣＦカセット１００を固定するカセット固定部２００とを有し、前記ＡＣＦカセット１００を前記カセット固定部２００に対し所望の姿勢に固定する位置姿勢方向３軸と回転姿勢方向３軸の計６軸を規定する位置決め部材１４１〜１４３、２４１〜２４３を前記ＡＣＦカセット１００と前記カセット固定部２００に対に複数組設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く、半導体チップボンディング時のパターン又は位置表示の認識を容易なものとする半導体接合用接着剤を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、無機フィラー及び硬化剤を含有する半導体接合用接着剤であって、前記無機フィラーは、半導体接合用接着剤中の含有量が３０〜７０重量％であり、かつ、平均粒子径が０．１μｍ未満のフィラーＡと、平均粒子径が０．１μｍ以上１μｍ未満のフィラーＢとを含有し、前記フィラーＡは、前記フィラーＢに対する重量比が１／９〜６／４である半導体接合用接着剤である。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ用のＬＥＤ素子はｐ型半導体層を削ってｎ型半導体層を露出させるため、しばしばｐ側バンプとｎ側バンプの間に段差を持つ。この段差はＬＥＤ素子の接続信頼性を劣化させることがある。
【解決手段】複数の回路基板領域を含む大判基板８０に電極パターンを形成してから、ｎ側バンプ２３が接続する領域に段差と略等しい厚さを有する補正膜１７を形成する。続いてＬＥＤ素子１３を大判基板８０に配置して接合する。最後に大判基板８０を個片化し半導体発光装置１０を得る。接合工程前の大判基板８０処理段階で補正膜１７を形成する工程を追加したので簡単に高い接続信頼性が得られた。 （もっと読む）