【課題】カメラによる突起状電極及び／又はアライメントマークのコントラスト像の認識を容易にし、高精度な接合を行うことのできる半導体チップ接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】突起状電極、又は、突起状電極及びアライメントマークを有し、マトリックスとしての樹脂成分と樹脂成分に不溶な固体成分とを含有する封止樹脂層が前記突起状電極及び／又は前記アライメントマークを被覆するように設けられた半導体チップを準備する工程と、前記封止樹脂層に対して、６００ｎｍ以上の波長を含む光を光軸が斜めになるように照射し、前記突起状電極及び／又は前記アライメントマークのコントラスト像をカメラにより認識させる工程と、被接合体としての基板又はその他の半導体チップに対して、前記半導体チップの位置調整を行う工程と、前記半導体チップの前記突起状電極と、前記基板又はその他の半導体チップの電極部とを接合するとともに、前記封止樹脂層を硬化させる工程とを有する半導体チップ接合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高周波回路チップ上の回路と、モジュールを構成する配線基板上の回路についてその相対位置を検出することによって、容易に実装状態が測定できる高周波モジュールおよび高周波モジュールの測定方法を提供する。
【解決手段】入出力端子６を備えた高周波回路チップ１と、高周波回路チップ１の入出力端子６を、バンプ５を介してフリップチップ接続する接続用パッド７を含む配線部を備えた配線基板２とを備えた高周波モジュールであって、入出力端子の２端子間に接続された、スパイラルインダクタ３ｓと、スパイラルインダクタ３ｓに対向する位置に配設され、接地電位に接続された検出用導体４ｄとを備え、接続用パッド間のインダクタンスを測定することによって、スパイラルインダクタ３ｓと検出用導体４ｄとの距離の変化に起因する入出力端子６と接続用パッド７間の距離の変化を測定可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い実装体を実現することのできる基板間の接続方法を提供する。
【解決手段】第１及び第２の基板３０、３２との間に、導電性粒子１１及び気泡発生剤を含有む樹脂１０を供給し、樹脂の周縁部近傍に、第１及び第２の基板の間を塞ぐ隔壁部材２０を設けた後、樹脂を加熱して、樹脂中に含有する気泡発生剤から気泡１４を発生させて、樹脂を第１及び第２の電極の間に誘導するとともに、気泡を、隔壁部近傍と外部との圧力差により、外部に開放された樹脂の周縁部に導かれて外部に排出する。さらに、樹脂を加熱して、樹脂中に含有する導電性粒子を溶融して、電極間に接続体１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体素子、及び半導体素子と多孔質状金属層との接合面等における、クラックや剥がれを抑制可能な半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｋ）またはリードフレーム（Ｌ）に設けられたパッド部（Ｐ）上に多孔質状金属層（Ｃ）を介して半導体素子（Ｓ）の金属層が接合されている半導体装置であって、前記多孔質状金属層（Ｃ）の外周側部位の金属密度がその内側に位置する中心側と比較して低いことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】低いリフロー温度で信頼性良く接合できる接合部を備えた半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子１１上に形成された第１電極１２と、基板２１上に形成された第２電極２２との上に、それぞれSn-Bi又はSn-Inを含むはんだ層１３、２３を形成し、これらのはんだ層１３、２３の間にSn-Ga合金ボール１４を、はんだ層１３、２３の融点よりも高く、且つSn-Ga合金ボール１４の融点よりも低い温度でリフロー接合する。リフロー接合の際にはんだ層１３、２３とSn-Ga合金ボール１４との界面にSn-Bi-Ga合金層１５又はSn-In-Ga合金層が形成され、Sn-Ga合金ボール１４からのGaを含む融液の拡散が阻止される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品１４ａ〜１４ｃを埋め込む樹脂層１８の一方の面側に、電子部品に電気的に接続されたバンプ４２が形成され、樹脂層の他方の面側に、樹脂層より弾性率の高い部材４４が密着した構造物２を形成する工程と、基板４６上に形成された電極４８とバンプとを接触させた状態で、部材を介して超音波振動を印加することにより、バンプと電極とを接合する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】対向する部材の端子間の接続および封止を同時に行うことができるダイシングテープ一体型接着シートを提供する。
【解決手段】ダイシングテープ一体型接着シート１０は、支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、前記支持体と前記被着体とを接着する接着フィルム３と、ダイシングテープ２とを含む積層構造を有し、前記接着フィルム３を前記支持体の第一の端子が形成された面に貼り付ける際の貼り付け温度をＴ［℃］、前記接着フィルム３に掛ける圧力をＰ［Ｐａ］、前記貼り付け温度における接着フィルム３の溶融粘度をη［Ｐａ・ｓ］としたとき、１．２×１０^３≦（Ｔ×Ｐ）／η≦１．５×１０^９の関係を満足し、前記貼り付け温度Ｔは、６０〜１５０℃、前記圧力Ｐは、０．２〜１．０ＭＰａ、前記貼り付け温度Ｔにおける接着フィルム３の溶融粘度ηは、０．１〜１００，０００Ｐａ・ｓである。 （もっと読む）

【課題】電極間の接続抵抗が低く、かつ耐熱衝撃特性が高い接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１は、第１の電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２と、第２の電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４と、第１の接続対象部材２の上面２ａと第２の接続対象部材４の下面４ａとの間に配置されており、かつ導電性粒子２１を含む異方性導電材料により形成された接続部３とを備える。導電性粒子２１は、基材粒子２２と基材粒子２２の表面に積層されたはんだ層２３とを有する。基材粒子２２の中心部からはんだ層２３の外周端２３ａまでの距離が、基材粒子２２の中心部から基材粒子２２の外周端２２ａまでの距離よりも長い箇所があり、はんだ層２３の外周端２３ａの少なくとも一部が、基材粒子２２の外周端２２ａよりも外側に位置する。 （もっと読む）

【課題】３次元実装された半導体素子間の空間の充填を容易かつ確実に行うことができる積層フィルムを提供する。
【解決手段】積層フィルムは、接続用部材４１ｂを介して電気的に接続された半導体素子間の空間を充填するための積層フィルムであって、基材１上に粘着剤層２が積層されたダイシングシートと、粘着剤層上に積層された硬化性フィルム３とを備え、硬化性フィルムの５０〜２００℃における最低溶融粘度は、１×１０^２Ｐａ・ｓ以上１×１０^４Ｐａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】配線基板に半導体チップを実装する際にボイドが生じ難く、半導体チップの側面にフィレットを形成しやすい半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、半導体チップ実装領域を備えた配線基板の前記半導体チップ実装領域の内側に第１の樹脂部を形成する第１工程と、前記配線基板上に、前記第１の樹脂部及びその周辺部を露出する開口部が形成されたマスク材を配置する第２工程と、前記開口部上を含む前記マスク材上に樹脂フィルムを配置し、前記樹脂フィルムを加熱しながら前記配線基板側に押圧して前記第１の樹脂部と一体化させる第３工程と、前記樹脂フィルムを加熱しながら前記マスク材を剥離して、前記配線基板上の前記開口部に対応する位置に前記樹脂フィルムの一部を残存させ、前記第１の樹脂部と前記樹脂フィルムの一部とを含む第２の樹脂部を形成する第４工程と、を有し、前記第４工程では、中央部に周縁部よりも高さの高い突起部を有する前記第２の樹脂部を形成する。 （もっと読む）

【課題】接続対象部材の電極間を接続したときに、絶縁信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法及び接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１１の製造方法は、突出した複数の第１の電極２ｂを表面２ａに有する第１の接続対象部材２を用いて、複数の第１の電極２ｂ上と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上とに、複数の第１の電極２ｂを覆うように絶縁層６Ａを積層する工程と、絶縁層６Ａの第１の接続対象部材２側とは反対の表面６ａ上に、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電ペーストを塗布して、異方性導電ペースト層３Ａを積層する工程と、異方性導電ペースト層３Ａの溶剤を除去するか又は硬化を進行させて、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを形成するＢステージ化工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ３次元実装された半導体素子間の空間の充填を容易かつ確実に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、両面に複数の接続用部材が形成された半導体ウェハを準備する工程と、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングシートと、前記粘着剤層上に積層され、かつ前記半導体ウェハの第１の面における前記接続用部材の高さに相当する厚さ以上の厚さを有する硬化性フィルムとを備える積層フィルムを準備する工程と、前記積層フィルムの硬化性フィルムと前記半導体ウェハの第１の面とを対向させ、前記硬化性フィルムを前記半導体ウェハに、前記接続用部材が前記硬化性フィルムから前記粘着剤層へ露出しないように貼り合わせる工程と、前記半導体ウェハをダイシングして半導体素子を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＢＧＡの製造工程において、バンプランドの位置ずれ量が許容範囲を超えた不良品を容易に検出できる技術を提供する。
【解決手段】バンプランドの位置ずれ量を検出する不良解析用パターン２０は、ソルダレジスト膜１７をパターニングしてバンプランド１２Ｄおよび位置決め孔１５を露出させる工程で同時に形成される。不良解析用パターン２０は、大型配線基板１０の下面のデバイス領域１３から距離（Ｌ）だけ離れた位置に配置される。この距離（Ｌ）は、大型配線基板１０から個片化されたＢＧＡの外形を基準としたバンプランド１２Ｄの位置ずれ量の最大許容範囲に等しくなるように設定される。 （もっと読む）

【課題】高い接着強度を示し、接続体を高温高湿環境に放置した場合に回路部材と回路接続材料との界面に剥離気泡が生じることを十分に抑制可能な回路接続材料を提供する。
【解決手段】（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）ラジカル重合性化合物、（ｃ）ラジカル重合開始剤を含有し、（ｂ）ラジカル重合性化合物は、下記一般式（１）で表され、テトラメチルシランを内標準とした^１ＨＮＭＲにおいて、ケミカルシフト値が２．７５〜３．１０ｐｐｍで測定されるスペクトルの積分値をＳ１、３．９０〜４．２５ｐｐｍで測定されるスペクトルの積分値をＳ２としたときに、下記式（Ｉ）：１０≦Ｓ２／Ｓ１≦１４（Ｉ）の条件を満たすウレタン（メタ）アクリレートを含む、回路接続材料。


［式（１）中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示し、ｊは１〜３の整数を示し、ｋは２〜７の整数を示し、ｍは４〜８の整数を示し、ｎは５〜７の整数を示す。］ （もっと読む）

【課題】作業効率の向上を実現することができるチップピックアップ方法およびチップ実装方法ならびにチップ実装装置を提供することを目的とする。
【解決手段】一のチップを一のエリアからピックアップした後に、次にピックアップすべきチップを特性情報に基づいて決定するピックアップチップ決定工程において、次にピックアップされるチップとしての適格性を有する適格チップをマップデータを参照してサーチして、同一のエリア内に存在する適格チップを優先的に次にピックアップすべきチップとして決定し、当該エリア内に適格チップが存在しない場合には、当該エリアとの近接度合いが最も高いエリア内に存在する適格チップを、次にピックアップすべきチップとして決定することにより、ピックアップヘッドの相対移動によるピックアップ動作において、ウェハの端から端までの相対移動を反復実行する無駄な動作時間を削減して、作業効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面実装部品の２つの電極間のショートを防止して、表面実装部品を金属パターンにはんだ付けできる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板と、該基板の上に形成された第１金属パターンと、該基板の上に形成された第２金属パターンと、一端に第１電極が形成され他端に第２電極が形成された表面実装部品と、該第１電極と該第１金属パターンを固定する第１はんだと、該第２電極と該第２金属パターンを固定する第２はんだと、該表面実装部品を覆い、該表面実装部品を該第１電極の外側と該第２電極の外側から挟むように形成された溝を有するモールド樹脂と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に半導体チップを実装ヘッドに設けられた加圧体によって実装する際、基板を支持する実装ステージに対して加圧体を平行に傾動させることができるようにする。
【解決手段】上下方向に駆動される実装ヘッド１１と、実装ヘッドの下面側に弾性支持手段１３によって弾性的に変位可能に設けられ吸着部２５ｂに半導体チップを吸着保持する加圧体１４と、実装ヘッドを下降方向に駆動して加圧体の吸着部に吸着保持された半導体チップを基板に実装させ加圧用駆動源を具備し、
弾性支持手段は、平行に対向する２組の側面を有し、実装ヘッドと加圧体の間に配置される可動ブロック体１６と、可動ブロック体の一方の組の一対の側面に一端が取付けられた一対の連結ばね体１７の他端を実装ヘッドに連結した第１の連結体２１と、可動ブロック体の他方の組の一対の側面に一端が取付けられた一対の連結ばね体の他端を加圧体に連結した第２の連結体２２とによって構成されている。 （もっと読む）

【課題】バンプを介して基板上に素子を搭載した電子部品において、素子をバンプに接合する際に生じる応力が素子に作用することを抑制し、電子部品の品質のばらつきを抑え、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】第１平面を有する基板１１と、前記基板１１の第１平面に固定されたバンプ１４と、前記基板１１の第１平面に非接触かつ相対すると共に、前記バンプ１４に接着により固定され、かつ、前記パンプ１４との接着領域の近傍にスリット３０を有する素子１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】半田バンプの位置決めが容易であり、ボイドが無く信頼性の高いアンダーフィルを形成することができる組成物及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】シリコンウエハ上に平滑な非粘着性の表面を生成するべくＢ−ステージプロセス中に凝固する、Ｂ−ステージ対応可能な液状ウエハーレベルアンダーフィル剤組成物であって、（Ａ）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノールノボラック樹脂、（Ｃ）２−フェニルー４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、（Ｄ）有機溶剤及び（Ｅ）酸化ジルコニウムを含む、アンダーフィル剤組成物。 （もっと読む）

【課題】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムの一方の面のみに、セパレータが積層された半導体装置製造用フィルムにおいて、半導体素子に貼り着けられた後、セパレータが剥離されたか否かを識別できる半導体装置製造用フィルムを提供すること。
【解決手段】 被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムの一方の面のみに、セパレータが積層された半導体装置製造用フィルムであって、セパレータの波長４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける反射率が３０％以上１００％以下である半導体装置製造用フィルム。 （もっと読む）