【課題】バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる高周波信号接続構造を得ることを目的とする。
【解決手段】接地導体１５の一部を覆う形態で接地バンプ搭載用パッド１４の外周を囲んでいる絶縁コーティング材２１などを設けた上で、信号バンプ３３が信号バンプ搭載用パッド１２と信号バンプ搭載用パッド３１の間を接続し、複数の接地バンプ３４が接地バンプ搭載用パッド１４と接地バンプ搭載用パッド３４の間を接続する。 （もっと読む）

【課題】電極間の接続抵抗が低く、かつ耐熱衝撃特性が高い接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１は、第１の電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２と、第２の電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４と、第１の接続対象部材２の上面２ａと第２の接続対象部材４の下面４ａとの間に配置されており、かつ導電性粒子２１を含む異方性導電材料により形成されている接続部３とを備える。導電性粒子２１は、樹脂粒子２２と、第１の導電層２３と、第１の導電層２３よりも融点が低い第２の導電層２４とを有する。導電性粒子２１における樹脂粒子２２の中心を通る中心線に対して、導電性粒子２１における第２の導電層２４は、上下非対称に偏在しており、上記中心線に対して上側の領域又は下側の領域に第２の導電層２４全体の７０体積％以上、１００体積％以下が存在する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、高い透明性を維持するとともに半導体チップをボンディングする際にはボイドの発生を抑制しながら、貯蔵安定性及び熱安定性にも優れ、更に、耐熱性に優れた硬化物を得ることができる熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を含有するフリップチップ実装用接着剤、該フリップチップ実装用接着剤を用いる半導体装置の製造方法、及び、該半導体装置の製造方法を用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、ビシクロ骨格を有する酸無水物と、常温で液状のイミダゾール硬化促進剤とを含有する熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体素子・配線回路基板間の熱膨張率差による接続不良を改善するとともに、半導体素子・配線回路基板の端子間での無機質充填剤の噛みこみを、より確実に抑え、接続信頼性を向上させた、封止用樹脂シートおよびそれを用いた半導体装置、並びにその半導体装置の製法を提供する。
【解決手段】配線回路基板と半導体素子との間の空隙を樹脂封止するための封止用樹脂シート１であって、上記封止用樹脂シート１が、無機質充填剤含有層３と無機質充填剤不含層２との二層構造のエポキシ樹脂組成物シートであり、無機質充填剤含有層３の溶融粘度が１．０×１０²〜２．０×１０⁴Ｐａ・ｓ、無機質充填剤不含層２の溶融粘度が１．０×１０³〜２．０×１０⁵Ｐａ・ｓ、両層の粘度差が１．５×１０⁴Ｐａ・ｓ以上であり、無機質充填剤不含層２の厚みが、半導体素子に設けられた接続用電極部の高さの１／３〜４／５である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マイクロ波帯やミリ波帯において、１つの集積回路で複数の機能を実現する集積回路と、その集積回路が表面実装される中継基板とに関し、特性の劣化の原因となる広帯域設計をすることなく、多様に異なる帯域に柔軟に対応可能とすることを目的とする。
【解決手段】基板上に個別に形成された複数の回路と、前記基板上で前記複数の回路に隔たって形成され、前記複数の回路の何れにも接続され得る特定の回路とを備え、前記特定の回路と前記複数の回路とは、表面実装型の中継基板との突起電極を介する接続に供されるパッドを有する。 （もっと読む）

【課題】電子部品同士を半田接合し、半田接合部の空隙を熱硬化性樹脂を含有する樹脂層で充填させ、半田接合部を補強する電子部品の製造方法において、空洞（エアギャップ）の発生を抑制することができ、さらに、ボイド（気泡）の発生をも抑制することができる、電子部品の製造方法および電子部品を提供する。
【解決手段】第１電子部品１または第２電子部品３の少なくとも一方に、熱硬化性樹脂を含有する樹脂層５を形成する第１の工程と、第１接続用金属電極２と第２接続用金属電極４を当接させる第２の工程と、両接続用金属電極を半田接合させる第３の工程と、を有する電子部品の製造方法において、第３の工程において、板状体を有する加圧装置で加圧を維持しながら前記半田接合に用いる半田の融点以上の温度に加熱し、さらに、前記半田接合に用いる半田の融点以上の温度で加圧を開放する。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れ、かつ、先供給方式によりフリップチップ接続を行う場合でも充分な接続信頼性を得ることが可能な樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤及びフラックス剤を含み、硬化促進剤がイミダゾール類の有機酸付加体である、半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物。前記有機酸が、イソシアヌル酸、芳香族カルボン酸及びルイス酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の有機酸である、上記に記載の半導体封止充填用エポキシ樹脂素組成物６である。 （もっと読む）

【課題】 チップ部品および配線基板の接続不良を抑制することが可能な電子装置を提供すること。
【解決手段】 電子素子22および電子素子22が第１主面21Ａに搭載された基板21を有するチップ部品２と、チップ部品２が第１主面21Ａを対向させた状態で搭載される配線基板３と、チップ部品２の表面から配線基板３の表面にかけて設けられ、電子素子22を封止する封止空間Ｓを取り囲む樹脂層４とを備え、樹脂層４は、封止空間Ｓの側方に位置する部位に、外表面に開口する窪み部５を有している電子装置１である。封止空間Ｓの側方の樹脂層４は体積が減少するので、チップ部品および配線基板の接合部にかかる繰り返し応力が抑制され、この接合部の接続不良を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】第１，第２の接続対象部材の接続信頼性が高く、かつ電極間の導通信頼性が高い接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１は、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２と、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４と、第１の接続対象部材２の上面２ａと第２の接続対象部材４の下面４ｂとの間に配置されており、かつ接着剤を硬化させることにより形成された硬化物層３とを備える。第２の接続対象部材４の外周側面よりも側方の少なくとも一部の領域に、硬化物層３によるフィレットが形成されている。硬化物層３は、第１の接続対象部２材側に第１の硬化物層部分３ａと、第２の接続対象部材４側に第２の硬化物層部分３ｂとを有する。第１の硬化物層部分３ａの２５℃での弾性率は、第２の硬化物層部分３ｂの２５℃での弾性率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ周囲のアンダーフィルのフィレット形状をより均一な形状に近づけることで、半導体チップと基板との接続信頼性が高い半導体装置を得ること。
【解決手段】半導体チップ２が、アンダーフィル４を介在させて基板１にフリップチップ実装された半導体装置１００であって、前記基板１の前記半導体チップ２が搭載されている領域の周囲に、前記アンダーフィル４のフィレット５形状を規制するフィレット形状規制部６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によりバンプの変形量を正確に計測できる部品実装方法および部品実装装置を提供する。
【解決手段】部品実装方法は、ステージ３０に対してボンディングヘッド１１を近接させる近接動作により、各バンプ１３および各パッド１６が接触してボンディングヘッド１１の荷重が第１荷重値となったときのボンディングヘッド１１の第１位置を計測し、ボンディングヘッド１１の荷重が第１荷重値から第２荷重値になったときに近接動作を停止し、第２荷重値から第１荷重値に戻るまでボンディングヘッド１１の荷重を緩めたときのボンディングヘッド１１の第２位置を計測し、第１位置および第２位置の差から各バンプ１３の変形量を算出する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと外部基板を接合する接合樹脂による接合応力を均一化し、半導体チップのトランジスタ特性変動が生じない半導体装置を提供する。
【解決手段】フリップチップ組立において、半導体チップ１と外部基板１３の間に接合樹脂１７を注入して接合させる際、本接合樹脂を２種類にわけ、半導体チップ１の中心部分には低応力接合樹脂２３、周辺部分には高応力接合樹脂２１を注入したり、半導体チップ１の中心部分にはＳｉＮ等をはじめとした第１層表面保護膜とポリイミドやＰＢＯ等をはじめとした第２層表面保護膜の２層構造、周辺部分にはＳｉＮ等をはじめとした第１層表面保護膜の１層構造とすることにより、半導体チップ１内のトランジスタ特性変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】第１の保持体の保持面に保持された複数の部品を、第２の保持体に各部品ごとに対応して予め定めれた所定の移載位置に移載する処理時間の短縮を図れる技術を提供する。
【解決手段】ダイシングテープ６の保持面およびガラス基板８の部品実装面８ａが対向して支持された状態で、ダイシングテープ６に保持された当該部品７がガラス基板８の部品実装面８ａに押圧されることで、当該部品７がダイシングテープ６からガラス基板８の部品実装面８ａに設けられた移載位置に移載されるため、ダイシングテープ６の保持面からの部品７の取り出しと、取り出された部品７のガラス基板８の部品実装面８ａへの移載が同一工程で行われるので、処理時間の短縮を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成により正確な計測ができる部品実装方法および部品実装装置を提供する。
【解決手段】部品実装方法は、電子部品１４および回路基板１７を保持させない状態において、ステージ３０に対してボンディングヘッド１１を接触させた状態から実装荷重で押圧させることによりステージ３０のステージ撓み量を計測し、電子部品１４および回路基板１７をそれぞれ保持させた状態でステージ３０に対してボンディングヘッド１１を近接させることにより回路基板１７に対して電子部品１４を接触させたときのボンディングヘッド１１の第１位置を計測し、実装荷重により回路基板１７に対して電子部品１４を押圧して実装し、実装の終了後に実装荷重を維持したままの状態でボンディングヘッド１１の第２位置を計測し、ステージ撓み量、第１位置および前記第２位置から各バンプの変形量を算出する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続時における腹打ち現象を防止し、プローブテスト時のダメージに対する耐性を低下させることなく、配線のレイアウトの自由度を向上させる。
【解決手段】半導体チップは、外部素子と接続するパッド部１５，２５が形成されると共に、電源／ＧＮＤ配線１６として利用されるパッドメタル層１２と、パッドメタル層１２と回路領域とを接続する複数の配線層１３と、フリップチップ接続面５の周辺部に設けられプローブテストに利用される周辺パッド部１５を含み、パッドメタル層１２と少なくとも１つの配線層１３とからなる積層構造を有する周辺パッド層１８と、フリップチップ接続面５の周辺部より内側に設けられプローブテストに利用されない内部パッド部２５を含み、パッドメタル層１２のみからなる単層構造を有する内部パッド層２８とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、絶縁性基板１１と、弾性波を励振する振動部２２を有し、振動部２２が絶縁性基板１１と対向し、かつ振動部２２が空隙５１に露出するように、絶縁性基板１１の上面に実装された弾性波デバイスチップ２０と、振動部２２を囲むように設けられ、絶縁性基板１１と弾性波デバイスチップ２０とを接合する接合部と、を具備し、接合部は、半田３２と、半田３２より高い融点を有しかつ絶縁性基板１１の上面のコプラナリティより大きな厚さを有する金属層４２と、を積層して形成されている弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】耐リフロー性及び接続信頼性及び絶縁信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする接着剤組成物、その接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において接続部を封止する接着剤組成物であって、エポキシ樹脂と、硬化剤と、アクリル系表面処理フィラーとを含有する接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】ＦＣ−ＢＧＡなどの半導体装置を適切に製造する技術を提供する。
【解決手段】チップ側電極（４）を有する半導体チップ（２）と、基板側電極（５）を有する基板（３）とを具備する半導体装置（１）を構成する。基板（３）は、基板側電極（５）が配置される基板側電極配置領域（８）と、チップ支持領域（９）とを備えている。その基板側電極配置領域（８）は、基板側電極（５）が配置される第１基板面（１２）を有する。チップ支持領域（９）は、第１基板面（１２）を含む面を基準面としたとき、基準面からの高さが第１高さ（ｈ１）となる位置にチップ支持面を有する。そして、チップ支持面は、チップ面（１１）の一部と向かい合う対向領域（２１）を有する。 （もっと読む）

【課題】
低温短時間硬化が可能で、かつ保存安定性に優れる回路接続用材料を提供すること。
【解決手段】
第一の基板の主面上に第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、第二の基板の主面上に第二の回路電極が形成された第二の回路部材とを、前記第一の回路電極及び前記第二の回路電極を対向配置させた状態で接続するための回路接続材料であって、遊離ラジカルを発生する硬化剤と、ラジカル重合成物質と、２級チオール基を有する化合物とを含有し、２級チオール基を有する化合物の分子量が４００以上２０００未満である、回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】この発明は本圧着時に用いられる保護テープによって基板の撮像が行なえなくなるのを防止した実装装置を提供することにある。
【解決手段】基板の搬送方向に沿って所定間隔で配置された複数の加圧ツールと、加圧ツールを上下方向に駆動して基板に仮圧着された半導体チップを本圧着させる駆動手段と、基板の搬送方向と交差する方向の一端側の複数の加圧ツールと対応する位置からそれぞれ保護テープ３１を繰り出す複数の供給リール３６及び各供給リールから繰り出された保護テープを基板の搬送方向と交差する方向の他端側でそれぞれ巻取る複数の巻取りリール３７を有し、各加圧ツールが駆動されて半導体チップを基板に本圧着するときに各加圧ツールの下端面と半導体チップとの間にそれぞれ保護テープを介在させるテープ供給機構３０を具備する。 （もっと読む）