めっき方法及び電子デバイス
【課題】 本発明の目的は、簡単なプロセスで信頼性の向上が図れる、めっき方法を提供することにある。
【解決手段】 めっき方法は、（ａ）基板１０の所定領域に粗化領域２４を形成すること、（ｂ）少なくとも粗化領域２４の上方に界面活性剤層２８を形成すること、（ｃ）粗化領域２４の上方であって、界面活性剤層２８の上方に触媒層３４を形成すること、（ｄ）触媒層３４の上方に金属層３６を析出させること、を含む。
【解決手段】 めっき方法は、（ａ）基板１０の所定領域に粗化領域２４を形成すること、（ｂ）少なくとも粗化領域２４の上方に界面活性剤層２８を形成すること、（ｃ）粗化領域２４の上方であって、界面活性剤層２８の上方に触媒層３４を形成すること、（ｄ）触媒層３４の上方に金属層３６を析出させること、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき方法及び電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
配線パターンを形成する方法として、サブトラクティブ法やアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法では、基板の全面に金属層を形成し、金属層上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストをマスクとして金属層をエッチングする。アディティブ法では、基板上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストの開口部にめっき処理によって金属層を析出させる。これらの方法によれば、フォトレジストを最終的に除去する点、さらにサブトラクティブ法では金属層の一部を除去する点において、資源及び材料の消費が問題となる場合がある。また、フォトレジストの形成及び除去工程が必要となるので、製造工程数が多いことが問題となる場合がある。また、フォトレジストを除去するときに使用する溶剤により、例えば触媒までもが除去される可能性がある。
【特許文献１】特開平８−６４９３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、簡単なプロセスで信頼性の向上が図れる、めっき方法及び電子デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係るめっき方法は、
（ａ）基板の所定領域に粗化領域を形成すること、
（ｂ）少なくとも前記粗化領域の上方に界面活性剤層を形成すること、
（ｃ）前記粗化領域の上方であって、前記界面活性剤層の上方に触媒層を形成すること、
（ｄ）前記触媒層の上方に金属層を析出させること、
を含む。本発明によれば、基板の粗化領域の上方に金属層を形成するので、基板と金属層の密着性の向上を図り、信頼性の向上を図ることができる。また、基板における金属層以外の領域の表面を荒らさないので、基板の強度を損なうことがなく、さらにはその領域の使用用途を広げることができる。また、例えばフォトレジストの使用を省略することができるので、簡単なプロセスで金属層を形成することができる。なお、本発明において、特定のＡの上方にＢが設けられているとは、Ａ上に直接Ｂが設けられている場合と、Ａ上に他の部材を介してＢが設けられている場合と、を含むものとする。このことは、以下の発明においても同様である。
（２）このめっき方法において、
前記（ａ）工程は、前記基板の前記所定領域以外に他の界面活性剤層を形成し、該基板をウエットエッチングすることにより前記粗化領域を形成することを含んでもよい。
（３）このめっき方法において、
前記基板は、第１の極性を示し、
前記界面活性剤層及び前記他の界面活性剤層は、第２の極性を示してもよい。
（４）このめっき方法において、
前記（ｂ）工程前に、前記他の界面活性剤層を除去することをさらに含み、
前記（ｂ）工程で、前記界面活性剤層を前記粗化領域の上方のみに残存するようにパターニングして形成してもよい。
（５）このめっき方法において、
前記（ｂ）工程で、光照射により前記界面活性剤層を前記粗化領域の上方のみに残存するようにパターニングするとともに、該光照射により前記他の界面活性剤層を除去してもよい。
（６）このめっき方法において、
前記基板及び前記他の界面活性剤層は、第１の極性を示し、
前記界面活性剤層は、第２の極性を示してもよい。
（７）このめっき方法において、
前記他の界面活性剤層が有する前記第１の極性の絶対値は、前記基板よりも大きくてもよい。
（８）このめっき方法において、
前記（ｂ）工程で、前記界面活性剤層を、前記粗化領域の上方、及び前記他の界面活性剤層の上方に形成してもよい。
（９）本発明に係る電子デバイスは、
配線パターンを含む、電子デバイスであって、
前記配線パターンは、上記めっき方法を用いて形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００６】
（第１の実施の形態）
図１〜図８は、本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっき方法により基板上に金属層（配線パターン）を形成する。
【０００７】
（１）図１に示すように、基板１０を用意する。基板１０は、図１に示すように絶縁基板であってもよい。基板１０は、有機系基板（例えばプラスチック材、樹脂基板）であってもよいし、無機系基板（例えば石英ガラス、シリコンウエハ、酸化物層）であってもよい。プラスチック材としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネイト、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。あるいは、基板１０は、光透過性基板（例えば透明基板）であってもよい。基板１０は、単層のみならず、ベース基板上に少なくとも１層の絶縁層が形成されている多層のものも含む。本実施の形態では、基板１０上に金属層を形成する。
【０００８】
最初に基板１０を洗浄する。基板１０の洗浄は、ドライ洗浄又はウエット洗浄のいずれを適用してもよい。具体的には、例えば、真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。ウエット洗浄は、例えば、基板１０をオゾン水（オゾン濃度１０ｐｐｍ〜２０ｐｐｍ）に室温状態で５分〜３０分程度浸漬することで行うことができる。基板１０を洗浄することによって、基板１０の表面に付着している油脂などの汚れを除去することができる。また、基板１０の表面を撥水性から親水性に変化させることができる。また、基板１０の液中表面電位が負電位（第１の極性）であれば、基板１０の洗浄により均一な負電位面を形成することができる。
【０００９】
（２）次に、図１及び図２に示すように、基板１０上に第１の界面活性剤層１４をパターニングして形成する。例えば、第１の界面活性剤層１４は、光照射によるパターニングにより形成することができる。
【００１０】
具体的には、例えば界面活性剤成分を含む界面活性剤溶液に基板１０を浸漬させ、図１に示すように、基板１０の全面に第１の界面活性剤層１２を形成する。第１の界面活性剤層１２としては、基板１０の液中表面電位が負電位（第１の極性）の場合、正電位（第２の極性）を示すものを使用することができる。具体的には、第１の界面活性剤層１２としては、例えば、カチオン系界面活性剤（カチオン界面活性剤及びそれと同等の性質を有するもの）を用いることができる。界面活性剤溶液としては、例えば、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤（テクニックジャパン（株）製ＦＰＤコンディショナー）の溶液や、アルキルアンモニウム系の溶液（例えば、セチルトリメチルアンンモニウムクロリド等）などを用いることができる。浸漬時間は、例えば、１分〜３分程度とすることができる。
【００１１】
次に、界面活性剤溶液から基板１０を取り出し、超純水で洗浄する。その後、基板１０を、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、９０℃〜１２０℃のオーブン内に３時間程度放置して乾燥させる。
【００１２】
そして、図２に示すように、第１の界面活性剤層１２をパターニングして、基板１０の所定のパターン領域上に第１の界面活性剤層１４を形成する。言い換えれば、パターニングにより、基板１０の該パターン領域以外の領域上の第１の界面活性剤層１２を光分解させて除去する。
【００１３】
光１６としては、例えば真空紫外線（ＶＵＶ；vacuum ultraviolet）を用いることができる。光１６の波長を、例えば１７０ｎｍ〜２６０ｎｍとすることにより、原子間結合（例えば、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｎ、Ｃ＝Ｏ、Ｏ＝Ｏ、Ｏ−Ｈ、Ｈ−Ｆ、Ｈ−Ｃｌ、Ｎ−Ｈなど）を切断することができる。これにより、第１の界面活性剤層１２を光分解させることができる。また、この波長帯域の光１６を用いることにより、イエロールームなどの設備が不要となり、例えば白色灯下で本実施形態に係る一連の工程を行うことができる。
【００１４】
光１６の照射は、具体的には、例えば、光源１８として真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、５分〜３０分間行うことができる。光源１８は、例えばＸｅガスが封入されたエキシマランプであってもよい。なお、光１６の波長は、第１の界面活性剤層１２を光分解することができるものであれば、特に限定されない。
【００１５】
光１６は、マスク２０（例えばフォトマスク）を介して基板１０に照射される。詳しくは、光源１８と基板１０の間にマスク２０を配置し、光１６をマスク２０の遮光部２２（例えばクロムなどの金属パターン部）以外の領域に透過させる。本実施の形態では、第１の界面活性剤層１４のパターン領域以外に金属層を形成するため、遮光部２２は、金属層のパターン形状と反転形状であって、かつ面対称な形状をなしている。マスク２０は、基板１０に接して配置されていてもよい。また、窒素雰囲気中で光照射処理を行えば、光１６が減衰しにくいので好ましい。
【００１６】
こうして、所定のパターン形状を有する第１の界面活性剤層１４を形成することができる。
【００１７】
（３）次に、図３に示すように、ウエットエッチングすることにより、基板１０に粗化領域２４を形成する。粗化領域２４は、第１の界面活性剤層１４から露出する領域に形成される。粗化領域２４は、第１の界面活性剤層１４のパターン形状と反転形状をなしている。なお、基板１０の他の領域（粗化領域２４以外の領域）は、第１の界面活性剤層１４により被覆されているので表面が荒れることはなく、例えば平らな面にすることができる。
【００１８】
ウエットエッチング工程では、基板１０の材質に応じて、酸又はアルカリのいずれのエッチング液を使用してもよい。例えば、基板１０が石英ガラスなどの無機系基板であれば、酸性溶液を使用することができる。また、例えば、基板１０がポリイミドなどの有機系基板であれば、アルカリ溶液を使用することができる。ウエットエッチングの方式は、基板１０をエッチング液に浸漬させる浸漬方式であってもよいし、エッチング液をシャワー又はスプレーにより塗布する方式であってもよい。なお、基板１０をウエットエッチングすることにより、粗化領域２４上の第１の界面活性剤層１４の残渣を除去することができる。
【００１９】
（４）次に、図４〜図６に示すように、基板１０の少なくとも粗化領域２４上に第２の界面活性剤層２８を形成する。本実施の形態では、第２の界面活性剤層２８を粗化領域２４上のみに残存するようにパターニングして形成する。
【００２０】
図４に示すように、第２の界面活性剤層２８を形成する前に、第１の界面活性剤層１４を除去してもよい。第１の界面活性剤層１４は、例えば、基板１０の全面に光照射を行うことにより分解除去することができる。光照射の詳細は上述した通りである。その後、必要に応じて基板１０の洗浄工程を行い、第１の界面活性剤層１４の残渣を除去することができる。
【００２１】
その後、例えば基板１０を界面活性剤成分を含む界面活性剤溶液に浸漬させ、図５に示すように、基板１０の全面に第２の界面活性剤層２６を形成する。第２の界面活性剤層２６としては、上述した第１の界面活性剤層１４と同一の極性を示す性質を有するものを使用することができ、例えばカチオン系界面活性剤を用いることができる。その材料の詳細はすでに説明した内容を適用することができる。
【００２２】
そして、必要に応じて洗浄及び乾燥工程を行った後、第２の界面活性剤層２６をパターニングして、基板１０の粗化領域２４上に第２の界面活性剤層２８を形成する。言い換えれば、パターニングにより、基板１０の粗化領域２４以外の領域上の第２の界面活性剤層２６を光分解させて除去する。本工程では、上述した光照射によるパターニング工程を適用することができる。その詳細は上述した通りであるが、本工程では、マスク３０の遮光部３２は、金属層（粗化領域２４）のパターン形状と面対称な形状をなしている。
【００２３】
（５）次に、図７に示すように、第２の界面活性剤層２８上に触媒層３４を形成する。第２の界面活性剤層２８は、基板１０の粗化領域２４上のみに形成されているので、触媒層３４を粗化領域２４上のみに形成することができる。
【００２４】
具体的には、触媒成分を含む触媒溶液に基板１０を浸漬させる。第２の界面活性剤層２８としてカチオン系のものを使用する場合、触媒として液中電位が負電位（第１の極性）を示すものを選択することができる。これにより、触媒を第２の界面活性剤層２８上のみに選択的に吸着させ、第２の界面活性剤層２８上のみに触媒層３４を形成することができる。触媒層３４は、無電解めっき液中において金属層３６の析出を誘発するものであり、例えばパラジウムなどからなることができる。第２の界面活性剤層２８上に吸着する触媒量を多くすると、触媒層３４上に析出する金属層３６の析出量が多くなる（析出スピードが速くなる）ので、触媒量を調整することにより金属層３６の厚みをコントロールすることができる。触媒液としては、錫−パラジウムコロイド触媒液が挙げられるが、それに限定されるものではなく、金属層３６の材料に応じて自由に選択することができる。なお、基板１０を錫−パラジウムコロイド触媒液に浸漬させた場合には、触媒活性化のために基板１０をホウフッ化酸水溶液に浸漬させることができる。こうして、錫コロイド粒子を除去して、パラジウムのみを第２の界面活性剤層２８上に吸着させることができる。
【００２５】
（６）次に、図８に示すように、触媒層３４上に金属層３６を析出させる。上述したように触媒層３４は粗化領域２４上のみに形成されているため、金属層３６を粗化領域２４上のみに形成することができる。
【００２６】
具体的には、基板１０を無電解めっき液に浸漬させることによって、触媒層３４上に金属層３６を析出させることができる。金属層３６としてニッケル層を析出させる場合を説明すると、無電解めっき液としては、硫酸ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることができる。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液（温度８０℃）に１分程度浸漬することによって、０．０５μｍ〜０．０８μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。あるいは、無電解めっき液として、塩化ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることもできる。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液（温度６０℃）に１分程度浸漬することによって、０．０５μｍ〜０．０８μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。なお、金属層３６の材料は限定されず、例えば白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などからも形成することができる。
【００２７】
こうして、基板１０上に金属層３６を形成することができる。金属層３６は、基板１０の荒れた面となっている粗化領域２４上に形成されているため、基板１０に対する金属層３６の密着力を高めることができる。すなわち、粗化領域２４の微細な凹凸と金属層３６が物理的にかみ合うので、平坦な面に金属層３６を形成するよりも、アンカー効果の向上を図ることができる。なお、図８では、第２の界面活性剤層２８及び触媒層３４は省略してある。
【００２８】
本実施の形態に係るめっき方法によれば、基板１０の粗化領域２４の上方に金属層３６を形成するので、基板１０と金属層３６（詳しくは第２の界面活性剤層２８）の密着性の向上を図り、信頼性の向上を図ることができる。また、基板１０における金属層３６以外の領域の表面を荒らさないので、基板１０の強度を損なうことがなく、さらにはその領域の使用用途を広げることができる。詳しくは、金属層３６以外の領域において、高い信頼性をもって他の配線などを形成したり、基板１０が光透過性基板である場合には高い透過率をもって光透過させたりすることができる。したがって、設計自由度の向上を図ることもできる。また、例えばフォトレジストの使用を省略することができるので、簡単なプロセスで金属層を形成することができる。
【００２９】
上述した例では、第２の界面活性剤層２８の形成前に第１の界面活性剤層１４を除去するが、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、例えば、第２の界面活性剤層２８をパターニングして形成するときの光照射により、第１の界面活性剤層１４を同時に分解除去することができる。これによれば、第２の界面活性剤層２８のパターニング、及び第１の界面活性剤層１４の除去を同工程で行うことができるので、プロセスのさらなる簡略化を図ることができる。
【００３０】
（第２の実施の形態）
図９〜図１４は、本発明の第２の実施の形態に係るめっき方法を示す図である。本実施の形態では、第１及び第２の界面活性剤層として、異なる極性を示す性質のものを使用する。
【００３１】
（１）上述した基板１０を用意する。例えば、基板１０として液中表面電位が負電位（第１の極性）を示すものを使用することができる。また、基板１０を洗浄することにより、基板１０に均一な負電位面を形成することができる。ここでの基板１０の表面電位を−Ｖ１（ｍＶ）（例えば−５０ｍＶ）とする。
【００３２】
（２）次に、図９及び図１０に示すように、基板１０上に第１の界面活性剤層４２をパターニングして形成する。例えば、第１の界面活性剤層４２は、光照射によるパターニングにより形成することができる。
【００３３】
具体的には、例えば界面活性剤成分を含む界面活性剤溶液に基板１０を浸漬させ、図９に示すように、基板１０の全面に第１の界面活性剤層４０を形成する。第１の界面活性剤層４０としては、基板１０と同一の極性を示すものを使用することができる。ここでの第１の界面活性剤層４０の表面電位を−Ｖ２（ｍＶ）（例えば−１５０ｍＶ）とすると、
｜Ｖ２｜＞｜Ｖ１｜
の関係を有することができる。すなわち、第１の界面活性剤層４０は、基板１０よりも第１の極性の絶対値が大きい（例えば２倍又は３倍以上大きい）性質を有する。第１の界面活性剤層４０としては、例えば、アニオン系界面活性剤（アニオン界面活性剤及びそれと同等の性質を有するもの）を用いることができる。その場合、第１の界面活性剤層４０は、基板１０よりもより強い負電位面を示す性質を有するということができる。界面活性剤溶液としては、例えば、アルキルサルフェート成分を含む水溶性界面活性剤（ドデシル硫酸ナトリウム）の溶液や、セッケン成分を含むＮ−ラウロイルサルコシンなどを用いることができる。
【００３４】
次に、界面活性剤溶液から基板１０を取り出し、超純水で洗浄する。その後、基板１０を、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、９０℃〜１２０℃のオーブン内に３時間程度放置して乾燥させる。
【００３５】
そして、図１０に示すように、第１の界面活性剤層４０をパターニングして、基板１０の所定のパターン領域上に第１の界面活性剤層４２を形成する。言い換えれば、パターニングにより、基板１０の該パターン領域以外の領域上の第１の界面活性剤層４０を光分解させて除去する。本工程では、第１の実施の形態で説明した光照射によるパターニング工程を適用することができ、その詳細は上述した通りである。
【００３６】
（３）次に、図１１に示すように、ウエットエッチングすることにより、基板１０に粗化領域２４を形成する。本工程の詳細は、第１の実施の形態で説明した通りであり、ウエットエッチングすることにより粗化領域２４を形成するとともに、粗化領域２４上の第１の界面活性剤層４２の残渣を除去することができる。
【００３７】
（４）次に、図１２に示すように、第２の界面活性剤層４４を、基板１０の粗化領域２４上、及び第１の界面活性剤層４２上に形成する。すなわち、基板１０の全面に第２の界面活性剤層４４を形成する。
【００３８】
第２の界面活性剤層４４としては、基板１０（第１の界面活性剤層４２）と異なる極性を示す性質のものを使用することができる。すなわち、第２の界面活性剤層４４として、液中表面電位が正電位（第２の極性）を示す、カチオン系界面活性剤を用いることができる。ここでの第２の界面活性剤層４４の表面電位を＋Ｖ３（ｍＶ）（例えば＋１００ｍＶ）とする。そうすると、基板１０の粗化領域２４上では、
−Ｖ１＋Ｖ３（ｍＶ）（例えば−５０＋１００＝５０ｍＶ）
となり、
基板１０の粗化領域２４以外の領域上では、
−Ｖ２＋Ｖ３（ｍＶ）（例えば−１５０＋１００＝−５０ｍＶ）
となる。すなわち、第２の界面活性剤層４４の下地の電位差により、表面が同じ第２の界面活性剤層４４であっても、少なくとも電位面から推察するに、後述の触媒の吸着量に差が生じることがわかる。特に、上述したように、｜Ｖ２｜＞｜Ｖ１｜の関係を有する場合、すなわち、第１の界面活性剤層４２が基板１０よりもより強い負電位面を示す場合には、電位差によるコントラストがより明確となる。
【００３９】
なお、第２の界面活性剤層４４の表面電位の数値は限定されるものではなく、触媒の性質により適宜決めることができるが、例えば、
｜Ｖ１｜＜｜Ｖ３｜＜｜Ｖ２｜
の関係を有していてもよい。
【００４０】
（５）次に、図１３に示すように、基板１０の粗化領域２４上であって、第２の界面活性剤層４４上に触媒層４６を形成する。第２の界面活性剤層４４としてカチオン系のものを使用する場合、触媒として液中電位が負電位（第１の極性）を示すものを選択することができる。上述したように、第２の界面活性剤層４４上は、第１の界面活性剤層４２又は基板１０の粗化領域２４という下地の相違により、触媒の吸着量に差が生じるように処理されている。すなわち、下地が第１の界面活性剤層４２の領域は、第１の界面活性剤層４２の特性により第２の界面活性剤層４４の特性が喪失された状態（すなわちカチオン系界面活性剤層として機能しない状態）となっている。したがって、触媒成分を含む触媒溶液に基板１０を浸漬させることにより、触媒を粗化領域２４上に選択的に吸着させることができる。なお、触媒層４６は、無電解めっき液中において金属層４８の析出を誘発するものであり、例えばパラジウムなどからなることができる。
【００４１】
（６）その後、図１４に示すように、触媒層４６上に金属層４８を析出させる。上述したように触媒層４６は粗化領域２４上に選択的に形成されているため、金属層４８を粗化領域２４上に選択的に形成することができる。なお、図１４では、第１及び第２の界面活性剤層４２，４４並びに触媒層４６は省略してある。
【００４２】
必要があれば、金属層４８を形成した後、金属層４８以外の領域の第１及び第２の界面活性剤層４２，４４を除去してもよい。第１及び第２の界面活性剤層４２，４４は、上述した光照射工程及び洗浄工程により除去することができる。
【００４３】
本実施の形態においても、第１の実施の形態で説明したように、簡単なプロセスで信頼性の向上を図ることができる。なお、本実施の形態のその他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００４４】
（第３の実施の形態）
図１５は、本実施の形態に係るめっき方法により製造された電子デバイスの一例を示す図である。上述しためっき方法により、基板１０上の粗化領域２４上に配線パターン（金属層）を形成することができる。配線パターンは、電子部品同士を電気的に接続するためのものであってもよい。その場合、基板１０は配線基板である。すなわち、上述しためっき方法により配線基板を製造することができる。図１５に示す例では、基板１０には、集積回路チップ９０が電気的に接続され、基板１０の一方の端部は、他の基板９２（例えば表示パネル）に電気的に接続されている。電子デバイス１０００は、液晶ディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置、ＥＬ（Electroluminescence）ディスプレイ装置などの表示装置であってもよい。
【００４５】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図１５】本発明の第３の実施の形態に電子デバイスを示す図。
【符号の説明】
【００４７】
１０…基板 １２，１４…第１の界面活性剤層（他の界面活性剤層） ２４…粗化領域
２６，２８…第２の界面活性剤層（界面活性剤層） ３４…触媒層 ３６…金属層
４０，４２…第１の界面活性剤層（他の界面活性剤層） ４４…第２の界面活性剤層
４６…触媒層 ４８…金属層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき方法及び電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
配線パターンを形成する方法として、サブトラクティブ法やアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法では、基板の全面に金属層を形成し、金属層上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストをマスクとして金属層をエッチングする。アディティブ法では、基板上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストの開口部にめっき処理によって金属層を析出させる。これらの方法によれば、フォトレジストを最終的に除去する点、さらにサブトラクティブ法では金属層の一部を除去する点において、資源及び材料の消費が問題となる場合がある。また、フォトレジストの形成及び除去工程が必要となるので、製造工程数が多いことが問題となる場合がある。また、フォトレジストを除去するときに使用する溶剤により、例えば触媒までもが除去される可能性がある。
【特許文献１】特開平８−６４９３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、簡単なプロセスで信頼性の向上が図れる、めっき方法及び電子デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係るめっき方法は、
（ａ）基板の所定領域に粗化領域を形成すること、
（ｂ）少なくとも前記粗化領域の上方に界面活性剤層を形成すること、
（ｃ）前記粗化領域の上方であって、前記界面活性剤層の上方に触媒層を形成すること、
（ｄ）前記触媒層の上方に金属層を析出させること、
を含む。本発明によれば、基板の粗化領域の上方に金属層を形成するので、基板と金属層の密着性の向上を図り、信頼性の向上を図ることができる。また、基板における金属層以外の領域の表面を荒らさないので、基板の強度を損なうことがなく、さらにはその領域の使用用途を広げることができる。また、例えばフォトレジストの使用を省略することができるので、簡単なプロセスで金属層を形成することができる。なお、本発明において、特定のＡの上方にＢが設けられているとは、Ａ上に直接Ｂが設けられている場合と、Ａ上に他の部材を介してＢが設けられている場合と、を含むものとする。このことは、以下の発明においても同様である。
（２）このめっき方法において、
前記（ａ）工程は、前記基板の前記所定領域以外に他の界面活性剤層を形成し、該基板をウエットエッチングすることにより前記粗化領域を形成することを含んでもよい。
（３）このめっき方法において、
前記基板は、第１の極性を示し、
前記界面活性剤層及び前記他の界面活性剤層は、第２の極性を示してもよい。
（４）このめっき方法において、
前記（ｂ）工程前に、前記他の界面活性剤層を除去することをさらに含み、
前記（ｂ）工程で、前記界面活性剤層を前記粗化領域の上方のみに残存するようにパターニングして形成してもよい。
（５）このめっき方法において、
前記（ｂ）工程で、光照射により前記界面活性剤層を前記粗化領域の上方のみに残存するようにパターニングするとともに、該光照射により前記他の界面活性剤層を除去してもよい。
（６）このめっき方法において、
前記基板及び前記他の界面活性剤層は、第１の極性を示し、
前記界面活性剤層は、第２の極性を示してもよい。
（７）このめっき方法において、
前記他の界面活性剤層が有する前記第１の極性の絶対値は、前記基板よりも大きくてもよい。
（８）このめっき方法において、
前記（ｂ）工程で、前記界面活性剤層を、前記粗化領域の上方、及び前記他の界面活性剤層の上方に形成してもよい。
（９）本発明に係る電子デバイスは、
配線パターンを含む、電子デバイスであって、
前記配線パターンは、上記めっき方法を用いて形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００６】
（第１の実施の形態）
図１〜図８は、本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっき方法により基板上に金属層（配線パターン）を形成する。
【０００７】
（１）図１に示すように、基板１０を用意する。基板１０は、図１に示すように絶縁基板であってもよい。基板１０は、有機系基板（例えばプラスチック材、樹脂基板）であってもよいし、無機系基板（例えば石英ガラス、シリコンウエハ、酸化物層）であってもよい。プラスチック材としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネイト、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。あるいは、基板１０は、光透過性基板（例えば透明基板）であってもよい。基板１０は、単層のみならず、ベース基板上に少なくとも１層の絶縁層が形成されている多層のものも含む。本実施の形態では、基板１０上に金属層を形成する。
【０００８】
最初に基板１０を洗浄する。基板１０の洗浄は、ドライ洗浄又はウエット洗浄のいずれを適用してもよい。具体的には、例えば、真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。ウエット洗浄は、例えば、基板１０をオゾン水（オゾン濃度１０ｐｐｍ〜２０ｐｐｍ）に室温状態で５分〜３０分程度浸漬することで行うことができる。基板１０を洗浄することによって、基板１０の表面に付着している油脂などの汚れを除去することができる。また、基板１０の表面を撥水性から親水性に変化させることができる。また、基板１０の液中表面電位が負電位（第１の極性）であれば、基板１０の洗浄により均一な負電位面を形成することができる。
【０００９】
（２）次に、図１及び図２に示すように、基板１０上に第１の界面活性剤層１４をパターニングして形成する。例えば、第１の界面活性剤層１４は、光照射によるパターニングにより形成することができる。
【００１０】
具体的には、例えば界面活性剤成分を含む界面活性剤溶液に基板１０を浸漬させ、図１に示すように、基板１０の全面に第１の界面活性剤層１２を形成する。第１の界面活性剤層１２としては、基板１０の液中表面電位が負電位（第１の極性）の場合、正電位（第２の極性）を示すものを使用することができる。具体的には、第１の界面活性剤層１２としては、例えば、カチオン系界面活性剤（カチオン界面活性剤及びそれと同等の性質を有するもの）を用いることができる。界面活性剤溶液としては、例えば、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤（テクニックジャパン（株）製ＦＰＤコンディショナー）の溶液や、アルキルアンモニウム系の溶液（例えば、セチルトリメチルアンンモニウムクロリド等）などを用いることができる。浸漬時間は、例えば、１分〜３分程度とすることができる。
【００１１】
次に、界面活性剤溶液から基板１０を取り出し、超純水で洗浄する。その後、基板１０を、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、９０℃〜１２０℃のオーブン内に３時間程度放置して乾燥させる。
【００１２】
そして、図２に示すように、第１の界面活性剤層１２をパターニングして、基板１０の所定のパターン領域上に第１の界面活性剤層１４を形成する。言い換えれば、パターニングにより、基板１０の該パターン領域以外の領域上の第１の界面活性剤層１２を光分解させて除去する。
【００１３】
光１６としては、例えば真空紫外線（ＶＵＶ；vacuum ultraviolet）を用いることができる。光１６の波長を、例えば１７０ｎｍ〜２６０ｎｍとすることにより、原子間結合（例えば、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｎ、Ｃ＝Ｏ、Ｏ＝Ｏ、Ｏ−Ｈ、Ｈ−Ｆ、Ｈ−Ｃｌ、Ｎ−Ｈなど）を切断することができる。これにより、第１の界面活性剤層１２を光分解させることができる。また、この波長帯域の光１６を用いることにより、イエロールームなどの設備が不要となり、例えば白色灯下で本実施形態に係る一連の工程を行うことができる。
【００１４】
光１６の照射は、具体的には、例えば、光源１８として真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、５分〜３０分間行うことができる。光源１８は、例えばＸｅガスが封入されたエキシマランプであってもよい。なお、光１６の波長は、第１の界面活性剤層１２を光分解することができるものであれば、特に限定されない。
【００１５】
光１６は、マスク２０（例えばフォトマスク）を介して基板１０に照射される。詳しくは、光源１８と基板１０の間にマスク２０を配置し、光１６をマスク２０の遮光部２２（例えばクロムなどの金属パターン部）以外の領域に透過させる。本実施の形態では、第１の界面活性剤層１４のパターン領域以外に金属層を形成するため、遮光部２２は、金属層のパターン形状と反転形状であって、かつ面対称な形状をなしている。マスク２０は、基板１０に接して配置されていてもよい。また、窒素雰囲気中で光照射処理を行えば、光１６が減衰しにくいので好ましい。
【００１６】
こうして、所定のパターン形状を有する第１の界面活性剤層１４を形成することができる。
【００１７】
（３）次に、図３に示すように、ウエットエッチングすることにより、基板１０に粗化領域２４を形成する。粗化領域２４は、第１の界面活性剤層１４から露出する領域に形成される。粗化領域２４は、第１の界面活性剤層１４のパターン形状と反転形状をなしている。なお、基板１０の他の領域（粗化領域２４以外の領域）は、第１の界面活性剤層１４により被覆されているので表面が荒れることはなく、例えば平らな面にすることができる。
【００１８】
ウエットエッチング工程では、基板１０の材質に応じて、酸又はアルカリのいずれのエッチング液を使用してもよい。例えば、基板１０が石英ガラスなどの無機系基板であれば、酸性溶液を使用することができる。また、例えば、基板１０がポリイミドなどの有機系基板であれば、アルカリ溶液を使用することができる。ウエットエッチングの方式は、基板１０をエッチング液に浸漬させる浸漬方式であってもよいし、エッチング液をシャワー又はスプレーにより塗布する方式であってもよい。なお、基板１０をウエットエッチングすることにより、粗化領域２４上の第１の界面活性剤層１４の残渣を除去することができる。
【００１９】
（４）次に、図４〜図６に示すように、基板１０の少なくとも粗化領域２４上に第２の界面活性剤層２８を形成する。本実施の形態では、第２の界面活性剤層２８を粗化領域２４上のみに残存するようにパターニングして形成する。
【００２０】
図４に示すように、第２の界面活性剤層２８を形成する前に、第１の界面活性剤層１４を除去してもよい。第１の界面活性剤層１４は、例えば、基板１０の全面に光照射を行うことにより分解除去することができる。光照射の詳細は上述した通りである。その後、必要に応じて基板１０の洗浄工程を行い、第１の界面活性剤層１４の残渣を除去することができる。
【００２１】
その後、例えば基板１０を界面活性剤成分を含む界面活性剤溶液に浸漬させ、図５に示すように、基板１０の全面に第２の界面活性剤層２６を形成する。第２の界面活性剤層２６としては、上述した第１の界面活性剤層１４と同一の極性を示す性質を有するものを使用することができ、例えばカチオン系界面活性剤を用いることができる。その材料の詳細はすでに説明した内容を適用することができる。
【００２２】
そして、必要に応じて洗浄及び乾燥工程を行った後、第２の界面活性剤層２６をパターニングして、基板１０の粗化領域２４上に第２の界面活性剤層２８を形成する。言い換えれば、パターニングにより、基板１０の粗化領域２４以外の領域上の第２の界面活性剤層２６を光分解させて除去する。本工程では、上述した光照射によるパターニング工程を適用することができる。その詳細は上述した通りであるが、本工程では、マスク３０の遮光部３２は、金属層（粗化領域２４）のパターン形状と面対称な形状をなしている。
【００２３】
（５）次に、図７に示すように、第２の界面活性剤層２８上に触媒層３４を形成する。第２の界面活性剤層２８は、基板１０の粗化領域２４上のみに形成されているので、触媒層３４を粗化領域２４上のみに形成することができる。
【００２４】
具体的には、触媒成分を含む触媒溶液に基板１０を浸漬させる。第２の界面活性剤層２８としてカチオン系のものを使用する場合、触媒として液中電位が負電位（第１の極性）を示すものを選択することができる。これにより、触媒を第２の界面活性剤層２８上のみに選択的に吸着させ、第２の界面活性剤層２８上のみに触媒層３４を形成することができる。触媒層３４は、無電解めっき液中において金属層３６の析出を誘発するものであり、例えばパラジウムなどからなることができる。第２の界面活性剤層２８上に吸着する触媒量を多くすると、触媒層３４上に析出する金属層３６の析出量が多くなる（析出スピードが速くなる）ので、触媒量を調整することにより金属層３６の厚みをコントロールすることができる。触媒液としては、錫−パラジウムコロイド触媒液が挙げられるが、それに限定されるものではなく、金属層３６の材料に応じて自由に選択することができる。なお、基板１０を錫−パラジウムコロイド触媒液に浸漬させた場合には、触媒活性化のために基板１０をホウフッ化酸水溶液に浸漬させることができる。こうして、錫コロイド粒子を除去して、パラジウムのみを第２の界面活性剤層２８上に吸着させることができる。
【００２５】
（６）次に、図８に示すように、触媒層３４上に金属層３６を析出させる。上述したように触媒層３４は粗化領域２４上のみに形成されているため、金属層３６を粗化領域２４上のみに形成することができる。
【００２６】
具体的には、基板１０を無電解めっき液に浸漬させることによって、触媒層３４上に金属層３６を析出させることができる。金属層３６としてニッケル層を析出させる場合を説明すると、無電解めっき液としては、硫酸ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることができる。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液（温度８０℃）に１分程度浸漬することによって、０．０５μｍ〜０．０８μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。あるいは、無電解めっき液として、塩化ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることもできる。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液（温度６０℃）に１分程度浸漬することによって、０．０５μｍ〜０．０８μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。なお、金属層３６の材料は限定されず、例えば白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などからも形成することができる。
【００２７】
こうして、基板１０上に金属層３６を形成することができる。金属層３６は、基板１０の荒れた面となっている粗化領域２４上に形成されているため、基板１０に対する金属層３６の密着力を高めることができる。すなわち、粗化領域２４の微細な凹凸と金属層３６が物理的にかみ合うので、平坦な面に金属層３６を形成するよりも、アンカー効果の向上を図ることができる。なお、図８では、第２の界面活性剤層２８及び触媒層３４は省略してある。
【００２８】
本実施の形態に係るめっき方法によれば、基板１０の粗化領域２４の上方に金属層３６を形成するので、基板１０と金属層３６（詳しくは第２の界面活性剤層２８）の密着性の向上を図り、信頼性の向上を図ることができる。また、基板１０における金属層３６以外の領域の表面を荒らさないので、基板１０の強度を損なうことがなく、さらにはその領域の使用用途を広げることができる。詳しくは、金属層３６以外の領域において、高い信頼性をもって他の配線などを形成したり、基板１０が光透過性基板である場合には高い透過率をもって光透過させたりすることができる。したがって、設計自由度の向上を図ることもできる。また、例えばフォトレジストの使用を省略することができるので、簡単なプロセスで金属層を形成することができる。
【００２９】
上述した例では、第２の界面活性剤層２８の形成前に第１の界面活性剤層１４を除去するが、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、例えば、第２の界面活性剤層２８をパターニングして形成するときの光照射により、第１の界面活性剤層１４を同時に分解除去することができる。これによれば、第２の界面活性剤層２８のパターニング、及び第１の界面活性剤層１４の除去を同工程で行うことができるので、プロセスのさらなる簡略化を図ることができる。
【００３０】
（第２の実施の形態）
図９〜図１４は、本発明の第２の実施の形態に係るめっき方法を示す図である。本実施の形態では、第１及び第２の界面活性剤層として、異なる極性を示す性質のものを使用する。
【００３１】
（１）上述した基板１０を用意する。例えば、基板１０として液中表面電位が負電位（第１の極性）を示すものを使用することができる。また、基板１０を洗浄することにより、基板１０に均一な負電位面を形成することができる。ここでの基板１０の表面電位を−Ｖ１（ｍＶ）（例えば−５０ｍＶ）とする。
【００３２】
（２）次に、図９及び図１０に示すように、基板１０上に第１の界面活性剤層４２をパターニングして形成する。例えば、第１の界面活性剤層４２は、光照射によるパターニングにより形成することができる。
【００３３】
具体的には、例えば界面活性剤成分を含む界面活性剤溶液に基板１０を浸漬させ、図９に示すように、基板１０の全面に第１の界面活性剤層４０を形成する。第１の界面活性剤層４０としては、基板１０と同一の極性を示すものを使用することができる。ここでの第１の界面活性剤層４０の表面電位を−Ｖ２（ｍＶ）（例えば−１５０ｍＶ）とすると、
｜Ｖ２｜＞｜Ｖ１｜
の関係を有することができる。すなわち、第１の界面活性剤層４０は、基板１０よりも第１の極性の絶対値が大きい（例えば２倍又は３倍以上大きい）性質を有する。第１の界面活性剤層４０としては、例えば、アニオン系界面活性剤（アニオン界面活性剤及びそれと同等の性質を有するもの）を用いることができる。その場合、第１の界面活性剤層４０は、基板１０よりもより強い負電位面を示す性質を有するということができる。界面活性剤溶液としては、例えば、アルキルサルフェート成分を含む水溶性界面活性剤（ドデシル硫酸ナトリウム）の溶液や、セッケン成分を含むＮ−ラウロイルサルコシンなどを用いることができる。
【００３４】
次に、界面活性剤溶液から基板１０を取り出し、超純水で洗浄する。その後、基板１０を、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、９０℃〜１２０℃のオーブン内に３時間程度放置して乾燥させる。
【００３５】
そして、図１０に示すように、第１の界面活性剤層４０をパターニングして、基板１０の所定のパターン領域上に第１の界面活性剤層４２を形成する。言い換えれば、パターニングにより、基板１０の該パターン領域以外の領域上の第１の界面活性剤層４０を光分解させて除去する。本工程では、第１の実施の形態で説明した光照射によるパターニング工程を適用することができ、その詳細は上述した通りである。
【００３６】
（３）次に、図１１に示すように、ウエットエッチングすることにより、基板１０に粗化領域２４を形成する。本工程の詳細は、第１の実施の形態で説明した通りであり、ウエットエッチングすることにより粗化領域２４を形成するとともに、粗化領域２４上の第１の界面活性剤層４２の残渣を除去することができる。
【００３７】
（４）次に、図１２に示すように、第２の界面活性剤層４４を、基板１０の粗化領域２４上、及び第１の界面活性剤層４２上に形成する。すなわち、基板１０の全面に第２の界面活性剤層４４を形成する。
【００３８】
第２の界面活性剤層４４としては、基板１０（第１の界面活性剤層４２）と異なる極性を示す性質のものを使用することができる。すなわち、第２の界面活性剤層４４として、液中表面電位が正電位（第２の極性）を示す、カチオン系界面活性剤を用いることができる。ここでの第２の界面活性剤層４４の表面電位を＋Ｖ３（ｍＶ）（例えば＋１００ｍＶ）とする。そうすると、基板１０の粗化領域２４上では、
−Ｖ１＋Ｖ３（ｍＶ）（例えば−５０＋１００＝５０ｍＶ）
となり、
基板１０の粗化領域２４以外の領域上では、
−Ｖ２＋Ｖ３（ｍＶ）（例えば−１５０＋１００＝−５０ｍＶ）
となる。すなわち、第２の界面活性剤層４４の下地の電位差により、表面が同じ第２の界面活性剤層４４であっても、少なくとも電位面から推察するに、後述の触媒の吸着量に差が生じることがわかる。特に、上述したように、｜Ｖ２｜＞｜Ｖ１｜の関係を有する場合、すなわち、第１の界面活性剤層４２が基板１０よりもより強い負電位面を示す場合には、電位差によるコントラストがより明確となる。
【００３９】
なお、第２の界面活性剤層４４の表面電位の数値は限定されるものではなく、触媒の性質により適宜決めることができるが、例えば、
｜Ｖ１｜＜｜Ｖ３｜＜｜Ｖ２｜
の関係を有していてもよい。
【００４０】
（５）次に、図１３に示すように、基板１０の粗化領域２４上であって、第２の界面活性剤層４４上に触媒層４６を形成する。第２の界面活性剤層４４としてカチオン系のものを使用する場合、触媒として液中電位が負電位（第１の極性）を示すものを選択することができる。上述したように、第２の界面活性剤層４４上は、第１の界面活性剤層４２又は基板１０の粗化領域２４という下地の相違により、触媒の吸着量に差が生じるように処理されている。すなわち、下地が第１の界面活性剤層４２の領域は、第１の界面活性剤層４２の特性により第２の界面活性剤層４４の特性が喪失された状態（すなわちカチオン系界面活性剤層として機能しない状態）となっている。したがって、触媒成分を含む触媒溶液に基板１０を浸漬させることにより、触媒を粗化領域２４上に選択的に吸着させることができる。なお、触媒層４６は、無電解めっき液中において金属層４８の析出を誘発するものであり、例えばパラジウムなどからなることができる。
【００４１】
（６）その後、図１４に示すように、触媒層４６上に金属層４８を析出させる。上述したように触媒層４６は粗化領域２４上に選択的に形成されているため、金属層４８を粗化領域２４上に選択的に形成することができる。なお、図１４では、第１及び第２の界面活性剤層４２，４４並びに触媒層４６は省略してある。
【００４２】
必要があれば、金属層４８を形成した後、金属層４８以外の領域の第１及び第２の界面活性剤層４２，４４を除去してもよい。第１及び第２の界面活性剤層４２，４４は、上述した光照射工程及び洗浄工程により除去することができる。
【００４３】
本実施の形態においても、第１の実施の形態で説明したように、簡単なプロセスで信頼性の向上を図ることができる。なお、本実施の形態のその他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００４４】
（第３の実施の形態）
図１５は、本実施の形態に係るめっき方法により製造された電子デバイスの一例を示す図である。上述しためっき方法により、基板１０上の粗化領域２４上に配線パターン（金属層）を形成することができる。配線パターンは、電子部品同士を電気的に接続するためのものであってもよい。その場合、基板１０は配線基板である。すなわち、上述しためっき方法により配線基板を製造することができる。図１５に示す例では、基板１０には、集積回路チップ９０が電気的に接続され、基板１０の一方の端部は、他の基板９２（例えば表示パネル）に電気的に接続されている。電子デバイス１０００は、液晶ディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置、ＥＬ（Electroluminescence）ディスプレイ装置などの表示装置であってもよい。
【００４５】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図１５】本発明の第３の実施の形態に電子デバイスを示す図。
【符号の説明】
【００４７】
１０…基板 １２，１４…第１の界面活性剤層（他の界面活性剤層） ２４…粗化領域
２６，２８…第２の界面活性剤層（界面活性剤層） ３４…触媒層 ３６…金属層
４０，４２…第１の界面活性剤層（他の界面活性剤層） ４４…第２の界面活性剤層
４６…触媒層 ４８…金属層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板の所定領域に粗化領域を形成すること、
（ｂ）少なくとも前記粗化領域の上方に界面活性剤層を形成すること、
（ｃ）前記粗化領域の上方であって、前記界面活性剤層の上方に触媒層を形成すること、
（ｄ）前記触媒層の上方に金属層を析出させること、
を含む、めっき方法。
【請求項２】
請求項１記載のめっき方法において、
前記（ａ）工程は、前記基板の前記所定領域以外に他の界面活性剤層を形成し、該基板をウエットエッチングすることにより前記粗化領域を形成することを含む、めっき方法。
【請求項３】
請求項２記載のめっき方法において、
前記基板は、第１の極性を示し、
前記界面活性剤層及び前記他の界面活性剤層は、第２の極性を示す、めっき方法。
【請求項４】
請求項３記載のめっき方法において、
前記（ｂ）工程前に、前記他の界面活性剤層を除去することをさらに含み、
前記（ｂ）工程で、前記界面活性剤層を前記粗化領域の上方のみに残存するようにパターニングして形成する、めっき方法。
【請求項５】
請求項３記載のめっき方法において、
前記（ｂ）工程で、光照射により前記界面活性剤層を前記粗化領域の上方のみに残存するようにパターニングするとともに、該光照射により前記他の界面活性剤層を除去する、めっき方法。
【請求項６】
請求項２記載のめっき方法において、
前記基板及び前記他の界面活性剤層は、第１の極性を示し、
前記界面活性剤層は、第２の極性を示す、めっき方法。
【請求項７】
請求項６記載のめっき方法において、
前記他の界面活性剤層が有する前記第１の極性の絶対値は、前記基板よりも大きい、めっき方法。
【請求項８】
請求項７記載のめっき方法において、
前記（ｂ）工程で、前記界面活性剤層を、前記粗化領域の上方、及び前記他の界面活性剤層の上方に形成する、めっき方法。
【請求項９】
配線パターンを含む、電子デバイスであって、
前記配線パターンは、請求項１から請求項８のいずれかに記載のめっき方法を用いて形成される、電子デバイス。
【請求項１】
（ａ）基板の所定領域に粗化領域を形成すること、
（ｂ）少なくとも前記粗化領域の上方に界面活性剤層を形成すること、
（ｃ）前記粗化領域の上方であって、前記界面活性剤層の上方に触媒層を形成すること、
（ｄ）前記触媒層の上方に金属層を析出させること、
を含む、めっき方法。
【請求項２】
請求項１記載のめっき方法において、
前記（ａ）工程は、前記基板の前記所定領域以外に他の界面活性剤層を形成し、該基板をウエットエッチングすることにより前記粗化領域を形成することを含む、めっき方法。
【請求項３】
請求項２記載のめっき方法において、
前記基板は、第１の極性を示し、
前記界面活性剤層及び前記他の界面活性剤層は、第２の極性を示す、めっき方法。
【請求項４】
請求項３記載のめっき方法において、
前記（ｂ）工程前に、前記他の界面活性剤層を除去することをさらに含み、
前記（ｂ）工程で、前記界面活性剤層を前記粗化領域の上方のみに残存するようにパターニングして形成する、めっき方法。
【請求項５】
請求項３記載のめっき方法において、
前記（ｂ）工程で、光照射により前記界面活性剤層を前記粗化領域の上方のみに残存するようにパターニングするとともに、該光照射により前記他の界面活性剤層を除去する、めっき方法。
【請求項６】
請求項２記載のめっき方法において、
前記基板及び前記他の界面活性剤層は、第１の極性を示し、
前記界面活性剤層は、第２の極性を示す、めっき方法。
【請求項７】
請求項６記載のめっき方法において、
前記他の界面活性剤層が有する前記第１の極性の絶対値は、前記基板よりも大きい、めっき方法。
【請求項８】
請求項７記載のめっき方法において、
前記（ｂ）工程で、前記界面活性剤層を、前記粗化領域の上方、及び前記他の界面活性剤層の上方に形成する、めっき方法。
【請求項９】
配線パターンを含む、電子デバイスであって、
前記配線パターンは、請求項１から請求項８のいずれかに記載のめっき方法を用いて形成される、電子デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００６−２９１３１３（Ｐ２００６−２９１３１３Ａ）
【公開日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１１５４１１（Ｐ２００５−１１５４１１）
【出願日】平成１７年４月１３日（２００５．４．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月１３日（２００５．４．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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