チューナ、電子機器
【課題】 デュアルゲートＦＥＴを利用することなく、簡易な回路によってＡＧＣ回路を実現したチューナを提供することを目的とする
【解決手段】 ＵＦＨバンド用ブロック２０とＶＦＨバンド用ブロック３０とは、スイッチ回路１４およびスイッチ回路２２のオンオフ制御で利用バンドが選択される。このスイッチ回路１４および２２には、それぞれバンドスイッチ電圧１７、２６が入力され、この入力電圧の大きさによって開閉制御が行われる。また、ＡＧＣ電圧２７が両ブロックに印加される構成であり、この電圧の大きさを制御することで、ＰｉＮダイオード１３，２１における減衰量が制御され、これによって出力信号の利得が制御される。
【解決手段】 ＵＦＨバンド用ブロック２０とＶＦＨバンド用ブロック３０とは、スイッチ回路１４およびスイッチ回路２２のオンオフ制御で利用バンドが選択される。このスイッチ回路１４および２２には、それぞれバンドスイッチ電圧１７、２６が入力され、この入力電圧の大きさによって開閉制御が行われる。また、ＡＧＣ電圧２７が両ブロックに印加される構成であり、この電圧の大きさを制御することで、ＰｉＮダイオード１３，２１における減衰量が制御され、これによって出力信号の利得が制御される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＶやＳＴＢ（Set Top Box）などに用いられ、指定された周波数の信号のみを選択的に受信するためのチューナ回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
地上波チューナはＴＶ等に利用されアンテナ信号から希望する周波数の信号を取り出す役割を行っている。図８は、従来技術における受信機のチューナの構成を示している。
【０００３】
図８に示すように、チューナ９００は、テレビジョン放送信号を受信するアンテナ９０１で受信した信号を増幅する増幅器９０２と、増幅器９０２によって増幅された信号を所定のレベルに保持するＡＧＣ回路９０３と、ＡＧＣ回路９０３により保持された信号から選局をする選局部９０４と、選局した信号を復調する復調部９０５とから構成されている。
【０００４】
このような構成からなるチューナにおいて、アンテナにより受信されたテレビジョン放送の受信波は、アンテナで受信された電波の強さ及びその後のケーブルに接続されたブースタや分配器等による増減で、チューナへ入力するときのその強度は様々である。そのため、チューナに入力した受信波は、強電界の場合もあれば、微弱電界の場合もあり、これを調整して受信波のレベルを一定にするものが上述のＡＧＣ回路である。
【０００５】
図９は、このＡＧＣ回路の従来構成を示す図である。
【０００６】
信号入力端子９１１から入力される信号は、ＵＨＦバンド用ブロック９３０、ＶＨＦバンド用ブロック９４０に分配入力され、それぞれ可変バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）回路９１９、９２０によって不要な周波数帯の信号が除去されて必要な信号が取り出される。
【０００７】
この際、ＵＨＦバンド用ブロック９３０とＶＦＨバンド用ブロック９４０は同時に動作することがなく、バンド切換用スイッチによって、いずれか一方のブロックが動作する。図９では、このブロック切換スイッチとして、スイッチングダイオード９１２、９１３を用い、それぞれのダイオードのアノード電極には、抵抗を介してバンドスイッチ電圧９２５、９２７が印加される構成である。このバンドスイッチ電圧９２５、９２７の電圧値を変化させることでスイッチングダイオード９１２、９１３のスイッチング制御を行う。
【０００８】
また、このバンドスイッチ電圧９２５、９２７は、後述するデュアルゲートＦＥＴ９２１、９２２のドレイン電極に印加され、電源供給用としても利用される。
【０００９】
バンドスイッチ電圧９２５が調整され、スイッチングダイオード９１２が導通状態となると、信号入力端子９１１から入力された信号が可変バンドバスフィルタ９１９に与えられ、所定の周波数成分の信号のみが出力される。この出力信号は、コンデンサ９１６で直流成分がカットされた後、高周波増幅回路であるデュアルゲートＦＥＴ９２１の第１ゲート端子に入力される。そして、デュアルゲートＦＥＴ９２１で増幅された信号がドレイン端子から出力される。
【００１０】
同様に、バンドスイッチ電圧９２７が調整され、スイッチングダイオード９１３が導通状態となると、信号入力端子９１１から入力された信号が可変バンドバスフィルタ９２０に与えられ、所定の周波数成分の信号のみが出力される。この出力信号は、コンデンサ９１８で直流成分がカットされた後、高周波増幅回路であるデュアルゲートＦＥＴ９２１の第１ゲート端子に入力される。そして、デュアルゲートＦＥＴ９２２で増幅された信号がドレイン端子から出力される。
【００１１】
なお、デュアルゲートＦＥＴ９２１、９２２の第２ゲート電極には、利得制御用電圧（以下、ＡＧＣ電圧と称する）が印加されており、この電圧を調整することでＦＥＴの利得を制御することができる構成である。
【特許文献１】特許第３５５８９５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献１に記載のような従来のＡＧＣ回路の構成では、増幅処理と利得制御を行うためにデュアルゲートＦＥＴを必要としていた。このデュアルゲートＦＥＴは、製造プロセスが複雑であるため高価であるとともに、またシングルゲートＦＥＴと比較して汎用性に欠けるという問題がある。
【００１３】
本発明は、上記の問題点に鑑みて、デュアルゲートＦＥＴを利用することなく、簡易な回路によってＡＧＣ回路を実現したチューナを提供することを目的とする。また、本発明は、このようなチューナを備える電子機器を提供することを別の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成すべく、本発明のチューナ回路は、アンテナ入力端子より受信電波が入力され、入力信号から所定の周波数信号を抽出して出力するチューナ回路であって、入力信号の電界強度の強弱に応じて出力信号のゲイン制御を行うＡＧＣ回路を備えており、前記ＡＧＣ回路が、少なくとも２回路以上のバンドブロック回路で構成されるとともに、入力信号の周波数に応じて使用するバンドブロック回路が切り換えられる構成であって、該使用するバンドブロック回路の切り換え制御を行うためのスイッチ回路と、前記バンドブロック回路に利得制御用電圧が印加される利得制御電圧入力端子と、前記スイッチ回路に入力されて、該スイッチ回路のオンオフ制御を行うバンドブロック制御用電圧が印加されるバンドブロック制御用電圧入力端子と、を備え、アンテナ入力端子より入力された入力信号が、前記スイッチ回路によって使用が決定されているバンドブロック回路に与えられると、該バンドブロック回路に入力される前記利得制御電圧の大きさに応じたゲイン制御が行われることを特徴とする。
【００１５】
このとき、前記各バンドブロック回路が、互いに電気的に接続されている各カソード電極に入力信号が与えられるとともに、アノード電極に利得制御電圧がそれぞれ印加される構成であるＰｉＮダイオードを備える構成としても構わない。
【００１６】
このように構成されることで、ＰｉＮダイオードに印加される利得制御電圧の大きさによって、ＰｉＮダイオードにおける信号の減衰量を制御することができ、これによって出力信号の利得の調整を行うことができる。よって従来構成のように、デュアルゲートＦＥＴを備えることなく、簡易な回路によってチューナ回路を実現することができる。
【００１７】
また、前記各バンドブロック回路が、前記利得制御電圧がベース端子に印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加されるトランジスタと、互いに電気的に接続されている各カソード電極に入力信号が与えられるとともに、アノード電極に前記トランジスタのエミッタ端子が接続されるＰｉＮダイオードを備え、各バンドブロック回路に備えられる前記トランジスタそれぞれが、ベース端子に前記利得制御電圧が印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加され、エミッタ端子が接地される構成としても構わない。
【００１８】
このとき、上記トランジスタとしてバイポーラトランジスタとしても構わないし、１ゲートのＦＥＴとしても構わない。なお、ＦＥＴを利用する場合においては、前記利得制御電圧をゲート端子に印加し、ドレイン端子に前記バンドブロック制御用電圧を印加し、ソース端子とＰｉＮダイオードのアノード電極を接続する構成するものとしてよい。
【００１９】
また、前記各バンドブロック回路が、前記利得制御電圧がベース端子に印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加されるトランジスタと、互いに電気的に接続されている各カソード電極に入力信号が与えられるとともに、アノード電極に前記トランジスタのコレクタ端子が接続されるＰｉＮダイオードを備え、各バンドブロック回路に備えられる前記トランジスタそれぞれが、ベース端子に前記利得制御電圧が印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加され、エミッタ端子が接地される構成としても構わない。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の構成によれば、入力電圧の大きさを制御することで利得の調整を行うことができるので、従来構成のようにデュアルゲートＦＥＴを利用することなく、簡易な回路によってＡＧＣ回路を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の構成について、図面を参照して説明する。図１は、本発明のチューナの構成を示すブロック図である。
【００２２】
図１に示されるように、チューナ１は、テレビジョン放送信号を受信するアンテナ２で受信した信号を増幅する増幅器３と、増幅器３によって増幅された信号を所定のレベルに保持するＡＧＣ回路４と、ＡＧＣ回路４により保持された信号から選局をする選局部５と、選曲部５によって選局された信号を復調する復調部６とから構成されている。
【００２３】
このような構成からなるチューナ１において、アンテナ２により受信されたテレビジョン放送の受信波は、アンテナ２で受信された電波の強さ及びその後のケーブルに接続されたブースタや分配器等による増減で、チューナ１へ入力するときのその強度は様々である。そのため、チューナ１に入力した受信波は、強電界の場合もあれば、微弱電界の場合もあり、これを調整して受信波のレベルを一定にするものが上述のＡＧＣ回路４である。
【００２４】
図２は、本発明におけるＡＧＣ回路４の回路構成を示すブロック図である。図９に示す従来構成と同様に、本発明においてもＵＦＨバンド用ブロック２０とＶＨＦバンド用ブロック３０とを備え、入力された信号がＵＦＨ帯である場合には、ＵＦＨバンド用ブロック２０で処理が行われ、ＶＨＦ帯である場合にはＶＦＨバンド用ブロックで処理が行われる。
【００２５】
ＵＦＨバンド用ブロック２０は、ＰｉＮダイオード１３と、スイッチ回路１４と、コンデンサ１５と、可変バンドバスフィルタ（ＢＰＦ）１６と、出力端子１７とで構成される。一方、ＶＨＦバンド用ブロック３０は、ＰｉＮダイオード２１と、スイッチ回路２２と、コンデンサ２３と、可変バンドバスフィルタ（ＢＰＦ）２４と、出力端子２５とで構成される。
【００２６】
ＰｉＮダイオード１８、２１は、それぞれのカソード電極を接続するとともに、この接続ノードと信号入力端子１１とを接続する。そして、この接続ノードは、バイアス抵抗１２を介して接地されている。
【００２７】
一方、ＰｉＮダイオード１８、２１のアノード電極には、それぞれスイッチ回路１４、２２が接続される。スイッチ回路１４の出力側には、直流成分カットのためのコンデンサ１５を介してＢＰＦ１６が接続されており、このＢＰＦ１６で不要な周波数成分の信号が除去された後、出力端子１７から所望の信号が出力される。同様に、スイッチ回路２２の出力側には、直流成分カットのためのコンデンサ２３を介してＢＰＦ２４が接続されており、このＢＰＦ２４で不要な周波数成分の信号が除去された後、出力端子２５から所望の信号が出力される。
【００２８】
スイッチ回路１４、２２は、印加されるバンドスイッチ電圧１８、２６によってオンオフ制御が施される。スイッチ回路１４、２２の後段には、ＡＧＣ電圧２７がそれぞれ電圧調整のための抵抗１９，２８を介して印加される。
【００２９】
バンドスイッチ電圧１８をＨｉｇｈ状態、バンドスイッチ電圧２６をＬｏｗ状態にした状態で、ＡＧＣ電圧２７をＨｉｇｈ状態にすると、スイッチ回路１４がＯＮ状態に、スイッチ回路２２がＯＦＦ状態となり、入力される信号はＵＦＨバンド入力回路ブロック２０にのみ与えられる。そして、ＡＧＣ電圧２７がＨｉｇｈ状態であるため、ＰｉＮダイオード１３はアノード端子の電圧が大きくなるため導通状態となり、ダイオード１３における減衰量が小さくなる。逆に、ＡＧＣ電圧２７をＬｏｗ状態とすると、アノード電極の電圧が小さくなるため、ＰｉＮダイオード１３における減衰量が大きくなる。
【００３０】
すなわち、バンドスイッチ電圧２６、２７の大小によってＵＨＦバンドブロック２０かＶＨＦバンドブロック３０のいずれのブロックを動作させるかを選択し、ＡＧＣ電圧２７の大小によってＰｉＮダイオード１３および２１における減衰量の大きさを調整する。ＡＧＣ電圧２７をＨｉｇｈ状態とすることで、減衰量が小さくなるため大きい利得を得ることができ、逆にＡＧＣ電圧をＬｏｗ状態とすることで、減衰量が大きくなるため利得は小さくなる。
【００３１】
このように、本発明は、ＰｉＮダイオード１８及び２１のアノード電極に印加されるＡＧＣ電圧の大きさを調整することで、利得の大きさを調整する一方、ＵＦＨブロックとＶＨＦブロックのいずれを動作させるかの選択を、スイッチ回路１４及び２２のスイッチング制御によって行う構成である。そして、このスイッチング制御は、スイッチ回路１４に印加されるバンドスイッチ電圧１８、及びスイッチ回路２２に印加されるバンドスイッチ電圧２６の大きさを制御することで行われる。
【００３２】
このため、図９に示される従来構成で使用されていたスイッチングダイオード９１２、９１３をそのまま利得調整用途として利用するとともに、バンド切換用途として別途スイッチ回路１４、２２を新たに備えることで実現できる。よって、従来構成では必要であった利得調整のためのダブルゲートＦＥＴ９２１、９２２を設ける必要がない。
【００３３】
また、本発明の構成によれば、スイッチ回路１４、２２としては通常のスイッチング素子を採用することができるため、例えばバイポーラトランジスタあるいは１ゲートＦＥＴを利用する構成とすることができる。
【００３４】
図３は、スイッチ回路１４，２２としてバイポーラトランジスタ３１、３３を採用した構成である。バイポーラトランジスタ３１のエミッタ端子は、抵抗３２を介して接地されており、ベース端子には過電流防止抵抗１９を介してＡＧＣ電圧２７が印加され、コレクタ端子にはバンドスイッチ電圧１８が印加される。また、トランジスタ３３のエミッタ端子は、抵抗３４を介して接地されており、ベース端子には過電流防止抵抗２８を介してＡＧＣ電圧２７が印加され、コレクタ端子にはバンドスイッチ電圧２６が印加される。
【００３５】
このように構成されるとき、例えばＡＧＣ電圧２７のレベルをＨｉｇｈに、バンドスイッチ電圧１８のレベルをＨｉｇｈに、バンドスイッチ電圧２６のレベルをＬｏｗにすると、トランジスタ３１のエミッタ端子の電圧が高くなり、ＰｉＮダイオード１３が導通状態となり、ＰｉＮダイオード１３での減衰量は小さく、出力端子１７から出力される信号の利得は大きくなる。一方、トランジスタ３３のエミッタ端子の電圧は低いので、ＰｉＮダイオード２１は非導通状態であり、ＰｉＮダイオード２１での減衰量が大きく、これによって出力端子２５からは十分な大きさの信号が取得できない。すなわち利得が小さくなる。
【００３６】
また、ＡＧＣ電圧２７のレベルをＨｉｇｈの状態のもとで、バンドスイッチ電圧１８のレベルをＬｏｗに、バンドスイッチ電圧２６のレベルをＨｉｇｈにすると、逆にトランジスタ３３のエミッタ端子の電圧が高くなり、ＰｉＮダイオード２１が導通状態となり、ＰｉＮダイオード２１での減衰量は小さく、出力端子２５から出力される信号の利得は大きくなる。一方、トランジスタ３１のエミッタ端子の電圧は低いので、ＰｉＮダイオード１３は非導通状態であり、ＰｉＮダイオード１３での減衰量が大きく、これによって出力端子１７からは十分な大きさの信号が取得できない。
【００３７】
このように、バンドスイッチ電圧１８、および２５の大きさを調整することで、各トランジスタ３１および３３のエミッタ端子の電圧（ＰｉＮダイオード１３および２１のアノード電極の電圧）を調整し、これによってＰｉＮダイオード１３および２１における信号の減衰量を制御する。ＰｉＮダイオードが非導通状態になると、ＰｉＮダイオードにおける減衰量が大きく、出力端子より信号を取得できない。よって、動作させたいバンドブロックに対応したバンドスイッチ電圧をＨｉｇｈ状態にすることで、動作バンドの切換えを行うことができる。
【００３８】
さらにこのとき、ＡＧＣ電圧の大きさを変化させることでＰｉＮダイオードの導通の程度を制御できるので、これによって利得調整を行うことができる。図４に、図３の構成における各電圧の大小と利得の関係を示す。
【００３９】
また、図５は、図３とは異なる実施例であり、ＰｉＮダイオードのアノード電極をバイポーラトランジスタのエミッタ端子と接続する構成である。バイポーラトランジスタ３１ｂのエミッタ端子は接地されており、ベース端子には過電流防止抵抗１９を介してＡＧＣ電圧２７が印加され、コレクタ端子には抵抗３２ｂを介してバンドスイッチ電圧１８が印加される。また、バイポーラトランジスタ３３ｂのエミッタ端子は接地されており、ベース端子には過電流防止抵抗２８を介してＡＧＣ電圧２７が印加され、コレクタ端子には抵抗３４ｂを介してバンドスイッチ電圧２６が印加される。
【００４０】
このように構成されるとき、例えばＡＧＣ電圧２７のレベルをＨｉｇｈに、バンドスイッチ電圧１８のレベルをＨｉｇｈに、バンドスイッチ電圧２６のレベルをＬｏｗにすると、抵抗３２ｂに流れる電流が大きくなるため、トランジスタ３１ｂのコレクタ端子の電圧が低くなりＰｉＮダイオード１３における減衰量が大きくなり、利得が小さくなる。また、バンドスイッチ電圧２６のレベルがＬｏｗであるため、トランジスタ３４ｂのコレクタ端子の電圧は低く、ＰｉＮダイオード２１における減衰量は大きくなり、やはり利得は小さくなる。
【００４１】
また、ＡＧＣ電圧２７のレベルをＬｏｗに、バンドスイッチ電圧１８のレベルをＨｉｇｈに、バンドスイッチ電圧２６のレベルをＬｏｗにすると、抵抗３２ｂに流れる電流が小さいため、この抵抗３２ｂにおける電圧降下は小さく、これによってトランジスタ３１ｂのコレクタ端子の電圧が高くなりＰｉＮダイオード１３は導通状態となり、出力信号の利得が大きくなる。また、バンドスイッチ電圧２６のレベルはＬｏｗであるため、トランジスタ３４ｂのコレクタ端子の電圧は低く、ＰｉＮダイオード２１における減衰量は大きくなり、利得は小さくなる。
【００４２】
このように、バンドスイッチ電圧のＨｉｇｈ、Ｌｏｗでいずれのバンドを利用するかを選択し、またＡＧＣ電圧の大きさを変化させることでＰｉＮダイオードの導通の程度を制御することができ、利得調整を行うことができる。図６に、図５の構成における各電圧の大小と利得の関係を示す。
【００４３】
なお、上述ではバイポーラトランジスタを用いてバンドスイッチ電圧の印加切換えを行う構成としたが、これはバイポーラトランジスタに限られず、他のスイッチ回路を利用しても構わない。図７は、一般的なスイッチ回路を利用した構成を示したものである。
【００４４】
図７は、ＡＧＣ電圧２７を入力するブロックを選択するためのスイッチ回路３５を備える構成である。このスイッチ回路３５は、バンドスイッチ電圧１８、２６が印加されており、このバンドスイッチ電圧の大きさを変化させることで、スイッチのオンオフ制御を行うことができる構成である。
【００４５】
ＡＧＣ電圧２７は、スイッチ回路５を介して、それぞれＵＨＦバンドブロック２０ｃあるいはＶＨＦバンドブロック３０ｃに入力される。また、このＡＧＣ電圧は、ＰｉＮダイオード１３，２１のアノード電極に、過電流防止抵抗２３ｃ、３４ｃを介して印加される構成である。
【００４６】
このように構成されるとき、ＡＧＣ電圧２７の大きさを変化させることで利得の調整を行うとともに、バンドスイッチ電圧１８，２６の大きさを変化させることで、ＵＨＦバンドブロック２０ｃ、ＶＨＦバンドブロック３０ｃのいずれのバンドブロックを利用するかを選択することができる。
【００４７】
このように、本発明の構成によれば、ＡＧＣ電圧の大きさを制御することで利得の調整を行うことができるので、従来構成のようにデュアルゲートＦＥＴを利用することなく、簡易な回路によってＡＧＣ回路を実現することができる。
【００４８】
なお、上述では、利用される周波数帯をＵＨＦバンドとＶＨＦバンドに限定して説明を行ったが、これらの周波数帯に限られるものではない。また、異なる周波数に対応するバンドブロックを３種類以上備えることで、３種類以上の周波数に対応する構成としても構わない。
【００４９】
さらに、上述では、ＡＧＣ電圧の大きさを変化させることで利得の制御を行うための素子として、ＰｉＮダイオードを利用する構成としたが、ＰｉＮダイオードに限られず、入力されるＡＧＣ電圧の大きさに応じて抵抗値が変化する素子であれば、他の素子を利用しても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明のチューナ回路は、ＴＶやＳＴＢ（Set Top Box）などに好適に利用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】は、本発明のチューナの構成を示すブロック図である。
【図２】は、図１におけるＡＧＣ回路４の回路構成を示すブロック図である。
【図３】は、図２におけるスイッチ回路１４および２２としてバイポーラトランジスタ３１、３３を採用した構成である。
【図４】は、図３の構成における入力電圧の大小と出力信号の利得の関係を示す表である。
【図５】は、図３とは異なるＡＧＣ回路の実施例である。
【図６】は、図５の構成における入力電圧の大小と出力信号の利得の関係を示す表である。
【図７】は、図３、図５の構成を一般化したＡＧＣ回路の構成を示すブロック図である。
【図８】は、従来技術における受信機のチューナの構成を示すブロック図である。
【図９】は、従来技術におけるＡＧＣ回路の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１ チューナ
２ アンテナ
３ 増幅器
４ ＡＧＣ回路
５ 選局部
６ 復調部
１１ 信号入力端子
１２、１９、２８ 抵抗
２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ ＵＦＦバンドブロック
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ ＶＨＦバンドブロック
１３、２１ ＰｉＮダイオード
１４、２２ スイッチ回路
１５、２３ コンデンサ
１６、２４ ＢＰＦ
１７、２５ 出力端子
１８、２６ バンドスイッチ電圧入力端子
２７ ＡＧＣ電圧入力端子
３１、３１ｂ、３３、３３ｂ トランジスタ
３２、３２ｂ、３２ｃ、３４、３４ｂ、３４ｃ 抵抗
３５ スイッチ回路
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＶやＳＴＢ（Set Top Box）などに用いられ、指定された周波数の信号のみを選択的に受信するためのチューナ回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
地上波チューナはＴＶ等に利用されアンテナ信号から希望する周波数の信号を取り出す役割を行っている。図８は、従来技術における受信機のチューナの構成を示している。
【０００３】
図８に示すように、チューナ９００は、テレビジョン放送信号を受信するアンテナ９０１で受信した信号を増幅する増幅器９０２と、増幅器９０２によって増幅された信号を所定のレベルに保持するＡＧＣ回路９０３と、ＡＧＣ回路９０３により保持された信号から選局をする選局部９０４と、選局した信号を復調する復調部９０５とから構成されている。
【０００４】
このような構成からなるチューナにおいて、アンテナにより受信されたテレビジョン放送の受信波は、アンテナで受信された電波の強さ及びその後のケーブルに接続されたブースタや分配器等による増減で、チューナへ入力するときのその強度は様々である。そのため、チューナに入力した受信波は、強電界の場合もあれば、微弱電界の場合もあり、これを調整して受信波のレベルを一定にするものが上述のＡＧＣ回路である。
【０００５】
図９は、このＡＧＣ回路の従来構成を示す図である。
【０００６】
信号入力端子９１１から入力される信号は、ＵＨＦバンド用ブロック９３０、ＶＨＦバンド用ブロック９４０に分配入力され、それぞれ可変バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）回路９１９、９２０によって不要な周波数帯の信号が除去されて必要な信号が取り出される。
【０００７】
この際、ＵＨＦバンド用ブロック９３０とＶＦＨバンド用ブロック９４０は同時に動作することがなく、バンド切換用スイッチによって、いずれか一方のブロックが動作する。図９では、このブロック切換スイッチとして、スイッチングダイオード９１２、９１３を用い、それぞれのダイオードのアノード電極には、抵抗を介してバンドスイッチ電圧９２５、９２７が印加される構成である。このバンドスイッチ電圧９２５、９２７の電圧値を変化させることでスイッチングダイオード９１２、９１３のスイッチング制御を行う。
【０００８】
また、このバンドスイッチ電圧９２５、９２７は、後述するデュアルゲートＦＥＴ９２１、９２２のドレイン電極に印加され、電源供給用としても利用される。
【０００９】
バンドスイッチ電圧９２５が調整され、スイッチングダイオード９１２が導通状態となると、信号入力端子９１１から入力された信号が可変バンドバスフィルタ９１９に与えられ、所定の周波数成分の信号のみが出力される。この出力信号は、コンデンサ９１６で直流成分がカットされた後、高周波増幅回路であるデュアルゲートＦＥＴ９２１の第１ゲート端子に入力される。そして、デュアルゲートＦＥＴ９２１で増幅された信号がドレイン端子から出力される。
【００１０】
同様に、バンドスイッチ電圧９２７が調整され、スイッチングダイオード９１３が導通状態となると、信号入力端子９１１から入力された信号が可変バンドバスフィルタ９２０に与えられ、所定の周波数成分の信号のみが出力される。この出力信号は、コンデンサ９１８で直流成分がカットされた後、高周波増幅回路であるデュアルゲートＦＥＴ９２１の第１ゲート端子に入力される。そして、デュアルゲートＦＥＴ９２２で増幅された信号がドレイン端子から出力される。
【００１１】
なお、デュアルゲートＦＥＴ９２１、９２２の第２ゲート電極には、利得制御用電圧（以下、ＡＧＣ電圧と称する）が印加されており、この電圧を調整することでＦＥＴの利得を制御することができる構成である。
【特許文献１】特許第３５５８９５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献１に記載のような従来のＡＧＣ回路の構成では、増幅処理と利得制御を行うためにデュアルゲートＦＥＴを必要としていた。このデュアルゲートＦＥＴは、製造プロセスが複雑であるため高価であるとともに、またシングルゲートＦＥＴと比較して汎用性に欠けるという問題がある。
【００１３】
本発明は、上記の問題点に鑑みて、デュアルゲートＦＥＴを利用することなく、簡易な回路によってＡＧＣ回路を実現したチューナを提供することを目的とする。また、本発明は、このようなチューナを備える電子機器を提供することを別の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成すべく、本発明のチューナ回路は、アンテナ入力端子より受信電波が入力され、入力信号から所定の周波数信号を抽出して出力するチューナ回路であって、入力信号の電界強度の強弱に応じて出力信号のゲイン制御を行うＡＧＣ回路を備えており、前記ＡＧＣ回路が、少なくとも２回路以上のバンドブロック回路で構成されるとともに、入力信号の周波数に応じて使用するバンドブロック回路が切り換えられる構成であって、該使用するバンドブロック回路の切り換え制御を行うためのスイッチ回路と、前記バンドブロック回路に利得制御用電圧が印加される利得制御電圧入力端子と、前記スイッチ回路に入力されて、該スイッチ回路のオンオフ制御を行うバンドブロック制御用電圧が印加されるバンドブロック制御用電圧入力端子と、を備え、アンテナ入力端子より入力された入力信号が、前記スイッチ回路によって使用が決定されているバンドブロック回路に与えられると、該バンドブロック回路に入力される前記利得制御電圧の大きさに応じたゲイン制御が行われることを特徴とする。
【００１５】
このとき、前記各バンドブロック回路が、互いに電気的に接続されている各カソード電極に入力信号が与えられるとともに、アノード電極に利得制御電圧がそれぞれ印加される構成であるＰｉＮダイオードを備える構成としても構わない。
【００１６】
このように構成されることで、ＰｉＮダイオードに印加される利得制御電圧の大きさによって、ＰｉＮダイオードにおける信号の減衰量を制御することができ、これによって出力信号の利得の調整を行うことができる。よって従来構成のように、デュアルゲートＦＥＴを備えることなく、簡易な回路によってチューナ回路を実現することができる。
【００１７】
また、前記各バンドブロック回路が、前記利得制御電圧がベース端子に印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加されるトランジスタと、互いに電気的に接続されている各カソード電極に入力信号が与えられるとともに、アノード電極に前記トランジスタのエミッタ端子が接続されるＰｉＮダイオードを備え、各バンドブロック回路に備えられる前記トランジスタそれぞれが、ベース端子に前記利得制御電圧が印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加され、エミッタ端子が接地される構成としても構わない。
【００１８】
このとき、上記トランジスタとしてバイポーラトランジスタとしても構わないし、１ゲートのＦＥＴとしても構わない。なお、ＦＥＴを利用する場合においては、前記利得制御電圧をゲート端子に印加し、ドレイン端子に前記バンドブロック制御用電圧を印加し、ソース端子とＰｉＮダイオードのアノード電極を接続する構成するものとしてよい。
【００１９】
また、前記各バンドブロック回路が、前記利得制御電圧がベース端子に印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加されるトランジスタと、互いに電気的に接続されている各カソード電極に入力信号が与えられるとともに、アノード電極に前記トランジスタのコレクタ端子が接続されるＰｉＮダイオードを備え、各バンドブロック回路に備えられる前記トランジスタそれぞれが、ベース端子に前記利得制御電圧が印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加され、エミッタ端子が接地される構成としても構わない。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の構成によれば、入力電圧の大きさを制御することで利得の調整を行うことができるので、従来構成のようにデュアルゲートＦＥＴを利用することなく、簡易な回路によってＡＧＣ回路を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の構成について、図面を参照して説明する。図１は、本発明のチューナの構成を示すブロック図である。
【００２２】
図１に示されるように、チューナ１は、テレビジョン放送信号を受信するアンテナ２で受信した信号を増幅する増幅器３と、増幅器３によって増幅された信号を所定のレベルに保持するＡＧＣ回路４と、ＡＧＣ回路４により保持された信号から選局をする選局部５と、選曲部５によって選局された信号を復調する復調部６とから構成されている。
【００２３】
このような構成からなるチューナ１において、アンテナ２により受信されたテレビジョン放送の受信波は、アンテナ２で受信された電波の強さ及びその後のケーブルに接続されたブースタや分配器等による増減で、チューナ１へ入力するときのその強度は様々である。そのため、チューナ１に入力した受信波は、強電界の場合もあれば、微弱電界の場合もあり、これを調整して受信波のレベルを一定にするものが上述のＡＧＣ回路４である。
【００２４】
図２は、本発明におけるＡＧＣ回路４の回路構成を示すブロック図である。図９に示す従来構成と同様に、本発明においてもＵＦＨバンド用ブロック２０とＶＨＦバンド用ブロック３０とを備え、入力された信号がＵＦＨ帯である場合には、ＵＦＨバンド用ブロック２０で処理が行われ、ＶＨＦ帯である場合にはＶＦＨバンド用ブロックで処理が行われる。
【００２５】
ＵＦＨバンド用ブロック２０は、ＰｉＮダイオード１３と、スイッチ回路１４と、コンデンサ１５と、可変バンドバスフィルタ（ＢＰＦ）１６と、出力端子１７とで構成される。一方、ＶＨＦバンド用ブロック３０は、ＰｉＮダイオード２１と、スイッチ回路２２と、コンデンサ２３と、可変バンドバスフィルタ（ＢＰＦ）２４と、出力端子２５とで構成される。
【００２６】
ＰｉＮダイオード１８、２１は、それぞれのカソード電極を接続するとともに、この接続ノードと信号入力端子１１とを接続する。そして、この接続ノードは、バイアス抵抗１２を介して接地されている。
【００２７】
一方、ＰｉＮダイオード１８、２１のアノード電極には、それぞれスイッチ回路１４、２２が接続される。スイッチ回路１４の出力側には、直流成分カットのためのコンデンサ１５を介してＢＰＦ１６が接続されており、このＢＰＦ１６で不要な周波数成分の信号が除去された後、出力端子１７から所望の信号が出力される。同様に、スイッチ回路２２の出力側には、直流成分カットのためのコンデンサ２３を介してＢＰＦ２４が接続されており、このＢＰＦ２４で不要な周波数成分の信号が除去された後、出力端子２５から所望の信号が出力される。
【００２８】
スイッチ回路１４、２２は、印加されるバンドスイッチ電圧１８、２６によってオンオフ制御が施される。スイッチ回路１４、２２の後段には、ＡＧＣ電圧２７がそれぞれ電圧調整のための抵抗１９，２８を介して印加される。
【００２９】
バンドスイッチ電圧１８をＨｉｇｈ状態、バンドスイッチ電圧２６をＬｏｗ状態にした状態で、ＡＧＣ電圧２７をＨｉｇｈ状態にすると、スイッチ回路１４がＯＮ状態に、スイッチ回路２２がＯＦＦ状態となり、入力される信号はＵＦＨバンド入力回路ブロック２０にのみ与えられる。そして、ＡＧＣ電圧２７がＨｉｇｈ状態であるため、ＰｉＮダイオード１３はアノード端子の電圧が大きくなるため導通状態となり、ダイオード１３における減衰量が小さくなる。逆に、ＡＧＣ電圧２７をＬｏｗ状態とすると、アノード電極の電圧が小さくなるため、ＰｉＮダイオード１３における減衰量が大きくなる。
【００３０】
すなわち、バンドスイッチ電圧２６、２７の大小によってＵＨＦバンドブロック２０かＶＨＦバンドブロック３０のいずれのブロックを動作させるかを選択し、ＡＧＣ電圧２７の大小によってＰｉＮダイオード１３および２１における減衰量の大きさを調整する。ＡＧＣ電圧２７をＨｉｇｈ状態とすることで、減衰量が小さくなるため大きい利得を得ることができ、逆にＡＧＣ電圧をＬｏｗ状態とすることで、減衰量が大きくなるため利得は小さくなる。
【００３１】
このように、本発明は、ＰｉＮダイオード１８及び２１のアノード電極に印加されるＡＧＣ電圧の大きさを調整することで、利得の大きさを調整する一方、ＵＦＨブロックとＶＨＦブロックのいずれを動作させるかの選択を、スイッチ回路１４及び２２のスイッチング制御によって行う構成である。そして、このスイッチング制御は、スイッチ回路１４に印加されるバンドスイッチ電圧１８、及びスイッチ回路２２に印加されるバンドスイッチ電圧２６の大きさを制御することで行われる。
【００３２】
このため、図９に示される従来構成で使用されていたスイッチングダイオード９１２、９１３をそのまま利得調整用途として利用するとともに、バンド切換用途として別途スイッチ回路１４、２２を新たに備えることで実現できる。よって、従来構成では必要であった利得調整のためのダブルゲートＦＥＴ９２１、９２２を設ける必要がない。
【００３３】
また、本発明の構成によれば、スイッチ回路１４、２２としては通常のスイッチング素子を採用することができるため、例えばバイポーラトランジスタあるいは１ゲートＦＥＴを利用する構成とすることができる。
【００３４】
図３は、スイッチ回路１４，２２としてバイポーラトランジスタ３１、３３を採用した構成である。バイポーラトランジスタ３１のエミッタ端子は、抵抗３２を介して接地されており、ベース端子には過電流防止抵抗１９を介してＡＧＣ電圧２７が印加され、コレクタ端子にはバンドスイッチ電圧１８が印加される。また、トランジスタ３３のエミッタ端子は、抵抗３４を介して接地されており、ベース端子には過電流防止抵抗２８を介してＡＧＣ電圧２７が印加され、コレクタ端子にはバンドスイッチ電圧２６が印加される。
【００３５】
このように構成されるとき、例えばＡＧＣ電圧２７のレベルをＨｉｇｈに、バンドスイッチ電圧１８のレベルをＨｉｇｈに、バンドスイッチ電圧２６のレベルをＬｏｗにすると、トランジスタ３１のエミッタ端子の電圧が高くなり、ＰｉＮダイオード１３が導通状態となり、ＰｉＮダイオード１３での減衰量は小さく、出力端子１７から出力される信号の利得は大きくなる。一方、トランジスタ３３のエミッタ端子の電圧は低いので、ＰｉＮダイオード２１は非導通状態であり、ＰｉＮダイオード２１での減衰量が大きく、これによって出力端子２５からは十分な大きさの信号が取得できない。すなわち利得が小さくなる。
【００３６】
また、ＡＧＣ電圧２７のレベルをＨｉｇｈの状態のもとで、バンドスイッチ電圧１８のレベルをＬｏｗに、バンドスイッチ電圧２６のレベルをＨｉｇｈにすると、逆にトランジスタ３３のエミッタ端子の電圧が高くなり、ＰｉＮダイオード２１が導通状態となり、ＰｉＮダイオード２１での減衰量は小さく、出力端子２５から出力される信号の利得は大きくなる。一方、トランジスタ３１のエミッタ端子の電圧は低いので、ＰｉＮダイオード１３は非導通状態であり、ＰｉＮダイオード１３での減衰量が大きく、これによって出力端子１７からは十分な大きさの信号が取得できない。
【００３７】
このように、バンドスイッチ電圧１８、および２５の大きさを調整することで、各トランジスタ３１および３３のエミッタ端子の電圧（ＰｉＮダイオード１３および２１のアノード電極の電圧）を調整し、これによってＰｉＮダイオード１３および２１における信号の減衰量を制御する。ＰｉＮダイオードが非導通状態になると、ＰｉＮダイオードにおける減衰量が大きく、出力端子より信号を取得できない。よって、動作させたいバンドブロックに対応したバンドスイッチ電圧をＨｉｇｈ状態にすることで、動作バンドの切換えを行うことができる。
【００３８】
さらにこのとき、ＡＧＣ電圧の大きさを変化させることでＰｉＮダイオードの導通の程度を制御できるので、これによって利得調整を行うことができる。図４に、図３の構成における各電圧の大小と利得の関係を示す。
【００３９】
また、図５は、図３とは異なる実施例であり、ＰｉＮダイオードのアノード電極をバイポーラトランジスタのエミッタ端子と接続する構成である。バイポーラトランジスタ３１ｂのエミッタ端子は接地されており、ベース端子には過電流防止抵抗１９を介してＡＧＣ電圧２７が印加され、コレクタ端子には抵抗３２ｂを介してバンドスイッチ電圧１８が印加される。また、バイポーラトランジスタ３３ｂのエミッタ端子は接地されており、ベース端子には過電流防止抵抗２８を介してＡＧＣ電圧２７が印加され、コレクタ端子には抵抗３４ｂを介してバンドスイッチ電圧２６が印加される。
【００４０】
このように構成されるとき、例えばＡＧＣ電圧２７のレベルをＨｉｇｈに、バンドスイッチ電圧１８のレベルをＨｉｇｈに、バンドスイッチ電圧２６のレベルをＬｏｗにすると、抵抗３２ｂに流れる電流が大きくなるため、トランジスタ３１ｂのコレクタ端子の電圧が低くなりＰｉＮダイオード１３における減衰量が大きくなり、利得が小さくなる。また、バンドスイッチ電圧２６のレベルがＬｏｗであるため、トランジスタ３４ｂのコレクタ端子の電圧は低く、ＰｉＮダイオード２１における減衰量は大きくなり、やはり利得は小さくなる。
【００４１】
また、ＡＧＣ電圧２７のレベルをＬｏｗに、バンドスイッチ電圧１８のレベルをＨｉｇｈに、バンドスイッチ電圧２６のレベルをＬｏｗにすると、抵抗３２ｂに流れる電流が小さいため、この抵抗３２ｂにおける電圧降下は小さく、これによってトランジスタ３１ｂのコレクタ端子の電圧が高くなりＰｉＮダイオード１３は導通状態となり、出力信号の利得が大きくなる。また、バンドスイッチ電圧２６のレベルはＬｏｗであるため、トランジスタ３４ｂのコレクタ端子の電圧は低く、ＰｉＮダイオード２１における減衰量は大きくなり、利得は小さくなる。
【００４２】
このように、バンドスイッチ電圧のＨｉｇｈ、Ｌｏｗでいずれのバンドを利用するかを選択し、またＡＧＣ電圧の大きさを変化させることでＰｉＮダイオードの導通の程度を制御することができ、利得調整を行うことができる。図６に、図５の構成における各電圧の大小と利得の関係を示す。
【００４３】
なお、上述ではバイポーラトランジスタを用いてバンドスイッチ電圧の印加切換えを行う構成としたが、これはバイポーラトランジスタに限られず、他のスイッチ回路を利用しても構わない。図７は、一般的なスイッチ回路を利用した構成を示したものである。
【００４４】
図７は、ＡＧＣ電圧２７を入力するブロックを選択するためのスイッチ回路３５を備える構成である。このスイッチ回路３５は、バンドスイッチ電圧１８、２６が印加されており、このバンドスイッチ電圧の大きさを変化させることで、スイッチのオンオフ制御を行うことができる構成である。
【００４５】
ＡＧＣ電圧２７は、スイッチ回路５を介して、それぞれＵＨＦバンドブロック２０ｃあるいはＶＨＦバンドブロック３０ｃに入力される。また、このＡＧＣ電圧は、ＰｉＮダイオード１３，２１のアノード電極に、過電流防止抵抗２３ｃ、３４ｃを介して印加される構成である。
【００４６】
このように構成されるとき、ＡＧＣ電圧２７の大きさを変化させることで利得の調整を行うとともに、バンドスイッチ電圧１８，２６の大きさを変化させることで、ＵＨＦバンドブロック２０ｃ、ＶＨＦバンドブロック３０ｃのいずれのバンドブロックを利用するかを選択することができる。
【００４７】
このように、本発明の構成によれば、ＡＧＣ電圧の大きさを制御することで利得の調整を行うことができるので、従来構成のようにデュアルゲートＦＥＴを利用することなく、簡易な回路によってＡＧＣ回路を実現することができる。
【００４８】
なお、上述では、利用される周波数帯をＵＨＦバンドとＶＨＦバンドに限定して説明を行ったが、これらの周波数帯に限られるものではない。また、異なる周波数に対応するバンドブロックを３種類以上備えることで、３種類以上の周波数に対応する構成としても構わない。
【００４９】
さらに、上述では、ＡＧＣ電圧の大きさを変化させることで利得の制御を行うための素子として、ＰｉＮダイオードを利用する構成としたが、ＰｉＮダイオードに限られず、入力されるＡＧＣ電圧の大きさに応じて抵抗値が変化する素子であれば、他の素子を利用しても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明のチューナ回路は、ＴＶやＳＴＢ（Set Top Box）などに好適に利用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】は、本発明のチューナの構成を示すブロック図である。
【図２】は、図１におけるＡＧＣ回路４の回路構成を示すブロック図である。
【図３】は、図２におけるスイッチ回路１４および２２としてバイポーラトランジスタ３１、３３を採用した構成である。
【図４】は、図３の構成における入力電圧の大小と出力信号の利得の関係を示す表である。
【図５】は、図３とは異なるＡＧＣ回路の実施例である。
【図６】は、図５の構成における入力電圧の大小と出力信号の利得の関係を示す表である。
【図７】は、図３、図５の構成を一般化したＡＧＣ回路の構成を示すブロック図である。
【図８】は、従来技術における受信機のチューナの構成を示すブロック図である。
【図９】は、従来技術におけるＡＧＣ回路の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１ チューナ
２ アンテナ
３ 増幅器
４ ＡＧＣ回路
５ 選局部
６ 復調部
１１ 信号入力端子
１２、１９、２８ 抵抗
２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ ＵＦＦバンドブロック
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ ＶＨＦバンドブロック
１３、２１ ＰｉＮダイオード
１４、２２ スイッチ回路
１５、２３ コンデンサ
１６、２４ ＢＰＦ
１７、２５ 出力端子
１８、２６ バンドスイッチ電圧入力端子
２７ ＡＧＣ電圧入力端子
３１、３１ｂ、３３、３３ｂ トランジスタ
３２、３２ｂ、３２ｃ、３４、３４ｂ、３４ｃ 抵抗
３５ スイッチ回路
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナ入力端子より受信電波が入力され、入力信号から所定の周波数信号を抽出して出力するチューナ回路であって、
入力信号の電界強度の強弱に応じて出力信号のゲイン制御を行うＡＧＣ回路を備えており、
前記ＡＧＣ回路が、少なくとも２回路以上のバンドブロック回路で構成されるとともに、入力信号の周波数に応じて使用するバンドブロック回路が切り換えられる構成であって、
該使用するバンドブロック回路の切り換え制御を行うためのスイッチ回路と、
前記バンドブロック回路に利得制御用電圧が印加される利得制御電圧入力端子と、
前記スイッチ回路に入力されて、該スイッチ回路のオンオフ制御を行うバンドブロック制御用電圧が印加されるバンドブロック制御用電圧入力端子と、を備え、
アンテナ入力端子より入力された入力信号が、前記スイッチ回路によって使用が決定されているバンドブロック回路に与えられると、該バンドブロック回路に入力される前記利得制御電圧の大きさに応じたゲイン制御が行われることを特徴とするチューナ回路。
【請求項２】
前記各バンドブロック回路が、
互いに電気的に接続されている各カソード電極に入力信号が与えられるとともに、アノード電極に利得制御電圧がそれぞれ印加される構成であるＰｉＮダイオードを備えることを特徴とする請求項１に記載のチューナ回路。
【請求項３】
前記各バンドブロック回路が、
前記利得制御電圧がベース端子に印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加されるトランジスタと、
互いに電気的に接続されている各カソード電極に入力信号が与えられるとともに、アノード電極に前記トランジスタのエミッタ端子が接続されるＰｉＮダイオードを備え、
各バンドブロック回路に備えられる前記トランジスタそれぞれが、
ベース端子に前記利得制御電圧が印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加され、エミッタ端子が接地される構成であることを特徴とする請求項１に記載のチューナ回路。
【請求項４】
前記各バンドブロック回路が、
前記利得制御電圧がベース端子に印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加されるトランジスタと、
互いに電気的に接続されている各カソード電極に入力信号が与えられるとともに、アノード電極に前記トランジスタのコレクタ端子が接続されるＰｉＮダイオードを備え、
各バンドブロック回路に備えられる前記トランジスタそれぞれが、
ベース端子に前記利得制御電圧が印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加され、エミッタ端子が接地される構成であることを特徴とする請求項１に記載のチューナ回路。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかに記載のチューナ回路を備える電子機器。
【請求項１】
アンテナ入力端子より受信電波が入力され、入力信号から所定の周波数信号を抽出して出力するチューナ回路であって、
入力信号の電界強度の強弱に応じて出力信号のゲイン制御を行うＡＧＣ回路を備えており、
前記ＡＧＣ回路が、少なくとも２回路以上のバンドブロック回路で構成されるとともに、入力信号の周波数に応じて使用するバンドブロック回路が切り換えられる構成であって、
該使用するバンドブロック回路の切り換え制御を行うためのスイッチ回路と、
前記バンドブロック回路に利得制御用電圧が印加される利得制御電圧入力端子と、
前記スイッチ回路に入力されて、該スイッチ回路のオンオフ制御を行うバンドブロック制御用電圧が印加されるバンドブロック制御用電圧入力端子と、を備え、
アンテナ入力端子より入力された入力信号が、前記スイッチ回路によって使用が決定されているバンドブロック回路に与えられると、該バンドブロック回路に入力される前記利得制御電圧の大きさに応じたゲイン制御が行われることを特徴とするチューナ回路。
【請求項２】
前記各バンドブロック回路が、
互いに電気的に接続されている各カソード電極に入力信号が与えられるとともに、アノード電極に利得制御電圧がそれぞれ印加される構成であるＰｉＮダイオードを備えることを特徴とする請求項１に記載のチューナ回路。
【請求項３】
前記各バンドブロック回路が、
前記利得制御電圧がベース端子に印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加されるトランジスタと、
互いに電気的に接続されている各カソード電極に入力信号が与えられるとともに、アノード電極に前記トランジスタのエミッタ端子が接続されるＰｉＮダイオードを備え、
各バンドブロック回路に備えられる前記トランジスタそれぞれが、
ベース端子に前記利得制御電圧が印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加され、エミッタ端子が接地される構成であることを特徴とする請求項１に記載のチューナ回路。
【請求項４】
前記各バンドブロック回路が、
前記利得制御電圧がベース端子に印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加されるトランジスタと、
互いに電気的に接続されている各カソード電極に入力信号が与えられるとともに、アノード電極に前記トランジスタのコレクタ端子が接続されるＰｉＮダイオードを備え、
各バンドブロック回路に備えられる前記トランジスタそれぞれが、
ベース端子に前記利得制御電圧が印加されるとともに、コレクタ端子に前記バンドブロック制御用電圧が印加され、エミッタ端子が接地される構成であることを特徴とする請求項１に記載のチューナ回路。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかに記載のチューナ回路を備える電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００７−６００６７（Ｐ２００７−６００６７Ａ）
【公開日】平成１９年３月８日（２００７．３．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２４０６２０（Ｐ２００５−２４０６２０）
【出願日】平成１７年８月２３日（２００５．８．２３）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月８日（２００７．３．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年８月２３日（２００５．８．２３）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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