パターン形成方法及びパターン形成装置
【課題】基板を加熱しながら基板上に形成されるパターンを目的の位置に精度良く形成す
ることが可能となるパターン形成方法及パターン形成装置を提供する。
【解決手段】ステージ２３を０．５μｍ毎にＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に沿って移動可
能とする。また、吐出タイミング信号を加熱によるマザーシート４Ｍの膨張度合いに基づ
いて補正するようにする。従って、ノズルからの液滴の着弾位置をマザーシート４Ｍの膨
張度合いに基づいて０．５μｍ毎に調整されるので、マザーシート４Ｍが膨張した場合で
あっても、液滴は区画領域の所望の位置に着弾させることができる。
ることが可能となるパターン形成方法及パターン形成装置を提供する。
【解決手段】ステージ２３を０．５μｍ毎にＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に沿って移動可
能とする。また、吐出タイミング信号を加熱によるマザーシート４Ｍの膨張度合いに基づ
いて補正するようにする。従って、ノズルからの液滴の着弾位置をマザーシート４Ｍの膨
張度合いに基づいて０．５μｍ毎に調整されるので、マザーシート４Ｍが膨張した場合で
あっても、液滴は区画領域の所望の位置に着弾させることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法及びパターン形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、機能性パターンを形成するために、機能性材料をアセトンなどの溶媒に溶解また
は分散させて液状体に加工し、更に微小な液滴（インク）にして基板上に配置してパター
ニングをする、所謂液滴吐出法（インクジェット法）が知られている（例えば、特許文献
１参照）。
【０００３】
この種の液滴吐出法（インクジェット法）においては、基板を加熱しながら液滴（イン
ク）を順次吐出することによって、前記基板上に配置された液滴（インク）の乾燥速度を
速めることで、パターニング速度を向上させる技術が提案されている。
【特許文献１】特開２００４−３０６３７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特に、溶媒として公知の水系溶媒を使用した場合では、前記溶媒を確実
に蒸発させるために基板温度を４６℃程度に加熱させる必要がある。この結果、基板の構
成材料にもよるが、加熱中においては通常は基板が熱膨張をしてしまう。例えば、基板と
してグリーンシートを使用した場合、２６℃（常温）から４６℃に加熱すると、８０μｍ
程度延びてしまう。
【０００５】
この結果、基板を加熱しながらパターンを形成する場合では、膨張した基板上に液滴が
配置されてしまうため、所望の位置にパターンが形成されなくなってしまうという問題が
あった。例えば、予めビアホール等が形成されたグリーンシートに対してパターンをその
ビアホールに接続されるように形成する場合では、グリーンシートの熱膨張によって液滴
の配置位置が大きくずれてしまう。このため、形成されたパターンがビアホールに接続さ
れなくなってしまい、所望の特性の基板が作製されなくなってしまう。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みなされたもので、その目的は、基板を加熱しながら基板
上にパターンを目的の位置に精度良く形成することが可能となるパターン形成方法及パタ
ーン形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のパターン形成方法は、吐出ヘッドのノズルから機能材料を含む機能液の液滴を
データによって指定された基板上の複数の領域の各々に対して予め設定された吐出タイミ
ングで吐出して、前記基板上に着弾した前記液滴からなるパターンを形成するパターン形
成方法において、前記基板の表面温度を、前記液滴の吐出時の前記液滴の温度以上であっ
て前記機能材料の沸点以下の温度範囲内に加熱する加熱工程と、前記加熱による前記基板
の変形度合いを算出する算出工程と、前記変形度合いに基づいて、前記液滴が前記データ
によって指定された前記領域に着弾するように、前記吐出タイミングを補正する補正工程
とを備えている。
【０００８】
これによれば、基板を加熱することによって基板が変形しても、液滴が所望の領域に着
弾する。この結果、パターンを目的の位置に精度良く形成することが可能となる。また、
基板は加熱されることから、基板上に着弾した液滴は直ちに乾燥される。このため、短時
間でパターンが形成される。
【０００９】
このパターン形成方法において、前記補正工程は、前記基板を前記吐出ヘッドに対して
前記液滴の着弾径よりも短いピッチ毎に相対移動させて前記液滴の吐出タイミングを補正
するようにしてもよい。
【００１０】
これによれば、基板の移動量は、各液滴の着弾径に比べて細かく制御されることから、
液滴の着弾位置を正確に補正することができる。
このパターン形成方法において、前記吐出タイミングは、前記吐出ヘッドに対する前記
基板の相対位置を検知する位置検出信号を、前記変形度合いに基づいて分周することによ
って生成するようにしてもよい。
【００１１】
これによれば、吐出タイミングは位置検出信号に基づいて作成される。
このパターン形成方法において、前記算出工程は、前記基板上に予め配置形成したマー
クを、前記基板を加熱する前と加熱した後とで比較して、その加熱によるずれ度合いを算
出するようにしてもよい。
【００１２】
これによれば、基板の加熱による変形度合いが精度良く算出される。
このパターン形成方法において、前記基板は、多孔質性基板であってセラミックス粒子
と樹脂とから構成される低温焼成用シートであり、前記機能液は、前記機能材料として金
属材料を分散させた液状体であってもよい。
【００１３】
これによれば、基板上に形成される配線パターンを短時間でかつ目的の位置に精度良く
形成することが可能となる。
このパターン形成方法において、前記基板は、回路素子が実装されるとともにその実装
された前記回路素子に対して電気的に接続された配線が形成される回路基板であってもよ
い。
【００１４】
これによれば、回路素子が形成された所望の特性を有した回路基板を短時間で形成する
ことができる。
このパターン形成方法において、前記データはビットマップデータであってもよい。
【００１５】
これによれば、簡単な形式で液滴の吐出制御を行うことができる。
本発明のパターン形成装置は、吐出ヘッドのノズルから機能材料を含む機能液の液滴を
データによって指定された基板上の複数の領域の各々に対して予め設定された吐出タイミ
ングで吐出して、前記基板上に着弾した前記液滴からなるパターンを形成するパターン形
成装置において、前記基板の表面温度を、前記液滴の吐出時の前記液滴の温度以上であっ
て前記機能材料の沸点以下の温度範囲内に加熱する加熱手段と、前記加熱による前記基板
の変形度合いを算出する算出手段と、前記変形度合いに基づいて、前記液滴が前記データ
によって指定された前記領域に着弾するように、前記吐出タイミングを補正する補正手段
とを備えている。
【００１６】
これによれば、基板を加熱することによって基板が変形しても、液滴が所望の領域に着
弾する。この結果、パターンを目的の位置に精度良く形成することが可能となる。また、
基板は加熱されることから、基板上に着弾した液滴は直ちに乾燥される。このため、短時
間でパターンが形成される。
【００１７】
このパターン形成装置において、さらに、前記基板を一方向に移動可能に支持する基台
と、前記吐出ヘッドに対する前記基板の相対位置を前記液滴の着弾径よりも短いピッチで
検出する位置検出手段とを備え、前記補正手段は、前記位置検出手段からの位置検出信号
を、前記変形度合いに基づいたタイミングで分周することによって前記吐出タイミングを
補正するようにしてもよい。
【００１８】
これによれば、液滴吐出タイミング信号が変形度合いに基づいて各液滴の着弾径に比べ
て細かく補正される。
このパターン形成装置において、前記位置検出手段は、エンコーダであってもよい。
【００１９】
これによれば、簡単な構成で液滴吐出タイミング信号を制御することができる。
このパターン形成装置において、前記算出手段は、前記基板上に予め配置形成したマー
クを、前記基板を前記温度範囲内の温度に加熱する前と、前記基板を前記温度範囲内の温
度に加熱した後とで比較して、その加熱によるずれ度合いを算出するようにしてもよい。
【００２０】
これによれば、基板の加熱による変形度合いが精度良く算出される。
このパターン形成装置において、前記データはビットマップデータであってもよい。
これによれば、簡単な形式で液滴の吐出制御を行うことができる。
【００２１】
このパターン形成装置において、前記機能液は、前記基板上に実装される回路素子に対
して電気的に接続された配線を構成する金属材料が分散された液状体であってもよい。
これによれば、回路素子が形成された所望の特性を有した回路基板を短時間で形成する
ことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化したパターン形成方法及びパターン形成装置の一実施形態を図面
に従って説明する。
まず、本発明のパターン形成方法及びパターン形成装置を用いて形成された回路モジュ
ール１について説明する。
【００２３】
図１において、回路モジュール１には、板状に形成されたＬＴＣＣ多層基板２と、その
ＬＴＣＣ多層基板２の上側にワイヤーボンディング接続された半導体チップ３とが備えら
れている。
【００２４】
ＬＴＣＣ多層基板２は、シート状に形成された複数の回路基板としてのＬＴＣＣ基板４
の積層体である。各ＬＴＣＣ基板４は、それぞれガラスセラミックス系材料（例えば、ホ
ウケイ酸アルカリ酸化物などのガラス成分とアルミナなどのセラミックス成分の焼結体）
（多孔質性基板）であって、その厚みが数百μｍである。
【００２５】
各ＬＴＣＣ基板４には、抵抗素子、容量素子、コイル素子などの各種回路素子５と、各
回路素子５を電気的に接続する内部配線６と、スタックビア構造、サーマルビア構造を呈
する所定の孔径（例えば、直径３０μｍ）を有した複数のビアホール７と、該ビアホール
７に充填されたビア配線８と、が形成されている。
【００２６】
各内部配線６は、それぞれ機能材料及び金属材料としての銀（Ａｇ）の微粒子が焼結し
た焼結体であって、その配線パターンはパターン形成装置としての液滴吐出装置（インク
ジェット装置）を使用して形成される。
【００２７】
次に、その液滴吐出装置２０について図２〜図９に従って説明する。図２は、液滴吐出
装置２０を説明する全体斜視図である。
図２において、液滴吐出装置２０は、直方体形状に形成された基台２１を有している。
基台２１の上面には、その長手方向（Ｙ矢印方向）に沿って延びる案内溝２２が形成され
、その案内溝２２に沿ってＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に移動可能とするステージ２３が
載置されている。ステージ２３の上面には載置部２３ａが設けられ、マザーシート４Ｍが
載置されるようになっている。そして、載置部２３ａは、載置された状態のマザーシート
４Ｍをステージ２３に対して位置決め固定して、マザーシート４ＭをＹ矢印方向及び反Ｙ
矢印方向に搬送する。
【００２８】
また、基台２１に形成した案内溝２２の底面２２ａには、位置検出手段としてのエンコ
ーダＥ（図９参照）を構成する被検出プレートＥａがＹ矢印方向に沿って配設されている
。被検出プレートＥａのＹ矢印方向に延びる上面には、縞パターンＧが形成されている。
この縞パターンＧは、光反射部と非光反射部とが交互に形成され、その交互に形成された
光反射部と光反射微が、Ｙ矢印方向に沿って十分に細かいピッチで形成されている。本実
施形態においては、Ｙ矢印方向に沿って０．５μｍピッチで構成されている。
【００２９】
また、図３に示すように、ステージ２３の下面２３ｂには、案内溝２２に嵌入するよう
に反Ｚ矢印方向に突出した案内凸部２４が設けられている。案内凸部２４の先端部２４ａ
には凹部Ｗが設けられ、該凹部Ｗには位置検出手段としてのエンコーダＥ（図９参照）を
構成する移動位置検出センサＥｂが設けられている。移動位置検出センサＥｂは、第１及
び第２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２とから構成されている。第１及び第２のホトカプラＰ
Ｃ１，ＰＣ２は、それぞれ、発光ダイオード及びフォトダイオードで構成され前記縞パタ
ーンＧを検知する。そして、第１及び第２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２は、ステージ２３
のＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向における移動量と移動方向を検出するためのパルス検出信
号Ｓａ，Ｓｂをそれぞれ出力する（図９参照）。
【００３０】
第１及び第２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２は、縞パターンＧのピッチに対して半ピッチ
（本実施形態では、０．２５μｍ）だけ互いにずらして配置されている。そして、ステー
ジ２３がＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に往復移動するときに、第１及び第２のホトカプラ
ＰＣ１，ＰＣ２からの各パルス検出信号Ｓａ，Ｓｂの波形は、一方のパルス検出信号Ｓａ
に対して他方のパルス検出信号Ｓｂが９０度位相のずれた波形の信号となる。
【００３１】
従って、ステージ２３が基台２１上をＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に沿って移動すると
、第１及び第２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２からそれぞれパルス検出信号Ｓａ，Ｓｂが出
力される。そして、この両パルス検出信号Ｓａ，Ｓｂによってステージ２３上に載置され
たマザーシート４ＭのＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に対する移動方向とその移動量が、０
．５μｍ毎に検知されるようになっている。
【００３２】
図２に示すステージ２３の載置部２３ａに載置されたマザーシート４Ｍは、焼成前のＬ
ＴＣＣ基板４（以下、グリーンシート４Ｇ（図７参照）という）を複数枚切出し可能とし
た１枚の大判の基板である。本実施形態では、説明を簡単にするために、図７に示すよう
に、１枚のマザーシート４Ｍに対してマトリクス状に１０×１０個のＬＴＣＣ基板４を形
成する場合について説明する。
【００３３】
つまり、図７に示すように、１枚のマザーシート４Ｍは、ＬＴＣＣ基板４を形成する領
域（以下、「描画領域」という）Ｚがマトリクス状に区画形成されるとともに、各描画領
域Ｚ以外にはＬＴＣＣ基板４を形成しない領域（以下、「非描画領域」という）Ｑが形成
されている。各描画領域Ｚは四角形状を成している。非描画領域Ｑは、各描画領域Ｚの間
隙に配置されることから、全体として格子形状を成している。以下、説明の便宜上、マザ
ーシート４Ｍの縦方向をＹ矢印方向とし、マザーシート４Ｍの横方向をＸ矢印方向と定義
する。また、本実施形態においては、マザーシート４Ｍは、加熱されると縦方向（Ｙ矢印
方向）にのみ膨張し、横方向（Ｘ矢印方向）には膨張及び収縮しないものとする。
【００３４】
図２において、ステージ２３の上面には、加熱手段としてのラバーヒータＨが埋設され
ている。載置部２３ａに載置されたマザーシート４Ｍは、ラバーヒータＨによって加熱さ
れる。従って、載置部２３ａに載置されたマザーシート４Ｍは、ラバーヒータＨによって
加熱されると、縦方向（Ｙ矢印方向）にのみ膨張し、横方向（Ｘ矢印方向）には膨張及び
収縮しない。
【００３５】
また、基台２１には、その搬送方向と直交する方向（Ｘ矢印方向）に跨ぐ門型のガイド
部材２５が架設されている。ガイド部材２５の上側には、インクタンク２６が配設されて
いる。インクタンク２６は、機能液としての金属インクＦを貯留して、貯留する金属イン
クＦを液滴吐出ヘッド３０に所定の圧力で供給する。
【００３６】
金属インクＦは、例えば、粒径が数ｎｍの銀（Ａｇ）の微粒子を水系溶媒に分散させた
水系金属インクである。金属インクＦの液滴Ｆｂは、加熱されると溶媒或いは分散媒の一
部が蒸発してその表面の外形を増粘させる。
【００３７】
ガイド部材２５には、そのＸ矢印方向略全幅に渡って、Ｘ矢印方向に延びる上下一対の
ガイドレール２８が形成されている。上下一対のガイドレール２８には、キャリッジ２９
が取り付けられている。キャリッジ２９は、ガイドレール２８に案内されてＸ矢印方向及
び反Ｘ矢印方向に移動する。
【００３８】
キャリッジ２９には、液滴吐出ヘッド（以下、単に「吐出ヘッド」という）３０及びカ
メラＫが配設されている。
図４及び図５は、それぞれ吐出ヘッド３０をマザーシート４Ｍ側（下側）から見た図で
ある。
【００３９】
図４において、吐出ヘッド３０は、Ｘ矢印方向に沿って１５個の吐出ヘッド対Ｈ１，Ｈ
２，Ｈ３，…，Ｈ１５を併設している。各吐出ヘッド対Ｈ１〜Ｈ１５は、第１の吐出ヘッ
ドＨａと、該第１の吐出ヘッドＨａに対してＹ矢印方向に併設された第２の吐出ヘッドＨ
ｂとを備えている。各吐出ヘッドＨａ，Ｈｂのノズルプレート３１は、一対のノズル列Ｎ
Ｌを備えている。図５に示すように、各ノズル列ＮＬには、Ｘ矢印方向に沿って複数のノ
ズルＮが等ピッチで配列されている。本実施形態では、各ノズル列ＮＬに２００個のノズ
ルＮが４０μｍのピッチで配列されている。
【００４０】
また、各吐出ヘッドＨａ，Ｈｂにおいては、一方のノズル列ＮＬの各ノズルＮが他方の
ノズル列ＮＬの各ノズルＮに対してＸ矢印方向に沿って半ピッチずれて配列されている。
従って、各吐出ヘッドＨａ，Ｈｂにおいては、一方のノズル列ＮＬの各ノズルＮの中間位
置に他方のノズル列ＮＬの各ノズルＮが位置することとなる。つまり、一方のノズル列Ｎ
Ｌの各ノズルＮが他方のノズル列ＮＬの各ノズルＮの間を補間している。尚、本実施形態
においては、各ノズル列ＮＬでは各ノズルＮが４０μｍのピッチで配列されていることか
ら、各吐出ヘッドＨａ，Ｈｂでは、ノズルＮがＸ矢印方向に沿って２０μｍのピッチで配
列されることとなる。従って、各吐出ヘッドＨａ，Ｈｂでは、Ｘ矢印方向に沿って２×２
００＝４００個のノズルＮが２０μｍの等ピッチで配列されている。
【００４１】
また、第１の吐出ヘッドＨａの各ノズル列ＮＬは、第２の吐出ヘッドＨｂの各ノズル列
ＮＬとＸ矢印方向に沿って半ピッチずれて配列されている。従って、第１の吐出ヘッドＨ
ａに配置形成される各ノズルＮの中間位置に第２の吐出ヘッドＨｂに配置形成されるノズ
ルＮが位置することとなる。つまり、第１の吐出ヘッドＨａの各ノズル列ＮＬの各ノズル
Ｎが第２の吐出ヘッドＨｂのノズル列ＮＬの各ノズルＮの間を補間している。尚、本実施
形態においては、各吐出ヘッドＨａ，ＨｂのノズルＮは２０μｍのピッチで配列されてい
ることから、各吐出ヘッド対Ｈ１〜Ｈ１５では、ノズルＮがＸ矢印方向に沿って１０μｍ
のピッチで配列されることとなる。従って、各吐出ヘッド対Ｈ１〜Ｈ１５では、Ｘ矢印方
向に沿って２×４００＝８００個のノズルＮが１０μｍの等ピッチで配列されている。
【００４２】
そして、図３に示すように、各ノズルＮがＸ矢印方向に沿って等間隔に連続して配置さ
れるように各吐出ヘッド対Ｈ１〜Ｈ１５はその一部が互いに重なり合って階段状に連結さ
れている。従って、前記のように吐出ヘッド対Ｈ１〜Ｈ１５を配置することによって、全
体として、１５×８００＝１．２×１０４個のノズルＮがＸ矢印方向に沿って１０μｍの
等ピッチで配列されている。
【００４３】
図６は、吐出ヘッド３０の第１の吐出ヘッドＨａの内部構成を説明するための要部断面
図である。尚、第２の吐出ヘッドＨｂについては、第１の吐出ヘッドＨａと同じ構成であ
ることから、その詳細な説明を省略する。
【００４４】
図６において、各吐出ヘッドＨａは、その上側に供給チューブ３０Ｔが連結されている
。供給チューブ３０Ｔは、Ｚ矢印方向に延びるように配設されて、インクタンク２６から
の金属インクＦを吐出ヘッド３０に供給する。
【００４５】
ノズルＮの上側には、供給チューブ３０Ｔに連通するキャビティ３２が形成されている
。キャビティ３２は、供給チューブ３０Ｔからの金属インクＦを収容して、対応するノズ
ルＮに金属インクＦを供給する。キャビティ３２の上側には、上下方向に振動してキャビ
ティ３２内の容積を拡大及び縮小する振動板３３が貼り付けられている。振動板３３の上
側には、ノズルＮに対応する圧電素子ＰＺが配設されている。圧電素子ＰＺは、上下方向
に収縮及び伸張して振動板３３を上下方向に振動させる。上下方向に振動する振動板３３
は、金属インクＦを所定のサイズの液滴Ｆｂに形成し、対応するノズルＮから吐出させる
。吐出された液滴Ｆｂは、対応するノズルＮの反Ｚ矢印方向に飛行して、マザーシート４
Ｍの描画平面（パターン形成面４Ｍａ）上に配置形成された前記各描画領域Ｚ内に着弾す
る。
【００４６】
そして、各描画領域Ｚ内に着弾した液滴Ｆｂ（金属インクＦ）は、前述したように、ラ
バーヒータＨによって加熱されたマザーシート４Ｍの描画平面（パターン形成面４Ｍａ）
上に着弾することによって、溶媒或いは分散媒の一部が蒸発する。そして、その表面の外
形が増粘し、マザーシート４Ｍの面方向に沿う自身の濡れ広がりが停止して局在する。そ
して、各描画領域Ｚ内に着弾して局在した液滴Ｆｂ（金属インクＦ）は、複数連なって繋
がるようにして配置されることで、例えば、図７に示すような、３本のライン状の内部配
線６の配線パターンを形成する。
【００４７】
図２に示すように、カメラＫは、キャリッジ２９上であって前記吐出ヘッド３０に隣接
した位置に設けられている。カメラＫは、載置部２３ａに載置されたマザーシート４Ｍの
パターン形成面４Ｍａを撮影可能となるように設けられている。詳述すると、図８に示す
ように、焼成前のマザーシート４Ｍには、その左上隅（マザーシート４ＭのＹ矢印方向側
の端部側の左隅）にある非描画領域Ｑ内にマークＭが形成されている。このマークＭは、
常温（２６℃）時の焼成前のマザーシート４Ｍに対して密着して形成されたものである。
カメラＫは、そのマークＭの様子を撮影し、その撮影されたマークＭの画像データを後記
する制御装置５０に出力する。
【００４８】
次に、前記液滴吐出装置２０の電気的構成について図９に従って説明する。
図９に示すように、液滴吐出装置２０は、制御装置５０を備えている。制御装置５０に
は、各種操作スイッチとディスプレイを有した入出力装置５１が接続されている。入出力
装置５１は、液滴吐出装置２０が実行する各種処理の処理状況を表示したり、内部配線６
を形成するためのデータとしてのビットマップデータＢＤを制御装置５０に入力したりす
る。
【００４９】
ビットマップデータＢＤは、各ビットの値（「０」（Ｌレベル）或いは「１」（Ｈレベ
ル））に応じた各圧電素子ＰＺのオン或いはオフを規定したデータである。詳しくは、本
実施形態のマザーシート４Ｍのパターン形成面４Ｍａは、Ｙ矢印方向に沿って１．２×１
０４、Ｘ矢印方向に沿って１．２×１０４にそれぞれ等分されることで、（１．２×１０
４）×（１．２×１０４）個の微小な四角形状の区画領域Ｒ（図８参照）に予め仮想的に
規定されている。この区画領域Ｒは、一辺の長さがノズルＮのピッチと等しい正方形形状
を成している。本実施形態では、区画領域Ｒの一辺の長さは１０μｍである。ビットマッ
プデータＢＤは、吐出ヘッド３０（各ノズルＮ）が通過するマザーシート４Ｍ上の対応す
る各区画領域Ｒに対してそれぞれ液滴Ｆｂを吐出するか否かを規定したデータである。
【００５０】
つまり、前記吐出ヘッド対Ｈ１〜Ｈ１５は、前記したように、全体として１５×８００
＝１．２×１０４個のノズルＮがＸ矢印方向に沿って配置されている。そして、ビットマ
ップデータＢＤは、マザーシート４Ｍが常温（２６℃）であるとき、各領域Ｒに対して各
圧電素子ＰＺのオン或いはオフさせるためのデータであり、（１．２×１０４）×（１．
２×１０４）のデータ数を有している。
【００５１】
また、制御装置５０は、エンコーダＥを構成する第１及び第２のホトカプラＰＣ１，Ｐ
Ｃ２（移動位置検出センサＥｂ）が接続されている。制御装置５０には、前記第１及び第
２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２からのパルス検出信号Ｓａ，Ｓｂが入力される。さらに、
制御装置５０は、カメラＫが接続されている。制御装置５０はカメラＫが撮影した画像デ
ータが入力される。
【００５２】
制御装置５０は、算出手段及び補正手段としてのＣＰＵ５０Ａ、ＲＯＭ５０Ｂ及びＲＡ
Ｍ５０Ｃを備えている。ＲＯＭ５０Ｂには、各種駆動制御プログラム、算出プログラム、
ステージ制御プログラム、タイミング信号生成プログラム及び補正プログラムが格納され
ている。
【００５３】
駆動制御プログラムは、キャリッジ２９の往復動処理、カメラＫの駆動制御処理及び圧
電素子ＰＺの駆動制御処理等を実行させるためのプログラムを含んでいる。
また、駆動制御プログラムは、ラバーヒータＨの加熱制御処理を実行させるための加熱
制御プログラムを含んでいる。この加熱制御プログラムは、マザーシート４Ｍの温度を、
吐出ヘッド３０から吐出される時の金属インクＦの温度以上であって、かつ金属インクＦ
に含まれる機能性材料の沸点未満（液体組成中の最も沸点の低い温度未満）の温度範囲の
温度（設定温度）となるようにラバーヒータＨを加熱・冷却制御するためのプログラムで
ある。本実施形態では、例えばマザーシート４Ｍの表面温度を４６℃に設定する制御信号
を生成するためのプログラムである。
【００５４】
算出プログラムは、マザーシート４Ｍに印刷されたマークＭのカメラＫからの画像デー
タに基づいて、マザーシート４Ｍの加熱による変形度合い（膨張度合い）を算出するため
のプログラムである。
【００５５】
ステージ制御プログラムは、第１及び第２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２からのパルス検
出信号Ｓａ，Ｓｂに基づいて、ステージ２３上に載置されたマザーシート４ＭのＹ矢印方
向及び反Ｙ矢印方向に対する移動量を、０．５μｍ毎に制御するためのプログラムである
。詳しくは、ステージ制御プログラムは、第１及び第２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２から
のパルス検出信号Ｓａ，Ｓｂに基づいて位置検出信号としてのパルス信号ＱＳを作成する
（図１１参照）。このパルス信号ＱＳは、縞パターンＧに対応したものである。従って、
パルス信号ＱＳのカウント値から吐出ヘッド３０に対するマザーシート４Ｍの相対位置が
認識されることとなる。
【００５６】
つまり、本実施形態では、前記したように、各区画領域Ｒの一辺の長さは、常温（２６
℃）時においては、１０μｍである。従って、常温（２６℃）時においては、１０μｍ／
０．５μｍ＝２０回のパルス信号ＱＳがカウントされるとマザーシート４Ｍが１つの区画
領域Ｒ分だけ移動したことが認識されることとなる。例えば、常温（２６℃）時において
は、パルス信号ＱＳのカウント値が１１回目であるとき、吐出ヘッド３０のノズルＮが各
区画領域Ｒの中心に正対することとなる。
【００５７】
タイミング信号生成プログラムは、パルス信号ＱＳを分周してノズルＮから液滴Ｆｂを
吐出させる吐出タイミング信号ＬＴｏを生成するためのプログラムである。本実施形態で
は、常温（２６℃）時においては、パルス信号ＱＳのカウント値が１１回目であるときを
分周して吐出タイミング信号ＬＴｏを作成する（図１１参照）。
【００５８】
補正プログラムは、タイミング信号生成プログラムに従って生成された吐出タイミング
信号ＬＴを、マザーシート４Ｍの膨張度合いに基づいて、各区画領域Ｒの中心に液滴Ｆｂ
が着弾するように補正するプログラムである。常温（２６℃）時においては、１１番目の
パルス信号ＱＳの立ち上がり時に吐出タイミング信号ＬＴｏが生成されるが、マザーシー
ト４Ｍは、加熱されるとＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に沿って膨張することから、その膨
張に伴って各区画領域ＲもＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に沿って伸長することとなる。補
正プログラムは、この吐出タイミング信号ＬＴｏを、前述のようにＹ矢印方向及び反Ｙ矢
印方向に沿って伸長した分（膨張度合い）に応じてパルス信号ＱＳ毎にずらした吐出タイ
ミング信号ＬＴ（図１１参照）にするためのプログラムである。
【００５９】
ＣＰＵ５０Ａは、ＲＯＭ５０Ｂに格納された各種プログラムに従ってキャリッジ２９の
往復動処理、ラバーヒータＨの加熱制御処理、カメラＫの駆動制御処理及び圧電素子ＰＺ
の駆動制御処理等を実行する。
【００６０】
また、ＣＰＵ５０Ａは、加熱された後の、マザーシート４Ｍに印刷されたマークＭの画
像データを入力する。そして、ＣＰＵ５０Ａは、算出プログラムに従って、その画像デー
タと、常温（２６℃）のときのマークＭの画像データとを比較して、常温（２６℃）のマ
ークＭからのずれ量（変形度合い（膨張度合い））を算出する。
【００６１】
さらに、ＣＰＵ５０Ａは、補正プログラムに従って、前記ずれ量（膨張度合い）に基づ
いて吐出タイミング信号ＬＴｏの出力タイミングをパルス信号ＱＳ毎にずらして補正され
た吐出タイミング信号ＬＴを作成する。そして、その吐出タイミング信号ＬＴをヘッド駆
動回路５４へ出力する。
【００６２】
また、制御装置５０には、Ｘ軸モータ駆動回路５２が接続されている。制御装置５０は
、駆動制御信号をＸ軸モータ駆動回路５２に出力する。Ｘ軸モータ駆動回路５２は、制御
装置５０からの駆動制御信号に応答して、キャリッジ２９を移動させるためのＸ軸モータ
ＭＸを正転又は逆転させる。
【００６３】
さらに、制御装置５０には、Ｙ軸モータ駆動回路５３が接続されている。制御装置５０
は、駆動制御信号をＹ軸モータ駆動回路５３に出力する。Ｙ軸モータ駆動回路５３は、制
御装置５０からの駆動制御信号に応答して、ステージ２３を０．５μｍ毎にずらしながら
Ｙ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に移動させるようにＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させる。
【００６４】
さらにまた、制御装置５０には、ヘッド駆動回路５４が接続されている。制御装置５０
は、各圧電素子ＰＺを駆動させるための駆動信号ＣＯＭをヘッド駆動回路５４に出力する
。制御装置５０は、ビットマップデータＢＤを利用して所定の周波数に同期した吐出制御
信号ＳＩを生成し、吐出制御信号ＳＩをヘッド駆動回路５４にシリアル転送する。ヘッド
駆動回路５４は、制御装置５０の吐出制御信号ＳＩを各圧電素子ＰＺに対応させて順次シ
リアル／パラレル変換する。また、ヘッド駆動回路５４は、シリアル／パラレル変換した
吐出制御信号ＳＩをラッチし、制御装置５０のＣＰＵ５０Ａにて作成された前記補正され
た吐出タイミング信号ＬＴを受けるたびに吐出制御信号ＳＩによって選択される圧電素子
ＰＺにそれぞれ駆動信号ＣＯＭを供給する。従って、液滴吐出ヘッド３０からは、補正さ
れた吐出タイミング信号ＬＴのタイミング（吐出タイミング信号ＬＴがＨレベルに立ち上
がるタイミング）でノズルＮから液滴Ｆｂを吐出する。
【００６５】
また、制御装置５０は、ラバーヒータ駆動回路５５が接続されている。制御装置５０は
、加熱制御プログラムに従って生成された制御信号をラバーヒータ駆動回路５５に出力す
る。ラバーヒータ駆動回路５５は、制御装置５０からの制御信号に応答して、ラバーヒー
タＨを駆動してステージ２３に載置されたマザーシート４Ｍを加熱する。
【００６６】
さらに、制御装置５０には、カメラ駆動回路５６が接続されている。制御装置５０は、
カメラ駆動回路５６に駆動制御信号を出力する。詳しくは、制御装置５０は、マザーシー
ト４Ｍが加熱された時に、載置部２３ａ上に載置されたマザーシート４Ｍ上に配置形成さ
れたマークＭを撮影する旨の駆動信号を出力する。すると、カメラＫは、このタイミング
で駆動することによってマークＭを撮影し、その画像データを制御装置５０へ出力する。
【００６７】
次に、前記液滴吐出装置２０を使用してマザーシート４Ｍに内部配線６を形成する方法
について図２、図１０及び図１１に従って説明する。
まず、図２に示すように、パターン形成面４ＭａがＺ矢印方向側を向くようにマザーシ
ート４Ｍをステージ２３に載置する。このとき、ステージ２３は、マザーシート４Ｍをキ
ャリッジ２９よりも反Ｙ矢印方向側に配置する。尚、このマザーシート４Ｍは、焼成前の
ものであって、予めビアホール７及びビア配線８が形成されている。
【００６８】
この状態から、ビットマップデータＢＤが入出力装置５１から制御装置５０に入力され
る。つまり、このときに入力されるビットマップデータＢＤは、マザーシート４Ｍが常温
時（２６℃時）であると想定した場合における液滴Ｆｂの吐出を規定するデータである。
そして、ビットマップデータＢＤはＲＡＭ５０Ｃに格納される。
【００６９】
その後、制御装置５０は、ラバーヒータ駆動回路５５を介してステージ２３に設けたラ
バーヒータＨを加熱制御プログラムに従って駆動させる。この結果、ステージ２３に載置
されたマザーシート４Ｍの表面温度は設定温度（４６℃）になる（加熱工程）。
【００７０】
すると、マザーシート４ＭはＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に沿って膨張した状態となる
。この状態で、制御装置５０は、カメラ駆動回路５６を介してカメラＫを駆動させてマザ
ーシート４Ｍの左上隅に配置形成された前記マークＭの様子を撮影する。すると、制御装
置５０には、設定温度（４６℃）に加熱された後のマークＭの画像データが入力される。
続いて、制御装置５０のＣＰＵ５０Ａは、その画像データと、常温（２６℃）のときのマ
ークＭの画像データとを比較して、常温（２６℃）のマークＭからのずれ量（変形度合い
（膨張度合い））を算出する（算出工程）。
【００７１】
図１０は、加熱後のマークＭのマザーシート４ＭのマークＭの様子を示すものである。
図１０に示すように、加熱された状態でのマークＭは、その膨張に伴って、常温（２６℃
）のときのマークＭに比べてＹ矢印方向側に伸長して配置される。本実施形態では、例え
ば、Ｙ矢印方向側に０．５μｍ×８＝４．０μｍだけ伸長する。従って、マークＭの付近
（マザーシート４ＭのＹ矢印方向側の端部）にある区画領域ＲのＹ矢印方向の長さは、１
０μｍ＋４．０μｍ＝１４．０μｍとなる。
【００７２】
ここで、マザーシート４Ｍの中心をマザーシート４Ｍの膨張の中心とすると、マザーシ
ート４Ｍは、Ｙ矢印方向側だけでなく反Ｙ矢印方向側にも延びる。従って、ＣＰＵ５０Ａ
は、Ｙ矢印方向及び反Ｙ矢印方向については、４．０μｍ×２＝８．０μｍだけ膨張した
と認識する。
【００７３】
次に、ＣＰＵ５０Ａは、タイミング信号生成プログラムに従って生成された吐出タイミ
ング信号ＬＴｏを補正プログラムに従って補正する。つまり、ＣＰＵ５０Ａは、吐出タイ
ミング信号ＬＴｏを、前記ずれ量（膨張度合い）に対応したパルス信号ＱＳ毎にずらした
吐出タイミング信号ＬＴを作成する。本実施形態では、たとえば、マザーシート４ＭのＹ
矢印方向側の端部側の左隅においては、Ｙ矢印方向側に４．０μｍだけ膨張していること
から、吐出タイミング信号ＬＴｏをパルス信号ＱＳの８つ分だけ早いタイミングでＨレベ
ルになる吐出タイミング信号ＬＴに補正（補正工程）。言い換えると、図１１に示すよう
に、パルス信号ＱＳのカウント値が３回目になるタイミングでＨレベルになる吐出タイミ
ング信号ＬＴを作成する。
【００７４】
従って、吐出タイミング信号ＬＴがＨレベルになったタイミングで、即ち、常温（２６
℃）時に比べてＹ矢印方向側に４．０μｍだけ早くノズルＮから液滴Ｆｂが吐出する。こ
の結果、液滴Ｆｂは区画領域Ｒの中心に着弾する。
【００７５】
また、このとき、マザーシート４Ｍは加熱されていることからマザーシート４Ｍ上に着
弾した液滴Ｆｂは加熱される。その結果、液滴Ｆｂ中の溶媒成分が蒸発して直ちに金属粒
子が凝集して内部配線６の配線パターンが形成される。
【００７６】
以降、ステージ２３を０．５μｍ毎にＹ矢印方向に搬送させ、前記ずれ量（膨張度合い
）に基づいた吐出タイミング信号ＬＴのタイミングで選択されたノズルＮから液滴Ｆｂが
吐出する動作を繰り返す。これによって、マザーシート４Ｍ上には、着弾した液滴Ｆｂに
よる内部配線６の配線パターンが形成の配線パターンが形成される。
【００７７】
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、ステージ２３を０．５μｍ毎にＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方
向に沿って移動可能とした。また、吐出タイミング信号ＬＴｏを加熱によるマザーシート
４Ｍの膨張度合いに基づいて補正するようにした。従って、ノズルＮからの液滴Ｆｂの着
弾位置をマザーシート４Ｍの膨張度合いに基づいて０．５μｍ毎に調整することができる
。この結果、マザーシート４Ｍを加熱することでマザーシート４Ｍが膨張した場合であっ
ても、液滴Ｆｂは区画領域Ｒの所望の位置に着弾させることができることから、内部配線
６の配線パターンを目的の位置に精度良く形成することができる。
【００７８】
（２）本実施形態によれば、内部配線６の配線パターンを目的の位置に精度良く形成す
ることができることから、所望の特性を有した回路モジュール１を形成することが可能と
なる。また、所望の特性を有したグリーンシート４Ｇの形成が可能となることから、グリ
ーンシート４Ｇの歩留まりを向上させることができる。
【００７９】
（３）本実施形態によれば、基台２１に第１及び第２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２から
なる移動位置検出センサＥｂを具備した。そして、基台２１上に載置されたステージ２３
を液滴Ｆｂの着弾径よりも短いピッチで移動可能とした。従って、液滴Ｆｂの着弾径より
も短いピッチで液滴Ｆｂの着弾位置を制御することができる。この結果、液滴Ｆｂの着弾
位置を正確に補正することができる。
【００８０】
（６）本実施形態によれば、焼成前のマザーシート４Ｍの左上隅にマークＭを配置形成
した。そして、加熱されたマザーシート４ＭのマークＭをカメラＫにて撮影し、その画像
データと、常温（２６℃）でのマークＭの画像データとを比較することによって、吐出タ
イミング信号ＬＴｏの出力タイミングを補正するようにした。従って、マザーシート４Ｍ
の膨張度合いを精度良く検出することができることから、所望の特性を有したグリーンシ
ート４Ｇを確実に形成することができる。
【００８１】
（７）本実施形態によれば、ステージ２３に載置されたマザーシート４Ｍを、吐出ヘッ
ド３０から吐出される時の金属インクＦの温度以上かつ金属インクＦに含まれる機能性材
料の沸点未満（液体組成中の最も沸点の低い温度未満）の温度となるように加熱制御する
ようにした。従って、グリーンシート４Ｇ上に着弾した液滴Ｆｂは加熱され、液滴Ｆｂ中
の溶媒成分が蒸発して直ちに金属粒子が凝集する。この結果、内部配線６を短時間で形成
することができる。
【００８２】
尚、この発明は、以下のように変更して具体化することもできる。
・上記実施形態では、Ｘ矢印方向に沿ってノズルＮを配置形成し、Ｘ矢印方向と直交する
Ｙ矢印方向に沿ってマザーシート４ＭをノズルＮに対して相対移動させるようにしたが、
本発明はこれに限定されない。ノズルＮがＸ矢印方向に対して傾いていてもよいし、また
、マザーシート４ＭがＹ矢印方向に対して傾いて移動するような構成であってもよい。
・上記実施形態では、マザーシート４ＭにマークＭを形成し、そのマークＭのずれ量から
マザーシート４Ｍの熱変形度合い（膨張度合い）を算出するようにしたが、本発明はこれ
に限定されない。たとえば、マザーシート４Ｍに予め形成された複数のビアホール７の中
から特定のビアホール７を選択しその形成位置の偏倚量からグリーンシート４Ｇの熱変形
度合いを算出するようにしてもよい。このようにすることによって、変形度合いを算出す
るための特別なマーク（目印）を形成する必要が無いことから、簡単にグリーンシート４
Ｇの熱変形度合いを算出することができる。
・上記実施形態では、マークＭをマザーシート４Ｍの左上隅に配置形成したが、本発明は
これに限定されるものではなく、マザーシート４Ｍ上であって、描画領域Ｚ以外の領域で
あれば、どこに配置形成してもよい。
・上記実施形態では、位置検出手段としてエンコーダＥに具体化したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えば、Ｙ軸モータＭＹの回転数をカウントするカウンタに具
体化してもよい。要は、基台２１に対するステージ２３のＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向の
移動量を測定することができればどんなものであってもよい。
・上記実施形態では、加熱手段としてラバーヒータＨを使用したが、本発明はこれに限定
されない。例えば、誘導加熱であってもよい。この場合、誘導加熱を構成する高周波発振
用コイルをステージ２３に埋設するようにしてもよい。このようにすることでも上記実施
形態と同様な効果を得ることができる。
・上記実施形態では、内部配線６を構成する機能性材料として銀（Ａｇ）の微粒子に具体
化したが、本発明はこれに限定されない。銀（Ａｇ）以外に、例えば、金（Ａｕ）、白金
（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、
ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、鉄（Ｆｅ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、
コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔ
ａ）、タングステン（Ｗ）、インジウム（Ｉｎ）のいずれか１つが利用されていてもよい
し、または、いずれか２以上が組み合わされた合金が利用されていてもよい。但し、銀で
あれば比較的低温で還元されるため、扱いが容易であり、この点で、液滴吐出装置を利用
する場合には、銀（Ａｇ）を含有する機能液を利用することが好ましい。
【００８３】
また、金属に代えて、有機化合物を含んでいてもよい。ここでいう有機化合物は、加熱
による分解によって金属が析出するような化合物である。このような有機化合物としては
、クロロトリエチルホスフィン金、クロロトリメチルホスフィン金、クロロトリフェニル
フォスフィン金、銀２，４−ペンタンヂオナン錯体、銅ヘキサフルオロペンタンジオナシ
クロオクタジエン錯体、等がある。
【００８４】
さらに、機能液に含まれる金属の形態は、ナノ粒子に代表される粒子の形態でもよいし
、有機化合物のような化合物の形態であってもよい。
さらにまた、機能液は。金属に代えて、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレ
ンビニレン、ポリ（３，４エチレンジオキシトオフェン）（ＰＥＤＯＴ）等の導電性高分
子の可溶性材料を含んでいてもよい。
・上記実施形態では、基板としてグリーンシート４Ｇに具体化したが本発明の基板はこれ
に限定されるものではなく、エポキシ基板、ガラスエポキシ基板、セラミック基板、また
はシリコン基板などが利用されてよい。このようにした場合であっても、上記実施形態で
は説明した効果と同様な効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】回路モジュールの側断面図。
【図２】液滴吐出装置の全体斜視図。
【図３】基台とステージとの連結部の概略断面拡大図。
【図４】液滴吐出ヘッドの底面図。
【図５】液滴吐出ヘッドの構成を説明するための図。
【図６】液滴吐出ヘッドの要部側断面図。
【図７】パターンが形成された後のマザーシートの上面図。
【図８】パターンが形成される前のマザーシートの上面図。
【図９】液滴吐出装置の電気的構成を説明するためのブロック図。
【図１０】本発明のパターン形成方法の作用を説明するための図。
【図１１】同じく、本発明のパターン形成方法の作用を説明するための図。
【符号の説明】
【００８６】
ＢＤ…データとしてのビットマップデータ、Ｅ…エンコーダ、Ｆ…機能液及び液状体と
しての金属インク、Ｆｂ…液滴、Ｈ…加熱手段としてのラバーヒータ、Ｋ…カメラ、４Ｇ
…多孔質性基板、低温焼成用シート、基板及び回路基板としてのグリーンシート、５…回
路素子、７…ビアホール、７ａ…ビアホール、２０…パターン形成装置としての液滴吐出
装置、５０Ａ…算出手段及び補正手段としてのＣＰＵ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法及びパターン形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、機能性パターンを形成するために、機能性材料をアセトンなどの溶媒に溶解また
は分散させて液状体に加工し、更に微小な液滴（インク）にして基板上に配置してパター
ニングをする、所謂液滴吐出法（インクジェット法）が知られている（例えば、特許文献
１参照）。
【０００３】
この種の液滴吐出法（インクジェット法）においては、基板を加熱しながら液滴（イン
ク）を順次吐出することによって、前記基板上に配置された液滴（インク）の乾燥速度を
速めることで、パターニング速度を向上させる技術が提案されている。
【特許文献１】特開２００４−３０６３７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特に、溶媒として公知の水系溶媒を使用した場合では、前記溶媒を確実
に蒸発させるために基板温度を４６℃程度に加熱させる必要がある。この結果、基板の構
成材料にもよるが、加熱中においては通常は基板が熱膨張をしてしまう。例えば、基板と
してグリーンシートを使用した場合、２６℃（常温）から４６℃に加熱すると、８０μｍ
程度延びてしまう。
【０００５】
この結果、基板を加熱しながらパターンを形成する場合では、膨張した基板上に液滴が
配置されてしまうため、所望の位置にパターンが形成されなくなってしまうという問題が
あった。例えば、予めビアホール等が形成されたグリーンシートに対してパターンをその
ビアホールに接続されるように形成する場合では、グリーンシートの熱膨張によって液滴
の配置位置が大きくずれてしまう。このため、形成されたパターンがビアホールに接続さ
れなくなってしまい、所望の特性の基板が作製されなくなってしまう。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みなされたもので、その目的は、基板を加熱しながら基板
上にパターンを目的の位置に精度良く形成することが可能となるパターン形成方法及パタ
ーン形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のパターン形成方法は、吐出ヘッドのノズルから機能材料を含む機能液の液滴を
データによって指定された基板上の複数の領域の各々に対して予め設定された吐出タイミ
ングで吐出して、前記基板上に着弾した前記液滴からなるパターンを形成するパターン形
成方法において、前記基板の表面温度を、前記液滴の吐出時の前記液滴の温度以上であっ
て前記機能材料の沸点以下の温度範囲内に加熱する加熱工程と、前記加熱による前記基板
の変形度合いを算出する算出工程と、前記変形度合いに基づいて、前記液滴が前記データ
によって指定された前記領域に着弾するように、前記吐出タイミングを補正する補正工程
とを備えている。
【０００８】
これによれば、基板を加熱することによって基板が変形しても、液滴が所望の領域に着
弾する。この結果、パターンを目的の位置に精度良く形成することが可能となる。また、
基板は加熱されることから、基板上に着弾した液滴は直ちに乾燥される。このため、短時
間でパターンが形成される。
【０００９】
このパターン形成方法において、前記補正工程は、前記基板を前記吐出ヘッドに対して
前記液滴の着弾径よりも短いピッチ毎に相対移動させて前記液滴の吐出タイミングを補正
するようにしてもよい。
【００１０】
これによれば、基板の移動量は、各液滴の着弾径に比べて細かく制御されることから、
液滴の着弾位置を正確に補正することができる。
このパターン形成方法において、前記吐出タイミングは、前記吐出ヘッドに対する前記
基板の相対位置を検知する位置検出信号を、前記変形度合いに基づいて分周することによ
って生成するようにしてもよい。
【００１１】
これによれば、吐出タイミングは位置検出信号に基づいて作成される。
このパターン形成方法において、前記算出工程は、前記基板上に予め配置形成したマー
クを、前記基板を加熱する前と加熱した後とで比較して、その加熱によるずれ度合いを算
出するようにしてもよい。
【００１２】
これによれば、基板の加熱による変形度合いが精度良く算出される。
このパターン形成方法において、前記基板は、多孔質性基板であってセラミックス粒子
と樹脂とから構成される低温焼成用シートであり、前記機能液は、前記機能材料として金
属材料を分散させた液状体であってもよい。
【００１３】
これによれば、基板上に形成される配線パターンを短時間でかつ目的の位置に精度良く
形成することが可能となる。
このパターン形成方法において、前記基板は、回路素子が実装されるとともにその実装
された前記回路素子に対して電気的に接続された配線が形成される回路基板であってもよ
い。
【００１４】
これによれば、回路素子が形成された所望の特性を有した回路基板を短時間で形成する
ことができる。
このパターン形成方法において、前記データはビットマップデータであってもよい。
【００１５】
これによれば、簡単な形式で液滴の吐出制御を行うことができる。
本発明のパターン形成装置は、吐出ヘッドのノズルから機能材料を含む機能液の液滴を
データによって指定された基板上の複数の領域の各々に対して予め設定された吐出タイミ
ングで吐出して、前記基板上に着弾した前記液滴からなるパターンを形成するパターン形
成装置において、前記基板の表面温度を、前記液滴の吐出時の前記液滴の温度以上であっ
て前記機能材料の沸点以下の温度範囲内に加熱する加熱手段と、前記加熱による前記基板
の変形度合いを算出する算出手段と、前記変形度合いに基づいて、前記液滴が前記データ
によって指定された前記領域に着弾するように、前記吐出タイミングを補正する補正手段
とを備えている。
【００１６】
これによれば、基板を加熱することによって基板が変形しても、液滴が所望の領域に着
弾する。この結果、パターンを目的の位置に精度良く形成することが可能となる。また、
基板は加熱されることから、基板上に着弾した液滴は直ちに乾燥される。このため、短時
間でパターンが形成される。
【００１７】
このパターン形成装置において、さらに、前記基板を一方向に移動可能に支持する基台
と、前記吐出ヘッドに対する前記基板の相対位置を前記液滴の着弾径よりも短いピッチで
検出する位置検出手段とを備え、前記補正手段は、前記位置検出手段からの位置検出信号
を、前記変形度合いに基づいたタイミングで分周することによって前記吐出タイミングを
補正するようにしてもよい。
【００１８】
これによれば、液滴吐出タイミング信号が変形度合いに基づいて各液滴の着弾径に比べ
て細かく補正される。
このパターン形成装置において、前記位置検出手段は、エンコーダであってもよい。
【００１９】
これによれば、簡単な構成で液滴吐出タイミング信号を制御することができる。
このパターン形成装置において、前記算出手段は、前記基板上に予め配置形成したマー
クを、前記基板を前記温度範囲内の温度に加熱する前と、前記基板を前記温度範囲内の温
度に加熱した後とで比較して、その加熱によるずれ度合いを算出するようにしてもよい。
【００２０】
これによれば、基板の加熱による変形度合いが精度良く算出される。
このパターン形成装置において、前記データはビットマップデータであってもよい。
これによれば、簡単な形式で液滴の吐出制御を行うことができる。
【００２１】
このパターン形成装置において、前記機能液は、前記基板上に実装される回路素子に対
して電気的に接続された配線を構成する金属材料が分散された液状体であってもよい。
これによれば、回路素子が形成された所望の特性を有した回路基板を短時間で形成する
ことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化したパターン形成方法及びパターン形成装置の一実施形態を図面
に従って説明する。
まず、本発明のパターン形成方法及びパターン形成装置を用いて形成された回路モジュ
ール１について説明する。
【００２３】
図１において、回路モジュール１には、板状に形成されたＬＴＣＣ多層基板２と、その
ＬＴＣＣ多層基板２の上側にワイヤーボンディング接続された半導体チップ３とが備えら
れている。
【００２４】
ＬＴＣＣ多層基板２は、シート状に形成された複数の回路基板としてのＬＴＣＣ基板４
の積層体である。各ＬＴＣＣ基板４は、それぞれガラスセラミックス系材料（例えば、ホ
ウケイ酸アルカリ酸化物などのガラス成分とアルミナなどのセラミックス成分の焼結体）
（多孔質性基板）であって、その厚みが数百μｍである。
【００２５】
各ＬＴＣＣ基板４には、抵抗素子、容量素子、コイル素子などの各種回路素子５と、各
回路素子５を電気的に接続する内部配線６と、スタックビア構造、サーマルビア構造を呈
する所定の孔径（例えば、直径３０μｍ）を有した複数のビアホール７と、該ビアホール
７に充填されたビア配線８と、が形成されている。
【００２６】
各内部配線６は、それぞれ機能材料及び金属材料としての銀（Ａｇ）の微粒子が焼結し
た焼結体であって、その配線パターンはパターン形成装置としての液滴吐出装置（インク
ジェット装置）を使用して形成される。
【００２７】
次に、その液滴吐出装置２０について図２〜図９に従って説明する。図２は、液滴吐出
装置２０を説明する全体斜視図である。
図２において、液滴吐出装置２０は、直方体形状に形成された基台２１を有している。
基台２１の上面には、その長手方向（Ｙ矢印方向）に沿って延びる案内溝２２が形成され
、その案内溝２２に沿ってＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に移動可能とするステージ２３が
載置されている。ステージ２３の上面には載置部２３ａが設けられ、マザーシート４Ｍが
載置されるようになっている。そして、載置部２３ａは、載置された状態のマザーシート
４Ｍをステージ２３に対して位置決め固定して、マザーシート４ＭをＹ矢印方向及び反Ｙ
矢印方向に搬送する。
【００２８】
また、基台２１に形成した案内溝２２の底面２２ａには、位置検出手段としてのエンコ
ーダＥ（図９参照）を構成する被検出プレートＥａがＹ矢印方向に沿って配設されている
。被検出プレートＥａのＹ矢印方向に延びる上面には、縞パターンＧが形成されている。
この縞パターンＧは、光反射部と非光反射部とが交互に形成され、その交互に形成された
光反射部と光反射微が、Ｙ矢印方向に沿って十分に細かいピッチで形成されている。本実
施形態においては、Ｙ矢印方向に沿って０．５μｍピッチで構成されている。
【００２９】
また、図３に示すように、ステージ２３の下面２３ｂには、案内溝２２に嵌入するよう
に反Ｚ矢印方向に突出した案内凸部２４が設けられている。案内凸部２４の先端部２４ａ
には凹部Ｗが設けられ、該凹部Ｗには位置検出手段としてのエンコーダＥ（図９参照）を
構成する移動位置検出センサＥｂが設けられている。移動位置検出センサＥｂは、第１及
び第２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２とから構成されている。第１及び第２のホトカプラＰ
Ｃ１，ＰＣ２は、それぞれ、発光ダイオード及びフォトダイオードで構成され前記縞パタ
ーンＧを検知する。そして、第１及び第２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２は、ステージ２３
のＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向における移動量と移動方向を検出するためのパルス検出信
号Ｓａ，Ｓｂをそれぞれ出力する（図９参照）。
【００３０】
第１及び第２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２は、縞パターンＧのピッチに対して半ピッチ
（本実施形態では、０．２５μｍ）だけ互いにずらして配置されている。そして、ステー
ジ２３がＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に往復移動するときに、第１及び第２のホトカプラ
ＰＣ１，ＰＣ２からの各パルス検出信号Ｓａ，Ｓｂの波形は、一方のパルス検出信号Ｓａ
に対して他方のパルス検出信号Ｓｂが９０度位相のずれた波形の信号となる。
【００３１】
従って、ステージ２３が基台２１上をＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に沿って移動すると
、第１及び第２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２からそれぞれパルス検出信号Ｓａ，Ｓｂが出
力される。そして、この両パルス検出信号Ｓａ，Ｓｂによってステージ２３上に載置され
たマザーシート４ＭのＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に対する移動方向とその移動量が、０
．５μｍ毎に検知されるようになっている。
【００３２】
図２に示すステージ２３の載置部２３ａに載置されたマザーシート４Ｍは、焼成前のＬ
ＴＣＣ基板４（以下、グリーンシート４Ｇ（図７参照）という）を複数枚切出し可能とし
た１枚の大判の基板である。本実施形態では、説明を簡単にするために、図７に示すよう
に、１枚のマザーシート４Ｍに対してマトリクス状に１０×１０個のＬＴＣＣ基板４を形
成する場合について説明する。
【００３３】
つまり、図７に示すように、１枚のマザーシート４Ｍは、ＬＴＣＣ基板４を形成する領
域（以下、「描画領域」という）Ｚがマトリクス状に区画形成されるとともに、各描画領
域Ｚ以外にはＬＴＣＣ基板４を形成しない領域（以下、「非描画領域」という）Ｑが形成
されている。各描画領域Ｚは四角形状を成している。非描画領域Ｑは、各描画領域Ｚの間
隙に配置されることから、全体として格子形状を成している。以下、説明の便宜上、マザ
ーシート４Ｍの縦方向をＹ矢印方向とし、マザーシート４Ｍの横方向をＸ矢印方向と定義
する。また、本実施形態においては、マザーシート４Ｍは、加熱されると縦方向（Ｙ矢印
方向）にのみ膨張し、横方向（Ｘ矢印方向）には膨張及び収縮しないものとする。
【００３４】
図２において、ステージ２３の上面には、加熱手段としてのラバーヒータＨが埋設され
ている。載置部２３ａに載置されたマザーシート４Ｍは、ラバーヒータＨによって加熱さ
れる。従って、載置部２３ａに載置されたマザーシート４Ｍは、ラバーヒータＨによって
加熱されると、縦方向（Ｙ矢印方向）にのみ膨張し、横方向（Ｘ矢印方向）には膨張及び
収縮しない。
【００３５】
また、基台２１には、その搬送方向と直交する方向（Ｘ矢印方向）に跨ぐ門型のガイド
部材２５が架設されている。ガイド部材２５の上側には、インクタンク２６が配設されて
いる。インクタンク２６は、機能液としての金属インクＦを貯留して、貯留する金属イン
クＦを液滴吐出ヘッド３０に所定の圧力で供給する。
【００３６】
金属インクＦは、例えば、粒径が数ｎｍの銀（Ａｇ）の微粒子を水系溶媒に分散させた
水系金属インクである。金属インクＦの液滴Ｆｂは、加熱されると溶媒或いは分散媒の一
部が蒸発してその表面の外形を増粘させる。
【００３７】
ガイド部材２５には、そのＸ矢印方向略全幅に渡って、Ｘ矢印方向に延びる上下一対の
ガイドレール２８が形成されている。上下一対のガイドレール２８には、キャリッジ２９
が取り付けられている。キャリッジ２９は、ガイドレール２８に案内されてＸ矢印方向及
び反Ｘ矢印方向に移動する。
【００３８】
キャリッジ２９には、液滴吐出ヘッド（以下、単に「吐出ヘッド」という）３０及びカ
メラＫが配設されている。
図４及び図５は、それぞれ吐出ヘッド３０をマザーシート４Ｍ側（下側）から見た図で
ある。
【００３９】
図４において、吐出ヘッド３０は、Ｘ矢印方向に沿って１５個の吐出ヘッド対Ｈ１，Ｈ
２，Ｈ３，…，Ｈ１５を併設している。各吐出ヘッド対Ｈ１〜Ｈ１５は、第１の吐出ヘッ
ドＨａと、該第１の吐出ヘッドＨａに対してＹ矢印方向に併設された第２の吐出ヘッドＨ
ｂとを備えている。各吐出ヘッドＨａ，Ｈｂのノズルプレート３１は、一対のノズル列Ｎ
Ｌを備えている。図５に示すように、各ノズル列ＮＬには、Ｘ矢印方向に沿って複数のノ
ズルＮが等ピッチで配列されている。本実施形態では、各ノズル列ＮＬに２００個のノズ
ルＮが４０μｍのピッチで配列されている。
【００４０】
また、各吐出ヘッドＨａ，Ｈｂにおいては、一方のノズル列ＮＬの各ノズルＮが他方の
ノズル列ＮＬの各ノズルＮに対してＸ矢印方向に沿って半ピッチずれて配列されている。
従って、各吐出ヘッドＨａ，Ｈｂにおいては、一方のノズル列ＮＬの各ノズルＮの中間位
置に他方のノズル列ＮＬの各ノズルＮが位置することとなる。つまり、一方のノズル列Ｎ
Ｌの各ノズルＮが他方のノズル列ＮＬの各ノズルＮの間を補間している。尚、本実施形態
においては、各ノズル列ＮＬでは各ノズルＮが４０μｍのピッチで配列されていることか
ら、各吐出ヘッドＨａ，Ｈｂでは、ノズルＮがＸ矢印方向に沿って２０μｍのピッチで配
列されることとなる。従って、各吐出ヘッドＨａ，Ｈｂでは、Ｘ矢印方向に沿って２×２
００＝４００個のノズルＮが２０μｍの等ピッチで配列されている。
【００４１】
また、第１の吐出ヘッドＨａの各ノズル列ＮＬは、第２の吐出ヘッドＨｂの各ノズル列
ＮＬとＸ矢印方向に沿って半ピッチずれて配列されている。従って、第１の吐出ヘッドＨ
ａに配置形成される各ノズルＮの中間位置に第２の吐出ヘッドＨｂに配置形成されるノズ
ルＮが位置することとなる。つまり、第１の吐出ヘッドＨａの各ノズル列ＮＬの各ノズル
Ｎが第２の吐出ヘッドＨｂのノズル列ＮＬの各ノズルＮの間を補間している。尚、本実施
形態においては、各吐出ヘッドＨａ，ＨｂのノズルＮは２０μｍのピッチで配列されてい
ることから、各吐出ヘッド対Ｈ１〜Ｈ１５では、ノズルＮがＸ矢印方向に沿って１０μｍ
のピッチで配列されることとなる。従って、各吐出ヘッド対Ｈ１〜Ｈ１５では、Ｘ矢印方
向に沿って２×４００＝８００個のノズルＮが１０μｍの等ピッチで配列されている。
【００４２】
そして、図３に示すように、各ノズルＮがＸ矢印方向に沿って等間隔に連続して配置さ
れるように各吐出ヘッド対Ｈ１〜Ｈ１５はその一部が互いに重なり合って階段状に連結さ
れている。従って、前記のように吐出ヘッド対Ｈ１〜Ｈ１５を配置することによって、全
体として、１５×８００＝１．２×１０４個のノズルＮがＸ矢印方向に沿って１０μｍの
等ピッチで配列されている。
【００４３】
図６は、吐出ヘッド３０の第１の吐出ヘッドＨａの内部構成を説明するための要部断面
図である。尚、第２の吐出ヘッドＨｂについては、第１の吐出ヘッドＨａと同じ構成であ
ることから、その詳細な説明を省略する。
【００４４】
図６において、各吐出ヘッドＨａは、その上側に供給チューブ３０Ｔが連結されている
。供給チューブ３０Ｔは、Ｚ矢印方向に延びるように配設されて、インクタンク２６から
の金属インクＦを吐出ヘッド３０に供給する。
【００４５】
ノズルＮの上側には、供給チューブ３０Ｔに連通するキャビティ３２が形成されている
。キャビティ３２は、供給チューブ３０Ｔからの金属インクＦを収容して、対応するノズ
ルＮに金属インクＦを供給する。キャビティ３２の上側には、上下方向に振動してキャビ
ティ３２内の容積を拡大及び縮小する振動板３３が貼り付けられている。振動板３３の上
側には、ノズルＮに対応する圧電素子ＰＺが配設されている。圧電素子ＰＺは、上下方向
に収縮及び伸張して振動板３３を上下方向に振動させる。上下方向に振動する振動板３３
は、金属インクＦを所定のサイズの液滴Ｆｂに形成し、対応するノズルＮから吐出させる
。吐出された液滴Ｆｂは、対応するノズルＮの反Ｚ矢印方向に飛行して、マザーシート４
Ｍの描画平面（パターン形成面４Ｍａ）上に配置形成された前記各描画領域Ｚ内に着弾す
る。
【００４６】
そして、各描画領域Ｚ内に着弾した液滴Ｆｂ（金属インクＦ）は、前述したように、ラ
バーヒータＨによって加熱されたマザーシート４Ｍの描画平面（パターン形成面４Ｍａ）
上に着弾することによって、溶媒或いは分散媒の一部が蒸発する。そして、その表面の外
形が増粘し、マザーシート４Ｍの面方向に沿う自身の濡れ広がりが停止して局在する。そ
して、各描画領域Ｚ内に着弾して局在した液滴Ｆｂ（金属インクＦ）は、複数連なって繋
がるようにして配置されることで、例えば、図７に示すような、３本のライン状の内部配
線６の配線パターンを形成する。
【００４７】
図２に示すように、カメラＫは、キャリッジ２９上であって前記吐出ヘッド３０に隣接
した位置に設けられている。カメラＫは、載置部２３ａに載置されたマザーシート４Ｍの
パターン形成面４Ｍａを撮影可能となるように設けられている。詳述すると、図８に示す
ように、焼成前のマザーシート４Ｍには、その左上隅（マザーシート４ＭのＹ矢印方向側
の端部側の左隅）にある非描画領域Ｑ内にマークＭが形成されている。このマークＭは、
常温（２６℃）時の焼成前のマザーシート４Ｍに対して密着して形成されたものである。
カメラＫは、そのマークＭの様子を撮影し、その撮影されたマークＭの画像データを後記
する制御装置５０に出力する。
【００４８】
次に、前記液滴吐出装置２０の電気的構成について図９に従って説明する。
図９に示すように、液滴吐出装置２０は、制御装置５０を備えている。制御装置５０に
は、各種操作スイッチとディスプレイを有した入出力装置５１が接続されている。入出力
装置５１は、液滴吐出装置２０が実行する各種処理の処理状況を表示したり、内部配線６
を形成するためのデータとしてのビットマップデータＢＤを制御装置５０に入力したりす
る。
【００４９】
ビットマップデータＢＤは、各ビットの値（「０」（Ｌレベル）或いは「１」（Ｈレベ
ル））に応じた各圧電素子ＰＺのオン或いはオフを規定したデータである。詳しくは、本
実施形態のマザーシート４Ｍのパターン形成面４Ｍａは、Ｙ矢印方向に沿って１．２×１
０４、Ｘ矢印方向に沿って１．２×１０４にそれぞれ等分されることで、（１．２×１０
４）×（１．２×１０４）個の微小な四角形状の区画領域Ｒ（図８参照）に予め仮想的に
規定されている。この区画領域Ｒは、一辺の長さがノズルＮのピッチと等しい正方形形状
を成している。本実施形態では、区画領域Ｒの一辺の長さは１０μｍである。ビットマッ
プデータＢＤは、吐出ヘッド３０（各ノズルＮ）が通過するマザーシート４Ｍ上の対応す
る各区画領域Ｒに対してそれぞれ液滴Ｆｂを吐出するか否かを規定したデータである。
【００５０】
つまり、前記吐出ヘッド対Ｈ１〜Ｈ１５は、前記したように、全体として１５×８００
＝１．２×１０４個のノズルＮがＸ矢印方向に沿って配置されている。そして、ビットマ
ップデータＢＤは、マザーシート４Ｍが常温（２６℃）であるとき、各領域Ｒに対して各
圧電素子ＰＺのオン或いはオフさせるためのデータであり、（１．２×１０４）×（１．
２×１０４）のデータ数を有している。
【００５１】
また、制御装置５０は、エンコーダＥを構成する第１及び第２のホトカプラＰＣ１，Ｐ
Ｃ２（移動位置検出センサＥｂ）が接続されている。制御装置５０には、前記第１及び第
２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２からのパルス検出信号Ｓａ，Ｓｂが入力される。さらに、
制御装置５０は、カメラＫが接続されている。制御装置５０はカメラＫが撮影した画像デ
ータが入力される。
【００５２】
制御装置５０は、算出手段及び補正手段としてのＣＰＵ５０Ａ、ＲＯＭ５０Ｂ及びＲＡ
Ｍ５０Ｃを備えている。ＲＯＭ５０Ｂには、各種駆動制御プログラム、算出プログラム、
ステージ制御プログラム、タイミング信号生成プログラム及び補正プログラムが格納され
ている。
【００５３】
駆動制御プログラムは、キャリッジ２９の往復動処理、カメラＫの駆動制御処理及び圧
電素子ＰＺの駆動制御処理等を実行させるためのプログラムを含んでいる。
また、駆動制御プログラムは、ラバーヒータＨの加熱制御処理を実行させるための加熱
制御プログラムを含んでいる。この加熱制御プログラムは、マザーシート４Ｍの温度を、
吐出ヘッド３０から吐出される時の金属インクＦの温度以上であって、かつ金属インクＦ
に含まれる機能性材料の沸点未満（液体組成中の最も沸点の低い温度未満）の温度範囲の
温度（設定温度）となるようにラバーヒータＨを加熱・冷却制御するためのプログラムで
ある。本実施形態では、例えばマザーシート４Ｍの表面温度を４６℃に設定する制御信号
を生成するためのプログラムである。
【００５４】
算出プログラムは、マザーシート４Ｍに印刷されたマークＭのカメラＫからの画像デー
タに基づいて、マザーシート４Ｍの加熱による変形度合い（膨張度合い）を算出するため
のプログラムである。
【００５５】
ステージ制御プログラムは、第１及び第２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２からのパルス検
出信号Ｓａ，Ｓｂに基づいて、ステージ２３上に載置されたマザーシート４ＭのＹ矢印方
向及び反Ｙ矢印方向に対する移動量を、０．５μｍ毎に制御するためのプログラムである
。詳しくは、ステージ制御プログラムは、第１及び第２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２から
のパルス検出信号Ｓａ，Ｓｂに基づいて位置検出信号としてのパルス信号ＱＳを作成する
（図１１参照）。このパルス信号ＱＳは、縞パターンＧに対応したものである。従って、
パルス信号ＱＳのカウント値から吐出ヘッド３０に対するマザーシート４Ｍの相対位置が
認識されることとなる。
【００５６】
つまり、本実施形態では、前記したように、各区画領域Ｒの一辺の長さは、常温（２６
℃）時においては、１０μｍである。従って、常温（２６℃）時においては、１０μｍ／
０．５μｍ＝２０回のパルス信号ＱＳがカウントされるとマザーシート４Ｍが１つの区画
領域Ｒ分だけ移動したことが認識されることとなる。例えば、常温（２６℃）時において
は、パルス信号ＱＳのカウント値が１１回目であるとき、吐出ヘッド３０のノズルＮが各
区画領域Ｒの中心に正対することとなる。
【００５７】
タイミング信号生成プログラムは、パルス信号ＱＳを分周してノズルＮから液滴Ｆｂを
吐出させる吐出タイミング信号ＬＴｏを生成するためのプログラムである。本実施形態で
は、常温（２６℃）時においては、パルス信号ＱＳのカウント値が１１回目であるときを
分周して吐出タイミング信号ＬＴｏを作成する（図１１参照）。
【００５８】
補正プログラムは、タイミング信号生成プログラムに従って生成された吐出タイミング
信号ＬＴを、マザーシート４Ｍの膨張度合いに基づいて、各区画領域Ｒの中心に液滴Ｆｂ
が着弾するように補正するプログラムである。常温（２６℃）時においては、１１番目の
パルス信号ＱＳの立ち上がり時に吐出タイミング信号ＬＴｏが生成されるが、マザーシー
ト４Ｍは、加熱されるとＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に沿って膨張することから、その膨
張に伴って各区画領域ＲもＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に沿って伸長することとなる。補
正プログラムは、この吐出タイミング信号ＬＴｏを、前述のようにＹ矢印方向及び反Ｙ矢
印方向に沿って伸長した分（膨張度合い）に応じてパルス信号ＱＳ毎にずらした吐出タイ
ミング信号ＬＴ（図１１参照）にするためのプログラムである。
【００５９】
ＣＰＵ５０Ａは、ＲＯＭ５０Ｂに格納された各種プログラムに従ってキャリッジ２９の
往復動処理、ラバーヒータＨの加熱制御処理、カメラＫの駆動制御処理及び圧電素子ＰＺ
の駆動制御処理等を実行する。
【００６０】
また、ＣＰＵ５０Ａは、加熱された後の、マザーシート４Ｍに印刷されたマークＭの画
像データを入力する。そして、ＣＰＵ５０Ａは、算出プログラムに従って、その画像デー
タと、常温（２６℃）のときのマークＭの画像データとを比較して、常温（２６℃）のマ
ークＭからのずれ量（変形度合い（膨張度合い））を算出する。
【００６１】
さらに、ＣＰＵ５０Ａは、補正プログラムに従って、前記ずれ量（膨張度合い）に基づ
いて吐出タイミング信号ＬＴｏの出力タイミングをパルス信号ＱＳ毎にずらして補正され
た吐出タイミング信号ＬＴを作成する。そして、その吐出タイミング信号ＬＴをヘッド駆
動回路５４へ出力する。
【００６２】
また、制御装置５０には、Ｘ軸モータ駆動回路５２が接続されている。制御装置５０は
、駆動制御信号をＸ軸モータ駆動回路５２に出力する。Ｘ軸モータ駆動回路５２は、制御
装置５０からの駆動制御信号に応答して、キャリッジ２９を移動させるためのＸ軸モータ
ＭＸを正転又は逆転させる。
【００６３】
さらに、制御装置５０には、Ｙ軸モータ駆動回路５３が接続されている。制御装置５０
は、駆動制御信号をＹ軸モータ駆動回路５３に出力する。Ｙ軸モータ駆動回路５３は、制
御装置５０からの駆動制御信号に応答して、ステージ２３を０．５μｍ毎にずらしながら
Ｙ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に移動させるようにＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させる。
【００６４】
さらにまた、制御装置５０には、ヘッド駆動回路５４が接続されている。制御装置５０
は、各圧電素子ＰＺを駆動させるための駆動信号ＣＯＭをヘッド駆動回路５４に出力する
。制御装置５０は、ビットマップデータＢＤを利用して所定の周波数に同期した吐出制御
信号ＳＩを生成し、吐出制御信号ＳＩをヘッド駆動回路５４にシリアル転送する。ヘッド
駆動回路５４は、制御装置５０の吐出制御信号ＳＩを各圧電素子ＰＺに対応させて順次シ
リアル／パラレル変換する。また、ヘッド駆動回路５４は、シリアル／パラレル変換した
吐出制御信号ＳＩをラッチし、制御装置５０のＣＰＵ５０Ａにて作成された前記補正され
た吐出タイミング信号ＬＴを受けるたびに吐出制御信号ＳＩによって選択される圧電素子
ＰＺにそれぞれ駆動信号ＣＯＭを供給する。従って、液滴吐出ヘッド３０からは、補正さ
れた吐出タイミング信号ＬＴのタイミング（吐出タイミング信号ＬＴがＨレベルに立ち上
がるタイミング）でノズルＮから液滴Ｆｂを吐出する。
【００６５】
また、制御装置５０は、ラバーヒータ駆動回路５５が接続されている。制御装置５０は
、加熱制御プログラムに従って生成された制御信号をラバーヒータ駆動回路５５に出力す
る。ラバーヒータ駆動回路５５は、制御装置５０からの制御信号に応答して、ラバーヒー
タＨを駆動してステージ２３に載置されたマザーシート４Ｍを加熱する。
【００６６】
さらに、制御装置５０には、カメラ駆動回路５６が接続されている。制御装置５０は、
カメラ駆動回路５６に駆動制御信号を出力する。詳しくは、制御装置５０は、マザーシー
ト４Ｍが加熱された時に、載置部２３ａ上に載置されたマザーシート４Ｍ上に配置形成さ
れたマークＭを撮影する旨の駆動信号を出力する。すると、カメラＫは、このタイミング
で駆動することによってマークＭを撮影し、その画像データを制御装置５０へ出力する。
【００６７】
次に、前記液滴吐出装置２０を使用してマザーシート４Ｍに内部配線６を形成する方法
について図２、図１０及び図１１に従って説明する。
まず、図２に示すように、パターン形成面４ＭａがＺ矢印方向側を向くようにマザーシ
ート４Ｍをステージ２３に載置する。このとき、ステージ２３は、マザーシート４Ｍをキ
ャリッジ２９よりも反Ｙ矢印方向側に配置する。尚、このマザーシート４Ｍは、焼成前の
ものであって、予めビアホール７及びビア配線８が形成されている。
【００６８】
この状態から、ビットマップデータＢＤが入出力装置５１から制御装置５０に入力され
る。つまり、このときに入力されるビットマップデータＢＤは、マザーシート４Ｍが常温
時（２６℃時）であると想定した場合における液滴Ｆｂの吐出を規定するデータである。
そして、ビットマップデータＢＤはＲＡＭ５０Ｃに格納される。
【００６９】
その後、制御装置５０は、ラバーヒータ駆動回路５５を介してステージ２３に設けたラ
バーヒータＨを加熱制御プログラムに従って駆動させる。この結果、ステージ２３に載置
されたマザーシート４Ｍの表面温度は設定温度（４６℃）になる（加熱工程）。
【００７０】
すると、マザーシート４ＭはＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に沿って膨張した状態となる
。この状態で、制御装置５０は、カメラ駆動回路５６を介してカメラＫを駆動させてマザ
ーシート４Ｍの左上隅に配置形成された前記マークＭの様子を撮影する。すると、制御装
置５０には、設定温度（４６℃）に加熱された後のマークＭの画像データが入力される。
続いて、制御装置５０のＣＰＵ５０Ａは、その画像データと、常温（２６℃）のときのマ
ークＭの画像データとを比較して、常温（２６℃）のマークＭからのずれ量（変形度合い
（膨張度合い））を算出する（算出工程）。
【００７１】
図１０は、加熱後のマークＭのマザーシート４ＭのマークＭの様子を示すものである。
図１０に示すように、加熱された状態でのマークＭは、その膨張に伴って、常温（２６℃
）のときのマークＭに比べてＹ矢印方向側に伸長して配置される。本実施形態では、例え
ば、Ｙ矢印方向側に０．５μｍ×８＝４．０μｍだけ伸長する。従って、マークＭの付近
（マザーシート４ＭのＹ矢印方向側の端部）にある区画領域ＲのＹ矢印方向の長さは、１
０μｍ＋４．０μｍ＝１４．０μｍとなる。
【００７２】
ここで、マザーシート４Ｍの中心をマザーシート４Ｍの膨張の中心とすると、マザーシ
ート４Ｍは、Ｙ矢印方向側だけでなく反Ｙ矢印方向側にも延びる。従って、ＣＰＵ５０Ａ
は、Ｙ矢印方向及び反Ｙ矢印方向については、４．０μｍ×２＝８．０μｍだけ膨張した
と認識する。
【００７３】
次に、ＣＰＵ５０Ａは、タイミング信号生成プログラムに従って生成された吐出タイミ
ング信号ＬＴｏを補正プログラムに従って補正する。つまり、ＣＰＵ５０Ａは、吐出タイ
ミング信号ＬＴｏを、前記ずれ量（膨張度合い）に対応したパルス信号ＱＳ毎にずらした
吐出タイミング信号ＬＴを作成する。本実施形態では、たとえば、マザーシート４ＭのＹ
矢印方向側の端部側の左隅においては、Ｙ矢印方向側に４．０μｍだけ膨張していること
から、吐出タイミング信号ＬＴｏをパルス信号ＱＳの８つ分だけ早いタイミングでＨレベ
ルになる吐出タイミング信号ＬＴに補正（補正工程）。言い換えると、図１１に示すよう
に、パルス信号ＱＳのカウント値が３回目になるタイミングでＨレベルになる吐出タイミ
ング信号ＬＴを作成する。
【００７４】
従って、吐出タイミング信号ＬＴがＨレベルになったタイミングで、即ち、常温（２６
℃）時に比べてＹ矢印方向側に４．０μｍだけ早くノズルＮから液滴Ｆｂが吐出する。こ
の結果、液滴Ｆｂは区画領域Ｒの中心に着弾する。
【００７５】
また、このとき、マザーシート４Ｍは加熱されていることからマザーシート４Ｍ上に着
弾した液滴Ｆｂは加熱される。その結果、液滴Ｆｂ中の溶媒成分が蒸発して直ちに金属粒
子が凝集して内部配線６の配線パターンが形成される。
【００７６】
以降、ステージ２３を０．５μｍ毎にＹ矢印方向に搬送させ、前記ずれ量（膨張度合い
）に基づいた吐出タイミング信号ＬＴのタイミングで選択されたノズルＮから液滴Ｆｂが
吐出する動作を繰り返す。これによって、マザーシート４Ｍ上には、着弾した液滴Ｆｂに
よる内部配線６の配線パターンが形成の配線パターンが形成される。
【００７７】
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、ステージ２３を０．５μｍ毎にＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方
向に沿って移動可能とした。また、吐出タイミング信号ＬＴｏを加熱によるマザーシート
４Ｍの膨張度合いに基づいて補正するようにした。従って、ノズルＮからの液滴Ｆｂの着
弾位置をマザーシート４Ｍの膨張度合いに基づいて０．５μｍ毎に調整することができる
。この結果、マザーシート４Ｍを加熱することでマザーシート４Ｍが膨張した場合であっ
ても、液滴Ｆｂは区画領域Ｒの所望の位置に着弾させることができることから、内部配線
６の配線パターンを目的の位置に精度良く形成することができる。
【００７８】
（２）本実施形態によれば、内部配線６の配線パターンを目的の位置に精度良く形成す
ることができることから、所望の特性を有した回路モジュール１を形成することが可能と
なる。また、所望の特性を有したグリーンシート４Ｇの形成が可能となることから、グリ
ーンシート４Ｇの歩留まりを向上させることができる。
【００７９】
（３）本実施形態によれば、基台２１に第１及び第２のホトカプラＰＣ１，ＰＣ２から
なる移動位置検出センサＥｂを具備した。そして、基台２１上に載置されたステージ２３
を液滴Ｆｂの着弾径よりも短いピッチで移動可能とした。従って、液滴Ｆｂの着弾径より
も短いピッチで液滴Ｆｂの着弾位置を制御することができる。この結果、液滴Ｆｂの着弾
位置を正確に補正することができる。
【００８０】
（６）本実施形態によれば、焼成前のマザーシート４Ｍの左上隅にマークＭを配置形成
した。そして、加熱されたマザーシート４ＭのマークＭをカメラＫにて撮影し、その画像
データと、常温（２６℃）でのマークＭの画像データとを比較することによって、吐出タ
イミング信号ＬＴｏの出力タイミングを補正するようにした。従って、マザーシート４Ｍ
の膨張度合いを精度良く検出することができることから、所望の特性を有したグリーンシ
ート４Ｇを確実に形成することができる。
【００８１】
（７）本実施形態によれば、ステージ２３に載置されたマザーシート４Ｍを、吐出ヘッ
ド３０から吐出される時の金属インクＦの温度以上かつ金属インクＦに含まれる機能性材
料の沸点未満（液体組成中の最も沸点の低い温度未満）の温度となるように加熱制御する
ようにした。従って、グリーンシート４Ｇ上に着弾した液滴Ｆｂは加熱され、液滴Ｆｂ中
の溶媒成分が蒸発して直ちに金属粒子が凝集する。この結果、内部配線６を短時間で形成
することができる。
【００８２】
尚、この発明は、以下のように変更して具体化することもできる。
・上記実施形態では、Ｘ矢印方向に沿ってノズルＮを配置形成し、Ｘ矢印方向と直交する
Ｙ矢印方向に沿ってマザーシート４ＭをノズルＮに対して相対移動させるようにしたが、
本発明はこれに限定されない。ノズルＮがＸ矢印方向に対して傾いていてもよいし、また
、マザーシート４ＭがＹ矢印方向に対して傾いて移動するような構成であってもよい。
・上記実施形態では、マザーシート４ＭにマークＭを形成し、そのマークＭのずれ量から
マザーシート４Ｍの熱変形度合い（膨張度合い）を算出するようにしたが、本発明はこれ
に限定されない。たとえば、マザーシート４Ｍに予め形成された複数のビアホール７の中
から特定のビアホール７を選択しその形成位置の偏倚量からグリーンシート４Ｇの熱変形
度合いを算出するようにしてもよい。このようにすることによって、変形度合いを算出す
るための特別なマーク（目印）を形成する必要が無いことから、簡単にグリーンシート４
Ｇの熱変形度合いを算出することができる。
・上記実施形態では、マークＭをマザーシート４Ｍの左上隅に配置形成したが、本発明は
これに限定されるものではなく、マザーシート４Ｍ上であって、描画領域Ｚ以外の領域で
あれば、どこに配置形成してもよい。
・上記実施形態では、位置検出手段としてエンコーダＥに具体化したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えば、Ｙ軸モータＭＹの回転数をカウントするカウンタに具
体化してもよい。要は、基台２１に対するステージ２３のＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向の
移動量を測定することができればどんなものであってもよい。
・上記実施形態では、加熱手段としてラバーヒータＨを使用したが、本発明はこれに限定
されない。例えば、誘導加熱であってもよい。この場合、誘導加熱を構成する高周波発振
用コイルをステージ２３に埋設するようにしてもよい。このようにすることでも上記実施
形態と同様な効果を得ることができる。
・上記実施形態では、内部配線６を構成する機能性材料として銀（Ａｇ）の微粒子に具体
化したが、本発明はこれに限定されない。銀（Ａｇ）以外に、例えば、金（Ａｕ）、白金
（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、
ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、鉄（Ｆｅ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、
コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔ
ａ）、タングステン（Ｗ）、インジウム（Ｉｎ）のいずれか１つが利用されていてもよい
し、または、いずれか２以上が組み合わされた合金が利用されていてもよい。但し、銀で
あれば比較的低温で還元されるため、扱いが容易であり、この点で、液滴吐出装置を利用
する場合には、銀（Ａｇ）を含有する機能液を利用することが好ましい。
【００８３】
また、金属に代えて、有機化合物を含んでいてもよい。ここでいう有機化合物は、加熱
による分解によって金属が析出するような化合物である。このような有機化合物としては
、クロロトリエチルホスフィン金、クロロトリメチルホスフィン金、クロロトリフェニル
フォスフィン金、銀２，４−ペンタンヂオナン錯体、銅ヘキサフルオロペンタンジオナシ
クロオクタジエン錯体、等がある。
【００８４】
さらに、機能液に含まれる金属の形態は、ナノ粒子に代表される粒子の形態でもよいし
、有機化合物のような化合物の形態であってもよい。
さらにまた、機能液は。金属に代えて、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレ
ンビニレン、ポリ（３，４エチレンジオキシトオフェン）（ＰＥＤＯＴ）等の導電性高分
子の可溶性材料を含んでいてもよい。
・上記実施形態では、基板としてグリーンシート４Ｇに具体化したが本発明の基板はこれ
に限定されるものではなく、エポキシ基板、ガラスエポキシ基板、セラミック基板、また
はシリコン基板などが利用されてよい。このようにした場合であっても、上記実施形態で
は説明した効果と同様な効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】回路モジュールの側断面図。
【図２】液滴吐出装置の全体斜視図。
【図３】基台とステージとの連結部の概略断面拡大図。
【図４】液滴吐出ヘッドの底面図。
【図５】液滴吐出ヘッドの構成を説明するための図。
【図６】液滴吐出ヘッドの要部側断面図。
【図７】パターンが形成された後のマザーシートの上面図。
【図８】パターンが形成される前のマザーシートの上面図。
【図９】液滴吐出装置の電気的構成を説明するためのブロック図。
【図１０】本発明のパターン形成方法の作用を説明するための図。
【図１１】同じく、本発明のパターン形成方法の作用を説明するための図。
【符号の説明】
【００８６】
ＢＤ…データとしてのビットマップデータ、Ｅ…エンコーダ、Ｆ…機能液及び液状体と
しての金属インク、Ｆｂ…液滴、Ｈ…加熱手段としてのラバーヒータ、Ｋ…カメラ、４Ｇ
…多孔質性基板、低温焼成用シート、基板及び回路基板としてのグリーンシート、５…回
路素子、７…ビアホール、７ａ…ビアホール、２０…パターン形成装置としての液滴吐出
装置、５０Ａ…算出手段及び補正手段としてのＣＰＵ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吐出ヘッドのノズルから機能材料を含む機能液の液滴をデータによって指定された基板上
の複数の領域の各々に対して予め設定された吐出タイミングで吐出して、前記基板上に着
弾した前記液滴からなるパターンを形成するパターン形成方法において、
前記基板の表面温度を、前記液滴の吐出時の前記液滴の温度以上であって前記機能材料
の沸点以下の温度範囲内に加熱する加熱工程と、
前記加熱による前記基板の変形度合いを算出する算出工程と、
前記変形度合いに基づいて、前記液滴が前記データによって指定された前記領域に着弾
するように、前記吐出タイミングを補正する補正工程と
を備えたことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン形成方法において、
前記補正工程は、前記基板を前記吐出ヘッドに対して前記液滴の着弾径よりも短いピッ
チ毎に相対移動させて前記液滴の吐出タイミングを補正するようにしたことを特徴とする
パターン形成方法。
【請求項３】
請求項２に記載のパターン形成方法において、
前記吐出タイミングは、前記吐出ヘッドに対する前記基板の相対位置を検知する位置検
出信号を、前記変形度合いに基づいて分周することによって生成するようにしたことを特
徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一つに記載のパターン形成方法において、
前記算出工程は、前記基板上に予め配置形成したマークを、前記基板を加熱する前と加
熱した後とで比較して、その加熱によるずれ度合いを算出するようにしたことを特徴とす
るパターン形成方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一つに記載のパターン形成方法において、
前記基板は、多孔質性基板であってセラミックス粒子と樹脂とから構成される低温焼成
用シートであり、
前記機能液は、前記機能材料として金属材料を分散させた液状体であることを特徴とす
るパターン形成方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一つに記載のパターン形成方法において、
前記基板は、回路素子が実装されるとともにその実装された前記回路素子に対して電気
的に接続された配線が形成される回路基板であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一つに記載のパターン形成方法において、
前記データはビットマップデータであることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項８】
吐出ヘッドのノズルから機能材料を含む機能液の液滴をデータによって指定された基板上
の複数の領域の各々に対して予め設定された吐出タイミングで吐出して、前記基板上に着
弾した前記液滴からなるパターンを形成するパターン形成装置において、
前記基板の表面温度を、前記液滴の吐出時の前記液滴の温度以上であって前記機能材料
の沸点以下の温度範囲内に加熱する加熱手段と、
前記加熱による前記基板の変形度合いを算出する算出手段と、
前記変形度合いに基づいて、前記液滴が前記データによって指定された前記領域に着弾
するように、前記吐出タイミングを補正する補正手段と
を備えたことを特徴とするパターン形成装置。
【請求項９】
請求項８に記載のパターン形成装置において、
さらに、前記基板を一方向に移動可能に支持する基台と、前記吐出ヘッドに対する前記
基板の相対位置を前記液滴の着弾径よりも短いピッチで検出する位置検出手段とを備え、
前記補正手段は、前記位置検出手段からの位置検出信号を、前記変形度合いに基づいた
タイミングで分周することによって前記吐出タイミングを補正することを特徴とするパタ
ーン形成装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のパターン形成装置において、
前記位置検出手段は、エンコーダであることを特徴とするパターン形成装置。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか一つに記載のパターン形成装置において、
前記算出手段は、
前記基板上に予め配置形成したマークを、前記基板を前記温度範囲内の温度に加熱する
前と、前記基板を前記温度範囲内の温度に加熱した後とで比較して、その加熱によるずれ
度合いを算出することを特徴とするパターン形成装置。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれか一つに記載のパターン形成装置において、
前記データはビットマップデータであることを特徴とするパターン形成装置。
【請求項１３】
請求項８〜１２のいずれか一つに記載のパターン形成装置において、
前記機能液は、前記基板上に実装される回路素子に対して電気的に接続された配線を構
成する金属材料が分散された液状体であることを特徴とするパターン形成装置。
【請求項１】
吐出ヘッドのノズルから機能材料を含む機能液の液滴をデータによって指定された基板上
の複数の領域の各々に対して予め設定された吐出タイミングで吐出して、前記基板上に着
弾した前記液滴からなるパターンを形成するパターン形成方法において、
前記基板の表面温度を、前記液滴の吐出時の前記液滴の温度以上であって前記機能材料
の沸点以下の温度範囲内に加熱する加熱工程と、
前記加熱による前記基板の変形度合いを算出する算出工程と、
前記変形度合いに基づいて、前記液滴が前記データによって指定された前記領域に着弾
するように、前記吐出タイミングを補正する補正工程と
を備えたことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン形成方法において、
前記補正工程は、前記基板を前記吐出ヘッドに対して前記液滴の着弾径よりも短いピッ
チ毎に相対移動させて前記液滴の吐出タイミングを補正するようにしたことを特徴とする
パターン形成方法。
【請求項３】
請求項２に記載のパターン形成方法において、
前記吐出タイミングは、前記吐出ヘッドに対する前記基板の相対位置を検知する位置検
出信号を、前記変形度合いに基づいて分周することによって生成するようにしたことを特
徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一つに記載のパターン形成方法において、
前記算出工程は、前記基板上に予め配置形成したマークを、前記基板を加熱する前と加
熱した後とで比較して、その加熱によるずれ度合いを算出するようにしたことを特徴とす
るパターン形成方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一つに記載のパターン形成方法において、
前記基板は、多孔質性基板であってセラミックス粒子と樹脂とから構成される低温焼成
用シートであり、
前記機能液は、前記機能材料として金属材料を分散させた液状体であることを特徴とす
るパターン形成方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一つに記載のパターン形成方法において、
前記基板は、回路素子が実装されるとともにその実装された前記回路素子に対して電気
的に接続された配線が形成される回路基板であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一つに記載のパターン形成方法において、
前記データはビットマップデータであることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項８】
吐出ヘッドのノズルから機能材料を含む機能液の液滴をデータによって指定された基板上
の複数の領域の各々に対して予め設定された吐出タイミングで吐出して、前記基板上に着
弾した前記液滴からなるパターンを形成するパターン形成装置において、
前記基板の表面温度を、前記液滴の吐出時の前記液滴の温度以上であって前記機能材料
の沸点以下の温度範囲内に加熱する加熱手段と、
前記加熱による前記基板の変形度合いを算出する算出手段と、
前記変形度合いに基づいて、前記液滴が前記データによって指定された前記領域に着弾
するように、前記吐出タイミングを補正する補正手段と
を備えたことを特徴とするパターン形成装置。
【請求項９】
請求項８に記載のパターン形成装置において、
さらに、前記基板を一方向に移動可能に支持する基台と、前記吐出ヘッドに対する前記
基板の相対位置を前記液滴の着弾径よりも短いピッチで検出する位置検出手段とを備え、
前記補正手段は、前記位置検出手段からの位置検出信号を、前記変形度合いに基づいた
タイミングで分周することによって前記吐出タイミングを補正することを特徴とするパタ
ーン形成装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のパターン形成装置において、
前記位置検出手段は、エンコーダであることを特徴とするパターン形成装置。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか一つに記載のパターン形成装置において、
前記算出手段は、
前記基板上に予め配置形成したマークを、前記基板を前記温度範囲内の温度に加熱する
前と、前記基板を前記温度範囲内の温度に加熱した後とで比較して、その加熱によるずれ
度合いを算出することを特徴とするパターン形成装置。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれか一つに記載のパターン形成装置において、
前記データはビットマップデータであることを特徴とするパターン形成装置。
【請求項１３】
請求項８〜１２のいずれか一つに記載のパターン形成装置において、
前記機能液は、前記基板上に実装される回路素子に対して電気的に接続された配線を構
成する金属材料が分散された液状体であることを特徴とするパターン形成装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００８−１３２４５２（Ｐ２００８−１３２４５２Ａ）
【公開日】平成２０年６月１２日（２００８．６．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３２１２６７（Ｐ２００６−３２１２６７）
【出願日】平成１８年１１月２９日（２００６．１１．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年６月１２日（２００８．６．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１１月２９日（２００６．１１．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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