半導体装置の製造方法

【課題】装置を小型化してもリードの脱落を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】リード１１の上面にハーフエッチにより凹部１７´が形成されたリードフレーム１８を準備する。ダイパッド１３上に半導体チップ１４を搭載する。樹脂１６で一括封止する。樹脂１６で封止したリードフレーム１８をブロック１９ごとに分離する。樹脂封止工程において、凹部１７´を樹脂１６で上方から充填し、リード１１の下面を樹脂１６から露出させる。ダイシング工程において、リード１１の切断面が凹部１７´にくるようにして、リード１１の上面と切断面との間に切り欠き１７を形成する。この切り欠き１７には樹脂が充填されるためリードの脱落が防止される。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded）パッケージに関し、特に装置を小型化してもリードの脱落を防ぐことができる半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＱＦＮパッケージにおいては、パッケージ裏面に外部端子となるリードを露出させる構成上、リードがパッケージから脱落しやすいという問題となる。そのためリードに特殊な形状を施してリード脱落を防止する。図３５は、従来の半導体装置を示す断面図である。ダイパッド１３上に半導体チップ１４が搭載され、半導体チップ１４と複数のリード１１が複数のワイヤ１５によりそれぞれ接続されている。これらの半導体チップ１４、複数のワイヤ１５及び複数のリード１１は樹脂１６により封止され、パッケージ１０が構成されている。そして、パッケージ１０の内部においてリード１１の上面に凹部２５が形成されている。この凹部２５が樹脂１６に引っかかるため、リード１１が樹脂１６からその側面方向に抜け落ちるのを防ぐことができる。側面方向に以外にもそのパッケージの裏面にリードが抜け落ちるのを防ぐために、リードの側面にテーパー形成を施されたものがある。具体的には特許文献１に開示されている。
【０００３】
ＱＦＮパッケージにおいては、１枚のリードフレームに形成された複数のパッケージ形成領域を一括モールドした後、ダイシングにより各パッケージに個片化する製造方法がある。例えば図３６（ｂ）に示すように、ダイパッド１３とダイパッド１３の周りに配置された複数のリード１１を一つのブロック１９として、複数のブロック１９を配列したリードフレーム１８を形成する。そして、互いに隣接するブロック１９間においてリードフレーム１８の下面に凹部２６を設ける。
【０００４】
このようなリードフレーム１８を用意し、ダイパット１３上にチップをダイボンドし、チップとリード１１とをワイヤボンディングした後、リードフレーム１８の複数のブロック１９を一括して樹脂１６でモールドする。そしてダイシングブレード２３がリードフレームの凹部２６を貫くようにして樹脂１６及びリードフレーム１８を切断する。従って図３６（ｂ）のごとく、個片化されたＱＦＮパッケージにおいては、リード１１の下面と外側面との間に切り欠き部２７が形成され、その切り欠き部２７には樹脂が充填されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１５６６８号公報
【特許文献２】特開２００４−２３００７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図３６に示すＱＦＮパッケージの構造およびその製造方法によれば、切り欠き部２７が樹脂１６に引っかかるため図３５の構造と同様、樹脂側面方向からのリードの抜け防止できる。加えて、互いに隣接するブロック１９間において堅い金属のリードフレーム１８が薄くなるため、互いに隣接するブロック１９間をダイシングする際にダイシングブレード２３の磨耗を低減することができる。そしてリードフレーム１８の凹部２６がリードの抜け防止とダイシングブレード２３の磨耗防止とを同時に実現するため、図３５に示す凹部２５が不要となり、リード１１の長さ（断面図の左右方向の長さ）を短かくすることができ、装置の小型化が期待できる。しかしながらリード１１に形成された切り欠き部２７に充填された樹脂１６は、他の大部分の樹脂１６との繋がりが弱いため、欠け易いという問題がある。また切り欠き部２７に充填される樹脂１６の存在によりリード１１の樹脂下面での露出が小さいためＱＦＮパッケージのリードと実装基板との実装面積が小さいという問題もある。
【０００７】
また半導体チップとリードをワイヤにより接続するワイヤボンディング工程において、リードフレームを押え部材で押える必要がある。しかし、上記のようにリードの上面と外側面との間に切り欠きを形成する場合に、リードフレームを押え部材でどのように押えるかは検討されていなかった。従って、リードフレームを押える力を高精度に制御することはできなかった。
【０００８】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、装置を小型化してもリードの脱落を防ぐことができ、かつワイヤボンディング工程においてリードフレームを押える力を高精度に制御することができる半導体装置の製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施例による半導体装置の製造方法においては、まず、ダイパットと、そのダイパット周辺に配置された複数のリードとを含んだ部分を一つのブロックとして、そのブロックを複数個配列したリードフレームであって、リード各々の上面には凹部が形成され、隣り合うブロックの互いに対向するリードの凹部どうしを連結する連結部とを有したリードフレームを準備する。ブロック各々のダイパッド上に半導体チップを搭載し、半導体チップと複数のリードの上面の凹部が形成されていない部分とをワイヤで接続し、複数のブロックに搭載された半導体チップ、ワイヤ及び複数のリードを一括して樹脂で一括に封止する。そして切断面が複数のリードの凹部を通るようにして、リードフレームのブロックごとに分離する。
【発明の効果】
【００１０】
この実施例によれば、複数のリードの上面と切断面との間に切り欠きが形成されるので、装置を小型化してもリードの脱落を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
実施の形態１．
図１は本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す斜視図であり、図２はその下面図である。この半導体装置はQFN（Quad Flat Non-leaded package）である。そして、パッケージ１０の側面からリード１１及び吊りリード１２の一部が露出し、パッケージ１０の下面からリード１１及びダイパッド１３の下面が露出している。なお、パッケージ１０の外形は４ｍｍ×４ｍｍである。
【００１２】
図３は本発明の実施の形態１に係る半導体装置から樹脂を取り除いた状態の上面図であり、図４は図３において封止樹脂で上面を封止した状態のＸ−Ｘ’断面図である。吊りリード１２に支持されたダイパッド１３の周りに複数のリード１１が配置され、ダイパッド１３上に半導体チップ１４が搭載されている。半導体チップ１４と複数のリード１１が、複数のワイヤ１５によりそれぞれ接続されている。これらの半導体チップ１４、複数のワイヤ１５及び複数のリード１１は樹脂１６により封止され、パッケージ１０を構成している。複数のリード１１の外側面及び下面は樹脂１６から露出している。
【００１３】
図５はリードを内側面側から見た図である。リード１１の厚みは０．１２５ｍｍ、上面の横幅は０．２６ｍｍ、下面の横幅は０．２０ｍｍである。このように下方に向けて細くなるテーパー形状であるため、リード１１のパッケージ下面からの脱落を防ぐことができる。
【００１４】
図６はリードの側面図である。複数のリード１１の上面と外側面との間に切り欠き１７が形成されている。ワイヤボンディング部の縦幅が０．２６ｍｍ、切り欠き１７の縦幅が０．０５ｍｍ、切り欠き１７の高さが０．０４ｍｍである。また、リード１１の内側面はテーパー状になっており、リード１１の下面の縦幅が０．２５ｍｍであるのに対し、テーパー部分の縦幅は０．０６ｍｍである。
【００１５】
切り欠き１７には樹脂１６が上方から充填されている。この切り欠き１７が樹脂１６に引っかかるため、リード１１のパッケージ側面からの脱落を防ぐことができる。また、装置のサイズを維持したまま外部端子となるリードの数を増やしたいとき、装置の一辺あたりのリードの数を増やさざるを得ない。しかし吊りリード１２に最も近いリードが吊りリードに接触しないように、リードの長さ（パッケージの内側から外側への方向の長さ）を短かくすればよい。その長さは、例えば典型的には外部に露出している部分で０．４０ｍｍ以下、さらに短くなると０．３０ｍｍ以下、本実施の形態では０．２５ｍｍである。そこでこのようにリード１１が短くなっても、リード１１の上面と外側面との間であれば切り欠き１７を形成することができる。従って、装置を小型化してもリードの脱落を防ぐことができる。
【００１６】
また、リード１１の上面と外側面との間に切り欠き１７を形成し、下面を平坦にすることで、リード１１下面全体が樹脂１６から露出する。このため、リード下面に凹部や切り欠きを形成するのに比べてリード実装面積を大きくすることができる。そして、リード１１の切り欠き１７内に充填された樹脂１６は、他の大部分の樹脂１６と十分に繋がっているため、欠け難い。
【００１７】
次に、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１８】
まず、リードフレームを準備する。図７は本発明の実施の形態１に係るリードフレームを示す平面図であり、図８は図７の一部を拡大した平面図である。リードフレーム１８は、吊りリード１２に支持されたダイパッド１３とダイパッド１３の周りに配置された複数のリード１１を一つのブロック１９として、複数のブロック１９を配列したものである。ここでは、リードフレーム１８上に、ブロック１９を縦横１２個ずつ配列したものを３組形成する。
【００１９】
図９は、図８の一部を更に拡大した平面図である。互いに隣接するブロックの対向するリード１１がそれぞれ第１の連結部２０ａにより連結されている。そして、互いに隣接する第１の連結部２０ａがそれぞれ第２の連結部２０ｂにより連結されている。第２の連結部２０ｂの横幅は０．２０ｍｍである。
【００２０】
次に、リードフレーム１８の上面（半導体チップがダイボンドされる面）と下面（上面に対して反対側の面）をそれぞれ化学薬品を使って貫通させない程度にエッチングした、いわゆるハーフエッチを行う（ハーフエッチ工程）。図１０はハーフエッチしたリードフレームの上面を示す平面図であり、図１１は図１０の一部を拡大した平面図である。図中で、白抜きの部分がハーフエッチされていない部分であり、斜線模様を付した部分がハーフエッチした部分である。複数のリード１１の上面にハーフエッチにより凹部１７´が形成されている。互いに隣接するブロック１９の対向するリード１１の凹部１７´が繋がるように第１の連結部２０ａの上面がハーフエッチされている。第２の連結部２０ｂはハーフエッチされていない。
【００２１】
図１２はハーフエッチしたリードフレームの下面を示す平面図であり、図１３は図１２の一部を拡大した平面図である。図中で、白抜きの部分がハーフエッチされていない部分であり、斜線模様を付した部分がハーフエッチした部分であり、格子模様を付した部分はテーパー部分である。第２の連結部２０ｂの下面及び吊りリード１２の下面がハーフエッチされている。リード１１の下面の横幅は０．２０ｍｍであり、リード１１の上面の横幅は０．２６ｍｍである。なお、図中の白抜きの部分が樹脂封止後の半導体パッケージ下面から露出する部分となる。
【００２２】
図１４は図１０のＡ−Ａ´における断面図であり、図１５は図１４の一部を拡大した断面図である。リード１１のハーフエッチされていない部分（ワイヤボンディング部）の縦幅が０．２６ｍｍである。そして、互いに隣接するブロック１９の対向するリード１１の凹部１７´の縦幅と、その間に存在しハーフエッチされている第１の連結部２０ａの縦幅の合計は０．４０ｍｍである。
【００２３】
図１６は図１０のＢ−Ｂ´における断面図であり、図１７は図１６の一部を拡大した断面図である。リード１１の上面は、Ｂ−Ｂ´断面に沿って凹凸が繰りかえされた形状になっている。一方、リード１１の下面は、上面とは逆の凹凸が繰りかえされた形状になっている。リードフレーム１８の元の厚みが１．２５ｍｍで、上面からハーフエッチされた部分の深さは０．４０ｍｍ、下面からハーフエッチされた部分の深さは０．４０ｍｍである。
【００２４】
次に、図１８に示すように、各ブロック１９のダイパッド１３上に半導体チップ１４を搭載する。次に、ワイヤボンディングを行う。図１９はワイヤボンディングを行う様子を示す平面図であり、図２０は図１９のＣ−Ｃ´における断面図であり、図２１は図１９のＤ−Ｄ´における断面図である。
【００２５】
リードフレーム１８の下面をシート２１上に貼り付け、ボンディング装置のプラテン３０上に載置する。そしてボンディング装置によりワイヤボンディングする際、少なくとも第２の連結部２０ｂを押え部材２２で押えた状態で、各ブロック１９の半導体チップ１４と複数のリード１１を複数のワイヤ１５によりそれぞれ接続する。ここで図１９に示すように、押え部材２２は格子形状をなし、各ブロック１９の外枠にほぼ一致しており、配列する第２の連結部２０ｂに沿って押え部材２２が配置される。押え部材２２は、リード１１の凹部１７’の底面には接触しない。なお、シート２１として、紫外線を当てるとリードフレーム１８から容易に剥がすことができるＵＶシートや、後段のダイシング工程で使用されるダイシングシートなどを用いることができる。
【００２６】
次に、図２２に示すように、リードフレーム１８上に縦横１２個ずつ配列したブロック１９の半導体チップ１４、複数のワイヤ１５及び複数のリード１１を樹脂１６で一括封止する（樹脂封止工程）。この際に凹部１７´を樹脂１６で上方から充填する。モールド装置のキャビティを構成する上金型及び下金型は図示していないが、図２３に示すように、リードフレーム１８をシート２１上に貼り付けた状態で樹脂封止を行うことで、リードフレーム１８の下面に樹脂１６が潜り込むのを防ぐことができる。これにより、複数のリード１１の下面を樹脂１６から露出させる。
【００２７】
次に、樹脂封止した後、シート２１にＵＶを照射してシート２１を剥がす。そして樹脂封止面側にシート２４を貼り付け、ダイシング装置内のダイシングステージにシート２４側を上にして載置する。図２４に示すように、リードフレーム１８をシート２４に貼り付けた状態で、ダイシングブレード２３を用いて、樹脂１６で封止したリードフレーム１８をブロック１９ごとに分離する（ダイシング工程）。この際に、複数のリード１１の切断面が凹部１７´を通るようにして、図６に示すように複数のリード１１の上面と外側面（切断面）との間に切り欠き１７を形成する。なお、ダイシングブレード２３の幅は０．３０ｍｍである。以上の工程により、本実施の形態に係る半導体装置が製造される。
【００２８】
凹部１７は化学薬品を使うエッチングにより行われるため、図７に示すリードフレーム１８全体からみて、ハーフエッチした部分の厚みにばらつきが生じる可能性がある。例えば最端のブロック内のハーフエッチ部分の厚みと、それとは遠く離れた最端の反対側のブロック内のハーフエッチ部分の厚みとの間にずれが生じる可能性がある。他方、ハーフエッチ前の元々のリードフレーム１８の厚みはリードフレーム全体で高精度に均一性が保たれているように形成されている。従って、上記のようにワイヤボンディング工程においてハーフエッチしていない第２の連結部２０ｂを押え部材２２で押えることで、リードフレーム１８を押える力をフレーム全体で均一に保てるため高精度なワイヤボンドが実現される。
【００２９】
また、硬いリードフレーム１８の一部である第１の連結部２０ａの上面がハーフエッチされているため、ダイシングブレード２３の磨耗を低減することができる。同様に、第２の連結部２０ｂの下面がハーフエッチされているため、ダイシングブレード２３の磨耗を低減することができる。この第２の連結部２０ｂの下面のハーフエッチは、本来必要とされている吊りリード１２の下面のハーフエッチと同じ工程で形成できるため、リードフレームの製造コストは増えない。
【００３０】
実施の形態２．
図２５は本発明の実施の形態２に係るハーフエッチしたリードフレームの上面を示す平面図であり、図２６は図２５の一部を拡大した平面図であり、図２７は図２５のＥ−Ｅ´における断面図である。図示のように、第１の連結部２０ａにハーフエッチされていない部分が有る。そして、図２８に示すように、ワイヤボンディング工程において、第１の連結部２０ａのハーフエッチされていない部分を押え部材２２で押えた状態で、各ブロック１９の半導体チップ１４と複数のリード１１を複数のワイヤ１５によりそれぞれ接続する。リードフレーム下面のハーフエッチパターン構成を含めてその他の構成及び工程は実施の形態１と同様である。
【００３１】
第１の連結部２０ａのハーフエッチされていない部分の下面もハーフエッチされていないため、この部分は元々のリードフレーム１８の厚みとなる。従って、この部分を押え部材２２で押えることで、押え部材２２によるリードフレーム１８の押圧強度を増すことができ、実施の形態１に比してさらに高精度なワイヤボンディングが実現される。
【００３２】
なお、第１の連結部２０ａのハーフエッチされていない部分の幅ａは、第２の連結部２０ｂの幅ｂよりも小さい（ａ＜ｂ）。しかし、これに限らず、幅ａがダイシングのブレード２３の厚みより小さければ、幅ａと幅ｂが同じ（ａ＝ｂ）或いは幅ａを幅ｂより大きくしてもよい。ただし幅ａが大きくなるほどダイシング時のブレード２３の負荷が増えることに留意して幅ａが決定される。
【００３３】
また、図２９に示すように、ダイシング工程において、互いに隣接するブロック１９間を２箇所ダイシングするようにしてもよい。これにより、第１の連結部２０ａのハーフエッチされていない部分の幅を広く確保することができる。従って、ワイヤボンディング工程において押え部材２２で押える部分を広くすることができる。さらに、２以上のブロック１９ごとに、互いに隣接するブロック１９間を２箇所ダイシングするようにすれば、リードフレーム１８全体をあまり大きくすることなく、押え部材２２で押える部分を広くすることができる。
【００３４】
実施の形態３．
図３０は本発明の実施の形態３に係るハーフエッチしたリードフレームの上面を示す平面図であり、図３１は図３０の一部を拡大した平面図である。図３２は本発明の実施の形態３に係るハーフエッチしたリードフレームの下面を示す平面図である。図３３は図３０のＦ−Ｆ´における断面図である。図中で、白抜きの部分がハーフエッチされていない部分であり、斜線模様を付した部分がハーフエッチした部分である。
【００３５】
図示のように、第１，第２の連結部２０ａ，２０ｂの上面がハーフエッチされている。複数のリード１１の凹部１７´の下面及び第１，第２の連結部２０ａ，２０ｂの下面はハーフエッチされていない。そして、図３４に示すように、ワイヤボンディング工程において、第１，第２の連結部２０ａ，２０ｂ及びリード１１の凹部１７´の底面を押え部材２２で押えた状態で、各ブロック１９の半導体チップ１４と複数のリード１１を複数のワイヤ１５によりそれぞれ接続する。その他の構成及び工程は実施の形態１と同様である。
【００３６】
これにより、第２の連結部２０ｂを押え部材２２で押える実施の形態１に比べて、押え部材２２で押える領域の面積が大きくなる。また、硬いリードフレーム１８の一部である第１，第２の連結部２０ａ，２０ｂの上面をハーフエッチしたことで、ダイシングブレード２３の磨耗を低減することができる。
【００３７】
また、リード１１の下面には凹部を形成していないため、リード１１の下面全体がシート２１に貼り付く。従って、リードの下面に凹部を形成する従来技術に比べてシート２１との貼り付き面積が増大し、リードフレーム１８を強く固定することができるため、ワイヤボンディング時、ワイヤが接合されるときの衝撃によるリードのずれを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す下面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の内部を示す上面図である。
【図５】リードを内側面側から見た図である。
【図６】リードの側面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係るリードフレームを示す平面図である。
【図８】図７の一部を拡大した平面図である。
【図９】図９は、図８の一部を更に拡大した平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１に係るハーフエッチしたリードフレームの上面を示す平面図である。
【図１１】図１０の一部を拡大した平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態１に係るハーフエッチしたリードフレームの下面を示す平面図である。
【図１３】図１２の一部を拡大した平面図である。
【図１４】図１０のＡ−Ａ´における断面図である。
【図１５】図１４の一部を拡大した断面図である。
【図１６】図１０のＢ−Ｂ´における断面図である。
【図１７】図１６の一部を拡大した断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１９】ワイヤボンディングを行う様子を示す平面図である。
【図２０】図１９のＣ−Ｃ´における断面図である。
【図２１】図１９のＤ−Ｄ´における断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図２３】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態２に係るハーフエッチしたリードフレームの上面を示す平面図である。
【図２６】図２５の一部を拡大した平面図である。
【図２７】図２５のＥ−Ｅ´における断面図である。
【図２８】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２９】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図３０】本発明の実施の形態３に係るハーフエッチしたリードフレームの上面を示す平面図である。
【図３１】図３０の一部を拡大した平面図である。
【図３２】図３０のＦ−Ｆ´における断面図である。
【図３３】本発明の実施の形態３に係るハーフエッチしたリードフレームの下面を示す平面図である。
【図３４】本発明の実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図３５】従来の半導体装置を示す断面図である。
【図３６】従来の別の半導体装置及びその製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０パッケージ
１１リード
１３ダイパッド
１４半導体チップ
１５ワイヤ
１６樹脂
１７切り欠き
１７´ 凹部
１８リードフレーム
１９ブロック
２０ａ第１の連結部
２０ｂ第２の連結部
２１シート
２２押え部材

【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパットと、そのダイパット周辺に配置された複数のリードとを含んだ部分を一つのブロックとして、そのブロックを複数個配列したリードフレームであって、前記複数のリード各々の上面には凹部が形成され、隣り合うブロックの互いに対向するリードの凹部どうしを連結する連結部とを有したリードフレームを準備する工程と、
前記ブロック各々のダイパッド上に半導体チップを搭載する工程と、
前記ブロック各々に搭載された半導体チップと前記複数のリードの上面の前記凹部が形成されていない部分とをワイヤで接続するワイヤボンディング工程と、
前記複数のブロックに搭載された半導体チップ、前記ワイヤ及び前記複数のリードを一括して樹脂で一括に封止する樹脂封止工程と、
その切断面が前記複数のリードの凹部を通るようにして、前記リードフレームのブロックごとに分離するダイシング工程とを備えた半導体装置の製造方法。
【請求項２】
ダイパッドと前記ダイパッドの周りに配置された複数のリードを一つのブロックとして複数のブロックが配列され、互いに隣接するブロックの対向するリードがそれぞれ第１の連結部により連結され、互いに隣接する前記第１の連結部がそれぞれ第２の連結部により連結されたリードフレームであって、このリードフレームの同じ面側において、前記複数のリードの上面にハーフエッチにより凹部が形成され前記第２の連結部がハーフエッチされていないリードフレームを準備する工程と、
各ブロックの前記ダイパッド上に半導体チップを搭載する工程と、
少なくとも前記第２の連結部を押え部材で押えた状態で、各ブロックの前記半導体チップと前記複数のリードの上面を複数のワイヤによりそれぞれ接続するワイヤボンディング工程と、
複数のブロックの前記半導体チップ、前記複数のワイヤ及び前記複数のリードを樹脂で一括封止する樹脂封止工程と、
前記樹脂で封止した前記リードフレームをブロックごとに分離するダイシング工程とを備え、
前記樹脂封止工程において、前記凹部を前記樹脂で上方から充填し、前記複数のリードの下面を前記樹脂から露出させ、
前記ダイシング工程において、前記複数のリードの切断面が前記凹部にくるようにして、前記複数のリードの上面と切断面との間に切り欠きを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記リードフレームとして、互いに隣接するブロックの対向するリードの凹部が繋がるように前記第１の連結部の上面がハーフエッチされているものを準備することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記リードフレームとして、前記第１の連結部にハーフエッチされていない部分が有るものを準備し、
前記ワイヤボンディング工程において、前記第１の連結部のハーフエッチされていない部分を前記押え部材で押えることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ダイシング工程において、互いに隣接するブロック間を２箇所ダイシングすることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記リードフレームとして、前記第２の連結部の下面がハーフエッチされているものを準備することを特徴とする請求項２〜５の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ダイパッドと前記ダイパッドの周りに配置された複数のリードを一つのブロックとして複数のブロックが配列され、互いに隣接するブロックの対向するリードがそれぞれ第１の連結部により連結され、互いに隣接する前記第１の連結部がそれぞれ第２の連結部により連結されたリードフレームであって、このリードフレームの同じ面側において、前記複数のリードの上面にハーフエッチにより凹部が形成され、前記第１，第２の連結部の上面がハーフエッチされているリードフレームを準備する工程と、
各ブロックの前記ダイパッド上に半導体チップを搭載する工程と、
前記第１，第２の連結部及び前記リードの凹部の底面を押え部材で押えた状態で、各ブロックの前記半導体チップと前記複数のリードの上面を複数のワイヤによりそれぞれ接続するワイヤボンディング工程と、
複数のブロックの前記半導体チップ、前記複数のワイヤ及び前記複数のリードを樹脂で一括封止する樹脂封止工程と、
前記樹脂で封止した前記リードフレームをブロックごとに分離するダイシング工程とを備え、
前記樹脂封止工程において、前記凹部を前記樹脂で上方から充填し、前記複数のリードの下面を前記樹脂から露出させ、
前記ダイシング工程において、前記複数のリードの切断面が前記凹部にくるようにして、前記複数のリードの上面と切断面との間に切り欠きを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記リードフレームとして、前記複数のリードの凹部の下面及び前記第１，第２の連結部の下面がハーフエッチされていないものを準備することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記リードフレームをシート上に貼り付けた状態で、前記ワイヤボンディング工程を行うことを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。

【図１】