半導体装置の製造方法
【課題】電流コラプスを抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体からなるチャネル層１４と、前記チャネル層１４上に設けられた窒化物半導体からなる電子供給層１６と、前記電子供給層１６上に設けられた窒化ガリウムからなるキャップ層１８と、を形成する成長工程と、前記キャップ層１８の上面に、パワー密度が０．０１２５〜０．１５Ｗ／ｃｍ２である酸素プラズマ処理を行う工程と、を有する半導体装置の製造方法である。本発明によれば、酸素をゲッタリングすることで、電流コラプスを抑制することが可能な半導体装置を提供することができる。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体からなるチャネル層１４と、前記チャネル層１４上に設けられた窒化物半導体からなる電子供給層１６と、前記電子供給層１６上に設けられた窒化ガリウムからなるキャップ層１８と、を形成する成長工程と、前記キャップ層１８の上面に、パワー密度が０．０１２５〜０．１５Ｗ／ｃｍ２である酸素プラズマ処理を行う工程と、を有する半導体装置の製造方法である。本発明によれば、酸素をゲッタリングすることで、電流コラプスを抑制することが可能な半導体装置を提供することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に窒化物半導体層を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体を用いた半導体装置、例えばＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：電界効果型トランジスタ）等の半導体装置は、高周波用出力増幅用素子として用いられることがある。特許文献１には、屈折率の異なるＳｉＮ（窒化シリコン）膜を形成して、半導体層表面の不純物を除去する発明が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２００３０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の技術では、半導体層表面に存在する、酸素等の不純物に電子等のキャリアが捕獲され、電流コラプス等が発生することがある。電流コラプスが発生すると、半導体装置の出力が低下する。本発明は上記課題に鑑み、電流コラプスを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、窒化物半導体からなるチャネル層と、前記チャネル層上に設けられた窒化物半導体からなる電子供給層と、前記電子供給層上に設けられた窒化ガリウムからなるキャップ層と、を形成する成長工程と、前記キャップ層の上面に、パワー密度が０．０１２５〜０．１５Ｗ／ｃｍ２である酸素プラズマ処理を行う工程と、を有する半導体装置の製造方法である。本発明によれば、電流コラプスを抑制することが可能となる。
【０００６】
上記構成において、前記酸素プラズマ処理を行う工程の後に、前記キャップ層の上面に、絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を形成する工程の後に、熱処理を行う工程と、を有する構成とすることができる。この構成によれば、効果的に酸素のゲッタリングが行われ、電流コラプスの発生が抑制される。
【０００７】
上記構成において、前記絶縁層を形成する工程は、窒化シリコンからなる前記絶縁層を形成する工程である構成とすることができる。この構成によれば、効果的に酸素のゲッタリングが行われ、電流コラプスの発生が抑制される。
【０００８】
上記構成において、前記酸素プラズマ処理を行う工程は、酸素ガスと窒素ガスとを供給して酸素プラズマ処理を行う工程である構成とすることができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電流コラプスを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（ａ）から図１（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、実験の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図面を用いて、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１２】
上記のように、電流コラプスは、電子等のキャリアが半導体層表面の不純物、特に酸素に捕獲されることにより発生する。実施例１では、プラズマ処理を行うことで、酸素のゲッタリングを行う。図１（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【００１３】
図１（ａ）に示すように、例えばＭＯＣＶＤ法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：有機金属気相成長法）により、基板１０上に、バリア層１２、チャネル層１４、電子供給層１６、及びキャップ層１８をエピタキシャル成長させ、半導体基板を形成する。バリア層１２、チャネル層１４、電子供給層１６及びキャップ層１８が下から順に積層され、窒化物半導体層１１は形成される。キャップ層１８は、チャネル層１４及び電子供給層１６の上に形成されている。基板１０は例えばＳｉＣ（炭化シリコン）、Ｓｉ（シリコン）又はサファイア等からなる。バリア層１２は、例えば厚さ３００ｎｍのＡｌＮ（窒化アルミニウム）からなる。チャネル層１４は例えば厚さ１０００ｎｍのｉ−ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる。電子供給層１６は、例えば厚さ２０ｎｍのＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）からなる。キャップ層１８は、例えば厚さ５ｎｍのｎ−ＧａＮからなる。
【００１４】
さらに、キャップ層１８の上面に、酸素プラズマ処理を行う。酸素プラズマ処理により、キャップ層１８上面の酸素がゲッタリングされる。酸素プラズマ処理の条件は以下の通りである。なお、パワー密度とは、アッシャーが備える電極の単位面積あたりのパワーである。またガスの比率は流量比である。
装置：対向型バレルアッシャー
アッシャーの電極面積：４０００ｃｍ２
プラズマのパワー：５０〜６００Ｗ（パワー密度０．０１２５〜０．１５Ｗ／ｃｍ２に相当）
炉内温度：２５〜５０℃
処理時間：２〜１０分
炉内に供給したガス、及び比率：
酸素：窒素＝１：０〜１０
【００１５】
図１（ｂ）に示すように、酸素プラズマ処理の後に、例えばプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学気相成長）法により、キャップ層１８の上面にＳｉＮ層２０を形成する。ＳｉＮ層２０の厚さは例えば２０ｎｍであり、屈折率は例えば２．０５〜２．４５である。ＳｉＮ層２０の成長条件は、以下の通りである。
装置：平行平板型プラズマＣＶＤ装置
炉内温度：２５０〜３５０℃
気圧：０．８〜１．０Ｔｏｒｒ（１０６．６４〜１３３．３Ｐａ）
電力：２５〜７５Ｗ
材料及び流量：
ＳｉＨ４（モノシラン）：ＮＨ３（アンモニア）：窒素：ヘリウム＝３〜６：０〜２：２００〜６００：５００〜９００ｓｃｃｍ
（５．０７×１０−３〜１０．１４×１０−３：０〜３．３８×１０−３：３３８×１０−３〜１０１４×１０−３：８４５×１０−３〜１５２０．９×１０−３Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ）
【００１６】
図１（ｃ）に示すように、ＳｉＮ層２０上にレジスト２１を形成し、ＳｉＮ層２０のパターニングを行う。パターニングにより露出したキャップ層１８上に、ソース電極２４及びドレイン電極２６を形成する。ソース電極２４及びドレイン電極２６は、例えば下から順にＴｉ／ＡｌやＴａ／Ａｌ等の金属を積層してなるオーミック電極である。ソース電極２４及びドレイン電極２６を形成する工程は、良好なオーミック接触を得るため、例えば４００〜８００℃の温度、窒素雰囲気中で熱処理を行う工程を含む。つまり、ＳｉＮ層２０を形成する工程の後に、熱処理を行う。
【００１７】
図２（ａ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法により、キャップ層１８、ＳｉＮ層２０、ソース電極２４及びドレイン電極２６上に、例えば厚さ４０ｎｍのＳｉＮ層２２を形成する。ＳｉＮ層２２の屈折率は例えば２．０５〜２．４５である。ＳｉＮ層２２の成長条件は、ＳｉＮ層２０の成長条件と同じであるため説明を省略する。
【００１８】
図２（ｂ）に示すように、ＳｉＮ層２２上にレジスト２３を形成し、ＳｉＮ層２０及び２２をパターニングする。パターニングにより露出したキャップ層１８上にゲート電極２８を形成する。ゲート電極２８は、例えば下から順にＮｉ／Ａｌ等の金属を積層してなる。
【００１９】
図２（ｃ）に示すように、ソース電極２４及びドレイン電極２６上に配線層３０を形成する。配線層３０は、例えばＡｕ等の金属からなる。以上で、実施例１に係る半導体装置の製造方法は終了する。半導体装置は、チャネル層１４、電子供給層１６、及びＧａＮからなるキャップ層１８を含むＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：高電子移動度トランジスタ）構造である。
【００２０】
次に実験について説明する。実験では、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：Ｘ線光電子分光）分析、及び半導体装置の特性の測定を行った。
【００２１】
まずＸＰＳ分析について説明する。これは、ＳｉＮ層２０及び２２中のＳｉ−Ｏ結合強度（シリコン−酸素結合強度）を測定することで、酸素プラズマ処理のゲッタリングの効果を評価したものである。キャップ層１８表面の酸素は、熱処理によりＳｉＮ層２０及び２２中に吸収される。つまり、熱処理後のＳｉＮ層２０及び２２中のＳｉ−Ｏ結合強度が大きいほど、キャップ層１８表面に酸素が残留していることを意味する。言い換えれば、Ｓｉ−Ｏ結合強度が小さいほど、酸素プラズマ処理によるキャップ層１８表面の酸素のゲッタリングが強く行われたことを意味する。
【００２２】
ＸＰＳ分析に用いたサンプルについて説明する。サンプルＡは酸素プラズマ処理を行わなかったものであり、サンプルＢ及びＣは酸素プラズマ処理を行ったものである。なお各サンプルには、オーミック電極形成時の熱処理を行った。酸素プラズマ処理及び熱処理の条件は以下の通りである。
パワー：４００Ｗ（パワー密度０．１Ｗ／ｃｍ２）
サンプルＢの酸素プラズマ処理時間：１分
サンプルＣの酸素プラズマ処理時間：３分
炉内に供給したガス、及び比率：
酸素：窒素＝１：４
熱処理の温度：５５０℃
熱処理の処理時間：５分
また、各サンプルにおいて、熱処理前のＳｉ−Ｏ結合強度は０．１１であった。
【００２３】
次にＸＰＳ分析の結果について説明する。表１は、ＸＰＳ分析の結果を示す表である。表１に示すように、サンプルＡでは熱処理前と熱処理後とでは、Ｓｉ−Ｏ結合強度が０．１１から０．２へ、０．０９上昇した。サンプルＢでは、Ｓｉ−Ｏ結合強度が０．１１から０．１６へ、０．０５上昇した。サンプルＣでは、Ｓｉ−Ｏ結合強度が０．１１から０．１４へ、０．０３上昇した。
【００２４】
サンプルＢ及びＣは、サンプルＡと比較して、熱処理後のＳｉ−Ｏ結合強度の上昇幅が小さかった。また、酸素プラズマ処理時間が長いサンプルＣは、サンプルＢよりも、熱処理後のＳｉ−Ｏ結合強度の上昇幅が小さかった。Ｓｉ−Ｏ結合強度の上昇幅が小さいことは、キャップ層１８に残留する酸素が少ないことを意味する。このことから、酸素プラズマ処理により、キャップ層１８の酸素のゲッタリングが行われたことがわかった。
【表１】
【００２５】
次に特性の測定について説明する。まずサンプルについて説明する。酸素プラズマ処理を行わなかったサンプルＤと、酸素プラズマ処理を行ったサンプルＥとを用いた。サンプルＥの作成において適用した酸素プラズマ処理の条件は、以下の通りである。既述した条件と同じものについては、説明を省略する。
パワー：４００Ｗ（パワー密度０．１Ｗ／ｃｍ２）
処理時間：３分
炉内に供給したガス、及び比率：
酸素：窒素＝１：４
【００２６】
半導体装置の特性は、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓ＝０Ｖ，ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝０Ｖとした場合、及びＶｄｓ＝５０Ｖ，Ｖｇｓ＝−３Ｖのピンチオフ状態の場合、それぞれの場合にＶｄｓ及びＶｇｓのパルス信号を入力した際の、各サンプルのＤＣ特性を３端子法で測定した。信号のゲート電圧は、−２Ｖ〜２Ｖまで０．４Ｖ刻みで変動させた。信号のパルス幅は４μｓｅｃ、デューティー比は１％とした。ゲート電極２８の幅（ゲート幅）は１ｍｍ、長さ（ゲート長）は０．９μｍとした。なお幅方向は図２（ｃ）の奥行き方向であり、長さ方向は図２（ｃ）の横方向である。
【００２７】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、実験の結果を示す図である。図３（ａ）は酸素プラズマ処理を行わなかったサンプルＤの測定結果、図３（ｂ）は酸素プラズマ処理を行ったサンプルＥの測定結果、をそれぞれ表す。横軸はドレイン−ソース間電圧、縦軸はドレイン−ソース間電流である。図中の破線はＶｄｓ＝０Ｖ，Ｖｇｓ＝０Ｖの場合の測定結果、実線はＶｄｓ＝５０Ｖ，Ｖｇｓ＝−３Ｖの場合の測定結果を表す。破線と実線との差異が大きいほど、電流コラプスが強く発生している。
【００２８】
図３（ｂ）に示すサンプルＥの方が、図３（ａ）に示すサンプルＤよりも、破線と実線との差異が小さい。このことから、酸素プラズマ処理を行うことで、電流コラプスが抑制されていることが分かった。
【００２９】
実施例１によれば、理由は不明であるが、キャップ層１８に、酸素プラズマ処理を行うことにより、キャップ層１８上面の酸素がゲッタリングされる。チャネル層１４の電子を捕獲する酸素がゲッタリングされるため、電流コラプスの発生が抑制される。
【００３０】
酸素プラズマ処理のパワー密度は、酸素のゲッタリングが十分に行われる程度の大きさとすればよい。ただし、パワーが高すぎると、窒化物半導体層１１に与えるダメージが大きくなる。このためパワー密度は、０．０１２５〜０．１５Ｗ／ｃｍ２とすることが好ましい。また、パワー密度を０．０１２５Ｗ／ｃｍ２より大きく、かつ０．１５Ｗ／ｃｍ２未満としてもよい。さらにパワー密度を０．０２〜０．１３Ｗ／ｃｍ２としてもよい。また、酸素プラズマ処理は酸素ガスのみを供給してもよいし、酸素ガス及び窒素ガスの両方を供給してもよい。窒素ガスは、高周波信号に対して高インピーダンスを示す。このため、窒素ガスを供給することで、プラズマインピーダンスをコントロールすることができる。つまり窒素ガスを供給することによって、酸素プラズマをよりコントロールしやすくし、ゲッタリングエネルギーを調節することができる。
【００３１】
酸素プラズマ処理を行う工程だけでなく、ＳｉＮ層２０を形成した後、熱処理を行うことによっても、酸素のゲッタリングは行われる。つまり、実施例１によれば、酸素プラズマ処理と、ＳｉＮ層２０及び熱処理と、によって効果的に酸素のゲッタリングが行われ、電流コラプスの発生が抑制される。ＳｉＮ層２０以外に、別の絶縁層を形成して熱処理を行ってもよい。ただし、電流コラプスの発生をより効果的に抑制するためには、ＳｉＮ層２０を形成することが好ましい。
【００３２】
熱処理を行う工程は、例えば筒型の炉を用いて、３００℃以上の温度で、３０分程度の時間、半導体基板の熱処理を行う工程である。温度が低いとゲッタリングが十分に行われない可能性がある。その一方で、温度が高すぎると、窒化物半導体層１１の結晶が破壊される可能性がある。このため熱処理の温度は４００〜８００℃が好ましく、さらに好ましくは４５０〜７００℃が好ましい。
【００３３】
実施例１では、熱処理を行う工程は、オーミック電極（ソース電極２４及びドレイン電極２６）を形成する工程に含まれる。このため、工程を簡略化することができる。なお、熱処理を行う工程は、オーミック電極を形成する工程に含まれず、別の工程であってもよい。
【００３４】
窒化物半導体層１１は、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ以外の窒化物半導体から形成してもよい。窒化物半導体とは、窒素を含む半導体であり、例えばＩｎＮ（窒化インジウム）、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）、ＩｎＡｌＮ（窒化インジウムアルミニウム）、及びＡｌＩｎＧａＮ（窒化アルミニウムインジウムガリウム）等がある。
【００３５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００３６】
基板 １０
窒化物半導体層 １１
バリア層 １２
チャネル層 １４
電子供給層 １６
キャップ層 １８
ＳｉＮ層 ２０，２２
ソース電極 ２４
ドレイン電極 ２６
ゲート電極 ２８
配線層 ３０
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に窒化物半導体層を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体を用いた半導体装置、例えばＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：電界効果型トランジスタ）等の半導体装置は、高周波用出力増幅用素子として用いられることがある。特許文献１には、屈折率の異なるＳｉＮ（窒化シリコン）膜を形成して、半導体層表面の不純物を除去する発明が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２００３０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の技術では、半導体層表面に存在する、酸素等の不純物に電子等のキャリアが捕獲され、電流コラプス等が発生することがある。電流コラプスが発生すると、半導体装置の出力が低下する。本発明は上記課題に鑑み、電流コラプスを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、窒化物半導体からなるチャネル層と、前記チャネル層上に設けられた窒化物半導体からなる電子供給層と、前記電子供給層上に設けられた窒化ガリウムからなるキャップ層と、を形成する成長工程と、前記キャップ層の上面に、パワー密度が０．０１２５〜０．１５Ｗ／ｃｍ２である酸素プラズマ処理を行う工程と、を有する半導体装置の製造方法である。本発明によれば、電流コラプスを抑制することが可能となる。
【０００６】
上記構成において、前記酸素プラズマ処理を行う工程の後に、前記キャップ層の上面に、絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を形成する工程の後に、熱処理を行う工程と、を有する構成とすることができる。この構成によれば、効果的に酸素のゲッタリングが行われ、電流コラプスの発生が抑制される。
【０００７】
上記構成において、前記絶縁層を形成する工程は、窒化シリコンからなる前記絶縁層を形成する工程である構成とすることができる。この構成によれば、効果的に酸素のゲッタリングが行われ、電流コラプスの発生が抑制される。
【０００８】
上記構成において、前記酸素プラズマ処理を行う工程は、酸素ガスと窒素ガスとを供給して酸素プラズマ処理を行う工程である構成とすることができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電流コラプスを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（ａ）から図１（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、実験の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図面を用いて、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１２】
上記のように、電流コラプスは、電子等のキャリアが半導体層表面の不純物、特に酸素に捕獲されることにより発生する。実施例１では、プラズマ処理を行うことで、酸素のゲッタリングを行う。図１（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【００１３】
図１（ａ）に示すように、例えばＭＯＣＶＤ法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：有機金属気相成長法）により、基板１０上に、バリア層１２、チャネル層１４、電子供給層１６、及びキャップ層１８をエピタキシャル成長させ、半導体基板を形成する。バリア層１２、チャネル層１４、電子供給層１６及びキャップ層１８が下から順に積層され、窒化物半導体層１１は形成される。キャップ層１８は、チャネル層１４及び電子供給層１６の上に形成されている。基板１０は例えばＳｉＣ（炭化シリコン）、Ｓｉ（シリコン）又はサファイア等からなる。バリア層１２は、例えば厚さ３００ｎｍのＡｌＮ（窒化アルミニウム）からなる。チャネル層１４は例えば厚さ１０００ｎｍのｉ−ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる。電子供給層１６は、例えば厚さ２０ｎｍのＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）からなる。キャップ層１８は、例えば厚さ５ｎｍのｎ−ＧａＮからなる。
【００１４】
さらに、キャップ層１８の上面に、酸素プラズマ処理を行う。酸素プラズマ処理により、キャップ層１８上面の酸素がゲッタリングされる。酸素プラズマ処理の条件は以下の通りである。なお、パワー密度とは、アッシャーが備える電極の単位面積あたりのパワーである。またガスの比率は流量比である。
装置：対向型バレルアッシャー
アッシャーの電極面積：４０００ｃｍ２
プラズマのパワー：５０〜６００Ｗ（パワー密度０．０１２５〜０．１５Ｗ／ｃｍ２に相当）
炉内温度：２５〜５０℃
処理時間：２〜１０分
炉内に供給したガス、及び比率：
酸素：窒素＝１：０〜１０
【００１５】
図１（ｂ）に示すように、酸素プラズマ処理の後に、例えばプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学気相成長）法により、キャップ層１８の上面にＳｉＮ層２０を形成する。ＳｉＮ層２０の厚さは例えば２０ｎｍであり、屈折率は例えば２．０５〜２．４５である。ＳｉＮ層２０の成長条件は、以下の通りである。
装置：平行平板型プラズマＣＶＤ装置
炉内温度：２５０〜３５０℃
気圧：０．８〜１．０Ｔｏｒｒ（１０６．６４〜１３３．３Ｐａ）
電力：２５〜７５Ｗ
材料及び流量：
ＳｉＨ４（モノシラン）：ＮＨ３（アンモニア）：窒素：ヘリウム＝３〜６：０〜２：２００〜６００：５００〜９００ｓｃｃｍ
（５．０７×１０−３〜１０．１４×１０−３：０〜３．３８×１０−３：３３８×１０−３〜１０１４×１０−３：８４５×１０−３〜１５２０．９×１０−３Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ）
【００１６】
図１（ｃ）に示すように、ＳｉＮ層２０上にレジスト２１を形成し、ＳｉＮ層２０のパターニングを行う。パターニングにより露出したキャップ層１８上に、ソース電極２４及びドレイン電極２６を形成する。ソース電極２４及びドレイン電極２６は、例えば下から順にＴｉ／ＡｌやＴａ／Ａｌ等の金属を積層してなるオーミック電極である。ソース電極２４及びドレイン電極２６を形成する工程は、良好なオーミック接触を得るため、例えば４００〜８００℃の温度、窒素雰囲気中で熱処理を行う工程を含む。つまり、ＳｉＮ層２０を形成する工程の後に、熱処理を行う。
【００１７】
図２（ａ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法により、キャップ層１８、ＳｉＮ層２０、ソース電極２４及びドレイン電極２６上に、例えば厚さ４０ｎｍのＳｉＮ層２２を形成する。ＳｉＮ層２２の屈折率は例えば２．０５〜２．４５である。ＳｉＮ層２２の成長条件は、ＳｉＮ層２０の成長条件と同じであるため説明を省略する。
【００１８】
図２（ｂ）に示すように、ＳｉＮ層２２上にレジスト２３を形成し、ＳｉＮ層２０及び２２をパターニングする。パターニングにより露出したキャップ層１８上にゲート電極２８を形成する。ゲート電極２８は、例えば下から順にＮｉ／Ａｌ等の金属を積層してなる。
【００１９】
図２（ｃ）に示すように、ソース電極２４及びドレイン電極２６上に配線層３０を形成する。配線層３０は、例えばＡｕ等の金属からなる。以上で、実施例１に係る半導体装置の製造方法は終了する。半導体装置は、チャネル層１４、電子供給層１６、及びＧａＮからなるキャップ層１８を含むＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：高電子移動度トランジスタ）構造である。
【００２０】
次に実験について説明する。実験では、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：Ｘ線光電子分光）分析、及び半導体装置の特性の測定を行った。
【００２１】
まずＸＰＳ分析について説明する。これは、ＳｉＮ層２０及び２２中のＳｉ−Ｏ結合強度（シリコン−酸素結合強度）を測定することで、酸素プラズマ処理のゲッタリングの効果を評価したものである。キャップ層１８表面の酸素は、熱処理によりＳｉＮ層２０及び２２中に吸収される。つまり、熱処理後のＳｉＮ層２０及び２２中のＳｉ−Ｏ結合強度が大きいほど、キャップ層１８表面に酸素が残留していることを意味する。言い換えれば、Ｓｉ−Ｏ結合強度が小さいほど、酸素プラズマ処理によるキャップ層１８表面の酸素のゲッタリングが強く行われたことを意味する。
【００２２】
ＸＰＳ分析に用いたサンプルについて説明する。サンプルＡは酸素プラズマ処理を行わなかったものであり、サンプルＢ及びＣは酸素プラズマ処理を行ったものである。なお各サンプルには、オーミック電極形成時の熱処理を行った。酸素プラズマ処理及び熱処理の条件は以下の通りである。
パワー：４００Ｗ（パワー密度０．１Ｗ／ｃｍ２）
サンプルＢの酸素プラズマ処理時間：１分
サンプルＣの酸素プラズマ処理時間：３分
炉内に供給したガス、及び比率：
酸素：窒素＝１：４
熱処理の温度：５５０℃
熱処理の処理時間：５分
また、各サンプルにおいて、熱処理前のＳｉ−Ｏ結合強度は０．１１であった。
【００２３】
次にＸＰＳ分析の結果について説明する。表１は、ＸＰＳ分析の結果を示す表である。表１に示すように、サンプルＡでは熱処理前と熱処理後とでは、Ｓｉ−Ｏ結合強度が０．１１から０．２へ、０．０９上昇した。サンプルＢでは、Ｓｉ−Ｏ結合強度が０．１１から０．１６へ、０．０５上昇した。サンプルＣでは、Ｓｉ−Ｏ結合強度が０．１１から０．１４へ、０．０３上昇した。
【００２４】
サンプルＢ及びＣは、サンプルＡと比較して、熱処理後のＳｉ−Ｏ結合強度の上昇幅が小さかった。また、酸素プラズマ処理時間が長いサンプルＣは、サンプルＢよりも、熱処理後のＳｉ−Ｏ結合強度の上昇幅が小さかった。Ｓｉ−Ｏ結合強度の上昇幅が小さいことは、キャップ層１８に残留する酸素が少ないことを意味する。このことから、酸素プラズマ処理により、キャップ層１８の酸素のゲッタリングが行われたことがわかった。
【表１】
【００２５】
次に特性の測定について説明する。まずサンプルについて説明する。酸素プラズマ処理を行わなかったサンプルＤと、酸素プラズマ処理を行ったサンプルＥとを用いた。サンプルＥの作成において適用した酸素プラズマ処理の条件は、以下の通りである。既述した条件と同じものについては、説明を省略する。
パワー：４００Ｗ（パワー密度０．１Ｗ／ｃｍ２）
処理時間：３分
炉内に供給したガス、及び比率：
酸素：窒素＝１：４
【００２６】
半導体装置の特性は、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓ＝０Ｖ，ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝０Ｖとした場合、及びＶｄｓ＝５０Ｖ，Ｖｇｓ＝−３Ｖのピンチオフ状態の場合、それぞれの場合にＶｄｓ及びＶｇｓのパルス信号を入力した際の、各サンプルのＤＣ特性を３端子法で測定した。信号のゲート電圧は、−２Ｖ〜２Ｖまで０．４Ｖ刻みで変動させた。信号のパルス幅は４μｓｅｃ、デューティー比は１％とした。ゲート電極２８の幅（ゲート幅）は１ｍｍ、長さ（ゲート長）は０．９μｍとした。なお幅方向は図２（ｃ）の奥行き方向であり、長さ方向は図２（ｃ）の横方向である。
【００２７】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、実験の結果を示す図である。図３（ａ）は酸素プラズマ処理を行わなかったサンプルＤの測定結果、図３（ｂ）は酸素プラズマ処理を行ったサンプルＥの測定結果、をそれぞれ表す。横軸はドレイン−ソース間電圧、縦軸はドレイン−ソース間電流である。図中の破線はＶｄｓ＝０Ｖ，Ｖｇｓ＝０Ｖの場合の測定結果、実線はＶｄｓ＝５０Ｖ，Ｖｇｓ＝−３Ｖの場合の測定結果を表す。破線と実線との差異が大きいほど、電流コラプスが強く発生している。
【００２８】
図３（ｂ）に示すサンプルＥの方が、図３（ａ）に示すサンプルＤよりも、破線と実線との差異が小さい。このことから、酸素プラズマ処理を行うことで、電流コラプスが抑制されていることが分かった。
【００２９】
実施例１によれば、理由は不明であるが、キャップ層１８に、酸素プラズマ処理を行うことにより、キャップ層１８上面の酸素がゲッタリングされる。チャネル層１４の電子を捕獲する酸素がゲッタリングされるため、電流コラプスの発生が抑制される。
【００３０】
酸素プラズマ処理のパワー密度は、酸素のゲッタリングが十分に行われる程度の大きさとすればよい。ただし、パワーが高すぎると、窒化物半導体層１１に与えるダメージが大きくなる。このためパワー密度は、０．０１２５〜０．１５Ｗ／ｃｍ２とすることが好ましい。また、パワー密度を０．０１２５Ｗ／ｃｍ２より大きく、かつ０．１５Ｗ／ｃｍ２未満としてもよい。さらにパワー密度を０．０２〜０．１３Ｗ／ｃｍ２としてもよい。また、酸素プラズマ処理は酸素ガスのみを供給してもよいし、酸素ガス及び窒素ガスの両方を供給してもよい。窒素ガスは、高周波信号に対して高インピーダンスを示す。このため、窒素ガスを供給することで、プラズマインピーダンスをコントロールすることができる。つまり窒素ガスを供給することによって、酸素プラズマをよりコントロールしやすくし、ゲッタリングエネルギーを調節することができる。
【００３１】
酸素プラズマ処理を行う工程だけでなく、ＳｉＮ層２０を形成した後、熱処理を行うことによっても、酸素のゲッタリングは行われる。つまり、実施例１によれば、酸素プラズマ処理と、ＳｉＮ層２０及び熱処理と、によって効果的に酸素のゲッタリングが行われ、電流コラプスの発生が抑制される。ＳｉＮ層２０以外に、別の絶縁層を形成して熱処理を行ってもよい。ただし、電流コラプスの発生をより効果的に抑制するためには、ＳｉＮ層２０を形成することが好ましい。
【００３２】
熱処理を行う工程は、例えば筒型の炉を用いて、３００℃以上の温度で、３０分程度の時間、半導体基板の熱処理を行う工程である。温度が低いとゲッタリングが十分に行われない可能性がある。その一方で、温度が高すぎると、窒化物半導体層１１の結晶が破壊される可能性がある。このため熱処理の温度は４００〜８００℃が好ましく、さらに好ましくは４５０〜７００℃が好ましい。
【００３３】
実施例１では、熱処理を行う工程は、オーミック電極（ソース電極２４及びドレイン電極２６）を形成する工程に含まれる。このため、工程を簡略化することができる。なお、熱処理を行う工程は、オーミック電極を形成する工程に含まれず、別の工程であってもよい。
【００３４】
窒化物半導体層１１は、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ以外の窒化物半導体から形成してもよい。窒化物半導体とは、窒素を含む半導体であり、例えばＩｎＮ（窒化インジウム）、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）、ＩｎＡｌＮ（窒化インジウムアルミニウム）、及びＡｌＩｎＧａＮ（窒化アルミニウムインジウムガリウム）等がある。
【００３５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００３６】
基板 １０
窒化物半導体層 １１
バリア層 １２
チャネル層 １４
電子供給層 １６
キャップ層 １８
ＳｉＮ層 ２０，２２
ソース電極 ２４
ドレイン電極 ２６
ゲート電極 ２８
配線層 ３０
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体からなるチャネル層と、前記チャネル層上に設けられた窒化物半導体からなる電子供給層と、前記電子供給層上に設けられた窒化ガリウムからなるキャップ層と、を形成する成長工程と、
前記キャップ層の上面に、パワー密度が０．０１２５〜０．１５Ｗ／ｃｍ２である酸素プラズマ処理を行う工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記酸素プラズマ処理を行う工程の後に、前記キャップ層の上面に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を形成する工程の後に、熱処理を行う工程と、を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層を形成する工程は、窒化シリコンからなる前記絶縁層を形成する工程であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記酸素プラズマ処理を行う工程は、酸素ガスと窒素ガスとを供給して酸素プラズマ処理を行う工程であることを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
窒化物半導体からなるチャネル層と、前記チャネル層上に設けられた窒化物半導体からなる電子供給層と、前記電子供給層上に設けられた窒化ガリウムからなるキャップ層と、を形成する成長工程と、
前記キャップ層の上面に、パワー密度が０．０１２５〜０．１５Ｗ／ｃｍ２である酸素プラズマ処理を行う工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記酸素プラズマ処理を行う工程の後に、前記キャップ層の上面に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を形成する工程の後に、熱処理を行う工程と、を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層を形成する工程は、窒化シリコンからなる前記絶縁層を形成する工程であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記酸素プラズマ処理を行う工程は、酸素ガスと窒素ガスとを供給して酸素プラズマ処理を行う工程であることを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１２−３３６８８（Ｐ２０１２−３３６８８Ａ）
【公開日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７１６８１（Ｐ２０１０−１７１６８１）
【出願日】平成２２年７月３０日（２０１０．７．３０）
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【出願人】（０００１５４３２５）住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (291)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月３０日（２０１０．７．３０）
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【出願人】（０００１５４３２５）住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (291)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]