圧電振動子の製造方法、圧電振動子及び電子部品
【課題】ウエハから水晶振動子などの圧電振動子を製造するにあたり、ウエハの振動子形成領域の破損を抑えること。
【解決手段】圧電基板であるウエハにフォトリソグラフィーを利用して、多数の圧電振動子を形成してこれら圧電振動子を分断する圧電振動子の製造方法において、圧電基板の周縁部に圧電振動子を形成するための振動子形成領域を囲うように、クラック伝播防止用の貫通孔を形成し、前記貫通孔形成後、前記圧電振動子形成用エッチングマスクを形成し、次いで前記振動子形成領域に圧電振動子を形成する。ウエハの周端から中央に向かってクラックが発生しても、クラックの広がりを抑えることができる。
【解決手段】圧電基板であるウエハにフォトリソグラフィーを利用して、多数の圧電振動子を形成してこれら圧電振動子を分断する圧電振動子の製造方法において、圧電基板の周縁部に圧電振動子を形成するための振動子形成領域を囲うように、クラック伝播防止用の貫通孔を形成し、前記貫通孔形成後、前記圧電振動子形成用エッチングマスクを形成し、次いで前記振動子形成領域に圧電振動子を形成する。ウエハの周端から中央に向かってクラックが発生しても、クラックの広がりを抑えることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は圧電振動子の製造方法、その製造方法により製造された圧電振動子、その圧電振動子を含んだ電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子は例えば、圧電振動片である水晶片（水晶ブランク）と、その水晶片の表面及び裏面に各々設けられた対となる励振用の電極（励振電極）とを有する素子であり、前記励振電極に電圧を印加すると、水晶の圧電逆効果によって結晶振動が励起される特性を利用し、周波数や時間の基準源として発振器等の電子部品に広く用いられている。
【０００３】
従来の水晶振動子の製造工程の一例を説明する。先ず水晶により構成されるウエハＷの中央の水晶片形成領域において、例えばその表裏面にマスクを形成する。続いて表裏面のマスクの前記形成領域において水晶片の外形に沿い且つ互いに重なり合う、マスクパターンを多数形成し、これらのマスクパターンにウエハＷ表面の水晶を露出させる。これらの互いに重なり合うマスクパターンの形成は、後述のアライメントマークＭを用いてウエハＷの位置を精度高く合わせ込まれることにより行われる。
【０００４】
その後、ウエットエッチングを行い、表裏面のマスクパターンに沿って露出した水晶がエッチングされ、多数の水晶片の外形が同時に形成される。前記エッチング後、スパッタなどによりウエハＷに付着した各水晶片の表裏面に金属膜を形成し、その表裏面の金属膜をエッチングして、既述の一対の励振電極と、その励振電極に電気的に接続されると共に励振電極から水晶片の外方に引き出された形状を有する引き出し電極とが形成され、これらの電極形成後に前記接続部が切削されて、各水晶片はウエハＷから切り離される。
【０００５】
このように各電極が形成され、水晶振動子として構成された水晶片は、例えばパッケージによって封止されて、前記引き出し電極が当該パッケージに設けられた電極と電気的に接続され、電子部品の製品として出荷される。
【０００６】
ところで近年、水晶振動子の発振する周波数を高めるために水晶片の薄板化が進んでおり、その薄板化によってウエハＷの厚さも小さくなり、例えば１００μｍ程度の厚さのものが使用される場合がある。通常ウエハＷは、例えば棒状の水晶の結晶体が所定の規格の大きさになるように研磨され、その結晶体から所定の厚さを有するように切り出されることによって製造されているが、その研磨によりウエハＷの側周面にはチッピング（欠け）が発生している場合がある。
【０００７】
特にウエハＷの側周面の一部は、ウエハＷに対して既述の各処理を行う際に用いられる各装置が、ウエハＷの方向を判別するためオリエンテーションフラット（オリフラ）ＯＦと呼ばれる平面として構成されており、このオリフラＯＦは、他の箇所よりも大きく削られることによりチッピングが発生しやすい。
【０００８】
そしてウエハＷは薄くなったことにより耐衝撃性が低下し、例えばウエハＷに既述のような各処理が行われる間や各処理を行うための装置間を搬送する際に受ける衝撃により、前記側周面のチッピングから中央部に向かってクラック（ひび割れ）Ｃが発生するおそれがある。そして図１６（ａ）に示すように、図中鎖線で示す水晶片形成領域１１内にクラックＣが広がると、その形成領域１１内のクラックＣの周囲では水晶片を形成することができないか、あるいは形成された水晶片に不良が生じるおそれがある。
【０００９】
また、ウエハＷの表面の例えば水晶片形成領域１１を挟んだ左右２箇所には、その表面が若干削られたり、金属片が埋め込まれたりすることによりウエハＷの位置決めの基準となるアライメントマークＭが形成されており、既述のように水晶片の外形形成用の表裏面のマスクパターンを形成する際の位置合わせに用いられる他、例えば励振電極を形成するためのエッチングなどの各工程でアライメントマークＭを基準にしてウエハＷの位置合わせが行われる。
【００１０】
従って、図１６（ｂ）に示すように、アライメントマークＭがクラックＣにより損傷を受けると、各処理時にウエハＷの位置合わせが適切に行われなくなり、損傷を受けた後の処理工程は、正常に行われなくなり、既述のマスクパターンや電極などが正常な位置に形成できなくなる。その結果として水晶片及び水晶振動子の歩留まりが低下するおそれがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の課題は、ウエハから水晶振動子などの圧電振動子を製造するにあたり、ウエハの振動子形成領域の破損を抑えることにより、圧電振動子の歩留まりの低下を抑える技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の圧電振動子の製造方法は、圧電基板であるウエハにフォトリソグラフィーを利用して、多数の圧電振動子を形成してこれら圧電振動子を分断する圧電振動子の製造方法において、
圧電基板の周縁部に圧電振動子を形成するための振動子形成領域を囲うように、クラック伝播防止用の貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔形成後、前記圧電振動子形成用エッチングマスクを形成する工程と、
次いで前記振動子形成領域に圧電振動子を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
前記ウエハは、露光時にウエハの位置合わせを行うためのアライメントマークを備え、例えば前記貫通孔は、当該アライメントマークの外側に形成される。前記貫通孔は、互いに周方向に間隔を置いて複数設けられていてもよく、その場合例えば前記複数の貫通孔は、互いに隣接する貫通孔の一部同士がウエハの直径方向に重なり合っている。また例えばウエハの外形は予め規格値よりも大きく作られており、この規格値外ウエハに対してウエットエッチングまたはレーザー加工を施して前記規格値の大きさに成形するものであり、その場合、例えば前記規格値外ウエハを規格値の大きさに成形する工程と、前記貫通孔を形成する工程とはウエットエッチングまたはレーザー加工により同時に行われる。なおウエハの厚さは、例えば１５０μｍ以下である。
【００１４】
本発明の圧電振動子は、既述の方法で製造されたことを特徴とし、本発明の電子部品は、前記圧電振動子を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、圧電基板であるウエハに圧電振動子を形成するための振動子形成領域を囲うようにクラック伝播防止用の貫通孔が形成される。従って、その後の圧電振動子の形成工程において、ウエハに衝撃が加わり、ウエハの周端から中央に向かってクラックが発生しても、前記貫通孔を形成することにより、衝撃を伝達するものがなくなり、より内側へのクラックの進行を妨げ、当該クラックの広がりが抑えられる。その結果としてクラックがデバイス形成領域に達し、その領域が破損して圧電振動片の形成が妨げられることはなくなる。従って圧電振動片の歩留まりが低下することを抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
続いて本発明の一実施の形態を示す。この実施の形態においては、図１に示すような例えばＡＴカットされた水晶により構成される圧電基板であり、ウエハの規格よりも大きく形成された規格値外ウエハ２から図２に示す例えばその直径が３インチであるウエハＷを形成し、そのウエハＷから図３に示す圧電振動子である水晶振動子３を製造する手順について説明する。図１は規格値外ウエハ２の表面を示しており、図中鎖線で囲んだ領域２１はデバイス形成領域を示している。なお規格値外ウエハ２は、例えば先ず水晶の原石の側壁の一部がオリフラＯＦとして削られ、その後オリフラＯＦ以外の側壁が削られて、略円柱状に成形された後、その成形された原石が所定の厚さにスライスされることにより形成されたものである。また後述するようにデバイス形成領域２１内に多数の圧電振動片である水晶片３１が形成される。デバイス形成領域２１を挟んだ、表面の左右２箇所は、予め若干切削されることによりアライメントマークＭとして構成されている。図中の点線は前記ウエハＷの外形を示している。また、規格値外ウエハ２及びウエハＷの厚さは例えば１５０μｍ以下、例えば２０μｍ〜１５０μｍである。このように厚さが設定されるのは、ウエハの厚さがそのサイズのインチ数に対し５０をかけた大きさ（μｍ）以下であるときにクラックの発生が問題となることが多く、またウエハの厚みが２０μｍより小さいとウエハの扱いが困難になるからである。従ってウエハＷのサイズが２インチである場合にはその厚さは例えば２０μｍ〜１００μｍ，４インチである場合にはその厚さは例えば２０μｍ〜２００μｍに夫々設定される。
【００１７】
図２は、ウエハＷの表面を示したものであり、後述するように前記規格値外ウエハ２の周縁全体がエッチングされることによりその外形が形成されると共に背景技術の欄で説明したオリフラＯＦが形成されたものである。ウエハＷにはデバイス形成領域２１及びアライメントマークＭの外側に、ウエハＷを厚さ方向に貫通した溝状の８つの貫通孔２２が形成されており、各貫通孔２２は、図に示すようにデバイス形成領域２１及びアライメントマークＭを囲む１つの輪が周方向に８つに分割された形状となっている。
【００１８】
デバイス形成領域２１内の図中点線で囲まれる領域は水晶振動子２が形成される領域１０１〜１０４を示しており、各領域からは夫々１片の水晶片が形成される。また実際は水晶振動子２が形成される領域は１０１〜１０４の４つだけではなく、図中鎖線で囲まれるデバイス形成領域２１全体に亘り各々間隔をおいて設定されており、後述するウエハＷから水晶振動子３を形成する際に行われる各処理はこのデバイス形成領域２１全体に対して行われる。
【００１９】
図３（ａ）、（ｂ）は夫々水晶振動子３の表面、裏面を示しており、当該水晶振動子３の表面、裏面は夫々同様のレイアウトとなるように構成されている。図中３１は長方形に形成された水晶片であり、図中３２，３３は水晶振動子３の表面の中央、裏面の中央に夫々設けられた一対の励振電極である。図中３４，３５は引き出し電極であり、水晶片３１の表面及び裏面において励振電極３２，３３と夫々一体的に形成されている。引き出し電極３４（３５）は励振電極３２（３３）から夫々当該水晶片３１の外方に展伸され、水晶片３１の側面を介して水晶片３２の裏面（表面）に跨るように形成されている。
【００２０】
続いて図１の規格値外ウエハ２から図２のウエハＷが形成される工程について図４を用いて説明する。図４は、前記規格値外ウエハ２に各処理が行われることにより、図１中矢印Ａ−Ａ’で示される縦断面が変化する様子を示している。先ず図４（ａ）、（ｂ）に示すように規格値外ウエハ２の表面及び裏面にスパッタにより金属膜４１，４２が夫々成膜され、続いて図４（ｃ）に示すように金属膜４１，４２上に夫々レジスト膜４３，４４が成膜される。図中金属膜４１，４２は夫々１層として示されているが実際にはＣｒ（クロム）からなる下地膜上にＡｕ（金）からなる膜が積層された積層膜として構成されている。後述する金属膜５１，５２も同様に構成される。
【００２１】
続いて、図示は省略しているが、例えばレーザーを照射し、アライメントマークＭが覆われた付近のレジスト膜４３及び金属膜４１を除去してアライメントマークＭを露出させた後、そのアライメントマークＭに基づき規格値外ウエハ２を位置合わせし、表裏面のレジスト膜４３，４４に対して、ウエハＷの形状に合わせて露光を行う。その後、規格値外ウエハ２を現像処理し、露光した部分に対応するレジスト膜４３，４４を除去する（図４（ｄ））。除去部分はウエハＷの外形領域よりも外報の外側領域４５，４６及び貫通孔２２を形成すべき領域である貫通孔形成領域４７，４８である。
【００２２】
現像処理後、除去されずに残ったレジスト膜４３，４４をマスクとして金属膜４１，４２をエッチングし（図４（ｅ））、金属膜４１，４２にマスクパターンを形成し、段差４５，４６及びレジストパターン４７，４８にウエハＷの表面（水晶面）を露出させる。図５はこのようにマスクパターンが形成された規格値外ウエハ２の表面を表している。
【００２３】
然る後、規格値外ウエハ２をエッチング液であるフッ酸を含む溶液に浸漬し、除去されずに残った金属膜４１，４２をマスクとして、規格値外ウエハ２の周縁部をエッチングしてウエハＷの外形を形成すると同時にパターン４７，４８に沿ってエッチングして貫通孔２２を形成する（図４（ｆ））。その後、表裏面の金属膜４１，４２及びレジスト膜４３，４４を除去する（図４（ｇ））。
【００２４】
続いて既述のように形成されたウエハＷから水晶振動子３を形成する工程について図６〜図７を用いて順次説明する。図６〜図７は、ウエハＷに各処理が行われることにより図２中矢印Ｂ−Ｂ’で示される、水晶振動子２が形成される振動子形成領域１０１，１０２の縦断面が変化する様子を示している。先ずウエハＷの表面、裏面にスパッタによりＣｒ（クロム）及びＡｕ（金）からなる金属膜５１，５２が夫々成膜された後、各金属膜５１，５２上に夫々レジスト膜５３，５４が成膜される。
【００２５】
続いて、例えばレーザーを照射し、アライメントマークＭが覆われた付近のレジスト膜５３及び金属膜５１を除去してアライメントマークＭを露出させた後、そのアライメントマークＭを基準としてウエハＷの位置合わせを行う。然る後、ウエハＷは、領域１０１〜１０４の形状に応じたパターンマスクを用いて露光された後に現像され、各領域１０１〜１０４における表面側のレジスト膜５３が除去され、続いて除去されずに残ったレジスト膜５３をマスクとして各領域１０１〜１０４における金属膜５１がエッチングされて除去される（図６（ａ））。図８はこのときの領域１０１〜１０４の表面を示している。
【００２６】
然る後、形成される水晶片２１が所望の周波数特性を備えるように、金属膜５１をマスクとして領域１０１〜１０４のウエハＷの表面を若干エッチングし、その厚さを調整した後、例えば表面側のレジスト膜５３、裏面側の金属膜５２及び裏面側のレジスト膜５４が剥離される。
【００２７】
然る後ウエハＷの表面、裏面には例えばスパッタにより、水晶片３１の外形を形成するために行うエッチングのマスクとなる、Ｃｒ及びＡｕにより構成される金属膜６１、金属膜６２が夫々成膜され、続いて金属膜６１，６２上にレジスト膜６３，６４が夫々成膜される（図６（ｂ））。
【００２８】
各膜の成膜後、既述のようにアライメントマークＭを露出させ、アライメントマークＭに基づき、ウエハＷの位置合わせを行ったうえで、レジスト膜６３，６４の露光、現像を行い、各レジスト膜６３，６４にレジストパターン６５，６６を形成する（図６（ｃ））。図９は、レジストパターン６５が形成されたウエハＷの表面を示しており、図示されるようにレジストパターン６５は、各領域１０１〜１０４において、領域の周縁に沿い、且つ形成しようとする水晶片３１の外周に沿って四角枠状に形成されている。またウエハＷの裏面側のレジストパターン６６は、後述のマスクパターンを用いたエッチングにより水晶片３１の外形を切り出すために表面側のレジストパターン６５と同じ形状に、且つレジストパターン６５と重なり合うように形成される。なおエッチング後により水晶片３１の外形が形成された後も水晶片がウエハＷに支持されるように、領域１０１〜１０４の周縁の一部にはレジストパターン６５，６６が掛けられていない。
【００２９】
図６に戻って、レジストパターン６５，６６の形成後、このレジストパターン６５，６６に沿って金属膜６１，６２をエッチングし、金属膜６１，６２にウエハＷ表面（水晶面）が露出するようにマスクパターンを形成した後、ウエハＷは、エッチング液であるフッ酸を含む溶液に浸漬されて前記マスクパターンに沿って表面及び裏面からエッチングされ、ウエハＷの表裏を貫通する溝部６７が形成されて、水晶片３１の外形が形成される（図７（ｄ））。
【００３０】
水晶片３１の外形形成後、ウエハＷの表面及び裏面からレジスト膜６３，６４及び金属膜５１，６１，６２が除去され、然る後、各水晶片２１に電極を形成するためにウエハＷの表面及び裏面は洗浄処理される。続いて例えばスパッタによりウエハＷの表面、裏面に、図３で示した励振電極３２，３３及び引き出し電極３４，３５を構成する金属膜７１，７２が、水晶片３１の側面にもまたがるように夫々形成され、続いて前記各金属膜７１，７２上に夫々レジスト膜７３，７４が形成され（図７（ａ））、ウエハＷがアライメントマークＭを基に位置合わせされた上で、レジスト膜７３，７４が露光、現像されることにより、図１０にも示すように水晶片３１の励振電極３２，３３及び引き出し電極３４，３５の形状に夫々対応するように成形される（図７（ｂ））。そしてこれらの成形されたレジスト膜７３，７４をマスクとして金属膜７１，７２をエッチングし、励振電極３２，３３及び引き出し電極３４，３５が形成され、これらの各電極形成後にレジスト膜８３，８４が除去される。その後水晶片３１をウエハＷから切り離すことにより水晶振動子３が形成される（図７（ｃ））。
【００３１】
このようにウエハＷが形成されてから水晶振動子３がウエハＷから切り離されるまでの各処理中、これらの処理を行う装置にウエハＷが搬送される際及び前記装置の所定の部位に載置される際において、ウエハＷに衝撃が加わり、その側周端から中央部に向けてクラックＣが発生し、図１１（ａ）に示すようにクラックＣがウエハＷの中央部へ向けて広がっても、図１１（ｂ）に示すようにクラックＣが貫通孔２２に達すると、ウエハＷに加わった衝撃が緩和され、クラックＣの広がりが抑えられる。
【００３２】
水晶振動子３は例えば図１２（ａ）、（ｂ）のようにパッケージ８に封入されて電子部品として製造される。図中８１はパッケージ８内に設けられた一対の電極であり（図では１個のみ示している）、導電性接着剤８２を介して引き出し電極３４，３５に電気的に接続される。図中８３はパッケージ８の下部に設けられた電極であり、パッケージ８内の配線を介して前記電極８１に電気的に接続されている。このパッケージ８は、例えば発振回路の回路部品が搭載されている図示しない配線基板に搭載される。
【００３３】
本実施形態においては、ウエハＷの周縁部にデバイス形成領域２１及びアライメントマークＭを囲み、ウエハＷを厚さ方向に貫通するように貫通孔２２を形成し、そのウエハＷから水晶振動子３を形成している。従って貫通孔２２の形成後、ウエハＷに衝撃が加わり、ウエハＷの周端から中央に向かってクラックＣが発生しても、当該貫通孔２２を形成することにより、衝撃を伝達するものがなくなり、より内側へのクラックＣの進行を妨げ、当該クラックＣの広がりが抑えられる。その結果としてクラックＣがデバイス形成領域２１に達し、その形成領域２１が破損して水晶振動子３の形成が妨げられる。またクラックＣがアライメントマークＭに達し、ウエハＷの位置合わせ不良により水晶片外形形成用のマスクパターンの形成などの、その後のアライメントマークを用いる各処理が影響を受け、正常な水晶片３１の形成が妨げられることを抑えることができる。従って水晶片３１及びこの水晶片３１を用いて形成される水晶振動子３の歩留まりが低下することを抑えることができる。
【００３４】
また上記実施形態では規格値外ウエハ２の周縁をウエットエッチングすることにより、ウエハＷの外形を形成しており、研磨によりウエハＷの外形を形成する場合に比べてウエハＷの周端においてチッピングの発生を抑えることができる。従ってクラックＣの発生が抑えられ、デバイス形成領域２１及びアライメントマークＭの破損をより確実に抑えることができる。またウエハＷの外形を形成すると同時に貫通孔２２を形成しているため、これらを別々に形成する場合に比べてスループットの低下を抑えることができる。
【００３５】
貫通孔２２を形成するにあたってはウエットエッチングを行う代わりに、ウエハＷにレーザーを照射して形成を行うか、砂などの研磨剤を吹き付けるいわゆるサンドブラストにより形成を行ってもよい。
【００３６】
クラックＣの広がりを防ぐために貫通孔は、図１３のように形成されてもよい。図に示すようにこのウエハＷにはアライメントマークＭ及びデバイス形成領域２１を囲むようにウエハＷの表裏を貫通する溝状の貫通孔９１が形成されており、貫通孔９１は、既述の実施形態の貫通孔２２と同様に輪が周方向に複数に分割された形状を有している。この貫通孔９１の外側にはウエハＷの表裏を貫通する貫通孔９２が形成されている。貫通孔９２も輪が周方向に分割された形状を有しており、貫通孔９１の切れ目をカバーするように形成され、貫通孔９１及び貫通孔９２によりアライメントマークＭ及びデバイス形成領域２１の全周が囲まれている。これによってクラックＣがアライメントマークＭ及びデバイス形成領域２１に達し、これを損傷することをより確実に防ぐことができる。
【００３７】
なおクラック伝播防止用の貫通孔としては、図１４（ａ）に示すように多数の円孔９３がウエハＷの周方向に配列されたものであってもよい。また図１４（ｂ）に示すように表裏が貫通した円弧状のスリット９４をウエハＷの周方向に沿って多数形成してもよい。隣接するスリット９４の一部同士はウエハＷの直径方向に重なり合っており、このように形成されることでウエハＷの全周からのクラックＣの伝播をより確実に抑えられるようにしている。また図１５に示すように貫通孔は複数形成されることに限られず、ウエハＷの周方向に沿ってスリット状に１つの貫通孔９５が形成されていてもよい
【００３８】
また上記の実施形態ではウエハＷの外形を形成すると同時に貫通孔２２を同時に形成しているが、ウエハＷの外形を形成する前に例えば貫通孔２２に対応するマスクパターンを形成してそのマスクパターンに沿って貫通孔２２の形成を行った後、ウエハＷの外形に対応する外形形成用マスクパターンを持ったマスクを形成し、エッチングを行ってウエハＷの外形形成を行ってもよい。またウエハＷの外形形成を行った後で貫通孔２２を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施形態に用いられる基板を示した図である。
【図２】本発明の実施形態の製造工程により前記基板から形成されるウエハを示した図である。
【図３】本発明の実施形態の製造工程により前記ウエハから形成される水晶振動子を示した図である。
【図４】前記ウエハの製造工程を示した工程図である。
【図５】前記製造工程における基板を示した図である。
【図６】前記水晶振動子の製造工程を示した工程図である。
【図７】前記水晶振動子の製造工程を示した工程図である。
【図８】前記製造工程においてウエハに形成されるパターンを示した説明図である。
【図９】前記製造工程においてウエハに形成されるパターンを示した説明図である。
【図１０】前記製造工程においてウエハに形成される水晶片を示した説明図である。
【図１１】前記製造工程においてクラックの広がりが抑えられる様子を示した説明図である。
【図１２】パッケージに封入された状態の前記水晶振動子を示した説明図である。
【図１３】他のウエハの構成を示した図である。
【図１４】他のウエハの構成を示した図である。
【図１５】他のウエハの構成を示した図である。
【図１６】従来の水晶振動子の製造工程において、ウエハに発生したクラックを示す説明図である。
【符号の説明】
【００４０】
Ｃ クラック
Ｍ アライメントマーク
Ｗ ウエハ
１０１，１０２，１０３，１０４ 水晶振動子形成領域
２ 規格値外ウエハ
２１ デバイス形成領域
３ 水晶振動子
３１ 水晶片
【技術分野】
【０００１】
本発明は圧電振動子の製造方法、その製造方法により製造された圧電振動子、その圧電振動子を含んだ電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子は例えば、圧電振動片である水晶片（水晶ブランク）と、その水晶片の表面及び裏面に各々設けられた対となる励振用の電極（励振電極）とを有する素子であり、前記励振電極に電圧を印加すると、水晶の圧電逆効果によって結晶振動が励起される特性を利用し、周波数や時間の基準源として発振器等の電子部品に広く用いられている。
【０００３】
従来の水晶振動子の製造工程の一例を説明する。先ず水晶により構成されるウエハＷの中央の水晶片形成領域において、例えばその表裏面にマスクを形成する。続いて表裏面のマスクの前記形成領域において水晶片の外形に沿い且つ互いに重なり合う、マスクパターンを多数形成し、これらのマスクパターンにウエハＷ表面の水晶を露出させる。これらの互いに重なり合うマスクパターンの形成は、後述のアライメントマークＭを用いてウエハＷの位置を精度高く合わせ込まれることにより行われる。
【０００４】
その後、ウエットエッチングを行い、表裏面のマスクパターンに沿って露出した水晶がエッチングされ、多数の水晶片の外形が同時に形成される。前記エッチング後、スパッタなどによりウエハＷに付着した各水晶片の表裏面に金属膜を形成し、その表裏面の金属膜をエッチングして、既述の一対の励振電極と、その励振電極に電気的に接続されると共に励振電極から水晶片の外方に引き出された形状を有する引き出し電極とが形成され、これらの電極形成後に前記接続部が切削されて、各水晶片はウエハＷから切り離される。
【０００５】
このように各電極が形成され、水晶振動子として構成された水晶片は、例えばパッケージによって封止されて、前記引き出し電極が当該パッケージに設けられた電極と電気的に接続され、電子部品の製品として出荷される。
【０００６】
ところで近年、水晶振動子の発振する周波数を高めるために水晶片の薄板化が進んでおり、その薄板化によってウエハＷの厚さも小さくなり、例えば１００μｍ程度の厚さのものが使用される場合がある。通常ウエハＷは、例えば棒状の水晶の結晶体が所定の規格の大きさになるように研磨され、その結晶体から所定の厚さを有するように切り出されることによって製造されているが、その研磨によりウエハＷの側周面にはチッピング（欠け）が発生している場合がある。
【０００７】
特にウエハＷの側周面の一部は、ウエハＷに対して既述の各処理を行う際に用いられる各装置が、ウエハＷの方向を判別するためオリエンテーションフラット（オリフラ）ＯＦと呼ばれる平面として構成されており、このオリフラＯＦは、他の箇所よりも大きく削られることによりチッピングが発生しやすい。
【０００８】
そしてウエハＷは薄くなったことにより耐衝撃性が低下し、例えばウエハＷに既述のような各処理が行われる間や各処理を行うための装置間を搬送する際に受ける衝撃により、前記側周面のチッピングから中央部に向かってクラック（ひび割れ）Ｃが発生するおそれがある。そして図１６（ａ）に示すように、図中鎖線で示す水晶片形成領域１１内にクラックＣが広がると、その形成領域１１内のクラックＣの周囲では水晶片を形成することができないか、あるいは形成された水晶片に不良が生じるおそれがある。
【０００９】
また、ウエハＷの表面の例えば水晶片形成領域１１を挟んだ左右２箇所には、その表面が若干削られたり、金属片が埋め込まれたりすることによりウエハＷの位置決めの基準となるアライメントマークＭが形成されており、既述のように水晶片の外形形成用の表裏面のマスクパターンを形成する際の位置合わせに用いられる他、例えば励振電極を形成するためのエッチングなどの各工程でアライメントマークＭを基準にしてウエハＷの位置合わせが行われる。
【００１０】
従って、図１６（ｂ）に示すように、アライメントマークＭがクラックＣにより損傷を受けると、各処理時にウエハＷの位置合わせが適切に行われなくなり、損傷を受けた後の処理工程は、正常に行われなくなり、既述のマスクパターンや電極などが正常な位置に形成できなくなる。その結果として水晶片及び水晶振動子の歩留まりが低下するおそれがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の課題は、ウエハから水晶振動子などの圧電振動子を製造するにあたり、ウエハの振動子形成領域の破損を抑えることにより、圧電振動子の歩留まりの低下を抑える技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の圧電振動子の製造方法は、圧電基板であるウエハにフォトリソグラフィーを利用して、多数の圧電振動子を形成してこれら圧電振動子を分断する圧電振動子の製造方法において、
圧電基板の周縁部に圧電振動子を形成するための振動子形成領域を囲うように、クラック伝播防止用の貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔形成後、前記圧電振動子形成用エッチングマスクを形成する工程と、
次いで前記振動子形成領域に圧電振動子を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
前記ウエハは、露光時にウエハの位置合わせを行うためのアライメントマークを備え、例えば前記貫通孔は、当該アライメントマークの外側に形成される。前記貫通孔は、互いに周方向に間隔を置いて複数設けられていてもよく、その場合例えば前記複数の貫通孔は、互いに隣接する貫通孔の一部同士がウエハの直径方向に重なり合っている。また例えばウエハの外形は予め規格値よりも大きく作られており、この規格値外ウエハに対してウエットエッチングまたはレーザー加工を施して前記規格値の大きさに成形するものであり、その場合、例えば前記規格値外ウエハを規格値の大きさに成形する工程と、前記貫通孔を形成する工程とはウエットエッチングまたはレーザー加工により同時に行われる。なおウエハの厚さは、例えば１５０μｍ以下である。
【００１４】
本発明の圧電振動子は、既述の方法で製造されたことを特徴とし、本発明の電子部品は、前記圧電振動子を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、圧電基板であるウエハに圧電振動子を形成するための振動子形成領域を囲うようにクラック伝播防止用の貫通孔が形成される。従って、その後の圧電振動子の形成工程において、ウエハに衝撃が加わり、ウエハの周端から中央に向かってクラックが発生しても、前記貫通孔を形成することにより、衝撃を伝達するものがなくなり、より内側へのクラックの進行を妨げ、当該クラックの広がりが抑えられる。その結果としてクラックがデバイス形成領域に達し、その領域が破損して圧電振動片の形成が妨げられることはなくなる。従って圧電振動片の歩留まりが低下することを抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
続いて本発明の一実施の形態を示す。この実施の形態においては、図１に示すような例えばＡＴカットされた水晶により構成される圧電基板であり、ウエハの規格よりも大きく形成された規格値外ウエハ２から図２に示す例えばその直径が３インチであるウエハＷを形成し、そのウエハＷから図３に示す圧電振動子である水晶振動子３を製造する手順について説明する。図１は規格値外ウエハ２の表面を示しており、図中鎖線で囲んだ領域２１はデバイス形成領域を示している。なお規格値外ウエハ２は、例えば先ず水晶の原石の側壁の一部がオリフラＯＦとして削られ、その後オリフラＯＦ以外の側壁が削られて、略円柱状に成形された後、その成形された原石が所定の厚さにスライスされることにより形成されたものである。また後述するようにデバイス形成領域２１内に多数の圧電振動片である水晶片３１が形成される。デバイス形成領域２１を挟んだ、表面の左右２箇所は、予め若干切削されることによりアライメントマークＭとして構成されている。図中の点線は前記ウエハＷの外形を示している。また、規格値外ウエハ２及びウエハＷの厚さは例えば１５０μｍ以下、例えば２０μｍ〜１５０μｍである。このように厚さが設定されるのは、ウエハの厚さがそのサイズのインチ数に対し５０をかけた大きさ（μｍ）以下であるときにクラックの発生が問題となることが多く、またウエハの厚みが２０μｍより小さいとウエハの扱いが困難になるからである。従ってウエハＷのサイズが２インチである場合にはその厚さは例えば２０μｍ〜１００μｍ，４インチである場合にはその厚さは例えば２０μｍ〜２００μｍに夫々設定される。
【００１７】
図２は、ウエハＷの表面を示したものであり、後述するように前記規格値外ウエハ２の周縁全体がエッチングされることによりその外形が形成されると共に背景技術の欄で説明したオリフラＯＦが形成されたものである。ウエハＷにはデバイス形成領域２１及びアライメントマークＭの外側に、ウエハＷを厚さ方向に貫通した溝状の８つの貫通孔２２が形成されており、各貫通孔２２は、図に示すようにデバイス形成領域２１及びアライメントマークＭを囲む１つの輪が周方向に８つに分割された形状となっている。
【００１８】
デバイス形成領域２１内の図中点線で囲まれる領域は水晶振動子２が形成される領域１０１〜１０４を示しており、各領域からは夫々１片の水晶片が形成される。また実際は水晶振動子２が形成される領域は１０１〜１０４の４つだけではなく、図中鎖線で囲まれるデバイス形成領域２１全体に亘り各々間隔をおいて設定されており、後述するウエハＷから水晶振動子３を形成する際に行われる各処理はこのデバイス形成領域２１全体に対して行われる。
【００１９】
図３（ａ）、（ｂ）は夫々水晶振動子３の表面、裏面を示しており、当該水晶振動子３の表面、裏面は夫々同様のレイアウトとなるように構成されている。図中３１は長方形に形成された水晶片であり、図中３２，３３は水晶振動子３の表面の中央、裏面の中央に夫々設けられた一対の励振電極である。図中３４，３５は引き出し電極であり、水晶片３１の表面及び裏面において励振電極３２，３３と夫々一体的に形成されている。引き出し電極３４（３５）は励振電極３２（３３）から夫々当該水晶片３１の外方に展伸され、水晶片３１の側面を介して水晶片３２の裏面（表面）に跨るように形成されている。
【００２０】
続いて図１の規格値外ウエハ２から図２のウエハＷが形成される工程について図４を用いて説明する。図４は、前記規格値外ウエハ２に各処理が行われることにより、図１中矢印Ａ−Ａ’で示される縦断面が変化する様子を示している。先ず図４（ａ）、（ｂ）に示すように規格値外ウエハ２の表面及び裏面にスパッタにより金属膜４１，４２が夫々成膜され、続いて図４（ｃ）に示すように金属膜４１，４２上に夫々レジスト膜４３，４４が成膜される。図中金属膜４１，４２は夫々１層として示されているが実際にはＣｒ（クロム）からなる下地膜上にＡｕ（金）からなる膜が積層された積層膜として構成されている。後述する金属膜５１，５２も同様に構成される。
【００２１】
続いて、図示は省略しているが、例えばレーザーを照射し、アライメントマークＭが覆われた付近のレジスト膜４３及び金属膜４１を除去してアライメントマークＭを露出させた後、そのアライメントマークＭに基づき規格値外ウエハ２を位置合わせし、表裏面のレジスト膜４３，４４に対して、ウエハＷの形状に合わせて露光を行う。その後、規格値外ウエハ２を現像処理し、露光した部分に対応するレジスト膜４３，４４を除去する（図４（ｄ））。除去部分はウエハＷの外形領域よりも外報の外側領域４５，４６及び貫通孔２２を形成すべき領域である貫通孔形成領域４７，４８である。
【００２２】
現像処理後、除去されずに残ったレジスト膜４３，４４をマスクとして金属膜４１，４２をエッチングし（図４（ｅ））、金属膜４１，４２にマスクパターンを形成し、段差４５，４６及びレジストパターン４７，４８にウエハＷの表面（水晶面）を露出させる。図５はこのようにマスクパターンが形成された規格値外ウエハ２の表面を表している。
【００２３】
然る後、規格値外ウエハ２をエッチング液であるフッ酸を含む溶液に浸漬し、除去されずに残った金属膜４１，４２をマスクとして、規格値外ウエハ２の周縁部をエッチングしてウエハＷの外形を形成すると同時にパターン４７，４８に沿ってエッチングして貫通孔２２を形成する（図４（ｆ））。その後、表裏面の金属膜４１，４２及びレジスト膜４３，４４を除去する（図４（ｇ））。
【００２４】
続いて既述のように形成されたウエハＷから水晶振動子３を形成する工程について図６〜図７を用いて順次説明する。図６〜図７は、ウエハＷに各処理が行われることにより図２中矢印Ｂ−Ｂ’で示される、水晶振動子２が形成される振動子形成領域１０１，１０２の縦断面が変化する様子を示している。先ずウエハＷの表面、裏面にスパッタによりＣｒ（クロム）及びＡｕ（金）からなる金属膜５１，５２が夫々成膜された後、各金属膜５１，５２上に夫々レジスト膜５３，５４が成膜される。
【００２５】
続いて、例えばレーザーを照射し、アライメントマークＭが覆われた付近のレジスト膜５３及び金属膜５１を除去してアライメントマークＭを露出させた後、そのアライメントマークＭを基準としてウエハＷの位置合わせを行う。然る後、ウエハＷは、領域１０１〜１０４の形状に応じたパターンマスクを用いて露光された後に現像され、各領域１０１〜１０４における表面側のレジスト膜５３が除去され、続いて除去されずに残ったレジスト膜５３をマスクとして各領域１０１〜１０４における金属膜５１がエッチングされて除去される（図６（ａ））。図８はこのときの領域１０１〜１０４の表面を示している。
【００２６】
然る後、形成される水晶片２１が所望の周波数特性を備えるように、金属膜５１をマスクとして領域１０１〜１０４のウエハＷの表面を若干エッチングし、その厚さを調整した後、例えば表面側のレジスト膜５３、裏面側の金属膜５２及び裏面側のレジスト膜５４が剥離される。
【００２７】
然る後ウエハＷの表面、裏面には例えばスパッタにより、水晶片３１の外形を形成するために行うエッチングのマスクとなる、Ｃｒ及びＡｕにより構成される金属膜６１、金属膜６２が夫々成膜され、続いて金属膜６１，６２上にレジスト膜６３，６４が夫々成膜される（図６（ｂ））。
【００２８】
各膜の成膜後、既述のようにアライメントマークＭを露出させ、アライメントマークＭに基づき、ウエハＷの位置合わせを行ったうえで、レジスト膜６３，６４の露光、現像を行い、各レジスト膜６３，６４にレジストパターン６５，６６を形成する（図６（ｃ））。図９は、レジストパターン６５が形成されたウエハＷの表面を示しており、図示されるようにレジストパターン６５は、各領域１０１〜１０４において、領域の周縁に沿い、且つ形成しようとする水晶片３１の外周に沿って四角枠状に形成されている。またウエハＷの裏面側のレジストパターン６６は、後述のマスクパターンを用いたエッチングにより水晶片３１の外形を切り出すために表面側のレジストパターン６５と同じ形状に、且つレジストパターン６５と重なり合うように形成される。なおエッチング後により水晶片３１の外形が形成された後も水晶片がウエハＷに支持されるように、領域１０１〜１０４の周縁の一部にはレジストパターン６５，６６が掛けられていない。
【００２９】
図６に戻って、レジストパターン６５，６６の形成後、このレジストパターン６５，６６に沿って金属膜６１，６２をエッチングし、金属膜６１，６２にウエハＷ表面（水晶面）が露出するようにマスクパターンを形成した後、ウエハＷは、エッチング液であるフッ酸を含む溶液に浸漬されて前記マスクパターンに沿って表面及び裏面からエッチングされ、ウエハＷの表裏を貫通する溝部６７が形成されて、水晶片３１の外形が形成される（図７（ｄ））。
【００３０】
水晶片３１の外形形成後、ウエハＷの表面及び裏面からレジスト膜６３，６４及び金属膜５１，６１，６２が除去され、然る後、各水晶片２１に電極を形成するためにウエハＷの表面及び裏面は洗浄処理される。続いて例えばスパッタによりウエハＷの表面、裏面に、図３で示した励振電極３２，３３及び引き出し電極３４，３５を構成する金属膜７１，７２が、水晶片３１の側面にもまたがるように夫々形成され、続いて前記各金属膜７１，７２上に夫々レジスト膜７３，７４が形成され（図７（ａ））、ウエハＷがアライメントマークＭを基に位置合わせされた上で、レジスト膜７３，７４が露光、現像されることにより、図１０にも示すように水晶片３１の励振電極３２，３３及び引き出し電極３４，３５の形状に夫々対応するように成形される（図７（ｂ））。そしてこれらの成形されたレジスト膜７３，７４をマスクとして金属膜７１，７２をエッチングし、励振電極３２，３３及び引き出し電極３４，３５が形成され、これらの各電極形成後にレジスト膜８３，８４が除去される。その後水晶片３１をウエハＷから切り離すことにより水晶振動子３が形成される（図７（ｃ））。
【００３１】
このようにウエハＷが形成されてから水晶振動子３がウエハＷから切り離されるまでの各処理中、これらの処理を行う装置にウエハＷが搬送される際及び前記装置の所定の部位に載置される際において、ウエハＷに衝撃が加わり、その側周端から中央部に向けてクラックＣが発生し、図１１（ａ）に示すようにクラックＣがウエハＷの中央部へ向けて広がっても、図１１（ｂ）に示すようにクラックＣが貫通孔２２に達すると、ウエハＷに加わった衝撃が緩和され、クラックＣの広がりが抑えられる。
【００３２】
水晶振動子３は例えば図１２（ａ）、（ｂ）のようにパッケージ８に封入されて電子部品として製造される。図中８１はパッケージ８内に設けられた一対の電極であり（図では１個のみ示している）、導電性接着剤８２を介して引き出し電極３４，３５に電気的に接続される。図中８３はパッケージ８の下部に設けられた電極であり、パッケージ８内の配線を介して前記電極８１に電気的に接続されている。このパッケージ８は、例えば発振回路の回路部品が搭載されている図示しない配線基板に搭載される。
【００３３】
本実施形態においては、ウエハＷの周縁部にデバイス形成領域２１及びアライメントマークＭを囲み、ウエハＷを厚さ方向に貫通するように貫通孔２２を形成し、そのウエハＷから水晶振動子３を形成している。従って貫通孔２２の形成後、ウエハＷに衝撃が加わり、ウエハＷの周端から中央に向かってクラックＣが発生しても、当該貫通孔２２を形成することにより、衝撃を伝達するものがなくなり、より内側へのクラックＣの進行を妨げ、当該クラックＣの広がりが抑えられる。その結果としてクラックＣがデバイス形成領域２１に達し、その形成領域２１が破損して水晶振動子３の形成が妨げられる。またクラックＣがアライメントマークＭに達し、ウエハＷの位置合わせ不良により水晶片外形形成用のマスクパターンの形成などの、その後のアライメントマークを用いる各処理が影響を受け、正常な水晶片３１の形成が妨げられることを抑えることができる。従って水晶片３１及びこの水晶片３１を用いて形成される水晶振動子３の歩留まりが低下することを抑えることができる。
【００３４】
また上記実施形態では規格値外ウエハ２の周縁をウエットエッチングすることにより、ウエハＷの外形を形成しており、研磨によりウエハＷの外形を形成する場合に比べてウエハＷの周端においてチッピングの発生を抑えることができる。従ってクラックＣの発生が抑えられ、デバイス形成領域２１及びアライメントマークＭの破損をより確実に抑えることができる。またウエハＷの外形を形成すると同時に貫通孔２２を形成しているため、これらを別々に形成する場合に比べてスループットの低下を抑えることができる。
【００３５】
貫通孔２２を形成するにあたってはウエットエッチングを行う代わりに、ウエハＷにレーザーを照射して形成を行うか、砂などの研磨剤を吹き付けるいわゆるサンドブラストにより形成を行ってもよい。
【００３６】
クラックＣの広がりを防ぐために貫通孔は、図１３のように形成されてもよい。図に示すようにこのウエハＷにはアライメントマークＭ及びデバイス形成領域２１を囲むようにウエハＷの表裏を貫通する溝状の貫通孔９１が形成されており、貫通孔９１は、既述の実施形態の貫通孔２２と同様に輪が周方向に複数に分割された形状を有している。この貫通孔９１の外側にはウエハＷの表裏を貫通する貫通孔９２が形成されている。貫通孔９２も輪が周方向に分割された形状を有しており、貫通孔９１の切れ目をカバーするように形成され、貫通孔９１及び貫通孔９２によりアライメントマークＭ及びデバイス形成領域２１の全周が囲まれている。これによってクラックＣがアライメントマークＭ及びデバイス形成領域２１に達し、これを損傷することをより確実に防ぐことができる。
【００３７】
なおクラック伝播防止用の貫通孔としては、図１４（ａ）に示すように多数の円孔９３がウエハＷの周方向に配列されたものであってもよい。また図１４（ｂ）に示すように表裏が貫通した円弧状のスリット９４をウエハＷの周方向に沿って多数形成してもよい。隣接するスリット９４の一部同士はウエハＷの直径方向に重なり合っており、このように形成されることでウエハＷの全周からのクラックＣの伝播をより確実に抑えられるようにしている。また図１５に示すように貫通孔は複数形成されることに限られず、ウエハＷの周方向に沿ってスリット状に１つの貫通孔９５が形成されていてもよい
【００３８】
また上記の実施形態ではウエハＷの外形を形成すると同時に貫通孔２２を同時に形成しているが、ウエハＷの外形を形成する前に例えば貫通孔２２に対応するマスクパターンを形成してそのマスクパターンに沿って貫通孔２２の形成を行った後、ウエハＷの外形に対応する外形形成用マスクパターンを持ったマスクを形成し、エッチングを行ってウエハＷの外形形成を行ってもよい。またウエハＷの外形形成を行った後で貫通孔２２を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施形態に用いられる基板を示した図である。
【図２】本発明の実施形態の製造工程により前記基板から形成されるウエハを示した図である。
【図３】本発明の実施形態の製造工程により前記ウエハから形成される水晶振動子を示した図である。
【図４】前記ウエハの製造工程を示した工程図である。
【図５】前記製造工程における基板を示した図である。
【図６】前記水晶振動子の製造工程を示した工程図である。
【図７】前記水晶振動子の製造工程を示した工程図である。
【図８】前記製造工程においてウエハに形成されるパターンを示した説明図である。
【図９】前記製造工程においてウエハに形成されるパターンを示した説明図である。
【図１０】前記製造工程においてウエハに形成される水晶片を示した説明図である。
【図１１】前記製造工程においてクラックの広がりが抑えられる様子を示した説明図である。
【図１２】パッケージに封入された状態の前記水晶振動子を示した説明図である。
【図１３】他のウエハの構成を示した図である。
【図１４】他のウエハの構成を示した図である。
【図１５】他のウエハの構成を示した図である。
【図１６】従来の水晶振動子の製造工程において、ウエハに発生したクラックを示す説明図である。
【符号の説明】
【００４０】
Ｃ クラック
Ｍ アライメントマーク
Ｗ ウエハ
１０１，１０２，１０３，１０４ 水晶振動子形成領域
２ 規格値外ウエハ
２１ デバイス形成領域
３ 水晶振動子
３１ 水晶片
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板であるウエハにフォトリソグラフィーを利用して、多数の圧電振動子を形成してこれら圧電振動子を分断する圧電振動子の製造方法において、
圧電基板の周縁部に圧電振動子を形成するための振動子形成領域を囲うように、クラック伝播防止用の貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔形成後、前記圧電振動子形成用エッチングマスクを形成する工程と、
次いで前記振動子形成領域に圧電振動子を形成する工程と、
を含むことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項２】
前記ウエハは、露光時にウエハの位置合わせを行うためのアライメントマークを備え、
前記貫通孔は、当該アライメントマークの外側に形成されることを特徴とする請求項１記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項３】
前記貫通孔は、互いに周方向に間隔を置いて複数設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項４】
前記複数の貫通孔は、互いに隣接する貫通孔の一部同士がウエハの直径方向に重なり合っていることを特徴とする請求項３記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項５】
ウエハの外形は予め規格値よりも大きく作られており、この規格値外ウエハに対してウエットエッチングまたはレーザー加工を施して前記規格値の大きさに成形する工程を含む請求項１ないし４のいずれか一に記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項６】
前記規格値外ウエハを規格値の大きさに成形する工程と、前記貫通孔を形成する工程とは、ウエットエッチングまたはレーザー加工により同時に行われることを特徴とする請求項５記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項７】
ウエハの厚さは１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一に記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の方法で製造されたことを特徴とする圧電振動子。
【請求項９】
請求項８に記載の圧電振動子を含むことを特徴とする電子部品。
【請求項１】
圧電基板であるウエハにフォトリソグラフィーを利用して、多数の圧電振動子を形成してこれら圧電振動子を分断する圧電振動子の製造方法において、
圧電基板の周縁部に圧電振動子を形成するための振動子形成領域を囲うように、クラック伝播防止用の貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔形成後、前記圧電振動子形成用エッチングマスクを形成する工程と、
次いで前記振動子形成領域に圧電振動子を形成する工程と、
を含むことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項２】
前記ウエハは、露光時にウエハの位置合わせを行うためのアライメントマークを備え、
前記貫通孔は、当該アライメントマークの外側に形成されることを特徴とする請求項１記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項３】
前記貫通孔は、互いに周方向に間隔を置いて複数設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項４】
前記複数の貫通孔は、互いに隣接する貫通孔の一部同士がウエハの直径方向に重なり合っていることを特徴とする請求項３記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項５】
ウエハの外形は予め規格値よりも大きく作られており、この規格値外ウエハに対してウエットエッチングまたはレーザー加工を施して前記規格値の大きさに成形する工程を含む請求項１ないし４のいずれか一に記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項６】
前記規格値外ウエハを規格値の大きさに成形する工程と、前記貫通孔を形成する工程とは、ウエットエッチングまたはレーザー加工により同時に行われることを特徴とする請求項５記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項７】
ウエハの厚さは１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一に記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の方法で製造されたことを特徴とする圧電振動子。
【請求項９】
請求項８に記載の圧電振動子を含むことを特徴とする電子部品。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００８−１１３３８２（Ｐ２００８−１１３３８２Ａ）
【公開日】平成２０年５月１５日（２００８．５．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２９６６１８（Ｐ２００６−２９６６１８）
【出願日】平成１８年１０月３１日（２００６．１０．３１）
【出願人】（０００２３２４８３）日本電波工業株式会社 (1,148)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年５月１５日（２００８．５．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１０月３１日（２００６．１０．３１）
【出願人】（０００２３２４８３）日本電波工業株式会社 (1,148)
【Ｆターム（参考）】
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