基板塗布装置および基板塗布方法
【課題】ノズルの先端が乾燥することを防ぎつつ、基板の端部から塗布処理を開始することができる浮上搬送式の基板塗布処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに塗布処理を行うための塗布ステージは塗布前ステージ４０と塗布後ステージ４１とに分かれており、空気の噴出及び排気を行って、基板Ｗを浮上させるための空気流を形成する小孔が、それぞれのステージに形成されている。基板Ｗは先端が塗布前ステージ４０と塗布後ステージ４１との境界線上に位置して停止しており、塗布後ステージ４１上方に配置されたスリットノズル５５が下降し、基板端部の塗布開始位置に向けて移動する。このとき、塗布後ステージ４１からの空気の噴出および吸引は一時的に停止される。
【解決手段】基板Ｗに塗布処理を行うための塗布ステージは塗布前ステージ４０と塗布後ステージ４１とに分かれており、空気の噴出及び排気を行って、基板Ｗを浮上させるための空気流を形成する小孔が、それぞれのステージに形成されている。基板Ｗは先端が塗布前ステージ４０と塗布後ステージ４１との境界線上に位置して停止しており、塗布後ステージ４１上方に配置されたスリットノズル５５が下降し、基板端部の塗布開始位置に向けて移動する。このとき、塗布後ステージ４１からの空気の噴出および吸引は一時的に停止される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶用ガラス角型基板、半導体基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板等の精密電子装置用基板、あるいはそれに類する各種の基板の表面に、処理液を塗布する基板塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種基板の製造工程においては、基板の表面に処理液を塗布する基板塗布装置が用いられている。このような基板塗布装置として、スリットノズルから処理液を吐出しつつ該スリットノズルを基板に対して相対的に直進移動させて、基板全体に処理液を塗布するスリットコータが知られている。特に、大型基板への処理液の塗布では、基板を回転させながら処理液を塗布するスピン方式の採用は困難であるため、このようなスリットコータが主流である。
【０００３】
このような直進型（リニアコート方式）の基板塗布装置では、タクトタイムの短縮化の観点において、基板を吸着保持して塗布処理を行うよりも、浮上搬送させて塗布処理を行うほうが望ましい。
【０００４】
また、リニアコート方式でレジスト塗布処理を行う際、スリットノズルと基板表面異物との接触によるノズルのダメージや塗布不良が問題となるため、ノズルには何らかの保護機構が必要である。
【０００５】
特許文献１には、吸着ステージ上で吸着保持された基板に塗布処理を行う際、ノズルの進行方向前面に保護機構を設置して、基板の端部から基板表面を走査する際に、基板前面の異物を検知し、ノズルの先端を保護することが可能な基板塗布装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１０５６２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、浮上搬送方式で基板にレジスト液などの処理液塗布処理を行う場合、基板の端部からノズル保護機構を用いて基板表面を走査しようとすると、ノズルは、下方に基板が存在しない状態で、浮上ステージに下降させなくてはならない。そのため、浮上ステージから噴出、排気される空気の流れにより、ノズル先端の処理液は乾燥して、基板に塗布処理を行う際に、塗布不良を起こす恐れがある。
【０００８】
また、ノズル直下に基板の端部が存在する状態で、ノズルを下降させれば、上記の問題は発生しないが、塗布を開始する基板端部の実際の浮上高さを測定することができない。また、図２８に示すように、基板の端部から保護機構の間の基板表面については異物の検出を行うことができない。
【０００９】
本発明は上記のような問題に鑑みてなされたものであり、浮上搬送方式で基板に処理液の塗布処理を行う際に、ノズル先端の処理液の乾燥による塗布不良を防止することを第１の目的とする。
【００１０】
本発明の第２の目的は、基板の先端部における異物検出を可能としつつ、ノズル先端の処理液の乾燥による塗布不良を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、基板に処理液を塗布するための基板塗布装置であって、ステージ面に設けた気体孔を通る気体流により前記ステージ面上に圧力気体層を形成し、前記圧力気体層によって基板を浮上させる浮上ステージと、前記基板に対して相対的に移動させるノズルから所定の処理液を前記基板上に吐出することにより、前記基板上に前記処理液を塗布する処理液供給手段と、前記気体流の形成状態と停止状態とを切り替える気体流制御手段と、を備え、前記相対的な移動と並行して行う前記処理液の吐出の前に、前記ノズルからの前記処理液の吐出を止めた状態で、前記ノズルを、前記浮上ステージ上の基板存在領域から外れた位置から、前記基板存在領域まで相対的に移動させる空走期間が設定されており、前記気体流制御手段は、前記空走期間のうち少なくとも一部の期間においては、前記ノズルの直下領域での前記気体流の形成を一時的に停止することを特徴とする。
【００１２】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載された基板塗布装置であって、前記ノズルを、前記浮上ステージの上方空間で昇降させる昇降手段、をさらに備え、前記空走期間は、前記ノズルが、所定の待機高さから下降する下降期間と、前記ノズルが下降状態になってから水平方向に前記ノズルを前記基板に対して相対的に接近させる水平移動期間とを有しており、前記基板上への前記処理液の塗布は、前記下降状態において行われるものであり、前記空走期間のうち少なくとも前記水平移動期間においては、前記気体流の形成を停止させておくことを特徴とする。
【００１３】
請求項３に係る発明は、請求項１または２に記載された基板塗布装置であって、前記浮上ステージにおいては、それぞれに気体孔が形成された複数の気体流形成領域が、別プレートまたは１つのプレートの別部分として隣接配置されており、前記複数の気体流形成領域のそれぞれに対応して気体流路の開閉機構が設けられており、前記気体流制御手段は、前記開閉機構を用いた前記気体流の形成の一時的な停止を、前記複数の気体流形成領域のうち、前記ノズルの直下に存在するとともにその上には前記基板が存在しない領域についてのみ行うことを特徴とする。
【００１４】
請求項４に係る発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載された基板塗布装置であって、前記気体流の一時的な停止の後、前記基板の塗布開始位置から前記ノズルが前記処理液の吐出を開始するまでに、前記浮上ステージのすべての気体孔を用いた気体流の形成を再開することを特徴とする。
【００１５】
請求項５に係る発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載された基板塗布装置であって、前記基板の浮上高さを測定する浮上高さ測定手段、をさらに備えるとともに、前記処理液供給手段は、前記ノズルのうち、前記相対的な移動において前方に相当する側に取付けられて前記ノズルの先端を保護する保護部材をさらに備え、前記浮上高さ測定手段が前記基板端部の塗布開始位置の浮上高さを検出しつつ前記ノズルを下降させてから、前記ノズルと前記基板とを相対的に移動させることにより、前記保護部材が前記ノズルよりも先に基板端部に進入することを特徴とする。
【００１６】
請求項６に係る発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載された基板塗布装置であって、前記気体流の形成の一時的な停止による前記基板の温度変動の許容値があらかじめ決定されており、前記気体流の形成の前記一時的な停止状態の継続時間は、前記温度変動が前記許容値以下となる時間として決定されていることを特徴とする。
【００１７】
請求項７に係る発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載された基板塗布装置であって、前記浮上ステージには、前記気体を噴出する複数の噴出孔と、前記気体を吸引する複数の吸引孔とが混在して形成されており、前記気体流は、前記複数の噴出孔から噴出した圧力気体が前記複数の吸引孔から吸引される過程において発生しており、前記気体流制御手段は、前記複数の噴出孔への気体供給経路の開閉と、前記複数の吸引孔からの気体吸引経路の開閉とによって、前記気体流の形成状態と停止状態とを切り替えることを特徴とする。
【００１８】
請求項８に係る発明は、所定のノズルから吐出した処理液を基板に塗布するための方法であって、ステージ面に設けた気体孔を通る気体流により前記ステージ面上に圧力気体層を形成し、前記圧力気体層によって基板を浮上させる第１工程と、前記ステージ面のうち、基板存在領域を外れており、かつノズルの直下となっている特定領域について前記空気流を一時的に停止する工程と、所定の待機高さから前記特定領域に向けてノズルを降下させる工程と、前記ノズルと前記基板とを相対的に移動させて前記ノズルを前記基板の塗布開始位置の上に到達させ、前記ノズルからの前記処理液の吐出を開始する工程と、前記処理液の吐出を開始するまでに、前記特定領域についての前記空気流の形成を再開する工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１から請求項８に記載の発明によれば、ノズルからの処理液の吐出を止めた状態で、ノズルを、浮上ステージ上の基板存在領域から外れた位置から、基板存在領域の上方に相対的に移動させる空走期間のうち少なくとも一部の期間において、基板存在領域を外れた領域のうち少なくともノズルの直下の領域を含む範囲での気体流の形成を一時的に停止させる。そのため、気体圧力層形成のための空気流の影響で、ノズルの先端の処理液が乾燥し、塗布処理を行う際に、基板に塗布ムラが発生する可能性を抑えることができる。
【００２０】
また、特に請求項２に記載の発明によれば、最も空気流の影響を受けやすい水平移動期間での気体流の形成を停止するため、処理液の乾燥防止効果が特に高い。
【００２１】
また、特に請求項３に記載の発明によれば、気体流の形成の一時的な停止を、複数の気体流形成領域のうち、ノズルの直下領域について行うような個別制御を可能としてある。このため、ノズルを基板に接近させる際に、気体流形成領域によって気体孔の分布状況を変更することが可能であり、部分的に安価なプレートまたはプレート区画を利用できる。
【００２２】
また、特に請求項４に記載の発明によれば、基板が塗布開始位置に到達したら、全ての浮上ステージ上で圧力気体層の形成が行われるため、塗布処理を行うために基板の搬送を行っても、基板が撓む恐れがない。
【００２３】
また、特に請求項５に記載の発明によれば、ノズルの先端の保護部材を使用して、基板の端部から基板表面を走査できるため、基板全面の異物について検知することが可能である。
【００２４】
また、特に請求項６に記載の発明によれば、浮上ステージ上の圧力気体層の形成を止めることによる基板の温度変動の影響をより定量的に抑えることができるので、塗布処理を行った際に、基板側の温度変動に起因して塗布ムラが発生することを抑制できる。
【００２５】
また、特に請求項７に記載の発明によれば、浮上ステージ上の気体流による圧力気体層の形成を気体の噴出と吸引とにより行っているため、圧力気体層の圧力のバランスがとれて、基板の浮上をより安定的に行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に係る基板処理装置の上面図である。
【図２】ノズルユニットおよびノズル洗浄待機ユニットを取り外した場合における図１の基板処理装置の上面図である。
【図３】基板処理装置の制御機構を表したブロック図である。
【図４】上昇時における移載ユニットのＹＺ断面図である。
【図５】下降時における移載ユニットのＹＺ断面図である。
【図６】コロコンベアおよび移載ユニットのＸＺ側面図である。
【図７】昇降コンベアサポートフレームの上面図である。
【図８】本実施の形態に係る塗布ステージの上面図である。
【図９】図８に示す塗布ステージへの空気の供給および吸引の流路を示すＸＺ断面図である。
【図１０】本発明に係る基板処理装置のＹＺ断面図である。
【図１１】本発明に係る基板処理装置の動作を表したタイムチャートである。
【図１２】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示した上面図である。
【図１３】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示した上面図である。
【図１４】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示したＸＺ断面図である。
【図１５】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示した上面図である。
【図１６】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示したＸＺ断面図である。
【図１７】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示した上面図である。
【図１８】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示したＸＺ断面図である。
【図１９】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示したＸＺ断面図である。
【図２０】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示したＸＺ断面図である。
【図２１】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示したＸＺ断面図である。
【図２２】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示したＸＺ断面図である。
【図２３】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示した上面図である。
【図２４】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示した上面図である。
【図２５】変形例に係る塗布ステージの上面図である。
【図２６】ノズルと基板との位置関係による空気流のＯＮ／ＯＦＦ切換を示す部分拡大図である。
【図２７】ノズルと基板との位置関係による空気流のＯＮ／ＯＦＦ切換を示す部分拡大図である。
【図２８】ノズルを基板上で降下させた場合の状況を示す部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
【００２８】
なお、以下の説明においては、方向及び向きを示す際に、適宜図中に示す３次元のＸＹＺ直交座標を用いる。ここで、Ｘ軸及びＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向（＋Ｚ側が上側、−Ｚ側が下側）を示す。また、便宜上、Ｘ軸方向を左右方向（基板搬送に関して＋Ｘ側が下流側、−Ｘ側が上流側）とし、Ｙ軸方向を奥行き方向（＋Ｙ側、−Ｙ側）とする。
【００２９】
＜１． 基板処理装置の概要＞
図１は本発明の実施の形態に係る基板処理装置１の概略構成を示した上面図である。図２は、ノズルユニット５およびノズル洗浄待機ユニット９を取り外した場合における本発明の実施の形態に係る基板処理装置１の概略構成を示した上面図である。
【００３０】
基板処理装置１は、処理液を吐出するスリットが形成された長尺のノズルと基板とを相対的に移動させて基板の表面に処理液を塗布する装置（スリットコータ）として構成されている。この装置１は、基板の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングする前処理として、処理液としてのレジスト液を基板に塗布するプロセスなどに利用される。スリットコータの塗布対象となる基板は、代表的に液晶表示装置に画面パネルを製造するための角形のガラス基板であるが、半導体基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板などの他の基板であってもよい。
【００３１】
基板処理装置１の機構的構成は、上流ユニットから搬送されてくる水平姿勢の矩形基板Ｗを受け入れて（＋Ｘ）方向に搬送する基板搬送装置２と、基板Ｗに処理液を塗布する塗布装置３と、出口浮上ステージ１１とに大別される。この基板処理装置１で処理液を塗布された後の基板Ｗは、出口浮上ステージ１１から移載ロボット３６によって減圧乾燥ユニット３７、３８のいずれかに移載され、塗布された処理液の減圧乾燥を受ける。その後、減圧乾燥ユニット３８と上下方向に積層された受け渡し位置３９に基板Ｗが移載され、さらに次の工程のための別装置に払い出される。
【００３２】
基板搬送装置２は、上流ユニットから送られてきた基板Ｗを搬送するコロコンベア３０、圧縮空気によって基板Ｗを浮上させる入口浮上ステージ１０、コロコンベア３０から入口浮上ステージ１０に基板Ｗを移載する移載ユニット６および基板Ｗの両側端を吸着保持して下流に搬送する基板搬送チャック８に、大別される。また、基板塗布装置３は、処理液を吐出するスリットノズル５５を備えたノズルユニット５、スリットノズル５５の洗浄を行うノズル洗浄待機ユニット９、および塗布処理が行われる塗布ステージ４に大別される。
【００３３】
この基板処理装置１の全体を通して見たときの基板搬送区間ＴＲは、基板の支持方式の違いによって３つの区間に大別される。
【００３４】
(1) 接触支持区間ＴＡ：
上流側の接触支持区間ＴＡは、基板Ｗの下面に接触するコロ配列で基板Ｗを支持しつつ、それぞれのコロの回転によって基板を搬送する「コロ搬送方式」となっている。この「コロ搬送方式」での基板支持は、基板Ｗの下面に接触して基板Ｗを支持する「接触支持形式」の１態様となっている。基板処理装置１の前段側に存在する上流ユニットでの搬送もまたコロ搬送方式となっている。
【００３５】
(2) 浮上支持区間ＴＣ１，ＴＣ２：
後述する支持形式転換区間ＴＢをはさんで接触支持区間ＴＡの下流側にある浮上支持区間ＴＣ１、ＴＣ２は、圧縮空気によって基板を浮上させることによって基板Ｗを支持する。一般に、基板を浮上させて基板を支持する形式が「浮上支持形式」であるが、この実施形態では、加圧気体（具体的には圧縮空気）によって浮上支持形式を実現しつつ、基板の両側端を吸着保持して基板を移動させる浮上搬送方式となっている。区間ＴＣ１、ＴＣ２のうち区間ＴＣ１は、処理液の塗布に直接に関係する塗布用搬送区間であり、区間ＴＣ２は基板を移載ロボット３６に受け渡すための出口区間である。
【００３６】
(3) 支持形式転換区間：ＴＢ
上記２種類の区間ＴＡ，（ＴＣ１，ＴＣ２）の間に設けられた支持形式転換区間ＴＢは、接触支持区間ＴＡと浮上支持区間ＴＣ１、ＴＣ２との間で、基板の支持方式を転換するための区間である。基板の支持形式ではなく搬送方式という観点から見れば、支持形式転換区間ＴＢは、接触支持区間ＴＡでの「接触搬送方式」としての「コロ搬送方式」と、浮上支持区間ＴＣ１、ＴＣ２での「浮上搬送方式」との間で、基板の搬送方式を転換する区間である。
【００３７】
図３は、制御部７と、それによって主に制御される各機能部との関係を示す図である。制御部７はコンピュータを用いて構成されており、コンピュータにインストールされたプログラムと、装置各部の特性データ、および各基板の処理手順（レシピ）に従って装置各部を制御し、一連の基板の連続処理が行われる。制御対象となっている各部の機能については、それぞれの関係箇所において後述する。
【００３８】
＜２. 各部の構成＞
＜●コロコンベア３０＞
コロコンベア３０は、回転する複数のコロ３０１の外周面の最上部が基板Ｗの下面に当接することで、基板Ｗに推進力を与え、下流方向に移動させる接触式の搬送装置である。駆動源であるモータ３５と１本の回転軸３０２、さらにそれぞれ隣接する回転軸３０２同士において、タイミングベルト３２（図６参照）が掛け渡されているため、同じ回転速度を、同じタイミングで各回転軸３０２に与えることが可能である。これらの複数のコロ３０１は、後述する移載ユニット６のコロ６０１とは異なり、固定高さに設けられて基板の下面に接触するコロ群を構成する。
【００３９】
このコロコンベア３０において、Ｘ軸方向と平行な両端部の一方には、減速センサ（図示せず）が設置されており、この減速センサの設置位置よりもさらに基板Ｗの搬送方向下流側には、停止センサ（図示せず）が設置されている。搬送される基板Ｗの先端ＷＥ（図１２参照）が、減速センサに検知されることにより、コロ３０１の回転速度は減速され、停止センサが基板Ｗの先端ＷＥを検知することでコロ３０１の回転は停止される。このように事前に搬送される基板Ｗの速度を落とすことで、基板Ｗに加わる衝撃を最小限にしたうえで、基板Ｗの停止が可能となる。
【００４０】
＜●移載ユニット６＞
コロコンベア３０の下流側には移載ユニット６が設置されている。この移載ユニット６はコロコンベア３０と入口浮上ステージ１０との間隔空間に設置されており、浮上パッド６４と移載昇降コロコンベア６０とを備えている。
【００４１】
浮上パッド６４は、それぞれの上面から基板Ｗの下面に圧縮気体、例えば空気を噴出して基板Ｗを浮上させ、基板Ｗを非接触状態で支持する浮上機構である。浮上パッド６４は、空気を噴出するための多数の噴出孔６４ａ（図１２参照）を上面に分布させて設けた長方形状の部材で構成されており、その上面が気体噴射面となる。噴出孔６４ａからは常に空気が噴出されている。この浮上パッド６４が、長手方向を基板Ｗの搬送方向と平行になるように、Ｙ軸方向に沿って所定間隔をおいて複数設置されている。これら複数の浮上パッド６４の集合体が基板Ｗの浮上ステージとして機能するが、各浮上パッド６４はそれの構成要素たる単位浮上ステージとなっている。
【００４２】
所定間隔をおいて配列された浮上パッド６４間の空隙には、移載昇降コロコンベア６０の複数のコロ６０１からなるコロ群が、各コロ６０１の外周面の最上部における回転方向と、浮上パッド６４の長手方向とが平行になる向きで位置しており、コロ６０１の回転の中心を回転軸６０２が貫いている。後述する図４および図５に示すように浮上パッド６４は回転軸６０２の上方に存在し、浮上パッド６４の長手方向と直交するように、複数のコロ６０１の回転中心を貫いた回転軸６０２が略水平に並んでいる。
【００４３】
コロ６０１および回転軸６０２の駆動については、コロコンベア３０と同様に、駆動源であるモータ６５と１本の回転軸６０２、さらにそれぞれ略水平に隣接する回転軸６０２同士において、タイミングベルト６２（図６参照）が掛け渡されており、同じ回転速度を、同じタイミングで移載昇降コロコンベア６０を構成する各回転軸６０２に与えることが可能である。
【００４４】
各コロ６０１の回転軸６０２の下方には、例えばシリンダのような、昇降機構６６（図４参照）が設置されており、この昇降機構６６と各コロ６０１の回転軸６０２とが部材を介して連結されている。そのため、この昇降機構６６の駆動に合わせて、略水平を保ちつつ、移載昇降コロコンベア６０はＺ軸方向に昇降する。
【００４５】
図４は移載昇降コロコンベア６０の上昇時における移載ユニット６のＹＺ断面図である。図５は移載昇降コロコンベア６０の下降時における移載ユニット６のＹＺ断面図である。
【００４６】
図４に示すように、上昇時のコロ６０１の位置は、その外周面の最上部が基板Ｗの下面と接触する位置であり、噴出孔６４ａからの空気の噴出により基板Ｗが浮上する高さよりも高い位置である。また、図５に示すように、下降時は、コロ６０１の外周面の最上部が浮上パッド６４の上面よりも低い位置まで下降する。上昇時においては、コロコンベア３０と同様に、回転するコロ６０１の外周面の最上部が基板Ｗの下面に当接することで、基板Ｗに推進力を与え、基板Ｗを下流方向に移動させる。
【００４７】
この移載昇降コロコンベア６０が上昇した状態で回転することにより、基板Ｗはコロコンベア３０から入口浮上ステージ１０へと搬送される。基板Ｗがコロコンベア３０を通過すると、移載昇降コロコンベア６０は浮上パッド６４の上面よりも下方に下降する。そのため、移載ユニット６による基板Ｗの支持は浮上パッド６４による浮上力のみとなり、入口浮上ステージ１０での浮上力と協働して基板Ｗを浮上させ、コロなどの下部機構とは非接触状態に移行する。
【００４８】
この移載ユニット６の搬送方向（＋Ｘ方向）の長さすなわち図１における支持形式転換区間ＴＢの長さは、搬送方向における基板Ｗの長さよりも短くなっている。換言すれば、搬送方向（＋Ｘ方向）について所定長の基板Ｗの処理を行う装置１において、移載ユニット６の搬送方向（＋Ｘ方向）の長さはその所定長よりも短くされている。そのため、基板処理ラインの全長を短縮化することが可能である。
【００４９】
図６はコロコンベア３０と移載ユニット６との側面図である。図６に示すように、コロコンベア３０と移載ユニット６とは、隣接配置されてはいるが連結されてはおらず、完全に別々の装置として空間的に分離されている。このとき、昇降コンベアサポートフレーム６９は、側面から見た場合に連結されているように見えるが、実際は図７に示したＡの部分の上面図のように、空間的に連結されてはいない。従ってコロコンベア３０のコロ駆動に伴う振動が移載ユニット６より下流側に伝達されることはない。その結果、後述する処理液塗布処理において、無用の振動に起因する塗布ムラを防止できる。
【００５０】
＜●入口浮上ステージ１０＞
移載ユニット６の下流側には入口浮上ステージ１０が設置されている。この入口浮上ステージ１０は、多数の空気の噴出孔１０ａが１枚の板状ステージ面の全面にわたって分布形成されており、圧縮空気の噴出による気体圧力で基板Ｗを浮上させて、基板Ｗを、入口浮上ステージ１０の上面すなわち気体噴射面に対して非接触状態にすることが可能である。このときの基板Ｗの浮上高さは１０〜５００マイクロメートルとなる。入口浮上ステージ１０におけるこのような基板浮上原理は、移載ユニット６における浮上パッド６４の平行配列と同じである。
【００５１】
図１２に示すように、基板処理装置１の基板搬送路において、基板Ｗの搬送方向に対して平行な基板Ｗの２辺よりもＹ軸方向に沿って外側の位置（以下、「側方位置」と称する）には、ガイドローラ１０２ｐ〜１０２ｓが設置されている。移載ユニット６の（＋Ｙ）側にはガイドローラ１０２ｐが、（−Ｙ）側にはガイドローラ１０２ｒが、入口浮上ステージ１０の（＋Ｙ）側にはガイドローラ１０２ｑが、（−Ｙ）側にはガイドローラ１０２ｓが設置されている。このガイドローラ１０２ｐ〜１０２ｓは、入口浮上ステージ１０に基板Ｗの搬送が行われない場合には退避位置（基板Ｗの側辺の移動軌跡に相当するラインから離れた位置）にあるが、基板搬送時には、ガイドローラ１０２ｐ〜１０２ｓに取り付けられたガイドローラシリンダ（図示せず）により、搬送方向に平行な基板Ｗの２辺を、Ｘ軸と平行な基板Ｗの中心線に向けて両側から押し付けるように接触する。ガイドローラ１０２ｐ〜１０２ｓは、回転軸がＺ軸と平行に設置されており、これによって移載ユニット６から入口浮上ステージ１０に乗り移る際、コロコンベア３０および移載昇降コロコンベア６０のコロ６０１の回転によって与えられる推進力を搬送方向にのみ伝達することが可能となるため、基板Ｗの横ずれを防止できる。
【００５２】
入口浮上ステージ１０の、Ｘ軸方向と平行な両端部の一方には、コロコンベア３０と同様に減速センサ（図示せず）と停止センサ（図示せず）とが設置されており、基板Ｗの搬送速度を減速させたうえで、入口浮上ステージ１０における所定の停止位置で基板Ｗの搬送を停止させることができる。
【００５３】
図１５に示すように、入口浮上ステージ１０の停止センサによって停止した基板Ｗを整列処理するための整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｆが、移載ユニット６と入口浮上ステージ１０との周囲に設置されている。具体的には、Ｘ軸方向に対して平行な基板Ｗの２辺に接する整列処理ピン１０５ｇ〜１０５ｊが、移載ユニット６と入口浮上ステージ１０との側方位置において、（＋Ｙ）側に１０５ｇ，１０５ｈが、（−Ｙ）側に１０５ｉ，１０５ｊが設置されており、基板ＷのＸ軸方向と平行な２辺に接する。搬送方向に対して後端の基板Ｗの１辺に接する整列処理ピン１０５ｅ，１０５ｆは、コロコンベア３０と移載ユニット６との境界に、Ｙ軸方向に沿って設置されている。そして、搬送方向に対して先端の基板Ｗの１辺に接する整列処理ピン１０５ｃ，１０５ｄは、入口浮上ステージ１０上で停止位置にある基板Ｗの先端の１辺よりもさらに下流側の入口浮上ステージ１０に形成された、整列処理ピン１０５ｃ，１０５ｄに合った大きさの凹部内に、設置されており、Ｙ軸方向に沿って設けられている。このＹ軸方向に平行な、基板Ｗの先端ＷＥと後端との２辺に接する整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｆについては、通常の基板搬送時には、基板搬送の邪魔にならないように、コロコンベア３０と移載ユニット６との境界、そして入口浮上ステージ１０に形成された凹部、の下方に退避している。整列処理を行う際には、整列処理ピンシリンダ（図示せず）の動作によって基板Ｗと当接できる位置まで基板搬送路の上方に伸長し、基板Ｗと当接する最上端の部分が、基板方向に位置を変えることで、基板ＷのＹ軸方向に平行な２辺と接する。このように、合計８カ所に設置された各整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｆが動作することによって、基板Ｗは正確な停止位置に位置決めされる。
【００５４】
＜●塗布ステージ４＞
入口浮上ステージ１０の下流には塗布ステージ４が存在する。この塗布ステージ４上において基板Ｗはスリットノズル５５から処理液としてレジスト液を塗布される。
【００５５】
この塗布ステージ４は入口浮上ステージ１０と同様に、ステージ表面において多数の小孔が分布形成されている。ただし、入口浮上ステージ１０において、小孔は空気の噴出のみが行われていたが、塗布ステージ４においては、空気の噴出だけでなく、空気の吸引を行うための小孔も形成されている。つまり、塗布ステージ４上に存在する多数の小孔（気体孔）は、図８に示すように、圧縮空気の噴出孔４０ａ，４１ａと吸引孔４０ｂ，４１ｂとに分類される。このように空気の噴出と吸引とが行われることで、噴出孔４０ａ，４１ａからステージ面上に噴出した圧縮空気の空気流は水平方向に広がった後、それらの噴出孔４０ａ，４１ａに隣接する吸引孔４０ｂ，４１ｂから吸引されることになり、浮上した基板Ｗと塗布ステージ４上面との間における空気層（圧力気体層）での圧力バランスは、より安定的となる。
【００５６】
この塗布ステージ４は、２分割されており、図８は、２分割された塗布ステージ４の上面図である。
【００５７】
入口浮上ステージ１０で停止していた基板Ｗは、基板搬送チャック８によりその側端部が吸引保持されつつ（＋Ｘ）方向に搬送されて塗布ステージ４上でいったん停止する。この停止した基板Ｗの先端ＷＥの直下となる位置がプレート境界Ｓｔとされており、このプレート境界Ｓｔにおいて塗布ステージ４を構成するプレートは、２分割されている。プレート境界Ｓｔよりも（−Ｘ）方向に位置するプレートを塗布前ステージ４０、（＋Ｘ）方向に位置するプレートを塗布後ステージ４１とする。
【００５８】
図９は、塗布前ステージ４０および塗布後ステージ４１における空気の供給流路と吸引流路とを示している。空気の供給流路は、コンプレッサなどの圧縮機構２０１で圧縮された空気が、温調ユニット２０２で所定の温度に達せられた後で、塗布前ステージ４０と塗布後ステージ４１とのそれぞれの流路に分岐される。温調ユニット２０２により空気が所定の温度に設定されるのは、外気温に関係なく空気を一定の温度状態に保つためである。分岐後の空気は、それぞれの流路においてフィルタ１２，２２を通って清浄化され、ニードル弁１３，２３で圧力を調節された後で流量計１４，２４、圧力計１５，２５、エアオペレーションバルブ１６，２６を通過して、塗布前ステージ４０および塗布後ステージ４１における噴出孔４０ａおよび４１ａから噴出される。空気の供給の開始および停止は、エアオペレーションバルブ１６，２６の開閉を制御部７（図３）からの指令信号によって行うことで実行される。圧縮空気の圧力制御もまた制御部７が行う。
【００５９】
空気の吸引は、吸引手段としてブロワ１８，２８が用いられており、駆動モータ（図示せず）がインバータ制御されている。塗布前ステージ４０および塗布後ステージ４１上に設けられた吸引孔４０ｂおよび４１ｂからの吸引流路中には、圧力計１７，２７が設置されており、吸引流路中の圧力を測定できる。また、吸引流路中にはリリーフ弁１９，２９が設置されている。これにより、ブロワ１８，２８の回転によって得られる吸引圧力よりも吸引流路内の圧力が高い場合に、リリーフ弁１９，２９から吸引流路内の空気を外部に放出することで、吸引流路内の圧力を一定に保つための微調整を行うことができる。
【００６０】
空気の供給手段としての圧縮機構２０１は１台であり、分岐させることでステージ毎に流路を分けることができる。一方、吸引手段としてのブロワ１８，２８は、各ステージにおけるそれぞれの吸引流路毎に設置されている。
【００６１】
このように塗布ステージ４は２つに分かれており、内部の流路が、塗布前ステージ４０と塗布後ステージ４１とで、分割されているため、空気の噴出と吸引とをステージごとに調節することが可能である。つまり、２つのステージ４０，４１での圧力気体層（空気流）は個別に制御可能であり、圧縮空気の噴出と吸引とを双方同時に行うこともできるだけでなく、そのうちの一方だけについて一時的に空気の噴出と吸引とを停止させることもできる。
【００６２】
たとえば、塗布後ステージ４１の空気の噴出および吸引を単独で停止させたい場合、噴出についてはエアオペレーションバルブ２６を全閉にし、吸引についてはブロワ２８の駆動モータ（図示せず）と接続されたインバータ（図示せず）を停止させることで、そのような単独制御を実現できる。エアオペレーションバルブ２６や前記インバータは圧力気体層を形成するための空気流を制御する気体流制御手段として機能する。
【００６３】
＜●ノズルユニット５＞
図１０は基板搬送チャック８とノズルユニット５とノズル洗浄待機ユニット９とのＹＺ断面図である。
【００６４】
基板Ｗの表面にレジスト液を塗布するノズルユニット５は、塗布ステージ４の上方に設置されており、図１０に示す架橋構造を持つ。このような架橋構造は、例えばカーボンファイバ補強樹脂を骨材とするノズル支持部と、その両端を支持して昇降させる昇降機構とから構成されている。ノズル支持部にはスリットノズル５５が設置されている。このスリットノズル５５は、処理液供給機構（図示せず）から供給されるレジスト液を、その下端に形成されているスリット状の吐出口５５ａから基板Ｗの上面へ吐出する。この吐出口５５ａは、塗布ステージ４に対して略水平であり、Ｙ軸方向に沿って延びている。
【００６５】
ノズルの昇降機構はノズル支持部の両端に設置されており、主に駆動源であるサーボモータ５９と、ボールねじ５８とによって構成されている。このサーボモータ５９により、ノズル支持部は塗布ステージ４に対して鉛直方向に延びたボールねじ５８に沿って昇降駆動されて、スリットノズル５５の吐出口５５ａと基板Ｗとの間隔は調節される。
【００６６】
この昇降機構には、基板搬送路の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）で基板と接しない位置にＸ軸方向に沿ってノズルユニット走行ガイド５１が設置してある。
【００６７】
２つのノズルユニットリニアモータ（−Ｙ側、＋Ｙ側）のそれぞれの固定子は本体装置のＹ軸方向の側面にＸ軸方向に沿って設けられており、それぞれの移動子は昇降機構の外側に固設されている。これらの固定子と移動子との間に生じる磁気相互作用によって、ノズルユニット５は、ノズルユニット走行ガイド５１に沿って移動する。
【００６８】
２つのノズルユニットリニアスケール５２についても、本体装置の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）に、それぞれ設置されている。このノズルユニットリニアスケール５２がノズルユニット５の移動位置を検出するため、制御部７はその検出結果に基づいてノズルユニットリニアモータ５３の駆動を制御し、ノズルユニット５のＸ軸方向における移動、つまりはスリットノズル５５による基板表面への走査を制御する。
【００６９】
塗布処理を行う際には、スリットノズル５５の吐出口５５ａからレジスト液を吐出した状態で、基板搬送チャック８が基板Ｗの両端を保持して（＋Ｘ）軸方向に所定の速度で水平移動させる。
【００７０】
基板搬送チャック８は、下面が非接触状態にある基板Ｗのエッジを保持して基板Ｗを下流方向に搬送するための装置である。原点状態において基板搬送チャック８は、浮上パッド６４と入口浮上ステージ１０とに跨って停止した基板Ｗの、Ｘ軸方向に平行な両端部の直下に位置している。つまり、基板Ｗをチャッキングする位置の内側に、移載ユニット６と入口浮上ステージ１０とが位置する構造である。
【００７１】
図１などに示すように、基板搬送チャック８は、基板搬送経路に沿って、入口浮上ステージ１０、塗布ステージ４および出口浮上ステージ１１の両側部のみならず、移載ユニット６の両側部にも延在している。そして、基板搬送チャック８による基板Ｗの搬送速度と、コロコンベア３０の各コロ３０１の回転による基板搬送速度と、上昇状態にある移載ユニット６の各コロ６０１の回転による基板搬送速度とは同じ速度であって、所定の基準速度に統一されている。ただし、ここで言う「搬送速度」は、搬送の開始および終了の際の加減速期間を除く、定常速度区間での速度として規定される。これによって、先後の複数の基板を装置１内で同時に移動させる期間において、基板相互の衝突の防止のために基板間の間隔を余分にとらずに済む。
【００７２】
図１０に示すように基板搬送チャック８は、左右対称（＋Ｙ側と−Ｙ側とで対称）構造となっており、左右それぞれで、基板Ｗを吸着保持するチャック部８８と、Ｘ軸方向に移動するための搬送チャック走行ガイド８１と、その移動のための駆動力を発生させる搬送チャックリニアモータ８３と、基板Ｗの位置を検出するための搬送チャックリニアスケール８２とを、備えている。
【００７３】
図４、図５に示すように、チャック部８８はチャック昇降シリンダ８５の動作により昇降させることが可能である。チャック部８８が上昇することで、＋Ｙ側、−Ｙ側の基板Ｗの両端部の下面は支持され、吸着保持される。
【００７４】
このチャック部８８の下方には、基板搬送路の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）で、ノズルユニット走行ガイド５１よりも内側の位置に、Ｘ軸方向に沿って搬送チャック走行ガイド８１が設置してある。
【００７５】
２つの搬送チャックリニアモータ（−Ｙ側、＋Ｙ側）のそれぞれの固定子は基板処理装置１のＹ軸方向における最も内側の側面にＸ軸方向に沿って設けられている。それぞれの移動子は基板搬送チャック８に固設されている。これらの固定子と移動子との間に生じる磁気相互作用によって基板搬送チャック８は、搬送チャック走行ガイド８１に沿って移動する。
【００７６】
２つの搬送チャックリニアスケール８２についても、基板処理装置１の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）に、それぞれ設置されている。この搬送チャックリニアスケール８２が基板搬送チャック８の移動位置を検出するため、制御部７はその検出結果に基づいて基板位置の制御を行う。
【００７７】
ノズル洗浄待機ユニット９は、スリットノズル５５が基板Ｗの表面に塗布処理を行った後で、レジスト液で汚れたノズル先端を洗浄し、次の塗布処理に向けてスリットノズル５５の吐出口５５ａの状態を整えるための装置である。そのため、スリットノズル５５からのレジスト液の吐出対象となる略円筒状のローラ９５を備えている。
【００７８】
図１０に示すように、このノズル洗浄待機ユニット９は、Ｘ軸方向に沿って、基板搬送路よりも外側で、かつノズルユニット５よりも内側の位置に設置されている。ノズル洗浄待機ユニット９においても、左右（−Ｙ側、＋Ｙ側）それぞれに、ノズル洗浄待機ユニット走行ガイド９１、ノズル洗浄待機ユニットリニアモータ９３、そしてノズル洗浄待機ユニットリニアスケール９２が備わっている。
【００７９】
ノズル洗浄待機ユニット走行ガイド９１は、Ｙ軸方向に見た場合、ノズルユニット走行ガイド５１と搬送チャック走行ガイド８１との間に位置しており、Ｘ軸方向に沿うように、基板搬送路の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）に設置してある。
【００８０】
両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）に設けられたノズル洗浄待機ユニットの２つのリニアモータ９３は、それぞれの固定子が基板処理装置１のＹ軸方向における内側の側面にＸ軸方向に沿って設けられている。またそれぞれの移動子はノズル洗浄待機ユニット９に固設されている。これらの固定子と移動子との間に生じる磁気相互作用によってノズル洗浄待機ユニット９は、ノズル洗浄待機ユニット走行ガイド９１に沿って移動する。
【００８１】
２つのノズル洗浄待機ユニットリニアスケール９２についても、基板処理装置１の両端に（−Ｙ側、＋Ｙ側）それぞれに設置されている。このノズル洗浄待機ユニットリニアスケール９２がノズル洗浄待機ユニット９の移動位置を検出するため、制御部７はその検出結果に基づいてノズル洗浄待機ユニット９の位置について制御が可能である。
【００８２】
このノズル洗浄待機ユニット９には主にローラ９５、洗浄ユニット９９、ローラバット９６などが備わっている。この洗浄ユニット９９において、塗布処理が行われた後のスリットノズル５５の吐出口５５ａの洗浄が行われる。ローラ９５の外周面にスリットノズル５５を近接させた状態で吐出口５５ａから一定のレジスト液を吐出させると、吐出口５５ａにレジスト液の液だまりが形成される。このように吐出口５５ａに液だまりが均一に形成されると、その後の塗布処理を高精度に行うことが可能となる。このように、スリットノズル５５の吐出口５５ａは初期化され、（以下、「予備吐出」と称する）次の塗布処理に備える。ローラ９５の回転はローラ回転モータ９８の駆動により行われる。ローラ９５に付着したレジスト液は、ローラ９５が回転する際にローラバット９６内に貯留された洗浄液に下端が浸漬されることで、除去される。
【００８３】
図１８中に示すように、ノズルユニット５のスリットノズル５５には、ノズル先端を保護するための保護部材５７が取り付けられている。これはノズルユニット５が基板表面を走査する際に、基板上に異物が存在した場合、ノズル先端が異物に接触して、スリットノズル５５が破損する可能性を抑えるためである。そのため、スリットノズル５５が基板上を走査する際に、ノズル先端よりも先に基板Ｗに進入する位置にプレート状の保護部材５７を、プレート面が基板面に対して直交するように、スリットノズル５５の先端よりもプレートの下面が下方に位置するように、取り付ける。異物が存在した場合、保護部材５７が接触して、振動が発生し、その振動がスリットノズル５５に伝達される。スリットノズル５５には振動を検出するための振動センサ５５Ｓが設けられており、検出された電気信号が制御部７に入力されることで異物の存在を認識し、スリットノズル５５の走査は強制的に停止される。
【００８４】
また、スリットノズル５５には、水平方向に基板Ｗとスリットノズル５５とを相対的に移動させた際に、保護部材５７よりも先に基板Ｗの上方領域に進入する位置に、基板Ｗの浮上高さを非接触で検知するための浮上高さ検知センサ５８が設置されている。この浮上高さ検知センサ５８によって、浮上した基板Ｗと、塗布ステージ４の上面との離間距離を測定することが可能であり、その検出値に伴って、制御部７を介して、スリットノズル５５が下降する位置を調整することができる。検知センサ５８としては、光学式センサや、超音波式センサなどを用いることができる。
【００８５】
図８および図９で説明したように、塗布ステージ４は２分割され、それぞれのステージで空気の供給流路と吸引流路とは個別に調節できる。そのため、基板Ｗの先端ＷＥが塗布前ステージ４０の直上に移動してきた段階では、この塗布前ステージ４０での空気の噴出・吸引は維持させつつ、その段階では基板Ｗがまだ上方に到達していない領域となっている塗布後ステージ４１については、その塗布後ステージ４１での空気の噴出と吸引とを停止させることができる。そのため、ノズル直下に基板Ｗが存在しない状態で、塗布開始高さまでスリットノズル５５を下降させても、その領域（塗布後ステージ４１の存在領域）における空気の噴出と吸引とによりスリットノズル５５の吐出口５５ａの処理液が乾燥することを防止できる。このため、ノズル先端における処理液が部分的に乾燥してしまうことによる処理液の吐出不良が防止され、基板Ｗの塗布不良を防ぐことができる。
【００８６】
また、スリットノズル５５が下降してから、基板Ｗに向けて水平方向に走査するようにできるため、スリットノズル５５が塗布を開始する基板の先端ＷＥの実際の正確な浮上高さを、最初に基板の先端ＷＥに進入するノズル高さ検知センサ５８が検出できる。そのため、ノズルユニット５はスリットノズル５５の下降高さを微調整しつつ、スリットノズル５５の吐出口５５ａを、実際に塗布処理を行う際のノズル先端と基板表面との所定間隔に対応する高さにして、基板の先端ＷＥに進入させ、ノズル先端を塗布開始位置ＳＰに到達させることが可能である。この塗布開始位置ＳＰは、基板の先端ＷＥよりも若干だけ基板Ｗの中央側に寄った位置とされるのが通例であるが、基板の先端ＷＥとほぼ同じ位置であってもよい。また、基板Ｗの端部からスリットノズル５５は走査を開始できるため、基板全面の異物について、保護部材５７と振動センサ５５Ｓとによる異物の検知が可能となる。
【００８７】
塗布ステージ４の下流には出口浮上ステージ１１が設置されている。この出口浮上ステージ１１は入口浮上ステージ１０と同様に気体を噴出させるための噴出孔１１ａが形成されており、さらにリフトピン１１５が噴出孔１１ａの合間を縫って所定間隔をおいて、基板Ｗの全面に対向するように配置されている。リフトピン１１５は出口浮上ステージ１１の下方に設置されたリフトピン昇降機構（図示せず）によって、鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降駆動される。下降時はリフトピン１１５の先端が出口浮上ステージ１１の上面以下に、上昇時はリフトピン１１５の先端が基板Ｗを移載ロボット３６に受け渡す位置まで上昇する。リフトピン１１５が上昇することで基板Ｗの下面は支持され、持ち上げられるので、基板Ｗは出口浮上ステージ１１の上面から引きはがされる。出口浮上ステージ１１の下流に設置された移載ロボット３６がリフトピン１１５間に移載フォークを差し込み、リフトピン１１５からの基板Ｗの受け渡しが行われる。
【００８８】
＜３． 基板処理装置の動作＞
次に、基板処理装置１の基本的な動作の流れについて説明する。
【００８９】
図１１は、基板Ｗの処理状況に応じた主な機能部の動作についてのタイムチャートである。このタイムチャートは、基板Ｗが連続処理されている状況において、各装置の機能部の連動の様子を表している。
【００９０】
タイムチャートにおけるステップは、（Ａ）から（Ｅ）までの５ステップに分かれている。
【００９１】
●第１段階 ＝（Ａ）から（Ｂ）：
・基板Ｗ０については、塗布開始位置ＳＰに停止し、塗布処理を開始するまでの工程；
・次処理予定の基板Ｗについては、コロコンベア３０の停止位置に停止している状態から移載ユニット６に搬送されはじめるまでの工程。
【００９２】
●第２段階 ＝（Ｂ）から（Ｃ）：
・基板Ｗ０については、塗布処理が行われているときの工程；
・基板Ｗについては、入口浮上ステージ１０に乗り移るまでの工程。
【００９３】
●第３段階 ＝（Ｃ）から（Ｄ）：
・基板Ｗ０については、塗布処理が終わって、出口浮上ステージ１１上で停止するまでの工程；
・基板Ｗについては、整列処理が行われる工程。
【００９４】
●第４段階 ＝（Ｄ）から（Ｅ）：
・基板Ｗ０については、下流側の装置に搬送される工程；
・基板Ｗについては、整列処理されたまま、塗布処理を行う準備工程。
【００９５】
●第５段階 ＝（Ｅ）から（Ａ）：
・基板Ｗについては、塗布開始位置ＳＰまで移動する工程に相当；
・コロコンベア３０では、次の処理が行われる基板が停止位置まで搬入される。
【００９６】
これらの基板処理装置１の動作を具体的に以下で説明するが、理解を容易にする目的で、基板Ｗが基板処理装置１に搬入され、搬出されるまでを説明するため、図１１のステップ（Ａ）から（Ｅ）を２回繰り返す。１回目のサイクルでは図１１で右上がりのハッチングを付した基板Ｗｂが着目基板Ｗに相当し、２回目のサイクルでは、右下がりのハッチングを付した基板Ｗａが着目基板Ｗに相当する。
【００９７】
＜３−１． １回目：第１段階（Ａ）〜（Ｂ）＞
図１２は基板Ｗがコロコンベア３０で搬送されている様子を示した上面図である。ただし、この図１２のほか、図１３、図１５、図１７、図２３、図２４では、図示の便宜上、着目する基板Ｗよりも先行する基板は描かれていない。
【００９８】
図１１および図１２において、上流ユニットにて処理が行われた基板Ｗは、下流工程へ搬送されるため、固定式のコロコンベア３０に移される。このコロコンベア３０の回転により、基板Ｗの下面とコロの外周面の最上部とが接するため、基板Ｗは（＋Ｘ）方向に推進力が与えられ、下流方向に搬送される。コロコンベア３０のＸ軸方向と平行な両端部の一方には、減速センサと停止センサとが、設置されている。搬送される基板Ｗの先端ＷＥが減速センサに検知されると、コロコンベア３０の回転速度は減速され、基板Ｗの搬送速度は遅くなる。そして基板Ｗの先端ＷＥが停止センサに検知されると、コロコンベア３０の回転は止まり、基板Ｗの搬送が停止される。
【００９９】
ステップ（Ｂ）の直前にコロコンベア３０の回転が再開される。このとき、移載昇降コロコンベア６０は上昇状態になっており、ステップ（Ｂ）では、コロコンベア３０と移載昇降コロコンベア６０とは、基板Ｗを搬送するため、同時に回転駆動を行う。図１１において、１回目のサイクルでのこの段階でのノズル関係の動作は、先行する基板Ｗａへの処理液の塗布に関するものであるため、着目基板Ｗについての処理には関係しない。
【０１００】
＜３−２． １回目：第２段階（Ｂ）〜（Ｃ）＞
図１３は基板Ｗが移載ユニット６を通って入口浮上ステージ１０に搬入される様子を示した上面図である。図１４は基板Ｗが移載ユニット６を通って入口浮上ステージ１０に搬入される様子を示したＸＺ断面図である。
【０１０１】
図１１に示すように、移載ユニット６の浮上パッド６４から空気は常に噴出された状態であり、ステップ（Ｂ）〜（Ｃ）の期間では、移載昇降コロコンベア６０は上昇位置にある。コロコンベア３０と移載昇降コロコンベア６０とは、同じ回転速度で回転し、移載ユニット６の下流に設置された入口浮上ステージ１０に基板Ｗを搬送する。図１１には示されていないが、入口浮上ステージ１０の空気も常に噴出された状態にある。したがって、基板Ｗのうち入口浮上ステージ１０に進入した部分は入口浮上ステージ１０上で浮上した状態で進行する。
【０１０２】
この際に、移載ユニット６と入口浮上ステージ１０との側方に設置されていたガイドローラ１０２ｐ〜１０２ｓが進出し、基板ＷのＸ軸方向に平行な２辺に当接する。ガイドローラ１０２ｐ〜１０２ｓにより基板ＷのＸ軸方向に平行な２辺は押さえられるため、基板Ｗは、基板搬送経路を横切る方向に関して位置が規制され、その方向にずれることなく下流方向に搬送される。このようにガイドローラ１０２ｐ〜１０２ｓが存在することによって、コロコンベア３０と移載昇降コロコンベア６０とにより、基板Ｗに伝達される推進力は、すべて下流方向に向きを揃えられ、基板Ｗがずれることを防ぐ。
【０１０３】
このとき、コロコンベア３０と、移載ユニット６とは、別々の装置として完全に切り離されている（すなわち空間的に非接触である）ため、コロコンベア３０の振動が移載ユニット６に伝達されることはない。このため、無用の振動によって先行する基板の塗布処理に悪影響を与えることが防止される。
【０１０４】
入口浮上ステージ１０には、コロコンベア３０と同様に減速センサと停止センサとが、設置されている。搬送される基板Ｗの先端ＷＥが、減速センサに検知されることにより、移載ユニット６の移載昇降コロコンベア６０はその回転の速度を落とす。
【０１０５】
搬送される基板Ｗの後端がコロコンベア３０の停止センサを通過した段階で、コロコンベア３０の駆動は停止される。そして搬送される基板Ｗの先端ＷＥが、入口浮上ステージ１０の停止センサに検知されるまで、基板Ｗは移載昇降コロコンベア６０の駆動のみによって、入口浮上ステージ１０に搬送される。入口浮上ステージ１０の停止センサに検知されることで、移載昇降コロコンベア６０の回転は停止される。
【０１０６】
なお、１回目のサイクルでのステップ（Ｂ）〜（Ｄ）における基板搬送チャック８の動きは先行する基板の搬送のためのものであるため、この段階での説明は省略する。
【０１０７】
＜３−３． １回目：第３段階（Ｃ）〜（Ｄ）＞
図１５は、基板Ｗが移載ユニット６に乗り移って停止している様子を示した上面図である。図１６は移載ユニット６が下降して基板Ｗが非接触状態となった様子を示したＸＺ断面図である。
【０１０８】
搬送される基板Ｗの後端が移載ユニット６に完全に乗り移り、基板Ｗが移載ユニット６と入口浮上ステージ１０とに跨った状態で停止すると、上昇していた移載昇降コロコンベア６０は、コロ６０１の外周面の最上部が浮上パッド６４の上面よりも下方の位置まで下降する。このようにして基板Ｗは全面が、浮上パッド６４と入口浮上ステージ１０とによる空気の噴出によって浮上し、浮上パッド６４や入口浮上ステージ１０とは非接触状態になる。
【０１０９】
移載ユニット６が基板Ｗの長さより短いため、移載ユニット６上の基板Ｗにおいて、移載昇降コロコンベア６０の上方と、浮上パッド６４の上方とで、気流による温度低下の程度が異なることによる基板Ｗの温度の不均一性は低くなる。そのため、基板Ｗの温度分布（温度の不均一性）に起因した塗布ムラを抑制することができる。
【０１１０】
非接触状態で停止した基板Ｗの、搬送方向における前後、そして左右には、所定の停止位置に位置決めを行うための整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｊが設置されている。基板Ｗの側方位置で、（＋Ｙ）側に設置された整列処理ピン１０５ｇ，１０５ｈ、そして（−Ｙ）側に設置された整列処理ピン１０５ｉ，１０５ｊは基板Ｗに向けて整列処理ピンシリンダ（図示せず）により水平方向に移動して、基板ＷのＸ軸方向と平行な２辺に接する。前後の位置決めに用いられる整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｆは、基板Ｗの搬送路よりも下方に待機しているので、整列処理ピン昇降シリンダの上昇駆動によって、ステージ上面の基板Ｗと当接する位置まで上昇し、さらに、基板Ｗと当接する最上端の部分が、基板方向に位置を変えることで、基板Ｗの先端ＷＥと後端との２辺に接する。このようにして各整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｊが動作することにより、基板Ｗは正確な停止位置に位置決めが行われる。
【０１１１】
＜３−４． １回目：第４段階（Ｄ）〜（Ｅ）＞
基板Ｗは整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｊによって整列処理が行われている。その間に、先に塗布処理が行われていた基板Ｗ０（図１１の基板Ｗａ）を搬送した基板搬送チャック８において、チャック部８８の吸着が停止され、チャック部８８を基板Ｗ０のエッジよりも低い高さに下降させた状態で、基板Ｗの搬送を行うために初期位置に向けて、（−Ｘ）方向に移動する。図１１の基板搬送チャック８の動作において（−）記号が付された期間がそれに相当する。なお、基板搬送チャック８の動作のステップ（Ｃ）などにおいて（＋）記号が付された期間は、基板搬送チャック８の（−Ｘ）方向への移動期間である。
【０１１２】
基板Ｗ０の塗布処理が行われたスリットノズル５５は、ノズルの洗浄と予備吐出とを行うために、（＋Ｘ）方向に水平移動し、塗布後ステージ４１の上方へ移動する。
【０１１３】
＜３−５． １回目：第５段階（Ｅ）〜（Ａ）＞
図１７は基板Ｗが塗布開始位置ＳＰで停止し、次処理予定の基板Ｗ１がコロコンベア３０の停止位置にある様子を示した上面図である。
【０１１４】
（−Ｘ）方向に移動した基板搬送チャック８は、整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｆにより、正確に位置決めされて、停止していた基板Ｗの、搬送方向と平行な基板Ｗの両端の２辺の下方の位置で、停止する。そして、基板搬送チャック８は、チャック昇降シリンダ８５の動作によって、チャック部８８を上昇させ、基板Ｗの下面の両端に吸着する。図１１中に示すように、この吸着のための吸引は基板Ｗに当たる前に開始される。これによって基板Ｗはチャック部８８に保持され、基板搬送チャック８は（＋Ｘ）方向へ移動し、基板Ｗは浮上したまま塗布ステージ４に搬送される。
【０１１５】
塗布ステージ４は、当該ステージを構成するプレートが２枚に分割されていることにより、塗布前ステージ４０と塗布後ステージ４１とに分かれている。基板搬送チャック８によって基板Ｗは、その先端ＷＥがその２つのプレートの境界線Ｓｔの上方に位置するまで搬送される。
【０１１６】
図１８はスリットノズル５５に予備吐出を行っている様子を示したＸＺ断面図である。図１９はノズル洗浄待機ユニット９が退避位置に移動する様子を示したＸＺ断面図である。
【０１１７】
ノズルユニット５は、スリットノズル５５が塗布後ステージ４１の上方に存在する位置で、停止している。ノズル洗浄待機ユニット９がスリットノズル５５の位置に合わせて移動し、スリットノズル５５の吐出口５５ａの洗浄および予備吐出が行われる。予備吐出により、スリットノズル５５の先端が初期化されると、ノズル洗浄待機ユニット９は（−Ｘ）方向に向けて移動し、退避する。
【０１１８】
また、基板Ｗを塗布開始位置ＳＰに移動させるための基板搬送チャック８の移動と同期してコロコンベア３０も駆動され、図１５に示す上流ユニットにおいて前処理が行われた次処理予定の基板Ｗ１を、コロコンベア３０上の停止位置まで搬送する。
【０１１９】
＜３−６． ２回目：第１段階（Ａ）〜（Ｂ）＞
図２０はスリットノズル５５が塗布開始高さに下降する様子を示したＸＺ断面図である。図２１はスリットノズル５５が塗布開始位置ＳＰに水平移動する様子を示したＸＺ断面図である。また、図２１の部分拡大図が図２６に示されており、スリットノズル５５が塗布開始位置ＳＰに到達し、塗布後ステージ４１の圧縮空気の噴出と吸引を開始した場合の部分拡大図に相当する図が、図２７に示されている。２回目のサイクルとして見た図１１においては、先行している基板Ｗａが、ここで着目している基板Ｗに相当する。
【０１２０】
ノズル洗浄待機ユニット９が退避することで、スリットノズル５５と、塗布後ステージ４１との間には空間ができる。この空間をスリットノズル５５は設定された下降位置、つまり塗布開始高さまで下降する。塗布開始高さまで下降したスリットノズル５５は、基板Ｗの先端ＷＥの近傍の塗布開始位置ＳＰまで（−Ｘ）方向に移動する。
【０１２１】
塗布開始位置ＳＰにスリットノズル５５が移動する際に、最初にノズル高さ検知センサ５８が基板Ｗの先端ＷＥである塗布開始位置ＳＰに進入する。ノズル高さ検知センサ５８によって塗布開始位置ＳＰの実際の浮上高さを検出することができるため、スリットノズル５５を実際の塗布高さにするための微調整を行いつつ、スリットノズル５５は（−Ｘ）方向に移動する。続いて、プレート形状の保護部材５７が基板の先端ＷＥから進入し、基板表面上を走査する。基板の先端ＷＥから走査していくため、基板全面の異物を検知することが可能である。このときのスリットノズル５５の高さは、実際に塗布を行う際の高さと同等の位置である。スリットノズル５５が塗布開始位置ＳＰに到達すると、スリットノズル５５の（−Ｘ）方向への移動は停止する。
【０１２２】
スリットノズル５５が下降を始めてから、塗布開始位置ＳＰに到達するまでの期間は、それまで周囲の温度を一定に保つため行われていた塗布後ステージ４１の噴出孔４１ａからの圧縮空気の噴出と吸引孔４１ｂからの空気の吸引とは一時停止される。それによって空気流（気体流）の形成（したがって圧力気体層の形成）も一時停止される。
【０１２３】
すなわち、スリットノズル５５が待機位置から下降を開始して下降を完了するまでの下降期間と、下降が完了した後に処理液を吐出していない状態のままでスリットノズル５５が水平移動を開始して基板Ｗの塗布開始位置ＳＰにスリットノズル５５が到達するまでの水平移動期間とのいずれもが、処理液を吐出せずにスリットノズル５５が移動する「空走期間」に属し、この空走期間のうち少なくとも一部の期間で、スリットノズル５５の直下領域に相当する塗布後ステージ４１での空気流の形成（圧力空気層の形成）を停止する（ＯＦＦ状態にする）。
【０１２４】
好ましくは、前記下降期間のうちスリットノズル５５の下降が完了するまでに空気の噴出および吸引をＯＦＦ状態に移行させ、スリットノズル５５が水平移動して基板Ｗの塗布開始位置ＳＰに到達するまでは、空気流のＯＦＦ状態を継続する。
【０１２５】
さらに好ましくは、前記下降期間と前記水平移動期間との双方を空気流の一時停止期間とする。
【０１２６】
このような空気流の一時停止を行うのは、基板存在領域を外れた領域のうち少なくともノズルの直下の領域を含む範囲となる。
【０１２７】
このようにすることによって、スリットノズル５５が下降して、塗布後ステージ４１に接近するときに、空気の噴出と吸引との影響により、スリットノズル５５の吐出口５５ａの処理液が乾燥することを防ぐことができる。従って、実際に基板表面に塗布処理を行った際に、スジ状のムラや吐出不良の発生を抑制できる。
【０１２８】
図２８に示すように、仮に、スリットノズル５５を上方の待機位置から基板の先端ＷＥの直上で下降させた場合には、塗布後ステージ４１による空気流の形成を一時停止しなくても、スリットノズル５５の先端での処理液の乾燥は生じない。しかしながら、この場合には基板Ｗの先端ＷＥ付近の直上を保護部材５７が走査しないため、先端ＷＥ付近に異物があっても、保護部材５７によってそれを排除あるいは検出できない。そのため、異物によってスリットノズル５５の先端が汚損する可能性がある。したがって、スリットノズル５５を基板Ｗの先端ＷＥから水平方向に離れた位置で降下させてから基板Ｗの先端ＷＥに進入させることが望ましいが、それにあたって、上記のように塗布後ステージ４１での空気流を一時停止することが特に有効となる。
【０１２９】
その一方で、前記下降期間よりも前の期間では、空気流をＯＮ状態にしておく。それは、空気の噴出の停止時間があまり長くなると環境温度が変動して基板Ｗの温度が変化し、それに伴って基板Ｗの熱変形や塗布時のムラにつながる可能性があるためである。したがって、好ましくは、空気流の形成の一時的な停止状態の継続時間は、基板の温度変動が所定の許容値以下となるような時間としてあらかじめ実験的に決定しておくことによって、基板側の温度変動に起因する塗布不良を防止できる。
【０１３０】
スリットノズル５５が塗布後ステージ４１に近いほど、塗布後ステージ４１から噴出した空気流の影響を受けやすいことを考えると、上記空走期間の一部だけで空気流の一時停止をする場合には、上記下降期間と水平移動期間とのうち水平移動期間を空気流の一時停止期間に含めることが好ましい。
【０１３１】
スリットノズル５５が塗布開始位置ＳＰに到達すると、それまで停止すなわちＯＦＦ状態とされていた塗布後ステージ４１の空気の噴出および吸引が再開されてＯＮ状態となる。このため、塗布ステージ４のすべての空気孔を用いた圧力空気層の形成が再び行われるようになり、この状態で、スリットノズル５５による塗布開始位置ＳＰからの処理液の塗布が開始される。また、基板搬送チャック８が塗布後ステージ４１側（＋Ｘ方向）に移動を開始し、それによって、スリットノズル５５に対する基板Ｗの相対移動が始まる。したがって、実際の処理液の塗布動作時には塗布ステージ４の全域で圧力空気層が形成されており、基板Ｗの浮上支持を安定に行う。
【０１３２】
また、基板搬送チャック８の移動開始と同時に、次処理予定の基板Ｗ１を搬送するために、コロコンベア３０と上昇位置である移載昇降コロコンベア６０とは駆動を開始する。
【０１３３】
＜３−７． ２回目：第２段階（Ｂ）〜（Ｃ）＞
図２２は塗布処理が行われている様子を示したＸＺ断面図である。図２３は塗布処理が行われている様子を示した上面図である。
【０１３４】
図２２に示すように、基板Ｗの両端をチャック部８８が保持した状態で、基板搬送チャック８は所定の速度で下流方向に向けて移動される。スリットノズル５５は、塗布開始位置ＳＰについてからは固定された状態で、吐出口５５ａからレジスト液を供給し続け、基板Ｗが浮上状態で下流方向に移動することで、基板Ｗの表面に塗布処理を行う。すなわち、スリットノズル５５が下降して塗布開始位置ＳＰに至るまでは基板Ｗは浮上して停止しており、スリットノズル５５が（−Ｘ）方向に移動するが、スリットノズル５５が塗布開始位置ＳＰに至った後には、基板Ｗが（＋Ｘ）方向に移動し、それによってスリットノズル５５と基板Ｗとの相対移動による塗布走査が開始される。
【０１３５】
このとき、次処理予定の基板Ｗ１は、コロコンベア３０から移載ユニット６を通って、入口浮上ステージ１０に搬送される。そして、入口浮上ステージ１０と移載ユニット６とに跨って停止する。
【０１３６】
＜３−８． ２回目：第３段階（Ｃ）〜（Ｄ）＞
次処理予定の基板Ｗ１は、移載昇降コロコンベア６０が下降して、全面が浮上した状態となる。そして、整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｊによって整列処理が行われる。
【０１３７】
基板Ｗはスリットノズル５５直下を通り抜け、塗布処理が終了すると、基板Ｗは基板搬送チャック８の駆動により塗布後ステージ４１を通過して、出口浮上ステージ１１へと搬送される。
【０１３８】
＜３−９． ２回目：第４段階（Ｄ）〜（Ｅ）＞
塗布処理が行われた後、スリットノズル５５は最初に下降した位置まで（＋Ｘ）方向に水平移動し、そこから元のノズル高さに上昇する。そして、退避していたノズル洗浄待機ユニット９が（＋Ｘ）方向に移動して、次の塗布処理に向けてスリットノズル５５の洗浄および予備吐出が行われる。
【０１３９】
図２４は基板Ｗが出口浮上ステージ１１に搬送される様子を示した上面図である。基板Ｗが出口浮上ステージ１１に搬送されると、基板搬送チャック８のチャック昇降シリンダ８５の動作により、チャック部８８は下降位置に下げられ、基板Ｗの両端の吸着保持は解かれる。そして、チャック部８８が下降位置にある状態で基板搬送チャック８は次処理予定の基板Ｗ１の搬送を行うため、初期位置へ移動する。基板Ｗと、次処理予定の基板Ｗ１との搬送間隔が密であるため、次処理予定の基板Ｗ１はすでに全面が浮上している状態で、基板搬送チャック８を待つことになる。そのため、チャック部８８を上昇させた状態では、浮上状態にある次処理予定の基板Ｗ１に当たるため、チャック部８８を下降させて、基板搬送チャック８は初期位置に戻る。
【０１４０】
出口浮上ステージ１１上に設けられた空気の噴出孔１１ａにより、非接触状態にある基板Ｗに対して、所定間隔をおいて配置されたリフトピン１１５群が上昇し、基板Ｗの下面を支持しつつ持ち上げる。下流に設置された移載ロボット３６の移載フォークがリフトピン１１５の合間を進入して基板Ｗを受け取り、減圧乾燥ユニット３７に移載する。移載ロボット３６は減圧乾燥ユニット３７、そして減圧乾燥ユニット３８、減圧乾燥ユニット３８と積層構造である下流方向への受け渡し位置３９等へ基板Ｗを移載する。
【０１４１】
このあと、基板Ｗ１は基板Ｗと同じように塗布処理が行われて、下流方向へ搬送される。以上が、基板処理装置１において行われる処理の流れである。
【０１４２】
＜４． 変形例＞
上記実施の形態においては、基板Ｗが移載ユニット６を通過してから次処理予定の基板Ｗ１が搬入されていたが、このような形態に限られることはない。
【０１４３】
基板搬送チャック８によって搬送され、塗布処理が行われている基板Ｗの後端が、移載ユニット６を通過していない状態で、次処理予定の基板Ｗ１の搬送が行われても構わない。この場合は、本来ならば上昇しているはずの移載昇降コロコンベア６０は、塗布処理が行われている基板Ｗの後端がまだ残っているため、下降した状態で次処理予定の基板Ｗ１を移載ユニット６に受け入れなくてはならない。
【０１４４】
そこで、塗布処理されている基板Ｗの後端が移載ユニット６を通過した段階で、コロコンベア３０の回転と同じ回転速度で、移載昇降コロコンベア６０のコロ６０１は回転しながら、上昇される。最初はコロコンベア３０の回転による推進力だけで移載ユニット６へと搬送される次処理予定の基板Ｗ１は、途中から上昇してきた移載昇降コロコンベア６０のコロ６０１によって、下面を支持され、コロ６０１の回転により推進力を与えられる。そして、入口浮上ステージ１０の停止センサが検知する位置まで基板Ｗ１の搬送が行われる。
【０１４５】
このように、コロコンベア３０のコロ３０１の回転と、移載昇降コロコンベア６０のコロ６０１の回転、そして、基板搬送チャック８の搬送スピードとを同等に設定することができるため、基板Ｗの塗布動作が行われている間に、次処理予定の基板Ｗ１を移載ユニット６に搬入させることができる。これによって、基板Ｗと基板Ｗ１との搬送間隔をより密にすることができるため、処理にかかる時間をより短くすることが可能となる。
【０１４６】
また、上記実施の形態においては、塗布ステージ４のプレートは２分割されたものであったが、これに限られるものではない。図２５は３分割されたプレートで構成された塗布ステージ１３０である。このときそれぞれのプレートを塗布前ステージ１１０、本塗布ステージ１１８、塗布後ステージ１２０とする。
【０１４７】
本塗布ステージ１１８においては、ステージ面に設けられた気体孔として、空気の噴出孔１１８ａと吸引孔１１８ｂとが密になった構成となっている。それに対して、両端の塗布前ステージ１１０と塗布後ステージ１２０とにおいては、本塗布ステージ１１８よりも噴出孔１１０ａと吸引孔１１０ｂ、噴出孔１２０ａと吸引孔１２０ｂの密度が低く、孔間の距離が長い構成である。
【０１４８】
この場合、本塗布ステージ１１８の区域境界Ｓｃの位置に搬送方向における基板Ｗの先端ＷＥが位置するように、基板Ｗは停止する。区域境界Ｓｃは異なるプレートの境界ではなく、１枚のプレートの略中央に規定された概念的な区域境界である。スリットノズル５５は本塗布ステージ１１８の区域境界Ｓｃよりも下流側の塗布後ステージ１２０上方に位置している。このとき、プレートは３分割されているが、内部の空気の流路は、区域境界Ｓｃよりも上流側、下流側とで２系統に分離された構造となっている。
【０１４９】
上記実施の形態と同様に、スリットノズル５５は停止位置から塗布開始高さまで下降し、そこから（−Ｘ）方向に水平移動する。この下降開始から、スリットノズル５５が基板Ｗ上の塗布開始位置に到達するまでは、区域境界Ｓｃより下流側に位置する噴出孔１１８ａ，１２０ａおよび吸引孔１１５ｂ，１２０ｂからの、空気の噴出および吸引は一時的に停止される。このようにして、上記実施の形態と同様に、下降の間にスリットノズル５５の吐出口５５ａが乾燥することを防ぐことができる。
【０１５０】
プレートについては、噴出孔と吸引孔との密度を高くしたほうが、より基板Ｗを安定的に浮上させることが可能であるが、加工にコストがかかる。この場合、特に基板Ｗを安定的に浮上させておきたいのは、搬送される基板Ｗに塗布処理を行う領域である。従って、この領域の下方に位置する本塗布ステージ１１８のみに噴出孔１１８ａと吸引孔１１８ｂとの密度の高い、精密なプレートを採用することで、必要な効果は十分に得ることが可能である。このようにプレートを３分割して使い分けることで、両端の塗布前ステージ１１０と、塗布後ステージ１２０とにおいては、本塗布ステージ１１８のプレートよりも空気の噴出孔１１０ａ，１２０ａおよび吸引孔１１０ｂ，１２０ｂの密度を低くした安価なプレートを使用することができる。
【０１５１】
塗布ステージ１３０は、プレートが３分割された構成であったが、プレートは何分割されていても構わず、一般には、複数枚に分割しておくことができる。内部の空気の流路も、スリットノズル５５が上昇位置から下降し、基板Ｗ上の塗布開始位置に到達するまで、搬送方向における基板Ｗの先端の位置よりも下流側の領域の空気の噴出及び吸引が一時的に停止できるのであれば、何流路に分かれていても構わない。
【０１５２】
また、内部の空気の流路が分かれていて独立にＯＮ／ＯＦＦ制御できるように構成していれば、プレートは物理的に分割されていなくても構わない。
【０１５３】
一般に表現すれば、それぞれに気体孔が形成された複数の気体流形成領域が、別プレートまたは１つのプレートの別部分として隣接配置されていて、それら複数の気体流形成領域のそれぞれに対応して気体流路の開閉機構が設けられた構成とする。そして、前記開閉機構を用いた気体流の形成の一時的な停止を、複数の気体流形成領域のうち、ノズルの直下に存在するとともにその上には基板が存在しない領域についてのみ行うことによって上記実施形態と同様の結果を得ることができる。
【０１５４】
また、上記の実施形態中では、スリットノズル５５が下降し、（−Ｘ）方向に移動することで、基板Ｗの塗布開始位置ＳＰに到達させているが、スリットノズル５５が下降し、基板Ｗが（＋Ｘ）方向に移動することで塗布開始位置ＳＰにスリットノズル５５の吐出口５５ａを到達させる機構であっても構わない。この場合、スリットノズル５５が下降する間は、上方に基板Ｗが存在しない領域の塗布ステージ４からの空気の噴出および吸引は停止させる。そして、基板Ｗがスリットノズル５５に向かって（＋Ｘ）方向に移動し、スリットノズル５５の吐出口５５ａが塗布開始位置ＳＰに到達した段階で、空気の噴出と吸引とを再開させる。このようにして、スリットノズル５５の吐出口５５ａの乾燥を防ぐ。
【０１５５】
また、基板Ｗを浮上させるための圧縮気体として空気を用いることが典型的であるが、酸化を嫌うプロセスでの基板搬送には不活性ガスとして窒素ガスなどを圧縮して用いることもできる。
【０１５６】
また、上記実施形態の基板処理装置においてはコロ搬送機構で受け入れた基板を浮上搬送機構に受け渡す際に移載ユニットを用いているが、浮上搬送機構で受け入れた基板を、移載ユニット（支持形式転換手段）によってコロ搬送機構側に受け渡す形態の装置にもこの発明は適用できる。
【０１５７】
さらに、本実施形態においては、ノズル洗浄待機ユニット９はＸ軸方向に移動可能な機構であるが、移動ができなくても構わない。つまり、ノズルユニット５が移動する場合であればノズル洗浄待機ユニット９が固定されていても構わない。この場合、ノズル洗浄待機ユニット９のノズル洗浄待機ユニットリニアスケール９２、ノズル洗浄待機ユニットリニアモータ９３は設置されていない構造となる。ノズル洗浄待機ユニット９を手動で移動できるようにノズル洗浄待機ユニット走行ガイド９１だけは設置されており、搬送中は動かないようにロック機構によって固定される。
【符号の説明】
【０１５８】
１ 基板処理装置
２ 基板搬送装置
３ 基板塗布装置
４ 塗布ステージ
５ ノズルユニット
６ 移載ユニット
７ 制御部
８ 基板搬送チャック
９ ノズル洗浄待機ユニット
１０ 入口浮上ステージ
１１ 出口浮上ステージ
１６，２６ エアオペレーションバルブ
１８，２８ ブロワ
４０ 塗布前ステージ
４０ａ，４１ａ 噴出孔
４０ｂ，４１ｂ 吸引孔
４１ 塗布後ステージ
５５ スリットノズル
５７ 保護部材
５５Ｓ 振動センサ
６０ 移載昇降コロコンベア
６４ 浮上パッド
Ｗ，Ｗ０，Ｗ１，Ｗａ，Ｗｂ 基板
ＷＥ 基板の先端
ＳＰ 塗布開始位置
Ｓｔ ステージ境界
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶用ガラス角型基板、半導体基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板等の精密電子装置用基板、あるいはそれに類する各種の基板の表面に、処理液を塗布する基板塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種基板の製造工程においては、基板の表面に処理液を塗布する基板塗布装置が用いられている。このような基板塗布装置として、スリットノズルから処理液を吐出しつつ該スリットノズルを基板に対して相対的に直進移動させて、基板全体に処理液を塗布するスリットコータが知られている。特に、大型基板への処理液の塗布では、基板を回転させながら処理液を塗布するスピン方式の採用は困難であるため、このようなスリットコータが主流である。
【０００３】
このような直進型（リニアコート方式）の基板塗布装置では、タクトタイムの短縮化の観点において、基板を吸着保持して塗布処理を行うよりも、浮上搬送させて塗布処理を行うほうが望ましい。
【０００４】
また、リニアコート方式でレジスト塗布処理を行う際、スリットノズルと基板表面異物との接触によるノズルのダメージや塗布不良が問題となるため、ノズルには何らかの保護機構が必要である。
【０００５】
特許文献１には、吸着ステージ上で吸着保持された基板に塗布処理を行う際、ノズルの進行方向前面に保護機構を設置して、基板の端部から基板表面を走査する際に、基板前面の異物を検知し、ノズルの先端を保護することが可能な基板塗布装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１０５６２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、浮上搬送方式で基板にレジスト液などの処理液塗布処理を行う場合、基板の端部からノズル保護機構を用いて基板表面を走査しようとすると、ノズルは、下方に基板が存在しない状態で、浮上ステージに下降させなくてはならない。そのため、浮上ステージから噴出、排気される空気の流れにより、ノズル先端の処理液は乾燥して、基板に塗布処理を行う際に、塗布不良を起こす恐れがある。
【０００８】
また、ノズル直下に基板の端部が存在する状態で、ノズルを下降させれば、上記の問題は発生しないが、塗布を開始する基板端部の実際の浮上高さを測定することができない。また、図２８に示すように、基板の端部から保護機構の間の基板表面については異物の検出を行うことができない。
【０００９】
本発明は上記のような問題に鑑みてなされたものであり、浮上搬送方式で基板に処理液の塗布処理を行う際に、ノズル先端の処理液の乾燥による塗布不良を防止することを第１の目的とする。
【００１０】
本発明の第２の目的は、基板の先端部における異物検出を可能としつつ、ノズル先端の処理液の乾燥による塗布不良を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、基板に処理液を塗布するための基板塗布装置であって、ステージ面に設けた気体孔を通る気体流により前記ステージ面上に圧力気体層を形成し、前記圧力気体層によって基板を浮上させる浮上ステージと、前記基板に対して相対的に移動させるノズルから所定の処理液を前記基板上に吐出することにより、前記基板上に前記処理液を塗布する処理液供給手段と、前記気体流の形成状態と停止状態とを切り替える気体流制御手段と、を備え、前記相対的な移動と並行して行う前記処理液の吐出の前に、前記ノズルからの前記処理液の吐出を止めた状態で、前記ノズルを、前記浮上ステージ上の基板存在領域から外れた位置から、前記基板存在領域まで相対的に移動させる空走期間が設定されており、前記気体流制御手段は、前記空走期間のうち少なくとも一部の期間においては、前記ノズルの直下領域での前記気体流の形成を一時的に停止することを特徴とする。
【００１２】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載された基板塗布装置であって、前記ノズルを、前記浮上ステージの上方空間で昇降させる昇降手段、をさらに備え、前記空走期間は、前記ノズルが、所定の待機高さから下降する下降期間と、前記ノズルが下降状態になってから水平方向に前記ノズルを前記基板に対して相対的に接近させる水平移動期間とを有しており、前記基板上への前記処理液の塗布は、前記下降状態において行われるものであり、前記空走期間のうち少なくとも前記水平移動期間においては、前記気体流の形成を停止させておくことを特徴とする。
【００１３】
請求項３に係る発明は、請求項１または２に記載された基板塗布装置であって、前記浮上ステージにおいては、それぞれに気体孔が形成された複数の気体流形成領域が、別プレートまたは１つのプレートの別部分として隣接配置されており、前記複数の気体流形成領域のそれぞれに対応して気体流路の開閉機構が設けられており、前記気体流制御手段は、前記開閉機構を用いた前記気体流の形成の一時的な停止を、前記複数の気体流形成領域のうち、前記ノズルの直下に存在するとともにその上には前記基板が存在しない領域についてのみ行うことを特徴とする。
【００１４】
請求項４に係る発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載された基板塗布装置であって、前記気体流の一時的な停止の後、前記基板の塗布開始位置から前記ノズルが前記処理液の吐出を開始するまでに、前記浮上ステージのすべての気体孔を用いた気体流の形成を再開することを特徴とする。
【００１５】
請求項５に係る発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載された基板塗布装置であって、前記基板の浮上高さを測定する浮上高さ測定手段、をさらに備えるとともに、前記処理液供給手段は、前記ノズルのうち、前記相対的な移動において前方に相当する側に取付けられて前記ノズルの先端を保護する保護部材をさらに備え、前記浮上高さ測定手段が前記基板端部の塗布開始位置の浮上高さを検出しつつ前記ノズルを下降させてから、前記ノズルと前記基板とを相対的に移動させることにより、前記保護部材が前記ノズルよりも先に基板端部に進入することを特徴とする。
【００１６】
請求項６に係る発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載された基板塗布装置であって、前記気体流の形成の一時的な停止による前記基板の温度変動の許容値があらかじめ決定されており、前記気体流の形成の前記一時的な停止状態の継続時間は、前記温度変動が前記許容値以下となる時間として決定されていることを特徴とする。
【００１７】
請求項７に係る発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載された基板塗布装置であって、前記浮上ステージには、前記気体を噴出する複数の噴出孔と、前記気体を吸引する複数の吸引孔とが混在して形成されており、前記気体流は、前記複数の噴出孔から噴出した圧力気体が前記複数の吸引孔から吸引される過程において発生しており、前記気体流制御手段は、前記複数の噴出孔への気体供給経路の開閉と、前記複数の吸引孔からの気体吸引経路の開閉とによって、前記気体流の形成状態と停止状態とを切り替えることを特徴とする。
【００１８】
請求項８に係る発明は、所定のノズルから吐出した処理液を基板に塗布するための方法であって、ステージ面に設けた気体孔を通る気体流により前記ステージ面上に圧力気体層を形成し、前記圧力気体層によって基板を浮上させる第１工程と、前記ステージ面のうち、基板存在領域を外れており、かつノズルの直下となっている特定領域について前記空気流を一時的に停止する工程と、所定の待機高さから前記特定領域に向けてノズルを降下させる工程と、前記ノズルと前記基板とを相対的に移動させて前記ノズルを前記基板の塗布開始位置の上に到達させ、前記ノズルからの前記処理液の吐出を開始する工程と、前記処理液の吐出を開始するまでに、前記特定領域についての前記空気流の形成を再開する工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１から請求項８に記載の発明によれば、ノズルからの処理液の吐出を止めた状態で、ノズルを、浮上ステージ上の基板存在領域から外れた位置から、基板存在領域の上方に相対的に移動させる空走期間のうち少なくとも一部の期間において、基板存在領域を外れた領域のうち少なくともノズルの直下の領域を含む範囲での気体流の形成を一時的に停止させる。そのため、気体圧力層形成のための空気流の影響で、ノズルの先端の処理液が乾燥し、塗布処理を行う際に、基板に塗布ムラが発生する可能性を抑えることができる。
【００２０】
また、特に請求項２に記載の発明によれば、最も空気流の影響を受けやすい水平移動期間での気体流の形成を停止するため、処理液の乾燥防止効果が特に高い。
【００２１】
また、特に請求項３に記載の発明によれば、気体流の形成の一時的な停止を、複数の気体流形成領域のうち、ノズルの直下領域について行うような個別制御を可能としてある。このため、ノズルを基板に接近させる際に、気体流形成領域によって気体孔の分布状況を変更することが可能であり、部分的に安価なプレートまたはプレート区画を利用できる。
【００２２】
また、特に請求項４に記載の発明によれば、基板が塗布開始位置に到達したら、全ての浮上ステージ上で圧力気体層の形成が行われるため、塗布処理を行うために基板の搬送を行っても、基板が撓む恐れがない。
【００２３】
また、特に請求項５に記載の発明によれば、ノズルの先端の保護部材を使用して、基板の端部から基板表面を走査できるため、基板全面の異物について検知することが可能である。
【００２４】
また、特に請求項６に記載の発明によれば、浮上ステージ上の圧力気体層の形成を止めることによる基板の温度変動の影響をより定量的に抑えることができるので、塗布処理を行った際に、基板側の温度変動に起因して塗布ムラが発生することを抑制できる。
【００２５】
また、特に請求項７に記載の発明によれば、浮上ステージ上の気体流による圧力気体層の形成を気体の噴出と吸引とにより行っているため、圧力気体層の圧力のバランスがとれて、基板の浮上をより安定的に行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に係る基板処理装置の上面図である。
【図２】ノズルユニットおよびノズル洗浄待機ユニットを取り外した場合における図１の基板処理装置の上面図である。
【図３】基板処理装置の制御機構を表したブロック図である。
【図４】上昇時における移載ユニットのＹＺ断面図である。
【図５】下降時における移載ユニットのＹＺ断面図である。
【図６】コロコンベアおよび移載ユニットのＸＺ側面図である。
【図７】昇降コンベアサポートフレームの上面図である。
【図８】本実施の形態に係る塗布ステージの上面図である。
【図９】図８に示す塗布ステージへの空気の供給および吸引の流路を示すＸＺ断面図である。
【図１０】本発明に係る基板処理装置のＹＺ断面図である。
【図１１】本発明に係る基板処理装置の動作を表したタイムチャートである。
【図１２】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示した上面図である。
【図１３】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示した上面図である。
【図１４】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示したＸＺ断面図である。
【図１５】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示した上面図である。
【図１６】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示したＸＺ断面図である。
【図１７】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示した上面図である。
【図１８】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示したＸＺ断面図である。
【図１９】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示したＸＺ断面図である。
【図２０】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示したＸＺ断面図である。
【図２１】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示したＸＺ断面図である。
【図２２】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示したＸＺ断面図である。
【図２３】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示した上面図である。
【図２４】本発明に係る基板処理装置の処理の流れを部分的に示した上面図である。
【図２５】変形例に係る塗布ステージの上面図である。
【図２６】ノズルと基板との位置関係による空気流のＯＮ／ＯＦＦ切換を示す部分拡大図である。
【図２７】ノズルと基板との位置関係による空気流のＯＮ／ＯＦＦ切換を示す部分拡大図である。
【図２８】ノズルを基板上で降下させた場合の状況を示す部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
【００２８】
なお、以下の説明においては、方向及び向きを示す際に、適宜図中に示す３次元のＸＹＺ直交座標を用いる。ここで、Ｘ軸及びＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向（＋Ｚ側が上側、−Ｚ側が下側）を示す。また、便宜上、Ｘ軸方向を左右方向（基板搬送に関して＋Ｘ側が下流側、−Ｘ側が上流側）とし、Ｙ軸方向を奥行き方向（＋Ｙ側、−Ｙ側）とする。
【００２９】
＜１． 基板処理装置の概要＞
図１は本発明の実施の形態に係る基板処理装置１の概略構成を示した上面図である。図２は、ノズルユニット５およびノズル洗浄待機ユニット９を取り外した場合における本発明の実施の形態に係る基板処理装置１の概略構成を示した上面図である。
【００３０】
基板処理装置１は、処理液を吐出するスリットが形成された長尺のノズルと基板とを相対的に移動させて基板の表面に処理液を塗布する装置（スリットコータ）として構成されている。この装置１は、基板の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングする前処理として、処理液としてのレジスト液を基板に塗布するプロセスなどに利用される。スリットコータの塗布対象となる基板は、代表的に液晶表示装置に画面パネルを製造するための角形のガラス基板であるが、半導体基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板などの他の基板であってもよい。
【００３１】
基板処理装置１の機構的構成は、上流ユニットから搬送されてくる水平姿勢の矩形基板Ｗを受け入れて（＋Ｘ）方向に搬送する基板搬送装置２と、基板Ｗに処理液を塗布する塗布装置３と、出口浮上ステージ１１とに大別される。この基板処理装置１で処理液を塗布された後の基板Ｗは、出口浮上ステージ１１から移載ロボット３６によって減圧乾燥ユニット３７、３８のいずれかに移載され、塗布された処理液の減圧乾燥を受ける。その後、減圧乾燥ユニット３８と上下方向に積層された受け渡し位置３９に基板Ｗが移載され、さらに次の工程のための別装置に払い出される。
【００３２】
基板搬送装置２は、上流ユニットから送られてきた基板Ｗを搬送するコロコンベア３０、圧縮空気によって基板Ｗを浮上させる入口浮上ステージ１０、コロコンベア３０から入口浮上ステージ１０に基板Ｗを移載する移載ユニット６および基板Ｗの両側端を吸着保持して下流に搬送する基板搬送チャック８に、大別される。また、基板塗布装置３は、処理液を吐出するスリットノズル５５を備えたノズルユニット５、スリットノズル５５の洗浄を行うノズル洗浄待機ユニット９、および塗布処理が行われる塗布ステージ４に大別される。
【００３３】
この基板処理装置１の全体を通して見たときの基板搬送区間ＴＲは、基板の支持方式の違いによって３つの区間に大別される。
【００３４】
(1) 接触支持区間ＴＡ：
上流側の接触支持区間ＴＡは、基板Ｗの下面に接触するコロ配列で基板Ｗを支持しつつ、それぞれのコロの回転によって基板を搬送する「コロ搬送方式」となっている。この「コロ搬送方式」での基板支持は、基板Ｗの下面に接触して基板Ｗを支持する「接触支持形式」の１態様となっている。基板処理装置１の前段側に存在する上流ユニットでの搬送もまたコロ搬送方式となっている。
【００３５】
(2) 浮上支持区間ＴＣ１，ＴＣ２：
後述する支持形式転換区間ＴＢをはさんで接触支持区間ＴＡの下流側にある浮上支持区間ＴＣ１、ＴＣ２は、圧縮空気によって基板を浮上させることによって基板Ｗを支持する。一般に、基板を浮上させて基板を支持する形式が「浮上支持形式」であるが、この実施形態では、加圧気体（具体的には圧縮空気）によって浮上支持形式を実現しつつ、基板の両側端を吸着保持して基板を移動させる浮上搬送方式となっている。区間ＴＣ１、ＴＣ２のうち区間ＴＣ１は、処理液の塗布に直接に関係する塗布用搬送区間であり、区間ＴＣ２は基板を移載ロボット３６に受け渡すための出口区間である。
【００３６】
(3) 支持形式転換区間：ＴＢ
上記２種類の区間ＴＡ，（ＴＣ１，ＴＣ２）の間に設けられた支持形式転換区間ＴＢは、接触支持区間ＴＡと浮上支持区間ＴＣ１、ＴＣ２との間で、基板の支持方式を転換するための区間である。基板の支持形式ではなく搬送方式という観点から見れば、支持形式転換区間ＴＢは、接触支持区間ＴＡでの「接触搬送方式」としての「コロ搬送方式」と、浮上支持区間ＴＣ１、ＴＣ２での「浮上搬送方式」との間で、基板の搬送方式を転換する区間である。
【００３７】
図３は、制御部７と、それによって主に制御される各機能部との関係を示す図である。制御部７はコンピュータを用いて構成されており、コンピュータにインストールされたプログラムと、装置各部の特性データ、および各基板の処理手順（レシピ）に従って装置各部を制御し、一連の基板の連続処理が行われる。制御対象となっている各部の機能については、それぞれの関係箇所において後述する。
【００３８】
＜２. 各部の構成＞
＜●コロコンベア３０＞
コロコンベア３０は、回転する複数のコロ３０１の外周面の最上部が基板Ｗの下面に当接することで、基板Ｗに推進力を与え、下流方向に移動させる接触式の搬送装置である。駆動源であるモータ３５と１本の回転軸３０２、さらにそれぞれ隣接する回転軸３０２同士において、タイミングベルト３２（図６参照）が掛け渡されているため、同じ回転速度を、同じタイミングで各回転軸３０２に与えることが可能である。これらの複数のコロ３０１は、後述する移載ユニット６のコロ６０１とは異なり、固定高さに設けられて基板の下面に接触するコロ群を構成する。
【００３９】
このコロコンベア３０において、Ｘ軸方向と平行な両端部の一方には、減速センサ（図示せず）が設置されており、この減速センサの設置位置よりもさらに基板Ｗの搬送方向下流側には、停止センサ（図示せず）が設置されている。搬送される基板Ｗの先端ＷＥ（図１２参照）が、減速センサに検知されることにより、コロ３０１の回転速度は減速され、停止センサが基板Ｗの先端ＷＥを検知することでコロ３０１の回転は停止される。このように事前に搬送される基板Ｗの速度を落とすことで、基板Ｗに加わる衝撃を最小限にしたうえで、基板Ｗの停止が可能となる。
【００４０】
＜●移載ユニット６＞
コロコンベア３０の下流側には移載ユニット６が設置されている。この移載ユニット６はコロコンベア３０と入口浮上ステージ１０との間隔空間に設置されており、浮上パッド６４と移載昇降コロコンベア６０とを備えている。
【００４１】
浮上パッド６４は、それぞれの上面から基板Ｗの下面に圧縮気体、例えば空気を噴出して基板Ｗを浮上させ、基板Ｗを非接触状態で支持する浮上機構である。浮上パッド６４は、空気を噴出するための多数の噴出孔６４ａ（図１２参照）を上面に分布させて設けた長方形状の部材で構成されており、その上面が気体噴射面となる。噴出孔６４ａからは常に空気が噴出されている。この浮上パッド６４が、長手方向を基板Ｗの搬送方向と平行になるように、Ｙ軸方向に沿って所定間隔をおいて複数設置されている。これら複数の浮上パッド６４の集合体が基板Ｗの浮上ステージとして機能するが、各浮上パッド６４はそれの構成要素たる単位浮上ステージとなっている。
【００４２】
所定間隔をおいて配列された浮上パッド６４間の空隙には、移載昇降コロコンベア６０の複数のコロ６０１からなるコロ群が、各コロ６０１の外周面の最上部における回転方向と、浮上パッド６４の長手方向とが平行になる向きで位置しており、コロ６０１の回転の中心を回転軸６０２が貫いている。後述する図４および図５に示すように浮上パッド６４は回転軸６０２の上方に存在し、浮上パッド６４の長手方向と直交するように、複数のコロ６０１の回転中心を貫いた回転軸６０２が略水平に並んでいる。
【００４３】
コロ６０１および回転軸６０２の駆動については、コロコンベア３０と同様に、駆動源であるモータ６５と１本の回転軸６０２、さらにそれぞれ略水平に隣接する回転軸６０２同士において、タイミングベルト６２（図６参照）が掛け渡されており、同じ回転速度を、同じタイミングで移載昇降コロコンベア６０を構成する各回転軸６０２に与えることが可能である。
【００４４】
各コロ６０１の回転軸６０２の下方には、例えばシリンダのような、昇降機構６６（図４参照）が設置されており、この昇降機構６６と各コロ６０１の回転軸６０２とが部材を介して連結されている。そのため、この昇降機構６６の駆動に合わせて、略水平を保ちつつ、移載昇降コロコンベア６０はＺ軸方向に昇降する。
【００４５】
図４は移載昇降コロコンベア６０の上昇時における移載ユニット６のＹＺ断面図である。図５は移載昇降コロコンベア６０の下降時における移載ユニット６のＹＺ断面図である。
【００４６】
図４に示すように、上昇時のコロ６０１の位置は、その外周面の最上部が基板Ｗの下面と接触する位置であり、噴出孔６４ａからの空気の噴出により基板Ｗが浮上する高さよりも高い位置である。また、図５に示すように、下降時は、コロ６０１の外周面の最上部が浮上パッド６４の上面よりも低い位置まで下降する。上昇時においては、コロコンベア３０と同様に、回転するコロ６０１の外周面の最上部が基板Ｗの下面に当接することで、基板Ｗに推進力を与え、基板Ｗを下流方向に移動させる。
【００４７】
この移載昇降コロコンベア６０が上昇した状態で回転することにより、基板Ｗはコロコンベア３０から入口浮上ステージ１０へと搬送される。基板Ｗがコロコンベア３０を通過すると、移載昇降コロコンベア６０は浮上パッド６４の上面よりも下方に下降する。そのため、移載ユニット６による基板Ｗの支持は浮上パッド６４による浮上力のみとなり、入口浮上ステージ１０での浮上力と協働して基板Ｗを浮上させ、コロなどの下部機構とは非接触状態に移行する。
【００４８】
この移載ユニット６の搬送方向（＋Ｘ方向）の長さすなわち図１における支持形式転換区間ＴＢの長さは、搬送方向における基板Ｗの長さよりも短くなっている。換言すれば、搬送方向（＋Ｘ方向）について所定長の基板Ｗの処理を行う装置１において、移載ユニット６の搬送方向（＋Ｘ方向）の長さはその所定長よりも短くされている。そのため、基板処理ラインの全長を短縮化することが可能である。
【００４９】
図６はコロコンベア３０と移載ユニット６との側面図である。図６に示すように、コロコンベア３０と移載ユニット６とは、隣接配置されてはいるが連結されてはおらず、完全に別々の装置として空間的に分離されている。このとき、昇降コンベアサポートフレーム６９は、側面から見た場合に連結されているように見えるが、実際は図７に示したＡの部分の上面図のように、空間的に連結されてはいない。従ってコロコンベア３０のコロ駆動に伴う振動が移載ユニット６より下流側に伝達されることはない。その結果、後述する処理液塗布処理において、無用の振動に起因する塗布ムラを防止できる。
【００５０】
＜●入口浮上ステージ１０＞
移載ユニット６の下流側には入口浮上ステージ１０が設置されている。この入口浮上ステージ１０は、多数の空気の噴出孔１０ａが１枚の板状ステージ面の全面にわたって分布形成されており、圧縮空気の噴出による気体圧力で基板Ｗを浮上させて、基板Ｗを、入口浮上ステージ１０の上面すなわち気体噴射面に対して非接触状態にすることが可能である。このときの基板Ｗの浮上高さは１０〜５００マイクロメートルとなる。入口浮上ステージ１０におけるこのような基板浮上原理は、移載ユニット６における浮上パッド６４の平行配列と同じである。
【００５１】
図１２に示すように、基板処理装置１の基板搬送路において、基板Ｗの搬送方向に対して平行な基板Ｗの２辺よりもＹ軸方向に沿って外側の位置（以下、「側方位置」と称する）には、ガイドローラ１０２ｐ〜１０２ｓが設置されている。移載ユニット６の（＋Ｙ）側にはガイドローラ１０２ｐが、（−Ｙ）側にはガイドローラ１０２ｒが、入口浮上ステージ１０の（＋Ｙ）側にはガイドローラ１０２ｑが、（−Ｙ）側にはガイドローラ１０２ｓが設置されている。このガイドローラ１０２ｐ〜１０２ｓは、入口浮上ステージ１０に基板Ｗの搬送が行われない場合には退避位置（基板Ｗの側辺の移動軌跡に相当するラインから離れた位置）にあるが、基板搬送時には、ガイドローラ１０２ｐ〜１０２ｓに取り付けられたガイドローラシリンダ（図示せず）により、搬送方向に平行な基板Ｗの２辺を、Ｘ軸と平行な基板Ｗの中心線に向けて両側から押し付けるように接触する。ガイドローラ１０２ｐ〜１０２ｓは、回転軸がＺ軸と平行に設置されており、これによって移載ユニット６から入口浮上ステージ１０に乗り移る際、コロコンベア３０および移載昇降コロコンベア６０のコロ６０１の回転によって与えられる推進力を搬送方向にのみ伝達することが可能となるため、基板Ｗの横ずれを防止できる。
【００５２】
入口浮上ステージ１０の、Ｘ軸方向と平行な両端部の一方には、コロコンベア３０と同様に減速センサ（図示せず）と停止センサ（図示せず）とが設置されており、基板Ｗの搬送速度を減速させたうえで、入口浮上ステージ１０における所定の停止位置で基板Ｗの搬送を停止させることができる。
【００５３】
図１５に示すように、入口浮上ステージ１０の停止センサによって停止した基板Ｗを整列処理するための整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｆが、移載ユニット６と入口浮上ステージ１０との周囲に設置されている。具体的には、Ｘ軸方向に対して平行な基板Ｗの２辺に接する整列処理ピン１０５ｇ〜１０５ｊが、移載ユニット６と入口浮上ステージ１０との側方位置において、（＋Ｙ）側に１０５ｇ，１０５ｈが、（−Ｙ）側に１０５ｉ，１０５ｊが設置されており、基板ＷのＸ軸方向と平行な２辺に接する。搬送方向に対して後端の基板Ｗの１辺に接する整列処理ピン１０５ｅ，１０５ｆは、コロコンベア３０と移載ユニット６との境界に、Ｙ軸方向に沿って設置されている。そして、搬送方向に対して先端の基板Ｗの１辺に接する整列処理ピン１０５ｃ，１０５ｄは、入口浮上ステージ１０上で停止位置にある基板Ｗの先端の１辺よりもさらに下流側の入口浮上ステージ１０に形成された、整列処理ピン１０５ｃ，１０５ｄに合った大きさの凹部内に、設置されており、Ｙ軸方向に沿って設けられている。このＹ軸方向に平行な、基板Ｗの先端ＷＥと後端との２辺に接する整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｆについては、通常の基板搬送時には、基板搬送の邪魔にならないように、コロコンベア３０と移載ユニット６との境界、そして入口浮上ステージ１０に形成された凹部、の下方に退避している。整列処理を行う際には、整列処理ピンシリンダ（図示せず）の動作によって基板Ｗと当接できる位置まで基板搬送路の上方に伸長し、基板Ｗと当接する最上端の部分が、基板方向に位置を変えることで、基板ＷのＹ軸方向に平行な２辺と接する。このように、合計８カ所に設置された各整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｆが動作することによって、基板Ｗは正確な停止位置に位置決めされる。
【００５４】
＜●塗布ステージ４＞
入口浮上ステージ１０の下流には塗布ステージ４が存在する。この塗布ステージ４上において基板Ｗはスリットノズル５５から処理液としてレジスト液を塗布される。
【００５５】
この塗布ステージ４は入口浮上ステージ１０と同様に、ステージ表面において多数の小孔が分布形成されている。ただし、入口浮上ステージ１０において、小孔は空気の噴出のみが行われていたが、塗布ステージ４においては、空気の噴出だけでなく、空気の吸引を行うための小孔も形成されている。つまり、塗布ステージ４上に存在する多数の小孔（気体孔）は、図８に示すように、圧縮空気の噴出孔４０ａ，４１ａと吸引孔４０ｂ，４１ｂとに分類される。このように空気の噴出と吸引とが行われることで、噴出孔４０ａ，４１ａからステージ面上に噴出した圧縮空気の空気流は水平方向に広がった後、それらの噴出孔４０ａ，４１ａに隣接する吸引孔４０ｂ，４１ｂから吸引されることになり、浮上した基板Ｗと塗布ステージ４上面との間における空気層（圧力気体層）での圧力バランスは、より安定的となる。
【００５６】
この塗布ステージ４は、２分割されており、図８は、２分割された塗布ステージ４の上面図である。
【００５７】
入口浮上ステージ１０で停止していた基板Ｗは、基板搬送チャック８によりその側端部が吸引保持されつつ（＋Ｘ）方向に搬送されて塗布ステージ４上でいったん停止する。この停止した基板Ｗの先端ＷＥの直下となる位置がプレート境界Ｓｔとされており、このプレート境界Ｓｔにおいて塗布ステージ４を構成するプレートは、２分割されている。プレート境界Ｓｔよりも（−Ｘ）方向に位置するプレートを塗布前ステージ４０、（＋Ｘ）方向に位置するプレートを塗布後ステージ４１とする。
【００５８】
図９は、塗布前ステージ４０および塗布後ステージ４１における空気の供給流路と吸引流路とを示している。空気の供給流路は、コンプレッサなどの圧縮機構２０１で圧縮された空気が、温調ユニット２０２で所定の温度に達せられた後で、塗布前ステージ４０と塗布後ステージ４１とのそれぞれの流路に分岐される。温調ユニット２０２により空気が所定の温度に設定されるのは、外気温に関係なく空気を一定の温度状態に保つためである。分岐後の空気は、それぞれの流路においてフィルタ１２，２２を通って清浄化され、ニードル弁１３，２３で圧力を調節された後で流量計１４，２４、圧力計１５，２５、エアオペレーションバルブ１６，２６を通過して、塗布前ステージ４０および塗布後ステージ４１における噴出孔４０ａおよび４１ａから噴出される。空気の供給の開始および停止は、エアオペレーションバルブ１６，２６の開閉を制御部７（図３）からの指令信号によって行うことで実行される。圧縮空気の圧力制御もまた制御部７が行う。
【００５９】
空気の吸引は、吸引手段としてブロワ１８，２８が用いられており、駆動モータ（図示せず）がインバータ制御されている。塗布前ステージ４０および塗布後ステージ４１上に設けられた吸引孔４０ｂおよび４１ｂからの吸引流路中には、圧力計１７，２７が設置されており、吸引流路中の圧力を測定できる。また、吸引流路中にはリリーフ弁１９，２９が設置されている。これにより、ブロワ１８，２８の回転によって得られる吸引圧力よりも吸引流路内の圧力が高い場合に、リリーフ弁１９，２９から吸引流路内の空気を外部に放出することで、吸引流路内の圧力を一定に保つための微調整を行うことができる。
【００６０】
空気の供給手段としての圧縮機構２０１は１台であり、分岐させることでステージ毎に流路を分けることができる。一方、吸引手段としてのブロワ１８，２８は、各ステージにおけるそれぞれの吸引流路毎に設置されている。
【００６１】
このように塗布ステージ４は２つに分かれており、内部の流路が、塗布前ステージ４０と塗布後ステージ４１とで、分割されているため、空気の噴出と吸引とをステージごとに調節することが可能である。つまり、２つのステージ４０，４１での圧力気体層（空気流）は個別に制御可能であり、圧縮空気の噴出と吸引とを双方同時に行うこともできるだけでなく、そのうちの一方だけについて一時的に空気の噴出と吸引とを停止させることもできる。
【００６２】
たとえば、塗布後ステージ４１の空気の噴出および吸引を単独で停止させたい場合、噴出についてはエアオペレーションバルブ２６を全閉にし、吸引についてはブロワ２８の駆動モータ（図示せず）と接続されたインバータ（図示せず）を停止させることで、そのような単独制御を実現できる。エアオペレーションバルブ２６や前記インバータは圧力気体層を形成するための空気流を制御する気体流制御手段として機能する。
【００６３】
＜●ノズルユニット５＞
図１０は基板搬送チャック８とノズルユニット５とノズル洗浄待機ユニット９とのＹＺ断面図である。
【００６４】
基板Ｗの表面にレジスト液を塗布するノズルユニット５は、塗布ステージ４の上方に設置されており、図１０に示す架橋構造を持つ。このような架橋構造は、例えばカーボンファイバ補強樹脂を骨材とするノズル支持部と、その両端を支持して昇降させる昇降機構とから構成されている。ノズル支持部にはスリットノズル５５が設置されている。このスリットノズル５５は、処理液供給機構（図示せず）から供給されるレジスト液を、その下端に形成されているスリット状の吐出口５５ａから基板Ｗの上面へ吐出する。この吐出口５５ａは、塗布ステージ４に対して略水平であり、Ｙ軸方向に沿って延びている。
【００６５】
ノズルの昇降機構はノズル支持部の両端に設置されており、主に駆動源であるサーボモータ５９と、ボールねじ５８とによって構成されている。このサーボモータ５９により、ノズル支持部は塗布ステージ４に対して鉛直方向に延びたボールねじ５８に沿って昇降駆動されて、スリットノズル５５の吐出口５５ａと基板Ｗとの間隔は調節される。
【００６６】
この昇降機構には、基板搬送路の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）で基板と接しない位置にＸ軸方向に沿ってノズルユニット走行ガイド５１が設置してある。
【００６７】
２つのノズルユニットリニアモータ（−Ｙ側、＋Ｙ側）のそれぞれの固定子は本体装置のＹ軸方向の側面にＸ軸方向に沿って設けられており、それぞれの移動子は昇降機構の外側に固設されている。これらの固定子と移動子との間に生じる磁気相互作用によって、ノズルユニット５は、ノズルユニット走行ガイド５１に沿って移動する。
【００６８】
２つのノズルユニットリニアスケール５２についても、本体装置の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）に、それぞれ設置されている。このノズルユニットリニアスケール５２がノズルユニット５の移動位置を検出するため、制御部７はその検出結果に基づいてノズルユニットリニアモータ５３の駆動を制御し、ノズルユニット５のＸ軸方向における移動、つまりはスリットノズル５５による基板表面への走査を制御する。
【００６９】
塗布処理を行う際には、スリットノズル５５の吐出口５５ａからレジスト液を吐出した状態で、基板搬送チャック８が基板Ｗの両端を保持して（＋Ｘ）軸方向に所定の速度で水平移動させる。
【００７０】
基板搬送チャック８は、下面が非接触状態にある基板Ｗのエッジを保持して基板Ｗを下流方向に搬送するための装置である。原点状態において基板搬送チャック８は、浮上パッド６４と入口浮上ステージ１０とに跨って停止した基板Ｗの、Ｘ軸方向に平行な両端部の直下に位置している。つまり、基板Ｗをチャッキングする位置の内側に、移載ユニット６と入口浮上ステージ１０とが位置する構造である。
【００７１】
図１などに示すように、基板搬送チャック８は、基板搬送経路に沿って、入口浮上ステージ１０、塗布ステージ４および出口浮上ステージ１１の両側部のみならず、移載ユニット６の両側部にも延在している。そして、基板搬送チャック８による基板Ｗの搬送速度と、コロコンベア３０の各コロ３０１の回転による基板搬送速度と、上昇状態にある移載ユニット６の各コロ６０１の回転による基板搬送速度とは同じ速度であって、所定の基準速度に統一されている。ただし、ここで言う「搬送速度」は、搬送の開始および終了の際の加減速期間を除く、定常速度区間での速度として規定される。これによって、先後の複数の基板を装置１内で同時に移動させる期間において、基板相互の衝突の防止のために基板間の間隔を余分にとらずに済む。
【００７２】
図１０に示すように基板搬送チャック８は、左右対称（＋Ｙ側と−Ｙ側とで対称）構造となっており、左右それぞれで、基板Ｗを吸着保持するチャック部８８と、Ｘ軸方向に移動するための搬送チャック走行ガイド８１と、その移動のための駆動力を発生させる搬送チャックリニアモータ８３と、基板Ｗの位置を検出するための搬送チャックリニアスケール８２とを、備えている。
【００７３】
図４、図５に示すように、チャック部８８はチャック昇降シリンダ８５の動作により昇降させることが可能である。チャック部８８が上昇することで、＋Ｙ側、−Ｙ側の基板Ｗの両端部の下面は支持され、吸着保持される。
【００７４】
このチャック部８８の下方には、基板搬送路の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）で、ノズルユニット走行ガイド５１よりも内側の位置に、Ｘ軸方向に沿って搬送チャック走行ガイド８１が設置してある。
【００７５】
２つの搬送チャックリニアモータ（−Ｙ側、＋Ｙ側）のそれぞれの固定子は基板処理装置１のＹ軸方向における最も内側の側面にＸ軸方向に沿って設けられている。それぞれの移動子は基板搬送チャック８に固設されている。これらの固定子と移動子との間に生じる磁気相互作用によって基板搬送チャック８は、搬送チャック走行ガイド８１に沿って移動する。
【００７６】
２つの搬送チャックリニアスケール８２についても、基板処理装置１の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）に、それぞれ設置されている。この搬送チャックリニアスケール８２が基板搬送チャック８の移動位置を検出するため、制御部７はその検出結果に基づいて基板位置の制御を行う。
【００７７】
ノズル洗浄待機ユニット９は、スリットノズル５５が基板Ｗの表面に塗布処理を行った後で、レジスト液で汚れたノズル先端を洗浄し、次の塗布処理に向けてスリットノズル５５の吐出口５５ａの状態を整えるための装置である。そのため、スリットノズル５５からのレジスト液の吐出対象となる略円筒状のローラ９５を備えている。
【００７８】
図１０に示すように、このノズル洗浄待機ユニット９は、Ｘ軸方向に沿って、基板搬送路よりも外側で、かつノズルユニット５よりも内側の位置に設置されている。ノズル洗浄待機ユニット９においても、左右（−Ｙ側、＋Ｙ側）それぞれに、ノズル洗浄待機ユニット走行ガイド９１、ノズル洗浄待機ユニットリニアモータ９３、そしてノズル洗浄待機ユニットリニアスケール９２が備わっている。
【００７９】
ノズル洗浄待機ユニット走行ガイド９１は、Ｙ軸方向に見た場合、ノズルユニット走行ガイド５１と搬送チャック走行ガイド８１との間に位置しており、Ｘ軸方向に沿うように、基板搬送路の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）に設置してある。
【００８０】
両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）に設けられたノズル洗浄待機ユニットの２つのリニアモータ９３は、それぞれの固定子が基板処理装置１のＹ軸方向における内側の側面にＸ軸方向に沿って設けられている。またそれぞれの移動子はノズル洗浄待機ユニット９に固設されている。これらの固定子と移動子との間に生じる磁気相互作用によってノズル洗浄待機ユニット９は、ノズル洗浄待機ユニット走行ガイド９１に沿って移動する。
【００８１】
２つのノズル洗浄待機ユニットリニアスケール９２についても、基板処理装置１の両端に（−Ｙ側、＋Ｙ側）それぞれに設置されている。このノズル洗浄待機ユニットリニアスケール９２がノズル洗浄待機ユニット９の移動位置を検出するため、制御部７はその検出結果に基づいてノズル洗浄待機ユニット９の位置について制御が可能である。
【００８２】
このノズル洗浄待機ユニット９には主にローラ９５、洗浄ユニット９９、ローラバット９６などが備わっている。この洗浄ユニット９９において、塗布処理が行われた後のスリットノズル５５の吐出口５５ａの洗浄が行われる。ローラ９５の外周面にスリットノズル５５を近接させた状態で吐出口５５ａから一定のレジスト液を吐出させると、吐出口５５ａにレジスト液の液だまりが形成される。このように吐出口５５ａに液だまりが均一に形成されると、その後の塗布処理を高精度に行うことが可能となる。このように、スリットノズル５５の吐出口５５ａは初期化され、（以下、「予備吐出」と称する）次の塗布処理に備える。ローラ９５の回転はローラ回転モータ９８の駆動により行われる。ローラ９５に付着したレジスト液は、ローラ９５が回転する際にローラバット９６内に貯留された洗浄液に下端が浸漬されることで、除去される。
【００８３】
図１８中に示すように、ノズルユニット５のスリットノズル５５には、ノズル先端を保護するための保護部材５７が取り付けられている。これはノズルユニット５が基板表面を走査する際に、基板上に異物が存在した場合、ノズル先端が異物に接触して、スリットノズル５５が破損する可能性を抑えるためである。そのため、スリットノズル５５が基板上を走査する際に、ノズル先端よりも先に基板Ｗに進入する位置にプレート状の保護部材５７を、プレート面が基板面に対して直交するように、スリットノズル５５の先端よりもプレートの下面が下方に位置するように、取り付ける。異物が存在した場合、保護部材５７が接触して、振動が発生し、その振動がスリットノズル５５に伝達される。スリットノズル５５には振動を検出するための振動センサ５５Ｓが設けられており、検出された電気信号が制御部７に入力されることで異物の存在を認識し、スリットノズル５５の走査は強制的に停止される。
【００８４】
また、スリットノズル５５には、水平方向に基板Ｗとスリットノズル５５とを相対的に移動させた際に、保護部材５７よりも先に基板Ｗの上方領域に進入する位置に、基板Ｗの浮上高さを非接触で検知するための浮上高さ検知センサ５８が設置されている。この浮上高さ検知センサ５８によって、浮上した基板Ｗと、塗布ステージ４の上面との離間距離を測定することが可能であり、その検出値に伴って、制御部７を介して、スリットノズル５５が下降する位置を調整することができる。検知センサ５８としては、光学式センサや、超音波式センサなどを用いることができる。
【００８５】
図８および図９で説明したように、塗布ステージ４は２分割され、それぞれのステージで空気の供給流路と吸引流路とは個別に調節できる。そのため、基板Ｗの先端ＷＥが塗布前ステージ４０の直上に移動してきた段階では、この塗布前ステージ４０での空気の噴出・吸引は維持させつつ、その段階では基板Ｗがまだ上方に到達していない領域となっている塗布後ステージ４１については、その塗布後ステージ４１での空気の噴出と吸引とを停止させることができる。そのため、ノズル直下に基板Ｗが存在しない状態で、塗布開始高さまでスリットノズル５５を下降させても、その領域（塗布後ステージ４１の存在領域）における空気の噴出と吸引とによりスリットノズル５５の吐出口５５ａの処理液が乾燥することを防止できる。このため、ノズル先端における処理液が部分的に乾燥してしまうことによる処理液の吐出不良が防止され、基板Ｗの塗布不良を防ぐことができる。
【００８６】
また、スリットノズル５５が下降してから、基板Ｗに向けて水平方向に走査するようにできるため、スリットノズル５５が塗布を開始する基板の先端ＷＥの実際の正確な浮上高さを、最初に基板の先端ＷＥに進入するノズル高さ検知センサ５８が検出できる。そのため、ノズルユニット５はスリットノズル５５の下降高さを微調整しつつ、スリットノズル５５の吐出口５５ａを、実際に塗布処理を行う際のノズル先端と基板表面との所定間隔に対応する高さにして、基板の先端ＷＥに進入させ、ノズル先端を塗布開始位置ＳＰに到達させることが可能である。この塗布開始位置ＳＰは、基板の先端ＷＥよりも若干だけ基板Ｗの中央側に寄った位置とされるのが通例であるが、基板の先端ＷＥとほぼ同じ位置であってもよい。また、基板Ｗの端部からスリットノズル５５は走査を開始できるため、基板全面の異物について、保護部材５７と振動センサ５５Ｓとによる異物の検知が可能となる。
【００８７】
塗布ステージ４の下流には出口浮上ステージ１１が設置されている。この出口浮上ステージ１１は入口浮上ステージ１０と同様に気体を噴出させるための噴出孔１１ａが形成されており、さらにリフトピン１１５が噴出孔１１ａの合間を縫って所定間隔をおいて、基板Ｗの全面に対向するように配置されている。リフトピン１１５は出口浮上ステージ１１の下方に設置されたリフトピン昇降機構（図示せず）によって、鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降駆動される。下降時はリフトピン１１５の先端が出口浮上ステージ１１の上面以下に、上昇時はリフトピン１１５の先端が基板Ｗを移載ロボット３６に受け渡す位置まで上昇する。リフトピン１１５が上昇することで基板Ｗの下面は支持され、持ち上げられるので、基板Ｗは出口浮上ステージ１１の上面から引きはがされる。出口浮上ステージ１１の下流に設置された移載ロボット３６がリフトピン１１５間に移載フォークを差し込み、リフトピン１１５からの基板Ｗの受け渡しが行われる。
【００８８】
＜３． 基板処理装置の動作＞
次に、基板処理装置１の基本的な動作の流れについて説明する。
【００８９】
図１１は、基板Ｗの処理状況に応じた主な機能部の動作についてのタイムチャートである。このタイムチャートは、基板Ｗが連続処理されている状況において、各装置の機能部の連動の様子を表している。
【００９０】
タイムチャートにおけるステップは、（Ａ）から（Ｅ）までの５ステップに分かれている。
【００９１】
●第１段階 ＝（Ａ）から（Ｂ）：
・基板Ｗ０については、塗布開始位置ＳＰに停止し、塗布処理を開始するまでの工程；
・次処理予定の基板Ｗについては、コロコンベア３０の停止位置に停止している状態から移載ユニット６に搬送されはじめるまでの工程。
【００９２】
●第２段階 ＝（Ｂ）から（Ｃ）：
・基板Ｗ０については、塗布処理が行われているときの工程；
・基板Ｗについては、入口浮上ステージ１０に乗り移るまでの工程。
【００９３】
●第３段階 ＝（Ｃ）から（Ｄ）：
・基板Ｗ０については、塗布処理が終わって、出口浮上ステージ１１上で停止するまでの工程；
・基板Ｗについては、整列処理が行われる工程。
【００９４】
●第４段階 ＝（Ｄ）から（Ｅ）：
・基板Ｗ０については、下流側の装置に搬送される工程；
・基板Ｗについては、整列処理されたまま、塗布処理を行う準備工程。
【００９５】
●第５段階 ＝（Ｅ）から（Ａ）：
・基板Ｗについては、塗布開始位置ＳＰまで移動する工程に相当；
・コロコンベア３０では、次の処理が行われる基板が停止位置まで搬入される。
【００９６】
これらの基板処理装置１の動作を具体的に以下で説明するが、理解を容易にする目的で、基板Ｗが基板処理装置１に搬入され、搬出されるまでを説明するため、図１１のステップ（Ａ）から（Ｅ）を２回繰り返す。１回目のサイクルでは図１１で右上がりのハッチングを付した基板Ｗｂが着目基板Ｗに相当し、２回目のサイクルでは、右下がりのハッチングを付した基板Ｗａが着目基板Ｗに相当する。
【００９７】
＜３−１． １回目：第１段階（Ａ）〜（Ｂ）＞
図１２は基板Ｗがコロコンベア３０で搬送されている様子を示した上面図である。ただし、この図１２のほか、図１３、図１５、図１７、図２３、図２４では、図示の便宜上、着目する基板Ｗよりも先行する基板は描かれていない。
【００９８】
図１１および図１２において、上流ユニットにて処理が行われた基板Ｗは、下流工程へ搬送されるため、固定式のコロコンベア３０に移される。このコロコンベア３０の回転により、基板Ｗの下面とコロの外周面の最上部とが接するため、基板Ｗは（＋Ｘ）方向に推進力が与えられ、下流方向に搬送される。コロコンベア３０のＸ軸方向と平行な両端部の一方には、減速センサと停止センサとが、設置されている。搬送される基板Ｗの先端ＷＥが減速センサに検知されると、コロコンベア３０の回転速度は減速され、基板Ｗの搬送速度は遅くなる。そして基板Ｗの先端ＷＥが停止センサに検知されると、コロコンベア３０の回転は止まり、基板Ｗの搬送が停止される。
【００９９】
ステップ（Ｂ）の直前にコロコンベア３０の回転が再開される。このとき、移載昇降コロコンベア６０は上昇状態になっており、ステップ（Ｂ）では、コロコンベア３０と移載昇降コロコンベア６０とは、基板Ｗを搬送するため、同時に回転駆動を行う。図１１において、１回目のサイクルでのこの段階でのノズル関係の動作は、先行する基板Ｗａへの処理液の塗布に関するものであるため、着目基板Ｗについての処理には関係しない。
【０１００】
＜３−２． １回目：第２段階（Ｂ）〜（Ｃ）＞
図１３は基板Ｗが移載ユニット６を通って入口浮上ステージ１０に搬入される様子を示した上面図である。図１４は基板Ｗが移載ユニット６を通って入口浮上ステージ１０に搬入される様子を示したＸＺ断面図である。
【０１０１】
図１１に示すように、移載ユニット６の浮上パッド６４から空気は常に噴出された状態であり、ステップ（Ｂ）〜（Ｃ）の期間では、移載昇降コロコンベア６０は上昇位置にある。コロコンベア３０と移載昇降コロコンベア６０とは、同じ回転速度で回転し、移載ユニット６の下流に設置された入口浮上ステージ１０に基板Ｗを搬送する。図１１には示されていないが、入口浮上ステージ１０の空気も常に噴出された状態にある。したがって、基板Ｗのうち入口浮上ステージ１０に進入した部分は入口浮上ステージ１０上で浮上した状態で進行する。
【０１０２】
この際に、移載ユニット６と入口浮上ステージ１０との側方に設置されていたガイドローラ１０２ｐ〜１０２ｓが進出し、基板ＷのＸ軸方向に平行な２辺に当接する。ガイドローラ１０２ｐ〜１０２ｓにより基板ＷのＸ軸方向に平行な２辺は押さえられるため、基板Ｗは、基板搬送経路を横切る方向に関して位置が規制され、その方向にずれることなく下流方向に搬送される。このようにガイドローラ１０２ｐ〜１０２ｓが存在することによって、コロコンベア３０と移載昇降コロコンベア６０とにより、基板Ｗに伝達される推進力は、すべて下流方向に向きを揃えられ、基板Ｗがずれることを防ぐ。
【０１０３】
このとき、コロコンベア３０と、移載ユニット６とは、別々の装置として完全に切り離されている（すなわち空間的に非接触である）ため、コロコンベア３０の振動が移載ユニット６に伝達されることはない。このため、無用の振動によって先行する基板の塗布処理に悪影響を与えることが防止される。
【０１０４】
入口浮上ステージ１０には、コロコンベア３０と同様に減速センサと停止センサとが、設置されている。搬送される基板Ｗの先端ＷＥが、減速センサに検知されることにより、移載ユニット６の移載昇降コロコンベア６０はその回転の速度を落とす。
【０１０５】
搬送される基板Ｗの後端がコロコンベア３０の停止センサを通過した段階で、コロコンベア３０の駆動は停止される。そして搬送される基板Ｗの先端ＷＥが、入口浮上ステージ１０の停止センサに検知されるまで、基板Ｗは移載昇降コロコンベア６０の駆動のみによって、入口浮上ステージ１０に搬送される。入口浮上ステージ１０の停止センサに検知されることで、移載昇降コロコンベア６０の回転は停止される。
【０１０６】
なお、１回目のサイクルでのステップ（Ｂ）〜（Ｄ）における基板搬送チャック８の動きは先行する基板の搬送のためのものであるため、この段階での説明は省略する。
【０１０７】
＜３−３． １回目：第３段階（Ｃ）〜（Ｄ）＞
図１５は、基板Ｗが移載ユニット６に乗り移って停止している様子を示した上面図である。図１６は移載ユニット６が下降して基板Ｗが非接触状態となった様子を示したＸＺ断面図である。
【０１０８】
搬送される基板Ｗの後端が移載ユニット６に完全に乗り移り、基板Ｗが移載ユニット６と入口浮上ステージ１０とに跨った状態で停止すると、上昇していた移載昇降コロコンベア６０は、コロ６０１の外周面の最上部が浮上パッド６４の上面よりも下方の位置まで下降する。このようにして基板Ｗは全面が、浮上パッド６４と入口浮上ステージ１０とによる空気の噴出によって浮上し、浮上パッド６４や入口浮上ステージ１０とは非接触状態になる。
【０１０９】
移載ユニット６が基板Ｗの長さより短いため、移載ユニット６上の基板Ｗにおいて、移載昇降コロコンベア６０の上方と、浮上パッド６４の上方とで、気流による温度低下の程度が異なることによる基板Ｗの温度の不均一性は低くなる。そのため、基板Ｗの温度分布（温度の不均一性）に起因した塗布ムラを抑制することができる。
【０１１０】
非接触状態で停止した基板Ｗの、搬送方向における前後、そして左右には、所定の停止位置に位置決めを行うための整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｊが設置されている。基板Ｗの側方位置で、（＋Ｙ）側に設置された整列処理ピン１０５ｇ，１０５ｈ、そして（−Ｙ）側に設置された整列処理ピン１０５ｉ，１０５ｊは基板Ｗに向けて整列処理ピンシリンダ（図示せず）により水平方向に移動して、基板ＷのＸ軸方向と平行な２辺に接する。前後の位置決めに用いられる整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｆは、基板Ｗの搬送路よりも下方に待機しているので、整列処理ピン昇降シリンダの上昇駆動によって、ステージ上面の基板Ｗと当接する位置まで上昇し、さらに、基板Ｗと当接する最上端の部分が、基板方向に位置を変えることで、基板Ｗの先端ＷＥと後端との２辺に接する。このようにして各整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｊが動作することにより、基板Ｗは正確な停止位置に位置決めが行われる。
【０１１１】
＜３−４． １回目：第４段階（Ｄ）〜（Ｅ）＞
基板Ｗは整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｊによって整列処理が行われている。その間に、先に塗布処理が行われていた基板Ｗ０（図１１の基板Ｗａ）を搬送した基板搬送チャック８において、チャック部８８の吸着が停止され、チャック部８８を基板Ｗ０のエッジよりも低い高さに下降させた状態で、基板Ｗの搬送を行うために初期位置に向けて、（−Ｘ）方向に移動する。図１１の基板搬送チャック８の動作において（−）記号が付された期間がそれに相当する。なお、基板搬送チャック８の動作のステップ（Ｃ）などにおいて（＋）記号が付された期間は、基板搬送チャック８の（−Ｘ）方向への移動期間である。
【０１１２】
基板Ｗ０の塗布処理が行われたスリットノズル５５は、ノズルの洗浄と予備吐出とを行うために、（＋Ｘ）方向に水平移動し、塗布後ステージ４１の上方へ移動する。
【０１１３】
＜３−５． １回目：第５段階（Ｅ）〜（Ａ）＞
図１７は基板Ｗが塗布開始位置ＳＰで停止し、次処理予定の基板Ｗ１がコロコンベア３０の停止位置にある様子を示した上面図である。
【０１１４】
（−Ｘ）方向に移動した基板搬送チャック８は、整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｆにより、正確に位置決めされて、停止していた基板Ｗの、搬送方向と平行な基板Ｗの両端の２辺の下方の位置で、停止する。そして、基板搬送チャック８は、チャック昇降シリンダ８５の動作によって、チャック部８８を上昇させ、基板Ｗの下面の両端に吸着する。図１１中に示すように、この吸着のための吸引は基板Ｗに当たる前に開始される。これによって基板Ｗはチャック部８８に保持され、基板搬送チャック８は（＋Ｘ）方向へ移動し、基板Ｗは浮上したまま塗布ステージ４に搬送される。
【０１１５】
塗布ステージ４は、当該ステージを構成するプレートが２枚に分割されていることにより、塗布前ステージ４０と塗布後ステージ４１とに分かれている。基板搬送チャック８によって基板Ｗは、その先端ＷＥがその２つのプレートの境界線Ｓｔの上方に位置するまで搬送される。
【０１１６】
図１８はスリットノズル５５に予備吐出を行っている様子を示したＸＺ断面図である。図１９はノズル洗浄待機ユニット９が退避位置に移動する様子を示したＸＺ断面図である。
【０１１７】
ノズルユニット５は、スリットノズル５５が塗布後ステージ４１の上方に存在する位置で、停止している。ノズル洗浄待機ユニット９がスリットノズル５５の位置に合わせて移動し、スリットノズル５５の吐出口５５ａの洗浄および予備吐出が行われる。予備吐出により、スリットノズル５５の先端が初期化されると、ノズル洗浄待機ユニット９は（−Ｘ）方向に向けて移動し、退避する。
【０１１８】
また、基板Ｗを塗布開始位置ＳＰに移動させるための基板搬送チャック８の移動と同期してコロコンベア３０も駆動され、図１５に示す上流ユニットにおいて前処理が行われた次処理予定の基板Ｗ１を、コロコンベア３０上の停止位置まで搬送する。
【０１１９】
＜３−６． ２回目：第１段階（Ａ）〜（Ｂ）＞
図２０はスリットノズル５５が塗布開始高さに下降する様子を示したＸＺ断面図である。図２１はスリットノズル５５が塗布開始位置ＳＰに水平移動する様子を示したＸＺ断面図である。また、図２１の部分拡大図が図２６に示されており、スリットノズル５５が塗布開始位置ＳＰに到達し、塗布後ステージ４１の圧縮空気の噴出と吸引を開始した場合の部分拡大図に相当する図が、図２７に示されている。２回目のサイクルとして見た図１１においては、先行している基板Ｗａが、ここで着目している基板Ｗに相当する。
【０１２０】
ノズル洗浄待機ユニット９が退避することで、スリットノズル５５と、塗布後ステージ４１との間には空間ができる。この空間をスリットノズル５５は設定された下降位置、つまり塗布開始高さまで下降する。塗布開始高さまで下降したスリットノズル５５は、基板Ｗの先端ＷＥの近傍の塗布開始位置ＳＰまで（−Ｘ）方向に移動する。
【０１２１】
塗布開始位置ＳＰにスリットノズル５５が移動する際に、最初にノズル高さ検知センサ５８が基板Ｗの先端ＷＥである塗布開始位置ＳＰに進入する。ノズル高さ検知センサ５８によって塗布開始位置ＳＰの実際の浮上高さを検出することができるため、スリットノズル５５を実際の塗布高さにするための微調整を行いつつ、スリットノズル５５は（−Ｘ）方向に移動する。続いて、プレート形状の保護部材５７が基板の先端ＷＥから進入し、基板表面上を走査する。基板の先端ＷＥから走査していくため、基板全面の異物を検知することが可能である。このときのスリットノズル５５の高さは、実際に塗布を行う際の高さと同等の位置である。スリットノズル５５が塗布開始位置ＳＰに到達すると、スリットノズル５５の（−Ｘ）方向への移動は停止する。
【０１２２】
スリットノズル５５が下降を始めてから、塗布開始位置ＳＰに到達するまでの期間は、それまで周囲の温度を一定に保つため行われていた塗布後ステージ４１の噴出孔４１ａからの圧縮空気の噴出と吸引孔４１ｂからの空気の吸引とは一時停止される。それによって空気流（気体流）の形成（したがって圧力気体層の形成）も一時停止される。
【０１２３】
すなわち、スリットノズル５５が待機位置から下降を開始して下降を完了するまでの下降期間と、下降が完了した後に処理液を吐出していない状態のままでスリットノズル５５が水平移動を開始して基板Ｗの塗布開始位置ＳＰにスリットノズル５５が到達するまでの水平移動期間とのいずれもが、処理液を吐出せずにスリットノズル５５が移動する「空走期間」に属し、この空走期間のうち少なくとも一部の期間で、スリットノズル５５の直下領域に相当する塗布後ステージ４１での空気流の形成（圧力空気層の形成）を停止する（ＯＦＦ状態にする）。
【０１２４】
好ましくは、前記下降期間のうちスリットノズル５５の下降が完了するまでに空気の噴出および吸引をＯＦＦ状態に移行させ、スリットノズル５５が水平移動して基板Ｗの塗布開始位置ＳＰに到達するまでは、空気流のＯＦＦ状態を継続する。
【０１２５】
さらに好ましくは、前記下降期間と前記水平移動期間との双方を空気流の一時停止期間とする。
【０１２６】
このような空気流の一時停止を行うのは、基板存在領域を外れた領域のうち少なくともノズルの直下の領域を含む範囲となる。
【０１２７】
このようにすることによって、スリットノズル５５が下降して、塗布後ステージ４１に接近するときに、空気の噴出と吸引との影響により、スリットノズル５５の吐出口５５ａの処理液が乾燥することを防ぐことができる。従って、実際に基板表面に塗布処理を行った際に、スジ状のムラや吐出不良の発生を抑制できる。
【０１２８】
図２８に示すように、仮に、スリットノズル５５を上方の待機位置から基板の先端ＷＥの直上で下降させた場合には、塗布後ステージ４１による空気流の形成を一時停止しなくても、スリットノズル５５の先端での処理液の乾燥は生じない。しかしながら、この場合には基板Ｗの先端ＷＥ付近の直上を保護部材５７が走査しないため、先端ＷＥ付近に異物があっても、保護部材５７によってそれを排除あるいは検出できない。そのため、異物によってスリットノズル５５の先端が汚損する可能性がある。したがって、スリットノズル５５を基板Ｗの先端ＷＥから水平方向に離れた位置で降下させてから基板Ｗの先端ＷＥに進入させることが望ましいが、それにあたって、上記のように塗布後ステージ４１での空気流を一時停止することが特に有効となる。
【０１２９】
その一方で、前記下降期間よりも前の期間では、空気流をＯＮ状態にしておく。それは、空気の噴出の停止時間があまり長くなると環境温度が変動して基板Ｗの温度が変化し、それに伴って基板Ｗの熱変形や塗布時のムラにつながる可能性があるためである。したがって、好ましくは、空気流の形成の一時的な停止状態の継続時間は、基板の温度変動が所定の許容値以下となるような時間としてあらかじめ実験的に決定しておくことによって、基板側の温度変動に起因する塗布不良を防止できる。
【０１３０】
スリットノズル５５が塗布後ステージ４１に近いほど、塗布後ステージ４１から噴出した空気流の影響を受けやすいことを考えると、上記空走期間の一部だけで空気流の一時停止をする場合には、上記下降期間と水平移動期間とのうち水平移動期間を空気流の一時停止期間に含めることが好ましい。
【０１３１】
スリットノズル５５が塗布開始位置ＳＰに到達すると、それまで停止すなわちＯＦＦ状態とされていた塗布後ステージ４１の空気の噴出および吸引が再開されてＯＮ状態となる。このため、塗布ステージ４のすべての空気孔を用いた圧力空気層の形成が再び行われるようになり、この状態で、スリットノズル５５による塗布開始位置ＳＰからの処理液の塗布が開始される。また、基板搬送チャック８が塗布後ステージ４１側（＋Ｘ方向）に移動を開始し、それによって、スリットノズル５５に対する基板Ｗの相対移動が始まる。したがって、実際の処理液の塗布動作時には塗布ステージ４の全域で圧力空気層が形成されており、基板Ｗの浮上支持を安定に行う。
【０１３２】
また、基板搬送チャック８の移動開始と同時に、次処理予定の基板Ｗ１を搬送するために、コロコンベア３０と上昇位置である移載昇降コロコンベア６０とは駆動を開始する。
【０１３３】
＜３−７． ２回目：第２段階（Ｂ）〜（Ｃ）＞
図２２は塗布処理が行われている様子を示したＸＺ断面図である。図２３は塗布処理が行われている様子を示した上面図である。
【０１３４】
図２２に示すように、基板Ｗの両端をチャック部８８が保持した状態で、基板搬送チャック８は所定の速度で下流方向に向けて移動される。スリットノズル５５は、塗布開始位置ＳＰについてからは固定された状態で、吐出口５５ａからレジスト液を供給し続け、基板Ｗが浮上状態で下流方向に移動することで、基板Ｗの表面に塗布処理を行う。すなわち、スリットノズル５５が下降して塗布開始位置ＳＰに至るまでは基板Ｗは浮上して停止しており、スリットノズル５５が（−Ｘ）方向に移動するが、スリットノズル５５が塗布開始位置ＳＰに至った後には、基板Ｗが（＋Ｘ）方向に移動し、それによってスリットノズル５５と基板Ｗとの相対移動による塗布走査が開始される。
【０１３５】
このとき、次処理予定の基板Ｗ１は、コロコンベア３０から移載ユニット６を通って、入口浮上ステージ１０に搬送される。そして、入口浮上ステージ１０と移載ユニット６とに跨って停止する。
【０１３６】
＜３−８． ２回目：第３段階（Ｃ）〜（Ｄ）＞
次処理予定の基板Ｗ１は、移載昇降コロコンベア６０が下降して、全面が浮上した状態となる。そして、整列処理ピン１０５ｃ〜１０５ｊによって整列処理が行われる。
【０１３７】
基板Ｗはスリットノズル５５直下を通り抜け、塗布処理が終了すると、基板Ｗは基板搬送チャック８の駆動により塗布後ステージ４１を通過して、出口浮上ステージ１１へと搬送される。
【０１３８】
＜３−９． ２回目：第４段階（Ｄ）〜（Ｅ）＞
塗布処理が行われた後、スリットノズル５５は最初に下降した位置まで（＋Ｘ）方向に水平移動し、そこから元のノズル高さに上昇する。そして、退避していたノズル洗浄待機ユニット９が（＋Ｘ）方向に移動して、次の塗布処理に向けてスリットノズル５５の洗浄および予備吐出が行われる。
【０１３９】
図２４は基板Ｗが出口浮上ステージ１１に搬送される様子を示した上面図である。基板Ｗが出口浮上ステージ１１に搬送されると、基板搬送チャック８のチャック昇降シリンダ８５の動作により、チャック部８８は下降位置に下げられ、基板Ｗの両端の吸着保持は解かれる。そして、チャック部８８が下降位置にある状態で基板搬送チャック８は次処理予定の基板Ｗ１の搬送を行うため、初期位置へ移動する。基板Ｗと、次処理予定の基板Ｗ１との搬送間隔が密であるため、次処理予定の基板Ｗ１はすでに全面が浮上している状態で、基板搬送チャック８を待つことになる。そのため、チャック部８８を上昇させた状態では、浮上状態にある次処理予定の基板Ｗ１に当たるため、チャック部８８を下降させて、基板搬送チャック８は初期位置に戻る。
【０１４０】
出口浮上ステージ１１上に設けられた空気の噴出孔１１ａにより、非接触状態にある基板Ｗに対して、所定間隔をおいて配置されたリフトピン１１５群が上昇し、基板Ｗの下面を支持しつつ持ち上げる。下流に設置された移載ロボット３６の移載フォークがリフトピン１１５の合間を進入して基板Ｗを受け取り、減圧乾燥ユニット３７に移載する。移載ロボット３６は減圧乾燥ユニット３７、そして減圧乾燥ユニット３８、減圧乾燥ユニット３８と積層構造である下流方向への受け渡し位置３９等へ基板Ｗを移載する。
【０１４１】
このあと、基板Ｗ１は基板Ｗと同じように塗布処理が行われて、下流方向へ搬送される。以上が、基板処理装置１において行われる処理の流れである。
【０１４２】
＜４． 変形例＞
上記実施の形態においては、基板Ｗが移載ユニット６を通過してから次処理予定の基板Ｗ１が搬入されていたが、このような形態に限られることはない。
【０１４３】
基板搬送チャック８によって搬送され、塗布処理が行われている基板Ｗの後端が、移載ユニット６を通過していない状態で、次処理予定の基板Ｗ１の搬送が行われても構わない。この場合は、本来ならば上昇しているはずの移載昇降コロコンベア６０は、塗布処理が行われている基板Ｗの後端がまだ残っているため、下降した状態で次処理予定の基板Ｗ１を移載ユニット６に受け入れなくてはならない。
【０１４４】
そこで、塗布処理されている基板Ｗの後端が移載ユニット６を通過した段階で、コロコンベア３０の回転と同じ回転速度で、移載昇降コロコンベア６０のコロ６０１は回転しながら、上昇される。最初はコロコンベア３０の回転による推進力だけで移載ユニット６へと搬送される次処理予定の基板Ｗ１は、途中から上昇してきた移載昇降コロコンベア６０のコロ６０１によって、下面を支持され、コロ６０１の回転により推進力を与えられる。そして、入口浮上ステージ１０の停止センサが検知する位置まで基板Ｗ１の搬送が行われる。
【０１４５】
このように、コロコンベア３０のコロ３０１の回転と、移載昇降コロコンベア６０のコロ６０１の回転、そして、基板搬送チャック８の搬送スピードとを同等に設定することができるため、基板Ｗの塗布動作が行われている間に、次処理予定の基板Ｗ１を移載ユニット６に搬入させることができる。これによって、基板Ｗと基板Ｗ１との搬送間隔をより密にすることができるため、処理にかかる時間をより短くすることが可能となる。
【０１４６】
また、上記実施の形態においては、塗布ステージ４のプレートは２分割されたものであったが、これに限られるものではない。図２５は３分割されたプレートで構成された塗布ステージ１３０である。このときそれぞれのプレートを塗布前ステージ１１０、本塗布ステージ１１８、塗布後ステージ１２０とする。
【０１４７】
本塗布ステージ１１８においては、ステージ面に設けられた気体孔として、空気の噴出孔１１８ａと吸引孔１１８ｂとが密になった構成となっている。それに対して、両端の塗布前ステージ１１０と塗布後ステージ１２０とにおいては、本塗布ステージ１１８よりも噴出孔１１０ａと吸引孔１１０ｂ、噴出孔１２０ａと吸引孔１２０ｂの密度が低く、孔間の距離が長い構成である。
【０１４８】
この場合、本塗布ステージ１１８の区域境界Ｓｃの位置に搬送方向における基板Ｗの先端ＷＥが位置するように、基板Ｗは停止する。区域境界Ｓｃは異なるプレートの境界ではなく、１枚のプレートの略中央に規定された概念的な区域境界である。スリットノズル５５は本塗布ステージ１１８の区域境界Ｓｃよりも下流側の塗布後ステージ１２０上方に位置している。このとき、プレートは３分割されているが、内部の空気の流路は、区域境界Ｓｃよりも上流側、下流側とで２系統に分離された構造となっている。
【０１４９】
上記実施の形態と同様に、スリットノズル５５は停止位置から塗布開始高さまで下降し、そこから（−Ｘ）方向に水平移動する。この下降開始から、スリットノズル５５が基板Ｗ上の塗布開始位置に到達するまでは、区域境界Ｓｃより下流側に位置する噴出孔１１８ａ，１２０ａおよび吸引孔１１５ｂ，１２０ｂからの、空気の噴出および吸引は一時的に停止される。このようにして、上記実施の形態と同様に、下降の間にスリットノズル５５の吐出口５５ａが乾燥することを防ぐことができる。
【０１５０】
プレートについては、噴出孔と吸引孔との密度を高くしたほうが、より基板Ｗを安定的に浮上させることが可能であるが、加工にコストがかかる。この場合、特に基板Ｗを安定的に浮上させておきたいのは、搬送される基板Ｗに塗布処理を行う領域である。従って、この領域の下方に位置する本塗布ステージ１１８のみに噴出孔１１８ａと吸引孔１１８ｂとの密度の高い、精密なプレートを採用することで、必要な効果は十分に得ることが可能である。このようにプレートを３分割して使い分けることで、両端の塗布前ステージ１１０と、塗布後ステージ１２０とにおいては、本塗布ステージ１１８のプレートよりも空気の噴出孔１１０ａ，１２０ａおよび吸引孔１１０ｂ，１２０ｂの密度を低くした安価なプレートを使用することができる。
【０１５１】
塗布ステージ１３０は、プレートが３分割された構成であったが、プレートは何分割されていても構わず、一般には、複数枚に分割しておくことができる。内部の空気の流路も、スリットノズル５５が上昇位置から下降し、基板Ｗ上の塗布開始位置に到達するまで、搬送方向における基板Ｗの先端の位置よりも下流側の領域の空気の噴出及び吸引が一時的に停止できるのであれば、何流路に分かれていても構わない。
【０１５２】
また、内部の空気の流路が分かれていて独立にＯＮ／ＯＦＦ制御できるように構成していれば、プレートは物理的に分割されていなくても構わない。
【０１５３】
一般に表現すれば、それぞれに気体孔が形成された複数の気体流形成領域が、別プレートまたは１つのプレートの別部分として隣接配置されていて、それら複数の気体流形成領域のそれぞれに対応して気体流路の開閉機構が設けられた構成とする。そして、前記開閉機構を用いた気体流の形成の一時的な停止を、複数の気体流形成領域のうち、ノズルの直下に存在するとともにその上には基板が存在しない領域についてのみ行うことによって上記実施形態と同様の結果を得ることができる。
【０１５４】
また、上記の実施形態中では、スリットノズル５５が下降し、（−Ｘ）方向に移動することで、基板Ｗの塗布開始位置ＳＰに到達させているが、スリットノズル５５が下降し、基板Ｗが（＋Ｘ）方向に移動することで塗布開始位置ＳＰにスリットノズル５５の吐出口５５ａを到達させる機構であっても構わない。この場合、スリットノズル５５が下降する間は、上方に基板Ｗが存在しない領域の塗布ステージ４からの空気の噴出および吸引は停止させる。そして、基板Ｗがスリットノズル５５に向かって（＋Ｘ）方向に移動し、スリットノズル５５の吐出口５５ａが塗布開始位置ＳＰに到達した段階で、空気の噴出と吸引とを再開させる。このようにして、スリットノズル５５の吐出口５５ａの乾燥を防ぐ。
【０１５５】
また、基板Ｗを浮上させるための圧縮気体として空気を用いることが典型的であるが、酸化を嫌うプロセスでの基板搬送には不活性ガスとして窒素ガスなどを圧縮して用いることもできる。
【０１５６】
また、上記実施形態の基板処理装置においてはコロ搬送機構で受け入れた基板を浮上搬送機構に受け渡す際に移載ユニットを用いているが、浮上搬送機構で受け入れた基板を、移載ユニット（支持形式転換手段）によってコロ搬送機構側に受け渡す形態の装置にもこの発明は適用できる。
【０１５７】
さらに、本実施形態においては、ノズル洗浄待機ユニット９はＸ軸方向に移動可能な機構であるが、移動ができなくても構わない。つまり、ノズルユニット５が移動する場合であればノズル洗浄待機ユニット９が固定されていても構わない。この場合、ノズル洗浄待機ユニット９のノズル洗浄待機ユニットリニアスケール９２、ノズル洗浄待機ユニットリニアモータ９３は設置されていない構造となる。ノズル洗浄待機ユニット９を手動で移動できるようにノズル洗浄待機ユニット走行ガイド９１だけは設置されており、搬送中は動かないようにロック機構によって固定される。
【符号の説明】
【０１５８】
１ 基板処理装置
２ 基板搬送装置
３ 基板塗布装置
４ 塗布ステージ
５ ノズルユニット
６ 移載ユニット
７ 制御部
８ 基板搬送チャック
９ ノズル洗浄待機ユニット
１０ 入口浮上ステージ
１１ 出口浮上ステージ
１６，２６ エアオペレーションバルブ
１８，２８ ブロワ
４０ 塗布前ステージ
４０ａ，４１ａ 噴出孔
４０ｂ，４１ｂ 吸引孔
４１ 塗布後ステージ
５５ スリットノズル
５７ 保護部材
５５Ｓ 振動センサ
６０ 移載昇降コロコンベア
６４ 浮上パッド
Ｗ，Ｗ０，Ｗ１，Ｗａ，Ｗｂ 基板
ＷＥ 基板の先端
ＳＰ 塗布開始位置
Ｓｔ ステージ境界
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液を塗布するための基板塗布装置であって、
ステージ面に設けた気体孔を通る気体流により前記ステージ面上に圧力気体層を形成し、前記圧力気体層によって基板を浮上させる浮上ステージと、
前記基板に対して相対的に移動させるノズルから所定の処理液を前記基板上に吐出することにより、前記基板上に前記処理液を塗布する処理液供給手段と、
前記気体流の形成状態と停止状態とを切り替える気体流制御手段と、
を備え、
前記相対的な移動と並行して行う前記処理液の吐出の前に、前記ノズルからの前記処理液の吐出を止めた状態で、前記ノズルを、前記浮上ステージ上の基板存在領域から外れた位置から、前記基板存在領域まで相対的に移動させる空走期間が設定されており、
前記気体流制御手段は、前記空走期間のうち少なくとも一部の期間においては、前記ノズルの直下領域での前記気体流の形成を一時的に停止することを特徴とする基板塗布装置。
【請求項２】
請求項１に記載された基板塗布装置であって、
前記ノズルを、前記浮上ステージの上方空間で昇降させる昇降手段、
をさらに備え、
前記空走期間は、前記ノズルが、所定の待機高さから下降する下降期間と、前記ノズルが下降状態になってから水平方向に前記ノズルを前記基板に対して相対的に接近させる水平移動期間とを有しており、
前記基板上への前記処理液の塗布は、前記下降状態において行われるものであり、
前記空走期間のうち少なくとも前記水平移動期間においては、前記気体流の形成を停止させておくことを特徴とする基板塗布装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載された基板塗布装置であって、
前記浮上ステージにおいては、それぞれに気体孔が形成された複数の気体流形成領域が、別プレートまたは１つのプレートの別部分として隣接配置されており、
前記複数の気体流形成領域のそれぞれに対応して気体流路の開閉機構が設けられており、
前記気体流制御手段は、
前記開閉機構を用いた前記気体流の形成の一時的な停止を、前記複数の気体流形成領域のうち、前記ノズルの直下に存在するとともにその上には前記基板が存在しない領域についてのみ行うことを特徴とする基板塗布装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載された基板塗布装置であって、
前記気体流の一時的な停止の後、前記基板の塗布開始位置から前記ノズルが前記処理液の吐出を開始するまでに、前記浮上ステージのすべての気体孔を用いた気体流の形成を再開することを特徴とする基板塗布装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載された基板塗布装置であって、
前記基板の浮上高さを測定する浮上高さ測定手段、
をさらに備えるとともに、
前記処理液供給手段は、
前記ノズルのうち、前記相対的な移動において前方に相当する側に取付けられて前記ノズルの先端を保護する保護部材をさらに備え、
前記浮上高さ測定手段が前記基板端部の塗布開始位置の浮上高さを検出しつつ前記ノズルを下降させてから、前記ノズルと前記基板とを相対的に移動させることにより、前記保護部材が前記ノズルよりも先に基板端部に進入することを特徴とする基板塗布装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載された基板塗布装置であって、
前記気体流の形成の一時的な停止による前記基板の温度変動の許容値があらかじめ決定されており、
前記気体流の形成の前記一時的な停止状態の継続時間は、前記温度変動が前記許容値以下となる時間として決定されていることを特徴とする基板塗布装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載された基板塗布装置であって、
前記浮上ステージには、前記気体を噴出する複数の噴出孔と、前記気体を吸引する複数の吸引孔とが混在して形成されており、
前記気体流は、前記複数の噴出孔から噴出した圧力気体が前記複数の吸引孔から吸引される過程において発生しており、
前記気体流制御手段は、前記複数の噴出孔への気体供給経路の開閉と、前記複数の吸引孔からの気体吸引経路の開閉とによって、前記気体流の形成状態と停止状態とを切り替えることを特徴とする基板塗布装置。
【請求項８】
所定のノズルから吐出した処理液を基板に塗布するための方法であって、
ステージ面に設けた気体孔を通る気体流により前記ステージ面上に圧力気体層を形成し、前記圧力気体層によって基板を浮上させる第１工程と、
前記ステージ面のうち、基板存在領域を外れており、かつノズルの直下となっている特定領域について前記空気流を一時的に停止する工程と、
所定の待機高さから前記特定領域に向けてノズルを降下させる工程と、
前記ノズルと前記基板とを相対的に移動させて前記ノズルを前記基板の塗布開始位置の上に到達させ、前記ノズルからの前記処理液の吐出を開始する工程と、
前記処理液の吐出を開始するまでに、前記特定領域についての前記空気流の形成を再開する工程と、
を備えることを特徴とする基板塗布方法。
【請求項１】
基板に処理液を塗布するための基板塗布装置であって、
ステージ面に設けた気体孔を通る気体流により前記ステージ面上に圧力気体層を形成し、前記圧力気体層によって基板を浮上させる浮上ステージと、
前記基板に対して相対的に移動させるノズルから所定の処理液を前記基板上に吐出することにより、前記基板上に前記処理液を塗布する処理液供給手段と、
前記気体流の形成状態と停止状態とを切り替える気体流制御手段と、
を備え、
前記相対的な移動と並行して行う前記処理液の吐出の前に、前記ノズルからの前記処理液の吐出を止めた状態で、前記ノズルを、前記浮上ステージ上の基板存在領域から外れた位置から、前記基板存在領域まで相対的に移動させる空走期間が設定されており、
前記気体流制御手段は、前記空走期間のうち少なくとも一部の期間においては、前記ノズルの直下領域での前記気体流の形成を一時的に停止することを特徴とする基板塗布装置。
【請求項２】
請求項１に記載された基板塗布装置であって、
前記ノズルを、前記浮上ステージの上方空間で昇降させる昇降手段、
をさらに備え、
前記空走期間は、前記ノズルが、所定の待機高さから下降する下降期間と、前記ノズルが下降状態になってから水平方向に前記ノズルを前記基板に対して相対的に接近させる水平移動期間とを有しており、
前記基板上への前記処理液の塗布は、前記下降状態において行われるものであり、
前記空走期間のうち少なくとも前記水平移動期間においては、前記気体流の形成を停止させておくことを特徴とする基板塗布装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載された基板塗布装置であって、
前記浮上ステージにおいては、それぞれに気体孔が形成された複数の気体流形成領域が、別プレートまたは１つのプレートの別部分として隣接配置されており、
前記複数の気体流形成領域のそれぞれに対応して気体流路の開閉機構が設けられており、
前記気体流制御手段は、
前記開閉機構を用いた前記気体流の形成の一時的な停止を、前記複数の気体流形成領域のうち、前記ノズルの直下に存在するとともにその上には前記基板が存在しない領域についてのみ行うことを特徴とする基板塗布装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載された基板塗布装置であって、
前記気体流の一時的な停止の後、前記基板の塗布開始位置から前記ノズルが前記処理液の吐出を開始するまでに、前記浮上ステージのすべての気体孔を用いた気体流の形成を再開することを特徴とする基板塗布装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載された基板塗布装置であって、
前記基板の浮上高さを測定する浮上高さ測定手段、
をさらに備えるとともに、
前記処理液供給手段は、
前記ノズルのうち、前記相対的な移動において前方に相当する側に取付けられて前記ノズルの先端を保護する保護部材をさらに備え、
前記浮上高さ測定手段が前記基板端部の塗布開始位置の浮上高さを検出しつつ前記ノズルを下降させてから、前記ノズルと前記基板とを相対的に移動させることにより、前記保護部材が前記ノズルよりも先に基板端部に進入することを特徴とする基板塗布装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載された基板塗布装置であって、
前記気体流の形成の一時的な停止による前記基板の温度変動の許容値があらかじめ決定されており、
前記気体流の形成の前記一時的な停止状態の継続時間は、前記温度変動が前記許容値以下となる時間として決定されていることを特徴とする基板塗布装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載された基板塗布装置であって、
前記浮上ステージには、前記気体を噴出する複数の噴出孔と、前記気体を吸引する複数の吸引孔とが混在して形成されており、
前記気体流は、前記複数の噴出孔から噴出した圧力気体が前記複数の吸引孔から吸引される過程において発生しており、
前記気体流制御手段は、前記複数の噴出孔への気体供給経路の開閉と、前記複数の吸引孔からの気体吸引経路の開閉とによって、前記気体流の形成状態と停止状態とを切り替えることを特徴とする基板塗布装置。
【請求項８】
所定のノズルから吐出した処理液を基板に塗布するための方法であって、
ステージ面に設けた気体孔を通る気体流により前記ステージ面上に圧力気体層を形成し、前記圧力気体層によって基板を浮上させる第１工程と、
前記ステージ面のうち、基板存在領域を外れており、かつノズルの直下となっている特定領域について前記空気流を一時的に停止する工程と、
所定の待機高さから前記特定領域に向けてノズルを降下させる工程と、
前記ノズルと前記基板とを相対的に移動させて前記ノズルを前記基板の塗布開始位置の上に到達させ、前記ノズルからの前記処理液の吐出を開始する工程と、
前記処理液の吐出を開始するまでに、前記特定領域についての前記空気流の形成を再開する工程と、
を備えることを特徴とする基板塗布方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【公開番号】特開２０１０−２２７８５０（Ｐ２０１０−２２７８５０Ａ）
【公開日】平成２２年１０月１４日（２０１０．１０．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−７９３０３（Ｐ２００９−７９３０３）
【出願日】平成２１年３月２７日（２００９．３．２７）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月１４日（２０１０．１０．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月２７日（２００９．３．２７）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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