多層電子部品の特性調整方法及び特性調整装置
【課題】 集合基板上の複数の多層電子部品の特性を効率よく調整することが可能な多層電子部品の特性調整方法及び多層電子部品の特性調整装置を提供する。
【解決手段】 本発明による多層電子部品の測定方法は、多層電子部品の特性を測定する測定工程Ｓ２１と、測定工程Ｓ２１で得られた測定結果に基づき、必要なトリミング量を算出する算出工程Ｓ２２と、算出工程Ｓ２２で得られたトリミング量に従って、多層電子部品内に設けられたトリミングパターンをトリミングするトリミング工程Ｓ２３とを備える。これにより、既に測定工程Ｓ２１が完了した多層電子部品に対するトリミング工程Ｓ２３と他の多層電子部品に対する測定工程Ｓ２１とを並行して行うことが可能となる。
【解決手段】 本発明による多層電子部品の測定方法は、多層電子部品の特性を測定する測定工程Ｓ２１と、測定工程Ｓ２１で得られた測定結果に基づき、必要なトリミング量を算出する算出工程Ｓ２２と、算出工程Ｓ２２で得られたトリミング量に従って、多層電子部品内に設けられたトリミングパターンをトリミングするトリミング工程Ｓ２３とを備える。これにより、既に測定工程Ｓ２１が完了した多層電子部品に対するトリミング工程Ｓ２３と他の多層電子部品に対する測定工程Ｓ２１とを並行して行うことが可能となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層電子部品の特性調整方法及び特性調整装置に関し、特に、集合基板上の複数の多層電子部品の特性を効率よく調整することが可能な特性調整方法及び特性調整装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層電子部品の中には、電圧制御発振器（ＶＣＯ）のように、集合基板を作製した後、トリミングによりインダクタンスやキャパシタンスを変化させ、これにより特性を調整する必要のあるものが存在する（特許文献１〜３参照）。トリミングは、通常、対象となる多層電子部品の特性をリアルタイムに測定しながらトリミングパターンにレーザビームを照射し、その一部を切断することによって行われる。トリミングパターンは、多層電子部品の表面に形成されている場合と、多層電子部品の内部に形成されている場合があり、前者の場合には、画像認識によってトリミングパターンの位置を特定し、後者の場合には認識用マークを参照することによってトリミングパターンの位置を特定することが一般的である。
【特許文献１】特開平１１−１２７０３１号公報
【特許文献２】特開平１０−９３３４２号公報
【特許文献３】特開平１１−２１４９２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、いずれの場合も、対象となる多層電子部品の特性をリアルタイムに測定しながらレーザトリミングを行っていることから、集合基板上のすべての多層電子部品に対してこのような工程を個別に行うには、多くの時間がかかるという問題があった。
【０００４】
しかも、認識用マークを参照することによってトリミングパターンの位置を特定する方法では、認識用マークとトリミングパターンとが互いに異なる層に形成されている場合、層間におけるパターンずれによりトリミング位置の特定が不正確となるおそれもあった。このような場合、レーザビームにトリミングパターンが正しく照射されないケースが考えられ、トリミング位置の再調整などによりさらに多くの時間がかかるという問題があった。
【０００５】
したがって、本発明の目的は、集合基板上の複数の多層電子部品の特性を効率よく調整することが可能な多層電子部品の特性調整方法及び多層電子部品の特性調整装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による多層電子部品の特性調整方法は、多層電子部品の特性を測定する測定工程と、前記測定工程で得られた測定結果に基づき、必要なトリミング量を算出する算出工程と、前記算出工程で得られた前記トリミング量に従って、前記多層電子部品内に設けられたトリミングパターンをトリミングするトリミング工程とを備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、特性をリアルタイムに測定しながらトリミングを行うのではなく、別個の多層電子部品に対して測定工程とトリミング工程を並行して行うことができることから、集合基板上の複数の多層電子部品の特性を効率よく調整することが可能となる。測定工程とトリミング工程を並行して行う方法としては、測定工程とトリミング工程を多層電子部品単位で並行して行う方法と、集合基板単位で並行して行う方法とを挙げることができる。いずれの場合も、複数の多層電子部品に対して測定工程を順次行った後、複数の多層電子部品に対してトリミング工程を順次行うことにより、複数の多層電子部品に対する特性調整作業を効率よく進めることが可能となる。
【０００８】
したがって、本発明によれば、電圧制御発振器に代表されるトリミングが必要な多層電子部品の特性の調整を効率よく行うことが可能となる。トリミングパターンとしては、トリミングによりインダクタンス又はキャパシタンスを変化させることが可能なパターンを挙げることができる。
【０００９】
本発明において、前記トリミング工程におけるトリミング位置の特定は、前記トリミングパターンとの相対的な位置関係を示す認識用マークを用いて行うことが好ましく、認識用マークは、トリミングパターンと同一平面上に設けられていることが好ましい。これによれば、認識用マークとトリミングパターンとの相対的な位置関係がほぼ固定的であることから、トリミング前に多層電子部品の特性を測定すれば、認識用マークを基準としてどの程度トリミングを行えば所望の特性が得られるか、予測することができる。この場合には、特性を測定しながらトリミングを行う必要がなく、計算値で求められた量のトリミングを行えば、所望の特性を得ることが可能となる。
【００１０】
トリミングパターン及び認識用マークは、いずれも前記多層電子部品を構成する複数の絶縁層のうち所定の絶縁層上に形成されており、前記所定の絶縁層は、両面が他の絶縁層に覆われた内部絶縁層であることが好ましい。これによれば、トリミングパターンが多層電子部品の部品搭載面を占有することがないので、多層電子部品の平面サイズを小型化することが可能となる。
【００１１】
前記複数の絶縁層のうち前記認識用マークを覆う絶縁層は、少なくとも前記認識用マークに対応する領域が露出していることが好ましい。これによれば、絶縁層を介して認識用マークをはっきりと視認することが可能となる。
【００１２】
前記トリミング工程では、前記所定の絶縁層から見て前記認識用マークを覆う絶縁層側からレーザビームを照射することによってトリミングを行うことが好ましい。
【００１３】
前記認識用マークは、切断により前記多層電子部品を取り出すための切りしろ領域に配置されていることが好ましい。これによれば、認識用マークによる有効エリアの占有が全くないことから、多層電子部品の平面サイズを小型化することが可能となる。
【００１４】
本発明による多層電子部品の特性調整装置は、多層電子部品の特性を測定する測定部と、前記測定部で得られた測定結果に基づき、必要なトリミング量を算出する算出部と、前記算出部で得られた前記トリミング量に従って、前記多層電子部品内に設けられたトリミングパターンをトリミングするトリミング部とを備えることを特徴とする。
【００１５】
前記算出部は、所望の特性に対する前記多層電子部品の特性の差とトリミング量との関係を示す算出テーブルを参照することにより、必要なトリミング量を算出することが好ましい。これによれば、特性をリアルタイムに測定しながらトリミングを行う必要がなく、計算値で求められた量のトリミングを行うことによって、所望の特性を得ることが可能となる。
【００１６】
前記測定部及び前記トリミング部は、前記測定部による測定と前記トリミング部によるトリミングとが別個の多層電子部品に対して並列に実行されるように、それぞれ構成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
このように、本発明によれば、別個の多層電子部品に対して測定工程とトリミング工程を並行して行うことができ、集合基板上の複数の多層電子部品の特性を効率よく調整することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の好ましい実施形態による特性調整方法の対象となる多層電子部品の集合基板の構造を示す略斜視図である。
【００２０】
図１に示すように、多層電子部品の集合基板１０は、マトリクス状に配置された複数の多層電子部品１００と、各多層電子部品１００の周囲に存在する切りしろ領域１０１と、マトリクス状の多層電子部品１００を取り囲む枠体１０２によって構成されている。図１に示す集合基板１０は、後述する集合基板作製工程によって作製され、その後、切りしろ領域１０１に沿って集合基板１０を切断することにより個々の多層電子部品１００を取り出すことができる。各多層電子部品１００は、トリミングによりインダクタンスやキャパシタンスを調整する必要のある多層電子部品であり、特に限定されるものではないが電圧制御発振器（ＶＣＯ）を好ましく挙げることができる。
【００２１】
図２は、一つの多層電子部品１００の構造を模式的に示す略断面図である。
【００２２】
図２に示すように、多層電子部品１００は、複数の絶縁層１１１〜１１３と、各絶縁層の表面に設けられた導体層１２１〜１２４と、プリント基板（図示せず）への実装面１００ａである最下層の導体層１２１を覆うメッキ層１３１及びレジスト層１４１と、部品搭載面１００ｂである最上層の導体層１２４を覆うメッキ層１３２及びレジスト層１４２と、部品搭載面１００ｂに搭載されたコンデンサやトランジスタなどのチップ部品１５０によって構成されている。特に限定されるものではないが、絶縁層１１１〜１１３の材料としては、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができ、その厚さとしては３０μｍ〜２００μｍ程度に設定すればよい。本実施形態では、絶縁層１１１〜１１３の材料として全て透明度の高い材料を使用しているが、少なくとも絶縁層１１１についてはできるだけ透明度の高い材料を用いることが好ましい。
【００２３】
また、導体層１２１〜１２４の材料としては銅（Ｃｕ）などの金属材料を用いることができ、その厚さとしては１０μｍ〜２０μｍ程度に設定すればよい。尚、特に限定されるものではないが、実装面１００ａである最下層の導体層１２１はグランドパターンであり、絶縁層１１１の大部分を覆っていることが通例である。
【００２４】
詳細については後述するが、トリミングパターンは導体層１２２に形成され、実装面１００ａ側からレーザビームＬを照射することによってトリミングが行われる。つまり、本実施形態では、トリミングパターンが部品搭載面１００ｂ上（導体層１２４）ではなく、両面が他の絶縁層１１１，１１３に覆われた内部絶縁層１１２上の内部パターンがトリミングパターンを構成している。この種の多層電子部品では、部品搭載面にトリミングパターンが設けられることが一般的であるが（特許文献１，２参照）、上述の通り、部品搭載面１００ｂには各種チップ部品が搭載されるため、ここにトリミングパターンを設けると多層電子部品の平面サイズが大きくなってしまう。この点を考慮して、多層電子部品１００では、トリミングパターンを内部の導体層１２２に設けている。
【００２５】
図３は、図１に示した領域１０ａを実装面１００ａ側から拡大して示す略平面図である。
【００２６】
図３に示すように、集合基板１０には、一方向に延在する複数のスルーホール１６０ａと、これと直交する方向に延在する複数のスルーホール１６０ｂとが設けられており、図示しないがこれらスルーホール１６０ａ，１６０ｂの内壁には導体が形成されている。スルーホール１６０ａ，１６０ｂに沿った領域は、それぞれ切りしろ領域１０１ａ，１０１ｂであり、切りしろ領域１０１ａ，１０１ｂに沿って集合基板１０を切断すると、スルーホール１６０ａ，１６０ｂの内壁に形成されている導体の一部が表面に現れて外部電極となる。図３には、切断により一つの多層電子部品１００となる領域が破線で示されている。
【００２７】
各多層電子部品１００の実装面１００ａは、図３に示すように、その大部分がレジスト層１４１によって覆われているが、切りしろ領域１０１ａと切りしろ領域１０１ｂの交差する領域１４１ａは、レジスト層１４１に覆われておらず、また図２に示した導体層１２１やメッキ層１３１にも覆われていないため、絶縁層１１１が露出した状態となっている。絶縁層１１１は光透過性を有することから、本実施形態では、絶縁層１１１を介して導体層１２２を視認することができる。導体層１２２のうち、領域１４１ａに対応する部分には十字形の認識用マーク１２２ａが設けられており、図３に示すように、領域１４１ａを介して十字形の視認用マーク１２２ａを視認することができる。この認識用マーク１２２ａは、同じく導体層１２２に形成されたトリミングパターンとの相対的な位置関係を示し、これによりトリミングパターンの位置を特定するために用いられる。
【００２８】
図４は、導体層１２２の主要なパターン形状を拡大して示す略平面図である。
【００２９】
図４に示すように、導体層１２２は認識用マーク１２２ａ及びトリミングパターン１２２ｂを有しており、さらに、スルーホール１６０ａ，１６０ｂを形成すべき領域には、それぞれ電極パターン１２２ｃ，１２２ｄが設けられている。このように、認識用マーク１２２ａとトリミングパターン１２２ｂは同一の導体層（１２２）によって構成されているため、認識用マーク１２２ａとトリミングパターン１２２ｂは同一工程によって同時に形成することができる。導体層１２２の形成方法については特に限定されないが、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法、スクリーン印刷法などを用いることができ、いずれの方法を用いた場合も、これらは同時に形成されることから、両者の相対的な位置関係にずれが生じることはほとんどない。
【００３０】
本実施形態では、トリミングパターン１２２ｂはトリミングによりインダクタンスを調整可能なパターンを構成しており、トリミングパターン１２２ｂを図４に示すＡ点からＢ点に向かって所定の長さに切断し、これにより線路長を変化させることによってインダクタンスを変化させることができる。
【００３１】
以上が本実施形態による特性調整方法の対象となる多層電子部品の集合基板１０の構造である。次に、多層電子部品の製造方法について説明する。
【００３２】
図５は、多層電子部品１００の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【００３３】
まず、集合基板作製工程により、上述した多層電子部品の集合基板１０を作製する（ステップＳ１０）。集合基板作製工程は、絶縁層１１１〜１１３の表面に導体層１２１〜１２４を形成し、これを積層する積層工程（ステップＳ１１）と、最下層の導体層１２１を覆うメッキ層１３１及びレジスト層１４１を形成するとともに、最上層の導体層１２４を覆うメッキ層１３２及びレジスト層１４２を形成するメッキ・レジスト形成工程（ステップＳ１２）と、スルーホール１６０ａ，１６０ｂを形成するスルーホール形成工程（ステップＳ１３）と、スルーホール１６０ａ，１６０ｂの内壁に導体を形成するスルーホール電極形成工程（ステップＳ１４）と、部品搭載面１００ｂにチップ部品１５０を搭載するチップ部品搭載工程（ステップＳ１５）とを含んでいる。
【００３４】
特に限定されるものではないが、積層工程（ステップＳ１１）は、コア基板となる絶縁層１１２の表面に導体層１２２，１２３を形成した後、未硬化又は半硬化の樹脂からなるプリプレグによってこれを挟み込み、熱プレスによってプリプレグを硬化させることにより絶縁層１１１，１１３を形成する工程を含むことが好ましい。この場合、コア基板である絶縁層１１２の表面には、図４に示したパターンを形成する工程が含まれることになるが、上述の通り、認識用マーク１２２ａ及びトリミングパターン１２２ｂは同一工程で同時に形成することができるため、両者の相対的な位置関係にずれが生じることはほとんどない。
【００３５】
上述の通り、絶縁層１１１の表面に形成する導体層１２１は、通常グランドパターンである。このため、導体層１２１は絶縁層１１１の大部分を覆うように形成されることから、トリミングパターン１２２ｂに対応する領域の一部又は全部が導体層１２１によって覆われることになる。この場合、トリミングパターン１２２ｂの一部又は全部は実装面１００ａ側から視認できなくなるが、導体層１２１は、少なくとも認識用マーク１２２ａに対応する領域を避けて形成され、これにより、認識用マーク１２２ａについては実装面１００ａ側から視認可能とされる。メッキ・レジスト形成工程（ステップＳ１２）においても、絶縁層１１１の表面のうち、認識用マーク１２２ａに対応する領域が露出するよう、レジスト層１４１が形成される。
【００３６】
このようにして多層電子部品の集合基板１０の作製が完了すると、次に、特性調整工程によって各多層電子部品１００の特性調整を行う（ステップＳ２０）。特性調整工程は、多層電子部品１００の特性を測定する測定工程（ステップＳ２１）と、測定工程で得られた測定結果に基づき、必要なトリミング量を算出する算出工程（ステップＳ２２）と、算出工程で得られたトリミング量に従って、トリミングパターン１２２ｂをトリミングするトリミング工程（ステップＳ２３）とを含んでいる。
【００３７】
まず、測定工程（ステップＳ２１）では、図３に示したスルーホール１６０ａ，１６０ｂ内の導体にプローブを当てて、実際に多層電子部品１００を動作させた状態で、多層電子部品１００の特性（多層電子部品１００がＶＣＯであれば、制御電圧と発振周波数との関係など）を測定する。次いで、算出工程（ステップＳ２２）では、所望の特性に対する多層電子部品の特性の差とトリミング量との関係を示す算出テーブルを参照することにより、測定工程で得られた測定結果から必要なトリミング量を算出する。トリミング量と特性の変化量との関係は、あらかじめ測定し、数式化又はテーブル化しておけば、トリミング前に多層電子部品１００の特性を測定するだけでどの程度トリミングを行うべきか簡単に算出することが可能となる。
【００３８】
そして、トリミング工程（ステップＳ２３）では、図２に示したように、実装面１００ａ側からレーザビームＬを照射することによりトリミングパターン１２２ｂを切断する。上述の通り、導体層１２２は基板内部の層であり、レーザビームの照射方向には他の導体層１１１や、メッキ層１３１及びレジスト層１４１が存在するため、目視や画像認識によりトリミングパターン１２２ｂを直接認識することはできないが、導体層１２２には、トリミングパターン１２２ｂとの相対的な位置関係を示す認識用マーク１２２ａが含まれており、これが実装面１００ａ側から認識可能であることから、この認識用マーク１２２ａを基準としてトリミング位置を特定することができる。
【００３９】
つまり、図６に示すように、実際には実装面１００ａ側からトリミングパターン１２２ｂを見ることはできないが（図６では、見えないパターンを破線で表示）、認識用マーク１２２ａとトリミングパターン１２２ｂとの相対的な位置関係をあらかじめ把握しておけば、領域１４１ａを介して見える認識用マーク１２２ａを目視又は画像認識によって参照することにより、トリミングすべき位置を特定することができる。そして、従来においては、トリミングパターンの位置を正確に特定することができなかったため、トリミング量に対して多層電子部品の特性の変化量が一定ではなく、多層電子部品の特性を測定しながらトリミングを行わなければならなかったが、本発明においては、認識用マーク１２２ａを参照することでトリミングパターン１２２ｂの位置を正確に特定することができることから、多層電子部品の特性の測定工程（ステップＳ２１）及び算出工程（ステップＳ２２）と、トリミング工程(ステップＳ２３）を別々に行うことが可能となる。その方法としては、測定工程及び算出工程とトリミング工程とを多層電子部品単位で並行して行う第１の方法と、集合基板単位で並行して行う第２の方法とがある。
【００４０】
図７は、第１の特性調整方法を説明するための模式図であり、集合基板上の多層電子部品の配列を示す図である。
【００４１】
上述した第１の特性調整方法では、図７に示すように、まず集合基板上の多層電子部品Ｐ１１の特性を測定する。測定工程では、上述したように、スルーホール内の導体にプローブを当てて、実際に多層電子部品を動作させた状態で、多層電子部品の特性を測定する。次いで、多層電子部品Ｐ１１の測定が完了すると、その隣の多層電子部品Ｐ１２に対する測定工程を行う。そして、このような測定工程を、集合基板上の個々の多層電子部品に対して順次行って、すべての多層電子部品の特性の測定を完了させる。
【００４２】
一方、多層電子部品Ｐ１２に対する測定工程と並行して、既に測定が完了した多層電子部品Ｐ１１に対するトリミング工程を行う。トリミング工程では、図６に示したように、Ａ点を始点としてレーザビームＬを照射し、照射位置を徐々にずらしていき、所望の特性が得られる地点であるＢ点でレーザビームの照射を終了する。ここで、トリミング量（Ａ点からＢ点までの距離）の決定は、トリミング工程に先立って行われる算出工程において、トリミング量と特性の変化量との関係を示すテーブルを参照することにより行う。そして、このようなトリミング工程を、集合基板上のすべての多層電子部品に対して測定工程と並行して順次行い、各多層電子部品のトリミングを完了させる。
【００４３】
このように、第１の特性調整方法では、既に測定が完了した多層電子部品に対するトリミング工程と他の多層電子部品に対する測定工程とを多層電子部品単位で並行して行っていることから、複数の多層電子部品に対する特性調整作業を効率よく進めることができる。
【００４４】
図８は、第２の特性調整方法を説明するための模式図であり、複数の集合基板を示す図である。
【００４５】
第２の特性調整方法では、図８に示すように、まず集合基板Ｓ１上の多層電子部品Ｐ１１乃至Ｐｍｎの特性を順次測定する。次いで、多層電子部品Ｐ１１の測定が完了すると、新たな集合基板Ｓ２上の多層電子部品に対する測定工程を行う。そして、このような測定工程を、複数の集合基板Ｓ１乃至Ｓｘ上の多層電子部品に対して順次行い、集合基板上のすべての多層電子部品の特性の測定を完了させる。
【００４６】
一方、集合基板Ｓ２上の多層電子部品に対する測定工程と並行して、既に測定が完了した集合基板Ｓ１上の多層電子部品Ｐ１１乃至Ｐｍｎに対するトリミング工程を行う。そして、このようなトリミング工程を、複数の集合基板Ｓ１乃至Ｓｘに対して測定工程と並行して順次行い、集合基板上のすべての多層電子部品のトリミングを完了させる。
【００４７】
このように、第２の特性調整方法では、既に測定が完了した多層電子部品に対するトリミング工程と他の多層電子部品に対する測定工程とを集合基板単位で並行して行っていることから、やはり、複数の多層電子部品に対する特性調整作業を効率よく進めることができる。
【００４８】
そして、このような特性調整工程を個々の多層電子部品１００に対して行った後、切断工程により切りしろ領域１０１ａ，１０１ｂに沿って集合基板１０を切断すれば（ステップＳ３０）、特性調整の完了した多層電子部品１００を取り出すことが可能となる。
【００４９】
図９は、上述した第１及び第２の特性調整方法を実施することが可能な装置の構成を概略的に示すブロック図である。
【００５０】
図９に示すように、この特性調整装置２００は、多層電子部品の特性を測定する測定部２０１と、測定部２０１で得られた測定結果に基づき、必要なトリミング量を算出する算出部２０２と、算出部２０２で得られた前記トリミング量に従って、前記多層電子部品内に設けられたトリミングパターンをトリミングするトリミング部２０３とを備えて構成されている。
【００５１】
測定部２０１は、プローブや測定回路などを含み、多層電子部品の特性を測定する。算出部２０２は、所望の特性に対する前記多層電子部品の特性の差とトリミング量との関係を示す算出テーブルを有しており、この算出テーブルを参照することにより、測定部２０１で得られた測定結果から必要なトリミング量を算出する。トリミング部２０３は、レーザー装置、認識用マークを識別するための画像処理装置などを含み、算出部２０２で得られたトリミング量に従って、前記多層電子部品内に設けられたトリミングパターンをトリミングする。
【００５２】
ここで、測定部２０１及びトリミング部２０３は、測定部２０１による測定とトリミング部２０３によるトリミングが別個の多層電子部品に対して並列に実行されるように、それぞれ独立して構成されている。例えば上述した第１の特性調整方法を実施するのであれば、測定部２０１及びトリミング部２０３は、集合基板上のある多層電子部品に対して測定工程を行い、同じ集合基板上の他の多層電子部品に対してトリミング工程を行うようにそれぞれ構成される。また、第２の特性調整方法を実施するのであれば、測定部２０１がある集合基板上の多層電子部品に対して測定工程を行い、トリミング部２０３が別の集合基板上の多層電子部品に対してトリミング工程を行うようにそれぞれ構成される。このような構成により、トリミング工程と他の多層電子部品に対する測定工程とを並行して行うことができ、複数の多層電子部品に対する特性調整作業を効率よく進めることができる。
【００５３】
以上説明したように、本実施形態では、既に測定が完了した多層電子部品に対するトリミング工程と他の多層電子部品に対する測定工程とを並行して行っていることから、複数の多層電子部品に対する特性調整作業を効率よく進めることが可能となる。
【００５４】
また、本実施形態では、トリミングパターン１２２ｂとの相対的な位置関係を示す認識用マーク１２２ａが集合基板１０に設けられていることから、画像認識によりトリミング位置の特定を行う場合であっても、非常に簡単な処理でトリミング位置の特定を行うことが可能となる。しかも、認識用マーク１２２ａがトリミングパターン１２２ｂと同じ層に形成された導体層であることから、これらを同一工程によって同時に形成することができる。このため、両者間には原理的にパターンずれが生じず、極めて正確にトリミング位置を特定することが可能となる。
【００５５】
また、本実施形態では、トリミングパターン１２２ｂを内部の導体層１２２に設けていることから、トリミングパターンが部品搭載面１００ｂを占有することがなく、このため、多層電子部品１００の平面サイズを小型化することが可能となる。しかも、本実施形態では認識用マーク１２２ａを切りしろ領域１０１ａ，１０１ｂに沿って配置していることから、認識用マーク１２２ａによって集合基板上の有効エリアが占有されることは全くない。
【００５６】
また、トリミングパターンを実装面１００ａに形成した場合には、トリミング時にトリミングパターンを構成する導体が周囲に飛散し、ショート不良を引き起こす可能性があるが、本実施形態のように、トリミングパターン１２２ｂを内部の導体層１２２に設けていることから、このような問題が生じることもない。
【００５７】
さらに、本実施形態のように、トリミングパターン１２２ｂを内部の導体層１２２に設ければ、トリミングパターン１２２ｂの両面が絶縁層１１１と絶縁層１１２によって覆われることから、トリミングパターンを実装面１００ａに形成した場合と比べ、より安定した電気特性を得ることも可能となる。
【００５８】
このように、本実施形態では、トリミング位置を簡単且つ正確に特定することが可能となるばかりでなく、完成品である多層電子部品１００を小型化することも可能となる。
【００５９】
本発明は、以上説明した実施の形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００６０】
例えば、上記実施形態では、認識用マーク１２２ａとして十字形のパターンを用いたが、トリミングパターン１２２ｂとの相対的な位置関係を表示可能である限り、これに限定されるものではない。したがって、図１０（ａ）に示すようにＬ字型のパターンであっても構わないし、図１０（ｂ）に示すように円形のパターンであっても構わないし、図１０（ｃ）に示すように四角形のパターンであっても構わないし、図１０（ｄ）に示すように外径が四角形であり、内部が十字形にくり抜かれたパターンであっても構わない。
【００６１】
また、上記実施形態では、実装面１００ａ側からレーザビームＬを照射することによってトリミングを行っているが、図１１に示すように、部品搭載面１００ｂ側からレーザビームＬを照射することによってトリミングを行っても構わない。図１１に示す例においてトリミングパターンを内蔵させるためには、部品搭載面１００ｂからみて２層目の導体層１２３にトリミングパターン及び認識マークを設ければよい。また、認識マークの視認方向とレーザビームＬの照射方向とを一致させることは必須でなく、例えば、実装面１００ａ側から認識マークを視認し、部品搭載面１００ｂ側からレーザビームを照射しても構わない。
【００６２】
また、上記実施形態では、トリミングパターン１２２ｂがインダクタンスを変化させることが可能なパターンであるが、多層電子部品の特性を調整可能なパターンである限り、例えばキャパシタンスを変化させることが可能なパターンなどであっても構わない。
【００６３】
また、上記実施形態では、領域１４１ａは導体層１２１、メッキ層１３１及びレジスト層１４１に覆われておらず、絶縁層１１１が露出した状態となっているが、必ずしも絶縁層１１１が領域１４１ａにおいて露出している必要はなく、認識用マーク１２２ａが視認可能である限り、領域１４１ａが何らかの層で覆われていても構わない。
【００６４】
さらに、上記実施形態では、認識用マーク１２２ａを切りしろ領域１０１ａ，１０１ｂの交点部分に配置しているが、トリミングパターンと同一平面に形成されている限り、認識用マークの位置については特に限定されない。但し、切りしろ領域１０１ａ及び切りしろ領域１０１ｂの少なくとも一方に沿って認識用マークを配置すれば、認識用マークによる有効エリアの占有を防ぐことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の好ましい実施形態による多層電子部品の集合基板１０の構造を示す略斜視図である。
【図２】多層電子部品１００の構造を模式的に示す略断面図である。
【図３】図１に示した領域１０ａを実装面１００ａ側から拡大して示す略平面図である。
【図４】導体層１２２の主要なパターン形状を拡大して示す略平面図である。
【図５】本発明の好ましい実施形態による多層電子部品１００の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図６】トリミングすべき位置の特定方法を説明するための図である。
【図７】第１の特性調整方法を説明するための模式図であり、集合基板上の多層電子部品の配列を示す図である。
【図８】第２の特性調整方法を説明するための模式図であり、複数の集合基板を示す図である。
【図９】図９は、上述した第１及び第２の特性調整方法を実施することが可能な装置の構成を概略的に示すブロック図である。
【図１０】認識用マーク１２２ａとして用いることができる種々のパターン形状を示す略平面図であり、（ａ）はＬ字型のパターン、（ｂ）は円形のパターン、（ｃ）は四角形のパターン、（ｄ）は外径が四角形であり内部が十字形にくり抜かれたパターンをそれぞれ示している。
【図１１】部品搭載面１００ｂ側からレーザビームＬを照射することによってトリミングを行う例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０ 集合基板
１００ 多層電子部品
１００ａ 実装面
１００ｂ 部品搭載面
１０１ａ，１０１ｂ 切りしろ領域
１０２ 枠体
１１１〜１１３ 絶縁層
１２１〜１２４ 導体層
１２２ａ 認識用マーク
１２２ｂ トリミングパターン
１２２ｃ，１２２ｄ 電極パターン
１３１，１３２ メッキ層
１４１，１４２ レジスト層
１４１ａ 認識用マークに対応する領域
１５０ チップ部品
１６０ａ，１６０ｂ スルーホール
２００ 特性測定装置
２０１ 測定部
２０２ 算出部
２０３ トリミング部
Ｌ レーザビーム
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層電子部品の特性調整方法及び特性調整装置に関し、特に、集合基板上の複数の多層電子部品の特性を効率よく調整することが可能な特性調整方法及び特性調整装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層電子部品の中には、電圧制御発振器（ＶＣＯ）のように、集合基板を作製した後、トリミングによりインダクタンスやキャパシタンスを変化させ、これにより特性を調整する必要のあるものが存在する（特許文献１〜３参照）。トリミングは、通常、対象となる多層電子部品の特性をリアルタイムに測定しながらトリミングパターンにレーザビームを照射し、その一部を切断することによって行われる。トリミングパターンは、多層電子部品の表面に形成されている場合と、多層電子部品の内部に形成されている場合があり、前者の場合には、画像認識によってトリミングパターンの位置を特定し、後者の場合には認識用マークを参照することによってトリミングパターンの位置を特定することが一般的である。
【特許文献１】特開平１１−１２７０３１号公報
【特許文献２】特開平１０−９３３４２号公報
【特許文献３】特開平１１−２１４９２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、いずれの場合も、対象となる多層電子部品の特性をリアルタイムに測定しながらレーザトリミングを行っていることから、集合基板上のすべての多層電子部品に対してこのような工程を個別に行うには、多くの時間がかかるという問題があった。
【０００４】
しかも、認識用マークを参照することによってトリミングパターンの位置を特定する方法では、認識用マークとトリミングパターンとが互いに異なる層に形成されている場合、層間におけるパターンずれによりトリミング位置の特定が不正確となるおそれもあった。このような場合、レーザビームにトリミングパターンが正しく照射されないケースが考えられ、トリミング位置の再調整などによりさらに多くの時間がかかるという問題があった。
【０００５】
したがって、本発明の目的は、集合基板上の複数の多層電子部品の特性を効率よく調整することが可能な多層電子部品の特性調整方法及び多層電子部品の特性調整装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による多層電子部品の特性調整方法は、多層電子部品の特性を測定する測定工程と、前記測定工程で得られた測定結果に基づき、必要なトリミング量を算出する算出工程と、前記算出工程で得られた前記トリミング量に従って、前記多層電子部品内に設けられたトリミングパターンをトリミングするトリミング工程とを備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、特性をリアルタイムに測定しながらトリミングを行うのではなく、別個の多層電子部品に対して測定工程とトリミング工程を並行して行うことができることから、集合基板上の複数の多層電子部品の特性を効率よく調整することが可能となる。測定工程とトリミング工程を並行して行う方法としては、測定工程とトリミング工程を多層電子部品単位で並行して行う方法と、集合基板単位で並行して行う方法とを挙げることができる。いずれの場合も、複数の多層電子部品に対して測定工程を順次行った後、複数の多層電子部品に対してトリミング工程を順次行うことにより、複数の多層電子部品に対する特性調整作業を効率よく進めることが可能となる。
【０００８】
したがって、本発明によれば、電圧制御発振器に代表されるトリミングが必要な多層電子部品の特性の調整を効率よく行うことが可能となる。トリミングパターンとしては、トリミングによりインダクタンス又はキャパシタンスを変化させることが可能なパターンを挙げることができる。
【０００９】
本発明において、前記トリミング工程におけるトリミング位置の特定は、前記トリミングパターンとの相対的な位置関係を示す認識用マークを用いて行うことが好ましく、認識用マークは、トリミングパターンと同一平面上に設けられていることが好ましい。これによれば、認識用マークとトリミングパターンとの相対的な位置関係がほぼ固定的であることから、トリミング前に多層電子部品の特性を測定すれば、認識用マークを基準としてどの程度トリミングを行えば所望の特性が得られるか、予測することができる。この場合には、特性を測定しながらトリミングを行う必要がなく、計算値で求められた量のトリミングを行えば、所望の特性を得ることが可能となる。
【００１０】
トリミングパターン及び認識用マークは、いずれも前記多層電子部品を構成する複数の絶縁層のうち所定の絶縁層上に形成されており、前記所定の絶縁層は、両面が他の絶縁層に覆われた内部絶縁層であることが好ましい。これによれば、トリミングパターンが多層電子部品の部品搭載面を占有することがないので、多層電子部品の平面サイズを小型化することが可能となる。
【００１１】
前記複数の絶縁層のうち前記認識用マークを覆う絶縁層は、少なくとも前記認識用マークに対応する領域が露出していることが好ましい。これによれば、絶縁層を介して認識用マークをはっきりと視認することが可能となる。
【００１２】
前記トリミング工程では、前記所定の絶縁層から見て前記認識用マークを覆う絶縁層側からレーザビームを照射することによってトリミングを行うことが好ましい。
【００１３】
前記認識用マークは、切断により前記多層電子部品を取り出すための切りしろ領域に配置されていることが好ましい。これによれば、認識用マークによる有効エリアの占有が全くないことから、多層電子部品の平面サイズを小型化することが可能となる。
【００１４】
本発明による多層電子部品の特性調整装置は、多層電子部品の特性を測定する測定部と、前記測定部で得られた測定結果に基づき、必要なトリミング量を算出する算出部と、前記算出部で得られた前記トリミング量に従って、前記多層電子部品内に設けられたトリミングパターンをトリミングするトリミング部とを備えることを特徴とする。
【００１５】
前記算出部は、所望の特性に対する前記多層電子部品の特性の差とトリミング量との関係を示す算出テーブルを参照することにより、必要なトリミング量を算出することが好ましい。これによれば、特性をリアルタイムに測定しながらトリミングを行う必要がなく、計算値で求められた量のトリミングを行うことによって、所望の特性を得ることが可能となる。
【００１６】
前記測定部及び前記トリミング部は、前記測定部による測定と前記トリミング部によるトリミングとが別個の多層電子部品に対して並列に実行されるように、それぞれ構成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
このように、本発明によれば、別個の多層電子部品に対して測定工程とトリミング工程を並行して行うことができ、集合基板上の複数の多層電子部品の特性を効率よく調整することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の好ましい実施形態による特性調整方法の対象となる多層電子部品の集合基板の構造を示す略斜視図である。
【００２０】
図１に示すように、多層電子部品の集合基板１０は、マトリクス状に配置された複数の多層電子部品１００と、各多層電子部品１００の周囲に存在する切りしろ領域１０１と、マトリクス状の多層電子部品１００を取り囲む枠体１０２によって構成されている。図１に示す集合基板１０は、後述する集合基板作製工程によって作製され、その後、切りしろ領域１０１に沿って集合基板１０を切断することにより個々の多層電子部品１００を取り出すことができる。各多層電子部品１００は、トリミングによりインダクタンスやキャパシタンスを調整する必要のある多層電子部品であり、特に限定されるものではないが電圧制御発振器（ＶＣＯ）を好ましく挙げることができる。
【００２１】
図２は、一つの多層電子部品１００の構造を模式的に示す略断面図である。
【００２２】
図２に示すように、多層電子部品１００は、複数の絶縁層１１１〜１１３と、各絶縁層の表面に設けられた導体層１２１〜１２４と、プリント基板（図示せず）への実装面１００ａである最下層の導体層１２１を覆うメッキ層１３１及びレジスト層１４１と、部品搭載面１００ｂである最上層の導体層１２４を覆うメッキ層１３２及びレジスト層１４２と、部品搭載面１００ｂに搭載されたコンデンサやトランジスタなどのチップ部品１５０によって構成されている。特に限定されるものではないが、絶縁層１１１〜１１３の材料としては、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができ、その厚さとしては３０μｍ〜２００μｍ程度に設定すればよい。本実施形態では、絶縁層１１１〜１１３の材料として全て透明度の高い材料を使用しているが、少なくとも絶縁層１１１についてはできるだけ透明度の高い材料を用いることが好ましい。
【００２３】
また、導体層１２１〜１２４の材料としては銅（Ｃｕ）などの金属材料を用いることができ、その厚さとしては１０μｍ〜２０μｍ程度に設定すればよい。尚、特に限定されるものではないが、実装面１００ａである最下層の導体層１２１はグランドパターンであり、絶縁層１１１の大部分を覆っていることが通例である。
【００２４】
詳細については後述するが、トリミングパターンは導体層１２２に形成され、実装面１００ａ側からレーザビームＬを照射することによってトリミングが行われる。つまり、本実施形態では、トリミングパターンが部品搭載面１００ｂ上（導体層１２４）ではなく、両面が他の絶縁層１１１，１１３に覆われた内部絶縁層１１２上の内部パターンがトリミングパターンを構成している。この種の多層電子部品では、部品搭載面にトリミングパターンが設けられることが一般的であるが（特許文献１，２参照）、上述の通り、部品搭載面１００ｂには各種チップ部品が搭載されるため、ここにトリミングパターンを設けると多層電子部品の平面サイズが大きくなってしまう。この点を考慮して、多層電子部品１００では、トリミングパターンを内部の導体層１２２に設けている。
【００２５】
図３は、図１に示した領域１０ａを実装面１００ａ側から拡大して示す略平面図である。
【００２６】
図３に示すように、集合基板１０には、一方向に延在する複数のスルーホール１６０ａと、これと直交する方向に延在する複数のスルーホール１６０ｂとが設けられており、図示しないがこれらスルーホール１６０ａ，１６０ｂの内壁には導体が形成されている。スルーホール１６０ａ，１６０ｂに沿った領域は、それぞれ切りしろ領域１０１ａ，１０１ｂであり、切りしろ領域１０１ａ，１０１ｂに沿って集合基板１０を切断すると、スルーホール１６０ａ，１６０ｂの内壁に形成されている導体の一部が表面に現れて外部電極となる。図３には、切断により一つの多層電子部品１００となる領域が破線で示されている。
【００２７】
各多層電子部品１００の実装面１００ａは、図３に示すように、その大部分がレジスト層１４１によって覆われているが、切りしろ領域１０１ａと切りしろ領域１０１ｂの交差する領域１４１ａは、レジスト層１４１に覆われておらず、また図２に示した導体層１２１やメッキ層１３１にも覆われていないため、絶縁層１１１が露出した状態となっている。絶縁層１１１は光透過性を有することから、本実施形態では、絶縁層１１１を介して導体層１２２を視認することができる。導体層１２２のうち、領域１４１ａに対応する部分には十字形の認識用マーク１２２ａが設けられており、図３に示すように、領域１４１ａを介して十字形の視認用マーク１２２ａを視認することができる。この認識用マーク１２２ａは、同じく導体層１２２に形成されたトリミングパターンとの相対的な位置関係を示し、これによりトリミングパターンの位置を特定するために用いられる。
【００２８】
図４は、導体層１２２の主要なパターン形状を拡大して示す略平面図である。
【００２９】
図４に示すように、導体層１２２は認識用マーク１２２ａ及びトリミングパターン１２２ｂを有しており、さらに、スルーホール１６０ａ，１６０ｂを形成すべき領域には、それぞれ電極パターン１２２ｃ，１２２ｄが設けられている。このように、認識用マーク１２２ａとトリミングパターン１２２ｂは同一の導体層（１２２）によって構成されているため、認識用マーク１２２ａとトリミングパターン１２２ｂは同一工程によって同時に形成することができる。導体層１２２の形成方法については特に限定されないが、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法、スクリーン印刷法などを用いることができ、いずれの方法を用いた場合も、これらは同時に形成されることから、両者の相対的な位置関係にずれが生じることはほとんどない。
【００３０】
本実施形態では、トリミングパターン１２２ｂはトリミングによりインダクタンスを調整可能なパターンを構成しており、トリミングパターン１２２ｂを図４に示すＡ点からＢ点に向かって所定の長さに切断し、これにより線路長を変化させることによってインダクタンスを変化させることができる。
【００３１】
以上が本実施形態による特性調整方法の対象となる多層電子部品の集合基板１０の構造である。次に、多層電子部品の製造方法について説明する。
【００３２】
図５は、多層電子部品１００の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【００３３】
まず、集合基板作製工程により、上述した多層電子部品の集合基板１０を作製する（ステップＳ１０）。集合基板作製工程は、絶縁層１１１〜１１３の表面に導体層１２１〜１２４を形成し、これを積層する積層工程（ステップＳ１１）と、最下層の導体層１２１を覆うメッキ層１３１及びレジスト層１４１を形成するとともに、最上層の導体層１２４を覆うメッキ層１３２及びレジスト層１４２を形成するメッキ・レジスト形成工程（ステップＳ１２）と、スルーホール１６０ａ，１６０ｂを形成するスルーホール形成工程（ステップＳ１３）と、スルーホール１６０ａ，１６０ｂの内壁に導体を形成するスルーホール電極形成工程（ステップＳ１４）と、部品搭載面１００ｂにチップ部品１５０を搭載するチップ部品搭載工程（ステップＳ１５）とを含んでいる。
【００３４】
特に限定されるものではないが、積層工程（ステップＳ１１）は、コア基板となる絶縁層１１２の表面に導体層１２２，１２３を形成した後、未硬化又は半硬化の樹脂からなるプリプレグによってこれを挟み込み、熱プレスによってプリプレグを硬化させることにより絶縁層１１１，１１３を形成する工程を含むことが好ましい。この場合、コア基板である絶縁層１１２の表面には、図４に示したパターンを形成する工程が含まれることになるが、上述の通り、認識用マーク１２２ａ及びトリミングパターン１２２ｂは同一工程で同時に形成することができるため、両者の相対的な位置関係にずれが生じることはほとんどない。
【００３５】
上述の通り、絶縁層１１１の表面に形成する導体層１２１は、通常グランドパターンである。このため、導体層１２１は絶縁層１１１の大部分を覆うように形成されることから、トリミングパターン１２２ｂに対応する領域の一部又は全部が導体層１２１によって覆われることになる。この場合、トリミングパターン１２２ｂの一部又は全部は実装面１００ａ側から視認できなくなるが、導体層１２１は、少なくとも認識用マーク１２２ａに対応する領域を避けて形成され、これにより、認識用マーク１２２ａについては実装面１００ａ側から視認可能とされる。メッキ・レジスト形成工程（ステップＳ１２）においても、絶縁層１１１の表面のうち、認識用マーク１２２ａに対応する領域が露出するよう、レジスト層１４１が形成される。
【００３６】
このようにして多層電子部品の集合基板１０の作製が完了すると、次に、特性調整工程によって各多層電子部品１００の特性調整を行う（ステップＳ２０）。特性調整工程は、多層電子部品１００の特性を測定する測定工程（ステップＳ２１）と、測定工程で得られた測定結果に基づき、必要なトリミング量を算出する算出工程（ステップＳ２２）と、算出工程で得られたトリミング量に従って、トリミングパターン１２２ｂをトリミングするトリミング工程（ステップＳ２３）とを含んでいる。
【００３７】
まず、測定工程（ステップＳ２１）では、図３に示したスルーホール１６０ａ，１６０ｂ内の導体にプローブを当てて、実際に多層電子部品１００を動作させた状態で、多層電子部品１００の特性（多層電子部品１００がＶＣＯであれば、制御電圧と発振周波数との関係など）を測定する。次いで、算出工程（ステップＳ２２）では、所望の特性に対する多層電子部品の特性の差とトリミング量との関係を示す算出テーブルを参照することにより、測定工程で得られた測定結果から必要なトリミング量を算出する。トリミング量と特性の変化量との関係は、あらかじめ測定し、数式化又はテーブル化しておけば、トリミング前に多層電子部品１００の特性を測定するだけでどの程度トリミングを行うべきか簡単に算出することが可能となる。
【００３８】
そして、トリミング工程（ステップＳ２３）では、図２に示したように、実装面１００ａ側からレーザビームＬを照射することによりトリミングパターン１２２ｂを切断する。上述の通り、導体層１２２は基板内部の層であり、レーザビームの照射方向には他の導体層１１１や、メッキ層１３１及びレジスト層１４１が存在するため、目視や画像認識によりトリミングパターン１２２ｂを直接認識することはできないが、導体層１２２には、トリミングパターン１２２ｂとの相対的な位置関係を示す認識用マーク１２２ａが含まれており、これが実装面１００ａ側から認識可能であることから、この認識用マーク１２２ａを基準としてトリミング位置を特定することができる。
【００３９】
つまり、図６に示すように、実際には実装面１００ａ側からトリミングパターン１２２ｂを見ることはできないが（図６では、見えないパターンを破線で表示）、認識用マーク１２２ａとトリミングパターン１２２ｂとの相対的な位置関係をあらかじめ把握しておけば、領域１４１ａを介して見える認識用マーク１２２ａを目視又は画像認識によって参照することにより、トリミングすべき位置を特定することができる。そして、従来においては、トリミングパターンの位置を正確に特定することができなかったため、トリミング量に対して多層電子部品の特性の変化量が一定ではなく、多層電子部品の特性を測定しながらトリミングを行わなければならなかったが、本発明においては、認識用マーク１２２ａを参照することでトリミングパターン１２２ｂの位置を正確に特定することができることから、多層電子部品の特性の測定工程（ステップＳ２１）及び算出工程（ステップＳ２２）と、トリミング工程(ステップＳ２３）を別々に行うことが可能となる。その方法としては、測定工程及び算出工程とトリミング工程とを多層電子部品単位で並行して行う第１の方法と、集合基板単位で並行して行う第２の方法とがある。
【００４０】
図７は、第１の特性調整方法を説明するための模式図であり、集合基板上の多層電子部品の配列を示す図である。
【００４１】
上述した第１の特性調整方法では、図７に示すように、まず集合基板上の多層電子部品Ｐ１１の特性を測定する。測定工程では、上述したように、スルーホール内の導体にプローブを当てて、実際に多層電子部品を動作させた状態で、多層電子部品の特性を測定する。次いで、多層電子部品Ｐ１１の測定が完了すると、その隣の多層電子部品Ｐ１２に対する測定工程を行う。そして、このような測定工程を、集合基板上の個々の多層電子部品に対して順次行って、すべての多層電子部品の特性の測定を完了させる。
【００４２】
一方、多層電子部品Ｐ１２に対する測定工程と並行して、既に測定が完了した多層電子部品Ｐ１１に対するトリミング工程を行う。トリミング工程では、図６に示したように、Ａ点を始点としてレーザビームＬを照射し、照射位置を徐々にずらしていき、所望の特性が得られる地点であるＢ点でレーザビームの照射を終了する。ここで、トリミング量（Ａ点からＢ点までの距離）の決定は、トリミング工程に先立って行われる算出工程において、トリミング量と特性の変化量との関係を示すテーブルを参照することにより行う。そして、このようなトリミング工程を、集合基板上のすべての多層電子部品に対して測定工程と並行して順次行い、各多層電子部品のトリミングを完了させる。
【００４３】
このように、第１の特性調整方法では、既に測定が完了した多層電子部品に対するトリミング工程と他の多層電子部品に対する測定工程とを多層電子部品単位で並行して行っていることから、複数の多層電子部品に対する特性調整作業を効率よく進めることができる。
【００４４】
図８は、第２の特性調整方法を説明するための模式図であり、複数の集合基板を示す図である。
【００４５】
第２の特性調整方法では、図８に示すように、まず集合基板Ｓ１上の多層電子部品Ｐ１１乃至Ｐｍｎの特性を順次測定する。次いで、多層電子部品Ｐ１１の測定が完了すると、新たな集合基板Ｓ２上の多層電子部品に対する測定工程を行う。そして、このような測定工程を、複数の集合基板Ｓ１乃至Ｓｘ上の多層電子部品に対して順次行い、集合基板上のすべての多層電子部品の特性の測定を完了させる。
【００４６】
一方、集合基板Ｓ２上の多層電子部品に対する測定工程と並行して、既に測定が完了した集合基板Ｓ１上の多層電子部品Ｐ１１乃至Ｐｍｎに対するトリミング工程を行う。そして、このようなトリミング工程を、複数の集合基板Ｓ１乃至Ｓｘに対して測定工程と並行して順次行い、集合基板上のすべての多層電子部品のトリミングを完了させる。
【００４７】
このように、第２の特性調整方法では、既に測定が完了した多層電子部品に対するトリミング工程と他の多層電子部品に対する測定工程とを集合基板単位で並行して行っていることから、やはり、複数の多層電子部品に対する特性調整作業を効率よく進めることができる。
【００４８】
そして、このような特性調整工程を個々の多層電子部品１００に対して行った後、切断工程により切りしろ領域１０１ａ，１０１ｂに沿って集合基板１０を切断すれば（ステップＳ３０）、特性調整の完了した多層電子部品１００を取り出すことが可能となる。
【００４９】
図９は、上述した第１及び第２の特性調整方法を実施することが可能な装置の構成を概略的に示すブロック図である。
【００５０】
図９に示すように、この特性調整装置２００は、多層電子部品の特性を測定する測定部２０１と、測定部２０１で得られた測定結果に基づき、必要なトリミング量を算出する算出部２０２と、算出部２０２で得られた前記トリミング量に従って、前記多層電子部品内に設けられたトリミングパターンをトリミングするトリミング部２０３とを備えて構成されている。
【００５１】
測定部２０１は、プローブや測定回路などを含み、多層電子部品の特性を測定する。算出部２０２は、所望の特性に対する前記多層電子部品の特性の差とトリミング量との関係を示す算出テーブルを有しており、この算出テーブルを参照することにより、測定部２０１で得られた測定結果から必要なトリミング量を算出する。トリミング部２０３は、レーザー装置、認識用マークを識別するための画像処理装置などを含み、算出部２０２で得られたトリミング量に従って、前記多層電子部品内に設けられたトリミングパターンをトリミングする。
【００５２】
ここで、測定部２０１及びトリミング部２０３は、測定部２０１による測定とトリミング部２０３によるトリミングが別個の多層電子部品に対して並列に実行されるように、それぞれ独立して構成されている。例えば上述した第１の特性調整方法を実施するのであれば、測定部２０１及びトリミング部２０３は、集合基板上のある多層電子部品に対して測定工程を行い、同じ集合基板上の他の多層電子部品に対してトリミング工程を行うようにそれぞれ構成される。また、第２の特性調整方法を実施するのであれば、測定部２０１がある集合基板上の多層電子部品に対して測定工程を行い、トリミング部２０３が別の集合基板上の多層電子部品に対してトリミング工程を行うようにそれぞれ構成される。このような構成により、トリミング工程と他の多層電子部品に対する測定工程とを並行して行うことができ、複数の多層電子部品に対する特性調整作業を効率よく進めることができる。
【００５３】
以上説明したように、本実施形態では、既に測定が完了した多層電子部品に対するトリミング工程と他の多層電子部品に対する測定工程とを並行して行っていることから、複数の多層電子部品に対する特性調整作業を効率よく進めることが可能となる。
【００５４】
また、本実施形態では、トリミングパターン１２２ｂとの相対的な位置関係を示す認識用マーク１２２ａが集合基板１０に設けられていることから、画像認識によりトリミング位置の特定を行う場合であっても、非常に簡単な処理でトリミング位置の特定を行うことが可能となる。しかも、認識用マーク１２２ａがトリミングパターン１２２ｂと同じ層に形成された導体層であることから、これらを同一工程によって同時に形成することができる。このため、両者間には原理的にパターンずれが生じず、極めて正確にトリミング位置を特定することが可能となる。
【００５５】
また、本実施形態では、トリミングパターン１２２ｂを内部の導体層１２２に設けていることから、トリミングパターンが部品搭載面１００ｂを占有することがなく、このため、多層電子部品１００の平面サイズを小型化することが可能となる。しかも、本実施形態では認識用マーク１２２ａを切りしろ領域１０１ａ，１０１ｂに沿って配置していることから、認識用マーク１２２ａによって集合基板上の有効エリアが占有されることは全くない。
【００５６】
また、トリミングパターンを実装面１００ａに形成した場合には、トリミング時にトリミングパターンを構成する導体が周囲に飛散し、ショート不良を引き起こす可能性があるが、本実施形態のように、トリミングパターン１２２ｂを内部の導体層１２２に設けていることから、このような問題が生じることもない。
【００５７】
さらに、本実施形態のように、トリミングパターン１２２ｂを内部の導体層１２２に設ければ、トリミングパターン１２２ｂの両面が絶縁層１１１と絶縁層１１２によって覆われることから、トリミングパターンを実装面１００ａに形成した場合と比べ、より安定した電気特性を得ることも可能となる。
【００５８】
このように、本実施形態では、トリミング位置を簡単且つ正確に特定することが可能となるばかりでなく、完成品である多層電子部品１００を小型化することも可能となる。
【００５９】
本発明は、以上説明した実施の形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００６０】
例えば、上記実施形態では、認識用マーク１２２ａとして十字形のパターンを用いたが、トリミングパターン１２２ｂとの相対的な位置関係を表示可能である限り、これに限定されるものではない。したがって、図１０（ａ）に示すようにＬ字型のパターンであっても構わないし、図１０（ｂ）に示すように円形のパターンであっても構わないし、図１０（ｃ）に示すように四角形のパターンであっても構わないし、図１０（ｄ）に示すように外径が四角形であり、内部が十字形にくり抜かれたパターンであっても構わない。
【００６１】
また、上記実施形態では、実装面１００ａ側からレーザビームＬを照射することによってトリミングを行っているが、図１１に示すように、部品搭載面１００ｂ側からレーザビームＬを照射することによってトリミングを行っても構わない。図１１に示す例においてトリミングパターンを内蔵させるためには、部品搭載面１００ｂからみて２層目の導体層１２３にトリミングパターン及び認識マークを設ければよい。また、認識マークの視認方向とレーザビームＬの照射方向とを一致させることは必須でなく、例えば、実装面１００ａ側から認識マークを視認し、部品搭載面１００ｂ側からレーザビームを照射しても構わない。
【００６２】
また、上記実施形態では、トリミングパターン１２２ｂがインダクタンスを変化させることが可能なパターンであるが、多層電子部品の特性を調整可能なパターンである限り、例えばキャパシタンスを変化させることが可能なパターンなどであっても構わない。
【００６３】
また、上記実施形態では、領域１４１ａは導体層１２１、メッキ層１３１及びレジスト層１４１に覆われておらず、絶縁層１１１が露出した状態となっているが、必ずしも絶縁層１１１が領域１４１ａにおいて露出している必要はなく、認識用マーク１２２ａが視認可能である限り、領域１４１ａが何らかの層で覆われていても構わない。
【００６４】
さらに、上記実施形態では、認識用マーク１２２ａを切りしろ領域１０１ａ，１０１ｂの交点部分に配置しているが、トリミングパターンと同一平面に形成されている限り、認識用マークの位置については特に限定されない。但し、切りしろ領域１０１ａ及び切りしろ領域１０１ｂの少なくとも一方に沿って認識用マークを配置すれば、認識用マークによる有効エリアの占有を防ぐことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の好ましい実施形態による多層電子部品の集合基板１０の構造を示す略斜視図である。
【図２】多層電子部品１００の構造を模式的に示す略断面図である。
【図３】図１に示した領域１０ａを実装面１００ａ側から拡大して示す略平面図である。
【図４】導体層１２２の主要なパターン形状を拡大して示す略平面図である。
【図５】本発明の好ましい実施形態による多層電子部品１００の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図６】トリミングすべき位置の特定方法を説明するための図である。
【図７】第１の特性調整方法を説明するための模式図であり、集合基板上の多層電子部品の配列を示す図である。
【図８】第２の特性調整方法を説明するための模式図であり、複数の集合基板を示す図である。
【図９】図９は、上述した第１及び第２の特性調整方法を実施することが可能な装置の構成を概略的に示すブロック図である。
【図１０】認識用マーク１２２ａとして用いることができる種々のパターン形状を示す略平面図であり、（ａ）はＬ字型のパターン、（ｂ）は円形のパターン、（ｃ）は四角形のパターン、（ｄ）は外径が四角形であり内部が十字形にくり抜かれたパターンをそれぞれ示している。
【図１１】部品搭載面１００ｂ側からレーザビームＬを照射することによってトリミングを行う例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０ 集合基板
１００ 多層電子部品
１００ａ 実装面
１００ｂ 部品搭載面
１０１ａ，１０１ｂ 切りしろ領域
１０２ 枠体
１１１〜１１３ 絶縁層
１２１〜１２４ 導体層
１２２ａ 認識用マーク
１２２ｂ トリミングパターン
１２２ｃ，１２２ｄ 電極パターン
１３１，１３２ メッキ層
１４１，１４２ レジスト層
１４１ａ 認識用マークに対応する領域
１５０ チップ部品
１６０ａ，１６０ｂ スルーホール
２００ 特性測定装置
２０１ 測定部
２０２ 算出部
２０３ トリミング部
Ｌ レーザビーム
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層電子部品の特性を測定する測定工程と、
前記測定工程で得られた測定結果に基づき、必要なトリミング量を算出する算出工程と、
前記算出工程で得られた前記トリミング量に従って、前記多層電子部品内に設けられたトリミングパターンをトリミングするトリミング工程とを備えることを特徴とする多層電子部品の特性調整方法。
【請求項２】
前記トリミング工程におけるトリミング位置の特定は、前記トリミングパターンとの相対的な位置関係を示す認識用マークを用いて行うことを特徴とする請求項１に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項３】
前記認識用マークは、前記トリミングパターンと同一平面上に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項４】
前記トリミングパターン及び前記認識用マークは、いずれも前記多層電子部品を構成する複数の絶縁層のうち所定の絶縁層上に形成されており、前記所定の絶縁層は、両面が他の絶縁層に覆われた内部絶縁層であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項５】
前記複数の絶縁層のうち前記認識用マークを覆う絶縁層は、少なくとも前記認識用マークに対応する領域が露出していることを特徴とする請求項４に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項６】
前記トリミング工程では、前記所定の絶縁層から見て前記認識用マークを覆う絶縁層側からレーザビームを照射することによってトリミングを行うことを特徴とする請求項５に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項７】
前記認識用マークは、切断により前記多層電子部品を取り出すための切りしろ領域に配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか1項に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項８】
既に測定工程が完了した多層電子部品に対するトリミング工程と他の多層電子部品に対する測定工程とを並行して行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項９】
複数の多層電子部品に対して前記測定工程を順次行った後、前記複数の多層電子部品に対して前記トリミング工程を順次行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項１０】
前記多層電子部品は、電圧制御発振器であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項１１】
前記トリミングパターンは、前記トリミングによりインダクタンス又はキャパシタンスを変化させることが可能なパターンであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項１２】
多層電子部品の特性を測定する測定部と、
前記測定部で得られた測定結果に基づき、必要なトリミング量を算出する算出部と、
前記算出部で得られた前記トリミング量に従って、前記多層電子部品内に設けられたトリミングパターンをトリミングするトリミング部とを備えることを特徴とする多層電子部品の特性調整装置。
【請求項１３】
前記算出部は、所望の特性に対する前記多層電子部品の特性の差とトリミング量との関係を示す算出テーブルを参照することにより、必要なトリミング量を算出することを特徴とする請求項１２に記載の多層電子部品の特性調整装置。
【請求項１４】
前記測定部による測定と前記トリミング部によるトリミングとが別個の多層電子部品に対して並列に実行されるように、前記測定部及び前記トリミング部がそれぞれ構成されていることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の多層電子部品の特性調整装置。
【請求項１】
多層電子部品の特性を測定する測定工程と、
前記測定工程で得られた測定結果に基づき、必要なトリミング量を算出する算出工程と、
前記算出工程で得られた前記トリミング量に従って、前記多層電子部品内に設けられたトリミングパターンをトリミングするトリミング工程とを備えることを特徴とする多層電子部品の特性調整方法。
【請求項２】
前記トリミング工程におけるトリミング位置の特定は、前記トリミングパターンとの相対的な位置関係を示す認識用マークを用いて行うことを特徴とする請求項１に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項３】
前記認識用マークは、前記トリミングパターンと同一平面上に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項４】
前記トリミングパターン及び前記認識用マークは、いずれも前記多層電子部品を構成する複数の絶縁層のうち所定の絶縁層上に形成されており、前記所定の絶縁層は、両面が他の絶縁層に覆われた内部絶縁層であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項５】
前記複数の絶縁層のうち前記認識用マークを覆う絶縁層は、少なくとも前記認識用マークに対応する領域が露出していることを特徴とする請求項４に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項６】
前記トリミング工程では、前記所定の絶縁層から見て前記認識用マークを覆う絶縁層側からレーザビームを照射することによってトリミングを行うことを特徴とする請求項５に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項７】
前記認識用マークは、切断により前記多層電子部品を取り出すための切りしろ領域に配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか1項に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項８】
既に測定工程が完了した多層電子部品に対するトリミング工程と他の多層電子部品に対する測定工程とを並行して行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項９】
複数の多層電子部品に対して前記測定工程を順次行った後、前記複数の多層電子部品に対して前記トリミング工程を順次行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項１０】
前記多層電子部品は、電圧制御発振器であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項１１】
前記トリミングパターンは、前記トリミングによりインダクタンス又はキャパシタンスを変化させることが可能なパターンであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の多層電子部品の特性調整方法。
【請求項１２】
多層電子部品の特性を測定する測定部と、
前記測定部で得られた測定結果に基づき、必要なトリミング量を算出する算出部と、
前記算出部で得られた前記トリミング量に従って、前記多層電子部品内に設けられたトリミングパターンをトリミングするトリミング部とを備えることを特徴とする多層電子部品の特性調整装置。
【請求項１３】
前記算出部は、所望の特性に対する前記多層電子部品の特性の差とトリミング量との関係を示す算出テーブルを参照することにより、必要なトリミング量を算出することを特徴とする請求項１２に記載の多層電子部品の特性調整装置。
【請求項１４】
前記測定部による測定と前記トリミング部によるトリミングとが別個の多層電子部品に対して並列に実行されるように、前記測定部及び前記トリミング部がそれぞれ構成されていることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の多層電子部品の特性調整装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００６−６６６９４（Ｐ２００６−６６６９４Ａ）
【公開日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２４８２３８（Ｐ２００４−２４８２３８）
【出願日】平成１６年８月２７日（２００４．８．２７）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年８月２７日（２００４．８．２７）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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