多芯電流導入端子及びケーブル
【課題】真空容器を貫いて電気接続を行う多芯電流導入端子及びそれを用いたケーブルであって、多芯化を実現し、さらに真空容器内での不必要な放電を回避する電流導入端子及びケーブルを提供する。
【解決手段】真空容器を貫いて電気接続を行うべく、複数芯の導体と、導体と真空容器及び個々の導体間の絶縁を保つための絶縁体とを備えた多芯電流導入端子において、絶縁体に導体を通すための貫通孔を設け、貫通孔の真空側に凹部を形成した多芯電流導入端子を使用する。導体１の根元において、熱収縮チューブ３２の一端が絶縁体２の凹部に挿入された状態で固定される。凹部２ａは、２〜５ｍｍの深さがあり熱収縮チューブの縮みかたのバラツキを十分に吸収できるので、導体１に真空雰囲気露出部分は生じない。従って、不必要な放電が防止される。
【解決手段】真空容器を貫いて電気接続を行うべく、複数芯の導体と、導体と真空容器及び個々の導体間の絶縁を保つための絶縁体とを備えた多芯電流導入端子において、絶縁体に導体を通すための貫通孔を設け、貫通孔の真空側に凹部を形成した多芯電流導入端子を使用する。導体１の根元において、熱収縮チューブ３２の一端が絶縁体２の凹部に挿入された状態で固定される。凹部２ａは、２〜５ｍｍの深さがあり熱収縮チューブの縮みかたのバラツキを十分に吸収できるので、導体１に真空雰囲気露出部分は生じない。従って、不必要な放電が防止される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空装置に使用する多芯電流導入端子及びケーブルに関する。詳しくは真空容器を貫いて電気接続を行う多芯電流導入端子及びそれを用いたケーブルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年増加している産業用真空機器、例えば、蒸着装置、ＣＶＤ機等の成膜装置、半導体製造装置においては、モーター、センサー、測定器等の機器を構成品とし、その装置の真空容器内に設置して使用することが多い。そのために、真空容器内のモーター、センサー、測定器等に対して電力を供給し、信号のやり取りを行う必要がある。そこで、真空容器を貫いて真空側と大気側を結ぶ動力線や信号線を設けることとなった。
【０００３】
従来、これらの動力線や信号線を設けるのに単芯又は２芯の電流導入端子を使用することが多かった（特許文献１、２参照）。この場合、真空容器に複数の貫通孔を開けることになる。
【０００４】
しかしながら、真空容器内の真空度を維持するには、貫通孔はできるだけ少ないことが望ましい。真空容器の貫通孔と電流導入端子の間に適切な封止材を使用しても大気の漏れを完全に防ぐのは難しく、真空排気設備の負担になるためである。
【０００５】
また、真空容器には大きな大気圧がかかるので、壊れないように貫通孔はできるだけ少なくして真空容器の強度を確保することが望ましい。
【０００６】
また、動力線や信号線の取り回しや装置の維持管理のため、動力線と信号線を一括し、且つ真空容器の大気側で切離しが容易であることが望ましい。
【０００７】
以上のような理由から、多芯の電流導入端子が使用されるようになった（図８参照）。前記多芯の電流導入端子（以下多芯電流導入端子という）６０には、真空容器を貫いて電気的接続を行うべく、２〜５０芯程度の導体４１と、この導体４１と真空容器もしくは個々の導体間の絶縁を保つための絶縁体４２とを備えている。
【０００８】
【特許文献１】実開平６―０３３３２２号公報（第４頁、図１）
【特許文献２】特開平４−１４７６４３号公報（第３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の多芯電流導入端子の課題を、図８〜１５を用いて説明する。図８は従来の多芯電流導入端子６０を側面方向から見た断面図である。図９は真空側から見た正面図、図１０は大気側から見た正面図である。図１１は、図８のＣ部の拡大断面図である。
【００１０】
図１２は多芯電流導入端子６０を真空容器６に配置した模式図である。真空容器６の真空容器フランジ５と多芯電流導入端子ハウジング４４のフランジ４４ｂとの間にガスケット１０を挟んで、ボルト１１とナット１２で締結している。多芯電流導入端子６０で真空容器の真空側の導体４１は金属体が真空雰囲気に露呈した状態となっている。
【００１１】
この状態で真空容器を減圧（排気）してゆくと導体４１に印加した電圧により、他の導体４１や真空容器６との間で不必要な放電４７を発生してしまうことがある（図１３参照）。
このような不必要な放電４７は、例えば蒸着装置の成膜のプロセスに悪影響を与えて、膜質を悪くする等の問題を発生させ、また蒸着装置自体の制御を不安定にする原因ともなっていた。
【００１２】
そこで、従来から、この不必要な放電４７を防ぐために、各導体４１を個別に絶縁物７２で覆う手法が採られている。例えば、ケーブル７０を組み立てるのに絶縁物である熱収縮チューブ７２を使用している（図１４参照）。しかし、この方法では、絶縁体４２から突き出した導体４１の根元の部分までを必ずしも覆うことができるわけではなく、真空雰囲気露呈部分４９から放電が発生してしまうことがあった（図１５参照）。
【００１３】
前記放電を防ぐ工夫として、前述の実開平６−３３３２２号公報（特許文献１参照）に記載の方法がある。絶縁体を大きくして真空容器と導体間での放電を抑制するというものである。しかし、この方法では、直径３０ｍｍ程度の大きさの中に導体を２４芯ほど配置するような多芯化は容易に実現できなかった。
【００１４】
また、前記放電を防ぐ工夫として、前述の特開平４−１４７６４３号公報（特許文献２参照）のように、導体間隔を広く取る方法がある。しかし、多芯化するためには各導体の周囲に一定の広い面積を確保する必要がある。従って、多芯化には限界があった。
【００１５】
以上まとめると、多芯化を実現し、さらに真空中の不必要な放電を回避する電流導入端子及びケーブルを提供するのが本発明の課題である。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記課題は、真空容器を貫いて電気接続を行うべく、複数芯の導体と、前記導体と前記真空容器及び個々の導体間の絶縁を保つための絶縁体とを備えた多芯電流導入端子において、前記絶縁体に前記導体を通すための貫通孔を設け、前記貫通孔の真空側に凹部を形成している多芯電流導入端子によって解決される。
【００１７】
また、前記真空容器を貫いて電気接続を行うべく、複数芯の前記導体と、前記導体と前記真空容器及び個々の前記導体間の絶縁を保つための前記絶縁体とを備えた多芯電流導入端子であって、前記絶縁体に前記導体を通すための貫通孔を設け、前記貫通孔の真空側に凹部を形成している多芯電流導入端子と、前記多芯電流導入端子の前記導体を覆う絶縁物と、前記真空容器内の機器に接続されるリード線とからなるケーブルによって解決される。
【発明の効果】
【００１８】
多数の動力線、信号線に対し、少ない個数の多芯電流導入端子で対応できる。
【００１９】
また、前記多芯電流導入端子と導体に絶縁チューブ等の絶縁物を併用することで１０Ｅ−７〜１０Ｅ＋２Ｐａの真空空間において０〜５ｋＶの電圧で多芯電流導入端子の真空側で且つ導体間及び導体と真空容器との間で発生する不必要な放電を抑制できる。
【００２０】
また、不必要な放電を皆無とすることで、必要なプロセスを安定して実現できる。
また、真空中で放電が発生すると真空容器の内部に一斉に広がることから、真空容器内のセンサ−、測定器に影響を与え、制御不能、測定不能になることがあったが、これを防止できる。
【００２１】
また、放電による多芯電流導入端子の電食を防ぐことが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
まず、本発明の第１の実施の形態について説明する。
図１は本発明の多芯電流導入端子２０を側面方向から見た断面図である。図２は、図１のＡ部の拡大断面図である。導体１は電流を通すために金属から成る。電気的絶縁体２は、ガラス、樹脂、セラミック等より成る。図１に示すように、この絶縁体２が、多芯電流導入端子ハウジング４の中ほどに止めつけられて多芯電流導入端子２０となる。
【００２４】
図２に示す真空気密部３は、導体１と絶縁体２の隙間から空気等が流入するのを防ぎ真空容器の気密を保っているもので、ガラス、樹脂等により成る。また、図２に示すように、絶縁体２は真空側で且つ導体１の周囲が深さＬ＝２〜５ｍｍで凹構造（以下凹部という）２ａに成るように形成されている。
【００２５】
第１の実施の形態の導体１は、φ１．６のステンレス棒を用いる。導体１の断面形状は円形である。熱収縮チューブとしては、シリコン熱収縮チューブを使用する。シリコン熱収縮チューブは、収縮前の内径がφ２．２〜２．６、収縮前の外径がφ３．２〜３．６のものを使用する。
【００２６】
また、第１の実施の形態の絶縁体２は、ジアリルフタレート（Ｄｉａｌｌｙｌ Ｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂を使用した。これにより、５０００ＭΩ（５００ＶＤＣ時）以上の絶縁抵抗値を確保している。
【００２７】
また、図２の絶縁体２の凹部２ａは円筒形状をしており、その径は、熱収縮チューブによって根元まで覆う為に、収縮前の熱収縮チューブの先端を挿入できるように考慮して決めている。
【００２８】
すなわち、凹部２ａの径は、収縮前のシリコン熱収縮チューブが導体１の根元まで被さるように、収縮前のシリコン熱収縮チューブの外径φ３．２〜３．６に対してクリアランスを考慮してφ４.０としている。なお、シリコン熱収縮チューブの絶縁耐圧は２５ｋＶ（肉厚１ｍｍ時）のものを使用した。
【００２９】
以上の絶縁体２とシリコン熱収縮チューブを併用することにより、１０Ｅ−７〜１０Ｅ＋２Ｐａの真空空間において５ｋＶ以上の耐電圧を確保できる。
【００３０】
また、図３（ａ）に、第１の実施の形態の導体１の端部加工を示す。
導体1は、φ１．６のステンレス棒を用いる。断面の形状は円形である。先端より６ｍｍ（導体１の面取り長さ：ｍ）を面取り１ａしてある。
【００３１】
これは、コンタクト・ピンを用いて、リード線と接続するためである。面取り１ａすることにより、半田付けがし易くなる。
【００３２】
なお、第１の実施の形態の多芯電流導入端子２０は、絶縁体２に大気側より導体１を通し、全長の８割がたを通したところで大気側よりエポキシ系樹脂の接着剤を流し込んで、絶縁体２に設けた貫通孔に導体１を固定及び気密封止をして組み立てている。
【００３３】
つまり、接着剤が、導体１を止めつける接着部３と気密封止をする真空気密部３とを兼ねている。勿論、組立て方法は、これに限られるものではない。
【００３４】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
本発明の第２の実施の形態は、第１の実施の形態の導体１（図３（ａ））を、導体１’（図３（ｂ））に替えたものである。絶縁体２は、第１の実施の形態の多芯電流導入端子と同じ材質、形状のものを使用する。この絶縁体２が、多芯電流導入端子ハウジング４の中ほどに止めつけられて、本発明の第２の実施の形態の多芯電流導入端子となる。 従って、側面方向から見た断面図は図１と、Ａ部の拡大断面図も図２と同様である。
【００３５】
図３（ｂ）に、第２の実施の形態の導体１’の端部加工を示す。
第２の実施の形態の、導体1’は、φ１．６のステンレス棒を用いる。断面の形状は円形である。先端より６ｍｍ（導体１’のネジ切り長さ：ｍ’）をネジ切り１ａ’してある。
【００３６】
これは、半田付けタイプのコンタクト・ピンを用いてリード線と接続するときに、また、リード線を直接絡げて半田付けを行うときに、半田付けし易くするためでもある。また、カシメるタイプのコンタクト・ピンを使用した場合に、コンタクト・ピンの抜け防止の効果がある。
【００３７】
また、第２の実施の形態の絶縁体２も、第１の実施の形態と同じく、ジアリルフタレート（Ｄｉａｌｌｙｌ Ｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂を使用した。
【００３８】
また、使用する熱収縮チューブも、第１の実施の形態と同じく、収縮前の内径がφ２．２〜２．６、収縮前の外径がφ３．２〜３．６のものを使用する。
【００３９】
また、絶縁体２の凹部２ａは円筒形状をしており、その径は、収縮前のシリコン熱収縮チューブが導体１’の根元まで被さるように、収縮前のシリコン熱収縮チューブの外径φ３．２〜３．６に対してクリアランス分を考慮してφ４.０としている。
【００４０】
また、多心導入端子の組立て方法も第１の実施の形態と同様に接着剤３を用いた方法で行っている。
【００４１】
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。
図４は、本発明の第３の実施の形態の多芯電流導入端子２０を使用したケーブル３０を側方から見た断面図である。図５は、図４のＢ部の拡大断面図である。
【００４２】
図５に示すように導体１に熱収縮チューブ３２で絶縁処理を行うときに、絶縁体２の凹部２ａにその一端を挿入することができ、導体１が真空雰囲気に露呈しないようにすることができる。
【００４３】
図６は、本発明の第３の実施の形態の多芯電流導入端子２０の導体１とリード線３１の端末処理方法を示す図である。（ａ）が導体１、（ｂ）がリード線３１の端末処理を示す。
【００４４】
図６（ｂ）に示すように、リード線３１の被覆を剥離した端部の導体露出部分３１ｂの先端にコンタクト・ピン３４を半田付けする。このコンタクト・ピン３４は、突合せ接続に使用されるタイプの接続端子であり、接続用の第一円筒部３４ａ、第２円筒部３４ｂを有する。
【００４５】
すなわち、リード線３１の導体露出部分３１ｂの先端が嵌り込む第１円筒部３４ａが形成されている。また、コンタクト・ピン３４には、図６（ａ）の導体１の面取り１ａした端部が、丁度嵌り込む第２円筒部３４ｂが形成されている。
【００４６】
上記のようにして、多芯電流導入端子２０の導体１に、端末処理したリード線３１を半田付けにて接続したのが図７（ａ）である。その後、熱収縮チューブ３２を被せて加熱・収縮させたものが図７（ｂ）である。
【００４７】
導体１の根元において、熱収縮チューブ３２の一端が絶縁体２の凹部２ａに挿入された状態で固定される。凹部２ａは前述のように円筒状で２〜５ｍｍの深さがあり、熱収縮チューブ３２の縮みかたのバラツキを十分に吸収できるので、導体１に従来のような真空雰囲気露出部分は生じない。従って、不必要な放電が防止される。
【００４８】
また、第３の実施の形態では、図７（ｂ）に示すように、導体１とリード線３１の接続部分も含めて熱収縮チューブ３２で覆う。また、リード線３１の導体露出部分３１ｂも熱収縮チューブ３２で覆う。
【００４９】
つまり、導体１とリード線３１の接続部分Ｅにぴたりと沿って熱収縮チューブ３２が収縮し、導体１の根元からリード線３１の被覆のあるところまでを完全に覆うこととなる。
これにより、導体１とリード線３１の接続部分Ｅにおいても、真空雰囲気露出部分は生じない。従って、ここでも不必要な放電が防止される。
【００５０】
ここで、コンタクト・ピン３４の最外径がφ２．９であることから、熱収縮チューブ３２として使用するシリコン熱収縮チューブ３２は、収縮前の内径がφ３．４〜４．０、収縮前の外径がφ５．０〜５．６のものを使用する。
【００５１】
また、凹部２ａの径は、収縮前のシリコン熱収縮チューブ３２が導体１の根元まで被さるように、収縮前のシリコン熱収縮チューブの外径φ５．０〜５．６に対しクリアランス分を考慮してφ６.０としている。
【００５２】
なお、導体１とリード線３１の接続部分Ｅにぴたりと沿って熱収縮チューブ３２が収縮するので、接続部分Ｅの抜け止め対策ともなっている。
【００５３】
以上、本発明の第１〜第３の実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術思想に基づいて種々の変更が可能である。
【００５４】
第１、第２の実施の形態では、導体１、１’にステンレス棒を使用したが、銅、アルミ、等の金属棒でも良い。良導体の棒であれば使用可能である。
【００５５】
また、第１、第２の実施の形態では、導体１、１’の断面形状を円形としたが、楕円形、四角形、六角形等の他の形状であっても良い。使用する金属の種類に応じて、必要な電流容量を確保できる断面積があれば良い。
【００５６】
また、第１の実施の形態では、導体１の端部の面取り加工１ａを、２面にしているが、これに限ることなく、１面以上であればよい。導体１に使用する金属棒の断面形状や材質、使用するコンタクト・ピンとの接続方法（半田付け／カシメ）によって、適宜選択するものとする。勿論、面取りする必要が無ければ、面取りせずに接続することもできる。
【００５７】
また、第１、第２の実施の形態では、導体１、１’の端部加工を、面取り１ａやネジ切り１ａ’としたが、フランジ状の突起を設けたり、切り欠きであっても良い。コンタクト・ピンを半田付けする為の加工であれば良い。また、フランジ状の突起や切り欠きが、リード線を絡げて半田付けする加工であっても良い。さらに、フランジ状の突起や切り欠きがカシメるタイプのコンタクト・ピンを使用する場合の抜け止めの為の加工であっても良い。
【００５８】
また、第１、第２の実施の形態では、導体１、１’の端末加工長（ｍ、ｍ’）を６ｍｍとしたが、勿論使用するコンタクト・ピンの筒部の長さに合わせて決めるものである。
【００５９】
また、第１、第２の実施の形態では、絶縁体２にジアリルフタレート（Ｄｉａｌｌｙｌ Ｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂を使用したが、他の合成樹脂を用いても良い。また、十分な絶縁抵抗値を有する材質のものであれば、同様に使用することができる。
【００６０】
また、第１、第２の実施の形態では、絶縁体２の凹部２ａは、その断面形状が円形の円筒形状であったが、これに限ることなく、断面形状が楕円形、扇形、四角形等の他の形状の筒体形状でも良い。収縮前のシリコン熱収縮チューブの外径に対し、クリアランス分を考慮した大きさであって、絶縁体２の隣り合う他の凹部２ａとの間に十分な間隔を確保できるものであれば良い。
【００６１】
また、第１、第２の実施の形態では、接着部３にエポキシ系接着剤を使用したが、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ゴム系などの他の種類の接着剤でも良い。
また、ガラス封止（ハーメチック）でも良い。導体１、１’を確実に止め付け、真空を保持できるものであれば良い。
【００６２】
また、第３の実施の形態では、コンタクト・ピン３４の取り付けを半田付けで行ったが、カシメによっても良い。導体１、１’とリード線を接続できれば良い。
【００６３】
また、第３の実施の形態では、導体１とリード線３１の接続にコンタクト・ピン３４を使用したが、導体とリード線３１を直接半田付けしても良い。実施例２の導体１’等を用いて、リード線３１の端部の導体露出部分３１ｂを絡げて半田付けすることが可能である。
【００６４】
また、第１〜第３の実施の形態では、導体１、１’を覆う絶縁物３２に熱収縮チューブ３２を用いたが、粘着テープでも良い。導体１、１’を覆って絶縁が確保できるものであれば、同様に使用することができる。
【００６５】
また、第３の実施の形態では、リード線３１の片端の導体露出部分３１ａについて特に記述していないが、例えば、真空容器内に設置したモーター、センサー等に、半田付けやネジ止めで接続される。また、測定器類等との接続のため、コネクタ、配線用圧着端子類（丸端子、ホーク端子等）を取り付ける端末処理を行ったものも本発明のケ−ブルに含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の第１の実施の形態の多芯電流導入端子２０を側面方向から見た断面図である。
【図２】図１のＡの拡大断面図である。導体１を接着した絶縁体２の根元部分を示す。絶縁体２の真空側端面には凹部２aが形成されている。
【図３】本発明の第１、第２の実施の形態の導体１、１’の端部の拡大斜視図を示す。多心導入端子に使用する導体の端部加工を示した図である。 (ａ)が第１の実施形態の導体１の端部の面取り加工１ａを示す。（ｂ）が第２の実施の形態の導体１’の端部のネジ切り加工１ａ’を示す。
【図４】本発明の第３の実施の形態のケーブル３０を側面方向から見た断面図である。
【図５】図４のＢの拡大断面図である。導体１を接着した絶縁体２の根元部分を熱収縮チューブ３２で覆った様子を示す。熱収縮チューブ３２の一端が凹部２ａに挿入されている。
【図６】本発明の第３の実施の形態の導体１とリード線３１の端末処理方法を示す図である。（ａ）が導体１の端末処理、（ｂ）がリード線３１の端末処理を示す。
【図７】本発明の第３の実施の形態の導体１とリード線３１の接続方法を示す図である。（ａ）が、導体１とリード線３１を接続したところ、（ｂ）が、熱収縮チューブ３２を被せたところを示す。
【図８】従来の多芯電流導入端子６０を側方より見た断面図である。
【図９】多芯電流導入端子を真空側から見た正面図である。
【図１０】多芯電流導入端子を大気側から見た正面図である。
【図１１】図８のＣの拡大断面図である。導体４１と絶縁体４２を接着した根元部分を示す。絶縁体４２の真空側端面は平らである。
【図１２】多芯電流導入端子６０を真空容器６に配置した模式図である。真空容器６の真空容器フランジ５と多芯電流導入端子ハウジング４４のフランジ４４ｂとの間にＯリング１０を挟んで、ボルト１１とナット１２で締結している。
【図１３】剥き出しの導体４１から放電４７が発生しているイメージの図である。
【図１４】従来の多芯電流導入端子６０を使用したケーブル７０を側方より見た断面図である。
【図１５】図１４のＤの拡大断面図である。導体４１と絶縁体４２を接着した根元に熱収縮チューブ７２の被らない導体４１の真空雰囲気露呈部分４９が生じている。
【符号の説明】
【００６７】
１・・・導体、１ａ・・・面取り、１’・・・導体、１ａ’・・・ネジ切り、２・・・絶縁体、２ａ・・・凹部、３・・・接着部（真空気密部）、４・・・多芯電流導入端子ハウジング、４ａ・・・円筒部、４ｂ・・・フランジ、４ｃ・・・ボルト穴、５・・・真空容器フランジ（ポート）、６・・・真空容器、
１０・・・ガスケット、１１・・・ボルト、１２・・・ナット、
２０・・・多芯電流導入端子、
３０・・・ケーブル、３１・・・リード線、３１ａ・・・導体露出部分、３１ｂ・・・導体露出部分、３２・・・絶縁物（熱収縮チューブ）、３４・・・コンタクト・ピン、３４ａ・・・第１円筒部、３４ｂ・・・第２円筒部、
４１・・・導体、４２・・・絶縁体、４３・・・接着部（真空気密部）、４４・・・多芯電流導入端子ハウジング、４４ａ・・・円筒部、４４ｂ・・・フランジ、４４ｃ・・・ボルト穴、４７・・・放電（グロー）、４９・・・導体の真空雰囲気露呈部、
６０・・・多芯電流導入端子、
７０・・・ケーブル、７１・・・リード線、７１ａ・・・導体露出部分、７２・・・絶縁物（熱収縮チューブ）、
Ｌ・・・絶縁体２の凹部２ａの深さ、ｍ・・・導体１の面取り長さ、ｍ’・・・導体１’のネジ切り長さ、
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空装置に使用する多芯電流導入端子及びケーブルに関する。詳しくは真空容器を貫いて電気接続を行う多芯電流導入端子及びそれを用いたケーブルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年増加している産業用真空機器、例えば、蒸着装置、ＣＶＤ機等の成膜装置、半導体製造装置においては、モーター、センサー、測定器等の機器を構成品とし、その装置の真空容器内に設置して使用することが多い。そのために、真空容器内のモーター、センサー、測定器等に対して電力を供給し、信号のやり取りを行う必要がある。そこで、真空容器を貫いて真空側と大気側を結ぶ動力線や信号線を設けることとなった。
【０００３】
従来、これらの動力線や信号線を設けるのに単芯又は２芯の電流導入端子を使用することが多かった（特許文献１、２参照）。この場合、真空容器に複数の貫通孔を開けることになる。
【０００４】
しかしながら、真空容器内の真空度を維持するには、貫通孔はできるだけ少ないことが望ましい。真空容器の貫通孔と電流導入端子の間に適切な封止材を使用しても大気の漏れを完全に防ぐのは難しく、真空排気設備の負担になるためである。
【０００５】
また、真空容器には大きな大気圧がかかるので、壊れないように貫通孔はできるだけ少なくして真空容器の強度を確保することが望ましい。
【０００６】
また、動力線や信号線の取り回しや装置の維持管理のため、動力線と信号線を一括し、且つ真空容器の大気側で切離しが容易であることが望ましい。
【０００７】
以上のような理由から、多芯の電流導入端子が使用されるようになった（図８参照）。前記多芯の電流導入端子（以下多芯電流導入端子という）６０には、真空容器を貫いて電気的接続を行うべく、２〜５０芯程度の導体４１と、この導体４１と真空容器もしくは個々の導体間の絶縁を保つための絶縁体４２とを備えている。
【０００８】
【特許文献１】実開平６―０３３３２２号公報（第４頁、図１）
【特許文献２】特開平４−１４７６４３号公報（第３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の多芯電流導入端子の課題を、図８〜１５を用いて説明する。図８は従来の多芯電流導入端子６０を側面方向から見た断面図である。図９は真空側から見た正面図、図１０は大気側から見た正面図である。図１１は、図８のＣ部の拡大断面図である。
【００１０】
図１２は多芯電流導入端子６０を真空容器６に配置した模式図である。真空容器６の真空容器フランジ５と多芯電流導入端子ハウジング４４のフランジ４４ｂとの間にガスケット１０を挟んで、ボルト１１とナット１２で締結している。多芯電流導入端子６０で真空容器の真空側の導体４１は金属体が真空雰囲気に露呈した状態となっている。
【００１１】
この状態で真空容器を減圧（排気）してゆくと導体４１に印加した電圧により、他の導体４１や真空容器６との間で不必要な放電４７を発生してしまうことがある（図１３参照）。
このような不必要な放電４７は、例えば蒸着装置の成膜のプロセスに悪影響を与えて、膜質を悪くする等の問題を発生させ、また蒸着装置自体の制御を不安定にする原因ともなっていた。
【００１２】
そこで、従来から、この不必要な放電４７を防ぐために、各導体４１を個別に絶縁物７２で覆う手法が採られている。例えば、ケーブル７０を組み立てるのに絶縁物である熱収縮チューブ７２を使用している（図１４参照）。しかし、この方法では、絶縁体４２から突き出した導体４１の根元の部分までを必ずしも覆うことができるわけではなく、真空雰囲気露呈部分４９から放電が発生してしまうことがあった（図１５参照）。
【００１３】
前記放電を防ぐ工夫として、前述の実開平６−３３３２２号公報（特許文献１参照）に記載の方法がある。絶縁体を大きくして真空容器と導体間での放電を抑制するというものである。しかし、この方法では、直径３０ｍｍ程度の大きさの中に導体を２４芯ほど配置するような多芯化は容易に実現できなかった。
【００１４】
また、前記放電を防ぐ工夫として、前述の特開平４−１４７６４３号公報（特許文献２参照）のように、導体間隔を広く取る方法がある。しかし、多芯化するためには各導体の周囲に一定の広い面積を確保する必要がある。従って、多芯化には限界があった。
【００１５】
以上まとめると、多芯化を実現し、さらに真空中の不必要な放電を回避する電流導入端子及びケーブルを提供するのが本発明の課題である。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記課題は、真空容器を貫いて電気接続を行うべく、複数芯の導体と、前記導体と前記真空容器及び個々の導体間の絶縁を保つための絶縁体とを備えた多芯電流導入端子において、前記絶縁体に前記導体を通すための貫通孔を設け、前記貫通孔の真空側に凹部を形成している多芯電流導入端子によって解決される。
【００１７】
また、前記真空容器を貫いて電気接続を行うべく、複数芯の前記導体と、前記導体と前記真空容器及び個々の前記導体間の絶縁を保つための前記絶縁体とを備えた多芯電流導入端子であって、前記絶縁体に前記導体を通すための貫通孔を設け、前記貫通孔の真空側に凹部を形成している多芯電流導入端子と、前記多芯電流導入端子の前記導体を覆う絶縁物と、前記真空容器内の機器に接続されるリード線とからなるケーブルによって解決される。
【発明の効果】
【００１８】
多数の動力線、信号線に対し、少ない個数の多芯電流導入端子で対応できる。
【００１９】
また、前記多芯電流導入端子と導体に絶縁チューブ等の絶縁物を併用することで１０Ｅ−７〜１０Ｅ＋２Ｐａの真空空間において０〜５ｋＶの電圧で多芯電流導入端子の真空側で且つ導体間及び導体と真空容器との間で発生する不必要な放電を抑制できる。
【００２０】
また、不必要な放電を皆無とすることで、必要なプロセスを安定して実現できる。
また、真空中で放電が発生すると真空容器の内部に一斉に広がることから、真空容器内のセンサ−、測定器に影響を与え、制御不能、測定不能になることがあったが、これを防止できる。
【００２１】
また、放電による多芯電流導入端子の電食を防ぐことが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
まず、本発明の第１の実施の形態について説明する。
図１は本発明の多芯電流導入端子２０を側面方向から見た断面図である。図２は、図１のＡ部の拡大断面図である。導体１は電流を通すために金属から成る。電気的絶縁体２は、ガラス、樹脂、セラミック等より成る。図１に示すように、この絶縁体２が、多芯電流導入端子ハウジング４の中ほどに止めつけられて多芯電流導入端子２０となる。
【００２４】
図２に示す真空気密部３は、導体１と絶縁体２の隙間から空気等が流入するのを防ぎ真空容器の気密を保っているもので、ガラス、樹脂等により成る。また、図２に示すように、絶縁体２は真空側で且つ導体１の周囲が深さＬ＝２〜５ｍｍで凹構造（以下凹部という）２ａに成るように形成されている。
【００２５】
第１の実施の形態の導体１は、φ１．６のステンレス棒を用いる。導体１の断面形状は円形である。熱収縮チューブとしては、シリコン熱収縮チューブを使用する。シリコン熱収縮チューブは、収縮前の内径がφ２．２〜２．６、収縮前の外径がφ３．２〜３．６のものを使用する。
【００２６】
また、第１の実施の形態の絶縁体２は、ジアリルフタレート（Ｄｉａｌｌｙｌ Ｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂を使用した。これにより、５０００ＭΩ（５００ＶＤＣ時）以上の絶縁抵抗値を確保している。
【００２７】
また、図２の絶縁体２の凹部２ａは円筒形状をしており、その径は、熱収縮チューブによって根元まで覆う為に、収縮前の熱収縮チューブの先端を挿入できるように考慮して決めている。
【００２８】
すなわち、凹部２ａの径は、収縮前のシリコン熱収縮チューブが導体１の根元まで被さるように、収縮前のシリコン熱収縮チューブの外径φ３．２〜３．６に対してクリアランスを考慮してφ４.０としている。なお、シリコン熱収縮チューブの絶縁耐圧は２５ｋＶ（肉厚１ｍｍ時）のものを使用した。
【００２９】
以上の絶縁体２とシリコン熱収縮チューブを併用することにより、１０Ｅ−７〜１０Ｅ＋２Ｐａの真空空間において５ｋＶ以上の耐電圧を確保できる。
【００３０】
また、図３（ａ）に、第１の実施の形態の導体１の端部加工を示す。
導体1は、φ１．６のステンレス棒を用いる。断面の形状は円形である。先端より６ｍｍ（導体１の面取り長さ：ｍ）を面取り１ａしてある。
【００３１】
これは、コンタクト・ピンを用いて、リード線と接続するためである。面取り１ａすることにより、半田付けがし易くなる。
【００３２】
なお、第１の実施の形態の多芯電流導入端子２０は、絶縁体２に大気側より導体１を通し、全長の８割がたを通したところで大気側よりエポキシ系樹脂の接着剤を流し込んで、絶縁体２に設けた貫通孔に導体１を固定及び気密封止をして組み立てている。
【００３３】
つまり、接着剤が、導体１を止めつける接着部３と気密封止をする真空気密部３とを兼ねている。勿論、組立て方法は、これに限られるものではない。
【００３４】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
本発明の第２の実施の形態は、第１の実施の形態の導体１（図３（ａ））を、導体１’（図３（ｂ））に替えたものである。絶縁体２は、第１の実施の形態の多芯電流導入端子と同じ材質、形状のものを使用する。この絶縁体２が、多芯電流導入端子ハウジング４の中ほどに止めつけられて、本発明の第２の実施の形態の多芯電流導入端子となる。 従って、側面方向から見た断面図は図１と、Ａ部の拡大断面図も図２と同様である。
【００３５】
図３（ｂ）に、第２の実施の形態の導体１’の端部加工を示す。
第２の実施の形態の、導体1’は、φ１．６のステンレス棒を用いる。断面の形状は円形である。先端より６ｍｍ（導体１’のネジ切り長さ：ｍ’）をネジ切り１ａ’してある。
【００３６】
これは、半田付けタイプのコンタクト・ピンを用いてリード線と接続するときに、また、リード線を直接絡げて半田付けを行うときに、半田付けし易くするためでもある。また、カシメるタイプのコンタクト・ピンを使用した場合に、コンタクト・ピンの抜け防止の効果がある。
【００３７】
また、第２の実施の形態の絶縁体２も、第１の実施の形態と同じく、ジアリルフタレート（Ｄｉａｌｌｙｌ Ｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂を使用した。
【００３８】
また、使用する熱収縮チューブも、第１の実施の形態と同じく、収縮前の内径がφ２．２〜２．６、収縮前の外径がφ３．２〜３．６のものを使用する。
【００３９】
また、絶縁体２の凹部２ａは円筒形状をしており、その径は、収縮前のシリコン熱収縮チューブが導体１’の根元まで被さるように、収縮前のシリコン熱収縮チューブの外径φ３．２〜３．６に対してクリアランス分を考慮してφ４.０としている。
【００４０】
また、多心導入端子の組立て方法も第１の実施の形態と同様に接着剤３を用いた方法で行っている。
【００４１】
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。
図４は、本発明の第３の実施の形態の多芯電流導入端子２０を使用したケーブル３０を側方から見た断面図である。図５は、図４のＢ部の拡大断面図である。
【００４２】
図５に示すように導体１に熱収縮チューブ３２で絶縁処理を行うときに、絶縁体２の凹部２ａにその一端を挿入することができ、導体１が真空雰囲気に露呈しないようにすることができる。
【００４３】
図６は、本発明の第３の実施の形態の多芯電流導入端子２０の導体１とリード線３１の端末処理方法を示す図である。（ａ）が導体１、（ｂ）がリード線３１の端末処理を示す。
【００４４】
図６（ｂ）に示すように、リード線３１の被覆を剥離した端部の導体露出部分３１ｂの先端にコンタクト・ピン３４を半田付けする。このコンタクト・ピン３４は、突合せ接続に使用されるタイプの接続端子であり、接続用の第一円筒部３４ａ、第２円筒部３４ｂを有する。
【００４５】
すなわち、リード線３１の導体露出部分３１ｂの先端が嵌り込む第１円筒部３４ａが形成されている。また、コンタクト・ピン３４には、図６（ａ）の導体１の面取り１ａした端部が、丁度嵌り込む第２円筒部３４ｂが形成されている。
【００４６】
上記のようにして、多芯電流導入端子２０の導体１に、端末処理したリード線３１を半田付けにて接続したのが図７（ａ）である。その後、熱収縮チューブ３２を被せて加熱・収縮させたものが図７（ｂ）である。
【００４７】
導体１の根元において、熱収縮チューブ３２の一端が絶縁体２の凹部２ａに挿入された状態で固定される。凹部２ａは前述のように円筒状で２〜５ｍｍの深さがあり、熱収縮チューブ３２の縮みかたのバラツキを十分に吸収できるので、導体１に従来のような真空雰囲気露出部分は生じない。従って、不必要な放電が防止される。
【００４８】
また、第３の実施の形態では、図７（ｂ）に示すように、導体１とリード線３１の接続部分も含めて熱収縮チューブ３２で覆う。また、リード線３１の導体露出部分３１ｂも熱収縮チューブ３２で覆う。
【００４９】
つまり、導体１とリード線３１の接続部分Ｅにぴたりと沿って熱収縮チューブ３２が収縮し、導体１の根元からリード線３１の被覆のあるところまでを完全に覆うこととなる。
これにより、導体１とリード線３１の接続部分Ｅにおいても、真空雰囲気露出部分は生じない。従って、ここでも不必要な放電が防止される。
【００５０】
ここで、コンタクト・ピン３４の最外径がφ２．９であることから、熱収縮チューブ３２として使用するシリコン熱収縮チューブ３２は、収縮前の内径がφ３．４〜４．０、収縮前の外径がφ５．０〜５．６のものを使用する。
【００５１】
また、凹部２ａの径は、収縮前のシリコン熱収縮チューブ３２が導体１の根元まで被さるように、収縮前のシリコン熱収縮チューブの外径φ５．０〜５．６に対しクリアランス分を考慮してφ６.０としている。
【００５２】
なお、導体１とリード線３１の接続部分Ｅにぴたりと沿って熱収縮チューブ３２が収縮するので、接続部分Ｅの抜け止め対策ともなっている。
【００５３】
以上、本発明の第１〜第３の実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術思想に基づいて種々の変更が可能である。
【００５４】
第１、第２の実施の形態では、導体１、１’にステンレス棒を使用したが、銅、アルミ、等の金属棒でも良い。良導体の棒であれば使用可能である。
【００５５】
また、第１、第２の実施の形態では、導体１、１’の断面形状を円形としたが、楕円形、四角形、六角形等の他の形状であっても良い。使用する金属の種類に応じて、必要な電流容量を確保できる断面積があれば良い。
【００５６】
また、第１の実施の形態では、導体１の端部の面取り加工１ａを、２面にしているが、これに限ることなく、１面以上であればよい。導体１に使用する金属棒の断面形状や材質、使用するコンタクト・ピンとの接続方法（半田付け／カシメ）によって、適宜選択するものとする。勿論、面取りする必要が無ければ、面取りせずに接続することもできる。
【００５７】
また、第１、第２の実施の形態では、導体１、１’の端部加工を、面取り１ａやネジ切り１ａ’としたが、フランジ状の突起を設けたり、切り欠きであっても良い。コンタクト・ピンを半田付けする為の加工であれば良い。また、フランジ状の突起や切り欠きが、リード線を絡げて半田付けする加工であっても良い。さらに、フランジ状の突起や切り欠きがカシメるタイプのコンタクト・ピンを使用する場合の抜け止めの為の加工であっても良い。
【００５８】
また、第１、第２の実施の形態では、導体１、１’の端末加工長（ｍ、ｍ’）を６ｍｍとしたが、勿論使用するコンタクト・ピンの筒部の長さに合わせて決めるものである。
【００５９】
また、第１、第２の実施の形態では、絶縁体２にジアリルフタレート（Ｄｉａｌｌｙｌ Ｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂を使用したが、他の合成樹脂を用いても良い。また、十分な絶縁抵抗値を有する材質のものであれば、同様に使用することができる。
【００６０】
また、第１、第２の実施の形態では、絶縁体２の凹部２ａは、その断面形状が円形の円筒形状であったが、これに限ることなく、断面形状が楕円形、扇形、四角形等の他の形状の筒体形状でも良い。収縮前のシリコン熱収縮チューブの外径に対し、クリアランス分を考慮した大きさであって、絶縁体２の隣り合う他の凹部２ａとの間に十分な間隔を確保できるものであれば良い。
【００６１】
また、第１、第２の実施の形態では、接着部３にエポキシ系接着剤を使用したが、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ゴム系などの他の種類の接着剤でも良い。
また、ガラス封止（ハーメチック）でも良い。導体１、１’を確実に止め付け、真空を保持できるものであれば良い。
【００６２】
また、第３の実施の形態では、コンタクト・ピン３４の取り付けを半田付けで行ったが、カシメによっても良い。導体１、１’とリード線を接続できれば良い。
【００６３】
また、第３の実施の形態では、導体１とリード線３１の接続にコンタクト・ピン３４を使用したが、導体とリード線３１を直接半田付けしても良い。実施例２の導体１’等を用いて、リード線３１の端部の導体露出部分３１ｂを絡げて半田付けすることが可能である。
【００６４】
また、第１〜第３の実施の形態では、導体１、１’を覆う絶縁物３２に熱収縮チューブ３２を用いたが、粘着テープでも良い。導体１、１’を覆って絶縁が確保できるものであれば、同様に使用することができる。
【００６５】
また、第３の実施の形態では、リード線３１の片端の導体露出部分３１ａについて特に記述していないが、例えば、真空容器内に設置したモーター、センサー等に、半田付けやネジ止めで接続される。また、測定器類等との接続のため、コネクタ、配線用圧着端子類（丸端子、ホーク端子等）を取り付ける端末処理を行ったものも本発明のケ−ブルに含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の第１の実施の形態の多芯電流導入端子２０を側面方向から見た断面図である。
【図２】図１のＡの拡大断面図である。導体１を接着した絶縁体２の根元部分を示す。絶縁体２の真空側端面には凹部２aが形成されている。
【図３】本発明の第１、第２の実施の形態の導体１、１’の端部の拡大斜視図を示す。多心導入端子に使用する導体の端部加工を示した図である。 (ａ)が第１の実施形態の導体１の端部の面取り加工１ａを示す。（ｂ）が第２の実施の形態の導体１’の端部のネジ切り加工１ａ’を示す。
【図４】本発明の第３の実施の形態のケーブル３０を側面方向から見た断面図である。
【図５】図４のＢの拡大断面図である。導体１を接着した絶縁体２の根元部分を熱収縮チューブ３２で覆った様子を示す。熱収縮チューブ３２の一端が凹部２ａに挿入されている。
【図６】本発明の第３の実施の形態の導体１とリード線３１の端末処理方法を示す図である。（ａ）が導体１の端末処理、（ｂ）がリード線３１の端末処理を示す。
【図７】本発明の第３の実施の形態の導体１とリード線３１の接続方法を示す図である。（ａ）が、導体１とリード線３１を接続したところ、（ｂ）が、熱収縮チューブ３２を被せたところを示す。
【図８】従来の多芯電流導入端子６０を側方より見た断面図である。
【図９】多芯電流導入端子を真空側から見た正面図である。
【図１０】多芯電流導入端子を大気側から見た正面図である。
【図１１】図８のＣの拡大断面図である。導体４１と絶縁体４２を接着した根元部分を示す。絶縁体４２の真空側端面は平らである。
【図１２】多芯電流導入端子６０を真空容器６に配置した模式図である。真空容器６の真空容器フランジ５と多芯電流導入端子ハウジング４４のフランジ４４ｂとの間にＯリング１０を挟んで、ボルト１１とナット１２で締結している。
【図１３】剥き出しの導体４１から放電４７が発生しているイメージの図である。
【図１４】従来の多芯電流導入端子６０を使用したケーブル７０を側方より見た断面図である。
【図１５】図１４のＤの拡大断面図である。導体４１と絶縁体４２を接着した根元に熱収縮チューブ７２の被らない導体４１の真空雰囲気露呈部分４９が生じている。
【符号の説明】
【００６７】
１・・・導体、１ａ・・・面取り、１’・・・導体、１ａ’・・・ネジ切り、２・・・絶縁体、２ａ・・・凹部、３・・・接着部（真空気密部）、４・・・多芯電流導入端子ハウジング、４ａ・・・円筒部、４ｂ・・・フランジ、４ｃ・・・ボルト穴、５・・・真空容器フランジ（ポート）、６・・・真空容器、
１０・・・ガスケット、１１・・・ボルト、１２・・・ナット、
２０・・・多芯電流導入端子、
３０・・・ケーブル、３１・・・リード線、３１ａ・・・導体露出部分、３１ｂ・・・導体露出部分、３２・・・絶縁物（熱収縮チューブ）、３４・・・コンタクト・ピン、３４ａ・・・第１円筒部、３４ｂ・・・第２円筒部、
４１・・・導体、４２・・・絶縁体、４３・・・接着部（真空気密部）、４４・・・多芯電流導入端子ハウジング、４４ａ・・・円筒部、４４ｂ・・・フランジ、４４ｃ・・・ボルト穴、４７・・・放電（グロー）、４９・・・導体の真空雰囲気露呈部、
６０・・・多芯電流導入端子、
７０・・・ケーブル、７１・・・リード線、７１ａ・・・導体露出部分、７２・・・絶縁物（熱収縮チューブ）、
Ｌ・・・絶縁体２の凹部２ａの深さ、ｍ・・・導体１の面取り長さ、ｍ’・・・導体１’のネジ切り長さ、
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器を貫いて電気接続を行うべく、複数芯の導体と、前記導体と前記真空容器及び個々の導体間の絶縁を保つための絶縁体とを備えた多芯電流導入端子において、前記絶縁体に前記導体を通すための貫通孔を設け、前記貫通孔の真空側に凹部を形成していることを特徴とする多芯電流導入端子。
【請求項２】
前記導体が２〜５０芯であることを特徴とする請求項１に記載の多芯電流導入端子。
【請求項３】
前記凹部が、前記貫通孔に対して同心円的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多芯電流導入端子。
【請求項４】
前記凹部は、前記絶縁体の真空側端面より２〜５ｍｍ凹であることを特徴とする請求項１に記載の多芯電流導入端子。
【請求項５】
前記絶縁体の前記導体を通す貫通孔に前記導体を止め付け、且つ前記貫通孔の側壁面と前記導体との間の気密封止を接着剤またはガラス封止により行うことを特徴とする請求項１に記載の多芯電流導入端子。
【請求項６】
前記多芯電流導入端子と前記導体を覆う絶縁物を併用することで１０Ｅ−７〜１０Ｅ＋２Ｐａの真空空間において０〜５ｋＶの電圧で前記多芯電流導入端子の真空側で且つ導体間及び導体と真空容器との間で発生する不必要な放電を抑制できることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の多芯電流導入端子。
【請求項７】
前記絶縁物が、熱収縮チューブ、粘着テープのいずれかであることを特徴とする請求項６に記載の多芯電流導入端子。
【請求項８】
前記真空容器を貫いて電気接続を行うべく、複数芯の前記導体と、前記導体と前記真空容器及び個々の前記導体間の絶縁を保つための前記絶縁体とを備えた多芯電流導入端子であって、前記絶縁体に前記導体を通すための貫通孔を設け、前記貫通孔の真空側に凹部を形成している多芯電流導入端子と、前記多芯電流導入端子の前記導体を覆う絶縁物と、前記真空容器内の機器に接続されるリード線とからなることを特徴とするケーブル。
【請求項９】
前記多芯電流導入端子の前記導体と前記リード線の接続に、コンタクト・ピンを用いたことを特徴とする請求項８に記載のケーブル。
【請求項１０】
前記リ−ド線が、被覆線であることを特徴とする請求項８に記載のケーブル。
【請求項１１】
前記多芯電流導入端子の前記導体を覆う前記絶縁物が、前記多芯電流導入端子の前記導体と前記リード線の接続部分も含めて覆うようにしたことを特徴とする請求項８に記載のケーブル。
【請求項１２】
前記絶縁物が、熱収縮チューブ、粘着テープのいずれかであることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれかに記載のケーブル。
【請求項１】
真空容器を貫いて電気接続を行うべく、複数芯の導体と、前記導体と前記真空容器及び個々の導体間の絶縁を保つための絶縁体とを備えた多芯電流導入端子において、前記絶縁体に前記導体を通すための貫通孔を設け、前記貫通孔の真空側に凹部を形成していることを特徴とする多芯電流導入端子。
【請求項２】
前記導体が２〜５０芯であることを特徴とする請求項１に記載の多芯電流導入端子。
【請求項３】
前記凹部が、前記貫通孔に対して同心円的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多芯電流導入端子。
【請求項４】
前記凹部は、前記絶縁体の真空側端面より２〜５ｍｍ凹であることを特徴とする請求項１に記載の多芯電流導入端子。
【請求項５】
前記絶縁体の前記導体を通す貫通孔に前記導体を止め付け、且つ前記貫通孔の側壁面と前記導体との間の気密封止を接着剤またはガラス封止により行うことを特徴とする請求項１に記載の多芯電流導入端子。
【請求項６】
前記多芯電流導入端子と前記導体を覆う絶縁物を併用することで１０Ｅ−７〜１０Ｅ＋２Ｐａの真空空間において０〜５ｋＶの電圧で前記多芯電流導入端子の真空側で且つ導体間及び導体と真空容器との間で発生する不必要な放電を抑制できることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の多芯電流導入端子。
【請求項７】
前記絶縁物が、熱収縮チューブ、粘着テープのいずれかであることを特徴とする請求項６に記載の多芯電流導入端子。
【請求項８】
前記真空容器を貫いて電気接続を行うべく、複数芯の前記導体と、前記導体と前記真空容器及び個々の前記導体間の絶縁を保つための前記絶縁体とを備えた多芯電流導入端子であって、前記絶縁体に前記導体を通すための貫通孔を設け、前記貫通孔の真空側に凹部を形成している多芯電流導入端子と、前記多芯電流導入端子の前記導体を覆う絶縁物と、前記真空容器内の機器に接続されるリード線とからなることを特徴とするケーブル。
【請求項９】
前記多芯電流導入端子の前記導体と前記リード線の接続に、コンタクト・ピンを用いたことを特徴とする請求項８に記載のケーブル。
【請求項１０】
前記リ−ド線が、被覆線であることを特徴とする請求項８に記載のケーブル。
【請求項１１】
前記多芯電流導入端子の前記導体を覆う前記絶縁物が、前記多芯電流導入端子の前記導体と前記リード線の接続部分も含めて覆うようにしたことを特徴とする請求項８に記載のケーブル。
【請求項１２】
前記絶縁物が、熱収縮チューブ、粘着テープのいずれかであることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれかに記載のケーブル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００８−５３００７（Ｐ２００８−５３００７Ａ）
【公開日】平成２０年３月６日（２００８．３．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２２６９００（Ｐ２００６−２２６９００）
【出願日】平成１８年８月２３日（２００６．８．２３）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年３月６日（２００８．３．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年８月２３日（２００６．８．２３）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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