積層型電子部品及び積層型電子部品の周波数特性の調整方法
【課題】通過周波数帯域の特性に影響を与えることなく減衰周波数帯域の特性を変えることを目的とする。
【解決手段】複数の絶縁基板（Ｍ１〜Ｍ８）が積層されてなる積層型電子部品１０であって、外部電極１０６と、第１の導体パターン１２１が形成されている第１の絶縁基板Ｍ２と、前記外部電極１０６に接続され、前記第１の導体パターン１２１と一部が重なり、前記第１の導体パターン１２１と重ならない部分に切り欠き部を有する第２の導体パターン１１１が形成されている第２の絶縁基板Ｍ１と、前記第１の導体パターン１２１に接続されるインダクタ導体１２１ｔとを備える。
【解決手段】複数の絶縁基板（Ｍ１〜Ｍ８）が積層されてなる積層型電子部品１０であって、外部電極１０６と、第１の導体パターン１２１が形成されている第１の絶縁基板Ｍ２と、前記外部電極１０６に接続され、前記第１の導体パターン１２１と一部が重なり、前記第１の導体パターン１２１と重ならない部分に切り欠き部を有する第２の導体パターン１１１が形成されている第２の絶縁基板Ｍ１と、前記第１の導体パターン１２１に接続されるインダクタ導体１２１ｔとを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型電子部品に関し、特にバンドパスフィルタ、ダイプレクサ、マルチプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
インダクタ導体とキャパシタを用いて形成される共振回路を有するバンドパスフィルタが知られている（特許文献１）。バンドパスフィルタの通過帯域周波数と減衰周波数帯域はインダクタ導体の値とキャパシタの値によって決まる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１２４７６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来のバンドパスフィルタでは、通過周波数帯域の特性に影響を与えることなく減衰周波数帯域の特性を変えることが困難であるという問題があった。
【０００５】
本発明は上記課題を解決し、通過周波数帯域の特性に影響を与えることなく減衰周波数帯域の特性を変えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は以下の態様を備える。
【０００７】
本発明の第１の態様は、複数の絶縁基板が積層されてなる積層型電子部品であって、外部電極と、第１の導体パターンが形成されている第１の絶縁基板と、前記外部電極に接続され、前記第１の導体パターンと一部が重なり、前記第１の導体パターンと重ならない部分に切り欠き部を有する第２の導体パターンが形成されている第２の絶縁基板と、前記第１の導体パターンに接続されるインダクタ導体とを備える。この態様によれば、積層型電子部品は、切り欠き部を有することにより、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰周波数帯域の特性のみを変えることが容易にできる。
【０００８】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、前記インダクタ導体として、一端が前記第１の導体パターンに接続されている第１のインダクタ導体と、一端が前記第１のインダクタ導体の他端に接続され、他端が前記外部電極に接続されている第２のインダクタ導体とを備えていてもよい。この態様によれば、切り欠き部を備えることにより、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰周波数帯域の特性のみを変えることが容易にできる。
【０００９】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、前記第１のインダクタ導体及び前記第２のインダクタ導体の少なくとも一方を分布定数素子として利用してもよい。この態様では、インダクタ導体を分布定数素子として利用する場合であっても、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰周波数帯域の特性のみを変えることが容易にできる。
【００１０】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品は、前記第１の導体パターン、前記第２の導体パターン、前記第１のインダクタ導体、及び前記第２のインダクタ導体を有するバンドパスフィルタ回路を備えていてもよい。この態様によれば、バンドパスフィルタ回路の通過帯域周波数に影響を与えることなく減衰周波数帯域のみを変えることが容易にできる。
【００１１】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品は、所定の通過周波数帯域をそれぞれ有する複数のフィルタ回路を備えるマルチプレクサであって、前記複数のフィルタ回路のうち少なくとも１つは、前記バンドパスフィルタ回路であってもよい。この態様によれば、マルチプレクサの通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰周波数帯域の特性のみを変えることが容易にできる。
【００１２】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、前記切り欠き部がカギ型をしていてもよい。この態様によれば、レイアウト的にまっすぐな切り欠き部を設けることが困難な時にでも、所望の減衰周波数帯域が得られるように切り欠き部を設けることができる。
【００１３】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、前記切り欠き部は、前記第２の導体パターンに囲まれていてもよい。この態様によれば、切り欠き部を第２の導体パターンに囲まれるように配置することにより、通過帯域周波数に影響を与えることなく減衰周波数帯域のみを変えることができる。
【００１４】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、前記第２の導体パターンに前記切り欠き部が複数備えられていてもよい。この態様によれば、切り欠き部を分割して複数備えていても、通過帯域周波数に影響を与えることなく減衰周波数帯域のみを変えることができる。
【００１５】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、さらに、前記第１の絶縁基板上に前記第２の導体パターンと重なる第３の導体パターンを有し、前記第２の導体パターン上の、前記第１の導体パターンと重なる部分、及び前記第３の導体パターンと重なる部分、の間に前記切り欠き部が設けられていてもよい。この態様によれば、切り欠き部を２つの導体パターンの間に設けることにより、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰周波数帯域の特性のみを変えることができる。
【００１６】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、前記切り欠き部は、前記外部電極に接続される導体パターン以外の導体パターンのいずれとも重ならない位置に設けられていてもよい。この態様によれば、切り欠き部と、他の素子を形成する導体パターンとが重ならないため、切り欠き部と他の素子の間の相互作用を抑制できる。
【００１７】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、前記外部電極と前記第２の導体パターンとの接続部の幅は、前記外部電極の幅と異なっていてもよい。この態様によれば、切り欠き部を設けることに加えて、さらに、外部電極と第２のパターンとの接続部の幅を異ならせることにより、通過帯域周波数に影響を与えることなく減衰帯域周波数を変えることができる。
【００１８】
本発明の第２の態様に係る発明は、複数の絶縁基板を積層してなる積層型電子部品の周波数特性の調整方法であって、前記積層型電子部品は外部電極と、第１の導体パターンが形成されている第１の絶縁基板と、前記外部電極に接続され、前記第１の導体パターンと一部が重なる第２の導体パターンが形成されている第２の絶縁基板と、前記第１の導体パターンに接続されるインダクタ導体とを備え、前記第２の導体パターン上であって、前記第１の導体パターンと重ならない部分に切り欠き部を設け、前記切り欠き部の位置、大きさ、形状を調整することにより、積層型電子部品の周波数特性を調整する。この態様によれば、通過帯域周波数に影響を与えることなく減衰周波数帯域のみを容易に調整できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
１．第１の実施例
図１及び図２を用いて、第１の実施例に係るバンドパスフィルタの外観について説明する。図１は、第１の実施例に係るバンドパスフィルタの上面を上にした外観を模式的に示す説明図である。図２は、第１の実施例に係るバンドパスフィルタの下面を上にした外観を模式的に示す説明図である。
【００２０】
バンドパスフィルタ１０は、複数の絶縁基板Ｍ１から絶縁基板Ｍ８を積層してなる電子部品である。バンドパスフィルタ１０の側面には側面電極１０２から側面電極１０６が形成されている。側面電極１０２は入力端子（ＩＮ）、側面電極１０４は出力端子（ＯＵＴ）、側面電極１０６はグランド端子（ＧＮＤ）として機能する。なお、本実施例では、側面電極１０６は４本設けられている。
【００２１】
各絶縁基板の構成：
図３は、第１の実施例に係るバンドパスフィルタ１０を構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図である。ここで、最上層の絶縁基板Ｍ８は、いわゆる蓋であり、内部に導体パターンが存在しない。したがって、絶縁基板Ｍ８については図３への記載を省略する。まず、各絶縁基板の導体パターンについて説明し、次に、各絶縁基板間の導体パターンを繋ぐスルーホール配線について説明する。
【００２２】
絶縁基板Ｍ１には、外周部を除いたほぼ全面に導体パターン１１１が形成されている。導体パターン１１１には、切り欠き部１１２が設けられている。導体パターン１１１は、側面電極１０６と接続されている。
【００２３】
絶縁基板Ｍ２には、導体パターン１２１と導体パターン１２２とが形成されている。導体パターン１２１と導体パターン１２２は略長方形にスルーホール配線を接続するための凸部が付加された形状をしている。導体パターン１２１と導体パターン１２２は、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ１の導体パターン１１１と重なる。
【００２４】
絶縁基板Ｍ３には、導体パターン１３１から導体パターン１３４の４つの導体パターンが形成されている。導体パターン１３１は、略長方形の導体パターンと、略長方形の導体パターンを側面電極１０２に接続する細い導体パターンとからなる。導体パターン１３２は、略長方形の導体パターンと、略長方形の導体パターンを側面電極１０４に接続する細い導体パターンとからなる。絶縁基板を積層したときに、導体パターン１３３は、絶縁基板Ｍ２の導体パターン１２１の凸部と重なり、導体パターン１３３は、絶縁基板Ｍ２の導体パターン１２２の凸部と重なる。
【００２５】
絶縁基板Ｍ４には、導体パターン１４１及び導体パターン１４２が形成されている。導体パターン１４１は、略長方形の導体パターンであり、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ３の導体パターン１３１の略長方形の導体パターン及び導体パターン１３３と重なる。導体パターン１４２は、略長方形の導体パターンであり、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ３の導体パターン１３２の略長方形の導体パターン及び導体パターン１３４と重なる。
【００２６】
絶縁基板Ｍ５には、導体パターン１５１から導体パターン１５３の３つの導体パターンが形成されている。導体パターン１５１は、略長方形の導体パターンであり、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ４の導体パターン１４１の一部及び導体パターン１４２の一部と重なる。導体パターン１５２は、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ３の導体パターン１３３と重なる。導体パターン１５３は、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ３の導体パターン１３４と重なる。
【００２７】
絶縁基板Ｍ６には、導体パターン１６１及び導体パターン１６２が形成されている。導体パターン１６１は細長い棒状をしており、絶縁基板を積層したときに導体パターン１６１の一端は絶縁基板Ｍ５の導体パターン１５２と重なる。導体パターン１６２は細長い棒状をしており、絶縁基板を積層したときに導体パターン１６２の一端は絶縁基板Ｍ５の導体パターン１５３と重なる。
【００２８】
絶縁基板Ｍ７には、外周部を除いたほぼ全面に導体パターン１７１が形成されている。導体パターン１７１は、側面電極１０６と接続されている。
【００２９】
バンドパスフィルタ１０は、４本のスルーホール配線を有する。スルーホール配線とは、上層の絶縁基板上の導体パターンと下層の絶縁基板上の導体パターンとを繋ぐ配線である。スルーホール配線は、上層の絶縁基板上の導体パターンの下の部分に上層の絶縁基板を貫通する孔（スルーホールあるいはビアホールという。）が形成され、孔が導体で充填されることにより形成される。本実施例では、スルーホール配線には、＊＊＊ｔというように最後の文字が「ｔ」となるように符号を付けている。
【００３０】
スルーホール配線１２１ｔは、導体パターン１２１（絶縁基板Ｍ２）、導体パターン１３３（絶縁基板Ｍ３）、導体パターン１４１（絶縁基板Ｍ４）、導体パターン１５２（絶縁基板Ｍ５）、及び導体パターン１６１（絶縁基板Ｍ６）を繋いでいる。スルーホール配線１２２ｔは、導体パターン１２２（絶縁基板Ｍ２）、導体パターン１３４（絶縁基板Ｍ３）、導体パターン１４２（絶縁基板Ｍ４）、導体パターン１５３（絶縁基板Ｍ５）、及び導体パターン１６２（絶縁基板Ｍ６）を繋いでいる。
【００３１】
スルーホール配線１６１ｔは、導体パターン１６１（絶縁基板Ｍ６）と導体パターン１７１（絶縁基板Ｍ７）とを繋いでいる。スルーホール配線１６２ｔは、導体パターン１６２（絶縁基板Ｍ６）と導体パターン１７１（絶縁基板Ｍ７）とを繋いでいる。
【００３２】
等価回路：
図４は、第１の実施例に係るバンドパスフィルタの等価回路である。
【００３３】
バンドパスフィルタ１０の入力端子ＩＮにはキャパシタＣ１１が接続されている。キャパシタＣ１１の入力端子ＩＮと反対側には、インダクタＬ１１の一端及びインダクタＬ１２の一端が接続されている。インダクタＬ１１の他端はグランドに接地され、インダクタＬ１２の他端はキャパシタＣ１２を介して、グランドに接地されている。
【００３４】
バンドパスフィルタ１０の出力端子ＯＵＴにはキャパシタＣ２１が接続されている。キャパシタＣ２１の出力端子ＯＵＴと反対側には、インダクタＬ２１の一端及びインダクタＬ２２の一端が接続されている。インダクタＬ２１の他端はグランドに接地され、インダクタＬ２２の他端はキャパシタＣ２２を介して、グランドに接地されている。
【００３５】
キャパシタＣ１１の入力端子ＩＮと反対側と、キャパシタＣ２１の出力端子ＯＵＴと反対側と、の間には、キャパシタＣ３１ａ及びキャパシタＣ３１ｂが直列に接続されている。
【００３６】
等価回路と図３に示す導体パターンとの関係：
図５は、等価回路の素子と、素子を形成する導体パターン・配線との関係を示す説明図である。なお、図５においては、導体パターン、スルーホール配線の文字を省略し、符号のみ記載している。
【００３７】
キャパシタＣ１１は導体パターン１３１（絶縁基板Ｍ３）と導体パターン１４１（絶縁基板Ｍ４）の重なりにより構成されている。同様に、キャパシタＣ１２は導体パターン１２１（絶縁基板Ｍ２）と導体パターン１１１（絶縁基板Ｍ１）の重なりにより、キャパシタＣ３１ａは導体パターン１４１（絶縁基板Ｍ４）と導体パターン１５１（絶縁基板Ｍ５）の重なりにより、キャパシタＣ３１ｂは導体パターン１４２（絶縁基板Ｍ４）と導体パターン１５１（絶縁基板Ｍ５）の重なりにより、キャパシタＣ２１は導体パターン１３２（絶縁基板Ｍ３）と導体パターン１４２（絶縁基板Ｍ４）の重なりにより、キャパシタＣ２２は導体パターン１２２（絶縁基板Ｍ２）と導体パターン１１１（絶縁基板Ｍ１）の重なりにより構成されている。
【００３８】
インダクタＬ１１は、スルーホール配線１２１ｔのうち絶縁基板Ｍ４の表面から絶縁基板Ｍ６表面の間の部分にあるスルーホール配線、導体パターン１６１、及びスルーホール配線１６１ｔの直列結合により構成されている。同様に、インダクタＬ１２はスルーホール配線１２１ｔのうち絶縁基板Ｍ２の表面から絶縁基板Ｍ４の表面の間の部分にあるスルーホール配線を用いて構成されている。インダクタＬ２１は、スルーホール配線１２２ｔのうち絶縁基板Ｍ４の表面から絶縁基板Ｍ６の表面の間の部分にあるスルーホール配線、導体パターン１６２、及びスルーホール配線１６２ｔの直列結合により構成されている。インダクタＬ２２はスルーホール配線１２２ｔのうち絶縁基板Ｍ２の表面から絶縁基板Ｍ４の表面の間の部分にあるスルーホール配線を用いて構成されている。
【００３９】
第１の実施例では、インダクタＬ１１、Ｌ１２、Ｌ２１、及びＬ２２は分布定数素子である。分布定数素子とは、集中定数素子に対するものであり、例えば、素子の物理的大きさが信号の波長に比較して小さくなく、素子の特性を考慮する際に素子の物理的大きさを考慮して取り扱わなければならないものをいう。すなわち、分布定数素子では、素子の物理的大きさと信号の波長との関係が素子の特性に大きな影響を与える。なお、同じ素子であっても、低周波（信号の波長が長い）の場合には、集中定数素子として扱えるが、高周波（信号の波長が短い）の場合では、集中定数素子としては扱えず、分布定数素子として扱わなければならない場合は、あり得る。
【００４０】
図６及び図７を用いて、第１の実施例に係るバンドパスフィルタ１０の切り欠き部の構造と特性について説明する。図６は、切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。図７は、第１の実施例に係るバンドパスフィルタ１０の透過特性（ＳパラメータのＳ２１）を示すグラフである。
【００４１】
図６では、切り欠き部１１２の構造をわかりやすくするため、導体パターン１１１、導体パターン１２１、及び導体パターン１２２のみを描き、他の導体パターンについては、記載を省略している。ここで長さＬは、切り欠き部１１２の凹の深さを示している。切り欠き部１１２の凹の深さと透過特性との関係をみると、減衰帯域周波数（約１０〜１５ＧＨｚ）において、減衰極の発生周波数は、切り欠き部１１２がある場合の方が、切り欠き部１１２が無い場合に比べて低周波数側に移動している。また、切り欠き部１１２の凹の深さが深い方が減衰極の発生周波数はより低周波数側に移動している。一方、通過帯域周波数（約５〜６ＧＨｚ）では、切り欠き部１１２の有無、凹の深さによる透過特性の違いは生じていない。
【００４２】
図８及び図９を用いて、比較例について説明する。図８は比較例に係るバンドパスフィルタの構成を模式的に示す説明図である。図９は比較例に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【００４３】
比較例と第１の実施例構造は、導体パターン１１１の切り欠き部１１２の有無と導体パターン１２１、１２２の大きさとを除いて同じであるため、比較例の構造については説明を省略する。比較例では、長さＬは、図８における導体パターン１２１の左辺の長さ及び導体パターン１２２の右辺の長さを示す。比較例では、導体パターン１２１、１２２の大きさを変えることにより、図４に示す等価回路のＣ１２、Ｃ２２のキャパシタのキャパシタンスを変えている。比較例では長さＬを大きくするほど（Ｃ１２、Ｃ２２のキャパシタのキャパシタンスを大きくするほど）、減衰帯域周波数における、減衰極の発生周波数は、低周波数側に移動している。しかし、通過帯域周波数では、長さＬを大きくするほど、通過帯域周波数が高周波側に移動している。すなわち、Ｃ１２、Ｃ２２のキャパシタのキャパシタンスを変えることでは、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数のみを変えることはできない。
【００４４】
以上のように、第１の実施例によれば、導体パターン１２１と導体パターン１１１とが重なり、導体パターン１２１にはインダクタＬ１２が接続され、導体パターン１１１には切り欠き部１１２が設けられている。その結果、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を変えることができる。
【００４５】
インダクタＬ１２の導体パターン１２１と接続される端と反対側の端には導体パターン１４１が接続され、導体パターン１４１にはインダクタＬ１１が接続され、インダクタＬ１１の他端は導体パターン１７１に接続されている。第１の実施例によれば、インダクタが、一端が導体パターン１２１に接続されているインダクタＬ１２と、一端がインダクタＬ１２の他端に接続され、他端が側面電極１０６に接続される導体パターン１７１に接続されているインダクタＬ１１とからなる場合であっても、導体パターン１１１に切り欠き部１１２を設けることにより、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を変えることができる。
【００４６】
また、インダクタＬ１１、Ｌ１２、Ｌ２１，及びＬ２２として分布常数素子を用いている場合には、インダクタを変えることは困難であり、上述したようにキャパシタを変えたのでは、通過帯域周波数に影響を与えてしまう。しかし、第１の実施例によれば、インダクタとして分布常数素子を用いている場合であっても、導体パターン１１１に切り欠き部１１２を設けることにより、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を変えることができる。
【００４７】
変形例１：
図１０及び図１１を用いて、第１の実施例の変形例１について説明する。図１０は変形例１に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。図１１は、変形例１に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。変形例１は、切り欠き部１１２の凹の幅Ｗを変化させたものである。
【００４８】
切り欠き部１１２の凹の幅Ｗを広くすることにより、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は低くなる。一方、通過帯域周波数では、切り欠き部１１２の凹の幅Ｗによる違いは生じていない。すなわち、変形例１に示すように、切り欠き部１１２を設け。その凹の幅を変えてもよい。例えば、レイアウト的に切り欠き部１１２の凹の深さを深くすることができない場合に有効である。
【００４９】
変形例２：
図１２及び図１３を用いて、第１の実施例の変形例２について説明する。図１２は変形例２に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。図１３は、変形例２に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。変形例２は、切り欠き部１１２の形状をカギ型にしたものである。
【００５０】
切り欠き部１１２の凹の深さＬを一定にした場合には、カギ型にした方が、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は低くなる。また、切り欠き部の面積が同じ場合には、カギ型にした方が減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は高い。例えば、切り欠き部１１２を設けた後、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数をもう少し低くしたい場合には、切り欠き部１１２の形状をカギ型にするとよい。また、レイアウト的に切り欠き部１１２の凹の深さを深くすることができない場合に有効である。なお、切り欠き部１１２の形状をカギ型にしても、通過帯域周波数における透過特性に違いは生じていない。
【００５１】
変形例３：
図１４及び図１５を用いて、第１の実施例の変形例３について説明する。図１４は変形例３に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。図１５は、変形例３に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。変形例３は、切り欠き部１１２を、導体パターン１１１の内部に設けたものである。
【００５２】
切り欠き部１１２の長さＬを長くすることにより、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は低くなる。第１の実施例と比較すると、切り欠き部１１２の大きさを同じにした場合には、変形例３の方が第１の実施例よりも減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は高い。減衰極の発生周波数を変動させたいが、大きく変動させたくない場合に有効である。なお、通過帯域周波数では、切り欠き部１１２の凹の長さＬによる違いは生じていない。
【００５３】
変形例４：
図１６及び図１７を用いて、第１の実施例の変形例４について説明する。図１６は変形例４に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。図１７は、変形例４に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。変形例４は、切り欠き部１１２を、複数設けたものである。
【００５４】
切り欠き部１１２の長さＬを長くすることにより、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は低くなる。第１の実施例と比較すると、切り欠き部１１２の面積を同じにした場合には、変形例４の方が第１の実施例よりも減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は高い。しかし、変形例４では、切り欠き部１１２を対称形に設けることができ、例えば入力側回路と出力側回路とをレイアウトを含めて対称形にすることができるというメリットがある。なお、通過帯域周波数では、切り欠き部１１２の凹の長さＬによる違いは生じていない。
【００５５】
変形例５：
図１８及び図１９を用いて、第１の実施例の変形例５について説明する。図１８は変形例５に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。図１９は、変形例５に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。変形例５は、導体パターン１１１の導体パターン１２１と重なる部分と、導体パターン１１１の導体パターン１２２と重なる部分と、の間に切り欠き部１１２を設けたものである。
【００５６】
切り欠き部１１２の長さＬを長くすることにより、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は、第１の実施例とは異なり、高周波数側に移動する。第１の実施例及び上記変形例はいずれも、切り欠きの凹の深さを深くする方、すなわち切り欠き部の大きさを大きくする方が、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は低くなったが、変形例５では逆に高くなる。変形例５は減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を高周波数側に移動させたい場合に有効である。通過帯域周波数では、切り欠き部１１２の凹の深さＬによる違いは生じていない。
【００５７】
変形例６：
図２０及び図２１を用いて、第１の実施例の変形例６について説明する。図２０は変形例６に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。図２１は、変形例６に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。変形例６は、絶縁基板を積層した時に切り欠き部１１２が絶縁基板Ｍ３の導体パターン１３１と重なるように、切り欠き部１１２を設けたものである。
【００５８】
切り欠き部１１２を設けることにより、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は低くなる。しかし、第１の実施例と比較して、切り欠き部１１２の凹の深さＬがより深い方が、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数がより低くなっておらず、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数と凹の深さＬとは必ずしも比例はしない。一方、切り欠き部１１２を、絶縁基板Ｍ３の導体パターン１３１と重なるように設けても、通過帯域周波数では透過特性の変化は発生していない。したがって、切り欠き部１１２を、他の導体パターンと重なるように設けることはかまわないが、他の導体パターンと重ならないように設ける方がより好ましい。
【００５９】
変形例７：
図２２及び図２３を用いて、第１の実施例の変形例７について説明する。図２２は変形例７に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。図２３は、変形例７に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。変形例７は、導体パターン１１１に切り欠き部１１２を設けるとともに、導体パターン１１１と側面電極１０６との接続部１１１ａの接続幅を狭くしたものである。
【００６０】
導体パターン１１１と側面電極１０６との接続部１１１ａの接続幅を狭くすることにより、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を低くできる。切り欠き部１１２を設けるだけでは、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数がまだ高い場合には、変形例７のように導体パターン１１１と側面電極１０６との接続部１１１ａの接続幅を狭くすることにより低くすることができる。なお、通過帯域周波数では透過特性の変化は発生していない。
【００６１】
変形例７では、切り欠き部１１２を設けたが、切り欠き部１１２を設けずに、導体パターン１１１と側面電極１０６との接続部１１１ａの接続幅を狭くしてもよい。逆に導体パターン１１１と側面電極１０６との接続部１１１ａの接続幅を太くしてもよい。減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を高くすることができる。また、変形例５において、導体パターン１１１と側面電極１０６との接続部１１１ａの接続幅を太くしてもよい。減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数をより高くすることができる。
【００６２】
２．第２の実施例
図２４を用いて、第２の実施例に係るバンドパスフィルタの各絶縁基板の構成について説明する。図２４は、第２の実施例に係るバンドパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図である。第２の実施例に係るバンドパスフィルタは第１の実施例に係るバンドパスフィルタとほぼ同じなので、異なる点について説明する。第２の実施例については、第１の実施例と同じ機能のものについては第１の実施例の符号に１００を足した符号を付している。
【００６３】
第２の実施例では、側面電極２０２から側面電極２０８が設けられているが、グランド端子となる側面電極２０６は３本である（以下、側面電極２０６を区別する場合には側面電極２０６ａ、側面電極２０６ｂ、側面電極２０６ｃという）。第１の実施例と比較して少なくなった１本は、側面電極２０８としてＮＣ端子となっている。ＮＣ端子のＮＣは、非接続（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）を意味し、ＮＣ端子は、バンドパスフィルタ内部の導体パターンとは接続されていない。第１の実施例では、側面電極１０６は、側面電極１０２の両側及び、側面電極１０４の両側に配置されている。一方、第２の実施例では、２本の側面電極２０６（側面電極２０６ａ、２０６ｂ）は、側面電極２０２の両側に配置されているが、残りの１本の側面電極２０６（２０６ｃ）は側面電極２０４と側面電極２０８の間に配置されている。
【００６４】
絶縁基板Ｍ１には、外周部を除いたほぼ全面に導体パターン２１１が形成されている。導体パターン２１１には、切り欠き部２１２が設けられている。切り欠き部２１２は、導体パターン２１１のほぼ中央部、側面電極２０６ｃの反対側から、側面電極２０６ｃに向かって凹むように形成されている。
【００６５】
絶縁基板Ｍ２から絶縁基板Ｍ７には、第１の実施例と同様に、導体パターンが設けられている。第２の実施例は、第１の実施例と比較して、導体パターンの形状が異なる点、及び導体パターンが図面上、切り欠き部２１２よりも左側に配置され切り欠き部２１２よりも右側には配置されていない点の２点が異なる。絶縁基板Ｍ７の導体パターン２７１は、側面電極２０６ａ、２０６ｃと接続され、側面電極２０６ｂとは接続されていない。
【００６６】
第２の実施例においては、等価回路、及び等価回路の素子と素子を形成する導体パターン・配線との関係は、第１の実施例と同じであるので説明を省略する。
【００６７】
図２５及び図２６を用いて、第２の実施例に係るバンドパスフィルタの切り欠き部の構造と特性について説明する。図２５は、切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。図２６は、第２の実施例に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【００６８】
第２の実施例では、切り欠き部２１２を設けないと、減衰帯域周波数において、減衰極が発生していないが、切り欠き部２１２を設けることにより、減衰極が発生する。また、切り欠き部２１２の大きさを大きくするほど減衰極の発生周波数は低くなる。切り欠き部２１２を設けても、通過帯域周波数では透過特性の変化は生じない。
【００６９】
以上、第２の実施例によれば、導体パターン２２１と導体パターン２１１とが重なり、導体パターン２２１にはインダクタＬ１２が接続され、導体パターン２１１には切り欠き部２１２が設けられている。その結果、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰極を発生させ、さらに、切り欠き部２１２の大きさを大きくすることにより減衰極の発生周波数を低周波側に移動させることができる。
【００７０】
３．第３の実施例
図２７及び図２８を用いて第３の実施例について説明する。図２７は、第３の実施例に係るバンドパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その１）である。図２８は、第３の実施例に係るバンドパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その２）である。第３の実施例については、第２の実施例と同じ機能のものについては第２の実施例の符号に１００を足した符号を付している。
【００７１】
絶縁基板Ｍ１からＭ６までの構成については第２の実施例と同じであるので、説明を省略する。
【００７２】
絶縁基板Ｍ７には、導体パターン３７１から導体パターン３７４が形成されている。導体パターン３７１は、細長い導体パターンであり、その一方の端は、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ２の導体パターン３２１と重なる。導体パターン３７２は、細長い導体パターンであり、その一方の端は、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ２の導体パターン３２２と重なる。絶縁基板を積層したときに、導体パターン３７３は、絶縁基板Ｍ６の導体パターン３６１の他端（絶縁基板Ｍ５の導体パターン３５２と重ならない端）と重なり、導体パターン３７４は、絶縁基板Ｍ６の導体パターン３６２の他端（絶縁基板Ｍ５の導体パターン３５３と重ならない端）と重なる。
【００７３】
絶縁基板Ｍ８には、導体パターン３８１から導体パターン３８４が形成されている。導体パターン３８１は、細長い導体パターンであり、一端が側面電極３０２に接続され、絶縁基板を積層しときに他端は絶縁基板Ｍ７の導体パターン３７１の他端と重なる。導体パターン３８２は、細長い導体パターンであり、一端が側面電極３０４に接続され、絶縁基板を積層したときに他端は絶縁基板Ｍ７の導体パターン３７２の他端と重なる。絶縁基板を積層したときに、導体パターン３８３は、絶縁基板Ｍ７の導体パターン３７３と重なり、導体パターン３８４は、絶縁基板Ｍ７の導体パターン３７４と重なる。
【００７４】
絶縁基板Ｍ９には導体パターン３９１が形成されている。導体パターン３９１は第２の実施例の絶縁基板Ｍ７の導体パターン３７１と同じ構成である。
【００７５】
第３の実施例に係るバンドパスフィルタは、６本のスルーホール配線を有する。
【００７６】
スルーホール配線３２１ｔは、導体パターン３２１（絶縁基板Ｍ２）、導体パターン３３３（絶縁基板Ｍ３）、導体パターン３４１（絶縁基板Ｍ４）、導体パターン３５２（絶縁基板Ｍ５）、導体パターン３６１（絶縁基板Ｍ６）、及び導体パターン３７１（絶縁基板Ｍ）７を繋いでいる。スルーホール配線３２２ｔは、導体パターン３２２（絶縁基板Ｍ２）、導体パターン３３４（絶縁基板Ｍ３）、導体パターン３４２（絶縁基板Ｍ４）、導体パターン３５３（絶縁基板Ｍ５）、導体パターン３６２（絶縁基板Ｍ６）、及び導体パターン３７２（絶縁基板Ｍ７）を繋いでいる。
【００７７】
スルーホール配線３６１ｔは、導体パターン３６１（絶縁基板Ｍ６）、導体パターン３７３（絶縁基板Ｍ７）、導体パターン３８３（絶縁基板Ｍ８）及び導体パターン３９１（絶縁基板Ｍ９）を繋いでいる。スルーホール配線３６２ｔは、導体パターン３６２（絶縁基板Ｍ６）、導体パターン３７４（絶縁基板Ｍ７）、導体パターン３８４（絶縁基板Ｍ８）、及び導体パターン３９１（絶縁基板Ｍ９）を繋いでいる。
【００７８】
スルーホール配線３７１ｔは、導体パターン３７１（絶縁基板Ｍ７）と導体パターン３８１（絶縁基板Ｍ８）とを繋いでいる。スルーホール配線３７２ｔは、導体パターン３７２（絶縁基板Ｍ７）と導体パターン３８２（絶縁基板Ｍ８）とを繋いでいる。
【００７９】
図２９を用いて、第３の実施例に係るバンドパスフィルタの等価回路について説明する。図２９は、第３の実施例に係るバンドパスフィルタの等価回路である。
【００８０】
バンドパスフィルタの入力端子ＩＮには、キャパシタＣ１１と、インダクタＬ１３及びインダクタＬ１４とを直列に接続したものとが並列に接続されている。インダクタＬ１３とインダクタＬ１４との接続部にはインダクタＬ１１の一端が接続され、インダクタＬ１１の他端はグランドに接地されている。キャパシタＣ１１の入力端子ＩＮと反対側には、インダクタＬ１２の一端が接続されている。インダクタＬ１２の他端はキャパシタＣ１２を介して、グランドに接地されている。
【００８１】
バンドパスフィルタの出力端子ＯＵＴには、キャパシタＣ２１と、インダクタＬ２３及びインダクタＬ２４とを直列に接続したものとが並列に接続されている。インダクタＬ２３とインダクタＬ２４の接続部にはインダクタＬ２１の一端が接続され、インダクタＬ２１の他端はグランドに接地されている。キャパシタＣ２１の出力端子ＯＵＴと反対側には、インダクタＬ２２の一端が接続されている。インダクタＬ２２の他端はキャパシタＣ２２を介して、グランドに接地されている。
【００８２】
キャパシタＣ１１の入力端子ＩＮと反対側と、キャパシタＣ２１の出力端子ＯＵＴと反対側と、の間には、キャパシタＣ３１ａ及びキャパシタＣ３１ｂが直列に接続されている。
【００８３】
第３の実施例のバンドパスフィルタの等価回路を第１、第２の実施例のバンドパスフィルタの等価回路を比較すると、第１、第２の実施例のバンドパスフィルタでは、入力端子ＩＮ及び出力端子ＯＵＴにはキャパシタＣ１１及びＣ２１が接続されるだけであったが、第３の実施例のバンドパスフィルタでは、キャパシタＣ１１及びＣ２１と並列にインダクタＬ１３及びＬ２３が付加されている点が異なる。
【００８４】
図３０を用いて、等価回路と導体パターンとの関係を説明する。図３０は、等価回路の素子と、素子を形成する導体パターン・配線との関係を示す説明図である。ここで、キャパシタの構成については第１の実施例と同じであるので、説明を省略する。
【００８５】
インダクタＬ１１は、スルーホール配線３６１ｔと導体パターン３６１の直列結合により構成されている。インダクタＬ１２はスルーホール配線３２１ｔのうち絶縁基板Ｍ２の表面から絶縁基板Ｍ４の表面の間の部分のスルーホール配線の直列結合により構成されている。インダクタＬ１３は、導体パターン３８１、スルーホール配線３７１ｔ、導体パターン３７１、スルーホール配線３２１ｔのうち絶縁基板Ｍ６の表面から絶縁基板Ｍ７の表面の間の部分のスルーホール配線の直列結合により構成されている。インダクタＬ１４は、スルーホール配線３２１ｔのうち絶縁基板Ｍ４の表面から絶縁基板Ｍ６の表面の間の部分にあるスルーホール配線を用いて構成されている。
【００８６】
インダクタＬ２１は、スルーホール配線３６２ｔと導体パターン３６２の直列結合により構成されている。インダクタＬ２２はスルーホール配線３２２ｔのうち絶縁基板Ｍ２の表面から絶縁基板Ｍ４の表面の間の部分のスルーホール配線の直列結合により構成されている。インダクタＬ２３は、導体パターン３８２、スルーホール配線３７２ｔ、導体パターン３７２、スルーホール配線３２２ｔのうち絶縁基板Ｍ６の表面から絶縁基板Ｍ７の表面の間の部分のスルーホール配線の直列結合により構成されている。インダクタＬ２４は、スルーホール配線３２２ｔのうち絶縁基板Ｍ４の表面から絶縁基板Ｍ６の表面の間の部分にあるスルーホール配線を用いて構成されている。
【００８７】
図３１及び図３２を用いて、第３の実施例に係るバンドパスフィルタの切り欠き部の構造と特性について説明する。図３１は、切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。図３２は、第３の実施例に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【００８８】
切り欠き部３１２の凹の深さと透過特性との関係をみると、切り欠き部３１２の凹の深さがより深い方が減衰帯域周波数において、減衰極の発生周波数は低周波数側に移動している。一方、通過帯域周波数では、切り欠き部３１２の凹の深さによる違いは生じていない。
【００８９】
第３の実施例によれば、キャパシタＣ１１及びＣ２１と並列にインダクタＬ１３及びＬ２３が設けられていても、切り欠き部３１２を設けることにより、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を変えることができる。すなわち、入力部、出力部の構成にかかわらず、導体パターン３１１に切り欠き部を設けることにより、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を変えることができる。
【００９０】
第２、第３の実施例では、積層型電子部品の左半分しか導体パターンを設けていない。これは、これは、積層型電子部品の右半分には、導体パターンを配置しないという訳ではなく、積層型電子部品の右半分に他のフィルタ回路を構成し、ダイプレクサ、マルチプレクサを形成してもよい。これについては、第４の実施例で説明する。なお、ダイプレクサ（ｄｉｐｌｅｘｅｒ）のダイ（ｄｉ）は「２」を意味する接頭語であり、マルチプレクサ（ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ）のマルチ（ｍｕｌｔｉ）は「多数の」を意味する接頭語であり、マルチプレクサという場合には、ダイプレクサも含む。
【００９１】
４．第４の実施例
図３３から図３７を用いて第４の実施例に係るダイプレクサについて説明する。図３３は、第４の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その１）である。図３４は、第４の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その２）である。図３５は、第４の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その３）である。図３６は、第４の実施例に係るダイプレクサの等価回路図である。図３７は、等価回路の素子と、素子を形成する導体パターン・配線との関係を示す説明図である。
【００９２】
第４の実施例に係るダイプレクサは、２つのバンドパスフィルタ、すなわち、ハイバンドフィルタ４０ａとローバンドフィルタ４０ｂを有する。第４の実施例では、第３の実施例と側面電極４０２から側面電極４０８の機能が異なり、側面電極４０２はＡＮＴ端子、側面電極４０４はＨＢ端子、側面電極４０８はＬＢ端子となっている。ハイバンドフィルタ４０ａについては、第３の実施例で説明したバンドパスフィルタとほぼ同じである。したがって、第４の実施例については、第３の実施例と同じ機能のものについては第３の実施例の符号に１００を足した符号を付している。
【００９３】
図３３から図３５に示す分解斜視図において、ハイバンドフィルタ４０ａは、各絶縁基板の左半分に形成される導体パターンにより構成され、ローバンドフィルタ４０ｂは、各絶縁基板の右半分に形成される導体パターンにより構成される。以下、ダイプレクサの構成について、ハイバンドフィルタ４０ａとローバンドフィルタ４０ｂに分けて説明する。
【００９４】
ハイバンドフィルタ４０ａの構成：
ハイバンドフィルタ４０ａについて、絶縁基板Ｍ２から絶縁基板Ｍ８までの構成は、第３の実施例と同じである。したがって、絶縁基板Ｍ２から絶縁基板Ｍ８までの構成についての説明は省略し、絶縁基板Ｍ１及び絶縁基板Ｍ９から絶縁基板Ｍ１２までについて説明する。
【００９５】
絶縁基板Ｍ１の構成は、第３の実施例の構成とほぼ同じである。第３の実施例と同様にほぼ全面に導体パターン４１１が形成されている。ただし、切り欠き部４１２は、図面右側（ローバンドフィルタ４０ｂ側）に折れたカギ型である点が異なる。絶縁基板Ｍ９には、導体パターン４９１と導体パターン４９２が形成されている。導体パターン４９１は、絶縁基板Ｍ８の導体パターン４８３と重なっており、導体パターン４９２は、絶縁基板Ｍ８の導体パターン４８４と重なっている。絶縁基板Ｍ１０、Ｍ１１は、絶縁基板Ｍ９と同じ構成であり、それぞれ導体パターン５０１、５０２と導体パターン５１１，５１２が形成されている。導体パターン５０１、５１１は絶縁基板Ｍ８の導体パターン４８３と重なっており、導体パターン５０２、５１２は絶縁基板Ｍ８の導体パターン４８４と重なっている。絶縁基板Ｍ１２には、導体パターン５２１が形成されている。なお、絶縁基板Ｍ１２の構成は、第３の実施例の絶縁基板Ｍ９と同じ構成である。
【００９６】
第４の実施例に係るダイプレクサはハイバンドフィルタ４０ａに、６本のスルーホール配線を有する。
【００９７】
スルーホール配線４２１ｔ、４２２ｔ、４７１ｔ、４７２ｔの構成は、第３の実施例に係るバンドパスフィルタのスルーホール配線３２１ｔ、３２２ｔ、３７１ｔ、３７２ｔの構成と同じなので説明を省略する。
【００９８】
スルーホール配線４６１ｔは、導体パターン４６１（絶縁基板Ｍ６）、導体パターン４７３（絶縁基板Ｍ７）、導体パターン４８３（絶縁基板Ｍ８）、導体パターン４９１（絶縁基板Ｍ９）、導体パターン５０１（絶縁基板Ｍ１０）、導体パターン５１１（絶縁基板Ｍ１１）、及び導体パターン５２１（絶縁基板Ｍ１２）を繋いでいる。スルーホール配線４６２ｔは、導体パターン４６２（絶縁基板Ｍ６）、導体パターン４７４（絶縁基板Ｍ７）、導体パターン４８４（絶縁基板Ｍ８）、導体パターン４９２（絶縁基板Ｍ９）、導体パターン５０２（絶縁基板Ｍ１０）、導体パターン５１２（絶縁基板Ｍ１１）、及び導体パターン５２１（絶縁基板Ｍ１２）を繋いでいる。
【００９９】
第４の実施例に係るダイプレクサのハイバンドフィルタ４０ａの等価回路は第３の実施例に係るバンドパスフィルタの等価回路と同じなので説明を省略する。
【０１００】
第４の実施例に係るダイプレクサのハイバンドフィルタ４０ａについて、等価回路の素子と、素子を形成する導体パターン・配線との関係を説明する。キャパシタの構成及びインダクタＬ１２，１３、１４、２２，２３，２４の構成については第３の実施例と同じであるので、説明を省略する。
【０１０１】
インダクタＬ１１は、スルーホール配線４６１ｔと導体パターン４６１の直列結合により構成される点において、第３の実施例と同じである。ただし、第３の実施例ではスルーホール配線３６１ｔが絶縁基板Ｍ６の表面から絶縁基板のＭ９の表面までを繋ぐ配線であるのに対し、第４の実施例では、スルーホール配線４６１ｔは絶縁基板Ｍ６の表面から絶縁基板Ｍ１２の表面までを繋ぐ配線である点が異なる。インダクタＬ２１についても同様である。
【０１０２】
ローバンドフィルタ４０ｂの構成：
ローバンドフィルタ４０ｂについては、各絶縁基板に形成される導体パターンについては個々に説明せず、図３６に示す等価回路の各素子が図３３から図３５に示す分解斜視図のどの導体パターン、どのスルーホール配線を用いて形成されているかを説明する。
【０１０３】
キャパシタＣ４１は導体パターン４２３（絶縁基板Ｍ２）と導体パターン４１１（絶縁基板Ｍ１）の重なりにより、キャパシタＣ４２は導体パターン５３２（５３２ａ（絶縁基板Ｍ１３））と導体パターン５２２（絶縁基板Ｍ１２）の重なりにより、キャパシタＣ４３は導体パターン５３２（５３２ｂ（絶縁基板Ｍ１３））と導体パターン５２３（絶縁基板Ｍ１２）の重なりにより、キャパシタＣ４４は導体パターン５３１（絶縁基板Ｍ１３）と導体パターン５２３（絶縁基板Ｍ１２）の重なりにより、キャパシタＣ４５は導体パターン４２４（絶縁基板Ｍ２）と導体パターン４１１（絶縁基板Ｍ１）の重なりにより構成されている。
【０１０４】
インダクタＬ４１は、導体パターン５１３（絶縁基板Ｍ１１）、スルーホール配線５０３ｔ（絶縁基板Ｍ１１〜絶縁基板Ｍ１０）、導体パターン５０３（絶縁基板Ｍ１０）、スルーホール配線４９３ｔ（絶縁基板Ｍ１０〜絶縁基板Ｍ９）、導体パターン４９３（絶縁基板Ｍ９）、スルーホール配線４８５ｔ（絶縁基板Ｍ９〜絶縁基板Ｍ８）、導体パターン４８５（絶縁基板Ｍ８）、スルーホール配線４７４ｔ（絶縁基板Ｍ８〜絶縁基板Ｍ７）、導体パターン４７４（絶縁基板Ｍ７）、スルーホール配線４６３ｔ１（絶縁基板Ｍ７〜絶縁基板Ｍ６）、及び導体パターン４６３（絶縁基板Ｍ６）の直列接続により構成されている。図３３から図３５において上記導体パターン、スルーホール配線のつながりを追いかけると、インダクタＬ４１は、絶縁基板Ｍ１１上の導体パターン５１３から始まり、反時計回りにいわゆる螺旋を描きながら下層の絶縁基板につながるコイルである。なお、図３３から図３５では模式的に描いているため、スルーホール配線の長さは長いように見えるが、スルーホール配線の長さは絶縁基板の厚と同じであり、短い。本実施例では、スルーホール配線の長さよりも、各絶縁基板に形成される導体パターンの長さの方がかなり長いため、インダクタへの寄与は導体パターンが支配的である。よって、図３７（ｂ）では、導体パターンのみを記載している。
【０１０５】
インダクタＬ４２は、導体パターン４９４（絶縁基板Ｍ９）、スルーホール配線４８６ｔ（絶縁基板Ｍ９〜絶縁基板Ｍ８）、導体パターン４８６（絶縁基板Ｍ８）、スルーホール配線４７５ｔ（絶縁基板Ｍ８〜絶縁基板Ｍ７）、導体パターン４７５（絶縁基板Ｍ７）、スルーホール配線４６３ｔ２（絶縁基板Ｍ７〜絶縁基板Ｍ６）、導体パターン４６３（絶縁基板Ｍ６）により構成されている。インダクタＬ４２は、絶縁基板Ｍ９上の導体パターン４９４から始まり、時計回りにいわゆる螺旋を描きながら下層につながるコイルである。
【０１０６】
インダクタＬ４３は、導体パターン５１５（絶縁基板Ｍ１１）、スルーホール配線５０５ｔ（絶縁基板Ｍ１１〜絶縁基板Ｍ１０）、導体パターン５０５（絶縁基板Ｍ１０）、スルーホール配線４９５ｔ（絶縁基板Ｍ１０〜絶縁基板Ｍ９）、導体パターン４９５（絶縁基板Ｍ９）、スルーホール配線４８７ｔ（絶縁基板Ｍ９〜絶縁基板Ｍ８）、導体パターン４８７（絶縁基板Ｍ８）、スルーホール配線４７６ｔ（絶縁基板Ｍ８〜絶縁基板Ｍ７）、導体パターン４７６（絶縁基板Ｍ７）、スルーホール配線４６４ｔ（絶縁基板Ｍ７〜絶縁基板Ｍ６）、導体パターン４６４（絶縁基板Ｍ６）により構成されている。インダクタＬ４３は、絶縁基板Ｍ１１上の導体パターン５１５から始まり、反時計回りにいわゆる螺旋を描きながら下層につながるコイルである。
【０１０７】
インダクタＬ４４は、導体パターン５１６（絶縁基板Ｍ１１）、スルーホール配線５０６ｔ（絶縁基板Ｍ１１〜絶縁基板Ｍ１０）、導体パターン５０６（絶縁基板Ｍ１０）、スルーホール配線４９６ｔ（絶縁基板Ｍ１０〜絶縁基板Ｍ９）、導体パターン４９６（絶縁基板Ｍ９）、スルーホール配線４８８ｔ（絶縁基板Ｍ９〜絶縁基板Ｍ８）、導体パターン４８８（絶縁基板Ｍ８）、スルーホール配線４７７ｔ（絶縁基板Ｍ８〜絶縁基板Ｍ７）、導体パターン４７７（絶縁基板Ｍ７）、スルーホール配線４６５ｔ（絶縁基板Ｍ７〜絶縁基板Ｍ６）、導体パターン４６５（絶縁基板Ｍ６）により構成されている。インダクタＬ４４は絶縁基板Ｍ１１上の導体パターン５１６から始まり、反時計回りにいわゆる螺旋を描きながら下層につながるコイルである。
【０１０８】
図３８及び図３９を用いて、第４の実施例に係るダイプレクサの切り欠き部の構造と特性について説明する。図３８は、切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。図３９は、第４の実施例に係るダイプレクサのハイバンドフィルタ４０ａの透過特性を示すグラフである。
【０１０９】
切り欠き部４１２の凹の大きさと透過特性との関係をみると、切り欠き部４１２が大きい方が減衰帯域周波数において、減衰極の発生周波数は低周波数側に移動している。一方、通過帯域周波数では、違いは生じていない。
【０１１０】
第４の実施例によれば、切り欠き部４１２を設けることにより、バンドパスフィルタだけでなく、ダイプレクサであっても、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰帯域周波数の特性を変えることができる。
【０１１１】
第１の実施例から第４の実施例では、切り欠き部の形状は、矩形あるいはカギ型であったが、形状は、これらには限定されず、他の形状、例えば、三角形、多角形、半円形、円形、楕円形等であってもよい。
なお、上記説明では、本発明の実施態様として積層型電子部品を例にとり説明したが、実施態様として、積層型電子部品の周波数特性の調整方法としての態様であってもよいのは、当然である。
【０１１２】
以上、いくつかの実施例に基づいて本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】第１の実施例に係るバンドパスフィルタの上面を上にした外観を模式的に示す説明図である。
【図２】第１の実施例に係るバンドパスフィルタの下面を上にした外観を模式的に示す説明図である。
【図３】第１の実施例に係るバンドパスフィルタ１０を構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図である。
【図４】第１の実施例に係るバンドパスフィルタの等価回路である。
【図５】等価回路の素子と素子を形成する導体パターン・配線との関係を示す説明図である。
【図６】切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。
【図７】第１の実施例に係るバンドパスフィルタ１０の透過特性（ＳパラメータのＳ２１）を示すグラフである。
【図８】比較例に係るバンドパスフィルタの構成を模式的に示す説明図である。
【図９】比較例に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図１０】変形例１に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。
【図１１】変形例１に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図１２】変形例２に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。
【図１３】変形例２に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図１４】変形例３に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。
【図１５】変形例３に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図１６】変形例４に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。
【図１７】変形例４に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図１８】変形例５に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。
【図１９】変形例５に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図２０】変形例６に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。
【図２１】変形例６に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図２２】変形例７に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。
【図２３】変形例７に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図２４】第２の実施例に係るバンドパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図である。
【図２５】切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。
【図２６】第２の実施例に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図２７】第３の実施例に係るバンドパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その１）である。
【図２８】第３の実施例に係るバンドパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その２）である。
【図２９】第３の実施例に係るバンドパスフィルタの等価回路である。
【図３０】等価回路の素子と素子を形成する導体パターン・配線との関係を示す説明図である。
【図３１】切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。
【図３２】第３の実施例に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図３３】第４の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その１）である。
【図３４】第４の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その２）である。
【図３５】第４の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その３）である。
【図３６】第４の実施例に係るダイプレクサの等価回路図である。
【図３７】等価回路の素子と素子を形成する導体パターン・配線との関係を示す説明図である。
【図３８】切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。
【図３９】第４の実施例に係るダイプレクサのハイバンドフィルタ側の透過特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１１４】
１０…バンドパスフィルタ
４０ａ…ハイバンドフィルタ
４０ｂ…ローバンドフィルタ
１０２…側面電極
１０４…側面電極
１０６…側面電極
１１１…導体パターン
１１１ａ…接続部
１１２…切り欠き部
１２１…導体パターン
１２１ｔ…スルーホール配線
１２２…導体パターン
１２２ｔ…スルーホール配線
１３１…導体パターン
１３２…導体パターン
１３３…導体パターン
１３４…導体パターン
１４１…導体パターン
１４２…導体パターン
１５１…導体パターン
１５２…導体パターン
１５３…導体パターン
１６１…導体パターン
１６１ｔ…スルーホール配線
１６２…導体パターン
１６２ｔ…スルーホール配線
１７１…導体パターン
２０２…側面電極
２０４…側面電極
２０６…側面電極
２０６ａ…側面電極
２０６ｂ…側面電極
２０６ｃ…側面電極
２０８…側面電極
２１１…導体パターン
２１２…切り欠き部
２２１…導体パターン
２７１…導体パターン
３０２…側面電極
３０４…側面電極
３１１…導体パターン
３１２…切り欠き部
３２１…導体パターン
３２１ｔ…スルーホール配線
３２２…導体パターン
３２２ｔ…スルーホール配線
３３３…導体パターン
３３４…導体パターン
３４１…導体パターン
３４２…導体パターン
３５２…導体パターン
３５３…導体パターン
３６１…導体パターン
３６１ｔ…スルーホール配線
３６２…導体パターン
３６２ｔ…スルーホール配線
３７１…導体パターン
３７１…導体パターン
３７１ｔ…スルーホール配線
３７２…導体パターン
３７２ｔ…スルーホール配線
３７３…導体パターン
３７４…導体パターン
３８１…導体パターン
３８１…導体パターン
３８２…導体パターン
３８３…導体パターン
３８４…導体パターン
３９１…導体パターン
４０２…側面電極
４０４…側面電極
４０８…側面電極
４１１…導体パターン
４１２…切り欠き部
４２１ｔ…スルーホール配線
４２２ｔ…スルーホール配線
４２３…導体パターン
４２４…導体パターン
４６１…導体パターン
４６１ｔ…スルーホール配線
４６２ｔ…スルーホール配線
４６３…導体パターン
４６３ｔ１…スルーホール配線
４６３ｔ２…スルーホール配線
４６４…導体パターン
４６４ｔ…スルーホール配線
４６５…導体パターン
４６５ｔ…スルーホール配線
４６６…導体パターン
４７３…導体パターン
４７４…導体パターン
４７４ｔ…スルーホール配線
４７５…導体パターン
４７５ｔ…スルーホール配線
４７６…導体パターン
４７６ｔ…スルーホール配線
４７７…導体パターン
４７７ｔ…スルーホール配線
４８３…導体パターン
４８４…導体パターン
４８５…導体パターン
４８５ｔ…スルーホール配線
４８６…導体パターン
４８６ｔ…スルーホール配線
４８７…導体パターン
４８７ｔ…スルーホール配線
４８８…導体パターン
４８８ｔ…スルーホール配線
４９１…導体パターン
４９２…導体パターン
４９３…導体パターン
４９３ｔ…スルーホール配線
４９４…導体パターン
４９４ｔ…スルーホール配線
４９５…導体パターン
４９５ｔ…スルーホール配線
４９６…導体パターン
４９６ｔ…スルーホール配線
５０１…導体パターン
５０２…導体パターン
５０３…導体パターン
５０３ｔ…スルーホール配線
５０５…導体パターン
５０５ｔ…スルーホール配線
５０６…導体パターン
５０６ｔ…スルーホール配線
５１１…導体パターン
５１２…導体パターン
５１３…導体パターン
５１５…導体パターン
５１６…導体パターン
５２１…導体パターン
５２２…導体パターン
５２３…導体パターン
５３１…導体パターン
５３２…導体パターン
５３２ａ…導体パターン
５３２ｂ…導体パターン
Ｍ１…絶縁基板
Ｍ２…絶縁基板
Ｍ３…絶縁基板
Ｍ４…絶縁基板
Ｍ５…絶縁基板
Ｍ６…絶縁基板
Ｍ７…絶縁基板
Ｍ８…絶縁基板
Ｍ９…絶縁基板
Ｍ１０…絶縁基板
Ｍ１１…絶縁基板
Ｍ１２…絶縁基板
Ｍ１３…絶縁基板
ＩＮ…入力端子
ＯＵＴ…出力端子
Ｃ１１…キャパシタ
Ｃ１２…キャパシタ
Ｃ２１…キャパシタ
Ｃ２２…キャパシタ
Ｃ３１ａ…キャパシタ
Ｃ３１ｂ…キャパシタ
Ｃ４１…キャパシタ
Ｃ４２…キャパシタ
Ｃ４３…キャパシタ
Ｃ４４…キャパシタ
Ｃ４５…キャパシタ
Ｌ１１…インダクタ
Ｌ１２…インダクタ
Ｌ１３…インダクタ
Ｌ１４…インダクタ
Ｌ２１…インダクタ
Ｌ２２…インダクタ
Ｌ２３…インダクタ
Ｌ２４…インダクタ
Ｌ４１…インダクタ
Ｌ４２…インダクタ
Ｌ４３…インダクタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型電子部品に関し、特にバンドパスフィルタ、ダイプレクサ、マルチプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
インダクタ導体とキャパシタを用いて形成される共振回路を有するバンドパスフィルタが知られている（特許文献１）。バンドパスフィルタの通過帯域周波数と減衰周波数帯域はインダクタ導体の値とキャパシタの値によって決まる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１２４７６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来のバンドパスフィルタでは、通過周波数帯域の特性に影響を与えることなく減衰周波数帯域の特性を変えることが困難であるという問題があった。
【０００５】
本発明は上記課題を解決し、通過周波数帯域の特性に影響を与えることなく減衰周波数帯域の特性を変えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は以下の態様を備える。
【０００７】
本発明の第１の態様は、複数の絶縁基板が積層されてなる積層型電子部品であって、外部電極と、第１の導体パターンが形成されている第１の絶縁基板と、前記外部電極に接続され、前記第１の導体パターンと一部が重なり、前記第１の導体パターンと重ならない部分に切り欠き部を有する第２の導体パターンが形成されている第２の絶縁基板と、前記第１の導体パターンに接続されるインダクタ導体とを備える。この態様によれば、積層型電子部品は、切り欠き部を有することにより、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰周波数帯域の特性のみを変えることが容易にできる。
【０００８】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、前記インダクタ導体として、一端が前記第１の導体パターンに接続されている第１のインダクタ導体と、一端が前記第１のインダクタ導体の他端に接続され、他端が前記外部電極に接続されている第２のインダクタ導体とを備えていてもよい。この態様によれば、切り欠き部を備えることにより、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰周波数帯域の特性のみを変えることが容易にできる。
【０００９】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、前記第１のインダクタ導体及び前記第２のインダクタ導体の少なくとも一方を分布定数素子として利用してもよい。この態様では、インダクタ導体を分布定数素子として利用する場合であっても、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰周波数帯域の特性のみを変えることが容易にできる。
【００１０】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品は、前記第１の導体パターン、前記第２の導体パターン、前記第１のインダクタ導体、及び前記第２のインダクタ導体を有するバンドパスフィルタ回路を備えていてもよい。この態様によれば、バンドパスフィルタ回路の通過帯域周波数に影響を与えることなく減衰周波数帯域のみを変えることが容易にできる。
【００１１】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品は、所定の通過周波数帯域をそれぞれ有する複数のフィルタ回路を備えるマルチプレクサであって、前記複数のフィルタ回路のうち少なくとも１つは、前記バンドパスフィルタ回路であってもよい。この態様によれば、マルチプレクサの通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰周波数帯域の特性のみを変えることが容易にできる。
【００１２】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、前記切り欠き部がカギ型をしていてもよい。この態様によれば、レイアウト的にまっすぐな切り欠き部を設けることが困難な時にでも、所望の減衰周波数帯域が得られるように切り欠き部を設けることができる。
【００１３】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、前記切り欠き部は、前記第２の導体パターンに囲まれていてもよい。この態様によれば、切り欠き部を第２の導体パターンに囲まれるように配置することにより、通過帯域周波数に影響を与えることなく減衰周波数帯域のみを変えることができる。
【００１４】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、前記第２の導体パターンに前記切り欠き部が複数備えられていてもよい。この態様によれば、切り欠き部を分割して複数備えていても、通過帯域周波数に影響を与えることなく減衰周波数帯域のみを変えることができる。
【００１５】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、さらに、前記第１の絶縁基板上に前記第２の導体パターンと重なる第３の導体パターンを有し、前記第２の導体パターン上の、前記第１の導体パターンと重なる部分、及び前記第３の導体パターンと重なる部分、の間に前記切り欠き部が設けられていてもよい。この態様によれば、切り欠き部を２つの導体パターンの間に設けることにより、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰周波数帯域の特性のみを変えることができる。
【００１６】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、前記切り欠き部は、前記外部電極に接続される導体パターン以外の導体パターンのいずれとも重ならない位置に設けられていてもよい。この態様によれば、切り欠き部と、他の素子を形成する導体パターンとが重ならないため、切り欠き部と他の素子の間の相互作用を抑制できる。
【００１７】
本発明の第１の態様に係る積層型電子部品において、前記外部電極と前記第２の導体パターンとの接続部の幅は、前記外部電極の幅と異なっていてもよい。この態様によれば、切り欠き部を設けることに加えて、さらに、外部電極と第２のパターンとの接続部の幅を異ならせることにより、通過帯域周波数に影響を与えることなく減衰帯域周波数を変えることができる。
【００１８】
本発明の第２の態様に係る発明は、複数の絶縁基板を積層してなる積層型電子部品の周波数特性の調整方法であって、前記積層型電子部品は外部電極と、第１の導体パターンが形成されている第１の絶縁基板と、前記外部電極に接続され、前記第１の導体パターンと一部が重なる第２の導体パターンが形成されている第２の絶縁基板と、前記第１の導体パターンに接続されるインダクタ導体とを備え、前記第２の導体パターン上であって、前記第１の導体パターンと重ならない部分に切り欠き部を設け、前記切り欠き部の位置、大きさ、形状を調整することにより、積層型電子部品の周波数特性を調整する。この態様によれば、通過帯域周波数に影響を与えることなく減衰周波数帯域のみを容易に調整できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
１．第１の実施例
図１及び図２を用いて、第１の実施例に係るバンドパスフィルタの外観について説明する。図１は、第１の実施例に係るバンドパスフィルタの上面を上にした外観を模式的に示す説明図である。図２は、第１の実施例に係るバンドパスフィルタの下面を上にした外観を模式的に示す説明図である。
【００２０】
バンドパスフィルタ１０は、複数の絶縁基板Ｍ１から絶縁基板Ｍ８を積層してなる電子部品である。バンドパスフィルタ１０の側面には側面電極１０２から側面電極１０６が形成されている。側面電極１０２は入力端子（ＩＮ）、側面電極１０４は出力端子（ＯＵＴ）、側面電極１０６はグランド端子（ＧＮＤ）として機能する。なお、本実施例では、側面電極１０６は４本設けられている。
【００２１】
各絶縁基板の構成：
図３は、第１の実施例に係るバンドパスフィルタ１０を構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図である。ここで、最上層の絶縁基板Ｍ８は、いわゆる蓋であり、内部に導体パターンが存在しない。したがって、絶縁基板Ｍ８については図３への記載を省略する。まず、各絶縁基板の導体パターンについて説明し、次に、各絶縁基板間の導体パターンを繋ぐスルーホール配線について説明する。
【００２２】
絶縁基板Ｍ１には、外周部を除いたほぼ全面に導体パターン１１１が形成されている。導体パターン１１１には、切り欠き部１１２が設けられている。導体パターン１１１は、側面電極１０６と接続されている。
【００２３】
絶縁基板Ｍ２には、導体パターン１２１と導体パターン１２２とが形成されている。導体パターン１２１と導体パターン１２２は略長方形にスルーホール配線を接続するための凸部が付加された形状をしている。導体パターン１２１と導体パターン１２２は、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ１の導体パターン１１１と重なる。
【００２４】
絶縁基板Ｍ３には、導体パターン１３１から導体パターン１３４の４つの導体パターンが形成されている。導体パターン１３１は、略長方形の導体パターンと、略長方形の導体パターンを側面電極１０２に接続する細い導体パターンとからなる。導体パターン１３２は、略長方形の導体パターンと、略長方形の導体パターンを側面電極１０４に接続する細い導体パターンとからなる。絶縁基板を積層したときに、導体パターン１３３は、絶縁基板Ｍ２の導体パターン１２１の凸部と重なり、導体パターン１３３は、絶縁基板Ｍ２の導体パターン１２２の凸部と重なる。
【００２５】
絶縁基板Ｍ４には、導体パターン１４１及び導体パターン１４２が形成されている。導体パターン１４１は、略長方形の導体パターンであり、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ３の導体パターン１３１の略長方形の導体パターン及び導体パターン１３３と重なる。導体パターン１４２は、略長方形の導体パターンであり、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ３の導体パターン１３２の略長方形の導体パターン及び導体パターン１３４と重なる。
【００２６】
絶縁基板Ｍ５には、導体パターン１５１から導体パターン１５３の３つの導体パターンが形成されている。導体パターン１５１は、略長方形の導体パターンであり、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ４の導体パターン１４１の一部及び導体パターン１４２の一部と重なる。導体パターン１５２は、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ３の導体パターン１３３と重なる。導体パターン１５３は、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ３の導体パターン１３４と重なる。
【００２７】
絶縁基板Ｍ６には、導体パターン１６１及び導体パターン１６２が形成されている。導体パターン１６１は細長い棒状をしており、絶縁基板を積層したときに導体パターン１６１の一端は絶縁基板Ｍ５の導体パターン１５２と重なる。導体パターン１６２は細長い棒状をしており、絶縁基板を積層したときに導体パターン１６２の一端は絶縁基板Ｍ５の導体パターン１５３と重なる。
【００２８】
絶縁基板Ｍ７には、外周部を除いたほぼ全面に導体パターン１７１が形成されている。導体パターン１７１は、側面電極１０６と接続されている。
【００２９】
バンドパスフィルタ１０は、４本のスルーホール配線を有する。スルーホール配線とは、上層の絶縁基板上の導体パターンと下層の絶縁基板上の導体パターンとを繋ぐ配線である。スルーホール配線は、上層の絶縁基板上の導体パターンの下の部分に上層の絶縁基板を貫通する孔（スルーホールあるいはビアホールという。）が形成され、孔が導体で充填されることにより形成される。本実施例では、スルーホール配線には、＊＊＊ｔというように最後の文字が「ｔ」となるように符号を付けている。
【００３０】
スルーホール配線１２１ｔは、導体パターン１２１（絶縁基板Ｍ２）、導体パターン１３３（絶縁基板Ｍ３）、導体パターン１４１（絶縁基板Ｍ４）、導体パターン１５２（絶縁基板Ｍ５）、及び導体パターン１６１（絶縁基板Ｍ６）を繋いでいる。スルーホール配線１２２ｔは、導体パターン１２２（絶縁基板Ｍ２）、導体パターン１３４（絶縁基板Ｍ３）、導体パターン１４２（絶縁基板Ｍ４）、導体パターン１５３（絶縁基板Ｍ５）、及び導体パターン１６２（絶縁基板Ｍ６）を繋いでいる。
【００３１】
スルーホール配線１６１ｔは、導体パターン１６１（絶縁基板Ｍ６）と導体パターン１７１（絶縁基板Ｍ７）とを繋いでいる。スルーホール配線１６２ｔは、導体パターン１６２（絶縁基板Ｍ６）と導体パターン１７１（絶縁基板Ｍ７）とを繋いでいる。
【００３２】
等価回路：
図４は、第１の実施例に係るバンドパスフィルタの等価回路である。
【００３３】
バンドパスフィルタ１０の入力端子ＩＮにはキャパシタＣ１１が接続されている。キャパシタＣ１１の入力端子ＩＮと反対側には、インダクタＬ１１の一端及びインダクタＬ１２の一端が接続されている。インダクタＬ１１の他端はグランドに接地され、インダクタＬ１２の他端はキャパシタＣ１２を介して、グランドに接地されている。
【００３４】
バンドパスフィルタ１０の出力端子ＯＵＴにはキャパシタＣ２１が接続されている。キャパシタＣ２１の出力端子ＯＵＴと反対側には、インダクタＬ２１の一端及びインダクタＬ２２の一端が接続されている。インダクタＬ２１の他端はグランドに接地され、インダクタＬ２２の他端はキャパシタＣ２２を介して、グランドに接地されている。
【００３５】
キャパシタＣ１１の入力端子ＩＮと反対側と、キャパシタＣ２１の出力端子ＯＵＴと反対側と、の間には、キャパシタＣ３１ａ及びキャパシタＣ３１ｂが直列に接続されている。
【００３６】
等価回路と図３に示す導体パターンとの関係：
図５は、等価回路の素子と、素子を形成する導体パターン・配線との関係を示す説明図である。なお、図５においては、導体パターン、スルーホール配線の文字を省略し、符号のみ記載している。
【００３７】
キャパシタＣ１１は導体パターン１３１（絶縁基板Ｍ３）と導体パターン１４１（絶縁基板Ｍ４）の重なりにより構成されている。同様に、キャパシタＣ１２は導体パターン１２１（絶縁基板Ｍ２）と導体パターン１１１（絶縁基板Ｍ１）の重なりにより、キャパシタＣ３１ａは導体パターン１４１（絶縁基板Ｍ４）と導体パターン１５１（絶縁基板Ｍ５）の重なりにより、キャパシタＣ３１ｂは導体パターン１４２（絶縁基板Ｍ４）と導体パターン１５１（絶縁基板Ｍ５）の重なりにより、キャパシタＣ２１は導体パターン１３２（絶縁基板Ｍ３）と導体パターン１４２（絶縁基板Ｍ４）の重なりにより、キャパシタＣ２２は導体パターン１２２（絶縁基板Ｍ２）と導体パターン１１１（絶縁基板Ｍ１）の重なりにより構成されている。
【００３８】
インダクタＬ１１は、スルーホール配線１２１ｔのうち絶縁基板Ｍ４の表面から絶縁基板Ｍ６表面の間の部分にあるスルーホール配線、導体パターン１６１、及びスルーホール配線１６１ｔの直列結合により構成されている。同様に、インダクタＬ１２はスルーホール配線１２１ｔのうち絶縁基板Ｍ２の表面から絶縁基板Ｍ４の表面の間の部分にあるスルーホール配線を用いて構成されている。インダクタＬ２１は、スルーホール配線１２２ｔのうち絶縁基板Ｍ４の表面から絶縁基板Ｍ６の表面の間の部分にあるスルーホール配線、導体パターン１６２、及びスルーホール配線１６２ｔの直列結合により構成されている。インダクタＬ２２はスルーホール配線１２２ｔのうち絶縁基板Ｍ２の表面から絶縁基板Ｍ４の表面の間の部分にあるスルーホール配線を用いて構成されている。
【００３９】
第１の実施例では、インダクタＬ１１、Ｌ１２、Ｌ２１、及びＬ２２は分布定数素子である。分布定数素子とは、集中定数素子に対するものであり、例えば、素子の物理的大きさが信号の波長に比較して小さくなく、素子の特性を考慮する際に素子の物理的大きさを考慮して取り扱わなければならないものをいう。すなわち、分布定数素子では、素子の物理的大きさと信号の波長との関係が素子の特性に大きな影響を与える。なお、同じ素子であっても、低周波（信号の波長が長い）の場合には、集中定数素子として扱えるが、高周波（信号の波長が短い）の場合では、集中定数素子としては扱えず、分布定数素子として扱わなければならない場合は、あり得る。
【００４０】
図６及び図７を用いて、第１の実施例に係るバンドパスフィルタ１０の切り欠き部の構造と特性について説明する。図６は、切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。図７は、第１の実施例に係るバンドパスフィルタ１０の透過特性（ＳパラメータのＳ２１）を示すグラフである。
【００４１】
図６では、切り欠き部１１２の構造をわかりやすくするため、導体パターン１１１、導体パターン１２１、及び導体パターン１２２のみを描き、他の導体パターンについては、記載を省略している。ここで長さＬは、切り欠き部１１２の凹の深さを示している。切り欠き部１１２の凹の深さと透過特性との関係をみると、減衰帯域周波数（約１０〜１５ＧＨｚ）において、減衰極の発生周波数は、切り欠き部１１２がある場合の方が、切り欠き部１１２が無い場合に比べて低周波数側に移動している。また、切り欠き部１１２の凹の深さが深い方が減衰極の発生周波数はより低周波数側に移動している。一方、通過帯域周波数（約５〜６ＧＨｚ）では、切り欠き部１１２の有無、凹の深さによる透過特性の違いは生じていない。
【００４２】
図８及び図９を用いて、比較例について説明する。図８は比較例に係るバンドパスフィルタの構成を模式的に示す説明図である。図９は比較例に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【００４３】
比較例と第１の実施例構造は、導体パターン１１１の切り欠き部１１２の有無と導体パターン１２１、１２２の大きさとを除いて同じであるため、比較例の構造については説明を省略する。比較例では、長さＬは、図８における導体パターン１２１の左辺の長さ及び導体パターン１２２の右辺の長さを示す。比較例では、導体パターン１２１、１２２の大きさを変えることにより、図４に示す等価回路のＣ１２、Ｃ２２のキャパシタのキャパシタンスを変えている。比較例では長さＬを大きくするほど（Ｃ１２、Ｃ２２のキャパシタのキャパシタンスを大きくするほど）、減衰帯域周波数における、減衰極の発生周波数は、低周波数側に移動している。しかし、通過帯域周波数では、長さＬを大きくするほど、通過帯域周波数が高周波側に移動している。すなわち、Ｃ１２、Ｃ２２のキャパシタのキャパシタンスを変えることでは、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数のみを変えることはできない。
【００４４】
以上のように、第１の実施例によれば、導体パターン１２１と導体パターン１１１とが重なり、導体パターン１２１にはインダクタＬ１２が接続され、導体パターン１１１には切り欠き部１１２が設けられている。その結果、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を変えることができる。
【００４５】
インダクタＬ１２の導体パターン１２１と接続される端と反対側の端には導体パターン１４１が接続され、導体パターン１４１にはインダクタＬ１１が接続され、インダクタＬ１１の他端は導体パターン１７１に接続されている。第１の実施例によれば、インダクタが、一端が導体パターン１２１に接続されているインダクタＬ１２と、一端がインダクタＬ１２の他端に接続され、他端が側面電極１０６に接続される導体パターン１７１に接続されているインダクタＬ１１とからなる場合であっても、導体パターン１１１に切り欠き部１１２を設けることにより、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を変えることができる。
【００４６】
また、インダクタＬ１１、Ｌ１２、Ｌ２１，及びＬ２２として分布常数素子を用いている場合には、インダクタを変えることは困難であり、上述したようにキャパシタを変えたのでは、通過帯域周波数に影響を与えてしまう。しかし、第１の実施例によれば、インダクタとして分布常数素子を用いている場合であっても、導体パターン１１１に切り欠き部１１２を設けることにより、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を変えることができる。
【００４７】
変形例１：
図１０及び図１１を用いて、第１の実施例の変形例１について説明する。図１０は変形例１に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。図１１は、変形例１に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。変形例１は、切り欠き部１１２の凹の幅Ｗを変化させたものである。
【００４８】
切り欠き部１１２の凹の幅Ｗを広くすることにより、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は低くなる。一方、通過帯域周波数では、切り欠き部１１２の凹の幅Ｗによる違いは生じていない。すなわち、変形例１に示すように、切り欠き部１１２を設け。その凹の幅を変えてもよい。例えば、レイアウト的に切り欠き部１１２の凹の深さを深くすることができない場合に有効である。
【００４９】
変形例２：
図１２及び図１３を用いて、第１の実施例の変形例２について説明する。図１２は変形例２に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。図１３は、変形例２に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。変形例２は、切り欠き部１１２の形状をカギ型にしたものである。
【００５０】
切り欠き部１１２の凹の深さＬを一定にした場合には、カギ型にした方が、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は低くなる。また、切り欠き部の面積が同じ場合には、カギ型にした方が減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は高い。例えば、切り欠き部１１２を設けた後、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数をもう少し低くしたい場合には、切り欠き部１１２の形状をカギ型にするとよい。また、レイアウト的に切り欠き部１１２の凹の深さを深くすることができない場合に有効である。なお、切り欠き部１１２の形状をカギ型にしても、通過帯域周波数における透過特性に違いは生じていない。
【００５１】
変形例３：
図１４及び図１５を用いて、第１の実施例の変形例３について説明する。図１４は変形例３に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。図１５は、変形例３に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。変形例３は、切り欠き部１１２を、導体パターン１１１の内部に設けたものである。
【００５２】
切り欠き部１１２の長さＬを長くすることにより、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は低くなる。第１の実施例と比較すると、切り欠き部１１２の大きさを同じにした場合には、変形例３の方が第１の実施例よりも減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は高い。減衰極の発生周波数を変動させたいが、大きく変動させたくない場合に有効である。なお、通過帯域周波数では、切り欠き部１１２の凹の長さＬによる違いは生じていない。
【００５３】
変形例４：
図１６及び図１７を用いて、第１の実施例の変形例４について説明する。図１６は変形例４に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。図１７は、変形例４に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。変形例４は、切り欠き部１１２を、複数設けたものである。
【００５４】
切り欠き部１１２の長さＬを長くすることにより、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は低くなる。第１の実施例と比較すると、切り欠き部１１２の面積を同じにした場合には、変形例４の方が第１の実施例よりも減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は高い。しかし、変形例４では、切り欠き部１１２を対称形に設けることができ、例えば入力側回路と出力側回路とをレイアウトを含めて対称形にすることができるというメリットがある。なお、通過帯域周波数では、切り欠き部１１２の凹の長さＬによる違いは生じていない。
【００５５】
変形例５：
図１８及び図１９を用いて、第１の実施例の変形例５について説明する。図１８は変形例５に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。図１９は、変形例５に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。変形例５は、導体パターン１１１の導体パターン１２１と重なる部分と、導体パターン１１１の導体パターン１２２と重なる部分と、の間に切り欠き部１１２を設けたものである。
【００５６】
切り欠き部１１２の長さＬを長くすることにより、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は、第１の実施例とは異なり、高周波数側に移動する。第１の実施例及び上記変形例はいずれも、切り欠きの凹の深さを深くする方、すなわち切り欠き部の大きさを大きくする方が、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は低くなったが、変形例５では逆に高くなる。変形例５は減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を高周波数側に移動させたい場合に有効である。通過帯域周波数では、切り欠き部１１２の凹の深さＬによる違いは生じていない。
【００５７】
変形例６：
図２０及び図２１を用いて、第１の実施例の変形例６について説明する。図２０は変形例６に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。図２１は、変形例６に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。変形例６は、絶縁基板を積層した時に切り欠き部１１２が絶縁基板Ｍ３の導体パターン１３１と重なるように、切り欠き部１１２を設けたものである。
【００５８】
切り欠き部１１２を設けることにより、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数は低くなる。しかし、第１の実施例と比較して、切り欠き部１１２の凹の深さＬがより深い方が、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数がより低くなっておらず、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数と凹の深さＬとは必ずしも比例はしない。一方、切り欠き部１１２を、絶縁基板Ｍ３の導体パターン１３１と重なるように設けても、通過帯域周波数では透過特性の変化は発生していない。したがって、切り欠き部１１２を、他の導体パターンと重なるように設けることはかまわないが、他の導体パターンと重ならないように設ける方がより好ましい。
【００５９】
変形例７：
図２２及び図２３を用いて、第１の実施例の変形例７について説明する。図２２は変形例７に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。図２３は、変形例７に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。変形例７は、導体パターン１１１に切り欠き部１１２を設けるとともに、導体パターン１１１と側面電極１０６との接続部１１１ａの接続幅を狭くしたものである。
【００６０】
導体パターン１１１と側面電極１０６との接続部１１１ａの接続幅を狭くすることにより、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を低くできる。切り欠き部１１２を設けるだけでは、減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数がまだ高い場合には、変形例７のように導体パターン１１１と側面電極１０６との接続部１１１ａの接続幅を狭くすることにより低くすることができる。なお、通過帯域周波数では透過特性の変化は発生していない。
【００６１】
変形例７では、切り欠き部１１２を設けたが、切り欠き部１１２を設けずに、導体パターン１１１と側面電極１０６との接続部１１１ａの接続幅を狭くしてもよい。逆に導体パターン１１１と側面電極１０６との接続部１１１ａの接続幅を太くしてもよい。減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を高くすることができる。また、変形例５において、導体パターン１１１と側面電極１０６との接続部１１１ａの接続幅を太くしてもよい。減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数をより高くすることができる。
【００６２】
２．第２の実施例
図２４を用いて、第２の実施例に係るバンドパスフィルタの各絶縁基板の構成について説明する。図２４は、第２の実施例に係るバンドパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図である。第２の実施例に係るバンドパスフィルタは第１の実施例に係るバンドパスフィルタとほぼ同じなので、異なる点について説明する。第２の実施例については、第１の実施例と同じ機能のものについては第１の実施例の符号に１００を足した符号を付している。
【００６３】
第２の実施例では、側面電極２０２から側面電極２０８が設けられているが、グランド端子となる側面電極２０６は３本である（以下、側面電極２０６を区別する場合には側面電極２０６ａ、側面電極２０６ｂ、側面電極２０６ｃという）。第１の実施例と比較して少なくなった１本は、側面電極２０８としてＮＣ端子となっている。ＮＣ端子のＮＣは、非接続（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）を意味し、ＮＣ端子は、バンドパスフィルタ内部の導体パターンとは接続されていない。第１の実施例では、側面電極１０６は、側面電極１０２の両側及び、側面電極１０４の両側に配置されている。一方、第２の実施例では、２本の側面電極２０６（側面電極２０６ａ、２０６ｂ）は、側面電極２０２の両側に配置されているが、残りの１本の側面電極２０６（２０６ｃ）は側面電極２０４と側面電極２０８の間に配置されている。
【００６４】
絶縁基板Ｍ１には、外周部を除いたほぼ全面に導体パターン２１１が形成されている。導体パターン２１１には、切り欠き部２１２が設けられている。切り欠き部２１２は、導体パターン２１１のほぼ中央部、側面電極２０６ｃの反対側から、側面電極２０６ｃに向かって凹むように形成されている。
【００６５】
絶縁基板Ｍ２から絶縁基板Ｍ７には、第１の実施例と同様に、導体パターンが設けられている。第２の実施例は、第１の実施例と比較して、導体パターンの形状が異なる点、及び導体パターンが図面上、切り欠き部２１２よりも左側に配置され切り欠き部２１２よりも右側には配置されていない点の２点が異なる。絶縁基板Ｍ７の導体パターン２７１は、側面電極２０６ａ、２０６ｃと接続され、側面電極２０６ｂとは接続されていない。
【００６６】
第２の実施例においては、等価回路、及び等価回路の素子と素子を形成する導体パターン・配線との関係は、第１の実施例と同じであるので説明を省略する。
【００６７】
図２５及び図２６を用いて、第２の実施例に係るバンドパスフィルタの切り欠き部の構造と特性について説明する。図２５は、切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。図２６は、第２の実施例に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【００６８】
第２の実施例では、切り欠き部２１２を設けないと、減衰帯域周波数において、減衰極が発生していないが、切り欠き部２１２を設けることにより、減衰極が発生する。また、切り欠き部２１２の大きさを大きくするほど減衰極の発生周波数は低くなる。切り欠き部２１２を設けても、通過帯域周波数では透過特性の変化は生じない。
【００６９】
以上、第２の実施例によれば、導体パターン２２１と導体パターン２１１とが重なり、導体パターン２２１にはインダクタＬ１２が接続され、導体パターン２１１には切り欠き部２１２が設けられている。その結果、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰極を発生させ、さらに、切り欠き部２１２の大きさを大きくすることにより減衰極の発生周波数を低周波側に移動させることができる。
【００７０】
３．第３の実施例
図２７及び図２８を用いて第３の実施例について説明する。図２７は、第３の実施例に係るバンドパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その１）である。図２８は、第３の実施例に係るバンドパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その２）である。第３の実施例については、第２の実施例と同じ機能のものについては第２の実施例の符号に１００を足した符号を付している。
【００７１】
絶縁基板Ｍ１からＭ６までの構成については第２の実施例と同じであるので、説明を省略する。
【００７２】
絶縁基板Ｍ７には、導体パターン３７１から導体パターン３７４が形成されている。導体パターン３７１は、細長い導体パターンであり、その一方の端は、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ２の導体パターン３２１と重なる。導体パターン３７２は、細長い導体パターンであり、その一方の端は、絶縁基板を積層したときに絶縁基板Ｍ２の導体パターン３２２と重なる。絶縁基板を積層したときに、導体パターン３７３は、絶縁基板Ｍ６の導体パターン３６１の他端（絶縁基板Ｍ５の導体パターン３５２と重ならない端）と重なり、導体パターン３７４は、絶縁基板Ｍ６の導体パターン３６２の他端（絶縁基板Ｍ５の導体パターン３５３と重ならない端）と重なる。
【００７３】
絶縁基板Ｍ８には、導体パターン３８１から導体パターン３８４が形成されている。導体パターン３８１は、細長い導体パターンであり、一端が側面電極３０２に接続され、絶縁基板を積層しときに他端は絶縁基板Ｍ７の導体パターン３７１の他端と重なる。導体パターン３８２は、細長い導体パターンであり、一端が側面電極３０４に接続され、絶縁基板を積層したときに他端は絶縁基板Ｍ７の導体パターン３７２の他端と重なる。絶縁基板を積層したときに、導体パターン３８３は、絶縁基板Ｍ７の導体パターン３７３と重なり、導体パターン３８４は、絶縁基板Ｍ７の導体パターン３７４と重なる。
【００７４】
絶縁基板Ｍ９には導体パターン３９１が形成されている。導体パターン３９１は第２の実施例の絶縁基板Ｍ７の導体パターン３７１と同じ構成である。
【００７５】
第３の実施例に係るバンドパスフィルタは、６本のスルーホール配線を有する。
【００７６】
スルーホール配線３２１ｔは、導体パターン３２１（絶縁基板Ｍ２）、導体パターン３３３（絶縁基板Ｍ３）、導体パターン３４１（絶縁基板Ｍ４）、導体パターン３５２（絶縁基板Ｍ５）、導体パターン３６１（絶縁基板Ｍ６）、及び導体パターン３７１（絶縁基板Ｍ）７を繋いでいる。スルーホール配線３２２ｔは、導体パターン３２２（絶縁基板Ｍ２）、導体パターン３３４（絶縁基板Ｍ３）、導体パターン３４２（絶縁基板Ｍ４）、導体パターン３５３（絶縁基板Ｍ５）、導体パターン３６２（絶縁基板Ｍ６）、及び導体パターン３７２（絶縁基板Ｍ７）を繋いでいる。
【００７７】
スルーホール配線３６１ｔは、導体パターン３６１（絶縁基板Ｍ６）、導体パターン３７３（絶縁基板Ｍ７）、導体パターン３８３（絶縁基板Ｍ８）及び導体パターン３９１（絶縁基板Ｍ９）を繋いでいる。スルーホール配線３６２ｔは、導体パターン３６２（絶縁基板Ｍ６）、導体パターン３７４（絶縁基板Ｍ７）、導体パターン３８４（絶縁基板Ｍ８）、及び導体パターン３９１（絶縁基板Ｍ９）を繋いでいる。
【００７８】
スルーホール配線３７１ｔは、導体パターン３７１（絶縁基板Ｍ７）と導体パターン３８１（絶縁基板Ｍ８）とを繋いでいる。スルーホール配線３７２ｔは、導体パターン３７２（絶縁基板Ｍ７）と導体パターン３８２（絶縁基板Ｍ８）とを繋いでいる。
【００７９】
図２９を用いて、第３の実施例に係るバンドパスフィルタの等価回路について説明する。図２９は、第３の実施例に係るバンドパスフィルタの等価回路である。
【００８０】
バンドパスフィルタの入力端子ＩＮには、キャパシタＣ１１と、インダクタＬ１３及びインダクタＬ１４とを直列に接続したものとが並列に接続されている。インダクタＬ１３とインダクタＬ１４との接続部にはインダクタＬ１１の一端が接続され、インダクタＬ１１の他端はグランドに接地されている。キャパシタＣ１１の入力端子ＩＮと反対側には、インダクタＬ１２の一端が接続されている。インダクタＬ１２の他端はキャパシタＣ１２を介して、グランドに接地されている。
【００８１】
バンドパスフィルタの出力端子ＯＵＴには、キャパシタＣ２１と、インダクタＬ２３及びインダクタＬ２４とを直列に接続したものとが並列に接続されている。インダクタＬ２３とインダクタＬ２４の接続部にはインダクタＬ２１の一端が接続され、インダクタＬ２１の他端はグランドに接地されている。キャパシタＣ２１の出力端子ＯＵＴと反対側には、インダクタＬ２２の一端が接続されている。インダクタＬ２２の他端はキャパシタＣ２２を介して、グランドに接地されている。
【００８２】
キャパシタＣ１１の入力端子ＩＮと反対側と、キャパシタＣ２１の出力端子ＯＵＴと反対側と、の間には、キャパシタＣ３１ａ及びキャパシタＣ３１ｂが直列に接続されている。
【００８３】
第３の実施例のバンドパスフィルタの等価回路を第１、第２の実施例のバンドパスフィルタの等価回路を比較すると、第１、第２の実施例のバンドパスフィルタでは、入力端子ＩＮ及び出力端子ＯＵＴにはキャパシタＣ１１及びＣ２１が接続されるだけであったが、第３の実施例のバンドパスフィルタでは、キャパシタＣ１１及びＣ２１と並列にインダクタＬ１３及びＬ２３が付加されている点が異なる。
【００８４】
図３０を用いて、等価回路と導体パターンとの関係を説明する。図３０は、等価回路の素子と、素子を形成する導体パターン・配線との関係を示す説明図である。ここで、キャパシタの構成については第１の実施例と同じであるので、説明を省略する。
【００８５】
インダクタＬ１１は、スルーホール配線３６１ｔと導体パターン３６１の直列結合により構成されている。インダクタＬ１２はスルーホール配線３２１ｔのうち絶縁基板Ｍ２の表面から絶縁基板Ｍ４の表面の間の部分のスルーホール配線の直列結合により構成されている。インダクタＬ１３は、導体パターン３８１、スルーホール配線３７１ｔ、導体パターン３７１、スルーホール配線３２１ｔのうち絶縁基板Ｍ６の表面から絶縁基板Ｍ７の表面の間の部分のスルーホール配線の直列結合により構成されている。インダクタＬ１４は、スルーホール配線３２１ｔのうち絶縁基板Ｍ４の表面から絶縁基板Ｍ６の表面の間の部分にあるスルーホール配線を用いて構成されている。
【００８６】
インダクタＬ２１は、スルーホール配線３６２ｔと導体パターン３６２の直列結合により構成されている。インダクタＬ２２はスルーホール配線３２２ｔのうち絶縁基板Ｍ２の表面から絶縁基板Ｍ４の表面の間の部分のスルーホール配線の直列結合により構成されている。インダクタＬ２３は、導体パターン３８２、スルーホール配線３７２ｔ、導体パターン３７２、スルーホール配線３２２ｔのうち絶縁基板Ｍ６の表面から絶縁基板Ｍ７の表面の間の部分のスルーホール配線の直列結合により構成されている。インダクタＬ２４は、スルーホール配線３２２ｔのうち絶縁基板Ｍ４の表面から絶縁基板Ｍ６の表面の間の部分にあるスルーホール配線を用いて構成されている。
【００８７】
図３１及び図３２を用いて、第３の実施例に係るバンドパスフィルタの切り欠き部の構造と特性について説明する。図３１は、切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。図３２は、第３の実施例に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【００８８】
切り欠き部３１２の凹の深さと透過特性との関係をみると、切り欠き部３１２の凹の深さがより深い方が減衰帯域周波数において、減衰極の発生周波数は低周波数側に移動している。一方、通過帯域周波数では、切り欠き部３１２の凹の深さによる違いは生じていない。
【００８９】
第３の実施例によれば、キャパシタＣ１１及びＣ２１と並列にインダクタＬ１３及びＬ２３が設けられていても、切り欠き部３１２を設けることにより、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を変えることができる。すなわち、入力部、出力部の構成にかかわらず、導体パターン３１１に切り欠き部を設けることにより、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰帯域周波数における減衰極の発生周波数を変えることができる。
【００９０】
第２、第３の実施例では、積層型電子部品の左半分しか導体パターンを設けていない。これは、これは、積層型電子部品の右半分には、導体パターンを配置しないという訳ではなく、積層型電子部品の右半分に他のフィルタ回路を構成し、ダイプレクサ、マルチプレクサを形成してもよい。これについては、第４の実施例で説明する。なお、ダイプレクサ（ｄｉｐｌｅｘｅｒ）のダイ（ｄｉ）は「２」を意味する接頭語であり、マルチプレクサ（ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ）のマルチ（ｍｕｌｔｉ）は「多数の」を意味する接頭語であり、マルチプレクサという場合には、ダイプレクサも含む。
【００９１】
４．第４の実施例
図３３から図３７を用いて第４の実施例に係るダイプレクサについて説明する。図３３は、第４の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その１）である。図３４は、第４の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その２）である。図３５は、第４の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その３）である。図３６は、第４の実施例に係るダイプレクサの等価回路図である。図３７は、等価回路の素子と、素子を形成する導体パターン・配線との関係を示す説明図である。
【００９２】
第４の実施例に係るダイプレクサは、２つのバンドパスフィルタ、すなわち、ハイバンドフィルタ４０ａとローバンドフィルタ４０ｂを有する。第４の実施例では、第３の実施例と側面電極４０２から側面電極４０８の機能が異なり、側面電極４０２はＡＮＴ端子、側面電極４０４はＨＢ端子、側面電極４０８はＬＢ端子となっている。ハイバンドフィルタ４０ａについては、第３の実施例で説明したバンドパスフィルタとほぼ同じである。したがって、第４の実施例については、第３の実施例と同じ機能のものについては第３の実施例の符号に１００を足した符号を付している。
【００９３】
図３３から図３５に示す分解斜視図において、ハイバンドフィルタ４０ａは、各絶縁基板の左半分に形成される導体パターンにより構成され、ローバンドフィルタ４０ｂは、各絶縁基板の右半分に形成される導体パターンにより構成される。以下、ダイプレクサの構成について、ハイバンドフィルタ４０ａとローバンドフィルタ４０ｂに分けて説明する。
【００９４】
ハイバンドフィルタ４０ａの構成：
ハイバンドフィルタ４０ａについて、絶縁基板Ｍ２から絶縁基板Ｍ８までの構成は、第３の実施例と同じである。したがって、絶縁基板Ｍ２から絶縁基板Ｍ８までの構成についての説明は省略し、絶縁基板Ｍ１及び絶縁基板Ｍ９から絶縁基板Ｍ１２までについて説明する。
【００９５】
絶縁基板Ｍ１の構成は、第３の実施例の構成とほぼ同じである。第３の実施例と同様にほぼ全面に導体パターン４１１が形成されている。ただし、切り欠き部４１２は、図面右側（ローバンドフィルタ４０ｂ側）に折れたカギ型である点が異なる。絶縁基板Ｍ９には、導体パターン４９１と導体パターン４９２が形成されている。導体パターン４９１は、絶縁基板Ｍ８の導体パターン４８３と重なっており、導体パターン４９２は、絶縁基板Ｍ８の導体パターン４８４と重なっている。絶縁基板Ｍ１０、Ｍ１１は、絶縁基板Ｍ９と同じ構成であり、それぞれ導体パターン５０１、５０２と導体パターン５１１，５１２が形成されている。導体パターン５０１、５１１は絶縁基板Ｍ８の導体パターン４８３と重なっており、導体パターン５０２、５１２は絶縁基板Ｍ８の導体パターン４８４と重なっている。絶縁基板Ｍ１２には、導体パターン５２１が形成されている。なお、絶縁基板Ｍ１２の構成は、第３の実施例の絶縁基板Ｍ９と同じ構成である。
【００９６】
第４の実施例に係るダイプレクサはハイバンドフィルタ４０ａに、６本のスルーホール配線を有する。
【００９７】
スルーホール配線４２１ｔ、４２２ｔ、４７１ｔ、４７２ｔの構成は、第３の実施例に係るバンドパスフィルタのスルーホール配線３２１ｔ、３２２ｔ、３７１ｔ、３７２ｔの構成と同じなので説明を省略する。
【００９８】
スルーホール配線４６１ｔは、導体パターン４６１（絶縁基板Ｍ６）、導体パターン４７３（絶縁基板Ｍ７）、導体パターン４８３（絶縁基板Ｍ８）、導体パターン４９１（絶縁基板Ｍ９）、導体パターン５０１（絶縁基板Ｍ１０）、導体パターン５１１（絶縁基板Ｍ１１）、及び導体パターン５２１（絶縁基板Ｍ１２）を繋いでいる。スルーホール配線４６２ｔは、導体パターン４６２（絶縁基板Ｍ６）、導体パターン４７４（絶縁基板Ｍ７）、導体パターン４８４（絶縁基板Ｍ８）、導体パターン４９２（絶縁基板Ｍ９）、導体パターン５０２（絶縁基板Ｍ１０）、導体パターン５１２（絶縁基板Ｍ１１）、及び導体パターン５２１（絶縁基板Ｍ１２）を繋いでいる。
【００９９】
第４の実施例に係るダイプレクサのハイバンドフィルタ４０ａの等価回路は第３の実施例に係るバンドパスフィルタの等価回路と同じなので説明を省略する。
【０１００】
第４の実施例に係るダイプレクサのハイバンドフィルタ４０ａについて、等価回路の素子と、素子を形成する導体パターン・配線との関係を説明する。キャパシタの構成及びインダクタＬ１２，１３、１４、２２，２３，２４の構成については第３の実施例と同じであるので、説明を省略する。
【０１０１】
インダクタＬ１１は、スルーホール配線４６１ｔと導体パターン４６１の直列結合により構成される点において、第３の実施例と同じである。ただし、第３の実施例ではスルーホール配線３６１ｔが絶縁基板Ｍ６の表面から絶縁基板のＭ９の表面までを繋ぐ配線であるのに対し、第４の実施例では、スルーホール配線４６１ｔは絶縁基板Ｍ６の表面から絶縁基板Ｍ１２の表面までを繋ぐ配線である点が異なる。インダクタＬ２１についても同様である。
【０１０２】
ローバンドフィルタ４０ｂの構成：
ローバンドフィルタ４０ｂについては、各絶縁基板に形成される導体パターンについては個々に説明せず、図３６に示す等価回路の各素子が図３３から図３５に示す分解斜視図のどの導体パターン、どのスルーホール配線を用いて形成されているかを説明する。
【０１０３】
キャパシタＣ４１は導体パターン４２３（絶縁基板Ｍ２）と導体パターン４１１（絶縁基板Ｍ１）の重なりにより、キャパシタＣ４２は導体パターン５３２（５３２ａ（絶縁基板Ｍ１３））と導体パターン５２２（絶縁基板Ｍ１２）の重なりにより、キャパシタＣ４３は導体パターン５３２（５３２ｂ（絶縁基板Ｍ１３））と導体パターン５２３（絶縁基板Ｍ１２）の重なりにより、キャパシタＣ４４は導体パターン５３１（絶縁基板Ｍ１３）と導体パターン５２３（絶縁基板Ｍ１２）の重なりにより、キャパシタＣ４５は導体パターン４２４（絶縁基板Ｍ２）と導体パターン４１１（絶縁基板Ｍ１）の重なりにより構成されている。
【０１０４】
インダクタＬ４１は、導体パターン５１３（絶縁基板Ｍ１１）、スルーホール配線５０３ｔ（絶縁基板Ｍ１１〜絶縁基板Ｍ１０）、導体パターン５０３（絶縁基板Ｍ１０）、スルーホール配線４９３ｔ（絶縁基板Ｍ１０〜絶縁基板Ｍ９）、導体パターン４９３（絶縁基板Ｍ９）、スルーホール配線４８５ｔ（絶縁基板Ｍ９〜絶縁基板Ｍ８）、導体パターン４８５（絶縁基板Ｍ８）、スルーホール配線４７４ｔ（絶縁基板Ｍ８〜絶縁基板Ｍ７）、導体パターン４７４（絶縁基板Ｍ７）、スルーホール配線４６３ｔ１（絶縁基板Ｍ７〜絶縁基板Ｍ６）、及び導体パターン４６３（絶縁基板Ｍ６）の直列接続により構成されている。図３３から図３５において上記導体パターン、スルーホール配線のつながりを追いかけると、インダクタＬ４１は、絶縁基板Ｍ１１上の導体パターン５１３から始まり、反時計回りにいわゆる螺旋を描きながら下層の絶縁基板につながるコイルである。なお、図３３から図３５では模式的に描いているため、スルーホール配線の長さは長いように見えるが、スルーホール配線の長さは絶縁基板の厚と同じであり、短い。本実施例では、スルーホール配線の長さよりも、各絶縁基板に形成される導体パターンの長さの方がかなり長いため、インダクタへの寄与は導体パターンが支配的である。よって、図３７（ｂ）では、導体パターンのみを記載している。
【０１０５】
インダクタＬ４２は、導体パターン４９４（絶縁基板Ｍ９）、スルーホール配線４８６ｔ（絶縁基板Ｍ９〜絶縁基板Ｍ８）、導体パターン４８６（絶縁基板Ｍ８）、スルーホール配線４７５ｔ（絶縁基板Ｍ８〜絶縁基板Ｍ７）、導体パターン４７５（絶縁基板Ｍ７）、スルーホール配線４６３ｔ２（絶縁基板Ｍ７〜絶縁基板Ｍ６）、導体パターン４６３（絶縁基板Ｍ６）により構成されている。インダクタＬ４２は、絶縁基板Ｍ９上の導体パターン４９４から始まり、時計回りにいわゆる螺旋を描きながら下層につながるコイルである。
【０１０６】
インダクタＬ４３は、導体パターン５１５（絶縁基板Ｍ１１）、スルーホール配線５０５ｔ（絶縁基板Ｍ１１〜絶縁基板Ｍ１０）、導体パターン５０５（絶縁基板Ｍ１０）、スルーホール配線４９５ｔ（絶縁基板Ｍ１０〜絶縁基板Ｍ９）、導体パターン４９５（絶縁基板Ｍ９）、スルーホール配線４８７ｔ（絶縁基板Ｍ９〜絶縁基板Ｍ８）、導体パターン４８７（絶縁基板Ｍ８）、スルーホール配線４７６ｔ（絶縁基板Ｍ８〜絶縁基板Ｍ７）、導体パターン４７６（絶縁基板Ｍ７）、スルーホール配線４６４ｔ（絶縁基板Ｍ７〜絶縁基板Ｍ６）、導体パターン４６４（絶縁基板Ｍ６）により構成されている。インダクタＬ４３は、絶縁基板Ｍ１１上の導体パターン５１５から始まり、反時計回りにいわゆる螺旋を描きながら下層につながるコイルである。
【０１０７】
インダクタＬ４４は、導体パターン５１６（絶縁基板Ｍ１１）、スルーホール配線５０６ｔ（絶縁基板Ｍ１１〜絶縁基板Ｍ１０）、導体パターン５０６（絶縁基板Ｍ１０）、スルーホール配線４９６ｔ（絶縁基板Ｍ１０〜絶縁基板Ｍ９）、導体パターン４９６（絶縁基板Ｍ９）、スルーホール配線４８８ｔ（絶縁基板Ｍ９〜絶縁基板Ｍ８）、導体パターン４８８（絶縁基板Ｍ８）、スルーホール配線４７７ｔ（絶縁基板Ｍ８〜絶縁基板Ｍ７）、導体パターン４７７（絶縁基板Ｍ７）、スルーホール配線４６５ｔ（絶縁基板Ｍ７〜絶縁基板Ｍ６）、導体パターン４６５（絶縁基板Ｍ６）により構成されている。インダクタＬ４４は絶縁基板Ｍ１１上の導体パターン５１６から始まり、反時計回りにいわゆる螺旋を描きながら下層につながるコイルである。
【０１０８】
図３８及び図３９を用いて、第４の実施例に係るダイプレクサの切り欠き部の構造と特性について説明する。図３８は、切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。図３９は、第４の実施例に係るダイプレクサのハイバンドフィルタ４０ａの透過特性を示すグラフである。
【０１０９】
切り欠き部４１２の凹の大きさと透過特性との関係をみると、切り欠き部４１２が大きい方が減衰帯域周波数において、減衰極の発生周波数は低周波数側に移動している。一方、通過帯域周波数では、違いは生じていない。
【０１１０】
第４の実施例によれば、切り欠き部４１２を設けることにより、バンドパスフィルタだけでなく、ダイプレクサであっても、通過帯域周波数の特性に影響を与えることなく減衰帯域周波数の特性を変えることができる。
【０１１１】
第１の実施例から第４の実施例では、切り欠き部の形状は、矩形あるいはカギ型であったが、形状は、これらには限定されず、他の形状、例えば、三角形、多角形、半円形、円形、楕円形等であってもよい。
なお、上記説明では、本発明の実施態様として積層型電子部品を例にとり説明したが、実施態様として、積層型電子部品の周波数特性の調整方法としての態様であってもよいのは、当然である。
【０１１２】
以上、いくつかの実施例に基づいて本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】第１の実施例に係るバンドパスフィルタの上面を上にした外観を模式的に示す説明図である。
【図２】第１の実施例に係るバンドパスフィルタの下面を上にした外観を模式的に示す説明図である。
【図３】第１の実施例に係るバンドパスフィルタ１０を構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図である。
【図４】第１の実施例に係るバンドパスフィルタの等価回路である。
【図５】等価回路の素子と素子を形成する導体パターン・配線との関係を示す説明図である。
【図６】切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。
【図７】第１の実施例に係るバンドパスフィルタ１０の透過特性（ＳパラメータのＳ２１）を示すグラフである。
【図８】比較例に係るバンドパスフィルタの構成を模式的に示す説明図である。
【図９】比較例に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図１０】変形例１に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。
【図１１】変形例１に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図１２】変形例２に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。
【図１３】変形例２に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図１４】変形例３に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。
【図１５】変形例３に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図１６】変形例４に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。
【図１７】変形例４に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図１８】変形例５に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。
【図１９】変形例５に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図２０】変形例６に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。
【図２１】変形例６に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図２２】変形例７に係るバンドパスフィルタの構成を示す説明図である。
【図２３】変形例７に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図２４】第２の実施例に係るバンドパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図である。
【図２５】切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。
【図２６】第２の実施例に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図２７】第３の実施例に係るバンドパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その１）である。
【図２８】第３の実施例に係るバンドパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その２）である。
【図２９】第３の実施例に係るバンドパスフィルタの等価回路である。
【図３０】等価回路の素子と素子を形成する導体パターン・配線との関係を示す説明図である。
【図３１】切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。
【図３２】第３の実施例に係るバンドパスフィルタの透過特性を示すグラフである。
【図３３】第４の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その１）である。
【図３４】第４の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その２）である。
【図３５】第４の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す分解斜視図（その３）である。
【図３６】第４の実施例に係るダイプレクサの等価回路図である。
【図３７】等価回路の素子と素子を形成する導体パターン・配線との関係を示す説明図である。
【図３８】切り欠き部の構成を模式的に示す説明図である。
【図３９】第４の実施例に係るダイプレクサのハイバンドフィルタ側の透過特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１１４】
１０…バンドパスフィルタ
４０ａ…ハイバンドフィルタ
４０ｂ…ローバンドフィルタ
１０２…側面電極
１０４…側面電極
１０６…側面電極
１１１…導体パターン
１１１ａ…接続部
１１２…切り欠き部
１２１…導体パターン
１２１ｔ…スルーホール配線
１２２…導体パターン
１２２ｔ…スルーホール配線
１３１…導体パターン
１３２…導体パターン
１３３…導体パターン
１３４…導体パターン
１４１…導体パターン
１４２…導体パターン
１５１…導体パターン
１５２…導体パターン
１５３…導体パターン
１６１…導体パターン
１６１ｔ…スルーホール配線
１６２…導体パターン
１６２ｔ…スルーホール配線
１７１…導体パターン
２０２…側面電極
２０４…側面電極
２０６…側面電極
２０６ａ…側面電極
２０６ｂ…側面電極
２０６ｃ…側面電極
２０８…側面電極
２１１…導体パターン
２１２…切り欠き部
２２１…導体パターン
２７１…導体パターン
３０２…側面電極
３０４…側面電極
３１１…導体パターン
３１２…切り欠き部
３２１…導体パターン
３２１ｔ…スルーホール配線
３２２…導体パターン
３２２ｔ…スルーホール配線
３３３…導体パターン
３３４…導体パターン
３４１…導体パターン
３４２…導体パターン
３５２…導体パターン
３５３…導体パターン
３６１…導体パターン
３６１ｔ…スルーホール配線
３６２…導体パターン
３６２ｔ…スルーホール配線
３７１…導体パターン
３７１…導体パターン
３７１ｔ…スルーホール配線
３７２…導体パターン
３７２ｔ…スルーホール配線
３７３…導体パターン
３７４…導体パターン
３８１…導体パターン
３８１…導体パターン
３８２…導体パターン
３８３…導体パターン
３８４…導体パターン
３９１…導体パターン
４０２…側面電極
４０４…側面電極
４０８…側面電極
４１１…導体パターン
４１２…切り欠き部
４２１ｔ…スルーホール配線
４２２ｔ…スルーホール配線
４２３…導体パターン
４２４…導体パターン
４６１…導体パターン
４６１ｔ…スルーホール配線
４６２ｔ…スルーホール配線
４６３…導体パターン
４６３ｔ１…スルーホール配線
４６３ｔ２…スルーホール配線
４６４…導体パターン
４６４ｔ…スルーホール配線
４６５…導体パターン
４６５ｔ…スルーホール配線
４６６…導体パターン
４７３…導体パターン
４７４…導体パターン
４７４ｔ…スルーホール配線
４７５…導体パターン
４７５ｔ…スルーホール配線
４７６…導体パターン
４７６ｔ…スルーホール配線
４７７…導体パターン
４７７ｔ…スルーホール配線
４８３…導体パターン
４８４…導体パターン
４８５…導体パターン
４８５ｔ…スルーホール配線
４８６…導体パターン
４８６ｔ…スルーホール配線
４８７…導体パターン
４８７ｔ…スルーホール配線
４８８…導体パターン
４８８ｔ…スルーホール配線
４９１…導体パターン
４９２…導体パターン
４９３…導体パターン
４９３ｔ…スルーホール配線
４９４…導体パターン
４９４ｔ…スルーホール配線
４９５…導体パターン
４９５ｔ…スルーホール配線
４９６…導体パターン
４９６ｔ…スルーホール配線
５０１…導体パターン
５０２…導体パターン
５０３…導体パターン
５０３ｔ…スルーホール配線
５０５…導体パターン
５０５ｔ…スルーホール配線
５０６…導体パターン
５０６ｔ…スルーホール配線
５１１…導体パターン
５１２…導体パターン
５１３…導体パターン
５１５…導体パターン
５１６…導体パターン
５２１…導体パターン
５２２…導体パターン
５２３…導体パターン
５３１…導体パターン
５３２…導体パターン
５３２ａ…導体パターン
５３２ｂ…導体パターン
Ｍ１…絶縁基板
Ｍ２…絶縁基板
Ｍ３…絶縁基板
Ｍ４…絶縁基板
Ｍ５…絶縁基板
Ｍ６…絶縁基板
Ｍ７…絶縁基板
Ｍ８…絶縁基板
Ｍ９…絶縁基板
Ｍ１０…絶縁基板
Ｍ１１…絶縁基板
Ｍ１２…絶縁基板
Ｍ１３…絶縁基板
ＩＮ…入力端子
ＯＵＴ…出力端子
Ｃ１１…キャパシタ
Ｃ１２…キャパシタ
Ｃ２１…キャパシタ
Ｃ２２…キャパシタ
Ｃ３１ａ…キャパシタ
Ｃ３１ｂ…キャパシタ
Ｃ４１…キャパシタ
Ｃ４２…キャパシタ
Ｃ４３…キャパシタ
Ｃ４４…キャパシタ
Ｃ４５…キャパシタ
Ｌ１１…インダクタ
Ｌ１２…インダクタ
Ｌ１３…インダクタ
Ｌ１４…インダクタ
Ｌ２１…インダクタ
Ｌ２２…インダクタ
Ｌ２３…インダクタ
Ｌ２４…インダクタ
Ｌ４１…インダクタ
Ｌ４２…インダクタ
Ｌ４３…インダクタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁基板が積層されてなる積層型電子部品であって、
外部電極と、
第１の導体パターンが形成されている第１の絶縁基板と、
前記外部電極に接続され、前記第１の導体パターンと一部が重なり、前記第１の導体パターンと重ならない部分に切り欠き部を有する第２の導体パターンが形成されている第２の絶縁基板と、
前記第１の導体パターンに接続されるインダクタ導体と、
を備える、積層型電子部品。
【請求項２】
請求項１に記載の積層型電子部品において、前記インダクタ導体として、
一端が前記第１の導体パターンに接続されている第１のインダクタ導体と、
一端が前記第１のインダクタ導体の他端に接続され、他端が前記外部電極に接続されている第２のインダクタ導体と、
を備える、積層型電子部品。
【請求項３】
請求項２に記載の積層型電子部品において、
前記第１のインダクタ導体及び前記第２のインダクタ導体の少なくとも一方を分布定数素子として利用する、積層型電子部品。
【請求項４】
前記積層型電子部品は、請求項２または請求項３に記載の第１の導体パターン、第２の導体パターン、第１のインダクタ導体、及び第２のインダクタ導体を有するバンドパスフィルタ回路を備える、
積層型電子部品。
【請求項５】
請求項４に記載の積層型電子部品において、
前記積層型電子部品は所定の通過周波数帯域をそれぞれ有する複数のフィルタ回路を備えるマルチプレクサであって、
前記複数のフィルタ回路のうち少なくとも１つは、前記バンドパスフィルタ回路である、積層型電子部品。
【請求項６】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の積層型電子部品において、
前記切り欠き部がカギ型をしている、積層型電子部品。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の積層型電子部品において、
前記切り欠き部は、前記第２の導体パターンに囲まれている、積層型電子部品。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の積層型電子部品において、
前記第２の導体パターンに前記切り欠き部が複数備えられている、積層型電子部品。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の積層型電子部品において、さらに、
前記第１の絶縁基板上に前記第２の導体パターンと重なる第３の導体パターンを有し、
前記第２の導体パターン上の、前記第１の導体パターンと重なる部分、及び前記第３の導体パターンと重なる部分、の間に前記切り欠き部が設けられている、積層型電子部品。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の積層型電子部品において、
前記切り欠き部は、前記外部電極に接続される導体パターン以外の導体パターンのいずれとも重ならない位置に設けられている、積層型電子部品。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の積層型電子部品において、
前記外部電極と前記第２の導体パターンとの接続部の幅は、前記外部電極の幅と異なっている、積層型電子部品。
【請求項１２】
複数の絶縁基板を積層してなる積層型電子部品の周波数特性の調整方法であって、
前記積層型電子部品は
外部電極と、
第１の導体パターンが形成されている第１の絶縁基板と、
前記外部電極に接続され、前記第１の導体パターンと一部が重なる第２の導体パターンが形成されている第２の絶縁基板と、
前記第１の導体パターンに接続されるインダクタ導体と、
を備え、
前記第２の導体パターン上であって、前記第１の導体パターンと重ならない部分に切り欠き部を設け、前記切り欠き部の位置、大きさ、形状を調整することにより、積層型電子部品の周波数特性を調整する積層型電子部品の周波数特性の調整方法。
【請求項１】
複数の絶縁基板が積層されてなる積層型電子部品であって、
外部電極と、
第１の導体パターンが形成されている第１の絶縁基板と、
前記外部電極に接続され、前記第１の導体パターンと一部が重なり、前記第１の導体パターンと重ならない部分に切り欠き部を有する第２の導体パターンが形成されている第２の絶縁基板と、
前記第１の導体パターンに接続されるインダクタ導体と、
を備える、積層型電子部品。
【請求項２】
請求項１に記載の積層型電子部品において、前記インダクタ導体として、
一端が前記第１の導体パターンに接続されている第１のインダクタ導体と、
一端が前記第１のインダクタ導体の他端に接続され、他端が前記外部電極に接続されている第２のインダクタ導体と、
を備える、積層型電子部品。
【請求項３】
請求項２に記載の積層型電子部品において、
前記第１のインダクタ導体及び前記第２のインダクタ導体の少なくとも一方を分布定数素子として利用する、積層型電子部品。
【請求項４】
前記積層型電子部品は、請求項２または請求項３に記載の第１の導体パターン、第２の導体パターン、第１のインダクタ導体、及び第２のインダクタ導体を有するバンドパスフィルタ回路を備える、
積層型電子部品。
【請求項５】
請求項４に記載の積層型電子部品において、
前記積層型電子部品は所定の通過周波数帯域をそれぞれ有する複数のフィルタ回路を備えるマルチプレクサであって、
前記複数のフィルタ回路のうち少なくとも１つは、前記バンドパスフィルタ回路である、積層型電子部品。
【請求項６】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の積層型電子部品において、
前記切り欠き部がカギ型をしている、積層型電子部品。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の積層型電子部品において、
前記切り欠き部は、前記第２の導体パターンに囲まれている、積層型電子部品。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の積層型電子部品において、
前記第２の導体パターンに前記切り欠き部が複数備えられている、積層型電子部品。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の積層型電子部品において、さらに、
前記第１の絶縁基板上に前記第２の導体パターンと重なる第３の導体パターンを有し、
前記第２の導体パターン上の、前記第１の導体パターンと重なる部分、及び前記第３の導体パターンと重なる部分、の間に前記切り欠き部が設けられている、積層型電子部品。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の積層型電子部品において、
前記切り欠き部は、前記外部電極に接続される導体パターン以外の導体パターンのいずれとも重ならない位置に設けられている、積層型電子部品。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の積層型電子部品において、
前記外部電極と前記第２の導体パターンとの接続部の幅は、前記外部電極の幅と異なっている、積層型電子部品。
【請求項１２】
複数の絶縁基板を積層してなる積層型電子部品の周波数特性の調整方法であって、
前記積層型電子部品は
外部電極と、
第１の導体パターンが形成されている第１の絶縁基板と、
前記外部電極に接続され、前記第１の導体パターンと一部が重なる第２の導体パターンが形成されている第２の絶縁基板と、
前記第１の導体パターンに接続されるインダクタ導体と、
を備え、
前記第２の導体パターン上であって、前記第１の導体パターンと重ならない部分に切り欠き部を設け、前記切り欠き部の位置、大きさ、形状を調整することにより、積層型電子部品の周波数特性を調整する積層型電子部品の周波数特性の調整方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【公開番号】特開２００９−５５３４４（Ｐ２００９−５５３４４Ａ）
【公開日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２２００９１（Ｐ２００７−２２００９１）
【出願日】平成１９年８月２７日（２００７．８．２７）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年８月２７日（２００７．８．２７）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
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