表示装置用のマザー基板、および表示装置
【課題】基板間の間隔が不均一になる可能性を低減できる表示装置用のマザー基板、および表示装置を提供する。
【解決手段】複数の表示領域と、隣り合う表示領域間に位置する非表示領域とを有した表示装置用のマザー基板であって、第１マザー基板と、第１マザー基板に対向して配置される第２マザー基板と、表示領域に対応する第１マザー基板と第２マザー基板との間に設けられた着色層６と、表示領域に対応する第１マザー基板と第２マザー基板との間に設けられており、かつ着色層６よりも非表示領域側に配置された遮光膜７と、非表示領域に対応する第１マザー基板と第２マザー基板との間に設けられたダミー層１８と、を備え、ダミー層１８は、遮光膜７と間隙を介して配置されている。
【解決手段】複数の表示領域と、隣り合う表示領域間に位置する非表示領域とを有した表示装置用のマザー基板であって、第１マザー基板と、第１マザー基板に対向して配置される第２マザー基板と、表示領域に対応する第１マザー基板と第２マザー基板との間に設けられた着色層６と、表示領域に対応する第１マザー基板と第２マザー基板との間に設けられており、かつ着色層６よりも非表示領域側に配置された遮光膜７と、非表示領域に対応する第１マザー基板と第２マザー基板との間に設けられたダミー層１８と、を備え、ダミー層１８は、遮光膜７と間隙を介して配置されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置用のマザー基板、および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶層の厚みが小さく、面内にて均一化が求められる液晶表示装置が市場のニーズとしてある。このような液晶表示装置として、たとえばカイラルネマチック液晶を用いたメモリー性双安定型液晶表示装置の技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このメモリー性双安定型液晶表示装置は、リセットパルスと選択パルスとの間に遅延時間を導入した信号波形を設け、これによって遅延時間を短縮させるというものである。
【０００４】
すなわち、フレデリクス転移後の準安定状態（０°あるいは３６０°）への移行にはバックフロー現象が関係していると言われるが、この現象を最大限に生かすために、リセットパルスと選択パルスとの間にインターバルを設けるというものであって、これによって準安定状態へ移行しやすくなり、その結果、マトリックス駆動の１ラインあたりの書き込み時間（選択時間）が短縮され、フリッカーレスのハイデューティな単純マトリックス駆動を実現しようとするものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−２４８４８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようなメモリー性双安定型液晶表示装置は、液晶層厚を狭くするほどに、選択時間が短縮できるので、液晶層厚を相当に小さくするとともに、その液晶層厚を液晶表示領域にわたって均一にそろえる必要がある。
【０００７】
しかしながら、信号電極部材と走査電極部材とを貼り合わせるに際し、表示領域および非表示領域の双方の基板全面に同一径の球形スペーサを配しているにもかかわらず、基板に歪みが生じ、シール部が均一に押しつぶされずに硬化し、これにより、表示領域のシール部近傍は層厚が大きくなる傾向にあり、その結果、表示領域内を所望とおりの薄さの厚みでもって、液晶層厚を均一に設定することがむずかしかった。
【０００８】
この課題を図４〜図６に示す液晶表示装置Ｐ，Ｐ´より説明する。信号電極部材と走査電極部材の双方はマザーガラスより分断作成するが、このマザーガラスより６個の液晶表示装置Ｐ，Ｐ´が得られる場合を説明する。
【０００９】
図４は分断前の液晶表示装置Ｐの平面図であり、図５は図４に示す切断面線ｂ−ｂ´による概略断面図である。また、図６についても図４に示す切断面線ｂ−ｂ´による液晶表示装置Ｐ´の概略断面図である。
【００１０】
この液晶表示装置Ｐによれば、透明基板１の上に信号電極２と配向膜３とを順次積層形成し、これにより、信号電極部材４をなす。また、透明基板５の上にカラーフィルタ用の着色層６と遮光層７とを形成し、これらの上にオーバーコート層８、走査電極９、配向膜１０とを順次積層し、これによって走査電極部材１１となす。そして、信号電極部材４と
走査電極部材１１とを液晶層１２を介して、シール部１３およびダミーシール部１４により貼り合わせる。１５はスペーサ、１６は表示領域である。
【００１１】
しかしながら、上記のようにマザーガラスを切断する前であれば、信号電極部材４と走査電極部材１１とを貼り合わせるに際し、シール部１３を押しつぶすことで、基板に歪みが生じ、これにより、表示領域１６のシール部１３近傍は層厚が大きくなっていた。
【００１２】
たとえば、シール材として三井化学（株）製「ストライクボンドＸＮ−２１−Ｓ」を用いて、１．０ｋｇ／ｃｍ2、１５０℃にて加圧・加熱すると、歪みが生じて、加圧・加熱
を解除した後にも、そのような歪みが残っていた。
【００１３】
上記構成においては、スペーサ１５を用いたが、これに代えて図６に示す液晶表示装置Ｐ´のように柱状スペーサ１７を形成しても同様な課題がある。なお、同図において図４と同一箇所には同一符号を記す。
【００１４】
かかる課題を解消するために、透明基板のシール部が当る部分に深さ１．５μｍ程度の溝をフッ化水素等を用いてエッチング処理でもって形成する技術が提案されている（特開平８−２１１３９５号公報参照）。
【００１５】
しかしながら、このような溝を形成することで生産コストが上がり、しかも、高い精度にて溝を形成することがむずかしく、溝全体を均一な深さにできないという課題がある。
【００１６】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板間の間隔が不均一になる可能性を低減できる表示装置用のマザー基板、および表示装置に関する。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の表示装置用のマザー基板における一態様は、複数の表示領域と、隣り合う表示領域間に位置する非表示領域とを有した表示装置用のマザー基板であって、第１マザー基板と、前記第１マザー基板に対向して配置される第２マザー基板と、前記表示領域に対応する前記第１マザー基板と前記第２マザー基板との間に設けられた着色層と、前記表示領域に対応する前記第１マザー基板と前記第２マザー基板との間に設けられており、かつ前記着色層よりも前記非表示領域側に配置された遮光膜と、前記非表示領域に対応する前記第１マザー基板と前記第２マザー基板との間に設けられたダミー層と、を備え、前記ダミー層は、前記遮光膜と間隙を介して配置されている。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の表示装置用のマザー基板、および表示装置は、基板間の間隔が不均一になる可能性を低減できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の液晶表示装置に係るマザーガラスの分断前の平面図である。
【図２】図１に示す切断面線ａ−ａ´による概略断面図である。
【図３】図１に示す切断面線ａ−ａ´による概略断面図である。
【図４】従来の液晶表示装置に係るマザーガラスの分断前の平面図である。
【図５】図４に示す切断面線ｂ−ｂ´による概略断面図である。
【図６】図４に示す切断面線ｂ−ｂ´による概略断面図である。
【図７】本発明の液晶表示装置の製法に関する工程図である。
【図８】本発明の液晶表示装置の製法に関する工程図である。
【図９】本発明の液晶表示装置の製法に関する工程図である。
【図１０】双安定型の液晶表示装置における選択電圧と不安定状態（不安定領域）との関係を示す説明図である。
【図１１】双安定型の液晶表示装置におけるスイッチング状態を示す説明図である。
【図１２】セルギャップ測定位置とギャップ差との関係を示す線図である。
【図１３】セルギャップ測定位置とギャップ差との関係を示す線図である。
【図１４】セルギャップ測定位置とギャップ差との関係を示す線図である。
【図１５】シール部の位置とシール高さとの関係を示す線図である。
【図１６】シール部の位置とシール高さとの関係を示す線図である。
【図１７】シール部の位置とシール高さとの関係を示す線図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
まず、本発明の液晶表示装置の製造方法を述べる。本例においては、カラー液晶表示装置でもって例示する。
【００２１】
順次下記（ａ）〜（ｃ）の各工程を経て作製した一方部材と、マザーガラス上に電極と配向層とを順次積層してなる他方部材とを表示領域の外周部ではシール部にて、さらに非表示領域ではダミー部材でもって貼り合わせ、ついで双方のマザーガラスを非表示領域にて切断する。
（ａ）マザーガラス上の各表示領域に着色層を、さらに各表示領域間の非表示領域にダミー層を形成する。
（ｂ）上記各表示領域の着色層上に電極を形成する。
（ｃ）上記電極上に配向膜を形成する。
【００２２】
つぎに図１〜図３および図７〜図９によって本発明の液晶表示装置Ａ、Ｂの製造方法を詳述する。
【００２３】
前記他方部材である信号電極部材と、前記一方部材である走査電極部材の双方はマザーガラスからなるが、１個のマザーガラスより分断作成することで６個の液晶表示装置Ａ、Ｂを作製する場合を例示する。
【００２４】
図１は分断前の基板平面図であり、図２と図３はそれぞれ図１に示す切断面線ａ−ａ´による概略断面図である。また、図７〜図９はいずれも工程図である。なお、図４および図５に示す液晶表示装置と同一箇所には同一符号を付す。
（液晶表示装置Ａの製法）
図１と図２と図７により本発明の液晶表示装置Ａの製法を述べる。信号電極部材４については、マザーガラス（たとえば３００×３６０ｍｍ）である透明基板１の上にＩＴＯなどからなる膜をスパッタリング法や蒸着にて成膜し、ついでフォトリソグラフィにより一方に配列した多数の信号電極２を形成する。そして、この信号電極２の上にポリイミド樹脂からなる樹脂を塗布でもって被覆形成し、ついで一方向にラビング処理し、これによって配向膜３となす。
【００２５】
そして、このような設けた６個の表示領域１６に対し、それぞれ外周にそってシール部１３を形成する。このシール部１３の形成と同時に、前記ダミー部材であるダミーシール部１４ａも各表示領域１６の間の非表示領域に形成する。このダミーシール部１４ａはシール部１３と同じ材料にて設ければよい。たとえば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等の熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂などがある。
【００２６】
他方の走査電極部材１１については、下記（ａ）〜（ｂ）の各工程を含む工程でもって作製する。
（ａ）工程
マザーガラス（たとえば３００×３６０ｍｍ）である透明基板５を用意する。そして、
透明基板５の上にクロムやアルミニウム、銀などの金属膜を形成し、その後にフォトリソグラフィにて所定のパターンからなる遮光膜７（層厚１０００Å〜３０００Å）を設ける。このような金属膜の遮光膜７に代えて黒色樹脂からなる遮光膜７（層厚１．３〜１．５μｍ）を塗布形成してもよい。
【００２７】
そして、透明基板５の遮光膜７が形成されていない領域にカラーフィルタ用の着色層６（層厚１．３〜１．５μｍ）を形成する。この着色層６は顔料分散方式、すなわちあらかじめ顔料（赤、緑、青）により調合された感光性レジストを基板上に塗布し、フォトリソグラフィにより形成する。
【００２８】
さらに非表示領域の上にダミー層１８を形成する。たとえば、アクリル系感光ポリマー、ポリイミド系感光ポリマーなどからなるレジストを塗布し、フォトマスクを用いて露光し、現像することで、非表示領域の上に遮光膜７もしくは着色層６とほぼ同じ厚みになるようにダミー層１８を形成する。
【００２９】
つぎに遮光膜７と着色層６とダミー層１８との上にアクリル系樹脂からなるオーバーコート層８をスピンナー方式で塗布し形成する。
（ｂ）工程
この工程においては、ＩＴＯなどからなる膜をスパッタリング法や蒸着にて成膜し、ついでフォトリソグラフィにより一方に配列した多数の走査電極９を形成する。なお、オーバーコート層８とＩＴＯなどからなる膜との間に、密着性を向上させるために、ＳｉＯ2
やＳｉＮからなる層を形成する方が望ましい。
（ｃ）工程
そして、この走査電極９の上にポリイミド樹脂からなる樹脂を塗布でもって被覆形成し、ついで一方向にラビング処理し、これによって配向膜１０となす。なお、走査電極９は非表示領域にも同時形成するが、表示領域１６内の電極とは電気的に絶縁する。しかる後に樹脂からなる球状のスペーサ１５を多数個散布する。
【００３０】
以上の各工程（ａ）〜（ｃ）を経た後に、信号電極部材４と走査電極部材１１とを層厚１．５μｍの液晶層１２（室温でネマチック相を呈する液晶組成物「Ｅ．Ｍｅｒｃｋ社製ＺＬＩ−１５５７」に光学活性添加物「Ｅ．Ｍｅｒｃｋ社製Ｓ−８１１」を加えてヘリカルピッチＰを２．７μｍに調整したもの）を介して、シール部１３およびダミーシール部１４ａにより貼り合わせる。
【００３１】
ついで、このような貼り合わせマザーガラス基板を圧着し、非表示領域にて分断し、個々の液晶表示装置Ａに対しシール部１３の一部の開孔より液晶材を注入し、しかる後に、その注入口を封止する。この分断部位は、シール部１３とダミーシール部１４ａとの間にする。
【００３２】
かくして上記製法により得られた液晶表示装置Ａによれば、非表示領域に遮光膜７もしくは着色層６とほぼ同じ厚みになるようにダミー層１８を形成したことで、信号電極部材４と走査電極部材１１とを貼り合わせるに際し、シール部１３やダミーシール部１４ａが均等に押しつぶされ硬化できるため、とくにシール部１３の全体に対し液晶層厚方向の厚みを揃えられ、これによって基板に歪みが生じなくなる。
【００３３】
また、上記構成の液晶表示装置Ａによれば、さらに信号電極部材４と走査電極部材１１のそれぞれの外側に偏光板を配設した構成であって、そして、カイラルネマチック液晶からなる液晶層１２は初期状態でねじれ構造を有し、その初期状態にフレデリクス転移を生じさせる電圧を印加した後に印加される電圧差によって初期状態とは異なる２つの準安定状態を有するようになしたメモリー性双安定型となる。
【００３４】
たとえば初期状態でのツイスト角φ0（＝１８０°）に対してφ0＋π（＝３６０°）のねじれ状態が暗状態となるような両偏光板の位置関係（クロスニコル）にした場合に、明状態はツイスト角φ0−π（＝０°）である。
【００３５】
つぎにこの双安定型を利用する液晶表示装置Ａに対し、図１０に示すように不安定状態（不安定領域）を挟んで０°と３６０°との間でスイッチングする。
【００３６】
このようなスイッチングをおこなった場合、初期状態にフレデリクス転移を生じさせる電圧を印加した後の選択電圧をＶ１より低くすると３６０°状態、Ｖ２にまで高くすると０°状態、そして、Ｖｌ〜Ｖ２との間にすると０°と３６０°が混在した不安定状態が生じる。
【００３７】
たとえば、両偏光板クロスニコルにして、初期状態でのツイスト角φ0（１８０°）に
対してφ0＋π（３６０°）のねじれ状態が暗状態、φ0−π（０°）の状態が明状態であるとすると、不安定状態は２つの状態（明状態と黒状態）が混在しており、白〜黒の間の状態を示す。また、このように２つの準安定状態を利用するスイッチングは、図１０に示すように選択電圧をＶ３、Ｖ４にした関係を利用しても同様におこなわれる。
【００３８】
さらにまた、液晶表示装置Ａのマトリクス駆動を図１１により述べる。走査電位をＶＳ、信号電位をＶｄとすると、０°状態を発現させるための選択パルス値（選択電圧）Ｖ１（＝±｜ＶＳ＋Ｖｄ｜）と、３６０°状態を発現させるための選択パルス値（選択電圧）Ｖ２（＝±｜ＶＳ−Ｖｄ｜）に対して、Ｖ２−Ｖ１＝２Ｖｄとなる。そして、不安定領域の幅△１、△２の値において、２Ｖｄ＞Δ１、Δ２の条件が満たされると、３６０°／０°状態が発現し、マトリクス駆動できる。
（液晶表示装置Ｂの製法）
前記液晶表示装置Ａにおいては、信号電極部材４と走査電極部材１１とを多数のスペーサ１５を介して貼り合わせたが、これに代えて柱状スペーサを設けている。そして、非表示領域上のダミーシール部１４ａが前記ダミー部材である。なお、液晶表示装置Ａと同一箇所には同一符号を付す。
【００３９】
図３は液晶表示装置Ｂのマザーガラス分断前の断面図であり、図８は製造工程を示す。
【００４０】
信号電極部材４については、液晶表示装置Ａと同じ製法であり、マザーガラス（たとえば３００×３６０ｍｍ）である透明基板１の上に一方に配列した多数の信号電極２を形成し、この信号電極２の上にポリイミド樹脂からなる樹脂を塗布でもって被覆形成し、ついで一方向にラビング処理し、これによって配向膜３となす。そして、６個の表示領域１６に対し、同時にシール部１３とダミーシール部１４ａを形成する。
【００４１】
他方の走査電極部材１１については、下記（ａ）〜（ｂ）の各工程を含む工程でもって作製する。
（ａ）工程
マザーガラス（たとえば３００×３６０ｍｍ）である透明基板５の上にクロムやアルミニウム、銀などの金属膜（層厚１０００〜３０００Å）、あるいは黒色樹脂（層厚１．３〜１．５μｍ）などからなる遮光膜７を設け、そして、遮光膜７が形成されていない領域にカラーフィルタ用の着色層６（層厚１．３〜１．５μｍ）を形成する。さらに非表示領域の上にダミー層１８を形成する。つぎに遮光膜７と着色層６とダミー層１８との上にアクリル系樹脂からなるオーバーコート層８をスピンナー方式で塗布し形成する。
（ｂ）工程
この工程においては、ＩＴＯなどからなる膜をスパッタリング法や蒸着にて成膜し、つ
いでフォトリソグラフィにより一方に配列した多数の走査電極９を形成する。なお、オーバーコート層８とＩＴＯなどからなる膜との間に、密着性を向上させるために、ＳｉＯ2
やＳｉＮからなる層を形成する方が望ましい。
（ｃ）工程
そして、この走査電極９の上にポリイミド樹脂からなる樹脂を塗布でもって被覆形成し、ついで一方向にラビング処理し、これによって配向膜１０となす。さらに走査電極９の一部は非表示領域にも形成する。
【００４２】
しかる後に柱状スペーサ１７を画素間の領域（非画素領域）に、前記ダミー部材である柱状スペーサ１９をダミー層１８の上に形成する。
【００４３】
この柱状スペーサ１７、１９は、たとえばアクリル系感光樹脂またはポリイミド系感光樹脂からなるレジストを塗布し、フォトマスクを用いて露光し、現像し、一様な厚みにそろえることで形成する。
【００４４】
以上の各工程（ａ）〜（ｃ）を経た後に、信号電極部材４と走査電極部材１１とを層厚１．５μｍの液晶層１２を介して、シール部１３およびダミーシール部１４ａ、柱状スペーサ１７、１９により貼り合わせる。
【００４５】
ついで、このような貼り合わせマザーガラス基板を圧着し、非表示領域にて分断し、個々の液晶表示装置Ｂに対しシール部１３の一部の開孔より液晶材を注入し、しかる後に、その注入口を封止する。
【００４６】
かくして上記製法により得られた液晶表示装置Ｂによれば、非表示領域に遮光膜７もしくは着色層６とほぼ同じ厚みになるようにダミー層１８を、さらに柱状スペーサ１７、１９を形成したことで、信号電極部材４と走査電極部材１１とを貼り合わせるに際し、シール部１３やダミーシール部１４ａが均等に押しつぶさ硬化され、とくにシール部１３の全体に対し液晶層厚方向の厚みを揃えられ、これによって基板に歪みが生じなくなる。
【００４７】
しかも、液晶表示装置Ｂでは液晶表示装置Ａと比べても、柱状スペーサ１７、１９を形成したことで、散布にて配した球状のスペーサ１５よりも均等に液晶層内に設けられ、これにより、液晶層厚のバラツキ度合いがさらに改善され、均等な層厚になる。
【００４８】
また、上記構成の液晶表示装置Ｂについても、信号電極部材４と走査電極部材１１のそれぞれの外側に偏光板を配設した構成であって、そして、カイラルネマチック液晶からなる液晶層１３は初期状態でねじれ構造を有し、その初期状態にフレデリクス転移を生じさせる電圧を印加した後に印加される電圧差によって初期状態とは異なる２つの準安定状態を有するようになしたメモリー性双安定型となる。
【００４９】
また、前記ダミー層１８は遮光膜７や着色層６を形成した際に、そこにて使用したフォトマスクを変更することで、それらと同一材でもって厚みを調整して成膜形成してもよい。この製造工程を図９に示す。
【００５０】
なお、本発明は上記のような実施形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更や改良等は何ら差し支えない。たとえば、液晶層厚の小さいカイラルスメクティック液晶を用いた強誘電性液晶表示装置や反強誘電性液晶表示装置においても同じ作用効果がある。さらには液晶層厚が５μｍ程度の通常のＳＴＮ型やＴＮ型の液晶表示装置であっても同様の効果を奏する。しかも、実施例では、以下のとおり、単純マトリックス駆動方式の構造にて説明したが、その他の駆動方式、たとえばアクティブマトリックス駆動方式の構造でも同じ作用効果がある。
【実施例】
【００５１】
本発明は非表示領域の上にダミー層１８を形成し、さらにダミーシール部１４ａや柱状スペーサ１９を設けたことで、表示領域１６上の遮光膜７もしくは着色層６の高さとそろえている。
【００５２】
そこで、本発明者は液晶表示装置Ｂに対し、透明基板５上における表示領域１６の高さｄ１(走査電極部材１１の表示領域１６における厚み)と、非表示領域の高さｄ２(走査電
極部材１１の非表示領域における厚み)とを、幾とおりにも変えて、それぞれ信号電極部
材４と走査電極部材１１とを層厚１．５μｍの液晶層１２を介して、シール部１３およびダミーシール部１４ａにより貼り合わせ、ついで、このような貼り合わせマザーガラス基板を圧着し、非表示領域にて分断し、さらに液晶材を注入し、液晶表示装置Ｂとなした。
【００５３】
高さｄ１、ｄ２の測定については、触針を測定対象物に接触させ、測定対象物を移動させることで、触針の上下の触れを検出し、表面形状を測定するというＤＥＫＴＡＫ装置を用いて、各膜の厚みを測定し、そこから基板構造を考慮し算出するという方法を用いた。
【００５４】
そして、これら各種液晶表示装置を評価し、「良好」と「不良」に２分した。「良好」はフリッカーレスのハイデューティな単純マトリックス駆動を実現し、これによって色ムラのない高品質が達成された場合であり、「不良」はそのようなハイデューティな単純マトリックス駆動とならず、色ムラが発生した場合である。
ｄ１−ｄ２＝２．１μｍ ⇒「不良」
ｄ１−ｄ２＝１．８μｍ ⇒「不良」
ｄ１−ｄ２＝１．６μｍ ⇒「不良」
ｄ１−ｄ２＝１．４μｍ ⇒「不良」
ｄ１−ｄ２＝１．２μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝１．１μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝１．０μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝０．９μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝―０．９μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝―１．０μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝―１．１μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝―１．２μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝―１．４μｍ ⇒「不良」
かくして│ｄ１−ｄ２│≦１．２に、好適には│ｄ１−ｄ２│≦１．０に設定することで、フリッカーレスのハイデューティな単純マトリックス駆動を実現し、これによって色ムラのない高品質が達成された。
【００５５】
また、ｄ１−ｄ２＝１．４〜２．１μｍである場合に、表示領域１６の外周を起点にして、そこでのセルギャップ差を０．００とした場合に、起点から表示領域内に向けて、測定位置を移動させることで、セルギャップ差の変化を追ったところ、図１２に示すような結果が得られた。
【００５６】
また、シール部１３の全体に対し液晶層厚方向の厚み（シール高さ）を測定したところ、図１５に示すようにシール高さが液晶セル内側にいくほどに高くなっている。
【００５７】
つぎにｄ１−ｄ２＝−１．２〜１．２μｍである場合に、同様に表示領域１６の外周を起点にして表示領域内に向けて、測定位置を移動させることで、セルギャップ差の変化を追ったところ、図１３に示すような結果が得られた。
【００５８】
また、シール部を測定したところ、図１６に示すようにシール高さが一様に揃っている。シール高さがシール幅６００μｍに対し０．０５μｍ以下である場合に、セルギャップ差が０．１０μｍ以下の差になることを確認した。
【００５９】
さらにまた、ｄ１−ｄ２＜−１．４μｍである場合に、表示領域１６の外周を起点にして、同様にセルギャップ差の変化を追ったところ、図１４に示すような結果が得られた。
【００６０】
また、シール部の全体に対し液晶層厚方向の厚み（シール高さ）を測定したところ、図１７に示すようにシール高さが液晶セル内側にいくほどに低くなっている。
【００６１】
これらの結果から明らかなとおり、ｄ１−ｄ２＝−１．２〜１．２μｍにまで小さくすることで、表示領域内のギャップ差が顕著に小さくなっていることがわかる。
【００６２】
以上のとおり、マザーガラス上に電極と配向層とを順次積層してなる２種類の部材を、表示領域の外周部ではシール部にて、さらに非表示領域ではダミー部材でもって貼り合わせ、ついで双方のマザーガラスを非表示領域にて切断した液晶表示装置Ａ，Ｂによれば、シール部の全体に対し液晶層厚方向の厚みを揃えることができ、これにより、基板に歪みが生じなくなった。
【符号の説明】
【００６３】
１、５ 透明基板
２ 信号電極
３、１０ 配向膜
４ 信号電極部材
６ 着色層
７ 遮光膜
９ 走査電極
１１ 走査電極部材
１２ 液晶層
１３ シール部
１４、１４ａ ダミーシール部
１６ 表示領域
１７、１９ 柱状スペーサ
１８ ダミー層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置用のマザー基板、および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶層の厚みが小さく、面内にて均一化が求められる液晶表示装置が市場のニーズとしてある。このような液晶表示装置として、たとえばカイラルネマチック液晶を用いたメモリー性双安定型液晶表示装置の技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このメモリー性双安定型液晶表示装置は、リセットパルスと選択パルスとの間に遅延時間を導入した信号波形を設け、これによって遅延時間を短縮させるというものである。
【０００４】
すなわち、フレデリクス転移後の準安定状態（０°あるいは３６０°）への移行にはバックフロー現象が関係していると言われるが、この現象を最大限に生かすために、リセットパルスと選択パルスとの間にインターバルを設けるというものであって、これによって準安定状態へ移行しやすくなり、その結果、マトリックス駆動の１ラインあたりの書き込み時間（選択時間）が短縮され、フリッカーレスのハイデューティな単純マトリックス駆動を実現しようとするものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−２４８４８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようなメモリー性双安定型液晶表示装置は、液晶層厚を狭くするほどに、選択時間が短縮できるので、液晶層厚を相当に小さくするとともに、その液晶層厚を液晶表示領域にわたって均一にそろえる必要がある。
【０００７】
しかしながら、信号電極部材と走査電極部材とを貼り合わせるに際し、表示領域および非表示領域の双方の基板全面に同一径の球形スペーサを配しているにもかかわらず、基板に歪みが生じ、シール部が均一に押しつぶされずに硬化し、これにより、表示領域のシール部近傍は層厚が大きくなる傾向にあり、その結果、表示領域内を所望とおりの薄さの厚みでもって、液晶層厚を均一に設定することがむずかしかった。
【０００８】
この課題を図４〜図６に示す液晶表示装置Ｐ，Ｐ´より説明する。信号電極部材と走査電極部材の双方はマザーガラスより分断作成するが、このマザーガラスより６個の液晶表示装置Ｐ，Ｐ´が得られる場合を説明する。
【０００９】
図４は分断前の液晶表示装置Ｐの平面図であり、図５は図４に示す切断面線ｂ−ｂ´による概略断面図である。また、図６についても図４に示す切断面線ｂ−ｂ´による液晶表示装置Ｐ´の概略断面図である。
【００１０】
この液晶表示装置Ｐによれば、透明基板１の上に信号電極２と配向膜３とを順次積層形成し、これにより、信号電極部材４をなす。また、透明基板５の上にカラーフィルタ用の着色層６と遮光層７とを形成し、これらの上にオーバーコート層８、走査電極９、配向膜１０とを順次積層し、これによって走査電極部材１１となす。そして、信号電極部材４と
走査電極部材１１とを液晶層１２を介して、シール部１３およびダミーシール部１４により貼り合わせる。１５はスペーサ、１６は表示領域である。
【００１１】
しかしながら、上記のようにマザーガラスを切断する前であれば、信号電極部材４と走査電極部材１１とを貼り合わせるに際し、シール部１３を押しつぶすことで、基板に歪みが生じ、これにより、表示領域１６のシール部１３近傍は層厚が大きくなっていた。
【００１２】
たとえば、シール材として三井化学（株）製「ストライクボンドＸＮ−２１−Ｓ」を用いて、１．０ｋｇ／ｃｍ2、１５０℃にて加圧・加熱すると、歪みが生じて、加圧・加熱
を解除した後にも、そのような歪みが残っていた。
【００１３】
上記構成においては、スペーサ１５を用いたが、これに代えて図６に示す液晶表示装置Ｐ´のように柱状スペーサ１７を形成しても同様な課題がある。なお、同図において図４と同一箇所には同一符号を記す。
【００１４】
かかる課題を解消するために、透明基板のシール部が当る部分に深さ１．５μｍ程度の溝をフッ化水素等を用いてエッチング処理でもって形成する技術が提案されている（特開平８−２１１３９５号公報参照）。
【００１５】
しかしながら、このような溝を形成することで生産コストが上がり、しかも、高い精度にて溝を形成することがむずかしく、溝全体を均一な深さにできないという課題がある。
【００１６】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板間の間隔が不均一になる可能性を低減できる表示装置用のマザー基板、および表示装置に関する。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の表示装置用のマザー基板における一態様は、複数の表示領域と、隣り合う表示領域間に位置する非表示領域とを有した表示装置用のマザー基板であって、第１マザー基板と、前記第１マザー基板に対向して配置される第２マザー基板と、前記表示領域に対応する前記第１マザー基板と前記第２マザー基板との間に設けられた着色層と、前記表示領域に対応する前記第１マザー基板と前記第２マザー基板との間に設けられており、かつ前記着色層よりも前記非表示領域側に配置された遮光膜と、前記非表示領域に対応する前記第１マザー基板と前記第２マザー基板との間に設けられたダミー層と、を備え、前記ダミー層は、前記遮光膜と間隙を介して配置されている。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の表示装置用のマザー基板、および表示装置は、基板間の間隔が不均一になる可能性を低減できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の液晶表示装置に係るマザーガラスの分断前の平面図である。
【図２】図１に示す切断面線ａ−ａ´による概略断面図である。
【図３】図１に示す切断面線ａ−ａ´による概略断面図である。
【図４】従来の液晶表示装置に係るマザーガラスの分断前の平面図である。
【図５】図４に示す切断面線ｂ−ｂ´による概略断面図である。
【図６】図４に示す切断面線ｂ−ｂ´による概略断面図である。
【図７】本発明の液晶表示装置の製法に関する工程図である。
【図８】本発明の液晶表示装置の製法に関する工程図である。
【図９】本発明の液晶表示装置の製法に関する工程図である。
【図１０】双安定型の液晶表示装置における選択電圧と不安定状態（不安定領域）との関係を示す説明図である。
【図１１】双安定型の液晶表示装置におけるスイッチング状態を示す説明図である。
【図１２】セルギャップ測定位置とギャップ差との関係を示す線図である。
【図１３】セルギャップ測定位置とギャップ差との関係を示す線図である。
【図１４】セルギャップ測定位置とギャップ差との関係を示す線図である。
【図１５】シール部の位置とシール高さとの関係を示す線図である。
【図１６】シール部の位置とシール高さとの関係を示す線図である。
【図１７】シール部の位置とシール高さとの関係を示す線図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
まず、本発明の液晶表示装置の製造方法を述べる。本例においては、カラー液晶表示装置でもって例示する。
【００２１】
順次下記（ａ）〜（ｃ）の各工程を経て作製した一方部材と、マザーガラス上に電極と配向層とを順次積層してなる他方部材とを表示領域の外周部ではシール部にて、さらに非表示領域ではダミー部材でもって貼り合わせ、ついで双方のマザーガラスを非表示領域にて切断する。
（ａ）マザーガラス上の各表示領域に着色層を、さらに各表示領域間の非表示領域にダミー層を形成する。
（ｂ）上記各表示領域の着色層上に電極を形成する。
（ｃ）上記電極上に配向膜を形成する。
【００２２】
つぎに図１〜図３および図７〜図９によって本発明の液晶表示装置Ａ、Ｂの製造方法を詳述する。
【００２３】
前記他方部材である信号電極部材と、前記一方部材である走査電極部材の双方はマザーガラスからなるが、１個のマザーガラスより分断作成することで６個の液晶表示装置Ａ、Ｂを作製する場合を例示する。
【００２４】
図１は分断前の基板平面図であり、図２と図３はそれぞれ図１に示す切断面線ａ−ａ´による概略断面図である。また、図７〜図９はいずれも工程図である。なお、図４および図５に示す液晶表示装置と同一箇所には同一符号を付す。
（液晶表示装置Ａの製法）
図１と図２と図７により本発明の液晶表示装置Ａの製法を述べる。信号電極部材４については、マザーガラス（たとえば３００×３６０ｍｍ）である透明基板１の上にＩＴＯなどからなる膜をスパッタリング法や蒸着にて成膜し、ついでフォトリソグラフィにより一方に配列した多数の信号電極２を形成する。そして、この信号電極２の上にポリイミド樹脂からなる樹脂を塗布でもって被覆形成し、ついで一方向にラビング処理し、これによって配向膜３となす。
【００２５】
そして、このような設けた６個の表示領域１６に対し、それぞれ外周にそってシール部１３を形成する。このシール部１３の形成と同時に、前記ダミー部材であるダミーシール部１４ａも各表示領域１６の間の非表示領域に形成する。このダミーシール部１４ａはシール部１３と同じ材料にて設ければよい。たとえば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等の熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂などがある。
【００２６】
他方の走査電極部材１１については、下記（ａ）〜（ｂ）の各工程を含む工程でもって作製する。
（ａ）工程
マザーガラス（たとえば３００×３６０ｍｍ）である透明基板５を用意する。そして、
透明基板５の上にクロムやアルミニウム、銀などの金属膜を形成し、その後にフォトリソグラフィにて所定のパターンからなる遮光膜７（層厚１０００Å〜３０００Å）を設ける。このような金属膜の遮光膜７に代えて黒色樹脂からなる遮光膜７（層厚１．３〜１．５μｍ）を塗布形成してもよい。
【００２７】
そして、透明基板５の遮光膜７が形成されていない領域にカラーフィルタ用の着色層６（層厚１．３〜１．５μｍ）を形成する。この着色層６は顔料分散方式、すなわちあらかじめ顔料（赤、緑、青）により調合された感光性レジストを基板上に塗布し、フォトリソグラフィにより形成する。
【００２８】
さらに非表示領域の上にダミー層１８を形成する。たとえば、アクリル系感光ポリマー、ポリイミド系感光ポリマーなどからなるレジストを塗布し、フォトマスクを用いて露光し、現像することで、非表示領域の上に遮光膜７もしくは着色層６とほぼ同じ厚みになるようにダミー層１８を形成する。
【００２９】
つぎに遮光膜７と着色層６とダミー層１８との上にアクリル系樹脂からなるオーバーコート層８をスピンナー方式で塗布し形成する。
（ｂ）工程
この工程においては、ＩＴＯなどからなる膜をスパッタリング法や蒸着にて成膜し、ついでフォトリソグラフィにより一方に配列した多数の走査電極９を形成する。なお、オーバーコート層８とＩＴＯなどからなる膜との間に、密着性を向上させるために、ＳｉＯ2
やＳｉＮからなる層を形成する方が望ましい。
（ｃ）工程
そして、この走査電極９の上にポリイミド樹脂からなる樹脂を塗布でもって被覆形成し、ついで一方向にラビング処理し、これによって配向膜１０となす。なお、走査電極９は非表示領域にも同時形成するが、表示領域１６内の電極とは電気的に絶縁する。しかる後に樹脂からなる球状のスペーサ１５を多数個散布する。
【００３０】
以上の各工程（ａ）〜（ｃ）を経た後に、信号電極部材４と走査電極部材１１とを層厚１．５μｍの液晶層１２（室温でネマチック相を呈する液晶組成物「Ｅ．Ｍｅｒｃｋ社製ＺＬＩ−１５５７」に光学活性添加物「Ｅ．Ｍｅｒｃｋ社製Ｓ−８１１」を加えてヘリカルピッチＰを２．７μｍに調整したもの）を介して、シール部１３およびダミーシール部１４ａにより貼り合わせる。
【００３１】
ついで、このような貼り合わせマザーガラス基板を圧着し、非表示領域にて分断し、個々の液晶表示装置Ａに対しシール部１３の一部の開孔より液晶材を注入し、しかる後に、その注入口を封止する。この分断部位は、シール部１３とダミーシール部１４ａとの間にする。
【００３２】
かくして上記製法により得られた液晶表示装置Ａによれば、非表示領域に遮光膜７もしくは着色層６とほぼ同じ厚みになるようにダミー層１８を形成したことで、信号電極部材４と走査電極部材１１とを貼り合わせるに際し、シール部１３やダミーシール部１４ａが均等に押しつぶされ硬化できるため、とくにシール部１３の全体に対し液晶層厚方向の厚みを揃えられ、これによって基板に歪みが生じなくなる。
【００３３】
また、上記構成の液晶表示装置Ａによれば、さらに信号電極部材４と走査電極部材１１のそれぞれの外側に偏光板を配設した構成であって、そして、カイラルネマチック液晶からなる液晶層１２は初期状態でねじれ構造を有し、その初期状態にフレデリクス転移を生じさせる電圧を印加した後に印加される電圧差によって初期状態とは異なる２つの準安定状態を有するようになしたメモリー性双安定型となる。
【００３４】
たとえば初期状態でのツイスト角φ0（＝１８０°）に対してφ0＋π（＝３６０°）のねじれ状態が暗状態となるような両偏光板の位置関係（クロスニコル）にした場合に、明状態はツイスト角φ0−π（＝０°）である。
【００３５】
つぎにこの双安定型を利用する液晶表示装置Ａに対し、図１０に示すように不安定状態（不安定領域）を挟んで０°と３６０°との間でスイッチングする。
【００３６】
このようなスイッチングをおこなった場合、初期状態にフレデリクス転移を生じさせる電圧を印加した後の選択電圧をＶ１より低くすると３６０°状態、Ｖ２にまで高くすると０°状態、そして、Ｖｌ〜Ｖ２との間にすると０°と３６０°が混在した不安定状態が生じる。
【００３７】
たとえば、両偏光板クロスニコルにして、初期状態でのツイスト角φ0（１８０°）に
対してφ0＋π（３６０°）のねじれ状態が暗状態、φ0−π（０°）の状態が明状態であるとすると、不安定状態は２つの状態（明状態と黒状態）が混在しており、白〜黒の間の状態を示す。また、このように２つの準安定状態を利用するスイッチングは、図１０に示すように選択電圧をＶ３、Ｖ４にした関係を利用しても同様におこなわれる。
【００３８】
さらにまた、液晶表示装置Ａのマトリクス駆動を図１１により述べる。走査電位をＶＳ、信号電位をＶｄとすると、０°状態を発現させるための選択パルス値（選択電圧）Ｖ１（＝±｜ＶＳ＋Ｖｄ｜）と、３６０°状態を発現させるための選択パルス値（選択電圧）Ｖ２（＝±｜ＶＳ−Ｖｄ｜）に対して、Ｖ２−Ｖ１＝２Ｖｄとなる。そして、不安定領域の幅△１、△２の値において、２Ｖｄ＞Δ１、Δ２の条件が満たされると、３６０°／０°状態が発現し、マトリクス駆動できる。
（液晶表示装置Ｂの製法）
前記液晶表示装置Ａにおいては、信号電極部材４と走査電極部材１１とを多数のスペーサ１５を介して貼り合わせたが、これに代えて柱状スペーサを設けている。そして、非表示領域上のダミーシール部１４ａが前記ダミー部材である。なお、液晶表示装置Ａと同一箇所には同一符号を付す。
【００３９】
図３は液晶表示装置Ｂのマザーガラス分断前の断面図であり、図８は製造工程を示す。
【００４０】
信号電極部材４については、液晶表示装置Ａと同じ製法であり、マザーガラス（たとえば３００×３６０ｍｍ）である透明基板１の上に一方に配列した多数の信号電極２を形成し、この信号電極２の上にポリイミド樹脂からなる樹脂を塗布でもって被覆形成し、ついで一方向にラビング処理し、これによって配向膜３となす。そして、６個の表示領域１６に対し、同時にシール部１３とダミーシール部１４ａを形成する。
【００４１】
他方の走査電極部材１１については、下記（ａ）〜（ｂ）の各工程を含む工程でもって作製する。
（ａ）工程
マザーガラス（たとえば３００×３６０ｍｍ）である透明基板５の上にクロムやアルミニウム、銀などの金属膜（層厚１０００〜３０００Å）、あるいは黒色樹脂（層厚１．３〜１．５μｍ）などからなる遮光膜７を設け、そして、遮光膜７が形成されていない領域にカラーフィルタ用の着色層６（層厚１．３〜１．５μｍ）を形成する。さらに非表示領域の上にダミー層１８を形成する。つぎに遮光膜７と着色層６とダミー層１８との上にアクリル系樹脂からなるオーバーコート層８をスピンナー方式で塗布し形成する。
（ｂ）工程
この工程においては、ＩＴＯなどからなる膜をスパッタリング法や蒸着にて成膜し、つ
いでフォトリソグラフィにより一方に配列した多数の走査電極９を形成する。なお、オーバーコート層８とＩＴＯなどからなる膜との間に、密着性を向上させるために、ＳｉＯ2
やＳｉＮからなる層を形成する方が望ましい。
（ｃ）工程
そして、この走査電極９の上にポリイミド樹脂からなる樹脂を塗布でもって被覆形成し、ついで一方向にラビング処理し、これによって配向膜１０となす。さらに走査電極９の一部は非表示領域にも形成する。
【００４２】
しかる後に柱状スペーサ１７を画素間の領域（非画素領域）に、前記ダミー部材である柱状スペーサ１９をダミー層１８の上に形成する。
【００４３】
この柱状スペーサ１７、１９は、たとえばアクリル系感光樹脂またはポリイミド系感光樹脂からなるレジストを塗布し、フォトマスクを用いて露光し、現像し、一様な厚みにそろえることで形成する。
【００４４】
以上の各工程（ａ）〜（ｃ）を経た後に、信号電極部材４と走査電極部材１１とを層厚１．５μｍの液晶層１２を介して、シール部１３およびダミーシール部１４ａ、柱状スペーサ１７、１９により貼り合わせる。
【００４５】
ついで、このような貼り合わせマザーガラス基板を圧着し、非表示領域にて分断し、個々の液晶表示装置Ｂに対しシール部１３の一部の開孔より液晶材を注入し、しかる後に、その注入口を封止する。
【００４６】
かくして上記製法により得られた液晶表示装置Ｂによれば、非表示領域に遮光膜７もしくは着色層６とほぼ同じ厚みになるようにダミー層１８を、さらに柱状スペーサ１７、１９を形成したことで、信号電極部材４と走査電極部材１１とを貼り合わせるに際し、シール部１３やダミーシール部１４ａが均等に押しつぶさ硬化され、とくにシール部１３の全体に対し液晶層厚方向の厚みを揃えられ、これによって基板に歪みが生じなくなる。
【００４７】
しかも、液晶表示装置Ｂでは液晶表示装置Ａと比べても、柱状スペーサ１７、１９を形成したことで、散布にて配した球状のスペーサ１５よりも均等に液晶層内に設けられ、これにより、液晶層厚のバラツキ度合いがさらに改善され、均等な層厚になる。
【００４８】
また、上記構成の液晶表示装置Ｂについても、信号電極部材４と走査電極部材１１のそれぞれの外側に偏光板を配設した構成であって、そして、カイラルネマチック液晶からなる液晶層１３は初期状態でねじれ構造を有し、その初期状態にフレデリクス転移を生じさせる電圧を印加した後に印加される電圧差によって初期状態とは異なる２つの準安定状態を有するようになしたメモリー性双安定型となる。
【００４９】
また、前記ダミー層１８は遮光膜７や着色層６を形成した際に、そこにて使用したフォトマスクを変更することで、それらと同一材でもって厚みを調整して成膜形成してもよい。この製造工程を図９に示す。
【００５０】
なお、本発明は上記のような実施形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更や改良等は何ら差し支えない。たとえば、液晶層厚の小さいカイラルスメクティック液晶を用いた強誘電性液晶表示装置や反強誘電性液晶表示装置においても同じ作用効果がある。さらには液晶層厚が５μｍ程度の通常のＳＴＮ型やＴＮ型の液晶表示装置であっても同様の効果を奏する。しかも、実施例では、以下のとおり、単純マトリックス駆動方式の構造にて説明したが、その他の駆動方式、たとえばアクティブマトリックス駆動方式の構造でも同じ作用効果がある。
【実施例】
【００５１】
本発明は非表示領域の上にダミー層１８を形成し、さらにダミーシール部１４ａや柱状スペーサ１９を設けたことで、表示領域１６上の遮光膜７もしくは着色層６の高さとそろえている。
【００５２】
そこで、本発明者は液晶表示装置Ｂに対し、透明基板５上における表示領域１６の高さｄ１(走査電極部材１１の表示領域１６における厚み)と、非表示領域の高さｄ２(走査電
極部材１１の非表示領域における厚み)とを、幾とおりにも変えて、それぞれ信号電極部
材４と走査電極部材１１とを層厚１．５μｍの液晶層１２を介して、シール部１３およびダミーシール部１４ａにより貼り合わせ、ついで、このような貼り合わせマザーガラス基板を圧着し、非表示領域にて分断し、さらに液晶材を注入し、液晶表示装置Ｂとなした。
【００５３】
高さｄ１、ｄ２の測定については、触針を測定対象物に接触させ、測定対象物を移動させることで、触針の上下の触れを検出し、表面形状を測定するというＤＥＫＴＡＫ装置を用いて、各膜の厚みを測定し、そこから基板構造を考慮し算出するという方法を用いた。
【００５４】
そして、これら各種液晶表示装置を評価し、「良好」と「不良」に２分した。「良好」はフリッカーレスのハイデューティな単純マトリックス駆動を実現し、これによって色ムラのない高品質が達成された場合であり、「不良」はそのようなハイデューティな単純マトリックス駆動とならず、色ムラが発生した場合である。
ｄ１−ｄ２＝２．１μｍ ⇒「不良」
ｄ１−ｄ２＝１．８μｍ ⇒「不良」
ｄ１−ｄ２＝１．６μｍ ⇒「不良」
ｄ１−ｄ２＝１．４μｍ ⇒「不良」
ｄ１−ｄ２＝１．２μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝１．１μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝１．０μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝０．９μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝―０．９μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝―１．０μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝―１．１μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝―１．２μｍ ⇒「良好」
ｄ１−ｄ２＝―１．４μｍ ⇒「不良」
かくして│ｄ１−ｄ２│≦１．２に、好適には│ｄ１−ｄ２│≦１．０に設定することで、フリッカーレスのハイデューティな単純マトリックス駆動を実現し、これによって色ムラのない高品質が達成された。
【００５５】
また、ｄ１−ｄ２＝１．４〜２．１μｍである場合に、表示領域１６の外周を起点にして、そこでのセルギャップ差を０．００とした場合に、起点から表示領域内に向けて、測定位置を移動させることで、セルギャップ差の変化を追ったところ、図１２に示すような結果が得られた。
【００５６】
また、シール部１３の全体に対し液晶層厚方向の厚み（シール高さ）を測定したところ、図１５に示すようにシール高さが液晶セル内側にいくほどに高くなっている。
【００５７】
つぎにｄ１−ｄ２＝−１．２〜１．２μｍである場合に、同様に表示領域１６の外周を起点にして表示領域内に向けて、測定位置を移動させることで、セルギャップ差の変化を追ったところ、図１３に示すような結果が得られた。
【００５８】
また、シール部を測定したところ、図１６に示すようにシール高さが一様に揃っている。シール高さがシール幅６００μｍに対し０．０５μｍ以下である場合に、セルギャップ差が０．１０μｍ以下の差になることを確認した。
【００５９】
さらにまた、ｄ１−ｄ２＜−１．４μｍである場合に、表示領域１６の外周を起点にして、同様にセルギャップ差の変化を追ったところ、図１４に示すような結果が得られた。
【００６０】
また、シール部の全体に対し液晶層厚方向の厚み（シール高さ）を測定したところ、図１７に示すようにシール高さが液晶セル内側にいくほどに低くなっている。
【００６１】
これらの結果から明らかなとおり、ｄ１−ｄ２＝−１．２〜１．２μｍにまで小さくすることで、表示領域内のギャップ差が顕著に小さくなっていることがわかる。
【００６２】
以上のとおり、マザーガラス上に電極と配向層とを順次積層してなる２種類の部材を、表示領域の外周部ではシール部にて、さらに非表示領域ではダミー部材でもって貼り合わせ、ついで双方のマザーガラスを非表示領域にて切断した液晶表示装置Ａ，Ｂによれば、シール部の全体に対し液晶層厚方向の厚みを揃えることができ、これにより、基板に歪みが生じなくなった。
【符号の説明】
【００６３】
１、５ 透明基板
２ 信号電極
３、１０ 配向膜
４ 信号電極部材
６ 着色層
７ 遮光膜
９ 走査電極
１１ 走査電極部材
１２ 液晶層
１３ シール部
１４、１４ａ ダミーシール部
１６ 表示領域
１７、１９ 柱状スペーサ
１８ ダミー層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表示領域と、隣り合う表示領域間に位置する非表示領域とを有した表示装置用のマザー基板であって、
第１マザー基板と、
前記第１マザー基板に対向して配置される第２マザー基板と、
前記表示領域に対応する前記第１マザー基板と前記第２マザー基板との間に設けられた着色層と、
前記表示領域に対応する前記第１マザー基板と前記第２マザー基板との間に設けられており、かつ前記着色層よりも前記非表示領域側に配置された遮光膜と、
前記非表示領域に対応する前記第１マザー基板と前記第２マザー基板との間に設けられたダミー層と、を備え、
前記ダミー層は、前記遮光膜と間隙を介して配置されている、表示装置用のマザー基板。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置用のマザー基板における、前記非表示領域を分断することによって作製される、表示装置。
【請求項１】
複数の表示領域と、隣り合う表示領域間に位置する非表示領域とを有した表示装置用のマザー基板であって、
第１マザー基板と、
前記第１マザー基板に対向して配置される第２マザー基板と、
前記表示領域に対応する前記第１マザー基板と前記第２マザー基板との間に設けられた着色層と、
前記表示領域に対応する前記第１マザー基板と前記第２マザー基板との間に設けられており、かつ前記着色層よりも前記非表示領域側に配置された遮光膜と、
前記非表示領域に対応する前記第１マザー基板と前記第２マザー基板との間に設けられたダミー層と、を備え、
前記ダミー層は、前記遮光膜と間隙を介して配置されている、表示装置用のマザー基板。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置用のマザー基板における、前記非表示領域を分断することによって作製される、表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１１−１１８４３０（Ｐ２０１１−１１８４３０Ａ）
【公開日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５１８０５（Ｐ２０１１−５１８０５）
【出願日】平成２３年３月９日（２０１１．３．９）
【分割の表示】特願２０００−１５１４１４（Ｐ２０００−１５１４１４）の分割
【原出願日】平成１２年５月２３日（２０００．５．２３）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月９日（２０１１．３．９）
【分割の表示】特願２０００−１５１４１４（Ｐ２０００−１５１４１４）の分割
【原出願日】平成１２年５月２３日（２０００．５．２３）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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