配線基板およびその製造方法
【課題】絶縁樹脂層と配線導体とが強固に密着し、ビアホールにおける配線導体同士の接続信頼性に優れる高密度配線で薄型の反りや変形の少ない配線基板およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】下位絶縁樹脂層および下位配線導体と、下位絶縁樹脂層および下位配線導体上に積層され、下位配線導体に達するビアホール９を有する上位絶縁樹脂層と、ビアホール９内の下位配線導体上から上位絶縁樹脂層表面にかけて被着形成された金属めっき層から成る上位配線導体とを備え、前記金属めっき層が、ビアホール９内の下部を充填するように被着形成された第一の金属めっき層５Ａと、該第一の金属めっき層５Ａから上位絶縁樹脂層表面にかけて被着形成された第二の金属めっき層５Ｂとから成るように構成した配線基板およびその製造方法である。
【解決手段】下位絶縁樹脂層および下位配線導体と、下位絶縁樹脂層および下位配線導体上に積層され、下位配線導体に達するビアホール９を有する上位絶縁樹脂層と、ビアホール９内の下位配線導体上から上位絶縁樹脂層表面にかけて被着形成された金属めっき層から成る上位配線導体とを備え、前記金属めっき層が、ビアホール９内の下部を充填するように被着形成された第一の金属めっき層５Ａと、該第一の金属めっき層５Ａから上位絶縁樹脂層表面にかけて被着形成された第二の金属めっき層５Ｂとから成るように構成した配線基板およびその製造方法である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板およびその製造方法に関し、より詳細には、例えば半導体集積回路素子等の電子部品を搭載するのに好適な高密度多層配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子部品である半導体集積回路素子として、多数の電極端子を、その一方の主面の外周に沿って配設した、いわゆるペリフェラル型の半導体集積回路素子がある。また、このような半導体集積回路素子を配線基板に搭載する方法として、フリップチップ接続により接続する方法がある。
【０００３】
フリップチップ接続とは、配線基板上に設けた電子部品接続用の配線導体の一部を電子部品の電極端子の配置に対応した並びに露出させ、この電子部品接続用の配線導体の露出部と前記電子部品の電極端子とを対向させ、これらを半田や金等からなる導電バンプを介して電気的に接続する方法である。
【０００４】
近時は、このようなフリップチップ接続により第一の電子部品を配線基板上に搭載し、さらにその上に別の第二電子部品を半田ボール接続またはワイヤボンド接続により搭載して、配線基板への電子部品の搭載密度を高めることが行われている。
【０００５】
図８は、第一の電子部品としてのペリフェラル型の半導体集積回路素子をフリップチップ接続により搭載し、さらにその上に第二電子部品しての半導体素子搭載基板を半田ボール接続した従来の配線基板の一例を示す概略断面図であり、図９は、図８の配線基板を示す平面図である。
【０００６】
図８および図９に示すように、従来の配線基板１１０は、上面から下面にかけてコア用の配線導体１０２が配設されたコア用の絶縁基板１０３の上下面に、複数のビルドアップ用の絶縁樹脂層１０４とビルドアップ用の配線導体１０５とが交互に積層され、さらに、その最表面には保護用のソルダーレジスト層１０６が被着されている。
【０００７】
コア用の絶縁基板１０３の上面から下面にかけては複数のスルーホール１０７が形成されており、絶縁基板１０３の上下面およびスルーホール１０７の内面にはコア用の配線導体１０２が被着され、スルーホール１０７の内部には埋め込み樹脂１０８が充填されている。ビルドアップ用の絶縁樹脂層１０４には、それぞれに複数のビアホール１０９が形成されており、各絶縁樹脂層１０４の表面およびビアホール１０９の内面には、ビルドアップ用の配線導体１０５が被着形成されている。
【０００８】
この配線導体１０５のうち、配線基板１１０の上面側における最外層の絶縁樹脂層１０４上に被着された一部は、第一の電子部品としての半導体集積回路素子Ｅ１の電極端子に導電バンプＢ１を介してフリップチップ接続により電気的に接続される第一接続部１０５ａを有する第一配線パターン部１０５Ａであり、この第一配線パターン部１０５Ａは複数並んで帯状に形成されている。さらに、配線導体１０５のうち、配線基板１１０の上面側における最外層の絶縁樹脂層１０４上に被着された他の一部は、第二電子部品としての半導体素子搭載基板Ｅ２の電極端子に半田ボールＢ２を介して半田ボール接続により電気的に接続される第二接続部１０５ｂを有する第二配線パターン部１０５Ｂであり、この第二配線パターン部１０５Ｂは複数並んで形成されている。
【０００９】
これら第一配線パターン部１０５Ａおよび第二配線パターン部１０５Ｂのうち、第一接続部１０５ａおよび第二接続部１０５ｂがソルダーレジスト層１０６から露出しており、第一接続部１０５ａに半導体集積回路素子Ｅ１の電極端子が半田や金等から成る導電バンプＢ１を介して電気的に接続され、第二接続部１０５ｂに半導体素子搭載基板Ｅ２の電極端子が半田ボールＢ２を介して電気的に接続される。
【００１０】
一方、配線導体１０５のうち、配線基板１１０の下面側における最外層の絶縁樹脂層１０４上に被着された一部は、外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される外部接続用の第三接続部１０５ｃを有する第三配線パターン部１０５Ｃであり、この第三配線パターン部１０５Ｃは複数並んで形成されている。この第三配線パターン部１０５Ｃのうち、第三接続部１０５ｃがソルダーレジスト層１０６から露出しており、第三接続部１０５ｃに、外部電気回路基板の配線導体が半田ボールＢ３を介して電気的に接続される。
【００１１】
そして、半導体集積回路素子Ｅ１の電極端子と第一接続部１０５ａとを導電バンプＢ１を介して電気的に接続した後、半導体集積回路素子Ｅ１と配線基板１１０との間の隙間にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成るアンダーフィルと呼ばれる充填樹脂Ｕ１を充填し、半導体集積回路素子Ｅ１が配線基板１１０上に実装される。さらに、その上に半導体素子搭載基板Ｅ２の電極端子と第二接続部１０５ｂとを半田ボールＢ２を介して電気的に接続することにより半導体素子搭載基板Ｅ２が配線基板１１０上に実装され、これにより配線基板１１０上に複数の電子部品が高密度に実装されることとなる。なお、このような配線基板１１０は、例えば下記の方法により製作される。
【００１２】
まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁基板１０３用の絶縁シートを準備する。次に、この絶縁シートの両面に銅箔を張着するとともに、絶縁シート中の熱硬化性樹脂を熱硬化させて両面銅張り板を得る。この両面銅張り板に、その上下面を貫通するスルーホール１０７を穿孔するとともに、スルーホール１０７内を過マンガン酸アルカリ水溶液でデスミア処理する。なお、前記デスミア処理とは、不要な樹脂残渣を除去する処理のことを意味する。
【００１３】
上記のようにしてデスミア処理した後、前記スルーホール１０７内壁および前記銅箔表面に無電解銅めっきおよび電解銅めっきから成る銅めっき層を被着させて、上下面の銅箔同士をスルーホール１０７内の銅めっき層で電気的に接続する。そして、スルーホール１０７内を埋め込み樹脂１０８で充填した後、上下面の銅箔および銅めっき層を所定パターンにエッチングすることにより、コア用の絶縁基板１０３の上下両面およびスルーホール１０７内壁に銅箔や銅めっき層から成るコア用の配線導体１０２を形成する。
【００１４】
次に、コア用の絶縁基板１０３および配線導体１０２上にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂に無機絶縁性フィラーを分散させた絶縁樹脂層１０４用の樹脂フィルムを張着するとともに、樹脂フィルム中の熱硬化性樹脂を熱硬化させて絶縁樹脂層１０４を形成する。この絶縁樹脂層１０４にレーザ加工によりビアホール１０９を穿孔するとともに、ビアホール１０９内を過マンガン酸アルカリ水溶液でデスミア処理した後、ビアホール１０９内を含む絶縁樹脂層１０４の表面にセミアディティブ法で無電解銅めっきおよび電解銅めっきから成る配線導体１０５を上下面同時に形成する。
【００１５】
このとき、絶縁樹脂層１０４の表面は予め粗化処理しておくか、あるいはビアホール１０９のデスミア処理により粗化処理しておくと、粗化処理された絶縁樹脂層１０４表面の微小凹凸とその上に被着される無電解銅めっきおよび電解銅めっきから成る配線導体１０５とが良好に係合され、絶縁樹脂層１０４と配線導体１０５とが強固に密着する。
【００１６】
そして、次層の絶縁樹脂層１０４や配線導体１０５の形成を複数回繰り返すことによりビルドアップ部を形成し、最後に感光性を有する熱硬化性樹脂ペーストまたはフィルムを配線導体１０５が形成された最外層の絶縁樹脂層１０４上に積層した後、電子部品接続用の第一接続部１０５ａおよび第二接続部１０５ｂや外部接続用の第三接続部１０５ｃを露出させる開口を有するように露光および現像し、硬化させることによりソルダーレジスト層１０６形成し、それにより上面から下面にかけてコア用の配線導体１０２が配設されたコア用の絶縁基板１０３の上下面に、複数のビルドアップ用の絶縁樹脂層１０４とビルドアップ用の配線導体１０５とが交互に積層され、さらに、その最表面には保護用のソルダーレジスト層１０６が被着されて成るビルドアップ多層配線基板１１０が製作される。
【００１７】
近時、このようなビルドアップ多層配線基板１１０は、その薄型化および配線の高密度化が益々求められているとともに、これに搭載される半導体集積回路素子Ｅ１や半導体素子搭載基板Ｅ２あるいは外部電気回路基板との電気的接続信頼性を良好に維持する上で、半導体集積回路素子Ｅ１や半導体素子搭載基板Ｅ２の実装後の反りや変形を小さく抑えることが求められている。
【００１８】
ビルドアップ配線基板１１０の実装後の反りや変形は、主にビルドアップ配線基板１１０とこれに搭載される半導体集積回路素子Ｅ１との熱膨張係数の差に起因して発生する熱応力によりもたらされる。一般的なビルドアップ配線基板１１０を構成する絶縁基板１０３や絶縁樹脂層１０４は、その熱膨張係数（ＸＹ方向）が２０〜１００ｐｐｍ／℃程度であるのに対して半導体集積回路素子Ｅ１の熱膨張係数は３〜７ｐｐｍ／℃程度と小さい。そこで、絶縁基板１０３や絶縁樹脂層１０４を構成する熱硬化性樹脂の中に例えば溶融シリカ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ／℃）等の低熱膨張材料の無機絶縁性フィラーを多量に充填させることにより、絶縁基板１０３や絶縁樹脂層１０４の熱膨張係数（ＸＹ方向）を８〜１７ｐｐｍ／℃程度に低くすることが行なわれている。
【００１９】
しかしながら、このように無機絶縁性フィラーを多量に充填させた熱硬化性樹脂をビルドアップ用の絶縁樹脂層１０４に適用すると、以下のような問題点がある。すなわち、この熱硬化性樹脂を硬化させた絶縁樹脂層１０４にビアホールを形成した後にビアホール内を過マンガン酸アルカリ水溶液でデスミア処理すると、熱硬化性樹脂中に多量に充填させた無機絶縁性フィラーが絶縁樹脂層１０４の表面から脱粒して絶縁樹脂層１０４表面の微小な凹凸形状が崩れてしまい、その結果、この上に形成される配線導体１０２と絶縁樹脂層１０４表面の微小凹凸との係合が弱くなり配線導体１０２が絶縁樹脂層１０４から容易に剥離してしまうという問題点がある。
【００２０】
そこで、特許文献１では、粗化処理されたビルドアップ用の絶縁樹脂層表面に例えば無電解銅めっきから成る粗化レジスト層を形成した後に、この粗化レジスト層が形成された絶縁樹脂層にビアホールを形成し、次にビアホール内をデスミア処理した後、粗化レジスト層をエッチングで除去して、あるいはエッチングせずに残した状態でビアホール内と絶縁樹脂層あるいは残した粗化レジスト層上とにセミアディティブ法で配線層を形成する方法が開示されている。
【００２１】
この方法によると、ビアホール内をデスミア処理する際にビルドアップ用の絶縁樹脂層の表面は粗化レジスト層により保護されているので、ビルドアップ用の絶縁樹脂層の表面がデスミア処理によるダメージを受けることがなく、良好な粗化面が維持される。したがって、ビルドアップ用の絶縁樹脂層とビルドアップ用の配線層とが強固に密着した配線基板が得られる。
【００２２】
しかしながら、この特許文献１の方法によると、無電解銅めっきから成る粗化レジスト層をエッチングで除去した後、ビアホール内と絶縁樹脂層上とにセミアディティブ法で配線層を形成する場合、ビアホール形成後に無電解銅めっきから成る粗化レジスト層をエッチングで除去する際に、ビアホール底面に露出する下位の配線層が過剰にエッチングされてしまう危険がある。このような過剰なエッチングはビアホール内における配線層同士の接続信頼性を損ねる原因になりやすい。
【００２３】
また、無電解銅めっきから成る粗化レジスト層をエッチング除去せずに残した状態でビアホール内と粗化レジスト層上とにセミアディティブ法により配線層を形成する場合、絶縁樹脂層上には粗化レジスト層としての無電解銅めっき層とセミアディティブの下地導電層としての無電解銅めっき層とが２層重なって存在することとなり、絶縁樹脂層上における無電解銅めっき層の厚みが厚いものとなってしまう。よって、この無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を所定パターンに被着させた後、露出する無電解銅めっき層をエッチング除去する際には、電解銅めっき層のパターンも同時に大きくエッチングされて配線層のパターンが細くなりやすいとともに、無電解銅めっきの方が電解銅めっきよりもエッチングされやすいので、電解銅めっきの下に位置する無電解銅めっき層が大きくえぐれてしまい、絶縁樹脂層と配線層との接合強度を弱める原因となる。
【００２４】
さらに、ビアホール内を一回のセミアディティブ工程により充填するので、ビアホールのアスペクト比が大きい場合やビアホールの直径が大きな場合等にはビアホール内を配線層で良好に充填することができず、ビアホール上の配線導体に大きな凹みが形成されやすい。このようにビアホール上の配線導体に大きな凹みがあると、下位のビアホール上に上位のビアホールを重ねて設ける場合に上下のビアホール間において配線導体同士の電気的な接続信頼性が大きく低下する原因となる。
【００２５】
【特許文献１】特開２００５−２５１８９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
本発明の課題は、低熱膨張材料の無機絶縁性フィラーを多量に充填させた絶縁樹脂をビルドアップ部の絶縁樹脂層に用いた場合であっても、絶縁樹脂層と配線導体とが強固に密着するとともにビアホールにおける配線導体同士の接続信頼性に優れる高密度配線で薄型の反りや変形の少ない配線基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下の知見を得た。すなわち、ビルドアップ用の絶縁樹脂層の表面に金属箔を残した状態でその絶縁樹脂層にビアホールを形成し、ついで金属箔上およびビアホール内に第一の金属めっき層を所定の厚みに被着させた後、ビアホール内に第一の金属めっき層の一部が残存するようにして絶縁樹脂層上の金属箔およびその上の第一の金属めっき層をエッチング除去し、しかる後、ビアホール内および絶縁樹脂層上に第二の金属めっき層から成る配線導体を形成する場合には、ビアホール内の下位の配線導体が過剰にエッチングされてしまう危険性がなく、ビアホール内における上位の配線導体と下位の配線導体との電気的な接続信頼性を良好とすることができる。
【００２８】
しかも、絶縁樹脂層上に第二の金属めっき層から成る配線導体を形成する際に絶縁樹脂層上に厚みの厚い無電解金属めっき層が形成されることがなく、したがって所定幅の正確な形状の配線導体を絶縁樹脂層との接合強度を十分に保ったままで形成することができる。さらに、ビアホールの下部が第一の金属めっき層で充填され、その上に第二の金属めっき層から成る配線導体が形成されるので、ビアホール内を第一の金属めっき層およびその上の第二の金属めっき層で良好に充填することができ、よってビアホール上の配線導体に大きな凹部が形成されることがなく、下位のビアホール上に上位のビアホールを重ねて設けた場合であっても、上下のビアホール間における配線導体同士の電気的な接続信頼性に優れる高密度配線が可能で薄型の反りや変形の少ない配線基板が得られる。
【００２９】
すなわち、本発明における配線基板およびその製造方法は、以下の構成からなる。
（１）下位絶縁樹脂層と、該下位絶縁樹脂層の表面に形成された下位配線導体と、前記下位絶縁樹脂層および下位配線導体の上に積層され、前記下位配線導体に達するビアホールを有する上位絶縁樹脂層と、前記ビアホール内の前記下位配線導体の上から前記上位絶縁樹脂層の表面にかけて被着形成された金属めっき層から成る上位配線導体と、を備えた配線基板であって、前記金属めっき層が、前記ビアホール内の前記下位配線導体の上に前記ビアホールの下部を充填するように被着形成された第一の金属めっき層と、該第一の金属めっき層から前記上位絶縁樹脂層の表面にかけて被着形成された第二の金属めっき層とから成ることを特徴とする配線基板。
（２）前記第一の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る前記（１）に記載の配線基板。
（３）前記第二の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る前記（１）または（２）に記載の配線基板。
【００３０】
（４）絶縁樹脂層と配線導体とを交互に積層する工程を含む配線基板の製造方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｅ）を順に含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
（ａ）表面に下位配線導体を有する下位絶縁樹脂層上に、表面に金属箔が被着された上位絶縁樹脂層を積層する工程
（ｂ）前記金属箔の前記下位配線導体と対向する一部を除去するとともに、該除去部内の前記上位絶縁樹脂層に、前記下位配線導体に達するビアホールを形成する工程
（ｃ）前記金属箔、前記上位絶縁樹脂層および前記ビアホール内に露出する下位配線導体の表面に、第一の金属めっき層を、前記下位配線導体上に位置する第一の金属めっき層の厚みをＴ１、前記金属箔および該金属箔上に位置する第一の金属めっき層の合計厚みをＴ２としたとき、前記Ｔ１およびＴ２がＴ１＞Ｔ２の関係を満足するように被着形成する工程
（ｄ）前記第一の金属めっき層および前記金属箔をエッチングすることにより、前記下位配線導体上に前記第一の金属めっき層の一部を残存させたまま前記金属箔を除去する工程
（ｅ）前記第一の金属めっき層および前記上位絶縁樹脂層の露出する表面に前記ビアホールを介して前記下位配線導体に電気的に接続された第二の金属めっき層から成る上位配線導体を被着形成する工程
【００３１】
（５）前記工程（ａ）の後でかつ前記工程（ｂ）の前に、前記金属箔の厚みを化学的エッチングまたは物理的研磨により減少させる工程を含む前記（４）に記載の配線基板の製造方法。
（６）前記工程（ｂ）において、前記金属箔の前記下位配線導体と対向する一部を、エッチングにより除去する前記（４）または（５）に記載の配線基板の製造方法。
（７）前記工程（ｂ）において、前記金属箔の前記下位配線導体と対向する一部を、レーザ加工により除去する前記（４）または（５）に記載の配線基板の製造方法。
（８）前記工程（ｂ）の後でかつ前記工程（ｃ）の前に、前記ビアホール内のデスミア処理を行なう（４）〜（７）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
（９）前記第一の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る前記（４）〜（８）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
（１０）前記第二の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る前記（４）〜（９）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、低熱膨張材料の無機絶縁性フィラーを多量に充填させた絶縁樹脂をビルドアップ部の絶縁樹脂層に用いた場合であっても、絶縁樹脂層と配線導体とが強固に密着するとともにビアホールにおける配線導体同士の接続信頼性に優れる高密度配線で薄型の反りや変形の少ない配線基板が得られるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明にかかる配線基板およびその製造方法の一実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は、第一の電子部品としてペリフェラル型の半導体集積回路素子をフリップチップ接続により搭載し、さらにその上に第二電子部品としての半導体素子搭載基板を半田ボール接続により搭載した本実施形態にかかる配線基板を示す概略断面図である。図２は、図１の配線基板を示す平面図である。図３は、本実施形態にかかるビアホール内の配線導体付近を示す部分拡大断面図である。
【００３４】
図１および図２に示すように、本実施形態にかかる配線基板１０は、上面から下面にかけてコア用の配線導体２が配設されたコア用の絶縁基板３の上下面に、ビルドアップ用の絶縁樹脂層４とビルドアップ用の配線導体５とが交互に積層され、さらに、その最表面に保護用のソルダーレジスト層６が被着されて成る。
【００３５】
コア用の絶縁基板３は、厚みが０．０５〜１．５ｍｍ程度であり、例えばガラス繊維束を縦横に織ったガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。絶縁基板３は、配線基板１０のコア部材として機能する。この絶縁基板３を構成する熱硬化性樹脂には、溶融シリカ等の低熱膨張係数の無機絶縁物フィラーを５０〜７０質量％程度の高密度で充填させておくことが好ましい。これにより、絶縁基板３の熱膨張係数（ＸＹ方向）を８〜１７ｐｐｍ／℃程度に低いものとすることができ、配線基板１０が半導体集積回路素子Ｅ１との熱膨張係数の相違に起因して大きく反ることを有効に防止することができる。
【００３６】
コア用の絶縁基板３には、その上面から下面にかけて直径が０．０５〜０．３ｍｍ程度の複数のスルーホール７が形成されており、絶縁基板３の上下面およびスルーホール７の内面には、配線導体２が被着されている。コア用の配線導体２は、絶縁基板３の上下面では、主として銅箔あるいは無電解銅めっきおよびその上の電解銅めっきから形成されており、スルーホール７の内面では、無電解銅めっきおよびその上の電解銅めっきから形成されている。
【００３７】
また、スルーホール７の内部には、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る埋め込み樹脂８が充填されており、絶縁基板３の上下面に形成された配線導体２同士がスルーホール７内の配線導体２を介して電気的に接続されている。この埋め込み樹脂８を構成する熱硬化性樹脂にも、前記した絶縁基板３を構成する熱硬化性樹脂と同様に、溶融シリカ等の低熱膨張係数の無機絶縁物フィラーを４０〜６０質量％程度の高密度で充填させておくことが好ましい。これにより、埋め込み樹脂８の熱膨張係数（Ｚ方向）を３０〜４０ｐｐｍ／℃程度に低いものとすることができ、絶縁基板３との熱膨張係数（Ｚ方向）の相違に起因して埋め込み樹脂に剥離やクラック、変形等が起こることを有効に防止することができる。
【００３８】
このような絶縁基板３は、ガラス織物に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートの上下面に配線導体２用の銅箔を張着した後、そのシートを熱硬化させ、これに上面から下面にかけてスルーホール７用のドリル加工等を施すことにより作製される。
【００３９】
配線導体２は、絶縁基板３用の前記シートの上下全面に、厚みが３〜１８μｍ程度の銅箔を上述のように張着しておくとともに、これらの銅箔および絶縁基板３にスルーホール７を穿孔した後、このスルーホール7の内面および銅箔表面に無電解銅めっきおよび電解銅めっきを順次施し、次いで、スルーホール７内を埋め込み樹脂８で充填した後、この上下面の銅箔および銅めっきをフォトリソグラフィ技術を用いて所定のパターンにエッチング加工することにより、絶縁基板３の上下面およびスルーホール７の内面に形成される。あるいは、絶縁基板３用の前記シートの上下全面に、厚みが３〜１８μｍ程度の銅箔を上述のように張着しておくとともに、これらの銅箔および絶縁基板３にスルーホール７を穿孔した後、一旦前記銅箔を剥離し、次にスルーホール7の内面および絶縁基板３の上下面に無電解銅めっきおよび電解銅めっきをセミアディティブ法により所定パターンに被着形成することにより、絶縁基板３の上下面およびスルーホール７の内面に形成される。この場合、セミアディティブ法により微細な配線導体２を形成可能である。
【００４０】
埋め込み樹脂８は、スルーホール７を塞ぐことによりスルーホール７の直上および直下にビルドアップ用の絶縁樹脂層４を形成可能とするためのものであり、未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を無電解銅めっきおよび電解銅めっきが施されたスルーホール７内にスクリーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、その上下面を略平坦に研磨することにより形成される。あるいは、スルーホール７の内面および絶縁基板３の上下面に所定パターンの配線導体２を形成した後、絶縁基板３上に絶縁樹脂層４を形成する際に絶縁樹脂層４用の樹脂の一部をスルーホール７内に流入させることによって形成される。
【００４１】
絶縁基板３の上下面に積層されたビルドアップ用の絶縁樹脂層４は、それぞれの厚みが２０〜６０μｍ程度であり、絶縁基板３と同様にガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料や、あるいはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に無機絶縁物フィラーを充填させた電気絶縁材料から成る。この絶縁樹脂層４を構成する熱硬化性樹脂にも、前記した絶縁基板３，埋め込み樹脂８を構成する各熱硬化性樹脂と同様に、溶融シリカ等の低熱膨張係数の無機絶縁物フィラーを５０〜７０質量％程度の高密度で充填させておくことが好ましい。これにより、絶縁樹脂層４の熱膨張係数（ＸＹ方向）を８〜１７ｐｐｍ／℃程度に低いものとすることができ、配線基板１０が半導体集積回路素子Ｅ１との熱膨張係数の相違に起因して大きく反ることを有効に防止することができる。なお、絶縁樹脂層４と絶縁基板３とは必ずしもその全ての層に熱膨張係数（ＸＹ方向）が８〜１７ｐｐｍ／℃の低いものを用いる必要はなく、例えば絶縁樹脂層４のみに熱膨張係数（ＸＹ方向）が８〜１７ｐｐｍ／℃程度の低いものを用いても良い。あるいは絶縁樹脂層４の一部の層のみに熱膨張係数（ＸＹ方向）が８〜１７ｐｐｍ／℃程度の低いものを用いても良い。ただし、これらの場合、配線基板１０における熱膨張係数の異なる層が上下対称となるように配置することが好ましい。
【００４２】
また、各絶縁樹脂層４には、直径が３０〜１００μｍ程度の複数のビアホール９が形成されている。ビアホール９は、後述するようにレーザ加工やフォトリソグラフィ加工等によって形成される。
【００４３】
各絶縁樹脂層４の表面およびビアホール９の内面には、無電解銅めっきおよびその上の電解銅めっきから成るビルドアップ用の配線導体５が被着形成されている。そして、絶縁樹脂層４を挟んで上層に位置する配線導体５と下層に位置する配線導体５とをビアホール９内の配線導体５を介して電気的に接続することにより、高密度配線が立体的に形成される。
【００４４】
ここで、ビルドアップ用の配線導体５のうち、ビアホール内９の配線導体５は、第一の金属めっき層と第二の金属めっき層との二層構造から成る。具体的には、図３に示すように、ビアホール９内の配線導体５が、ビアホール９内の下位の配線導体２（５）上に、ビアホール９の下部を充填するように被着形成された第一の銅めっき層５Ａと、この第一の銅めっき層５Ａの上から絶縁樹脂層４の表面にかけてビアホール９の上部を充填するように披着形成された第二の銅めっき層５Ｂとから成る。これにより、例えばビアホール９のアスペクト比が大きい場合やビアホール９の直径が大きい場合等であっても第一の銅めっき層５Ａでビアホール９の下部を、その上の第二の銅めっき層５Ｂでビアホール９の上部を良好に充填することができる。したがって、ビアホール９上の配線導体５に大きな凹みが形成されることはなく、下位のビアホール９上に上位のビアホール９を重ねて設けた場合であっても上下のビアホール９間において配線導体５同士が高い信頼性で電気的に接続される。下位のビアホール９上に上位のビアホール９を重ねて設ける場合、下位のビアホール９と上位のビアホール９とを互いにずらして上下の配線導体５同士を接続する場合と比較して、配線導体５の配線密度をより高いものとすることができる。
【００４５】
ビアホール９内の配線導体５が、第一の銅めっき層５Ａと第二の銅めっき層５Ｂとから成るように構成されているか否かを確認するには、例えばビアホール９の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察すること等によって確認することができる。
【００４６】
第一の銅めっき層５Ａおよび第二の銅めっき層５Ｂは、それぞれ無電解銅めっき層とその上に被着された電解銅めっき層とから成ることが好ましい。そのような構成にすることにより、ビアホール９内を短時間に効率よく充填することができる。
【００４７】
ビルドアップ用の配線導体５のうち、配線基板１０の上面側における最外層の絶縁樹脂層４上に被着された一部は、半導体集積回路素子Ｅ１の電極に半田等の導電バンプＢ１を介して電気的に接続される第一接続部５ａを形成しており、別の一部は、半導体素子搭載基板Ｅ２の電極端子に半田ボールＢ２を介して半田ボール接続により電気的に接続される第二接続部５ｂを形成している。また、配線基板１０の下面側における最外層の絶縁樹脂層４上に被着された一部は、外部電気回路基板の配線導体に半田ボールＢ３を介して電気的に接続される外部接続用の第三接続部５ｃを形成している。
【００４８】
このようなビルドアップ用の配線導体５は、後述するセミアディティブ法を利用した本発明独自の方法により形成される。セミアディティブ法は、例えばビアホール９が形成されたビルドアップ用の絶縁樹脂層４の表面に、電解めっき用の下地金属層を無電解銅めっきにより形成し、その上に配線導体５に対応した開口を有するめっきレジスト層を形成し、次に、下地金属層を給電用の電極として開口から露出する下地金属層上に電解銅めっきを施すことで配線導体５を形成し、めっきレジストを剥離した後、露出する下地金属層をエッチング除去することによって、各配線導体５を電気的に独立させる方法である。
【００４９】
さらに、配線導体５上および該配線導体５が形成された部分以外の最外層の絶縁樹脂層４上には、ソルダーレジスト層６が被着されている。ソルダーレジスト層６は、最外層の配線導体５を熱や外部環境から保護するための保護膜であり、上面側のソルダーレジスト層６は、第一接続部５ａの上面および第二接続部５ｂの上面を露出させるようにして被着されている。また、下面側のソルダーレジスト層６は、外部接続用の第三の接続部５ｃを露出させるようにして被着されている。
【００５０】
ソルダーレジスト層６としては、例えばエポキシ樹脂等に溶融シリカやタルク等の無機物粉末フィラーを３０〜７０質量％程度分散させた絶縁材料から成る熱硬化性樹脂が好ましい。このようなソルダーレジスト６となる感光性を有する熱硬化性樹脂ペーストまたはフィルムを、第一配線接続部５ａおよび第二接続部５ｂを有する配線導体５が形成された最外層の絶縁樹脂層４上に積層した後、第一接続部５ａおよび第二接続部５ｂあるいは第三接続部５ｃを露出させる開口を有するように露光および現像し、硬化させればよい。
【００５１】
なお、ソルダーレジスト層６から露出する第一接続部５ａの上面および第二接続部５ｂの上面には、第一接続部５ａおよび第二接続部５ｂが酸化腐食するのを防止するとともに、導電バンプＢ１や半田ボールＢ２との接続を良好とするために、ニッケルめっきおよび金めっきを無電解めっき法や電解めっき法により順次被着させておくか、あるいは半田層を被着させておいてもよい。
【００５２】
次に、ビルドアップ用の配線導体５をセミアディティブ法により形成する方法について、上述のコア用の絶縁基板３およびコア用の配線導体２上に一層目のビルドアップ用の絶縁層４および一層目のビルドアップ用の配線導体５を形成する場合を例に挙げて図面を参照して詳細に説明する。
【００５３】
図４〜図７は、本実施形態にかかるビルドアップ用の配線導体を形成する工程を説明する要部概略断面図である。これらの図面のうち、図４（ａ）〜（ｃ）は、コア用の絶縁基板およびコア用の配線導体上に表面に銅箔が被着されたビルドアップ用の絶縁樹脂層を積層する工程を示す図であり、図５（ｄ）〜（ｆ）は、積層された銅箔付きの絶縁樹脂層にビアホールを形成するとともにビアホール内に第一の銅めっき層を被着させる工程を示す図であり、図６（ｇ）〜（ｉ）および図７（ｊ）〜（ｌ）は、第一の銅めっき層および銅箔をエッチングしてコア用の配線導体上に第一銅めっき層の一部を残存させたままビルドアップ用の絶縁樹脂層の銅箔を完全に除去した後、第二の銅めっき層から成るビルドアップ用の配線導体をセミアディティブ法により形成する工程を示す図である。
【００５４】
［工程（ａ）］
まず、図４（ａ）に示すように、コア用の絶縁基板３およびコア用の配線導体２の上に表面に銅箔１１が被着されたビルドアップ用の絶縁樹脂層４を積層する。絶縁樹脂層４としては、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂、アリル変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料が好ましく、さらには前記した理由から熱硬化性樹脂中に溶融シリカ等の低熱膨張係数を有する無機絶縁物フィラーを５０〜７０質量％程度充填してその熱膨張係数（ＸＹ方向）を８〜１７ｐｐｍ／℃程度としたものが好ましい。なお、本発明はこれに限定されるものではなく、ガラスクロスを含まず、熱硬化性樹脂と無機絶縁物フィラーとから成る電気絶縁材料であってもよい。絶縁樹脂層４の厚みとしては、２０〜５０μｍ程度が好ましい。
【００５５】
また、銅箔１１としては、絶縁樹脂層４の側に微小な凹凸を有する電解銅箔が好ましい。電解銅箔はその製造工程において微小な凹凸を有する粗面であるマット面と、平滑な面であるシャイニー面とを有しており、そのマット面側を絶縁樹脂層４側として両者を張り合わせることが好ましい。銅箔１１が絶縁樹脂層４の側に微小な凹凸を有することで、絶縁樹脂層４の銅箔１１側の表面にも銅箔１１の凹凸に対応した微小な凹凸が形成される。銅箔１１の厚みとしては３〜１８μｍ程度が好ましい。
【００５６】
なお、コア用の絶縁基板３およびコア用の配線導体２の上に表面に銅箔１１が被着されたビルドアップ用の絶縁樹脂層４を積層するには、予め銅箔１１が被着された半硬化状態の絶縁樹脂層４を、コア用の配線導体２が形成された絶縁基板３上に重ねて加熱しながらプレスし、絶縁樹脂層４を完全に熱硬化させればよい。
【００５７】
［工程（ｂ）］
次に、図４（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層４の表面に被着された銅箔１１を機械的に研磨または化学的にエッチングして銅箔１１の厚みを２〜８μｍ程度に薄くする。これにより、後述する図４（ｃ）に示す工程において、銅箔１１に形成するビアホール形成用の開口を正確な形状および大きさで形成しやすくなる。なお、銅箔１１の厚みを２〜８μｍ程度に薄くする工程は必ずしも必要ではなく、最初から厚みが２〜８μｍの薄い銅箔１１を被着させておいてもよい。
【００５８】
次に、図４（ｃ）に示すように、銅箔１１にビアホール形成用の開口１１ａを形成する。開口１１ａの形成は、周知のフォトリソグラフィ技術を採用して行なえばよい。このとき、銅箔１１の厚みが２〜８μｍと薄いので、フォトリソグラフィ技術により正確な形状および大きさの開口１１ａを容易に形成することができる。なお、開口１１ａの形成は必ずしも必要ではなく、開口１１ａを設けないままであってもよい。
【００５９】
次に、図５（ｄ）に示すように、銅箔１１に形成した開口１１ａ内に露出する絶縁樹脂層４にレーザ加工やフォトリソグラフィ加工等によりビアホール９を形成する。このとき、銅箔１１に開口１１ａを設けておくことによって絶縁樹脂層４へのビアホール９の形成が容易となる。なお、銅箔１１に開口１１ａを設けないままの状態で銅箔１１ごと絶縁樹脂層４にビアホール９を形成してもよい。
【００６０】
絶縁樹脂層４にビアホール９を形成した後、ビアホール９内を例えば過酸化マンガンアルカリ水溶液等を用いてデスミア処理することが好ましい。デスミア処理によりビアホール９内に付着した不要な樹脂残渣を除去することができる。この場合、絶縁樹脂層４の表面は銅箔１１により被覆されているので、デスミア処理により絶縁樹脂層４の表面がダメージを受けることがない。したがって、絶縁樹脂層４の表面に形成された微小な凹凸がそのままの形で維持される。
【００６１】
［工程（ｃ）］
次に、図５（ｅ）に示すように、ビアホール９内に露出するコア用の配線導体２の表面からビアホール９の内壁および銅箔１１の表面にかけて第一の無電解銅めっき層５Ａ１を周知の無電解銅めっき法により０．３〜１．０μｍの厚みに被着形成させ、引き続き、図５（ｆ）に示すように、この第一の無電解銅めっき層５Ａ１の表面に第一の電解銅めっき層５Ａ２を、コア用の配線導体２の上に位置する第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき層５Ａ２の合計厚みＴ１が、銅箔１１およびその上に位置する第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき層５Ａ２の合計厚みＴ２よりも厚くなるように、すなわちＴ１＞Ｔ２の関係を満足するように被着形成させる。このような厚みの第一の電解銅めっき層５Ａ２を被着させるには、例えば市販のフィルドビアめっき用の電解銅めっき液等を使用すればよい。
【００６２】
［工程（ｄ）］
次に、図６（ｇ）に示すように、第一の電解銅めっき層５Ａ２、第一の無電解銅めっき層５Ａ１および銅箔１１を周知の銅エッチング液でエッチングすることにより、コア用の配線導体２の上に第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき５Ａ２の一部を残存させたまま金属箔１１を完全に除去する。このとき、前述のように、配線導体２の上に位置する第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき層５Ａ２の合計厚みＴ１が、銅箔１１およびその上に位置する第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき層５Ａ２の合計厚みＴ２よりも厚くなるように被着形成させてあるので、第一の電解銅めっき層５Ａ２、第一の無電解銅めっき層５Ａ１および銅箔１１を略均等にエッチングすると、配線導体２の上に第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき５Ａ２の一部を残存させたまま金属箔１１を完全に除去することができる。これにより、ビアホール９内には第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき層５Ａ２から成る第一銅めっき層５Ａがビアホール９の下部を充填する形で形成される。このとき、コア用の配線導体２の上には第一の銅めっき層５Ａが残存したままなので、配線導体２が過剰にエッチングされるおそれはない。
【００６３】
ここで、金属箔１１を除去した際に、ビアホール９内に露出する配線導体２の上に第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき５Ａ２の一部を確実に残存させる上で、前記Ｔ１とＴ２との比（Ｔ１／Ｔ２）が１．１以上、好ましくは１．１〜１．７にするのがよい。また、配線導体２の上に残存した第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき５Ａ２から成る第一銅めっき層５Ａの厚みは１０〜２０μｍであるのが好ましい。これにより、下記で説明する第二の無電解銅めっき層５Ｂ１および第二の電解銅めっき層５Ｂ２から成る第二の銅めっき層５Ｂを所定の位置に確実に被着形成することができる。
【００６４】
［工程（ｅ）］
次に、図６（ｈ）に示すように、ビアホール９内に充填された第一の銅めっき層５Ａの表面および絶縁樹脂層４の露出する表面に第二の無電解銅めっき層５Ｂ１を周知の無電解銅めっき法により０．３〜１．０μｍの厚みに被着形成した後、図６（ｉ）に示すように、絶縁樹脂４上に被着させた第二の無電解銅めっき層５Ｂ１の上に、めっきレジスト層１２を形成する。
【００６５】
次に、図７（ｊ）に示すように、めっきレジスト層１２から露出する第二の無電解銅めっき層５Ｂ１の上に第二の電解銅めっき層５Ｂ２を周知の電解銅めっき法により１０〜２０μｍの厚みに被着した後、図７（ｋ）に示すように、めっきレジスト層１２を剥離する。そして、図７（ｌ）に示すように、第二の電解銅めっき層５Ｂ２から露出する第二の無電解銅めっき層５Ｂ１が消失するまで第二の無電解銅めっき層５Ｂ１および第二の電解銅めっき層５Ｂ２を周知の銅エッチング液によりエッチングすることにより、ビアホール９内の下位の配線導体２上に、ビアホール９の下部を充填するように被着形成された第一の銅めっき層５Ａと、この第一の銅めっき層５Ａの上から絶縁樹脂層４の表面にかけてビアホール９の上部を充填するように披着形成された第二の銅めっき層５Ｂとから成る配線導体５が形成される。このようにしてビルドアップ用の配線導体を形成すると、ビアホール上の配線導体に大きな凹部が形成されることがなく、下位のビアホール上に上位のビアホールを重ねて設けた場合であっても、上下のビアホール間における配線導体同士の電気的な接続信頼性に優れる高密度配線が可能で薄型の反りや変形の少ない配線基板が得られる。
【００６６】
上記で説明した配線基板１０は、例えば半導体集積回路素子Ｅ１の電極端子と第一接続部５ａとを導電バンプＢ１を介して電気的に接続した後、半導体集積回路素子Ｅ１と配線基板１０との間の隙間にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成るアンダーフィルと呼ばれる充填樹脂Ｕ１を充填し、半導体集積回路素子Ｅ１が配線基板１０上に実装される。さらに、その上に半導体素子搭載基板Ｅ２の電極端子と第二接続部５ｂとを半田ボールＢ２を介して電気的に接続することにより半導体素子搭載基板Ｅ２が配線基板１０上に実装され、これにより配線基板１０上に複数の電子部品が高密度に実装される。実装後は、絶縁基板３，埋め込み樹脂８，絶縁樹脂層４を構成する各熱硬化性樹脂に低熱膨張係数の無機絶縁物フィラーを所定の割合で高密度充填しているので、配線基板１０が半導体集積回路素子Ｅ１との熱膨張係数の相違に起因して大きく反ることを有効に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の一実施形態にかかる配線基板を示す概略断面図である。
【図２】図２は、図１の配線基板を示す平面図である。
【図３】本発明の一本実施形態にかかるビアホール内の配線導体付近を示す部分拡大断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一本実施形態にかかるビルドアップ用の配線導体をセミアディティブ法により形成する工程を説明する要部概略断面図である。
【図５】（ｄ）〜（ｆ）は、本発明の一本実施形態にかかるビルドアップ用の配線導体をセミアディティブ法により形成する工程を説明する要部概略断面図である。
【図６】（ｇ）〜（ｉ）は、本発明の一本実施形態にかかるビルドアップ用の配線導体をセミアディティブ法により形成する工程を説明する要部概略断面図である。
【図７】（ｊ）〜（ｌ）は、本発明の一本実施形態にかかるビルドアップ用の配線導体をセミアディティブ法により形成する工程を説明する要部概略断面図である。
【図８】従来の配線基板の一例を示す概略断面図である。
【図９】図８の配線基板を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６８】
２ コア用の配線導体
３ コア用の絶縁基板
４ ビルドアップ用の絶縁樹脂層
５ ビルドアップ用の配線導体
５Ａ 第一の銅めっき層
５Ａ１ 第一の無電解銅めっき層
５Ａ２ 第一の電解銅めっき層
５Ｂ 第二の銅めっき層
５Ｂ１ 第二の無電解銅めっき層
５Ｂ２ 第二の電解銅めっき層
５ａ 第一接続部
５ｂ 第二接続部
５ｃ 第三接続部
６ ソルダーレジスト層
７ スルーホール
８ 埋め込み樹脂
９ ビアホール
１０ 配線基板
１１ 銅箔
１１ａ 開口
１２ めっきレジスト層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板およびその製造方法に関し、より詳細には、例えば半導体集積回路素子等の電子部品を搭載するのに好適な高密度多層配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子部品である半導体集積回路素子として、多数の電極端子を、その一方の主面の外周に沿って配設した、いわゆるペリフェラル型の半導体集積回路素子がある。また、このような半導体集積回路素子を配線基板に搭載する方法として、フリップチップ接続により接続する方法がある。
【０００３】
フリップチップ接続とは、配線基板上に設けた電子部品接続用の配線導体の一部を電子部品の電極端子の配置に対応した並びに露出させ、この電子部品接続用の配線導体の露出部と前記電子部品の電極端子とを対向させ、これらを半田や金等からなる導電バンプを介して電気的に接続する方法である。
【０００４】
近時は、このようなフリップチップ接続により第一の電子部品を配線基板上に搭載し、さらにその上に別の第二電子部品を半田ボール接続またはワイヤボンド接続により搭載して、配線基板への電子部品の搭載密度を高めることが行われている。
【０００５】
図８は、第一の電子部品としてのペリフェラル型の半導体集積回路素子をフリップチップ接続により搭載し、さらにその上に第二電子部品しての半導体素子搭載基板を半田ボール接続した従来の配線基板の一例を示す概略断面図であり、図９は、図８の配線基板を示す平面図である。
【０００６】
図８および図９に示すように、従来の配線基板１１０は、上面から下面にかけてコア用の配線導体１０２が配設されたコア用の絶縁基板１０３の上下面に、複数のビルドアップ用の絶縁樹脂層１０４とビルドアップ用の配線導体１０５とが交互に積層され、さらに、その最表面には保護用のソルダーレジスト層１０６が被着されている。
【０００７】
コア用の絶縁基板１０３の上面から下面にかけては複数のスルーホール１０７が形成されており、絶縁基板１０３の上下面およびスルーホール１０７の内面にはコア用の配線導体１０２が被着され、スルーホール１０７の内部には埋め込み樹脂１０８が充填されている。ビルドアップ用の絶縁樹脂層１０４には、それぞれに複数のビアホール１０９が形成されており、各絶縁樹脂層１０４の表面およびビアホール１０９の内面には、ビルドアップ用の配線導体１０５が被着形成されている。
【０００８】
この配線導体１０５のうち、配線基板１１０の上面側における最外層の絶縁樹脂層１０４上に被着された一部は、第一の電子部品としての半導体集積回路素子Ｅ１の電極端子に導電バンプＢ１を介してフリップチップ接続により電気的に接続される第一接続部１０５ａを有する第一配線パターン部１０５Ａであり、この第一配線パターン部１０５Ａは複数並んで帯状に形成されている。さらに、配線導体１０５のうち、配線基板１１０の上面側における最外層の絶縁樹脂層１０４上に被着された他の一部は、第二電子部品としての半導体素子搭載基板Ｅ２の電極端子に半田ボールＢ２を介して半田ボール接続により電気的に接続される第二接続部１０５ｂを有する第二配線パターン部１０５Ｂであり、この第二配線パターン部１０５Ｂは複数並んで形成されている。
【０００９】
これら第一配線パターン部１０５Ａおよび第二配線パターン部１０５Ｂのうち、第一接続部１０５ａおよび第二接続部１０５ｂがソルダーレジスト層１０６から露出しており、第一接続部１０５ａに半導体集積回路素子Ｅ１の電極端子が半田や金等から成る導電バンプＢ１を介して電気的に接続され、第二接続部１０５ｂに半導体素子搭載基板Ｅ２の電極端子が半田ボールＢ２を介して電気的に接続される。
【００１０】
一方、配線導体１０５のうち、配線基板１１０の下面側における最外層の絶縁樹脂層１０４上に被着された一部は、外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される外部接続用の第三接続部１０５ｃを有する第三配線パターン部１０５Ｃであり、この第三配線パターン部１０５Ｃは複数並んで形成されている。この第三配線パターン部１０５Ｃのうち、第三接続部１０５ｃがソルダーレジスト層１０６から露出しており、第三接続部１０５ｃに、外部電気回路基板の配線導体が半田ボールＢ３を介して電気的に接続される。
【００１１】
そして、半導体集積回路素子Ｅ１の電極端子と第一接続部１０５ａとを導電バンプＢ１を介して電気的に接続した後、半導体集積回路素子Ｅ１と配線基板１１０との間の隙間にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成るアンダーフィルと呼ばれる充填樹脂Ｕ１を充填し、半導体集積回路素子Ｅ１が配線基板１１０上に実装される。さらに、その上に半導体素子搭載基板Ｅ２の電極端子と第二接続部１０５ｂとを半田ボールＢ２を介して電気的に接続することにより半導体素子搭載基板Ｅ２が配線基板１１０上に実装され、これにより配線基板１１０上に複数の電子部品が高密度に実装されることとなる。なお、このような配線基板１１０は、例えば下記の方法により製作される。
【００１２】
まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁基板１０３用の絶縁シートを準備する。次に、この絶縁シートの両面に銅箔を張着するとともに、絶縁シート中の熱硬化性樹脂を熱硬化させて両面銅張り板を得る。この両面銅張り板に、その上下面を貫通するスルーホール１０７を穿孔するとともに、スルーホール１０７内を過マンガン酸アルカリ水溶液でデスミア処理する。なお、前記デスミア処理とは、不要な樹脂残渣を除去する処理のことを意味する。
【００１３】
上記のようにしてデスミア処理した後、前記スルーホール１０７内壁および前記銅箔表面に無電解銅めっきおよび電解銅めっきから成る銅めっき層を被着させて、上下面の銅箔同士をスルーホール１０７内の銅めっき層で電気的に接続する。そして、スルーホール１０７内を埋め込み樹脂１０８で充填した後、上下面の銅箔および銅めっき層を所定パターンにエッチングすることにより、コア用の絶縁基板１０３の上下両面およびスルーホール１０７内壁に銅箔や銅めっき層から成るコア用の配線導体１０２を形成する。
【００１４】
次に、コア用の絶縁基板１０３および配線導体１０２上にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂に無機絶縁性フィラーを分散させた絶縁樹脂層１０４用の樹脂フィルムを張着するとともに、樹脂フィルム中の熱硬化性樹脂を熱硬化させて絶縁樹脂層１０４を形成する。この絶縁樹脂層１０４にレーザ加工によりビアホール１０９を穿孔するとともに、ビアホール１０９内を過マンガン酸アルカリ水溶液でデスミア処理した後、ビアホール１０９内を含む絶縁樹脂層１０４の表面にセミアディティブ法で無電解銅めっきおよび電解銅めっきから成る配線導体１０５を上下面同時に形成する。
【００１５】
このとき、絶縁樹脂層１０４の表面は予め粗化処理しておくか、あるいはビアホール１０９のデスミア処理により粗化処理しておくと、粗化処理された絶縁樹脂層１０４表面の微小凹凸とその上に被着される無電解銅めっきおよび電解銅めっきから成る配線導体１０５とが良好に係合され、絶縁樹脂層１０４と配線導体１０５とが強固に密着する。
【００１６】
そして、次層の絶縁樹脂層１０４や配線導体１０５の形成を複数回繰り返すことによりビルドアップ部を形成し、最後に感光性を有する熱硬化性樹脂ペーストまたはフィルムを配線導体１０５が形成された最外層の絶縁樹脂層１０４上に積層した後、電子部品接続用の第一接続部１０５ａおよび第二接続部１０５ｂや外部接続用の第三接続部１０５ｃを露出させる開口を有するように露光および現像し、硬化させることによりソルダーレジスト層１０６形成し、それにより上面から下面にかけてコア用の配線導体１０２が配設されたコア用の絶縁基板１０３の上下面に、複数のビルドアップ用の絶縁樹脂層１０４とビルドアップ用の配線導体１０５とが交互に積層され、さらに、その最表面には保護用のソルダーレジスト層１０６が被着されて成るビルドアップ多層配線基板１１０が製作される。
【００１７】
近時、このようなビルドアップ多層配線基板１１０は、その薄型化および配線の高密度化が益々求められているとともに、これに搭載される半導体集積回路素子Ｅ１や半導体素子搭載基板Ｅ２あるいは外部電気回路基板との電気的接続信頼性を良好に維持する上で、半導体集積回路素子Ｅ１や半導体素子搭載基板Ｅ２の実装後の反りや変形を小さく抑えることが求められている。
【００１８】
ビルドアップ配線基板１１０の実装後の反りや変形は、主にビルドアップ配線基板１１０とこれに搭載される半導体集積回路素子Ｅ１との熱膨張係数の差に起因して発生する熱応力によりもたらされる。一般的なビルドアップ配線基板１１０を構成する絶縁基板１０３や絶縁樹脂層１０４は、その熱膨張係数（ＸＹ方向）が２０〜１００ｐｐｍ／℃程度であるのに対して半導体集積回路素子Ｅ１の熱膨張係数は３〜７ｐｐｍ／℃程度と小さい。そこで、絶縁基板１０３や絶縁樹脂層１０４を構成する熱硬化性樹脂の中に例えば溶融シリカ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ／℃）等の低熱膨張材料の無機絶縁性フィラーを多量に充填させることにより、絶縁基板１０３や絶縁樹脂層１０４の熱膨張係数（ＸＹ方向）を８〜１７ｐｐｍ／℃程度に低くすることが行なわれている。
【００１９】
しかしながら、このように無機絶縁性フィラーを多量に充填させた熱硬化性樹脂をビルドアップ用の絶縁樹脂層１０４に適用すると、以下のような問題点がある。すなわち、この熱硬化性樹脂を硬化させた絶縁樹脂層１０４にビアホールを形成した後にビアホール内を過マンガン酸アルカリ水溶液でデスミア処理すると、熱硬化性樹脂中に多量に充填させた無機絶縁性フィラーが絶縁樹脂層１０４の表面から脱粒して絶縁樹脂層１０４表面の微小な凹凸形状が崩れてしまい、その結果、この上に形成される配線導体１０２と絶縁樹脂層１０４表面の微小凹凸との係合が弱くなり配線導体１０２が絶縁樹脂層１０４から容易に剥離してしまうという問題点がある。
【００２０】
そこで、特許文献１では、粗化処理されたビルドアップ用の絶縁樹脂層表面に例えば無電解銅めっきから成る粗化レジスト層を形成した後に、この粗化レジスト層が形成された絶縁樹脂層にビアホールを形成し、次にビアホール内をデスミア処理した後、粗化レジスト層をエッチングで除去して、あるいはエッチングせずに残した状態でビアホール内と絶縁樹脂層あるいは残した粗化レジスト層上とにセミアディティブ法で配線層を形成する方法が開示されている。
【００２１】
この方法によると、ビアホール内をデスミア処理する際にビルドアップ用の絶縁樹脂層の表面は粗化レジスト層により保護されているので、ビルドアップ用の絶縁樹脂層の表面がデスミア処理によるダメージを受けることがなく、良好な粗化面が維持される。したがって、ビルドアップ用の絶縁樹脂層とビルドアップ用の配線層とが強固に密着した配線基板が得られる。
【００２２】
しかしながら、この特許文献１の方法によると、無電解銅めっきから成る粗化レジスト層をエッチングで除去した後、ビアホール内と絶縁樹脂層上とにセミアディティブ法で配線層を形成する場合、ビアホール形成後に無電解銅めっきから成る粗化レジスト層をエッチングで除去する際に、ビアホール底面に露出する下位の配線層が過剰にエッチングされてしまう危険がある。このような過剰なエッチングはビアホール内における配線層同士の接続信頼性を損ねる原因になりやすい。
【００２３】
また、無電解銅めっきから成る粗化レジスト層をエッチング除去せずに残した状態でビアホール内と粗化レジスト層上とにセミアディティブ法により配線層を形成する場合、絶縁樹脂層上には粗化レジスト層としての無電解銅めっき層とセミアディティブの下地導電層としての無電解銅めっき層とが２層重なって存在することとなり、絶縁樹脂層上における無電解銅めっき層の厚みが厚いものとなってしまう。よって、この無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を所定パターンに被着させた後、露出する無電解銅めっき層をエッチング除去する際には、電解銅めっき層のパターンも同時に大きくエッチングされて配線層のパターンが細くなりやすいとともに、無電解銅めっきの方が電解銅めっきよりもエッチングされやすいので、電解銅めっきの下に位置する無電解銅めっき層が大きくえぐれてしまい、絶縁樹脂層と配線層との接合強度を弱める原因となる。
【００２４】
さらに、ビアホール内を一回のセミアディティブ工程により充填するので、ビアホールのアスペクト比が大きい場合やビアホールの直径が大きな場合等にはビアホール内を配線層で良好に充填することができず、ビアホール上の配線導体に大きな凹みが形成されやすい。このようにビアホール上の配線導体に大きな凹みがあると、下位のビアホール上に上位のビアホールを重ねて設ける場合に上下のビアホール間において配線導体同士の電気的な接続信頼性が大きく低下する原因となる。
【００２５】
【特許文献１】特開２００５−２５１８９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
本発明の課題は、低熱膨張材料の無機絶縁性フィラーを多量に充填させた絶縁樹脂をビルドアップ部の絶縁樹脂層に用いた場合であっても、絶縁樹脂層と配線導体とが強固に密着するとともにビアホールにおける配線導体同士の接続信頼性に優れる高密度配線で薄型の反りや変形の少ない配線基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下の知見を得た。すなわち、ビルドアップ用の絶縁樹脂層の表面に金属箔を残した状態でその絶縁樹脂層にビアホールを形成し、ついで金属箔上およびビアホール内に第一の金属めっき層を所定の厚みに被着させた後、ビアホール内に第一の金属めっき層の一部が残存するようにして絶縁樹脂層上の金属箔およびその上の第一の金属めっき層をエッチング除去し、しかる後、ビアホール内および絶縁樹脂層上に第二の金属めっき層から成る配線導体を形成する場合には、ビアホール内の下位の配線導体が過剰にエッチングされてしまう危険性がなく、ビアホール内における上位の配線導体と下位の配線導体との電気的な接続信頼性を良好とすることができる。
【００２８】
しかも、絶縁樹脂層上に第二の金属めっき層から成る配線導体を形成する際に絶縁樹脂層上に厚みの厚い無電解金属めっき層が形成されることがなく、したがって所定幅の正確な形状の配線導体を絶縁樹脂層との接合強度を十分に保ったままで形成することができる。さらに、ビアホールの下部が第一の金属めっき層で充填され、その上に第二の金属めっき層から成る配線導体が形成されるので、ビアホール内を第一の金属めっき層およびその上の第二の金属めっき層で良好に充填することができ、よってビアホール上の配線導体に大きな凹部が形成されることがなく、下位のビアホール上に上位のビアホールを重ねて設けた場合であっても、上下のビアホール間における配線導体同士の電気的な接続信頼性に優れる高密度配線が可能で薄型の反りや変形の少ない配線基板が得られる。
【００２９】
すなわち、本発明における配線基板およびその製造方法は、以下の構成からなる。
（１）下位絶縁樹脂層と、該下位絶縁樹脂層の表面に形成された下位配線導体と、前記下位絶縁樹脂層および下位配線導体の上に積層され、前記下位配線導体に達するビアホールを有する上位絶縁樹脂層と、前記ビアホール内の前記下位配線導体の上から前記上位絶縁樹脂層の表面にかけて被着形成された金属めっき層から成る上位配線導体と、を備えた配線基板であって、前記金属めっき層が、前記ビアホール内の前記下位配線導体の上に前記ビアホールの下部を充填するように被着形成された第一の金属めっき層と、該第一の金属めっき層から前記上位絶縁樹脂層の表面にかけて被着形成された第二の金属めっき層とから成ることを特徴とする配線基板。
（２）前記第一の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る前記（１）に記載の配線基板。
（３）前記第二の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る前記（１）または（２）に記載の配線基板。
【００３０】
（４）絶縁樹脂層と配線導体とを交互に積層する工程を含む配線基板の製造方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｅ）を順に含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
（ａ）表面に下位配線導体を有する下位絶縁樹脂層上に、表面に金属箔が被着された上位絶縁樹脂層を積層する工程
（ｂ）前記金属箔の前記下位配線導体と対向する一部を除去するとともに、該除去部内の前記上位絶縁樹脂層に、前記下位配線導体に達するビアホールを形成する工程
（ｃ）前記金属箔、前記上位絶縁樹脂層および前記ビアホール内に露出する下位配線導体の表面に、第一の金属めっき層を、前記下位配線導体上に位置する第一の金属めっき層の厚みをＴ１、前記金属箔および該金属箔上に位置する第一の金属めっき層の合計厚みをＴ２としたとき、前記Ｔ１およびＴ２がＴ１＞Ｔ２の関係を満足するように被着形成する工程
（ｄ）前記第一の金属めっき層および前記金属箔をエッチングすることにより、前記下位配線導体上に前記第一の金属めっき層の一部を残存させたまま前記金属箔を除去する工程
（ｅ）前記第一の金属めっき層および前記上位絶縁樹脂層の露出する表面に前記ビアホールを介して前記下位配線導体に電気的に接続された第二の金属めっき層から成る上位配線導体を被着形成する工程
【００３１】
（５）前記工程（ａ）の後でかつ前記工程（ｂ）の前に、前記金属箔の厚みを化学的エッチングまたは物理的研磨により減少させる工程を含む前記（４）に記載の配線基板の製造方法。
（６）前記工程（ｂ）において、前記金属箔の前記下位配線導体と対向する一部を、エッチングにより除去する前記（４）または（５）に記載の配線基板の製造方法。
（７）前記工程（ｂ）において、前記金属箔の前記下位配線導体と対向する一部を、レーザ加工により除去する前記（４）または（５）に記載の配線基板の製造方法。
（８）前記工程（ｂ）の後でかつ前記工程（ｃ）の前に、前記ビアホール内のデスミア処理を行なう（４）〜（７）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
（９）前記第一の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る前記（４）〜（８）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
（１０）前記第二の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る前記（４）〜（９）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、低熱膨張材料の無機絶縁性フィラーを多量に充填させた絶縁樹脂をビルドアップ部の絶縁樹脂層に用いた場合であっても、絶縁樹脂層と配線導体とが強固に密着するとともにビアホールにおける配線導体同士の接続信頼性に優れる高密度配線で薄型の反りや変形の少ない配線基板が得られるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明にかかる配線基板およびその製造方法の一実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は、第一の電子部品としてペリフェラル型の半導体集積回路素子をフリップチップ接続により搭載し、さらにその上に第二電子部品としての半導体素子搭載基板を半田ボール接続により搭載した本実施形態にかかる配線基板を示す概略断面図である。図２は、図１の配線基板を示す平面図である。図３は、本実施形態にかかるビアホール内の配線導体付近を示す部分拡大断面図である。
【００３４】
図１および図２に示すように、本実施形態にかかる配線基板１０は、上面から下面にかけてコア用の配線導体２が配設されたコア用の絶縁基板３の上下面に、ビルドアップ用の絶縁樹脂層４とビルドアップ用の配線導体５とが交互に積層され、さらに、その最表面に保護用のソルダーレジスト層６が被着されて成る。
【００３５】
コア用の絶縁基板３は、厚みが０．０５〜１．５ｍｍ程度であり、例えばガラス繊維束を縦横に織ったガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。絶縁基板３は、配線基板１０のコア部材として機能する。この絶縁基板３を構成する熱硬化性樹脂には、溶融シリカ等の低熱膨張係数の無機絶縁物フィラーを５０〜７０質量％程度の高密度で充填させておくことが好ましい。これにより、絶縁基板３の熱膨張係数（ＸＹ方向）を８〜１７ｐｐｍ／℃程度に低いものとすることができ、配線基板１０が半導体集積回路素子Ｅ１との熱膨張係数の相違に起因して大きく反ることを有効に防止することができる。
【００３６】
コア用の絶縁基板３には、その上面から下面にかけて直径が０．０５〜０．３ｍｍ程度の複数のスルーホール７が形成されており、絶縁基板３の上下面およびスルーホール７の内面には、配線導体２が被着されている。コア用の配線導体２は、絶縁基板３の上下面では、主として銅箔あるいは無電解銅めっきおよびその上の電解銅めっきから形成されており、スルーホール７の内面では、無電解銅めっきおよびその上の電解銅めっきから形成されている。
【００３７】
また、スルーホール７の内部には、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る埋め込み樹脂８が充填されており、絶縁基板３の上下面に形成された配線導体２同士がスルーホール７内の配線導体２を介して電気的に接続されている。この埋め込み樹脂８を構成する熱硬化性樹脂にも、前記した絶縁基板３を構成する熱硬化性樹脂と同様に、溶融シリカ等の低熱膨張係数の無機絶縁物フィラーを４０〜６０質量％程度の高密度で充填させておくことが好ましい。これにより、埋め込み樹脂８の熱膨張係数（Ｚ方向）を３０〜４０ｐｐｍ／℃程度に低いものとすることができ、絶縁基板３との熱膨張係数（Ｚ方向）の相違に起因して埋め込み樹脂に剥離やクラック、変形等が起こることを有効に防止することができる。
【００３８】
このような絶縁基板３は、ガラス織物に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートの上下面に配線導体２用の銅箔を張着した後、そのシートを熱硬化させ、これに上面から下面にかけてスルーホール７用のドリル加工等を施すことにより作製される。
【００３９】
配線導体２は、絶縁基板３用の前記シートの上下全面に、厚みが３〜１８μｍ程度の銅箔を上述のように張着しておくとともに、これらの銅箔および絶縁基板３にスルーホール７を穿孔した後、このスルーホール7の内面および銅箔表面に無電解銅めっきおよび電解銅めっきを順次施し、次いで、スルーホール７内を埋め込み樹脂８で充填した後、この上下面の銅箔および銅めっきをフォトリソグラフィ技術を用いて所定のパターンにエッチング加工することにより、絶縁基板３の上下面およびスルーホール７の内面に形成される。あるいは、絶縁基板３用の前記シートの上下全面に、厚みが３〜１８μｍ程度の銅箔を上述のように張着しておくとともに、これらの銅箔および絶縁基板３にスルーホール７を穿孔した後、一旦前記銅箔を剥離し、次にスルーホール7の内面および絶縁基板３の上下面に無電解銅めっきおよび電解銅めっきをセミアディティブ法により所定パターンに被着形成することにより、絶縁基板３の上下面およびスルーホール７の内面に形成される。この場合、セミアディティブ法により微細な配線導体２を形成可能である。
【００４０】
埋め込み樹脂８は、スルーホール７を塞ぐことによりスルーホール７の直上および直下にビルドアップ用の絶縁樹脂層４を形成可能とするためのものであり、未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を無電解銅めっきおよび電解銅めっきが施されたスルーホール７内にスクリーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、その上下面を略平坦に研磨することにより形成される。あるいは、スルーホール７の内面および絶縁基板３の上下面に所定パターンの配線導体２を形成した後、絶縁基板３上に絶縁樹脂層４を形成する際に絶縁樹脂層４用の樹脂の一部をスルーホール７内に流入させることによって形成される。
【００４１】
絶縁基板３の上下面に積層されたビルドアップ用の絶縁樹脂層４は、それぞれの厚みが２０〜６０μｍ程度であり、絶縁基板３と同様にガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料や、あるいはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に無機絶縁物フィラーを充填させた電気絶縁材料から成る。この絶縁樹脂層４を構成する熱硬化性樹脂にも、前記した絶縁基板３，埋め込み樹脂８を構成する各熱硬化性樹脂と同様に、溶融シリカ等の低熱膨張係数の無機絶縁物フィラーを５０〜７０質量％程度の高密度で充填させておくことが好ましい。これにより、絶縁樹脂層４の熱膨張係数（ＸＹ方向）を８〜１７ｐｐｍ／℃程度に低いものとすることができ、配線基板１０が半導体集積回路素子Ｅ１との熱膨張係数の相違に起因して大きく反ることを有効に防止することができる。なお、絶縁樹脂層４と絶縁基板３とは必ずしもその全ての層に熱膨張係数（ＸＹ方向）が８〜１７ｐｐｍ／℃の低いものを用いる必要はなく、例えば絶縁樹脂層４のみに熱膨張係数（ＸＹ方向）が８〜１７ｐｐｍ／℃程度の低いものを用いても良い。あるいは絶縁樹脂層４の一部の層のみに熱膨張係数（ＸＹ方向）が８〜１７ｐｐｍ／℃程度の低いものを用いても良い。ただし、これらの場合、配線基板１０における熱膨張係数の異なる層が上下対称となるように配置することが好ましい。
【００４２】
また、各絶縁樹脂層４には、直径が３０〜１００μｍ程度の複数のビアホール９が形成されている。ビアホール９は、後述するようにレーザ加工やフォトリソグラフィ加工等によって形成される。
【００４３】
各絶縁樹脂層４の表面およびビアホール９の内面には、無電解銅めっきおよびその上の電解銅めっきから成るビルドアップ用の配線導体５が被着形成されている。そして、絶縁樹脂層４を挟んで上層に位置する配線導体５と下層に位置する配線導体５とをビアホール９内の配線導体５を介して電気的に接続することにより、高密度配線が立体的に形成される。
【００４４】
ここで、ビルドアップ用の配線導体５のうち、ビアホール内９の配線導体５は、第一の金属めっき層と第二の金属めっき層との二層構造から成る。具体的には、図３に示すように、ビアホール９内の配線導体５が、ビアホール９内の下位の配線導体２（５）上に、ビアホール９の下部を充填するように被着形成された第一の銅めっき層５Ａと、この第一の銅めっき層５Ａの上から絶縁樹脂層４の表面にかけてビアホール９の上部を充填するように披着形成された第二の銅めっき層５Ｂとから成る。これにより、例えばビアホール９のアスペクト比が大きい場合やビアホール９の直径が大きい場合等であっても第一の銅めっき層５Ａでビアホール９の下部を、その上の第二の銅めっき層５Ｂでビアホール９の上部を良好に充填することができる。したがって、ビアホール９上の配線導体５に大きな凹みが形成されることはなく、下位のビアホール９上に上位のビアホール９を重ねて設けた場合であっても上下のビアホール９間において配線導体５同士が高い信頼性で電気的に接続される。下位のビアホール９上に上位のビアホール９を重ねて設ける場合、下位のビアホール９と上位のビアホール９とを互いにずらして上下の配線導体５同士を接続する場合と比較して、配線導体５の配線密度をより高いものとすることができる。
【００４５】
ビアホール９内の配線導体５が、第一の銅めっき層５Ａと第二の銅めっき層５Ｂとから成るように構成されているか否かを確認するには、例えばビアホール９の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察すること等によって確認することができる。
【００４６】
第一の銅めっき層５Ａおよび第二の銅めっき層５Ｂは、それぞれ無電解銅めっき層とその上に被着された電解銅めっき層とから成ることが好ましい。そのような構成にすることにより、ビアホール９内を短時間に効率よく充填することができる。
【００４７】
ビルドアップ用の配線導体５のうち、配線基板１０の上面側における最外層の絶縁樹脂層４上に被着された一部は、半導体集積回路素子Ｅ１の電極に半田等の導電バンプＢ１を介して電気的に接続される第一接続部５ａを形成しており、別の一部は、半導体素子搭載基板Ｅ２の電極端子に半田ボールＢ２を介して半田ボール接続により電気的に接続される第二接続部５ｂを形成している。また、配線基板１０の下面側における最外層の絶縁樹脂層４上に被着された一部は、外部電気回路基板の配線導体に半田ボールＢ３を介して電気的に接続される外部接続用の第三接続部５ｃを形成している。
【００４８】
このようなビルドアップ用の配線導体５は、後述するセミアディティブ法を利用した本発明独自の方法により形成される。セミアディティブ法は、例えばビアホール９が形成されたビルドアップ用の絶縁樹脂層４の表面に、電解めっき用の下地金属層を無電解銅めっきにより形成し、その上に配線導体５に対応した開口を有するめっきレジスト層を形成し、次に、下地金属層を給電用の電極として開口から露出する下地金属層上に電解銅めっきを施すことで配線導体５を形成し、めっきレジストを剥離した後、露出する下地金属層をエッチング除去することによって、各配線導体５を電気的に独立させる方法である。
【００４９】
さらに、配線導体５上および該配線導体５が形成された部分以外の最外層の絶縁樹脂層４上には、ソルダーレジスト層６が被着されている。ソルダーレジスト層６は、最外層の配線導体５を熱や外部環境から保護するための保護膜であり、上面側のソルダーレジスト層６は、第一接続部５ａの上面および第二接続部５ｂの上面を露出させるようにして被着されている。また、下面側のソルダーレジスト層６は、外部接続用の第三の接続部５ｃを露出させるようにして被着されている。
【００５０】
ソルダーレジスト層６としては、例えばエポキシ樹脂等に溶融シリカやタルク等の無機物粉末フィラーを３０〜７０質量％程度分散させた絶縁材料から成る熱硬化性樹脂が好ましい。このようなソルダーレジスト６となる感光性を有する熱硬化性樹脂ペーストまたはフィルムを、第一配線接続部５ａおよび第二接続部５ｂを有する配線導体５が形成された最外層の絶縁樹脂層４上に積層した後、第一接続部５ａおよび第二接続部５ｂあるいは第三接続部５ｃを露出させる開口を有するように露光および現像し、硬化させればよい。
【００５１】
なお、ソルダーレジスト層６から露出する第一接続部５ａの上面および第二接続部５ｂの上面には、第一接続部５ａおよび第二接続部５ｂが酸化腐食するのを防止するとともに、導電バンプＢ１や半田ボールＢ２との接続を良好とするために、ニッケルめっきおよび金めっきを無電解めっき法や電解めっき法により順次被着させておくか、あるいは半田層を被着させておいてもよい。
【００５２】
次に、ビルドアップ用の配線導体５をセミアディティブ法により形成する方法について、上述のコア用の絶縁基板３およびコア用の配線導体２上に一層目のビルドアップ用の絶縁層４および一層目のビルドアップ用の配線導体５を形成する場合を例に挙げて図面を参照して詳細に説明する。
【００５３】
図４〜図７は、本実施形態にかかるビルドアップ用の配線導体を形成する工程を説明する要部概略断面図である。これらの図面のうち、図４（ａ）〜（ｃ）は、コア用の絶縁基板およびコア用の配線導体上に表面に銅箔が被着されたビルドアップ用の絶縁樹脂層を積層する工程を示す図であり、図５（ｄ）〜（ｆ）は、積層された銅箔付きの絶縁樹脂層にビアホールを形成するとともにビアホール内に第一の銅めっき層を被着させる工程を示す図であり、図６（ｇ）〜（ｉ）および図７（ｊ）〜（ｌ）は、第一の銅めっき層および銅箔をエッチングしてコア用の配線導体上に第一銅めっき層の一部を残存させたままビルドアップ用の絶縁樹脂層の銅箔を完全に除去した後、第二の銅めっき層から成るビルドアップ用の配線導体をセミアディティブ法により形成する工程を示す図である。
【００５４】
［工程（ａ）］
まず、図４（ａ）に示すように、コア用の絶縁基板３およびコア用の配線導体２の上に表面に銅箔１１が被着されたビルドアップ用の絶縁樹脂層４を積層する。絶縁樹脂層４としては、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂、アリル変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料が好ましく、さらには前記した理由から熱硬化性樹脂中に溶融シリカ等の低熱膨張係数を有する無機絶縁物フィラーを５０〜７０質量％程度充填してその熱膨張係数（ＸＹ方向）を８〜１７ｐｐｍ／℃程度としたものが好ましい。なお、本発明はこれに限定されるものではなく、ガラスクロスを含まず、熱硬化性樹脂と無機絶縁物フィラーとから成る電気絶縁材料であってもよい。絶縁樹脂層４の厚みとしては、２０〜５０μｍ程度が好ましい。
【００５５】
また、銅箔１１としては、絶縁樹脂層４の側に微小な凹凸を有する電解銅箔が好ましい。電解銅箔はその製造工程において微小な凹凸を有する粗面であるマット面と、平滑な面であるシャイニー面とを有しており、そのマット面側を絶縁樹脂層４側として両者を張り合わせることが好ましい。銅箔１１が絶縁樹脂層４の側に微小な凹凸を有することで、絶縁樹脂層４の銅箔１１側の表面にも銅箔１１の凹凸に対応した微小な凹凸が形成される。銅箔１１の厚みとしては３〜１８μｍ程度が好ましい。
【００５６】
なお、コア用の絶縁基板３およびコア用の配線導体２の上に表面に銅箔１１が被着されたビルドアップ用の絶縁樹脂層４を積層するには、予め銅箔１１が被着された半硬化状態の絶縁樹脂層４を、コア用の配線導体２が形成された絶縁基板３上に重ねて加熱しながらプレスし、絶縁樹脂層４を完全に熱硬化させればよい。
【００５７】
［工程（ｂ）］
次に、図４（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層４の表面に被着された銅箔１１を機械的に研磨または化学的にエッチングして銅箔１１の厚みを２〜８μｍ程度に薄くする。これにより、後述する図４（ｃ）に示す工程において、銅箔１１に形成するビアホール形成用の開口を正確な形状および大きさで形成しやすくなる。なお、銅箔１１の厚みを２〜８μｍ程度に薄くする工程は必ずしも必要ではなく、最初から厚みが２〜８μｍの薄い銅箔１１を被着させておいてもよい。
【００５８】
次に、図４（ｃ）に示すように、銅箔１１にビアホール形成用の開口１１ａを形成する。開口１１ａの形成は、周知のフォトリソグラフィ技術を採用して行なえばよい。このとき、銅箔１１の厚みが２〜８μｍと薄いので、フォトリソグラフィ技術により正確な形状および大きさの開口１１ａを容易に形成することができる。なお、開口１１ａの形成は必ずしも必要ではなく、開口１１ａを設けないままであってもよい。
【００５９】
次に、図５（ｄ）に示すように、銅箔１１に形成した開口１１ａ内に露出する絶縁樹脂層４にレーザ加工やフォトリソグラフィ加工等によりビアホール９を形成する。このとき、銅箔１１に開口１１ａを設けておくことによって絶縁樹脂層４へのビアホール９の形成が容易となる。なお、銅箔１１に開口１１ａを設けないままの状態で銅箔１１ごと絶縁樹脂層４にビアホール９を形成してもよい。
【００６０】
絶縁樹脂層４にビアホール９を形成した後、ビアホール９内を例えば過酸化マンガンアルカリ水溶液等を用いてデスミア処理することが好ましい。デスミア処理によりビアホール９内に付着した不要な樹脂残渣を除去することができる。この場合、絶縁樹脂層４の表面は銅箔１１により被覆されているので、デスミア処理により絶縁樹脂層４の表面がダメージを受けることがない。したがって、絶縁樹脂層４の表面に形成された微小な凹凸がそのままの形で維持される。
【００６１】
［工程（ｃ）］
次に、図５（ｅ）に示すように、ビアホール９内に露出するコア用の配線導体２の表面からビアホール９の内壁および銅箔１１の表面にかけて第一の無電解銅めっき層５Ａ１を周知の無電解銅めっき法により０．３〜１．０μｍの厚みに被着形成させ、引き続き、図５（ｆ）に示すように、この第一の無電解銅めっき層５Ａ１の表面に第一の電解銅めっき層５Ａ２を、コア用の配線導体２の上に位置する第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき層５Ａ２の合計厚みＴ１が、銅箔１１およびその上に位置する第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき層５Ａ２の合計厚みＴ２よりも厚くなるように、すなわちＴ１＞Ｔ２の関係を満足するように被着形成させる。このような厚みの第一の電解銅めっき層５Ａ２を被着させるには、例えば市販のフィルドビアめっき用の電解銅めっき液等を使用すればよい。
【００６２】
［工程（ｄ）］
次に、図６（ｇ）に示すように、第一の電解銅めっき層５Ａ２、第一の無電解銅めっき層５Ａ１および銅箔１１を周知の銅エッチング液でエッチングすることにより、コア用の配線導体２の上に第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき５Ａ２の一部を残存させたまま金属箔１１を完全に除去する。このとき、前述のように、配線導体２の上に位置する第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき層５Ａ２の合計厚みＴ１が、銅箔１１およびその上に位置する第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき層５Ａ２の合計厚みＴ２よりも厚くなるように被着形成させてあるので、第一の電解銅めっき層５Ａ２、第一の無電解銅めっき層５Ａ１および銅箔１１を略均等にエッチングすると、配線導体２の上に第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき５Ａ２の一部を残存させたまま金属箔１１を完全に除去することができる。これにより、ビアホール９内には第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき層５Ａ２から成る第一銅めっき層５Ａがビアホール９の下部を充填する形で形成される。このとき、コア用の配線導体２の上には第一の銅めっき層５Ａが残存したままなので、配線導体２が過剰にエッチングされるおそれはない。
【００６３】
ここで、金属箔１１を除去した際に、ビアホール９内に露出する配線導体２の上に第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき５Ａ２の一部を確実に残存させる上で、前記Ｔ１とＴ２との比（Ｔ１／Ｔ２）が１．１以上、好ましくは１．１〜１．７にするのがよい。また、配線導体２の上に残存した第一の無電解銅めっき層５Ａ１および第一の電解銅めっき５Ａ２から成る第一銅めっき層５Ａの厚みは１０〜２０μｍであるのが好ましい。これにより、下記で説明する第二の無電解銅めっき層５Ｂ１および第二の電解銅めっき層５Ｂ２から成る第二の銅めっき層５Ｂを所定の位置に確実に被着形成することができる。
【００６４】
［工程（ｅ）］
次に、図６（ｈ）に示すように、ビアホール９内に充填された第一の銅めっき層５Ａの表面および絶縁樹脂層４の露出する表面に第二の無電解銅めっき層５Ｂ１を周知の無電解銅めっき法により０．３〜１．０μｍの厚みに被着形成した後、図６（ｉ）に示すように、絶縁樹脂４上に被着させた第二の無電解銅めっき層５Ｂ１の上に、めっきレジスト層１２を形成する。
【００６５】
次に、図７（ｊ）に示すように、めっきレジスト層１２から露出する第二の無電解銅めっき層５Ｂ１の上に第二の電解銅めっき層５Ｂ２を周知の電解銅めっき法により１０〜２０μｍの厚みに被着した後、図７（ｋ）に示すように、めっきレジスト層１２を剥離する。そして、図７（ｌ）に示すように、第二の電解銅めっき層５Ｂ２から露出する第二の無電解銅めっき層５Ｂ１が消失するまで第二の無電解銅めっき層５Ｂ１および第二の電解銅めっき層５Ｂ２を周知の銅エッチング液によりエッチングすることにより、ビアホール９内の下位の配線導体２上に、ビアホール９の下部を充填するように被着形成された第一の銅めっき層５Ａと、この第一の銅めっき層５Ａの上から絶縁樹脂層４の表面にかけてビアホール９の上部を充填するように披着形成された第二の銅めっき層５Ｂとから成る配線導体５が形成される。このようにしてビルドアップ用の配線導体を形成すると、ビアホール上の配線導体に大きな凹部が形成されることがなく、下位のビアホール上に上位のビアホールを重ねて設けた場合であっても、上下のビアホール間における配線導体同士の電気的な接続信頼性に優れる高密度配線が可能で薄型の反りや変形の少ない配線基板が得られる。
【００６６】
上記で説明した配線基板１０は、例えば半導体集積回路素子Ｅ１の電極端子と第一接続部５ａとを導電バンプＢ１を介して電気的に接続した後、半導体集積回路素子Ｅ１と配線基板１０との間の隙間にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成るアンダーフィルと呼ばれる充填樹脂Ｕ１を充填し、半導体集積回路素子Ｅ１が配線基板１０上に実装される。さらに、その上に半導体素子搭載基板Ｅ２の電極端子と第二接続部５ｂとを半田ボールＢ２を介して電気的に接続することにより半導体素子搭載基板Ｅ２が配線基板１０上に実装され、これにより配線基板１０上に複数の電子部品が高密度に実装される。実装後は、絶縁基板３，埋め込み樹脂８，絶縁樹脂層４を構成する各熱硬化性樹脂に低熱膨張係数の無機絶縁物フィラーを所定の割合で高密度充填しているので、配線基板１０が半導体集積回路素子Ｅ１との熱膨張係数の相違に起因して大きく反ることを有効に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の一実施形態にかかる配線基板を示す概略断面図である。
【図２】図２は、図１の配線基板を示す平面図である。
【図３】本発明の一本実施形態にかかるビアホール内の配線導体付近を示す部分拡大断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一本実施形態にかかるビルドアップ用の配線導体をセミアディティブ法により形成する工程を説明する要部概略断面図である。
【図５】（ｄ）〜（ｆ）は、本発明の一本実施形態にかかるビルドアップ用の配線導体をセミアディティブ法により形成する工程を説明する要部概略断面図である。
【図６】（ｇ）〜（ｉ）は、本発明の一本実施形態にかかるビルドアップ用の配線導体をセミアディティブ法により形成する工程を説明する要部概略断面図である。
【図７】（ｊ）〜（ｌ）は、本発明の一本実施形態にかかるビルドアップ用の配線導体をセミアディティブ法により形成する工程を説明する要部概略断面図である。
【図８】従来の配線基板の一例を示す概略断面図である。
【図９】図８の配線基板を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６８】
２ コア用の配線導体
３ コア用の絶縁基板
４ ビルドアップ用の絶縁樹脂層
５ ビルドアップ用の配線導体
５Ａ 第一の銅めっき層
５Ａ１ 第一の無電解銅めっき層
５Ａ２ 第一の電解銅めっき層
５Ｂ 第二の銅めっき層
５Ｂ１ 第二の無電解銅めっき層
５Ｂ２ 第二の電解銅めっき層
５ａ 第一接続部
５ｂ 第二接続部
５ｃ 第三接続部
６ ソルダーレジスト層
７ スルーホール
８ 埋め込み樹脂
９ ビアホール
１０ 配線基板
１１ 銅箔
１１ａ 開口
１２ めっきレジスト層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下位絶縁樹脂層と、
該下位絶縁樹脂層の表面に形成された下位配線導体と、
前記下位絶縁樹脂層および下位配線導体の上に積層され、前記下位配線導体に達するビアホールを有する上位絶縁樹脂層と、
前記ビアホール内の前記下位配線導体の上から前記上位絶縁樹脂層の表面にかけて被着形成された金属めっき層から成る上位配線導体と、を備えた配線基板であって、
前記金属めっき層が、
前記ビアホール内の前記下位配線導体の上に前記ビアホールの下部を充填するように被着形成された第一の金属めっき層と、
該第一の金属めっき層から前記上位絶縁樹脂層の表面にかけて被着形成された第二の金属めっき層とから成ることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第一の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第二の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
絶縁樹脂層と配線導体とを交互に積層する工程を含む配線基板の製造方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｅ）を順に含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
（ａ）表面に下位配線導体を有する下位絶縁樹脂層上に、表面に金属箔が被着された上位絶縁樹脂層を積層する工程
（ｂ）前記金属箔の前記下位配線導体と対向する一部を除去するとともに、該除去部内の前記上位絶縁樹脂層に、前記下位配線導体に達するビアホールを形成する工程
（ｃ）前記金属箔、前記上位絶縁樹脂層および前記ビアホール内に露出する下位配線導体の表面に、第一の金属めっき層を、前記下位配線導体上に位置する第一の金属めっき層の厚みをＴ１、前記金属箔および該金属箔上に位置する第一の金属めっき層の合計厚みをＴ２としたとき、前記Ｔ１およびＴ２がＴ１＞Ｔ２の関係を満足するように被着形成する工程
（ｄ）前記第一の金属めっき層および前記金属箔をエッチングすることにより、前記下位配線導体上に前記第一の金属めっき層の一部を残存させたまま前記金属箔を除去する工程
（ｅ）前記第一の金属めっき層および前記上位絶縁樹脂層の露出する表面に前記ビアホールを介して前記下位配線導体に電気的に接続された第二の金属めっき層から成る上位配線導体を被着形成する工程
【請求項５】
前記工程（ａ）の後でかつ前記工程（ｂ）の前に、前記金属箔の厚みを化学的エッチングまたは物理的研磨により減少させる工程を含む請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）において、前記金属箔の前記下位配線導体と対向する一部を、エッチングにより除去する請求項４または５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ）において、前記金属箔の前記下位配線導体と対向する一部を、レーザ加工により除去する請求項４または５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｂ）の後でかつ前記工程（ｃ）の前に、前記ビアホール内のデスミア処理を行なう請求項４〜７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第一の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る請求項４〜８のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第二の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る請求項４〜９のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１】
下位絶縁樹脂層と、
該下位絶縁樹脂層の表面に形成された下位配線導体と、
前記下位絶縁樹脂層および下位配線導体の上に積層され、前記下位配線導体に達するビアホールを有する上位絶縁樹脂層と、
前記ビアホール内の前記下位配線導体の上から前記上位絶縁樹脂層の表面にかけて被着形成された金属めっき層から成る上位配線導体と、を備えた配線基板であって、
前記金属めっき層が、
前記ビアホール内の前記下位配線導体の上に前記ビアホールの下部を充填するように被着形成された第一の金属めっき層と、
該第一の金属めっき層から前記上位絶縁樹脂層の表面にかけて被着形成された第二の金属めっき層とから成ることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第一の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第二の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
絶縁樹脂層と配線導体とを交互に積層する工程を含む配線基板の製造方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｅ）を順に含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
（ａ）表面に下位配線導体を有する下位絶縁樹脂層上に、表面に金属箔が被着された上位絶縁樹脂層を積層する工程
（ｂ）前記金属箔の前記下位配線導体と対向する一部を除去するとともに、該除去部内の前記上位絶縁樹脂層に、前記下位配線導体に達するビアホールを形成する工程
（ｃ）前記金属箔、前記上位絶縁樹脂層および前記ビアホール内に露出する下位配線導体の表面に、第一の金属めっき層を、前記下位配線導体上に位置する第一の金属めっき層の厚みをＴ１、前記金属箔および該金属箔上に位置する第一の金属めっき層の合計厚みをＴ２としたとき、前記Ｔ１およびＴ２がＴ１＞Ｔ２の関係を満足するように被着形成する工程
（ｄ）前記第一の金属めっき層および前記金属箔をエッチングすることにより、前記下位配線導体上に前記第一の金属めっき層の一部を残存させたまま前記金属箔を除去する工程
（ｅ）前記第一の金属めっき層および前記上位絶縁樹脂層の露出する表面に前記ビアホールを介して前記下位配線導体に電気的に接続された第二の金属めっき層から成る上位配線導体を被着形成する工程
【請求項５】
前記工程（ａ）の後でかつ前記工程（ｂ）の前に、前記金属箔の厚みを化学的エッチングまたは物理的研磨により減少させる工程を含む請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）において、前記金属箔の前記下位配線導体と対向する一部を、エッチングにより除去する請求項４または５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ）において、前記金属箔の前記下位配線導体と対向する一部を、レーザ加工により除去する請求項４または５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｂ）の後でかつ前記工程（ｃ）の前に、前記ビアホール内のデスミア処理を行なう請求項４〜７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第一の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る請求項４〜８のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第二の金属めっき層が無電解金属めっき層と、該無電解金属めっき層の上に被着形成された電解金属めっき層とから成る請求項４〜９のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００８−２３５６２４（Ｐ２００８−２３５６２４Ａ）
【公開日】平成２０年１０月２日（２００８．１０．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−７３９６６（Ｐ２００７−７３９６６）
【出願日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【出願人】（３０４０２４８９８）京セラＳＬＣテクノロジー株式会社 (213)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月２日（２００８．１０．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【出願人】（３０４０２４８９８）京セラＳＬＣテクノロジー株式会社 (213)
【Ｆターム（参考）】
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