【課題】本発明は、カーボンなどの不純物を含まないナノ素子を有するデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、電子デバイスは、ナノ素子中に炭素が含有されていないこと、また、前記素子がＭｏＯ_ｘであること、および前記ナノ素子は、電子線誘起蒸着法により基板上に形成されたものであることを特徴とする手段を採用した。 （もっと読む）

【課題】低湿度及び高湿度の範囲においても正確な湿度を検出すること。
【解決手段】測定された湿度が予め定められた湿度範囲である場合、制御部１１は、通常の周波数より高い周波数で信号ＣＬＫ１及びＣＬＫ２を出力させるための指示信号を矩形波生成部１２に出力する。この指示信号を受けて、矩形波生成部１２は通常の周波数より高い周波数で信号ＣＬＫ１及びＣＬＫ２を出力する。湿度検出部１３は電圧Ｖｈｕｍを取り込み、異なるタイミングで複数の検出電圧Ｖを検出する。そして、それぞれの検出電圧Ｖに対応する湿度の平均値を求め、平均値を湿度データとして制御部１１へ出力する。 （もっと読む）

【課題】酸素を含有する空気中で、低濃度の水素を検出可能な水素ガスセンサを提供する。
【解決手段】板状の圧電体１１、圧電体１１の表面の一部に配置されたパラジウム―プラチナ合金からなる薄膜状のガス感応部３２、及びガス感応部３２に接するガスの水素濃度に依存するガス感応部３２の物性の変化を検出する検出部として機能する櫛歯状の電極２２を備える水素ガスセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】室温で動作し水素ガスに対する応答速度が速い水素ガスセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水素ガスの検知部となる酸化タングステン膜２と、前記酸化タングステン膜２の前記水素ガスと接触する側の面に設けられた一対の電極３と、前記酸化タングステン膜２の前記水素ガスと接触する側の面に間隔をあけて設けられ前記水素ガスを解離する触媒となる金属微粒子４とを有する水素ガスセンサとする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラム部に生じる歪(熱による歪・割れによって生じた歪)を検出し、故障を自己診断するようにして、検出特性の変化により発生する事故の未然防止に寄与する薄膜ガスセンサを提供する。更にこのような薄膜ガスセンサを製造する薄膜ガスセンサの製造方法も併せて提供する。
【解決手段】ダイヤフラム部の上に歪感知層８１を４個配置し、さらにホイートストンブリッジ回路を形成する。これにより、ピエゾ抵抗素子として機能する歪感知層８１によりダイヤフラム部の歪を抵抗値の変化として検出することが可能になる。また、歪感知層８１はガス感知層５３と同じ材料とし、歪感知層８１とガス感知層５３とを同時に形成するため工数低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳｎＯ_２を主成分とするガス検知層の被毒耐性を高め、感度を確保し、長期間の使用に対する耐久性を得ることのできるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ１の製造過程において、ガス検知層８を形成する際に、単に、純度の高い原材料を用いてＳｎＯ_２を調製するだけでなく、使用する器具や装置を厳選し、それらの使用方法や手順についても十分に注意を払い、不純物、特にＦｅ、Ｐｂ、およびＢｉのＳｎＯ_２への混入を抑制する。その結果、Ｆｅ、Ｐｂ、およびＢｉの合計の含有量を、ＳｎＯ_２とＦｅ、Ｐｂ、およびＢｉの合計量に対し、０．０３０質量％未満に抑えたガス検知層８を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ガス検出部がシロキサン化合物によりシロキサン被毒状態にあるか否かを判定し、所定濃度の検出対象ガスの存在の検出及び警報を正確に行うことを可能とし、シロキサン被毒によるセンサ故障を早期に認識するガス検出装置、これを備えた機器を提供する。
【解決手段】検出対象ガスに感応して電気抵抗値が変化するガス検出部を高温作動状態と低温作動状態とに切り換えるように又は高温作動状態のみに加熱部の作動を制御するとともに、高温作動状態にあるガス検出部の第１電気抵抗値に基づいて可燃性ガスを検出する制御部を備えたガス検出装置で、加熱されたガス検出部の温度が高温作動状態においてガス検出部の雰囲気中のシロキサン化合物がガス検出部を被毒することがある温度であり、制御部により検出された第１電気抵抗値の低下する低下状態が所定期間継続した場合に、ガス検出部の表面がシロキサン化合物による被毒状態であると判定する判定部を備えた。 （もっと読む）

【課題】サージ電圧等の印加に対しても破壊されることがなく、安定で信頼性の高い薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】図は薄膜ガスセンサの平面図であり、感知膜電極７間にバリスタ（R）等の非直線性抵抗素子を形成した例である。つまり、感知膜電極７を形成する際に、ニードル状に突起のあるパターンを図示のように対向させる。そして、上層のSnO₂層を形成する際に、図示のようにSnO₂を形成する部分に窓開けし、ここにバリスタ（R）等の非直線性抵抗素子10を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】 電池駆動が可能で、水素と区別してメタンを選択的に検出でき、経時安定性の高いガスセンサを提供する。
【構成】 シリコン基板に設けた空洞上へ突き出した 支持層上に、ヒータ層と電極層とを設けて、ガス検出用の金属酸化物半導体膜で被覆する。金属酸化物半導体膜は、酸化第２スズと、酸化第２スズ１００重量部当たり１〜６重量部のＰｔとを含み、膜厚が５〜４０μｍの第１層と、酸化第２スズと、酸化第２スズ１００重量部当たり１〜６重量部のＰｄとを含み、膜厚が１５〜６０μｍで、前記第１層を被覆する第２層とからなり、第１層と第２層との膜厚の合計が２０〜８０μｍである。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシス特性によるセンサ精度の低下を減少させる水素センサであって、熱ストレス等による割れなどの不具合が生じにくく、電極と検知膜との間で金属が相互拡散しない耐久性が高い水素センサを提供する。
【解決手段】ＴａＮからなるセラミックス層内に、柱状のＰｄ粒子をその軸心をセラミック層の厚さ方向に配向させてセラミックス層内に分散させる検知膜を用いる。これにより、別途の保護膜を設けなくても、検知膜が非水素成分の影響を受けることがなく、また、ヒステリシス特性による水素センサの精度低下を減少できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブアレイを利用したセンサー及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブアレイを利用したセンサー及びその製造方法は、第一電極と、第二電極と、カーボンナノチューブアレイと、少なくとも１つの第一導電金属層と、少なくとも１つの第二導電金属層と、を備える。カーボンナノチューブアレイは、第一電極と第二電極の間に配置されていて、且つカーボンナノチューブアレイの第一端部が少なくとも１つの第一導電金属層を通じて第一電極に電気的に接続され、カーボンナノチューブアレイの第二端部が少なくとも１つの第二導電金属層を通じて第二電極に電気的に接続される。カーボンナノチューブアレイの第一端部と第二端部に、それぞれ第一金属親和性膜と第二金属親和性膜が形成されていて、第一金属親和性膜が第一導電金属層に接触し、第二金属親和性膜が第二導電金属層に接触する。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラム構造の薄膜ガスセンサにおけるガス選択性を、従来のものより向上させる。
【解決手段】感知層７を、第１層としてドナーとなる＋５価または＋６価の元素を添加したＳｎＯ２層９、その上の第２層として触媒となる元素を添加したＳｎＯ２層１０の、２層構造とするものは既に公知であるが、ガス選択性の点でいまだ不十分なので、この発明では、第２層１０における触媒添加量を１０ｗｔ％を超え６０ｗｔ％以下とすることにより、水素ガス選択性，メタンガス選択性ともに向上させる。 （もっと読む）

【課題】超高感度、高応答性、高選択性、長期安定性の優秀な特性を有する商業的環境有害ガスセンサー具現のための半導体酸化物ナノ繊維を利用したガスセンサー及びそのナノ繊維の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるセンサーは、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されている金属電極と、前記金属電極上に形成されており、酸化物半導体Ｌａ_n+1Ｎｉ_nＯ_3n+1（ｎ＝１、２、３）ナノ繊維を含む感知層とを含む。したがって、酸化物半導体Ｌａ_n+1Ｎｉ_nＯ_3n+1（ｎ＝１、２、３）は、ＡＢＯ₃型の基本結晶構造を有するので、構造的に安定し、酸素欠陥による非化学量論的な組成を有する代表的な物質であって、表面に多い酸素欠陥を有していて、酸化物の表面で反応ガス吸着及び酸化／還元反応によって大きい電気抵抗の変化を有することができる。 （もっと読む）

【課題】、環境温度による影響を受け難いガス検知素子を提供する。
【解決手段】被検知ガスと接触自在に設けられたガス感応部１２を備え、自己加熱可能なガス検知素子１であって、ガス拡散性と少なくともガス感応部１２が到達する温度に対する耐熱性とを有する保温部材１３で、ガス感応部１２を被覆してある。 （もっと読む）

【課題】多成分系のガスから特定化学物質を高選択的および高感度に検出でき、さらに装置の小型化および測定時間の短縮化を達成できる化学物質センシング素子を提供する。
【解決手段】導電性基体の表面を化学式（１）または（２）で示される化学構造を含む化合物で表面修飾してなるセンシング部を備え、特定化学物質を検出するための化学物質センシング素子に関する（Ｒ¹とＲ⁴とはＨ、ＣおよびＮのうちいずれかを含む化学構造であり、Ｒ²とＲ⁵とはＨおよびＮのうちいずれかを含む化学構造であり、Ｒ³とＲ⁶とはＨおよびＮａのうちいずれかを含む化学構造である）。
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【課題】電気化学デバイス用電極用ウィスカー形成体及びその製造方法を提供。
【解決手段】ウィスカー形成体は、基材と、該基材の表面に配設されたウィスカー母材層と、該ウィスカー母材層の表面に配設されたウィスカーで形成されたウィスカー形成層と、を有し、該ウィスカー形成層のウィスカーが、単体の融点が３００［Ｋ］以上１０００［Ｋ］以下である金属Ａの化合物から成り、該ウィスカー母材層が、該金属Ａを含み、該基材が、金属Ａの融点よりも高い融点を有する。 （もっと読む）

【課題】簡便な構造で耐久性が高く、しかも高い検出感度と良好な応答時間を有し、水素ガス選択性に優れた水素ガスセンサを提供する。
【解決手段】水素ガスセンサは、絶縁基板上に内径500nm以下の微細孔又は外径1000nm以下の微細筒が形成されたチタン酸化物を主成分とするセンサ素子を有し、水素濃度に依存してセンサ素子の電気抵抗が変化する。センサ素子は質量百分率で０．０１％以上のパラジウムあるいは白金を含むチタン合金の陽極酸化皮膜であることが好ましい。水素ガスセンサは、絶縁性基板上にチタン薄膜あるいはチタン合金薄膜を作製した後、チタン薄膜あるいはチタン合金薄膜を陽極酸化することで生成される。 （もっと読む）

【課題】ガス検知層が剥離することを防止するとともに、ガス感度に影響を与えずに特定ガスの濃度変化を良好に検知するガスセンサを提供する。
【解決手段】基体１５上に形成され、環境雰囲気中の特定ガスの濃度変化に応じて電気的特性が変化する金属酸化物半導体を主成分とするガス検知層４を有するガスセンサ１において、ガス検知層４は、複数の粒子が結合しつつ、複数の粒子間に存在する空隙を通じてガス検知層４の厚み方向にガス透過性を有するように構成され、かつ金属酸化物半導体とは異なる無機酸化物を含み、基体１５上に、ガス検知層４と接触しつつガス検知層４における電気的特性の変化を検出するための一対の検知電極６と、ガス検知層４と接触する密着層７とを備え、ガス検知層４と密着層７との界面の少なくとも一部には、ガス検知層４の最外側粒子４ａよりも内側の粒子４ｂと密着層７との間を接続するようにして、無機酸化物を含む中間領域部２２が存在している。 （もっと読む）

【課題】真空装置などの高度な設備や技術を必要とすることなく、基板上にモリブデン酸化物薄膜を容易に形成することができるモリブデン酸化物薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の表面にモリブデン酸化物の薄膜を形成する製造方法に関する。酸化モリブデンを還元性を有する金属化合物で処理する工程と、この処理をした酸化モリブデンを有機基を有するカチオンで処理して酸化モリブデンを分散する工程と、分散した酸化モリブデンを含有する液に基板を浸漬するとともに電界を印加して基板の表面にモリブデン酸化物を吸着させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜型センシング部材を利用した化学センサを提供する。
【解決手段】第１電極及び第２電極間の薄膜型センシング部材を具備し、センシングしようとする化合物がセンシング部材に吸着しつつ発生する電気的性質の変化を測定する化学センサである。該薄膜型センシング部材は、化学センサの面積が広く、化学センサの感度が向上する。第２電極はナノ構造体であって、センシング部材の表面を露出させることができる構造である。第２電極は、１０ｎｍ〜１０μｍ幅を有し、第１電極及び第２電極間のギャップは、１０ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）