【課題】簡単な制御でワーク毎の加工精度を安定させることができる内面研削盤を提供する。
【解決手段】内面研削盤は、記憶されているスパークアウト時間が、所定の第１閾値よりも大きいときには、次の内面研削における荒研削工程及び仕上げ研削工程の少なくとも一方の切込み送り速度を現時点よりも大きく変更する一方、所定の第２閾値よりも小さいときには、次の内面研削における荒研削工程及び仕上げ研削工程の少なくとも一方の切込み送り速度を現時点よりも小さく変更する制御装置を備える。これにより、内面研削毎のスパークアウト時間が所定の範囲に収まり得るようにし、内面研削毎のかつぎ量を安定させる。 （もっと読む）

【課題】渦電流センサの発振周波数、内部回路の増幅度および励磁電圧を上昇させることなく、半導体ウエハ等の基板上の金属薄膜（または導電性薄膜）を検出することができる渦電流センサを提供する。
【解決手段】金属膜（または導電性膜）ｍｆが形成された基板の近傍に配置されるセンサコイル６０を備えた渦電流センサであって、センサコイル６０は、前記信号源に接続された発振コイル６２と、金属膜または導電性膜ｍｆに形成される渦電流を検出する検出コイル６３と、検出コイル６３に直列に接続されるバランスコイル６４とを有し、検出コイル６３は、列を基板に対して垂直方向、層を基板に対して平行方向と定義したときに、線材又は導電体を１列複数層に巻いたコイルからなる。 （もっと読む）

【課題】
マスターワークを使用せずに、カム類を代表例とする断面非円形の異形ワークを研削可能にすることである。
【解決手段】
断面非円形の異形ワークＷ₁ の回転軸心Ｃｗ₁ が主軸Ｓの軸心Ｃ₁ と同心となるように、ドッグ２６で把持された当該異形ワークＷ₁ を連続回転させながら、被研削面である外周面を研削する方法であって、前記異形ワークＷ₁ の基準位置からの回転角度（θｘ）と、研削ユニットＧＵの揺動角度（θｙ）との関係を特定して異形ワークＷ₁ の外周研削形状を定めた外周形状特定式〔θｙ＝ｆ₁ （θｘ）〕を予め計算しておいて、前記外周形状特定式〔θｙ＝ｆ₁ （θｘ）〕に基づいて、揺動軸心Ｃ₀ を中心にして研削ユニットＧＵを揺動させながら、前記異形ワークＷ₁ を連続回転させて、その外周面を当該外周形状特定式〔θｙ＝ｆ₁ （θｘ）〕で特定された形状に研削する。 （もっと読む）

【課題】研削割れの発生を防止できるとともに、生産性を向上できる研削方法を提供する。
【解決手段】温度Ａ２および温度Ａ３を設定する設定工程と、研削点Ｐの温度を測定する測定工程と、研削点Ｐの測定温度が温度Ａ２および温度Ａ３により定まる温度の範囲内である場合、研削点Ｐの温度を低下させるように研削条件を再設定する調整工程と、を含み、温度Ａ２は、測定工程および調整工程に要する時間、および研削前に予め設定される砥石２０によるワークＷへの切込量に基づいて、ワークＷに引っ張り残留応力が発生するまでに研削点Ｐの温度を低下可能な温度に設定され、温度Ａ３は、温度Ａ２よりも低い温度に設定される。 （もっと読む）

【課題】シンプルな構成で経年劣化の早期進行を抑え、安価な手段で、精度よく砥石寸法を検出する。
【解決手段】砥石８を回転させるホイールヘッド２３を備える。第１，２移動装置は、ワーク及び砥石８を互いに接近させる第１方向と、該第１方向と交差する第２方向とに相対的に移動させる。ドレッサー４は砥石８外面をドレスする。第１，２移動装置により砥石８を第２方向に移動させ、砥石８外面が接触することにより砥石８の位置を検出するブロック片５を備える。制御装置７は、記憶する砥石８の基準位置と、砥石８外面のブロック片５への接触により検出した砥石８の検出位置とを比較して実際の砥石径を算出し、第１，２移動装置を制御してワークＷ及び砥石８の相対位置を補正する。 （もっと読む）

【課題】偏心揺動型減速機において、側板と出力ピンを一体成形することなしに、出力ピンの設置本数を増加させることが可能な偏心揺動型減速機の製造方法と製造するための研削盤を提供する。
【解決手段】出力ピン１６を側板１３の回転軸心の同心円上に圧入しサブアッシー２９とする圧入工程と、全ての出力ピン１６の端面１６１を側板１３の基準面１３４からの距離が同一となるように加工する研削工程で構成された製造方法。
上記研削工程を、砥石車７の外周面を用いて、サブアッシー２９の回転軸心を中心とする円周の外周側から所定の量半径方向に移動ながら順次研削し、研削後の出力ピン１６の端面１６１の高さを工作物測定装置８で測定して仕上研削の切込量を決定する仕上研削を行う研削盤１で実行する。 （もっと読む）

【課題】ワークの熱変形に起因して、加工後のワークの寸法誤差とか被研削面の表面粗さの品質低下が発生するのを阻止する。
【解決手段】精研後のスパークアウトが開始された後の時間経過に伴うワークｗの熱変形量を推測し、そのスパークアウトの開始後に前記熱変形量を考慮しつつ前記相対変位を制御する寸法誤差最小化研削機能部２６、２７を備えた研削盤とする。また精研後のスパークアウトが開始された後の時間経過に伴う加工中のワークｗの熱収縮量及び熱収縮速度を推測し次にそのスパークアウト過程で研削砥石１０をワークｗに対し前記熱収縮速度の変化に関連した極微少切込み速度で且つ前記熱収縮量の変化に関連した量だけ一定時間切り込むように相対変位させ次に該相対変位の停止された状態でのスパークアウトをワークｗの実寸法が目標寸法となるまで実行させる表面粗さ改善研削機能部２８を備えた研削盤とする。 （もっと読む）

【課題】加工時間を増加することなく切削加工中にセットアップを実施できるとともに、切削ブレードの磨耗量を検出できる切削装置の切削ブレード検出機構を提供する。
【解決手段】切削ブレードの半径方向に整列した複数の受光部７４を有する受光手段と、第１のタイミングで発光部７０からの発光を受光した受光部７４の数を第１受光部数として記憶する第１記憶部８８と、第１記憶部８８で受光部７４の数を記憶した後に切削ブレードで所定時間被加工物を切削した後、第２のタイミングで発光部７０からの発光を受光した受光部７４の数を第２受光部数として記憶する第２記憶部９０と、第２記憶部９０で記憶した第２記憶部数から第１記憶部８８で記憶した第１記憶部数を減じた値に基づいて第１のタイミングから第２のタイミングまでの切削ブレードの磨耗量を算出する算出部９２等を有する制御手段８４と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】研磨屑の付着を抑制することができるウエーハの研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】チャックテーブルの保持面上に保持されたウエーハの上面をチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に研磨送りする研磨パッドによって研磨するウエーハの研磨方法であって、ウエーハを保持したチャックテーブルを回転するとともに、研磨パッドを回転しつつ研磨送りして研磨パッドをウエーハの上面全面に接触させ所定の研磨圧力を付与し、研磨液を供給しつつウエーハの上面を研磨する研磨工程と、研磨工程終了後、チャックテーブルと研磨パッドの回転を維持しつつ研磨パッドによる研磨圧力を開放圧力まで低減するとともに研磨パッドがウエーハに接触している状態で研磨パッドとチャックテーブルを保持面と平行に相対的に所定の移動速度で移動してウエーハの上面を摺動する研削屑払拭工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】個々のガラス板に寸法や形状等のばらつきがあっても、各ガラス板の四隅の角部を精度良く、かつ、効率的に研削加工することができるガラス板の角部加工装置と角部加工方法を提供する。
【解決手段】基準位置に合わせて固定した矩形のガラス板Ｇの四隅の角部を、各角部ごとに設けられた回転工具４を加工プログラムにより互いに直交するＸ軸方向及びＹ軸方向へ移動させて研削加工するガラス板Ｇの角部加工装置１０において、ガラス板Ｇの四隅の各角部を成す二つの辺を検知手段７で検知し、その検知データに基いてガラス板Ｇの各角部の角度及び基準位置に対するガラス板Ｇの位置ずれ量を演算し、演算したガラス板Ｇの各角部の角度及びガラス板Ｇの位置ずれ量に基いて加工プログラムを補正するようにした。 （もっと読む）

【課題】均一な磨き施工が困難な構造を有する原子炉用制御棒に対し、自動化した表面処理技術を提供する。
【解決手段】原子炉用制御棒の表面処理装置１０において、回転する研磨材３５を装着したツール３０と、原子炉用制御棒の表面に当接する研磨材３５の当接力を検知する検知手段２０と、前記当接力が所定範囲になるようにツール３０をその表面に走査させる架台１１と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】設備コストがかからない簡単な構成で熱変位補正を可能とする。
【解決手段】Ｓ１で暖機運転を行い（第１の暖機運転ステップ）、Ｓ３で各基準点の座標値を測定する（第２の基準点測定ステップ）。Ｓ５で、測定された座標値と前日の座標値とを比較して両者の差を算出し、Ｓ６で算出した差が許容値内にあるか否かを判別する（第１の判別ステップ）。ここで差が許容値内になければ、Ｎ回に達するまで暖機運転を繰り返し（第２の暖機運転ステップ）。暖機運転がＮ回に達すると、Ｓ３で再び各基準点の座標値を測定して（第３の基準点測定ステップ）、Ｓ５，６で前日の座標値との差が許容値内にあるか否かを判別する（第２の判別ステップ）。ここで許容値内になければ、暖機運転をＮ回繰り返しても座標値の差が許容値内にならなかったとして、Ｓ１１で、差に基づいてワーク座標原点を補正し（補正ステップ）、補正したＮＣプログラムで加工を行う。 （もっと読む）

【課題】仕上加工用砥石車による研削体積を可能な限り少なくすることにより、仕上加工用砥石車に要するコストを低減することができる研削方法および複合研削盤を提供する。
【解決手段】複合研削盤１を用い、被加工物Ｗを支持装置２０により支持した状態で、設定された仕上取代を残すように荒加工用砥石車７３を用いて被加工物Ｗに対して荒加工を行う荒加工工程と、荒加工工程の後に、被加工物Ｗを支持装置２０により継続して支持した状態で、仕上加工用砥石車を用いて仕上取代を取り除くように仕上加工を行う仕上加工工程とを実行する。仕上取代は、複合研削盤１の熱変位量および荒加工用砥石車に起因する研削抵抗の変化量の少なくとも一方に基づいて設定される。被加工物Ｗにおいて仕上取代を残した形状は、荒加工用砥石車７３の形状に依存しない形状とされている。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる、研磨装置の提供。
【解決手段】毎回同じ目標板厚値Ａに従ってガラス基板の研磨処理を行う研磨手段として上定盤４０を備える、研磨装置であって、上定盤４０によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値Ｔｃを測定するために上定盤４０のモーター駆動軸６１に対する相対位置を計測する接触式変位センサ６５と、上定盤４０によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値Ｔと目標板厚値Ａとの仕上がり誤差に基づいて、接触式変位センサ６５の計測結果に基づいて得られた研磨中板厚値Ｔｃの板厚補正値Ｔｐを算出する制御部９０とを備え、上定盤４０は、板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに到達するまでガラス基板を研磨する、ことを特徴とする、研磨装置。 （もっと読む）

【課題】 磨耗した研削砥石でワークを研削加工しても所望寸法の加工ワークが得られるように、砥石の研削開始点位置を補正する方法の提供。
【解決手段】 ワークを主軸台７ａとタッチセンサー７ｔを備える心押台７ｂとよりなるクランプ装置７で挟持し、このクランプ装置に挟持されたインゴットブロックを砥石１０ｇにより円筒研削加工または面取り加工するにおいて、砥石の磨耗量に応じて研削砥石軸の前進移動を行って砥石を研削開始点位置まで移動させる砥石の研削開始点位置補正方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板を研磨面に押圧するためのメンブレンの特性を装置に入力することにより、メンブレンの特性に合わせた最適な研磨条件で基板を研磨することができる研磨装置および方法を提供する。
【解決手段】研磨面を有した研磨テーブル１０１と、圧力流体が供給される圧力室５，６，７を形成する弾性膜であるメンブレン４と、メンブレン４を保持するトップリング本体２とを有し、圧力室５，６，７に圧力流体を供給することで流体圧により基板を研磨面に押圧するトップリング１と、装置内の各機器を制御する制御部とを備え、制御部は、予め測定したメンブレン４の特性を入力することによりメンブレン４の特性に合わせて研磨条件を変更する。 （もっと読む）

【課題】磁性基板、光学基板および半導体基板から選択される基板を研磨するのに適している、ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供する。
【解決手段】アミン部分の未反応−ＮＣＯ部分に対する化学量論比が９５％未満で前記芳香族ポリアミンおよびイソシアネート末端プレポリマーポリオールが提供され、前記光安定性ポリマー終点検出窓が、１kPaの一定軸引張荷重で６０℃一定温度で１００分で測定したときに０．０２％以下の時間依存性歪みを示し、厚み１．３mmの窓について波長３８０nmにおいて、１５％以上の光学複光路透過率（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｏｕｂｌｅ ｐａｓｓ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）を示し、かつ研磨表面が、磁性基板、光学基板および半導体基板から選択される基板を研磨するのに適している、ケミカルメカニカルポリッシングパッド。 （もっと読む）

【課題】砥粒の脱落を防止し研削面粗さを許容限度に保つことで、砥石車の寿命が長い研削を実現する研削方法および研削盤を提供する。
【解決手段】研削中の砥石車７と工作物Ｗの接触弧の長さを所定の接触弧長さとすることで、砥石車７の砥粒のボンド層からの突出量である砥粒突出し量を所定の値以下とし、砥粒保持力を所定の値以上とする。さらに、切屑の厚さを所定の厚さ以下とし砥粒に加わる研削力を砥粒保持力以下とすることで、砥粒の脱落を防止する。 （もっと読む）

【課題】ワークの加工効率及び加工精度を向上させることができる工作機械を提供する。
【解決手段】加工装置３０によるワーク２３の被加工部２５Ａ，２５Ｂの加工に先立って、計測装置２７により被加工部２５Ａ，２５Ｂを計測する。その計測結果を基準データとして設定するとともに、基準データをもとにして目標加工量を設定する。目標加工量に基づいて被加工部２５Ａ，２５Ｂに対する第１加工量を設定する。設定された第１加工量が得られるように、加工装置３０の動作を制御して被加工部２５Ａ，２５Ｂに第１加工を施す。被加工部２５Ａ，２５Ｂの加工済み部分を計測する。その計測結果に基づいて、目標加工量が得られるように加工済み部分に対する第２加工量を設定する。その第２加工量が得られるように、加工装置３０の動作を制御して被加工部２５Ａ，２５Ｂに第２加工を施す。 （もっと読む）

【課題】圧力室を形成するメンブレンを用いた基板保持装置において研磨中に半導体ウエハ等の基板の温度を推定して基板の温度を制御することができる基板保持装置および該基板保持装置を備えた研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨面１０１ａを有した研磨テーブル１００と、基板Ｗを保持して研磨面１０１ａに押圧する基板保持装置１と、制御部５０とを備えた研磨装置であって、基板保持装置１は、基板に当接して基板保持面を構成する弾性膜４と、弾性膜４の上方に位置するキャリア４３と、弾性膜４とキャリア４３との間に形成された圧力室５，６，７，８と、弾性膜４からの熱エネルギを測定する赤外線検出器４５とを備え、制御部５０は、赤外線検出器４５による測定値を用いて弾性膜温度推定値を算出する。 （もっと読む）