【課題】配向制御層や保護膜等の圧電素子として本来必要でない膜を必須とせず、複雑なプロセスを要することなく、圧電性能と耐電圧とがいずれも良好な圧電体膜を提供する。
【解決手段】圧電素子１は、基板１０上に、下部電極２０と圧電体膜３０と上部電極４０とが順次積層された素子であり、圧電体膜３０は、膜表面における最大高さ（ピーク値Ｐ）と最小高さ（バレー値Ｖ）との差で規定される表面粗さＰ−Ｖ値が１７０．０ｎｍ以下であり、圧電定数ｄ_３１＞１５０ｐｃ／Ｎであり、かつ、電流値が１μＡ以上となる印加電圧により定義される絶縁破壊電圧が８０Ｖ以上である。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ用マスクに付着した蒸着物を除去するクリーニングを行うときに、基板に対して完全に非接触状態で蒸着物を除去しつつ、高い洗浄度を得ることを目的とする。
【解決手段】有機ＥＬ用マスク１に付着した蒸着物質６１を除去する有機ＥＬ用マスククリーニング装置であって、有機ＥＬ用マスク１を立てた状態で保持するマスク昇降ユニット４２と、有機ＥＬ用マスク１の一部または全部の領域に対して水平方向からレーザ光を走査させるレーザ洗浄部１１と、有機ＥＬ用マスク１の開口部３に裏面１Ｒ側から走査面１Ｓ側に向けた空気流ＡＦを形成する送気ノズル５３と、レーザ光の走査位置よりも下方に配置され、レーザ走査部１１の洗浄により有機ＥＬ用マスク１から飛散した遊離物質６２の吸引を行うための吸引スリット６２Ｓを斜め上方に向けた吸引ノズル６３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 二重回転シャッタ機構を有するスパッタリング装置でクロスコンタミネーションの防止を図ることができるスパッタリング装置及び二重回転シャッタユニット並びにスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 二重回転シャッタ機構を構成する２枚のシャッタ板，のうち、ターゲット側に配設された第１のシャッタ板に形成された第１の開口部の周囲かつ第２のシャッタ板との間に円筒状の第２の防着シールドを取り付け、スパッタリングカソードと第１のシャッタ板との間には、ターゲットの前面領域の周囲を囲むように円筒状の第１の防着シールドが配設されることで、スパッタ物質が第１のシャッタ板と第２のシャッタ板の間、及び、第１のシャッタ板とスパッタリングカソードの間の隙間を通ることができなくなり、クロスコンタミネーションの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電極を備えた透明基材を提供する。
【解決手段】特にはガラス製であり、特には太陽電池用の電極を備え、厚さが多くとも５００ｎｍ、特には多くとも４００ｎｍ、多くとも３００ｎｍ、又は、多くとも２００ｎｍのモリブデンＭｏに基づいた導電層を含んで成る透明基材が提供される。好ましくは、モリブデンに基づいた層が、少なくとも２０ｎｍ、特には少なくとも５０ｎｍ、又は、少なくとも８０ｎｍの厚さで、更に好ましくは、特にアルカリ金属に対してバリヤーとして働く、少なくとも１つのバリヤー層を備え、該バリヤー層が前記基材と前記電極の間に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】腫瘍細胞を選択的に破壊する等、種々の用途に効果的に利用可能な新規な形状の磁性微粒子、その製造方法及びその製造装置を提供する。
【解決手段】コア部１とそのコア部２の周りにある多数のヒゲ状突起３とからなり、そのヒゲ状突起３を含む粒子径Ｄに対するヒゲ状突起３の長さＬの割合が５％以上３０％以下である磁性微粒子１により、上記課題を解決する。このとき、ヒゲ状突起３を含む粒子径Ｄの平均が１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内である磁性微粒子１は、ガスフロースパッタ法で形成された鉄微粒子として好ましく得ることができ、腫瘍細胞内に貪食又はエンドサイトーシスされて外部から加わる変換磁場により該腫瘍細胞を破壊する磁性微粒子として利用できる。 （もっと読む）

【課題】可視光領域にて高い偏光度、ｐ偏光透過率、ｓ偏光反射率を示し、光学特性の角度依存性や波長依存性が低いワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】底部から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる複数の凸条１２が、凸条１２間に形成される平坦部１３を介して互いに平行にかつ所定のピッチＰｐで表面に形成された光透過性基板１４と、凸条１２の第１の側面１６の全面およびこれに隣接する平坦部１３の一部を被覆し、かつ凸条１２の第２の側面１８を被覆しないまたは第２の側面１８の一部を被覆する金属層２０とを有するワイヤグリッド型偏光子１０；凸条１２の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向に対して第１の側面１６の側に２５〜４０゜の角度をなす方向から金属または金属化合物を、蒸着量が４０〜６０ｎｍとなる条件で蒸着して金属層２０を形成する製造方法。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料を通過させるための通過孔を精度良く形成することが可能な蒸着用マスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着用マスク１の製造方法では、金属薄膜１０の両面に、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを介してフォトレジスト膜１２ａ，１２ｂを形成したのち露光することにより、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂに通過孔１０Ａ−１のパターンを形成する。露光時に、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂを透過した照射光が金属薄膜１０の表面もしくは裏面に到達する前に、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂにおいて吸収され、ハレーションの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】保守管理を容易に行うことができる蒸発装置を提供する。
【解決手段】蒸発材料１を貯蔵するホッパ１１４と、内径を上方側ほど拡げるように円錐状に開口させた接続口部１１２ａを上端側に有する第一の接続管１１２と、第一の接続管１１２の下方側とホッパ１１４とを接続する連絡管１１３と、外径を下方側ほど狭めるように円錐状に形成されて第一の接続管１１２の接続口部１１２ａに着脱可能に嵌合する接続口部１１５ａを下端側に有する第二の接続管１１５と、第二の接続管１１５の上端側に接続された坩堝１１６と、坩堝１１６を加熱する電熱ヒータ１１８と、坩堝１１６と共に電熱ヒータ１１８を包囲する冷却ジャケット１２０と、第一の接続管１１２の接続口部１１２ａを冷却する冷却コイル１２１と、前記接続管１１２，１１５内に回転可能に配設されたスクリュシャフト１２２とを備えて蒸発装置１００を構成した。 （もっと読む）

Ｐｂ_{１．００＋ｘ}（Ｚｒ_０．５２Ｔｉ_０．４８）_{１．００−ｙ}Ｏ_３Ｎｂ_ｙ（式中、ｘ＞−０．０２且つｙ＞０）の組成を有する圧電アクチュエータが記載される。この圧電材料は、アクチュエータにバイアスを印加した際に良好な屈曲作用を呈することができるペロブスカイトを有しうる。
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【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】平均粒径が０．１〜１０μｍのＺｎＯ原料粉末１５を移動状態にし、このＺｎＯ粉末に平均粒径が０．０５〜５μｍで希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末１１を含むコーティング液１４を噴霧又は噴射し、その表面に厚さが０．０５〜５μｍの被覆層を形成して粒状体１９とする。粒状体１９又はこの粒状体を仮焼後に解砕して得られた仮焼粉末２４を用いて、第１造粒粉末２０又は第２造粒粉末２９を作製し、成形、焼結を経て、ＺｎＯ焼結体２２又は３２からなるＺｎＯ蒸着材を作製する。 （もっと読む）

【課題】帯電防止性および耐久性の良好な反射防止層を形成できる光学物品を提供する。
【解決手段】プラスチックレンズ基材１と、この基材１の上にハードコート層２を介して形成された透光性の反射防止層３とを有し、反射防止層３の１つの層３２の表面３３がシリサイド化されているレンズ１０を提供する。このレンズサンプルは、シート抵抗が従来のサンプルに比較し、３桁〜６桁（１０³〜１０⁶）程度小さくなり、光吸収損失の大幅な増加もなく、優れた耐薬品性および耐湿性を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素群から選ばれた１種の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】ＺｎＯ粉末１１と、希土類元素群から選ばれた１種の元素を含む希土類元素酸化物粉末１２との混合粉末を用い、メカニカルアロイング処理することにより得られた平均粒径０．０５〜２μｍの複合粉末１３から第１造粒粉末１４を作製し、或いはこの複合粉末１３を仮焼、解砕して固溶体化を促進した複合仮焼粉末１８から第２造粒粉末１９を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材１６又は２２を作製する。 （もっと読む）

【課題】より安定に記憶保持が行えるメモリ装置が構成できるなど、金属酸化物を用いて安定した動作が得られる素子を提供できるようにする。
【解決手段】強誘電体層（１０４）を下部電極層（１０３）と上部電極（１０５）とで挾み、下部電極層（１０３）と上部電極（１０５）との間に所定の電圧（ＤＣ，パルス）を印加して強誘電体層（１０４）の抵抗値を変化させ、安定な高抵抗モードと低抵抗モードを切り替えれば、メモリ動作が得られる。読み出しは、上部電極（１０５）に、所定の電圧を印加したときの電流値を読み取ることで容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 基板に帯電する負電荷が中和される様にする。
【解決手段】 真空チャンバー１内に、絶縁部材を介して取り付けられた基板ホルダー４、蒸発材料の加熱用電子銃９を有する蒸発源、真空チャンバー側壁及び底壁に沿って碍子２１を介して真空チャンバー側壁に取り付けられた防着板２０、真空チャンバー内に蒸発源から蒸発した蒸発粒子をイオン化するための電子ビームを発生するプラズマ発生源１１を備え、プラズマ発生源１１は、熱陰極１５と電子放出電極１７が配置されたケース１２と、熱陰極１５と電子引出電極１７との間に放電電圧を印加する放電電源を備え、ケース１２内で形成されたプラズマＰ１中の電子を放電電圧に基づいて真空チャンバー１内に引き出す様に成しているイオンプレーティング装置において、基板ホルダー４と真空チャンバー１壁間の電位を測定する直流電圧計２２と、この電位が基準値になる様に放電電圧をコントロールする制御装置２３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】成膜不良を抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗを収納する真空容器２と、真空容器２内において被処理基板Ｗを戴置すると共に、所定の搬送方向に搬送するホルダー３と、搬送される被処理基板Ｗに対向して真空容器２内に設けられるハース４Ａ，４Ｂと、ハースにプラズマビームを照射するプラズマガン６，７と、ハースに対向するとともに、被処理基板Ｗを挟んでハースと反対側に設けられる歪曲手段１５Ａと、を備え、歪曲手段１５Ａは、Ｎ極側が材料源に対向する第１の磁石と、Ｓ極側が材料源に対向する第２の磁石と、を有し、ハース４Ａ，４Ｂと被処理基板Ｗとの間の空間に磁界を発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】その上に圧電体層を堆積させる表面としてふさわしい、しかし、電極層の下の犠牲層および／または直に接する下地（underlay）の研磨を必要としていない、下部電極を堆積させる向上した方法を提供すること。
【解決手段】一つの発明の特徴の音響共振器は、基材、該基材上に直接または該基材上の一層以上の中間層のトップ上に備えられた少なくとも一層のおおむね結晶性のプライマー層、該プライマー層上に備えられたおおむね滑らかなならびにおおむね結晶性の電極層、および該電極層上に備えられた圧電体層を含んでいる。該プライマー層、または該プライマー複数層の少なくとも一層は、第一結晶系に属する結晶学的構造を有しており、そして、該電極層は、第一系に対し異なる第二結晶系に属する結晶学的構造を有している。該プライマー層または前記プライマー複数層の少なくとも一層と該電極層の原子間隔は、約１５％以内にマッチする。 （もっと読む）

【課題】軽量で、フレキシブル対応が可能で、ガスバリア性が高く、製造プロセスがシンプルなディスプレイに適した基板用部材を提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ）で表される材料を含み、厚さが０．００５μｍ以上であるガスバリア層が樹脂基体上に形成されたディスプレイ用基板部材。
（ＺｎＳ）_ｘ（ＳｉＯ_２）_１−ｘ （Ｉ）
０．６≦ｘ≦０．９ （もっと読む）

【課題】酸化マグネシウム焼結体を蒸着材として用いて成膜する際に成膜速度が高く、かつ成膜時のスプラッシュ発生の抑止が可能であるとともに、得られた蒸着膜をＰＤＰ用の保護膜として使用した時に放電開始電圧を低くすることができる酸化マグネシウム焼結体を提供する。
【解決手段】酸化マグネシウム、マグネシウム以外の周期表第２Ａ族元素の酸化物９〜５０質量％、及び、周期表第３Ｂ族、第３Ａ族又は第４Ａ族元素の酸化物１〜１００００ｐｐｍを含むことを特徴とする酸化マグネシウム焼結体。 （もっと読む）

【課題】プラズマアシスト源を用いたイオンプレーティング法による成膜を行いながら、第３元素を膜中に添加することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜空間に所定ガスのプラズマ105を生成し、成膜材料12の蒸気をプラズマ105を通過させた後、基板14上に堆積させることにより圧電膜を成膜する。圧電膜に添加すべき元素を含む部材16をプラズマ105から所定の距離に配置し、部材16に所定のバイアス電圧を印加することにより。プラズマ105により部材16をスパッタリングし、スパッタ蒸発した元素を圧電膜に添加する。 （もっと読む）

【課題】 基体の急速加熱、ＣｄＳの成膜、ＣｄＴｅの成膜、ＣｄＣｌ_２処理お よびオーム接点形成を含むすべての工程を中程度の圧力で単独の真空境界内で実施する、ＣｄＴｅ光起電力モジュールを大規模インラインで製造するための装置およびプロセスを提供する。
【解決手段】 金属塩をＣｄＴｅ層上へ昇華することによってｐ＋オーム接点領域を形成する。低コスト噴霧プロセスによって背面電極を形成し、マスクを介して行なう研磨ブラスチングか機械的ブラッシングによってモジュールをスクライビングする。真空処理装置によって、基体および膜の加熱、蒸気漏出を極力抑制した、基体および膜の蒸気への暴露、基体上への薄膜の成膜、および薄膜の基体からの剥離が容易になる。基体搬送装置により、薄膜成膜時に基体を真空に出入りさせるのが容易になり、基体搬送装置自体に被覆が生じるのを防止する。 （もっと読む）