【課題】品質（電気光学特性）を向上させることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被成膜基板１１ａと、被成膜基板１１ａの表面（素子形成側）に設けられた発光素子２７の領域と、被成膜基板１１ａの表面と対向する裏面に設けられた磁性体膜４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜時に、真空槽内の圧力や電極への投入電力を変化させる必要がなく、基板上の有機薄膜などへのダメージを最小限に抑えつつ効率的な成膜を可能とする。
【解決手段】ソフト成膜時、シャッター５をターゲット８に対向して配設し、かつ基板搬送機構４により基板３をシャッター５の脇部分に搬送させ、この状態でシャッター５の脇から僅かに漏れるターゲット粒子を基板３に衝突させることによりソフト成膜を行う。ソフト成膜後、基板搬送機構４により基板３をシャッター５の背後に搬送させ、かつシャッター５を移動させて高レート成膜を行う。この状態ではターゲット電極２に対向する放電空間が基板３の下方に広がり、高エネルギー状態のターゲット粒子や反跳イオンおよびγ電子が大量に基板３に衝突することになる。 （もっと読む）

【課題】膜の成分組成の均一性（膜均一性）に優れたＣｕ−Ｇａスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａを含むＣｕ基合金からなるスパッタリングターゲットであって、その平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、かつ気孔率が０．１％以下であることを特徴とするＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】
毒性のない透明導電膜の低抵抗率化と大面積化を可能とし、製造過程に於ける基板選択性を高め低コスト化と同時に省エネルギー化を図る。
【解決手段】
透明基板１上の酸化亜鉛試料２に電位を与えておき、前面に酸素プラズマＯＰを形成し、プラズマ空間電位を直流電源９、交流電源１０又はパルス電源１１で制御する。酸素プラズマＯＰの電子温度分布を変化させ、酸化亜鉛試料２と酸素プラズマＯＰとの間のシース電圧を制御し、亜鉛蒸気ＺＶを亜鉛Ｚｎショット８を加熱して生成させ、非晶質の透明基板１付近の各種粒子の量及び運動量等を質量分析装置１４とプラズマ発光分析装置１３でモニタリングし、各量をオーブンの三次元移動、酸素ガス質量流量、プラズマ生成電源電力等で制御し、得られるＺｎＯ透明導電膜の元素成分を、亜鉛と酸素のいずれか低い存在量に対して、亜鉛、酸素及び水素を除く不純物元素の比が０．４％以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面に生じるエロージョンを高度に均一化し、ターゲットの寿命を高める。
【解決手段】ターゲットの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気回路１１は、磁化方向が軸線と平行となる筒状の第１のマグネット４０と、第１のマグネット４０の内側に同心円状に配置されて、第１のマグネット４０とは磁化方向が反平行となる筒状又は柱状の第２のマグネット４１とを有し、且つ、これら第１及び第２のマグネット４０，４１の軸線とターゲットの軸線とが互いに平行となる状態で、ターゲットの表面と平行な面内で回転自在とされると共に、第１のマグネット４０と第２のマグネット４１との間で発生する磁場Ｍの、ターゲットの表面における磁束密度の垂直成分Ｂｚが０［Ｔ］となる点を結ぶＢｚ＝０ラインが、ターゲットの表面と平行な面内において、ハート形の曲線Ｌを描くようにする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面に生じるエロージョンを高度に均一化し、ターゲットの寿命を高める。
【解決手段】ターゲットの表面上に磁場を発生させる磁気回路１１は、磁化方向が軸線と平行となる筒状の第１のマグネット４０と、第１のマグネット４０の内側に同心円状に配置されて、第１のマグネット４０とは磁化方向が反平行となる筒状又は柱状の第２のマグネット４１とを有し、且つ、これら第１及び第２のマグネット４０，４１の軸線とターゲットの軸線とが互いに平行となる状態で、ターゲットの表面と平行な面内で回転自在とされると共に、第１のマグネット４０と第２のマグネット４１との間で発生する磁場Ｍの、ターゲットの表面における磁束密度の垂直成分Ｂｚが０［Ｔ］となる点を結ぶＢｚ＝０ラインが、ターゲットの表面と平行な面内において、複数の変曲点Ｃ１，Ｃ２を有する曲線Ｌ１を描くようにする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板の温度調節をしつつ、絶縁基板を有する配線基板の静電気破壊の発生を低減することを目的とする。
【解決手段】第１方向Ｄ１に延びた配線Ｚが配置された絶縁基板１０を有する配線基板３０を配置可能なテーブル面４０Ｓと、テーブル面４０Ｓに形成されるとともに第１方向Ｄ１と交差する方向に延びた直線状の溝部４１と、溝部４１に形成されるとともにガスが注入される注入口４２Ａと、溝部４１に形成されるとともに注入口４２Ａから注入されたガスを排出する排出口４３Ａと、を有するテーブル４０を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明な樹脂基板の耐摩耗性を改善する積層膜、又は混合硬質膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】図１の符号１は、窓ガラス代替物を形成する混合硬質膜を形成する混合硬質膜形成装置であって、蒸着室１２内に、ＴｉＯから成る第一蒸着源２１とＳｉＯ₂から成る第二蒸着源２２が成膜対象物の移動方向の真下に離間して並べて配置されている。この混合硬質膜形成装置１を用いて、蒸着室１２内に酸素ガスを導入し、ＴｉＯから成る第一蒸着源２１とＳｉＯ₂から成る第二蒸着源２２を加熱して蒸発させながら、ＳｉＯ₂よりＴｉＯ₂が多い位置から、ＴｉＯ₂が徐々に少なくなり、ＳｉＯ₂が増加する位置までの領域を形成し、その領域内で透明な樹脂基板を通過させて混合硬質膜を形成させる。 （もっと読む）

１つの実施の形態における本発明は、蒸発材料を含んだ複数の気体流を基材に送り出すという形で、蒸発材料を運ぶ第１の気体流を基材に提供して基材上で積層させること、気体流を囲む気体カーテンを形成することにより、目標印刷範囲を越えて気体流が拡散するのを防ぐこと、蒸発材料を目標印刷範囲で凝縮させること、に関する。また、別の実施の形態では、熱を利用して蒸発材料の流れと積層の厚みとを制御する。 （もっと読む）

【課題】可撓性があり任意の場所に設置することができ、かつ抗菌性能に優れる抗菌フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】可撓性高分子フィルム基材の少なくとも一方の表面に少なくとも１層の好ましくは銀、銅、またはその合金で形成される抗菌性金属薄膜を形成してなり、該金属薄膜は金属蒸発源を加熱溶融させて行う真空蒸着法により形成されている抗菌フィルムである。本発明では基材の一方の面に粘着剤層が形成され、少なくとも粘着剤層が形成されている側と反対側の面には抗菌性金属が形成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】平均クラスターサイズが２ｎｍ以下の金クラスターの調製法を確立するとともに、高い選択性が要求される酸化反応や水素化反応等の触媒として利用可能な金ナノクラスターを提供する。
【解決手段】アークプラズマ蒸着法を用いることにより、チタニア、アルミナ、シリカ、ジルコニア、又はセリアからなる金属酸化物或いはこれらの複合酸化物表面上に担持された、平均クラスターサイズが２ｎｍ以下の金ナノクラスターを得ることができ、得られた金ナノクラスターと金属酸化物の複合体は、酸化反応や水素化反応等の触媒として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】成膜処理時の成膜状況に応じてシート状基材を温度制御して、薄膜部材の品質をより向上させた薄膜部材の製造装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】成膜ロール６の胴部６０の外周表面６０ａにシート状基材２を密着させた状態で回転搬送させながら、シート状基材２の表面に薄膜を形成してシート状の薄膜部材を製造する薄膜部材の製造装置において、成膜ロール６は、シート状基材２の表面に成膜処理を行う成膜処理部４の対向位置に配設され、胴部６０の表面内側の軸心方向に沿って、かつ胴部６０の円周方向に配設された複数の媒体路６４・６４・・・と、成膜処理部４に対して近い回転位相部分と遠い回転位相部分とで、胴部６０の単位回転位相あたりの媒体路６４・６４・・・への温調媒体の供給量を変更して、前記胴部の外周表面の温度を所定の回転位相ごとに温調する温調機構と、を具備してなる。 （もっと読む）

【課題】相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも光電変換効率が改善された光触媒膜として用いられ得る新規な膜およびその製造方法、ならびに、このような膜を用いた、水溶液から水素を発生するのに適した水素発生装置を提供する。
【解決手段】光を吸収して電子と正孔を生じる半導体酸化物で形成された膜であって、当該半導体酸化物が、Ｆｅに対するＴｉの原子数比が０．０５〜０．１のＴｉを含有し、かつＦｅに対するＴａまたはＷの原子数比が０．００１〜０．００５のＴａまたはＷを含有するＦｅ₂Ｏ₃であることを特徴とする半導体酸化物膜およびその製造方法、ならびに半導体酸化物膜を用いた水素発生装置。 （もっと読む）

【課題】例えば５００℃程度以下の低温成長でも、ＺｎＯ層の表面平坦性の低下が抑制されたＺｎＯ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板を準備する工程と、無電極放電管にＯとＮを含むガスを導入し、放電して第１のビーム３ａを発生させる工程と、基板１１の上方に、少なくともＺｎを供給するとともに、無電極放電管から第１のビーム３ａを供給して、ｎ型ＺｎＯ系半導体層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】膜剥離や短絡の発生を抑制し、かつ圧電特性を向上する圧電素子を提供する。
【解決手段】基板７の上に、単一の拡散防止層１２と、圧電層１３とが、この順序で積層された、基板７を含めた３層構造の圧電素子１００であって、拡散防止層１２及び圧電層１３は、それぞれエアロゾルデポジション法によって成膜された膜であり、拡散防止層１２の弾性率は、基板７の弾性率以下でかつ圧電層１３の弾性率以上の関係を有する。拡散防止層１２は、アルミナを添加したジルコニア、若しくは、チタン酸ジルコン酸鉛、若しくは、膜厚が５μｍ以上となるジルコニアにより構成する。 （もっと読む）

本発明は、特に光学的応用のためのセラミック層のマグネトロンスパッタリングの新しい基礎技術に関する。この新しいコンセプトは、反応性ＤＣ，ＭＦ若しくはＲＦマグネトロンスパッタリング、又はセラミックターゲットのマグネトロンスパッタリングのような周知の方法と比べて、厳密に定められた速度、均質性及び極めて良好な再現性を有するセラミック層の析出において、極めて精度を向上させたマグネトロンスパッタソースの形成を可能にする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体で厚かったり、ターゲットとして強磁性体を用いる場合であっても、ターゲットの表面に放電に必要な磁気トンネルを形成させるために十分な大きさの漏洩磁場を発生させることが可能なマグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタカソードは、ターゲット１０のスパッタ面１０ａに設けられた第２環状溝１４と、ターゲット１０の非スパッタ面１０ｂに設けられた第３環状凸部２３と、非スパッタ面１０ｂの、第３環状凸部２３の外側に設けられた第４環状溝２４と、非スパッタ面１０ｂの、第４環状溝２４の外側に設けられた第４環状凸部２５とを有するターゲットを備える。また、上記マグネトロンスパッタカソードは、非スパッタ面１０ｂ側に、第１磁石５、及び第１磁石５と極性の異なる第２磁石６を備える。 （もっと読む）

【課題】 実用に耐えうる耐摩耗性を備えた撥油性膜を持つ撥油性基材を製造することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明の成膜方法は、まず第１の成膜工程で、基板１０１の表面に乾式成膜法（イオンアシスト蒸着法を除く）を用いて基板１０１の硬度より高い硬度を持つ第１の膜１０３を所定厚み以上で成膜する。次に第１の照射工程で、成膜した第１の膜１０３に対して加速電圧が所定値以上で電流密度が所定値以下の特定のエネルギーを持つ粒子を照射し、これによって第１の膜１０３の表面に適切な凹凸を形成する。次に第２の成膜工程で、第１の膜１０３の凹凸面に撥油性膜１０５を成膜する。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュを低減させ、連続運転を可能とする成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、成膜材料１０を気化させ、成膜材料１０を被成膜物の表面に堆
積させることにより成膜を行う成膜装置であって、真空容器１４と、真空容器１４内に設
けられ、成膜材料１０を収容する絶縁性の坩堝１８と、坩堝１８に収容された成膜材料１
０の表面に生成される副生成物１２を除去する副生成物除去部材２６と、所定の待機位置
と坩堝１８の近傍との間で副生成物除去部材２６を移動させるための、先端部２４ａに副
生成物除去部材２６が固定された腕部材２４と、を備える。 （もっと読む）