【課題】 ドラム型基板ホルダーの外周面に対して基板の取り付け、取り外しを、簡易な構成で容易に行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 ドラム型基板ホルダー５を水平方向の回転軸を回転中心にして成膜室内に水平状態で回転自在に支持し、基板１２を固定保持した基板固定治具１３をアームでドラム型基板ホルダー５の外周面上に水平に搬送することで、ドラム型基板ホルダー５の外周面の角部５ａに設けた固定装置１４で基板固定治具１３の端部１３ｂを固定することができる。 （もっと読む）

昇華性の蒸発材料を蒸着する真空蒸着において、噴射用開口１４を配しかつ内面からの放射熱により該蒸発材料を蒸気化する領域を有する気体密封型加熱容器１１と、蒸発材料を加熱容器１１からの伝導熱によっては蒸発しない領域に保持させる保持部１５とを備え、発生する蒸気を噴射用開口１４から容器外部の蒸着対象面に向けて噴射させるようにする。
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【課題】 本発明の課題は、８００℃よりも高い使用温度で、特に酸化の最初の段階でアルミニウム含有合金を実質的にα−Ａｌ_２Ｏ_３よりなる酸化物被覆層を形成し、そうして明らかに向上した長期間挙動をもたらすことである。
【解決手段】この課題は、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｎｉ−ＡｌまたはＮｉ−Ｃｒ−Ａｌタイプのアルミニウム含有合金のために保護層を造る方法において、
− 該合金の表面にアルミニウム不含酸化物を有する酸化物層を形成し、
− 該合金を８００℃より上の温度に加熱した際に、該合金の表面のアルミニウム不含酸化物が準安定なアルミニウム酸化物の形成を抑制し、結果として専らα−Ａｌ_２Ｏ_３−酸化物だけを形成する
各段階を含むことを特徴とする、上記方法によって解決される。 （もっと読む）

有機材料の薄い均一な層をコーティングできる熱物理蒸着源を提供する。ディスプレイを形成する際基板の表面に向かって有機材料の圧縮ペレットを気化する熱物理蒸着源は、各々圧縮ペレットを受け入れる複数の間隔の開いた通路を画定するハウジングと、ハウジングの間隔の開いた通路に対応する第１の複数の開口を備えたハウジングの上のカバープレートと、カバープレートの上に配置した電気ヒータ構造体とを含む。熱物理蒸着源はさらに、電気ヒータ構造体の上に配置したアパーチャプレートと、電気ヒータ構造体とアパーチャプレートとの間に位置する電気絶縁性スペーサ部材と、ペレットを気化し、材料の蒸気流出がカバープレート、ヒータ構造体、電気絶縁性スペーサ部材及びアパーチャプレートを通過して基板に向かうようにするのに十分な熱を発生する電流を電気ヒータ構造体に印加する回路とを含む。
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材料または物質を融解及び／または蒸発させるために、オーブン中にて、それらの融点及び／または気化点より低いオーブン温度に材料または物質を加熱する器具と方法に関するものである。略球状の包体中に物質を挿入する。包体を設定圧力下でシールする。固体は、オーブン中にて、設定圧力下における該物質の融解または気化温度よりも大幅に低いオーブン温度で、該物質を融解または蒸発させるのに十分な時間加熱する。

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内包原子イオンに加速電極を用いて加速エネルギーを与え、堆積基板上に予め形成しておいた空のフラーレン膜に内包原子を注入する内包フラーレンの製造方法では、イオンビームを構成する荷電粒子が同一極性のイオンである内包原子イオンのみであるので、荷電粒子間で斥力が働き、特に、低エネルギーのイオン注入においてイオンビームが発散するため、フラーレン膜に高密度のイオンを注入することが困難で、内包フラーレンの収率が低いという問題があった。
内包原子イオンからなる荷電粒子及び該内包原子イオンと反対極性の荷電粒子とを含むプラズマを、磁場発生手段により発生させた均一磁場により、堆積基板上の空のフラーレン膜まで輸送し、該堆積基板に印加したバイアス電圧により内包原子に加速エネルギーを与え、該フラーレン膜に内包原子を注入することにした。プラズマを構成する荷電粒子間に引力が働きプラズマが発散しないので、低エネルギーのイオン注入においても、高密度のイオン注入が可能であり、内包フラーレンの収率を向上できる。 （もっと読む）

仕事関数を低減した電子放出材料、および、従来よりも低消費電力化および／または高電流密度化がなされた、電子放出特性に優れる電子放出素子を提供する。
表面に原子ステップ（３）および隣り合う２つの前記原子ステップの間に平坦部（４）を有する半導体基体（２）と、前記平坦部に配置された吸着層（５）とを含み、吸着層が、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素およびＳｃから選ばれる少なくとも１種の元素を含む電子放出材料とする。 （もっと読む）

本発明は、均一分布層（２）を片面または両面に有する被膜付きステンレス鋼ストリップ（１）製品に関する。この層は装飾的な外観を有し、層の厚さは１０μｍ以下、その許容誤差は層厚さの±３０％以下、パラメータ値Ｌ*、ａ*、ｂ*はそれぞれ０＜Ｌ*＜９５、−６６＜ａ*＜６４、−９０＜ｂ*＜７０、装飾性外観の許容誤差はΔＥで１５以下、層の密着性は優れており被膜付き鋼ストリップが軟化焼鈍状態で５×ｔ以下の半径（ｔはストリップ厚さ）の曲げ試験でフレーキングなどの徴候を示さない。
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有機、または無機ガラスからなる透明基質を含み、主要前面、および裏面を有し、少なくともひとつの前記主要面が多層抗反射コーティングを有し、前記抗反射コーティングが不足当量酸化チタンを含む少なくとも二つの可視光吸収層を有し、その可視光吸収層において可視光吸収層を含まない同様のもの（光学体）と比較して可視光の相対透過特性Ｔｖが１０％以上減少している光学体に関する発明。 （もっと読む）

化学気相輸送法（CVT）を用いて、低温低圧で、基板にダイヤモンドコーティングを製作する方法であって、ワイヤ巻付グラファイト組立部材と、基板とをチャンバ室内に提供するステップと、チャンバ室に水素を充填するステップと、チャンバ室の内部圧力を真空にしてから、水素を再度充填するステップと、1気圧未満の水素を含有したままチャンバ室を密閉するステップと、基板が125℃〜750℃の範囲に加熱されるまで、グラファイト棒に電流を流すステップと、を有する方法によって、優れた特性が得られる温度で、高品質ダイヤモンドが形成される。
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本発明は、溶融金属に対する耐食性が改善されたセラミックス焼結体、その製造に適用できるセラミックス焼結体の製造方法、及び長寿命化を達成できる金属蒸着用発熱体を提供することを課題とする。本発明は、窒化硼素、二硼化チタン、カルシウム化合物及び窒化チタンを含有してなる相対密度が９２％以上のセラミックス焼結体であり、カルシウム化合物がＣａＯ換算として０．０５〜０．８質量％、窒化チタンに由来する（２００）面のＸ線回折によるピーク強度が、ＢＮの（００２）面のピーク強度に対して０．０６〜０．１５であることを特徴とするセラミックス焼結体に関する。また、該セラミックス焼結体の製造に適用できるセラミックス焼結体の製造方法、及び該セラミックス焼結体で構成された金属蒸着用発熱体も開示する。 （もっと読む）

フレキシブル金属ストリップ製品は、フェライトクロム鋼ストリップ材料（２）にイットリウムで安定化したジルコニアの絶縁層を被膜（３、６、８）として備え、この被膜上に導電性の層を含む第２被膜（７）を設け得る。前記被膜は、下地の鋼と熱膨張が実用上等しいため、フレキシブル太陽電池および固体薄膜電池の絶縁層として非常に有用である。
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溶融金属に対する濡れ性を改善し、長寿命化を達成することができる金属蒸発ボート及びそれを用いた金属の蒸発方法を提供する。
二硼化チタン（ＴｉＢ_２）及び／又は二硼化ジルコニウム（ＺｒＢ_２ ）と窒化硼素（ＢＮ）を含有してなるセラミックス焼結体の上面に、通電方向と平行でない方向に、溝の１又は２以上を有してなることを特徴とする金属蒸発発熱体。この場合において、通電方向と平行でない方向が、通電方向に対して２０〜１６０度であること、セラミックス焼結体がキャビティを有し、その底面に溝を形成させてなること、セラミックス焼結体の上面及び／又はキャビティ上面に複数の溝によって所望の模様が描かれていることが好ましい。また、この金属蒸発発熱体を用い、その溝の一部分又は全部と金属とを接触させた状態で、真空中、加熱することを特徴とする金属の蒸発方法。 （もっと読む）

１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ｉｉ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。
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本発明は、片面または両面に緻密で均一に分布した金属層（１、３）を備えた被膜付き高強度ステンレス鋼ストリップ（２）製品を提供する。上記金属層は、本質的に純粋な金、銅、ニッケル、コバルト、モリブデン、銀、錫、タングステン、またはこれらのうち２種以上の合金から成り、層厚さが１５μｍ以下であることが望ましく、層厚さの公差が±３０％以下であり、基材の鋼ストリップのＣｒ含有量が１０％以上、被膜付き鋼ストリップを単軸引張して破断させたときに金属層のピーリング、フレーキングなどが起きない程に金属層の密着性が良好である。この金属被膜付きストリップ製品は、接触面間の界面で導電性低下を起こさずに電流伝達できる荷重負担部材としての用途に適している。
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本発明は、高温時の腐食及び酸化から構造部材を保護する保護層に関する。この保護層は、重量％にて０．５〜２％のレニウム、２４〜２６％のコバルト、１５〜２１％のクロム、９〜１１．５％のアルミニウム、０．０５〜０．７％のイットリウム及び／又はスカンジウムと希土類の元素とを含む群からの少なくとも１つの等価金属、０〜１％のルテニウム、残りニッケル並びに製造に由来する不純物からなる。本発明による保護層は、クロム−レニウム析出物により殆ど脆弱化を示すことはない。従って本発明は、腐食及び酸化時に耐高温性に優れ、十分に長期安定性であり、更に高温時のガスタービン内に予想される機械的応力に格別良好に適合する保護及びその製造方法を提供する。
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有機材料を堆積する方法が提供される。有機材料が基板に堆積されるように、有機材料を搬送するキャリアガスは、そのキャリアガスの熱運動速度の少なくとも１０％である流速でノズルから噴出される。ある実施形態では、そのキャリアガスを囲う、ノズルと基板との間の領域における動態的圧力は、噴出中、少なくとも１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは１０Ｔｏｒｒである。ある実施形態では、保護流体がキャリアガスの周囲に供給される。ある実施形態では、バックグラウンド圧力は、少なくとも約１０^−２Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約０．１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１０Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１００Ｔｏｒｒであり、最も好ましくは約７６０Ｔｏｒｒである。
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本発明は、半導体表面、特にシリコンに分子を付着させるための新規手順を提供するものである。ポルフィリンおよびフェロセンを含む（しかし、これらに限定されない）分子が分子ベースの情報記憶のための魅力的な候補であることは、以前に示されてきた。この新規付着手順は、単純であり、短時間に完了させることができ、最少量の材料しか必要とせず、様々な分子官能基と両立でき、場合によっては従来にない付着モチーフを生じる。これらの特徴は、ハイブリッド分子／半導体情報記憶デバイスを作るために必要な加工段階への分子材料の組込みを非常に向上させる。
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非重合化合物と流体担体の混合物を得ることによって基板上に非重合化合物の薄膜をコーティングする方法。この混合物（１）は次いで、非重合化合物および流体担体の実質的に全部をガス状に転換するのに十分な内部温度を有する加熱された蒸発ボックス（７）の内部につぎ込まれる。非重合化合物と流体担体は次いで、蒸発ボックス内の出口スリット（８）を介して蒸発ボックスから取り出される。非重合化合物が凝縮する基板が、出口スリットに隣接して、真空状態に維持されている。基板（１０）は、たとえばウェブ・ローラ上を移動し、それによって非重合化合物の連続的なコーティングを基板にコーティングするのが可能になる。

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材料の混合物を基板（１）上で量を徐々に変化させて蒸着させるのに使用可能で、様々な目的に使用可能であるが、コンビナトリアルケミストリーにおいて特別な価値を有する蒸着法において、ソース（３）から基板（１）までの蒸発材料の経路は、マスク（５）によって部分的に妨げられ、基板（１）により規定される平面と平行な平面におけるマスクの配置は、基板（１）に沿う方向に実質的に連続して増加する厚みで材料を基板（１）上に蒸着させるようになされる。 （もっと読む）