【課題】純水洗浄の省略が許容される被洗浄物を洗浄する装置において、洗浄時間が長くなるのを防止しつつ洗浄液の長寿命化を図る。
【解決手段】外側容器１４と、外側容器１４内に配設され、洗浄液が貯溜されるとともに被洗浄物Ｗを出し入れ可能な開口部が設けられた内側容器３８と、被洗浄物Ｗに付着した洗浄液が蒸発する程度に外側容器１４の内部を減圧させるための減圧手段２０と、洗浄液を浄化するためのフィルタ５８と、内側容器３８の開口部を気密状に塞ぐための蓋５２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に形成される被膜のうち、基板の端縁部表面の端縁部被膜に処理液を吐出して、端縁部被膜を除去するときに、ピンホール発生頻度を低減することができるとともに、被膜除去性が充分に発揮できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 端縁部被膜１６に向けて処理液の吐出を開始する処理液吐出初期工程および処理液の吐出を停止する処理液吐出終期工程において、処理液供給管６内を流れる処理液をバイパス配管１０に分岐して流して、処理液吐出ノズル５から吐出する処理液吐出流量が小さくなるように設定し、ピンホール発生頻度を低減する。また処理液吐出中期工程において、処理液吐出流量が大きくなるように設定し、端縁部被膜１６を完全に除去する。 （もっと読む）

【課題】基板自体を研磨してしまうことなく、基板のエッジ部に強固に付着した異物を良好に除去することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、０．３ＭＰａ以上かつ２．７ＭＰａ以下の圧縮弾性率を有する弾性材料により構成された当接部材３２を、基板Ｗのエッジ部Ｅに当接させることにより、エッジ部Ｅに付着した異物を除去する。このため、基板Ｗのエッジ部を研磨してしまうことなくエッジ部Ｅに強固に付着した金属膜やスラリー等の異物を良好に除去することができる。また、当接部材３２を構成する弾性材料の中には、砥粒としてのシリカが混入されているため、エッジ部Ｅに強固に付着した異物を良好に剥離しつつ除去することができる。 （もっと読む）

【課題】
ＩＰＡ等の有機溶剤を使用して乾燥する場合において、残留異物を低減し、ウオータマーク（水しみ）等の染みの発生を抑制することができる蒸気乾燥装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、凝縮されたディスクを下側チャンファ部からのみ滴下するような速度で冷却エリアに引き上げることで、ウオータマークや異物の残留を下側チャンファ部に移動させて冷却乾燥に入る。さらに、下側チャンファ部を蒸気エリアに再浸漬することで下側チャンファ部に移動したウオータマークや異物の残留部部に対してドレーンにより下側チャンファ部の残留異物を流し落としかつ下側チャンファ部にできるであろうウオータマークの痕跡を除去して、再引き上げをしてディスクを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対する洗浄効果を向上させることができるとともに、被処理基板の表面に洗浄液の液膜が形成されやすくなり、被処理基板にウォーターマークが形成されることを抑止することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１（２、３）は、洗浄液を供給する洗浄液供給部と、液滴生成用ガスを供給する液滴生成用ガス供給部と、洗浄液供給部から供給される洗浄液と液滴生成用ガス供給部から供給される液滴生成用ガスとを混合することにより生成される洗浄液の液滴を被処理基板Ｗの一部分に噴霧する二流体ノズル２０と、被処理基板Ｗの一部分の加熱を行う加熱部４０（６０）と、を備えている。被処理基板Ｗにおける一の箇所に二流体ノズル２０が洗浄液の液滴を噴霧する直前に、この一の箇所の加熱を加熱部４０（６０）により行う。 （もっと読む）

【課題】混触に危険を伴う組合せとなる薬液の混触を防止することができ、かつ、そのための設定作業に手間を要しない、供給禁止組合せ設定方法、コンピュータプログラムおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＣＰＵ６０により、使用薬液メモリ６８，６９，７０から、第１薬液、第２薬液および第３薬液の各薬液名が読み出され、第１薬液、第２薬液および第３薬液の薬液名とバルブ１８，１９，２０，２３，２５，３１との対応関係を表す薬液−バルブ対応テーブルが作成される。そして、薬液−バルブ対応テーブル、および混触に危険を伴う薬液の組合せに関する情報を登録した混触禁止薬液データベースに基づいて、バルブ１８，１９，２０，２１，２３，２５，３１，３７間での同時開成および相前後する開成を禁止／可能とするバルブの組合せが設定される。 （もっと読む）

【課題】薬液を浪費することなく、所望の基板処理を実施できる基板処理装置および基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理時に処理対象基板の上方に配置されるノズル１０９には、供給配管１１０を介して薬液１０４をノズル１０９へ供給する薬液供給部１３０が接続されている。ノズル１０９および供給配管１１０に残留する薬液１０４を排出するプリディスペンス時には、ノズルの下方にプリディスペンスポッド１０２が配置される。吐出間隔取得部１４３は、直前の基板処理において薬液１０４の吐出が完了した時点から、次基板処理において薬液１０４の吐出が開始される時点までの吐出間隔時間を取得する。プリディスペンス時間決定部１４２は、取得された吐出間隔時間に応じてプリディスペンスの実行時間を決定する。そして、決定されたプリディスペンス実行時間にしたがって、処理制御部１４１が、次基板処理前にプリディスペンスを実行する。 （もっと読む）

本発明は、薄いウェハ（６）を洗浄する装置で、ウェハ（６）が各々の一辺で担持装置（２）に固定されており、２つの隣接する基板間に空隙（７）が形成されている。本装置は、流体を各空隙（７）内に注入するシャワー装置（１５）と、流体を満たすことができ且つ担持装置（２）を収容できる寸法を有する槽（１４）とから実質上構成される。本発明によれば、任意選択的に、シャワー装置（１５）が移動不能な担持装置（２）に対して移動可能であるか、あるいは担持装置（２）が移動不能なシャワー装置（１５）に対して移動可能であるか、あるいは担持装置（２）とシャワー装置（１５）が相対的に移動可能である。本発明による方法は、好ましい洗浄処理において、担持装置（２）を槽内で移動しながらまず温流体でシャワー洗浄を行った後、冷流体で超音波洗浄を行い、さらに温流体でシャワー洗浄を再度行うことを特徴とする。
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【課題】開口を有する円板形の基板の効率的な乾燥方法及び装置を提供する。
【解決手段】開口を有するワークピースを乾燥するための方法であって、前記ワークピースを液体中に提供する段階と、前記ワークピースと前記液体の液面との間の相対的な動きを引き起こして、前記ワークピースが前記液体と接触しない状態まで取り出す段階と、前記ワークピースを乾燥する段階と、を備え、この乾燥段階の少なくとも一部は、前記相対的な動きを引き起こす動作の間に起こり、前記相対的な動きは、前記開口の上部が前記液面を通過する間第１速度であり、前記相対的な動きは、前記開口の上部が前記液面を通過した後、前記ワークピースの一部が前記液体と接触したままである期間第２速度であり、前記第１速度は前記第２速度より遅い。 （もっと読む）

【課題】有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理方法と、当該基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理装置、および当該基板処理装置を動作させるプログラムが記載された記録媒体を提供する。
【解決手段】金属層が形成された被処理基板を第１の温度に設定し、有機化合物を含む処理ガスを前記金属層に吸着させて金属錯体を形成する第１の工程と、前記被処理基板を前記第１の温度よりも高い第２の温度となるように加熱して、前記金属錯体を昇華させる第２の工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークなしに効果的に基板を乾燥処理することができ、安定的で生産効率及び歩留まりの向上を図ることができる基板乾燥装置及びこれを有する基盤処理設備並びに基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によって、チャンバーと、前記チャンバーの一部を構成し、基板に超臨界流体を供給して前記基板を乾燥させる処理室と、前記チャンバーの他の一部を構成し、前記処理室を前記超臨界流体の臨界圧力以上に加圧する高圧室と、を含むことを特徴とする基板乾燥装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程での残渣により製造物に悪影響を及ぼさないようにした洗浄装置及びその洗浄方法を提供する。
【解決手段】槽体２１０と、槽体２１０の中に配置されたステージ２２０と、槽体２１０の中に設けられ、ステージ２２０を囲む少なくとも１つの第１の側壁（２３０又は２４０）と、槽体２１０の中で、ステージ２２０の上方に配置され、ステージ２２０と第１の側壁との間の第１の範囲を閉じ込める操作可能なプレート２６５と、ステージ２２０と第１の側壁との間の第１の範囲と流体連通された排気装置２７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ドライエッチャに洗浄工程を付加してドライエッチャの適用範囲をメタル膜エッチング工程まで拡大させるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャを提供する。
【解決手段】 エッチングガスを注入して基板上の膜をエッチングするエッチング部と、エッチング部により処理された基板を移送させる移送部と、移送部により移送された基板を洗浄する洗浄部と、を備えるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャ。 （もっと読む）

【課題】基板底面を均一に処理できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】前記基板処理装置は、基板を支持し、回転可能なスピンヘッドと、前記スピンヘッド上に設けられ、工程のとき、基板の底面に流体を供給する噴射ヘッドと、前記噴射ヘッドに流体を供給する流体供給ユニットと、を含み、前記噴射ヘッドは、前記スピンヘッドのセンター部に位置し、前記流体供給ユニットから流体が供給されるボディと、前記ボディから前記スピンヘッドのエッジ部に向かって延長され、前記ボディから供給された流体を前記基板の底面に噴射する噴射部材と、を含み、前記噴射部材には、前記基板のエッジ部に流体を噴射する第１噴射口と、前記基板のセンター部とエッジ部との間に位置するミドル部に流体を噴射する第２噴射口とが形成され、前記流体は、前記第１噴射口に先に供給される。 （もっと読む）

【課題】基板表面の必要な範囲に均一なめっき処理を行うためのめっき前処理を確実に行うことができるようにする。
【解決手段】基板Ｗの表面に無電解めっきを施すに先だって、めっき前処理としての洗浄処理と触媒付与処理を行うにあたり、触媒付与処理によって基板Ｗ表面に触媒を付与する範囲より広範囲に洗浄処理を行う（触媒付与範囲Ｓ_１＜洗浄範囲Ｓ_２）。触媒付与処理によって基板表面に触媒を付与する範囲は、例えば、基板Ｗ表面の均一にめっき処理を行う必要がある範囲と同じ範囲である。 （もっと読む）

本発明において誘電体膜を洗浄する装置及び方法が提供される。一実施形態では、誘電体膜を洗浄する装置は、基板を支持するように適応されたチャンバ本体と、上記チャンバ本体へ複数の反応性ラジカルを与えるように適応されたリモートプラズマ源と、上記リモートプラズマ源を上記チャンバ本体に結合する通路と、上記通路に隣接して配設された少なくとも１つの磁石とを含む。別の実施形態では、誘電体膜を洗浄する方法は、処理チャンバに配設される少なくとも部分的に露出される誘電体層を有する基板を準備し、リモートプラズマ源において複数の反応性ラジカルを生成し、少なくとも１つの磁石を隣接して配設させた通路を通して、上記処理チャンバへ上記リモートプラズマ源から上記反応性ラジカルを流し込み、上記通路を通る上記反応性ラジカルを磁気的にろ過することを含む。 （もっと読む）

本発明は、ウェハのスタックをマイクロ波チャンバ中に載置し、ウェハをマイクロ波に曝してウェハ間の水分を蒸発させることによって、ウェハのスタックから複数のウェハを個別に分離する方法に関する。
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半導体ウエハなどの平らな物を音響エネルギを用いて処理するシステム、装置及び方法。本発明によるシステム、装置及び方法は、洗浄処理において、ウエハの両面から微粒子を効率的かつ効果的に除去することが出来る観点を有する。本発明は、平らな物を処理する装置であり、装置は、平らな物を支持する回転可能な支持体、回転可能な支持体上の平らな物の第１の表面に液体を供給する第１のディスペンサ、及び、回転可能な支持体上の平らな物の第２の表面に液体を供給する第２のディスペンサ、を有し、更に、装置は、音響エネルギを生成する第１のトランスデューサ及び該第１のトランスデューサに音響的に接続された第１のトランスミッタを有する第１のトランスデューサ装置を有し、第１のトランスデューサ装置は、前記第１のディスペンサが前記回転支持体上の平らな物の前記第１の表面に液体を供給すると、前記第１のトランスデューサの一部分と前記平らな物の第１の表面の間に液体の第１のメニスカスが形成されるように位置決めされており、更に、装置は、音響エネルギを生成する第２のトランスデューサ及び該第２のトランスデューサに音響的に接続された第２のトランスミッタを有する第２のトランスデューサ装置を有し、該第２のトランスデューサ装置は、第２のディスペンサが回転支持体上の前記平らな物の第２の表面に液体を供給すると、前記第２のトランスデューサの一部分と前記平らな物の第２の表面の間に液体の第２のメニスカスが形成されるように位置決めされている。
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静電チャック（ESC）の洗浄方法であって、ESCのセラミック表面を誘電性流体に浸す工程と、ESCのセラミック表面を導電性表面から離して、誘電性流体がESCのセラミック表面と導電性表面との間に満たされる工程と、誘電性流体を超音波攪拌すると同時にESCに電圧を印加する工程と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、インジェクションタイプのプラズマ処理装置に関し、常圧条件で誘電体バリア放電（ＤＢＤ；Dielectric Barrier Discharge）を利用して多様な面積、多様な大きさ、及び多様な形状を有する処理対象物を微細アークストリーマによる損傷なしに処理することができるインジェクションタイプのプラズマ処理装置を提供することをその目的にする。本発明に係るインジェクションタイプのプラズマ処理装置は、誘電体が形成された状態で、反応チャンバに提供される電源電極板と、前記電源電極板に交流電力が印加される時に前記電源電極板との間でプラズマを形成する、前記反応チャンバの壁の一部を構成し且つ複数のホールが形成された接地電極板と、前記反応チャンバ内に反応ガスを注入して、反応チャンバ内のプラズマを前記接地電極板のホールを介して外部に噴射させるガス供給ユニットとを含む。
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