ダイシング−ダイボンディングテープ、粘接着剤層付き半導体チップの作製キット及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
【課題】粘接着剤層を精度よくダイシングでき、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。
【解決手段】本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを備える。ダイシング時に、ダイシング層５の外周部分に環状のダイシングリング２６が貼り付けられる。ダイシング層５の径は基材層４の径よりも大きい。ダイシングリングの内径をＸとしたときに、ダイシング層５の径が１Ｘを超え、基材層４の径が０．９１Ｘ以上である。本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットは、ダイシング−ダイボンディングテープ１とダイシングリング２６とを有する。
【解決手段】本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを備える。ダイシング時に、ダイシング層５の外周部分に環状のダイシングリング２６が貼り付けられる。ダイシング層５の径は基材層４の径よりも大きい。ダイシングリングの内径をＸとしたときに、ダイシング層５の径が１Ｘを超え、基材層４の径が０．９１Ｘ以上である。本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットは、ダイシング−ダイボンディングテープ１とダイシングリング２６とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられ、該粘接着剤層付き半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの作製キット及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハから半導体チップを切り出す際には、先ダイシング法と呼ばれているダイシング法が用いられている。先ダイシング法の一例は、例えば、下記の特許文献１に開示されている。
【０００３】
先ダイシング法では、先ず、半導体ウェーハの表面に切り込みを形成する。次に、切り込みが形成された半導体ウェーハの表面に、保護シートを貼り付ける。その後、半導体ウェーハの裏面を切り込み部分まで研削して、半導体ウェーハの厚みを薄くし、個々の半導体チップに分割する。個々の半導体チップに分割された分割後半導体ウェーハの表面には、保護シートが貼り付けられている。
【０００４】
また、上記先ダイシング法により得られた個々の半導体チップを基板上に容易に実装するために、半導体チップの裏面にダイボンディング層が貼り付けられることが多い。このダイボンディング層付き半導体チップを得るために、ダイボンディング層とダイシング層とを備えるダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。
【０００５】
ダイシング−ダイボンディングテープの一例として、下記の特許文献２，３には、接着シートと基材（ダイシングテープ）とが積層されたダイシング−ダイボンディングテープが開示されている。このダイシング−ダイボンディングテープにおける接着シートは、ダイボンディング層であり、半導体チップに接着剤層を積層して、接着剤層付き半導体チップを得るためのシートである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２４５４６７号公報
【特許文献２】特開２００５−２６０２０４号公報
【特許文献３】特開２００６−０８０１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２，３に記載のダイシング−ダイボンディングテープを用いて接着剤層付き半導体チップを得る際には、ダイシング−ダイボンディングテープを接着シート側から、分割後半導体ウェーハに貼り付ける。次に、レーザー光を照射したり、加熱又は冷却等したりして、接着シートを改質させる。次に、改質された接着シートと基材とを引き延ばして、該接着シートを分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ個々の半導体チップを離間して、半導体チップの下面に切断された接着剤層を形成する。その後、接着剤層付き半導体チップを基材から剥離して、取り出す。取り出された接着剤層付き半導体チップは、接着剤層側から基板上に実装される。
【０００８】
特許文献２，３に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、基材と接着シートとを引き延ばしたときに、接着シートが所望の位置で適切に切断されないことがある。例えば、半導体チップの下方に、接着剤層が確実に配置されないことがある。このため、接着剤層付き半導体チップを接着対象部材に積層して接着させた場合に、半導体チップが傾いたり、半導体チップが十分に接着されなかったりする。
【０００９】
さらに、特許文献２，３では、ダイシング−ダイボンディングテープを接着シート側から、分割後半導体ウェーハに貼り付けた後に、レーザー光を照射したり、加熱又は冷却等したりして、接着シートを改質させている。特許文献２，３では、このような改質させる余計な工程を実施する必要があり、余計な時間がかかる。さらに、このような改質を行うための設備を準備しなければならない。
【００１０】
本発明の目的は、粘接着剤層を精度よく切断でき、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの作製キット及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の広い局面によれば、粘接着剤層と、上記粘接着剤層の一方の表面に積層されている基材層と、上記基材層の上記粘着剤層側とは反対の表面に積層されているダイシング層とを備え、ダイシング時に、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングが貼り付けられ、上記ダイシング層の径が上記基材層の径よりも大きく、上記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、上記ダイシング層の径が１Ｘを超え、上記基材層の径が０．９１Ｘ以上である、ダイシング−ダイボンディングテープが提供される。
【００１２】
本発明の広い局面によれば、ダイシング−ダイボンディングテープと環状のダイシングリングとを有する粘接着剤層付き半導体チップの作製キットであって、上記ダイシング−ダイボンディングテープが、粘接着剤層と、上記粘接着剤層の一方の表面に積層されている基材層と、上記基材層の上記粘着剤層側とは反対の表面に積層されているダイシング層とを備え、ダイシング時に、上記ダイシング層の外周部分に環状の上記ダイシングリングが貼り付けられ、上記ダイシング層の径が上記基材層の径よりも大きく、上記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、上記ダイシング層の径が１Ｘを超え、上記基材層の径が０．９１Ｘ以上である、粘接着剤層付き半導体チップの作製キットが提供される。
【００１３】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープ及び本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットのある特定の局面では、上記基材層が、非粘着性を有する非粘着層である。
【００１４】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープ及び本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットの他の特定の局面では、上記基材層は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されている。
【００１５】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法は、上述したダイシング−ダイボンディングテープ又は上述した粘接着剤層付き半導体チップの作製キットを用いて、かつ保護シート及び該保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体を用いて、上記ダイシング−ダイボンディングテープの上記粘接着剤層を、上記積層体の上記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、上記ダイシング層を環状の上記ダイシングリングに貼り付ける工程と、上記保護シートを上記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、上記粘接着剤層と上記基材層とを引き延ばすことにより、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ上記分割後半導体ウェーハにおける個々の上記半導体チップを離間させる工程と、ダイシングの後に、上記半導体チップが貼り付けられた上記粘接着剤層を上記基材層から剥離し、半導体チップを上記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える。
【００１６】
本発明に係る接着剤層付き半導体チップの製造方法のある特定の局面では、半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、切り込みが形成された上記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼り付ける工程と、上記保護シートが貼り付けられた上記半導体ウェーハの裏面を研削し、上記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、上記積層体を得る工程とがさらに備えられる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、ダイシング時に、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングが貼り付けられ、上記ダイシング層の径が上記基材層の径よりも大きく、上記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、上記ダイシング層の径が１Ｘを超え、上記基材層の径が０．９１Ｘ以上であるので、上記粘接着剤層と上記基材層とを引き延ばすことにより、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って精度よく切断できる。この結果、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００１８】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットでは、ダイシング時に、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングが貼り付けられ、上記ダイシング層の径が上記基材層の径よりも大きく、上記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、上記ダイシング層の径が１Ｘを超え、上記基材層の径が０．９１Ｘ以上であるので、上記粘接着剤層と上記基材層とを引き延ばすことにより、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って精度よく切断できる。この結果、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、図１に示すダイシング−ダイボンディングテープの変形例を模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、図１に示すダイシング−ダイボンディングテープの他の変形例を模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は、粘接着剤層付き半導体チップを製造する際に用いられる積層体を得る各工程の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図７】図７（ａ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けるときの状態を示す正面断面図であり、図７（ｂ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けた後の状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２１】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、粘接着剤層と、上記粘接着剤層の一方の表面に積層されている基材層と、上記基材層の上記粘着剤層側とは反対の表面に積層されているダイシング層とを備える。本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、ダイシング時に、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングが貼り付けられる。上記ダイシング層の径は、上記基材層の径よりも大きい。上記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、上記ダイシング層の径が１Ｘを超え、上記基材層の径が０．９１Ｘ以上である。
【００２２】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットは、ダイシング−ダイボンディングテープと環状のダイシングリングとを有する。本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットで用いられる上記ダイシング−ダイボンディングテープは、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープである。
【００２３】
上記ダイシング層の径が上記基材層の径よりも大きく、上記ダイシング層の径が１Ｘを超えるので、上記ダイシング層にダイシングリングを貼り付けることが可能である。すなわち、上記ダイシング層にダイシングリングを貼り付けることが可能であるように、上記ダイシング層の径が１Ｘを超える。
【００２４】
本発明では、ダイシング時に、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングが貼り付けられ、上記ダイシング層の径が上記基材層の径よりも大きく、上記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、上記ダイシング層の径が１Ｘを超え、上記基材層の径が０．９１Ｘ以上であるので、上記粘接着剤層と上記基材層とを引き延ばすことにより、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って精度よく切断できる。この結果、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００２５】
具体的には、分割後半導体ウェーハの片面に上記粘接着剤層と上記基材層とを積層した後、該粘接着剤層と基材層とを引き延ばしたときに、上記基材層が切断されたり、割れたりせずに、分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って、粘接着剤層のみを精度よく切断することが可能になる。なお、上記分割後半導体ウェーハの片面に積層された粘接着剤層と基材層とを引き延ばしたときに、該粘接着剤層のみが切断される性質を割裂性と呼ぶことがある。
【００２６】
本発明では、上記粘接着剤層を加熱又は冷却したり、またはレーザー光を照射するなどの粘着剤層を改質しても良いが、改質しなくとも、上記粘接着剤層を常温で精度よく切断できる。粘接着剤層を改質しない場合には、粘接着剤層付き半導体チップの製造効率をかなり高めることができる。さらに、上記粘接着剤層を改質させるための設備を準備する必要もない。
【００２７】
本発明者らは、特に、上記基材層の径が大きいほど、粘接着剤層をより一層精度よく切断でき、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高めることができることを見出した。粘接着剤層をより一層精度よくダイシングし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記基材層の径は大きいほどよい。従って、粘接着剤層をより一層精度よくダイシングし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記基材層の径は好ましくは０．９２Ｘ以上、より好ましくは０．９３Ｘ以上、更に好ましくは０．９５Ｘ以上、最も好ましくは０．９７Ｘ以上である。
【００２８】
上記基材層の径は、ダイシングリングの内径と同じか、又はダイシングリングの内径よりも大きくてもよい。上記基材層の径は、１Ｘ以上であってもよく、１Ｘを超えていてもよく、１．００１Ｘ以上であってもよく、１．０１Ｘ以上であってもよく、１．０２Ｘ以上であってもよく、１．０３Ｘ以上であってもよい。
【００２９】
上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングを貼り付ける作業を容易にし、ダイシングリングに貼り付けられた上記ダイシング層の剥離を抑制する観点からは、上記基材層の径は、好ましくは１．０３Ｘ以下、より好ましくは１．０２Ｘ以下、より一層好ましくは１．０１Ｘ以下、更に好ましくは１．００１Ｘ以下、特に好ましくは１Ｘ以下、最も好ましくは１Ｘ未満である。
【００３０】
一方で、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングを貼り付ける作業を容易にし、ダイシングリングに貼り付けられた上記ダイシング層の剥離を抑制する観点からは、上記基材層の径は小さいほどよい。従って、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングを貼り付ける作業を容易にし、ダイシングリングに貼り付けられた上記ダイシング層の剥離を抑制する観点からは、上記基材層の径は、好ましくは０．９９Ｘ以下、より好ましくは０．９７Ｘ以下である。
【００３１】
上記ダイシング層の径が大きいほど、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングを貼り付ける作業が容易になり、ダイシングリングに貼り付けられた上記ダイシング層の剥離を抑制できる。このため、上記ダイシング層の径は、好ましくは１．０１Ｘ以上、より一層好ましくは１．０３Ｘ以上、更に好ましくは１．０６Ｘ以上である。
【００３２】
上記ダイシング層の径が上記基材層の径よりも大きいほど、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングを貼り付ける作業が容易になり、ダイシングリングに貼り付けられた上記ダイシング層の剥離を抑制できる。上記ダイシング層の径と上記基材層との径との差の絶対値は、好ましくは０．００１Ｘ以上、より好ましくは０．０１Ｘ以上、より一層好ましくは０．０２Ｘ以上、更に好ましくは０．０４Ｘ以上である。
【００３３】
上記ダイシング層の径は、上記ダイシングリングの外径と同じか、又は上記ダイシングリングの外径よりも小さいことが好ましい。
【００３４】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、上記基材層の一部の領域の径が上記ダイシング層の径よりも大きくてもよく、上記基材層の一部の領域の径が０．９１Ｘ（又は好ましい上限以下）未満であってもよい。但し、上記基材層の径が上記ダイシング層の径よりも大きい一部の領域又は上記基材層の径が０．９１Ｘ未満（又は好ましい上限以下）である一部の領域は、基材層の外周の３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが更に好ましく、５％以下であることが特に好ましく、０％であることが最も好ましい。言い換えれば、上記基材層の径が上記ダイシング層の径よりも小さい領域又は上記基材層の径が０．９１Ｘ以上（又は好ましい下限以上）である領域は、上記基材層の外周の７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましく、９５％以上であることが特に好ましく、１００％であることが最も好ましい。上記基材層の径が上記ダイシング層の径よりも小さい領域又は上記基材層の径が０．９１Ｘ以上（又は好ましい下限以上）である領域が多いほど、粘接着剤層のみをより一層精度よく切断することが可能である。
【００３５】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、上記ダイシング層の一部の領域の径が１Ｘ以下であってもよい。但し、上記ダイシング層の径が１Ｘ以下（又は好ましい上限以下）である一部の領域は、上記ダイシング層の外周の３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが更に好ましく、５％以下であることが特に好ましく、０％であることが最も好ましい。言い換えれば、上記ダイシング層の径が１Ｘ以上（又は好ましい下限以上）である領域は、上記ダイシング層の外周の７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましく、９５％以上であることが特に好ましく、１００％であることが最も好ましい。上記ダイシング層の径が１Ｘ以上（又は好ましい下限以上）である領域が多いほど、ダイシングリングに貼り付けられた上記ダイシング層の剥離をより一層抑制できる。
【００３６】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法は、上述したダイシング−ダイボンディングテープ又は上述した粘接着剤層付き半導体チップの作製キットを用いて、かつ、保護シート及び該保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体を用いて、上記ダイシング−ダイボンディングテープの上記粘接着剤層を、上記積層体の上記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、上記ダイシング層を環状の上記ダイシングリングに貼り付ける工程と、上記保護シートを上記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、上記粘接着剤層と上記基材層とを引き延ばすことにより、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ上記分割後半導体ウェーハにおける個々の上記半導体チップを離間させる工程と、ダイシングの後に、上記半導体チップが貼り付けられた上記粘接着剤層を上記基材層から剥離し、半導体チップを上記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える。
【００３７】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法では、上記粘接着剤層と上記基材層とを引き延ばすことにより、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って精度よく切断できる。この結果、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００３８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３９】
（ダイシング−ダイボンディングテープ）
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す図である。図１（ａ）は部分切欠平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分切欠正面断面図である。なお、図１及び後述の図では、図示の便宜上、寸法及び大きさは、実際の寸法及び大きさから適宜変更している。
【００４０】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型層２を有する。離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３と、基材層４と、ダイシング層５とがこの順に積層されている。粘接着剤層３の一方の表面３ａ（第１の表面）に、基材層４が積層されている。粘接着剤層３の他方の表面３ｂ（第２の表面）に離型層２が積層されている。基材層４の一方の表面４ａ（第１の表面）に粘接着剤層３が積層されている。基材層４の粘接着剤層３側とは反対の他方の表面４ｂ（第２の表面）に、ダイシング層５が積層されている。
【００４１】
長尺状の離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を有する複数の積層物が等間隔に配置されている。該積層物の側方において、離型層２の上面２ａに保護シートが設けられていてもよい。
【００４２】
粘接着剤層３及び基材層４の平面形状は、略円形である。ダイシング層５の平面形状は略円形である。粘接着剤層３の径は、基材層４の径と同じであってもよく、異なってもよい。基材層４の径は、粘接着剤層３の径よりも大きいことが好ましい。基材層４の外周側面は、粘接着剤層３の外周側面３ｃよりも外側に張り出していることが好ましい。また、基材層４の外周側面は、粘接着剤層３により覆われていないことが好ましく、粘着性を有さないことが好ましい。粘接着剤層３と基材層４との大きさがこのような好ましい関係を満足すると、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、基材層４が設けられている位置に対応する部分に半導体ウェーハを正確に位置合わせできる。また、半導体ウェーハを粘接着剤層３により一層確実に貼り付けることができる。
【００４３】
ダイシング層５の径は、粘接着剤層３及び基材層４の径よりも大きい。ダイシング層５の外周側面は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側に張り出している。ダイシング層５と粘接着剤層３及び基材層４との大きさがこのような好ましい関係を満足することによっても、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の基材層４が貼り付けられている部分に、半導体ウェーハを正確に位置合わせすることができる。貼り付けの後には、半導体ウェーハが貼り付けられた粘接着剤層３の一方の表面３ａ上に基材層４を確実に配置できる。このため、基材層４からの粘接着剤層３の剥離性を高めることで、ダイシングの後に、粘接着剤層３付き半導体チップを、基材層４から容易に剥離できる。特に、基材層４が非粘着性を有する非粘着層である場合には、粘接着剤層３付き半導体チップを、基材層４からより一層容易に剥離できる。このため、生産ロスを低減でき、歩止まりを向上できる。さらに、ダイシングリングと半導体ウェーハとを異なる層に貼り付けることができるので、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とをそれぞれ最適な材料により構成できる。このため、切削性及びピックアップ性と、ダイボンディング後の接合信頼性とを高くすることができる。
【００４４】
離型層２は、例えば、離型フィルムである。離型層２は、粘接着剤層３の半導体ウェーハが貼り付けられる他方の面３ｂを保護するために用いられる。なお、離型層２は、必ずしも用いられていなくてもよい。
【００４５】
離型層２を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、及びポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。
【００４６】
離型層２の表面は離型処理されていてもよい。離型層は単層であってもよく、複数層であってもよい。離型層が複数層である場合には、各層は異なる樹脂により形成されていてもよい。
【００４７】
離型層２の取扱い性又は剥離性をより一層高める観点からは、離型層２の厚みは、好ましくは１０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。
【００４８】
粘接着剤層３は、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。粘接着剤層３は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接合するために用いられる。
【００４９】
粘接着剤層３は、例えば適宜の硬化性樹脂などの硬化性化合物を含む硬化性樹脂組成物、又は熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。粘接着剤層３付き半導体チップを得た後に、得られた粘接着剤層３付き半導体チップを粘接着剤層３側から基板等の被着体に積層する。その後、熱又は光のエネルギーを与えて、粘接着剤層３を硬化させることにより、粘接着剤層３を介して、被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。
【００５０】
上記硬化性樹脂組成物を硬化させるために、硬化剤が用いられる。該硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤もしくはジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、及びカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤と硬化促進剤とを併用してもよい。
【００５１】
粘接着剤層３の厚みは特に限定されない。粘接着剤層３の厚みは、好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。粘接着剤層３の厚みは、より好ましくは３μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以下である。粘接着剤層３の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、半導体チップの貼り付けが容易であり、更に半導体装置の薄型化に対応できる。
【００５２】
基材層４は、粘着性を有していてもよく、非粘着性を有していてもよい。基材層４は、非粘着性を有することが好ましい。
【００５３】
なお、「非粘着性」とは、表面が粘着性を有さないだけでなく、表面を指で触ったときにくっつかない程度の粘着性を有する場合も含まれることとする。具体的には、「非粘着」とは、基材層４をステンレス板に貼り付けて、基材層４を３００ｍｍ／分の剥離速度で剥離したときに、粘着力が０．０５Ｎ／２５ｍｍ幅以下であることを意味する。
【００５４】
基材層４は、例えば、活性エネルギー線硬化型又は熱硬化型の粘着性を有する組成物を用いて形成できる。基材層４が非粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線の照射量を多くすればよい。基材層４が粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線を照射しなかったり、活性エネルギー線の照射量を少なくしたりすればよい。
【００５５】
基材層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物により形成されていることが好ましい。基材層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されていることが好ましい。この場合には、ダイシングの際の切削性をより一層高くすることができる。また、基材層４の極性、貯蔵弾性率又は破断伸度を容易に制御及び設計できる。
【００５６】
上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーとして、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが好適に用いられる。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの使用により、基材層４の極性が充分に低くなり、基材層４の表面エネルギーが低くなり、かつ粘接着剤層３の基材層４からの剥離性が高くなる。
【００５７】
上記組成物は、活性エネルギー線反応開始剤及び熱反応開始剤の内の少なくとも一方を含むことが好ましく、活性エネルギー線反応開始剤を含むことがより好ましい。活性エネルギー線反応開始剤は、光反応開始剤であることが好ましい。
【００５８】
上記活性エネルギー線には、紫外線、電子線、α線、β線、γ線、Ｘ線、赤外線及び可視光線が含まれる。これらの活性エネルギー線のなかでも、硬化性に優れ、かつ硬化物が劣化し難いため、紫外線又は電子線が好ましい。
【００５９】
上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。上記熱反応開始剤としては、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記組成物には、粘着力を制御するためにイソシアネート系架橋剤を添加してもよい。
【００６０】
基材層４の厚みは特に限定されない。基材層４の厚みは、好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。基材層４の厚みは、より好ましくは５μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以下である。基材層４の厚みが上記下限以上であると、エクスパンド性がより一層高くなる。基材層４の厚みが上記上限以下であると、厚みがより一層均一になり、ダイシングの精度がよく一層高くなる。
【００６１】
ダイシング層５は、基材５Ａと、基材５Ａの一方の表面（第１の表面）に積層された粘着剤層５Ｂとを有する。基材層４の他方の表面４ｂに、ダイシング層５が粘着剤層５Ｂ側から貼り付けられている。ダイシング層５は、基材層４を介して粘接着剤層３に間接的に貼り付けられている。
【００６２】
ダイシング層５は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側に張り出している延長部５ｘを有する。ダイシング層５の延長部５ｘの片面が、粘着剤層５Ｂにより離型層２の上面２ａに貼り付けられている。すなわち、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側の領域で、ダイシング層５が離型層２の上面２ａに貼り付けられている。
【００６３】
ダイシング層５が延長部５ｘを有するのは、粘接着剤層３の表面３ｂに半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の外周側面３ｃよりも外側に位置する延長部５ｘの粘着剤層５Ｂに、ダイシングリングを貼り付けるためである。
【００６４】
ダイシング層５の基材５Ａを構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、及びポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系樹脂が好適に用いられる。
【００６５】
粘着剤層５Ｂは特に限定されない。粘着剤層５Ｂを構成する粘着剤の具体例として、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤及びゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、感圧タイプのアクリル系粘着剤が好ましい。感圧タイプのアクリル系粘着剤が用いられた場合、ダイシングリングを粘着剤層５Ｂからより一層容易に剥離できる。さらに、粘着剤層５Ｂのコストを低減できる。基材層４とダイシング層５との剥離力は、粘接着剤層３と基材層４との剥離力よりも大きいことが好ましい。このような剥離力を満足するように粘着剤層５Ｂが構成されていることが好ましい。
【００６６】
ダイシング層５の厚みは特に限定されない。ダイシング層５の厚みは、好ましくは１０μｍ以上、好ましくは２００μｍ以下である。ダイシング層５の厚みは、より好ましくは６０μｍ以上、より好ましくは１５０μｍ以下である。ダイシング層５の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、離型層２の剥離性及びダイシング層５のエクスパンド性がより一層高くなる。
【００６７】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイシング層５は略円形である。図２（ａ）及び（ｂ）に、ダイシング−ダイボンディングテープの変形例を示す。図１（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１と図２に示すダイシング−ダイボンディングテープ１１とでは、ダイシング層の形状のみが異なる。ダイシング−ダイボンディングテープ１におけるダイシング層５及びダイシング−ダイボンディングテープ１１におけるダイシング層１２はともに略円形である。ダイシング−ダイボンディングテープ１１におけるダイシング層１２は貼付起点１２Ｃを有する。より具体的には、ダイシング層１２は、貼付起点１２Ｃ部分を除いて円形である。ダイシング層１２では、ダイシング層１２の径に関しては、貼付起点１２を除く部分の径が上述した関係を満足する。ダイシング層１２は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側に張り出している延長部１２ｘを有する。ダイシング層１２の延長部１２ｘの片面が、粘着剤層１２Ｂにより離型層２の上面２ａに貼り付けられている。
【００６８】
このように、ダイシング層の一部の領域に貼付起点が設けられていていることが好ましい。また、１つのダイシング層に複数の貼付起点が設けられていることが好ましく、少なくとも２つの貼付起点が設けられていることが好ましい。１つのダイシング層に複数の貼付起点が設けられている場合には、ダイシング層の一端側と該一端側とは反対の他端側とに、貼付起点が設けられていることが好ましい。この場合には、ダイシング−ダイボンディングテープの使用時の方向性をなくすことができる。また、例えば、一端側の貼付起点からダイシング層をうまく貼り付けられない場合などに、他端側の貼付起点からダイシング層を貼り付けることが可能である。より具体的には、一端側の貼付起点からダイシング層をうまく貼り付けられない場合などに、長尺状のダイシング−ダイボンディングテープを一旦巻き取った後に、再度巻き出すことにより、他端側の貼付起点からダイシング層を貼り付けることが可能である。
【００６９】
また、図１（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイシング層５は、基材５Ａと粘着剤層５Ｂとが積層された多層構造を有する。図３（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１６のように、単層のダイシング層１６を形成してもよい。この場合には、ダイシング層１６を、粘着性を有する材料により形成することが好ましい。
【００７０】
（粘接着剤層付き半導体チップの製造方法）
次に、図１（ａ），（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法の一例を以下説明する。
【００７１】
先ず、ダイシング−ダイボンディングテープ１と、積層体２１とを有する。
【００７２】
図４（ｄ）に示すように、積層体２１は、保護シート２２と、保護シート２２の一方の表面２２ａ（第１の表面）に積層されている分割後半導体ウェーハ２３とを有する。分割後半導体ウェーハ２３は個々の半導体チップに分割されている。分割後半導体ウェーハ２３の平面形状は略円形である。
【００７３】
積層体２１は、図４（ａ）〜（ｄ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。
【００７４】
先ず、図４（ａ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａを用意する。半導体ウェーハ２３Ａは分割前半導体ウェーハである。半導体ウェーハ２３Ａの平面形状は略円形である。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、マトリックス状にストリートによって区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。
【００７５】
図４（ｂ）に示すように、用意した半導体ウェーハ２３Ａを表面２３ａ側からダイシングする。ダイシングの後、半導体ウェーハ２３Ａは分断されていない。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、個々の半導体チップに分割するための切り込み２３ｃが形成されている。ダイシングは、例えば、高速回転するブレードを備えるダイシング装置等を用いて行われる。
【００７６】
次に、図４（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａに、保護シート２２を貼り付ける。その後、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂを研削し、半導体ウェーハ２３Ａの厚みを薄くする。ここでは、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削している。このようにして、図４（ｄ）に示す積層体２１を得ることができる。
【００７７】
半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削することが好ましい。研削は、例えば研削磁石等を備えるグラインダなどの研削機を用いて行われる。研削時には、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには保護シート２２が貼り付けられているので、回路に研削屑が付着しない。また、研削後に半導体ウェーハ２３Ａが個々の半導体チップに分割されても、複数の半導体チップがばらばらにならずに保護シート２２に貼り付けられたままである。
【００７８】
積層体２１を得た後、図５（ａ）に示すように、積層体２１を保護シート２２側からステージ２５上に載せる。ステージ２５上には、分割後半導体ウェーハ２３の外周側面から一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２６が設けられている。ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着剤層３の他方の表面３ｂを、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付ける。また、露出したダイシング層５の延長部５ｘに位置する粘着剤層５Ｂを、円環状のダイシングリング２６に貼り付ける。
【００７９】
図７（ａ）にダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付ける際の状態を正面断面図で示し、図７（ｂ）にダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けた後の状態を平面図で示す。
【００８０】
図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、通常、ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付ける際には、剥離エッジ３２を用いて、ダイシング層５を離型層２の上面２ａから剥離する。ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けて、ロール３１で押さえ付ける。そして、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に皺が生じないように、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を引き延ばしながら、ダイシング層５の外周部分をダイシングリング２６に貼り付ける。なお、図７（ｂ）では、基材層４の径はＡ、ダイシング層５の径はＢ、ダイシングリング２６の内径はＸ、ダイシングリング２６の外径はＹである。
【００８１】
ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けた後、図５（ｂ）に示すように、粘接着剤層３が貼り付けられた分割後半導体ウェーハ２３をステージ２５から取り出して、裏返す。このとき、ダイシングリング２６をダイシング層５に貼り付けた状態で取り出す。取り出した分割後半導体ウェーハ２３を表面２３ａが上方になるように裏返して、別のステージ２７上に載せる。
【００８２】
次に、図６（ａ）に示すように、分割後半導体ウェーハ２３の表面２３ａから保護シート２２を剥離する。保護シート２２を剥離する際に、剥離を容易にするために、保護シート２２を加熱してもよい。ただし、保護シート２２を加熱する際に、粘接着剤層３を改質しないほうが好ましい。
【００８３】
次に、図６（ｂ）に示すように、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを引き延ばして、粘接着剤層をのみを切断する。このとき、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃに沿って切断し、かつ分割後半導体ウェーハ２３における個々の半導体チップを離間させる。粘接着剤層３は、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付けられているため、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃに沿って、すなわちダイシングラインに沿って、粘接着剤層３を切断できる。粘接着剤層３の切断の後に、粘接着剤層３には切断部分３ｃが形成される。
【００８４】
なお、本明細書では、粘接着剤層３を引き延ばして切断することを、割裂するともいう。粘接着剤層３を引き延ばして切断する作業（割裂）には、ダイシングも含まれることとし、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３を引き延ばして切断する（割裂する）ために用いることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１は、言い換えれば、割裂−ダイボンディングテープである。
【００８５】
粘接着剤層３を引き延ばす方法としては、例えば、粘接着剤層３の下方から突き上げて、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に、図６（ｂ）に示す力Ａを付与する方法が挙げられる。力Ａの付与により、結果として粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に外側に向かって引っ張られる力Ｂ１，Ｂ２が付与され、粘接着剤層３が引き延ばされる。
【００８６】
基材層４及びダイシング層５の大きさが特定の上記関係を満たす。従って、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を引き延ばすことにより、基材層４が切断されることなく、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃに沿って、粘接着剤層３のみを精度よく切断できる。このため、半導体チップの下方において、粘接着剤層３の欠けが生じ難い。粘接着剤層３を精度よく切断できるため、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性が高くなる。粘接着剤層３の欠けが生じ難いので、粘接着剤層付き半導体チップを接着対象部材に積層して接着させた場合に、半導体チップが傾き難く、かつ半導体チップの接合信頼性が高くなる。
【００８７】
粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを引き延ばす前又は間に、粘接着剤層３を改質しないことが好ましい。粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５を引き延ばす前又は間に、粘接着剤層３を改質するために、粘接着剤層３を加熱及び冷却せず、かつレーザー光を照射しないことが好ましい。粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５を引き延ばす前又は間に、粘接着剤層３を改質するために、粘接着剤層３を加熱（保護シート２２を剥離するための加熱を除く）及び冷却せず、かつレーザー光を照射しないことが好ましい。ただし、粘接着剤層３を改質してもよい。粘接着剤層３を改質しない場合には、粘接着剤層３付き半導体チップの製造効率がかなり高くなる。
【００８８】
粘接着剤層３を切断した後、粘接着剤層３が積層された状態で、半導体チップを粘接着剤層３ごと基材層４から剥離して、取り出す。このようにして、粘接着剤層３付き半導体チップを得ることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合には、分割後半導体ウェーハ２３が貼り付けられている粘接着剤層３部分の下方には、非粘着性を有する基材層４が位置しているので、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性が高くなる。粘接着剤層３の切断の後、粘接着剤層３付き半導体チップを基材層４から剥離する前に、ダイシング層５を引き延ばして、個々の半導体チップ間の間隔をさらに拡張してもよい。
【００８９】
以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【００９０】
（アクリル系ポリマー１）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤であるイルガキュア６５１（チバ・ジャパン社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）３．５重量部を反応させて、アクリル共重合体（アクリル系ポリマー１）を得た。得られたアクリル系ポリマー１の重量平均分子量は７０万であり、酸価は０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
【００９１】
また、基材層を形成するための組成物を構成する材料として、以下の化合物を用意した。
【００９２】
（光重合開始剤）
イルガキュア６５１（チバ・ジャパン社製）
【００９３】
（オリゴマー）
Ｕ３２４Ａ：新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー（１０官能のウレタンアクリルオリゴマー）、重量平均分子量：１，３００
【００９４】
（架橋剤）
コロネートＬ−４５：日本ポリウレタン工業社製、イソシアネート系架橋剤
【００９５】
（ダイシング層）
ポリエチレン（プライムポリマー社製、Ｍ１２）を原料として用いて、Ｔダイ法により、厚み１００μｍのダイシング層であるポリエチレンフィルムを製造した。
【００９６】
（実施例１）
実施例１では、図１（ａ），（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープを形成した。
【００９７】
上記アクリル系ポリマー１を１００重量部と、イルガキュア６５１を１重量部と、ウレタンアクリルオリゴマーであるＵ３２４Ａを１５重量部と、コロネートＬ−４５を１重量部とを配合し、組成物を得た。得られた組成物を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、１１０℃で５分間乾燥し、溶媒を除去し、組成物層を形成した。
【００９８】
次に、得られた組成物層の全領域に、水銀灯を用いて、２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーとなるように光を照射し、組成物層を硬化させた。このようにして、非粘着性を有する非粘着層である基材層（厚み２０μｍ）を得た。
【００９９】
得られた基材層を用いて、以下の要領で、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【０１００】
Ｇ−２０５０Ｍ（日油社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（ＤＩＣ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ）７０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（ＤＩＣ社製、ナフタレン型エポキシ）１５重量部と、ＹＨ−３０９（三菱化学社製、酸無水物系硬化剤）３８重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部と、ＭＴ−１０（トクヤマ社製、表面疎水化ヒュームドシリカ）４重量部とを配合し、配合物を得た。得られた配合物を溶剤であるメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０重量％となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。
【０１０１】
得られた塗液を離型ＰＥＴフィルム上に厚み７μｍになるように塗工し、１１０℃のオーブン内で２分間加熱乾燥した。このようにして、離型ＰＥＴフィルム上に、粘接着剤層を形成した。その後、粘接着剤層を円形に切り抜いた。
【０１０２】
次に、粘接着剤層の離型ＰＥＴフィル側とは反対の表面上に、得られた基材層を６０℃でラミネートし、ラミネート体を得た。基材層が粘接着剤層よりも大きく、基材層が粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有するように、基材層を円形に切り抜いた。
【０１０３】
その後、基材層の粘接着剤層側とは反対の表面上に、ダイシング層であるエレグリップＵＨＰ−０８１０ＦＸ（オレフィン基材（基材の厚み８０μｍ）の片面にアクリル系粘着剤層（粘着剤層の厚み１０μｍ）が形成されたＵＶ硬化型ダイシングテープ、電気化学工業社製）を粘着剤層側から貼り付けた。
【０１０４】
その後、ダイシング層を切り抜いた。このようにして、離型ＰＥＴフィルム／粘接着剤層／基材層／ダイシング層がこの順で積層された４層の積層構造を有するダイシング−ダイボンディングテープを作製した。得られたダイシング−ダイボンディングテープでは、粘接着剤層、基材層及びダイシング層の径は下記の表１に示す値であった。
【０１０５】
また、下記の表１に示す内径及び外径を有するダイシングリングを用意した。
【０１０６】
（評価）
直径３００ｍｍ（１２ｉｎｃｈ）の半導体ウェーハ（シリコンウェーハ、厚み８０μｍ）の表面に深さ１００μｍの切り込みを入れた。次に、半導体ウェーハの表面に保護シートであるバックグラインディングテープ イクロスＳＢ１３５Ｓ−ＢＮ（三井化学社製、オレフィンの片面にアクリル系粘着剤が塗布されている）をアクリル系粘着剤側からラミネートした。次に、半導体ウェーハの厚みが５０μｍになるまで半導体ウェーハの裏面の研磨と鏡面仕上げを行った。このようにして、保護シートと、分割後半導体ウェーハとの積層体を得た。
【０１０７】
次に、ウェーハマウンターＤＡＭ−８１２Ｍ（タカトリ社製）を用いてダイシング−ダイボンディングテープを積層体の分割後半導体ウェーハの裏面及びダイシングリングに貼り付けた。尚、積層体の分割後半導体ウェーハをのせるステージは６０℃に設定した。
【０１０８】
次に、粘接着剤層が貼り付けられた分割後半導体ウェーハをステージから取り出して、裏返し、別のステージ上に載せた。その後、分割後半導体ウェーハの表面から、６０℃で保護シートを剥離した。このとき、粘接着剤層は改質しなかった。
【０１０９】
ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、２５℃でエクスパンド量４．５ｍｍとして、粘接着剤層と基材層とダイシング層とを引き延ばして、粘接着剤層を切断した。
【０１１０】
粘接着剤層の切断の後に、分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って粘着剤層が切断されている個々の半導体チップの数の割合を評価した。
【０１１１】
次に、割裂後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップ温度２５℃の条件で、２０個の粘接着剤層付き半導体チップを連続してピックアップした。粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を下記の基準で判定した。
【０１１２】
［ピックアップ性の判定基準］
○：ピックアップできなかった粘接着剤層付き半導体チップなし
×：ピックアップできなかった粘接着剤層付き半導体チップあり
【０１１３】
結果を下記の表１に示す。
【０１１４】
【表１】
【符号の説明】
【０１１５】
１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型層
２ａ…上面
３…粘接着剤層
３ａ…一方の表面
３ｂ…他方の表面
３ｃ…外周側面
３ｄ…切断部分
４…基材層
４ａ…一方の表面
４ｂ…他方の表面
５…ダイシング層
５Ａ…基材
５Ｂ…粘着剤層
５ｘ…延長部
１１，１６…ダイシング−ダイボンディングテープ
１２，１７…ダイシング層
１２Ａ…基材
１２Ｂ…粘着剤層
１２Ｃ…貼付起点
１２ｘ…延長部
２１…積層体
２２…保護シート
２２ａ…一方の表面
２３…分割後半導体ウェーハ
２３Ａ…半導体ウェーハ
２３ａ…表面
２３ｂ…裏面
２３ｃ…切り込み
２５…ステージ
２６…ダイシングリング
２７…ステージ
３１…ロール
３２…剥離エッジ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられ、該粘接着剤層付き半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの作製キット及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハから半導体チップを切り出す際には、先ダイシング法と呼ばれているダイシング法が用いられている。先ダイシング法の一例は、例えば、下記の特許文献１に開示されている。
【０００３】
先ダイシング法では、先ず、半導体ウェーハの表面に切り込みを形成する。次に、切り込みが形成された半導体ウェーハの表面に、保護シートを貼り付ける。その後、半導体ウェーハの裏面を切り込み部分まで研削して、半導体ウェーハの厚みを薄くし、個々の半導体チップに分割する。個々の半導体チップに分割された分割後半導体ウェーハの表面には、保護シートが貼り付けられている。
【０００４】
また、上記先ダイシング法により得られた個々の半導体チップを基板上に容易に実装するために、半導体チップの裏面にダイボンディング層が貼り付けられることが多い。このダイボンディング層付き半導体チップを得るために、ダイボンディング層とダイシング層とを備えるダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。
【０００５】
ダイシング−ダイボンディングテープの一例として、下記の特許文献２，３には、接着シートと基材（ダイシングテープ）とが積層されたダイシング−ダイボンディングテープが開示されている。このダイシング−ダイボンディングテープにおける接着シートは、ダイボンディング層であり、半導体チップに接着剤層を積層して、接着剤層付き半導体チップを得るためのシートである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２４５４６７号公報
【特許文献２】特開２００５−２６０２０４号公報
【特許文献３】特開２００６−０８０１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２，３に記載のダイシング−ダイボンディングテープを用いて接着剤層付き半導体チップを得る際には、ダイシング−ダイボンディングテープを接着シート側から、分割後半導体ウェーハに貼り付ける。次に、レーザー光を照射したり、加熱又は冷却等したりして、接着シートを改質させる。次に、改質された接着シートと基材とを引き延ばして、該接着シートを分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ個々の半導体チップを離間して、半導体チップの下面に切断された接着剤層を形成する。その後、接着剤層付き半導体チップを基材から剥離して、取り出す。取り出された接着剤層付き半導体チップは、接着剤層側から基板上に実装される。
【０００８】
特許文献２，３に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、基材と接着シートとを引き延ばしたときに、接着シートが所望の位置で適切に切断されないことがある。例えば、半導体チップの下方に、接着剤層が確実に配置されないことがある。このため、接着剤層付き半導体チップを接着対象部材に積層して接着させた場合に、半導体チップが傾いたり、半導体チップが十分に接着されなかったりする。
【０００９】
さらに、特許文献２，３では、ダイシング−ダイボンディングテープを接着シート側から、分割後半導体ウェーハに貼り付けた後に、レーザー光を照射したり、加熱又は冷却等したりして、接着シートを改質させている。特許文献２，３では、このような改質させる余計な工程を実施する必要があり、余計な時間がかかる。さらに、このような改質を行うための設備を準備しなければならない。
【００１０】
本発明の目的は、粘接着剤層を精度よく切断でき、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの作製キット及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の広い局面によれば、粘接着剤層と、上記粘接着剤層の一方の表面に積層されている基材層と、上記基材層の上記粘着剤層側とは反対の表面に積層されているダイシング層とを備え、ダイシング時に、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングが貼り付けられ、上記ダイシング層の径が上記基材層の径よりも大きく、上記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、上記ダイシング層の径が１Ｘを超え、上記基材層の径が０．９１Ｘ以上である、ダイシング−ダイボンディングテープが提供される。
【００１２】
本発明の広い局面によれば、ダイシング−ダイボンディングテープと環状のダイシングリングとを有する粘接着剤層付き半導体チップの作製キットであって、上記ダイシング−ダイボンディングテープが、粘接着剤層と、上記粘接着剤層の一方の表面に積層されている基材層と、上記基材層の上記粘着剤層側とは反対の表面に積層されているダイシング層とを備え、ダイシング時に、上記ダイシング層の外周部分に環状の上記ダイシングリングが貼り付けられ、上記ダイシング層の径が上記基材層の径よりも大きく、上記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、上記ダイシング層の径が１Ｘを超え、上記基材層の径が０．９１Ｘ以上である、粘接着剤層付き半導体チップの作製キットが提供される。
【００１３】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープ及び本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットのある特定の局面では、上記基材層が、非粘着性を有する非粘着層である。
【００１４】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープ及び本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットの他の特定の局面では、上記基材層は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されている。
【００１５】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法は、上述したダイシング−ダイボンディングテープ又は上述した粘接着剤層付き半導体チップの作製キットを用いて、かつ保護シート及び該保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体を用いて、上記ダイシング−ダイボンディングテープの上記粘接着剤層を、上記積層体の上記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、上記ダイシング層を環状の上記ダイシングリングに貼り付ける工程と、上記保護シートを上記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、上記粘接着剤層と上記基材層とを引き延ばすことにより、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ上記分割後半導体ウェーハにおける個々の上記半導体チップを離間させる工程と、ダイシングの後に、上記半導体チップが貼り付けられた上記粘接着剤層を上記基材層から剥離し、半導体チップを上記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える。
【００１６】
本発明に係る接着剤層付き半導体チップの製造方法のある特定の局面では、半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、切り込みが形成された上記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼り付ける工程と、上記保護シートが貼り付けられた上記半導体ウェーハの裏面を研削し、上記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、上記積層体を得る工程とがさらに備えられる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、ダイシング時に、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングが貼り付けられ、上記ダイシング層の径が上記基材層の径よりも大きく、上記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、上記ダイシング層の径が１Ｘを超え、上記基材層の径が０．９１Ｘ以上であるので、上記粘接着剤層と上記基材層とを引き延ばすことにより、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って精度よく切断できる。この結果、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００１８】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットでは、ダイシング時に、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングが貼り付けられ、上記ダイシング層の径が上記基材層の径よりも大きく、上記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、上記ダイシング層の径が１Ｘを超え、上記基材層の径が０．９１Ｘ以上であるので、上記粘接着剤層と上記基材層とを引き延ばすことにより、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って精度よく切断できる。この結果、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、図１に示すダイシング−ダイボンディングテープの変形例を模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、図１に示すダイシング−ダイボンディングテープの他の変形例を模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は、粘接着剤層付き半導体チップを製造する際に用いられる積層体を得る各工程の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図７】図７（ａ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けるときの状態を示す正面断面図であり、図７（ｂ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けた後の状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２１】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、粘接着剤層と、上記粘接着剤層の一方の表面に積層されている基材層と、上記基材層の上記粘着剤層側とは反対の表面に積層されているダイシング層とを備える。本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、ダイシング時に、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングが貼り付けられる。上記ダイシング層の径は、上記基材層の径よりも大きい。上記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、上記ダイシング層の径が１Ｘを超え、上記基材層の径が０．９１Ｘ以上である。
【００２２】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットは、ダイシング−ダイボンディングテープと環状のダイシングリングとを有する。本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの作製キットで用いられる上記ダイシング−ダイボンディングテープは、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープである。
【００２３】
上記ダイシング層の径が上記基材層の径よりも大きく、上記ダイシング層の径が１Ｘを超えるので、上記ダイシング層にダイシングリングを貼り付けることが可能である。すなわち、上記ダイシング層にダイシングリングを貼り付けることが可能であるように、上記ダイシング層の径が１Ｘを超える。
【００２４】
本発明では、ダイシング時に、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングが貼り付けられ、上記ダイシング層の径が上記基材層の径よりも大きく、上記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、上記ダイシング層の径が１Ｘを超え、上記基材層の径が０．９１Ｘ以上であるので、上記粘接着剤層と上記基材層とを引き延ばすことにより、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って精度よく切断できる。この結果、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００２５】
具体的には、分割後半導体ウェーハの片面に上記粘接着剤層と上記基材層とを積層した後、該粘接着剤層と基材層とを引き延ばしたときに、上記基材層が切断されたり、割れたりせずに、分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って、粘接着剤層のみを精度よく切断することが可能になる。なお、上記分割後半導体ウェーハの片面に積層された粘接着剤層と基材層とを引き延ばしたときに、該粘接着剤層のみが切断される性質を割裂性と呼ぶことがある。
【００２６】
本発明では、上記粘接着剤層を加熱又は冷却したり、またはレーザー光を照射するなどの粘着剤層を改質しても良いが、改質しなくとも、上記粘接着剤層を常温で精度よく切断できる。粘接着剤層を改質しない場合には、粘接着剤層付き半導体チップの製造効率をかなり高めることができる。さらに、上記粘接着剤層を改質させるための設備を準備する必要もない。
【００２７】
本発明者らは、特に、上記基材層の径が大きいほど、粘接着剤層をより一層精度よく切断でき、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高めることができることを見出した。粘接着剤層をより一層精度よくダイシングし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記基材層の径は大きいほどよい。従って、粘接着剤層をより一層精度よくダイシングし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記基材層の径は好ましくは０．９２Ｘ以上、より好ましくは０．９３Ｘ以上、更に好ましくは０．９５Ｘ以上、最も好ましくは０．９７Ｘ以上である。
【００２８】
上記基材層の径は、ダイシングリングの内径と同じか、又はダイシングリングの内径よりも大きくてもよい。上記基材層の径は、１Ｘ以上であってもよく、１Ｘを超えていてもよく、１．００１Ｘ以上であってもよく、１．０１Ｘ以上であってもよく、１．０２Ｘ以上であってもよく、１．０３Ｘ以上であってもよい。
【００２９】
上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングを貼り付ける作業を容易にし、ダイシングリングに貼り付けられた上記ダイシング層の剥離を抑制する観点からは、上記基材層の径は、好ましくは１．０３Ｘ以下、より好ましくは１．０２Ｘ以下、より一層好ましくは１．０１Ｘ以下、更に好ましくは１．００１Ｘ以下、特に好ましくは１Ｘ以下、最も好ましくは１Ｘ未満である。
【００３０】
一方で、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングを貼り付ける作業を容易にし、ダイシングリングに貼り付けられた上記ダイシング層の剥離を抑制する観点からは、上記基材層の径は小さいほどよい。従って、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングを貼り付ける作業を容易にし、ダイシングリングに貼り付けられた上記ダイシング層の剥離を抑制する観点からは、上記基材層の径は、好ましくは０．９９Ｘ以下、より好ましくは０．９７Ｘ以下である。
【００３１】
上記ダイシング層の径が大きいほど、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングを貼り付ける作業が容易になり、ダイシングリングに貼り付けられた上記ダイシング層の剥離を抑制できる。このため、上記ダイシング層の径は、好ましくは１．０１Ｘ以上、より一層好ましくは１．０３Ｘ以上、更に好ましくは１．０６Ｘ以上である。
【００３２】
上記ダイシング層の径が上記基材層の径よりも大きいほど、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングを貼り付ける作業が容易になり、ダイシングリングに貼り付けられた上記ダイシング層の剥離を抑制できる。上記ダイシング層の径と上記基材層との径との差の絶対値は、好ましくは０．００１Ｘ以上、より好ましくは０．０１Ｘ以上、より一層好ましくは０．０２Ｘ以上、更に好ましくは０．０４Ｘ以上である。
【００３３】
上記ダイシング層の径は、上記ダイシングリングの外径と同じか、又は上記ダイシングリングの外径よりも小さいことが好ましい。
【００３４】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、上記基材層の一部の領域の径が上記ダイシング層の径よりも大きくてもよく、上記基材層の一部の領域の径が０．９１Ｘ（又は好ましい上限以下）未満であってもよい。但し、上記基材層の径が上記ダイシング層の径よりも大きい一部の領域又は上記基材層の径が０．９１Ｘ未満（又は好ましい上限以下）である一部の領域は、基材層の外周の３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが更に好ましく、５％以下であることが特に好ましく、０％であることが最も好ましい。言い換えれば、上記基材層の径が上記ダイシング層の径よりも小さい領域又は上記基材層の径が０．９１Ｘ以上（又は好ましい下限以上）である領域は、上記基材層の外周の７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましく、９５％以上であることが特に好ましく、１００％であることが最も好ましい。上記基材層の径が上記ダイシング層の径よりも小さい領域又は上記基材層の径が０．９１Ｘ以上（又は好ましい下限以上）である領域が多いほど、粘接着剤層のみをより一層精度よく切断することが可能である。
【００３５】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、上記ダイシング層の一部の領域の径が１Ｘ以下であってもよい。但し、上記ダイシング層の径が１Ｘ以下（又は好ましい上限以下）である一部の領域は、上記ダイシング層の外周の３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが更に好ましく、５％以下であることが特に好ましく、０％であることが最も好ましい。言い換えれば、上記ダイシング層の径が１Ｘ以上（又は好ましい下限以上）である領域は、上記ダイシング層の外周の７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましく、９５％以上であることが特に好ましく、１００％であることが最も好ましい。上記ダイシング層の径が１Ｘ以上（又は好ましい下限以上）である領域が多いほど、ダイシングリングに貼り付けられた上記ダイシング層の剥離をより一層抑制できる。
【００３６】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法は、上述したダイシング−ダイボンディングテープ又は上述した粘接着剤層付き半導体チップの作製キットを用いて、かつ、保護シート及び該保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体を用いて、上記ダイシング−ダイボンディングテープの上記粘接着剤層を、上記積層体の上記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、上記ダイシング層を環状の上記ダイシングリングに貼り付ける工程と、上記保護シートを上記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、上記粘接着剤層と上記基材層とを引き延ばすことにより、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ上記分割後半導体ウェーハにおける個々の上記半導体チップを離間させる工程と、ダイシングの後に、上記半導体チップが貼り付けられた上記粘接着剤層を上記基材層から剥離し、半導体チップを上記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える。
【００３７】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法では、上記粘接着剤層と上記基材層とを引き延ばすことにより、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って精度よく切断できる。この結果、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００３８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３９】
（ダイシング−ダイボンディングテープ）
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す図である。図１（ａ）は部分切欠平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分切欠正面断面図である。なお、図１及び後述の図では、図示の便宜上、寸法及び大きさは、実際の寸法及び大きさから適宜変更している。
【００４０】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型層２を有する。離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３と、基材層４と、ダイシング層５とがこの順に積層されている。粘接着剤層３の一方の表面３ａ（第１の表面）に、基材層４が積層されている。粘接着剤層３の他方の表面３ｂ（第２の表面）に離型層２が積層されている。基材層４の一方の表面４ａ（第１の表面）に粘接着剤層３が積層されている。基材層４の粘接着剤層３側とは反対の他方の表面４ｂ（第２の表面）に、ダイシング層５が積層されている。
【００４１】
長尺状の離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を有する複数の積層物が等間隔に配置されている。該積層物の側方において、離型層２の上面２ａに保護シートが設けられていてもよい。
【００４２】
粘接着剤層３及び基材層４の平面形状は、略円形である。ダイシング層５の平面形状は略円形である。粘接着剤層３の径は、基材層４の径と同じであってもよく、異なってもよい。基材層４の径は、粘接着剤層３の径よりも大きいことが好ましい。基材層４の外周側面は、粘接着剤層３の外周側面３ｃよりも外側に張り出していることが好ましい。また、基材層４の外周側面は、粘接着剤層３により覆われていないことが好ましく、粘着性を有さないことが好ましい。粘接着剤層３と基材層４との大きさがこのような好ましい関係を満足すると、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、基材層４が設けられている位置に対応する部分に半導体ウェーハを正確に位置合わせできる。また、半導体ウェーハを粘接着剤層３により一層確実に貼り付けることができる。
【００４３】
ダイシング層５の径は、粘接着剤層３及び基材層４の径よりも大きい。ダイシング層５の外周側面は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側に張り出している。ダイシング層５と粘接着剤層３及び基材層４との大きさがこのような好ましい関係を満足することによっても、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の基材層４が貼り付けられている部分に、半導体ウェーハを正確に位置合わせすることができる。貼り付けの後には、半導体ウェーハが貼り付けられた粘接着剤層３の一方の表面３ａ上に基材層４を確実に配置できる。このため、基材層４からの粘接着剤層３の剥離性を高めることで、ダイシングの後に、粘接着剤層３付き半導体チップを、基材層４から容易に剥離できる。特に、基材層４が非粘着性を有する非粘着層である場合には、粘接着剤層３付き半導体チップを、基材層４からより一層容易に剥離できる。このため、生産ロスを低減でき、歩止まりを向上できる。さらに、ダイシングリングと半導体ウェーハとを異なる層に貼り付けることができるので、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とをそれぞれ最適な材料により構成できる。このため、切削性及びピックアップ性と、ダイボンディング後の接合信頼性とを高くすることができる。
【００４４】
離型層２は、例えば、離型フィルムである。離型層２は、粘接着剤層３の半導体ウェーハが貼り付けられる他方の面３ｂを保護するために用いられる。なお、離型層２は、必ずしも用いられていなくてもよい。
【００４５】
離型層２を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、及びポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。
【００４６】
離型層２の表面は離型処理されていてもよい。離型層は単層であってもよく、複数層であってもよい。離型層が複数層である場合には、各層は異なる樹脂により形成されていてもよい。
【００４７】
離型層２の取扱い性又は剥離性をより一層高める観点からは、離型層２の厚みは、好ましくは１０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。
【００４８】
粘接着剤層３は、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。粘接着剤層３は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接合するために用いられる。
【００４９】
粘接着剤層３は、例えば適宜の硬化性樹脂などの硬化性化合物を含む硬化性樹脂組成物、又は熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。粘接着剤層３付き半導体チップを得た後に、得られた粘接着剤層３付き半導体チップを粘接着剤層３側から基板等の被着体に積層する。その後、熱又は光のエネルギーを与えて、粘接着剤層３を硬化させることにより、粘接着剤層３を介して、被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。
【００５０】
上記硬化性樹脂組成物を硬化させるために、硬化剤が用いられる。該硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤もしくはジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、及びカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤と硬化促進剤とを併用してもよい。
【００５１】
粘接着剤層３の厚みは特に限定されない。粘接着剤層３の厚みは、好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。粘接着剤層３の厚みは、より好ましくは３μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以下である。粘接着剤層３の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、半導体チップの貼り付けが容易であり、更に半導体装置の薄型化に対応できる。
【００５２】
基材層４は、粘着性を有していてもよく、非粘着性を有していてもよい。基材層４は、非粘着性を有することが好ましい。
【００５３】
なお、「非粘着性」とは、表面が粘着性を有さないだけでなく、表面を指で触ったときにくっつかない程度の粘着性を有する場合も含まれることとする。具体的には、「非粘着」とは、基材層４をステンレス板に貼り付けて、基材層４を３００ｍｍ／分の剥離速度で剥離したときに、粘着力が０．０５Ｎ／２５ｍｍ幅以下であることを意味する。
【００５４】
基材層４は、例えば、活性エネルギー線硬化型又は熱硬化型の粘着性を有する組成物を用いて形成できる。基材層４が非粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線の照射量を多くすればよい。基材層４が粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線を照射しなかったり、活性エネルギー線の照射量を少なくしたりすればよい。
【００５５】
基材層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物により形成されていることが好ましい。基材層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されていることが好ましい。この場合には、ダイシングの際の切削性をより一層高くすることができる。また、基材層４の極性、貯蔵弾性率又は破断伸度を容易に制御及び設計できる。
【００５６】
上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーとして、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが好適に用いられる。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの使用により、基材層４の極性が充分に低くなり、基材層４の表面エネルギーが低くなり、かつ粘接着剤層３の基材層４からの剥離性が高くなる。
【００５７】
上記組成物は、活性エネルギー線反応開始剤及び熱反応開始剤の内の少なくとも一方を含むことが好ましく、活性エネルギー線反応開始剤を含むことがより好ましい。活性エネルギー線反応開始剤は、光反応開始剤であることが好ましい。
【００５８】
上記活性エネルギー線には、紫外線、電子線、α線、β線、γ線、Ｘ線、赤外線及び可視光線が含まれる。これらの活性エネルギー線のなかでも、硬化性に優れ、かつ硬化物が劣化し難いため、紫外線又は電子線が好ましい。
【００５９】
上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。上記熱反応開始剤としては、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記組成物には、粘着力を制御するためにイソシアネート系架橋剤を添加してもよい。
【００６０】
基材層４の厚みは特に限定されない。基材層４の厚みは、好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。基材層４の厚みは、より好ましくは５μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以下である。基材層４の厚みが上記下限以上であると、エクスパンド性がより一層高くなる。基材層４の厚みが上記上限以下であると、厚みがより一層均一になり、ダイシングの精度がよく一層高くなる。
【００６１】
ダイシング層５は、基材５Ａと、基材５Ａの一方の表面（第１の表面）に積層された粘着剤層５Ｂとを有する。基材層４の他方の表面４ｂに、ダイシング層５が粘着剤層５Ｂ側から貼り付けられている。ダイシング層５は、基材層４を介して粘接着剤層３に間接的に貼り付けられている。
【００６２】
ダイシング層５は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側に張り出している延長部５ｘを有する。ダイシング層５の延長部５ｘの片面が、粘着剤層５Ｂにより離型層２の上面２ａに貼り付けられている。すなわち、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側の領域で、ダイシング層５が離型層２の上面２ａに貼り付けられている。
【００６３】
ダイシング層５が延長部５ｘを有するのは、粘接着剤層３の表面３ｂに半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の外周側面３ｃよりも外側に位置する延長部５ｘの粘着剤層５Ｂに、ダイシングリングを貼り付けるためである。
【００６４】
ダイシング層５の基材５Ａを構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、及びポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系樹脂が好適に用いられる。
【００６５】
粘着剤層５Ｂは特に限定されない。粘着剤層５Ｂを構成する粘着剤の具体例として、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤及びゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、感圧タイプのアクリル系粘着剤が好ましい。感圧タイプのアクリル系粘着剤が用いられた場合、ダイシングリングを粘着剤層５Ｂからより一層容易に剥離できる。さらに、粘着剤層５Ｂのコストを低減できる。基材層４とダイシング層５との剥離力は、粘接着剤層３と基材層４との剥離力よりも大きいことが好ましい。このような剥離力を満足するように粘着剤層５Ｂが構成されていることが好ましい。
【００６６】
ダイシング層５の厚みは特に限定されない。ダイシング層５の厚みは、好ましくは１０μｍ以上、好ましくは２００μｍ以下である。ダイシング層５の厚みは、より好ましくは６０μｍ以上、より好ましくは１５０μｍ以下である。ダイシング層５の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、離型層２の剥離性及びダイシング層５のエクスパンド性がより一層高くなる。
【００６７】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイシング層５は略円形である。図２（ａ）及び（ｂ）に、ダイシング−ダイボンディングテープの変形例を示す。図１（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１と図２に示すダイシング−ダイボンディングテープ１１とでは、ダイシング層の形状のみが異なる。ダイシング−ダイボンディングテープ１におけるダイシング層５及びダイシング−ダイボンディングテープ１１におけるダイシング層１２はともに略円形である。ダイシング−ダイボンディングテープ１１におけるダイシング層１２は貼付起点１２Ｃを有する。より具体的には、ダイシング層１２は、貼付起点１２Ｃ部分を除いて円形である。ダイシング層１２では、ダイシング層１２の径に関しては、貼付起点１２を除く部分の径が上述した関係を満足する。ダイシング層１２は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側に張り出している延長部１２ｘを有する。ダイシング層１２の延長部１２ｘの片面が、粘着剤層１２Ｂにより離型層２の上面２ａに貼り付けられている。
【００６８】
このように、ダイシング層の一部の領域に貼付起点が設けられていていることが好ましい。また、１つのダイシング層に複数の貼付起点が設けられていることが好ましく、少なくとも２つの貼付起点が設けられていることが好ましい。１つのダイシング層に複数の貼付起点が設けられている場合には、ダイシング層の一端側と該一端側とは反対の他端側とに、貼付起点が設けられていることが好ましい。この場合には、ダイシング−ダイボンディングテープの使用時の方向性をなくすことができる。また、例えば、一端側の貼付起点からダイシング層をうまく貼り付けられない場合などに、他端側の貼付起点からダイシング層を貼り付けることが可能である。より具体的には、一端側の貼付起点からダイシング層をうまく貼り付けられない場合などに、長尺状のダイシング−ダイボンディングテープを一旦巻き取った後に、再度巻き出すことにより、他端側の貼付起点からダイシング層を貼り付けることが可能である。
【００６９】
また、図１（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイシング層５は、基材５Ａと粘着剤層５Ｂとが積層された多層構造を有する。図３（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１６のように、単層のダイシング層１６を形成してもよい。この場合には、ダイシング層１６を、粘着性を有する材料により形成することが好ましい。
【００７０】
（粘接着剤層付き半導体チップの製造方法）
次に、図１（ａ），（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法の一例を以下説明する。
【００７１】
先ず、ダイシング−ダイボンディングテープ１と、積層体２１とを有する。
【００７２】
図４（ｄ）に示すように、積層体２１は、保護シート２２と、保護シート２２の一方の表面２２ａ（第１の表面）に積層されている分割後半導体ウェーハ２３とを有する。分割後半導体ウェーハ２３は個々の半導体チップに分割されている。分割後半導体ウェーハ２３の平面形状は略円形である。
【００７３】
積層体２１は、図４（ａ）〜（ｄ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。
【００７４】
先ず、図４（ａ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａを用意する。半導体ウェーハ２３Ａは分割前半導体ウェーハである。半導体ウェーハ２３Ａの平面形状は略円形である。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、マトリックス状にストリートによって区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。
【００７５】
図４（ｂ）に示すように、用意した半導体ウェーハ２３Ａを表面２３ａ側からダイシングする。ダイシングの後、半導体ウェーハ２３Ａは分断されていない。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、個々の半導体チップに分割するための切り込み２３ｃが形成されている。ダイシングは、例えば、高速回転するブレードを備えるダイシング装置等を用いて行われる。
【００７６】
次に、図４（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａに、保護シート２２を貼り付ける。その後、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂを研削し、半導体ウェーハ２３Ａの厚みを薄くする。ここでは、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削している。このようにして、図４（ｄ）に示す積層体２１を得ることができる。
【００７７】
半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削することが好ましい。研削は、例えば研削磁石等を備えるグラインダなどの研削機を用いて行われる。研削時には、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには保護シート２２が貼り付けられているので、回路に研削屑が付着しない。また、研削後に半導体ウェーハ２３Ａが個々の半導体チップに分割されても、複数の半導体チップがばらばらにならずに保護シート２２に貼り付けられたままである。
【００７８】
積層体２１を得た後、図５（ａ）に示すように、積層体２１を保護シート２２側からステージ２５上に載せる。ステージ２５上には、分割後半導体ウェーハ２３の外周側面から一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２６が設けられている。ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着剤層３の他方の表面３ｂを、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付ける。また、露出したダイシング層５の延長部５ｘに位置する粘着剤層５Ｂを、円環状のダイシングリング２６に貼り付ける。
【００７９】
図７（ａ）にダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付ける際の状態を正面断面図で示し、図７（ｂ）にダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けた後の状態を平面図で示す。
【００８０】
図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、通常、ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付ける際には、剥離エッジ３２を用いて、ダイシング層５を離型層２の上面２ａから剥離する。ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けて、ロール３１で押さえ付ける。そして、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に皺が生じないように、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を引き延ばしながら、ダイシング層５の外周部分をダイシングリング２６に貼り付ける。なお、図７（ｂ）では、基材層４の径はＡ、ダイシング層５の径はＢ、ダイシングリング２６の内径はＸ、ダイシングリング２６の外径はＹである。
【００８１】
ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けた後、図５（ｂ）に示すように、粘接着剤層３が貼り付けられた分割後半導体ウェーハ２３をステージ２５から取り出して、裏返す。このとき、ダイシングリング２６をダイシング層５に貼り付けた状態で取り出す。取り出した分割後半導体ウェーハ２３を表面２３ａが上方になるように裏返して、別のステージ２７上に載せる。
【００８２】
次に、図６（ａ）に示すように、分割後半導体ウェーハ２３の表面２３ａから保護シート２２を剥離する。保護シート２２を剥離する際に、剥離を容易にするために、保護シート２２を加熱してもよい。ただし、保護シート２２を加熱する際に、粘接着剤層３を改質しないほうが好ましい。
【００８３】
次に、図６（ｂ）に示すように、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを引き延ばして、粘接着剤層をのみを切断する。このとき、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃに沿って切断し、かつ分割後半導体ウェーハ２３における個々の半導体チップを離間させる。粘接着剤層３は、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付けられているため、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃに沿って、すなわちダイシングラインに沿って、粘接着剤層３を切断できる。粘接着剤層３の切断の後に、粘接着剤層３には切断部分３ｃが形成される。
【００８４】
なお、本明細書では、粘接着剤層３を引き延ばして切断することを、割裂するともいう。粘接着剤層３を引き延ばして切断する作業（割裂）には、ダイシングも含まれることとし、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３を引き延ばして切断する（割裂する）ために用いることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１は、言い換えれば、割裂−ダイボンディングテープである。
【００８５】
粘接着剤層３を引き延ばす方法としては、例えば、粘接着剤層３の下方から突き上げて、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に、図６（ｂ）に示す力Ａを付与する方法が挙げられる。力Ａの付与により、結果として粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に外側に向かって引っ張られる力Ｂ１，Ｂ２が付与され、粘接着剤層３が引き延ばされる。
【００８６】
基材層４及びダイシング層５の大きさが特定の上記関係を満たす。従って、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を引き延ばすことにより、基材層４が切断されることなく、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃに沿って、粘接着剤層３のみを精度よく切断できる。このため、半導体チップの下方において、粘接着剤層３の欠けが生じ難い。粘接着剤層３を精度よく切断できるため、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性が高くなる。粘接着剤層３の欠けが生じ難いので、粘接着剤層付き半導体チップを接着対象部材に積層して接着させた場合に、半導体チップが傾き難く、かつ半導体チップの接合信頼性が高くなる。
【００８７】
粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを引き延ばす前又は間に、粘接着剤層３を改質しないことが好ましい。粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５を引き延ばす前又は間に、粘接着剤層３を改質するために、粘接着剤層３を加熱及び冷却せず、かつレーザー光を照射しないことが好ましい。粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５を引き延ばす前又は間に、粘接着剤層３を改質するために、粘接着剤層３を加熱（保護シート２２を剥離するための加熱を除く）及び冷却せず、かつレーザー光を照射しないことが好ましい。ただし、粘接着剤層３を改質してもよい。粘接着剤層３を改質しない場合には、粘接着剤層３付き半導体チップの製造効率がかなり高くなる。
【００８８】
粘接着剤層３を切断した後、粘接着剤層３が積層された状態で、半導体チップを粘接着剤層３ごと基材層４から剥離して、取り出す。このようにして、粘接着剤層３付き半導体チップを得ることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合には、分割後半導体ウェーハ２３が貼り付けられている粘接着剤層３部分の下方には、非粘着性を有する基材層４が位置しているので、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性が高くなる。粘接着剤層３の切断の後、粘接着剤層３付き半導体チップを基材層４から剥離する前に、ダイシング層５を引き延ばして、個々の半導体チップ間の間隔をさらに拡張してもよい。
【００８９】
以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【００９０】
（アクリル系ポリマー１）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤であるイルガキュア６５１（チバ・ジャパン社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）３．５重量部を反応させて、アクリル共重合体（アクリル系ポリマー１）を得た。得られたアクリル系ポリマー１の重量平均分子量は７０万であり、酸価は０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
【００９１】
また、基材層を形成するための組成物を構成する材料として、以下の化合物を用意した。
【００９２】
（光重合開始剤）
イルガキュア６５１（チバ・ジャパン社製）
【００９３】
（オリゴマー）
Ｕ３２４Ａ：新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー（１０官能のウレタンアクリルオリゴマー）、重量平均分子量：１，３００
【００９４】
（架橋剤）
コロネートＬ−４５：日本ポリウレタン工業社製、イソシアネート系架橋剤
【００９５】
（ダイシング層）
ポリエチレン（プライムポリマー社製、Ｍ１２）を原料として用いて、Ｔダイ法により、厚み１００μｍのダイシング層であるポリエチレンフィルムを製造した。
【００９６】
（実施例１）
実施例１では、図１（ａ），（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープを形成した。
【００９７】
上記アクリル系ポリマー１を１００重量部と、イルガキュア６５１を１重量部と、ウレタンアクリルオリゴマーであるＵ３２４Ａを１５重量部と、コロネートＬ−４５を１重量部とを配合し、組成物を得た。得られた組成物を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、１１０℃で５分間乾燥し、溶媒を除去し、組成物層を形成した。
【００９８】
次に、得られた組成物層の全領域に、水銀灯を用いて、２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーとなるように光を照射し、組成物層を硬化させた。このようにして、非粘着性を有する非粘着層である基材層（厚み２０μｍ）を得た。
【００９９】
得られた基材層を用いて、以下の要領で、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【０１００】
Ｇ−２０５０Ｍ（日油社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（ＤＩＣ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ）７０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（ＤＩＣ社製、ナフタレン型エポキシ）１５重量部と、ＹＨ−３０９（三菱化学社製、酸無水物系硬化剤）３８重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部と、ＭＴ−１０（トクヤマ社製、表面疎水化ヒュームドシリカ）４重量部とを配合し、配合物を得た。得られた配合物を溶剤であるメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０重量％となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。
【０１０１】
得られた塗液を離型ＰＥＴフィルム上に厚み７μｍになるように塗工し、１１０℃のオーブン内で２分間加熱乾燥した。このようにして、離型ＰＥＴフィルム上に、粘接着剤層を形成した。その後、粘接着剤層を円形に切り抜いた。
【０１０２】
次に、粘接着剤層の離型ＰＥＴフィル側とは反対の表面上に、得られた基材層を６０℃でラミネートし、ラミネート体を得た。基材層が粘接着剤層よりも大きく、基材層が粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有するように、基材層を円形に切り抜いた。
【０１０３】
その後、基材層の粘接着剤層側とは反対の表面上に、ダイシング層であるエレグリップＵＨＰ−０８１０ＦＸ（オレフィン基材（基材の厚み８０μｍ）の片面にアクリル系粘着剤層（粘着剤層の厚み１０μｍ）が形成されたＵＶ硬化型ダイシングテープ、電気化学工業社製）を粘着剤層側から貼り付けた。
【０１０４】
その後、ダイシング層を切り抜いた。このようにして、離型ＰＥＴフィルム／粘接着剤層／基材層／ダイシング層がこの順で積層された４層の積層構造を有するダイシング−ダイボンディングテープを作製した。得られたダイシング−ダイボンディングテープでは、粘接着剤層、基材層及びダイシング層の径は下記の表１に示す値であった。
【０１０５】
また、下記の表１に示す内径及び外径を有するダイシングリングを用意した。
【０１０６】
（評価）
直径３００ｍｍ（１２ｉｎｃｈ）の半導体ウェーハ（シリコンウェーハ、厚み８０μｍ）の表面に深さ１００μｍの切り込みを入れた。次に、半導体ウェーハの表面に保護シートであるバックグラインディングテープ イクロスＳＢ１３５Ｓ−ＢＮ（三井化学社製、オレフィンの片面にアクリル系粘着剤が塗布されている）をアクリル系粘着剤側からラミネートした。次に、半導体ウェーハの厚みが５０μｍになるまで半導体ウェーハの裏面の研磨と鏡面仕上げを行った。このようにして、保護シートと、分割後半導体ウェーハとの積層体を得た。
【０１０７】
次に、ウェーハマウンターＤＡＭ−８１２Ｍ（タカトリ社製）を用いてダイシング−ダイボンディングテープを積層体の分割後半導体ウェーハの裏面及びダイシングリングに貼り付けた。尚、積層体の分割後半導体ウェーハをのせるステージは６０℃に設定した。
【０１０８】
次に、粘接着剤層が貼り付けられた分割後半導体ウェーハをステージから取り出して、裏返し、別のステージ上に載せた。その後、分割後半導体ウェーハの表面から、６０℃で保護シートを剥離した。このとき、粘接着剤層は改質しなかった。
【０１０９】
ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、２５℃でエクスパンド量４．５ｍｍとして、粘接着剤層と基材層とダイシング層とを引き延ばして、粘接着剤層を切断した。
【０１１０】
粘接着剤層の切断の後に、分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って粘着剤層が切断されている個々の半導体チップの数の割合を評価した。
【０１１１】
次に、割裂後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップ温度２５℃の条件で、２０個の粘接着剤層付き半導体チップを連続してピックアップした。粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を下記の基準で判定した。
【０１１２】
［ピックアップ性の判定基準］
○：ピックアップできなかった粘接着剤層付き半導体チップなし
×：ピックアップできなかった粘接着剤層付き半導体チップあり
【０１１３】
結果を下記の表１に示す。
【０１１４】
【表１】
【符号の説明】
【０１１５】
１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型層
２ａ…上面
３…粘接着剤層
３ａ…一方の表面
３ｂ…他方の表面
３ｃ…外周側面
３ｄ…切断部分
４…基材層
４ａ…一方の表面
４ｂ…他方の表面
５…ダイシング層
５Ａ…基材
５Ｂ…粘着剤層
５ｘ…延長部
１１，１６…ダイシング−ダイボンディングテープ
１２，１７…ダイシング層
１２Ａ…基材
１２Ｂ…粘着剤層
１２Ｃ…貼付起点
１２ｘ…延長部
２１…積層体
２２…保護シート
２２ａ…一方の表面
２３…分割後半導体ウェーハ
２３Ａ…半導体ウェーハ
２３ａ…表面
２３ｂ…裏面
２３ｃ…切り込み
２５…ステージ
２６…ダイシングリング
２７…ステージ
３１…ロール
３２…剥離エッジ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘接着剤層と、
前記粘接着剤層の一方の表面に積層されている基材層と、
前記基材層の前記粘着剤層側とは反対の表面に積層されているダイシング層とを備え、
ダイシング時に、前記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングが貼り付けられ、
前記ダイシング層の径が前記基材層の径よりも大きく、
前記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、前記ダイシング層の径が１Ｘを超え、前記基材層の径が０．９１Ｘ以上である、ダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項２】
前記基材層が、非粘着性を有する非粘着層である、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項３】
前記基材層が、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されている、請求項１又は２に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項４】
ダイシング−ダイボンディングテープと環状のダイシングリングとを有する粘接着剤層付き半導体チップの作製キットであって、
前記ダイシング−ダイボンディングテープが、粘接着剤層と、
前記粘接着剤層の一方の表面に積層されている基材層と、
前記基材層の前記粘着剤層側とは反対の表面に積層されているダイシング層とを備え、
ダイシング時に、前記ダイシング層の外周部分に環状の前記ダイシングリングが貼り付けられ、
前記ダイシング層の径が前記基材層の径よりも大きく、
前記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、前記ダイシング層の径が１Ｘを超え、前記基材層の径が０．９１Ｘ以上である、粘接着剤層付き半導体チップの作製キット。
【請求項５】
前記基材層が、非粘着性を有する非粘着層である、請求項４に記載の粘接着剤層付き半導体チップの作製キット。
【請求項６】
前記基材層が、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されている、請求項４又は５に記載の粘接着剤層付き半導体チップの作製キット。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープを用いて、かつ、
保護シート及び該保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体を用いて、
前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記積層体の前記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、
前記ダイシング層を環状のダイシングリングに貼り付ける工程と、
前記保護シートを前記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、
前記粘接着剤層と前記基材層とを引き延ばすことにより、前記粘接着剤層を、前記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ前記分割後半導体ウェーハにおける個々の前記半導体チップを離間させる工程と、
ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層を前記基材層から剥離し、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【請求項８】
請求項４〜６のいずれか１項に記載の粘接着剤層付き半導体チップの作製キットを用いて、かつ
保護シート及び該保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体を用いて、
前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記積層体の前記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、
前記ダイシング層を環状の前記ダイシングリングに貼り付ける工程と、
前記保護シートを前記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、
前記粘接着剤層と前記基材層とを引き延ばすことにより、前記粘接着剤層を、前記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ前記分割後半導体ウェーハにおける個々の前記半導体チップを離間させる工程と、
ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層を前記基材層から剥離し、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【請求項９】
半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、
切り込みが形成された前記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼り付ける工程と、
前記保護シートが貼り付けられた前記半導体ウェーハの裏面を研削し、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、前記積層体を得る工程とをさらに備える、請求項７又は８に記載の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【請求項１】
粘接着剤層と、
前記粘接着剤層の一方の表面に積層されている基材層と、
前記基材層の前記粘着剤層側とは反対の表面に積層されているダイシング層とを備え、
ダイシング時に、前記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングが貼り付けられ、
前記ダイシング層の径が前記基材層の径よりも大きく、
前記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、前記ダイシング層の径が１Ｘを超え、前記基材層の径が０．９１Ｘ以上である、ダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項２】
前記基材層が、非粘着性を有する非粘着層である、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項３】
前記基材層が、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されている、請求項１又は２に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項４】
ダイシング−ダイボンディングテープと環状のダイシングリングとを有する粘接着剤層付き半導体チップの作製キットであって、
前記ダイシング−ダイボンディングテープが、粘接着剤層と、
前記粘接着剤層の一方の表面に積層されている基材層と、
前記基材層の前記粘着剤層側とは反対の表面に積層されているダイシング層とを備え、
ダイシング時に、前記ダイシング層の外周部分に環状の前記ダイシングリングが貼り付けられ、
前記ダイシング層の径が前記基材層の径よりも大きく、
前記ダイシングリングの内径をＸとしたときに、前記ダイシング層の径が１Ｘを超え、前記基材層の径が０．９１Ｘ以上である、粘接着剤層付き半導体チップの作製キット。
【請求項５】
前記基材層が、非粘着性を有する非粘着層である、請求項４に記載の粘接着剤層付き半導体チップの作製キット。
【請求項６】
前記基材層が、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されている、請求項４又は５に記載の粘接着剤層付き半導体チップの作製キット。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープを用いて、かつ、
保護シート及び該保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体を用いて、
前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記積層体の前記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、
前記ダイシング層を環状のダイシングリングに貼り付ける工程と、
前記保護シートを前記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、
前記粘接着剤層と前記基材層とを引き延ばすことにより、前記粘接着剤層を、前記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ前記分割後半導体ウェーハにおける個々の前記半導体チップを離間させる工程と、
ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層を前記基材層から剥離し、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【請求項８】
請求項４〜６のいずれか１項に記載の粘接着剤層付き半導体チップの作製キットを用いて、かつ
保護シート及び該保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体を用いて、
前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記積層体の前記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、
前記ダイシング層を環状の前記ダイシングリングに貼り付ける工程と、
前記保護シートを前記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、
前記粘接着剤層と前記基材層とを引き延ばすことにより、前記粘接着剤層を、前記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ前記分割後半導体ウェーハにおける個々の前記半導体チップを離間させる工程と、
ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層を前記基材層から剥離し、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【請求項９】
半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、
切り込みが形成された前記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼り付ける工程と、
前記保護シートが貼り付けられた前記半導体ウェーハの裏面を研削し、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、前記積層体を得る工程とをさらに備える、請求項７又は８に記載の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−６５６２５（Ｐ２０１３−６５６２５Ａ）
【公開日】平成２５年４月１１日（２０１３．４．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０２２２１（Ｐ２０１１−２０２２２１）
【出願日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【出願人】（０００００２１７４）積水化学工業株式会社 (5,781)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１１日（２０１３．４．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【出願人】（０００００２１７４）積水化学工業株式会社 (5,781)
【Ｆターム（参考）】
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