チップの保持構造、ダイソート用シート及び半導体装置の製造方法
【課題】 チップの脱落なく保管・搬送が可能であり、数十日の保管期間を経た後にチップをピックアップする際には、厚みの薄いチップであっても破損することなく容易にピックアップが可能であるチップの保持構造を提供すること。
【解決手段】 本発明のチップの保持構造は、基材フィルムと、その上に形成された自着性樹脂層とからなるダイソート用シートにチップが保持されているチップの保持構造において、前記自着性樹脂層の２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．５〜２００ＭＰａであり、前記自着性樹脂層の表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であることを特徴とする。
【解決手段】 本発明のチップの保持構造は、基材フィルムと、その上に形成された自着性樹脂層とからなるダイソート用シートにチップが保持されているチップの保持構造において、前記自着性樹脂層の２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．５〜２００ＭＰａであり、前記自着性樹脂層の表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自着性樹脂層を有するダイソート用シートにてチップを搬送または保管する際のチップの保持構造、基材フィルムとその上に形成された自着性樹脂層とからなるダイソート用シート及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程の一つに、所要の前処理を経て回路が形成された半導体ウエハを複数個のチップに切断分離するダイシング工程がある。この工程では、リングフレームと呼ばれる円形または方形の枠に、半導体ウエハ固定用のダイシングシートを貼着し、このダイシングシートに半導体ウエハを添付し、回路毎にダイシングし、半導体チップとする。その後、ボンディングマシンによるエキスパンド工程に続いて、たとえばエポキシ樹脂等のダイボンド用接着剤をチップ用基板のパッド部に塗布して半導体チップをチップ用基板に接着するダイボンディング工程が行われる。さらに、ワイヤボンディング工程や検査工程などを経て、最終的にモールディング工程で樹脂封止を行い、半導体装置が製造される。
【０００３】
一方、個片化された半導体チップをダイボンドせずに、収容・搬送することもある。なお、このような場合はアウトラインにてダイボンディング工程が行われる。
【０００４】
このような半導体チップの収容・搬送には、熱可塑性樹脂シートにポケット状凹部をエンボス加工により形成した、リール状のエンボスキャリアテープやチップトレイ等が用いられている。この凹部に半導体チップを収容後、カバーシートで被覆して、半導体チップを電子装置に組み込むまで保管・搬送する。このようなエンボスキャリアテープを用いることによりダイシング工程後、良品のみを選り分けて出荷することができ、更に１枚の半導体ウエハから複数の工場への出荷も可能となる。
【０００５】
しかしながら、半導体装置では埃・汚れ等が不具合を起こす原因となるため、半導体チップが搬送された場所で、これを使用する前に水洗浄することもある。エンボスキャリアテープを用いたときは、再度ダイシングテープ等に固定し洗浄する必要があるため、大変非効率的である。
【０００６】
これに対して、熱剥離テープや汎用ダイシングテープ等の粘着テープを用いて半導体チップをマウントし、半導体チップを収容・搬送するという手法も用いられている（特許文献１）。この場合は、粘着テープの粘着剤層に半導体チップが貼付され、保管・搬送される。
【０００７】
しかしながら、半導体チップの保管は数十日におよぶこともあり、特許文献１の粘着テープでは、粘着剤層の粘着力が大きい場合には保管・搬送のための時間の経過と共に、半導体チップが粘着剤層に密着してしまう。その結果、半導体チップのピックアップ作業が困難となり、特に半導体チップが薄い場合には、ピックアップ作業中に半導体チップを破損する危険があった。また、粘着剤層の粘着力が小さい場合には保管・搬送中に半導体チップが脱落する危険があった。
【特許文献１】特開２０００−９５２９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものである。すなわち、本発明は、チップの脱落なく保管・搬送が可能であり、数十日の保管期間を経た後にチップをピックアップする際には、厚みの薄いチップであっても破損することなく容易にピックアップが可能であるチップの保持構造を提供することを目的としている。また、本発明は、該保持構造の構成に用いられるダイソート用シート、及び該保持構造を経由する工程を含む半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下の通りである。
（１）基材フィルムと、その上に形成された自着性樹脂層とからなるダイソート用シートにチップが保持されているチップの保持構造において、
前記自着性樹脂層の２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．５〜２００ＭＰａであり、
前記自着性樹脂層の表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であるチップの保持構造。
（２）前記自着性樹脂層が５０〜２０００ｍＮ／２５ｍｍのループタック値を有する（１）に記載のチップの保持構造。
（３）基材フィルムとその上に形成された自着性樹脂層とからなり、
前記自着性樹脂層の２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．５〜２００ＭＰａであり、その表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であるダイソート用シート。
（４）前記自着性樹脂層が、エネルギー線硬化性樹脂の硬化物からなる（３）に記載のダイソート用シートであって、
前記自着性樹脂層のエネルギー線照射後の２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．５〜２００ＭＰａであり、その表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であるダイソート用シート。
（５）上記（１）または（２）に記載のチップの保持構造において、半導体チップを搬送もしくは保管する工程、および該チップをダイソート用シートからピックアップする工程を含む半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、チップの保持構造を形成するダイソート用シートにおける自着性樹脂層の貯蔵弾性率及び表面粗さを最適化することによって、チップの脱落なく搬送・保管が可能であり、数十日の保管期間を経た後にチップをピックアップする際には、厚みの薄いチップであっても破損することなく容易にピックアップが可能であるチップの保持構造が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明についてさらに具体的に説明する。
本発明に係るチップの保持構造は、図１に示すように、基材フィルム１０と、その一方の面に形成された自着性樹脂層２０とを有するダイソート用シートの自着性樹脂層２０にチップ３０が保持されてなることを特徴とする。また、本発明に係るダイソート用シートは、基材フィルム１０と、その一方の面に自着性樹脂層２０とを有する。このようなダイソート用シートは、自着性樹脂層２０にチップ３０が保持され、外周部がリングフレーム４０に固定されて搬送、保管される。さらにまた、本発明に係る半導体装置の製造方法は、該チップの保持構造においてチップを搬送、保管する工程と該チップをダイソート用シートからピックアップする工程とを有する。
【００１２】
基材フィルム１０としては特に制限はなく、各種粘着シートの基材フィルムとして慣用されているものの中から任意のものを適宜選択して用いることができる。例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢ビフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、フッ素樹脂フィルム等のプラスチックシートが用いられる。
【００１３】
基材フィルムは、これらのプラスチックシートの積層フィルムであってもよいし、架橋されたフィルムであってもよい。また、無色であっても有色であってもよい。さらに、後述する自着性樹脂層を形成する際にエネルギー線を照射する場合は、使用するエネルギー線に対し透過性を有していれば、基材フィルムは透明であっても不透明であってもよい。
【００１４】
基材フィルムの厚さは、使用目的や状況に応じて適宜定めればよいが、通常５０〜３００μｍ、好ましくは６０〜２００μｍの範囲である。
【００１５】
また、この基材フィルムの表面には、その上に設けられる自着性樹脂層との接着性を向上させる目的で、所望により、サンドブラストや溶剤処理などによる凹凸化処理、あるいはコロナ放電処理、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理などの酸化処理などを施すことができる。また、プライマー処理を施すこともできる。
【００１６】
自着性樹脂層２０は、粘着剤特有のべとつき感はほとんど有さないが、チップを仮着し、保持できる程度のタックを有する樹脂層である。本発明に係るチップ保持構造における自着性樹脂層は、チップが貼付され、搬送・保管する際、すなわちチップを保持している状態での貯蔵弾性率（Ｇ’）（２３℃）が、０．５〜２００ＭＰａ、好ましくは１〜１８０ＭＰａ、さらに好ましくは２〜１００ＭＰａである。チップ貼付時およびチップのピックアップ時における自着性樹脂層の貯蔵弾性率は特に限定されないが、上記と同様であることが好ましい。
【００１７】
自着性樹脂層の２３℃における貯蔵弾性率が上記範囲より高い場合には、チップの密着性が悪く、チップを安定して保持できないという不具合を生じる。また、チップを仮着できたとしても搬送、保管、水洗浄中にチップが脱落するという不具合を生じる。一方、貯蔵弾性率が上記範囲より低い場合には、チップの保持は容易であるが、チップの密着性が高くなりすぎ、ピックアップが困難になる不具合を生じる。
【００１８】
また、自着性樹脂層の表面粗さ（Ｒａ）は１μｍ以下、好ましくは０．７μｍ以下、さらに好ましくは０．０００１〜０．２μｍの範囲である。
【００１９】
自着性樹脂層の表面粗さ（Ｒａ）が上記範囲よりも大きい場合には、チップの保持性が悪く、また、チップを仮着できたとしても搬送、保管、水洗浄中にチップが脱落するという不具合を生じる。
【００２０】
チップが脱落することなく搬送、保管、水洗浄し、チップが破損することなく容易にピックアップするためには、自着性樹脂層の貯蔵弾性率と表面粗さのコントロールが重要である。
【００２１】
上記範囲よりも自着性樹脂層の貯蔵弾性率が高い場合、もしくは表面粗さが大きい場合には、搬送中にチップが脱落する不具合を生じる。
また、上記範囲よりも自着性樹脂層の貯蔵弾性率が低い場合には、ピックアップすることができず、特にチップの厚みが薄い場合にチップ破損の危険がある。
さらにまた、上記範囲よりも自着性樹脂層の貯蔵弾性率が低く、表面粗さが大きい場合には、搬送中にチップが脱落する不具合は生じないが、チップの保管期間が数十日以上経過後にピックアップする場合、自着性樹脂層とチップとが密着性が増大しピックアップが困難となり、特にチップの厚みが薄い場合にチップ破損の危険がある。
【００２２】
本発明に係るチップ保持構造における自着性樹脂層は、チップが貼付され、搬送・保管する際、すなわちチップを保持している状態でのループタック値が好ましくは５０〜２０００ｍＮ／２５ｍｍ、さらに好ましくは７０〜１５００ｍＮ／２５ｍｍの範囲である。
【００２３】
ループタック値が上記範囲より大きいと、ピックアップが困難になる場合がある。ループタック値が上記範囲より小さいと、仮着したチップとの密着性が悪く、搬送、水洗浄中にチップが脱落する場合がある。
【００２４】
自着性樹脂層の厚さは、１〜５０μｍ、好ましくは３〜３０μｍである。
【００２５】
このような自着性樹脂層を構成する樹脂材料は、上記特性を有する限り特に限定はされないが、一例として、粘着剤として汎用されているアクリル酸エステル共重合体が挙げられる。アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は、１００，０００以上であり、好ましくは１００，０００〜１，５００，０００であり、特に好ましくは１５０，０００〜１，０００，０００である。アクリル酸エステル共重合体は、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステルモノマーあるいはその誘導体等から導かれる構成単位からなる。（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、アルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステルが用いられる。（メタ）アクリル酸エステルモノマーの誘導体としては、ジメチルアクリルアミド、ジメチルメタクリルアミド、ジエチルアクリルアミド、ジエチルメタクリルアミド等のジアルキル（メタ）アクリルアミドがあげられる。これらの中でも、特に好ましくはメチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、プロピルアクリレート、プロピルメタクリレート、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、2-エチルヘキシルアクリレート、2-エチルヘキシルメタクリレート、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、ジメチルアクリルアミド等である。これらのモノマーの他に、酢酸ビニル、スチレン、ビニルアセテート等が共重合されていてもよい。
【００２６】
官能基を有するアクリル酸エステル共重合体としては、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート、2-ヒドロキシブチルアクリレート、2-ヒドロキシブチルメタクリレート等のヒドロキシル基含有アクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸等のカルボキシル基含有化合物を構成単位として有する。
【００２７】
アクリル酸エステル共重合体は、粘着剤として汎用される重合体であり、多くの場合、粘着剤特有のべとつき感を有する。本発明の自着性樹脂層として使用する場合には、架橋剤で部分架橋し、べとつき感を抑え、前述した貯蔵弾性値を有するように調整する。架橋剤としては、有機多価イソシアナート化合物、有機多価エポキシ化合物、有機多価イミン化合物等があげられる。
【００２８】
一般に架橋剤の使用量が多くなると、アクリル酸エステル共重合体のべとつき感は低下し、貯蔵弾性率は上昇する。
【００２９】
また、アクリル酸エステル共重合体にエネルギー線重合性化合物と必要に応じ光重合開始剤とを配合したエネルギー線硬化性樹脂組成物を用いて、自着性樹脂層を形成してもよい。
【００３０】
エネルギー線重合性化合物としては、エポキシアクリレート系、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、ポリエーテルアクリレート系などエネルギー線重合性のオリゴマーや、エネルギー線重合性のモノマーが用いられる。エネルギー線重合性のモノマーとしては、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、アダマンタン（メタ）アクリレートなどの脂環式化合物、フェニルヒドロキシプロピルアクリレート、ベンジルアクリレート、フェノールエチレンオキシド変性アクリレートなどの芳香族化合物、もしくはテトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、モルホリンアクリレート、Ｎ−ビニルピロリドンまたはＮ−ビニルカプロラクタムなどの複素環式化合物が挙げられる。また必要に応じて、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロピオン酸変性ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレートなどの３官能型；ジグリセリンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレートなどの４官能型；プロピオン酸変性ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレートなどの５官能型；ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートなどの６官能型などの多官能（メタ）アクリレートを用いてもよい。このようなエネルギー線重合性化合物は単独で、あるいは複数を組合せて用いても良い。
【００３１】
これらの中でも特に、ウレタンアクリレート系オリゴマーが好ましく用いられる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物たとえば２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなどを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレートたとえば２−ヒドロキシエチルアクリレートまたは２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなどを反応させて得られる。このようなウレタンアクリレート系オリゴマーは、分子内にエネルギー線重合性の二重結合を有し、エネルギー線照射により重合硬化する。ウレタンアクリレート系オリゴマーとしては、重量平均分子量が１００〜５００００のものが好ましく、１０００〜３００００のものが特に好ましい。
【００３２】
光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、２,４,６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどが例示できる。エネルギー線として紫外線を用いる場合に、光重合開始剤を配合することにより照射時間、照射量を少なくすることができる。
【００３３】
また、側鎖にエネルギー線重合性基を有するアクリル酸エステル共重合体（エネルギー線重合性粘着性重合体）と必要に応じ光重合開始剤とを配合したものをエネルギー線硬化性樹脂組成物として用いて、自着性樹脂層を形成してもよい。エネルギー線重合性粘着性重合体は、たとえば、官能基を有するアクリル酸エステル共重合体と、該官能基に反応する置換基とエネルギー線重合性基を１分子中に有する重合性基含有化合物（エネルギー線重合性基含有化合物）とを反応させて得られる。官能基を有するアクリル酸エステル共重合体としては、上記アクリル酸エステル共重合体で挙げた官能基モノマーを構成単位として有するアクリル酸エステル共重合体が用いられる。エネルギー線重合性基含有化合物としては、メタクリロイルオキシエチルイソシアナート、メタ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアナート、メタクリロイルイソシアナート、アリルイソシアナート、グリシジル（メタ）アクリレートが挙げられる。官能基を有するアクリル酸エステル共重合体と該官能基に反応する置換基を有する重合性含有化合物との反応は、通常、酢酸エチル等の溶液中でジブチル錫ラウレート等の触媒を用いて室温、常圧にて２４時間撹拌して行われる。
【００３４】
上記のようのエネルギー線硬化性樹脂組成物にエネルギー線照射を行うと、エネルギー線重合性化合物またはエネルギー線重合性粘着性重合体が硬化し、粘着剤特有のべとつき感が失われ、貯蔵弾性率が増加する。
【００３５】
このように、自着性樹脂層の貯蔵弾性率やループタック値は、樹脂層を構成する樹脂材料の架橋度や、エネルギー線重合性化合物あるいはエネルギー線重合性粘着性重合体の配合量を適宜に選択することで調整することができる。
【００３６】
また、自着性樹脂層の表面粗さを制御する方法としては、自着性樹脂層形成時にエンボス剥離フィルムを貼り合わせる方法、自着性樹脂組成物の乾燥時に組成物中の発泡剤が発砲する方法等が挙げられるが、剥離フィルムを貼り合わせる方法が好ましい。さらに好ましくは、溶剤に希釈した自着性樹脂を剥離フィルムに塗布し、乾燥させることで自着性樹脂層を形成する方法である。
【００３７】
一般に、剥離フィルム上に自着性樹脂を塗布すると、剥離フィルム表面の凹凸に自着性樹脂が埋め込まれ、自着性樹脂が乾燥すると、剥離フィルム表面の凹凸がほぼ忠実に転写された自着性樹脂層を得ることができる。したがって、表面粗さの大きな剥離フィルムを用いると、表面粗さ（Ｒａ）の大きな自着性樹脂層が形成される。また、表面粗さの小さな剥離フィルムを用いると、表面粗さ（Ｒａ）の小さな自着性樹脂層が形成される。
【００３８】
つまり、自着性樹脂層の表面粗さ（Ｒａ）は、剥離フィルムの剥離処理面の表面粗さとほぼ等しいが、自着性樹脂層の経時的変化あるいはエネルギー線照射時の体積変動により、自着性樹脂層の表面粗さは変化することがある。
【００３９】
自着性樹脂層がエネルギー線硬化性を有しない樹脂組成物から形成される場合には、前記のように所定の貯蔵弾性率を有するように架橋度を調整し、所定の剥離フィルム上に製膜して自着性樹脂層が得られる。得られた自着性樹脂層を基材フィルムに転写することで、本発明のダイソート用シートが得られる。
【００４０】
また、自着性樹脂層をエネルギー線硬化性樹脂組成物から形成する場合にも上記と同様にしてダイソート用シートが得られる。この際、エネルギー線硬化前の自着性樹脂層が、上記の貯蔵弾性率を有する場合には、得られるダイソート用シートをそのまま使用すればよい。
【００４１】
また、エネルギー線硬化前の自着性樹脂層が、上記の貯蔵弾性率を有しない場合には、エネルギー線硬化性の自着性樹脂層に、チップを仮着する前にエネルギー線を照射して、貯蔵弾性率を上述の範囲にしてもよいし、チップを仮着後にエネルギー線を照射して、貯蔵弾性率を上述した範囲にしてもよい。
いずれにしろ、チップを保持している状態での自着性樹脂層の貯蔵弾性率および表面粗さが上記の範囲にあればよい。
【００４２】
チップの仮着前に、エネルギー線硬化性の自着性樹脂層にエネルギー線を照射する場合、ダイソート用シート作製時にエネルギー線を照射することが好ましい。ダイソート用シート作製時にエネルギー線を照射し、所定の貯蔵弾性率としておくことで、チップ仮着等の工程において、エネルギー線を照射する必要がなくなり、工程を簡略化できる。
【００４３】
チップの仮着前にエネルギー線硬化性の自着性樹脂層の自着性が小さく、エネルギー線を照射した後ではチップの仮着が困難である場合は、チップ仮着後であって搬送、保管、水洗浄の前に、自着性樹脂層にエネルギー線を照射してもよい。チップを仮着する時点での自着性樹脂層は、エネルギー照射前の粘着力を有する状態のため、チップの仮着が容易であり、チップ仮着後にエネルギー照射を行うため、チップの搬送、保管、水洗浄、ピックアップの工程では、所定の貯蔵弾性率を有するため、本発明の効果が奏される。
【００４４】
また、チップの厚みが薄く、ピックアップ時にチップ破損の恐れがある場合は、チップのピックアップ前にさらにエネルギー線を照射しても良い。
【００４５】
上述した自着性樹脂層を有するダイソート用シートにチップが保持された状態で、チップを搬送、保管し、チップをダイソート用シートからピックアップし、ダイボンド樹脂封止を行うことで、半導体装置を製造することができる。該半導体装置の製造方法は、搬送、保管する際にダイソート用シートからチップの脱落を有効に防止することができる。また、チップをピックアップする際には、厚みの薄いチップであっても破損することなくチップをピックアップすることができる。
【００４６】
（実施例）
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、各成分の配合量（含有量）は、断りがない限りすべて固形分での値とする。
実施例および比較例における評価方法及び試験方法を以下に示す。
【００４７】
[貯蔵弾性率（Ｇ’）測定]
（紫外線照射しない場合の貯蔵弾性率）
実施例および比較例について、シリコーン剥離処理を行った２枚のポリエチレンテレフタレートフィルム（剥離フィルム）で挟まれた自着性樹脂層を得た。片方の剥離フィルムを剥がし、自着性樹脂層が重なるように積層を繰り返し、厚みが３ｍｍの自着性樹脂層を得た。直径８ｍｍの円柱形に型抜きして弾性率測定用の試料を作製した。両側の剥離フィルムを剥がし、この試料の捻り剪断法による周波数１Ｈｚ、温度２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）を、粘弾性測定装置（REOMETRIC社製DYNAMIC ANALYZER RDA-II）を用いて測定した。
（紫外線照射した場合の貯蔵弾性率）
実施例および比較例について、自着性樹脂層を厚さ300μｍ程度まで積層し、その後紫外線照射装置（リンテック(株)製、Adwill RAD2000m/8）を用いて紫外線照射（照度220mW/cm2、光量320mJ/cm2）した。積層した自着性樹脂層を幅4ｍｍ、長さ（チャック間距離）30ｍｍのサイズの試料とし、この試料の周波数１１Ｈｚ、温度２３℃における貯蔵弾性率（Ｅ’）を、動的粘弾性測定装置（オリエンテック社製RHEOVIBRON DDV-II-EP）を用いて測定した。
なお、紫外線照射した場合と紫外線照射しない場合との測定方法の違いによる差を無くすため、Ｅ’＝３Ｇ’の式（「フェリー高分子の粘弾性」参照）を用いて測定値Ｅ’をＧ’換算した。
【００４８】
[表面粗さ（Ｒａ）測定]
実施例および比較例について、ANSI/ASME B46.1に準拠し、光干渉式表面粗さ計（Veeco社製、WycoNT1100）により算術平均粗さＲａを測定した。
対物レンズ倍率：10倍、内部レンズ倍率：1倍
測定している面積：0.35mm2
【００４９】
[ループタック試験]
FINAT No.9に基づき、ループタックの測定を行った。
実施例および比較例に記載したダイソート用シートを、幅２５mm、長さ３００mm（両端におけるつかみ部２５mmずつを含む）のテープ状に切断し、試験片とした。次いで、試験片の剥離フィルムを剥がし、測定面（自着性樹脂層面）を外側にし、両端の基材フィルム面同士が接するようにそろえてループ状にして、引張試験機（オリエンテック社製万能引張試験機）の上部つかみに両端のつかみ部を挟んで取り付けた。一方、引張試験機の下部つかみには、試験板を水平に取り付け、試験板に両面テープを貼り、試験片と同一のダイソート用シートを基材面を介して貼付した。試験板に貼付したダイソート用シートの剥離フィルムを剥がし、上部つかみを３００mm／minの速度で下げた。試験片の測定面と試験板側のダイソート用シートの自着性樹脂層面との接触面積が２５×５０mmとなるように貼着する。その位置で１５秒間保持した後、３００mm／minの速度で引き剥がし、２３℃の環境条件下で得られる引張荷重値をループタック値として測定した。得られた結果を表１に示す。
【００５０】
[半導体チップの製造]
実施例および比較例において、シリコンウエハの裏面を、（株）Disco製DGP8760を用いて厚さ１００μｍに研削しドライポリッシュ仕上げとし、５ｍｍ×５ｍｍにダイシングし、半導体チップを得た。
【００５１】
[半導体チップの搬送（チップの保持性）]
実施例および比較例において、ダイボンド装置（キヤノンマシナリー（株）製BESTEM-D02）を用いて半導体チップをピックアップし、ダイソート用シートの自着性樹脂層に、合計１００個の半導体チップを互いに３００μｍ程度の間隔で離間するように格子状に配列して仮着した。この状態で、２４時間保管（２３℃）後、スピン洗浄機（（株）Disco製ウエハ研削装置、DFD651内ユニット）を用いて水洗浄（回転数３０００ｒｐｍ、１分間）した。この時のチップの脱落の有無を確認し、脱落しなかったチップの個数をカウントしＯＫ数とした。
【００５２】
[ピックアップテスト]
ダイボンド装置を用いて半導体チップをピックアップし、実施例および比較例のダイソート用シートの自着性樹脂層に、合計１００個の半導体チップを互いに３００μｍ程度の間隔で離間するように格子状に配列して仮着した。この状態で、２４時間保管（２３℃）後、チップを、ピックアップ装置（キヤノンマシナリー（株）製BESTEM-D02）を用いて、ダイソート用シート側よりニードルで突き上げ、ピックアップした。ランダムに２０個ピックアップし、チップを破損することなくダイソートシートから剥離した個数をカウントした。また、保管時間を７２０時間（２３℃）とした以外は、上記と同じ方法でテストを行った。
ピックアップは、５本のニードルが四隅および中央部に配置されたピックアップ装置を用い、下記の突上量で行った。
１段突上量４本（四隅のニードル）：１００μｍ
１段突上量１本（中央のニードル）：１００μｍ
２段突上量１本（中央のニードル）：３００μｍ
【００５３】
（実施例１）
自着性樹脂組成物として、ブチルアクリレート（BA）90重量部、アクリル酸（AA）10重量部を共重合させて得られたアクリル共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、３から４官能のウレタンアクリレートオリゴマー（重量平均分子量3,500）60重量部、５から９官能のウレタンアクリレートオリゴマー（重量平均分子量2,200）60重量部、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）10重量部と、ベンゾフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア１８４）3重量部を混合し、トルエンで30重量％になるように濃度を調整して、自着性樹脂組成物の溶液を得た。
【００５４】
シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが0.001μｍのポリエチレンテレフタレート（PET）フィルム（厚み38μｍ）の剥離処理面上に上記自着性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥（オーブンにて100℃、1分間）し、厚み10μｍの自着性樹脂層を作製した。次いで基材フィルムとしてエチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（厚み80μｍ）を用い、この片面に自着性樹脂層を転写した。紫外線照射装置（リンテック（株）製、RAD-2000m/8、照度220mW/cm2、光量180mJ/cm2）を用いて基材フィルム面から紫外線を照射し、ダイソート用シートを得た。ダイソート用シートの自着性樹脂組成層上にチップを仮着し、チップの保持構造を得た。この構成体について、半導体チップの搬送（チップの保持性）及びピックアップテストを行った。また、これとは別の該ダイソート用シートについて、貯蔵弾性率測定、表面粗さ測定、ループタック試験を行った。結果を表１に示す。
【００５５】
（実施例２）
自着性樹脂組成物として2-エチルヘキシルアクリレート（2EHA）20重量部、イソブチルアクリレート（iBA）60重量部、メチルメタクリレート（MMA）15重量部、2-ヒドロキシエチルアクリレート（HEA）5重量部を共重合させて得られた共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）5重量部を混合し、トルエンで30重量％になるように濃度を調整して、自着性樹脂組成物の溶液を得た。シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが0.001μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）の剥離処理面上に上記自着性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥（オーブンにて100℃、1分間）し、厚み10μｍの自着性樹脂層を作製した。次いで基材フィルムとしてエチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（厚み80μｍ）を用い、この片面に自着性樹脂層を転写することでダイソート用シートを得た。実施例１と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００５６】
（実施例３）
自着性樹脂組成物としてBA85重量部、HEA15重量部からなるアクリル共重合体100重量部と、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート16重量部を反応させて得られた共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）0.5重量部と、ベンゾフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア184）3重量部を混合し、トルエンで30重量％になるように濃度を調整して、自着性樹脂組成物の溶液を得た。シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが0.7μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）の剥離処理面上に上記自着性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥（オーブンにて100℃、1分間）し、厚み10μｍの自着性樹脂層を作製した。次いで基材フィルムとしてエチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（厚み80μｍ）を用い、この片面に自着性樹脂層を転写した。紫外線照射装置（リンテック(株)製、RAD-2000m/8）を用いて基材フィルム面から紫外線を照射し、ダイソート用シートを得た。実施例１と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００５７】
（実施例４）
自着性樹脂組成物としてBA85重量部、HEA15重量部からなるアクリル共重合体100重量部と、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート16重量部を反応させて得られた共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）0.5重量部と、ベンゾフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア184）3重量部を混合し、トルエンで30重量％になるように濃度を調整して、自着性樹脂組成物の溶液を得た。シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが0.0004μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）の剥離処理面上に上記自着性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥（オーブンにて100℃、1分間）し、厚み10μｍの自着性樹脂層を作製した。次いで基材フィルムとしてエチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（厚み80μｍ）を用い、この片面に自着性樹脂層を転写し、ダイソート用シートを得た。ダイソート用シートの自着性樹脂組成層上にチップを仮着し、紫外線照射装置（リンテック(株)製、RAD-2000m/8）を用いて基材フィルム面から紫外線を照射し、チップの保持構造を得た。実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【００５８】
（実施例５）
自着性樹脂組成物の溶液として、メチルアクリレート（MA）85重量部、HEA15重量部を共重合させて得られた共重合体（重量平均分子量800,000）100重量部に対し、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）0.5重量部を用い、かつ剥離フィルムとして、シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが0.001μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）を用いた以外は実施例２と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００５９】
（実施例６）
自着性樹脂組成物の溶液として、BA90重量部、AA10重量部を共重合させて得られたアクリル共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、２から３官能のウレタンアクリレートオリゴマー（重量平均分子量7,000）25重量部、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）2重量部と、ベンゾフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア184）1重量部を用いた以外は実施例１と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６０】
（実施例７）
自着性樹脂組成物の溶液として、BA80重量部、HEA20重量部からなるアクリル共重合体100重量部と、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート21.4重量部を反応させて得られた共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）1重量部と、ベンゾフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア184）3重量部を混合し、トルエンで30重量％になるように濃度を調整して、自着性樹脂組成物の溶液を得た。この自着性樹脂組成物を用い、かつ剥離フィルムとして、シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが0.14μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）を用いた以外は実施例１と同様の方法でチップ保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６１】
（比較例１）
自着性樹脂組成物の溶液として、2EHA40重量部、酢酸ビニル（VAc）40重量部、HEA20重量部からなるアクリル共重合体100重量部と、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート21.4重量部を反応させて得られた共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）1重量部と、ベンゾフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア184）3重量部を混合し、トルエンで30重量％になるように濃度を調整して、自着性樹脂組成物の溶液を得た。シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが0.001μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）の剥離処理面上に上記自着性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥（オーブンにて100℃、1分間）し、厚み10μｍの自着性樹脂層を作製した。次いで基材フィルムとしてエチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（厚み80μｍ）を用い、この片面に自着性樹脂層を転写し、ダイソート用シートを得た。ダイソート用シートの自着性樹脂組成層上にチップを仮着し、紫外線照射装置（リンテック(株)製、RAD-2000m/8）を用いて基材フィルム面から紫外線を照射し、チップの保持構造を得た。実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【００６２】
（比較例２）
自着性樹脂組成物の溶液には比較例１と同じものを用い、それ以外は実施例２と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６３】
（比較例３）
自着性樹脂組成物の溶液として、2HEA20重量部、酢酸ビニル（VAc）78重量部、アクリル酸（AA）1重量部、2-ヒドロキシエチルメタクリレート（HEMA）1重量部を共重合させて得られたアクリル共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、３から４官能のウレタンアクリレートオリゴマー（重量平均分子量3,000）70重量部、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）3重量部と、ベンゾフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア184）3重量部を用いた以外は比較例１と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６４】
（比較例４）
自着性樹脂組成物の溶液として、2EHA85重量部、MMA5重量部、HEA10重量部を共重合させて得られた共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）4重量部を用いた以外は実施例２と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６５】
（比較例５）
剥離フィルムとして、シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが1.20μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）を用いた以外は実施例３と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６６】
（比較例６）
剥離フィルムとして、シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが1.20μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）を用いた以外は比較例４と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６７】
【表１】
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明のチップ保持構造を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６９】
１０…基材フィルム
２０…自着性樹脂層
３０…チップ
４０…リングフレーム
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自着性樹脂層を有するダイソート用シートにてチップを搬送または保管する際のチップの保持構造、基材フィルムとその上に形成された自着性樹脂層とからなるダイソート用シート及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程の一つに、所要の前処理を経て回路が形成された半導体ウエハを複数個のチップに切断分離するダイシング工程がある。この工程では、リングフレームと呼ばれる円形または方形の枠に、半導体ウエハ固定用のダイシングシートを貼着し、このダイシングシートに半導体ウエハを添付し、回路毎にダイシングし、半導体チップとする。その後、ボンディングマシンによるエキスパンド工程に続いて、たとえばエポキシ樹脂等のダイボンド用接着剤をチップ用基板のパッド部に塗布して半導体チップをチップ用基板に接着するダイボンディング工程が行われる。さらに、ワイヤボンディング工程や検査工程などを経て、最終的にモールディング工程で樹脂封止を行い、半導体装置が製造される。
【０００３】
一方、個片化された半導体チップをダイボンドせずに、収容・搬送することもある。なお、このような場合はアウトラインにてダイボンディング工程が行われる。
【０００４】
このような半導体チップの収容・搬送には、熱可塑性樹脂シートにポケット状凹部をエンボス加工により形成した、リール状のエンボスキャリアテープやチップトレイ等が用いられている。この凹部に半導体チップを収容後、カバーシートで被覆して、半導体チップを電子装置に組み込むまで保管・搬送する。このようなエンボスキャリアテープを用いることによりダイシング工程後、良品のみを選り分けて出荷することができ、更に１枚の半導体ウエハから複数の工場への出荷も可能となる。
【０００５】
しかしながら、半導体装置では埃・汚れ等が不具合を起こす原因となるため、半導体チップが搬送された場所で、これを使用する前に水洗浄することもある。エンボスキャリアテープを用いたときは、再度ダイシングテープ等に固定し洗浄する必要があるため、大変非効率的である。
【０００６】
これに対して、熱剥離テープや汎用ダイシングテープ等の粘着テープを用いて半導体チップをマウントし、半導体チップを収容・搬送するという手法も用いられている（特許文献１）。この場合は、粘着テープの粘着剤層に半導体チップが貼付され、保管・搬送される。
【０００７】
しかしながら、半導体チップの保管は数十日におよぶこともあり、特許文献１の粘着テープでは、粘着剤層の粘着力が大きい場合には保管・搬送のための時間の経過と共に、半導体チップが粘着剤層に密着してしまう。その結果、半導体チップのピックアップ作業が困難となり、特に半導体チップが薄い場合には、ピックアップ作業中に半導体チップを破損する危険があった。また、粘着剤層の粘着力が小さい場合には保管・搬送中に半導体チップが脱落する危険があった。
【特許文献１】特開２０００−９５２９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものである。すなわち、本発明は、チップの脱落なく保管・搬送が可能であり、数十日の保管期間を経た後にチップをピックアップする際には、厚みの薄いチップであっても破損することなく容易にピックアップが可能であるチップの保持構造を提供することを目的としている。また、本発明は、該保持構造の構成に用いられるダイソート用シート、及び該保持構造を経由する工程を含む半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下の通りである。
（１）基材フィルムと、その上に形成された自着性樹脂層とからなるダイソート用シートにチップが保持されているチップの保持構造において、
前記自着性樹脂層の２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．５〜２００ＭＰａであり、
前記自着性樹脂層の表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であるチップの保持構造。
（２）前記自着性樹脂層が５０〜２０００ｍＮ／２５ｍｍのループタック値を有する（１）に記載のチップの保持構造。
（３）基材フィルムとその上に形成された自着性樹脂層とからなり、
前記自着性樹脂層の２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．５〜２００ＭＰａであり、その表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であるダイソート用シート。
（４）前記自着性樹脂層が、エネルギー線硬化性樹脂の硬化物からなる（３）に記載のダイソート用シートであって、
前記自着性樹脂層のエネルギー線照射後の２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．５〜２００ＭＰａであり、その表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であるダイソート用シート。
（５）上記（１）または（２）に記載のチップの保持構造において、半導体チップを搬送もしくは保管する工程、および該チップをダイソート用シートからピックアップする工程を含む半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、チップの保持構造を形成するダイソート用シートにおける自着性樹脂層の貯蔵弾性率及び表面粗さを最適化することによって、チップの脱落なく搬送・保管が可能であり、数十日の保管期間を経た後にチップをピックアップする際には、厚みの薄いチップであっても破損することなく容易にピックアップが可能であるチップの保持構造が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明についてさらに具体的に説明する。
本発明に係るチップの保持構造は、図１に示すように、基材フィルム１０と、その一方の面に形成された自着性樹脂層２０とを有するダイソート用シートの自着性樹脂層２０にチップ３０が保持されてなることを特徴とする。また、本発明に係るダイソート用シートは、基材フィルム１０と、その一方の面に自着性樹脂層２０とを有する。このようなダイソート用シートは、自着性樹脂層２０にチップ３０が保持され、外周部がリングフレーム４０に固定されて搬送、保管される。さらにまた、本発明に係る半導体装置の製造方法は、該チップの保持構造においてチップを搬送、保管する工程と該チップをダイソート用シートからピックアップする工程とを有する。
【００１２】
基材フィルム１０としては特に制限はなく、各種粘着シートの基材フィルムとして慣用されているものの中から任意のものを適宜選択して用いることができる。例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢ビフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、フッ素樹脂フィルム等のプラスチックシートが用いられる。
【００１３】
基材フィルムは、これらのプラスチックシートの積層フィルムであってもよいし、架橋されたフィルムであってもよい。また、無色であっても有色であってもよい。さらに、後述する自着性樹脂層を形成する際にエネルギー線を照射する場合は、使用するエネルギー線に対し透過性を有していれば、基材フィルムは透明であっても不透明であってもよい。
【００１４】
基材フィルムの厚さは、使用目的や状況に応じて適宜定めればよいが、通常５０〜３００μｍ、好ましくは６０〜２００μｍの範囲である。
【００１５】
また、この基材フィルムの表面には、その上に設けられる自着性樹脂層との接着性を向上させる目的で、所望により、サンドブラストや溶剤処理などによる凹凸化処理、あるいはコロナ放電処理、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理などの酸化処理などを施すことができる。また、プライマー処理を施すこともできる。
【００１６】
自着性樹脂層２０は、粘着剤特有のべとつき感はほとんど有さないが、チップを仮着し、保持できる程度のタックを有する樹脂層である。本発明に係るチップ保持構造における自着性樹脂層は、チップが貼付され、搬送・保管する際、すなわちチップを保持している状態での貯蔵弾性率（Ｇ’）（２３℃）が、０．５〜２００ＭＰａ、好ましくは１〜１８０ＭＰａ、さらに好ましくは２〜１００ＭＰａである。チップ貼付時およびチップのピックアップ時における自着性樹脂層の貯蔵弾性率は特に限定されないが、上記と同様であることが好ましい。
【００１７】
自着性樹脂層の２３℃における貯蔵弾性率が上記範囲より高い場合には、チップの密着性が悪く、チップを安定して保持できないという不具合を生じる。また、チップを仮着できたとしても搬送、保管、水洗浄中にチップが脱落するという不具合を生じる。一方、貯蔵弾性率が上記範囲より低い場合には、チップの保持は容易であるが、チップの密着性が高くなりすぎ、ピックアップが困難になる不具合を生じる。
【００１８】
また、自着性樹脂層の表面粗さ（Ｒａ）は１μｍ以下、好ましくは０．７μｍ以下、さらに好ましくは０．０００１〜０．２μｍの範囲である。
【００１９】
自着性樹脂層の表面粗さ（Ｒａ）が上記範囲よりも大きい場合には、チップの保持性が悪く、また、チップを仮着できたとしても搬送、保管、水洗浄中にチップが脱落するという不具合を生じる。
【００２０】
チップが脱落することなく搬送、保管、水洗浄し、チップが破損することなく容易にピックアップするためには、自着性樹脂層の貯蔵弾性率と表面粗さのコントロールが重要である。
【００２１】
上記範囲よりも自着性樹脂層の貯蔵弾性率が高い場合、もしくは表面粗さが大きい場合には、搬送中にチップが脱落する不具合を生じる。
また、上記範囲よりも自着性樹脂層の貯蔵弾性率が低い場合には、ピックアップすることができず、特にチップの厚みが薄い場合にチップ破損の危険がある。
さらにまた、上記範囲よりも自着性樹脂層の貯蔵弾性率が低く、表面粗さが大きい場合には、搬送中にチップが脱落する不具合は生じないが、チップの保管期間が数十日以上経過後にピックアップする場合、自着性樹脂層とチップとが密着性が増大しピックアップが困難となり、特にチップの厚みが薄い場合にチップ破損の危険がある。
【００２２】
本発明に係るチップ保持構造における自着性樹脂層は、チップが貼付され、搬送・保管する際、すなわちチップを保持している状態でのループタック値が好ましくは５０〜２０００ｍＮ／２５ｍｍ、さらに好ましくは７０〜１５００ｍＮ／２５ｍｍの範囲である。
【００２３】
ループタック値が上記範囲より大きいと、ピックアップが困難になる場合がある。ループタック値が上記範囲より小さいと、仮着したチップとの密着性が悪く、搬送、水洗浄中にチップが脱落する場合がある。
【００２４】
自着性樹脂層の厚さは、１〜５０μｍ、好ましくは３〜３０μｍである。
【００２５】
このような自着性樹脂層を構成する樹脂材料は、上記特性を有する限り特に限定はされないが、一例として、粘着剤として汎用されているアクリル酸エステル共重合体が挙げられる。アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は、１００，０００以上であり、好ましくは１００，０００〜１，５００，０００であり、特に好ましくは１５０，０００〜１，０００，０００である。アクリル酸エステル共重合体は、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステルモノマーあるいはその誘導体等から導かれる構成単位からなる。（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、アルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステルが用いられる。（メタ）アクリル酸エステルモノマーの誘導体としては、ジメチルアクリルアミド、ジメチルメタクリルアミド、ジエチルアクリルアミド、ジエチルメタクリルアミド等のジアルキル（メタ）アクリルアミドがあげられる。これらの中でも、特に好ましくはメチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、プロピルアクリレート、プロピルメタクリレート、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、2-エチルヘキシルアクリレート、2-エチルヘキシルメタクリレート、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、ジメチルアクリルアミド等である。これらのモノマーの他に、酢酸ビニル、スチレン、ビニルアセテート等が共重合されていてもよい。
【００２６】
官能基を有するアクリル酸エステル共重合体としては、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート、2-ヒドロキシブチルアクリレート、2-ヒドロキシブチルメタクリレート等のヒドロキシル基含有アクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸等のカルボキシル基含有化合物を構成単位として有する。
【００２７】
アクリル酸エステル共重合体は、粘着剤として汎用される重合体であり、多くの場合、粘着剤特有のべとつき感を有する。本発明の自着性樹脂層として使用する場合には、架橋剤で部分架橋し、べとつき感を抑え、前述した貯蔵弾性値を有するように調整する。架橋剤としては、有機多価イソシアナート化合物、有機多価エポキシ化合物、有機多価イミン化合物等があげられる。
【００２８】
一般に架橋剤の使用量が多くなると、アクリル酸エステル共重合体のべとつき感は低下し、貯蔵弾性率は上昇する。
【００２９】
また、アクリル酸エステル共重合体にエネルギー線重合性化合物と必要に応じ光重合開始剤とを配合したエネルギー線硬化性樹脂組成物を用いて、自着性樹脂層を形成してもよい。
【００３０】
エネルギー線重合性化合物としては、エポキシアクリレート系、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、ポリエーテルアクリレート系などエネルギー線重合性のオリゴマーや、エネルギー線重合性のモノマーが用いられる。エネルギー線重合性のモノマーとしては、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、アダマンタン（メタ）アクリレートなどの脂環式化合物、フェニルヒドロキシプロピルアクリレート、ベンジルアクリレート、フェノールエチレンオキシド変性アクリレートなどの芳香族化合物、もしくはテトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、モルホリンアクリレート、Ｎ−ビニルピロリドンまたはＮ−ビニルカプロラクタムなどの複素環式化合物が挙げられる。また必要に応じて、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロピオン酸変性ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレートなどの３官能型；ジグリセリンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレートなどの４官能型；プロピオン酸変性ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレートなどの５官能型；ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートなどの６官能型などの多官能（メタ）アクリレートを用いてもよい。このようなエネルギー線重合性化合物は単独で、あるいは複数を組合せて用いても良い。
【００３１】
これらの中でも特に、ウレタンアクリレート系オリゴマーが好ましく用いられる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物たとえば２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなどを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレートたとえば２−ヒドロキシエチルアクリレートまたは２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなどを反応させて得られる。このようなウレタンアクリレート系オリゴマーは、分子内にエネルギー線重合性の二重結合を有し、エネルギー線照射により重合硬化する。ウレタンアクリレート系オリゴマーとしては、重量平均分子量が１００〜５００００のものが好ましく、１０００〜３００００のものが特に好ましい。
【００３２】
光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、２,４,６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどが例示できる。エネルギー線として紫外線を用いる場合に、光重合開始剤を配合することにより照射時間、照射量を少なくすることができる。
【００３３】
また、側鎖にエネルギー線重合性基を有するアクリル酸エステル共重合体（エネルギー線重合性粘着性重合体）と必要に応じ光重合開始剤とを配合したものをエネルギー線硬化性樹脂組成物として用いて、自着性樹脂層を形成してもよい。エネルギー線重合性粘着性重合体は、たとえば、官能基を有するアクリル酸エステル共重合体と、該官能基に反応する置換基とエネルギー線重合性基を１分子中に有する重合性基含有化合物（エネルギー線重合性基含有化合物）とを反応させて得られる。官能基を有するアクリル酸エステル共重合体としては、上記アクリル酸エステル共重合体で挙げた官能基モノマーを構成単位として有するアクリル酸エステル共重合体が用いられる。エネルギー線重合性基含有化合物としては、メタクリロイルオキシエチルイソシアナート、メタ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアナート、メタクリロイルイソシアナート、アリルイソシアナート、グリシジル（メタ）アクリレートが挙げられる。官能基を有するアクリル酸エステル共重合体と該官能基に反応する置換基を有する重合性含有化合物との反応は、通常、酢酸エチル等の溶液中でジブチル錫ラウレート等の触媒を用いて室温、常圧にて２４時間撹拌して行われる。
【００３４】
上記のようのエネルギー線硬化性樹脂組成物にエネルギー線照射を行うと、エネルギー線重合性化合物またはエネルギー線重合性粘着性重合体が硬化し、粘着剤特有のべとつき感が失われ、貯蔵弾性率が増加する。
【００３５】
このように、自着性樹脂層の貯蔵弾性率やループタック値は、樹脂層を構成する樹脂材料の架橋度や、エネルギー線重合性化合物あるいはエネルギー線重合性粘着性重合体の配合量を適宜に選択することで調整することができる。
【００３６】
また、自着性樹脂層の表面粗さを制御する方法としては、自着性樹脂層形成時にエンボス剥離フィルムを貼り合わせる方法、自着性樹脂組成物の乾燥時に組成物中の発泡剤が発砲する方法等が挙げられるが、剥離フィルムを貼り合わせる方法が好ましい。さらに好ましくは、溶剤に希釈した自着性樹脂を剥離フィルムに塗布し、乾燥させることで自着性樹脂層を形成する方法である。
【００３７】
一般に、剥離フィルム上に自着性樹脂を塗布すると、剥離フィルム表面の凹凸に自着性樹脂が埋め込まれ、自着性樹脂が乾燥すると、剥離フィルム表面の凹凸がほぼ忠実に転写された自着性樹脂層を得ることができる。したがって、表面粗さの大きな剥離フィルムを用いると、表面粗さ（Ｒａ）の大きな自着性樹脂層が形成される。また、表面粗さの小さな剥離フィルムを用いると、表面粗さ（Ｒａ）の小さな自着性樹脂層が形成される。
【００３８】
つまり、自着性樹脂層の表面粗さ（Ｒａ）は、剥離フィルムの剥離処理面の表面粗さとほぼ等しいが、自着性樹脂層の経時的変化あるいはエネルギー線照射時の体積変動により、自着性樹脂層の表面粗さは変化することがある。
【００３９】
自着性樹脂層がエネルギー線硬化性を有しない樹脂組成物から形成される場合には、前記のように所定の貯蔵弾性率を有するように架橋度を調整し、所定の剥離フィルム上に製膜して自着性樹脂層が得られる。得られた自着性樹脂層を基材フィルムに転写することで、本発明のダイソート用シートが得られる。
【００４０】
また、自着性樹脂層をエネルギー線硬化性樹脂組成物から形成する場合にも上記と同様にしてダイソート用シートが得られる。この際、エネルギー線硬化前の自着性樹脂層が、上記の貯蔵弾性率を有する場合には、得られるダイソート用シートをそのまま使用すればよい。
【００４１】
また、エネルギー線硬化前の自着性樹脂層が、上記の貯蔵弾性率を有しない場合には、エネルギー線硬化性の自着性樹脂層に、チップを仮着する前にエネルギー線を照射して、貯蔵弾性率を上述の範囲にしてもよいし、チップを仮着後にエネルギー線を照射して、貯蔵弾性率を上述した範囲にしてもよい。
いずれにしろ、チップを保持している状態での自着性樹脂層の貯蔵弾性率および表面粗さが上記の範囲にあればよい。
【００４２】
チップの仮着前に、エネルギー線硬化性の自着性樹脂層にエネルギー線を照射する場合、ダイソート用シート作製時にエネルギー線を照射することが好ましい。ダイソート用シート作製時にエネルギー線を照射し、所定の貯蔵弾性率としておくことで、チップ仮着等の工程において、エネルギー線を照射する必要がなくなり、工程を簡略化できる。
【００４３】
チップの仮着前にエネルギー線硬化性の自着性樹脂層の自着性が小さく、エネルギー線を照射した後ではチップの仮着が困難である場合は、チップ仮着後であって搬送、保管、水洗浄の前に、自着性樹脂層にエネルギー線を照射してもよい。チップを仮着する時点での自着性樹脂層は、エネルギー照射前の粘着力を有する状態のため、チップの仮着が容易であり、チップ仮着後にエネルギー照射を行うため、チップの搬送、保管、水洗浄、ピックアップの工程では、所定の貯蔵弾性率を有するため、本発明の効果が奏される。
【００４４】
また、チップの厚みが薄く、ピックアップ時にチップ破損の恐れがある場合は、チップのピックアップ前にさらにエネルギー線を照射しても良い。
【００４５】
上述した自着性樹脂層を有するダイソート用シートにチップが保持された状態で、チップを搬送、保管し、チップをダイソート用シートからピックアップし、ダイボンド樹脂封止を行うことで、半導体装置を製造することができる。該半導体装置の製造方法は、搬送、保管する際にダイソート用シートからチップの脱落を有効に防止することができる。また、チップをピックアップする際には、厚みの薄いチップであっても破損することなくチップをピックアップすることができる。
【００４６】
（実施例）
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、各成分の配合量（含有量）は、断りがない限りすべて固形分での値とする。
実施例および比較例における評価方法及び試験方法を以下に示す。
【００４７】
[貯蔵弾性率（Ｇ’）測定]
（紫外線照射しない場合の貯蔵弾性率）
実施例および比較例について、シリコーン剥離処理を行った２枚のポリエチレンテレフタレートフィルム（剥離フィルム）で挟まれた自着性樹脂層を得た。片方の剥離フィルムを剥がし、自着性樹脂層が重なるように積層を繰り返し、厚みが３ｍｍの自着性樹脂層を得た。直径８ｍｍの円柱形に型抜きして弾性率測定用の試料を作製した。両側の剥離フィルムを剥がし、この試料の捻り剪断法による周波数１Ｈｚ、温度２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）を、粘弾性測定装置（REOMETRIC社製DYNAMIC ANALYZER RDA-II）を用いて測定した。
（紫外線照射した場合の貯蔵弾性率）
実施例および比較例について、自着性樹脂層を厚さ300μｍ程度まで積層し、その後紫外線照射装置（リンテック(株)製、Adwill RAD2000m/8）を用いて紫外線照射（照度220mW/cm2、光量320mJ/cm2）した。積層した自着性樹脂層を幅4ｍｍ、長さ（チャック間距離）30ｍｍのサイズの試料とし、この試料の周波数１１Ｈｚ、温度２３℃における貯蔵弾性率（Ｅ’）を、動的粘弾性測定装置（オリエンテック社製RHEOVIBRON DDV-II-EP）を用いて測定した。
なお、紫外線照射した場合と紫外線照射しない場合との測定方法の違いによる差を無くすため、Ｅ’＝３Ｇ’の式（「フェリー高分子の粘弾性」参照）を用いて測定値Ｅ’をＧ’換算した。
【００４８】
[表面粗さ（Ｒａ）測定]
実施例および比較例について、ANSI/ASME B46.1に準拠し、光干渉式表面粗さ計（Veeco社製、WycoNT1100）により算術平均粗さＲａを測定した。
対物レンズ倍率：10倍、内部レンズ倍率：1倍
測定している面積：0.35mm2
【００４９】
[ループタック試験]
FINAT No.9に基づき、ループタックの測定を行った。
実施例および比較例に記載したダイソート用シートを、幅２５mm、長さ３００mm（両端におけるつかみ部２５mmずつを含む）のテープ状に切断し、試験片とした。次いで、試験片の剥離フィルムを剥がし、測定面（自着性樹脂層面）を外側にし、両端の基材フィルム面同士が接するようにそろえてループ状にして、引張試験機（オリエンテック社製万能引張試験機）の上部つかみに両端のつかみ部を挟んで取り付けた。一方、引張試験機の下部つかみには、試験板を水平に取り付け、試験板に両面テープを貼り、試験片と同一のダイソート用シートを基材面を介して貼付した。試験板に貼付したダイソート用シートの剥離フィルムを剥がし、上部つかみを３００mm／minの速度で下げた。試験片の測定面と試験板側のダイソート用シートの自着性樹脂層面との接触面積が２５×５０mmとなるように貼着する。その位置で１５秒間保持した後、３００mm／minの速度で引き剥がし、２３℃の環境条件下で得られる引張荷重値をループタック値として測定した。得られた結果を表１に示す。
【００５０】
[半導体チップの製造]
実施例および比較例において、シリコンウエハの裏面を、（株）Disco製DGP8760を用いて厚さ１００μｍに研削しドライポリッシュ仕上げとし、５ｍｍ×５ｍｍにダイシングし、半導体チップを得た。
【００５１】
[半導体チップの搬送（チップの保持性）]
実施例および比較例において、ダイボンド装置（キヤノンマシナリー（株）製BESTEM-D02）を用いて半導体チップをピックアップし、ダイソート用シートの自着性樹脂層に、合計１００個の半導体チップを互いに３００μｍ程度の間隔で離間するように格子状に配列して仮着した。この状態で、２４時間保管（２３℃）後、スピン洗浄機（（株）Disco製ウエハ研削装置、DFD651内ユニット）を用いて水洗浄（回転数３０００ｒｐｍ、１分間）した。この時のチップの脱落の有無を確認し、脱落しなかったチップの個数をカウントしＯＫ数とした。
【００５２】
[ピックアップテスト]
ダイボンド装置を用いて半導体チップをピックアップし、実施例および比較例のダイソート用シートの自着性樹脂層に、合計１００個の半導体チップを互いに３００μｍ程度の間隔で離間するように格子状に配列して仮着した。この状態で、２４時間保管（２３℃）後、チップを、ピックアップ装置（キヤノンマシナリー（株）製BESTEM-D02）を用いて、ダイソート用シート側よりニードルで突き上げ、ピックアップした。ランダムに２０個ピックアップし、チップを破損することなくダイソートシートから剥離した個数をカウントした。また、保管時間を７２０時間（２３℃）とした以外は、上記と同じ方法でテストを行った。
ピックアップは、５本のニードルが四隅および中央部に配置されたピックアップ装置を用い、下記の突上量で行った。
１段突上量４本（四隅のニードル）：１００μｍ
１段突上量１本（中央のニードル）：１００μｍ
２段突上量１本（中央のニードル）：３００μｍ
【００５３】
（実施例１）
自着性樹脂組成物として、ブチルアクリレート（BA）90重量部、アクリル酸（AA）10重量部を共重合させて得られたアクリル共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、３から４官能のウレタンアクリレートオリゴマー（重量平均分子量3,500）60重量部、５から９官能のウレタンアクリレートオリゴマー（重量平均分子量2,200）60重量部、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）10重量部と、ベンゾフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア１８４）3重量部を混合し、トルエンで30重量％になるように濃度を調整して、自着性樹脂組成物の溶液を得た。
【００５４】
シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが0.001μｍのポリエチレンテレフタレート（PET）フィルム（厚み38μｍ）の剥離処理面上に上記自着性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥（オーブンにて100℃、1分間）し、厚み10μｍの自着性樹脂層を作製した。次いで基材フィルムとしてエチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（厚み80μｍ）を用い、この片面に自着性樹脂層を転写した。紫外線照射装置（リンテック（株）製、RAD-2000m/8、照度220mW/cm2、光量180mJ/cm2）を用いて基材フィルム面から紫外線を照射し、ダイソート用シートを得た。ダイソート用シートの自着性樹脂組成層上にチップを仮着し、チップの保持構造を得た。この構成体について、半導体チップの搬送（チップの保持性）及びピックアップテストを行った。また、これとは別の該ダイソート用シートについて、貯蔵弾性率測定、表面粗さ測定、ループタック試験を行った。結果を表１に示す。
【００５５】
（実施例２）
自着性樹脂組成物として2-エチルヘキシルアクリレート（2EHA）20重量部、イソブチルアクリレート（iBA）60重量部、メチルメタクリレート（MMA）15重量部、2-ヒドロキシエチルアクリレート（HEA）5重量部を共重合させて得られた共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）5重量部を混合し、トルエンで30重量％になるように濃度を調整して、自着性樹脂組成物の溶液を得た。シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが0.001μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）の剥離処理面上に上記自着性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥（オーブンにて100℃、1分間）し、厚み10μｍの自着性樹脂層を作製した。次いで基材フィルムとしてエチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（厚み80μｍ）を用い、この片面に自着性樹脂層を転写することでダイソート用シートを得た。実施例１と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００５６】
（実施例３）
自着性樹脂組成物としてBA85重量部、HEA15重量部からなるアクリル共重合体100重量部と、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート16重量部を反応させて得られた共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）0.5重量部と、ベンゾフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア184）3重量部を混合し、トルエンで30重量％になるように濃度を調整して、自着性樹脂組成物の溶液を得た。シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが0.7μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）の剥離処理面上に上記自着性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥（オーブンにて100℃、1分間）し、厚み10μｍの自着性樹脂層を作製した。次いで基材フィルムとしてエチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（厚み80μｍ）を用い、この片面に自着性樹脂層を転写した。紫外線照射装置（リンテック(株)製、RAD-2000m/8）を用いて基材フィルム面から紫外線を照射し、ダイソート用シートを得た。実施例１と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００５７】
（実施例４）
自着性樹脂組成物としてBA85重量部、HEA15重量部からなるアクリル共重合体100重量部と、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート16重量部を反応させて得られた共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）0.5重量部と、ベンゾフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア184）3重量部を混合し、トルエンで30重量％になるように濃度を調整して、自着性樹脂組成物の溶液を得た。シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが0.0004μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）の剥離処理面上に上記自着性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥（オーブンにて100℃、1分間）し、厚み10μｍの自着性樹脂層を作製した。次いで基材フィルムとしてエチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（厚み80μｍ）を用い、この片面に自着性樹脂層を転写し、ダイソート用シートを得た。ダイソート用シートの自着性樹脂組成層上にチップを仮着し、紫外線照射装置（リンテック(株)製、RAD-2000m/8）を用いて基材フィルム面から紫外線を照射し、チップの保持構造を得た。実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【００５８】
（実施例５）
自着性樹脂組成物の溶液として、メチルアクリレート（MA）85重量部、HEA15重量部を共重合させて得られた共重合体（重量平均分子量800,000）100重量部に対し、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）0.5重量部を用い、かつ剥離フィルムとして、シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが0.001μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）を用いた以外は実施例２と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００５９】
（実施例６）
自着性樹脂組成物の溶液として、BA90重量部、AA10重量部を共重合させて得られたアクリル共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、２から３官能のウレタンアクリレートオリゴマー（重量平均分子量7,000）25重量部、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）2重量部と、ベンゾフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア184）1重量部を用いた以外は実施例１と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６０】
（実施例７）
自着性樹脂組成物の溶液として、BA80重量部、HEA20重量部からなるアクリル共重合体100重量部と、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート21.4重量部を反応させて得られた共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）1重量部と、ベンゾフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア184）3重量部を混合し、トルエンで30重量％になるように濃度を調整して、自着性樹脂組成物の溶液を得た。この自着性樹脂組成物を用い、かつ剥離フィルムとして、シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが0.14μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）を用いた以外は実施例１と同様の方法でチップ保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６１】
（比較例１）
自着性樹脂組成物の溶液として、2EHA40重量部、酢酸ビニル（VAc）40重量部、HEA20重量部からなるアクリル共重合体100重量部と、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート21.4重量部を反応させて得られた共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）1重量部と、ベンゾフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア184）3重量部を混合し、トルエンで30重量％になるように濃度を調整して、自着性樹脂組成物の溶液を得た。シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが0.001μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）の剥離処理面上に上記自着性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥（オーブンにて100℃、1分間）し、厚み10μｍの自着性樹脂層を作製した。次いで基材フィルムとしてエチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（厚み80μｍ）を用い、この片面に自着性樹脂層を転写し、ダイソート用シートを得た。ダイソート用シートの自着性樹脂組成層上にチップを仮着し、紫外線照射装置（リンテック(株)製、RAD-2000m/8）を用いて基材フィルム面から紫外線を照射し、チップの保持構造を得た。実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【００６２】
（比較例２）
自着性樹脂組成物の溶液には比較例１と同じものを用い、それ以外は実施例２と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６３】
（比較例３）
自着性樹脂組成物の溶液として、2HEA20重量部、酢酸ビニル（VAc）78重量部、アクリル酸（AA）1重量部、2-ヒドロキシエチルメタクリレート（HEMA）1重量部を共重合させて得られたアクリル共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、３から４官能のウレタンアクリレートオリゴマー（重量平均分子量3,000）70重量部、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）3重量部と、ベンゾフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア184）3重量部を用いた以外は比較例１と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６４】
（比較例４）
自着性樹脂組成物の溶液として、2EHA85重量部、MMA5重量部、HEA10重量部を共重合させて得られた共重合体（重量平均分子量500,000）100重量部に対し、多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）4重量部を用いた以外は実施例２と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６５】
（比較例５）
剥離フィルムとして、シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが1.20μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）を用いた以外は実施例３と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６６】
（比較例６）
剥離フィルムとして、シリコーン剥離処理を行った、表面粗さが1.20μｍのPETフィルム（厚み38μｍ）を用いた以外は比較例４と同様の方法でチップの保持構造を得、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６７】
【表１】
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明のチップ保持構造を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６９】
１０…基材フィルム
２０…自着性樹脂層
３０…チップ
４０…リングフレーム
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと、その上に形成された自着性樹脂層とからなるダイソート用シートにチップが保持されているチップの保持構造において、
前記自着性樹脂層の２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．５〜２００ＭＰａであり、
前記自着性樹脂層の表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であるチップの保持構造。
【請求項２】
前記自着性樹脂層が５０〜２０００ｍＮ／２５ｍｍのループタック値を有する請求項１に記載のチップの保持構造。
【請求項３】
基材フィルムとその上に形成された自着性樹脂層とからなり、
前記自着性樹脂層の２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．５〜２００ＭＰａであり、その表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であるダイソート用シート。
【請求項４】
前記自着性樹脂層が、エネルギー線硬化性樹脂の硬化物からなる請求項３に記載のダイソート用シートであって、
前記自着性樹脂層のエネルギー線照射後の２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．５〜２００ＭＰａであり、その表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であるダイソート用シート。
【請求項５】
請求項１または２に記載のチップの保持構造において、半導体チップを搬送もしくは保管する工程、および該チップをダイソート用シートからピックアップする工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１】
基材フィルムと、その上に形成された自着性樹脂層とからなるダイソート用シートにチップが保持されているチップの保持構造において、
前記自着性樹脂層の２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．５〜２００ＭＰａであり、
前記自着性樹脂層の表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であるチップの保持構造。
【請求項２】
前記自着性樹脂層が５０〜２０００ｍＮ／２５ｍｍのループタック値を有する請求項１に記載のチップの保持構造。
【請求項３】
基材フィルムとその上に形成された自着性樹脂層とからなり、
前記自着性樹脂層の２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．５〜２００ＭＰａであり、その表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であるダイソート用シート。
【請求項４】
前記自着性樹脂層が、エネルギー線硬化性樹脂の硬化物からなる請求項３に記載のダイソート用シートであって、
前記自着性樹脂層のエネルギー線照射後の２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が０．５〜２００ＭＰａであり、その表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であるダイソート用シート。
【請求項５】
請求項１または２に記載のチップの保持構造において、半導体チップを搬送もしくは保管する工程、および該チップをダイソート用シートからピックアップする工程を含む半導体装置の製造方法。
【図１】
【公開番号】特開２００９−２４６３０１（Ｐ２００９−２４６３０１Ａ）
【公開日】平成２１年１０月２２日（２００９．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−９４１３６（Ｐ２００８−９４１３６）
【出願日】平成２０年３月３１日（２００８．３．３１）
【出願人】（０００１０２９８０）リンテック株式会社 (1,750)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月２２日（２００９．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月３１日（２００８．３．３１）
【出願人】（０００１０２９８０）リンテック株式会社 (1,750)
【Ｆターム（参考）】
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