半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法
【課題】テスト回路を低耐圧の仕様にすることが可能であり、テスト回路の面積を小さくすることのできる半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】高電圧を用いて動作を行なう高電圧動作回路１１は、パッド１５，１６に接続されている。高電圧動作回路１１のテスト時に用いるマルチプレクサ１３は、パッド１５，１６，１７に接続されている。パッド１５，１６とマルチプレクサ１３とを接続する配線には、それぞれヒューズ２１，２２が設けられている。検査ボードは、高電圧動作回路１１のテスト終了後、パッド１７をグランドに接続し、切断処理信号をマルチプレクサ１３に供給し、パッド１５（１６）に電圧を印加する。切断処理信号を受信したマルチプレクサ１３は、パッド１５（１６）とパッド１７とを接続し、電流を流す。これにより、ヒューズ２１（２２）が切断され、マルチプレクサ１３を高電圧動作回路１１と絶縁状態にする。
【解決手段】高電圧を用いて動作を行なう高電圧動作回路１１は、パッド１５，１６に接続されている。高電圧動作回路１１のテスト時に用いるマルチプレクサ１３は、パッド１５，１６，１７に接続されている。パッド１５，１６とマルチプレクサ１３とを接続する配線には、それぞれヒューズ２１，２２が設けられている。検査ボードは、高電圧動作回路１１のテスト終了後、パッド１７をグランドに接続し、切断処理信号をマルチプレクサ１３に供給し、パッド１５（１６）に電圧を印加する。切断処理信号を受信したマルチプレクサ１３は、パッド１５（１６）とパッド１７とを接続し、電流を流す。これにより、ヒューズ２１（２２）が切断され、マルチプレクサ１３を高電圧動作回路１１と絶縁状態にする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高電圧動作回路を備えた半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体デバイスが製造された場合には、動作チェックを行なうために、半導体デバイスの動作テストが行われている。この場合、量産や動作テストの簡素化のために、テスト回路を搭載した半導体デバイスが検討されていた（例えば、特許文献１参照。）。この特許文献１に記載の半導体デバイスは、書き込みと読み出しが行われるメモリ回路を備える。そして、読み出し信号とそれに対応した期待値を第１外部端子から入力して比較回路で比較し、比較結果を第２外部端子から入力された判定ストローブ信号に同期して取り込むラッチ回路からなるテスト回路を設ける。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１１０９３５号公報（第１頁及び図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このようにテスト回路を搭載された半導体デバイスにおいては、テスト時に使用する電圧よりも高い電圧を用いて動作を行なう高電圧動作回路が設けられている場合がある。この場合、テスト回路は高電圧の動作回路に接続されており高電圧が印加されるため、テスト回路も高耐圧にする必要がある。一般的に、高耐圧にするためには、低耐圧の場合に比べて大きな面積を確保する必要がある。このため、高耐圧のテスト回路により、半導体デバイス全体が大きくなるという問題がある。
【０００５】
本発明は、上述した問題に鑑みてなされ、その目的は、テスト回路を低耐圧の仕様にすることが可能であり、テスト回路の面積を小さくすることのできる半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、動作回路と、この動作回路のテストを行なうテスト回路とを備えた半導体デバイスであって、前記動作回路は、前記テスト回路において用いるテスト電圧より高い高電圧を用いて動作を行なう回路であって、前記テスト回路を前記動作回路から絶縁させるために、前記動作回路と前記テスト回路とを接続する配線の一部に配線切断容易部を設け、前記配線切断容易部は、前記テスト回路を用いるテスト時には前記動作回路と導通し、前記動作回路の動作時には切断されることを要旨とする。このため、動作回路とテスト回路とを接続する配線に設けた配線切断容易部が切断されることにより、簡単に、テスト回路は高電圧動作回路と絶縁することができる。従って、動作回路の動作中に、動作回路に印加される高電圧が、テスト回路に印加されることがないため、テスト回路を低耐圧で構成することができ、テスト回路の面積を小さくして、半導体デバイス全体を小さくすることができる。
【０００７】
本発明は、前記配線切断容易部は、ヒューズであることを要旨とする。このため、配線切断容易部としてヒューズを用いたので、ヒューズを配置した配線に大電流を流すこと等により、配線切断容易部を簡単に切断することができる。
【０００８】
本発明は、外部と接続可能で、前記ヒューズを切断する大きさの電流を前記ヒューズに流すための複数の電極部を更に備えたことを要旨とする。このため、電極部を介して外部からヒューズを切断する大きさの電流を流すことにより、簡単に、ヒューズを切断することができる。
【０００９】
本発明は、動作回路と、この動作回路のテストを行なうテスト回路とを備え、前記動作回路は、前記テスト回路において用いるテスト電圧よりも高い高電圧を用いて動作を行なう回路であって、前記動作回路と前記テスト回路とを接続する配線に、配線切断容易部を設けた半導体デバイスの製造方法であって、前記テスト回路が前記動作回路に対してテストを行なった後に、前記テスト回路を前記動作回路と絶縁させるために、前記配線切断容易部を切断する切断段階を備えたことを要旨とする。このため、テスト終了後に、配線切断容易部を切断して、簡単に、テスト回路は高電圧動作回路と絶縁することができる。従って、動作回路の動作中に、動作回路に印加される高電圧が、テスト回路に印加されることがないため、テスト回路を低耐圧で構成することができ、テスト回路の面積を小さくすることができる。
【００１０】
本発明は、前記配線切断容易部は、ヒューズであり、前記テスト回路は、切断処理信号を受信した場合、前記ヒューズが接続されている配線と、外部と接続可能な電極部に接続される配線とを接続する回路であって、前記切断段階は、前記テスト回路に対して切断処理信号を供給する段階と、前記ヒューズが設けられた配線に電流を流して、このヒューズの切断を行なう段階とを含むことを要旨とする。このため、テスト回路に切断処理信号を供給して、ヒューズが設けられた配線に電流を流すことにより、簡単に、ヒューズを切断することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、低耐圧の構成でテスト回路を作成でき、テスト回路の面積を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態における半導体デバイスの概略構成図。
【図２】実施形態における半導体デバイスの製造方法の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を具体化した実施形態の半導体デバイス１０について図１を用いて説明する。
図１に示すように、本実施形態の半導体デバイス１０は、高電圧動作回路１１と、テスト回路としてのマルチプレクサ１３とを備えている。本実施形態では、高電圧動作回路１１とマルチプレクサ１３とは、同一のチップ上に形成される。
【００１４】
高電圧動作回路１１は、本実施形態では、マルチプレクサ１３を用いてテストを行なうときの電圧よりも高い電圧（例えば０Ｖ〜２０Ｖ）を用いて所定の動作を行なう回路である。このため、高電圧動作回路１１は、使用する電圧に耐える高耐圧の半導体素子が用いられる。更に、この高電圧動作回路１１は、電極部としてのパッド１５，１６に接続されている。パッド１５，１６は、半導体デバイス１０の外部と接続可能となっており、外部から電圧の印加が可能となっている。
【００１５】
一方、マルチプレクサ１３は、高電圧動作回路１１の動作テストを行なうテスト回路として機能する。このマルチプレクサ１３は、高電圧動作回路１１に用いられる電圧よりも低いテスト電圧を用いてテストを行なう。このマルチプレクサ１３は、具体的には、アナログマルチプレクサであり、選択指示信号及びアナログ信号が入力される。マルチプレク
サ１３は、選択指示信号に応じて入力されるアナログ信号を選択し、このアナログ信号を出力信号として出力する。
【００１６】
本実施形態では、マルチプレクサ１３は、パッド１５，１６，１７に接続されている。例えば、マルチプレクサ１３には、パッド１５，１６を介して、後述する検査ボード又は高電圧動作回路１１からのアナログ信号が供給される。更に、マルチプレクサ１３は、パッド１７を介して検査ボードに出力信号を供給する。また、このパッド１７は、検査ボードを介して、半導体デバイス１０の外部と接続可能となっており、外部から電圧の印加が可能となっている。このパッド１７は、電極部として機能する。
【００１７】
更に、本実施形態のマルチプレクサ１３は、検査ボードから、選択指示信号として切断処理信号を取得した場合、パッド１５又はパッド１６と、パッド１７とを接続する。これにより、パッド１５（又はパッド１６）とパッド１７との間に電流が流れるように、内部の接続を行なう。この場合、後述するヒューズ２１，２２を切断可能な大きさの電流が流れる構成にする。
【００１８】
一方、マルチプレクサ１３とパッド１５とを接続する配線に、配線切断容易部としてのヒューズ２１が設けられている。また、このマルチプレクサ１３とパッド１６とを接続する配線に、配線切断容易部としてのヒューズ２２が設けられている。
【００１９】
（製造方法）
次に、本実施形態の半導体デバイス１０の製造方法を、図２を用いて説明する。ここでは、半導体デバイス１０の配線が完成した後の処理を説明する。
【００２０】
まず、動作テスト処理を実行する（ステップＳ１）。具体的には、公知の検査ボードの端子を半導体デバイス１０のパッド１５〜１７に接続する。そして、この検査ボードにおいて生成されたテスト発生信号を、パッド１５又はパッド１６を介して高電圧動作回路１１に供給する。また、検査ボードは、選択指示信号をマルチプレクサ１３に供給する。マルチプレクサ１３は、パッド１５，１６を介して高電圧動作回路１１からの信号を取得し、パッド１７を介して検査ボードに提供する。検査ボードは、パッド１７から取得した信号と、予定していた出力信号になっているか否かの動作テストを実行する。
【００２１】
そして、この動作テスト処理において高電圧動作回路１１が正常の動作を行なうことが確認できた場合には、切断段階としてのヒューズ切断処理を実行する（ステップＳ２）。具体的には、テストが終了した検査ボードは、パッド１７をグランドに接続する。そして、検査ボードは、マルチプレクサ１３に対して切断処理信号を供給する配線選択段階を実行する。ここで、検査ボードは、ヒューズ２１を切断するための切断処理信号をマルチプレクサ１３に供給する。切断処理信号を受信したマルチプレクサ１３は、パッド１５に接続する配線と、パッド１７に接続する配線とを接続する。
【００２２】
そして、検査ボードは、ヒューズ２１が設けられた配線のパッド１５に対して電圧を印加する。これにより、ヒューズ２１が配置された配線に、このヒューズ２１の許容電流より大きい電流が流れて熱が発生し、ヒューズ２１は溶断する。
【００２３】
この場合、検査ボードは、電圧を印加したパッド１５の電圧又は電流の変化を監視している。そして、ヒューズ２１の切断により、パッド１５の電圧又は電流が変化したことを検出した検査ボードは、ヒューズ２２を切断するための切断処理信号をマルチプレクサ１３に供給する。この切断処理信号によって、マルチプレクサ１３は、パッド１６に接続する配線と、パッド１７に接続する配線とを接続する。
【００２４】
そして、検査ボードは、ヒューズ２２が設けられた配線のパッド１６に対して電圧を印加する。これにより、ヒューズ２１の場合と同様に、ヒューズ２２が配置された配線に、ヒューズ２２の許容電流より大きい電流が流れて、ヒューズ２２が溶断する。
【００２５】
この場合にも、検査ボードは、電圧を印加したパッド１６の電圧又は電流の変化を監視する。そして、ヒューズ２２の切断により、パッド１６の電圧又は電流が変化した場合には、ヒューズ切断処理が完了する。以上により、半導体デバイス１０の製造方法が終了する。
【００２６】
本実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
・ 本実施形態では、高電圧動作回路１１及びマルチプレクサ１３は、パッド１５，１６に接続されている。パッド１５，１６とマルチプレクサ１３との間には、それぞれヒューズ２１，２２が設けられている。このため、ヒューズ２１，２２を切断することにより、マルチプレクサ１３は高電圧動作回路１１とは絶縁状態になる。従って、高電圧動作回路１１の動作中にマルチプレクサ１３に高電圧が印加されることがないため、マルチプレクサ１３を低耐圧の構成にすることができる。よって、マルチプレクサ１３のチップ上の面積を小さくすることができる。
【００２７】
・ 本実施形態では、動作テスト処理が終了後、ヒューズ切断処理を実行する（ステップＳ２）。この場合、マルチプレクサ１３は、ヒューズ２１を切断するための切断処理信号を受信すると、パッド１５に接続する配線と、グランドに接続されているパッド１７に接続する配線とを接続する。そして、パッド１５に電圧が印加されて、ヒューズ２１が設けられた配線に電流が流れて、ヒューズ２１が切断される。次に、マルチプレクサ１３は、ヒューズ２２を切断するための切断処理信号を受信すると、パッド１６に接続する配線と、グランドに接続されているパッド１７に接続する配線とを接続する。そして、パッド１５に電圧が印加されて、ヒューズ２１が設けられた配線に電流が流れて、ヒューズ２２が切断される。このため、切断処理信号をマルチプレクサ１３に供給し、マルチプレクサ１３の接続を変更し、更に、パッド１５，１６に電圧を印加することにより、簡単に、ヒューズ２１，２２を切断することができる。
【００２８】
また、上記実施形態は、以下のように変更してもよい。
○ 上記実施形態においては、検査ボードは、マルチプレクサ１３に対して切断処理信号を供給し、テスト回路としてのマルチプレクサ１３の信号を出力するパッド１７をグランドに接続した。これに限らず、テスト回路は、切断処理信号を受信した場合には、高電圧動作回路１１との間に配置したヒューズ２１，２２を切断する配線になる構成を備えるようにしてもよい。例えば、テスト回路自体がグランドラインを内蔵している場合には、テスト回路は、切断処理信号を受信した場合、ヒューズ２１，２２の配線とグランドラインとを接続して、ヒューズ２１，２２を切断する電流を流す構成としてもよい。
【００２９】
○ 上記実施形態においては、マルチプレクサ１３の信号を出力するパッド１７をグランドに接続させ、ヒューズ２１，２２の配線に電流を流して、ヒューズ２１，２２の切断を行った。ヒューズ２１，２２の切断方法は、これに限られるものではない。例えば、テスト終了後に高電圧動作回路１１に含まれるヒューズをレーザによって切断する際に併せて、ヒューズ２１，２２をレーザによって切断してもよい。また、ヒューズ２１，２２に接続されるがマルチプレクサ１３に接続されないパッドを設け、このパッドとパッド１５（１６）との配線に電流を流すことにより、ヒューズ２１（２２）を溶断させてもよい。この場合には、マルチプレクサ１３内においてヒューズ２１（２２）を切断するための大電流を流さなくてもよい。
【００３０】
○ 上記実施形態においては、配線切断容易部としてヒューズ２１，２２を設けたが、
テスト回路を高電圧動作回路１１から容易に絶縁できる構成であれば、これに限られるものではない。
【００３１】
○ 上記実施形態においては、マルチプレクサ１３は、高電圧動作回路１１と２本の配線によって接続されていたため、これら各配線上にヒューズ２１，２２をそれぞれ設けた。ヒューズの位置及び個数は、マルチプレクサ１３が高電圧動作回路と絶縁可能となるのであれば、上記実施形態に限定されない。
【符号の説明】
【００３２】
１０…半導体デバイス、１１…高電圧動作回路、１３…テスト回路としてのマルチプレクサ、１５，１６，１７…電極部としてのパッド、２１，２２…ヒューズ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高電圧動作回路を備えた半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体デバイスが製造された場合には、動作チェックを行なうために、半導体デバイスの動作テストが行われている。この場合、量産や動作テストの簡素化のために、テスト回路を搭載した半導体デバイスが検討されていた（例えば、特許文献１参照。）。この特許文献１に記載の半導体デバイスは、書き込みと読み出しが行われるメモリ回路を備える。そして、読み出し信号とそれに対応した期待値を第１外部端子から入力して比較回路で比較し、比較結果を第２外部端子から入力された判定ストローブ信号に同期して取り込むラッチ回路からなるテスト回路を設ける。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１１０９３５号公報（第１頁及び図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このようにテスト回路を搭載された半導体デバイスにおいては、テスト時に使用する電圧よりも高い電圧を用いて動作を行なう高電圧動作回路が設けられている場合がある。この場合、テスト回路は高電圧の動作回路に接続されており高電圧が印加されるため、テスト回路も高耐圧にする必要がある。一般的に、高耐圧にするためには、低耐圧の場合に比べて大きな面積を確保する必要がある。このため、高耐圧のテスト回路により、半導体デバイス全体が大きくなるという問題がある。
【０００５】
本発明は、上述した問題に鑑みてなされ、その目的は、テスト回路を低耐圧の仕様にすることが可能であり、テスト回路の面積を小さくすることのできる半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、動作回路と、この動作回路のテストを行なうテスト回路とを備えた半導体デバイスであって、前記動作回路は、前記テスト回路において用いるテスト電圧より高い高電圧を用いて動作を行なう回路であって、前記テスト回路を前記動作回路から絶縁させるために、前記動作回路と前記テスト回路とを接続する配線の一部に配線切断容易部を設け、前記配線切断容易部は、前記テスト回路を用いるテスト時には前記動作回路と導通し、前記動作回路の動作時には切断されることを要旨とする。このため、動作回路とテスト回路とを接続する配線に設けた配線切断容易部が切断されることにより、簡単に、テスト回路は高電圧動作回路と絶縁することができる。従って、動作回路の動作中に、動作回路に印加される高電圧が、テスト回路に印加されることがないため、テスト回路を低耐圧で構成することができ、テスト回路の面積を小さくして、半導体デバイス全体を小さくすることができる。
【０００７】
本発明は、前記配線切断容易部は、ヒューズであることを要旨とする。このため、配線切断容易部としてヒューズを用いたので、ヒューズを配置した配線に大電流を流すこと等により、配線切断容易部を簡単に切断することができる。
【０００８】
本発明は、外部と接続可能で、前記ヒューズを切断する大きさの電流を前記ヒューズに流すための複数の電極部を更に備えたことを要旨とする。このため、電極部を介して外部からヒューズを切断する大きさの電流を流すことにより、簡単に、ヒューズを切断することができる。
【０００９】
本発明は、動作回路と、この動作回路のテストを行なうテスト回路とを備え、前記動作回路は、前記テスト回路において用いるテスト電圧よりも高い高電圧を用いて動作を行なう回路であって、前記動作回路と前記テスト回路とを接続する配線に、配線切断容易部を設けた半導体デバイスの製造方法であって、前記テスト回路が前記動作回路に対してテストを行なった後に、前記テスト回路を前記動作回路と絶縁させるために、前記配線切断容易部を切断する切断段階を備えたことを要旨とする。このため、テスト終了後に、配線切断容易部を切断して、簡単に、テスト回路は高電圧動作回路と絶縁することができる。従って、動作回路の動作中に、動作回路に印加される高電圧が、テスト回路に印加されることがないため、テスト回路を低耐圧で構成することができ、テスト回路の面積を小さくすることができる。
【００１０】
本発明は、前記配線切断容易部は、ヒューズであり、前記テスト回路は、切断処理信号を受信した場合、前記ヒューズが接続されている配線と、外部と接続可能な電極部に接続される配線とを接続する回路であって、前記切断段階は、前記テスト回路に対して切断処理信号を供給する段階と、前記ヒューズが設けられた配線に電流を流して、このヒューズの切断を行なう段階とを含むことを要旨とする。このため、テスト回路に切断処理信号を供給して、ヒューズが設けられた配線に電流を流すことにより、簡単に、ヒューズを切断することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、低耐圧の構成でテスト回路を作成でき、テスト回路の面積を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態における半導体デバイスの概略構成図。
【図２】実施形態における半導体デバイスの製造方法の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を具体化した実施形態の半導体デバイス１０について図１を用いて説明する。
図１に示すように、本実施形態の半導体デバイス１０は、高電圧動作回路１１と、テスト回路としてのマルチプレクサ１３とを備えている。本実施形態では、高電圧動作回路１１とマルチプレクサ１３とは、同一のチップ上に形成される。
【００１４】
高電圧動作回路１１は、本実施形態では、マルチプレクサ１３を用いてテストを行なうときの電圧よりも高い電圧（例えば０Ｖ〜２０Ｖ）を用いて所定の動作を行なう回路である。このため、高電圧動作回路１１は、使用する電圧に耐える高耐圧の半導体素子が用いられる。更に、この高電圧動作回路１１は、電極部としてのパッド１５，１６に接続されている。パッド１５，１６は、半導体デバイス１０の外部と接続可能となっており、外部から電圧の印加が可能となっている。
【００１５】
一方、マルチプレクサ１３は、高電圧動作回路１１の動作テストを行なうテスト回路として機能する。このマルチプレクサ１３は、高電圧動作回路１１に用いられる電圧よりも低いテスト電圧を用いてテストを行なう。このマルチプレクサ１３は、具体的には、アナログマルチプレクサであり、選択指示信号及びアナログ信号が入力される。マルチプレク
サ１３は、選択指示信号に応じて入力されるアナログ信号を選択し、このアナログ信号を出力信号として出力する。
【００１６】
本実施形態では、マルチプレクサ１３は、パッド１５，１６，１７に接続されている。例えば、マルチプレクサ１３には、パッド１５，１６を介して、後述する検査ボード又は高電圧動作回路１１からのアナログ信号が供給される。更に、マルチプレクサ１３は、パッド１７を介して検査ボードに出力信号を供給する。また、このパッド１７は、検査ボードを介して、半導体デバイス１０の外部と接続可能となっており、外部から電圧の印加が可能となっている。このパッド１７は、電極部として機能する。
【００１７】
更に、本実施形態のマルチプレクサ１３は、検査ボードから、選択指示信号として切断処理信号を取得した場合、パッド１５又はパッド１６と、パッド１７とを接続する。これにより、パッド１５（又はパッド１６）とパッド１７との間に電流が流れるように、内部の接続を行なう。この場合、後述するヒューズ２１，２２を切断可能な大きさの電流が流れる構成にする。
【００１８】
一方、マルチプレクサ１３とパッド１５とを接続する配線に、配線切断容易部としてのヒューズ２１が設けられている。また、このマルチプレクサ１３とパッド１６とを接続する配線に、配線切断容易部としてのヒューズ２２が設けられている。
【００１９】
（製造方法）
次に、本実施形態の半導体デバイス１０の製造方法を、図２を用いて説明する。ここでは、半導体デバイス１０の配線が完成した後の処理を説明する。
【００２０】
まず、動作テスト処理を実行する（ステップＳ１）。具体的には、公知の検査ボードの端子を半導体デバイス１０のパッド１５〜１７に接続する。そして、この検査ボードにおいて生成されたテスト発生信号を、パッド１５又はパッド１６を介して高電圧動作回路１１に供給する。また、検査ボードは、選択指示信号をマルチプレクサ１３に供給する。マルチプレクサ１３は、パッド１５，１６を介して高電圧動作回路１１からの信号を取得し、パッド１７を介して検査ボードに提供する。検査ボードは、パッド１７から取得した信号と、予定していた出力信号になっているか否かの動作テストを実行する。
【００２１】
そして、この動作テスト処理において高電圧動作回路１１が正常の動作を行なうことが確認できた場合には、切断段階としてのヒューズ切断処理を実行する（ステップＳ２）。具体的には、テストが終了した検査ボードは、パッド１７をグランドに接続する。そして、検査ボードは、マルチプレクサ１３に対して切断処理信号を供給する配線選択段階を実行する。ここで、検査ボードは、ヒューズ２１を切断するための切断処理信号をマルチプレクサ１３に供給する。切断処理信号を受信したマルチプレクサ１３は、パッド１５に接続する配線と、パッド１７に接続する配線とを接続する。
【００２２】
そして、検査ボードは、ヒューズ２１が設けられた配線のパッド１５に対して電圧を印加する。これにより、ヒューズ２１が配置された配線に、このヒューズ２１の許容電流より大きい電流が流れて熱が発生し、ヒューズ２１は溶断する。
【００２３】
この場合、検査ボードは、電圧を印加したパッド１５の電圧又は電流の変化を監視している。そして、ヒューズ２１の切断により、パッド１５の電圧又は電流が変化したことを検出した検査ボードは、ヒューズ２２を切断するための切断処理信号をマルチプレクサ１３に供給する。この切断処理信号によって、マルチプレクサ１３は、パッド１６に接続する配線と、パッド１７に接続する配線とを接続する。
【００２４】
そして、検査ボードは、ヒューズ２２が設けられた配線のパッド１６に対して電圧を印加する。これにより、ヒューズ２１の場合と同様に、ヒューズ２２が配置された配線に、ヒューズ２２の許容電流より大きい電流が流れて、ヒューズ２２が溶断する。
【００２５】
この場合にも、検査ボードは、電圧を印加したパッド１６の電圧又は電流の変化を監視する。そして、ヒューズ２２の切断により、パッド１６の電圧又は電流が変化した場合には、ヒューズ切断処理が完了する。以上により、半導体デバイス１０の製造方法が終了する。
【００２６】
本実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
・ 本実施形態では、高電圧動作回路１１及びマルチプレクサ１３は、パッド１５，１６に接続されている。パッド１５，１６とマルチプレクサ１３との間には、それぞれヒューズ２１，２２が設けられている。このため、ヒューズ２１，２２を切断することにより、マルチプレクサ１３は高電圧動作回路１１とは絶縁状態になる。従って、高電圧動作回路１１の動作中にマルチプレクサ１３に高電圧が印加されることがないため、マルチプレクサ１３を低耐圧の構成にすることができる。よって、マルチプレクサ１３のチップ上の面積を小さくすることができる。
【００２７】
・ 本実施形態では、動作テスト処理が終了後、ヒューズ切断処理を実行する（ステップＳ２）。この場合、マルチプレクサ１３は、ヒューズ２１を切断するための切断処理信号を受信すると、パッド１５に接続する配線と、グランドに接続されているパッド１７に接続する配線とを接続する。そして、パッド１５に電圧が印加されて、ヒューズ２１が設けられた配線に電流が流れて、ヒューズ２１が切断される。次に、マルチプレクサ１３は、ヒューズ２２を切断するための切断処理信号を受信すると、パッド１６に接続する配線と、グランドに接続されているパッド１７に接続する配線とを接続する。そして、パッド１５に電圧が印加されて、ヒューズ２１が設けられた配線に電流が流れて、ヒューズ２２が切断される。このため、切断処理信号をマルチプレクサ１３に供給し、マルチプレクサ１３の接続を変更し、更に、パッド１５，１６に電圧を印加することにより、簡単に、ヒューズ２１，２２を切断することができる。
【００２８】
また、上記実施形態は、以下のように変更してもよい。
○ 上記実施形態においては、検査ボードは、マルチプレクサ１３に対して切断処理信号を供給し、テスト回路としてのマルチプレクサ１３の信号を出力するパッド１７をグランドに接続した。これに限らず、テスト回路は、切断処理信号を受信した場合には、高電圧動作回路１１との間に配置したヒューズ２１，２２を切断する配線になる構成を備えるようにしてもよい。例えば、テスト回路自体がグランドラインを内蔵している場合には、テスト回路は、切断処理信号を受信した場合、ヒューズ２１，２２の配線とグランドラインとを接続して、ヒューズ２１，２２を切断する電流を流す構成としてもよい。
【００２９】
○ 上記実施形態においては、マルチプレクサ１３の信号を出力するパッド１７をグランドに接続させ、ヒューズ２１，２２の配線に電流を流して、ヒューズ２１，２２の切断を行った。ヒューズ２１，２２の切断方法は、これに限られるものではない。例えば、テスト終了後に高電圧動作回路１１に含まれるヒューズをレーザによって切断する際に併せて、ヒューズ２１，２２をレーザによって切断してもよい。また、ヒューズ２１，２２に接続されるがマルチプレクサ１３に接続されないパッドを設け、このパッドとパッド１５（１６）との配線に電流を流すことにより、ヒューズ２１（２２）を溶断させてもよい。この場合には、マルチプレクサ１３内においてヒューズ２１（２２）を切断するための大電流を流さなくてもよい。
【００３０】
○ 上記実施形態においては、配線切断容易部としてヒューズ２１，２２を設けたが、
テスト回路を高電圧動作回路１１から容易に絶縁できる構成であれば、これに限られるものではない。
【００３１】
○ 上記実施形態においては、マルチプレクサ１３は、高電圧動作回路１１と２本の配線によって接続されていたため、これら各配線上にヒューズ２１，２２をそれぞれ設けた。ヒューズの位置及び個数は、マルチプレクサ１３が高電圧動作回路と絶縁可能となるのであれば、上記実施形態に限定されない。
【符号の説明】
【００３２】
１０…半導体デバイス、１１…高電圧動作回路、１３…テスト回路としてのマルチプレクサ、１５，１６，１７…電極部としてのパッド、２１，２２…ヒューズ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作回路と、この動作回路のテストを行なうテスト回路とを備えた半導体デバイスであって、
前記動作回路は、前記テスト回路において用いるテスト電圧より高い高電圧を用いて動作を行なう回路であって、
前記テスト回路を前記動作回路から絶縁させるために、前記動作回路と前記テスト回路とを接続する配線の一部に配線切断容易部を設け、
前記配線切断容易部は、前記テスト回路を用いるテスト時には前記動作回路と導通し、前記動作回路の動作時には切断されることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記配線切断容易部は、ヒューズであることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
外部と接続可能で、前記ヒューズを切断する大きさの電流を前記ヒューズに流すための複数の電極部を更に備えたことを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
動作回路と、この動作回路のテストを行なうテスト回路とを備え、
前記動作回路は、前記テスト回路において用いるテスト電圧よりも高い高電圧を用いて動作を行なう回路であって、
前記動作回路と前記テスト回路とを接続する配線に、配線切断容易部を設けた半導体デバイスの製造方法であって、
前記テスト回路が前記動作回路に対してテストを行なった後に、前記テスト回路を前記動作回路と絶縁させるために、前記配線切断容易部を切断する切断段階を備えたことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記配線切断容易部は、ヒューズであり、
前記テスト回路は、切断処理信号を受信した場合、前記ヒューズが接続されている配線と、外部と接続可能な電極部に接続される配線とを接続する回路であって、
前記切断段階は、
前記テスト回路に対して切断処理信号を供給する段階と、
前記ヒューズが設けられた配線に電流を流して、このヒューズの切断を行なう段階とを含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項１】
動作回路と、この動作回路のテストを行なうテスト回路とを備えた半導体デバイスであって、
前記動作回路は、前記テスト回路において用いるテスト電圧より高い高電圧を用いて動作を行なう回路であって、
前記テスト回路を前記動作回路から絶縁させるために、前記動作回路と前記テスト回路とを接続する配線の一部に配線切断容易部を設け、
前記配線切断容易部は、前記テスト回路を用いるテスト時には前記動作回路と導通し、前記動作回路の動作時には切断されることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記配線切断容易部は、ヒューズであることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
外部と接続可能で、前記ヒューズを切断する大きさの電流を前記ヒューズに流すための複数の電極部を更に備えたことを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
動作回路と、この動作回路のテストを行なうテスト回路とを備え、
前記動作回路は、前記テスト回路において用いるテスト電圧よりも高い高電圧を用いて動作を行なう回路であって、
前記動作回路と前記テスト回路とを接続する配線に、配線切断容易部を設けた半導体デバイスの製造方法であって、
前記テスト回路が前記動作回路に対してテストを行なった後に、前記テスト回路を前記動作回路と絶縁させるために、前記配線切断容易部を切断する切断段階を備えたことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記配線切断容易部は、ヒューズであり、
前記テスト回路は、切断処理信号を受信した場合、前記ヒューズが接続されている配線と、外部と接続可能な電極部に接続される配線とを接続する回路であって、
前記切断段階は、
前記テスト回路に対して切断処理信号を供給する段階と、
前記ヒューズが設けられた配線に電流を流して、このヒューズの切断を行なう段階とを含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体デバイスの製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１０−１７５３６８（Ｐ２０１０−１７５３６８Ａ）
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１７８２７（Ｐ２００９−１７８２７）
【出願日】平成２１年１月２９日（２００９．１．２９）
【出願人】（５０４１９９１２７）フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド (806)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月２９日（２００９．１．２９）
【出願人】（５０４１９９１２７）フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド (806)
【Ｆターム（参考）】
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