可撓性基板保持具、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
【課題】枚葉状の可撓性基板を、処理中に抜け落ちることなく湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止し、容易に固定出来る可撓性基板保持具及びこの可撓性基板保持具を使用した有機ＥＬパネルの製造方法の提供。
【解決手段】矩形状の可撓性基板を平面状態に保持する可撓性基板保持具であって、前記可撓性基板は前記可撓性基板保持具への取り付け孔を有し、前記可撓性基板保持具は、矩形枠状の枠体と、前記枠体に取り付け部材を介し片持ち状態で一体に形成された梁構造の梁部とを有し、前記枠体の前記取り付け部材と対向する辺の２隅に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第１係止ピンと、前記梁部の両端に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第２係止ピンとを有することを特徴とする可撓性基板保持具。
【解決手段】矩形状の可撓性基板を平面状態に保持する可撓性基板保持具であって、前記可撓性基板は前記可撓性基板保持具への取り付け孔を有し、前記可撓性基板保持具は、矩形枠状の枠体と、前記枠体に取り付け部材を介し片持ち状態で一体に形成された梁構造の梁部とを有し、前記枠体の前記取り付け部材と対向する辺の２隅に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第１係止ピンと、前記梁部の両端に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第２係止ピンとを有することを特徴とする可撓性基板保持具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は矩形状の可撓性基板の保持具及びこの保持具を使用した有機エレクトロルミネッセンスパネル（以下、有機ＥＬパネルとも言う）の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
枚葉状の可撓性基板を使用し、この可撓性基板の上に順次機能層を積層していく代表的な製品として有機ＥＬパネルが挙げられる。
【０００３】
有機ＥＬパネルは、基板上に形成された第１電極（陽極又は陰極）を含む陽極層（陰極層）と、その上に積層された有機発光物質を含有する有機化合物層（単層部又は多層部）すなわち発光層と、この発光層上に積層された第２電極（陰極又は陽極）を含む陰極層（陽極層）とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子とも言う）を接着剤層を介して少なくとも有機ＥＬ素子の表面を封止する封止部材により封止した薄膜型の構成を有している。従来、有機ＥＬパネルの基板としては、ガラス基板が主に用いられているが、軽量化、薄型化及びコスト低減を図るべく、薄くて可撓性のあるフィルム基板が使用される様になっている。
【０００４】
有機ＥＬパネルの製造工程には、基板洗浄、コーティング、パターニング及び乾燥等、各種処理工程があり、基板はこれらの工程内を順次搬送され、各種処理が行われることで基板上に各機能層が積層され有機ＥＬパネルが製造されている。
【０００５】
ガラス基板の場合は剛性が大きいので、ガラス基板単体で搬送及び各種処理を行っても、ガラス基板自体の剛性で平面状態を維持出来るため、ガラス基板上に安定した状態で陽極層と、有機化合物層と、陰極層等の各種機能層を安定して形成することが可能である。しかしフィルム基板の場合は剛性が低いため、フィルム基板自体の剛性により平面状態を維持することが難しい。特に、サイズが大きくなるに従って平面状態を維持することが難しくなる。
【０００６】
このため、フィルム基板単体で搬送及び処理を行えば、湾曲、撓み又はしわが生じ易く、フィルム基板上に安定した状態で陽極層と、有機化合物層と、陰極層等の各種機能層を安定して形成することが困難になり、安定した製品の生産効率の低下の一因にもなっている。
【０００７】
これらの対策として、湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止したフィルム基板の保持方法が検討されてきた。例えば、矩形枠状に形成された保持具本体の内側四隅に係止ピンを立設し、一方フィルム基板には、四隅に取り付け孔を形成して、取り付け孔に係止ピンを挿入し、フィルム基板を固定するフィルム基板搬送搬送保持具が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載のフィルム基板搬送搬送保持具は、係止ピンとフィルム基板の取り付け孔とによる係止する方法であるため比較的容易に固定保持することが出来るのであるが、作業中にフィルム基板が係止ピンより抜ける危険がある。又、処理に伴う熱膨張でのフィルム基板へのダメージが懸念される。
【０００９】
フィルム基板搬送搬送保持具として、矩形枠状に形成された保持具本体の内側四隅に係止ピンを立設し、一方フィルム基板には、四隅に取り付け孔を形成して、取り付け孔の１つは、係止ピンに対してぴったり嵌合する基準取り付け孔とし、該基準取り付け孔と対角位置の取り付け孔は大径取り付け孔とし、残りの２つの取り付け孔は長円形取り付け孔とし、取り付け孔に係止ピンを挿入し、ワッシャで抜け止めするフィルム基板搬送搬送保持具が知られている（例えば、特許文献２を参照。）。
【００１０】
しかしながら、特許文献２に記載のフィルム基板搬送搬送保持具は、係止ピンとフィルム基板の取り付け孔とによる係止する方法であるため比較的容易に固定保持することが出来るのであるがガタなく固定することは困難である。又、ワッシャを使用して固定する方法は、作業の複雑化及び固定作業に伴うフィルム基板へのダメージも懸念される。
【００１１】
矩形枠状に形成された保持具本体の内部に洗浄時のフィルム基板の撓み防止部材と、四隅に係止ピンを立設し、一方フィルム基板には、四隅に取り付け孔を形成して、取り付け孔に係止ピンを挿入し、フィルム基板を固定するフィルム基板搬送搬送保持具が知られている（例えば、特許文献３参照。）。
【００１２】
しかしながら、特許文献３に記載のフィルム基板搬送搬送保持具は、係止ピンとフィルム基板の取り付け孔とによる係止する方法であるため比較的容易に固定保持することが出来るのであるが、作業中にフィルム基板が係止ピンより抜ける危険がある。又、洗浄処理時にフィルム基板と撓み防止部材接触に伴うダメージが懸念される。
【００１３】
この様な状況から、枚葉状の可撓性基板を、処理中に抜け落ちることなく湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止し、容易に固定出来る可撓性基板保持具の開発及びこの可撓性基板保持具を使用した有機ＥＬパネルの製造方法の開発が望まれている。
【特許文献１】特開２００２−１１７３６号公報
【特許文献２】特開２００２−１４３１０号公報
【特許文献３】特開２００２−１５９８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は上記状況に鑑みなされたものであり、その目的は枚葉状の可撓性基板を、処理中に抜け落ちることなく湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止し、容易に固定出来る可撓性基板保持具及びこの可撓性基板保持具を使用した有機ＥＬパネルの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の上記目的は、下記に示す構成により達成された。
【００１６】
１．矩形状の可撓性基板を平面状態に保持する可撓性基板保持具であって、前記可撓性基板は前記可撓性基板保持具への取り付け孔を有し、前記可撓性基板保持具は、矩形枠状の枠体と、前記枠体に取り付け部材を介し片持ち状態で一体に形成された梁構造の梁部とを有し、前記枠体の前記取り付け部材と対向する辺の２隅に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第１係止ピンと、前記梁部の両端に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第２係止ピンとを有することを特徴とする可撓性基板保持具。
【００１７】
２．前記第１係止ピンは、少なくとも１本は固定係止ピンであることを特徴とする前記１に記載の可撓性基板保持具。
【００１８】
３．前記第２係止ピンは、梁部の両端に配設された係止ピンであり、該梁部は両端へ枠体方向に水平に押圧を掛けた時、該枠体方向に撓み、該押圧を解除することで元の形状に戻ることを特徴とする前記１又は２に記載の可撓性基板保持具。
【００１９】
４．前記枠体は位置決め用の孔が少なくとも一つ設置されていることを特徴とする前記１〜３の何れか１項に記載の可撓性基板保持具。
【００２０】
５．前記第１係止ピンは、上部の径が下部の径よりも大きく、取り付け面から上部に向けての側壁は少なくとも傾斜部を有し、該傾斜部と取り付け面とのなす角度が４５°〜８５°であることを特徴とする前記１〜４の何れか１項に記載の可撓性基板保持具。
【００２１】
６．前記第１係止ピンと第２係止ピンに可撓性基板の取り付け孔を挿通させ、該可撓性基板を可撓性基板保持具に固定する時、該可撓性基板に掛けられる張力は１０Ｎ／ｍ〜１００Ｎ／ｍであることを特徴とする前記１〜５の何れか１項に記載の可撓性基板保持具。
【００２２】
７．基板洗浄工程、第１電極形成工程、有機化合物層形成工程、第２電極形成工程、封止層形成工程とを有する製造装置で、枚葉状の可撓性基板の上に、少なくとも第１電極と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極と、封止層とを順次形成する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、前記基板洗浄工程、前記第１電極形成工程、前記有機化合物層形成工程、前記第２電極形成工程、前記封止層形成工程の少なくとも一つ工程で、前記１〜６の何れか１項に記載の可撓性基板保持具を使用し、前記可撓性基板を保持し処理することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【発明の効果】
【００２３】
枚葉状の可撓性基板を、処理中に抜け落ちることなく湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止し、容易に固定出来る可撓性基板保持具及びこの可撓性基板保持具を使用した有機ＥＬパネルの製造方法を提供することが出来、大サイズの枚葉状の可撓性基板を安定に保持することが可能となり、大型の画像表示装置への対応が可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の実施の形態を図１〜図１４を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２５】
図１は本発明の可撓性基板保持具に枚葉状の可撓性基板を固定した状態を示す概略図である。図１（ａ）は本発明の可撓性基板保持具に枚葉状の可撓性基板を固定した状態を示す概略斜視図である。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′に沿った拡大概略断面図である。
【００２６】
図中、１は可撓性基板保持具を示す。可撓性基板保持具１は、枠構成部材１０１ａ〜１０１ｄを有する矩形状の枠体１０１と梁部１０２とを有している。２は枚葉状の可撓性基板を示す。可撓性基板２は４隅に開けられた取り付け孔２ａ〜２ｄを可撓性基板保持具の４隅に配設された係止ピン１０４ａ１、１０４ａ２、１０４ｂ１、１０４ｂ２に挿通することで可撓性基板保持具１の表面に伏勢し、梁部１０２方向（図中の矢印方向）に張力が掛けられた状態で固定されている。１０３は梁部１０２の枠体１０１への取り付け部材を示す。
【００２７】
１０１ｅは枠構成部材１０１ｃに配設された位置決め用の孔を示す。１０１ｆは枠構成部材１０１ｄに配設された位置決め用の孔を示す。位置決め用の孔の配設する位置は特に限定はなく、例えば、梁部１０２と枠構成部材１０１ｂに配設しても良い。但し、安定性の面から対向する位置に２つ配設することが好ましい。位置決め用の孔は貫通していても良いし、位置決め用の孔を設けた反対の面に同じような孔を配設しても構わない。本図は貫通している場合を示している。
【００２８】
位置決め用の孔１０１ｅ（１０１ｆ）は、例えば図１０に示される製造装置４に示される供給工程４０１と、固定工程４０２と、洗浄工程４０３と、第１反転工程４０４と、第１電極形成工程４０５と、正孔輸送層形成工程４０６と、発光層形成工程４０７と、電子注入層形成工程４０８と、第２電極形成工程４０９と、第２反転工程４１０と、シール剤塗設工程４１１と、可撓性封止部材貼合工程４１２と、脱離工程４１３等で可撓性基板保持具１を載置台、受け台等に載置し可撓性基板に対して加工する時、載置台、受け台等に配設された位置決め用ピンを挿入させ可撓性基板保持具１を固定するのに使用される。
【００２９】
図２は図１に示す可撓性基板保持具の概略図である。図２（ａ）は図１に示す可撓性基板保持具の概略斜視図である。図２（ｂ）は図２（ａ）に示す可撓性基板保持具の概略平面図である。
【００３０】
図中、１は可撓性基板保持具を示す。可撓性基板保持具１は、枠構成部材１０１ａ〜１０１ｄを有する矩形状の枠体１０１と梁部１０２とを有している。梁部１０２は梁部１０２の中央部に取り付けられた取り付け部材１０３を介して枠構成部材１０１ａの中央部に一体に取り付けられている。
【００３１】
梁部１０２は両端部を枠体１０１方向に水平に押圧を加えることで梁部１０２は枠体１０１方向に撓み（図中の点線で示される状態）、押圧を解除することで元の状態（図中の実線で示される状態）に戻る様になっている。梁部１０２が本図に示す様に撓むことで、可撓性基板を取り付ける時は、可撓性基板に配設された取り付け孔の位置に合わせ、梁部１０２の両端に押圧を掛け梁部１０２を撓ませ、取り付け後、押圧を解除することで梁部１０２が元の位置に戻る時に合わせ、第２係止ピン１０４ｂの位置が動く（第１係止ピン１０４ａと第２係止ピン１０４ｂとの距離が広がる）ことで可撓性基板に張力が掛けられ可撓性基板保持具に固定される。又、処理が終了した後、押圧を掛け梁部１０２を撓ませることで第２係止ピン１０４ｂの位置が動く（第１係止ピン１０４ａと第２係止ピン１０４ｂとの距離が狭くなる）ことで、可撓性基板への張力が解除されるので可撓性基板を可撓性基板保持具１から容易に外すことが可能となる。
【００３２】
枠構成部材１０１ｂの両端部には第１係止ピン１０４ａが配置されている。第１係止ピン１０４ａは枠構成部材１０１ｂの端部に設けられた係止ピン１０４ａ１と、他方の端部に設けられた係止ピン１０４ａ２とを有している。第１係止ピン１０４ａ（係止ピン１０４ａ１及び係止ピン１０４ａ２）は枠構成部材１０１ｂに一体に固定となっている。
【００３３】
梁部１０２の両端部には第２係止ピン１０４ｂが配置されている。第２係止ピン１０４ｂは梁部１０２の端部に設けられた係止ピン１０４ｂ１と、他方の端部に設けられた係止ピン１０４ｂ２とを有している。係止ピン１０４ｂ１は係止ピン１０４ａ１と対向する位置にあり、係止ピン１０４ｂ１と係止ピン１０４ａ１との中心は同一線上となるように配設されている。係止ピン１０４ｂ２は係止ピン１０４ａ２と対向する位置にあり、係止ピン１０４ｂ２と係止ピン１０４ａ２との中心は同一線上となるように配設されている。第２係止ピン１０４ｂ（係止ピン１０４ｂ１及び係止ピン１０４ｂ２）は梁部１０２に一体に配設されており、梁部１０２の移動に伴い相対的に移動するようになっている。
【００３４】
１０５は周囲を枠構成部材１０１ａ〜１０１ｄにより囲まれた開口部を示す。開口部１０５を設けることで可撓性基板の裏面の清掃が容易に行われること、及び可撓性基板を水洗する時、可撓性基板の裏面側の乾燥を早めるために有効である。
【００３５】
枠体１０１を構成する枠構成部材の融点は、各工程における熱安定性等を考慮し、２００℃以上であることが好ましい。
【００３６】
枠体１０１を構成する枠構成部材のＡＳＴＭ Ｄ５７０に準じて測定した２４時間吸水率は、可撓性基板への影響、各工程への水分持ち込み抑制、アウトガス抑制等を考慮し、１％以下であることが好ましい。
【００３７】
梁部は、可撓性基板保持具に可撓性基板を固定した時の張力は、平面性、可撓性基板の保持性、可撓性基板の取り付け孔の損傷等を考慮し、１０Ｎ／ｍ〜１００Ｎ／ｍであることが好ましい。張力は、株式会社イマダ製プッシュプルゲージ（デジタルフォースゲージ ＺＰシリーズ）を使用し測定した値を示す。
【００３８】
可撓性基板保持具１に使用する材料としては、熱、水分等により変形しない材料であれば特に限定はなく、例えば汎用エンジニアリングプラスチック、特殊エンジニアリングプラスチック、金属が挙げられる。汎用エンジニアリングプラスチックとしては、例えば、ポリアミド（ＰＡ）、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、変性ポリフェニレンエーテル（変性ＰＰＥ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＰＥ）等が挙げられる。特殊エンジニアリングプラスチックとしては、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリスルホン（ＰＳＵ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、オレフィンビニルアルコール共重合体（Ｅ／Ｖ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等が挙げられる。これらの材料の中で特に好ましい材料としてはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）が挙げられる。
【００３９】
又、枠体１０１と、取り付け部材１０３と、梁部１０２と、第１係止ピン１０４ａ、及び第２係止ピン１０４ｂは同じ材料であっても良いし異なっていても良い。例えば、枠体１０１と取り付け部材１０３とを鉄、アルミ、ステンレス等の金属とし、梁部１０２を汎用エンジニアリングプラスチックとしても構わない。
【００４０】
本図に示す可撓性基板保持具１は材料が汎用エンジニアリングプラスチック、特殊エンジニアリングプラスチックの場合は、通常の射出成形法で作製することが可能である。又、金属の場合は切削加工で製造することが可能である。
【００４１】
Ｈは可撓性基板保持具１の幅を示す。幅Ｈは、取り扱い性、枚葉状の可撓性基板の保護、位置決め用の孔の配置、葉状の可撓性基板の裏面接触による傷付き等を考慮し、枚葉状の可撓性基板２（図１を参照）の長さの１００％〜１２０％であることが好ましい。
【００４２】
Ｉは矩形状の枠体１０１の長さを示す。長さＩは、取り扱い性、位置決め用の孔の配設、枚葉状の可撓性基板の保護、位置決め用の孔の配置、葉状の可撓性基板の裏面接触による傷付き等を考慮し、枚葉状の可撓性基板２（図１を参照）の幅の１００％〜１２０％であることが好ましい。
【００４３】
Ｊは矩形状の枠体１０１の幅を示す。幅Ｊは、第１係止ピン１０４ａの配設、可撓性基板の保持性、枚葉状の可撓性基板の裏面接触による傷つき、枚葉状の可撓性基板の乾燥性等を考慮し、可撓性基板保持具１の幅Ｈに対して５０％〜９０％であることが好ましい。
【００４４】
Ｋは取り付け部材１０３の幅を示す。幅Ｋは、梁部の変形量を考慮し、極力小さくすることが好ましい。
【００４５】
Ｌは取り付け部材１０３の長さを示す。長さＬは、梁部の撓み荷重（張力）による変形、等を考慮し、梁部１０２の長さＭに対して１００％〜１０００％であることが好ましい。
【００４６】
Ｍは梁部１０２の長さを示す。長さＭは、取り扱い性、梁部の撓み荷重、等を考慮し、枚葉状の可撓性基板２（図１を参照）の長さの２％〜１０％であることが好ましい。
【００４７】
Ｎは梁部１０２の幅を示す。幅Ｎは、第２係止ピン１０４ｂの配設、梁部の撓み荷重、等を考慮し、可撓性基板保持具１の幅Ｈに対して１０％〜８０％であることが好ましい。
【００４８】
Ｏは開口部１０５の長さを示す。長さＯは、枚葉状の可撓性基板の裏面接触による傷つき、枚葉状の可撓性基板の乾燥性等を考慮し、矩形状の枠体１０１の幅Ｉに対して５０％〜９５％であることが好ましい。
【００４９】
Ｐは開口部１０５の幅を示す。幅Ｐは、枚葉状の可撓性基板の裏面接触による傷つき、枚葉状の可撓性基板の乾燥性等を考慮し、矩形状の枠体１０１の長さＪに対して５０％〜９０％であることが好ましい。
【００５０】
Ｑは係止ピン１０４ａ１の中心と、係止ピン１０４ａ２の中心との距離を示す。距離Ｑは矩形状の枠体１０１の大きさにより適宜変更が可能となっている。係止ピン１０４ｂ１の中心と、係止ピン１０４ｂ２の中心との距離も、距離Ｑと同じである。
【００５１】
Ｒは係止ピン１０４ａ１の中心と係止ピン１０４ｂ１の中心とを結ぶ線と、係止ピン１０４ａ１の枠構成部材１０１ｃへの取り付け面の外側との交点と、係止ピン１０４ｂ１の梁部１０２への取り付け面の外側との交点との距離を示す。距離Ｒは取り付ける可撓性基板に配設された取り付け孔２ａ（図６参照）の中心と、取り付け孔２ｃ（図６参照）の中心とを結ぶ線の取り付け孔２ａ（図６参照）の外側との交点と取り付け孔２ｃ（図６参照）の外側との交点との距離Ｙ（図６参照）に対して可撓性基板への張力、可撓性基板の取り付け孔に対する損傷、可撓性基板の取り付け性、係止安定性等を考慮し、１００％〜１２０％であることが好ましい。他の符号は図１と同義である。
【００５２】
図３は図２（ａ）に示すＢ−Ｂ′に沿った概略断面図である。
【００５３】
図中、Ｔは梁部１０２の高さを示す。高さＴは、梁部の撓み、保持具の剛性、梁部の撓み荷重（張力）による変形、各工程での省スペース化、各工程での位置決め等を考慮し、１ｍｍ〜２０ｍｍが好ましい。枠体１０１を構成している枠構成部材１０１ａ〜１０１ｄ及び取り付け部材１０３の高さも高さＴと同じであり、枠構成部材１０１ａ〜１０１ｄ、取り付け部材１０３、梁部１０２の面は同一面となっている。他の符号は図２と同義である。
【００５４】
図４は図２（ａ）のＳで示される部分の拡大概略図である。図４（ａ）は図２（ａ）のＳで示される部分の拡大概略斜視図である。図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ′に沿った概略断面図である。
【００５５】
図中、Ｕは係止ピン１０４ａ１の上部１０４ａ１１の直径を示し、Ｖは枠体１０１に取り付けられている下部１０４ａ１２の直径を示す。係止ピン１０４ａ１は本図に示す如く、上部１０４ａ１１の直径が下部１０４ａ１２の直径よりも大きく、側壁１０４ａ１３を有する断面形状が逆円錐台の形状となっている。係止ピン１０４ａ１の上部１０４ａ１１の直径及び下部１０４ａ１２の直径は枠体１０１の大きさにより適宜変更されるため、一義的に決めることは困難である。θは係止ピン１０４ａ１の側壁１０４ａ１３と、枠構成部材１０１ｃの取り付け面とのなす角度を示す。角度θは、可撓性基板の固定安定性、係止ピンの強度等を考慮し４５°〜８５°が好ましい。角度は、株式会社ミツトヨ製 投影機 ＰＪ−Ａ３０００を使用し測定した値を示す。
【００５６】
Ｗは係止ピン１０４ａ１の枠体１０１の取り付け面からの高さを示す。高さＷは、可撓性基板２（図１を参照）の厚さに対して、取り扱い性、係止安定性等を考慮し、１００％〜３０００％が好ましい。他の符号は図２と同義である。
【００５７】
図２に示される他の係止ピン１０４ａ２、係止ピン１０４ｂ１、係止ピン１０４ｂ２も本図に示される係止ピン１０４ａ１と同じ形状、寸法を有している。
【００５８】
図５は図４で示される係止ピンの他の形状の拡大概略図である。図５（ａ）は図４で示される係止ピンの他の形状の拡大概略斜視図である。図５（ｂ）は図５（ａ）のＤ−Ｄ′に沿った沿った概略断面図である。
【００５９】
図中、Ｕ′は係止ピン１０４ａ′１の上部１０４ａ′１１の直径を示し、Ｖ′は枠体１０１に取り付けられている下部１０４ａ′１２の直径を示す。係止ピン１０４ａ′１は本図に示す如く、上部１０４ａ′１１の直径が下部１０４ａ′１２の直径よりも大きく、上部１０４ａ′１１の直径と同じ側壁１０４ａ′１３と、上部１０４ａ′１１の直径よりも順次径が小さくなっている傾斜した側壁１０４ａ′１４とを有する形状となっている。
【００６０】
係止ピン１０４ａ′１の上部１０４ａ′１１の直径及び下部１０４ａ′１２の直径は枠体１０１の大きさにより適宜変更されるため、一義的に決めることは困難である。θ′は係止ピン１０４ａ′１の側壁１０４ａ′１４と、枠構成部材１０１ｃの取り付け面とのなす角度を示す。角度θ′は、可撓性基板の固定安定性、係止ピンの強度等を考慮し４５°〜８５°が好ましい。
【００６１】
Ｘ′は側壁１０４ａ′１３の高さを示す。高さＸ′は、係止ピン１０４ａ′１の高さＷ′に対して、係止ピンの強度等を考慮し、５％〜３０％が好ましい。
【００６２】
Ｗ′は係止ピン１０４ａ′１の枠体１０１の取り付け面からの高さを示す。高さＷ′は、可撓性基板２（図１を参照）の厚さに対して、取り扱い性、係止安定性等を考慮し、１００％〜３０００％が好ましい。
【００６３】
図２に示される他の係止ピン１０４ａ２、係止ピン１０４ｂ１、係止ピン１０４ｂ２も本図に示される係止ピン１０４ａ′１と同じ形状、寸法を有している。他の符号は図２と同義である。
【００６４】
図４、図５に本発明に係わる係止ピンの代表的な形状を示したが、本発明に係わる係止ピンの形状は、図６に示す可撓性基板に配設された取り付け孔と接触する係止ピンの側壁がＲを有していれば特に限定はない。
【００６５】
図６は図１（ａ）に示される可撓性基板の拡大概略図である。図６（ａ）は図１（ａ）に示される可撓性基板の拡大概略斜視図である。図６（ｂ）は図６（ａ）に示される可撓性基板の概略平面図である。
【００６６】
図中、Ｘは可撓性基板２の取り付け孔２ｂの直径を示す。直径Ｘは図４に示される係止ピンの直径Ｕ及び図５に示される係止ピンの直径Ｕ′に対して、可撓性基板の取り付け孔の挿通性、作業性、可撓性基板の固定安定性、可撓性基板のコスト等を考慮し１１０％〜２００％が好ましい。他の取り付け孔２ａ、２ｃ、２ｄは取り付け孔２ｂと全て同じ直径を有している。
【００６７】
Ｙは取り付け孔２ａの中心と、取り付け孔２ｃの中心とを結ぶ線の取り付け孔２ａの外側との交点と取り付け孔２ｃの外側との交点との距離を示す。
【００６８】
距離Ｙは、図２に示す係止ピン１０４ａ１の中心と係止ピン１０４ｂ１の中心とを結ぶ線と、係止ピン１０４ａ１の枠構成部材１０１ｃへの取り付け面の外側との交点と、係止ピン１０４ｂ１の梁部１０２への取り付け面の外側との交点との距離Ｒ（図２を参照）に対して、可撓性基板の取り付け孔の挿通性、作業性、可撓性基板の固定安定性等を考慮し、８０％〜１００％であることが好ましい。他の取り付け孔２ｂの中心と、取り付け孔２ｄの中心との距離も、距離Ｙと同じとなっている。
【００６９】
Ｚは取り付け孔２ｃの中心と、取り付け孔２ｄの中心との距離を示す。距離Ｚは、図２に示される係止ピン１０４ａ１の中心と、係止ピン１０４ａ２の中心との距離Ｑ（図２を参照）と同じである。取り付け孔２ａの中心と、取り付け孔２ｂの中心との距離も、距離Ｚと同じである。
【００７０】
図７は図２に示される可撓性基板保持具へ、図６に示す可撓性基板を取り付ける迄を示す概略フロー図である。
【００７１】
Ｓｔｅｐ１では、図１〜図４に示される構造と寸法を有する可撓性基板保持具１と、４隅に図６に示す寸法、取り付け位置で配置された取り付け孔２ａ〜２ｄを有する可撓性基板２が準備される。
【００７２】
Ｓｔｅｐ２では、可撓性基板保持具１の梁部１０２の両端部に枠体１０１に向けて（図中の矢印方向）押圧が掛けられることで、梁部１０２の両端部が枠体１０１に向けて撓んだ状態となる。
【００７３】
Ｓｔｅｐ３では、Ｓｔｅｐ２に示される状態の枠体１０１の係止ピン１０４ａ１に可撓性基板２の取り付け孔２ａと、係止ピン１０４ａ２に可撓性基板２の取り付け孔２ｂとを挿通させる。この時、取り付け孔２ａ、２ｂの直径は係止ピンの上部の直径より大きいため簡単に挿通させることが可能となっている。この後、枠体１０１の係止ピン１０４ｂ１に可撓性基板２の取り付け孔２ｃと、係止ピン１０４ｂ２に可撓性基板の取り付け孔２ｄとを挿通させる。この時、梁部１０２は撓んだ状態となっているため第１係止ピン１０４ａと第２係止ピン１０４ｂとの距離が狭くなっていること、及び取り付け孔２ｃ、２ｄの直径は係止ピンの上部の直径より大きいため簡単に挿通させることが可能となっている。
【００７４】
Ｓｔｅｐ４では、梁部１０２の両端部に枠体１０１に向けて（図中の矢印方向）掛けられていた押圧を解除することで梁部１０２はＳｔｅｐ１に示される状態の元の位置に戻る。梁部１０２がＳｔｅｐ１に示される状態の元の位置に戻ることで係止ピン１０４ｂ１、係止ピン１０４ｂ２も元の位置に戻る様に移動する。この時、係止ピン１０４ａ１の中心と係止ピン１０４ｂ１の中心とを結ぶ線と、係止ピン１０４ａ１の枠構成部材１０１ｃへの取り付け面の外側との交点と、係止ピン１０４ｂ１の梁部１０２への取り付け面の外側との交点との距離Ｒ（図２参照）と、可撓性基板２の取り付け孔２ａの中心と、取り付け孔２ｃの中心とを結ぶ線の取り付け孔２ａの外側との交点と取り付け孔２ｃの外側との交点との距離Ｙとの関係より、係止ピン１０４ｂ１に挿通されていた取り付け孔２ｃ、係止ピン１０４ｂ２に挿通されていた取り付け孔２ｄを介して可撓性基板に張力が掛けられる。同時に係止ピン１０４ｂ１、係止ピン１０４ｂ２、係止ピン１０４ｂ１、係止ピン１０４ｂ２の側壁により枠体１０１の表面に向けて伏勢された状態で図１に示す様な可撓性基板保持具１への固定がなされる。
【００７５】
処理が終了し、可撓性基板保持具１から可撓性基板２を外す時は、Ｓｔｅｐ２で示した様に、可撓性基板保持具１の梁部１０２の両端部に枠体１０１に向けて（図中の矢印方向）押圧を掛ける。押圧を掛けることで梁部１０２の両端部が枠体１０１に向けて撓んだ状態となり、枠体１０１に配設された第１係止ピン１０４ａと、梁部１０２に配設された第２係止ピン１０４ｂ間の距離が短くなり可撓性基板に掛けられていた張力が解除されることで可撓性基板保持具１から容易に可撓性基板２を外すことが可能となる。
【００７６】
図８は図７に示すＳｔｅｐ４の可撓性基板が可撓性基板保持具に固定される迄を示す概略フロー図である。
【００７７】
（ａ）に示される状態に付き説明する。（ａ）は、梁部１０２の両端を押すことで梁部が撓んだ状態で可撓性基板２の取り付け孔２ａ（２ｂ）に係止ピン１０４ａ１（１０４ａ２）を、可撓性基板２の取り付け孔２ｃ（２ｄ）に係止ピン１０４ｂ１（１０４ｂ２）を挿通させた状態を示す。取り付け孔２ａ（２ｂ）は係止ピン１０４ａ１（１０４ａ２）の上部の直径よりも大きいため側壁１０４ａ１３に接触しない状態となっている。又、取り付け孔２ｃ（２ｄ）も係止ピン１０４ｂ１（１０４ｂ２）の上部の直径よりも大きいため側壁１０４ｂ１３に接触しない状態となっている。
【００７８】
（ｂ）に示される状態に付き説明する。（ｂ）は、梁部１０２に掛けられていた押圧を解除した初期の状態を示す。押圧を解除することで梁部１０２は元の状態に戻る様に移動（図中の矢印方向）する。梁部１０２の移動に伴い、梁部１０２に固定されている係止ピン１０４ｂ１（１０４ｂ２）も移動（図中の矢印方向）する。係止ピン１０４ｂ１（１０４ｂ２）が移動することで可撓性基板２の取り付け孔２ｃ（２ｄ）の外側と係止ピン１０４ｂ１（１０４ｂ２）の外側の側壁１０４ｂ１３とが当接する状態となり、更に係止ピン１０４ｂ１（１０４ｂ２）が移動することで可撓性基板２も移動（図中の矢印方向）する。
【００７９】
（ｃ）に示される状態に付き説明する。（ｃ）は、（ｂ）に示される状態から更に、梁部１０２が移動することで撓性基板２が移動し、取り付け孔２ａ（２ｂ）の外側と係止ピン１０４ａ１（１０４ａ２）の外側の側壁とが当接する状態となり、梁部１０２の元の位置に戻る移動が止まり、更に元の位置に戻ろうとする梁部１０２により、可撓性基板２に張力が掛けられた状態で可撓性基板保持具に固定される。この時、係止ピン１０４ａ１（１０４ａ２）及び係止ピン１０４ｂ１（１０４ｂ２）の側壁が傾斜していることで合わせて係止ピンの側壁に沿って枠体１０１に伏勢された状態（図１に示される状態）となる。
【００８０】
（ａ）〜（ｃ）に示される動きは、係止ピン１０４ａ１の中心と係止ピン１０４ｂ１の中心とを結ぶ線と、係止ピン１０４ａ１の枠構成部材１０１ｃへの取り付け面の外側との交点と、係止ピン１０４ｂ１の梁部１０２への取り付け面の外側との交点との距離Ｒ（図２参照）と、可撓性基板２の取り付け孔２ａの中心と、取り付け孔２ｃの中心とを結ぶ線の取り付け孔２ａの外側との交点と取り付け孔２ｃの外側との交点との距離Ｙ（図６参照）との関係より成り立っている。
【００８１】
本発明に係わる可撓性基板としては特に限定はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）或いはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等で作製した樹脂フィルムが挙げられる。
【００８２】
図１〜図５に示す可撓性基板保持具を使用し、図６に示す取り付け孔を有する枚葉状の可撓性基板を固定することで、次の効果が挙げられる。
１．可撓性基板保持具への枚葉状の可撓性基板の着脱が容易で、湾曲、撓み又はしわ等の発生がなく安定した取り付けが可能となった。
２．枚葉状の可撓性基板の処理中出の脱落がなく安定した処理が可能となった。
３．枠体の吸水率が低いため、水処理を行っても取り付けた可撓性基板への影響がなく、安定した製品の処理が可能となる。
４．枠体の融点が高いため、各工程における温度変化や熱処理に伴う枠体の変形がないため湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止し、安定した製品の処理が可能となる。
【００８３】
図９は有機ＥＬパネルの一例を示す概略図である。図９（ａ）は有機ＥＬパネルの一例を示す概略斜視図を示す。図９（ｂ）は図９（ａ）のＥ−Ｅ′に沿った概略断面図である。図９（ｃ）は図９（ａ）のＦ−Ｆ′に沿った概略断面図である。
【００８４】
図中、３は有機ＥＬパネルを示す。有機ＥＬパネル３は、可撓性基板３０１上に順次、陽極（第１電極）３０２と、正孔輸送層３０３と、発光層３０４と、陰極バッファ層（電子注入層）３０５と、陰極（第２電極）３０６と、接着剤層３０７と、封止部材３０８とを有している。陽極（第１電極）３０２の取り出し電極３０２ａと、陰極（第２電極）３０６の取り出し電極３０６ａの端部を除いて接着剤層３０７により封止された密着封止構造となっている。陽極（第１電極）３０２と可撓性基材３０１との間にガスバリア膜（不図示）を設けても構わない。
【００８５】
本図に示す有機ＥＬパネルの層構成は一例を示したものであるが、陽極（第１電極）と陰極（第２電極）との間の他の代表的な有機ＥＬパネルの層構成としては次の構成が挙げられる。
【００８６】
（１）陽極（第１電極）／有機層（発光層）／陰極（第２電極）
（２）陽極（第１電極）／有機層（発光層）／電子輸送層／陰極（第２電極）
（３）陽極（第１電極）／正孔輸送層／有機層（発光層）／正孔阻止層／電子輸送層／陰極（第２電極）
（４）陽極（第１電極）／正孔輸送層（正孔注入層）／有機層（発光層）／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層（電子注入層）／陰極（第２電極）
（５）陽極（第１電極）／陽極バッファ層（正孔注入層）／正孔輸送層／有機層（発光層）／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層（電子注入層）／陰極（第２電極）
有機ＥＬパネルを構成している各層については後に説明する。
【００８７】
図１０は図９に示される有機ＥＬパネルの製造方法の模式図である。
【００８８】
図中、４は製造装置を示す。製造装置４は、供給工程４０１と、固定工程４０２と、洗浄工程４０３と、第１反転工程４０４と、第１電極形成工程４０５と、正孔輸送層形成工程４０６と、発光層形成工程４０７と、電子注入層形成工程４０８と、第２電極形成工程４０９と、第２反転工程４１０と、シール剤塗設工程４１１と、可撓性封止部材貼合工程４１２と、脱離工程４１３と、打ち抜き断裁・回収工程４１４と、第１搬送ロボット５ａと、第２搬送ロボット５ｂとを有している。
【００８９】
供給工程４０１では枚葉状の可撓性基板３０１（図９を参照）の工程への供給が行われる。固定工程４０２では枚葉状の可撓性基板３０１を可撓性基板保持具１（図２を参照）に図１（ａ）に示される状態に固定が行われる。洗浄工程４０３では、水洗工程４０３ａと、乾燥工程４０３ｂと、表面処理工程４０３ｃとを有し、可撓性基板保持具１（図２を参照）に固定された枚葉状の可撓性基板３０１の表面への第１電極相の形成を容易するための洗浄が行われる。第１反転工程４０４では、枚葉状の可撓性基板３０１を取り付けた可撓性基板保持具１（図２を参照）を反転し枚葉状の可撓性基板３０１を下向きにすることが行われる。第１電極形成工程４０５では、可撓性基板保持具１（図２を参照）に固定された枚葉状の可撓性基板３０１の上に第１電極の形成が行われる。正孔輸送層形成工程４０６では、第１電極の上に正孔輸送層の形成が行われる。発光層形成工程４０７では、正孔輸送層の上に発光層の形成が行われる。電子注入層形成工程４０８では、発光層上に電子注入層の形成が行われる。第２電極形成工程４０９では、電子注入層の上に第２電極の形成が行われる。第２反転工程４１０では、第２電極が形成された枚葉状の可撓性基板を取り付けた可撓性基板保持具を反転し第２電極面側を上向きにすることが行われる。
【００９０】
シール剤塗設工程４１１では、第２電極が形成された枚葉状の可撓性基板にシール剤の塗設が行われる。可撓性封止部材貼合工程４１２では、シール剤が塗設された領域に可撓性封止部材の貼合が行われる。可撓性封止部材としては、枚葉状の可撓性基板３０１（図９を参照）の大きさに合わせ枚葉状可撓性封止部材が使用される。脱離工程４１３では、可撓性基板保持具から可撓性封止部材を貼合した有機ＥＬパネルが取り外すされる。打ち抜き断裁・回収工程４１４では、貼合した可撓性封止部材の不要部分を打ち抜き断裁・除去し、有機ＥＬパネルの回収が行われる。
【００９１】
第１搬送ロボット５ａは、本体５０１と、前後に移動（図中の矢印方向）する軸５０２ａと、軸５０２ａの先端に取り付けられた２本の爪を持つ受け具５０２ｂとを有するアーム５０２とを有している。本体５０１は時計方向（図中の矢印方向）に回動可能に配設されており、各工程間の材料の移動を行うことが可能となっている。第２搬送ロボット５ｂは第１搬送ロボット５ａと同じ構成で、同じ機能を有している。
【００９２】
供給工程４０１には枚葉状の可撓性基板が取り出し可能に用意されており、一枚毎第１搬送ロボット５ａにより取り出され、次工程の固定工程４０２に搬送される。
【００９３】
固定工程４０２は可撓性基板保持具１（図２を参照）と、可撓性基板保持具１（図２を参照）への固定装置（不図示）とを有している。供給工程４０１から第１搬送ロボット５ａにより送られてきた枚葉状の可撓性基板は、図７に示すＳｔｅｐ１〜Ｓｔｅｐ４に従って可撓性基板保持具１（図２を参照）に取り付けられ固定される。尚、可撓性基板保持具１（図２を参照）への枚葉状の可撓性基板３０１の固定は手動で行っても構わないし、装着装置（不図示）により行っても構わない。可撓性基板保持具１（図２を参照）への枚葉状の可撓性基板３０１の固定が終了した後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、洗浄工程４０３の水洗工程４０３ａに搬送される。
【００９４】
水洗工程４０３ａでは固定工程４０２から供給された枚葉状の可撓性基板３０１の表面を水洗する水洗装置４０３ａ１を有している。水洗装置４０３ａ１としては、シャワーでも良いし、超音波装置を有した水洗槽でも良い。水洗処理が終了した後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、乾燥工程４０３ｂに搬送される。乾燥工程４０３ｂは乾燥風の吹き付け装置４０３ｂ１を有しており、可撓性基板保持具１（図２を参照）へ固定された状態の枚葉状の可撓性基板３０１の乾燥が行われる。乾燥が終了した後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、表面処理工程４０３ｃに搬送される。表面処理工程４０３ｃは乾燥工程４０３ｂから搬送された枚葉状の可撓性基板３０１の表面に第１電極が蒸着される前に、蒸着性をよくするために枚葉状の可撓性基板３０１の表面を清掃するための表面処理装置４０３ｃ１を有している。
【００９５】
表面処理装置４０３ｃ１としては、低圧水銀ランプ、エキシマランプ、プラズマ洗浄装置等が挙げられる。低圧水銀ランプによる洗浄表面改質処理の条件としては、例えば、波長１８４．２ｎｍの低圧水銀ランプを、照射強度５〜２０ｍＷ／ｃｍ2で、距離５〜１５ｍｍで照射し洗浄表面改質処理を行う条件が挙げられる。プラズマ洗浄装置による洗浄表面改質処理の条件としては、例えば、大気圧プラズマが好適に使用される。洗浄条件としてはアルゴンガスに酸素１〜５体積％含有ガスを用い、周波数１００ｋＨｚ〜１５０ＭＨｚ、電圧１０Ｖ〜１０ｋＶ、照射距離５〜２０ｍｍで洗浄表面改質処理を行う条件が挙げられる。本図に示される洗浄工程４０３の内、水洗工程４０３ａと、乾燥工程４０３ｂとは場合によっては省略する時がある。
【００９６】
枚葉状の可撓性基板３０１の清掃が終了した後、枚葉状の可撓性基板３０１を上側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、第１反転工程４０４に搬送される。
【００９７】
第１反転工程４０４は、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第１搬送ロボット５ａより、一旦、反転装置６（図１２を参照）に受け取り、反転装置６（図１１を参照）に枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。この後、反転装置６（図１２を参照）を１８０°回転させ、枚葉状の可撓性基板が下向きになる様にする。反転操作が終了した後、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、第１電極形成工程４０５に搬送される。尚、第１搬送ロボット５ａによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。
【００９８】
第１電極形成工程４０５は、蒸発源容器４０５ｂを有する蒸着装置４０５ａを有し、減圧条件下で枚葉状の可撓性基板３０１上に第１電極を形成するようになっている。枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａより蒸着装置４０５ａ内の受け取り装置（図１３を参照）に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。この後、蒸着位置に移動し蒸着が行われる。第１電極が形成された後、受け取り装置（図１３を参照）を移動し、固定を解除し、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、正孔輸送層形成工程４０６に搬送される。尚、第１搬送ロボット５ａによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。
【００９９】
正孔輸送層形成工程４０６は、蒸発源容器４０６ｂを有する蒸着装置４０６ａを有し、減圧条件下で枚葉状の可撓性基板３０１の上に形成された第１電極の外部電極となる一部を除いて第１電極の領域に正孔輸送層を形成するようになっている。枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａより蒸着装置４０６ａ内の受け取り装置（図１３を参照）に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。この後、蒸着位置に移動し蒸着が行われる。正孔輸送層が形成された後、受け取り装置（図１３を参照）を移動し、固定を解除し、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、発光層形成工程４０７に搬送される。尚、第１搬送ロボット５ａによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。
【０１００】
発光層形成工程４０７は、蒸発源容器４０７ｂを有する蒸着装置４０７ａを有し、減圧条件下で枚葉状の可撓性基板３０１の上に形成された正孔輸送層上に発光層を形成するようになっている。枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａより蒸着装置４０７ａ内の受け取り装置（図１３を参照）に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。この後、蒸着位置に移動し蒸着が行われる。発光層が形成された後、受け取り装置（図１３を参照）を移動し、固定を解除し、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、電子注入層形成工程４０８に搬送される。尚、第１搬送ロボット５ａによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。
【０１０１】
電子注入層形成工程４０８は、蒸発源容器４０８ｂを有する蒸着装置４０８ａを有し、減圧条件下で枚葉状の可撓性基板３０１の上に形成された発光層上に電子注入層を形成するようになっている。枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａより蒸着装置（不図示）内の受け取り装置（図１３を参照）に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。この後、蒸着位置に移動し蒸着が行われる。電子注入層が形成された後、受け取り装置（図１３を参照）を移動し、固定を解除し、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、第２電極形成工程４０９に搬送される。尚、第１搬送ロボット５ａによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。
【０１０２】
第２電極形成工程４０９は、蒸発源容器４０９ｂを有する蒸着装置４０９ａを有し、減圧条件下で枚葉状の可撓性基板３０１の上に形成された電子注入層上に第１電極と直交する様に第２電極を形成するようになっている。枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａより蒸着装置４０９ａ内の受け取り装置（図１３を参照）に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。この後、蒸着位置に移動し蒸着が行われる。第２電極が形成された後、受け取り装置（図１３を参照）を移動し、固定を解除し、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、第２反転工程４１０に搬送される。尚、第１搬送ロボット５ａによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。
【０１０３】
第２反転工程４１０は、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａより、一旦反転装置（図１２を参照）に受け取り、反転装置（図１２を参照）に枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。この後、反転装置（図１２を参照）を１８０°回転させ、枚葉状の可撓性基板が上向きになる様にする。反転操作が終了した後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第２搬送ロボット５ｂにより取り出され、シール剤塗設工程４１１に搬送される。尚、第２搬送ロボット５ｂによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。
【０１０４】
シール剤塗設工程４１１は、枚葉状の可撓性基板３０１上に第１電極〜第２電極を順次積層して形成された少なくとも１つの有機ＥＬ素子の発光領域又は発光領域の周辺にシール剤を塗設するシール剤塗装置４１１ａと、枚葉状の可撓性基板３０１を固定した可撓性基板保持具１（図２を参照）を載置する載置台４１１ｂとを有している。枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第２搬送ロボット５ｂより載置台４１１ｂの上に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。可撓性基板保持具１の固定は、可撓性基板保持具１の枠構成部材に配設された位置決め用の孔と、載置台４１１ｂの上に配設された固定用ピン（不図示）とを合わせることにより行われる。
【０１０５】
この後、シール剤塗装置４１１ａによりシール剤が塗設された後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第２搬送ロボット５ｂにより取り出され、可撓性封止部材貼合工程４１２に搬送される。尚、第２搬送ロボット５ｂによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪の上に可撓性基板保持具１を載せる状態で行われる。
【０１０６】
可撓性封止部材貼合工程４１２は、供給装置（不図示）から供給されてくる枚葉状可撓性封止部材をシール剤が塗設された面に積重する積重装置（不図示）と、積重された枚葉シート状可撓性封止部材を貼合する可撓性封止部材貼合装置４１２ａとを有している。又、シール剤を硬化する硬化処理装置（不図示）を有していることが好ましく、必要に応じ硬化処理部（不図示）は裁断工程の前、又は裁断工程の後に配置することが好ましい。硬化処理部の硬化方式は使用するシール剤の種類（例えば熱硬化型シール剤、紫外線硬化型シール剤等）に合わせ適宜選択することが可能である。枚葉シート状可撓性封止部材が貼合されることで図８に示す層構成を有する有機ＥＬパネルが出来上がる。
【０１０７】
枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第２搬送ロボット５ｂより積重装置（不図示）の上に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。可撓性基板保持具１の固定は、可撓性基板保持具１の枠構成部材に配設された位置決め用の孔と、積重装置（不図示）の上に配設された固定用ピン（不図示）とを合わせることにより行われる。貼合方法は一般的に知られている各種の方法、例えばウェットラミネート法、ドライラミネート法、ホットメルトラミネート法、押出しラミネート法、熱ラミネート法を利用して作ることが可能である。
【０１０８】
この後、可撓性封止部材貼合装置４１２ａにより可撓性封止部材が貼合される。この後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第２搬送ロボット５ｂにより取り出され、脱離工程４１３に搬送される。尚、第２搬送ロボット５ｂによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪の上に可撓性基板保持具１を載せる状態で行われる。
【０１０９】
脱離工程４１３は可撓性基板保持具に保持されている有機ＥＬパネルを可撓性基板保持具から脱離する工程である。脱離は、可撓性基板保持具１を可撓性基板保持具１の枠構成部材に配設された位置決め用の孔と、載置台（不図示）の上に配設された固定用ピン（不図示）とを合わせることにより固定した後、可撓性基板保持具の梁部を枠体の方向に押圧を掛け撓ませることで容易に行うことが可能となっている。脱離は手動で行っても構わないし、脱離装置（不図示）により行っても構わない。脱離された有機ＥＬパネルは第２搬送ロボット５ｂにより取り出され、打ち抜き断裁・回収工程４１４へ搬送される。又、有機ＥＬパネルが脱離された可撓性基板保持具は第２搬送ロボット５ｂにより取り出され、一旦保管場所に保管される。
【０１１０】
打ち抜き断裁・回収工程４１４は、打ち抜き断裁装置４１４ａにより、貼合した枚葉状可撓性封止部材の不要部分を除去し、有機ＥＬパネルを回収する様になっている。
【０１１１】
可撓性封止部材側を上側にした状態で第２搬送ロボット５ｂより打ち抜き断裁４１４ａ内に受け取り、有機ＥＬパネルを固定（例えば、吸引方式）する。この後、打ち抜き断裁装置４１４ａにより可撓性封止部材の不要部分が打ち抜かれ、有機ＥＬパネルが回収される。尚、第２搬送ロボット５ｂによる搬送は、可撓性基板側を受け具５０２ｂの２本の爪で保持した状態で行われる。
【０１１２】
本図に示される蒸着装置としては、特に限定はなく、例えばスパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法などを用いることが出来、必要に応じて選択して使用することが可能である。
【０１１３】
図１１は図１０に示される供給工程の概略斜視図である。
【０１１４】
図中、４０１ａは枚葉状の可撓性基板３０１の供給箱を示す。供給箱４０１ａの内側は複数の棚で区切られており、一段毎に可撓性基板３０１が保管されている。第１搬送ロボット５ａのアーム５０２は前後方向（図中の矢印方向）と、上下方向（図中の矢印方向）に移動が可能となっている。可撓性基板３０１の取り出しは、第１搬送ロボット５ａのアーム５０２の軸５０２ａの先端に取り付けられた２本の爪を持つ受け具５０２ｂを棚の間に差し込んだ後、上方向にアーム５０２を移動させることで、受け具５０２ｂの上に可撓性基板３０１が載置された状態となる。この後、アーム５０２を本体５０１側に移動することで供給箱４０１ａから可撓性基板３０１の取り出しが終了する。この後、本体５０１が回動し、アーム５０２の操作により固定工程４０２（図１０を参照）に可撓性基板３０１を搬送することが可能となっている。
【０１１５】
図１２は図１０に示される第１反転工程の反転装置の概略斜視図である。
【０１１６】
図中、６は図１０に示される第１反転工程４０４の反転装置を示す。反転装置６は固定部６０１と駆動部６０２とを有している。固定部６０１は移動板６０１ａ１と受け板６０１ａ２とを有する固定部材６０１ａと、移動板６０１ｂ１と受け板６０１ｂ２とを有する固定部材６０１ｂとを有している。６０１ａ３は移動板６０１ａ１を上下方向（図中の矢印方向）に移動させるシリンダーを示す。６０１ｂ３は移動板６０１ｂ１を上下方向（図中の矢印方向）に移動させるシリンダーを示す。シリンダー６０１ａ３（６０１ｂ３）は取り付け部材６０１ｃで反転装置に配設されており、シリンダー６０１ａ３（６０１ｂ３）を駆動させ移動板６０１ａ１（６０１ｂ１）を下方向（図中の矢印方向）に移動させることで、受け板６０１ａ２（６０１ｂ２）に載置された可撓性基板保持具１を固定する様になっている。６０２ａはモーターを示し、回転軸６０２ｂを介して固定部６０１に繋がっており、固定部６０１を回転（図中の矢印方向）可能としている。
【０１１７】
６０１ａ４は受け板６０１ａ２に配設された位置決め用のピンを示す。６０１ｂ４は受け板６０１ｂ２に配設された位置決め用のピンを示す。可撓性基板保持具１を受け板６０１ａ２、受け板６０１ｂ２に載置する時、可撓性基板保持具１の枠構成部材に配設された位置決め用の孔１０１ｆ（図１を参照）と位置決め用のピン６０１ａ４とを、位置決め用の孔１０１ｅ（図１を参照）と位置決め用のピン６０１ａ４とを合わせることで位置を決めることが可能となっている。本図に示される反転装置６を使用した操作を次に示す。
【０１１８】
Ｓｔｅｐ１では、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照、本図では本体を省略してある）の受け具５０２ｂに載せられた状態で洗浄工程４０３（図１０を参照）から搬送されてくる可撓性基板保持具１に固定された可撓性基板３０１は受け板６０１ａ２と受け板６０１ｂ２の上に第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）のアーム５０２の操作で可撓性基板保持具１の枠構成部材に配設された置決め用の孔１０１ｆ（図１を参照）と位置決め用のピン６０１ａ４とを、位置決め用の孔１０１ｅ（図１を参照）と位置決め用のピン６０１ａ４とを合わせ載置される。載置した後、アーム５０２は後方（図中の矢印方向）に移動し待機する。
【０１１９】
Ｓｔｅｐ２では、シリンダー６０１ａ３（６０１ｂ３）の駆動により移動板６０１ａ１（６０１ｂ１）を下方向（図中の矢印方向）に移動させ、受け板６０１ａ２（６０１ｂ２）に載置された可撓性基板保持具１を挟持し固定する。この状態では可撓性基板３０１は上向き状態となっている。
【０１２０】
Ｓｔｅｐ３では、モーター６０２ａを駆動させ固定部６０１を１８０°回転させ、可撓性基板３０１を下向きの状態とする。この後、シリンダー６０１ａ３（６０１ｂ３）の駆動により挟持を解除する。この状態では移動板６０１ａ１（６０１ｂ１）の上に可撓性基板３０１を下向きの状態で可撓性基板保持具１が載置された状態となる。
【０１２１】
Ｓｔｅｐ４では、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）のアーム５０２の操作により、受け具５０２ｂに可撓性基板３０１を下向きの状態の可撓性基板保持具１を載せ反転装置から取り出す。この後、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）により第１電極形成工程４０５に可撓性基板３０１を下向きの状態の可撓性基板保持具１を搬送する。尚、図９に示す第２反転工程４１０も本図と同じ反転装置を有している。
【０１２２】
図１３は図１０に示される第１電極形成工程の蒸着装置の受け取り装置の概略斜視図である。尚、本図は受け取り装置を示すため、蒸着装置の真空装置、加熱容器、蒸着用のマスク等蒸着に使用する他の部材は全て省略してある。
【０１２３】
図中、７は図１０に示される第１電極形成工程４０５の蒸着装置４０５ａに配設された受け取り装置を示す。受け取り装置７は、載置板７０１ａと、位置規制板７０１ｂと、駆動装置７０１ｃとを有している。
【０１２４】
載置板７０１ａは、可撓性基板保持具１に固定された可撓性基板３０１との接触を避けるため、第１載置板７０１ａ１と第２載置板７０１ａ２とを有している。７０１ａ３は第２載置板７０１ａ２に配設された位置決め用のピンを示す。第１載置板７０１ａ１にも位置決め用のピン７０１ａ３に対向する位置に位置決め用のピン７０１ａ４（図１４を参照）が配設されている。載置板７０１ａへの可撓性基板３０１を固定した可撓性基板保持具１の載置は、可撓性基板３０１側を下向きにした状態で可撓性基板保持具１の枠構成部材に配設された置決め用の孔１０１ｆと位置決め用のピン７０１ａ３とを、位置決め用の孔１０１ｅと位置決め用のピン６０１ａ４（図１４を参照）を合わせ載置される。
【０１２５】
位置規制板７０１ｂは第１載置板７０１ａ１に合わせ、蒸着装置４０５ａの内部の上部に固定された第１位置規制板７０１ｂ１と、第２載置板７０１ａ２に合わせ、蒸着装置４０５ａの内部の上部に固定された第２位置規制板７０１ｂ２とを有しており、位置規制板７０１ｂの高さにより蒸着位置が決めることが可能となっている。
【０１２６】
駆動装置７０１ｃは第１載置板７０１ａ１を上下方向（図中の矢印方向）に移動させるための第１駆動装置７０１ｃ１と、第２載置板７０１ａ２を上下方向（図中の矢印方向）に移動させるための第２駆動装置７０１ｃ２とを有している。
【０１２７】
第１反転工程４０４（図１０を参照）から、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）により搬送されてきた可撓性基板３０１が下向きの状態の可撓性基板保持具１を載置板７０１ａに載置する。載置した後、駆動装置７０１ｃにより位置規制板７０１ｂに可撓性基板保持具が当接するまで、載置板７０１ａを上方向に移動する。当接することで、位置規制板７０１ｂと載置板７０１ａの間に可撓性基板保持具１が挟持された状態で蒸着位置で固定される。
【０１２８】
本図に示される受け取り装置７は図１０に示される正孔輸送層形成工程４０６と、発光層形成工程４０７と、電子注入層形成工程４０８と、第２電極形成工程４０９とで使用されている。
【０１２９】
図１４は図１３に示す受け取り装置を使用した可撓性基板保持具の固定操作の概略フロー図である。
【０１３０】
Ｓｔｅｐ１では、可撓性基板保持具を載置する前の受け取り装置７の状態を示し、受け取り板７０１ａは降りた状態となっている。７０１ａ４は第１受け取り板７０１ａ１に配設された位置決め用のピンを示す。
【０１３１】
Ｓｔｅｐ２では、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）の受け具５０２ｂに載せられた状態で搬送されてくる可撓性基板３０１が下向きの状態の可撓性基板保持具１が第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）のアーム５０２の操作で可撓性基板保持具１の枠構成部材に配設された置決め用の孔１０１ｆと位置決め用のピン７０１ａ３とを、位置決め用の孔１０１ｅと位置決め用のピン６０１ａ４（図１４を参照）を合わせ受け取り板７０１ａの上に載置される。載置した後、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）のアーム５０２は待機位置に後退する。載置した後、駆動装置７０１ｃを駆動させ、位置規制板７０１ｂに可撓性基板保持具１が当接するまで上方（図中の矢印方向）に移動する。
【０１３２】
Ｓｔｅｐ３では、位置規制板７０１ｂに可撓性基板保持具１が当接する位置で駆動装置７０１ｃの駆動が停止される。当接することで位置規制板７０１ｂと受け取り板７０１ａとの間に可撓性基板保持具１が固定された状態となり蒸着が開始される。又、当接する位置が蒸着位置となっており、位置規制板７０１ｂの高さにより蒸着位置の調整が可能となっている。
【０１３３】
蒸着が終了した後、駆動装置７０１ｃを駆動させ、受け取り板７０１ａを蒸着装置の下部まで下げ、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）のアーム５０２の操作により、受け具５０２ｂに可撓性基板３０１を下向きの状態の可撓性基板保持具１を載せ蒸着装置から取り出す。この後、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）により発光層形成工程４０７に可撓性基板３０１を下向きの状態の可撓性基板保持具１を搬送する。本図に示すフローが図１０に示す正孔輸送層形成工程４０６、発光層形成工程４０７、電子注入層形成工程４０８、第２電極形成工程４０９の各蒸着装置で行われている。他の符号は図１３と同義である。
【０１３４】
図１〜図５に示す可撓性基板保持具を使用し、図９に示す有機ＥＬパネルを図１０〜図１４に示す製造装置で製造することで次の効果が挙げられる。
１．枚葉状の可撓性基板の湾曲、撓み又はしわ等の発生がなく安定した保持が可能となり、安定した性能の有機ＥＬパネルの製造が可能となった。
２．枚葉状の可撓性基板の有機ＥＬパネルの製造が可能となるのに伴い、軽量化、薄型化及びコスト低減が可能となった。
３．枚葉状の可撓性基板を可撓性基板保持具に取り付けた状態で各工程間を搬送出来るため、工程の可動率が向上し生産効率の向上が可能となった。
【０１３５】
以下、本発明に係る有機ＥＬパネルを構成している可撓性基板、ガスバリア層、第１電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、第２電極に付き説明する。
【０１３６】
（可撓性基板）
可撓性基板として透明樹脂フィルムを使用する場合、樹脂フィルムの表面にはガスバリア膜が必要に応じて形成されることが好ましい。ガスバリア膜としては無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が挙げられる。ガスバリア膜の特性としては、水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下であることが好ましい。更には、酸素透過度１０-3ｍｌ／ｍ2／ｄａｙ以下、水蒸気透過度１０-5ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【０１３７】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることが出来る。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることが出来るが、特開２００４−６８１４３号に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【０１３８】
（第１電極）
第１電極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。この様な電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。又、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3・ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、或いはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、又陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０１３９】
（正孔注入層（陽極バッファ層））
第１電極と発光層又は正孔輸送層の間、正孔注入層（陽極バッファ層）を存在させてもよい。正孔注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３−１６６頁）に詳細に記載されている。陽極バッファ層（正孔注入層）に使用する材料の一例としては、特開２０００−１６０３２８号公報に記載されている材料が挙げられる。
【０１４０】
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層又は複数層設けることが出来る。正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性の何れかを有するものであり、有機物、無機物の何れであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、又導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【０１４１】
正孔輸送材料としては上記のものを使用することが出来るが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０１４２】
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。又、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することが出来る。
【０１４３】
又、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２）、ｐ．１３９）に記載されているような所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることも出来る。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。
【０１４４】
正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。又、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平４−２９７０７６号、特開２０００−１９６１４０号、特開２００１−１０２１７５号、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。この様なｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の有機ＥＬ素子を作製することが出来るため好ましい。
【０１４５】
（発光層）
本発明において、発光層とは青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を指す。発光層を積層する場合の積層順としては、特に制限はなく、又各発光層間に非発光性の中間層を有していてもよい。本発明においては、少なくとも１つの青発光層が、全発光層中最も陽極に近い位置に設けられていることが好ましい。又、発光層を４層以上設ける場合には、陽極に近い順から、例えば青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層／赤色発光層のように青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を順に積層することが、輝度安定性を高める上で好ましい。発光層を多層にすることで白色素子の作製が可能である。
【０１４６】
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性、発光に必要な電圧等を考慮し、通常２ｎｍ〜５μｍ、好ましくは２〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。更に１０〜２０ｎｍの範囲にあるのが好ましい。膜厚を２０ｎｍ以下にすると電圧面のみならず、駆動電流に対する発光色の安定性が向上する効果があり好ましい。個々の発光層の膜厚は、好ましくは２〜１００ｎｍの範囲で選ばれ、２〜２０ｎｍの範囲にあるのが更に好ましい。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はないが、３発光層中、青発光層（複数層ある場合はその総和）が最も厚いことが好ましい。
【０１４７】
発光層は発光極大波長が各々４３０〜４８０ｎｍ、５１０〜５５０ｎｍ、６００〜６４０ｎｍの範囲にある発光スペクトルの異なる少なくとも３層以上の層を含む。３層以上であれば、特に制限はない。４層より多い場合には、同一の発光スペクトルを有する層が複数層あってもよい。発光極大波長が４３０〜４８０ｎｍにある層を青発光層、５１０〜５５０ｎｍにある層を緑発光層、６００〜６４０ｎｍの範囲にある層を赤発光層と言う。又、前記の極大波長を維持する範囲において、各発光層には複数の発光性化合物を混合してもよい。例えば、青発光層に、極大波長４３０〜４８０ｎｍの青発光性化合物と、同５１０〜５５０ｎｍの緑発光性化合物を混合して用いてもよい。
【０１４８】
発光層の材料として使用する有機発光材料は、（ａ）電荷の注入機能、すなわち、電界印加時に陽極或いは正孔注入層から正孔を注入することが出来、陰極或いは電子注入層から電子を注入することが出来る機能、（ｂ）輸送機能、すなわち、注入された正孔及び電子を電界の力で移動させる機能、及び（ｃ）発光機能、すなわち、電子と正孔の再結合の場を提供し、これらを発光に繋げる機能、の３つの機能を併せもつものであれば特に限定はない。例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤や、スチリルベンゼン系化合物を用いることが出来る。上記の蛍光増白剤の具体例としては、ベンゾオキサゾール系では、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４′−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４′−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾオリル］スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス［５−α，α−ジメチルベンジル−２−ベンゾオキサゾリル］チオフェン、２，５−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル］−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４′−ビス（２−ベンゾオキサゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール、２−［２−（４−クロロフェニル）ビニル］ナフト［１，２−ｄ］オキサゾール等が挙げられる。ベンゾチアゾール系では、２，２′−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾール等が挙げられ、ベンゾイミダゾール系では、２−［２−［４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾイミダゾール、２−［２−（４−カルボキシフェニル）ビニル］ベンゾイミダゾール等が挙げられる。更に、他の有用な化合物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイズ（１９７１），第６２８〜６３７頁及び第６４０頁に列挙されている。
【０１４９】
又、上記のスチリルベンゼン系化合物の具体例としては、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチルベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−エチルベンゼン等が挙げられる。
【０１５０】
更に、上述した蛍光増白剤及びスチリルベンゼン系化合物以外にも、例えば、１２−フタロペリノン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、国際公開公報ＷＯ９０／１３１４８やＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ ５８，１８，Ｐ１９８２（１９９１）に記載されているような高分子化合物、芳香族ジメチリディン系化合物が挙げられる。芳香族ジメチリディン系化合物の具体例としては、１，４−フェニレンジメチリディン、４，４′−フェニレンジメチリディン、２，５−キシリレンジメチリディン、２，６−ナフチレンジメチリディン、１，４−ビフェニレンジメチリディン、１，４−ｐ−テレフェニレンジメチリディン、４，４′−ビス（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル、４，４′−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル等、及びこれらの誘導体が挙げられる。又、上記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（III）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム（III）等が挙げられる。
【０１５１】
その他、上述した有機発光材料をホストとし、当該ホストに青色から緑色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系或いは前記ホストと同様の蛍光色素をドープした化合物も、有機発光材料として好適である。有機発光材料として前記の化合物を用いた場合には、青色から緑色の発光（発光色はドーパントの種類によって異なる）を高効率で得ることが出来る。前記化合物の材料であるホストの具体例としては、ジスチリルアリーレン骨格の有機発光材料（特に好ましくは、例えば、４，４′−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル）が挙げられ、前記化合物の材料であるドーパントの具体例としては、ジフェニルアミノビニルアリレーン（特に好ましくは、例えば、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノビフェニルベンゼンや４，４′−ビス［２−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル）フェニル］ビニル］ビフェニル）が挙げられる。
【０１５２】
発光層には、発光層の発光効率を高くするために公知のホスト化合物と公知のリン光性化合物（リン光発光性化合物とも言う）を含有することが好ましい。ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。ホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することが出来る。又、リン光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることが出来る。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用も出来る。
【０１５３】
これらのホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、尚且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。公知のホスト化合物としては、例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等に記載の化合物が挙げられる。
【０１５４】
複数の発光層を有する場合、これら各層のホスト化合物の５０質量％以上が同一の化合物であることが、有機層全体に渡って均質な膜性状を得やすいことから好ましく、更にはホスト化合物のリン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上であることが、ドーパントからのエネルギー移動を効率的に抑制し、高輝度を得る上で有利となることからより好ましい。リン光発光エネルギーとは、ホスト化合物を基板上に１００ｎｍの蒸着膜のフォトルミネッセンスを測定し、そのリン光発光の０−０バンドのピークエネルギーを言う。
【０１５５】
ホスト化合物は、有機ＥＬ素子の経時での劣化（輝度低下、膜性状の劣化）、光源としての市場ニーズ等を考慮し、リン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上且つＴｇが９０℃以上のものであることが好ましい。すなわち、輝度と耐久性の両方を満足するためには、リン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上且つＴｇが９０℃以上のものであることが好ましい。Ｔｇは、更に好ましくは１００℃以上である。
【０１５６】
リン光性化合物（リン光発光性化合物）とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物である。先に説明したホスト化合物と合わせ使用することで、より発光効率の高い有機ＥＬ素子とすることが出来る。
【０１５７】
本発明に係るリン光性化合物は、リン光量子収率は好ましくは０．１以上である。上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定出来る。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定出来るが、本発明に用いられるリン光性化合物は、任意の溶媒の何れかにおいて上記リン光量子収率が達成されればよい。
【０１５８】
リン光性化合物の発光は原理としては２種挙げられ、１つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型、もう１つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上でキャリアの再結合が起こりリン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、何れの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【０１５９】
リン光性化合物は、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることが出来る。リン光性化合物としては、好ましくは元素の周期表で８族−１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【０１６０】
本発明においては、リン光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、原理的には中心金属、配位子、配位子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化させることが出来る。
【０１６１】
本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当て嵌めた時の色で決定される。
【０１６２】
本発明で言うところの白色素子とは、２°視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ2でのＣＩＥ１９３１ 表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．０７の領域内にあることを言う。
【０１６３】
（電子注入層）
電子注入層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり広い意味で電子輸送層に含まれる。電子注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。電子注入層（陰極バッファ層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファ層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファ層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファ層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファ層等が挙げられる。上記バッファ層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【０１６４】
他に発光層側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることが出来、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来る。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。
【０１６５】
又、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることが出来る。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることが出来る。又、ジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来るし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることが出来る。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１６６】
又、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開平１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、特開２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。この様なｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することが出来るため好ましい。
【０１６７】
（第２電極）
第２電極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。この様な電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することが出来る。又、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の第１電極（陽極）又は第２電極（陰極）の何れか一方が、透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【０１６８】
又、第２電極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、第１電極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の第２電極（陰極）を作製することが出来、これを応用することで第１電極（陽極）と第２電極（陰極）の両方が透過性を有する素子を作製することが出来る。
【０１６９】
（シール剤）
本発明に係わる液状シール剤と熱可塑性樹脂とが挙げられる。液状シール剤としては、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型シール剤、２−シアノアクリル酸エステルなどの湿気硬化型等のシール剤、エポキシ系などの熱及び化学硬化型（二液混合）等のシール剤、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂シール剤等を挙げることが出来る。液状シール剤には必要に応じてフィラーを添加することが好ましい。フィラーの添加量としては、接着力を考慮し、５〜７０体積％が好ましい。又、添加するフィラーの大きさは、接着力、貼合圧着後のシール剤厚み等を考慮し、１μｍ〜１００μｍが好ましい。添加するフィラーの種類としては特に限定はなく、例えばソーダガラス、無アルカリガラス或いはシリカ、二酸化チタン、酸化アンチモン、チタニア、アルミナ、ジルコニアや酸化タングステン等の金属酸化物等が挙げられる。
【０１７０】
熱可塑性樹脂としては、ＪＩＳ Ｋ ７２１０規定のメルトフローレートが５〜２０ｇ／１０ｍｉｎである熱可塑性樹脂が好ましく、更に好ましくは、６〜１５ｇ／１０ｍｉｎ以下の熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。これは、メルトフローレートが５（ｇ／１０ｍｉｎ）以下の樹脂を用いると、各電極の引き出し電極の段差により生じる隙間部を完全に埋めることが出来ず、２０（ｇ／１０ｍｉｎ）以上の樹脂を用いると引っ張り強さや耐ストレスクラッキング性、加工性などが低下するためである。これらの熱可塑性樹脂をフィルム状に成形し可撓性封止部材（帯状可撓性封止部材、枚葉シート状可撓性封止部材）に貼合して使用することが好ましい。貼合方法は一般的に知られている各種の方法、例えばウェットラミネート法、ドライラミネート法、ホットメルトラミネート法、押出しラミネート法、熱ラミネート法を利用して作ることが可能である。
【０１７１】
熱可塑性樹脂は、上記数値を満たすものであれば特に限定されるものではないが、例えば機能性包装材料の新展開（株式会社東レリサーチセンター）に記載の高分子フィルムである低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ＨＤＰＥ、線状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、中密度ポリエチレン、未延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）、ＯＰＰ、ＯＮｙ、ＰＥＴ、セロファン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、延伸ビニロン（ＯＶ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＯＨ）、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）等の使用が可能である。これらの熱可塑性樹脂の中で特にＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ及びメタロセン触媒を使用して製造したＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ、又、ＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥとＨＤＰＥフィルムの混合使用した熱可塑性樹脂を使用することが好ましい。
【０１７２】
（可撓性封止部材）
可撓性封止部材としてはポリエチレンテレフタレート、ナイロンなどの可撓性樹脂フィルムからなる支持体へ蒸着法やコーティング法でバリア層を形成した材料又はバリア層として金属箔を用いた材料が挙げられる。バリア層としては例えばＩｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物を蒸着した材料が挙げられる。又、金属箔の材料としては、例えばアルミニウム、銅、ニッケルなどの金属材料や、ステンレス、アルミニウム合金などの合金材料を用いることが出来るが、加工性やコストの面でアルミニウムが好ましい。膜厚は、１〜１００μｍ程度、好ましくは１０μｍ〜５０μｍ程度が望ましい。又、製造時の取り扱いを容易にするために、ポリエチレンテレフタレート、ナイロンなどのフィルムを予めラミネートしておいてもよい。可撓性封止部材に樹脂フィルムを使用する場合、液状シール剤と接触する側に熱可塑性接着性樹脂層を有することが好ましい。
【０１７３】
可撓性封止部材の水蒸気透過度は、０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下であることが好ましく、且つ酸素透過度は、０．０１ｍｌ／ｍ2・ｄａｙ・ａｔｍ以下であることが好ましい。水蒸気透過度はＪＩＳ Ｋ７１２９Ｂ法（１９９２年）に準拠した方法で主としてＭＯＣＯＮ法により測定した値であり、酸素透過度はＪＩＳ Ｋ７１２６Ｂ法（１９８７年）に準拠した方法で主としてＭＯＣＯＮ法により測定した値である。可撓性封止部材のヤング率は、可撓性封止部材と第１圧着部材、第２圧着部材との密着性やシール剤の塗れ広がり防止等を考慮し、１×１０-3ＧＰａ〜８０ＧＰａであり、厚みが１０μｍ〜５００μｍであることが好ましい。
【０１７４】
本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し効率は１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
【０１７５】
又、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。
【０１７６】
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために以下に示す方法を併用することが好ましい。有機ＥＬ素子は、空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光の内１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことが出来ないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。
【０１７７】
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５）。基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）。素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）。基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）。基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）。基板、透明電極層や発光層の何れかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等がある。
【０１７８】
本発明においては、これらの方法を有機ＥＬ素子と組合せて用いることが出来るが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、或いは基板、透明電極層や発光層の何れかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることが出来る。本発明においては、これらの手段を組合せることにより、更に高輝度或いは耐久性に優れた素子を得ることが出来る。
【０１７９】
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。又、更に１．３５以下であることが好ましい。低屈折率媒質の厚みは、媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。全反射を起こす界面もしくは何れかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が１次の回折や、２次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることが出来る性質を利用して、発光層から発生した光の内、層間での全反射等により外に出ることが出来ない光を、何れかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
【０１８０】
回折格子を導入する位置としては前述の通り、何れかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。この時、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
【０１８１】
更に、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために、基板の光取り出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、或いは、所謂集光シートと組合せることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることが出来る。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０μｍ〜１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大き過ぎると厚みが厚くなり好ましくない。
【０１８２】
集光シートとしては、例えば液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。この様なシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることが出来る。プリズムシートの形状としては、例えば基板に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。又、発光素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることが出来る。
【実施例】
【０１８３】
以下、実施例を挙げて本発明の具体的な効果を示すが、本発明の態様はこれに限定されるものではない。
【０１８４】
実施例１
図９に示す製造装置を使用し、図８に示す構成（可撓性基板／陽極（第１電極）／正孔輸送層／発光層／陰極バッファ層（電子注入層）／陰極（第２電極）／封止剤層／封止材の層構成）を有する面発光方式の有機ＥＬパネルを作製した。
【０１８５】
（可撓性基板保持具の準備）
図２に示す枠構成部材を有する矩形状の枠体と、取り付け部材を介して枠体に設けられた梁部とを有している下記に示す寸法を有する図２に示す可撓性基板保持具をＰＴＦＥを使用し、射出成形法で作製し準備した。尚、係止ピンは図４に示す形状とした。
【０１８６】
可撓性基板保持具の長さは枚葉状の可撓性基板の長さの１０５％とした。矩形状の枠体の幅は枚葉状の可撓性基板の幅の１１０％とした。矩形状の枠体の長さは可撓性基板保持具の長さに対して８０％とした。取り付け部材の長さは可撓性基板保持具の長さに対して５％とした。取り付け部材の幅は梁部の幅に対して３００％とした。梁部の長さは可撓性基板保持具の長さに対して３０％とした。梁部の幅は枚葉状の可撓性基板の幅の５％とした。開口部の幅は枠体の幅に対して８０％とした。開口部の長さは枠体の長さに対して６０％とした。枠体に配設されている２本の係止ピンの中心間の距離は５０ｍｍとした。梁部に配設されている２本の係止ピンの中心間の距離は５０ｍｍとした。枠体に配設されている２本の係止ピンの中心と、梁部に配設されている２本の係止ピンの中心とを結ぶ線と、枠体に配設されている２本の係止ピンの枠構成部材への取り付け面の外側との交点と、梁部に配設されている２本の係止ピンの梁部１０２への取り付け面の外側との交点との距離Ｒ（図２を参照）は７０ｍｍとした。枠体、梁部、取り付け部材の高さは同じとし、４ｍｍとした。係止ピンの上部の直径は４ｍｍ、枠体との取り付け部の直径は３ｍｍ、取り付け面と側壁とのなす角度θは７５°とした。角度は、株式会社ミツトヨ製 投影機 ＰＪ−Ａ３０００を使用し測定した値を示す。係止ピンの枠体の取り付け面からの高さは、可撓性基板の厚さに対して１０００％とした。給水率は０．０２％であった。給水率はＡＳＴＭ Ａ５７０に準じて測定した２４時間の値を示す。
【０１８７】
（可撓性基板の準備）
厚さ２００μｍ、幅６０ｍｍ、長さ８０ｍｍのポリエーテルサルフォンフィルム（住友ベークライト製、以下、ＰＥＳと略記する）を準備し、４隅に取り付け孔を配設した。取り付け孔の直径は、係止ピンの上部の直径に対して１２５％とした。幅方向の取り付け孔の中心間の距離は５０ｍｍとした。長さ方向の２つの取り付け孔の中心とを結ぶ線の枠体側の取り付け孔の外側との交点と、梁部側の取り付け孔の外側との交点との距離Ｙ（図６を参照）は７１ｍｍとした。
【０１８８】
（可撓性基板保持具への可撓性基板の取り付け）
準備した可撓性基板を供給工程に用意し、第１搬送ロボットにより取り出し、固定工程に搬送し、可撓性基板保持具へ図６に示す方法で手作業により可撓性基板を取り付ける。取り付けが終了した後、第１搬送ロボットにより洗浄工程へ搬送する。枚葉状の可撓性基板に掛かる張力は４２Ｎ／ｍであった。張力は、株式会社イマダ製プッシュプルゲージ（デジタルフォースゲージ ＺＰシリーズ）を使用し、以下に示す方法で測定した値を示す。
【０１８９】
張力の測定方法
枚葉状の可撓性基板を可撓性基板保持具に固定した状態で、梁部の両端を枠体側に向けてプッシュプルゲージで同時に押し、梁部が撓み始めた時のプッシュプルゲージの値を読み取り、単位幅に換算した値を示す。
【０１９０】
（可撓性基板の清掃）
可撓性基板保持具へ固定された状態の可撓性基板の第１電極形成面を、大気圧プラズマ洗浄装置により以下に示す条件で行った。可撓性基板の清掃が終了した後、第１搬送ロボットにより第１反転工程へ搬送する。
【０１９１】
大気圧プラズマ洗浄条件
アルゴンガスに酸素１〜５体積％含有ガスを用い、周波数１００ｋＨｚ〜１５０ＭＨｚ、電圧１０Ｖ〜１０ｋＶ、照射距離５〜２０ｍｍ、時間１分間とした。
【０１９２】
（第１反転工程での反転）
第１搬送ロボットにより搬送されてきた可撓性基板保持具（固定された状態の可撓性基板が上側になっている）を図１２に示す反転装置により、可撓性基板保持具に固定された状態の可撓性基板を下側になるように１８０°反転させた後、第１搬送ロボットにより取り出し第１電極形成工程へ搬送する。
【０１９３】
（陽極（第１電極）の形成）
可撓性基板保持具に固定された状態の可撓性基板を下側の状態でスパッタリング成膜装置に第１搬送ロボットにより搬送されてきた可撓性基板保持具を図１３に示す受け取り装置に受け固定した後、スパッタリング成膜装置に移動し固定する。この後、可撓性基板の上に減圧１Ｐａ、温度８０℃で厚さ１２０ｎｍのＩＴＯ（インジウムチンオキシド）をスパッタリング法により、幅２ｍｍ、長さ５０ｍｍ、間隔２ｍｍ、厚さ１５０ｎｍ、１０列のパターン化した陽極（第１電極）をマスク成膜し形成した。陽極（第１電極）を形成した後、第１搬送ロボットにより取り出し正孔輸送層形成工程へ搬送する。
【０１９４】
（正孔輸送層の形成）
陽極（第１電極）の形成方法と同じ様に受け取り装置に受け固定した後、蒸着位置に移動し固定し、形成された陽極（第１電極）の取り出し電極部分を除き、陽極（第１電極）の上に、減圧１×１０-4Ｐａ、可撓性基板温度６０℃で厚さ３０ｎｍで、ＮＰＤを蒸着法で形成した。正孔輸送層を形成した後、第１搬送ロボットにより取り出し発光層形成工程へ搬送する。
【０１９５】
（発光層の形成）
陽極（第１電極）の形成方法と同じ様に受け取り装置に受け固定した後、蒸着位置に移動し固定し、正孔輸送層の上に、減圧１×１０-4Ｐａ、可撓性基板温度６０℃で厚さ３０ｎｍで、Ａｌｑ3を蒸着法で形成した。発光層を形成した後、第１搬送ロボットにより取り出し電子注入層形成工程へ搬送する。
【０１９６】
（電子注入層の形成）
陽極（第１電極）の形成方法と同じ様に受け取り装置に受け固定した後、蒸着位置に移動し固定し、発光層の上に、厚さ０．５ｎｍのＬｉＦ層（陰極バッファ層（電子注入層））を５×１０-4Ｐａの真空条件で蒸着し、電子注入層を形成した後、第１搬送ロボットにより取り出し第２電極形成工程へ搬送する。
【０１９７】
（陰極（第２電極）の形成）
陽極（第１電極）の形成方法と同じ様に受け取り装置に受け固定した後、蒸着位置に移動し固定し、電子注入層の上に５×１０-4Ｐａの真空条件で、Ａｌを蒸着法により厚さ１００ｎｍの陰極（第２電極）を形成した。尚、形成した第２電極は、幅２ｍｍ、長さ３５ｍｍ、間隔２ｍｍ、厚さ１５０ｎｍ、７列のパターンとした。陰極（第２電極）を形成した後、第１搬送ロボットにより取り出し第２反転工程へ搬送する。
【０１９８】
（第２反転工程での反転）
第１搬送ロボットにより搬送されてきた可撓性基板保持具（固定された状態の可撓性基板が下側になっている）を図１１に示す反転装置により、可撓性基板保持具に固定された状態の可撓性基板を上側になるように１８０°反転させた後、第２搬送ロボットにより取り出しシール剤塗設工程へ搬送する。
【０１９９】
（シール剤の塗設）
第２搬送ロボットにより取り出された陰極（第２電極）迄が形成された可撓性基板を取り付けた可撓性基板保持具を、可撓性基板を上側にして載置台に載置する。この後、シール剤塗装置で陽極（第１電極）及び陰極（第２電極）の取り出し電極部分を除き、シール剤として熱硬化型の液状接着剤（エポキシ樹脂系）を使用し、スクリーン印刷法にて厚さ３０μｍで発光領域に塗布した。シール剤を塗布した後、第２搬送ロボットにより取り出し可撓性封止部材貼合工程へ搬送する。
【０２００】
（可撓性封止部材の貼合）
可撓性封止部材をシール剤までを塗設した可撓性基板の上に積重した後、２搬送ロボットにより可撓性封止部材を積重した可撓性基板を取り付けた可撓性基板保持具を、可撓性基板を上側にして可撓性封止部材貼合装置に載置し、１Ｐａの真空環境下にて押圧力０．１ＭＰａで圧着し、大気圧８０℃の環境にて３時間放置し固着させた。可撓性封止部材を固着した後、第２搬送ロボットにより取り出し、有機ＥＬパネルを製造し試料Ｎｏ．１０１とした。尚、可撓性基板保持具にガラス板を使用し、可撓性基板の固定をテープで行った他は全て同じ条件で有機ＥＬパネルを製造し比較試料Ｎｏ．１０２とした。
【０２０１】
評価
作製した試料Ｎｏ．１０１、１０２に付き、発光状態、基板保持状態を、以下に示す方法で試験し、以下に示す評価ランクに従って評価した結果を表１に示す。
【０２０２】
発光状態の試験方法
低電圧電源を用いて、電圧５Ｖを印加し、発光するか目視観察した。７０ドット（発光部）全てにおいて測定を行い、発光するドット（発光部）の割合を集計した。
【０２０３】
発光評価の評価ランク
◎：全てのドットが発光する
○：９割以上、１０割未満が発光する
△：５割以上、９割未満が発光する
×：５割未満しか発光していない
基板保持状態の試験方法
可撓性基板保持具に保持された有機ＥＬパネルの保持状態を目視観察した。
【０２０４】
基板保持状態の評価ランク
○：可撓性基板保持治具に有機ＥＬパネルが保持されている
△：可撓性基板保持治具より有機ＥＬパネルの一部分が脱落している
×：製造途中、可撓性基板保持治具より有機ＥＬパネルが脱落した
【０２０５】
【表１】
【０２０６】
本発明の有効性が確認された。
【０２０７】
実施例２ （請求項５対応）
図１０に示す製造装置を使用し、図９に示す構成（可撓性基板／陽極（第１電極）／正孔輸送層／発光層／陰極バッファ層（電子注入層）／陰極（第２電極）／封止剤層／封止材の層構成）を有する面発光方式の有機ＥＬパネルを作製した。
【０２０８】
（可撓性基板保持具の準備）
図２に示す可撓性基板保持具に配設する図４に示す形状の係止ピンの取り付け面と係止ピンの側壁とのなす角度θ（図４を参照）を表２に示す様に変えた以外は、全て実施例１と同じ形状、寸法の可撓性基板保持具を作製しＮｏ．２−１〜２−６とした。角度は、実施例１と同じ方法で測定した値を示す。
【０２０９】
【表２】
【０２１０】
（有機ＥＬパネルの作製）
準備した可撓性基板保持具Ｎｏ．２−１〜２−６を使用した他は全て実施例１と同じ条件で有機ＥＬパネルを作製し試料Ｎｏ．２０１〜２０６とした。
【０２１１】
評価
作製した各試料Ｎｏ．２０１〜２０６に付き、発光状態、基板保持状態を実施例１と同じ方法で試験し、実施例１と同じ評価ランクで評価した結果を表３に示す。
【０２１２】
【表３】
【０２１３】
本発明の有効性が確認された。
【０２１４】
実施例３ （請求項６対応）
図１０に示す製造装置を使用し、図９に示す構成（可撓性基板／陽極（第１電極）／正孔輸送層／発光層／陰極バッファ層（電子注入層）／陰極（第２電極）／封止剤層／封止材の層構成）を有する面発光方式の有機ＥＬパネルを作製した。
【０２１５】
（可撓性基板保持具の準備）
実施例１と同じ形状、寸法の可撓性基板保持具を作製した。
【０２１６】
（可撓性基板の準備）
厚さ２００μｍ、幅２００ｍｍ、長さ３５０ｍｍのポリエーテルサルフォンフィルム（住友ベークライト製、以下、ＰＥＳと略記する）を準備し、可撓性基板保持具への可撓性基板を取り付けたとき表４に示すように可撓性基板に掛かる張力を変えた可撓性基板を準備した。尚、張力の変化は、長さ方向の２つの取り付け孔の中心とを結ぶ線の枠体側の取り付け孔の外側との交点と、梁部側の取り付け孔の外側との交点との距離Ｙ（図６を参照）の距離を変えることで調整した。張力は、実施例１と同じ方法で測定した値を示す。
【０２１７】
【表４】
【０２１８】
（有機ＥＬパネルの作製）
準備した可撓性基板保持具Ｎｏ．３−１〜３−５を使用した他は全て実施例１と同じ条件で有機ＥＬパネルを作製し試料Ｎｏ．３０１〜３０５とした。
【０２１９】
評価
作製した各試料Ｎｏ．３０１〜３０５に付き、発光状態、基板保持状態を実施例１と同じ方法で試験し、実施例１と同じ評価ランクで評価した結果を表５に示す。
【０２２０】
【表５】
【０２２１】
本発明の有効性が確認された。
【図面の簡単な説明】
【０２２２】
【図１】本発明の可撓性基板保持具に枚葉状の可撓性基板を固定した状態を示す概略図である。
【図２】図１に示す可撓性基板保持具の概略図である。
【図３】図２（ａ）に示すＢ−Ｂ′に沿った概略断面図である。
【図４】図２（ａ）のＳで示される部分の拡大概略図である。
【図５】図４で示される係止ピンの他の形状の拡大概略図である。
【図６】図１（ａ）に示される可撓性基板の拡大概略図である。
【図７】図２に示される可撓性基板保持具へ、図６に示す可撓性基を取り付ける迄を示す概略フロー図である。
【図８】図７に示すＳｔｅｐ４の可撓性基板が可撓性基板保持具に固定される迄を示す概略フロー図である。
【図９】有機ＥＬパネルの一例を示す概略図である。
【図１０】図９に示される有機ＥＬパネルの製造方法の模式図である。
【図１１】図１０に示される供給工程の概略斜視図である。
【図１２】図１０に示される第１反転工程の反転装置の概略斜視図である。
【図１３】図１０に示される第１電極形成工程の蒸着装置の受け取り装置の概略斜視図である。
【図１４】図１３に示す受け取り装置を使用した可撓性基板保持具の固定操作の概略フロー図である。
【符号の説明】
【０２２３】
１ 可撓性基板保持具
１０１ 枠体
１０１ａ〜１０１ｄ 枠構成部材
１０２ 梁部
１０３ 取り付け部材
１０４ａ 第１係止ピン
１０４ｂ 第２係止ピン
１０４ａ１、１０４ａ２、１０４ｂ１、１０４ｂ２ 係止ピン
１０５ 開口部
２、３０１ 可撓性基板
２ａ〜２ｄ 取り付け孔
３ 有機ＥＬパネル
４ 製造装置
４０１ 供給工程
４０２ 固定工程
４０３ 洗浄工程
４０４ 第１反転工程
４０５ 第１電極形成工程
４０６ 正孔輸送層形成工程
４０７ 発光層形成工程
４０８ 電子注入層形成工程
４０９ 第２電極形成工程
４１０ 第２反転工程
４１１ シール剤塗設工程
４１２ 可撓性封止部材貼合工程
４１３ 脱離工程
４１４ 打ち抜き断裁・回収工程
５ａ 第１搬送ロボット
５ｂ 第２搬送ロボット
６ 反転装置
６０１ 固定部
６０２ 駆動部
【技術分野】
【０００１】
本発明は矩形状の可撓性基板の保持具及びこの保持具を使用した有機エレクトロルミネッセンスパネル（以下、有機ＥＬパネルとも言う）の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
枚葉状の可撓性基板を使用し、この可撓性基板の上に順次機能層を積層していく代表的な製品として有機ＥＬパネルが挙げられる。
【０００３】
有機ＥＬパネルは、基板上に形成された第１電極（陽極又は陰極）を含む陽極層（陰極層）と、その上に積層された有機発光物質を含有する有機化合物層（単層部又は多層部）すなわち発光層と、この発光層上に積層された第２電極（陰極又は陽極）を含む陰極層（陽極層）とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子とも言う）を接着剤層を介して少なくとも有機ＥＬ素子の表面を封止する封止部材により封止した薄膜型の構成を有している。従来、有機ＥＬパネルの基板としては、ガラス基板が主に用いられているが、軽量化、薄型化及びコスト低減を図るべく、薄くて可撓性のあるフィルム基板が使用される様になっている。
【０００４】
有機ＥＬパネルの製造工程には、基板洗浄、コーティング、パターニング及び乾燥等、各種処理工程があり、基板はこれらの工程内を順次搬送され、各種処理が行われることで基板上に各機能層が積層され有機ＥＬパネルが製造されている。
【０００５】
ガラス基板の場合は剛性が大きいので、ガラス基板単体で搬送及び各種処理を行っても、ガラス基板自体の剛性で平面状態を維持出来るため、ガラス基板上に安定した状態で陽極層と、有機化合物層と、陰極層等の各種機能層を安定して形成することが可能である。しかしフィルム基板の場合は剛性が低いため、フィルム基板自体の剛性により平面状態を維持することが難しい。特に、サイズが大きくなるに従って平面状態を維持することが難しくなる。
【０００６】
このため、フィルム基板単体で搬送及び処理を行えば、湾曲、撓み又はしわが生じ易く、フィルム基板上に安定した状態で陽極層と、有機化合物層と、陰極層等の各種機能層を安定して形成することが困難になり、安定した製品の生産効率の低下の一因にもなっている。
【０００７】
これらの対策として、湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止したフィルム基板の保持方法が検討されてきた。例えば、矩形枠状に形成された保持具本体の内側四隅に係止ピンを立設し、一方フィルム基板には、四隅に取り付け孔を形成して、取り付け孔に係止ピンを挿入し、フィルム基板を固定するフィルム基板搬送搬送保持具が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載のフィルム基板搬送搬送保持具は、係止ピンとフィルム基板の取り付け孔とによる係止する方法であるため比較的容易に固定保持することが出来るのであるが、作業中にフィルム基板が係止ピンより抜ける危険がある。又、処理に伴う熱膨張でのフィルム基板へのダメージが懸念される。
【０００９】
フィルム基板搬送搬送保持具として、矩形枠状に形成された保持具本体の内側四隅に係止ピンを立設し、一方フィルム基板には、四隅に取り付け孔を形成して、取り付け孔の１つは、係止ピンに対してぴったり嵌合する基準取り付け孔とし、該基準取り付け孔と対角位置の取り付け孔は大径取り付け孔とし、残りの２つの取り付け孔は長円形取り付け孔とし、取り付け孔に係止ピンを挿入し、ワッシャで抜け止めするフィルム基板搬送搬送保持具が知られている（例えば、特許文献２を参照。）。
【００１０】
しかしながら、特許文献２に記載のフィルム基板搬送搬送保持具は、係止ピンとフィルム基板の取り付け孔とによる係止する方法であるため比較的容易に固定保持することが出来るのであるがガタなく固定することは困難である。又、ワッシャを使用して固定する方法は、作業の複雑化及び固定作業に伴うフィルム基板へのダメージも懸念される。
【００１１】
矩形枠状に形成された保持具本体の内部に洗浄時のフィルム基板の撓み防止部材と、四隅に係止ピンを立設し、一方フィルム基板には、四隅に取り付け孔を形成して、取り付け孔に係止ピンを挿入し、フィルム基板を固定するフィルム基板搬送搬送保持具が知られている（例えば、特許文献３参照。）。
【００１２】
しかしながら、特許文献３に記載のフィルム基板搬送搬送保持具は、係止ピンとフィルム基板の取り付け孔とによる係止する方法であるため比較的容易に固定保持することが出来るのであるが、作業中にフィルム基板が係止ピンより抜ける危険がある。又、洗浄処理時にフィルム基板と撓み防止部材接触に伴うダメージが懸念される。
【００１３】
この様な状況から、枚葉状の可撓性基板を、処理中に抜け落ちることなく湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止し、容易に固定出来る可撓性基板保持具の開発及びこの可撓性基板保持具を使用した有機ＥＬパネルの製造方法の開発が望まれている。
【特許文献１】特開２００２−１１７３６号公報
【特許文献２】特開２００２−１４３１０号公報
【特許文献３】特開２００２−１５９８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は上記状況に鑑みなされたものであり、その目的は枚葉状の可撓性基板を、処理中に抜け落ちることなく湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止し、容易に固定出来る可撓性基板保持具及びこの可撓性基板保持具を使用した有機ＥＬパネルの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の上記目的は、下記に示す構成により達成された。
【００１６】
１．矩形状の可撓性基板を平面状態に保持する可撓性基板保持具であって、前記可撓性基板は前記可撓性基板保持具への取り付け孔を有し、前記可撓性基板保持具は、矩形枠状の枠体と、前記枠体に取り付け部材を介し片持ち状態で一体に形成された梁構造の梁部とを有し、前記枠体の前記取り付け部材と対向する辺の２隅に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第１係止ピンと、前記梁部の両端に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第２係止ピンとを有することを特徴とする可撓性基板保持具。
【００１７】
２．前記第１係止ピンは、少なくとも１本は固定係止ピンであることを特徴とする前記１に記載の可撓性基板保持具。
【００１８】
３．前記第２係止ピンは、梁部の両端に配設された係止ピンであり、該梁部は両端へ枠体方向に水平に押圧を掛けた時、該枠体方向に撓み、該押圧を解除することで元の形状に戻ることを特徴とする前記１又は２に記載の可撓性基板保持具。
【００１９】
４．前記枠体は位置決め用の孔が少なくとも一つ設置されていることを特徴とする前記１〜３の何れか１項に記載の可撓性基板保持具。
【００２０】
５．前記第１係止ピンは、上部の径が下部の径よりも大きく、取り付け面から上部に向けての側壁は少なくとも傾斜部を有し、該傾斜部と取り付け面とのなす角度が４５°〜８５°であることを特徴とする前記１〜４の何れか１項に記載の可撓性基板保持具。
【００２１】
６．前記第１係止ピンと第２係止ピンに可撓性基板の取り付け孔を挿通させ、該可撓性基板を可撓性基板保持具に固定する時、該可撓性基板に掛けられる張力は１０Ｎ／ｍ〜１００Ｎ／ｍであることを特徴とする前記１〜５の何れか１項に記載の可撓性基板保持具。
【００２２】
７．基板洗浄工程、第１電極形成工程、有機化合物層形成工程、第２電極形成工程、封止層形成工程とを有する製造装置で、枚葉状の可撓性基板の上に、少なくとも第１電極と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極と、封止層とを順次形成する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、前記基板洗浄工程、前記第１電極形成工程、前記有機化合物層形成工程、前記第２電極形成工程、前記封止層形成工程の少なくとも一つ工程で、前記１〜６の何れか１項に記載の可撓性基板保持具を使用し、前記可撓性基板を保持し処理することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【発明の効果】
【００２３】
枚葉状の可撓性基板を、処理中に抜け落ちることなく湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止し、容易に固定出来る可撓性基板保持具及びこの可撓性基板保持具を使用した有機ＥＬパネルの製造方法を提供することが出来、大サイズの枚葉状の可撓性基板を安定に保持することが可能となり、大型の画像表示装置への対応が可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の実施の形態を図１〜図１４を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２５】
図１は本発明の可撓性基板保持具に枚葉状の可撓性基板を固定した状態を示す概略図である。図１（ａ）は本発明の可撓性基板保持具に枚葉状の可撓性基板を固定した状態を示す概略斜視図である。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′に沿った拡大概略断面図である。
【００２６】
図中、１は可撓性基板保持具を示す。可撓性基板保持具１は、枠構成部材１０１ａ〜１０１ｄを有する矩形状の枠体１０１と梁部１０２とを有している。２は枚葉状の可撓性基板を示す。可撓性基板２は４隅に開けられた取り付け孔２ａ〜２ｄを可撓性基板保持具の４隅に配設された係止ピン１０４ａ１、１０４ａ２、１０４ｂ１、１０４ｂ２に挿通することで可撓性基板保持具１の表面に伏勢し、梁部１０２方向（図中の矢印方向）に張力が掛けられた状態で固定されている。１０３は梁部１０２の枠体１０１への取り付け部材を示す。
【００２７】
１０１ｅは枠構成部材１０１ｃに配設された位置決め用の孔を示す。１０１ｆは枠構成部材１０１ｄに配設された位置決め用の孔を示す。位置決め用の孔の配設する位置は特に限定はなく、例えば、梁部１０２と枠構成部材１０１ｂに配設しても良い。但し、安定性の面から対向する位置に２つ配設することが好ましい。位置決め用の孔は貫通していても良いし、位置決め用の孔を設けた反対の面に同じような孔を配設しても構わない。本図は貫通している場合を示している。
【００２８】
位置決め用の孔１０１ｅ（１０１ｆ）は、例えば図１０に示される製造装置４に示される供給工程４０１と、固定工程４０２と、洗浄工程４０３と、第１反転工程４０４と、第１電極形成工程４０５と、正孔輸送層形成工程４０６と、発光層形成工程４０７と、電子注入層形成工程４０８と、第２電極形成工程４０９と、第２反転工程４１０と、シール剤塗設工程４１１と、可撓性封止部材貼合工程４１２と、脱離工程４１３等で可撓性基板保持具１を載置台、受け台等に載置し可撓性基板に対して加工する時、載置台、受け台等に配設された位置決め用ピンを挿入させ可撓性基板保持具１を固定するのに使用される。
【００２９】
図２は図１に示す可撓性基板保持具の概略図である。図２（ａ）は図１に示す可撓性基板保持具の概略斜視図である。図２（ｂ）は図２（ａ）に示す可撓性基板保持具の概略平面図である。
【００３０】
図中、１は可撓性基板保持具を示す。可撓性基板保持具１は、枠構成部材１０１ａ〜１０１ｄを有する矩形状の枠体１０１と梁部１０２とを有している。梁部１０２は梁部１０２の中央部に取り付けられた取り付け部材１０３を介して枠構成部材１０１ａの中央部に一体に取り付けられている。
【００３１】
梁部１０２は両端部を枠体１０１方向に水平に押圧を加えることで梁部１０２は枠体１０１方向に撓み（図中の点線で示される状態）、押圧を解除することで元の状態（図中の実線で示される状態）に戻る様になっている。梁部１０２が本図に示す様に撓むことで、可撓性基板を取り付ける時は、可撓性基板に配設された取り付け孔の位置に合わせ、梁部１０２の両端に押圧を掛け梁部１０２を撓ませ、取り付け後、押圧を解除することで梁部１０２が元の位置に戻る時に合わせ、第２係止ピン１０４ｂの位置が動く（第１係止ピン１０４ａと第２係止ピン１０４ｂとの距離が広がる）ことで可撓性基板に張力が掛けられ可撓性基板保持具に固定される。又、処理が終了した後、押圧を掛け梁部１０２を撓ませることで第２係止ピン１０４ｂの位置が動く（第１係止ピン１０４ａと第２係止ピン１０４ｂとの距離が狭くなる）ことで、可撓性基板への張力が解除されるので可撓性基板を可撓性基板保持具１から容易に外すことが可能となる。
【００３２】
枠構成部材１０１ｂの両端部には第１係止ピン１０４ａが配置されている。第１係止ピン１０４ａは枠構成部材１０１ｂの端部に設けられた係止ピン１０４ａ１と、他方の端部に設けられた係止ピン１０４ａ２とを有している。第１係止ピン１０４ａ（係止ピン１０４ａ１及び係止ピン１０４ａ２）は枠構成部材１０１ｂに一体に固定となっている。
【００３３】
梁部１０２の両端部には第２係止ピン１０４ｂが配置されている。第２係止ピン１０４ｂは梁部１０２の端部に設けられた係止ピン１０４ｂ１と、他方の端部に設けられた係止ピン１０４ｂ２とを有している。係止ピン１０４ｂ１は係止ピン１０４ａ１と対向する位置にあり、係止ピン１０４ｂ１と係止ピン１０４ａ１との中心は同一線上となるように配設されている。係止ピン１０４ｂ２は係止ピン１０４ａ２と対向する位置にあり、係止ピン１０４ｂ２と係止ピン１０４ａ２との中心は同一線上となるように配設されている。第２係止ピン１０４ｂ（係止ピン１０４ｂ１及び係止ピン１０４ｂ２）は梁部１０２に一体に配設されており、梁部１０２の移動に伴い相対的に移動するようになっている。
【００３４】
１０５は周囲を枠構成部材１０１ａ〜１０１ｄにより囲まれた開口部を示す。開口部１０５を設けることで可撓性基板の裏面の清掃が容易に行われること、及び可撓性基板を水洗する時、可撓性基板の裏面側の乾燥を早めるために有効である。
【００３５】
枠体１０１を構成する枠構成部材の融点は、各工程における熱安定性等を考慮し、２００℃以上であることが好ましい。
【００３６】
枠体１０１を構成する枠構成部材のＡＳＴＭ Ｄ５７０に準じて測定した２４時間吸水率は、可撓性基板への影響、各工程への水分持ち込み抑制、アウトガス抑制等を考慮し、１％以下であることが好ましい。
【００３７】
梁部は、可撓性基板保持具に可撓性基板を固定した時の張力は、平面性、可撓性基板の保持性、可撓性基板の取り付け孔の損傷等を考慮し、１０Ｎ／ｍ〜１００Ｎ／ｍであることが好ましい。張力は、株式会社イマダ製プッシュプルゲージ（デジタルフォースゲージ ＺＰシリーズ）を使用し測定した値を示す。
【００３８】
可撓性基板保持具１に使用する材料としては、熱、水分等により変形しない材料であれば特に限定はなく、例えば汎用エンジニアリングプラスチック、特殊エンジニアリングプラスチック、金属が挙げられる。汎用エンジニアリングプラスチックとしては、例えば、ポリアミド（ＰＡ）、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、変性ポリフェニレンエーテル（変性ＰＰＥ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＰＥ）等が挙げられる。特殊エンジニアリングプラスチックとしては、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリスルホン（ＰＳＵ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、オレフィンビニルアルコール共重合体（Ｅ／Ｖ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等が挙げられる。これらの材料の中で特に好ましい材料としてはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）が挙げられる。
【００３９】
又、枠体１０１と、取り付け部材１０３と、梁部１０２と、第１係止ピン１０４ａ、及び第２係止ピン１０４ｂは同じ材料であっても良いし異なっていても良い。例えば、枠体１０１と取り付け部材１０３とを鉄、アルミ、ステンレス等の金属とし、梁部１０２を汎用エンジニアリングプラスチックとしても構わない。
【００４０】
本図に示す可撓性基板保持具１は材料が汎用エンジニアリングプラスチック、特殊エンジニアリングプラスチックの場合は、通常の射出成形法で作製することが可能である。又、金属の場合は切削加工で製造することが可能である。
【００４１】
Ｈは可撓性基板保持具１の幅を示す。幅Ｈは、取り扱い性、枚葉状の可撓性基板の保護、位置決め用の孔の配置、葉状の可撓性基板の裏面接触による傷付き等を考慮し、枚葉状の可撓性基板２（図１を参照）の長さの１００％〜１２０％であることが好ましい。
【００４２】
Ｉは矩形状の枠体１０１の長さを示す。長さＩは、取り扱い性、位置決め用の孔の配設、枚葉状の可撓性基板の保護、位置決め用の孔の配置、葉状の可撓性基板の裏面接触による傷付き等を考慮し、枚葉状の可撓性基板２（図１を参照）の幅の１００％〜１２０％であることが好ましい。
【００４３】
Ｊは矩形状の枠体１０１の幅を示す。幅Ｊは、第１係止ピン１０４ａの配設、可撓性基板の保持性、枚葉状の可撓性基板の裏面接触による傷つき、枚葉状の可撓性基板の乾燥性等を考慮し、可撓性基板保持具１の幅Ｈに対して５０％〜９０％であることが好ましい。
【００４４】
Ｋは取り付け部材１０３の幅を示す。幅Ｋは、梁部の変形量を考慮し、極力小さくすることが好ましい。
【００４５】
Ｌは取り付け部材１０３の長さを示す。長さＬは、梁部の撓み荷重（張力）による変形、等を考慮し、梁部１０２の長さＭに対して１００％〜１０００％であることが好ましい。
【００４６】
Ｍは梁部１０２の長さを示す。長さＭは、取り扱い性、梁部の撓み荷重、等を考慮し、枚葉状の可撓性基板２（図１を参照）の長さの２％〜１０％であることが好ましい。
【００４７】
Ｎは梁部１０２の幅を示す。幅Ｎは、第２係止ピン１０４ｂの配設、梁部の撓み荷重、等を考慮し、可撓性基板保持具１の幅Ｈに対して１０％〜８０％であることが好ましい。
【００４８】
Ｏは開口部１０５の長さを示す。長さＯは、枚葉状の可撓性基板の裏面接触による傷つき、枚葉状の可撓性基板の乾燥性等を考慮し、矩形状の枠体１０１の幅Ｉに対して５０％〜９５％であることが好ましい。
【００４９】
Ｐは開口部１０５の幅を示す。幅Ｐは、枚葉状の可撓性基板の裏面接触による傷つき、枚葉状の可撓性基板の乾燥性等を考慮し、矩形状の枠体１０１の長さＪに対して５０％〜９０％であることが好ましい。
【００５０】
Ｑは係止ピン１０４ａ１の中心と、係止ピン１０４ａ２の中心との距離を示す。距離Ｑは矩形状の枠体１０１の大きさにより適宜変更が可能となっている。係止ピン１０４ｂ１の中心と、係止ピン１０４ｂ２の中心との距離も、距離Ｑと同じである。
【００５１】
Ｒは係止ピン１０４ａ１の中心と係止ピン１０４ｂ１の中心とを結ぶ線と、係止ピン１０４ａ１の枠構成部材１０１ｃへの取り付け面の外側との交点と、係止ピン１０４ｂ１の梁部１０２への取り付け面の外側との交点との距離を示す。距離Ｒは取り付ける可撓性基板に配設された取り付け孔２ａ（図６参照）の中心と、取り付け孔２ｃ（図６参照）の中心とを結ぶ線の取り付け孔２ａ（図６参照）の外側との交点と取り付け孔２ｃ（図６参照）の外側との交点との距離Ｙ（図６参照）に対して可撓性基板への張力、可撓性基板の取り付け孔に対する損傷、可撓性基板の取り付け性、係止安定性等を考慮し、１００％〜１２０％であることが好ましい。他の符号は図１と同義である。
【００５２】
図３は図２（ａ）に示すＢ−Ｂ′に沿った概略断面図である。
【００５３】
図中、Ｔは梁部１０２の高さを示す。高さＴは、梁部の撓み、保持具の剛性、梁部の撓み荷重（張力）による変形、各工程での省スペース化、各工程での位置決め等を考慮し、１ｍｍ〜２０ｍｍが好ましい。枠体１０１を構成している枠構成部材１０１ａ〜１０１ｄ及び取り付け部材１０３の高さも高さＴと同じであり、枠構成部材１０１ａ〜１０１ｄ、取り付け部材１０３、梁部１０２の面は同一面となっている。他の符号は図２と同義である。
【００５４】
図４は図２（ａ）のＳで示される部分の拡大概略図である。図４（ａ）は図２（ａ）のＳで示される部分の拡大概略斜視図である。図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ′に沿った概略断面図である。
【００５５】
図中、Ｕは係止ピン１０４ａ１の上部１０４ａ１１の直径を示し、Ｖは枠体１０１に取り付けられている下部１０４ａ１２の直径を示す。係止ピン１０４ａ１は本図に示す如く、上部１０４ａ１１の直径が下部１０４ａ１２の直径よりも大きく、側壁１０４ａ１３を有する断面形状が逆円錐台の形状となっている。係止ピン１０４ａ１の上部１０４ａ１１の直径及び下部１０４ａ１２の直径は枠体１０１の大きさにより適宜変更されるため、一義的に決めることは困難である。θは係止ピン１０４ａ１の側壁１０４ａ１３と、枠構成部材１０１ｃの取り付け面とのなす角度を示す。角度θは、可撓性基板の固定安定性、係止ピンの強度等を考慮し４５°〜８５°が好ましい。角度は、株式会社ミツトヨ製 投影機 ＰＪ−Ａ３０００を使用し測定した値を示す。
【００５６】
Ｗは係止ピン１０４ａ１の枠体１０１の取り付け面からの高さを示す。高さＷは、可撓性基板２（図１を参照）の厚さに対して、取り扱い性、係止安定性等を考慮し、１００％〜３０００％が好ましい。他の符号は図２と同義である。
【００５７】
図２に示される他の係止ピン１０４ａ２、係止ピン１０４ｂ１、係止ピン１０４ｂ２も本図に示される係止ピン１０４ａ１と同じ形状、寸法を有している。
【００５８】
図５は図４で示される係止ピンの他の形状の拡大概略図である。図５（ａ）は図４で示される係止ピンの他の形状の拡大概略斜視図である。図５（ｂ）は図５（ａ）のＤ−Ｄ′に沿った沿った概略断面図である。
【００５９】
図中、Ｕ′は係止ピン１０４ａ′１の上部１０４ａ′１１の直径を示し、Ｖ′は枠体１０１に取り付けられている下部１０４ａ′１２の直径を示す。係止ピン１０４ａ′１は本図に示す如く、上部１０４ａ′１１の直径が下部１０４ａ′１２の直径よりも大きく、上部１０４ａ′１１の直径と同じ側壁１０４ａ′１３と、上部１０４ａ′１１の直径よりも順次径が小さくなっている傾斜した側壁１０４ａ′１４とを有する形状となっている。
【００６０】
係止ピン１０４ａ′１の上部１０４ａ′１１の直径及び下部１０４ａ′１２の直径は枠体１０１の大きさにより適宜変更されるため、一義的に決めることは困難である。θ′は係止ピン１０４ａ′１の側壁１０４ａ′１４と、枠構成部材１０１ｃの取り付け面とのなす角度を示す。角度θ′は、可撓性基板の固定安定性、係止ピンの強度等を考慮し４５°〜８５°が好ましい。
【００６１】
Ｘ′は側壁１０４ａ′１３の高さを示す。高さＸ′は、係止ピン１０４ａ′１の高さＷ′に対して、係止ピンの強度等を考慮し、５％〜３０％が好ましい。
【００６２】
Ｗ′は係止ピン１０４ａ′１の枠体１０１の取り付け面からの高さを示す。高さＷ′は、可撓性基板２（図１を参照）の厚さに対して、取り扱い性、係止安定性等を考慮し、１００％〜３０００％が好ましい。
【００６３】
図２に示される他の係止ピン１０４ａ２、係止ピン１０４ｂ１、係止ピン１０４ｂ２も本図に示される係止ピン１０４ａ′１と同じ形状、寸法を有している。他の符号は図２と同義である。
【００６４】
図４、図５に本発明に係わる係止ピンの代表的な形状を示したが、本発明に係わる係止ピンの形状は、図６に示す可撓性基板に配設された取り付け孔と接触する係止ピンの側壁がＲを有していれば特に限定はない。
【００６５】
図６は図１（ａ）に示される可撓性基板の拡大概略図である。図６（ａ）は図１（ａ）に示される可撓性基板の拡大概略斜視図である。図６（ｂ）は図６（ａ）に示される可撓性基板の概略平面図である。
【００６６】
図中、Ｘは可撓性基板２の取り付け孔２ｂの直径を示す。直径Ｘは図４に示される係止ピンの直径Ｕ及び図５に示される係止ピンの直径Ｕ′に対して、可撓性基板の取り付け孔の挿通性、作業性、可撓性基板の固定安定性、可撓性基板のコスト等を考慮し１１０％〜２００％が好ましい。他の取り付け孔２ａ、２ｃ、２ｄは取り付け孔２ｂと全て同じ直径を有している。
【００６７】
Ｙは取り付け孔２ａの中心と、取り付け孔２ｃの中心とを結ぶ線の取り付け孔２ａの外側との交点と取り付け孔２ｃの外側との交点との距離を示す。
【００６８】
距離Ｙは、図２に示す係止ピン１０４ａ１の中心と係止ピン１０４ｂ１の中心とを結ぶ線と、係止ピン１０４ａ１の枠構成部材１０１ｃへの取り付け面の外側との交点と、係止ピン１０４ｂ１の梁部１０２への取り付け面の外側との交点との距離Ｒ（図２を参照）に対して、可撓性基板の取り付け孔の挿通性、作業性、可撓性基板の固定安定性等を考慮し、８０％〜１００％であることが好ましい。他の取り付け孔２ｂの中心と、取り付け孔２ｄの中心との距離も、距離Ｙと同じとなっている。
【００６９】
Ｚは取り付け孔２ｃの中心と、取り付け孔２ｄの中心との距離を示す。距離Ｚは、図２に示される係止ピン１０４ａ１の中心と、係止ピン１０４ａ２の中心との距離Ｑ（図２を参照）と同じである。取り付け孔２ａの中心と、取り付け孔２ｂの中心との距離も、距離Ｚと同じである。
【００７０】
図７は図２に示される可撓性基板保持具へ、図６に示す可撓性基板を取り付ける迄を示す概略フロー図である。
【００７１】
Ｓｔｅｐ１では、図１〜図４に示される構造と寸法を有する可撓性基板保持具１と、４隅に図６に示す寸法、取り付け位置で配置された取り付け孔２ａ〜２ｄを有する可撓性基板２が準備される。
【００７２】
Ｓｔｅｐ２では、可撓性基板保持具１の梁部１０２の両端部に枠体１０１に向けて（図中の矢印方向）押圧が掛けられることで、梁部１０２の両端部が枠体１０１に向けて撓んだ状態となる。
【００７３】
Ｓｔｅｐ３では、Ｓｔｅｐ２に示される状態の枠体１０１の係止ピン１０４ａ１に可撓性基板２の取り付け孔２ａと、係止ピン１０４ａ２に可撓性基板２の取り付け孔２ｂとを挿通させる。この時、取り付け孔２ａ、２ｂの直径は係止ピンの上部の直径より大きいため簡単に挿通させることが可能となっている。この後、枠体１０１の係止ピン１０４ｂ１に可撓性基板２の取り付け孔２ｃと、係止ピン１０４ｂ２に可撓性基板の取り付け孔２ｄとを挿通させる。この時、梁部１０２は撓んだ状態となっているため第１係止ピン１０４ａと第２係止ピン１０４ｂとの距離が狭くなっていること、及び取り付け孔２ｃ、２ｄの直径は係止ピンの上部の直径より大きいため簡単に挿通させることが可能となっている。
【００７４】
Ｓｔｅｐ４では、梁部１０２の両端部に枠体１０１に向けて（図中の矢印方向）掛けられていた押圧を解除することで梁部１０２はＳｔｅｐ１に示される状態の元の位置に戻る。梁部１０２がＳｔｅｐ１に示される状態の元の位置に戻ることで係止ピン１０４ｂ１、係止ピン１０４ｂ２も元の位置に戻る様に移動する。この時、係止ピン１０４ａ１の中心と係止ピン１０４ｂ１の中心とを結ぶ線と、係止ピン１０４ａ１の枠構成部材１０１ｃへの取り付け面の外側との交点と、係止ピン１０４ｂ１の梁部１０２への取り付け面の外側との交点との距離Ｒ（図２参照）と、可撓性基板２の取り付け孔２ａの中心と、取り付け孔２ｃの中心とを結ぶ線の取り付け孔２ａの外側との交点と取り付け孔２ｃの外側との交点との距離Ｙとの関係より、係止ピン１０４ｂ１に挿通されていた取り付け孔２ｃ、係止ピン１０４ｂ２に挿通されていた取り付け孔２ｄを介して可撓性基板に張力が掛けられる。同時に係止ピン１０４ｂ１、係止ピン１０４ｂ２、係止ピン１０４ｂ１、係止ピン１０４ｂ２の側壁により枠体１０１の表面に向けて伏勢された状態で図１に示す様な可撓性基板保持具１への固定がなされる。
【００７５】
処理が終了し、可撓性基板保持具１から可撓性基板２を外す時は、Ｓｔｅｐ２で示した様に、可撓性基板保持具１の梁部１０２の両端部に枠体１０１に向けて（図中の矢印方向）押圧を掛ける。押圧を掛けることで梁部１０２の両端部が枠体１０１に向けて撓んだ状態となり、枠体１０１に配設された第１係止ピン１０４ａと、梁部１０２に配設された第２係止ピン１０４ｂ間の距離が短くなり可撓性基板に掛けられていた張力が解除されることで可撓性基板保持具１から容易に可撓性基板２を外すことが可能となる。
【００７６】
図８は図７に示すＳｔｅｐ４の可撓性基板が可撓性基板保持具に固定される迄を示す概略フロー図である。
【００７７】
（ａ）に示される状態に付き説明する。（ａ）は、梁部１０２の両端を押すことで梁部が撓んだ状態で可撓性基板２の取り付け孔２ａ（２ｂ）に係止ピン１０４ａ１（１０４ａ２）を、可撓性基板２の取り付け孔２ｃ（２ｄ）に係止ピン１０４ｂ１（１０４ｂ２）を挿通させた状態を示す。取り付け孔２ａ（２ｂ）は係止ピン１０４ａ１（１０４ａ２）の上部の直径よりも大きいため側壁１０４ａ１３に接触しない状態となっている。又、取り付け孔２ｃ（２ｄ）も係止ピン１０４ｂ１（１０４ｂ２）の上部の直径よりも大きいため側壁１０４ｂ１３に接触しない状態となっている。
【００７８】
（ｂ）に示される状態に付き説明する。（ｂ）は、梁部１０２に掛けられていた押圧を解除した初期の状態を示す。押圧を解除することで梁部１０２は元の状態に戻る様に移動（図中の矢印方向）する。梁部１０２の移動に伴い、梁部１０２に固定されている係止ピン１０４ｂ１（１０４ｂ２）も移動（図中の矢印方向）する。係止ピン１０４ｂ１（１０４ｂ２）が移動することで可撓性基板２の取り付け孔２ｃ（２ｄ）の外側と係止ピン１０４ｂ１（１０４ｂ２）の外側の側壁１０４ｂ１３とが当接する状態となり、更に係止ピン１０４ｂ１（１０４ｂ２）が移動することで可撓性基板２も移動（図中の矢印方向）する。
【００７９】
（ｃ）に示される状態に付き説明する。（ｃ）は、（ｂ）に示される状態から更に、梁部１０２が移動することで撓性基板２が移動し、取り付け孔２ａ（２ｂ）の外側と係止ピン１０４ａ１（１０４ａ２）の外側の側壁とが当接する状態となり、梁部１０２の元の位置に戻る移動が止まり、更に元の位置に戻ろうとする梁部１０２により、可撓性基板２に張力が掛けられた状態で可撓性基板保持具に固定される。この時、係止ピン１０４ａ１（１０４ａ２）及び係止ピン１０４ｂ１（１０４ｂ２）の側壁が傾斜していることで合わせて係止ピンの側壁に沿って枠体１０１に伏勢された状態（図１に示される状態）となる。
【００８０】
（ａ）〜（ｃ）に示される動きは、係止ピン１０４ａ１の中心と係止ピン１０４ｂ１の中心とを結ぶ線と、係止ピン１０４ａ１の枠構成部材１０１ｃへの取り付け面の外側との交点と、係止ピン１０４ｂ１の梁部１０２への取り付け面の外側との交点との距離Ｒ（図２参照）と、可撓性基板２の取り付け孔２ａの中心と、取り付け孔２ｃの中心とを結ぶ線の取り付け孔２ａの外側との交点と取り付け孔２ｃの外側との交点との距離Ｙ（図６参照）との関係より成り立っている。
【００８１】
本発明に係わる可撓性基板としては特に限定はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）或いはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等で作製した樹脂フィルムが挙げられる。
【００８２】
図１〜図５に示す可撓性基板保持具を使用し、図６に示す取り付け孔を有する枚葉状の可撓性基板を固定することで、次の効果が挙げられる。
１．可撓性基板保持具への枚葉状の可撓性基板の着脱が容易で、湾曲、撓み又はしわ等の発生がなく安定した取り付けが可能となった。
２．枚葉状の可撓性基板の処理中出の脱落がなく安定した処理が可能となった。
３．枠体の吸水率が低いため、水処理を行っても取り付けた可撓性基板への影響がなく、安定した製品の処理が可能となる。
４．枠体の融点が高いため、各工程における温度変化や熱処理に伴う枠体の変形がないため湾曲、撓み又はしわ等の発生を防止し、安定した製品の処理が可能となる。
【００８３】
図９は有機ＥＬパネルの一例を示す概略図である。図９（ａ）は有機ＥＬパネルの一例を示す概略斜視図を示す。図９（ｂ）は図９（ａ）のＥ−Ｅ′に沿った概略断面図である。図９（ｃ）は図９（ａ）のＦ−Ｆ′に沿った概略断面図である。
【００８４】
図中、３は有機ＥＬパネルを示す。有機ＥＬパネル３は、可撓性基板３０１上に順次、陽極（第１電極）３０２と、正孔輸送層３０３と、発光層３０４と、陰極バッファ層（電子注入層）３０５と、陰極（第２電極）３０６と、接着剤層３０７と、封止部材３０８とを有している。陽極（第１電極）３０２の取り出し電極３０２ａと、陰極（第２電極）３０６の取り出し電極３０６ａの端部を除いて接着剤層３０７により封止された密着封止構造となっている。陽極（第１電極）３０２と可撓性基材３０１との間にガスバリア膜（不図示）を設けても構わない。
【００８５】
本図に示す有機ＥＬパネルの層構成は一例を示したものであるが、陽極（第１電極）と陰極（第２電極）との間の他の代表的な有機ＥＬパネルの層構成としては次の構成が挙げられる。
【００８６】
（１）陽極（第１電極）／有機層（発光層）／陰極（第２電極）
（２）陽極（第１電極）／有機層（発光層）／電子輸送層／陰極（第２電極）
（３）陽極（第１電極）／正孔輸送層／有機層（発光層）／正孔阻止層／電子輸送層／陰極（第２電極）
（４）陽極（第１電極）／正孔輸送層（正孔注入層）／有機層（発光層）／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層（電子注入層）／陰極（第２電極）
（５）陽極（第１電極）／陽極バッファ層（正孔注入層）／正孔輸送層／有機層（発光層）／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層（電子注入層）／陰極（第２電極）
有機ＥＬパネルを構成している各層については後に説明する。
【００８７】
図１０は図９に示される有機ＥＬパネルの製造方法の模式図である。
【００８８】
図中、４は製造装置を示す。製造装置４は、供給工程４０１と、固定工程４０２と、洗浄工程４０３と、第１反転工程４０４と、第１電極形成工程４０５と、正孔輸送層形成工程４０６と、発光層形成工程４０７と、電子注入層形成工程４０８と、第２電極形成工程４０９と、第２反転工程４１０と、シール剤塗設工程４１１と、可撓性封止部材貼合工程４１２と、脱離工程４１３と、打ち抜き断裁・回収工程４１４と、第１搬送ロボット５ａと、第２搬送ロボット５ｂとを有している。
【００８９】
供給工程４０１では枚葉状の可撓性基板３０１（図９を参照）の工程への供給が行われる。固定工程４０２では枚葉状の可撓性基板３０１を可撓性基板保持具１（図２を参照）に図１（ａ）に示される状態に固定が行われる。洗浄工程４０３では、水洗工程４０３ａと、乾燥工程４０３ｂと、表面処理工程４０３ｃとを有し、可撓性基板保持具１（図２を参照）に固定された枚葉状の可撓性基板３０１の表面への第１電極相の形成を容易するための洗浄が行われる。第１反転工程４０４では、枚葉状の可撓性基板３０１を取り付けた可撓性基板保持具１（図２を参照）を反転し枚葉状の可撓性基板３０１を下向きにすることが行われる。第１電極形成工程４０５では、可撓性基板保持具１（図２を参照）に固定された枚葉状の可撓性基板３０１の上に第１電極の形成が行われる。正孔輸送層形成工程４０６では、第１電極の上に正孔輸送層の形成が行われる。発光層形成工程４０７では、正孔輸送層の上に発光層の形成が行われる。電子注入層形成工程４０８では、発光層上に電子注入層の形成が行われる。第２電極形成工程４０９では、電子注入層の上に第２電極の形成が行われる。第２反転工程４１０では、第２電極が形成された枚葉状の可撓性基板を取り付けた可撓性基板保持具を反転し第２電極面側を上向きにすることが行われる。
【００９０】
シール剤塗設工程４１１では、第２電極が形成された枚葉状の可撓性基板にシール剤の塗設が行われる。可撓性封止部材貼合工程４１２では、シール剤が塗設された領域に可撓性封止部材の貼合が行われる。可撓性封止部材としては、枚葉状の可撓性基板３０１（図９を参照）の大きさに合わせ枚葉状可撓性封止部材が使用される。脱離工程４１３では、可撓性基板保持具から可撓性封止部材を貼合した有機ＥＬパネルが取り外すされる。打ち抜き断裁・回収工程４１４では、貼合した可撓性封止部材の不要部分を打ち抜き断裁・除去し、有機ＥＬパネルの回収が行われる。
【００９１】
第１搬送ロボット５ａは、本体５０１と、前後に移動（図中の矢印方向）する軸５０２ａと、軸５０２ａの先端に取り付けられた２本の爪を持つ受け具５０２ｂとを有するアーム５０２とを有している。本体５０１は時計方向（図中の矢印方向）に回動可能に配設されており、各工程間の材料の移動を行うことが可能となっている。第２搬送ロボット５ｂは第１搬送ロボット５ａと同じ構成で、同じ機能を有している。
【００９２】
供給工程４０１には枚葉状の可撓性基板が取り出し可能に用意されており、一枚毎第１搬送ロボット５ａにより取り出され、次工程の固定工程４０２に搬送される。
【００９３】
固定工程４０２は可撓性基板保持具１（図２を参照）と、可撓性基板保持具１（図２を参照）への固定装置（不図示）とを有している。供給工程４０１から第１搬送ロボット５ａにより送られてきた枚葉状の可撓性基板は、図７に示すＳｔｅｐ１〜Ｓｔｅｐ４に従って可撓性基板保持具１（図２を参照）に取り付けられ固定される。尚、可撓性基板保持具１（図２を参照）への枚葉状の可撓性基板３０１の固定は手動で行っても構わないし、装着装置（不図示）により行っても構わない。可撓性基板保持具１（図２を参照）への枚葉状の可撓性基板３０１の固定が終了した後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、洗浄工程４０３の水洗工程４０３ａに搬送される。
【００９４】
水洗工程４０３ａでは固定工程４０２から供給された枚葉状の可撓性基板３０１の表面を水洗する水洗装置４０３ａ１を有している。水洗装置４０３ａ１としては、シャワーでも良いし、超音波装置を有した水洗槽でも良い。水洗処理が終了した後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、乾燥工程４０３ｂに搬送される。乾燥工程４０３ｂは乾燥風の吹き付け装置４０３ｂ１を有しており、可撓性基板保持具１（図２を参照）へ固定された状態の枚葉状の可撓性基板３０１の乾燥が行われる。乾燥が終了した後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、表面処理工程４０３ｃに搬送される。表面処理工程４０３ｃは乾燥工程４０３ｂから搬送された枚葉状の可撓性基板３０１の表面に第１電極が蒸着される前に、蒸着性をよくするために枚葉状の可撓性基板３０１の表面を清掃するための表面処理装置４０３ｃ１を有している。
【００９５】
表面処理装置４０３ｃ１としては、低圧水銀ランプ、エキシマランプ、プラズマ洗浄装置等が挙げられる。低圧水銀ランプによる洗浄表面改質処理の条件としては、例えば、波長１８４．２ｎｍの低圧水銀ランプを、照射強度５〜２０ｍＷ／ｃｍ2で、距離５〜１５ｍｍで照射し洗浄表面改質処理を行う条件が挙げられる。プラズマ洗浄装置による洗浄表面改質処理の条件としては、例えば、大気圧プラズマが好適に使用される。洗浄条件としてはアルゴンガスに酸素１〜５体積％含有ガスを用い、周波数１００ｋＨｚ〜１５０ＭＨｚ、電圧１０Ｖ〜１０ｋＶ、照射距離５〜２０ｍｍで洗浄表面改質処理を行う条件が挙げられる。本図に示される洗浄工程４０３の内、水洗工程４０３ａと、乾燥工程４０３ｂとは場合によっては省略する時がある。
【００９６】
枚葉状の可撓性基板３０１の清掃が終了した後、枚葉状の可撓性基板３０１を上側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、第１反転工程４０４に搬送される。
【００９７】
第１反転工程４０４は、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第１搬送ロボット５ａより、一旦、反転装置６（図１２を参照）に受け取り、反転装置６（図１１を参照）に枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。この後、反転装置６（図１２を参照）を１８０°回転させ、枚葉状の可撓性基板が下向きになる様にする。反転操作が終了した後、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、第１電極形成工程４０５に搬送される。尚、第１搬送ロボット５ａによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。
【００９８】
第１電極形成工程４０５は、蒸発源容器４０５ｂを有する蒸着装置４０５ａを有し、減圧条件下で枚葉状の可撓性基板３０１上に第１電極を形成するようになっている。枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａより蒸着装置４０５ａ内の受け取り装置（図１３を参照）に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。この後、蒸着位置に移動し蒸着が行われる。第１電極が形成された後、受け取り装置（図１３を参照）を移動し、固定を解除し、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、正孔輸送層形成工程４０６に搬送される。尚、第１搬送ロボット５ａによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。
【００９９】
正孔輸送層形成工程４０６は、蒸発源容器４０６ｂを有する蒸着装置４０６ａを有し、減圧条件下で枚葉状の可撓性基板３０１の上に形成された第１電極の外部電極となる一部を除いて第１電極の領域に正孔輸送層を形成するようになっている。枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａより蒸着装置４０６ａ内の受け取り装置（図１３を参照）に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。この後、蒸着位置に移動し蒸着が行われる。正孔輸送層が形成された後、受け取り装置（図１３を参照）を移動し、固定を解除し、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、発光層形成工程４０７に搬送される。尚、第１搬送ロボット５ａによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。
【０１００】
発光層形成工程４０７は、蒸発源容器４０７ｂを有する蒸着装置４０７ａを有し、減圧条件下で枚葉状の可撓性基板３０１の上に形成された正孔輸送層上に発光層を形成するようになっている。枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａより蒸着装置４０７ａ内の受け取り装置（図１３を参照）に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。この後、蒸着位置に移動し蒸着が行われる。発光層が形成された後、受け取り装置（図１３を参照）を移動し、固定を解除し、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、電子注入層形成工程４０８に搬送される。尚、第１搬送ロボット５ａによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。
【０１０１】
電子注入層形成工程４０８は、蒸発源容器４０８ｂを有する蒸着装置４０８ａを有し、減圧条件下で枚葉状の可撓性基板３０１の上に形成された発光層上に電子注入層を形成するようになっている。枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａより蒸着装置（不図示）内の受け取り装置（図１３を参照）に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。この後、蒸着位置に移動し蒸着が行われる。電子注入層が形成された後、受け取り装置（図１３を参照）を移動し、固定を解除し、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、第２電極形成工程４０９に搬送される。尚、第１搬送ロボット５ａによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。
【０１０２】
第２電極形成工程４０９は、蒸発源容器４０９ｂを有する蒸着装置４０９ａを有し、減圧条件下で枚葉状の可撓性基板３０１の上に形成された電子注入層上に第１電極と直交する様に第２電極を形成するようになっている。枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａより蒸着装置４０９ａ内の受け取り装置（図１３を参照）に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。この後、蒸着位置に移動し蒸着が行われる。第２電極が形成された後、受け取り装置（図１３を参照）を移動し、固定を解除し、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａにより取り出され、第２反転工程４１０に搬送される。尚、第１搬送ロボット５ａによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。
【０１０３】
第２反転工程４１０は、枚葉状の可撓性基板を下側にした状態で第１搬送ロボット５ａより、一旦反転装置（図１２を参照）に受け取り、反転装置（図１２を参照）に枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。この後、反転装置（図１２を参照）を１８０°回転させ、枚葉状の可撓性基板が上向きになる様にする。反転操作が終了した後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第２搬送ロボット５ｂにより取り出され、シール剤塗設工程４１１に搬送される。尚、第２搬送ロボット５ｂによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪が枚葉状の可撓性基板に接触しない状態で行われる。
【０１０４】
シール剤塗設工程４１１は、枚葉状の可撓性基板３０１上に第１電極〜第２電極を順次積層して形成された少なくとも１つの有機ＥＬ素子の発光領域又は発光領域の周辺にシール剤を塗設するシール剤塗装置４１１ａと、枚葉状の可撓性基板３０１を固定した可撓性基板保持具１（図２を参照）を載置する載置台４１１ｂとを有している。枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第２搬送ロボット５ｂより載置台４１１ｂの上に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。可撓性基板保持具１の固定は、可撓性基板保持具１の枠構成部材に配設された位置決め用の孔と、載置台４１１ｂの上に配設された固定用ピン（不図示）とを合わせることにより行われる。
【０１０５】
この後、シール剤塗装置４１１ａによりシール剤が塗設された後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第２搬送ロボット５ｂにより取り出され、可撓性封止部材貼合工程４１２に搬送される。尚、第２搬送ロボット５ｂによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪の上に可撓性基板保持具１を載せる状態で行われる。
【０１０６】
可撓性封止部材貼合工程４１２は、供給装置（不図示）から供給されてくる枚葉状可撓性封止部材をシール剤が塗設された面に積重する積重装置（不図示）と、積重された枚葉シート状可撓性封止部材を貼合する可撓性封止部材貼合装置４１２ａとを有している。又、シール剤を硬化する硬化処理装置（不図示）を有していることが好ましく、必要に応じ硬化処理部（不図示）は裁断工程の前、又は裁断工程の後に配置することが好ましい。硬化処理部の硬化方式は使用するシール剤の種類（例えば熱硬化型シール剤、紫外線硬化型シール剤等）に合わせ適宜選択することが可能である。枚葉シート状可撓性封止部材が貼合されることで図８に示す層構成を有する有機ＥＬパネルが出来上がる。
【０１０７】
枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第２搬送ロボット５ｂより積重装置（不図示）の上に受け取り、枚葉状の可撓性基板を固定した可撓性基板保持具１を脱落しない様に固定する。可撓性基板保持具１の固定は、可撓性基板保持具１の枠構成部材に配設された位置決め用の孔と、積重装置（不図示）の上に配設された固定用ピン（不図示）とを合わせることにより行われる。貼合方法は一般的に知られている各種の方法、例えばウェットラミネート法、ドライラミネート法、ホットメルトラミネート法、押出しラミネート法、熱ラミネート法を利用して作ることが可能である。
【０１０８】
この後、可撓性封止部材貼合装置４１２ａにより可撓性封止部材が貼合される。この後、枚葉状の可撓性基板を上側にした状態で第２搬送ロボット５ｂにより取り出され、脱離工程４１３に搬送される。尚、第２搬送ロボット５ｂによる取り出しは、受け具５０２ｂの２本の爪の上に可撓性基板保持具１を載せる状態で行われる。
【０１０９】
脱離工程４１３は可撓性基板保持具に保持されている有機ＥＬパネルを可撓性基板保持具から脱離する工程である。脱離は、可撓性基板保持具１を可撓性基板保持具１の枠構成部材に配設された位置決め用の孔と、載置台（不図示）の上に配設された固定用ピン（不図示）とを合わせることにより固定した後、可撓性基板保持具の梁部を枠体の方向に押圧を掛け撓ませることで容易に行うことが可能となっている。脱離は手動で行っても構わないし、脱離装置（不図示）により行っても構わない。脱離された有機ＥＬパネルは第２搬送ロボット５ｂにより取り出され、打ち抜き断裁・回収工程４１４へ搬送される。又、有機ＥＬパネルが脱離された可撓性基板保持具は第２搬送ロボット５ｂにより取り出され、一旦保管場所に保管される。
【０１１０】
打ち抜き断裁・回収工程４１４は、打ち抜き断裁装置４１４ａにより、貼合した枚葉状可撓性封止部材の不要部分を除去し、有機ＥＬパネルを回収する様になっている。
【０１１１】
可撓性封止部材側を上側にした状態で第２搬送ロボット５ｂより打ち抜き断裁４１４ａ内に受け取り、有機ＥＬパネルを固定（例えば、吸引方式）する。この後、打ち抜き断裁装置４１４ａにより可撓性封止部材の不要部分が打ち抜かれ、有機ＥＬパネルが回収される。尚、第２搬送ロボット５ｂによる搬送は、可撓性基板側を受け具５０２ｂの２本の爪で保持した状態で行われる。
【０１１２】
本図に示される蒸着装置としては、特に限定はなく、例えばスパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法などを用いることが出来、必要に応じて選択して使用することが可能である。
【０１１３】
図１１は図１０に示される供給工程の概略斜視図である。
【０１１４】
図中、４０１ａは枚葉状の可撓性基板３０１の供給箱を示す。供給箱４０１ａの内側は複数の棚で区切られており、一段毎に可撓性基板３０１が保管されている。第１搬送ロボット５ａのアーム５０２は前後方向（図中の矢印方向）と、上下方向（図中の矢印方向）に移動が可能となっている。可撓性基板３０１の取り出しは、第１搬送ロボット５ａのアーム５０２の軸５０２ａの先端に取り付けられた２本の爪を持つ受け具５０２ｂを棚の間に差し込んだ後、上方向にアーム５０２を移動させることで、受け具５０２ｂの上に可撓性基板３０１が載置された状態となる。この後、アーム５０２を本体５０１側に移動することで供給箱４０１ａから可撓性基板３０１の取り出しが終了する。この後、本体５０１が回動し、アーム５０２の操作により固定工程４０２（図１０を参照）に可撓性基板３０１を搬送することが可能となっている。
【０１１５】
図１２は図１０に示される第１反転工程の反転装置の概略斜視図である。
【０１１６】
図中、６は図１０に示される第１反転工程４０４の反転装置を示す。反転装置６は固定部６０１と駆動部６０２とを有している。固定部６０１は移動板６０１ａ１と受け板６０１ａ２とを有する固定部材６０１ａと、移動板６０１ｂ１と受け板６０１ｂ２とを有する固定部材６０１ｂとを有している。６０１ａ３は移動板６０１ａ１を上下方向（図中の矢印方向）に移動させるシリンダーを示す。６０１ｂ３は移動板６０１ｂ１を上下方向（図中の矢印方向）に移動させるシリンダーを示す。シリンダー６０１ａ３（６０１ｂ３）は取り付け部材６０１ｃで反転装置に配設されており、シリンダー６０１ａ３（６０１ｂ３）を駆動させ移動板６０１ａ１（６０１ｂ１）を下方向（図中の矢印方向）に移動させることで、受け板６０１ａ２（６０１ｂ２）に載置された可撓性基板保持具１を固定する様になっている。６０２ａはモーターを示し、回転軸６０２ｂを介して固定部６０１に繋がっており、固定部６０１を回転（図中の矢印方向）可能としている。
【０１１７】
６０１ａ４は受け板６０１ａ２に配設された位置決め用のピンを示す。６０１ｂ４は受け板６０１ｂ２に配設された位置決め用のピンを示す。可撓性基板保持具１を受け板６０１ａ２、受け板６０１ｂ２に載置する時、可撓性基板保持具１の枠構成部材に配設された位置決め用の孔１０１ｆ（図１を参照）と位置決め用のピン６０１ａ４とを、位置決め用の孔１０１ｅ（図１を参照）と位置決め用のピン６０１ａ４とを合わせることで位置を決めることが可能となっている。本図に示される反転装置６を使用した操作を次に示す。
【０１１８】
Ｓｔｅｐ１では、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照、本図では本体を省略してある）の受け具５０２ｂに載せられた状態で洗浄工程４０３（図１０を参照）から搬送されてくる可撓性基板保持具１に固定された可撓性基板３０１は受け板６０１ａ２と受け板６０１ｂ２の上に第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）のアーム５０２の操作で可撓性基板保持具１の枠構成部材に配設された置決め用の孔１０１ｆ（図１を参照）と位置決め用のピン６０１ａ４とを、位置決め用の孔１０１ｅ（図１を参照）と位置決め用のピン６０１ａ４とを合わせ載置される。載置した後、アーム５０２は後方（図中の矢印方向）に移動し待機する。
【０１１９】
Ｓｔｅｐ２では、シリンダー６０１ａ３（６０１ｂ３）の駆動により移動板６０１ａ１（６０１ｂ１）を下方向（図中の矢印方向）に移動させ、受け板６０１ａ２（６０１ｂ２）に載置された可撓性基板保持具１を挟持し固定する。この状態では可撓性基板３０１は上向き状態となっている。
【０１２０】
Ｓｔｅｐ３では、モーター６０２ａを駆動させ固定部６０１を１８０°回転させ、可撓性基板３０１を下向きの状態とする。この後、シリンダー６０１ａ３（６０１ｂ３）の駆動により挟持を解除する。この状態では移動板６０１ａ１（６０１ｂ１）の上に可撓性基板３０１を下向きの状態で可撓性基板保持具１が載置された状態となる。
【０１２１】
Ｓｔｅｐ４では、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）のアーム５０２の操作により、受け具５０２ｂに可撓性基板３０１を下向きの状態の可撓性基板保持具１を載せ反転装置から取り出す。この後、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）により第１電極形成工程４０５に可撓性基板３０１を下向きの状態の可撓性基板保持具１を搬送する。尚、図９に示す第２反転工程４１０も本図と同じ反転装置を有している。
【０１２２】
図１３は図１０に示される第１電極形成工程の蒸着装置の受け取り装置の概略斜視図である。尚、本図は受け取り装置を示すため、蒸着装置の真空装置、加熱容器、蒸着用のマスク等蒸着に使用する他の部材は全て省略してある。
【０１２３】
図中、７は図１０に示される第１電極形成工程４０５の蒸着装置４０５ａに配設された受け取り装置を示す。受け取り装置７は、載置板７０１ａと、位置規制板７０１ｂと、駆動装置７０１ｃとを有している。
【０１２４】
載置板７０１ａは、可撓性基板保持具１に固定された可撓性基板３０１との接触を避けるため、第１載置板７０１ａ１と第２載置板７０１ａ２とを有している。７０１ａ３は第２載置板７０１ａ２に配設された位置決め用のピンを示す。第１載置板７０１ａ１にも位置決め用のピン７０１ａ３に対向する位置に位置決め用のピン７０１ａ４（図１４を参照）が配設されている。載置板７０１ａへの可撓性基板３０１を固定した可撓性基板保持具１の載置は、可撓性基板３０１側を下向きにした状態で可撓性基板保持具１の枠構成部材に配設された置決め用の孔１０１ｆと位置決め用のピン７０１ａ３とを、位置決め用の孔１０１ｅと位置決め用のピン６０１ａ４（図１４を参照）を合わせ載置される。
【０１２５】
位置規制板７０１ｂは第１載置板７０１ａ１に合わせ、蒸着装置４０５ａの内部の上部に固定された第１位置規制板７０１ｂ１と、第２載置板７０１ａ２に合わせ、蒸着装置４０５ａの内部の上部に固定された第２位置規制板７０１ｂ２とを有しており、位置規制板７０１ｂの高さにより蒸着位置が決めることが可能となっている。
【０１２６】
駆動装置７０１ｃは第１載置板７０１ａ１を上下方向（図中の矢印方向）に移動させるための第１駆動装置７０１ｃ１と、第２載置板７０１ａ２を上下方向（図中の矢印方向）に移動させるための第２駆動装置７０１ｃ２とを有している。
【０１２７】
第１反転工程４０４（図１０を参照）から、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）により搬送されてきた可撓性基板３０１が下向きの状態の可撓性基板保持具１を載置板７０１ａに載置する。載置した後、駆動装置７０１ｃにより位置規制板７０１ｂに可撓性基板保持具が当接するまで、載置板７０１ａを上方向に移動する。当接することで、位置規制板７０１ｂと載置板７０１ａの間に可撓性基板保持具１が挟持された状態で蒸着位置で固定される。
【０１２８】
本図に示される受け取り装置７は図１０に示される正孔輸送層形成工程４０６と、発光層形成工程４０７と、電子注入層形成工程４０８と、第２電極形成工程４０９とで使用されている。
【０１２９】
図１４は図１３に示す受け取り装置を使用した可撓性基板保持具の固定操作の概略フロー図である。
【０１３０】
Ｓｔｅｐ１では、可撓性基板保持具を載置する前の受け取り装置７の状態を示し、受け取り板７０１ａは降りた状態となっている。７０１ａ４は第１受け取り板７０１ａ１に配設された位置決め用のピンを示す。
【０１３１】
Ｓｔｅｐ２では、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）の受け具５０２ｂに載せられた状態で搬送されてくる可撓性基板３０１が下向きの状態の可撓性基板保持具１が第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）のアーム５０２の操作で可撓性基板保持具１の枠構成部材に配設された置決め用の孔１０１ｆと位置決め用のピン７０１ａ３とを、位置決め用の孔１０１ｅと位置決め用のピン６０１ａ４（図１４を参照）を合わせ受け取り板７０１ａの上に載置される。載置した後、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）のアーム５０２は待機位置に後退する。載置した後、駆動装置７０１ｃを駆動させ、位置規制板７０１ｂに可撓性基板保持具１が当接するまで上方（図中の矢印方向）に移動する。
【０１３２】
Ｓｔｅｐ３では、位置規制板７０１ｂに可撓性基板保持具１が当接する位置で駆動装置７０１ｃの駆動が停止される。当接することで位置規制板７０１ｂと受け取り板７０１ａとの間に可撓性基板保持具１が固定された状態となり蒸着が開始される。又、当接する位置が蒸着位置となっており、位置規制板７０１ｂの高さにより蒸着位置の調整が可能となっている。
【０１３３】
蒸着が終了した後、駆動装置７０１ｃを駆動させ、受け取り板７０１ａを蒸着装置の下部まで下げ、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）のアーム５０２の操作により、受け具５０２ｂに可撓性基板３０１を下向きの状態の可撓性基板保持具１を載せ蒸着装置から取り出す。この後、第１搬送ロボット５ａ（図１０を参照）により発光層形成工程４０７に可撓性基板３０１を下向きの状態の可撓性基板保持具１を搬送する。本図に示すフローが図１０に示す正孔輸送層形成工程４０６、発光層形成工程４０７、電子注入層形成工程４０８、第２電極形成工程４０９の各蒸着装置で行われている。他の符号は図１３と同義である。
【０１３４】
図１〜図５に示す可撓性基板保持具を使用し、図９に示す有機ＥＬパネルを図１０〜図１４に示す製造装置で製造することで次の効果が挙げられる。
１．枚葉状の可撓性基板の湾曲、撓み又はしわ等の発生がなく安定した保持が可能となり、安定した性能の有機ＥＬパネルの製造が可能となった。
２．枚葉状の可撓性基板の有機ＥＬパネルの製造が可能となるのに伴い、軽量化、薄型化及びコスト低減が可能となった。
３．枚葉状の可撓性基板を可撓性基板保持具に取り付けた状態で各工程間を搬送出来るため、工程の可動率が向上し生産効率の向上が可能となった。
【０１３５】
以下、本発明に係る有機ＥＬパネルを構成している可撓性基板、ガスバリア層、第１電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、第２電極に付き説明する。
【０１３６】
（可撓性基板）
可撓性基板として透明樹脂フィルムを使用する場合、樹脂フィルムの表面にはガスバリア膜が必要に応じて形成されることが好ましい。ガスバリア膜としては無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が挙げられる。ガスバリア膜の特性としては、水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下であることが好ましい。更には、酸素透過度１０-3ｍｌ／ｍ2／ｄａｙ以下、水蒸気透過度１０-5ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【０１３７】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることが出来る。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることが出来るが、特開２００４−６８１４３号に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【０１３８】
（第１電極）
第１電極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。この様な電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。又、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3・ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、或いはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、又陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０１３９】
（正孔注入層（陽極バッファ層））
第１電極と発光層又は正孔輸送層の間、正孔注入層（陽極バッファ層）を存在させてもよい。正孔注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３−１６６頁）に詳細に記載されている。陽極バッファ層（正孔注入層）に使用する材料の一例としては、特開２０００−１６０３２８号公報に記載されている材料が挙げられる。
【０１４０】
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層又は複数層設けることが出来る。正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性の何れかを有するものであり、有機物、無機物の何れであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、又導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【０１４１】
正孔輸送材料としては上記のものを使用することが出来るが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０１４２】
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。又、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することが出来る。
【０１４３】
又、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２）、ｐ．１３９）に記載されているような所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることも出来る。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。
【０１４４】
正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。又、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平４−２９７０７６号、特開２０００−１９６１４０号、特開２００１−１０２１７５号、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。この様なｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の有機ＥＬ素子を作製することが出来るため好ましい。
【０１４５】
（発光層）
本発明において、発光層とは青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を指す。発光層を積層する場合の積層順としては、特に制限はなく、又各発光層間に非発光性の中間層を有していてもよい。本発明においては、少なくとも１つの青発光層が、全発光層中最も陽極に近い位置に設けられていることが好ましい。又、発光層を４層以上設ける場合には、陽極に近い順から、例えば青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層／赤色発光層のように青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を順に積層することが、輝度安定性を高める上で好ましい。発光層を多層にすることで白色素子の作製が可能である。
【０１４６】
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性、発光に必要な電圧等を考慮し、通常２ｎｍ〜５μｍ、好ましくは２〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。更に１０〜２０ｎｍの範囲にあるのが好ましい。膜厚を２０ｎｍ以下にすると電圧面のみならず、駆動電流に対する発光色の安定性が向上する効果があり好ましい。個々の発光層の膜厚は、好ましくは２〜１００ｎｍの範囲で選ばれ、２〜２０ｎｍの範囲にあるのが更に好ましい。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はないが、３発光層中、青発光層（複数層ある場合はその総和）が最も厚いことが好ましい。
【０１４７】
発光層は発光極大波長が各々４３０〜４８０ｎｍ、５１０〜５５０ｎｍ、６００〜６４０ｎｍの範囲にある発光スペクトルの異なる少なくとも３層以上の層を含む。３層以上であれば、特に制限はない。４層より多い場合には、同一の発光スペクトルを有する層が複数層あってもよい。発光極大波長が４３０〜４８０ｎｍにある層を青発光層、５１０〜５５０ｎｍにある層を緑発光層、６００〜６４０ｎｍの範囲にある層を赤発光層と言う。又、前記の極大波長を維持する範囲において、各発光層には複数の発光性化合物を混合してもよい。例えば、青発光層に、極大波長４３０〜４８０ｎｍの青発光性化合物と、同５１０〜５５０ｎｍの緑発光性化合物を混合して用いてもよい。
【０１４８】
発光層の材料として使用する有機発光材料は、（ａ）電荷の注入機能、すなわち、電界印加時に陽極或いは正孔注入層から正孔を注入することが出来、陰極或いは電子注入層から電子を注入することが出来る機能、（ｂ）輸送機能、すなわち、注入された正孔及び電子を電界の力で移動させる機能、及び（ｃ）発光機能、すなわち、電子と正孔の再結合の場を提供し、これらを発光に繋げる機能、の３つの機能を併せもつものであれば特に限定はない。例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤や、スチリルベンゼン系化合物を用いることが出来る。上記の蛍光増白剤の具体例としては、ベンゾオキサゾール系では、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４′−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４′−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾオリル］スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス［５−α，α−ジメチルベンジル−２−ベンゾオキサゾリル］チオフェン、２，５−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル］−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４′−ビス（２−ベンゾオキサゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール、２−［２−（４−クロロフェニル）ビニル］ナフト［１，２−ｄ］オキサゾール等が挙げられる。ベンゾチアゾール系では、２，２′−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾール等が挙げられ、ベンゾイミダゾール系では、２−［２−［４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾイミダゾール、２−［２−（４−カルボキシフェニル）ビニル］ベンゾイミダゾール等が挙げられる。更に、他の有用な化合物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイズ（１９７１），第６２８〜６３７頁及び第６４０頁に列挙されている。
【０１４９】
又、上記のスチリルベンゼン系化合物の具体例としては、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチルベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−エチルベンゼン等が挙げられる。
【０１５０】
更に、上述した蛍光増白剤及びスチリルベンゼン系化合物以外にも、例えば、１２−フタロペリノン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、国際公開公報ＷＯ９０／１３１４８やＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ ５８，１８，Ｐ１９８２（１９９１）に記載されているような高分子化合物、芳香族ジメチリディン系化合物が挙げられる。芳香族ジメチリディン系化合物の具体例としては、１，４−フェニレンジメチリディン、４，４′−フェニレンジメチリディン、２，５−キシリレンジメチリディン、２，６−ナフチレンジメチリディン、１，４−ビフェニレンジメチリディン、１，４−ｐ−テレフェニレンジメチリディン、４，４′−ビス（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル、４，４′−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル等、及びこれらの誘導体が挙げられる。又、上記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（III）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム（III）等が挙げられる。
【０１５１】
その他、上述した有機発光材料をホストとし、当該ホストに青色から緑色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系或いは前記ホストと同様の蛍光色素をドープした化合物も、有機発光材料として好適である。有機発光材料として前記の化合物を用いた場合には、青色から緑色の発光（発光色はドーパントの種類によって異なる）を高効率で得ることが出来る。前記化合物の材料であるホストの具体例としては、ジスチリルアリーレン骨格の有機発光材料（特に好ましくは、例えば、４，４′−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル）が挙げられ、前記化合物の材料であるドーパントの具体例としては、ジフェニルアミノビニルアリレーン（特に好ましくは、例えば、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノビフェニルベンゼンや４，４′−ビス［２−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル）フェニル］ビニル］ビフェニル）が挙げられる。
【０１５２】
発光層には、発光層の発光効率を高くするために公知のホスト化合物と公知のリン光性化合物（リン光発光性化合物とも言う）を含有することが好ましい。ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。ホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することが出来る。又、リン光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることが出来る。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用も出来る。
【０１５３】
これらのホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、尚且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。公知のホスト化合物としては、例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等に記載の化合物が挙げられる。
【０１５４】
複数の発光層を有する場合、これら各層のホスト化合物の５０質量％以上が同一の化合物であることが、有機層全体に渡って均質な膜性状を得やすいことから好ましく、更にはホスト化合物のリン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上であることが、ドーパントからのエネルギー移動を効率的に抑制し、高輝度を得る上で有利となることからより好ましい。リン光発光エネルギーとは、ホスト化合物を基板上に１００ｎｍの蒸着膜のフォトルミネッセンスを測定し、そのリン光発光の０−０バンドのピークエネルギーを言う。
【０１５５】
ホスト化合物は、有機ＥＬ素子の経時での劣化（輝度低下、膜性状の劣化）、光源としての市場ニーズ等を考慮し、リン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上且つＴｇが９０℃以上のものであることが好ましい。すなわち、輝度と耐久性の両方を満足するためには、リン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上且つＴｇが９０℃以上のものであることが好ましい。Ｔｇは、更に好ましくは１００℃以上である。
【０１５６】
リン光性化合物（リン光発光性化合物）とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物である。先に説明したホスト化合物と合わせ使用することで、より発光効率の高い有機ＥＬ素子とすることが出来る。
【０１５７】
本発明に係るリン光性化合物は、リン光量子収率は好ましくは０．１以上である。上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定出来る。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定出来るが、本発明に用いられるリン光性化合物は、任意の溶媒の何れかにおいて上記リン光量子収率が達成されればよい。
【０１５８】
リン光性化合物の発光は原理としては２種挙げられ、１つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型、もう１つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上でキャリアの再結合が起こりリン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、何れの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【０１５９】
リン光性化合物は、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることが出来る。リン光性化合物としては、好ましくは元素の周期表で８族−１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【０１６０】
本発明においては、リン光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、原理的には中心金属、配位子、配位子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化させることが出来る。
【０１６１】
本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当て嵌めた時の色で決定される。
【０１６２】
本発明で言うところの白色素子とは、２°視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ2でのＣＩＥ１９３１ 表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．０７の領域内にあることを言う。
【０１６３】
（電子注入層）
電子注入層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり広い意味で電子輸送層に含まれる。電子注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。電子注入層（陰極バッファ層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファ層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファ層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファ層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファ層等が挙げられる。上記バッファ層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【０１６４】
他に発光層側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることが出来、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来る。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。
【０１６５】
又、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることが出来る。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることが出来る。又、ジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来るし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることが出来る。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１６６】
又、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開平１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、特開２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。この様なｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することが出来るため好ましい。
【０１６７】
（第２電極）
第２電極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。この様な電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することが出来る。又、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の第１電極（陽極）又は第２電極（陰極）の何れか一方が、透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【０１６８】
又、第２電極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、第１電極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の第２電極（陰極）を作製することが出来、これを応用することで第１電極（陽極）と第２電極（陰極）の両方が透過性を有する素子を作製することが出来る。
【０１６９】
（シール剤）
本発明に係わる液状シール剤と熱可塑性樹脂とが挙げられる。液状シール剤としては、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型シール剤、２−シアノアクリル酸エステルなどの湿気硬化型等のシール剤、エポキシ系などの熱及び化学硬化型（二液混合）等のシール剤、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂シール剤等を挙げることが出来る。液状シール剤には必要に応じてフィラーを添加することが好ましい。フィラーの添加量としては、接着力を考慮し、５〜７０体積％が好ましい。又、添加するフィラーの大きさは、接着力、貼合圧着後のシール剤厚み等を考慮し、１μｍ〜１００μｍが好ましい。添加するフィラーの種類としては特に限定はなく、例えばソーダガラス、無アルカリガラス或いはシリカ、二酸化チタン、酸化アンチモン、チタニア、アルミナ、ジルコニアや酸化タングステン等の金属酸化物等が挙げられる。
【０１７０】
熱可塑性樹脂としては、ＪＩＳ Ｋ ７２１０規定のメルトフローレートが５〜２０ｇ／１０ｍｉｎである熱可塑性樹脂が好ましく、更に好ましくは、６〜１５ｇ／１０ｍｉｎ以下の熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。これは、メルトフローレートが５（ｇ／１０ｍｉｎ）以下の樹脂を用いると、各電極の引き出し電極の段差により生じる隙間部を完全に埋めることが出来ず、２０（ｇ／１０ｍｉｎ）以上の樹脂を用いると引っ張り強さや耐ストレスクラッキング性、加工性などが低下するためである。これらの熱可塑性樹脂をフィルム状に成形し可撓性封止部材（帯状可撓性封止部材、枚葉シート状可撓性封止部材）に貼合して使用することが好ましい。貼合方法は一般的に知られている各種の方法、例えばウェットラミネート法、ドライラミネート法、ホットメルトラミネート法、押出しラミネート法、熱ラミネート法を利用して作ることが可能である。
【０１７１】
熱可塑性樹脂は、上記数値を満たすものであれば特に限定されるものではないが、例えば機能性包装材料の新展開（株式会社東レリサーチセンター）に記載の高分子フィルムである低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ＨＤＰＥ、線状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、中密度ポリエチレン、未延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）、ＯＰＰ、ＯＮｙ、ＰＥＴ、セロファン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、延伸ビニロン（ＯＶ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＯＨ）、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）等の使用が可能である。これらの熱可塑性樹脂の中で特にＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ及びメタロセン触媒を使用して製造したＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ、又、ＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥとＨＤＰＥフィルムの混合使用した熱可塑性樹脂を使用することが好ましい。
【０１７２】
（可撓性封止部材）
可撓性封止部材としてはポリエチレンテレフタレート、ナイロンなどの可撓性樹脂フィルムからなる支持体へ蒸着法やコーティング法でバリア層を形成した材料又はバリア層として金属箔を用いた材料が挙げられる。バリア層としては例えばＩｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物を蒸着した材料が挙げられる。又、金属箔の材料としては、例えばアルミニウム、銅、ニッケルなどの金属材料や、ステンレス、アルミニウム合金などの合金材料を用いることが出来るが、加工性やコストの面でアルミニウムが好ましい。膜厚は、１〜１００μｍ程度、好ましくは１０μｍ〜５０μｍ程度が望ましい。又、製造時の取り扱いを容易にするために、ポリエチレンテレフタレート、ナイロンなどのフィルムを予めラミネートしておいてもよい。可撓性封止部材に樹脂フィルムを使用する場合、液状シール剤と接触する側に熱可塑性接着性樹脂層を有することが好ましい。
【０１７３】
可撓性封止部材の水蒸気透過度は、０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下であることが好ましく、且つ酸素透過度は、０．０１ｍｌ／ｍ2・ｄａｙ・ａｔｍ以下であることが好ましい。水蒸気透過度はＪＩＳ Ｋ７１２９Ｂ法（１９９２年）に準拠した方法で主としてＭＯＣＯＮ法により測定した値であり、酸素透過度はＪＩＳ Ｋ７１２６Ｂ法（１９８７年）に準拠した方法で主としてＭＯＣＯＮ法により測定した値である。可撓性封止部材のヤング率は、可撓性封止部材と第１圧着部材、第２圧着部材との密着性やシール剤の塗れ広がり防止等を考慮し、１×１０-3ＧＰａ〜８０ＧＰａであり、厚みが１０μｍ〜５００μｍであることが好ましい。
【０１７４】
本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し効率は１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
【０１７５】
又、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。
【０１７６】
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために以下に示す方法を併用することが好ましい。有機ＥＬ素子は、空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光の内１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことが出来ないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。
【０１７７】
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５）。基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）。素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）。基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）。基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）。基板、透明電極層や発光層の何れかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等がある。
【０１７８】
本発明においては、これらの方法を有機ＥＬ素子と組合せて用いることが出来るが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、或いは基板、透明電極層や発光層の何れかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることが出来る。本発明においては、これらの手段を組合せることにより、更に高輝度或いは耐久性に優れた素子を得ることが出来る。
【０１７９】
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。又、更に１．３５以下であることが好ましい。低屈折率媒質の厚みは、媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。全反射を起こす界面もしくは何れかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が１次の回折や、２次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることが出来る性質を利用して、発光層から発生した光の内、層間での全反射等により外に出ることが出来ない光を、何れかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
【０１８０】
回折格子を導入する位置としては前述の通り、何れかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。この時、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
【０１８１】
更に、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために、基板の光取り出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、或いは、所謂集光シートと組合せることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることが出来る。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０μｍ〜１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大き過ぎると厚みが厚くなり好ましくない。
【０１８２】
集光シートとしては、例えば液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。この様なシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることが出来る。プリズムシートの形状としては、例えば基板に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。又、発光素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることが出来る。
【実施例】
【０１８３】
以下、実施例を挙げて本発明の具体的な効果を示すが、本発明の態様はこれに限定されるものではない。
【０１８４】
実施例１
図９に示す製造装置を使用し、図８に示す構成（可撓性基板／陽極（第１電極）／正孔輸送層／発光層／陰極バッファ層（電子注入層）／陰極（第２電極）／封止剤層／封止材の層構成）を有する面発光方式の有機ＥＬパネルを作製した。
【０１８５】
（可撓性基板保持具の準備）
図２に示す枠構成部材を有する矩形状の枠体と、取り付け部材を介して枠体に設けられた梁部とを有している下記に示す寸法を有する図２に示す可撓性基板保持具をＰＴＦＥを使用し、射出成形法で作製し準備した。尚、係止ピンは図４に示す形状とした。
【０１８６】
可撓性基板保持具の長さは枚葉状の可撓性基板の長さの１０５％とした。矩形状の枠体の幅は枚葉状の可撓性基板の幅の１１０％とした。矩形状の枠体の長さは可撓性基板保持具の長さに対して８０％とした。取り付け部材の長さは可撓性基板保持具の長さに対して５％とした。取り付け部材の幅は梁部の幅に対して３００％とした。梁部の長さは可撓性基板保持具の長さに対して３０％とした。梁部の幅は枚葉状の可撓性基板の幅の５％とした。開口部の幅は枠体の幅に対して８０％とした。開口部の長さは枠体の長さに対して６０％とした。枠体に配設されている２本の係止ピンの中心間の距離は５０ｍｍとした。梁部に配設されている２本の係止ピンの中心間の距離は５０ｍｍとした。枠体に配設されている２本の係止ピンの中心と、梁部に配設されている２本の係止ピンの中心とを結ぶ線と、枠体に配設されている２本の係止ピンの枠構成部材への取り付け面の外側との交点と、梁部に配設されている２本の係止ピンの梁部１０２への取り付け面の外側との交点との距離Ｒ（図２を参照）は７０ｍｍとした。枠体、梁部、取り付け部材の高さは同じとし、４ｍｍとした。係止ピンの上部の直径は４ｍｍ、枠体との取り付け部の直径は３ｍｍ、取り付け面と側壁とのなす角度θは７５°とした。角度は、株式会社ミツトヨ製 投影機 ＰＪ−Ａ３０００を使用し測定した値を示す。係止ピンの枠体の取り付け面からの高さは、可撓性基板の厚さに対して１０００％とした。給水率は０．０２％であった。給水率はＡＳＴＭ Ａ５７０に準じて測定した２４時間の値を示す。
【０１８７】
（可撓性基板の準備）
厚さ２００μｍ、幅６０ｍｍ、長さ８０ｍｍのポリエーテルサルフォンフィルム（住友ベークライト製、以下、ＰＥＳと略記する）を準備し、４隅に取り付け孔を配設した。取り付け孔の直径は、係止ピンの上部の直径に対して１２５％とした。幅方向の取り付け孔の中心間の距離は５０ｍｍとした。長さ方向の２つの取り付け孔の中心とを結ぶ線の枠体側の取り付け孔の外側との交点と、梁部側の取り付け孔の外側との交点との距離Ｙ（図６を参照）は７１ｍｍとした。
【０１８８】
（可撓性基板保持具への可撓性基板の取り付け）
準備した可撓性基板を供給工程に用意し、第１搬送ロボットにより取り出し、固定工程に搬送し、可撓性基板保持具へ図６に示す方法で手作業により可撓性基板を取り付ける。取り付けが終了した後、第１搬送ロボットにより洗浄工程へ搬送する。枚葉状の可撓性基板に掛かる張力は４２Ｎ／ｍであった。張力は、株式会社イマダ製プッシュプルゲージ（デジタルフォースゲージ ＺＰシリーズ）を使用し、以下に示す方法で測定した値を示す。
【０１８９】
張力の測定方法
枚葉状の可撓性基板を可撓性基板保持具に固定した状態で、梁部の両端を枠体側に向けてプッシュプルゲージで同時に押し、梁部が撓み始めた時のプッシュプルゲージの値を読み取り、単位幅に換算した値を示す。
【０１９０】
（可撓性基板の清掃）
可撓性基板保持具へ固定された状態の可撓性基板の第１電極形成面を、大気圧プラズマ洗浄装置により以下に示す条件で行った。可撓性基板の清掃が終了した後、第１搬送ロボットにより第１反転工程へ搬送する。
【０１９１】
大気圧プラズマ洗浄条件
アルゴンガスに酸素１〜５体積％含有ガスを用い、周波数１００ｋＨｚ〜１５０ＭＨｚ、電圧１０Ｖ〜１０ｋＶ、照射距離５〜２０ｍｍ、時間１分間とした。
【０１９２】
（第１反転工程での反転）
第１搬送ロボットにより搬送されてきた可撓性基板保持具（固定された状態の可撓性基板が上側になっている）を図１２に示す反転装置により、可撓性基板保持具に固定された状態の可撓性基板を下側になるように１８０°反転させた後、第１搬送ロボットにより取り出し第１電極形成工程へ搬送する。
【０１９３】
（陽極（第１電極）の形成）
可撓性基板保持具に固定された状態の可撓性基板を下側の状態でスパッタリング成膜装置に第１搬送ロボットにより搬送されてきた可撓性基板保持具を図１３に示す受け取り装置に受け固定した後、スパッタリング成膜装置に移動し固定する。この後、可撓性基板の上に減圧１Ｐａ、温度８０℃で厚さ１２０ｎｍのＩＴＯ（インジウムチンオキシド）をスパッタリング法により、幅２ｍｍ、長さ５０ｍｍ、間隔２ｍｍ、厚さ１５０ｎｍ、１０列のパターン化した陽極（第１電極）をマスク成膜し形成した。陽極（第１電極）を形成した後、第１搬送ロボットにより取り出し正孔輸送層形成工程へ搬送する。
【０１９４】
（正孔輸送層の形成）
陽極（第１電極）の形成方法と同じ様に受け取り装置に受け固定した後、蒸着位置に移動し固定し、形成された陽極（第１電極）の取り出し電極部分を除き、陽極（第１電極）の上に、減圧１×１０-4Ｐａ、可撓性基板温度６０℃で厚さ３０ｎｍで、ＮＰＤを蒸着法で形成した。正孔輸送層を形成した後、第１搬送ロボットにより取り出し発光層形成工程へ搬送する。
【０１９５】
（発光層の形成）
陽極（第１電極）の形成方法と同じ様に受け取り装置に受け固定した後、蒸着位置に移動し固定し、正孔輸送層の上に、減圧１×１０-4Ｐａ、可撓性基板温度６０℃で厚さ３０ｎｍで、Ａｌｑ3を蒸着法で形成した。発光層を形成した後、第１搬送ロボットにより取り出し電子注入層形成工程へ搬送する。
【０１９６】
（電子注入層の形成）
陽極（第１電極）の形成方法と同じ様に受け取り装置に受け固定した後、蒸着位置に移動し固定し、発光層の上に、厚さ０．５ｎｍのＬｉＦ層（陰極バッファ層（電子注入層））を５×１０-4Ｐａの真空条件で蒸着し、電子注入層を形成した後、第１搬送ロボットにより取り出し第２電極形成工程へ搬送する。
【０１９７】
（陰極（第２電極）の形成）
陽極（第１電極）の形成方法と同じ様に受け取り装置に受け固定した後、蒸着位置に移動し固定し、電子注入層の上に５×１０-4Ｐａの真空条件で、Ａｌを蒸着法により厚さ１００ｎｍの陰極（第２電極）を形成した。尚、形成した第２電極は、幅２ｍｍ、長さ３５ｍｍ、間隔２ｍｍ、厚さ１５０ｎｍ、７列のパターンとした。陰極（第２電極）を形成した後、第１搬送ロボットにより取り出し第２反転工程へ搬送する。
【０１９８】
（第２反転工程での反転）
第１搬送ロボットにより搬送されてきた可撓性基板保持具（固定された状態の可撓性基板が下側になっている）を図１１に示す反転装置により、可撓性基板保持具に固定された状態の可撓性基板を上側になるように１８０°反転させた後、第２搬送ロボットにより取り出しシール剤塗設工程へ搬送する。
【０１９９】
（シール剤の塗設）
第２搬送ロボットにより取り出された陰極（第２電極）迄が形成された可撓性基板を取り付けた可撓性基板保持具を、可撓性基板を上側にして載置台に載置する。この後、シール剤塗装置で陽極（第１電極）及び陰極（第２電極）の取り出し電極部分を除き、シール剤として熱硬化型の液状接着剤（エポキシ樹脂系）を使用し、スクリーン印刷法にて厚さ３０μｍで発光領域に塗布した。シール剤を塗布した後、第２搬送ロボットにより取り出し可撓性封止部材貼合工程へ搬送する。
【０２００】
（可撓性封止部材の貼合）
可撓性封止部材をシール剤までを塗設した可撓性基板の上に積重した後、２搬送ロボットにより可撓性封止部材を積重した可撓性基板を取り付けた可撓性基板保持具を、可撓性基板を上側にして可撓性封止部材貼合装置に載置し、１Ｐａの真空環境下にて押圧力０．１ＭＰａで圧着し、大気圧８０℃の環境にて３時間放置し固着させた。可撓性封止部材を固着した後、第２搬送ロボットにより取り出し、有機ＥＬパネルを製造し試料Ｎｏ．１０１とした。尚、可撓性基板保持具にガラス板を使用し、可撓性基板の固定をテープで行った他は全て同じ条件で有機ＥＬパネルを製造し比較試料Ｎｏ．１０２とした。
【０２０１】
評価
作製した試料Ｎｏ．１０１、１０２に付き、発光状態、基板保持状態を、以下に示す方法で試験し、以下に示す評価ランクに従って評価した結果を表１に示す。
【０２０２】
発光状態の試験方法
低電圧電源を用いて、電圧５Ｖを印加し、発光するか目視観察した。７０ドット（発光部）全てにおいて測定を行い、発光するドット（発光部）の割合を集計した。
【０２０３】
発光評価の評価ランク
◎：全てのドットが発光する
○：９割以上、１０割未満が発光する
△：５割以上、９割未満が発光する
×：５割未満しか発光していない
基板保持状態の試験方法
可撓性基板保持具に保持された有機ＥＬパネルの保持状態を目視観察した。
【０２０４】
基板保持状態の評価ランク
○：可撓性基板保持治具に有機ＥＬパネルが保持されている
△：可撓性基板保持治具より有機ＥＬパネルの一部分が脱落している
×：製造途中、可撓性基板保持治具より有機ＥＬパネルが脱落した
【０２０５】
【表１】
【０２０６】
本発明の有効性が確認された。
【０２０７】
実施例２ （請求項５対応）
図１０に示す製造装置を使用し、図９に示す構成（可撓性基板／陽極（第１電極）／正孔輸送層／発光層／陰極バッファ層（電子注入層）／陰極（第２電極）／封止剤層／封止材の層構成）を有する面発光方式の有機ＥＬパネルを作製した。
【０２０８】
（可撓性基板保持具の準備）
図２に示す可撓性基板保持具に配設する図４に示す形状の係止ピンの取り付け面と係止ピンの側壁とのなす角度θ（図４を参照）を表２に示す様に変えた以外は、全て実施例１と同じ形状、寸法の可撓性基板保持具を作製しＮｏ．２−１〜２−６とした。角度は、実施例１と同じ方法で測定した値を示す。
【０２０９】
【表２】
【０２１０】
（有機ＥＬパネルの作製）
準備した可撓性基板保持具Ｎｏ．２−１〜２−６を使用した他は全て実施例１と同じ条件で有機ＥＬパネルを作製し試料Ｎｏ．２０１〜２０６とした。
【０２１１】
評価
作製した各試料Ｎｏ．２０１〜２０６に付き、発光状態、基板保持状態を実施例１と同じ方法で試験し、実施例１と同じ評価ランクで評価した結果を表３に示す。
【０２１２】
【表３】
【０２１３】
本発明の有効性が確認された。
【０２１４】
実施例３ （請求項６対応）
図１０に示す製造装置を使用し、図９に示す構成（可撓性基板／陽極（第１電極）／正孔輸送層／発光層／陰極バッファ層（電子注入層）／陰極（第２電極）／封止剤層／封止材の層構成）を有する面発光方式の有機ＥＬパネルを作製した。
【０２１５】
（可撓性基板保持具の準備）
実施例１と同じ形状、寸法の可撓性基板保持具を作製した。
【０２１６】
（可撓性基板の準備）
厚さ２００μｍ、幅２００ｍｍ、長さ３５０ｍｍのポリエーテルサルフォンフィルム（住友ベークライト製、以下、ＰＥＳと略記する）を準備し、可撓性基板保持具への可撓性基板を取り付けたとき表４に示すように可撓性基板に掛かる張力を変えた可撓性基板を準備した。尚、張力の変化は、長さ方向の２つの取り付け孔の中心とを結ぶ線の枠体側の取り付け孔の外側との交点と、梁部側の取り付け孔の外側との交点との距離Ｙ（図６を参照）の距離を変えることで調整した。張力は、実施例１と同じ方法で測定した値を示す。
【０２１７】
【表４】
【０２１８】
（有機ＥＬパネルの作製）
準備した可撓性基板保持具Ｎｏ．３−１〜３−５を使用した他は全て実施例１と同じ条件で有機ＥＬパネルを作製し試料Ｎｏ．３０１〜３０５とした。
【０２１９】
評価
作製した各試料Ｎｏ．３０１〜３０５に付き、発光状態、基板保持状態を実施例１と同じ方法で試験し、実施例１と同じ評価ランクで評価した結果を表５に示す。
【０２２０】
【表５】
【０２２１】
本発明の有効性が確認された。
【図面の簡単な説明】
【０２２２】
【図１】本発明の可撓性基板保持具に枚葉状の可撓性基板を固定した状態を示す概略図である。
【図２】図１に示す可撓性基板保持具の概略図である。
【図３】図２（ａ）に示すＢ−Ｂ′に沿った概略断面図である。
【図４】図２（ａ）のＳで示される部分の拡大概略図である。
【図５】図４で示される係止ピンの他の形状の拡大概略図である。
【図６】図１（ａ）に示される可撓性基板の拡大概略図である。
【図７】図２に示される可撓性基板保持具へ、図６に示す可撓性基を取り付ける迄を示す概略フロー図である。
【図８】図７に示すＳｔｅｐ４の可撓性基板が可撓性基板保持具に固定される迄を示す概略フロー図である。
【図９】有機ＥＬパネルの一例を示す概略図である。
【図１０】図９に示される有機ＥＬパネルの製造方法の模式図である。
【図１１】図１０に示される供給工程の概略斜視図である。
【図１２】図１０に示される第１反転工程の反転装置の概略斜視図である。
【図１３】図１０に示される第１電極形成工程の蒸着装置の受け取り装置の概略斜視図である。
【図１４】図１３に示す受け取り装置を使用した可撓性基板保持具の固定操作の概略フロー図である。
【符号の説明】
【０２２３】
１ 可撓性基板保持具
１０１ 枠体
１０１ａ〜１０１ｄ 枠構成部材
１０２ 梁部
１０３ 取り付け部材
１０４ａ 第１係止ピン
１０４ｂ 第２係止ピン
１０４ａ１、１０４ａ２、１０４ｂ１、１０４ｂ２ 係止ピン
１０５ 開口部
２、３０１ 可撓性基板
２ａ〜２ｄ 取り付け孔
３ 有機ＥＬパネル
４ 製造装置
４０１ 供給工程
４０２ 固定工程
４０３ 洗浄工程
４０４ 第１反転工程
４０５ 第１電極形成工程
４０６ 正孔輸送層形成工程
４０７ 発光層形成工程
４０８ 電子注入層形成工程
４０９ 第２電極形成工程
４１０ 第２反転工程
４１１ シール剤塗設工程
４１２ 可撓性封止部材貼合工程
４１３ 脱離工程
４１４ 打ち抜き断裁・回収工程
５ａ 第１搬送ロボット
５ｂ 第２搬送ロボット
６ 反転装置
６０１ 固定部
６０２ 駆動部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の可撓性基板を平面状態に保持する可撓性基板保持具であって、
前記可撓性基板は前記可撓性基板保持具への取り付け孔を有し、
前記可撓性基板保持具は、矩形枠状の枠体と、前記枠体に取り付け部材を介し片持ち状態で一体に形成された梁構造の梁部とを有し、
前記枠体の前記取り付け部材と対向する辺の２隅に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第１係止ピンと、
前記梁部の両端に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第２係止ピンとを有することを特徴とする可撓性基板保持具。
【請求項２】
前記第１係止ピンは、少なくとも１本は固定係止ピンであることを特徴とする請求項１に記載の可撓性基板保持具。
【請求項３】
前記第２係止ピンは、梁部の両端に配設された係止ピンであり、該梁部は両端へ枠体方向に水平に押圧を掛けた時、該枠体方向に撓み、該押圧を解除することで元の形状に戻ることを特徴とする請求項１又は２に記載の可撓性基板保持具。
【請求項４】
前記枠体は位置決め用の孔が少なくとも一つ設置されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の可撓性基板保持具。
【請求項５】
前記第１係止ピンは、上部の径が下部の径よりも大きく、取り付け面から上部に向けての側壁は少なくとも傾斜部を有し、該傾斜部と取り付け面とのなす角度が４５°〜８５°であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の可撓性基板保持具。
【請求項６】
前記第１係止ピンと第２係止ピンに可撓性基板の取り付け孔を挿通させ、該可撓性基板を可撓性基板保持具に固定する時、該可撓性基板に掛けられる張力は１０Ｎ／ｍ〜１００Ｎ／ｍであることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の可撓性基板保持具。
【請求項７】
基板洗浄工程、第１電極形成工程、有機化合物層形成工程、第２電極形成工程、封止層形成工程とを有する製造装置で、枚葉状の可撓性基板の上に、少なくとも第１電極と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極と、封止層とを順次形成する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
前記基板洗浄工程、前記第１電極形成工程、前記有機化合物層形成工程、前記第２電極形成工程、前記封止層形成工程の少なくとも一つ工程で、請求項１〜６の何れか１項に記載の可撓性基板保持具を使用し、前記可撓性基板を保持し処理することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項１】
矩形状の可撓性基板を平面状態に保持する可撓性基板保持具であって、
前記可撓性基板は前記可撓性基板保持具への取り付け孔を有し、
前記可撓性基板保持具は、矩形枠状の枠体と、前記枠体に取り付け部材を介し片持ち状態で一体に形成された梁構造の梁部とを有し、
前記枠体の前記取り付け部材と対向する辺の２隅に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第１係止ピンと、
前記梁部の両端に前記取り付け孔にそれぞれ挿通される第２係止ピンとを有することを特徴とする可撓性基板保持具。
【請求項２】
前記第１係止ピンは、少なくとも１本は固定係止ピンであることを特徴とする請求項１に記載の可撓性基板保持具。
【請求項３】
前記第２係止ピンは、梁部の両端に配設された係止ピンであり、該梁部は両端へ枠体方向に水平に押圧を掛けた時、該枠体方向に撓み、該押圧を解除することで元の形状に戻ることを特徴とする請求項１又は２に記載の可撓性基板保持具。
【請求項４】
前記枠体は位置決め用の孔が少なくとも一つ設置されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の可撓性基板保持具。
【請求項５】
前記第１係止ピンは、上部の径が下部の径よりも大きく、取り付け面から上部に向けての側壁は少なくとも傾斜部を有し、該傾斜部と取り付け面とのなす角度が４５°〜８５°であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の可撓性基板保持具。
【請求項６】
前記第１係止ピンと第２係止ピンに可撓性基板の取り付け孔を挿通させ、該可撓性基板を可撓性基板保持具に固定する時、該可撓性基板に掛けられる張力は１０Ｎ／ｍ〜１００Ｎ／ｍであることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の可撓性基板保持具。
【請求項７】
基板洗浄工程、第１電極形成工程、有機化合物層形成工程、第２電極形成工程、封止層形成工程とを有する製造装置で、枚葉状の可撓性基板の上に、少なくとも第１電極と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極と、封止層とを順次形成する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
前記基板洗浄工程、前記第１電極形成工程、前記有機化合物層形成工程、前記第２電極形成工程、前記封止層形成工程の少なくとも一つ工程で、請求項１〜６の何れか１項に記載の可撓性基板保持具を使用し、前記可撓性基板を保持し処理することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００９−１６４７９（Ｐ２００９−１６４７９Ａ）
【公開日】平成２１年１月２２日（２００９．１．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１７４９５０（Ｐ２００７−１７４９５０）
【出願日】平成１９年７月３日（２００７．７．３）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１月２２日（２００９．１．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年７月３日（２００７．７．３）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
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