基板支持装置及びこれを含む基板処理装置
【課題】 基板支持装置及びこれを含む基板処理装置が開示される。
【解決手段】 基板支持装置は、本体部、ベースプレート、及び緩衝部を含む。前記本体部は、上面に基板が置かれ、発熱電極が内蔵されたプレート及び前記プレートの下面から突出されたチューブを含む。前記ベースプレートは、前記本体部を支持する。前記緩衝部は、前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する。従って、ベースプレートと本体部のチューブとの間の熱膨張率の差異を緩衝部によって緩衝させることにより、本体部が破損されることを防止することができる。
【解決手段】 基板支持装置は、本体部、ベースプレート、及び緩衝部を含む。前記本体部は、上面に基板が置かれ、発熱電極が内蔵されたプレート及び前記プレートの下面から突出されたチューブを含む。前記ベースプレートは、前記本体部を支持する。前記緩衝部は、前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する。従って、ベースプレートと本体部のチューブとの間の熱膨張率の差異を緩衝部によって緩衝させることにより、本体部が破損されることを防止することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板支持装置及びこれを含む基板処理装置に関し、より詳細には集積回路素子を製造するのに使用される基板を支持する支持装置及び前記支持装置によって支持される前記基板を処理する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、集積回路素子は、半導体又はガラス材質の基板を基礎として、蒸着工程、エッチング工程、フォトリソグラフィ工程、イオン注入工程などを含んで製造される。
【０００３】
前記のような工程は基本的に、空間を提供する工程チャンバーと前記工程チャンバー内に配置され外部から搬入される前記基板を支持固定する基板支持部を含む基板処理装置によって進行される。
【０００４】
ここで、前記基板処理装置が前記工程のうち、蒸着又はエッチング工程を進行しようとする場合、前記工程チャンバーには前記蒸着又はエッチング工程によって互いに異なる工程ガスが注入される。又、前記工程チャンバーの内部は、前記蒸着又はエッチング工程をより円滑に進行するために、高真空状態が維持される。又、前記工程チャンバーの内部は、前記蒸着又はエッチング工程を行うためのプラズマを発生させるために高温状態が維持される。
【０００５】
前記基板支持部は、前記工程チャンバーの底面に装着されるベース部及び前記ベース部に接合され前記基板が置かれる本体部を含む。
【０００６】
前記本体部は、上面に基板が置かれて電極部材が内蔵されたプレート及び前記プレートの下面から突出され内部に前記電極部材と連結された配線が形成されたチューブを含む。
【０００７】
しかし、前記配線は、前記チューブの内部でそれぞれ絶縁体で囲まれた状態で非常に近く配置され所定流動することにより、前記チューブと前記プレートが結合された位置で前記絶縁体の一部が剥げる場合、前記配線が電気的に短絡される問題点がある。
【０００８】
又、前記ベース部は、強度が優れ破損可能性の少ない金属材質からなり、前記本体部は、前記プラズマとの反応を排除させるためのセラミック材質からなることにより、前記本体部は前記工程チャンバー内の高温状態による前記ベース部の熱膨張率によって破損される更に他の問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、本発明は、このような問題点を勘案したもので、本発明の目的は、配線の電気的な短絡を防止しながらベース部の熱膨張によって本体部の破損を防止することができる基板支持装置を提供することにある。
【００１０】
又、本発明の他の目的は、前記基板支持装置を含む基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記した本発明の目的を達成するために、本発明の一特徴による基板支持装置は、本体部及び絶縁部を含む。前記本体部は上面に基板が置かれ、電極部材が内蔵されたプレート
及び前記プレートの下面から突出され内部に前記電極部材から延長された多数の配線が位置するチューブを含む。前記絶縁部は前記チューブに挿入され、前記配線を互いに絶縁させるために前記配線が個別的に挿入される挿入ホールが形成される。
【００１２】
これに、前記絶縁部は、前記チューブの内壁との間の間隔を一定に維持するための埋立体を含む。ここで、前記埋立体は前記絶縁部の外面に突出された突起部を含むことができる。
【００１３】
又、前記電極部材は、発熱電極を含むことができる。
【００１４】
これに、前記基板支持装置は、前記本体部を支持するベースプレート及び前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する緩衝部を更に含む。
【００１５】
この際、前記緩衝部及び前記ベースプレートは、それぞれ前記チューブと連通する第１及び第２貫通ホールを有する。これに、前記絶縁部は、前記第１及び第２貫通ホールを通じて延長された構造を有することができる。これと異なり、前記基板支持装置は、前記第１及び第２貫通ホールを通じて前記絶縁部と結合して前記配線が個別的に挿入される第２挿入ホールが形成された第２絶縁部を更に含むことができる。
【００１６】
一方、前記基板支持装置は、前記チューブの外壁を囲みながら前記プレートと前記ベースプレートとの間に配置され、前記基板を処理するための工程ガスから前記ベースプレートを保護するための保護ブロックを更に含むことができる。
【００１７】
前記保護ブロックは、前記電極部材の発熱電極から発生された熱の損失を防止するために前記プレートと離隔した構造を有する。この際、前記保護ブロックと前記プレートとの間の間隔は、０．０５〜７ｍｍであることを特徴とすることができる。
【００１８】
又、前記保護ブロックは、前記チューブを基準として少なくとも２つが分割された構造を有することができる。
【００１９】
一方、前記基板支持装置は、前記チューブと前記緩衝部との間及び前記緩衝部と前記ベースプレートとの間にそれぞれ配置され、前記チューブの内部空間を外部から遮断するための第１及び第２シーリング部を更に含むことができる。
【００２０】
又、前記基板支持装置は、前記チューブと前記緩衝部及び前記緩衝部と前記ベースプレートとの間でこれらをそれぞれ結合させるための第１及び第２結合部材を更に含むことができる。
【００２１】
前述した本発明の目的を達成するために、他の特徴による基板支持装置は、本体部、ベースプレート、及び緩衝部を含む。前記本体部は、上面に基板が置かれ、発熱電極が内蔵されたプレート及び前記プレートの下面から突出されたチューブを含む。前記ベースプレートは、前記本体部を支持する。前記緩衝部は、前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する。
【００２２】
これに、前記基板支持装置は、前記チューブの外壁を囲みながら前記プレートと前記ベースプレートとの間に配置され、前記基板を処理するための工程ガスから前記ベースプレートを保護するための保護ブロックを更に含むことができる。
【００２３】
前述した本発明の他の目的を達成するために、一特徴による基板処理装置は、工程チャンバー、ガス提供部、及び基板支持部を含む。前記工程チャンバーは、基板を処理するための空間を提供する。前記ガス提供部は前記工程チャンバーと連結され、前記基板を処理するための工程ガスを前記工程チャンバーの内部に提供する。前記基板支持部は、前記工程チャンバーの内部に配置され、前記工程ガスを通じて処理される前記基板を支持する。これに、前記基板支持部は、上面に前記基板が置かれ、電極部材が内蔵されたプレート及び前記プレートの下面から突出され内部に前記電極部材から延長された少なくとも２つの配線が位置するチューブを含む本体部、及び前記チューブに挿入され、前記配線を互いに絶縁させるために前記配線が個別的に挿入される挿入ホールが形成された絶縁部を含む。
【００２４】
一方、前記基板支持部は、前記電極部材は発熱電極を含む場合、前記本体部を支持するベースプレート及び前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する緩衝部を更に含むことができる。
【００２５】
又、前記基板支持部は、前記チューブの外壁を囲みながら前記プレートと前記ベースプレートとの間に配置され、前記工程ガスから前記ベースプレートを保護するための保護ブロックを更に含むことができる。
【発明の効果】
【００２６】
このような基板支持装置及びこれを含む基板処理装置によると、本体部のうちチューブの内部に位置した配線を絶縁部の挿入ホールに一括的に挿入させることにより、前記配線の流動を防止しながら前記チューブとプレートとの間で前記配線が電気的に短絡されることを防止することができる。
【００２７】
又、前記ベース部のベースプレートと前記本体部のチューブとの間に前記ベースプレートの熱膨張を緩衝させるための緩衝部を配置させることにより、前記ベースプレートの熱膨張によって前記本体部が破損されることを防止することができる。
【００２８】
これによって、前記基板支持装置の全体的な不良率を減少させて前記基板支持装置を用いて処理される前記基板の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施例による基板支持装置を概略的に示す断面図である。
【図２】図１に図示された基板支持装置を分解した図である。
【図３】図２のＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。
【図４】図２のＡ部分の拡大図である。
【図５】本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下に添付図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。本発明は多様に変更することができ、多様な形態を有することができること、特定の実施形態を図面に例示して本文に詳細に説明する。しかし、これは、本発明を特定の開示形態に限定するのではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、乃至代替物を含むことを理解すべきである。各図面を説明しながら類似の参照符号を類似の構成要素に対して付与した。図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より拡大して示した。第１、第２等の用語は、多様な構成要素を説明するために使用することができるが、構成要素は用語によって限定されない。用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的としてのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲から逸脱することなしに、第１構成要素は第２構成要素と称されてもよく、同様に第２構成要素も第１構成要素に
称されてもよい。単数の表現は、文脈上、明白に相違が示されない限り、複数の表現を含む。
本出願において、「含む」または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを意図するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたもの等の存在または付加の可能性を予め排除しないことを理解しなければならない。
なお、異なるものとして定義しない限り、技術的であるか科学的な用語を含めてここで用いられる全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同一の意味を有している。一般的に用いられる辞典に定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有することと解釈すべきであり、本出願で明白に定義されない限り、異常的であるか過度に形式的な意味に解釈されない。
【００３１】
図１は本発明の一実施例による基板支持装置を概略的に示す断面図で、図２は図１に図示された基板支持装置を分解した図である。
【００３２】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例による基板支持装置１００は、本体部１０、第１絶縁部５０、及びベース部７０を含む。
【００３３】
前記本体部１０はプレート２０及びチューブ３０を含む。前記プレート２０の上面には基板ｗが置かれる。ここで、前記基板ｗは、一例として、半導体素子を製造するためのシリコン材質のウエハーでもよい。これと異なり、前記基板ｗは、平板表示装置の液晶表示装置（ＬＣＤ）のうち画像を表示するのに使用される表示パネルの薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）基板又はカラーフィルタ（以下、ＣＦ）基板でもよい。
【００３４】
前記プレート２０には、電極部材２２が内蔵される。前記電極部材２２は、静電電極２３及び発熱電極２４を含む。前記静電電極２３は、外部から提供される駆動電源を通じて静電力を発生して、前記基板ｗを固定させる。前記静電電極２３は、一例として、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などのような低い電気抵抗を有しつつ低熱膨張率である材質からなることができる。前記静電電極２３は、約１０乃至２００μｍの厚みを有することができる。
【００３５】
前記発熱電極２４は、前記駆動電源を通じて熱を発生して前記基板ｗを加熱する。これは、前記基板支持装置１００が前記基板ｗを対象として蒸着又はエッチング工程を進行しようとするとき、前記工程がより円滑に進行されるようにするためである。前記発熱電極２４は、実質的に前記静電電極２３と同じ材質からなることができる。前記発熱電極２４は、約５０乃至３００μｍの厚みを有することができる。
【００３６】
前記静電電極２３は、前記基板ｗをより効率的に固定するために前記発熱電極２４の上部に位置することができる。
【００３７】
一方、前記電極部材２２は、前記基板ｗを対象として前記蒸着又はエッチング工程を行うとき、前記工程を行う空間でプラズマを生成しようとする場合、このための高周波接地用接地電極（図示せず）を更に含むことができる。この際、前記静電電極２３が前記接地電極（図示せず）の機能を同時に行うように設計されることもできる。
【００３８】
これにより、前記プレート２０は、前記電極部材２２を外部から電気的に保護しながら強度に優れたセラミック材質からなる。例えば、前記プレート２０は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）などで形成されることができる。
【００３９】
前記チューブ３０は、前記プレート２０の下面から突出される。前記チューブ３０は、前記プレート２０の中心領域から中穴が形成された管形態に突出される。この際、前記チューブ３０は、前記プレート２０と同じ材質として一体型に形成される。これと異なり、前記チューブ３０は、前記プレート２０と別途に製作して前記プレート２０に結合されることができる。
【００４０】
前記チューブ３０の内部には、前記電極部材２２に前記駆動電源を印加するための少なくとも２以上の配線３２が位置する。例えば、前記配線３２は、前記電極部材２２の静電電極２３が単極型である場合、３つで形成されることができる。しかし、前記配線３２の個数は、前記電極部材２２の個数及び形態によって変わることができる。
【００４１】
前記第１絶縁部５０は前記チューブ３０に挿入される。前記第１絶縁部５０は、前記チューブ３０の内部に位置した前記配線３２を互いに絶縁させながらこれらを固定する。このために、前記第１絶縁部５０は絶縁性が優れ、耐熱性が優秀な材質からなる。
【００４２】
例えば、前記第１絶縁部５０は、前記本体部１０より熱伝導が少なく、熱膨張率が小さいアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、石英（Ｑｕａｒｔｚ）のようなセラミック材質又は高温用樹脂材質からなることができる。
【００４３】
以下、図３及び図４を追加的に参照して前記第１絶縁部５０をより詳細に説明する。
【００４４】
図３は図１のＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図で、図４は図１のＡ部分の拡大図である。
【００４５】
図３及び図４を追加的に参照すると、前記第１絶縁部５０には前記配線３２が個別的に挿入される第１挿入ホール５２が形成される。
【００４６】
即ち、前記第１絶縁部５０は、前記チューブ３０に挿入されるとき、前記配線３２を前記第１挿入ホール５２に挿入させながら前記チューブ３０の内部で前記プレート２０に密着する構造を有する。
【００４７】
この際、前記第１絶縁部５０は、前記チューブ３０により容易に挿入されるようにするために、外面が前記チューブ３０の内壁と所定の間隔を維持するように形成される。即ち、前記第１絶縁部５０の外径は、前記チューブ３０での内部直径より相対的に小さく形成される。
【００４８】
この場合、前記チューブ３０に挿入された前記第１絶縁部５０が流動することを防止するために、前記第１絶縁部５０には前記チューブ３０の内壁と一定間隔をそのまま維持するための埋立体５４が形成される。
【００４９】
前記埋立体５４は、前記第１絶縁部５０の外面のうち一部位置で突出された突起部５５を含むことができる。前記突起部５５は、前記位置に多数が突出されることができる。前記突起部５５は、前記第１絶縁部５０を固定させるために前記第１絶縁部５０の外面に円主方向に沿って一定の間隔に形成されることが好ましい。
【００５０】
このような前記埋立体５４は、前記第１絶縁部５０と前記チューブ５０の接触面積を最小化することにより、前記プレート２０に内蔵された前記発熱電極２４から前記チューブ３０に伝達された熱が前記第１絶縁部５０に伝達されることを最小化することができる。
これにより、前記発熱電極２４から発生された熱を前記プレート２０に置かれた前記基板ｗに均一に提供することができる。
【００５１】
又、前記埋立体５４は、前記チューブ３０の内壁との摩擦を最小化するための表面が加工処理されることができる。又、前記埋立体５４は、端部が前記チューブ３０の内壁との接触面積を最小化するための構造に形成されることができる。一例として、前記埋立体５４は端部がラウンド処理されることができる。
【００５２】
これと異なり、前記埋立体５４は、場合によって前記絶縁部５０又は前記チューブ３０の内壁に設置することができる。
【００５３】
従って、前記本体部１０のうち前記チューブ３０の内部に位置した前記配線３２を前記埋立体５４を通じて前記チューブ３０と離隔した前記第１絶縁部５０の第１挿入ホール５２に一括的に挿入させることにより、前記配線３２の流動を防止、即ち、前記配線３２を安定的に固定し、前記チューブ３０と前記プレート２０との間で前記配線３２が電気的に短絡されることを防止することができる。
【００５４】
即ち、前記電極部材２２の電気的な不良率を減少させることにより、前記基板支持装置１００を通じた前記基板ｗの処理効率を向上させることができる。
【００５５】
前記ベース部７０は、外部の底面、例えば、前記基板支持装置１００が内蔵される工程チャンバーの底面に装着されながら前記本体部１０を支持する。
【００５６】
前記ベース部７０は、前記本体を形成するベースプレート７２及び前記ベースプレート７２と前記本体部１０のチューブ３０との間に配置される緩衝部７５を含む。
【００５７】
前記ベースプレート７２は、前記本体部１０のうち、前記プレート２０に内蔵された前記電極部材２２の発熱電極２４から発生された熱を、場合によって前記チューブ３０から伝達を受けて外部に放出させるために熱伝導率に優れた金属材質からなる。例えば、前記ベースプレート７２は、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はステンレス（ＳＵＳ）等の材質からなることができる。
【００５８】
ここで、前記ベースプレート７２は、内部に前記発熱電極２４から発生された熱を効果的に放出、即ち、前記チューブ３０と前記ベースプレート７２との間の温度を維持するために、冷却部７３を含むことができる。前記冷却部７３は、冷却水を流すライン形態に形成されることができる。
【００５９】
しかし、前記ベースプレート７２は、熱伝導率に優れる反面、熱膨張率も前記本体部１０のようなセラミック材質より相対的に高いという特徴を有する。
【００６０】
これに、前記緩衝部７５は、前記ベースプレート７２と前記本体部１０のチューブ３０との間での熱膨張を緩衝させる。前記緩衝部７５は、熱膨張率が前記ベースプレート７２の熱膨張率と前記チューブ３０の熱膨張率との間である材質からなる。
【００６１】
例えば、前記緩衝部は、コバール（Ｋｏｖａｒ）、インバール（Ｉｎｖａｒ）、タングステン（Ｗ）、及びモリブデン（Ｍｏ）のような金属性物質又は炭化珪素（ＳｉＣ）のような非金属性物質からなることができる。
【００６２】
従って、前記ベース部７０のベースプレート７２と前記本体部１０のチューブ３０との間に前記ベースプレート７２の熱膨張を補償させるための緩衝部７５を配置させることに
より、前記ベースプレート７２の熱膨張によって前記本体部１０が破損されることを防止することができる。
【００６３】
具体的に、前記本体部１０のプレート２０に装着された前記基板ｗを対象として約４００℃以下の温度で工程を進行する場合、前記ベースプレート７２の熱膨張による前記本体部１０の破損を殆ど半永久的に防止することができる。
【００６４】
結果的に、前記配線３２の電気的な短絡を防止しながら前記本体部１０の破損を防止して、前記基板支持装置１００の全体的な不良率を減少させることにより、前記基板支持装置１００を用いて処理される前記基板ｗの生産性を向上させることができる。
【００６５】
一方、前記チューブ３０と順次に結合された前記緩衝部７５及び前記ベースプレート７２は、それぞれ前記チューブ３０の内部と連通されるように第１及び第２貫通ホール７６、７４が形成される。これに、前記配線３２は、前記チューブ３０から前記第１及び第２貫通ホール７６、７４を通じて外部に延長された構造を有する。
【００６６】
この際、前記第１絶縁部５０は前記配線３２のように、前記第１及び第２貫通ホール７６、７４を通過して外部に延長された一体型構造を有することができる。
【００６７】
これと異なり、前記第１絶縁部５０は、その組立をより容易にするために、前記チューブ３０までのみ延長された構造を有することができる。これに、前記基板支持装置１００は、前記第１及び第２貫通ホール７６、７４を通じて挿入され前記第１絶縁部５０と結合する第２絶縁部６０を更に含むことができる。
【００６８】
これにより、前記第１及び第２絶縁部５０、６０の組立過程を簡単に説明すると、まず、前記第１絶縁部５０を前記本体部１０のチューブ３０に挿入させる。続いて、前記ベースプレート７２及び前記緩衝部７５からなる前記ベース部７０を前記本体部１０のチューブ３０に結合させる。続いて、前記第２絶縁部６０を前記第１及び第２貫通ホール７６、７４を通じて挿入して前記第１絶縁部５０に結合させる。
【００６９】
このように、前記基板支持装置１００が前記配線３２を絶縁させるための前記第１及び第２絶縁部５０、６０を含むことにより、前記ベース部７０を前記チューブ３０に干渉なしに、より容易に結合させることができる。
【００７０】
一方、前記基板支持装置１００は、前記チューブ３０の外壁を囲みながら前記ベース部７０に装着される保護ブロック８０を更に含む。前記保護ブロック８０は、前記プレート２０の下面と向かい合いながら前記基板ｗを処理するための工程ガスから金属材質からなる前記ベース部７０のベースプレート７２を保護する。
【００７１】
前記保護ブロック８０は、前記プレート２０との間に所定のエアギャップＧを形成する。これは、前記プレート２０に内蔵された前記電極部材２２の発熱電極２４から発生された熱が前記保護ブロック８０に放出されることを防止するためである。
【００７２】
これによって、前記発熱電極２４から発生された熱は、前記プレート２０の下方よりは上方に集中的に伝達され前記プレート上に位置する基板ｗを均一に加熱することができる。これにより、前記基板ｗを対象とする前記蒸着又は前記エッチング工程を前記基板ｗの位置によって均一に進行されるようにして、前記基板ｗの品質が低下することを防止することができる。
【００７３】
又、前記エアギャップＧは、前記蒸着又はエッチング工程を行う時、前記工程を行う空
間で前記工程ガスから前記プラズマを生成しようとする場合、前記プラズマの生成を抑制することができる最小限の距離を有する。
【００７４】
これに、前記エアギャップＧが約０．０５ｍｍ未満である場合、前記保護ブロック８０と前記プレート２０との距離が近すぎて、前記発熱電極２４から発生された熱が前記保護ブロック８０に放出されることができるので好ましくなく、約７ｍｍ以上である場合には前記工程ガスから前記プラズマが発生されることができるので好ましくない。従って、前記エアギャップＧは約０．０５乃至７ｍｍであることが好ましい。又、前記エアギャップＧは約０．１乃至５ｍｍであることがより好ましい。
【００７５】
前記保護ブロック８０は、前記チューブ３０を基準として２つに分割された第１及び第２保護ブロック８２、８４を含む。これにより、前記保護ブロック８０は、前記第１及び第２保護ブロック８２、８４を前記チューブ３０を囲むように位置させた後、自体的な荷重によって前記ベース部７０に装着させながら簡単に組立できる。
【００７６】
又、前記保護ブロック８０を前記第１及び第２保護ブロック８２、８４に分割することにより、その維持補修管理も容易にすることができる。この際、前記第１及び第２保護ブロック８２、８４と前記ベース部７０が接触する位置には、前記第１及び第２保護ブロック８２、８４の動きを防止するために突出部と前記突出部が挿入される溝などが形成されることができる。又、前記保護ブロック８０はそのサイズが大きくなる場合、前記第１及び第２保護ブロック８２、８４のように２つではなく、その以上に分割されることができる。
【００７７】
一方、基板支持装置１００は、前記プレート２０に置かれた前記基板ｗを対象として前記蒸着又は前記エッチング工程が進行される外部空間が真空状態を維持するようにするために、前記チューブ３０と前記第１及び第２貫通ホール７６、７４を遮断する第１及び第２シーリング部９０、９５を更に含む。
【００７８】
前記第１シーリング部９０は、前記チューブ３０の端部と前記緩衝部７５の結合位置に配置され、前記第２シーリング部９５は前記ベース部７０のベースプレート７２と緩衝部７５の結合位置に配置される。
【００７９】
前記第１及び第２シーリング部９０、９５は、通常的に、ゴム材質で形成されるが、本実施例のように、前記外部空間が高温状態及びプラズマ状態からなる場合、相対的に耐腐食性及び耐熱性に優れたシリコン、ヴィトン（ｖｉｔｏｎ）、又はフッ素系列樹脂材質からなることができる。
【００８０】
しかし、前記第１及び第２シーリング部９０、９５は、根本的に、熱に弱い特徴を有する、これに、前記第１及び第２シーリング部９０、９５は、前記ベースプレート７２に形成された前記冷却部７３を通じて熱的劣化がある程度防止されることができる。
【００８１】
又、前記基板支持装置１００は、前記チューブ３０と前記緩衝部７５及び前記緩衝部７５と前記ベースプレート７２との間でこれらをそれぞれ固定させるための第１及び第２結合部材９６、９７を更に含むことができる。前記第１及び第２結合部材９６、９７は、一例として、ボルトで構成されることができる。
【００８２】
このように、前記緩衝部７５が前記チューブ３０と前記ベースプレート７２との間で熱的に膨張することができるので、接着剤ではなく、前記第１及び第２結合部材９６、９７を用いて固定する。
【００８３】
従って、前記チューブ３０、前記緩衝部７５、及び前記ベースプレート７２を別途の接着剤を用いて接着する場合、前記チューブ３０、前記緩衝部７５、及び前記ベースプレート７２の相対運動によって前記接着剤から起因する異物が発生されることができる。従って、前記第１及び第２結合部材９６、９７を用いて前記緩衝部７５を結合することにより、前記接着剤から起因する異物汚染を防止することができる。
【００８４】
図５は、本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に示す構成図である。
【００８５】
本実施例において、基板支持部は、図１乃至図４に図示された基板支持装置と実質的に同じ構成を有するので、同じ参照符号を付与し、その重複される詳細な説明は省略する。
【００８６】
図５を参照すると、本発明の一実施例による基板処理装置１０００は、工程チャンバー２００、ガス提供部３００、及び基板支持部１００を含む。
【００８７】
前記工程チャンバー２００は、半導体素子又は液晶表示パネルの製造のための基板ｗに薄膜を蒸着するか、蒸着された前記薄膜をエッチングする時に必要な空間を提供する。前記工程チャンバー２００は、一般的に、高真空状態を維持することができる。これは、前記薄膜を蒸着するか、エッチングする時、前記工程チャンバー２００で発生する反応がより円滑に行われるようにするためである。
【００８８】
前記ガス提供部３００は、前記工程チャンバー２００と連結される。前記ガス提供部３００は、外部から前記基板ｗを処理するための工程ガスを前記工程チャンバー２００の内部に提供する。例えば、前記ガス提供部３００は、前記工程チャンバー２００内の上部に配置されることができる。
【００８９】
ここで、前記工程ガスは、一例として、前記基板ｗに薄膜を蒸着するときに使用されることができるプラズマ生成のための不活性ガス又は前記薄膜の蒸着のためのソースガス又は前記薄膜をエッチングするときに使用されるエッチング用ガスなどを含むことができる。一方、前記ガス提供部３００が前記工程チャンバー２００内の上部に配置される場合、前記プラズマを生成するために前記ガス提供部３００に高周波電圧が印加されることができる。
【００９０】
前記基板支持部１００は、前記工程チャンバー２００内に配置される。例えば、前記ガス提供部３００が前記工程チャンバー２００内の上部に配置される場合、前記基板支持部１００は、前記ガス提供部３００と向き合う位置に配置されることができる。前記基板支持部１００は、前記ガス提供部３００から提供される前記工程ガスを通じて処理される前記基板ｗを支持する。
【００９１】
前記基板支持部１００は、上面に前記基板ｗが置かれて電極部材２２が内蔵されたプレート２０と前記プレート２０の下面から突出され内部に前記電極部材２２から延長された配線３２が位置したチューブ３０を具備する本体部１０、前記チューブ３０に挿入され前記配線３２をそれぞれ絶縁させながら固定する絶縁部５０及び前記工程チャンバー２００の底面に装着され前記本体部１０を支持するベース部７０を含む。
【００９２】
ここで、前記配線３２は、実質的に、前記ベース部７０を通過して外部に延長された構造を有する。これと異なり、前記配線３２は、前記工程チャンバー２００と結合される面で別途のコネクター（図示せず）によって直接連結されることもできる。ここで、前記コネクター（図示せず）は、外部から前記工程チャンバー２００に挿入される構造を有することができる。
【００９３】
前記ベース部７０は、実質的に前記工程チャンバー２００の底面に装着され前記本体部１０より高い熱膨張率を有するベースプレート７２及び前記ベースプレート７２と前記本体部１０のチューブ３０との間に配置され前記ベースプレート７２と前記本体部１０との間の熱膨張率を有する緩衝部７５を含む。ここで、前記緩衝部７５は、前記ベースプレート７２が熱膨張することにおいて、前記本体部１０が破損されないようにこれを緩衝する。
【００９４】
これに、前記基板支持部１００は、前記チューブ３０の外壁を囲みながら前記ベース部７０に装着される保護ブロック８０を更に含む。前記保護ブロック８０は、前記プレート２０の下面と向き合いながら前記工程ガスから金属材質からなる前記ベース部７０のベースプレート７２を保護する。
【００９５】
一方、前記基板支持部１００は、前記工程チャンバー２００の内部空間が前記配線３２が前記電極部材２２から外部に延長される構造によってその真空状態が干渉されることを防止するために、第１、第２、及び第３シーリング部９０、９５、９６を含む。
【００９６】
前記第１シーリング部９０は、前記チューブ３０の端部と前記緩衝部７５の結合位置に配置され、前記第２シーリング部９５は前記ベース部７０のベースプレート７２と緩衝部７５の結合位置に配置され、前記第３シーリング部９６は前記ベースプレート７２と前記工程チャンバー２００の底面との間に配置される。
【００９７】
前記基板は、半導体素子を製造するためのシリコンウエハー及び平板表示装置を製造するための基板を含む。特に、平板表示装置を製造するための基板は、液晶表示装置を形成するためのガラス基板であって、薄膜トランジスタを形成するためのＴＦＴ基板又はカラーフィルタを形成するためのＣ／Ｆ基板を含む。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
前述した本発明は、本体部のうちチューブの内部に位置した配線の電気的な短絡を防止しながら、ベースプレートの熱膨張によって前記本体部の破損を防止して基板を処理する装置に用いられることができる。
【００９９】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特徴請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１００】
ｗ 基板
１０ 本体部
２０ プレート
３０ チューブ
５０ 第１絶縁部
５４ 埋立体
６０ 第２絶縁部
７０ ベース部
７２ ベースプレート
７５ 緩衝部
８０ 保護ブロック
１００ 基板支持装置
２００ 工程チャンバー
３００ ガス提供部
１０００ 基板処理装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板支持装置及びこれを含む基板処理装置に関し、より詳細には集積回路素子を製造するのに使用される基板を支持する支持装置及び前記支持装置によって支持される前記基板を処理する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、集積回路素子は、半導体又はガラス材質の基板を基礎として、蒸着工程、エッチング工程、フォトリソグラフィ工程、イオン注入工程などを含んで製造される。
【０００３】
前記のような工程は基本的に、空間を提供する工程チャンバーと前記工程チャンバー内に配置され外部から搬入される前記基板を支持固定する基板支持部を含む基板処理装置によって進行される。
【０００４】
ここで、前記基板処理装置が前記工程のうち、蒸着又はエッチング工程を進行しようとする場合、前記工程チャンバーには前記蒸着又はエッチング工程によって互いに異なる工程ガスが注入される。又、前記工程チャンバーの内部は、前記蒸着又はエッチング工程をより円滑に進行するために、高真空状態が維持される。又、前記工程チャンバーの内部は、前記蒸着又はエッチング工程を行うためのプラズマを発生させるために高温状態が維持される。
【０００５】
前記基板支持部は、前記工程チャンバーの底面に装着されるベース部及び前記ベース部に接合され前記基板が置かれる本体部を含む。
【０００６】
前記本体部は、上面に基板が置かれて電極部材が内蔵されたプレート及び前記プレートの下面から突出され内部に前記電極部材と連結された配線が形成されたチューブを含む。
【０００７】
しかし、前記配線は、前記チューブの内部でそれぞれ絶縁体で囲まれた状態で非常に近く配置され所定流動することにより、前記チューブと前記プレートが結合された位置で前記絶縁体の一部が剥げる場合、前記配線が電気的に短絡される問題点がある。
【０００８】
又、前記ベース部は、強度が優れ破損可能性の少ない金属材質からなり、前記本体部は、前記プラズマとの反応を排除させるためのセラミック材質からなることにより、前記本体部は前記工程チャンバー内の高温状態による前記ベース部の熱膨張率によって破損される更に他の問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、本発明は、このような問題点を勘案したもので、本発明の目的は、配線の電気的な短絡を防止しながらベース部の熱膨張によって本体部の破損を防止することができる基板支持装置を提供することにある。
【００１０】
又、本発明の他の目的は、前記基板支持装置を含む基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記した本発明の目的を達成するために、本発明の一特徴による基板支持装置は、本体部及び絶縁部を含む。前記本体部は上面に基板が置かれ、電極部材が内蔵されたプレート
及び前記プレートの下面から突出され内部に前記電極部材から延長された多数の配線が位置するチューブを含む。前記絶縁部は前記チューブに挿入され、前記配線を互いに絶縁させるために前記配線が個別的に挿入される挿入ホールが形成される。
【００１２】
これに、前記絶縁部は、前記チューブの内壁との間の間隔を一定に維持するための埋立体を含む。ここで、前記埋立体は前記絶縁部の外面に突出された突起部を含むことができる。
【００１３】
又、前記電極部材は、発熱電極を含むことができる。
【００１４】
これに、前記基板支持装置は、前記本体部を支持するベースプレート及び前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する緩衝部を更に含む。
【００１５】
この際、前記緩衝部及び前記ベースプレートは、それぞれ前記チューブと連通する第１及び第２貫通ホールを有する。これに、前記絶縁部は、前記第１及び第２貫通ホールを通じて延長された構造を有することができる。これと異なり、前記基板支持装置は、前記第１及び第２貫通ホールを通じて前記絶縁部と結合して前記配線が個別的に挿入される第２挿入ホールが形成された第２絶縁部を更に含むことができる。
【００１６】
一方、前記基板支持装置は、前記チューブの外壁を囲みながら前記プレートと前記ベースプレートとの間に配置され、前記基板を処理するための工程ガスから前記ベースプレートを保護するための保護ブロックを更に含むことができる。
【００１７】
前記保護ブロックは、前記電極部材の発熱電極から発生された熱の損失を防止するために前記プレートと離隔した構造を有する。この際、前記保護ブロックと前記プレートとの間の間隔は、０．０５〜７ｍｍであることを特徴とすることができる。
【００１８】
又、前記保護ブロックは、前記チューブを基準として少なくとも２つが分割された構造を有することができる。
【００１９】
一方、前記基板支持装置は、前記チューブと前記緩衝部との間及び前記緩衝部と前記ベースプレートとの間にそれぞれ配置され、前記チューブの内部空間を外部から遮断するための第１及び第２シーリング部を更に含むことができる。
【００２０】
又、前記基板支持装置は、前記チューブと前記緩衝部及び前記緩衝部と前記ベースプレートとの間でこれらをそれぞれ結合させるための第１及び第２結合部材を更に含むことができる。
【００２１】
前述した本発明の目的を達成するために、他の特徴による基板支持装置は、本体部、ベースプレート、及び緩衝部を含む。前記本体部は、上面に基板が置かれ、発熱電極が内蔵されたプレート及び前記プレートの下面から突出されたチューブを含む。前記ベースプレートは、前記本体部を支持する。前記緩衝部は、前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する。
【００２２】
これに、前記基板支持装置は、前記チューブの外壁を囲みながら前記プレートと前記ベースプレートとの間に配置され、前記基板を処理するための工程ガスから前記ベースプレートを保護するための保護ブロックを更に含むことができる。
【００２３】
前述した本発明の他の目的を達成するために、一特徴による基板処理装置は、工程チャンバー、ガス提供部、及び基板支持部を含む。前記工程チャンバーは、基板を処理するための空間を提供する。前記ガス提供部は前記工程チャンバーと連結され、前記基板を処理するための工程ガスを前記工程チャンバーの内部に提供する。前記基板支持部は、前記工程チャンバーの内部に配置され、前記工程ガスを通じて処理される前記基板を支持する。これに、前記基板支持部は、上面に前記基板が置かれ、電極部材が内蔵されたプレート及び前記プレートの下面から突出され内部に前記電極部材から延長された少なくとも２つの配線が位置するチューブを含む本体部、及び前記チューブに挿入され、前記配線を互いに絶縁させるために前記配線が個別的に挿入される挿入ホールが形成された絶縁部を含む。
【００２４】
一方、前記基板支持部は、前記電極部材は発熱電極を含む場合、前記本体部を支持するベースプレート及び前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する緩衝部を更に含むことができる。
【００２５】
又、前記基板支持部は、前記チューブの外壁を囲みながら前記プレートと前記ベースプレートとの間に配置され、前記工程ガスから前記ベースプレートを保護するための保護ブロックを更に含むことができる。
【発明の効果】
【００２６】
このような基板支持装置及びこれを含む基板処理装置によると、本体部のうちチューブの内部に位置した配線を絶縁部の挿入ホールに一括的に挿入させることにより、前記配線の流動を防止しながら前記チューブとプレートとの間で前記配線が電気的に短絡されることを防止することができる。
【００２７】
又、前記ベース部のベースプレートと前記本体部のチューブとの間に前記ベースプレートの熱膨張を緩衝させるための緩衝部を配置させることにより、前記ベースプレートの熱膨張によって前記本体部が破損されることを防止することができる。
【００２８】
これによって、前記基板支持装置の全体的な不良率を減少させて前記基板支持装置を用いて処理される前記基板の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施例による基板支持装置を概略的に示す断面図である。
【図２】図１に図示された基板支持装置を分解した図である。
【図３】図２のＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。
【図４】図２のＡ部分の拡大図である。
【図５】本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下に添付図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。本発明は多様に変更することができ、多様な形態を有することができること、特定の実施形態を図面に例示して本文に詳細に説明する。しかし、これは、本発明を特定の開示形態に限定するのではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、乃至代替物を含むことを理解すべきである。各図面を説明しながら類似の参照符号を類似の構成要素に対して付与した。図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より拡大して示した。第１、第２等の用語は、多様な構成要素を説明するために使用することができるが、構成要素は用語によって限定されない。用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的としてのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲から逸脱することなしに、第１構成要素は第２構成要素と称されてもよく、同様に第２構成要素も第１構成要素に
称されてもよい。単数の表現は、文脈上、明白に相違が示されない限り、複数の表現を含む。
本出願において、「含む」または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを意図するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたもの等の存在または付加の可能性を予め排除しないことを理解しなければならない。
なお、異なるものとして定義しない限り、技術的であるか科学的な用語を含めてここで用いられる全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同一の意味を有している。一般的に用いられる辞典に定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有することと解釈すべきであり、本出願で明白に定義されない限り、異常的であるか過度に形式的な意味に解釈されない。
【００３１】
図１は本発明の一実施例による基板支持装置を概略的に示す断面図で、図２は図１に図示された基板支持装置を分解した図である。
【００３２】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例による基板支持装置１００は、本体部１０、第１絶縁部５０、及びベース部７０を含む。
【００３３】
前記本体部１０はプレート２０及びチューブ３０を含む。前記プレート２０の上面には基板ｗが置かれる。ここで、前記基板ｗは、一例として、半導体素子を製造するためのシリコン材質のウエハーでもよい。これと異なり、前記基板ｗは、平板表示装置の液晶表示装置（ＬＣＤ）のうち画像を表示するのに使用される表示パネルの薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）基板又はカラーフィルタ（以下、ＣＦ）基板でもよい。
【００３４】
前記プレート２０には、電極部材２２が内蔵される。前記電極部材２２は、静電電極２３及び発熱電極２４を含む。前記静電電極２３は、外部から提供される駆動電源を通じて静電力を発生して、前記基板ｗを固定させる。前記静電電極２３は、一例として、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などのような低い電気抵抗を有しつつ低熱膨張率である材質からなることができる。前記静電電極２３は、約１０乃至２００μｍの厚みを有することができる。
【００３５】
前記発熱電極２４は、前記駆動電源を通じて熱を発生して前記基板ｗを加熱する。これは、前記基板支持装置１００が前記基板ｗを対象として蒸着又はエッチング工程を進行しようとするとき、前記工程がより円滑に進行されるようにするためである。前記発熱電極２４は、実質的に前記静電電極２３と同じ材質からなることができる。前記発熱電極２４は、約５０乃至３００μｍの厚みを有することができる。
【００３６】
前記静電電極２３は、前記基板ｗをより効率的に固定するために前記発熱電極２４の上部に位置することができる。
【００３７】
一方、前記電極部材２２は、前記基板ｗを対象として前記蒸着又はエッチング工程を行うとき、前記工程を行う空間でプラズマを生成しようとする場合、このための高周波接地用接地電極（図示せず）を更に含むことができる。この際、前記静電電極２３が前記接地電極（図示せず）の機能を同時に行うように設計されることもできる。
【００３８】
これにより、前記プレート２０は、前記電極部材２２を外部から電気的に保護しながら強度に優れたセラミック材質からなる。例えば、前記プレート２０は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）などで形成されることができる。
【００３９】
前記チューブ３０は、前記プレート２０の下面から突出される。前記チューブ３０は、前記プレート２０の中心領域から中穴が形成された管形態に突出される。この際、前記チューブ３０は、前記プレート２０と同じ材質として一体型に形成される。これと異なり、前記チューブ３０は、前記プレート２０と別途に製作して前記プレート２０に結合されることができる。
【００４０】
前記チューブ３０の内部には、前記電極部材２２に前記駆動電源を印加するための少なくとも２以上の配線３２が位置する。例えば、前記配線３２は、前記電極部材２２の静電電極２３が単極型である場合、３つで形成されることができる。しかし、前記配線３２の個数は、前記電極部材２２の個数及び形態によって変わることができる。
【００４１】
前記第１絶縁部５０は前記チューブ３０に挿入される。前記第１絶縁部５０は、前記チューブ３０の内部に位置した前記配線３２を互いに絶縁させながらこれらを固定する。このために、前記第１絶縁部５０は絶縁性が優れ、耐熱性が優秀な材質からなる。
【００４２】
例えば、前記第１絶縁部５０は、前記本体部１０より熱伝導が少なく、熱膨張率が小さいアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、石英（Ｑｕａｒｔｚ）のようなセラミック材質又は高温用樹脂材質からなることができる。
【００４３】
以下、図３及び図４を追加的に参照して前記第１絶縁部５０をより詳細に説明する。
【００４４】
図３は図１のＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図で、図４は図１のＡ部分の拡大図である。
【００４５】
図３及び図４を追加的に参照すると、前記第１絶縁部５０には前記配線３２が個別的に挿入される第１挿入ホール５２が形成される。
【００４６】
即ち、前記第１絶縁部５０は、前記チューブ３０に挿入されるとき、前記配線３２を前記第１挿入ホール５２に挿入させながら前記チューブ３０の内部で前記プレート２０に密着する構造を有する。
【００４７】
この際、前記第１絶縁部５０は、前記チューブ３０により容易に挿入されるようにするために、外面が前記チューブ３０の内壁と所定の間隔を維持するように形成される。即ち、前記第１絶縁部５０の外径は、前記チューブ３０での内部直径より相対的に小さく形成される。
【００４８】
この場合、前記チューブ３０に挿入された前記第１絶縁部５０が流動することを防止するために、前記第１絶縁部５０には前記チューブ３０の内壁と一定間隔をそのまま維持するための埋立体５４が形成される。
【００４９】
前記埋立体５４は、前記第１絶縁部５０の外面のうち一部位置で突出された突起部５５を含むことができる。前記突起部５５は、前記位置に多数が突出されることができる。前記突起部５５は、前記第１絶縁部５０を固定させるために前記第１絶縁部５０の外面に円主方向に沿って一定の間隔に形成されることが好ましい。
【００５０】
このような前記埋立体５４は、前記第１絶縁部５０と前記チューブ５０の接触面積を最小化することにより、前記プレート２０に内蔵された前記発熱電極２４から前記チューブ３０に伝達された熱が前記第１絶縁部５０に伝達されることを最小化することができる。
これにより、前記発熱電極２４から発生された熱を前記プレート２０に置かれた前記基板ｗに均一に提供することができる。
【００５１】
又、前記埋立体５４は、前記チューブ３０の内壁との摩擦を最小化するための表面が加工処理されることができる。又、前記埋立体５４は、端部が前記チューブ３０の内壁との接触面積を最小化するための構造に形成されることができる。一例として、前記埋立体５４は端部がラウンド処理されることができる。
【００５２】
これと異なり、前記埋立体５４は、場合によって前記絶縁部５０又は前記チューブ３０の内壁に設置することができる。
【００５３】
従って、前記本体部１０のうち前記チューブ３０の内部に位置した前記配線３２を前記埋立体５４を通じて前記チューブ３０と離隔した前記第１絶縁部５０の第１挿入ホール５２に一括的に挿入させることにより、前記配線３２の流動を防止、即ち、前記配線３２を安定的に固定し、前記チューブ３０と前記プレート２０との間で前記配線３２が電気的に短絡されることを防止することができる。
【００５４】
即ち、前記電極部材２２の電気的な不良率を減少させることにより、前記基板支持装置１００を通じた前記基板ｗの処理効率を向上させることができる。
【００５５】
前記ベース部７０は、外部の底面、例えば、前記基板支持装置１００が内蔵される工程チャンバーの底面に装着されながら前記本体部１０を支持する。
【００５６】
前記ベース部７０は、前記本体を形成するベースプレート７２及び前記ベースプレート７２と前記本体部１０のチューブ３０との間に配置される緩衝部７５を含む。
【００５７】
前記ベースプレート７２は、前記本体部１０のうち、前記プレート２０に内蔵された前記電極部材２２の発熱電極２４から発生された熱を、場合によって前記チューブ３０から伝達を受けて外部に放出させるために熱伝導率に優れた金属材質からなる。例えば、前記ベースプレート７２は、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はステンレス（ＳＵＳ）等の材質からなることができる。
【００５８】
ここで、前記ベースプレート７２は、内部に前記発熱電極２４から発生された熱を効果的に放出、即ち、前記チューブ３０と前記ベースプレート７２との間の温度を維持するために、冷却部７３を含むことができる。前記冷却部７３は、冷却水を流すライン形態に形成されることができる。
【００５９】
しかし、前記ベースプレート７２は、熱伝導率に優れる反面、熱膨張率も前記本体部１０のようなセラミック材質より相対的に高いという特徴を有する。
【００６０】
これに、前記緩衝部７５は、前記ベースプレート７２と前記本体部１０のチューブ３０との間での熱膨張を緩衝させる。前記緩衝部７５は、熱膨張率が前記ベースプレート７２の熱膨張率と前記チューブ３０の熱膨張率との間である材質からなる。
【００６１】
例えば、前記緩衝部は、コバール（Ｋｏｖａｒ）、インバール（Ｉｎｖａｒ）、タングステン（Ｗ）、及びモリブデン（Ｍｏ）のような金属性物質又は炭化珪素（ＳｉＣ）のような非金属性物質からなることができる。
【００６２】
従って、前記ベース部７０のベースプレート７２と前記本体部１０のチューブ３０との間に前記ベースプレート７２の熱膨張を補償させるための緩衝部７５を配置させることに
より、前記ベースプレート７２の熱膨張によって前記本体部１０が破損されることを防止することができる。
【００６３】
具体的に、前記本体部１０のプレート２０に装着された前記基板ｗを対象として約４００℃以下の温度で工程を進行する場合、前記ベースプレート７２の熱膨張による前記本体部１０の破損を殆ど半永久的に防止することができる。
【００６４】
結果的に、前記配線３２の電気的な短絡を防止しながら前記本体部１０の破損を防止して、前記基板支持装置１００の全体的な不良率を減少させることにより、前記基板支持装置１００を用いて処理される前記基板ｗの生産性を向上させることができる。
【００６５】
一方、前記チューブ３０と順次に結合された前記緩衝部７５及び前記ベースプレート７２は、それぞれ前記チューブ３０の内部と連通されるように第１及び第２貫通ホール７６、７４が形成される。これに、前記配線３２は、前記チューブ３０から前記第１及び第２貫通ホール７６、７４を通じて外部に延長された構造を有する。
【００６６】
この際、前記第１絶縁部５０は前記配線３２のように、前記第１及び第２貫通ホール７６、７４を通過して外部に延長された一体型構造を有することができる。
【００６７】
これと異なり、前記第１絶縁部５０は、その組立をより容易にするために、前記チューブ３０までのみ延長された構造を有することができる。これに、前記基板支持装置１００は、前記第１及び第２貫通ホール７６、７４を通じて挿入され前記第１絶縁部５０と結合する第２絶縁部６０を更に含むことができる。
【００６８】
これにより、前記第１及び第２絶縁部５０、６０の組立過程を簡単に説明すると、まず、前記第１絶縁部５０を前記本体部１０のチューブ３０に挿入させる。続いて、前記ベースプレート７２及び前記緩衝部７５からなる前記ベース部７０を前記本体部１０のチューブ３０に結合させる。続いて、前記第２絶縁部６０を前記第１及び第２貫通ホール７６、７４を通じて挿入して前記第１絶縁部５０に結合させる。
【００６９】
このように、前記基板支持装置１００が前記配線３２を絶縁させるための前記第１及び第２絶縁部５０、６０を含むことにより、前記ベース部７０を前記チューブ３０に干渉なしに、より容易に結合させることができる。
【００７０】
一方、前記基板支持装置１００は、前記チューブ３０の外壁を囲みながら前記ベース部７０に装着される保護ブロック８０を更に含む。前記保護ブロック８０は、前記プレート２０の下面と向かい合いながら前記基板ｗを処理するための工程ガスから金属材質からなる前記ベース部７０のベースプレート７２を保護する。
【００７１】
前記保護ブロック８０は、前記プレート２０との間に所定のエアギャップＧを形成する。これは、前記プレート２０に内蔵された前記電極部材２２の発熱電極２４から発生された熱が前記保護ブロック８０に放出されることを防止するためである。
【００７２】
これによって、前記発熱電極２４から発生された熱は、前記プレート２０の下方よりは上方に集中的に伝達され前記プレート上に位置する基板ｗを均一に加熱することができる。これにより、前記基板ｗを対象とする前記蒸着又は前記エッチング工程を前記基板ｗの位置によって均一に進行されるようにして、前記基板ｗの品質が低下することを防止することができる。
【００７３】
又、前記エアギャップＧは、前記蒸着又はエッチング工程を行う時、前記工程を行う空
間で前記工程ガスから前記プラズマを生成しようとする場合、前記プラズマの生成を抑制することができる最小限の距離を有する。
【００７４】
これに、前記エアギャップＧが約０．０５ｍｍ未満である場合、前記保護ブロック８０と前記プレート２０との距離が近すぎて、前記発熱電極２４から発生された熱が前記保護ブロック８０に放出されることができるので好ましくなく、約７ｍｍ以上である場合には前記工程ガスから前記プラズマが発生されることができるので好ましくない。従って、前記エアギャップＧは約０．０５乃至７ｍｍであることが好ましい。又、前記エアギャップＧは約０．１乃至５ｍｍであることがより好ましい。
【００７５】
前記保護ブロック８０は、前記チューブ３０を基準として２つに分割された第１及び第２保護ブロック８２、８４を含む。これにより、前記保護ブロック８０は、前記第１及び第２保護ブロック８２、８４を前記チューブ３０を囲むように位置させた後、自体的な荷重によって前記ベース部７０に装着させながら簡単に組立できる。
【００７６】
又、前記保護ブロック８０を前記第１及び第２保護ブロック８２、８４に分割することにより、その維持補修管理も容易にすることができる。この際、前記第１及び第２保護ブロック８２、８４と前記ベース部７０が接触する位置には、前記第１及び第２保護ブロック８２、８４の動きを防止するために突出部と前記突出部が挿入される溝などが形成されることができる。又、前記保護ブロック８０はそのサイズが大きくなる場合、前記第１及び第２保護ブロック８２、８４のように２つではなく、その以上に分割されることができる。
【００７７】
一方、基板支持装置１００は、前記プレート２０に置かれた前記基板ｗを対象として前記蒸着又は前記エッチング工程が進行される外部空間が真空状態を維持するようにするために、前記チューブ３０と前記第１及び第２貫通ホール７６、７４を遮断する第１及び第２シーリング部９０、９５を更に含む。
【００７８】
前記第１シーリング部９０は、前記チューブ３０の端部と前記緩衝部７５の結合位置に配置され、前記第２シーリング部９５は前記ベース部７０のベースプレート７２と緩衝部７５の結合位置に配置される。
【００７９】
前記第１及び第２シーリング部９０、９５は、通常的に、ゴム材質で形成されるが、本実施例のように、前記外部空間が高温状態及びプラズマ状態からなる場合、相対的に耐腐食性及び耐熱性に優れたシリコン、ヴィトン（ｖｉｔｏｎ）、又はフッ素系列樹脂材質からなることができる。
【００８０】
しかし、前記第１及び第２シーリング部９０、９５は、根本的に、熱に弱い特徴を有する、これに、前記第１及び第２シーリング部９０、９５は、前記ベースプレート７２に形成された前記冷却部７３を通じて熱的劣化がある程度防止されることができる。
【００８１】
又、前記基板支持装置１００は、前記チューブ３０と前記緩衝部７５及び前記緩衝部７５と前記ベースプレート７２との間でこれらをそれぞれ固定させるための第１及び第２結合部材９６、９７を更に含むことができる。前記第１及び第２結合部材９６、９７は、一例として、ボルトで構成されることができる。
【００８２】
このように、前記緩衝部７５が前記チューブ３０と前記ベースプレート７２との間で熱的に膨張することができるので、接着剤ではなく、前記第１及び第２結合部材９６、９７を用いて固定する。
【００８３】
従って、前記チューブ３０、前記緩衝部７５、及び前記ベースプレート７２を別途の接着剤を用いて接着する場合、前記チューブ３０、前記緩衝部７５、及び前記ベースプレート７２の相対運動によって前記接着剤から起因する異物が発生されることができる。従って、前記第１及び第２結合部材９６、９７を用いて前記緩衝部７５を結合することにより、前記接着剤から起因する異物汚染を防止することができる。
【００８４】
図５は、本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に示す構成図である。
【００８５】
本実施例において、基板支持部は、図１乃至図４に図示された基板支持装置と実質的に同じ構成を有するので、同じ参照符号を付与し、その重複される詳細な説明は省略する。
【００８６】
図５を参照すると、本発明の一実施例による基板処理装置１０００は、工程チャンバー２００、ガス提供部３００、及び基板支持部１００を含む。
【００８７】
前記工程チャンバー２００は、半導体素子又は液晶表示パネルの製造のための基板ｗに薄膜を蒸着するか、蒸着された前記薄膜をエッチングする時に必要な空間を提供する。前記工程チャンバー２００は、一般的に、高真空状態を維持することができる。これは、前記薄膜を蒸着するか、エッチングする時、前記工程チャンバー２００で発生する反応がより円滑に行われるようにするためである。
【００８８】
前記ガス提供部３００は、前記工程チャンバー２００と連結される。前記ガス提供部３００は、外部から前記基板ｗを処理するための工程ガスを前記工程チャンバー２００の内部に提供する。例えば、前記ガス提供部３００は、前記工程チャンバー２００内の上部に配置されることができる。
【００８９】
ここで、前記工程ガスは、一例として、前記基板ｗに薄膜を蒸着するときに使用されることができるプラズマ生成のための不活性ガス又は前記薄膜の蒸着のためのソースガス又は前記薄膜をエッチングするときに使用されるエッチング用ガスなどを含むことができる。一方、前記ガス提供部３００が前記工程チャンバー２００内の上部に配置される場合、前記プラズマを生成するために前記ガス提供部３００に高周波電圧が印加されることができる。
【００９０】
前記基板支持部１００は、前記工程チャンバー２００内に配置される。例えば、前記ガス提供部３００が前記工程チャンバー２００内の上部に配置される場合、前記基板支持部１００は、前記ガス提供部３００と向き合う位置に配置されることができる。前記基板支持部１００は、前記ガス提供部３００から提供される前記工程ガスを通じて処理される前記基板ｗを支持する。
【００９１】
前記基板支持部１００は、上面に前記基板ｗが置かれて電極部材２２が内蔵されたプレート２０と前記プレート２０の下面から突出され内部に前記電極部材２２から延長された配線３２が位置したチューブ３０を具備する本体部１０、前記チューブ３０に挿入され前記配線３２をそれぞれ絶縁させながら固定する絶縁部５０及び前記工程チャンバー２００の底面に装着され前記本体部１０を支持するベース部７０を含む。
【００９２】
ここで、前記配線３２は、実質的に、前記ベース部７０を通過して外部に延長された構造を有する。これと異なり、前記配線３２は、前記工程チャンバー２００と結合される面で別途のコネクター（図示せず）によって直接連結されることもできる。ここで、前記コネクター（図示せず）は、外部から前記工程チャンバー２００に挿入される構造を有することができる。
【００９３】
前記ベース部７０は、実質的に前記工程チャンバー２００の底面に装着され前記本体部１０より高い熱膨張率を有するベースプレート７２及び前記ベースプレート７２と前記本体部１０のチューブ３０との間に配置され前記ベースプレート７２と前記本体部１０との間の熱膨張率を有する緩衝部７５を含む。ここで、前記緩衝部７５は、前記ベースプレート７２が熱膨張することにおいて、前記本体部１０が破損されないようにこれを緩衝する。
【００９４】
これに、前記基板支持部１００は、前記チューブ３０の外壁を囲みながら前記ベース部７０に装着される保護ブロック８０を更に含む。前記保護ブロック８０は、前記プレート２０の下面と向き合いながら前記工程ガスから金属材質からなる前記ベース部７０のベースプレート７２を保護する。
【００９５】
一方、前記基板支持部１００は、前記工程チャンバー２００の内部空間が前記配線３２が前記電極部材２２から外部に延長される構造によってその真空状態が干渉されることを防止するために、第１、第２、及び第３シーリング部９０、９５、９６を含む。
【００９６】
前記第１シーリング部９０は、前記チューブ３０の端部と前記緩衝部７５の結合位置に配置され、前記第２シーリング部９５は前記ベース部７０のベースプレート７２と緩衝部７５の結合位置に配置され、前記第３シーリング部９６は前記ベースプレート７２と前記工程チャンバー２００の底面との間に配置される。
【００９７】
前記基板は、半導体素子を製造するためのシリコンウエハー及び平板表示装置を製造するための基板を含む。特に、平板表示装置を製造するための基板は、液晶表示装置を形成するためのガラス基板であって、薄膜トランジスタを形成するためのＴＦＴ基板又はカラーフィルタを形成するためのＣ／Ｆ基板を含む。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
前述した本発明は、本体部のうちチューブの内部に位置した配線の電気的な短絡を防止しながら、ベースプレートの熱膨張によって前記本体部の破損を防止して基板を処理する装置に用いられることができる。
【００９９】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特徴請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１００】
ｗ 基板
１０ 本体部
２０ プレート
３０ チューブ
５０ 第１絶縁部
５４ 埋立体
６０ 第２絶縁部
７０ ベース部
７２ ベースプレート
７５ 緩衝部
８０ 保護ブロック
１００ 基板支持装置
２００ 工程チャンバー
３００ ガス提供部
１０００ 基板処理装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に基板が置かれ、電極部材が内蔵されたプレート及び前記プレートの下面から突出され内部に前記電極部材から延長された多数の配線が位置するチューブを含む本体部と、
前記チューブに挿入され、前記配線を互いに絶縁させるために前記配線が挿入される挿入ホールが形成された絶縁部と、を含む基板支持装置。
【請求項２】
前記チューブの内壁との間の間隔を一定に維持するための埋立体を更に含むことを特徴とする請求項１記載の基板支持装置。
【請求項３】
前記埋立体は、前記絶縁部と接触する突起部を含むことを特徴とする請求項２記載の基板支持装置。
【請求項４】
前記電極部材は発熱電極を含み、
前記本体部を支持するベースプレートと、
前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く、前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する緩衝部と、を更に含むことを特徴とする請求項１記載の基板支持装置。
【請求項５】
前記絶縁部は、前記ベースプレート及び前記緩衝部を通じて延長されることを特徴とする請求項４記載の基板支持装置。
【請求項６】
前記緩衝部及び前記ベースプレートは、それぞれ前記チューブと連通する第１及び第２貫通ホールを有し、
前記第１及び第２貫通ホールを通じて前記絶縁部と結合し、前記配線が個別的に挿入される第２挿入ホールが形成された第２絶縁部を更に含むことを特徴とする請求項４記載の基板支持装置。
【請求項７】
前記チューブの外壁を囲みながら前記プレートと前記ベースプレートとの間に配置され、前記基板を処理するための工程ガスから前記ベースプレートを保護するための保護ブロックを更に含むことを特徴とする請求項４記載の基板支持装置。
【請求項８】
前記保護ブロックは、前記電極部材の発熱電極から発生された熱の損失を防止するために前記プレートと離隔することを特徴とする請求項７記載の基板支持装置。
【請求項９】
前記保護ブロックと前記プレートの間の間隔は０．０５〜７ｍｍであることを特徴とする請求項８記載の基板支持装置。
【請求項１０】
前記保護ブロックは、前記チューブを基準として少なくとも２つが分割された構造を有することを特徴とする請求項７記載の基板支持装置。
【請求項１１】
前記チューブと前記緩衝部との間及び前記緩衝部と前記ベースプレートとの間にそれぞれ配置され、前記チューブの内部空間を外部から遮断するための第１及び第２シーリング部を更に含むことを特徴とする請求項４記載の基板支持装置。
【請求項１２】
前記チューブと前記緩衝部及び前記緩衝部と前記ベースプレートとの間でこれらをそれぞれ結合させるための第１及び第２結合部材を更に含むことを特徴とする請求項４記載の基板支持装置。
【請求項１３】
上面に基板が置かれて発熱電極が内蔵されたプレート及び前記プレートの下面から突出
されたチューブを含む本体部と、
前記本体部を支持するベースプレートと、
前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く、前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する緩衝部と、を含む基板支持装置。
【請求項１４】
前記チューブの外壁を囲みながら前記プレートと前記ベースプレートとの間に配置され、前記基板を処理するための工程ガスから前記ベースプレートを保護するための保護ブロックを更に含むことを特徴とする請求項１３記載の基板支持装置。
【請求項１５】
基板を処理するための空間を提供する工程チャンバーと、
前記工程チャンバーと連結され、前記基板を処理するための工程ガスを前記工程チャンバーの内部に提供するガス提供部と、
前記工程チャンバーの内部に配置され、前記工程ガスを通じて処理される前記基板を支持する基板支持部を含み、
前記基板支持部は、
上面に前記基板が置かれて、電極部材が内蔵されたプレート及び前記プレートの下面から突出され内部に前記電極部材から延長された少なくとも２つの配線が位置するチューブを含む本体部と、
前記チューブに挿入され、前記配線を互いに絶縁させるために、前記配線が個別的に挿入される挿入ホールが形成された絶縁部と、を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１６】
前記電極部材は発熱電極を含み、
前記基板支持部は、
前記本体部を支持するベースプレートと、
前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く、前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する緩衝部と、を更に含むことを特徴とする請求項１５記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記基板支持部は、前記チューブの外壁を囲みながら前記プレートと前記ベースプレートとの間に配置され、前記工程ガスから前記ベースプレートを保護するための保護ブロックを更に含むことを特徴とする請求項１６記載の基板処理装置。
【請求項１】
上面に基板が置かれ、電極部材が内蔵されたプレート及び前記プレートの下面から突出され内部に前記電極部材から延長された多数の配線が位置するチューブを含む本体部と、
前記チューブに挿入され、前記配線を互いに絶縁させるために前記配線が挿入される挿入ホールが形成された絶縁部と、を含む基板支持装置。
【請求項２】
前記チューブの内壁との間の間隔を一定に維持するための埋立体を更に含むことを特徴とする請求項１記載の基板支持装置。
【請求項３】
前記埋立体は、前記絶縁部と接触する突起部を含むことを特徴とする請求項２記載の基板支持装置。
【請求項４】
前記電極部材は発熱電極を含み、
前記本体部を支持するベースプレートと、
前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く、前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する緩衝部と、を更に含むことを特徴とする請求項１記載の基板支持装置。
【請求項５】
前記絶縁部は、前記ベースプレート及び前記緩衝部を通じて延長されることを特徴とする請求項４記載の基板支持装置。
【請求項６】
前記緩衝部及び前記ベースプレートは、それぞれ前記チューブと連通する第１及び第２貫通ホールを有し、
前記第１及び第２貫通ホールを通じて前記絶縁部と結合し、前記配線が個別的に挿入される第２挿入ホールが形成された第２絶縁部を更に含むことを特徴とする請求項４記載の基板支持装置。
【請求項７】
前記チューブの外壁を囲みながら前記プレートと前記ベースプレートとの間に配置され、前記基板を処理するための工程ガスから前記ベースプレートを保護するための保護ブロックを更に含むことを特徴とする請求項４記載の基板支持装置。
【請求項８】
前記保護ブロックは、前記電極部材の発熱電極から発生された熱の損失を防止するために前記プレートと離隔することを特徴とする請求項７記載の基板支持装置。
【請求項９】
前記保護ブロックと前記プレートの間の間隔は０．０５〜７ｍｍであることを特徴とする請求項８記載の基板支持装置。
【請求項１０】
前記保護ブロックは、前記チューブを基準として少なくとも２つが分割された構造を有することを特徴とする請求項７記載の基板支持装置。
【請求項１１】
前記チューブと前記緩衝部との間及び前記緩衝部と前記ベースプレートとの間にそれぞれ配置され、前記チューブの内部空間を外部から遮断するための第１及び第２シーリング部を更に含むことを特徴とする請求項４記載の基板支持装置。
【請求項１２】
前記チューブと前記緩衝部及び前記緩衝部と前記ベースプレートとの間でこれらをそれぞれ結合させるための第１及び第２結合部材を更に含むことを特徴とする請求項４記載の基板支持装置。
【請求項１３】
上面に基板が置かれて発熱電極が内蔵されたプレート及び前記プレートの下面から突出
されたチューブを含む本体部と、
前記本体部を支持するベースプレートと、
前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く、前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する緩衝部と、を含む基板支持装置。
【請求項１４】
前記チューブの外壁を囲みながら前記プレートと前記ベースプレートとの間に配置され、前記基板を処理するための工程ガスから前記ベースプレートを保護するための保護ブロックを更に含むことを特徴とする請求項１３記載の基板支持装置。
【請求項１５】
基板を処理するための空間を提供する工程チャンバーと、
前記工程チャンバーと連結され、前記基板を処理するための工程ガスを前記工程チャンバーの内部に提供するガス提供部と、
前記工程チャンバーの内部に配置され、前記工程ガスを通じて処理される前記基板を支持する基板支持部を含み、
前記基板支持部は、
上面に前記基板が置かれて、電極部材が内蔵されたプレート及び前記プレートの下面から突出され内部に前記電極部材から延長された少なくとも２つの配線が位置するチューブを含む本体部と、
前記チューブに挿入され、前記配線を互いに絶縁させるために、前記配線が個別的に挿入される挿入ホールが形成された絶縁部と、を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１６】
前記電極部材は発熱電極を含み、
前記基板支持部は、
前記本体部を支持するベースプレートと、
前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く、前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する緩衝部と、を更に含むことを特徴とする請求項１５記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記基板支持部は、前記チューブの外壁を囲みながら前記プレートと前記ベースプレートとの間に配置され、前記工程ガスから前記ベースプレートを保護するための保護ブロックを更に含むことを特徴とする請求項１６記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００９−２９０２１３（Ｐ２００９−２９０２１３Ａ）
【公開日】平成２１年１２月１０日（２００９．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１２７８７１（Ｐ２００９−１２７８７１）
【出願日】平成２１年５月２７日（２００９．５．２７）
【出願人】（５０２３９４１８４）コミコ株式会社 (12)
【住所又は居所原語表記】７９，Ｓｉｎｍｏｓａｎ−ｄｏｎｇ，Ａｎｓｅｏｎｇ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ，Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１２月１０日（２００９．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年５月２７日（２００９．５．２７）
【出願人】（５０２３９４１８４）コミコ株式会社 (12)
【住所又は居所原語表記】７９，Ｓｉｎｍｏｓａｎ−ｄｏｎｇ，Ａｎｓｅｏｎｇ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ，Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
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