有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、これを備えた有機電界発光表示装置
【課題】有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、これを備えた平板表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成する段階と、バッファ膜をフォトエッチングして互いに一定間隔で離隔された凹部を形成する段階と、バッファ膜上にソース及びドレインのための電極層を形成する段階と、電極層をフォトエッチングして凹部にソース及びドレイン電極を形成する段階と、ソース及びドレイン電極と上記バッファ膜上に半導体層を形成する段階と、半導体層上にゲート絶縁膜を形成する段階と、ゲート絶縁膜上にゲートを形成する段階と、を含む有機薄膜トランジスタの製造方法である。これにより、半導体層のパターン不良を防止してチャネル領域での短絡現象を防止できる。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成する段階と、バッファ膜をフォトエッチングして互いに一定間隔で離隔された凹部を形成する段階と、バッファ膜上にソース及びドレインのための電極層を形成する段階と、電極層をフォトエッチングして凹部にソース及びドレイン電極を形成する段階と、ソース及びドレイン電極と上記バッファ膜上に半導体層を形成する段階と、半導体層上にゲート絶縁膜を形成する段階と、ゲート絶縁膜上にゲートを形成する段階と、を含む有機薄膜トランジスタの製造方法である。これにより、半導体層のパターン不良を防止してチャネル領域での短絡現象を防止できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光表示装置に係り、より具体的には、ソース及びドレイン電極と基板間の段差を除去して有機半導体層のパターン不良を防止できる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、これを備えた有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機薄膜トランジスタ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＯＴＦＴ）は、次世代のディスプレイ装置の駆動素子として活発な研究が進められている。 ＯＴＦＴは、半導体層としてシリコン膜の代わりに有機膜を使用するものであって、有機膜は、通常的なシリコン薄膜を形成するプラズマ化学蒸着方法の代わりに常圧のプリンティング工程で形成できる。ＯＴＦＴは、プラスチック基板を利用した連続工程(ｒｏｌｌ ｔｏ ｒｏｌｌ）が可能であり、安価の薄膜トランジスタを具現できるという長所がある。
【０００３】
これにより、半導体層として有機膜を使用するＯＴＦＴは、低温工程が可能であるので、フレキシブル有機電界発光表示装置のスイッチング素子として注目されている。特許文献１には、薄膜蒸着時間を短縮させ、正孔移動度を向上させうるペンタセン薄膜トランジスタを開示した。特許文献２には、トランジスタの電気的性能を向上させうるＯＴＦＴの素子構造及びその製造方法を開示した。また、特許文献３には、チャネル領域がラジカルを有する有機化合物から構成されて、キャリア移動度及びオン／オフ電流比を向上させうる薄膜トランジスタを開示した。
【０００４】
ＯＴＦＴは、有機膜の材料によってオリゴチオフェン、ペンタセンのような低分子有機物薄膜トランジスタと、ポリチオフェン系のような高分子有機物薄膜トランジスタとに分類される。
【０００５】
また、ＯＴＦＴは、ゲートの形成位置によって有機半導体層の上部にゲートが配列されるトップゲート構造の薄膜トランジスタと、有機半導体層の下部にゲートが配列されるボトムゲート構造の薄膜トランジスタとに分類される。
【０００６】
図１は、従来のトップゲート方式のＯＴＦＴを示した断面図である。図１を参照すれば、従来のトップゲート方式のＯＴＦＴ１００は、基板１１０上にソース及びドレイン電極１２１、１２５が形成され、前記ソース及びドレイン電極１２１、１２５上に有機半導体層１３０が形成され、前記半導体層１３０上にゲート絶縁膜１４０が形成され、前記ゲート絶縁膜１４０上にゲート１５０が形成された構造を有する。
【０００７】
基板上にソース及びドレイン電極１２１、１２５を形成した後、有機半導体層１３０及びゲート絶縁膜１４０をコーティングまたは蒸着方式で形成する。特に、有機半導体層１３０をコーティング方式で蒸着する時、メタル配線であるソース及びドレイン電極１２１、１２５の厚さが増加すれば、半導体層１３０を厚く形成しなければならない。前記有機半導体層１３０は、ソース及びドレイン電極１２１、１２５の間に対応する部分がチャネル領域として作用する。したがって、半導体層１３０が一定厚さ以上に形成される場合には、チャネル形成のメカニズムによってチャネル層が適正に導電状態にならないか、またはチャネル層を導電状態にするために駆動電圧を上昇させねばならない。
【０００８】
したがって、有機半導体層は、所定の駆動電圧でチャネル層を容易に形成できる厚さに形成されねばならないが、メタル配線であるソース及びドレイン電極１２１、１２５の厚さに比べて有機半導体層の厚さが薄く形成される場合には、ソース及びドレイン電極のエッジ部分(図１のＡ部分)で静電気(ＥＳＤ)に脆弱であるか、または悪いステップカバレジにより半導体層のパターン不良が発生し、これによって、チャネル領域で短絡現象が発生するという問題点があった。
【特許文献１】韓国特許出願公開第２００４／００２８０１０号明細書
【特許文献２】韓国特許出願公開第２００４／００８４４２７号明細書
【特許文献３】特開２００３−９２４１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、前記問題点を解決するためのものであって、本発明の目的は、ソース及びドレイン電極と基板間の段差を減少させて、有機半導体層のパターン不良を防止できるＯＴＦＴ及びその製造方法を提供することである。
【００１０】
本発明の他の目的は、ソース及びドレイン電極と基板間の段差が減少したＯＴＦＴを備えた平板表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明は、基板上にバッファ膜を形成する段階と、前記バッファ膜をフォトエッチングして互いに一定間隔で離隔された凹部を形成する段階と、前記バッファ膜上にソース及びドレインのための電極層を形成する段階と、前記電極層をフォトエッチングして前記凹部にソース及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース及びドレイン電極と前記バッファ膜上に半導体層を形成する段階と、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上にゲートを形成する段階と、を含む薄膜トランジスタの製造方法を提供することを特徴とする。
【００１２】
前記基板は、ガラス基板、プラスチック基板及び金属基板から選択される基板を含む。前記バッファ膜は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜から選択される単層膜または多層膜の絶縁膜を含む。前記半導体層は、有機半導体物質を含む。前記凹部は、溝状または開口部の形態を有する。
【００１３】
また、本発明は、基板と、前記基板上に形成され、互いに一定間隔で離隔された凹部を備えるバッファ膜と、前記バッファ膜の凹部に形成されたソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極と前記バッファ膜上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲートと、を備える薄膜トランジスタを提供することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、基板と、前記基板上に形成され、互いに一定間隔で離隔して形成された凹部を備えるバッファ膜と、前記バッファ膜の凹部に形成されたソース及びドレイン電極、半導体層、及びゲートを備える薄膜トランジスタと、前記ソース及びドレイン電極のうち一つから延びて前記凹部に形成されたキャパシタの下部電極及び上部電極と、前記半導体層とゲートとの間、そしてキャパシタの上部電極と下部電極との間に介在した絶縁膜と、前記ソース及びドレイン電極のうち他の一つに連結される下部電極、前記下部電極上に形成された有機薄膜層、及び前記有機薄膜層上に形成された上部電極を備える有機電界発光素子と、を備える有機電界発光表示装置を提供する。
【００１５】
前記バッファ膜は無機絶縁膜を含み、前記半導体層は有機半導体層を含み、前記有機電界発光表示装置はフレキシブル有機電界発光表示装置を含む。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、絶縁膜に溝を形成した後、前記溝にソース及びドレイン電極を形成することによって、ソース及びドレイン電極と基板間の段差を除去して、半導体層のチャネル領域が断線される不良を防止できる。また、ソース及びドレイン電極のエッジ部分での静電気を防止できるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照して説明する。
図２は本発明の実施形態によるＯＴＦＴの断面図である。
図２を参照すれば、本発明の実施形態によるＯＴＦＴ２００は、基板２１０上に互いに一定間隔をおいて配列される凹部２２１、２２５を有する絶縁膜２２０を備える。この時、前記凹部２２１、２２５は、溝状である。前記絶縁膜２２０に形成された溝２２１、２２５にソース及びドレイン電極２３１、２３５が形成される。前記ソース及びドレイン電極２３１、２３５と絶縁膜２２０上に有機半導体層２５０が形成され、前記半導体層２５０上にゲート絶縁膜２６０が形成される。ソース及びドレイン電極２３１、２３５の間のゲート絶縁膜２６０上にゲート２７０が形成される。
【００１８】
前記基板２１０は、ガラス基板、プラスチック基板または金属基板を含む。この時、金属基板は、望ましくは、ステンレス鋼(ＳＵＳ： Ｓｔｅｅｌ Ｕｓｅ Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ)のような金属物質を含む。また、プラスチック基板は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）のようなプラスチックフィルムを含む。
【００１９】
前記絶縁膜２２０は、バッファ層であって、単一層またはマルチ層の無機絶縁膜を含む。前記絶縁膜２２０は、望ましくは、酸化膜または窒化膜のような無機絶縁膜を含む。本発明の実施形態では、前記絶縁膜に溝状の凹部を形成し、前記溝にソース／ドレイン電極を形成すると例示したが、これに限定されるものではなく、基板２１０の一部を露出させる開口部の形態の凹部を絶縁膜に形成し、前記開口部にソース／ドレイン電極を形成しても良い。
【００２０】
前記基板２１０としてガラス基板またはプラスチック基板を使用する場合、前記絶縁膜２２０は、バッファ膜として使われるので、ソース及びドレイン電極２３１、２３５の厚さと等しいか厚い。また、前記溝２２１、２２５は、ソース及びドレイン電極２３１、２３５の厚さを考慮して深さを有することが望ましい。
【００２１】
一方、前記基板２１０として金属基板を使用する場合、前記絶縁膜２２０は、バッファ膜だけでなく、基板２１０とソース及びドレイン電極２３１、２３５間の絶縁のための絶縁膜として使われるので、前記ソース及びドレイン電極２３１、２３５の厚さだけでなく、絶縁のための厚さを考慮して厚さを有することが望ましい。また、前記溝２２１、２２５は、ソース及びドレイン電極２３１、２３５の厚さだけでなく、絶縁のための厚さを考慮して深さを有することが望ましい。
【００２２】
前記半導体層２５０は、有機半導体層を含み、前記半導体層２５０は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、アルファ−６−チオフェン、ぺリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ぺリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ぺリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリプロレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリチオフェン−ヘテロ環芳香族共重合体及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びその誘導体、アルファ−５−チオフェンのオリゴチオフェン及びその誘導体、金属含有または非含有のフタロシアニン及びその誘導体、ピロメリット酸二無水物及びその誘導体、ピロメリット酸ジイミド及びその誘導体、ぺリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体から選択される少なくとも一つの有機膜を備える。
【００２３】
ＯＴＦＴ２００は、絶縁膜２２０に形成された溝２２１、２２５内にソース及びドレイン電極２３１、２３５が形成されるので、基板とソース及びドレイン電極２３１、２３５間の段差が除去され、ソース及びドレイン電極２３１、２３５の厚さに関係なくパターン不良のない半導体層２５０を形成できる。前記有機半導体層２５０が基板全面に形成されるものと例示されたが、隣接する薄膜トランジスタとは互いに分離させてパターニングしても良い。
【００２４】
図３Ａないし図３Ｆは、本発明の実施形態によるＯＴＦＴの製造方法を説明する断面図である。
図３Ａを参照すれば、基板２１０上に絶縁膜２２０としてバッファ層が形成される。前記基板２１０は、プラスチック基板、ガラス基板または金属基板を含み、前記バッファ層２２０は、少なくとも１つ以上の無機絶縁膜を含む。図３Ｂを参照すれば、前記絶縁膜２２０に互いに一定間隔で離隔して配列されるソース及びドレイン電極のための凹部を前記絶縁膜２２０に形成する。この時、前記溝２２１、２２５は、通常的なフォトエッチング方法を用いて前記絶縁膜２２０をエッチングして形成する。前記溝２２１、２２５は、後続工程で形成されるソース及びドレイン領域２３１、２３５の厚さにより、その深さが決定される。
【００２５】
図３Ｃを参照すれば、前記溝２２１、２２５を備えた絶縁膜２２０上にソース及びドレインのための電極層２３０をスパッタリング法を利用して形成する。前記電極層２３０は、スパッタリング方式を利用して蒸着する方法の他にコーティング法のような多様な方法で形成可能である。図３Ｄを参照すれば、前記電極層２３０上にマスクパターン２４１、２４５、例えば感光膜パターンを形成する。前記マスクパターン２４１、２４５は、ソース及びドレイン電極の形成のためのマスクとして作用するので、前記溝２２１、２２５に対応して形成される。
【００２６】
図３Ｅを参照すれば、前記電極層２３０を前記マスクパターン２４１、２４５を利用してパターニングしてソース及びドレイン電極２３１、２３５を形成する。これにより、前記絶縁膜２２０の溝２２１、２２５内にソース及びドレイン電極２３１、２３５が形成されるので、前記ソース及びドレイン電極２３１、２３５と基板、すなわちソース及びドレイン電極２３１、２３５と絶縁膜２２０間の段差が除去または緩和される。
【００２７】
図３Ｆを参照すれば、前記ソース及びドレイン電極２３１、２３５と絶縁膜２２０上に半導体層２５０を形成する。前記半導体層２５０は、有機半導体層を含む。次いで、前記半導体層２５０上にゲート絶縁膜２６０とゲート２７０とを形成すれば、図２に示したような一実施形態によるＯＴＦＴ２００が製造される。
【００２８】
本発明の一実施形態は、トップゲート構造を有する薄膜トランジスタにおいて、バッファ膜に溝を形成し、溝にソース／ドレイン電極を形成してソース及びドレイン電極と基板間の段差を除去することを例示したが、ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜に溝を形成してソース及びドレイン電極を形成することによって、ソース及びドレイン電極と基板間の段差を除去しても良い。
【００２９】
図４は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタを備えた有機電界発光表示装置の断面図である。図４は、有機電界発光表示装置を構成する複数の画素のうち一つの画素についての断面図であって、一つの画素を構成する有機電界発光素子(ＥＬ素子)と前記ＥＬ素子を駆動するための駆動薄膜トランジスタ及びキャパシタに限定して示したものである。
【００３０】
図４を参照すれば、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置３００は、基板３１０上に互いに一定間隔をおいて配列される溝３２１、３２５を備える絶縁膜３２０を備える。前記基板３１０は、ガラス基板、プラスチック基板または金属基板を含む。前記絶縁膜３２０は、バッファ層として窒化膜または酸化膜のような無機絶縁膜を少なくとも１つ以上スパッタリング法で蒸着形成する。前記溝３２１、３２５は、一般的なフォトエッチング法を利用して絶縁膜３２０をエッチングして形成する。
【００３１】
前記絶縁膜３２０の溝３２１にソース電極３３１が形成され、また前記ソース電極３３１から延長形成されるキャパシタの下部電極３３７が形成される。前記溝３２５内に前記ドレイン電極３３５が形成される。ソース及びドレイン電極３３１、３３５及びキャパシタの下部電極３３７は、ソース／ドレイン電極物質を蒸着した後、一般的なフォトエッチング工程を通じて前記溝３２１、３２５内にのみ残るようにエッチングして形成する。
【００３２】
前記ソース及びドレイン電極３３１、３３５、キャパシタの下部電極３３７、及び絶縁膜３２０上に半導体層３４０が形成され、前記半導体層３４０上にゲート絶縁膜３４５が形成される。前記ゲート絶縁膜３４５のうち前記ソース及びドレイン電極３３１、３３５の間に対応する部分にゲート３５０が形成され、前記キャパシタの下部電極３３７に対応する部分にキャパシタの上部電極３５７が形成される。前記ゲート電極３５０とキャパシタの上部電極３５７及びゲート絶縁膜３４５上に保護膜３６０が形成され、前記保護膜３６０上にビアホール３６５を通じて前記ソース及びドレイン電極２３１、２３５のうち他の一つ、例えばドレイン電極３３５に連結される下部電極３７０としてアノード電極が形成される。
【００３３】
前記下部電極３７０の一部を露出させる開口部３８５を備える画素分離膜３８０が形成され、前記画素分離膜３８０の開口部３８５内に有機膜層３９０を形成した後、基板上に上部電極３９５としてカソード電極が形成される。前記有機膜層３９０は、前記正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び正孔抑制層から選択される一つ以上の有機膜を含む。
【００３４】
本発明は、図２に示したＯＴＦＴ及び図４に示した有機電界発光表示装置の断面構造に限定されるものではなく、基板のバッファ層上に溝を形成し、溝にソース／ドレイン電極を形成する構造は何れも適用可能であり、液晶表示装置のようなスイッチング素子として薄膜トランジスタを使用する平板表示装置には、何れも適用可能である。本発明の実施形態には、前記絶縁膜を一般的なフォトエッチング方法でエッチングして溝を形成すると例示したが、これに必ずしも限定されるものではなく、多様なエッチング方法を通じて絶縁膜をエッチングして溝を形成しても良い。
【００３５】
以上、本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、当業者は、特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更可能であるということを理解できるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、有機電界発光表示装置だけでなく、液晶表示素子(ＬＣＤ）のような平板表示装置の駆動素子として利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】従来のＯＴＦＴの断面図である。
【図２】本発明の実施形態によるＯＴＦＴの断面図である。
【図３Ａ】本発明の実施形態によるＯＴＦＴの製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態によるＯＴＦＴの製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｃ】本発明の実施形態によるＯＴＦＴの製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｄ】本発明の実施形態によるＯＴＦＴの製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｅ】本発明の実施形態によるＯＴＦＴの製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｆ】本発明の実施形態によるＯＴＦＴの製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
２００、３００ 有機薄膜トランジスタ
２１０、３１０ 基板
２２０、３２０ 絶縁膜
２２１、２２５、３２１、３２５ 溝
２３１、２３５、３３１、３３５ ソース及びドレイン電極
２３０ 電極層
２４１、２４５ マスクパターン
２５０、３４０ 半導体層
２６０、３４５ ゲート絶縁膜
２７０、３５０ ゲート
３３７、３７０ 下部電極
３５７ 上部電極
３６０ 保護膜
３６５ バイアホール
３８０ 画素分離膜
３８５ 開口部
３９０ 有機膜層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光表示装置に係り、より具体的には、ソース及びドレイン電極と基板間の段差を除去して有機半導体層のパターン不良を防止できる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、これを備えた有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機薄膜トランジスタ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＯＴＦＴ）は、次世代のディスプレイ装置の駆動素子として活発な研究が進められている。 ＯＴＦＴは、半導体層としてシリコン膜の代わりに有機膜を使用するものであって、有機膜は、通常的なシリコン薄膜を形成するプラズマ化学蒸着方法の代わりに常圧のプリンティング工程で形成できる。ＯＴＦＴは、プラスチック基板を利用した連続工程(ｒｏｌｌ ｔｏ ｒｏｌｌ）が可能であり、安価の薄膜トランジスタを具現できるという長所がある。
【０００３】
これにより、半導体層として有機膜を使用するＯＴＦＴは、低温工程が可能であるので、フレキシブル有機電界発光表示装置のスイッチング素子として注目されている。特許文献１には、薄膜蒸着時間を短縮させ、正孔移動度を向上させうるペンタセン薄膜トランジスタを開示した。特許文献２には、トランジスタの電気的性能を向上させうるＯＴＦＴの素子構造及びその製造方法を開示した。また、特許文献３には、チャネル領域がラジカルを有する有機化合物から構成されて、キャリア移動度及びオン／オフ電流比を向上させうる薄膜トランジスタを開示した。
【０００４】
ＯＴＦＴは、有機膜の材料によってオリゴチオフェン、ペンタセンのような低分子有機物薄膜トランジスタと、ポリチオフェン系のような高分子有機物薄膜トランジスタとに分類される。
【０００５】
また、ＯＴＦＴは、ゲートの形成位置によって有機半導体層の上部にゲートが配列されるトップゲート構造の薄膜トランジスタと、有機半導体層の下部にゲートが配列されるボトムゲート構造の薄膜トランジスタとに分類される。
【０００６】
図１は、従来のトップゲート方式のＯＴＦＴを示した断面図である。図１を参照すれば、従来のトップゲート方式のＯＴＦＴ１００は、基板１１０上にソース及びドレイン電極１２１、１２５が形成され、前記ソース及びドレイン電極１２１、１２５上に有機半導体層１３０が形成され、前記半導体層１３０上にゲート絶縁膜１４０が形成され、前記ゲート絶縁膜１４０上にゲート１５０が形成された構造を有する。
【０００７】
基板上にソース及びドレイン電極１２１、１２５を形成した後、有機半導体層１３０及びゲート絶縁膜１４０をコーティングまたは蒸着方式で形成する。特に、有機半導体層１３０をコーティング方式で蒸着する時、メタル配線であるソース及びドレイン電極１２１、１２５の厚さが増加すれば、半導体層１３０を厚く形成しなければならない。前記有機半導体層１３０は、ソース及びドレイン電極１２１、１２５の間に対応する部分がチャネル領域として作用する。したがって、半導体層１３０が一定厚さ以上に形成される場合には、チャネル形成のメカニズムによってチャネル層が適正に導電状態にならないか、またはチャネル層を導電状態にするために駆動電圧を上昇させねばならない。
【０００８】
したがって、有機半導体層は、所定の駆動電圧でチャネル層を容易に形成できる厚さに形成されねばならないが、メタル配線であるソース及びドレイン電極１２１、１２５の厚さに比べて有機半導体層の厚さが薄く形成される場合には、ソース及びドレイン電極のエッジ部分(図１のＡ部分)で静電気(ＥＳＤ)に脆弱であるか、または悪いステップカバレジにより半導体層のパターン不良が発生し、これによって、チャネル領域で短絡現象が発生するという問題点があった。
【特許文献１】韓国特許出願公開第２００４／００２８０１０号明細書
【特許文献２】韓国特許出願公開第２００４／００８４４２７号明細書
【特許文献３】特開２００３−９２４１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、前記問題点を解決するためのものであって、本発明の目的は、ソース及びドレイン電極と基板間の段差を減少させて、有機半導体層のパターン不良を防止できるＯＴＦＴ及びその製造方法を提供することである。
【００１０】
本発明の他の目的は、ソース及びドレイン電極と基板間の段差が減少したＯＴＦＴを備えた平板表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明は、基板上にバッファ膜を形成する段階と、前記バッファ膜をフォトエッチングして互いに一定間隔で離隔された凹部を形成する段階と、前記バッファ膜上にソース及びドレインのための電極層を形成する段階と、前記電極層をフォトエッチングして前記凹部にソース及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース及びドレイン電極と前記バッファ膜上に半導体層を形成する段階と、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上にゲートを形成する段階と、を含む薄膜トランジスタの製造方法を提供することを特徴とする。
【００１２】
前記基板は、ガラス基板、プラスチック基板及び金属基板から選択される基板を含む。前記バッファ膜は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜から選択される単層膜または多層膜の絶縁膜を含む。前記半導体層は、有機半導体物質を含む。前記凹部は、溝状または開口部の形態を有する。
【００１３】
また、本発明は、基板と、前記基板上に形成され、互いに一定間隔で離隔された凹部を備えるバッファ膜と、前記バッファ膜の凹部に形成されたソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極と前記バッファ膜上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲートと、を備える薄膜トランジスタを提供することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、基板と、前記基板上に形成され、互いに一定間隔で離隔して形成された凹部を備えるバッファ膜と、前記バッファ膜の凹部に形成されたソース及びドレイン電極、半導体層、及びゲートを備える薄膜トランジスタと、前記ソース及びドレイン電極のうち一つから延びて前記凹部に形成されたキャパシタの下部電極及び上部電極と、前記半導体層とゲートとの間、そしてキャパシタの上部電極と下部電極との間に介在した絶縁膜と、前記ソース及びドレイン電極のうち他の一つに連結される下部電極、前記下部電極上に形成された有機薄膜層、及び前記有機薄膜層上に形成された上部電極を備える有機電界発光素子と、を備える有機電界発光表示装置を提供する。
【００１５】
前記バッファ膜は無機絶縁膜を含み、前記半導体層は有機半導体層を含み、前記有機電界発光表示装置はフレキシブル有機電界発光表示装置を含む。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、絶縁膜に溝を形成した後、前記溝にソース及びドレイン電極を形成することによって、ソース及びドレイン電極と基板間の段差を除去して、半導体層のチャネル領域が断線される不良を防止できる。また、ソース及びドレイン電極のエッジ部分での静電気を防止できるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照して説明する。
図２は本発明の実施形態によるＯＴＦＴの断面図である。
図２を参照すれば、本発明の実施形態によるＯＴＦＴ２００は、基板２１０上に互いに一定間隔をおいて配列される凹部２２１、２２５を有する絶縁膜２２０を備える。この時、前記凹部２２１、２２５は、溝状である。前記絶縁膜２２０に形成された溝２２１、２２５にソース及びドレイン電極２３１、２３５が形成される。前記ソース及びドレイン電極２３１、２３５と絶縁膜２２０上に有機半導体層２５０が形成され、前記半導体層２５０上にゲート絶縁膜２６０が形成される。ソース及びドレイン電極２３１、２３５の間のゲート絶縁膜２６０上にゲート２７０が形成される。
【００１８】
前記基板２１０は、ガラス基板、プラスチック基板または金属基板を含む。この時、金属基板は、望ましくは、ステンレス鋼(ＳＵＳ： Ｓｔｅｅｌ Ｕｓｅ Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ)のような金属物質を含む。また、プラスチック基板は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）のようなプラスチックフィルムを含む。
【００１９】
前記絶縁膜２２０は、バッファ層であって、単一層またはマルチ層の無機絶縁膜を含む。前記絶縁膜２２０は、望ましくは、酸化膜または窒化膜のような無機絶縁膜を含む。本発明の実施形態では、前記絶縁膜に溝状の凹部を形成し、前記溝にソース／ドレイン電極を形成すると例示したが、これに限定されるものではなく、基板２１０の一部を露出させる開口部の形態の凹部を絶縁膜に形成し、前記開口部にソース／ドレイン電極を形成しても良い。
【００２０】
前記基板２１０としてガラス基板またはプラスチック基板を使用する場合、前記絶縁膜２２０は、バッファ膜として使われるので、ソース及びドレイン電極２３１、２３５の厚さと等しいか厚い。また、前記溝２２１、２２５は、ソース及びドレイン電極２３１、２３５の厚さを考慮して深さを有することが望ましい。
【００２１】
一方、前記基板２１０として金属基板を使用する場合、前記絶縁膜２２０は、バッファ膜だけでなく、基板２１０とソース及びドレイン電極２３１、２３５間の絶縁のための絶縁膜として使われるので、前記ソース及びドレイン電極２３１、２３５の厚さだけでなく、絶縁のための厚さを考慮して厚さを有することが望ましい。また、前記溝２２１、２２５は、ソース及びドレイン電極２３１、２３５の厚さだけでなく、絶縁のための厚さを考慮して深さを有することが望ましい。
【００２２】
前記半導体層２５０は、有機半導体層を含み、前記半導体層２５０は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、アルファ−６−チオフェン、ぺリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ぺリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ぺリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリプロレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリチオフェン−ヘテロ環芳香族共重合体及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びその誘導体、アルファ−５−チオフェンのオリゴチオフェン及びその誘導体、金属含有または非含有のフタロシアニン及びその誘導体、ピロメリット酸二無水物及びその誘導体、ピロメリット酸ジイミド及びその誘導体、ぺリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体から選択される少なくとも一つの有機膜を備える。
【００２３】
ＯＴＦＴ２００は、絶縁膜２２０に形成された溝２２１、２２５内にソース及びドレイン電極２３１、２３５が形成されるので、基板とソース及びドレイン電極２３１、２３５間の段差が除去され、ソース及びドレイン電極２３１、２３５の厚さに関係なくパターン不良のない半導体層２５０を形成できる。前記有機半導体層２５０が基板全面に形成されるものと例示されたが、隣接する薄膜トランジスタとは互いに分離させてパターニングしても良い。
【００２４】
図３Ａないし図３Ｆは、本発明の実施形態によるＯＴＦＴの製造方法を説明する断面図である。
図３Ａを参照すれば、基板２１０上に絶縁膜２２０としてバッファ層が形成される。前記基板２１０は、プラスチック基板、ガラス基板または金属基板を含み、前記バッファ層２２０は、少なくとも１つ以上の無機絶縁膜を含む。図３Ｂを参照すれば、前記絶縁膜２２０に互いに一定間隔で離隔して配列されるソース及びドレイン電極のための凹部を前記絶縁膜２２０に形成する。この時、前記溝２２１、２２５は、通常的なフォトエッチング方法を用いて前記絶縁膜２２０をエッチングして形成する。前記溝２２１、２２５は、後続工程で形成されるソース及びドレイン領域２３１、２３５の厚さにより、その深さが決定される。
【００２５】
図３Ｃを参照すれば、前記溝２２１、２２５を備えた絶縁膜２２０上にソース及びドレインのための電極層２３０をスパッタリング法を利用して形成する。前記電極層２３０は、スパッタリング方式を利用して蒸着する方法の他にコーティング法のような多様な方法で形成可能である。図３Ｄを参照すれば、前記電極層２３０上にマスクパターン２４１、２４５、例えば感光膜パターンを形成する。前記マスクパターン２４１、２４５は、ソース及びドレイン電極の形成のためのマスクとして作用するので、前記溝２２１、２２５に対応して形成される。
【００２６】
図３Ｅを参照すれば、前記電極層２３０を前記マスクパターン２４１、２４５を利用してパターニングしてソース及びドレイン電極２３１、２３５を形成する。これにより、前記絶縁膜２２０の溝２２１、２２５内にソース及びドレイン電極２３１、２３５が形成されるので、前記ソース及びドレイン電極２３１、２３５と基板、すなわちソース及びドレイン電極２３１、２３５と絶縁膜２２０間の段差が除去または緩和される。
【００２７】
図３Ｆを参照すれば、前記ソース及びドレイン電極２３１、２３５と絶縁膜２２０上に半導体層２５０を形成する。前記半導体層２５０は、有機半導体層を含む。次いで、前記半導体層２５０上にゲート絶縁膜２６０とゲート２７０とを形成すれば、図２に示したような一実施形態によるＯＴＦＴ２００が製造される。
【００２８】
本発明の一実施形態は、トップゲート構造を有する薄膜トランジスタにおいて、バッファ膜に溝を形成し、溝にソース／ドレイン電極を形成してソース及びドレイン電極と基板間の段差を除去することを例示したが、ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜に溝を形成してソース及びドレイン電極を形成することによって、ソース及びドレイン電極と基板間の段差を除去しても良い。
【００２９】
図４は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタを備えた有機電界発光表示装置の断面図である。図４は、有機電界発光表示装置を構成する複数の画素のうち一つの画素についての断面図であって、一つの画素を構成する有機電界発光素子(ＥＬ素子)と前記ＥＬ素子を駆動するための駆動薄膜トランジスタ及びキャパシタに限定して示したものである。
【００３０】
図４を参照すれば、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置３００は、基板３１０上に互いに一定間隔をおいて配列される溝３２１、３２５を備える絶縁膜３２０を備える。前記基板３１０は、ガラス基板、プラスチック基板または金属基板を含む。前記絶縁膜３２０は、バッファ層として窒化膜または酸化膜のような無機絶縁膜を少なくとも１つ以上スパッタリング法で蒸着形成する。前記溝３２１、３２５は、一般的なフォトエッチング法を利用して絶縁膜３２０をエッチングして形成する。
【００３１】
前記絶縁膜３２０の溝３２１にソース電極３３１が形成され、また前記ソース電極３３１から延長形成されるキャパシタの下部電極３３７が形成される。前記溝３２５内に前記ドレイン電極３３５が形成される。ソース及びドレイン電極３３１、３３５及びキャパシタの下部電極３３７は、ソース／ドレイン電極物質を蒸着した後、一般的なフォトエッチング工程を通じて前記溝３２１、３２５内にのみ残るようにエッチングして形成する。
【００３２】
前記ソース及びドレイン電極３３１、３３５、キャパシタの下部電極３３７、及び絶縁膜３２０上に半導体層３４０が形成され、前記半導体層３４０上にゲート絶縁膜３４５が形成される。前記ゲート絶縁膜３４５のうち前記ソース及びドレイン電極３３１、３３５の間に対応する部分にゲート３５０が形成され、前記キャパシタの下部電極３３７に対応する部分にキャパシタの上部電極３５７が形成される。前記ゲート電極３５０とキャパシタの上部電極３５７及びゲート絶縁膜３４５上に保護膜３６０が形成され、前記保護膜３６０上にビアホール３６５を通じて前記ソース及びドレイン電極２３１、２３５のうち他の一つ、例えばドレイン電極３３５に連結される下部電極３７０としてアノード電極が形成される。
【００３３】
前記下部電極３７０の一部を露出させる開口部３８５を備える画素分離膜３８０が形成され、前記画素分離膜３８０の開口部３８５内に有機膜層３９０を形成した後、基板上に上部電極３９５としてカソード電極が形成される。前記有機膜層３９０は、前記正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び正孔抑制層から選択される一つ以上の有機膜を含む。
【００３４】
本発明は、図２に示したＯＴＦＴ及び図４に示した有機電界発光表示装置の断面構造に限定されるものではなく、基板のバッファ層上に溝を形成し、溝にソース／ドレイン電極を形成する構造は何れも適用可能であり、液晶表示装置のようなスイッチング素子として薄膜トランジスタを使用する平板表示装置には、何れも適用可能である。本発明の実施形態には、前記絶縁膜を一般的なフォトエッチング方法でエッチングして溝を形成すると例示したが、これに必ずしも限定されるものではなく、多様なエッチング方法を通じて絶縁膜をエッチングして溝を形成しても良い。
【００３５】
以上、本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、当業者は、特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更可能であるということを理解できるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、有機電界発光表示装置だけでなく、液晶表示素子(ＬＣＤ）のような平板表示装置の駆動素子として利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】従来のＯＴＦＴの断面図である。
【図２】本発明の実施形態によるＯＴＦＴの断面図である。
【図３Ａ】本発明の実施形態によるＯＴＦＴの製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態によるＯＴＦＴの製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｃ】本発明の実施形態によるＯＴＦＴの製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｄ】本発明の実施形態によるＯＴＦＴの製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｅ】本発明の実施形態によるＯＴＦＴの製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｆ】本発明の実施形態によるＯＴＦＴの製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
２００、３００ 有機薄膜トランジスタ
２１０、３１０ 基板
２２０、３２０ 絶縁膜
２２１、２２５、３２１、３２５ 溝
２３１、２３５、３３１、３３５ ソース及びドレイン電極
２３０ 電極層
２４１、２４５ マスクパターン
２５０、３４０ 半導体層
２６０、３４５ ゲート絶縁膜
２７０、３５０ ゲート
３３７、３７０ 下部電極
３５７ 上部電極
３６０ 保護膜
３６５ バイアホール
３８０ 画素分離膜
３８５ 開口部
３９０ 有機膜層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にバッファ膜を形成する段階と、
前記バッファ膜をフォトエッチングして互いに一定間隔で離隔された凹部を形成する段階と、
前記バッファ膜上にソース及びドレインのための電極層を形成する段階と、
前記電極層をフォトエッチングして前記凹部にソース及びドレイン電極を形成する段階と、
前記ソース及びドレイン電極と前記バッファ膜上に半導体層を形成する段階と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にゲートを形成する段階と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記基板は、ガラス基板、プラスチック基板及び金属基板から選択される基板を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記バッファ膜は、絶縁膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜から選択される単層膜または多層膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記半導体層は、有機半導体物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記凹部は、溝状または開口部の形態を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に形成され、互いに一定間隔で離隔された凹部を備えるバッファ膜と、
前記バッファ膜の凹部に形成されたソース及びドレイン電極と、
前記ソース及びドレイン電極と前記バッファ膜上に形成された半導体層と、
前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲートと、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記基板は、ガラス基板、プラスチック基板及び金属基板から選択される基板を含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記バッファ膜は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜から選択される単層膜または多層膜を含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
前記半導体層は、有機半導体物質を含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
前記凹部は、溝状または開口部の形態を有することを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に形成され、互いに一定間隔で離隔して形成された凹部を備えるバッファ膜と、
前記バッファ膜の凹部に形成されたソース及びドレイン電極、半導体層、及びゲートを備える薄膜トランジスタと、
前記半導体層とゲートとの間に介在した絶縁膜と、
前記ソース及びドレイン電極のうち一つに連結される下部電極、前記下部電極上に形成された有機薄膜層、及び前記有機薄膜層上に形成された上部電極を備える有機電界発光素子と、を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記バッファ膜は、無機絶縁膜を含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記バッファ膜は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜から選択される単層膜または多層膜を含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記基板は、ガラス基板、プラスチック基板及び金属基板から選択される基板を含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記半導体層は、有機半導体層を含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記凹部は、溝状または開口部の形態を有することを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１】
基板上にバッファ膜を形成する段階と、
前記バッファ膜をフォトエッチングして互いに一定間隔で離隔された凹部を形成する段階と、
前記バッファ膜上にソース及びドレインのための電極層を形成する段階と、
前記電極層をフォトエッチングして前記凹部にソース及びドレイン電極を形成する段階と、
前記ソース及びドレイン電極と前記バッファ膜上に半導体層を形成する段階と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にゲートを形成する段階と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記基板は、ガラス基板、プラスチック基板及び金属基板から選択される基板を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記バッファ膜は、絶縁膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜から選択される単層膜または多層膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記半導体層は、有機半導体物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記凹部は、溝状または開口部の形態を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に形成され、互いに一定間隔で離隔された凹部を備えるバッファ膜と、
前記バッファ膜の凹部に形成されたソース及びドレイン電極と、
前記ソース及びドレイン電極と前記バッファ膜上に形成された半導体層と、
前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲートと、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記基板は、ガラス基板、プラスチック基板及び金属基板から選択される基板を含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記バッファ膜は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜から選択される単層膜または多層膜を含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
前記半導体層は、有機半導体物質を含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
前記凹部は、溝状または開口部の形態を有することを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に形成され、互いに一定間隔で離隔して形成された凹部を備えるバッファ膜と、
前記バッファ膜の凹部に形成されたソース及びドレイン電極、半導体層、及びゲートを備える薄膜トランジスタと、
前記半導体層とゲートとの間に介在した絶縁膜と、
前記ソース及びドレイン電極のうち一つに連結される下部電極、前記下部電極上に形成された有機薄膜層、及び前記有機薄膜層上に形成された上部電極を備える有機電界発光素子と、を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記バッファ膜は、無機絶縁膜を含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記バッファ膜は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜から選択される単層膜または多層膜を含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記基板は、ガラス基板、プラスチック基板及び金属基板から選択される基板を含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記半導体層は、有機半導体層を含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記凹部は、溝状または開口部の形態を有することを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｅ】
【図３Ｆ】
【図４】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｅ】
【図３Ｆ】
【図４】
【公開番号】特開２００６−３３２６６０（Ｐ２００６−３３２６６０Ａ）
【公開日】平成１８年１２月７日（２００６．１２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１４１９３０（Ｐ２００６−１４１９３０）
【出願日】平成１８年５月２２日（２００６．５．２２）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１２月７日（２００６．１２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年５月２２日（２００６．５．２２）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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