液滴吐出装置の液滴吐出方法及び液滴吐出装置
【課題】 液状体の吐出による放熱によって生じる温度変化を補償し、各吐出領域に吐出する液状体の容量の均一性を向上した液滴吐出装置の液滴吐出方法及び液滴吐出装置を提供することにある。
【解決手段】 マザー対向基板１５上の各吐出領域Ｓに相対してマザー対向基板１５を加熱する基板ヒータＨを設けた。基板ヒータＨは各行の吐出領域Ｓに相対するＸ軸ヒータＨＸと各列の吐出領域Ｓに相対するＹ軸ヒータＨＹを備えている。そして、Ｙ軸ヒータは、液晶の吐出による吐出ヘッド３１の温度低下を補償するように制御温度を設定している。また、Ｘ軸ヒータＨＸは、マザー対向基板１５との熱交換による吐出ヘッド３１の温度変化を補償するように、外縁近傍では制御温度を中心位置近傍よりも高く設定している。
【解決手段】 マザー対向基板１５上の各吐出領域Ｓに相対してマザー対向基板１５を加熱する基板ヒータＨを設けた。基板ヒータＨは各行の吐出領域Ｓに相対するＸ軸ヒータＨＸと各列の吐出領域Ｓに相対するＹ軸ヒータＨＹを備えている。そして、Ｙ軸ヒータは、液晶の吐出による吐出ヘッド３１の温度低下を補償するように制御温度を設定している。また、Ｘ軸ヒータＨＸは、マザー対向基板１５との熱交換による吐出ヘッド３１の温度変化を補償するように、外縁近傍では制御温度を中心位置近傍よりも高く設定している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出装置の液滴吐出方法及び液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置の製造工程には、透明基板の吐出領域に液状体としての液晶を吐出し、その吐出領域を対向基板で封止する封止工程が行われている。この封止工程では、吐出領域に吐出した液晶の容量が変動すると、透明基板と対向基板との間の距離（セルギャップ）が変動して、液晶表示装置の表示画質を劣化させる問題があった。そこで、吐出する液晶の容量変動を抑制する方法として、液晶を微小な液滴として吐出する、いわゆるインクジェット法が提案されている（例えば、特許文献１）。このインクジェット法は、一般的に、圧電素子の伸縮等によって吐出ノズルに形成される液状体の界面（メニスカス）を強制的に振動させ、その振動過程において、液状体を液滴として吐出させるようにしている。
【０００３】
ところが、例えば粘度が５０ｃｐ〜１００ｃｐとなる液晶では、メニスカスの液晶を、振動によって吐出させることが困難となり、液滴の容量を変動させたり、液滴を形成不能にしたりするといった問題があった。
【０００４】
そこで、こうしたインクジェット法では、従来より、高粘度の液状体を、均一な容量の液滴として吐出可能にする提案がなされている（例えば、特許文献２）。特許文献２では、吐出ノズルを有した液滴吐出ヘッドや同液滴吐出ヘッドに液晶を供給する供給ラインを、チューブヒータ等の加熱装置によって加熱して、メニスカス近傍の液晶の粘度を低下させている。これによって、高粘度の液状体（液晶）を、均一な容量の液滴として吐出を可能にしている。
【特許文献１】特開平５−２８１５６２号公報
【特許文献２】特開２００４−３５８３５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２に記載のインクジェット法では、液滴吐出ヘッドの吐出ノズルから液状体を吐出することにより放熱が生じて、液滴吐出ヘッドの温度が変動していた。その結果、吐出ノズル内の液晶の温度、すなわち液晶の粘度が変動し、吐出領域に吐出する液晶の容量を変動させる問題があった。
【０００６】
本発明は、前述した上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は、液状体の吐出による放熱によって生じる温度変化を補償し、各吐出領域に吐出する液状体の容量の均一性を向上した液滴吐出装置の液滴吐出方法及び液滴吐出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の液滴吐出装置の液滴吐出方法は、基板に形成された複数の吐出領域上を相対移動可能に設けられた液滴吐出手段にて、前記各吐出領域に対して予め定められた順序で液状体の液滴を吐出するとき、液状体加熱手段にて予め前記液状体を加熱して吐出するようにした液滴吐出装置の液滴吐出方法において、前記各吐出領域での前記液状体の吐出によって放熱される前記液滴吐出手段の熱量を補償するために、前記各吐出領域を前記液状体の吐出に基づいて放熱される熱量に応じて温度を制御した状態で、前記液状体を前記各吐出領域に吐出するようにした。
【０００８】
本発明の液滴吐出装置の液滴吐出方法によれば、液状体の吐出によって放熱される液滴吐出手段の熱量に応じて、基板に形成された各吐出領域の温度を制御した状態で、液状体を各吐出領域に吐出することができる。そのため、液状体の吐出に基づいて放熱される熱量を補償した状態で、液状体を各吐出領域に吐出することができる。従って、液状体を各吐出領域に吐出する際に、液状体の吐出による放熱によって生じる液滴吐出手段の温度低下を好適に抑制することができ、液状体の粘度の変動を好適に抑制することができる。その結果、各吐出領域に吐出する液状体の容量の均一性を向上することができる。
【０００９】
この液滴吐出装置の液滴吐出方法において、前記各吐出領域は、外気に晒される吐出領域ほど温度を高くするようにしてもよい。
この液滴吐出装置の液滴吐出方法によれば、さらに外気との熱交換によって温度低下の起こりやすい基板の吐出領域ほど温度を高くした状態で、液状体を各吐出領域に吐出することができる。そのため、外気に晒される吐出領域の温度低下を抑制した状態で、液状体を各吐出領域に吐出することができる。従って、液滴吐出手段が液状体を各吐出領域に吐出する際に、基板側から受ける熱量の変動を抑制することができるため、基板側との熱交換によって生じる液滴吐出手段の温度変化を好適に抑制することができる。その結果、液状体の粘度の変動を好適に抑制することができるため、各吐出領域に吐出する液状体の容量をより均一にすることができる。
【００１０】
本発明の液滴吐出装置は、基板に形成された複数の吐出領域上を相対移動可能に設けられ、前記各吐出領域に対して予め定められた順序で液状体の液滴を吐出する液滴吐出手段と、前記液滴吐出手段から吐出する前記液状体を加熱する液状体加熱手段とを備えた液滴吐出装置において、前記基板を加熱する加熱手段と、前記各吐出領域での前記液状体の吐出によって放熱される前記液滴吐出手段の熱量を補償するために、前記各吐出領域を前記液状体の吐出に基づいて放熱される熱量に応じて温度を前記加熱手段によって制御する温度制御手段とを備えた。
【００１１】
本発明の液滴吐出装置によれば、温度制御手段が加熱手段を制御することによって、液状体の吐出によって放熱される液滴吐出手段の熱量に応じて、基板に形成された各吐出領域の温度を制御することができる。そのため、液滴吐出手段と基板との熱交換により、液状体の吐出に基づいて放熱される熱量を補償することができる。従って、液状体の吐出による放熱によって生じる液滴吐出手段の温度低下を好適に抑制することができ、液状体の粘度の変動を好適に抑制することができるため、各吐出領域に吐出する液状体の容量の均一性を向上することができる。
【００１２】
この液滴吐出装置において、前記温度制御手段は、さらに前記加熱手段を制御して、前記各吐出領域のうち、外気に晒される前記吐出領域ほど温度を高くするようにしてもよい。
【００１３】
この液滴吐出装置によれば、さらに温度制御手段が加熱手段を制御することによって、外気との熱交換によって温度低下の起こりやすい基板の吐出領域ほど温度を高くすることができる。そのため、外気に晒される吐出領域の温度低下を抑制することができる。従って、液滴吐出手段が各吐出領域上を相対移動する際に、基板側から受ける熱量の変動を抑制することができるため、基板側との熱交換によって生じる液滴吐出手段の温度変化を好適に抑制することができる。その結果、液状体の粘度の変動を好適に抑制することができるため、各吐出領域に吐出する液状体の容量をより均一にすることができる。
【００１４】
この液滴吐出装置において、前記加熱手段は、第１方向に向かって延設され、第２方向に沿って複数並設される第１加熱手段と、前記第２方向に向かって延設され、前記第１方
向に沿って複数並設される第２加熱手段とを備え、前記温度制御手段は、前記第１加熱手段を前記各吐出領域での前記液状体の吐出によって放熱された前記液滴吐出手段の熱量を補償するように制御するとともに、前記第２加熱手段を外気に晒される前記吐出領域ほど温度を高くするようにしてもよい。
【００１５】
この液滴吐出装置によれば、第１加熱手段の制御によって液状体の吐出に基づいて放熱される熱量を補償することができ、第２加熱手段の制御によって、外気との熱交換によって温度低下の起こりやすい基板の吐出領域ほど温度を高くすることができる。そのため、第１加熱手段によって、液状体の吐出による放熱によって生じる液滴吐出手段の温度低下を抑制することができ、第２加熱手段によって、液滴吐出手段が各吐出領域上を相対移動する際に、基板側との熱交換によって生じる液滴吐出手段の温度変化を好適に抑制することができる。従って、簡単な加熱手段の構成によって、液滴吐出手段の温度変化をより好適に抑制することができ、液状体の粘度の変動もより好適に抑制することができるため、各吐出領域に吐出する液状体の容量をより均一にすることができる。
【００１６】
この液滴吐出装置において、前記加熱手段は、前記各吐出領域毎に配置されるようにしてもよい。
この液滴吐出装置によれば、温度制御手段が加熱手段を制御することによって、液滴吐出手段と対峙する各吐出領域毎に温度制御をすることができるため、液滴吐出手段の温度変化を抑制するように細かく温度制御することができる。従って、各吐出領域に吐出する液状体の容量をより均一にすることができる。
【００１７】
この液滴吐出装置において、前記液状体は液晶である。
この液滴吐出装置によれば、液状体の粘度の変動を好適に抑制することができるため、各吐出領域に吐出する液晶の容量の均一性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を液晶表示装置に具体化した実施形態を図１〜図１１に従って説明する。
図１に示すように、液晶表示装置１は、液晶パネル２と、同液晶パネル２と相対向する位置に配設され、平面状の光Ｌを同液晶パネル２に照射する面状照明装置３を備えている。液晶パネル２は、平面状の光Ｌの照射側に備えられた対向基板４と、同対向基板４と相対向する素子基板５を有している。
【００１９】
対向基板４は、四角形状に形成される無アクリルガラス基板であって、素子基板５側（上側）の面（対向電極形成面４ａ）には、図２に示すように、ＩＴＯ等の透明導電層からなる対向電極６が積層されている。対向電極６には、図示しない電源回路からの所定の共通電位が供給されるようになっており、その対向電極６の上側には第１配向膜７ａが積層されている。第１配向膜７ａには、ラビング処理等による配向処理が施されている。
【００２０】
図１に示すように、素子基板５は、四角形状に形成された無アクリルガラス基板であって、対向基板４側（下側）の面（素子形成面５ａ）には、Ｘ矢印方向に延びる複数の走査線８が所定の間隔で形成されている。各走査線８は、図示しない走査線駆動回路に電気的に接続されて、所定のタイミングで選択駆動され、対応する走査信号が所定のタイミングで出力されるようになっている。また、素子形成面５ａには、走査線８と直交するＹ矢印方向に延びる複数のデータ線９が所定の間隔で形成されている。各データ線９は、図示しないデータ線駆動回路に電気的に接続されて、表示データに基づくデータ信号が、対応するデータ線９に所定のタイミングで入力されるようになっている。
【００２１】
走査線８とデータ線９の交差する位置には、マトリクス状に配列された複数の画素領域１０が形成されており、画素領域１０には対応する走査線８及びデータ線９が接続されて
いる。各画素領域１０内には、それぞれＴＦＴ等からなる図示しない制御素子と、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極１１（図２参照）が形成されている。
【００２２】
図２に示すように、データ線９（走査線８）及び画素電極１１の下側には、第２配向膜７ｂが積層されている。第２配向膜７ｂは、ラビング処理等による配向処理が施されている。
【００２３】
また、対向基板４と素子基板５との間隙（セルギャップ）の外縁には、長方形状のシール部材１２が配設されている。シール部材１２が各基板４，５の外縁に配設されることによって、対向基板４と素子基板５とが所定の距離だけ離間して配設されている。また、この対向基板４と素子基板５との間隙には、シール部材１２によって封止される液状体としての液晶１３からなる液晶層１３Ｌが形成されている。
【００２４】
そして、走査線８が走査に基づいて１本ずつ順次選択されると、対応する画素領域１０の制御素子（図示しない）が選択期間中だけオン状態となり、対応するデータ線９及び制御素子を介して、対応する画素電極１１にデータ信号が出力される。すると、素子基板５の画素電極１１と対向電極６の電位差に応じて、液晶１３の配向状態が平面状の光Ｌを変調するように維持されて、変調された光が図示しない偏向板を通過するか否かによって、所望する画像が液晶パネル２に表示される。
【００２５】
上記した液晶パネル２では、各液晶パネル２間で液晶１３の容量を等しくすることによって、対向基板４と素子基板５との間隙を均一にすることができ、各液晶パネル２の表示画質を維持することができる。なお、本実施形態の液晶表示装置１は、画素領域１０に制御素子であるＴＦＴを備えた、いわゆるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置であるが、例えばパッシブマトリクス方式の液晶表示装置であってもよい。また、本実施形態では、対向基板４を照射側に配置する構成にしているが、これに限らず素子基板５を照射側に配置する構成であってもよい。
【００２６】
次に、上記した液晶パネル２の製造方法を説明する。
図３に示すように、基板としてのマザー対向基板１５は、複数の対向基板４を形成するための領域（２点鎖線で示す）がマトリクス状に区画形成されている。マザー対向基板１５の一側面（吐出面１５ａ）に、各対向基板４を形成する領域に対応して四角枠状のシール部材１２を形成する。これによって、マザー対向基板１５の吐出面１５ａには、マトリクス状に配列されたシール部材１２によって囲まれる領域（吐出領域Ｓ）が形成される。なお、各吐出領域Ｓに対応する吐出面１５ａには、それぞれ前記対向電極６及び前記第１配向膜７ａ（図２参照）が形成されている。また、マザー対向基板１５の反Ｙ矢印方向側端部には、マザー対向基板１５の製造番号等を刻印したマーキングＭが形成されている。
【００２７】
図４に示すように、本実施形態では、説明の便宜上、マザー対向基板１５に形成された最もＸ矢印方向側にあってＹ矢印方向に配列された各吐出領域Ｓを１列目の吐出領域ＳＡ１とし、その１列目の各吐出領域ＳをＹ方向側（マーキングＭの反対側）から順にＳ１〜Ｓ４という。また、図４において、１列目の吐出領域ＳＡ１の右側のＹ矢印方向に配列された各吐出領域Ｓを２列目の吐出領域ＳＡ２とし、その２列目の各吐出領域Ｓを反Ｙ方向側から順にＳ５〜Ｓ８とする。同様に、３列目の吐出領域ＳＡ３とし、その３列目の各吐出領域ＳをＹ方向側から順にＳ９〜Ｓ１２といい、４列目の吐出領域ＳＡ４とし、その４列目の各吐出領域Ｓを反Ｙ方向側から順にＳ１３〜Ｓ１６といい、５列目の吐出領域ＳＡ５とし、その５列目の各吐出領域ＳをＹ方向側から順にＳ１７〜Ｓ２０という。また、本実施形態では、各吐出領域ＳのＸ矢印方向の幅を吐出幅Ｗｓという。
【００２８】
マザー対向基板１５にシール部材１２によって各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）が形成さ
れると、図３に示すように、液晶１３の液滴Ｄを所定の量だけ各吐出領域Ｓ内に吐出する。続いて、マザー対向基板１５に形成される各対向基板４に対応する素子基板５がマトリクス状に配列されたマザー素子基板１６を、対応する各対向基板４と素子基板５とが相対向するようにマザー対向基板１５に貼り合わせて、シール部材１２を硬化させる。なお、マザー素子基板１６の吐出面１５ａ側の側面には、各吐出領域Ｓに対応する前記走査線８、データ線９、画素領域１０及び画素電極１１（図２参照）等が形成されている。
【００２９】
そして、シール部材１２の硬化によって貼り合わせたマザー対向基板１５及びマザー素子基板１６をダイシングすることによって、図２に示すような対向基板４と素子基板５の間隙に液晶層１３Ｌが形成された液晶パネル２が形成される。
【００３０】
次に、マザー対向基板１５の各吐出領域Ｓに液晶１３を吐出するための液滴吐出装置２０について説明する。図５は、液滴吐出装置２０を説明するための斜視図である。図６は、図５のＹ矢印方向に沿う断面図である。
【００３１】
図５に示すように、液滴吐出装置２０には、略直方体状に形成される基台２１が備えられている。基台２１の上面には、一対の案内溝２２がＹ矢印方向全幅に渡って形成され、その案内溝２２には、基板ステージ２３が摺動可能に取付けられている。基板ステージ２３には、Ｙ軸モータＭＹ（図１１参照）が連結されており、Ｙ軸モータＭＹの正逆回転によって、基板ステージ２３がＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に移動される。すなわち、所定の駆動信号がＹ軸モータＭＹに入力されると、Ｙ軸モータＭＹが正転又は逆転して、基板ステージ２３が、Ｙ矢印方向に沿って所定の速度で往動又は復動するようになっている。
【００３２】
また、基板ステージ２３の上面には、マザー対向基板１５の吐出面１５ａ（吐出領域Ｓ）を上側にしてマザー対向基板１５を載置可能にする載置面２３ａが形成され、載置したマザー対向基板１５が、基板ステージ２３に対して所定の載置位置に位置決めされるようになっている。なお、本実施形態のマザー対向基板１５は、１列目の吐出領域ＳＡ１（Ｓ１〜Ｓ４）を、基板ステージ２３の最もＸ矢印方向側に配置するように位置決めされる。
【００３３】
図６に示すように、基板ステージ２３の内部には、載置面２３ａに載置したマザー対向基板１５を加熱する加熱手段としての基板ヒータＨが備えられている。図７に示すように、基板ヒータＨは、基板ステージ２３の内部を第２方向としてのＸ矢印方向に向かって延設された第２加熱手段としてのＸ軸ヒータＨＸと、基板ステージ２３の内部を第１方向としてのＹ矢印方向に向かって延設された第１加熱手段としてのＹ軸ヒータＨＹとを備えている。Ｘ軸ヒータＨＸは、本実施形態では、６本有し、各Ｘ軸ヒータＨＸ（ＨＸ０〜ＨＸ５）が等間隔にＹ矢印方向に並設されている。Ｙ軸ヒータＨＹは、本実施形態では、７本有し、各Ｙ軸ヒータＨＹ（ＨＹ０〜ＨＹ６）が等間隔にＸ矢印方向に並設されている。
【００３４】
詳しくは、Ｘ軸ヒータＨＸ０は、最もＹ矢印方向側に配設され、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５の外周に相対する位置に形成されている。Ｘ軸ヒータＨＸ１，ＨＸ２，ＨＸ３，ＨＸ４は、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５のそれぞれ１行目の吐出領域ＳＢ１（Ｓ１，Ｓ８，Ｓ９，Ｓ１６，Ｓ１７）、２行目の吐出領域ＳＢ２（Ｓ２，Ｓ７，Ｓ１０，Ｓ１５，Ｓ１８）、３行目の吐出領域ＳＢ３（Ｓ３，Ｓ６，Ｓ１１，Ｓ１４，Ｓ１９）、４行目の吐出領域ＳＢ４（Ｓ４，Ｓ５，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ２０）と相対する位置に形成されている。Ｘ軸ヒータＨＸ５は、最も反Ｙ矢印方向側に配設され、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５の外周に相対する位置に形成されている。
【００３５】
また、Ｙ軸ヒータＨＹ０は、最もＸ矢印方向側に配設され、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５の外周に相対する位置に形成されている。Ｙ軸ヒータＨＹ１，ＨＹ２
，ＨＹ３，ＨＹ４，ＨＹ５は、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５のそれぞれ１列目の吐出領域ＳＡ１（Ｓ１〜Ｓ４）、２列目の吐出領域ＳＡ２（Ｓ５〜Ｓ８）、３列目の吐出領域ＳＡ３（Ｓ９〜Ｓ１２）、４列目の吐出領域ＳＡ４（Ｓ１３〜Ｓ１６）、５列目の吐出領域ＳＡ５（Ｓ１７〜Ｓ２０）と相対する位置に形成されている。Ｙ軸ヒータＨＹ６は、最も反Ｘ矢印方向側に配設され、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５の外周に相対する位置に形成されている。
【００３６】
すなわち、各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）にＸ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹがそれぞれ相対向するように基板ヒータＨはマトリクス状に形成されている。例えば、吐出領域Ｓ１では、Ｘ軸ヒータＨＸ１とＹ軸ヒータＨＹ１とが相対するように形成され、吐出領域Ｓ１は、これら二つのヒータＨＸ１，ＨＹ１によって温度調節（加熱）される。なお、これらＸ軸ヒータＨＸとＹ軸ヒータＨＹとの間には、図示しない断熱部材が配設されている。
【００３７】
そして、Ｘ軸ヒータＨＸ（ＨＸ０〜ＨＸ５）及びＹ軸ヒータＨＹ（ＨＹ０〜ＨＹ６）は、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０を予め定めた温度（目標温度Ｔｏ）にするためのヒータ駆動信号ＨＣＸ（ＨＣＸ０〜ＨＣＸ５），ＨＣＹ（ＨＣＹ０〜ＨＣＹ６：図１１参照）をそれぞれ受けて、対応する各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）に相対した載置面２３ａを加熱するようになっている。
【００３８】
そして、Ｘ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹに、それぞれヒータ駆動信号ＨＣＸ，ＨＣＹが供給されると、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５の各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）の温度は、載置面２３ａを介した各基板ヒータＨからの熱量の伝達によって、目標温度Ｔｏまで昇温される。
【００３９】
図６及び図７に示すように、基板ステージ２３の内部であって、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５の各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）に相対する位置には、温度センサＴＳ（ＴＳ１〜ＴＳ２０）がそれぞれ備えられている。各温度センサＴＳ１〜ＴＳ２０は、それぞれ対応する各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０からの赤外線等を検出するセンサである。そして、温度センサＴＳ１〜ＴＳ２０は、それぞれ検出した各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の実温度に応じた信号を温度検出信号ＴＡ（ＴＡ１〜ＴＡ２０：図１１参照）として出力するようになっている。
【００４０】
また、図５に示すように、基台２１のＸ矢印方向両側には、一対の支持台２６ａ、２６ｂが立設されて、その一対の支持台２６ａ、２６ｂには、Ｘ矢印方向に延びる案内部材２７が架設されている。その案内部材２７の上側には、収容タンク２８が配設されて、その収容タンク２８内には、液晶１３が収容されている。なお、本実施形態における液晶１３の粘度は５０ｃｐ〜１００ｃｐであるが、これに限られるものではない。
【００４１】
案内部材２７の下側には、一対の案内レール２９がＸ矢印方向の全幅に渡って形成され、その案内レール２９には、キャリッジ３０が移動可能に取付けられている。キャリッジ３０には、Ｘ軸モータＭＸ（図１１参照）が連結されており、Ｘ軸モータＭＸの正逆回転によって、キャリッジ３０がＸ矢印方向及び反Ｘ矢印方向に移動される。すなわち、所定の駆動信号がＸ軸モータＭＸに入力されると、Ｘ軸モータＭＸが正転又は逆転して、キャリッジ３０が、Ｘ矢印方向に沿って所定の速度で往動又は復動するようになっている。
【００４２】
キャリッジ３０の下側には、液滴吐出手段としての液滴吐出ヘッド（以下単に、吐出ヘッド３１という）が配設されている。吐出ヘッド３１は、収容タンク２８と連通しており、収容タンク２８に収容されている液晶１３が吐出ヘッド３１に供給されている。また、図８に示すように、吐出ヘッド３１は略長方体状に形成され、その下側には、ノズルプレ
ート３２が備えられている。ノズルプレート３２の下面（ノズル形成面３２ａ）には、Ｚ矢印方向に貫通形成される複数の吐出ノズル（以下単に、ノズルＮという。）が、Ｘ矢印方向に一列に配列され、１列のノズル列ＮＬを形成している。このノズル列ＮＬのＸ方向の幅（ノズル幅Ｗｎ）は、吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）の吐出幅Ｗｓと略同じサイズで形成されている。
【００４３】
図６に示すように、吐出ヘッド３１の外周には、液状体加熱手段としてのヘッドヒータ３１Ｈが配設されている。ヘッドヒータ３１Ｈは、吐出ヘッド３１内の液晶１３を所定の温度領域（本実施形態では約６０℃）まで加熱するようになっている。そして、ヘッドヒータ３１Ｈが各吐出ヘッド３１内の液晶１３を加熱することによって液晶１３の粘度をノズルＮの近傍で低下させた状態で、さらに吐出ヘッド３１内の圧電素子３５（図１１参照）を伸縮させることにより、液晶１３が液滴Ｄとして吐出される。なお、本実施形態では、吐出ヘッド３１の外周のみにヘッドヒータ３１Ｈを配設する構成にしたが、収容タンク２８から吐出ヘッド３１までの液晶１３の供給配管等の外周にも、別途加熱ヒータを配設する構成にしてもよい。
【００４４】
そして、本実施形態の吐出ヘッド３１は、基板ステージ２３及びキャリッジ３０の移動によって、図９の２点鎖線で示す複数回の略Ｕ字状の相対移動経路に沿って、マザー対向基板１５上を相対移動するようになっている。
【００４５】
詳しくは、本実施形態の液滴吐出装置２０は、キャリッジ３０（吐出ヘッド３１）を移動して、マザー対向基板１５をＹ矢印方向に移動するときに、ノズル列ＮＬが１列目の吐出領域ＳＡ１（Ｓ１〜Ｓ４）と対峙する位置（図９に示す実線）に配置する。そして、基板ステージ２３をＹ矢印方向に沿って移動して、ノズル列ＮＬ（吐出ヘッド３１）を、１列目の吐出領域ＳＡ１のＸ矢印方向全幅にわたり、反Ｙ矢印方向（吐出領域Ｓの列方向）に沿って相対移動する。すなわち、吐出ヘッド３１が吐出領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の順に対峙して移動する。
【００４６】
続いて、液滴吐出装置２０は、キャリッジ３０を反Ｘ矢印方向に移動し、マザー対向基板１５を反Ｙ矢印方向に移動するときに、ノズル列ＮＬが２列目の吐出領域ＳＡ２（Ｓ５〜Ｓ８）と対峙する位置に配置する。そして、基板ステージ２３を反Ｙ矢印方向に沿って移動して、ノズル列ＮＬ（吐出ヘッド３１）を、２列目の吐出領域ＳＡ２のＸ矢印方向全幅にわたり、Ｙ矢印方向（吐出領域Ｓの列方向）に相対移動する。すなわち、吐出ヘッド３１が吐出領域Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８の順に対峙して移動する。
【００４７】
続いて、液滴吐出装置２０は、キャリッジ３０を反Ｘ矢印方向に移動し、マザー対向基板をＹ矢印方向に移動するときに、ノズル列ＮＬが３列目の吐出領域ＳＡ３（Ｓ９〜Ｓ１２）と対峙する位置に配置する。そして、基板ステージ２３をＹ矢印方向に沿って移動して、ノズル列ＮＬ（吐出ヘッド３１）を、３列目の吐出領域ＳＡ３のＸ矢印方向全幅にわたり、反Ｙ矢印方向（吐出領域Ｓの列方向）に相対移動する。すなわち、吐出ヘッド３１が吐出領域Ｓ９，Ｓ１０，Ｓ１１，Ｓ１２の順に対峙して移動する。
【００４８】
続いて、液滴吐出装置２０は、キャリッジ３０を反Ｘ矢印方向に移動し、マザー対向基板１５を反Ｙ矢印方向に移動するときに、ノズル列ＮＬが４列目の吐出領域ＳＡ４（Ｓ１３〜Ｓ１６）と対峙する位置に配置する。そして、基板ステージ２３を反Ｙ矢印方向に沿って移動して、ノズル列ＮＬ（吐出ヘッド３１）を、４列目の吐出領域ＳＡ４のＸ矢印方向全幅にわたり、Ｙ矢印方向（吐出領域Ｓの列方向）に相対移動する。すなわち、吐出ヘッド３１が吐出領域Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ１６の順に対峙して移動する。
【００４９】
続いて、液滴吐出装置２０は、キャリッジ３０を反Ｘ矢印方向に移動し、マザー対向基
板１５をＹ矢印方向に移動するときに、ノズル列ＮＬが５列目の吐出領域ＳＡ５（Ｓ１７〜Ｓ２０）と対峙する位置に配置する。そして、基板ステージ２３をＹ矢印方向に沿って移動して、ノズル列ＮＬ（吐出ヘッド３１）を、５列目の吐出領域ＳＡ５のＸ矢印方向全幅にわたり、反Ｙ矢印方向（吐出領域Ｓの列方向）に相対移動する。すなわち、吐出ヘッド３１が吐出領域Ｓ１７，Ｓ１８，Ｓ１９，Ｓ２０の順に対峙して移動する。
【００５０】
そして、Ｙ矢印方向に搬送される各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）が吐出ヘッド３１の直下に侵入すると、対応するノズルＮの圧電素子３５（図１１参照）が収縮・伸張する。これにより液晶１３のメニスカスが振動する。すると、液晶１３は、ヘッドヒータ３１Ｈの加熱によって、その粘度を低下させた分だけ、液滴Ｄとして円滑に吐出される。吐出された液滴Ｄは、対応するノズルＮの反Ｚ矢印方向に沿って飛行して、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に着弾する。
【００５１】
この際、従来の液滴吐出装置では、図１０に示すように、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に吐出される液晶１３の量（吐出量Ｐ）が吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の位置によって変化していた（１点鎖線参照）。詳しくは、吐出ヘッド３１の温度変化、特に温度の低下によって液晶１３の粘度が高くなるため、圧電素子３５の収縮・伸張による振動によって吐出される液晶１３の量が減少していた。すなわち、一つのある吐出領域Ｓに液晶１３を吐出すると、吐出ヘッド３１は放熱によって温度が低下し、吐出ヘッド３１が吐出領域Ｓ１から吐出領域Ｓ２０に進むに連れて、液晶１３の吐出総量が増加するため、吐出ヘッド３１の温度の低下が大きくなり、液晶１３の粘度が高くなって液晶１３の吐出量Ｐが徐々に減少する。この原因によって、吐出ヘッド３１が吐出領域Ｓ１から吐出領域Ｓ２０に進むに連れて、全体的に吐出量Ｐが減少していた。
【００５２】
また、マザー対向基板１５の外縁近傍は、中央位置近傍に比べて、外気に晒される領域が広くなる。そして、マザー対向基板１５の外縁近傍は、外気に晒される領域が広い分だけ、外気との熱交換を加速して、放熱しやすくなる。従って、外気に晒される領域が広くなるに連れて、マザー対向基板１５の温度の低下が大きくなる。そのため、マザー対向基板１５と熱交換を行う吐出ヘッド３１は、マザー対向基板１５の中心位置近傍と相対向した位置よりも外縁近傍と相対向する位置の方が温度の低下が大きい。
【００５３】
そして、吐出ヘッド３１は、図９に示すように、外縁近傍（１行目及び４行目の吐出領域Ｓ）及び中心位置近傍（２行目及び３行目の吐出領域Ｓ）の上を略交互に通過するため、図１０に１点鎖線で示すように、波打つように吐出量Ｐが変動する。例えば、吐出領域Ｓ１，Ｓ４はＸ矢印方向及びＹ矢印方向の外縁近傍であり、Ｙ矢印方向の外縁近傍である吐出領域Ｓ２，Ｓ３よりも外気に晒される領域が広くなる。これにより、吐出領域Ｓ１，Ｓ４上では、吐出領域Ｓ２，Ｓ３上よりもマザー対向基板１５の温度が低くなるため、そのマザー対向基板１５と熱交換を行う吐出ヘッド３１の温度が吐出領域Ｓ２，Ｓ３に比べて低下する。そのため、吐出領域Ｓ２，Ｓ３よりも吐出領域Ｓ１，Ｓ４に吐出される液晶１３の吐出量Ｐが減少していた。
【００５４】
上述のように、従来の液滴吐出装置では、吐出ヘッド３１が相対するマザー対向基板１５の位置及び液晶１３の吐出によって、吐出ヘッド３１の温度が変化して各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に吐出する液晶１３の吐出量Ｐが変動していた。
【００５５】
そこで、本実施形態の液滴吐出装置２０は、液晶１３の吐出による吐出ヘッド３１の温度変化及びマザー対向基板１５との熱交換による吐出ヘッド３１の温度変化を補償するために、各Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及び各Ｙ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６を制御して、図１０の実線に示すように、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０における目標温度Ｔｏを設定している。なお、本実施形態における各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の目標温度Ｔｏは、予め実施した試験等
に基づいて設定されて、吐出ヘッド３１から各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に吐出する液晶１３の容量が略同じとなる温度に設定されている。
【００５６】
詳しくは、各Ｙ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６は、液晶１３の吐出による吐出ヘッド３１の温度低下を補償するように、制御温度が、１列目の吐出領域ＳＡ１（Ｓ１〜Ｓ４）から５列目の吐出領域ＳＡ５（Ｓ１７〜Ｓ２０）に進む（液晶１３の吐出総量が大きくなる）に連れて高くなるように設定されている。例えば、本実施形態では、Ｙ軸ヒータＨＹ０，ＨＹ１，ＨＹ２，ＨＹ３，ＨＹ４，ＨＹ５，ＨＹ６の制御温度をそれぞれ２０℃，２０℃，２１℃，２２℃，２３℃，２４℃，２５℃に設定しているが、これに限られるものではない。なお、本実施形態では、液滴吐出装置２０は、２０℃に維持された雰囲気下に設置されている。
【００５７】
一方、各Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５は、マザー対向基板１５との熱交換による吐出ヘッド３１の温度変化を補償するように、中心位置近傍（２行目及び３行目の吐出領域ＳＢ２，ＳＢ３）に相対するＸ軸ヒータＨＸ２，ＨＸ３に比べて外縁近傍（１行目及び４行目の吐出領域ＳＢ１，ＳＢ４）に相対するＸ軸ヒータＨＸ１，ＨＸ４の制御温度を高く設定している。例えば、本実施形態では、Ｘ軸ヒータＨＸ０，ＨＸ１の制御温度を２１℃、Ｘ軸ヒータＨＸ２，ＨＸ３の制御温度を２０℃、Ｘ軸ヒータＨＸ４，ＨＸ５の制御温度を２１℃としているが、これに限られるものではない。
【００５８】
このように、各Ｙ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６及び各Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５によって、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の目標温度Ｔｏを図１０に示すように設定すると、目標温度Ｔｏは、液晶１３の吐出量Ｐの変動と対称線Ｌ１を中心に略対称な変動となる。これによって、マザー対向基板１５上を移動する吐出ヘッド３１の温度を略一定に維持することができるため、各吐出領域Ｓに吐出される液晶１３の吐出量Ｐの変動を好適に抑制することができる。
【００５９】
次に、上記のように構成した液滴吐出装置２０の電気的構成を図１１に従って説明する。
図１１に示すように、制御装置４０は、ＣＰＵ等からなる制御部４１、ＤＲＡＭ及びＳＲＡＭ等からなり各種データを格納するＲＡＭ４２、各種データや各種制御プログラムを格納するＲＯＭ４３を有している。また、制御装置４０は、圧電素子駆動信号ＣＯＭを生成する駆動信号生成回路４４等を有している。そして、制御装置４０では、これら制御部４１、ＲＡＭ４２、ＲＯＭ４３及び駆動信号生成回路４４が、図示しないバスを介して接続されている。
【００６０】
制御装置４０には、入力装置５１が接続されている。入力装置５１は、起動スイッチ、停止スイッチ等の操作スイッチを有し、各スイッチの操作による操作信号を制御装置４０に出力する。また、入力装置５１は、吐出面１５ａに吐出する液晶１３の吐出位置（吐出面１５ａにおける各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の位置）やマザー対向基板１５の目標温度Ｔｏ等を所定の形式の吐出データＩａとして制御装置４０に出力する。制御装置４０は、入力装置５１からの吐出データＩａと、ＲＯＭ４３等に格納された制御プログラム（例えば、液晶吐出プログラム）に従って、基板ステージ２３を移動させてマザー対向基板１５の搬送処理動作を行い、吐出ヘッド３１の各圧電素子３５を駆動させて吐出面１５ａに対する液晶１３の液滴吐出処理動作を行う。
【００６１】
詳述すると、制御部４１は、入力装置５１からの吐出データＩａに所定の展開処理を施して、二次元描画平面（吐出面１５ａ）上における位置に、液滴Ｄを吐出するか否かを示すビットマップデータＢＭＤを生成し、生成したビットマップデータＢＭＤをＲＡＭに格納するようになっている。このビットマップデータＢＭＤは、各ビットの値（０あるいは
１）に応じて、圧電素子３５のオンあるいはオフ（液滴Ｄを吐出するか否か）を規定するものである。
【００６２】
また、制御部４１は、入力装置５１からの吐出データＩａにビットマップデータＢＭＤの展開処理と異なる展開処理を施し、圧電素子駆動信号ＣＯＭの波形データを生成して駆動信号生成回路４４に出力するようになっている。駆動信号生成回路４４は、制御部４１からの波形データを図示しない波形メモリに格納して、格納した波形データをデジタル／アナログ変換し、アナログ信号の波形信号を増幅して、圧電素子３５を駆動するための圧電素子駆動信号ＣＯＭを生成するようになっている。そして、制御部４１は、圧電素子駆動信号ＣＯＭを、吐出ヘッド駆動回路５２に出力するようになっている。
【００６３】
制御装置４０には、吐出ヘッド駆動回路５２が接続されて、その吐出ヘッド駆動回路５２に、圧電素子駆動信号ＣＯＭを出力するようになっている。そして、吐出ヘッド駆動回路５２は、その圧電素子駆動信号ＣＯＭを、対応する各圧電素子３５に出力するようになっている。
【００６４】
制御装置４０には、Ｘ軸モータ駆動回路５３が接続されて、Ｘ軸モータ駆動回路５３にＸ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｘ軸モータ駆動回路５３は、制御装置４０からのＸ軸モータ駆動制御信号に応答して、キャリッジ３０を往復移動させるＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させるようになっている。そして、例えば、Ｘ軸モータＭＸを正転させると、キャリッジ３０はＸ矢印方向に移動し、逆転させると、キャリッジ３０は反Ｘ矢印方向に移動するようになっている。
【００６５】
制御装置４０には、Ｙ軸モータ駆動回路５４が接続され、Ｙ軸モータ駆動回路５４にＹ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｙ軸モータ駆動回路５４は、制御装置４０からのＹ軸モータ駆動制御信号に応答して、基板ステージ２３（マザー対向基板１５）を往復移動させるＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させるようになっている。例えば、Ｙ軸モータＭＹを正転させると、基板ステージ２３はＹ矢印方向に移動し、逆転させると、基板ステージ２３は反Ｙ矢印方向に移動する。
【００６６】
制御装置４０には、基板ヒータ駆動回路５５が接続されて、その基板ヒータ駆動回路５５に、制御部４１で生成される各Ｙ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６及び各Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５に対応する温度制御信号ＴＰが出力されるようになっている。その基板ヒータ駆動回路５５には、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の温度センサＴＳ１〜ＴＳ２０が接続されて、それぞれ温度センサＴＳ１〜ＴＳ２０からの温度検出信号ＴＡ１〜ＴＡ２０が入力されるようになっている。
【００６７】
そして、基板ヒータ駆動回路５５は、制御装置４０からの温度制御信号ＴＰと各温度センサＴＳ１〜ＴＳ２０からの温度検出信号ＴＡ１〜ＴＡ２０に基づいて、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の温度を目標温度Ｔｏにするためのヒータ駆動信号ＨＣＸ０〜ＨＣＸ５，ＨＣＹ０〜ＨＣＹ６を生成する。そのヒータ駆動信号ＨＣＸ０〜ＨＣＸ５，ＨＣＹ０〜ＨＣＹ６をＸ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６にそれぞれ出力するようになっている。
【００６８】
例えば、制御装置４０からのＸ軸ヒータＨＸ１及びＹ軸ヒータＨＹ１の温度制御信号ＴＰＸ１，ＴＰＹ１と、吐出領域Ｓ１の温度センサＴＳ１からの温度検出信号ＴＡ１とに基づいて、吐出領域Ｓ１を目標温度Ｔｏ（４１℃：図１０参照）にするためのヒータ駆動信号ＨＣＸ１，ＨＣＹ１を生成する。そのヒータ駆動信号ＨＣＸ１，ＨＣＹ１をそれぞれＸ軸ヒータＨＸ１及びＹ軸ヒータＨＹ１に出力するようになっている。そして、基板ヒータ駆動回路５５は、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の実温度が、それぞれ目標温度Ｔｏになると、
各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の実温度が目標温度Ｔｏに到達したことを示す目標温度到達信号ＴＲを生成して、その目標温度到達信号ＴＲを制御装置４０に出力するようになっている。
【００６９】
次に、液滴吐出装置２０を使ってマザー対向基板１５の各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に液晶１３を吐出する液滴吐出方法について以下に説明する。
まず、基板ステージ２３上に、吐出面１５ａを上側にしてマザー対向基板１５を配置固定する。この状態から、入力装置５１に吐出データＩａを入力して、液晶吐出プログラムを開始するための操作信号を入力する。
【００７０】
すると、制御装置４０は、吐出データＩａに基づいて、温度制御信号ＴＰを生成する。そして、制御装置４０は、基板ヒータ駆動回路５５に、温度制御信号ＴＰに基づくヒータ駆動信号ＨＣＸ０〜ＨＣＸ５，ＨＣＹ０〜ＨＣＹ６を生成させて、そのヒータ駆動信号ＨＣＸ０〜ＨＣＸ５，ＨＣＹ０〜ＨＣＹ６を、それぞれＸ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６に出力させる。そして、制御装置４０は、Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６を駆動して、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５の各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の実温度を、それぞれ目標温度Ｔｏに昇温維持させる。
【００７１】
制御装置４０は、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の実温度が、それぞれ目標温度Ｔｏに昇温維持されると、基板ヒータ駆動回路５５からの目標温度到達信号ＴＲを受けて、Ｘ軸モータＭＸを駆動制御してキャリッジ３０を移動させる。そして、制御装置４０は、マザー対向基板１５がＹ矢印方向に移動したときに、吐出ヘッド３１（ノズル列ＮＬ）の直下を、１列目の吐出領域ＳＡ１（Ｓ１〜Ｓ４）が通過する位置にキャリッジ３０をセットさせる。また、制御装置４０は、Ｙ軸モータＭＹを駆動制御して、基板ステージ２３（マザー対向基板１５）をＹ矢印方向に搬送させる。すなわち、制御装置４０は、吐出ヘッド３１に向かって、１列目の吐出領域ＳＡ１を、吐出領域Ｓ１から吐出領域Ｓ４へ順に搬送させる。
【００７２】
このとき、制御装置４０は、各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ４）と相対する位置に吐出ヘッド３１が配置されると、圧電素子駆動信号ＣＯＭを吐出ヘッド駆動回路５２に出力する。そして、制御装置４０は、吐出ヘッド駆動回路５２に、入力された圧電素子駆動信号ＣＯＭを対応する圧電素子に出力させ、液滴Ｄを吐出させる。すなわち、吐出領域Ｓ１から吐出領域Ｓ４の順に液滴Ｄが吐出される。
【００７３】
この際、マザー対向基板１５の１列目の吐出領域ＳＡ１（Ｓ１〜Ｓ４）は、Ｘ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹ（特に、Ｙ軸ヒータＨＹ１）からの熱量を受けてそれぞれ目標温度Ｔｏに維持されている。
【００７４】
そのため、吐出ヘッド３１（各ノズルＮ内の液晶１３）には、１列目の吐出領域ＳＡ１において、マザー対向基板１５からそれぞれ異なる熱量が伝達されて、この熱量によって、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の位置の違いによる熱交換量の変化及び液晶１３の吐出による熱放出量の変化を補償している。これによって、吐出ヘッド３１は、各吐出領域Ｓ上において略等しい温度に維持された状態で、各吐出領域Ｓに圧電素子駆動信号ＣＯＭに対応した等しい容量の液晶１３を吐出する。
【００７５】
以後、同様に、制御装置４０は、２列目〜５列目の各吐出領域ＳＡ２〜ＳＡ５がノズル列ＮＬの直下に搬送される度に、圧電素子駆動信号ＣＯＭに対応した等しい容量の液晶１３を吐出する。そして、制御装置４０は、全ての吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）に略均一な容量の液晶１３を吐出すると、マザー対向基板１５を吐出ヘッド３１の直下から退避するように基板ステージ２３を移動して、液晶吐出プログラムを終了する。
【００７６】
これによって、マザー対向基板１５の全ての吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に、等しい容量の液晶１３を吐出することができ、対向基板４と素子基板５との間の間隙の距離（セルギャップ）を均一にした液晶パネル２を製造することができる。
【００７７】
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）本実施形態によれば、Ｙ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６の制御温度を、１列目の吐出領域ＳＡ１（Ｓ１〜Ｓ４）から５列目の吐出領域ＳＡ５（Ｓ１７〜Ｓ２０）に進む（液晶１３の吐出総量が大きくなる）に連れて高くなるように設定した。これによって、液晶１３の吐出による放熱によって生じる吐出ヘッド３１の温度低下を補償することができるため、吐出ヘッド３１の温度低下を好適に抑制することができる。従って、液晶１３の粘度の変動を好適に抑制することができ、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に吐出する液晶１３の容量の均一性を向上することができる。
【００７８】
（２）本実施形態によれば、中心位置近傍（２行目及び３行目の吐出領域ＳＢ２，ＳＢ３）に相対するＸ軸ヒータＨＸ２，ＨＸ３に比べて外縁近傍（１行目及び４行目の吐出領域ＳＢ１，ＳＢ４）に相対するＸ軸ヒータＨＸ１，ＨＸ４の制御温度を高く設定した。これによって、外気との熱交換によって温度低下の起こりやすい吐出領域Ｓ（１行目及び４行目の吐出領域ＳＢ１，ＳＢ４等）ほど温度が高くなるため、マザー対向基板１５との熱交換による吐出ヘッド３１の温度低下を好適に抑制することができる。従って、液晶１３の粘度の変動を好適に抑制することができ、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に吐出する液晶１３の容量の均一性を向上することができる。
【００７９】
（３）本実施形態によれば、基板ヒータＨは、Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６を備え、そのＸ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５とＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６とによってマトリクス状に配設された。そして、Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５は、マザー対向基板１５との熱交換による吐出ヘッド３１の温度低下を補償する制御温度に設定されている。また、Ｙ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６は、液晶１３の吐出による放熱によって生じる吐出ヘッド３１の温度低下を補償する制御温度に設定されている。その結果、二つの異なる原因による吐出ヘッド３１の温度低下を、２つの方向（Ｘ矢印方向及びＹ矢印方向）に沿って形成された単純な構造のＸ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６によって抑制することができる。また、制御装置４０は、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０がそれぞれ目標温度Ｔｏになるように、Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６を制御温度に昇温するだけであるので制御が容易である。さらに、Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６は、マトリクス状に形成されているため、制御装置４０はＸ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６をそれぞれ調整制御することにより自由な温度分布を作ることができる。
【００８０】
なお、上記各実施形態は、以下の態様に変更してもよい。
・上記実施形態における吐出ヘッド３１の動きに特に制限されない。吐出ヘッド３１の動きが変更された場合は、その吐出ヘッド３１の動きに応じて各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の目標温度Ｔｏを適宜変更する。
【００８１】
・上記実施形態における各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の目標温度Ｔｏに特に制限されない。例えば、外気の温度、マザー対向基板１５のサイズ又は液状体の種類等に応じて適宜変更してもよい。
【００８２】
・上記実施形態におけるＸ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹの本数に特に制限されない。例えば、各吐出領域Ｓ毎に一つの基板ヒータＨを配置し、その基板ヒータＨを制御することにより各吐出領域Ｓの温度制御を行うようにしてもよい。
【００８３】
・上記実施形態では、Ｘ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹを直交するように配設したが、これに限られるものではない。例えば、Ｘ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹの内少なくとも一方を、Ｘ矢印方向及びＹ矢印方向とは異なる第３の方向に延びるように形成してもよい。
【００８４】
・上記実施形態では、Ｘ軸ヒータＨＸをＸ矢印方向に延びるように形成し、Ｙ軸ヒータＨＹをＹ矢印方向に延びるように形成したが、これに限られるものではない。例えば、Ｘ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹに加えて、さらに第３方向に延びる第３方向ヒータを形成してもよい。また、Ｘ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹに代えて、Ｘ軸方向及びＹ軸方向とは異なる複数の方向に延びるように複数のヒータを形成してもよい。
【００８５】
・上記実施形態では、Ｘ軸ヒータＨＸをマザー対向基板１５との熱交換による吐出ヘッド３１の温度変化を補償するために使用し、Ｙ軸ヒータＨＹを液晶１３の吐出による吐出ヘッド３１の温度低下を補償するために使用した。これを、Ｙ軸ヒータＨＹの一部をマザー対向基板１５との熱交換による吐出ヘッド３１の温度変化を補償するために使用してもよい。また、Ｘ軸ヒータＨＸの少なくとも一部を液晶１３の吐出による吐出ヘッド３１の温度低下を補償するために使用してもよい。
【００８６】
・上記実施形態では、基板温度制御手段を、基板ステージ２３に内設した基板ヒータＨとして具体化した。これに限らず、例えば、マザー対向基板１５の吐出面１５ａから赤外線等の光を照射する光源として具体化し、マザー対向基板１５の温度を、前記光の照射量によって制御するようにしてもよい。つまり、マザー対向基板１５に伝達する熱量を制御可能であればよい。
【００８７】
・上記実施形態では、熱交換による吐出ヘッド３１の温度変化を補償するために、マザー対向基板１５を加熱する構成にしたが、これに限らず、マザー対向基板１５を冷却する構成にしてもよい。また、加熱手段と冷却手段とを混合して配置してもよい。
【００８８】
・上記実施形態では、各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）と相対する位置に温度センサＴＳ（ＴＳ１〜ＴＳ２０）をそれぞれ設けたが、温度センサＴＳを設置する位置及び個数は特に制限されない。
【００８９】
・上記実施形態では、吐出ヘッド３１の外周のみにヘッドヒータ３１Ｈを配設する構成にしたが、収容タンク２８から吐出ヘッド３１までの液晶１３の供給配管等の外周にも、別途加熱ヒータを配設する構成にしてもよい。
【００９０】
・上記実施形態では、液滴吐出手段として吐出ヘッド３１を採用したが、これに限られず、例えば、エアー式ディスペンサ等に変更して実施してもよい。
・上記実施形態では、シール部材１２をマザー対向基板１５に形成し、液晶１３の液滴Ｄを、そのマザー対向基板１５に吐出する構成にした。これに限らず、例えばシール部材１２をマザー素子基板１６に形成し、液晶１３をマザー対向基板１５に吐出する構成にしてもよい。また、シール部材１２をマザー対向基板１５に形成し、液晶１３をマザー素子基板１６に吐出する構成にしてもよい。さらに、シール部材１２をマザー素子基板１６に形成し、液晶１３をマザー素子基板１６に吐出する構成にしてもよい。すなわち、シール部材１２を形成する基板及び液晶１３を吐出する基板は、マザー対向基板１５及びマザー素子基板１６のどちらの基板で構成してもよい。
【００９１】
・上記実施形態では、液晶表示装置１は、画素領域１０に制御素子であるＴＦＴを備えた、いわゆるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置としたが、これを例えばパッシブマトリクス方式の液晶表示装置に変更して実施してもよい。
【００９２】
・上記実施形態では、液状体として液晶１３を採用した。これに限らず、加熱することによって低粘度化して、液滴として吐出可能になる液状体であればよい。
・上記実施形態では、液晶１３を吐出して液晶表示装置１を製造する構成にした。これに限らず、例えば液状体を金属インクとして具体化し、液晶表示装置１の各種金属配線や、平面状の電子放出素子を備え、同素子から放出された電子による蛍光物質の発光を利用した電界効果型装置（ＦＥＤやＳＥＤ等）を備えた表示装置の金属配線を製造する構成にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本実施形態の液晶表示装置を説明するための概略斜視図。
【図２】同じく、液晶表示装置を説明するための概略断面図。
【図３】同じく、液晶表示装置の製造方法を説明するための概略斜視図。
【図４】同じく、液晶表示装置の製造方法を説明するための平面図。
【図５】同じく、液滴吐出装置を説明するための概略斜視図。
【図６】同じく、液滴吐出装置を説明するための概略断面図。
【図７】同じく、基板ヒータを説明するための平面図。
【図８】同じく、液滴吐出ヘッドを説明するための概略斜視図。
【図９】同じく、液滴吐出ヘッドの相対移動経路を説明するための作用平面図。
【図１０】同じく、各吐出領域の目標温度を説明するためのグラフ図。
【図１１】同じく、液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。
【符号の説明】
【００９４】
Ｄ…液滴、Ｈ…加熱手段としての基板ヒータ、ＨＸ…第２加熱手段としてのＸ軸ヒータ、ＨＹ…第１加熱手段としてのＹ軸ヒータ、Ｓ…吐出領域、１…液晶表示装置、４…対向基板、５…素子基板、１３…液状体としての液晶、１５…基板としてのマザー対向基板、２０…液滴吐出装置、３１…液滴吐出手段としての液滴吐出ヘッド、３１Ｈ…液状体加熱手段としてのヘッドヒータ、４０…温度制御手段を構成する制御装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出装置の液滴吐出方法及び液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置の製造工程には、透明基板の吐出領域に液状体としての液晶を吐出し、その吐出領域を対向基板で封止する封止工程が行われている。この封止工程では、吐出領域に吐出した液晶の容量が変動すると、透明基板と対向基板との間の距離（セルギャップ）が変動して、液晶表示装置の表示画質を劣化させる問題があった。そこで、吐出する液晶の容量変動を抑制する方法として、液晶を微小な液滴として吐出する、いわゆるインクジェット法が提案されている（例えば、特許文献１）。このインクジェット法は、一般的に、圧電素子の伸縮等によって吐出ノズルに形成される液状体の界面（メニスカス）を強制的に振動させ、その振動過程において、液状体を液滴として吐出させるようにしている。
【０００３】
ところが、例えば粘度が５０ｃｐ〜１００ｃｐとなる液晶では、メニスカスの液晶を、振動によって吐出させることが困難となり、液滴の容量を変動させたり、液滴を形成不能にしたりするといった問題があった。
【０００４】
そこで、こうしたインクジェット法では、従来より、高粘度の液状体を、均一な容量の液滴として吐出可能にする提案がなされている（例えば、特許文献２）。特許文献２では、吐出ノズルを有した液滴吐出ヘッドや同液滴吐出ヘッドに液晶を供給する供給ラインを、チューブヒータ等の加熱装置によって加熱して、メニスカス近傍の液晶の粘度を低下させている。これによって、高粘度の液状体（液晶）を、均一な容量の液滴として吐出を可能にしている。
【特許文献１】特開平５−２８１５６２号公報
【特許文献２】特開２００４−３５８３５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２に記載のインクジェット法では、液滴吐出ヘッドの吐出ノズルから液状体を吐出することにより放熱が生じて、液滴吐出ヘッドの温度が変動していた。その結果、吐出ノズル内の液晶の温度、すなわち液晶の粘度が変動し、吐出領域に吐出する液晶の容量を変動させる問題があった。
【０００６】
本発明は、前述した上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は、液状体の吐出による放熱によって生じる温度変化を補償し、各吐出領域に吐出する液状体の容量の均一性を向上した液滴吐出装置の液滴吐出方法及び液滴吐出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の液滴吐出装置の液滴吐出方法は、基板に形成された複数の吐出領域上を相対移動可能に設けられた液滴吐出手段にて、前記各吐出領域に対して予め定められた順序で液状体の液滴を吐出するとき、液状体加熱手段にて予め前記液状体を加熱して吐出するようにした液滴吐出装置の液滴吐出方法において、前記各吐出領域での前記液状体の吐出によって放熱される前記液滴吐出手段の熱量を補償するために、前記各吐出領域を前記液状体の吐出に基づいて放熱される熱量に応じて温度を制御した状態で、前記液状体を前記各吐出領域に吐出するようにした。
【０００８】
本発明の液滴吐出装置の液滴吐出方法によれば、液状体の吐出によって放熱される液滴吐出手段の熱量に応じて、基板に形成された各吐出領域の温度を制御した状態で、液状体を各吐出領域に吐出することができる。そのため、液状体の吐出に基づいて放熱される熱量を補償した状態で、液状体を各吐出領域に吐出することができる。従って、液状体を各吐出領域に吐出する際に、液状体の吐出による放熱によって生じる液滴吐出手段の温度低下を好適に抑制することができ、液状体の粘度の変動を好適に抑制することができる。その結果、各吐出領域に吐出する液状体の容量の均一性を向上することができる。
【０００９】
この液滴吐出装置の液滴吐出方法において、前記各吐出領域は、外気に晒される吐出領域ほど温度を高くするようにしてもよい。
この液滴吐出装置の液滴吐出方法によれば、さらに外気との熱交換によって温度低下の起こりやすい基板の吐出領域ほど温度を高くした状態で、液状体を各吐出領域に吐出することができる。そのため、外気に晒される吐出領域の温度低下を抑制した状態で、液状体を各吐出領域に吐出することができる。従って、液滴吐出手段が液状体を各吐出領域に吐出する際に、基板側から受ける熱量の変動を抑制することができるため、基板側との熱交換によって生じる液滴吐出手段の温度変化を好適に抑制することができる。その結果、液状体の粘度の変動を好適に抑制することができるため、各吐出領域に吐出する液状体の容量をより均一にすることができる。
【００１０】
本発明の液滴吐出装置は、基板に形成された複数の吐出領域上を相対移動可能に設けられ、前記各吐出領域に対して予め定められた順序で液状体の液滴を吐出する液滴吐出手段と、前記液滴吐出手段から吐出する前記液状体を加熱する液状体加熱手段とを備えた液滴吐出装置において、前記基板を加熱する加熱手段と、前記各吐出領域での前記液状体の吐出によって放熱される前記液滴吐出手段の熱量を補償するために、前記各吐出領域を前記液状体の吐出に基づいて放熱される熱量に応じて温度を前記加熱手段によって制御する温度制御手段とを備えた。
【００１１】
本発明の液滴吐出装置によれば、温度制御手段が加熱手段を制御することによって、液状体の吐出によって放熱される液滴吐出手段の熱量に応じて、基板に形成された各吐出領域の温度を制御することができる。そのため、液滴吐出手段と基板との熱交換により、液状体の吐出に基づいて放熱される熱量を補償することができる。従って、液状体の吐出による放熱によって生じる液滴吐出手段の温度低下を好適に抑制することができ、液状体の粘度の変動を好適に抑制することができるため、各吐出領域に吐出する液状体の容量の均一性を向上することができる。
【００１２】
この液滴吐出装置において、前記温度制御手段は、さらに前記加熱手段を制御して、前記各吐出領域のうち、外気に晒される前記吐出領域ほど温度を高くするようにしてもよい。
【００１３】
この液滴吐出装置によれば、さらに温度制御手段が加熱手段を制御することによって、外気との熱交換によって温度低下の起こりやすい基板の吐出領域ほど温度を高くすることができる。そのため、外気に晒される吐出領域の温度低下を抑制することができる。従って、液滴吐出手段が各吐出領域上を相対移動する際に、基板側から受ける熱量の変動を抑制することができるため、基板側との熱交換によって生じる液滴吐出手段の温度変化を好適に抑制することができる。その結果、液状体の粘度の変動を好適に抑制することができるため、各吐出領域に吐出する液状体の容量をより均一にすることができる。
【００１４】
この液滴吐出装置において、前記加熱手段は、第１方向に向かって延設され、第２方向に沿って複数並設される第１加熱手段と、前記第２方向に向かって延設され、前記第１方
向に沿って複数並設される第２加熱手段とを備え、前記温度制御手段は、前記第１加熱手段を前記各吐出領域での前記液状体の吐出によって放熱された前記液滴吐出手段の熱量を補償するように制御するとともに、前記第２加熱手段を外気に晒される前記吐出領域ほど温度を高くするようにしてもよい。
【００１５】
この液滴吐出装置によれば、第１加熱手段の制御によって液状体の吐出に基づいて放熱される熱量を補償することができ、第２加熱手段の制御によって、外気との熱交換によって温度低下の起こりやすい基板の吐出領域ほど温度を高くすることができる。そのため、第１加熱手段によって、液状体の吐出による放熱によって生じる液滴吐出手段の温度低下を抑制することができ、第２加熱手段によって、液滴吐出手段が各吐出領域上を相対移動する際に、基板側との熱交換によって生じる液滴吐出手段の温度変化を好適に抑制することができる。従って、簡単な加熱手段の構成によって、液滴吐出手段の温度変化をより好適に抑制することができ、液状体の粘度の変動もより好適に抑制することができるため、各吐出領域に吐出する液状体の容量をより均一にすることができる。
【００１６】
この液滴吐出装置において、前記加熱手段は、前記各吐出領域毎に配置されるようにしてもよい。
この液滴吐出装置によれば、温度制御手段が加熱手段を制御することによって、液滴吐出手段と対峙する各吐出領域毎に温度制御をすることができるため、液滴吐出手段の温度変化を抑制するように細かく温度制御することができる。従って、各吐出領域に吐出する液状体の容量をより均一にすることができる。
【００１７】
この液滴吐出装置において、前記液状体は液晶である。
この液滴吐出装置によれば、液状体の粘度の変動を好適に抑制することができるため、各吐出領域に吐出する液晶の容量の均一性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を液晶表示装置に具体化した実施形態を図１〜図１１に従って説明する。
図１に示すように、液晶表示装置１は、液晶パネル２と、同液晶パネル２と相対向する位置に配設され、平面状の光Ｌを同液晶パネル２に照射する面状照明装置３を備えている。液晶パネル２は、平面状の光Ｌの照射側に備えられた対向基板４と、同対向基板４と相対向する素子基板５を有している。
【００１９】
対向基板４は、四角形状に形成される無アクリルガラス基板であって、素子基板５側（上側）の面（対向電極形成面４ａ）には、図２に示すように、ＩＴＯ等の透明導電層からなる対向電極６が積層されている。対向電極６には、図示しない電源回路からの所定の共通電位が供給されるようになっており、その対向電極６の上側には第１配向膜７ａが積層されている。第１配向膜７ａには、ラビング処理等による配向処理が施されている。
【００２０】
図１に示すように、素子基板５は、四角形状に形成された無アクリルガラス基板であって、対向基板４側（下側）の面（素子形成面５ａ）には、Ｘ矢印方向に延びる複数の走査線８が所定の間隔で形成されている。各走査線８は、図示しない走査線駆動回路に電気的に接続されて、所定のタイミングで選択駆動され、対応する走査信号が所定のタイミングで出力されるようになっている。また、素子形成面５ａには、走査線８と直交するＹ矢印方向に延びる複数のデータ線９が所定の間隔で形成されている。各データ線９は、図示しないデータ線駆動回路に電気的に接続されて、表示データに基づくデータ信号が、対応するデータ線９に所定のタイミングで入力されるようになっている。
【００２１】
走査線８とデータ線９の交差する位置には、マトリクス状に配列された複数の画素領域１０が形成されており、画素領域１０には対応する走査線８及びデータ線９が接続されて
いる。各画素領域１０内には、それぞれＴＦＴ等からなる図示しない制御素子と、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極１１（図２参照）が形成されている。
【００２２】
図２に示すように、データ線９（走査線８）及び画素電極１１の下側には、第２配向膜７ｂが積層されている。第２配向膜７ｂは、ラビング処理等による配向処理が施されている。
【００２３】
また、対向基板４と素子基板５との間隙（セルギャップ）の外縁には、長方形状のシール部材１２が配設されている。シール部材１２が各基板４，５の外縁に配設されることによって、対向基板４と素子基板５とが所定の距離だけ離間して配設されている。また、この対向基板４と素子基板５との間隙には、シール部材１２によって封止される液状体としての液晶１３からなる液晶層１３Ｌが形成されている。
【００２４】
そして、走査線８が走査に基づいて１本ずつ順次選択されると、対応する画素領域１０の制御素子（図示しない）が選択期間中だけオン状態となり、対応するデータ線９及び制御素子を介して、対応する画素電極１１にデータ信号が出力される。すると、素子基板５の画素電極１１と対向電極６の電位差に応じて、液晶１３の配向状態が平面状の光Ｌを変調するように維持されて、変調された光が図示しない偏向板を通過するか否かによって、所望する画像が液晶パネル２に表示される。
【００２５】
上記した液晶パネル２では、各液晶パネル２間で液晶１３の容量を等しくすることによって、対向基板４と素子基板５との間隙を均一にすることができ、各液晶パネル２の表示画質を維持することができる。なお、本実施形態の液晶表示装置１は、画素領域１０に制御素子であるＴＦＴを備えた、いわゆるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置であるが、例えばパッシブマトリクス方式の液晶表示装置であってもよい。また、本実施形態では、対向基板４を照射側に配置する構成にしているが、これに限らず素子基板５を照射側に配置する構成であってもよい。
【００２６】
次に、上記した液晶パネル２の製造方法を説明する。
図３に示すように、基板としてのマザー対向基板１５は、複数の対向基板４を形成するための領域（２点鎖線で示す）がマトリクス状に区画形成されている。マザー対向基板１５の一側面（吐出面１５ａ）に、各対向基板４を形成する領域に対応して四角枠状のシール部材１２を形成する。これによって、マザー対向基板１５の吐出面１５ａには、マトリクス状に配列されたシール部材１２によって囲まれる領域（吐出領域Ｓ）が形成される。なお、各吐出領域Ｓに対応する吐出面１５ａには、それぞれ前記対向電極６及び前記第１配向膜７ａ（図２参照）が形成されている。また、マザー対向基板１５の反Ｙ矢印方向側端部には、マザー対向基板１５の製造番号等を刻印したマーキングＭが形成されている。
【００２７】
図４に示すように、本実施形態では、説明の便宜上、マザー対向基板１５に形成された最もＸ矢印方向側にあってＹ矢印方向に配列された各吐出領域Ｓを１列目の吐出領域ＳＡ１とし、その１列目の各吐出領域ＳをＹ方向側（マーキングＭの反対側）から順にＳ１〜Ｓ４という。また、図４において、１列目の吐出領域ＳＡ１の右側のＹ矢印方向に配列された各吐出領域Ｓを２列目の吐出領域ＳＡ２とし、その２列目の各吐出領域Ｓを反Ｙ方向側から順にＳ５〜Ｓ８とする。同様に、３列目の吐出領域ＳＡ３とし、その３列目の各吐出領域ＳをＹ方向側から順にＳ９〜Ｓ１２といい、４列目の吐出領域ＳＡ４とし、その４列目の各吐出領域Ｓを反Ｙ方向側から順にＳ１３〜Ｓ１６といい、５列目の吐出領域ＳＡ５とし、その５列目の各吐出領域ＳをＹ方向側から順にＳ１７〜Ｓ２０という。また、本実施形態では、各吐出領域ＳのＸ矢印方向の幅を吐出幅Ｗｓという。
【００２８】
マザー対向基板１５にシール部材１２によって各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）が形成さ
れると、図３に示すように、液晶１３の液滴Ｄを所定の量だけ各吐出領域Ｓ内に吐出する。続いて、マザー対向基板１５に形成される各対向基板４に対応する素子基板５がマトリクス状に配列されたマザー素子基板１６を、対応する各対向基板４と素子基板５とが相対向するようにマザー対向基板１５に貼り合わせて、シール部材１２を硬化させる。なお、マザー素子基板１６の吐出面１５ａ側の側面には、各吐出領域Ｓに対応する前記走査線８、データ線９、画素領域１０及び画素電極１１（図２参照）等が形成されている。
【００２９】
そして、シール部材１２の硬化によって貼り合わせたマザー対向基板１５及びマザー素子基板１６をダイシングすることによって、図２に示すような対向基板４と素子基板５の間隙に液晶層１３Ｌが形成された液晶パネル２が形成される。
【００３０】
次に、マザー対向基板１５の各吐出領域Ｓに液晶１３を吐出するための液滴吐出装置２０について説明する。図５は、液滴吐出装置２０を説明するための斜視図である。図６は、図５のＹ矢印方向に沿う断面図である。
【００３１】
図５に示すように、液滴吐出装置２０には、略直方体状に形成される基台２１が備えられている。基台２１の上面には、一対の案内溝２２がＹ矢印方向全幅に渡って形成され、その案内溝２２には、基板ステージ２３が摺動可能に取付けられている。基板ステージ２３には、Ｙ軸モータＭＹ（図１１参照）が連結されており、Ｙ軸モータＭＹの正逆回転によって、基板ステージ２３がＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に移動される。すなわち、所定の駆動信号がＹ軸モータＭＹに入力されると、Ｙ軸モータＭＹが正転又は逆転して、基板ステージ２３が、Ｙ矢印方向に沿って所定の速度で往動又は復動するようになっている。
【００３２】
また、基板ステージ２３の上面には、マザー対向基板１５の吐出面１５ａ（吐出領域Ｓ）を上側にしてマザー対向基板１５を載置可能にする載置面２３ａが形成され、載置したマザー対向基板１５が、基板ステージ２３に対して所定の載置位置に位置決めされるようになっている。なお、本実施形態のマザー対向基板１５は、１列目の吐出領域ＳＡ１（Ｓ１〜Ｓ４）を、基板ステージ２３の最もＸ矢印方向側に配置するように位置決めされる。
【００３３】
図６に示すように、基板ステージ２３の内部には、載置面２３ａに載置したマザー対向基板１５を加熱する加熱手段としての基板ヒータＨが備えられている。図７に示すように、基板ヒータＨは、基板ステージ２３の内部を第２方向としてのＸ矢印方向に向かって延設された第２加熱手段としてのＸ軸ヒータＨＸと、基板ステージ２３の内部を第１方向としてのＹ矢印方向に向かって延設された第１加熱手段としてのＹ軸ヒータＨＹとを備えている。Ｘ軸ヒータＨＸは、本実施形態では、６本有し、各Ｘ軸ヒータＨＸ（ＨＸ０〜ＨＸ５）が等間隔にＹ矢印方向に並設されている。Ｙ軸ヒータＨＹは、本実施形態では、７本有し、各Ｙ軸ヒータＨＹ（ＨＹ０〜ＨＹ６）が等間隔にＸ矢印方向に並設されている。
【００３４】
詳しくは、Ｘ軸ヒータＨＸ０は、最もＹ矢印方向側に配設され、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５の外周に相対する位置に形成されている。Ｘ軸ヒータＨＸ１，ＨＸ２，ＨＸ３，ＨＸ４は、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５のそれぞれ１行目の吐出領域ＳＢ１（Ｓ１，Ｓ８，Ｓ９，Ｓ１６，Ｓ１７）、２行目の吐出領域ＳＢ２（Ｓ２，Ｓ７，Ｓ１０，Ｓ１５，Ｓ１８）、３行目の吐出領域ＳＢ３（Ｓ３，Ｓ６，Ｓ１１，Ｓ１４，Ｓ１９）、４行目の吐出領域ＳＢ４（Ｓ４，Ｓ５，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ２０）と相対する位置に形成されている。Ｘ軸ヒータＨＸ５は、最も反Ｙ矢印方向側に配設され、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５の外周に相対する位置に形成されている。
【００３５】
また、Ｙ軸ヒータＨＹ０は、最もＸ矢印方向側に配設され、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５の外周に相対する位置に形成されている。Ｙ軸ヒータＨＹ１，ＨＹ２
，ＨＹ３，ＨＹ４，ＨＹ５は、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５のそれぞれ１列目の吐出領域ＳＡ１（Ｓ１〜Ｓ４）、２列目の吐出領域ＳＡ２（Ｓ５〜Ｓ８）、３列目の吐出領域ＳＡ３（Ｓ９〜Ｓ１２）、４列目の吐出領域ＳＡ４（Ｓ１３〜Ｓ１６）、５列目の吐出領域ＳＡ５（Ｓ１７〜Ｓ２０）と相対する位置に形成されている。Ｙ軸ヒータＨＹ６は、最も反Ｘ矢印方向側に配設され、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５の外周に相対する位置に形成されている。
【００３６】
すなわち、各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）にＸ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹがそれぞれ相対向するように基板ヒータＨはマトリクス状に形成されている。例えば、吐出領域Ｓ１では、Ｘ軸ヒータＨＸ１とＹ軸ヒータＨＹ１とが相対するように形成され、吐出領域Ｓ１は、これら二つのヒータＨＸ１，ＨＹ１によって温度調節（加熱）される。なお、これらＸ軸ヒータＨＸとＹ軸ヒータＨＹとの間には、図示しない断熱部材が配設されている。
【００３７】
そして、Ｘ軸ヒータＨＸ（ＨＸ０〜ＨＸ５）及びＹ軸ヒータＨＹ（ＨＹ０〜ＨＹ６）は、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０を予め定めた温度（目標温度Ｔｏ）にするためのヒータ駆動信号ＨＣＸ（ＨＣＸ０〜ＨＣＸ５），ＨＣＹ（ＨＣＹ０〜ＨＣＹ６：図１１参照）をそれぞれ受けて、対応する各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）に相対した載置面２３ａを加熱するようになっている。
【００３８】
そして、Ｘ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹに、それぞれヒータ駆動信号ＨＣＸ，ＨＣＹが供給されると、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５の各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）の温度は、載置面２３ａを介した各基板ヒータＨからの熱量の伝達によって、目標温度Ｔｏまで昇温される。
【００３９】
図６及び図７に示すように、基板ステージ２３の内部であって、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５の各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）に相対する位置には、温度センサＴＳ（ＴＳ１〜ＴＳ２０）がそれぞれ備えられている。各温度センサＴＳ１〜ＴＳ２０は、それぞれ対応する各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０からの赤外線等を検出するセンサである。そして、温度センサＴＳ１〜ＴＳ２０は、それぞれ検出した各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の実温度に応じた信号を温度検出信号ＴＡ（ＴＡ１〜ＴＡ２０：図１１参照）として出力するようになっている。
【００４０】
また、図５に示すように、基台２１のＸ矢印方向両側には、一対の支持台２６ａ、２６ｂが立設されて、その一対の支持台２６ａ、２６ｂには、Ｘ矢印方向に延びる案内部材２７が架設されている。その案内部材２７の上側には、収容タンク２８が配設されて、その収容タンク２８内には、液晶１３が収容されている。なお、本実施形態における液晶１３の粘度は５０ｃｐ〜１００ｃｐであるが、これに限られるものではない。
【００４１】
案内部材２７の下側には、一対の案内レール２９がＸ矢印方向の全幅に渡って形成され、その案内レール２９には、キャリッジ３０が移動可能に取付けられている。キャリッジ３０には、Ｘ軸モータＭＸ（図１１参照）が連結されており、Ｘ軸モータＭＸの正逆回転によって、キャリッジ３０がＸ矢印方向及び反Ｘ矢印方向に移動される。すなわち、所定の駆動信号がＸ軸モータＭＸに入力されると、Ｘ軸モータＭＸが正転又は逆転して、キャリッジ３０が、Ｘ矢印方向に沿って所定の速度で往動又は復動するようになっている。
【００４２】
キャリッジ３０の下側には、液滴吐出手段としての液滴吐出ヘッド（以下単に、吐出ヘッド３１という）が配設されている。吐出ヘッド３１は、収容タンク２８と連通しており、収容タンク２８に収容されている液晶１３が吐出ヘッド３１に供給されている。また、図８に示すように、吐出ヘッド３１は略長方体状に形成され、その下側には、ノズルプレ
ート３２が備えられている。ノズルプレート３２の下面（ノズル形成面３２ａ）には、Ｚ矢印方向に貫通形成される複数の吐出ノズル（以下単に、ノズルＮという。）が、Ｘ矢印方向に一列に配列され、１列のノズル列ＮＬを形成している。このノズル列ＮＬのＸ方向の幅（ノズル幅Ｗｎ）は、吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）の吐出幅Ｗｓと略同じサイズで形成されている。
【００４３】
図６に示すように、吐出ヘッド３１の外周には、液状体加熱手段としてのヘッドヒータ３１Ｈが配設されている。ヘッドヒータ３１Ｈは、吐出ヘッド３１内の液晶１３を所定の温度領域（本実施形態では約６０℃）まで加熱するようになっている。そして、ヘッドヒータ３１Ｈが各吐出ヘッド３１内の液晶１３を加熱することによって液晶１３の粘度をノズルＮの近傍で低下させた状態で、さらに吐出ヘッド３１内の圧電素子３５（図１１参照）を伸縮させることにより、液晶１３が液滴Ｄとして吐出される。なお、本実施形態では、吐出ヘッド３１の外周のみにヘッドヒータ３１Ｈを配設する構成にしたが、収容タンク２８から吐出ヘッド３１までの液晶１３の供給配管等の外周にも、別途加熱ヒータを配設する構成にしてもよい。
【００４４】
そして、本実施形態の吐出ヘッド３１は、基板ステージ２３及びキャリッジ３０の移動によって、図９の２点鎖線で示す複数回の略Ｕ字状の相対移動経路に沿って、マザー対向基板１５上を相対移動するようになっている。
【００４５】
詳しくは、本実施形態の液滴吐出装置２０は、キャリッジ３０（吐出ヘッド３１）を移動して、マザー対向基板１５をＹ矢印方向に移動するときに、ノズル列ＮＬが１列目の吐出領域ＳＡ１（Ｓ１〜Ｓ４）と対峙する位置（図９に示す実線）に配置する。そして、基板ステージ２３をＹ矢印方向に沿って移動して、ノズル列ＮＬ（吐出ヘッド３１）を、１列目の吐出領域ＳＡ１のＸ矢印方向全幅にわたり、反Ｙ矢印方向（吐出領域Ｓの列方向）に沿って相対移動する。すなわち、吐出ヘッド３１が吐出領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の順に対峙して移動する。
【００４６】
続いて、液滴吐出装置２０は、キャリッジ３０を反Ｘ矢印方向に移動し、マザー対向基板１５を反Ｙ矢印方向に移動するときに、ノズル列ＮＬが２列目の吐出領域ＳＡ２（Ｓ５〜Ｓ８）と対峙する位置に配置する。そして、基板ステージ２３を反Ｙ矢印方向に沿って移動して、ノズル列ＮＬ（吐出ヘッド３１）を、２列目の吐出領域ＳＡ２のＸ矢印方向全幅にわたり、Ｙ矢印方向（吐出領域Ｓの列方向）に相対移動する。すなわち、吐出ヘッド３１が吐出領域Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８の順に対峙して移動する。
【００４７】
続いて、液滴吐出装置２０は、キャリッジ３０を反Ｘ矢印方向に移動し、マザー対向基板をＹ矢印方向に移動するときに、ノズル列ＮＬが３列目の吐出領域ＳＡ３（Ｓ９〜Ｓ１２）と対峙する位置に配置する。そして、基板ステージ２３をＹ矢印方向に沿って移動して、ノズル列ＮＬ（吐出ヘッド３１）を、３列目の吐出領域ＳＡ３のＸ矢印方向全幅にわたり、反Ｙ矢印方向（吐出領域Ｓの列方向）に相対移動する。すなわち、吐出ヘッド３１が吐出領域Ｓ９，Ｓ１０，Ｓ１１，Ｓ１２の順に対峙して移動する。
【００４８】
続いて、液滴吐出装置２０は、キャリッジ３０を反Ｘ矢印方向に移動し、マザー対向基板１５を反Ｙ矢印方向に移動するときに、ノズル列ＮＬが４列目の吐出領域ＳＡ４（Ｓ１３〜Ｓ１６）と対峙する位置に配置する。そして、基板ステージ２３を反Ｙ矢印方向に沿って移動して、ノズル列ＮＬ（吐出ヘッド３１）を、４列目の吐出領域ＳＡ４のＸ矢印方向全幅にわたり、Ｙ矢印方向（吐出領域Ｓの列方向）に相対移動する。すなわち、吐出ヘッド３１が吐出領域Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ１６の順に対峙して移動する。
【００４９】
続いて、液滴吐出装置２０は、キャリッジ３０を反Ｘ矢印方向に移動し、マザー対向基
板１５をＹ矢印方向に移動するときに、ノズル列ＮＬが５列目の吐出領域ＳＡ５（Ｓ１７〜Ｓ２０）と対峙する位置に配置する。そして、基板ステージ２３をＹ矢印方向に沿って移動して、ノズル列ＮＬ（吐出ヘッド３１）を、５列目の吐出領域ＳＡ５のＸ矢印方向全幅にわたり、反Ｙ矢印方向（吐出領域Ｓの列方向）に相対移動する。すなわち、吐出ヘッド３１が吐出領域Ｓ１７，Ｓ１８，Ｓ１９，Ｓ２０の順に対峙して移動する。
【００５０】
そして、Ｙ矢印方向に搬送される各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）が吐出ヘッド３１の直下に侵入すると、対応するノズルＮの圧電素子３５（図１１参照）が収縮・伸張する。これにより液晶１３のメニスカスが振動する。すると、液晶１３は、ヘッドヒータ３１Ｈの加熱によって、その粘度を低下させた分だけ、液滴Ｄとして円滑に吐出される。吐出された液滴Ｄは、対応するノズルＮの反Ｚ矢印方向に沿って飛行して、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に着弾する。
【００５１】
この際、従来の液滴吐出装置では、図１０に示すように、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に吐出される液晶１３の量（吐出量Ｐ）が吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の位置によって変化していた（１点鎖線参照）。詳しくは、吐出ヘッド３１の温度変化、特に温度の低下によって液晶１３の粘度が高くなるため、圧電素子３５の収縮・伸張による振動によって吐出される液晶１３の量が減少していた。すなわち、一つのある吐出領域Ｓに液晶１３を吐出すると、吐出ヘッド３１は放熱によって温度が低下し、吐出ヘッド３１が吐出領域Ｓ１から吐出領域Ｓ２０に進むに連れて、液晶１３の吐出総量が増加するため、吐出ヘッド３１の温度の低下が大きくなり、液晶１３の粘度が高くなって液晶１３の吐出量Ｐが徐々に減少する。この原因によって、吐出ヘッド３１が吐出領域Ｓ１から吐出領域Ｓ２０に進むに連れて、全体的に吐出量Ｐが減少していた。
【００５２】
また、マザー対向基板１５の外縁近傍は、中央位置近傍に比べて、外気に晒される領域が広くなる。そして、マザー対向基板１５の外縁近傍は、外気に晒される領域が広い分だけ、外気との熱交換を加速して、放熱しやすくなる。従って、外気に晒される領域が広くなるに連れて、マザー対向基板１５の温度の低下が大きくなる。そのため、マザー対向基板１５と熱交換を行う吐出ヘッド３１は、マザー対向基板１５の中心位置近傍と相対向した位置よりも外縁近傍と相対向する位置の方が温度の低下が大きい。
【００５３】
そして、吐出ヘッド３１は、図９に示すように、外縁近傍（１行目及び４行目の吐出領域Ｓ）及び中心位置近傍（２行目及び３行目の吐出領域Ｓ）の上を略交互に通過するため、図１０に１点鎖線で示すように、波打つように吐出量Ｐが変動する。例えば、吐出領域Ｓ１，Ｓ４はＸ矢印方向及びＹ矢印方向の外縁近傍であり、Ｙ矢印方向の外縁近傍である吐出領域Ｓ２，Ｓ３よりも外気に晒される領域が広くなる。これにより、吐出領域Ｓ１，Ｓ４上では、吐出領域Ｓ２，Ｓ３上よりもマザー対向基板１５の温度が低くなるため、そのマザー対向基板１５と熱交換を行う吐出ヘッド３１の温度が吐出領域Ｓ２，Ｓ３に比べて低下する。そのため、吐出領域Ｓ２，Ｓ３よりも吐出領域Ｓ１，Ｓ４に吐出される液晶１３の吐出量Ｐが減少していた。
【００５４】
上述のように、従来の液滴吐出装置では、吐出ヘッド３１が相対するマザー対向基板１５の位置及び液晶１３の吐出によって、吐出ヘッド３１の温度が変化して各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に吐出する液晶１３の吐出量Ｐが変動していた。
【００５５】
そこで、本実施形態の液滴吐出装置２０は、液晶１３の吐出による吐出ヘッド３１の温度変化及びマザー対向基板１５との熱交換による吐出ヘッド３１の温度変化を補償するために、各Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及び各Ｙ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６を制御して、図１０の実線に示すように、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０における目標温度Ｔｏを設定している。なお、本実施形態における各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の目標温度Ｔｏは、予め実施した試験等
に基づいて設定されて、吐出ヘッド３１から各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に吐出する液晶１３の容量が略同じとなる温度に設定されている。
【００５６】
詳しくは、各Ｙ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６は、液晶１３の吐出による吐出ヘッド３１の温度低下を補償するように、制御温度が、１列目の吐出領域ＳＡ１（Ｓ１〜Ｓ４）から５列目の吐出領域ＳＡ５（Ｓ１７〜Ｓ２０）に進む（液晶１３の吐出総量が大きくなる）に連れて高くなるように設定されている。例えば、本実施形態では、Ｙ軸ヒータＨＹ０，ＨＹ１，ＨＹ２，ＨＹ３，ＨＹ４，ＨＹ５，ＨＹ６の制御温度をそれぞれ２０℃，２０℃，２１℃，２２℃，２３℃，２４℃，２５℃に設定しているが、これに限られるものではない。なお、本実施形態では、液滴吐出装置２０は、２０℃に維持された雰囲気下に設置されている。
【００５７】
一方、各Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５は、マザー対向基板１５との熱交換による吐出ヘッド３１の温度変化を補償するように、中心位置近傍（２行目及び３行目の吐出領域ＳＢ２，ＳＢ３）に相対するＸ軸ヒータＨＸ２，ＨＸ３に比べて外縁近傍（１行目及び４行目の吐出領域ＳＢ１，ＳＢ４）に相対するＸ軸ヒータＨＸ１，ＨＸ４の制御温度を高く設定している。例えば、本実施形態では、Ｘ軸ヒータＨＸ０，ＨＸ１の制御温度を２１℃、Ｘ軸ヒータＨＸ２，ＨＸ３の制御温度を２０℃、Ｘ軸ヒータＨＸ４，ＨＸ５の制御温度を２１℃としているが、これに限られるものではない。
【００５８】
このように、各Ｙ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６及び各Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５によって、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の目標温度Ｔｏを図１０に示すように設定すると、目標温度Ｔｏは、液晶１３の吐出量Ｐの変動と対称線Ｌ１を中心に略対称な変動となる。これによって、マザー対向基板１５上を移動する吐出ヘッド３１の温度を略一定に維持することができるため、各吐出領域Ｓに吐出される液晶１３の吐出量Ｐの変動を好適に抑制することができる。
【００５９】
次に、上記のように構成した液滴吐出装置２０の電気的構成を図１１に従って説明する。
図１１に示すように、制御装置４０は、ＣＰＵ等からなる制御部４１、ＤＲＡＭ及びＳＲＡＭ等からなり各種データを格納するＲＡＭ４２、各種データや各種制御プログラムを格納するＲＯＭ４３を有している。また、制御装置４０は、圧電素子駆動信号ＣＯＭを生成する駆動信号生成回路４４等を有している。そして、制御装置４０では、これら制御部４１、ＲＡＭ４２、ＲＯＭ４３及び駆動信号生成回路４４が、図示しないバスを介して接続されている。
【００６０】
制御装置４０には、入力装置５１が接続されている。入力装置５１は、起動スイッチ、停止スイッチ等の操作スイッチを有し、各スイッチの操作による操作信号を制御装置４０に出力する。また、入力装置５１は、吐出面１５ａに吐出する液晶１３の吐出位置（吐出面１５ａにおける各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の位置）やマザー対向基板１５の目標温度Ｔｏ等を所定の形式の吐出データＩａとして制御装置４０に出力する。制御装置４０は、入力装置５１からの吐出データＩａと、ＲＯＭ４３等に格納された制御プログラム（例えば、液晶吐出プログラム）に従って、基板ステージ２３を移動させてマザー対向基板１５の搬送処理動作を行い、吐出ヘッド３１の各圧電素子３５を駆動させて吐出面１５ａに対する液晶１３の液滴吐出処理動作を行う。
【００６１】
詳述すると、制御部４１は、入力装置５１からの吐出データＩａに所定の展開処理を施して、二次元描画平面（吐出面１５ａ）上における位置に、液滴Ｄを吐出するか否かを示すビットマップデータＢＭＤを生成し、生成したビットマップデータＢＭＤをＲＡＭに格納するようになっている。このビットマップデータＢＭＤは、各ビットの値（０あるいは
１）に応じて、圧電素子３５のオンあるいはオフ（液滴Ｄを吐出するか否か）を規定するものである。
【００６２】
また、制御部４１は、入力装置５１からの吐出データＩａにビットマップデータＢＭＤの展開処理と異なる展開処理を施し、圧電素子駆動信号ＣＯＭの波形データを生成して駆動信号生成回路４４に出力するようになっている。駆動信号生成回路４４は、制御部４１からの波形データを図示しない波形メモリに格納して、格納した波形データをデジタル／アナログ変換し、アナログ信号の波形信号を増幅して、圧電素子３５を駆動するための圧電素子駆動信号ＣＯＭを生成するようになっている。そして、制御部４１は、圧電素子駆動信号ＣＯＭを、吐出ヘッド駆動回路５２に出力するようになっている。
【００６３】
制御装置４０には、吐出ヘッド駆動回路５２が接続されて、その吐出ヘッド駆動回路５２に、圧電素子駆動信号ＣＯＭを出力するようになっている。そして、吐出ヘッド駆動回路５２は、その圧電素子駆動信号ＣＯＭを、対応する各圧電素子３５に出力するようになっている。
【００６４】
制御装置４０には、Ｘ軸モータ駆動回路５３が接続されて、Ｘ軸モータ駆動回路５３にＸ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｘ軸モータ駆動回路５３は、制御装置４０からのＸ軸モータ駆動制御信号に応答して、キャリッジ３０を往復移動させるＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させるようになっている。そして、例えば、Ｘ軸モータＭＸを正転させると、キャリッジ３０はＸ矢印方向に移動し、逆転させると、キャリッジ３０は反Ｘ矢印方向に移動するようになっている。
【００６５】
制御装置４０には、Ｙ軸モータ駆動回路５４が接続され、Ｙ軸モータ駆動回路５４にＹ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｙ軸モータ駆動回路５４は、制御装置４０からのＹ軸モータ駆動制御信号に応答して、基板ステージ２３（マザー対向基板１５）を往復移動させるＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させるようになっている。例えば、Ｙ軸モータＭＹを正転させると、基板ステージ２３はＹ矢印方向に移動し、逆転させると、基板ステージ２３は反Ｙ矢印方向に移動する。
【００６６】
制御装置４０には、基板ヒータ駆動回路５５が接続されて、その基板ヒータ駆動回路５５に、制御部４１で生成される各Ｙ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６及び各Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５に対応する温度制御信号ＴＰが出力されるようになっている。その基板ヒータ駆動回路５５には、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の温度センサＴＳ１〜ＴＳ２０が接続されて、それぞれ温度センサＴＳ１〜ＴＳ２０からの温度検出信号ＴＡ１〜ＴＡ２０が入力されるようになっている。
【００６７】
そして、基板ヒータ駆動回路５５は、制御装置４０からの温度制御信号ＴＰと各温度センサＴＳ１〜ＴＳ２０からの温度検出信号ＴＡ１〜ＴＡ２０に基づいて、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の温度を目標温度Ｔｏにするためのヒータ駆動信号ＨＣＸ０〜ＨＣＸ５，ＨＣＹ０〜ＨＣＹ６を生成する。そのヒータ駆動信号ＨＣＸ０〜ＨＣＸ５，ＨＣＹ０〜ＨＣＹ６をＸ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６にそれぞれ出力するようになっている。
【００６８】
例えば、制御装置４０からのＸ軸ヒータＨＸ１及びＹ軸ヒータＨＹ１の温度制御信号ＴＰＸ１，ＴＰＹ１と、吐出領域Ｓ１の温度センサＴＳ１からの温度検出信号ＴＡ１とに基づいて、吐出領域Ｓ１を目標温度Ｔｏ（４１℃：図１０参照）にするためのヒータ駆動信号ＨＣＸ１，ＨＣＹ１を生成する。そのヒータ駆動信号ＨＣＸ１，ＨＣＹ１をそれぞれＸ軸ヒータＨＸ１及びＹ軸ヒータＨＹ１に出力するようになっている。そして、基板ヒータ駆動回路５５は、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の実温度が、それぞれ目標温度Ｔｏになると、
各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の実温度が目標温度Ｔｏに到達したことを示す目標温度到達信号ＴＲを生成して、その目標温度到達信号ＴＲを制御装置４０に出力するようになっている。
【００６９】
次に、液滴吐出装置２０を使ってマザー対向基板１５の各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に液晶１３を吐出する液滴吐出方法について以下に説明する。
まず、基板ステージ２３上に、吐出面１５ａを上側にしてマザー対向基板１５を配置固定する。この状態から、入力装置５１に吐出データＩａを入力して、液晶吐出プログラムを開始するための操作信号を入力する。
【００７０】
すると、制御装置４０は、吐出データＩａに基づいて、温度制御信号ＴＰを生成する。そして、制御装置４０は、基板ヒータ駆動回路５５に、温度制御信号ＴＰに基づくヒータ駆動信号ＨＣＸ０〜ＨＣＸ５，ＨＣＹ０〜ＨＣＹ６を生成させて、そのヒータ駆動信号ＨＣＸ０〜ＨＣＸ５，ＨＣＹ０〜ＨＣＹ６を、それぞれＸ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６に出力させる。そして、制御装置４０は、Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６を駆動して、載置面２３ａに載置されたマザー対向基板１５の各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の実温度を、それぞれ目標温度Ｔｏに昇温維持させる。
【００７１】
制御装置４０は、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の実温度が、それぞれ目標温度Ｔｏに昇温維持されると、基板ヒータ駆動回路５５からの目標温度到達信号ＴＲを受けて、Ｘ軸モータＭＸを駆動制御してキャリッジ３０を移動させる。そして、制御装置４０は、マザー対向基板１５がＹ矢印方向に移動したときに、吐出ヘッド３１（ノズル列ＮＬ）の直下を、１列目の吐出領域ＳＡ１（Ｓ１〜Ｓ４）が通過する位置にキャリッジ３０をセットさせる。また、制御装置４０は、Ｙ軸モータＭＹを駆動制御して、基板ステージ２３（マザー対向基板１５）をＹ矢印方向に搬送させる。すなわち、制御装置４０は、吐出ヘッド３１に向かって、１列目の吐出領域ＳＡ１を、吐出領域Ｓ１から吐出領域Ｓ４へ順に搬送させる。
【００７２】
このとき、制御装置４０は、各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ４）と相対する位置に吐出ヘッド３１が配置されると、圧電素子駆動信号ＣＯＭを吐出ヘッド駆動回路５２に出力する。そして、制御装置４０は、吐出ヘッド駆動回路５２に、入力された圧電素子駆動信号ＣＯＭを対応する圧電素子に出力させ、液滴Ｄを吐出させる。すなわち、吐出領域Ｓ１から吐出領域Ｓ４の順に液滴Ｄが吐出される。
【００７３】
この際、マザー対向基板１５の１列目の吐出領域ＳＡ１（Ｓ１〜Ｓ４）は、Ｘ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹ（特に、Ｙ軸ヒータＨＹ１）からの熱量を受けてそれぞれ目標温度Ｔｏに維持されている。
【００７４】
そのため、吐出ヘッド３１（各ノズルＮ内の液晶１３）には、１列目の吐出領域ＳＡ１において、マザー対向基板１５からそれぞれ異なる熱量が伝達されて、この熱量によって、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の位置の違いによる熱交換量の変化及び液晶１３の吐出による熱放出量の変化を補償している。これによって、吐出ヘッド３１は、各吐出領域Ｓ上において略等しい温度に維持された状態で、各吐出領域Ｓに圧電素子駆動信号ＣＯＭに対応した等しい容量の液晶１３を吐出する。
【００７５】
以後、同様に、制御装置４０は、２列目〜５列目の各吐出領域ＳＡ２〜ＳＡ５がノズル列ＮＬの直下に搬送される度に、圧電素子駆動信号ＣＯＭに対応した等しい容量の液晶１３を吐出する。そして、制御装置４０は、全ての吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）に略均一な容量の液晶１３を吐出すると、マザー対向基板１５を吐出ヘッド３１の直下から退避するように基板ステージ２３を移動して、液晶吐出プログラムを終了する。
【００７６】
これによって、マザー対向基板１５の全ての吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に、等しい容量の液晶１３を吐出することができ、対向基板４と素子基板５との間の間隙の距離（セルギャップ）を均一にした液晶パネル２を製造することができる。
【００７７】
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）本実施形態によれば、Ｙ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６の制御温度を、１列目の吐出領域ＳＡ１（Ｓ１〜Ｓ４）から５列目の吐出領域ＳＡ５（Ｓ１７〜Ｓ２０）に進む（液晶１３の吐出総量が大きくなる）に連れて高くなるように設定した。これによって、液晶１３の吐出による放熱によって生じる吐出ヘッド３１の温度低下を補償することができるため、吐出ヘッド３１の温度低下を好適に抑制することができる。従って、液晶１３の粘度の変動を好適に抑制することができ、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に吐出する液晶１３の容量の均一性を向上することができる。
【００７８】
（２）本実施形態によれば、中心位置近傍（２行目及び３行目の吐出領域ＳＢ２，ＳＢ３）に相対するＸ軸ヒータＨＸ２，ＨＸ３に比べて外縁近傍（１行目及び４行目の吐出領域ＳＢ１，ＳＢ４）に相対するＸ軸ヒータＨＸ１，ＨＸ４の制御温度を高く設定した。これによって、外気との熱交換によって温度低下の起こりやすい吐出領域Ｓ（１行目及び４行目の吐出領域ＳＢ１，ＳＢ４等）ほど温度が高くなるため、マザー対向基板１５との熱交換による吐出ヘッド３１の温度低下を好適に抑制することができる。従って、液晶１３の粘度の変動を好適に抑制することができ、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０に吐出する液晶１３の容量の均一性を向上することができる。
【００７９】
（３）本実施形態によれば、基板ヒータＨは、Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６を備え、そのＸ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５とＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６とによってマトリクス状に配設された。そして、Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５は、マザー対向基板１５との熱交換による吐出ヘッド３１の温度低下を補償する制御温度に設定されている。また、Ｙ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６は、液晶１３の吐出による放熱によって生じる吐出ヘッド３１の温度低下を補償する制御温度に設定されている。その結果、二つの異なる原因による吐出ヘッド３１の温度低下を、２つの方向（Ｘ矢印方向及びＹ矢印方向）に沿って形成された単純な構造のＸ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６によって抑制することができる。また、制御装置４０は、各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０がそれぞれ目標温度Ｔｏになるように、Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６を制御温度に昇温するだけであるので制御が容易である。さらに、Ｘ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６は、マトリクス状に形成されているため、制御装置４０はＸ軸ヒータＨＸ０〜ＨＸ５及びＹ軸ヒータＨＹ０〜ＨＹ６をそれぞれ調整制御することにより自由な温度分布を作ることができる。
【００８０】
なお、上記各実施形態は、以下の態様に変更してもよい。
・上記実施形態における吐出ヘッド３１の動きに特に制限されない。吐出ヘッド３１の動きが変更された場合は、その吐出ヘッド３１の動きに応じて各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の目標温度Ｔｏを適宜変更する。
【００８１】
・上記実施形態における各吐出領域Ｓ１〜Ｓ２０の目標温度Ｔｏに特に制限されない。例えば、外気の温度、マザー対向基板１５のサイズ又は液状体の種類等に応じて適宜変更してもよい。
【００８２】
・上記実施形態におけるＸ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹの本数に特に制限されない。例えば、各吐出領域Ｓ毎に一つの基板ヒータＨを配置し、その基板ヒータＨを制御することにより各吐出領域Ｓの温度制御を行うようにしてもよい。
【００８３】
・上記実施形態では、Ｘ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹを直交するように配設したが、これに限られるものではない。例えば、Ｘ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹの内少なくとも一方を、Ｘ矢印方向及びＹ矢印方向とは異なる第３の方向に延びるように形成してもよい。
【００８４】
・上記実施形態では、Ｘ軸ヒータＨＸをＸ矢印方向に延びるように形成し、Ｙ軸ヒータＨＹをＹ矢印方向に延びるように形成したが、これに限られるものではない。例えば、Ｘ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹに加えて、さらに第３方向に延びる第３方向ヒータを形成してもよい。また、Ｘ軸ヒータＨＸ及びＹ軸ヒータＨＹに代えて、Ｘ軸方向及びＹ軸方向とは異なる複数の方向に延びるように複数のヒータを形成してもよい。
【００８５】
・上記実施形態では、Ｘ軸ヒータＨＸをマザー対向基板１５との熱交換による吐出ヘッド３１の温度変化を補償するために使用し、Ｙ軸ヒータＨＹを液晶１３の吐出による吐出ヘッド３１の温度低下を補償するために使用した。これを、Ｙ軸ヒータＨＹの一部をマザー対向基板１５との熱交換による吐出ヘッド３１の温度変化を補償するために使用してもよい。また、Ｘ軸ヒータＨＸの少なくとも一部を液晶１３の吐出による吐出ヘッド３１の温度低下を補償するために使用してもよい。
【００８６】
・上記実施形態では、基板温度制御手段を、基板ステージ２３に内設した基板ヒータＨとして具体化した。これに限らず、例えば、マザー対向基板１５の吐出面１５ａから赤外線等の光を照射する光源として具体化し、マザー対向基板１５の温度を、前記光の照射量によって制御するようにしてもよい。つまり、マザー対向基板１５に伝達する熱量を制御可能であればよい。
【００８７】
・上記実施形態では、熱交換による吐出ヘッド３１の温度変化を補償するために、マザー対向基板１５を加熱する構成にしたが、これに限らず、マザー対向基板１５を冷却する構成にしてもよい。また、加熱手段と冷却手段とを混合して配置してもよい。
【００８８】
・上記実施形態では、各吐出領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２０）と相対する位置に温度センサＴＳ（ＴＳ１〜ＴＳ２０）をそれぞれ設けたが、温度センサＴＳを設置する位置及び個数は特に制限されない。
【００８９】
・上記実施形態では、吐出ヘッド３１の外周のみにヘッドヒータ３１Ｈを配設する構成にしたが、収容タンク２８から吐出ヘッド３１までの液晶１３の供給配管等の外周にも、別途加熱ヒータを配設する構成にしてもよい。
【００９０】
・上記実施形態では、液滴吐出手段として吐出ヘッド３１を採用したが、これに限られず、例えば、エアー式ディスペンサ等に変更して実施してもよい。
・上記実施形態では、シール部材１２をマザー対向基板１５に形成し、液晶１３の液滴Ｄを、そのマザー対向基板１５に吐出する構成にした。これに限らず、例えばシール部材１２をマザー素子基板１６に形成し、液晶１３をマザー対向基板１５に吐出する構成にしてもよい。また、シール部材１２をマザー対向基板１５に形成し、液晶１３をマザー素子基板１６に吐出する構成にしてもよい。さらに、シール部材１２をマザー素子基板１６に形成し、液晶１３をマザー素子基板１６に吐出する構成にしてもよい。すなわち、シール部材１２を形成する基板及び液晶１３を吐出する基板は、マザー対向基板１５及びマザー素子基板１６のどちらの基板で構成してもよい。
【００９１】
・上記実施形態では、液晶表示装置１は、画素領域１０に制御素子であるＴＦＴを備えた、いわゆるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置としたが、これを例えばパッシブマトリクス方式の液晶表示装置に変更して実施してもよい。
【００９２】
・上記実施形態では、液状体として液晶１３を採用した。これに限らず、加熱することによって低粘度化して、液滴として吐出可能になる液状体であればよい。
・上記実施形態では、液晶１３を吐出して液晶表示装置１を製造する構成にした。これに限らず、例えば液状体を金属インクとして具体化し、液晶表示装置１の各種金属配線や、平面状の電子放出素子を備え、同素子から放出された電子による蛍光物質の発光を利用した電界効果型装置（ＦＥＤやＳＥＤ等）を備えた表示装置の金属配線を製造する構成にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本実施形態の液晶表示装置を説明するための概略斜視図。
【図２】同じく、液晶表示装置を説明するための概略断面図。
【図３】同じく、液晶表示装置の製造方法を説明するための概略斜視図。
【図４】同じく、液晶表示装置の製造方法を説明するための平面図。
【図５】同じく、液滴吐出装置を説明するための概略斜視図。
【図６】同じく、液滴吐出装置を説明するための概略断面図。
【図７】同じく、基板ヒータを説明するための平面図。
【図８】同じく、液滴吐出ヘッドを説明するための概略斜視図。
【図９】同じく、液滴吐出ヘッドの相対移動経路を説明するための作用平面図。
【図１０】同じく、各吐出領域の目標温度を説明するためのグラフ図。
【図１１】同じく、液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。
【符号の説明】
【００９４】
Ｄ…液滴、Ｈ…加熱手段としての基板ヒータ、ＨＸ…第２加熱手段としてのＸ軸ヒータ、ＨＹ…第１加熱手段としてのＹ軸ヒータ、Ｓ…吐出領域、１…液晶表示装置、４…対向基板、５…素子基板、１３…液状体としての液晶、１５…基板としてのマザー対向基板、２０…液滴吐出装置、３１…液滴吐出手段としての液滴吐出ヘッド、３１Ｈ…液状体加熱手段としてのヘッドヒータ、４０…温度制御手段を構成する制御装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された複数の吐出領域上を相対移動可能に設けられた液滴吐出手段にて、前記各吐出領域に対して予め定められた順序で液状体の液滴を吐出するとき、液状体加熱手段にて予め前記液状体を加熱して吐出するようにした液滴吐出装置の液滴吐出方法において、
前記各吐出領域での前記液状体の吐出によって放熱される前記液滴吐出手段の熱量を補償するために、前記各吐出領域を前記液状体の吐出に基づいて放熱される前記熱量に応じて温度を制御した状態で、前記液状体を前記各吐出領域に吐出するようにしたことを特徴とする液滴吐出装置の液滴吐出方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液滴吐出装置の液滴吐出方法において、
前記各吐出領域は、外気に晒される吐出領域ほど温度を高くすることを特徴とする液滴吐出装置の液滴吐出方法。
【請求項３】
基板に形成された複数の吐出領域上を相対移動可能に設けられ、前記各吐出領域に対して予め定められた順序で液状体の液滴を吐出する液滴吐出手段と、
前記液滴吐出手段から吐出する前記液状体を加熱する液状体加熱手段と
を備えた液滴吐出装置において、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記各吐出領域での前記液状体の吐出によって放熱される前記液滴吐出手段の熱量を補償するために、前記各吐出領域を前記液状体の吐出に基づいて放熱される前記熱量に応じて温度を前記加熱手段によって制御する温度制御手段と
を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項４】
請求項３に記載の液滴吐出装置において、
前記温度制御手段は、さらに前記加熱手段を制御して、前記各吐出領域のうち、外気に晒される吐出領域ほど温度を高くすることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の液滴吐出装置において、
前記加熱手段は、第１方向に向かって延設され、第２方向に沿って複数並設される第１加熱手段と、前記第２方向に向かって延設され、前記第１方向に沿って複数並設される第２加熱手段とを備え、
前記温度制御手段は、前記第１加熱手段を前記各吐出領域での前記液状体の吐出によって放熱された前記液滴吐出手段の熱量を補償するように制御するとともに、前記第２加熱手段を外気に晒される吐出領域ほど温度を高くするように制御することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項６】
請求項３又は４に記載の液滴吐出装置において、
前記加熱手段は、前記各吐出領域毎に配置されたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項７】
請求項３〜６のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
前記液状体は、液晶であることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項１】
基板に形成された複数の吐出領域上を相対移動可能に設けられた液滴吐出手段にて、前記各吐出領域に対して予め定められた順序で液状体の液滴を吐出するとき、液状体加熱手段にて予め前記液状体を加熱して吐出するようにした液滴吐出装置の液滴吐出方法において、
前記各吐出領域での前記液状体の吐出によって放熱される前記液滴吐出手段の熱量を補償するために、前記各吐出領域を前記液状体の吐出に基づいて放熱される前記熱量に応じて温度を制御した状態で、前記液状体を前記各吐出領域に吐出するようにしたことを特徴とする液滴吐出装置の液滴吐出方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液滴吐出装置の液滴吐出方法において、
前記各吐出領域は、外気に晒される吐出領域ほど温度を高くすることを特徴とする液滴吐出装置の液滴吐出方法。
【請求項３】
基板に形成された複数の吐出領域上を相対移動可能に設けられ、前記各吐出領域に対して予め定められた順序で液状体の液滴を吐出する液滴吐出手段と、
前記液滴吐出手段から吐出する前記液状体を加熱する液状体加熱手段と
を備えた液滴吐出装置において、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記各吐出領域での前記液状体の吐出によって放熱される前記液滴吐出手段の熱量を補償するために、前記各吐出領域を前記液状体の吐出に基づいて放熱される前記熱量に応じて温度を前記加熱手段によって制御する温度制御手段と
を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項４】
請求項３に記載の液滴吐出装置において、
前記温度制御手段は、さらに前記加熱手段を制御して、前記各吐出領域のうち、外気に晒される吐出領域ほど温度を高くすることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の液滴吐出装置において、
前記加熱手段は、第１方向に向かって延設され、第２方向に沿って複数並設される第１加熱手段と、前記第２方向に向かって延設され、前記第１方向に沿って複数並設される第２加熱手段とを備え、
前記温度制御手段は、前記第１加熱手段を前記各吐出領域での前記液状体の吐出によって放熱された前記液滴吐出手段の熱量を補償するように制御するとともに、前記第２加熱手段を外気に晒される吐出領域ほど温度を高くするように制御することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項６】
請求項３又は４に記載の液滴吐出装置において、
前記加熱手段は、前記各吐出領域毎に配置されたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項７】
請求項３〜６のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
前記液状体は、液晶であることを特徴とする液滴吐出装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００７−５４７５７（Ｐ２００７−５４７５７Ａ）
【公開日】平成１９年３月８日（２００７．３．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２４４５６４（Ｐ２００５−２４４５６４）
【出願日】平成１７年８月２５日（２００５．８．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月８日（２００７．３．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年８月２５日（２００５．８．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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