電子部品構造体及び電子機器
【課題】基板に対して電極部を良好に半田付けすることができる電子部品構造体及び電子機器を提供する。
【解決手段】実施形態の電子部品構造体及び電子機器は、電子部品と、電極部と、規制部と、を有する。前記電極部は、前記電子部品に積層状態で接続され、前記電子部品側とは反対側の部分に複数の半田付け領域を有し、前記半田付け領域のそれぞれが相互に別の半田部によって基板に半田付けされる。前記規制部は、前記半田付け領域の周縁部に接続して設けられ、前記半田付け領域に対して段差をなしている。
【解決手段】実施形態の電子部品構造体及び電子機器は、電子部品と、電極部と、規制部と、を有する。前記電極部は、前記電子部品に積層状態で接続され、前記電子部品側とは反対側の部分に複数の半田付け領域を有し、前記半田付け領域のそれぞれが相互に別の半田部によって基板に半田付けされる。前記規制部は、前記半田付け領域の周縁部に接続して設けられ、前記半田付け領域に対して段差をなしている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子部品構造体及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージ等の電子部品構造体とこの電子部品構造体が実装された基板とを備え、電子部品構造体のグランド用の電極部が半田部によって基板に半田付けされた電子機器が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−３１１４１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の電子機器では、基板に対する電極部の半田付けの際に、溶融した半田が電極部上で濡れ広がり過ぎてしまうと、半田がくびれて接合強度が低下したり、半田が電子部品構造体側に吸い上げられて半田接合ができなくなってしまうことがある。
【０００５】
そこで、本発明の実施形態は、基板に対して電極部を良好に半田付けすることができる電子部品構造体及び電子機器を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の電子部品構造体及び電子機器は、電子部品と、電極部と、規制部と、を有する。前記電極部は、前記電子部品に積層状態で接続され、前記電子部品側とは反対側の部分に複数の半田付け領域を有し、前記半田付け領域のそれぞれが相互に別の半田部によって基板に半田付けされる。前記規制部は、前記半田付け領域の周縁部に接続して設けられ、前記半田付け領域に対して段差をなしている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１実施形態にかかる電子機器としてのテレビジョン装置の正面図である。
【図２】図２は、第１実施形態にかかる電子部品構造体としての半導体パッケージの実装状態を示す縦断面図である。
【図３】図３は、第１実施形態にかかる半導体パッケージの第一電極部を示す底面図である。
【図４】図４は、第１実施形態にかかる半導体パッケージの基板への実装過程を模式的に示す図である。
【図５】図５は、第２実施形態にかかる半導体パッケージの第一電極部を示す底面図である。
【図６】図６は、第３実施形態にかかる半導体パッケージの実装状態を示す縦断面図である。
【図７】図７は、第３実施形態にかかる半導体パッケージの第一電極部を示す底面図である。
【図８】図８は、第４実施形態にかかる半導体パッケージの実装状態を示す縦断面図である。
【図９】図９は、第４実施形態にかかる半導体パッケージの第一電極部を示す縦断面図である。
【図１０】図１０は、第４実施形態にかかる半導体パッケージの第一電極部を示す底面図である。
【図１１】図１１は、第５実施形態にかかる半導体パッケージの第一電極部を示す縦断面図である。
【図１２】図１２は、第６実施形態にかかる半導体パッケージの第一電極部を示す底面図である。
【図１３】図１３は、第７実施形態にかかる電子機器としてのパーソナルコンピュータの斜視図である。
【図１４】図１４は、第８実施形態にかかる電子機器としての磁気ディスク装置の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、実施形態について詳細に説明する。なお、以下の複数の実施形態には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号を付与するとともに、重複する説明を省略する。
【０００９】
＜第１実施形態＞
まずは、第１実施形態について図１ないし図３を参照して説明する。
【００１０】
図１に示すように、本実施形態にかかる電子機器としてのテレビジョン装置１は、前方から見た正面視（前面に対する平面視）で、長方形状の外観を呈している。このテレビジョン装置１は、筐体２と、筐体２の前面２ａに設けられた開口部２ｂから前方に露出する表示画面３ａを有した表示装置（ディスプレイ）としてのディスプレイパネル３（例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等）と、電子部品構造体の一例としての半導体パッケージ４等が実装された基板５（例えばプリント基板）と、を備えている。ディスプレイパネル３及び基板５は、筐体２に、図示しないねじ等によって固定されている。
【００１１】
ディスプレイパネル３は、前後方向（図１の紙面に垂直な方向）に薄い扁平な直方体状に形成されている。ディスプレイパネル３は、基板５に実装された半導体パッケージ４等で構成された制御回路に含まれる映像信号処理回路（いずれも図示せず）から映像信号を受け取り、その前面側の表示画面３ａに、静止画や動画等の映像を表示させる。テレビジョン装置１の制御回路は、映像信号処理回路の他、いずれも図示しないチューナ部や、ＨＤＭＩ（High-Definition Multimedia Interface）信号処理部、ＡＶ（Audio Video）入力端子、リモコン信号受信部、制御部、セレクタ、オンスクリーンディスプレイインタフェース、記憶部（例えば、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等）、音声信号処理回路等を有している。基板５は、筐体２内のディスプレイパネル３の後方に収容されている。また、テレビジョン装置１は、音声出力用のアンプやスピーカ等（図示せず）も内蔵している。
【００１２】
基板５は、図２に示すように、ガラス・エポキシ等によって構成された絶縁層６と、この絶縁層６上に形成された配線パターン７と、を有している。配線パターン７は、銅箔等の導体によって構成されている。配線パターン７は、複数の第一電極パッド７ａと複数の第二電極パッド７ｂとを含んでいる。これらの第一電極パッド７ａ及び第二電極パッド７ｂは、相互に独立して配置されている。これらの第一電極パッド７ａ及び第二電極パッド７ｂは、矩形状に形成されている。
【００１３】
半導体パッケージ４は、表面実装部品（ＳＭＤ：Surface Mount Device）であり、本実施形態では、一例として、インタポーザを有さないノンリードタイプとして構成されている。半導体パッケージ４は、図２に示すように、電子部品である半導体チップ１０と、半導体チップ１０に対して積層状態で接続された電極部である単一の第一電極部１１と、第一電極部１１の周囲に配置された複数の第二電極部１２と、を備えている。第一電極部１１は、半導体チップ１０の一面１０ａに接続層１３によって接続されている。一方、第二電極部１２は、金属製の接続線１４によって半導体パッケージ４に接続されている。半導体パッケージ４では、半導体パッケージ４を封止した樹脂製の封止部１５によって、半導体パッケージ４、第一電極部１１、第二電極部１２、接続層１３及び接続線１４が一体化されている。この半導体パッケージ４は、第一電極部１１が基板５の第一電極パッド７ａに半田部である第一半田部１６によって接合され、第二電極部１２が基板５の第二電極パッド７ｂに第二半田部１７によって接合されることで、基板５に実装されている。
【００１４】
第一電極部１１及び第二電極部１２は、導電性を有している。第一電極部１１及び第二電極部１２は、接続層１３によって半導体チップ１０に接続されたリードフレーム１１ａ，１２ａと、リードフレーム１１ａ，１２ａに積層されためっき層１１ｂ，１２ｂと、をそれぞれ有している。リードフレーム１１ａ，１２ａは、銅合金やニッケル等によって構成されている。めっき層１１ｂ，１２ｂは、本実施形態では、金めっき層である。また、接続層１３は、導電性を有する接着剤によって構成されている。
【００１５】
第一電極部１１は、グランド電極部である。また、第一電極部１１は、発熱体である半導体チップ１０の熱を第一半田部１６を介して基板５に伝達する。この伝熱により、半導体チップ１０の熱が基板５から放出される。第一電極部１１の電極面１１ｃの面積は、他の電極部である第二電極部１２の電極面１２ｃの面積よりも大きくなっており、これにより、高い放熱性が確保されている。
【００１６】
第一電極部１１は、図２及び図３に示すように、矩形状に形成されている。第一電極部１１は、半導体パッケージ４側とは反対側の部分としての電極面１１ｃに複数の半田付け領域１１ｄを有している。これらの半田付け領域１１ｄは、相互に離間して配置されている。即ち、本実施形態では、単一の電極部である第一電極部１１に複数の半田付け領域１１ｄが分散して設けられている。半田付け領域１１ｄは、半田付けを受け付ける領域である。半田付け領域１１ｄは、その全域が半田付けされてもよいし、一部を除いた残りの部分が半田付けされても良い。本実施形態では、半田付け領域１１ｄは、一例として、２行２列で合計４個（図３）設けられている。各半田付け領域１１ｄは、矩形状に形成されている。半田付け領域１１ｄは、接続される第一電極パッド７ａと同じ形状に形成されているのが望ましい。半田付け領域１１ｄは、めっき層１１ｂに設けられている。半田付け領域１１ｄは、それぞれが相互に別の第一半田部１６によって基板５に半田付けされており、且つ、複数の半田付け領域１１ｄは、複数の第一電極パッド７ａに１対１の関係で接続されている。なお、半田付け領域１１ｄは、矩形状に限るものではなく、円形や楕円形等であっても良い。
【００１７】
第一電極部１１は、半田付け領域１１ｄの周縁部１１ｅに接続して設けられた規制部１１ｆを有している。規制部１１ｆは、半導体パッケージ４の基板５への実装工程におけるリフロー工程で、溶融状態の第一半田部１６の移動を規制する。規制部１１ｆは、第一電極部１１に凹状に設けられており、半田付け領域１１ｄに対して段差をなしている。規制部１１ｆは、格子状に設けられており、複数の半田付け領域１１ｄを相互に分離している。規制部１１ｆは、各半田付け領域１１ｄの全周を囲繞している。規制部１１ｆの底面１１ｇ及び側面１１ｈは、めっき層１１ｂによって構成されている。この凹状の規制部１１ｆは、例えば、エッチングやプレス加工、切削加工等によって形成することができる。
【００１８】
以上の構成の半導体パッケージ４の基板５への実装工程について説明する。図４に示すように、実装工程では、一例として半田ボール状の第一半田部１６と第二半田部１７とが第一電極部１１と第二電極部１２とに接合されている。そして、基板５と半導体パッケージ４とで第一半田部１６及び第二半田部１７を挟み、リフロー工程で、第一半田部１６及び第二半田部１７を加熱する。これにより第一半田部１６及び第二半田部１７が溶融する。この際、めっき層１１ｂが金めっき層であるので、溶融状態の第一半田部１６が第一電極部１１の各半田付け領域１１ｄの全体に良好に濡れ広がる。そして、本実施形態では、半田付け領域１１ｄの周縁部１１ｅに接続して設けられた規制部１１ｆが、溶融状態の第一半田部１６の移動（濡れ広がり）を規制するので、半田付け領域１１ｄ外に第一半田部１６が濡れ広がるのが抑制される。ここで、溶融した半田は、平面上は比較的に濡れ広がりやすいが、段差部分では、自身の表面張力のために比較的に濡れ広がり難い。本実施形態では、この半田の性質を利用すべく、半田付け領域１１ｄの周縁部１１ｅに接続した規制部１１ｆによって段差を形成し、第一半田部１６の濡れ広がりを規制している。その後、第一及び第二半田部１６，１７が冷却によって凝固する。これにより、半導体パッケージ４が基板５に固定される。
【００１９】
以上説明したように、本実施形態では、規制部１１ｆが、実装工程において、溶融状態の第一半田部１６の移動を規制するので、溶融した第一半田部１６が第一電極部１１上で濡れ広がり過ぎてしまうことを抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、基板５に対して第一電極部１１を良好に半田付けすることができる。これにより、第一半田部１６の高密度化や第一半田部１６の安定性（接合信頼性）を向上させることができる。
【００２０】
なお、本実施形態では、規制部１１ｆとして、格子状に形成された規制部１１ｆを説明したが、これに限るものではなく、規制部１１ｆの形状としては、円形や楕円形状等であっても良い。
【００２１】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について図５を参照して説明する。
【００２２】
本実施形態は、基本的には、第１実施形態と同じであるが、半導体パッケージ４の規制部１１ｆＡの形状が第１実施形態に対して異なる。図５に示すように、本実施形態では、規制部１１ｆＡは、複数設けられている。規制部１１ｆＡは、凹状に形成されており、それぞれ、半田付け領域１１ｄの角部に接続されている。半田付け領域１１ｄは、図５中の一点鎖線と実線とで構成される矩形領域である。
【００２３】
半田付け領域１１ｄ同士は、平面状の接続面１１ｉによって接続されている。接続面１１ｉは、めっき層１１ｂで構成されている。
【００２４】
以上説明したように、本実施形態においても、規制部１１ｆＡが、実装工程において、溶融状態の第一半田部１６（図２参照）の移動を規制するので、溶融した第一半田部１６が第一電極部１１上で濡れ広がり過ぎてしまうことを抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、基板５に対して第一電極部１１を良好に半田付けすることができる。
【００２５】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について図６及び図７を参照して説明する。
【００２６】
本実施形態は、基本的には第１実施形態と同じであり、図６及び図７に示すように、本実施形態の半導体パッケージ４は、接続層１３によって半導体チップ１０に接続されたリードフレーム１１ａと、リードフレーム１１ａに積層され、半田付け領域１１ｄが設けられためっき層１１ｂと、を備えている。そして、本実施形態では、第１実施形態と異なる点は、規制部１１ｆＢの底面１１ｇが接続層１３によって構成されている点である。なお、規制部１１ｆの側面１１ｈは、第１実施形態と同じくめっき層１１ｂによって構成されている。このような規制部１１ｆＢは、エッチングや切削加工によって形成することができる。
【００２７】
本実施形態では、第一電極部１１は、規制部１１ｆＢによって複数の部分１１ｎに分割された構成となっている。これらの各部分１１ｎは、接続層１３によって相互に接続されている。
【００２８】
以上説明した本実施形態においても、規制部１１ｆＢが、実装工程において、溶融状態の第一半田部１６の移動を規制するので、溶融した第一半田部１６が第一電極部１１上で濡れ広がり過ぎてしまうことを抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、基板５に対して第一電極部１１を良好に半田付けすることができる。
【００２９】
なお、本実施形態では、規制部１１ｆＢの底面１１ｇが接続層１３によって構成され、規制部１１ｆＢの側面１１ｈがめっき層１１ｂによって構成された例を説明したが、これに限るものではない。例えば、凹状の規制部の底面及び側面がリードフレーム１１ａで構成されていてもよい。この場合の規制部は、例えば、リードフレーム１１ａに凹部を形成して、その凹部にマスクをした状態でリードフレーム１１ａにめっきを施し、その後マスクを外すことで、形成することができる。この規制部によれば、リードフレーム１１ａによって構成された規制部の側面の半田濡れ性が、金めっき層であるめっき層１１ｂの半田濡れ性よりも低いので、この濡れ性の違いによっても第一半田部１６の濡れ広がりを抑制することができる。
【００３０】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について図８ないし図１０を参照して説明する。
【００３１】
本実施形態は、基本的には第１実施形態と同じであるが、半導体パッケージ４の規制部１１ｆＣが第１実施形態に対して異なる。本実施形態の規制部１１ｆＣは、図８及び図９に示すように、第一電極部１１に凸状に設けられている。この規制部１１ｆＣは、図１０に示すように、格子状に設けられている。
【００３２】
本実施形態の半導体パッケージ４は、第１実施形態と同様に、接続層１３によって半導体パッケージ４に接続されたリードフレーム１１ａと、リードフレーム１１ａに積層され、半田付け領域１１ｄが設けられためっき層１１ｂと、を備えている。そして、規制部１１ｆＣは、めっき層１１ｂ上に設けられている。規制部１１ｆＣは、金めっき層であるめっき層１１ｂよりも、半田濡れ性が低い。これは、例えば、めっき層１１ｂの材料よりも半田濡れ性の低い材料で規制部１１ｆＣを形成することで実現できる。このような規制部１１ｆＣの材料は、例えば、有機物やすず等であって良い。また。規制部１１ｆＣをソルダレジストで構成しても良い。
【００３３】
以上の構成の半導体パッケージ４の基板５への実装工程は、第１実施形態と同様に行われる。実装工程におけるリフロー工程では、溶融した第一半田部１６の移動（濡れ広がり）を、規制部１１ｆＣが規制する。本実施形態の規制部１１ｆＣは、凸状に形成されているので、規制部１１ｆＣが堤防として機能して、溶融した第一半田部１６の移動を規制する。また、規制部１１ｆＣは、その半田濡れ性がめっき層１１ｂよりも低くなっている。即ち、規制部１１ｆＣは、半田濡れ性が比較的に低いので、この点でも、規制部１１ｆＣは、第一半田部１６の移動を良好に規制することができる。また、規制部１１ｆＣは、上述の通り半田濡れ性が比較的に低いので、規制部１１ｆＣの側面１１ｈでは移動を阻止しきれなかった溶融状態の第一半田部１６が規制部１１ｆＣの突出端面１１ｊ上で移動（濡れ広がり）するのを、規制することができる。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態においても、半導体パッケージ４の規制部１１ｆＣが、実装工程において、溶融状態の第一半田部１６の移動を規制するので、溶融した第一半田部１６が第一電極部１１上で濡れ広がり過ぎてしまうことを抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、基板５に対して第一電極部１１を良好に半田付けすることができる。
【００３５】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について図１１を参照して説明する。
【００３６】
本実施形態は、基本的には第４実施形態と同じであるが、規制部１１ｆＤが第４実施形態に対して異なる。
【００３７】
本実施形態の規制部１１ｆＤの表面１１ｋは、めっき層１１ｂによって構成されている。詳細には、リードフレーム１１ａにおける基板５側の面の一部に中間層１１ｍが設けられ、この中間層１１ｍをめっき層１１ｂで被覆することで、凸状の規制部１１ｆＤが形成さている。中間層１１ｍは、例えば金属製であり、導電性を有している。
【００３８】
以上説明した本実施形態においても、半導体パッケージ４の半導体パッケージ４の規制部１１ｆＤが、実装工程において、溶融状態の第一半田部１６（図２参照）の移動を規制するので、溶融した第一半田部１６が第一電極部１１上で濡れ広がり過ぎてしまうことを抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、基板５に対して第一電極部１１を良好に半田付けすることができる。
【００３９】
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について図１２を参照して説明する。
【００４０】
本実施形態は、基本的には第４実施形態と同じであるが、半導体パッケージ４の半田付け領域１１ｄＥが円形に形成されて、半田付け領域１１ｄＥに対して凸状に形成された規制部１１ｆＥが、その円形の半田付け領域１１ｄＥの全周を囲繞している点が第４実施形態に対して異なる。別の言い方をすると、半田付け領域１１ｄＥは、凹部の底面によって構成されている。
【００４１】
以上説明した本実施形態においても、規制部１１ｆＥが、実装工程において、溶融状態の第一半田部１６（図２参照）の移動を規制するので、溶融した第一半田部１６が第一電極部１１上で濡れ広がり過ぎてしまうことを抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、基板５に対して第一電極部１１を良好に半田付けすることができる。
【００４２】
＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について図１３を参照して説明する。
【００４３】
図１３に示すように、本実施形態にかかる電子機器は、所謂ノート型のパーソナルコンピュータ２０として構成されており、矩形状の扁平な第一の本体部２２と、矩形状の扁平な第二の本体部２３と、を備えている。これら第一の本体部２２及び第二の本体部２３は、ヒンジ機構２４を介して、回動軸Ａｘ回りに図１３に示す展開状態と図示しない折り畳み状態との間で相対回動可能に、接続されている。
【００４４】
第一の本体部２２には、筐体２２ａの外面としての前面２２ｂ側に露出する状態で、入力操作部としてのキーボード２５や、ポインティングデバイス２６、クリックボタン２７等が設けられている。一方、第二の本体部２３には、筐体２３ａの外面としての前面２３ｂ側に露出する状態で、表示装置（部品）としてのディスプレイパネル２８が設けられている。ディスプレイパネル２８は、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）として構成される。そして、パーソナルコンピュータ２０の展開状態では、キーボード２５や、ポインティングデバイス２６、クリックボタン２７、ディスプレイパネル２８の表示画面２８ａ等が露出して、ユーザが使用可能な状態となる。一方、折り畳み状態では、前面２２ｂ，２３ｂ同士が相互に近接した状態で対向して、キーボード２５や、ポインティングデバイス２６、クリックボタン２７、ディスプレイパネル２８等が、筐体２２ａ，２３ａによって隠された状態となる。なお、図１３では、キーボード２５のキー２５ａは一部のみ図示されている。
【００４５】
そして、第１実施形態で示した基板５と同様の基板２１が、第一の本体部２２の筐体２２ａまたは第一の本体部２２の筐体２２ａ内に（本実施形態では、筐体２２ａ内のみに）収容されている。
【００４６】
ディスプレイパネル２８は、基板２１に実装された半導体パッケージ４等で構成された制御回路から表示信号を受け取り、静止画や動画等の映像を表示する。また、パーソナルコンピュータ２０の制御回路は、制御部、記憶部（例えば、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等）、インタフェース回路、各種コントローラ等を有している。また、パーソナルコンピュータ２０は、音声出力用のスピーカ等（図示せず）も内蔵している。
【００４７】
基板２１は、第１実施形態の基板５と同様の構成を有し、半導体パッケージ４は、第１ないし第６実施形態の半導体パッケージ４のいずれかである。即ち、本実施形態にかかる電子機器としてのパーソナルコンピュータ２０は、基板２１と、基板２１に実装された電子部品構造体としての半導体パッケージ４と、を備える。したがって、本実施形態にかかるパーソナルコンピュータ２０にあっても、上記第１ないし第６実施形態によって得られる効果と同様の効果を得ることができる。
【００４８】
＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について図１４を参照して説明する。
【００４９】
図１４に示すように、本実施形態にかかる電子機器は、磁気ディスク装置３０として構成されている。磁気ディスク装置３０は、磁気ディスク（図示せず）等の部品を収容する扁平な直方体状の筐体３１と、筐体３１にねじ３２等の締結具によって取り付けられた基板（プリント基板）３３と、を有している。
【００５０】
また、基板３３は、筐体３１の上壁部３１ａ上に配置されている。基板３３と上壁部３１ａとの間には、フィルム状の絶縁シート（図示せず）が挟まれている。そして、本実施形態では、基板３３の図１６の視線での裏面、すなわち上壁部３１ａに対向する基板３３の裏面（図示せず）が、半導体パッケージ４を含む複数の電子部品等が実装される主たる実装面となっている。基板３３の表面及び裏面には、配線パターン（図示せず）が設けられている。なお、もちろん、基板３３の表面にも電子部品を実装することができる。
【００５１】
そして、本実施形態でも、基板３３は、上記第１実施形態と同様の構成を有するとともに、この基板３３に実装される半導体パッケージ４は、第１ないし第６実施形態の半導体パッケージ４のいずれかである。即ち、本実施形態にかかる電子機器としての磁気ディスク装置３０は、基板３３と、基板３３に実装された電子部品構造体としての半導体パッケージ４と、を備える。したがって、本実施形態にかかる磁気ディスク装置３０にあっても、上記第１ないし第６実施形態によって得られる効果と同様の効果を得ることができる。
【００５２】
以上、説明したように、上記各実施形態によれば、基板に対して電極部を良好に半田付けすることができる電子部品構造体及び電子機器を提供することができる。
【００５３】
なお、本発明は、上記各実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化することができる。また、上記各実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成することができる。例えば、実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせても良い。
【符号の説明】
【００５４】
１…テレビジョン装置（電子機器）
４…半導体パッケージ（電子部品構造体）
５，２１，３３…基板
１０…半導体チップ（電子部品）
１１…第一電極部（電極部）
１１ａ…リードフレーム
１１ｂ…めっき層
１１ｄ，１１ｄＥ…半田付け領域
１１ｅ…半田付け領域の周縁部
１１ｆ，１１ｆＡ，１１ｆＢ，１１ｆＣ，１１ｆＤ，１１ｆＥ…規制部
１１ｇ…規制部の底面
１１ｈ…規制部の側面
１１ｉ…接続面
１３…接続層
２０…パーソナルコンピュータ（電子機器）
３０…磁気ディスク装置（電子機器）
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子部品構造体及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージ等の電子部品構造体とこの電子部品構造体が実装された基板とを備え、電子部品構造体のグランド用の電極部が半田部によって基板に半田付けされた電子機器が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−３１１４１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の電子機器では、基板に対する電極部の半田付けの際に、溶融した半田が電極部上で濡れ広がり過ぎてしまうと、半田がくびれて接合強度が低下したり、半田が電子部品構造体側に吸い上げられて半田接合ができなくなってしまうことがある。
【０００５】
そこで、本発明の実施形態は、基板に対して電極部を良好に半田付けすることができる電子部品構造体及び電子機器を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の電子部品構造体及び電子機器は、電子部品と、電極部と、規制部と、を有する。前記電極部は、前記電子部品に積層状態で接続され、前記電子部品側とは反対側の部分に複数の半田付け領域を有し、前記半田付け領域のそれぞれが相互に別の半田部によって基板に半田付けされる。前記規制部は、前記半田付け領域の周縁部に接続して設けられ、前記半田付け領域に対して段差をなしている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１実施形態にかかる電子機器としてのテレビジョン装置の正面図である。
【図２】図２は、第１実施形態にかかる電子部品構造体としての半導体パッケージの実装状態を示す縦断面図である。
【図３】図３は、第１実施形態にかかる半導体パッケージの第一電極部を示す底面図である。
【図４】図４は、第１実施形態にかかる半導体パッケージの基板への実装過程を模式的に示す図である。
【図５】図５は、第２実施形態にかかる半導体パッケージの第一電極部を示す底面図である。
【図６】図６は、第３実施形態にかかる半導体パッケージの実装状態を示す縦断面図である。
【図７】図７は、第３実施形態にかかる半導体パッケージの第一電極部を示す底面図である。
【図８】図８は、第４実施形態にかかる半導体パッケージの実装状態を示す縦断面図である。
【図９】図９は、第４実施形態にかかる半導体パッケージの第一電極部を示す縦断面図である。
【図１０】図１０は、第４実施形態にかかる半導体パッケージの第一電極部を示す底面図である。
【図１１】図１１は、第５実施形態にかかる半導体パッケージの第一電極部を示す縦断面図である。
【図１２】図１２は、第６実施形態にかかる半導体パッケージの第一電極部を示す底面図である。
【図１３】図１３は、第７実施形態にかかる電子機器としてのパーソナルコンピュータの斜視図である。
【図１４】図１４は、第８実施形態にかかる電子機器としての磁気ディスク装置の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、実施形態について詳細に説明する。なお、以下の複数の実施形態には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号を付与するとともに、重複する説明を省略する。
【０００９】
＜第１実施形態＞
まずは、第１実施形態について図１ないし図３を参照して説明する。
【００１０】
図１に示すように、本実施形態にかかる電子機器としてのテレビジョン装置１は、前方から見た正面視（前面に対する平面視）で、長方形状の外観を呈している。このテレビジョン装置１は、筐体２と、筐体２の前面２ａに設けられた開口部２ｂから前方に露出する表示画面３ａを有した表示装置（ディスプレイ）としてのディスプレイパネル３（例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等）と、電子部品構造体の一例としての半導体パッケージ４等が実装された基板５（例えばプリント基板）と、を備えている。ディスプレイパネル３及び基板５は、筐体２に、図示しないねじ等によって固定されている。
【００１１】
ディスプレイパネル３は、前後方向（図１の紙面に垂直な方向）に薄い扁平な直方体状に形成されている。ディスプレイパネル３は、基板５に実装された半導体パッケージ４等で構成された制御回路に含まれる映像信号処理回路（いずれも図示せず）から映像信号を受け取り、その前面側の表示画面３ａに、静止画や動画等の映像を表示させる。テレビジョン装置１の制御回路は、映像信号処理回路の他、いずれも図示しないチューナ部や、ＨＤＭＩ（High-Definition Multimedia Interface）信号処理部、ＡＶ（Audio Video）入力端子、リモコン信号受信部、制御部、セレクタ、オンスクリーンディスプレイインタフェース、記憶部（例えば、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等）、音声信号処理回路等を有している。基板５は、筐体２内のディスプレイパネル３の後方に収容されている。また、テレビジョン装置１は、音声出力用のアンプやスピーカ等（図示せず）も内蔵している。
【００１２】
基板５は、図２に示すように、ガラス・エポキシ等によって構成された絶縁層６と、この絶縁層６上に形成された配線パターン７と、を有している。配線パターン７は、銅箔等の導体によって構成されている。配線パターン７は、複数の第一電極パッド７ａと複数の第二電極パッド７ｂとを含んでいる。これらの第一電極パッド７ａ及び第二電極パッド７ｂは、相互に独立して配置されている。これらの第一電極パッド７ａ及び第二電極パッド７ｂは、矩形状に形成されている。
【００１３】
半導体パッケージ４は、表面実装部品（ＳＭＤ：Surface Mount Device）であり、本実施形態では、一例として、インタポーザを有さないノンリードタイプとして構成されている。半導体パッケージ４は、図２に示すように、電子部品である半導体チップ１０と、半導体チップ１０に対して積層状態で接続された電極部である単一の第一電極部１１と、第一電極部１１の周囲に配置された複数の第二電極部１２と、を備えている。第一電極部１１は、半導体チップ１０の一面１０ａに接続層１３によって接続されている。一方、第二電極部１２は、金属製の接続線１４によって半導体パッケージ４に接続されている。半導体パッケージ４では、半導体パッケージ４を封止した樹脂製の封止部１５によって、半導体パッケージ４、第一電極部１１、第二電極部１２、接続層１３及び接続線１４が一体化されている。この半導体パッケージ４は、第一電極部１１が基板５の第一電極パッド７ａに半田部である第一半田部１６によって接合され、第二電極部１２が基板５の第二電極パッド７ｂに第二半田部１７によって接合されることで、基板５に実装されている。
【００１４】
第一電極部１１及び第二電極部１２は、導電性を有している。第一電極部１１及び第二電極部１２は、接続層１３によって半導体チップ１０に接続されたリードフレーム１１ａ，１２ａと、リードフレーム１１ａ，１２ａに積層されためっき層１１ｂ，１２ｂと、をそれぞれ有している。リードフレーム１１ａ，１２ａは、銅合金やニッケル等によって構成されている。めっき層１１ｂ，１２ｂは、本実施形態では、金めっき層である。また、接続層１３は、導電性を有する接着剤によって構成されている。
【００１５】
第一電極部１１は、グランド電極部である。また、第一電極部１１は、発熱体である半導体チップ１０の熱を第一半田部１６を介して基板５に伝達する。この伝熱により、半導体チップ１０の熱が基板５から放出される。第一電極部１１の電極面１１ｃの面積は、他の電極部である第二電極部１２の電極面１２ｃの面積よりも大きくなっており、これにより、高い放熱性が確保されている。
【００１６】
第一電極部１１は、図２及び図３に示すように、矩形状に形成されている。第一電極部１１は、半導体パッケージ４側とは反対側の部分としての電極面１１ｃに複数の半田付け領域１１ｄを有している。これらの半田付け領域１１ｄは、相互に離間して配置されている。即ち、本実施形態では、単一の電極部である第一電極部１１に複数の半田付け領域１１ｄが分散して設けられている。半田付け領域１１ｄは、半田付けを受け付ける領域である。半田付け領域１１ｄは、その全域が半田付けされてもよいし、一部を除いた残りの部分が半田付けされても良い。本実施形態では、半田付け領域１１ｄは、一例として、２行２列で合計４個（図３）設けられている。各半田付け領域１１ｄは、矩形状に形成されている。半田付け領域１１ｄは、接続される第一電極パッド７ａと同じ形状に形成されているのが望ましい。半田付け領域１１ｄは、めっき層１１ｂに設けられている。半田付け領域１１ｄは、それぞれが相互に別の第一半田部１６によって基板５に半田付けされており、且つ、複数の半田付け領域１１ｄは、複数の第一電極パッド７ａに１対１の関係で接続されている。なお、半田付け領域１１ｄは、矩形状に限るものではなく、円形や楕円形等であっても良い。
【００１７】
第一電極部１１は、半田付け領域１１ｄの周縁部１１ｅに接続して設けられた規制部１１ｆを有している。規制部１１ｆは、半導体パッケージ４の基板５への実装工程におけるリフロー工程で、溶融状態の第一半田部１６の移動を規制する。規制部１１ｆは、第一電極部１１に凹状に設けられており、半田付け領域１１ｄに対して段差をなしている。規制部１１ｆは、格子状に設けられており、複数の半田付け領域１１ｄを相互に分離している。規制部１１ｆは、各半田付け領域１１ｄの全周を囲繞している。規制部１１ｆの底面１１ｇ及び側面１１ｈは、めっき層１１ｂによって構成されている。この凹状の規制部１１ｆは、例えば、エッチングやプレス加工、切削加工等によって形成することができる。
【００１８】
以上の構成の半導体パッケージ４の基板５への実装工程について説明する。図４に示すように、実装工程では、一例として半田ボール状の第一半田部１６と第二半田部１７とが第一電極部１１と第二電極部１２とに接合されている。そして、基板５と半導体パッケージ４とで第一半田部１６及び第二半田部１７を挟み、リフロー工程で、第一半田部１６及び第二半田部１７を加熱する。これにより第一半田部１６及び第二半田部１７が溶融する。この際、めっき層１１ｂが金めっき層であるので、溶融状態の第一半田部１６が第一電極部１１の各半田付け領域１１ｄの全体に良好に濡れ広がる。そして、本実施形態では、半田付け領域１１ｄの周縁部１１ｅに接続して設けられた規制部１１ｆが、溶融状態の第一半田部１６の移動（濡れ広がり）を規制するので、半田付け領域１１ｄ外に第一半田部１６が濡れ広がるのが抑制される。ここで、溶融した半田は、平面上は比較的に濡れ広がりやすいが、段差部分では、自身の表面張力のために比較的に濡れ広がり難い。本実施形態では、この半田の性質を利用すべく、半田付け領域１１ｄの周縁部１１ｅに接続した規制部１１ｆによって段差を形成し、第一半田部１６の濡れ広がりを規制している。その後、第一及び第二半田部１６，１７が冷却によって凝固する。これにより、半導体パッケージ４が基板５に固定される。
【００１９】
以上説明したように、本実施形態では、規制部１１ｆが、実装工程において、溶融状態の第一半田部１６の移動を規制するので、溶融した第一半田部１６が第一電極部１１上で濡れ広がり過ぎてしまうことを抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、基板５に対して第一電極部１１を良好に半田付けすることができる。これにより、第一半田部１６の高密度化や第一半田部１６の安定性（接合信頼性）を向上させることができる。
【００２０】
なお、本実施形態では、規制部１１ｆとして、格子状に形成された規制部１１ｆを説明したが、これに限るものではなく、規制部１１ｆの形状としては、円形や楕円形状等であっても良い。
【００２１】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について図５を参照して説明する。
【００２２】
本実施形態は、基本的には、第１実施形態と同じであるが、半導体パッケージ４の規制部１１ｆＡの形状が第１実施形態に対して異なる。図５に示すように、本実施形態では、規制部１１ｆＡは、複数設けられている。規制部１１ｆＡは、凹状に形成されており、それぞれ、半田付け領域１１ｄの角部に接続されている。半田付け領域１１ｄは、図５中の一点鎖線と実線とで構成される矩形領域である。
【００２３】
半田付け領域１１ｄ同士は、平面状の接続面１１ｉによって接続されている。接続面１１ｉは、めっき層１１ｂで構成されている。
【００２４】
以上説明したように、本実施形態においても、規制部１１ｆＡが、実装工程において、溶融状態の第一半田部１６（図２参照）の移動を規制するので、溶融した第一半田部１６が第一電極部１１上で濡れ広がり過ぎてしまうことを抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、基板５に対して第一電極部１１を良好に半田付けすることができる。
【００２５】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について図６及び図７を参照して説明する。
【００２６】
本実施形態は、基本的には第１実施形態と同じであり、図６及び図７に示すように、本実施形態の半導体パッケージ４は、接続層１３によって半導体チップ１０に接続されたリードフレーム１１ａと、リードフレーム１１ａに積層され、半田付け領域１１ｄが設けられためっき層１１ｂと、を備えている。そして、本実施形態では、第１実施形態と異なる点は、規制部１１ｆＢの底面１１ｇが接続層１３によって構成されている点である。なお、規制部１１ｆの側面１１ｈは、第１実施形態と同じくめっき層１１ｂによって構成されている。このような規制部１１ｆＢは、エッチングや切削加工によって形成することができる。
【００２７】
本実施形態では、第一電極部１１は、規制部１１ｆＢによって複数の部分１１ｎに分割された構成となっている。これらの各部分１１ｎは、接続層１３によって相互に接続されている。
【００２８】
以上説明した本実施形態においても、規制部１１ｆＢが、実装工程において、溶融状態の第一半田部１６の移動を規制するので、溶融した第一半田部１６が第一電極部１１上で濡れ広がり過ぎてしまうことを抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、基板５に対して第一電極部１１を良好に半田付けすることができる。
【００２９】
なお、本実施形態では、規制部１１ｆＢの底面１１ｇが接続層１３によって構成され、規制部１１ｆＢの側面１１ｈがめっき層１１ｂによって構成された例を説明したが、これに限るものではない。例えば、凹状の規制部の底面及び側面がリードフレーム１１ａで構成されていてもよい。この場合の規制部は、例えば、リードフレーム１１ａに凹部を形成して、その凹部にマスクをした状態でリードフレーム１１ａにめっきを施し、その後マスクを外すことで、形成することができる。この規制部によれば、リードフレーム１１ａによって構成された規制部の側面の半田濡れ性が、金めっき層であるめっき層１１ｂの半田濡れ性よりも低いので、この濡れ性の違いによっても第一半田部１６の濡れ広がりを抑制することができる。
【００３０】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について図８ないし図１０を参照して説明する。
【００３１】
本実施形態は、基本的には第１実施形態と同じであるが、半導体パッケージ４の規制部１１ｆＣが第１実施形態に対して異なる。本実施形態の規制部１１ｆＣは、図８及び図９に示すように、第一電極部１１に凸状に設けられている。この規制部１１ｆＣは、図１０に示すように、格子状に設けられている。
【００３２】
本実施形態の半導体パッケージ４は、第１実施形態と同様に、接続層１３によって半導体パッケージ４に接続されたリードフレーム１１ａと、リードフレーム１１ａに積層され、半田付け領域１１ｄが設けられためっき層１１ｂと、を備えている。そして、規制部１１ｆＣは、めっき層１１ｂ上に設けられている。規制部１１ｆＣは、金めっき層であるめっき層１１ｂよりも、半田濡れ性が低い。これは、例えば、めっき層１１ｂの材料よりも半田濡れ性の低い材料で規制部１１ｆＣを形成することで実現できる。このような規制部１１ｆＣの材料は、例えば、有機物やすず等であって良い。また。規制部１１ｆＣをソルダレジストで構成しても良い。
【００３３】
以上の構成の半導体パッケージ４の基板５への実装工程は、第１実施形態と同様に行われる。実装工程におけるリフロー工程では、溶融した第一半田部１６の移動（濡れ広がり）を、規制部１１ｆＣが規制する。本実施形態の規制部１１ｆＣは、凸状に形成されているので、規制部１１ｆＣが堤防として機能して、溶融した第一半田部１６の移動を規制する。また、規制部１１ｆＣは、その半田濡れ性がめっき層１１ｂよりも低くなっている。即ち、規制部１１ｆＣは、半田濡れ性が比較的に低いので、この点でも、規制部１１ｆＣは、第一半田部１６の移動を良好に規制することができる。また、規制部１１ｆＣは、上述の通り半田濡れ性が比較的に低いので、規制部１１ｆＣの側面１１ｈでは移動を阻止しきれなかった溶融状態の第一半田部１６が規制部１１ｆＣの突出端面１１ｊ上で移動（濡れ広がり）するのを、規制することができる。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態においても、半導体パッケージ４の規制部１１ｆＣが、実装工程において、溶融状態の第一半田部１６の移動を規制するので、溶融した第一半田部１６が第一電極部１１上で濡れ広がり過ぎてしまうことを抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、基板５に対して第一電極部１１を良好に半田付けすることができる。
【００３５】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について図１１を参照して説明する。
【００３６】
本実施形態は、基本的には第４実施形態と同じであるが、規制部１１ｆＤが第４実施形態に対して異なる。
【００３７】
本実施形態の規制部１１ｆＤの表面１１ｋは、めっき層１１ｂによって構成されている。詳細には、リードフレーム１１ａにおける基板５側の面の一部に中間層１１ｍが設けられ、この中間層１１ｍをめっき層１１ｂで被覆することで、凸状の規制部１１ｆＤが形成さている。中間層１１ｍは、例えば金属製であり、導電性を有している。
【００３８】
以上説明した本実施形態においても、半導体パッケージ４の半導体パッケージ４の規制部１１ｆＤが、実装工程において、溶融状態の第一半田部１６（図２参照）の移動を規制するので、溶融した第一半田部１６が第一電極部１１上で濡れ広がり過ぎてしまうことを抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、基板５に対して第一電極部１１を良好に半田付けすることができる。
【００３９】
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について図１２を参照して説明する。
【００４０】
本実施形態は、基本的には第４実施形態と同じであるが、半導体パッケージ４の半田付け領域１１ｄＥが円形に形成されて、半田付け領域１１ｄＥに対して凸状に形成された規制部１１ｆＥが、その円形の半田付け領域１１ｄＥの全周を囲繞している点が第４実施形態に対して異なる。別の言い方をすると、半田付け領域１１ｄＥは、凹部の底面によって構成されている。
【００４１】
以上説明した本実施形態においても、規制部１１ｆＥが、実装工程において、溶融状態の第一半田部１６（図２参照）の移動を規制するので、溶融した第一半田部１６が第一電極部１１上で濡れ広がり過ぎてしまうことを抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、基板５に対して第一電極部１１を良好に半田付けすることができる。
【００４２】
＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について図１３を参照して説明する。
【００４３】
図１３に示すように、本実施形態にかかる電子機器は、所謂ノート型のパーソナルコンピュータ２０として構成されており、矩形状の扁平な第一の本体部２２と、矩形状の扁平な第二の本体部２３と、を備えている。これら第一の本体部２２及び第二の本体部２３は、ヒンジ機構２４を介して、回動軸Ａｘ回りに図１３に示す展開状態と図示しない折り畳み状態との間で相対回動可能に、接続されている。
【００４４】
第一の本体部２２には、筐体２２ａの外面としての前面２２ｂ側に露出する状態で、入力操作部としてのキーボード２５や、ポインティングデバイス２６、クリックボタン２７等が設けられている。一方、第二の本体部２３には、筐体２３ａの外面としての前面２３ｂ側に露出する状態で、表示装置（部品）としてのディスプレイパネル２８が設けられている。ディスプレイパネル２８は、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）として構成される。そして、パーソナルコンピュータ２０の展開状態では、キーボード２５や、ポインティングデバイス２６、クリックボタン２７、ディスプレイパネル２８の表示画面２８ａ等が露出して、ユーザが使用可能な状態となる。一方、折り畳み状態では、前面２２ｂ，２３ｂ同士が相互に近接した状態で対向して、キーボード２５や、ポインティングデバイス２６、クリックボタン２７、ディスプレイパネル２８等が、筐体２２ａ，２３ａによって隠された状態となる。なお、図１３では、キーボード２５のキー２５ａは一部のみ図示されている。
【００４５】
そして、第１実施形態で示した基板５と同様の基板２１が、第一の本体部２２の筐体２２ａまたは第一の本体部２２の筐体２２ａ内に（本実施形態では、筐体２２ａ内のみに）収容されている。
【００４６】
ディスプレイパネル２８は、基板２１に実装された半導体パッケージ４等で構成された制御回路から表示信号を受け取り、静止画や動画等の映像を表示する。また、パーソナルコンピュータ２０の制御回路は、制御部、記憶部（例えば、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等）、インタフェース回路、各種コントローラ等を有している。また、パーソナルコンピュータ２０は、音声出力用のスピーカ等（図示せず）も内蔵している。
【００４７】
基板２１は、第１実施形態の基板５と同様の構成を有し、半導体パッケージ４は、第１ないし第６実施形態の半導体パッケージ４のいずれかである。即ち、本実施形態にかかる電子機器としてのパーソナルコンピュータ２０は、基板２１と、基板２１に実装された電子部品構造体としての半導体パッケージ４と、を備える。したがって、本実施形態にかかるパーソナルコンピュータ２０にあっても、上記第１ないし第６実施形態によって得られる効果と同様の効果を得ることができる。
【００４８】
＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について図１４を参照して説明する。
【００４９】
図１４に示すように、本実施形態にかかる電子機器は、磁気ディスク装置３０として構成されている。磁気ディスク装置３０は、磁気ディスク（図示せず）等の部品を収容する扁平な直方体状の筐体３１と、筐体３１にねじ３２等の締結具によって取り付けられた基板（プリント基板）３３と、を有している。
【００５０】
また、基板３３は、筐体３１の上壁部３１ａ上に配置されている。基板３３と上壁部３１ａとの間には、フィルム状の絶縁シート（図示せず）が挟まれている。そして、本実施形態では、基板３３の図１６の視線での裏面、すなわち上壁部３１ａに対向する基板３３の裏面（図示せず）が、半導体パッケージ４を含む複数の電子部品等が実装される主たる実装面となっている。基板３３の表面及び裏面には、配線パターン（図示せず）が設けられている。なお、もちろん、基板３３の表面にも電子部品を実装することができる。
【００５１】
そして、本実施形態でも、基板３３は、上記第１実施形態と同様の構成を有するとともに、この基板３３に実装される半導体パッケージ４は、第１ないし第６実施形態の半導体パッケージ４のいずれかである。即ち、本実施形態にかかる電子機器としての磁気ディスク装置３０は、基板３３と、基板３３に実装された電子部品構造体としての半導体パッケージ４と、を備える。したがって、本実施形態にかかる磁気ディスク装置３０にあっても、上記第１ないし第６実施形態によって得られる効果と同様の効果を得ることができる。
【００５２】
以上、説明したように、上記各実施形態によれば、基板に対して電極部を良好に半田付けすることができる電子部品構造体及び電子機器を提供することができる。
【００５３】
なお、本発明は、上記各実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化することができる。また、上記各実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成することができる。例えば、実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせても良い。
【符号の説明】
【００５４】
１…テレビジョン装置（電子機器）
４…半導体パッケージ（電子部品構造体）
５，２１，３３…基板
１０…半導体チップ（電子部品）
１１…第一電極部（電極部）
１１ａ…リードフレーム
１１ｂ…めっき層
１１ｄ，１１ｄＥ…半田付け領域
１１ｅ…半田付け領域の周縁部
１１ｆ，１１ｆＡ，１１ｆＢ，１１ｆＣ，１１ｆＤ，１１ｆＥ…規制部
１１ｇ…規制部の底面
１１ｈ…規制部の側面
１１ｉ…接続面
１３…接続層
２０…パーソナルコンピュータ（電子機器）
３０…磁気ディスク装置（電子機器）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と、
前記電子部品に積層状態で接続され、前記電子部品側とは反対側の部分に複数の半田付け領域を有し、前記半田付け領域のそれぞれが相互に別の半田部によって基板に半田付けされる電極部と、
前記半田付け領域の周縁部に接続して設けられ、前記半田付け領域に対して段差をなした規制部と、
を備えたことを特徴とする電子部品構造体。
【請求項２】
前記規制部は、前記電極部に凹状に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の電子部品構造体。
【請求項３】
前記電極部は、前記電子部品に接続されたリードフレームと、前記はんだ付け領域を有して前記リードフレームに積層されためっき層と、
を有し、
前記規制部の底面及び側面が前記めっき層によって構成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子部品構造体。
【請求項４】
前記電極部は、接続層によって前記電子部品に接続されたリードフレームと、前記リードフレームに積層され、前記半田付け領域が設けられためっき層と、
を有し、
前記規制部の底面が前記接続層によって構成され、前記規制部の側面が前記めっき層によって構成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子部品構造体。
【請求項５】
前記規制部は、前記電極部に凸状に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の電子部品構造体。
【請求項６】
前記電極部は、前記電子部品に接続されたリードフレームと、前記リードフレームに積層され、前記半田付け領域が設けられためっき層と、
を有し、
前記規制部は、前記めっき層上に設けられたことを特徴とする請求項５に記載の電子部品構造体。
【請求項７】
前記電極部は、前記電子部品に接続されたリードフレームと、前記リードフレームに積層され、前記半田付け領域が設けられためっき層と、
を有し、
前記規制部の表面は、前記めっき層によって構成されていることを特徴とする請求項５に記載の電子部品構造体。
【請求項８】
前記規制部は、前記複数の半田付け領域を相互に分離したことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の電子部品構造体。
【請求項９】
前記規制部は、格子状に設けられたことを特徴とする請求項８に記載の電子部品構造体。
【請求項１０】
前記規制部は、複数設けられており、
前記半田付け領域同士が平面状の接続面によって接続されたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の電子部品構造体。
【請求項１１】
基板と、
前記基板に実装された請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の電子部品構造体と、
を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
電子部品と、
前記電子部品に積層状態で接続され、前記電子部品側とは反対側の部分に複数の半田付け領域を有し、前記半田付け領域のそれぞれが相互に別の半田部によって基板に半田付けされる電極部と、
前記半田付け領域の周縁部に接続して設けられ、前記半田付け領域に対して段差をなした規制部と、
を備えたことを特徴とする電子部品構造体。
【請求項２】
前記規制部は、前記電極部に凹状に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の電子部品構造体。
【請求項３】
前記電極部は、前記電子部品に接続されたリードフレームと、前記はんだ付け領域を有して前記リードフレームに積層されためっき層と、
を有し、
前記規制部の底面及び側面が前記めっき層によって構成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子部品構造体。
【請求項４】
前記電極部は、接続層によって前記電子部品に接続されたリードフレームと、前記リードフレームに積層され、前記半田付け領域が設けられためっき層と、
を有し、
前記規制部の底面が前記接続層によって構成され、前記規制部の側面が前記めっき層によって構成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子部品構造体。
【請求項５】
前記規制部は、前記電極部に凸状に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の電子部品構造体。
【請求項６】
前記電極部は、前記電子部品に接続されたリードフレームと、前記リードフレームに積層され、前記半田付け領域が設けられためっき層と、
を有し、
前記規制部は、前記めっき層上に設けられたことを特徴とする請求項５に記載の電子部品構造体。
【請求項７】
前記電極部は、前記電子部品に接続されたリードフレームと、前記リードフレームに積層され、前記半田付け領域が設けられためっき層と、
を有し、
前記規制部の表面は、前記めっき層によって構成されていることを特徴とする請求項５に記載の電子部品構造体。
【請求項８】
前記規制部は、前記複数の半田付け領域を相互に分離したことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の電子部品構造体。
【請求項９】
前記規制部は、格子状に設けられたことを特徴とする請求項８に記載の電子部品構造体。
【請求項１０】
前記規制部は、複数設けられており、
前記半田付け領域同士が平面状の接続面によって接続されたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の電子部品構造体。
【請求項１１】
基板と、
前記基板に実装された請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の電子部品構造体と、
を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１２−２３１２９（Ｐ２０１２−２３１２９Ａ）
【公開日】平成２４年２月２日（２０１２．２．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１５８６９５（Ｐ２０１０−１５８６９５）
【出願日】平成２２年７月１３日（２０１０．７．１３）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月２日（２０１２．２．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月１３日（２０１０．７．１３）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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