MEMS構造と、別個の基板上にMEMS構成要素を製作し、別個の基板を組み立てる方法
【課題】微小電子機械デバイスと、微小電子機械デバイスを作成する方法を提供する。
【解決手段】静電干渉変調器ディスプレイデバイスを製作する方法と、その方法によって形成されたデバイスが開示される。一実施形態では、静電干渉変調器ディスプレイデバイスは、前面基板と背面板を積層することによって製作され、その各々が上部で機能する部材を有する。前面基板と背面板の少なくとも一方は、干渉変調のために選択された深さのキャビティを有する。フィーチャは、付着およびパターン形成によって、型押しによって、またはパターン形成およびエッチングによって形成される。前記方法は、製造コストを低減するばかりでなく、より高い歩留まりも提供する。
【解決手段】静電干渉変調器ディスプレイデバイスを製作する方法と、その方法によって形成されたデバイスが開示される。一実施形態では、静電干渉変調器ディスプレイデバイスは、前面基板と背面板を積層することによって製作され、その各々が上部で機能する部材を有する。前面基板と背面板の少なくとも一方は、干渉変調のために選択された深さのキャビティを有する。フィーチャは、付着およびパターン形成によって、型押しによって、またはパターン形成およびエッチングによって形成される。前記方法は、製造コストを低減するばかりでなく、より高い歩留まりも提供する。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
静的干渉表示デバイスを作成する方法であって、
第1の基板上に形成された光学スタックを含む第1の基板を提供するステップであって、前記第1の基板が、実質的に透明な材料から形成されるステップと、
第2の基板上に形成されたミラー層を含む第2の基板を提供するステップであって、前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも一方が、前記静的干渉デバイスがそれを表示するように構成された画像に基づいてパターン形成されたキャビティを定める複数の支持構造を含む、ステップと、
前記第1の基板を前記第2の基板に結合するステップであって、前記光学スタックが、前記第2の基板に面し、前記ミラー層が、前記第1の基板に面し、一方の前記基板の前記キャビティが、他方の前記基板に面し、
前記第1の基板が、前記キャビティを定める前記複数の支持構造を含み、前記光学スタックが、前記支持構造の頂上および前記キャビティの底上に形成され、前記光学スタックが、前記支持構造の前記頂部と前記キャビティの前記底の間で途切れているか、または
前記第2の基板が、前記キャビティを定める前記複数の支持構造を含み、前記ミラー層が、前記支持構造の頂上および前記キャビティの底上に形成され、前記ミラー層が、前記支持構造の前記頂部と前記キャビティの前記底の間で途切れているか
のどちらかである、ステップと、
を含む方法。
【請求項2】
前記第1の基板が、前記キャビティを含み、前記第2の基板が、実質的に平坦である、請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記第1の基板が、実質的に平坦であり、前記第2の基板が、前記キャビティを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項4】
前記キャビティが、多数の色を干渉的に発生させるように、多数の深さを有する、請求項1に記載の方法。
【請求項5】
静的干渉表示デバイスを作成する方法であって、
複数のキャビティを定める支持構造を含む第1の面を含む、第1の基板を提供するステップであって、前記キャビティが、少なくとも1つの深さを有し、前記キャビティが、前記静的干渉表示デバイスがそれを表示するように構成された画像に少なくとも部分的に基づいてパターン形成される、ステップと、
光学スタックが前記支持構造の頂部と前記キャビティの底の間で途切れるように、前記支持構造の前記頂上および前記キャビティの前記底上に光学スタックを提供するステップと、
前記第1の面上に重ねてミラー層を提供するステップと
を含む方法。
【請求項6】
前記第1の基板を提供するステップが、型押しプロセス、フォトリソグラフィおよびエッチングプロセス、ならびにインスクライブプロセスの1つを使用して、前記第1の基板を成形するステップを含む、請求項5に記載の方法。
【請求項7】
前記支持構造が、前記第1の基板と同じ材料から、前記第1の基板と一体形成される、請求項5に記載の方法。
【請求項8】
前記ミラー層を提供するステップが、前記光学スタック上に重ねて前記ミラー層を付着するステップを含む、請求項5に記載の方法。
【請求項9】
前記第1の基板が、実質的に透明な材料から形成される、請求項5に記載の方法。
【請求項10】
前記第1の基板が、実質的に透明な材料から形成され、前記光学スタックを提供するステップが、前記第1の基板の前記キャビティ内に部分反射層を形成するステップを含み、前記ミラー層を提供するステップが、第2の基板を前記第1の基板に結合するステップを含み、前記第2の基板が、その上に形成された前記ミラー層を含む、請求項5に記載の方法。
【請求項11】
前記第1の基板の前記キャビティの少なくとも一部を実質的に透明な材料で満たすステップをさらに含み、前記実質的に透明な材料が、前記光学スタック上に重ねて形成される、請求項5に記載の方法。
【請求項12】
前記ミラー層を提供するステップが、前記キャビティの前記少なくとも一部を満たした後、前記実質的に透明な材料上に前記ミラー層を形成するステップを含む、請求項11に記載の方法。
【請求項13】
静的干渉表示デバイスであって、
第1の面を含む第1の基板であって、前記第1の面上にキャビティを定める支持構造を含み、前記キャビティが、前記静的干渉表示デバイスがそれを表示するように構成された画像に少なくとも部分的に基づいてパターン形成される、第1の基板と、
前記第1の基板に結合される第2の基板であって、前記第1の面に面する第2の面を含む第2の基板と、
前記第1の面と前記第2の面の間に形成された部分透明層を含む光学スタックとを含み、
前記第1の基板が、前記支持構造の頂上に前記光学スタックまたはミラー層を、前記キャビティの底上に同じ光学スタックまたはミラー層を含み、
前記光学スタックまたはミラー層が、前記支持構造の前記頂部と前記キャビティの前記底の間で途切れている、
静的干渉表示デバイス。
【請求項14】
前記支持構造が、前記第1の基板と同じ材料から、前記第1の基板と一体形成される、
請求項13に記載のデバイス。
【請求項15】
前記光学スタックが、前記支持構造の前記頂上および前記キャビティの前記底上に形成され、前記デバイスが、前記第2の基板の前記第2の面上に形成されるミラー層を含む、請求項13に記載のデバイス。
【請求項16】
前記第2の基板が、反射材料から形成される、請求項13に記載のデバイス。
【請求項17】
前記第2の基板が、鏡のような金属箔を含む、請求項16に記載のデバイス。
【請求項18】
前記第1の基板の前記キャビティの少なくとも一部を満たす実質的に透明なフィラをさらに含む、請求項13に記載のデバイス。
【請求項19】
前記光学スタックが、前記支持構造の前記頂上および前記キャビティの前記底上に形成され、前記デバイスが、前記実質的に透明なフィラ上にミラー層をさらに含み、前記ミラー層が、前記キャビティに面する、請求項18に記載のデバイス。
【請求項20】
静的干渉表示デバイスであって、
第1の面を含む第1の基板であって、前記第1の面上にキャビティを定める支持構造を含み、前記キャビティが、前記静的干渉表示デバイスがそれを表示するように構成された画像に少なくとも部分的に基づいてパターン形成され、前記第1の基板が、前記支持構造の頂上および前記キャビティの底上に光学スタックをさらに含み、前記光学スタックが、部分反射層を含み、前記光学スタックが、前記支持構造の前記頂部と前記キャビティの前記底の間で途切れている、第1の基板と、
前記第1の面上に重ねて形成されたミラー層と
を含む静的干渉表示デバイス。
【請求項21】
前記第1の基板の前記キャビティの少なくとも一部を満たす実質的に透明なフィラをさらに含む、請求項20に記載のデバイス。
【請求項22】
前記支持構造が、前記第1の基板と同じ材料から、前記第1の基板と一体形成される、請求項20に記載のデバイス。
【請求項1】
静的干渉表示デバイスを作成する方法であって、
第1の基板上に形成された光学スタックを含む第1の基板を提供するステップであって、前記第1の基板が、実質的に透明な材料から形成されるステップと、
第2の基板上に形成されたミラー層を含む第2の基板を提供するステップであって、前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも一方が、前記静的干渉デバイスがそれを表示するように構成された画像に基づいてパターン形成されたキャビティを定める複数の支持構造を含む、ステップと、
前記第1の基板を前記第2の基板に結合するステップであって、前記光学スタックが、前記第2の基板に面し、前記ミラー層が、前記第1の基板に面し、一方の前記基板の前記キャビティが、他方の前記基板に面し、
前記第1の基板が、前記キャビティを定める前記複数の支持構造を含み、前記光学スタックが、前記支持構造の頂上および前記キャビティの底上に形成され、前記光学スタックが、前記支持構造の前記頂部と前記キャビティの前記底の間で途切れているか、または
前記第2の基板が、前記キャビティを定める前記複数の支持構造を含み、前記ミラー層が、前記支持構造の頂上および前記キャビティの底上に形成され、前記ミラー層が、前記支持構造の前記頂部と前記キャビティの前記底の間で途切れているか
のどちらかである、ステップと、
を含む方法。
【請求項2】
前記第1の基板が、前記キャビティを含み、前記第2の基板が、実質的に平坦である、請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記第1の基板が、実質的に平坦であり、前記第2の基板が、前記キャビティを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項4】
前記キャビティが、多数の色を干渉的に発生させるように、多数の深さを有する、請求項1に記載の方法。
【請求項5】
静的干渉表示デバイスを作成する方法であって、
複数のキャビティを定める支持構造を含む第1の面を含む、第1の基板を提供するステップであって、前記キャビティが、少なくとも1つの深さを有し、前記キャビティが、前記静的干渉表示デバイスがそれを表示するように構成された画像に少なくとも部分的に基づいてパターン形成される、ステップと、
光学スタックが前記支持構造の頂部と前記キャビティの底の間で途切れるように、前記支持構造の前記頂上および前記キャビティの前記底上に光学スタックを提供するステップと、
前記第1の面上に重ねてミラー層を提供するステップと
を含む方法。
【請求項6】
前記第1の基板を提供するステップが、型押しプロセス、フォトリソグラフィおよびエッチングプロセス、ならびにインスクライブプロセスの1つを使用して、前記第1の基板を成形するステップを含む、請求項5に記載の方法。
【請求項7】
前記支持構造が、前記第1の基板と同じ材料から、前記第1の基板と一体形成される、請求項5に記載の方法。
【請求項8】
前記ミラー層を提供するステップが、前記光学スタック上に重ねて前記ミラー層を付着するステップを含む、請求項5に記載の方法。
【請求項9】
前記第1の基板が、実質的に透明な材料から形成される、請求項5に記載の方法。
【請求項10】
前記第1の基板が、実質的に透明な材料から形成され、前記光学スタックを提供するステップが、前記第1の基板の前記キャビティ内に部分反射層を形成するステップを含み、前記ミラー層を提供するステップが、第2の基板を前記第1の基板に結合するステップを含み、前記第2の基板が、その上に形成された前記ミラー層を含む、請求項5に記載の方法。
【請求項11】
前記第1の基板の前記キャビティの少なくとも一部を実質的に透明な材料で満たすステップをさらに含み、前記実質的に透明な材料が、前記光学スタック上に重ねて形成される、請求項5に記載の方法。
【請求項12】
前記ミラー層を提供するステップが、前記キャビティの前記少なくとも一部を満たした後、前記実質的に透明な材料上に前記ミラー層を形成するステップを含む、請求項11に記載の方法。
【請求項13】
静的干渉表示デバイスであって、
第1の面を含む第1の基板であって、前記第1の面上にキャビティを定める支持構造を含み、前記キャビティが、前記静的干渉表示デバイスがそれを表示するように構成された画像に少なくとも部分的に基づいてパターン形成される、第1の基板と、
前記第1の基板に結合される第2の基板であって、前記第1の面に面する第2の面を含む第2の基板と、
前記第1の面と前記第2の面の間に形成された部分透明層を含む光学スタックとを含み、
前記第1の基板が、前記支持構造の頂上に前記光学スタックまたはミラー層を、前記キャビティの底上に同じ光学スタックまたはミラー層を含み、
前記光学スタックまたはミラー層が、前記支持構造の前記頂部と前記キャビティの前記底の間で途切れている、
静的干渉表示デバイス。
【請求項14】
前記支持構造が、前記第1の基板と同じ材料から、前記第1の基板と一体形成される、
請求項13に記載のデバイス。
【請求項15】
前記光学スタックが、前記支持構造の前記頂上および前記キャビティの前記底上に形成され、前記デバイスが、前記第2の基板の前記第2の面上に形成されるミラー層を含む、請求項13に記載のデバイス。
【請求項16】
前記第2の基板が、反射材料から形成される、請求項13に記載のデバイス。
【請求項17】
前記第2の基板が、鏡のような金属箔を含む、請求項16に記載のデバイス。
【請求項18】
前記第1の基板の前記キャビティの少なくとも一部を満たす実質的に透明なフィラをさらに含む、請求項13に記載のデバイス。
【請求項19】
前記光学スタックが、前記支持構造の前記頂上および前記キャビティの前記底上に形成され、前記デバイスが、前記実質的に透明なフィラ上にミラー層をさらに含み、前記ミラー層が、前記キャビティに面する、請求項18に記載のデバイス。
【請求項20】
静的干渉表示デバイスであって、
第1の面を含む第1の基板であって、前記第1の面上にキャビティを定める支持構造を含み、前記キャビティが、前記静的干渉表示デバイスがそれを表示するように構成された画像に少なくとも部分的に基づいてパターン形成され、前記第1の基板が、前記支持構造の頂上および前記キャビティの底上に光学スタックをさらに含み、前記光学スタックが、部分反射層を含み、前記光学スタックが、前記支持構造の前記頂部と前記キャビティの前記底の間で途切れている、第1の基板と、
前記第1の面上に重ねて形成されたミラー層と
を含む静的干渉表示デバイス。
【請求項21】
前記第1の基板の前記キャビティの少なくとも一部を満たす実質的に透明なフィラをさらに含む、請求項20に記載のデバイス。
【請求項22】
前記支持構造が、前記第1の基板と同じ材料から、前記第1の基板と一体形成される、請求項20に記載のデバイス。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図7E】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図12D】
【図13】
【図14A】
【図14B】
【図14C】
【図14D】
【図15】
【図16A】
【図16B】
【図16C】
【図16D】
【図16E】
【図16F】
【図17A】
【図17B】
【図17C】
【図18A】
【図18B】
【図18C】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22A】
【図22B】
【図22C】
【図23A】
【図23B】
【図23C】
【図24A】
【図24B】
【図25】
【図26A】
【図26B】
【図26C】
【図26D】
【図26E】
【図27A】
【図27B】
【図27C】
【図27D】
【図28】
【図29A】
【図29B】
【図29C】
【図29D】
【図30A】
【図30B】
【図30C】
【図30D】
【図31A】
【図31B】
【図31C】
【図31D】
【図32A】
【図32B】
【図32C】
【図32D】
【図32E】
【図33A】
【図33B】
【図33C】
【図33D】
【図34A】
【図34B】
【図34C】
【図34D】
【図35A】
【図35B】
【図35C】
【図35D】
【図36A】
【図36B】
【図36C】
【図36D】
【図36E】
【図37A】
【図37B】
【図37C】
【図37D】
【図37E】
【図38A】
【図38B】
【図38C】
【図38D】
【図39A】
【図39B】
【図40】
【図41A】
【図41B】
【図41C】
【図42A】
【図42B】
【図42C】
【図43A】
【図43B】
【図43C】
【図44A】
【図44B】
【図44C】
【図44D】
【図44E】
【図45A】
【図45B】
【図45C】
【図45D】
【図46A】
【図46B】
【図47】
【図48】
【図49A】
【図49B】
【図49C】
【図50】
【図51】
【図52A】
【図52B】
【図53A】
【図53B】
【図53C】
【図53D】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図7E】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図12D】
【図13】
【図14A】
【図14B】
【図14C】
【図14D】
【図15】
【図16A】
【図16B】
【図16C】
【図16D】
【図16E】
【図16F】
【図17A】
【図17B】
【図17C】
【図18A】
【図18B】
【図18C】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22A】
【図22B】
【図22C】
【図23A】
【図23B】
【図23C】
【図24A】
【図24B】
【図25】
【図26A】
【図26B】
【図26C】
【図26D】
【図26E】
【図27A】
【図27B】
【図27C】
【図27D】
【図28】
【図29A】
【図29B】
【図29C】
【図29D】
【図30A】
【図30B】
【図30C】
【図30D】
【図31A】
【図31B】
【図31C】
【図31D】
【図32A】
【図32B】
【図32C】
【図32D】
【図32E】
【図33A】
【図33B】
【図33C】
【図33D】
【図34A】
【図34B】
【図34C】
【図34D】
【図35A】
【図35B】
【図35C】
【図35D】
【図36A】
【図36B】
【図36C】
【図36D】
【図36E】
【図37A】
【図37B】
【図37C】
【図37D】
【図37E】
【図38A】
【図38B】
【図38C】
【図38D】
【図39A】
【図39B】
【図40】
【図41A】
【図41B】
【図41C】
【図42A】
【図42B】
【図42C】
【図43A】
【図43B】
【図43C】
【図44A】
【図44B】
【図44C】
【図44D】
【図44E】
【図45A】
【図45B】
【図45C】
【図45D】
【図46A】
【図46B】
【図47】
【図48】
【図49A】
【図49B】
【図49C】
【図50】
【図51】
【図52A】
【図52B】
【図53A】
【図53B】
【図53C】
【図53D】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【公開番号】特開2010−198022(P2010−198022A)
【公開日】平成22年9月9日(2010.9.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−56109(P2010−56109)
【出願日】平成22年3月12日(2010.3.12)
【分割の表示】特願2010−507525(P2010−507525)の分割
【原出願日】平成20年4月28日(2008.4.28)
【公序良俗違反の表示】
(特許庁注:以下のものは登録商標)
1.Bluetooth
2.GSM
【出願人】(508095337)クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド (133)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年9月9日(2010.9.9)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年3月12日(2010.3.12)
【分割の表示】特願2010−507525(P2010−507525)の分割
【原出願日】平成20年4月28日(2008.4.28)
【公序良俗違反の表示】
(特許庁注:以下のものは登録商標)
1.Bluetooth
2.GSM
【出願人】(508095337)クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド (133)
【Fターム(参考)】
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