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Fターム[5F157CF16]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | 吸排気構造 (450)

Fターム[5F157CF16]の下位に属するFターム

吸入口 (51)
排気口 (222)

Fターム[5F157CF16]に分類される特許

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【課題】基板処理装置の各液処理ユニットに処理液を供給するときに、流量の精度を落とすことなく流量制御機構をまとめることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理液が流れる供給流路68aと、供給流路68aに処理液を供給する処理液供給部70と、供給流路68a上に設けられ、供給流路68aの流量を制御する流量制御機構131と、流量制御機構131の下流側に接続される第1の経路68c又は第1の経路68cと平行に接続される第2の経路68dに切り替える切替機構135とを有する。流量制御機構131は、供給流路68aの流量を計測する流量計測部132と、内部に開閉可能な弁を備えた流量制御弁133と、流量設定値FSと流量計測値FMとが等しくなるように、流量制御弁133を制御する流量制御部134とを有する。 (もっと読む)


【課題】2種類の薬液の混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽21には、被処理基板Wを浸漬し処理するための第1の薬液と、加熱されることにより、当該第1の薬液より蒸気圧が高く、被処理基板に対して不活性な物質を生成する第2の薬液と、の混合液が貯溜され、加熱部412は、処理槽21内の混合液を加熱し、第1、第2の薬液供給部430、420は、混合液に第1、第2の薬液を補充供給する。制御部5は、混合液を第1の温度に加熱して被処理基板Wの処理を実行し、処理を行っていない期間中は、当該混合液の温度を第1の温度より高い第2の温度に加熱すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために、第1の薬液を補充供給するための制御信号を出力する。 (もっと読む)


本発明のオゾン処理設備用排気酸素リサイクル装置は、排気ガス中の成分のうちオゾンを生成するオゾン発生装置で不純物として認識される不純物を除去する不純物除去手段と、オゾン発生装置に供給可能な圧力にまで排気ガス又は不純物除去手段により不純物が除去された精製ガスを圧縮する圧縮機とを備えている。本発明は、オゾン処理設備での反応後に大気中に排出される排気酸素を精製してオゾンの生成にリサイクルすることができる。
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【課題】他の基板に優先して処理開始すべき基板と、通常のスケジュールで処理される基板とを並行して処理することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】
処理ブロック14a(14b)は、基板搬送部141a、141bを用いて、基板搬入ブロック11から搬入された基板Wに対し、複数の処理ユニット2にて同種の処理を行い、制御部5は他の基板Wよりも処理を優先する優先基板WPが搬送される場合に、複数の処理ユニット2の一部または全部が割り振られた優先処理ユニット2Pのうち、次の基板Wの搬入が可能になった優先処理ユニット2Pに、他の基板Wに優先して優先基板WPを搬入して処理を行う。 (もっと読む)


【課題】強度が強く、耐食性に優れるスイングノズルユニット及びそれを有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板が置かれるスピンヘッドを含む基板支持部材と、前記スピンヘッドの周りを囲むように設置されて基板上から飛散する処理流体を回収する処理容器と、スイング方式で回転し、前記スピンヘッドに置かれた基板に処理流体を噴射するスイングノズルユニット等を具備する。前記スイングノズルユニットは、処理流体供給チューブが位置する内部通路を形成する内側樹脂パイプと、前記内側樹脂パイプを囲むように設置される金属パイプと、前記金属パイプを囲むように設置される外側樹脂パイプからなるノズル体を有するノズル部と、前記ノズル部のθ軸回転及び昇降移動のための駆動部を具備する。 (もっと読む)


【課題】基板の主面及び裏面の汚染を防止する基板処理方法、基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、マスク用基板3の側面3c、3dを保持する保持部としての基板チャック14と、マスク用基板3の処理対象面に処理液5を吐出する処理液吐出部126と、マスク用基板3に吐出した処理液5に向けて気体4を吐出し、処理液5をマスク用基板3から分離させる気体吐出部122と、を備えて概略構成されている。 (もっと読む)


【課題】隣接する基板同士の付着を防止しつつ、複数の基板を一括して処理する基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】可撓性を有する複数の基板Wが所定間隔にて起立姿勢でバスケット5に保持されて気相処理槽10内に収容されている。気相処理槽10の底部を構成する貯留部21にはフッ化水素酸が貯留される。常温のフッ化水素酸からは、処理ガスとしてのフッ酸蒸気が蒸発して生成される。また、ファン23が作動して貯留部21内のフッ化水素酸の液面からバスケット5の内部を通過して循環経路24を流れて再び貯留部21に還流する気流が形成される。このような気流によってフッ酸蒸気がバスケット5内部の複数の基板Wに供給され、エッチング処理が進行する。気相エッチング処理であれば隣接する基板W間に液相の表面張力が作用することは無く、それらが付着することが防止される。 (もっと読む)


【課題】 基板の表面をスピン洗浄するにあたり、基板上に残存する水滴を低減し、例えば露光後の加熱処理時における水滴あるいはウオータマークによる加熱むらを抑えること。
【解決手段】 洗浄液ノズル5の吐出口よりもウエハWの回転方向における下流側に洗浄液を拘束する液押さえ面部を設ける。具体的には洗浄液ノズル5の底面70は長方形状に成形され、底面70にはスキャン方向前方に向けて開いている概ねV字状の凹部71が形成されると共に凹部71の天井面72における根元側に吐出口73が形成される。洗浄液ノズル5からの洗浄液の供給位置を基板の中央部から周縁に向かって移動させると、洗浄液ノズルから吐出された洗浄液は、液押さえ面部により拘束されて液の塊ができるので、低回転でも遠心力が大きくなってその液の塊が外に向かう作用が大きくなる。 (もっと読む)


【課題】電子ビーム照射部の窓を保護するとともに良好な表面処理結果を得ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置1は、処理溶液81により処理対象物90の表面を処理するものであって、電子ビーム照射部10,溶液供給部20,ガス吹出部30,ガス吸引部40,ガス量調整部50および回転部60を備える。電子ビーム照射部10は、窓14を通過した電子ビームを処理対象物90表面上の処理溶液81に照射して、その処理溶液81を活性化させる。ガス吹出部30は、電子ビーム照射部10の窓14に対し略平行に不活性ガス82を吹き出す。ガス吸引部40は、ガス吹出部30から吹き出された不活性ガス82を吸引する。 (もっと読む)


【課題】VOC濃度を積極的に増大させてVOC濃度を平準化させ、VOCの除去効率を向上させた排ガス処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】基板処理部において、揮発性の有機溶剤によって基板を処理し、前記基板処理部に連結された循環部において、前記基板処理部から排出された前記有機溶剤の揮発成分を前記基板処理部に循環させ、その濃度を増大させるとともに平準化させる。次いで、前記循環部に連結された揮発成分処理部において、平準化された濃度を有する前記有機溶剤の揮発成分を捕獲除去する。 (もっと読む)


【課題】減圧乾燥を用いた光学素子の製造方法において、基板面内での膜厚ムラ(ばらつき)を抑制するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】給気口10と排気口11を具備した減圧乾燥装置において、基板1を支持するステージ3上部に、基板1に対する角度を変更可能な変速板12を取り付ける。この装置により、基板1上の流速分布が、排気口11に近づくにしたがって大きくなる分布となり、この結果、基板1上部の溶媒蒸気濃度を場所によらず、かつ時間によらず一定とすることができる。このため、乾燥状態が基板1全面にわたって同一となるため、膜厚ムラの少ない光学素子を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 ウエハ等の被処理体の端部に付着した物質を迅速且つ確実に除去することができ、しかもチャンバ内の各部品のプラズマによる損傷を防止することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理方法は、上部電極5に第1の高周波電力を印加してプラズマを発生させると共に第1の高周波電力より周波数の低い第2の高周波電力をウエハWの下部電極4に印加するプラズマ処理装置1を用いて、下部電極4上に載置されたウエハWの端部に付着した堆積物Dを酸素ガスのプラズマによって除去する際に、酸素ガスの圧力を400〜800mTorrに設定し、下部電極4からウエハWを離した状態で上部電極5によって酸素ガスをプラズマ化することを特徴とする (もっと読む)


【課題】基板を処理する処理液の膜厚を均一にすることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ウェーハWを保持して回転駆動される回転テーブル16と、先端部に処理液を半導体ウェーハに向けて噴射する上部ノズル体51及び斜方ノズル体71と、制御装置7と、を有し、上部ノズル体51は、噴射する処理液の温度及び濃度を調整可能な第1温度調整ユニット61及び第1濃度調整ユニット62を具備し、斜方ノズル体71は、噴射する処理液の温度及び濃度を調整可能な第3温度調整ユニット76及び第2濃度調整ユニット77を具備し、制御装置7は、上部ノズル体51及び斜方ノズル体71から噴射する処理液の温度及び濃度の少なくとも一方を調整することで半導体ウェーハW上の処理液の液膜の膜厚を調整する。 (もっと読む)


【課題】処理槽を洗浄している間に異常が発生した場合に、安全を確実に確保できる技術を提供する。
【解決手段】処理槽10を洗浄している間に異常検知部96が異常を検知した場合に、リカバー制御部97が、比抵抗計14から取得した計測値に基づいて処理槽10が純水状態であるか否かを判定し、処理槽10が純水状態でない場合には、比抵抗回復処理を行って、処理槽10を薬液状態から純水状態に移行させる。一方、処理槽10が純水状態である場合には、基板処理装置1をスローリーク状態とする。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、センサで受光される真空紫外線の強度と、被照射物へ照射される真空紫外線の強度とを近似させる紫外線照射装置を提供することにある。
【解決手段】
第1の発明に係る紫外線照射装置は、被照射物に対して真空紫外光を出射するエキシマランプと、この真空紫外光を受光すると共に光取込部を備えた光センサと、エキシマランプを取り囲む筐体と、からなる紫外線照射装置において、前記光取込部と前記エキシマランプとの間に、不活性ガスと酸素との混合ガスを吹き出すブロー管を有し、前記光取込部と前記エキシマランプとの距離をY1、その間の酸素濃度をP1とし、前記エキシマランプと前記被照射物との距離をY2、その間の酸素濃度をP2とするとき、以下の関係を満たすことを特徴とする。
0.8≦Y2×P2/Y1×P1≦1.2 (もっと読む)


【課題】不要物の除去を行う際に被処理物に与える影響を抑制することができるとともに生産性の向上を図ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物Wを収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器6と、前記処理容器内を減圧する減圧手段3と、前記被処理物を収容する空間と連通しプラズマを発生させる空間を有するプラズマ発生室と、前記プラズマを発生させる空間に電磁波を作用させてプラズマを発生させるプラズマ発生手段2と、前記プラズマを発生させる空間にプロセスガスを供給するガス供給手段4と、除去液蒸気を前記被処理物を収容する空間に供給する除去液蒸気供給手段30と、前記除去液蒸気が凝縮する温度以下となるように前記被処理物の温度を制御する第1の温度制御手段51と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置1。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】基板の表面からパーティクル汚染物質を洗浄するための装置及び方法は、粘弾性材料の層を表面上に塗布することを含む。粘弾性材料は、薄い膜として塗布され、実質的な液体様特性を示す。粘弾性材料を塗布された表面の第1のエリアには、粘弾性材料を塗布された表面の第2のエリアがその加えられる力を実質的に受けないように、外力が加えられる。外力は、粘弾性材料の固体様特性にアクセスするために、粘弾性材料の固有時間よりも短い持続時間にわたって加えられる。固体様特性を示す粘弾性材料は、表面上に存在するパーティクル汚染物質の少なくとも一部と少なくとも部分的に相互作用する。粘弾性材料は、固体様特性を示している間、パーティクル汚染物質の少なくとも一部と併せて表面の第1のエリアの領域から除去される。 (もっと読む)


【課題】Wet処理中のみならず、Wet処理後においても基板へのイオンコンタミネーションを防止する。
【解決手段】薬液に由来して処理チャンバ内に拡散するイオンを検出し、検出されたイオンの量が予め設定した数値範囲内にあるかどうかを判定し、検出されたイオンの量が該数値範囲の上限を超える場合に、処理チャンバ内への吸気量および処理チャンバからの排気量を調整することにより処理チャンバ内のイオンを排出する。 (もっと読む)


【課題】基板の回転数を高くしかつ処理カップ内の排気を低排気量で行っても排気流の逆流を抑え、基板へのミストの再付着を低減できる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】下降気流が形成されている処理カップ33にて回転しているウエハWに対してレジスト液を塗布するレジスト塗布装置において、処理カップ33のスピンチャック31に保持されたウエハWの外周近傍に隙間を介して当該ウエハWを取り囲むように環状に設けられ、その内周面の縦断面形状が外側に膨らむように湾曲して下方に伸びる上側ガイド部70と、前記ウエハWの周縁部下方より外側下方へ傾斜した傾斜壁41及びこの傾斜壁41に連続し、下方へ垂直に伸びる垂直壁42から構成された下側ガイド部45と、を備える。 (もっと読む)


【課題】異物の発生を抑制して信頼性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上に載せられた試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記処理室と連通して水平方向に接続されこの処理室内のガスが通る排気用の空間と、この空間に連通し前記排気されるガスが排出される排気口と、この排気口と連通して配置され前記ガスを排気するためのポンプと、前記排気用の空間の内部で前記処理室との接続部と前記排気口との間に配置されこれらの間を結ぶ方向に沿って延びる板部材であって、前記試料台の上面からの見込み角外に配置された板部材とを備えた。 (もっと読む)


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